JP2008269862A - Plasma display panel - Google Patents

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Ryoji Hiuga
亮二 日向
Hatsumi Komaki
初美 古牧
Shingo Takagi
伸悟 高木
Tatsuo Mifune
達雄 三舩
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma display panel having good image display contrast and giving consideration to environmental problems. <P>SOLUTION: In this PDP, a front plate in which a display electrode, a shielding layer, and a dielectric layer are formed on a glass substrate, and a back plate in which an electrode, a barrier plate, and a phosphor layer are formed on a substrate are disposed face to face and their peripheries are sealed to form a discharge space. The display electrode is formed by a plurality of layers including at least a metal electrode layer containing silver and a glass material, the content of bismuth oxide (Bi<SB>2</SB>O<SB>3</SB>) in the dielectric layer is not less than 5 wt.% and not more than 25 wt.%, and the content of glass bismuth oxide (Bi<SB>2</SB>O<SB>3</SB>) of the glass material in the metal electrode layer is not less than 5 wt.% and not more than 25 wt.%. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネルに関する。   The present invention relates to a plasma display panel used for a display device or the like.

プラズマディスプレイパネル(以下、PDPと呼ぶ)は、高精細化、大画面化の実現が可能であることから、100インチ以上クラスのテレビなどが製品化されている。近年、PDPは従来のNTSC方式に比べて走査線数が2倍以上のフルハイビジョンへの適用が進んでいるとともに、環境問題に配慮して鉛成分を含まないPDPが要求されている。また省資源化や材料コスト削減のために、高価である希少金属の削減も必要とされている。   A plasma display panel (hereinafter referred to as a PDP) can realize high definition and a large screen, and therefore, a television of 100 inches or more class has been commercialized. In recent years, PDP has been applied to full high-definition whose number of scanning lines is more than twice that of the conventional NTSC system, and PDP which does not contain a lead component is required in consideration of environmental problems. In addition, in order to save resources and reduce material costs, it is necessary to reduce expensive rare metals.

PDPは、基本的には、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、フロート法による硼硅酸ナトリウム系ガラスのガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、この表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、この誘電体層上に形成された酸化マグネシウム(MgO)からなる保護層とで構成されている。一方、背面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のアドレス電極と、アドレス電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色および青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。   A PDP basically includes a front plate and a back plate. The front plate covers a display electrode composed of a glass substrate of sodium borosilicate glass by a float method, a striped transparent electrode and a bus electrode formed on one main surface of the glass substrate, and the display electrode. The dielectric layer functions as a capacitor, and a protective layer made of magnesium oxide (MgO) formed on the dielectric layer. On the other hand, the back plate is a glass substrate, stripe-shaped address electrodes formed on one main surface thereof, a base dielectric layer covering the address electrodes, a partition formed on the base dielectric layer, It is comprised with the fluorescent substance layer which light-emits each of red, green, and blue formed between the partition walls.

前面板と背面板とはその電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって仕切られた放電空間にNe−Xeの放電ガスが400Torr〜600Torrの圧力で封入されている。PDPは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電させ、その放電によって発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせてカラー画像表示を実現している。   The front plate and the back plate are hermetically sealed with their electrode forming surfaces facing each other, and Ne—Xe discharge gas is sealed at a pressure of 400 Torr to 600 Torr in a discharge space partitioned by a partition wall. PDP discharges by selectively applying a video signal voltage to the display electrode, and the ultraviolet rays generated by the discharge excite each color phosphor layer to emit red, green and blue light, thereby realizing color image display is doing.

表示電極のバス電極には導電性を確保するための銀電極が用いられ、誘電体層としては酸化鉛を主成分とする低融点ガラスが用いられているが、近年の環境問題への配慮から誘電体層として鉛成分を含まない例が開示されている(例えば、特許文献1、2、3、4など参照)。   Silver electrodes for ensuring conductivity are used for the bus electrodes of the display electrodes, and low-melting glass mainly composed of lead oxide is used for the dielectric layer. However, due to recent environmental concerns Examples in which a lead component is not included as a dielectric layer are disclosed (see, for example, Patent Documents 1, 2, 3, and 4).

また、電極を形成する際のガラス材料として酸化ビスマス(Bi23)を所定量含有させる例も開示されている(例えば、特許文献5参照)。
特開2003−128430号公報 特開2002−053342号公報 特開2001−045877号公報 特開平9−050769号公報 特開2000−048645号公報
In addition, an example in which a predetermined amount of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is contained as a glass material for forming an electrode is also disclosed (for example, see Patent Document 5).
JP 2003-128430 A JP 2002-053342 A JP 2001-045877 A JP-A-9-050769 JP 2000-0486645 A

近年、PDPは従来のNTSC方式に比べて走査線数が2倍以上のフルハイビジョンへの適用が進んでおり、同時に高輝度化・コントラストの向上が図られている。   In recent years, PDP has been applied to full high-definition whose number of scanning lines is more than twice that of the conventional NTSC system, and at the same time, higher brightness and improved contrast are being achieved.

