JP2008271169A - High frequency module, and portable terminal provided with the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、携帯電話端末に採用するGSM方式に対応するSAWフィルタ、アンテナスイッチを含む高周波モジュールの技術に関する。 The present invention relates to a technology of a high-frequency module including a SAW filter and an antenna switch corresponding to a GSM system adopted for a mobile phone terminal.
欧州市場からスタートした携帯電話のGSM方式は、その汎用性の高さから、アジア市場、米国市場にも展開され、その市場規模は拡大しつつある。GSM端末の増大に対応し、周波数帯域も当初のEGSM(900MHz)のみでは間に合わなくなり、高周波バンドのDCS(1800MHz)、PCS(1900MHz)、さらに北米対応のGSM850(850MHz)が加わり、マルチバンド対応の市場が急速に広がった。 The GSM system for mobile phones that started in the European market has been deployed in the Asian and US markets due to its versatility, and the market size is expanding. Corresponding to the increase of GSM terminals, the frequency band will not be in time with the original EGSM (900 MHz) alone, DCS (1800 MHz) and PCS (1900 MHz) for high frequency bands, and GSM850 (850 MHz) for North America will be added. The market expanded rapidly.
バンド数が増える一方で、携帯電話端末の多機能、高機能化が進み、携帯電話に使われる各素子への小型低背化の要求は強くなっている。小型低背化の手法として、通常モジュールを覆う金属シールド、もしくは樹脂モールドを削除することが挙げられる。 As the number of bands increases, the functions and functions of mobile phone terminals are increasing, and there is an increasing demand for small and low-profile devices used in mobile phones. As a technique for reducing the size and height, it is possible to delete a metal shield or a resin mold that usually covers the module.
また、その際にモジュール搭載工程でのハンドリングに必要なマウンタによる吸着を可能にする平坦面をモジュール中央部に確保することが必要となる。例えば、下記特許文献1には、複数のSAWフィルタをセラミック基板上にフリップチップボンディングし、一括封止する方法が提案されている。
At that time, it is necessary to secure a flat surface at the center of the module that enables adsorption by a mounter necessary for handling in the module mounting process. For example,
特許文献1では、SAWフィルタを搭載するためのフリップチップボンディング工程、SAWフィルタの気密性を確保するための封止工程は、セラミック基板上に半田実装されるチップ部品の搭載工程とは大きく異なり、製造工程が複雑になる。そのため、製造コストが上がるという課題がある。
In
本発明は、低コストで作製することができる小型の高周波モジュールを提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the small high frequency module which can be produced at low cost.
上記目的を達成するために、本発明の第1の態様に従えば、複数の周波数帯域に対応する高周波モジュールであって、送信と受信を切り替えるスイッチ回路と、送信の帯域外抑圧回路と、受信の複数の周波数帯域に対応した複数の弾性表面波素子が封止されたSAWモジュールと、前記スイッチ回路、前記帯域外抑圧回路及び前記SAWモジュールが設けられる基板とを有し、前記SAWモジュールは、上面が平坦に加工されたキャップ部を有し、前記キャップ部によって前記複数の弾性表面波素子が封止されている高周波モジュールが提供される。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a high-frequency module corresponding to a plurality of frequency bands, a switch circuit for switching between transmission and reception, a transmission out-of-band suppression circuit, and a reception A SAW module in which a plurality of surface acoustic wave elements corresponding to a plurality of frequency bands are sealed, and a substrate on which the switch circuit, the out-of-band suppression circuit, and the SAW module are provided, and the SAW module includes: There is provided a high-frequency module having a cap portion whose upper surface is processed flat, wherein the plurality of surface acoustic wave elements are sealed by the cap portion.
本発明に従う高周波モジュールは、例えば、複数の弾性表面波素子(以下、SAWフィルタともいう)を1つのパッケージ(PKG)にまとめて構成されたSAWモジュールを有する。そして、SAWモジュールは、上面が平坦なキャップ部によって覆われるように構成される。こうして得られたSAWモジュールは、基板上に他の実装部品と共に実装される。SAWモジュールの製造工程を、そのSAWモジュールを基板上に実装する工程と別工程とすることにより、製造コストを下げることができる。 The high-frequency module according to the present invention includes, for example, a SAW module in which a plurality of surface acoustic wave elements (hereinafter also referred to as SAW filters) are combined into one package (PKG). The SAW module is configured to be covered with a cap portion having a flat upper surface. The SAW module thus obtained is mounted together with other mounting components on the substrate. By making the SAW module manufacturing process different from the process of mounting the SAW module on the substrate, the manufacturing cost can be reduced.