ところが、環境問題への配慮から用いられている、鉛成分を含有しない誘電体層や電極のガラス材料を用いた場合は、表示電極の黒色層や遮光層を起因とする黒輝度を悪化させて、コントラストが低下し、良好な画像品質が確保できないという課題を有していた。   However, in the case of using a dielectric layer that does not contain a lead component or a glass material of an electrode, which is used for consideration of environmental problems, the black luminance caused by the black layer or the light shielding layer of the display electrode is deteriorated. However, there is a problem that the contrast is lowered and good image quality cannot be ensured.

また省資源化や材料の高騰などから高価な希少金属の削減が求められているが、黒色層や遮光層の黒色材料の成分の選択によっては表示電極の母線となる金属電極から透明電極への基板垂直方向の抵抗値(以下、接触抵抗値とする)が上昇し、消費電力が上がることで画像品質に影響を与えるという課題があった。   In addition, there is a need to reduce expensive rare metals due to resource savings and soaring materials, but depending on the selection of the black material component of the black layer and the light shielding layer, the metal electrode that serves as the display electrode's bus bar to the transparent electrode There has been a problem that image quality is affected by an increase in resistance value in the vertical direction of the substrate (hereinafter referred to as a contact resistance value) and an increase in power consumption.

本発明は、このような課題を解決して、高精細表示でも良好な画像品質を確保し、さらに環境問題に配慮したPDPを実現することを目的としている。   An object of the present invention is to solve such problems and to realize a PDP that ensures good image quality even in high-definition display and further considers environmental issues.

上記の課題を解決するために、本発明のPDPはガラス基板上に表示電極および誘電体層が形成された前面板と、基板上に電極、隔壁および蛍光体層が形成された背面板とを対向配置するとともに周囲を封着して放電空間を形成したPDPであって、前記表示電極が少なくとも、銀およびガラス材料を含有する金属電極層を含む複数層で構成され、前記誘電体層の酸化ビスマス(Bi23)の含有量が、5重量%以上25重量%以下であって、前記金属電極層のガラス材料の酸化ビスマス(Bi23)の含有量が5重量%以上25重量%以下であることを特徴とする。また前記黒色層にはコバルト(Co)、ニッケル(Ni)もしくは銅(Cu)またはこれらの酸化物を含有することを特徴とする。 In order to solve the above problems, the PDP of the present invention comprises a front plate having a display electrode and a dielectric layer formed on a glass substrate, and a back plate having electrodes, barrier ribs, and a phosphor layer formed on the substrate. A PDP having a discharge space formed by facing and sealing the periphery, wherein the display electrode is composed of a plurality of layers including a metal electrode layer containing at least silver and a glass material, and oxidation of the dielectric layer The content of bismuth (Bi 2 O 3 ) is 5 wt% or more and 25 wt% or less, and the content of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) in the glass material of the metal electrode layer is 5 wt% or more and 25 wt%. % Or less. The black layer contains cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), or an oxide thereof.

以上のような本発明の構成によれば、画像表示品位が良好で、かつ環境問題にも配慮したPDPを提供することができる。   According to the configuration of the present invention as described above, it is possible to provide a PDP having good image display quality and considering environmental problems.

以下、本発明の実施の形態におけるPDPについて図面を用いて説明する。   Hereinafter, a PDP according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

(実施の形態)
図1は本発明の実施の形態におけるPDPの構造を示す斜視図である。PDPの基本構造は、一般的な交流面放電型PDPと同様である。図1に示すように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背面板10とが対向して配置され、その外周部をガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、NeおよびXeなどの放電ガスが400Torr〜600Torrの圧力で封入されている。
(Embodiment)
FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a PDP according to an embodiment of the present invention. The basic structure of the PDP is the same as that of a general AC surface discharge type PDP. As shown in FIG. 1, the PDP 1 has a front plate 2 made of a front glass substrate 3 and a back plate 10 made of a back glass substrate 11 facing each other, and its outer peripheral portion is sealed with a glass frit or the like. The material is hermetically sealed. The discharge space 16 inside the sealed PDP 1 is filled with a discharge gas such as Ne or Xe at a pressure of 400 Torr to 600 Torr.

前面板2の前面ガラス基板3上には、走査電極4および維持電極5よりなる一対の帯状の表示電極6と遮光層7が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板3上には表示電極6と遮光層7とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層8が形成され、さらにその表面に酸化マグネシウム(MgO)などからなる保護層9が形成されている。   On the front glass substrate 3 of the front plate 2, a pair of strip-shaped display electrodes 6 each composed of the scanning electrodes 4 and the sustain electrodes 5 and the light shielding layers 7 are arranged in a plurality of rows in parallel with each other. A dielectric layer 8 serving as a capacitor is formed on the front glass substrate 3 so as to cover the display electrode 6 and the light shielding layer 7, and a protective layer 9 made of magnesium oxide (MgO) is formed on the surface. Has been.

また、背面板10の背面ガラス基板11上には、前面板2の走査電極4および維持電極5と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極12が互いに平行に配置され、これを下地誘電体層13が被覆している。さらに、アドレス電極12間の下地誘電体層13上には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14間の溝にアドレス電極12毎に、紫外線によって赤色、青色および緑色にそれぞれ発光する蛍光体層15が順次塗布して形成されている。走査電極4および維持電極5とアドレス電極12とが交差する位置に放電セルが形成され、表示電極6方向に並んだ赤色、青色、緑色の蛍光体層15を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。   On the back glass substrate 11 of the back plate 10, a plurality of strip-like address electrodes 12 are arranged in parallel to each other in a direction perpendicular to the scanning electrodes 4 and the sustain electrodes 5 of the front plate 2. Layer 13 is covering. Further, a partition wall 14 having a predetermined height is formed on the base dielectric layer 13 between the address electrodes 12 to divide the discharge space 16. For each address electrode 12, a phosphor layer 15 that emits red, blue, and green light by ultraviolet rays is sequentially applied to the grooves between the barrier ribs 14 and formed. A discharge cell is formed at a position where the scan electrode 4 and the sustain electrode 5 intersect with the address electrode 12, and the discharge cell having red, blue and green phosphor layers 15 arranged in the direction of the display electrode 6 is used for color display. Become a pixel.

図2は、本発明の実施の形態におけるPDPの前面板2の構成を示す断面図である。図2は図1と上下反転させて示している。図2に示すように、フロート法などにより製造された前面ガラス基板3に、走査電極4と維持電極5よりなる表示電極6と遮光層7がパターン形成されている。走査電極4と維持電極5はそれぞれ酸化インジウム(ITO)や酸化スズ(SnO2)などからなる透明電極4a、5aと、透明電極4a、5a上に形成された金属バス電極4b、5bとにより構成されている。金属バス電極4b、5bは透明電極4a、5aの長手方向に導電性を付与する目的として用いられ、銀(Ag)材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。さらに、金属バス電極4b、5bは黒色の黒色電極41b、51bと白色の白色電極42b、52bとで構成されている。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the front plate 2 of the PDP in the embodiment of the present invention. 2 is shown upside down from FIG. As shown in FIG. 2, a display electrode 6 and a light shielding layer 7 including scanning electrodes 4 and sustain electrodes 5 are formed in a pattern on a front glass substrate 3 manufactured by a float method or the like. Scan electrode 4 and sustain electrode 5 are each composed of transparent electrodes 4a and 5a made of indium oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and the like, and metal bus electrodes 4b and 5b formed on transparent electrodes 4a and 5a. Has been. The metal bus electrodes 4b and 5b are used for the purpose of imparting conductivity in the longitudinal direction of the transparent electrodes 4a and 5a, and are formed of a conductive material whose main component is a silver (Ag) material. Furthermore, the metal bus electrodes 4b and 5b are composed of black black electrodes 41b and 51b and white white electrodes 42b and 52b.

誘電体層8は、前面ガラス基板3上に形成されたこれらの透明電極4a、5aと金属バス電極4b、5bと遮光層7を覆って設けた第1誘電体層81と、第1誘電体層81上に形成された第2誘電体層82の少なくとも2層構成とし、さらに第2誘電体層82上に保護層9を形成している。   The dielectric layer 8 includes a first dielectric layer 81 provided on the front glass substrate 3 so as to cover the transparent electrodes 4a and 5a, the metal bus electrodes 4b and 5b, and the light shielding layer 7, and a first dielectric. The second dielectric layer 82 formed on the layer 81 has at least two layers, and the protective layer 9 is formed on the second dielectric layer 82.

次に、PDPの製造方法について説明する。まず、前面ガラス基板3上に、走査電極4および維持電極5と遮光層7とを形成する。これらの透明電極4a、5aと金属バス電極4b、5bは、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングして形成される。透明電極4a、5aは薄膜プロセスなどを用いて形成され、金属バス電極4b、5bは導電性黒色粒子あるいは銀(Ag)材料を含むペーストを所望の温度で焼成して固化している。また、遮光層7も同様に、黒色材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や黒色材料をガラス基板の全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することにより形成される。   Next, a method for manufacturing a PDP will be described. First, the scan electrode 4, the sustain electrode 5, and the light shielding layer 7 are formed on the front glass substrate 3. The transparent electrodes 4a and 5a and the metal bus electrodes 4b and 5b are formed by patterning using a photolithography method or the like. The transparent electrodes 4a and 5a are formed using a thin film process or the like, and the metal bus electrodes 4b and 5b are solidified by baking a paste containing conductive black particles or silver (Ag) material at a desired temperature. Similarly, the light shielding layer 7 is also formed by screen printing a paste containing a black material or by forming a black material on the entire surface of the glass substrate, patterning it using a photolithography method, and baking it.