本発明によれば、小型で低背化された高周波モジュールを低コストで提供することができる。 According to the present invention, a small and low-profile high-frequency module can be provided at low cost.
以下、本発明に従う高周波モジュールの実施形態について説明するが、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, although the embodiment of the high frequency module according to the present invention is described, the present invention is not limited to the following embodiment.
本発明に従う高周波モジュールにおいては、CSP SAWを製造する工程で複数のSAWフィルタを搭載したSAWモジュールを作製し、同SAWモジュールを搭載することで吸着面積を確保すると共に、チップ部品と同時に半田実装できるような構造にしている。以下、かかる高周波モジュールについて詳細に説明する。 In the high-frequency module according to the present invention, a SAW module having a plurality of SAW filters mounted thereon is manufactured in the process of manufacturing the CSP SAW, and the SAW module is mounted to secure an adsorption area and can be soldered simultaneously with the chip component. It has a structure like this. Hereinafter, such a high frequency module will be described in detail.
図1に、本発明に従うクアッドバンド対応の高周波モジュールの実施例の上面図を示す。高周波モジュールは、4つのSAWフィルタを1つのPKGにまとめたSAWモジュール1を有し、SAWモジュール1は、コンデンサ2、ダイオード3、インダクタ4、抵抗5と共にセラミック基板(LTCC)6上に半田実装される。
FIG. 1 shows a top view of an embodiment of a quad-band compatible high-frequency module according to the present invention. The high-frequency module has a
また、図2に、本発明を用いた高周波モジュールの回路ブロックの1例を示す。同図に示すように、本発明の高周波モジュール7は、アンテナ接続端子8、はGSM850受信信号出力端子9、はEGSM受信信号出力端子10、はGSM850/EGSM送信信号入力端子11、はDCS受信信号出力端子12、はPCS受信信号出力端子13、はDCS/PCS送信信号入力端子14、スイッチ切替え制御端子15及び16、ダイプレクサ回路17、PINダイオード(p-intrinsic-n Diode)18、19、20、21、λ/4移相回路22、23、抵抗24、25、インダクタ26、27、接地コンデンサ28、29、SAWフィルタ30、31、32、33、LPF(Low Pass Filter)34、35を有する。
FIG. 2 shows an example of a circuit block of a high-frequency module using the present invention. As shown in the figure, the high frequency module 7 of the present invention includes an
アンテナ接続端子8より入力された受信信号は、ダイプレクサ回路17により、1GHz帯のGSM850、EGSMと2GHz帯のDCS、PCSに信号に分離され、互いに影響しないようにしている。受信時にはスイッチ切替え制御端子15、16をoff(0V)に設定することにより、各ダイオード18、19、20、21はoffとなり、ダイプレクサ回路17により分離された信号は、50Ωで設計されたλ/4移相回路22、23を通過後、各SAWフィルタ30、31、32、33に入力、不要信号を抑圧した後、受信信号出力端子9、10、12、13のどれかの端子から出力され、高周波モジュール7の後段に接続されるRFICのLNA(Low Noise Amplifier)に入力される。
The received signal input from the
一方GSM850若しくはEGSMの送信時は、スイッチ切替え制御端子15をonに設定する。この時スイッチ切替え制御端子15から印加された電圧により、制御電流は抵抗24、ダイオード18、λ/4移相回路22、ダイオード19及びインダクタ26を介してGNDに流れ、ダイオード18、19はonになる。高周波モジュール7のGSM850/EGSM送信信号入力端子11は送信用ハイパワーアンプの出力端子に接続されている。ハイパワーアンプから出力された送信信号は、高周波モジュール7の送信端子11に入力され、高調波成分がローパスフィルタ34で抑圧された後、on状態のダイオード19を通過しダイプレクサ回路17を通ってアンテナ接続端子8から出力される。
On the other hand, when GSM850 or EGSM is transmitted, the switch
尚、この時、受信回路はダイオード18がon状態になっており、送信回路と受信回路の接続点から見た受信回路のインピーダンスがオープンになるようにλ/4移相回路22及び接地コンデンサ28の定数を設計することで、送信信号が受信回路に漏れ込む量を小さく抑えることができる。同様に、DCS若しくはPCSの送信時も、スイッチ切替え制御端子16をonに設定することで、DCS/PCS送信信号入力端子14から入力される送信信号をアンテナ接続端子8より出力することができる。
At this time, in the receiving circuit, the
本発明の実施例の断面図を図3に示す。図1と同じ機能を有する物は同一の番号を付して説明を省略する。 A cross-sectional view of an embodiment of the present invention is shown in FIG. Components having the same functions as those in FIG.