具体的な金属バス電極4b、5bの形成手順は、以下に示す手順が一般的である。前面ガラス基板3上に黒色材料を含んだペーストを印刷し乾燥させた後、フォトリソグラフィ法でパターニングして、遮光層7を形成する。さらにその上に顔料を含んだペーストと導電性粒子を含んだペーストをそれぞれ印刷、乾燥を繰り返す。その後フォトリソグラフィ法でパターニングして黒色の黒色電極41b、51bと白色の白色電極42b、52bからなる金属バス電極4b、5bを形成する。ここで、画像表示時のコントラストを向上させるために、黒色電極41b、51bは下層(前面ガラス基板3側)に形成し、白色電極42b、52bは上層として形成される。   A specific procedure for forming the metal bus electrodes 4b and 5b is generally the following procedure. A paste containing a black material is printed on the front glass substrate 3 and dried, followed by patterning by a photolithography method to form the light shielding layer 7. Further, a paste containing a pigment and a paste containing conductive particles are printed and dried repeatedly. Thereafter, patterning is performed by photolithography to form metal bus electrodes 4b and 5b composed of black black electrodes 41b and 51b and white white electrodes 42b and 52b. Here, in order to improve the contrast during image display, the black electrodes 41b and 51b are formed in the lower layer (front glass substrate 3 side), and the white electrodes 42b and 52b are formed as the upper layer.

また、本発明の実施形態では金属バス電極の黒色電極41b、51bと遮光層7が同一材料とし、同一プロセスにて製造する手順を用いている。本発明は黒色度を良好にする技術であるため、本発明の実施形態では遮光層7の黒色度も良好になり、本発明の効果を強くすることが可能である。   In the embodiment of the present invention, the black electrodes 41b and 51b of the metal bus electrode and the light shielding layer 7 are made of the same material, and a procedure of manufacturing in the same process is used. Since the present invention is a technique for improving the blackness, in the embodiment of the present invention, the blackness of the light shielding layer 7 is also improved, and the effect of the present invention can be enhanced.

次に、走査電極4、維持電極5および遮光層7を覆うように前面ガラス基板3上に誘電体ペーストをダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト層(誘電体ガラス層)を形成する。誘電体ペーストを塗布した後、所定の時間放置することによって塗布された誘電体ペースト表面がレベリングされて平坦な表面になる。その後、誘電体ペースト層を焼成固化することにより、走査電極4、維持電極5および遮光層7を覆う誘電体層8が形成される。なお、本発明の実施の形態では、少なくともこれらの誘電体ペーストの塗布工程を繰り返すことによって第1誘電体層81と第2誘電体層82とよりなる2層構成の誘電体層8を形成している。なお、誘電体ペーストは粉末の誘電体ガラス、バインダおよび溶剤を含む塗料である。次に、誘電体層8上に酸化マグネシウム(MgO)からなる保護層9を真空蒸着法により形成する。以上の工程により、前面ガラス基板3上に所定の構成部材が形成されて前面板2が完成する。   Next, a dielectric paste is applied on the front glass substrate 3 by a die coating method or the like so as to cover the scan electrode 4, the sustain electrode 5, and the light shielding layer 7, thereby forming a dielectric paste layer (dielectric glass layer). After the dielectric paste is applied, the surface of the applied dielectric paste is leveled by leaving it to stand for a predetermined time, so that a flat surface is obtained. Thereafter, the dielectric paste layer is baked and solidified to form the dielectric layer 8 that covers the scan electrode 4, the sustain electrode 5, and the light shielding layer 7. In the embodiment of the present invention, the dielectric layer 8 having a two-layer structure including the first dielectric layer 81 and the second dielectric layer 82 is formed by repeating at least the coating process of the dielectric paste. ing. The dielectric paste is a paint containing powdery dielectric glass, a binder, and a solvent. Next, a protective layer 9 made of magnesium oxide (MgO) is formed on the dielectric layer 8 by a vacuum deposition method. Through the above steps, predetermined constituent members are formed on the front glass substrate 3, and the front plate 2 is completed.

一方、背面板10は次のようにして形成される。まず、背面ガラス基板11上に、銀(Ag)材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによりアドレス電極12用の構成物となる材料層を形成し、それを所望の温度で焼成することによりアドレス電極12を形成する。次に、アドレス電極12が形成された背面ガラス基板11上にダイコート法などによりアドレス電極12を覆うように誘電体ペーストを塗布して誘電体ペースト層を形成する。その後、誘電体ペースト層を焼成することにより下地誘電体層13を形成する。なお、誘電体ペーストは粉末の誘電体ガラスとバインダおよび溶剤を含んだ塗料である。   On the other hand, the back plate 10 is formed as follows. First, the structure for the address electrode 12 is formed by a method of screen printing a paste containing silver (Ag) material on the rear glass substrate 11 or a method of patterning using a photolithography method after forming a metal film on the entire surface. An address electrode 12 is formed by forming a material layer to be an object and firing it at a desired temperature. Next, a dielectric paste is applied on the rear glass substrate 11 on which the address electrodes 12 are formed by a die coating method so as to cover the address electrodes 12 to form a dielectric paste layer. Thereafter, the base dielectric layer 13 is formed by firing the dielectric paste layer. The dielectric paste is a paint containing powdery dielectric glass, a binder, and a solvent.

次に、下地誘電体層13上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布して所定の形状にパターニングして隔壁材料層を形成し、その後、焼成することにより隔壁14を形成する。ここで、下地誘電体層13上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法やサンドブラスト法を用いることができる。次に、隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上および隔壁14の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布して焼成することにより蛍光体層15が形成される。以上の工程により、背面ガラス基板11上に所定の構成部材が形成されて背面板10が完成する。   Next, a partition wall forming paste including a partition wall material is applied on the base dielectric layer 13 and patterned into a predetermined shape to form a partition wall material layer, and then fired to form the partition walls 14. Here, as a method of patterning the partition wall paste applied on the base dielectric layer 13, a photolithography method or a sand blast method can be used. Next, the phosphor layer 15 is formed by applying and baking a phosphor paste containing a phosphor material on the base dielectric layer 13 between the adjacent barrier ribs 14 and on the side surfaces of the barrier ribs 14. Through the above steps, predetermined constituent members are formed on the rear glass substrate 11 to complete the rear plate 10.

このようにして所定の構成部材を備えた前面板2と背面板10とを走査電極4とアドレス電極12とが直交するように対向配置して、その周囲をガラスフリットで封着し、放電空間16にNe、Xeなどを含む放電ガスを封入することによりPDP1が完成する。   In this way, the front plate 2 and the back plate 10 having predetermined constituent members are arranged to face each other so that the scanning electrodes 4 and the address electrodes 12 are orthogonal to each other, and the periphery thereof is sealed with a glass frit, so that a discharge space is obtained. 16 is filled with a discharge gas containing Ne, Xe or the like, thereby completing the PDP 1.

次に、前面板2の表示電極6と誘電体層8の詳細について述べる。まず表示電極6について説明する。前面ガラス基板3上に厚さ0.12μm程度の酸化インジウム(ITO)をスパッタ法で全面に形成し、その後、フォトリソグラフィ法によって、幅150μmのストライプ状の透明電極4a、5aを形成する。   Next, details of the display electrode 6 and the dielectric layer 8 of the front plate 2 will be described. First, the display electrode 6 will be described. Indium oxide (ITO) having a thickness of about 0.12 μm is formed on the entire surface of the front glass substrate 3 by sputtering, and then stripe-shaped transparent electrodes 4a and 5a having a width of 150 μm are formed by photolithography.

そして、黒色材料としてコバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)の黒色金属微粒子、金属酸化物、金属複合酸化物が5重量%〜40重量%と、ガラス材料が10重量%〜40重量%と、感光性ポリマー、感光性モノマー、光重合開始剤、溶剤などを含む感光性有機バインダ成分が30重量%〜60重量%とよりなる感光性ペーストを印刷法などによって前面ガラス基板3上全面に塗布し、黒色電極ペースト層を形成する。   Further, black metal fine particles of cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), metal oxide, and metal composite oxide as black materials are 5 wt% to 40 wt%, and glass materials are 10 wt% to 40 wt%. A photosensitive paste composed of 30% by weight to 60% by weight of a photosensitive organic binder component including a photosensitive polymer, a photosensitive monomer, a photopolymerization initiator, a solvent and the like on the front glass substrate 3 by a printing method or the like. Apply to the entire surface to form a black electrode paste layer.

なお、黒色電極ペーストのガラス材料は、少なくとも酸化ビスマス(Bi23)を5重量%〜25重量%含み、ガラス材料の軟化点が500℃を超えるようにしている。なお、上述した黒色材料としてのコバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)の黒色金属微粒子、金属酸化物、金属複合酸化物は、一部導電材としても機能する。 The glass material of the black electrode paste contains at least 5% by weight to 25% by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) so that the softening point of the glass material exceeds 500 ° C. Note that the black metal fine particles, metal oxide, and metal composite oxide of cobalt (Co), nickel (Ni), and copper (Cu) as the black material described above also partially function as a conductive material.

次に、少なくとも銀(Ag)粒子が70重量%〜90重量%と、ガラス材料が1重量%〜15重量%と、感光性ポリマー、感光性モノマー、光重合開始剤、溶剤などを含む感光性有機バインダ成分8重量%〜30重量%よりなる感光性ペーストを印刷法などによって黒色電極ペースト層上に塗布し、白色電極ペースト層を形成する。なお、白色電極ペースト層のガラス材料は、少なくとも酸化ビスマス(Bi23)を5重量%〜25重量%含み、ガラス材料の軟化点が550℃を超えるようにしている。 Next, at least 70% to 90% by weight of silver (Ag) particles, 1% to 15% by weight of glass material, and a photosensitive polymer, a photosensitive monomer, a photopolymerization initiator, a solvent, and the like. A photosensitive paste composed of 8% to 30% by weight of an organic binder component is applied onto the black electrode paste layer by a printing method or the like to form a white electrode paste layer. The glass material of the white electrode paste layer contains at least 5 wt% to 25 wt% of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) so that the softening point of the glass material exceeds 550 ° C.

これらの全面塗布された黒色電極ペースト層と白色電極ペースト層とを、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、これらを550℃〜600℃の温度で焼成して線幅が60μm程度の黒色電極41b、51bと白色電極42b、52bを透明電極4a、5a上に形成する。   The black electrode paste layer and the white electrode paste layer applied on the entire surface are patterned using a photolithography method, and these are baked at a temperature of 550 ° C. to 600 ° C. to form a black electrode 41b having a line width of about 60 μm, 51b and white electrodes 42b and 52b are formed on the transparent electrodes 4a and 5a.