本実施例では、基板6に多層のセラミック基板(LTCC)を用い、ダイプレクサ17やλ/4移相回路22、23をLTCCに内層に入れることで小型化を図っており、基板6の上面には送受信切替え用のダイオード3及びチップコンデンサ2、チップインダクタ4及びチップ抵抗5等のディスクリート部品と複数のSAWフィルタを搭載したSAWモジュール1が搭載されている。
In this embodiment, a multilayer ceramic substrate (LTCC) is used as the substrate 6, and the
また、SAWモジュール1は、ほぼ中央に近い位置に搭載されており、高周波モジュール7の搭載工程でのハンドリング時に重心に近い場所で吸着できるようにしている。本発明では、複数のSAWフィルタを搭載したSAWモジュール1を用いることで高周波モジュール7搭載時の吸着面積を確保することができ、モジュールの上に更に金属シールドもしくは樹脂モールドをする必要がなくなり、金属シールドの半田付け等に必要なスペースを削除でき、高周波モジュール7を小型低背化できる。
Further, the
図4に図1で説明した本発明のSAWモジュール1の1実施例を示す。図4(a)はSAWモジュールの斜視図、図4(b)は断面図である。同図において、36はSAWチップ、37はセラミック基板、38は金属キャップである。複数個のSAWチップ36がセラミック基板(HTCC)37の上にフリップチップボンディングで接続され、金属キャップ38で封止されている。
FIG. 4 shows one embodiment of the
本SAWモジュール1は既存のシングルチップのSAWフィルタと同様の製造工程で作製することができ、さらにシングルのSAWフィルタを4個並べた時に比べて実装面積を約25%低減できるため、本SAWモジュール1を高周波モジュール7に搭載することで更に高周波モジュール7の小型化に貢献している。
The
以上の説明から、従来の製造工程、設備を使用して、高周波モジュールを小型低背化できることがわかる。さらに、複数のSAWフィルタを1つのパッケージ(PKG)にまとめたSAWモジュールを搭載することにより、高周波モジュールの構造を簡略化できる。 From the above description, it can be seen that the high-frequency module can be reduced in size and height using conventional manufacturing processes and equipment. Furthermore, by mounting a SAW module in which a plurality of SAW filters are combined into one package (PKG), the structure of the high-frequency module can be simplified.
以上、本発明に従う高周波モジュールの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改良や変形を行うことができる。 As mentioned above, although embodiment of the high frequency module according to this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various improvement and deformation | transformation can be performed in the range which does not deviate from the summary of this invention.