このように本発明の実施では黒色電極41b、51bにコバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)を用いているが、従来技術においては、黒色電極41b、51bや遮光層7にクロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)を含有することによって、導電性および黒色度を確保する手段がある。ところが、発明者等はクロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)を黒色電極41b、51bに使用することによって、黒色電極41b、51bと白色電極42b、52bとの層界面での接触抵抗値を増大させ、電極層全体の抵抗値が上昇する傾向があることを見出した。またこれは、黒色電極41b、51bのガラス材料の成分、または誘電体層8の成分などにも依存することが判明した。   As described above, in the practice of the present invention, cobalt (Co), nickel (Ni), and copper (Cu) are used for the black electrodes 41b and 51b. In the prior art, the black electrodes 41b and 51b and the light shielding layer 7 are made of chromium. There is a means for ensuring conductivity and blackness by containing (Cr), manganese (Mn), and iron (Fe). However, the inventors use chromium (Cr), manganese (Mn), and iron (Fe) for the black electrodes 41b and 51b, thereby making contact at the layer interface between the black electrodes 41b and 51b and the white electrodes 42b and 52b. It has been found that the resistance value increases and the resistance value of the entire electrode layer tends to increase. It has also been found that this depends on the glass material component of the black electrodes 41b and 51b, the component of the dielectric layer 8, and the like.

この現象について以下に解説する。通常、電極焼成工程や誘電体焼成工程における熱処理によって、白色電極42b、52bに含まれる銀(Ag)同士が接触し、電極の導電性が発現する。ところが通常、黒色電極41b、51bに含まれる導電材や黒色材料等の成分は、上述の電極焼成や誘電体焼成工程において、白色電極42b、52bへ移動、拡散し、銀(Ag)同士の接触を妨げようとする。ところが、黒色電極41b、51bにコバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)を用いた場合、この白色電極42b、52bへの拡散を抑制することができ、結果として銀(Ag)同士の接触を妨げることがなくなる。このため、黒色電極41b、51bと白色電極42b、52bとの層界面での接触抵抗値を低下させることができると考えられる。   This phenomenon is explained below. Usually, silver (Ag) contained in the white electrodes 42b and 52b comes into contact with each other by heat treatment in the electrode firing step and the dielectric firing step, and the conductivity of the electrode is developed. However, the components such as the conductive material and the black material contained in the black electrodes 41b and 51b usually move and diffuse to the white electrodes 42b and 52b in the above-described electrode firing and dielectric firing processes, and contact between silver (Ag) is caused. Try to prevent. However, when cobalt (Co), nickel (Ni), and copper (Cu) are used for the black electrodes 41b and 51b, diffusion to the white electrodes 42b and 52b can be suppressed, and as a result, silver (Ag) is Will not interfere with the contact. For this reason, it is considered that the contact resistance value at the layer interface between the black electrodes 41b and 51b and the white electrodes 42b and 52b can be reduced.

一方、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)の成分を黒色材料や導電材として黒色電極に含有していると、焼成時において白色電極42b、52bへの拡散が起こり、拡散された成分により銀(Ag)同士の接触を妨げることとなり、この接触抵抗が上昇する。   On the other hand, if the black electrode contains the components of chromium (Cr), manganese (Mn), and iron (Fe) as a black material or conductive material, diffusion to the white electrodes 42b and 52b occurs during the firing. The contact between the silver (Ag) is hindered by the components, and this contact resistance increases.

また従来技術では、黒色電極41b、51bや遮光層7にルテニウム(Ru)を含有して、黒色度、導電率を確保する手段も開示されている。ところがルテニウム(Ru)は高価な希少金属でもあるため、ルテニウム(Ru)の使用は材料コストの増加に繋がることとなり、大画面化が進むPDPでは、部分的なコストの増加も大きな影響を及ぼす。このように本発明の実施では、ルテニウム(Ru)を実質的に使用しないこととすることで、従来技術に対して材料コストの削減や省資源化などの観点からも優位な効果が有することになる。   The prior art also discloses means for ensuring blackness and electrical conductivity by containing ruthenium (Ru) in the black electrodes 41b and 51b and the light shielding layer 7. However, since ruthenium (Ru) is also an expensive rare metal, the use of ruthenium (Ru) leads to an increase in material cost, and in a PDP whose screen size is increasing, a partial increase in cost also has a great effect. As described above, in the practice of the present invention, ruthenium (Ru) is substantially not used, so that it has an advantageous effect from the viewpoint of reducing the material cost and saving resources over the prior art. Become.

また、黒色電極41b、51bと白色電極42b、52bに用いられるガラス材料は、上述のように酸化ビスマス(Bi23)の含有量が5重量%〜25重量%であり、さらに、酸化モリブデン(MoO3)、酸化タングステン(WO3)のうちの少なくとも一つを0.1重量%以上7重量%以下含むことが好ましい。なお、酸化モリブデン(MoO3)、酸化タングステン(WO3)に代えて、酸化セリウム(CeO2)、酸化銅(CuO)、酸化コバルト(Co23)、酸化バナジウム(V27)、酸化アンチモン(Sb23)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量〜7重量%含ませてもよい。 The glass material used for the black electrodes 41b and 51b and the white electrodes 42b and 52b has a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) content of 5 wt% to 25 wt% as described above. It is preferable that at least one of (MoO 3 ) and tungsten oxide (WO 3 ) is contained in an amount of 0.1 wt% to 7 wt%. In place of molybdenum oxide (MoO 3 ) and tungsten oxide (WO 3 ), cerium oxide (CeO 2 ), copper oxide (CuO), cobalt oxide (Co 2 O 3 ), vanadium oxide (V 2 O 7 ), at least one selected from antimony oxide (Sb 2 O 3) may be included 0.1 wt to 7% by weight.

また、上記以外の成分として、酸化亜鉛(ZnO)を0重量%〜40重量%、酸化硼素(B23)を0重量%〜35重量%、酸化硅素(SiO2)を0重量%〜15重量%、酸化アルミニウム(Al23)を0重量%〜10重量%など、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよく、これらの材料組成の含有量に特に限定はなく、従来技術程度の材料組成の含有量範囲である。 Further, as components other than the above, zinc oxide (ZnO) is 0 wt% to 40 wt%, boron oxide (B 2 O 3 ) is 0 wt% to 35 wt%, and silicon oxide (SiO 2 ) is 0 wt% to A material composition that does not include a lead component, such as 15% by weight and aluminum oxide (Al 2 O 3 ), such as 0% by weight to 10% by weight, may be included, and the content of these material compositions is not particularly limited, It is the content range of the material composition of the prior art level.

なお、本発明ではガラス材料の軟化点温度を500℃以上とし、焼成温度を550℃〜600℃としている。従来のように、ガラス材料の軟化点が450℃〜500℃と低い場合には、焼成温度がそれより100℃近く高いため、反応性の高い酸化ビスマス(Bi23)自体が銀(Ag)や黒色金属微粒子、あるいはペースト中の有機バインダ成分と激しく反応し、金属バス電極4b、5b中と誘電体層8中に気泡を発生させ、誘電体層8の絶縁耐圧性能を劣化させる。一方、本発明のように、ガラス材料の軟化点を500℃以上にすると、銀(Ag)や黒色金属微粒子、あるいは有機成分と酸化ビスマス(Bi23)との反応性が低下して気泡の発生は少なくなる。しかしながら、ガラス材料の軟化点を600℃以上とすると、金属バス電極4b、5bと透明電極4a、5aや前面ガラス基板3、あるいは誘電体層8との接着性が低下するため好ましくない。 In the present invention, the softening point temperature of the glass material is 500 ° C. or higher, and the firing temperature is 550 ° C. to 600 ° C. When the softening point of the glass material is as low as 450 ° C. to 500 ° C. as in the past, the firing temperature is nearly 100 ° C. higher than that, so that the highly reactive bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) itself is silver (Ag ) And black metal fine particles, or organic binder components in the paste, reacts violently to generate bubbles in the metal bus electrodes 4b and 5b and the dielectric layer 8, thereby deteriorating the dielectric strength performance of the dielectric layer 8. On the other hand, when the softening point of the glass material is 500 ° C. or more as in the present invention, the reactivity between silver (Ag), black metal fine particles, or organic components and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is reduced, and bubbles are generated. The occurrence of is reduced. However, if the softening point of the glass material is 600 ° C. or higher, the adhesion between the metal bus electrodes 4b and 5b and the transparent electrodes 4a and 5a, the front glass substrate 3 or the dielectric layer 8 is not preferable.

次に前面板2の誘電体層8を構成する第1誘電体層81と第2誘電体層82について詳細に説明する。第1誘電体層81の誘電体材料は、次の材料組成より構成されている。すなわち、酸化ビスマス(Bi23)を5重量%〜25重量%と酸化カルシウム(CaO)を0.5重量%〜15重量%を含んでおり、さらに酸化モリブデン(MoO3)、酸化タングステン(WO3)、酸化セリウム(CeO2)、酸化マンガン(MnO2)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含んでいる。 Next, the first dielectric layer 81 and the second dielectric layer 82 constituting the dielectric layer 8 of the front plate 2 will be described in detail. The dielectric material of the first dielectric layer 81 is composed of the following material composition. That is, it contains 5 wt% to 25 wt% of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) and 0.5 wt% to 15 wt% of calcium oxide (CaO), and further contains molybdenum oxide (MoO 3 ) and tungsten oxide ( WO 3), cerium oxide (CeO 2), it contains at least one kind of 0.1 wt% to 7 wt% selected from manganese oxide (MnO 2).

さらに、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)から選ばれる少なくとも1種を0.5重量%〜12重量%含んでいる。   Furthermore, it contains 0.5 wt% to 12 wt% of at least one selected from strontium oxide (SrO) and barium oxide (BaO).