1・・・SAWモジュール、2・・・チップコンデンサ、3・・・ダイオード、4・・・チップインダクタ、5・・・チップ抵抗、6・・・セラミック基板(LTCC)、7・・・高周波モジュール、8・・・アンテナ接続端子、9・・・GSM850受信信号出力端子、10・・・EGSM受信信号出力端子、11・・・GSM850/EGSM送信信号入力端子、12・・・DCS受信信号出力端子、13・・・PCS受信信号出力端子、14・・・DCS/PCS送信信号入力端子、15・・・GSM850/EGSMスイッチ切替え制御端子、16・・・DCS/PCSスイッチ切替え制御端子、17・・・ダイプレクサ回路、18〜21・・・ダイオード、22,23・・・λ/4移相回路、24,25・・・抵抗、26,27・・・インダクタ、28,29・・・コンデンサ、30・・・GSM850 SAWフィルタ、31・・・EGSM SAWフィルタ、32・・・DCS SAWフィルタ、33・・・PCS SAWフィルタ、34,35・・・LPF、36・・・SAWチップ、37・・・セラミック基板(HTCC)、38・・・金属キャップ
DESCRIPTION OF
Claims (7)
送信と受信を切り替えるスイッチ回路と、
送信の帯域外抑圧回路と、
受信の複数の周波数帯域に対応した複数の弾性表面波素子が封止されたSAWモジュールと、
前記スイッチ回路、前記帯域外抑圧回路及び前記SAWモジュールが設けられる基板とを有し、
前記SAWモジュールは、上面が平坦に加工されたキャップ部を有し、前記キャップ部によって前記複数の弾性表面波素子が封止されている高周波モジュール。 A high-frequency module corresponding to a plurality of frequency bands,
A switch circuit for switching between transmission and reception;
A transmission out-of-band suppression circuit;
A SAW module in which a plurality of surface acoustic wave elements corresponding to a plurality of reception frequency bands are sealed;
A substrate on which the switch circuit, the out-of-band suppression circuit, and the SAW module are provided;
The SAW module has a cap part whose upper surface is processed flat, and the plurality of surface acoustic wave elements are sealed by the cap part.
前記基板を第1の基板としたときに、
前記SAWモジュールは、前記第1の基板とは異なる第2の基板上に、前記複数の弾性表面波素子が形成されており、
前記キャップ部と前記第2の基板とによって封止されていることを特徴とする高周波モジュール。 The high frequency module according to claim 1,
When the substrate is a first substrate,
In the SAW module, the plurality of surface acoustic wave elements are formed on a second substrate different from the first substrate,
The high-frequency module is sealed by the cap portion and the second substrate.
異なる周波数の信号を分離するダイプレクサ回路を有し、
高域側の信号と低域側の信号に分離された信号はそれぞれ送信と受信で切り替えられることを特徴とする高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 1 or 2,
A diplexer circuit that separates signals of different frequencies;
A high-frequency module characterized in that a signal separated into a high-frequency signal and a low-frequency signal can be switched between transmission and reception, respectively.
前記スイッチ回路はPinダイオードを含むことを特徴とする高周波モジュール。 In the high frequency module according to claim 3,
The high-frequency module, wherein the switch circuit includes a Pin diode.
前記SAWモジュールは、前記基板上の略中央に配置されていることを特徴とする高周波モジュール。 In the high frequency module according to any one of claims 1 to 5,
The high-frequency module according to claim 1, wherein the SAW module is disposed substantially at the center on the substrate.
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014045726A1 (en) * | 2012-09-19 | 2014-03-27 | 株式会社村田製作所 | Filter device |
US10181839B2 (en) | 2016-05-12 | 2019-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Switch module |
US10944382B2 (en) | 2016-05-12 | 2021-03-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Switch module |
US11329630B2 (en) | 2016-05-12 | 2022-05-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Switch module |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002101005A (en) * | 2000-09-20 | 2002-04-05 | Tdk Corp | Front-end module for triple-band portable telephone |
JP2002261581A (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Tdk Corp | High-frequency module component |
JP2002299785A (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Tdk Corp | High-frequency module |
-
2007
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002101005A (en) * | 2000-09-20 | 2002-04-05 | Tdk Corp | Front-end module for triple-band portable telephone |
JP2002261581A (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Tdk Corp | High-frequency module component |
JP2002299785A (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Tdk Corp | High-frequency module |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014045726A1 (en) * | 2012-09-19 | 2014-03-27 | 株式会社村田製作所 | Filter device |
KR20150041143A (en) * | 2012-09-19 | 2015-04-15 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Filter device |
CN104641556A (en) * | 2012-09-19 | 2015-05-20 | 株式会社村田制作所 | Filter device |
KR101647322B1 (en) * | 2012-09-19 | 2016-08-10 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Filter device |
US9608593B2 (en) | 2012-09-19 | 2017-03-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter device having a first inductance in a chip substrate and a second inductance in a mounting substrate |
US10181839B2 (en) | 2016-05-12 | 2019-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Switch module |
US10944382B2 (en) | 2016-05-12 | 2021-03-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Switch module |
US11329630B2 (en) | 2016-05-12 | 2022-05-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Switch module |
US11362644B2 (en) | 2016-05-12 | 2022-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Switch module |
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