なお、酸化モリブデン(MoO3)、酸化タングステン(WO3)、酸化セリウム(CeO2)、酸化マンガン(MnO2)に代えて、酸化銅(CuO)、酸化クロム(Cr23)、酸化コバルト(Co23)、酸化バナジウム(V27)、酸化アンチモン(Sb23)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含んでいてもよい。 In place of molybdenum oxide (MoO 3 ), tungsten oxide (WO 3 ), cerium oxide (CeO 2 ), and manganese oxide (MnO 2 ), copper oxide (CuO), chromium oxide (Cr 2 O 3 ), cobalt oxide At least one selected from (Co 2 O 3 ), vanadium oxide (V 2 O 7 ), and antimony oxide (Sb 2 O 3 ) may be contained in an amount of 0.1 wt% to 7 wt%.

また、上記以外の成分として、酸化亜鉛(ZnO)を0重量%〜40重量%、酸化硼素(B23)を0重量%〜35重量%、酸化硅素(SiO2)を0重量%〜15重量%、酸化アルミニウム(Al23)を0重量%〜10重量%など、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよく、これらの材料組成の含有量に特に限定はなく、従来技術程度の材料組成の含有量範囲である。 Further, as components other than the above, zinc oxide (ZnO) is 0 wt% to 40 wt%, boron oxide (B 2 O 3 ) is 0 wt% to 35 wt%, and silicon oxide (SiO 2 ) is 0 wt% to A material composition that does not include a lead component, such as 15% by weight and aluminum oxide (Al 2 O 3 ), such as 0% by weight to 10% by weight, may be included, and the content of these material compositions is not particularly limited, It is the content range of the material composition of the prior art level.

これらの組成成分からなる誘電体材料を、湿式ジェットミルやボールミルで平均粒径が0.5μm〜2.5μmとなるように粉砕して誘電体材料粉末を作製する。次にこの誘電体材料粉末55重量%〜70重量%と、バインダ成分30重量%〜45重量%とを三本ロールでよく混練してダイコート用あるいは印刷用の第1誘電体層用ペーストを作製する。   A dielectric material powder is produced by pulverizing a dielectric material composed of these composition components with a wet jet mill or a ball mill so that the average particle size is 0.5 μm to 2.5 μm. Next, the dielectric material powder 55 wt% to 70 wt% and the binder component 30 wt% to 45 wt% are well kneaded with three rolls to produce a first dielectric layer paste for die coating or printing. To do.

そして、この第1誘電体層用ペーストを用い、表示電極6を覆うように前面ガラス基板3にダイコート法あるいはスクリーン印刷法で印刷して乾燥させ、その後、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の575℃〜590℃で焼成する。   Then, using this first dielectric layer paste, the front glass substrate 3 is printed by a die coating method or a screen printing method so as to cover the display electrode 6 and dried, and then a temperature slightly higher than the softening point of the dielectric material. Is fired at 575 ° C to 590 ° C.

次に、第2誘電体層82について説明する。第2誘電体層82の誘電体材料は、次の材料組成より構成されている。すなわち、酸化ビスマス(Bi23)を5重量%〜25重量%と酸化バリウム(BaO)を6.0重量%〜28重量%含んでおり、さらに酸化モリブデン(MoO3)、酸化タングステン(WO3)、酸化セリウム(CeO2)、酸化マンガン(MnO2)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含んでいる。 Next, the second dielectric layer 82 will be described. The dielectric material of the second dielectric layer 82 is composed of the following material composition. That is, it contains 5 to 25% by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) and 6.0 to 28% by weight of barium oxide (BaO), and further contains molybdenum oxide (MoO 3 ) and tungsten oxide (WO 3 ) 0.1 to 7% by weight of at least one selected from cerium oxide (CeO 2 ) and manganese oxide (MnO 2 ) is contained.

さらに、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)から選ばれる少なくとも1種を0.8重量%〜17重量%含んでいる。   Furthermore, it contains 0.8 wt% to 17 wt% of at least one selected from calcium oxide (CaO) and strontium oxide (SrO).

なお、酸化モリブデン(MoO3)、酸化タングステン(WO3)、酸化セリウム(CeO2)、酸化マンガン(MnO2)に代えて、酸化銅(CuO)、酸化クロム(Cr23)、酸化コバルト(Co23)、酸化バナジウム(V27)、酸化アンチモン(Sb23)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含んでいてもよい。 In place of molybdenum oxide (MoO 3 ), tungsten oxide (WO 3 ), cerium oxide (CeO 2 ), and manganese oxide (MnO 2 ), copper oxide (CuO), chromium oxide (Cr 2 O 3 ), cobalt oxide At least one selected from (Co 2 O 3 ), vanadium oxide (V 2 O 7 ), and antimony oxide (Sb 2 O 3 ) may be contained in an amount of 0.1 wt% to 7 wt%.

また、上記以外の成分として、酸化亜鉛(ZnO)を0重量%〜40重量%、酸化硼素(B23)を0重量%〜35重量%、酸化硅素(SiO2)を0重量%〜15重量%、酸化アルミニウム(Al23)を0重量%〜10重量%など、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよく、これらの材料組成の含有量に特に限定はなく、従来技術程度の材料組成の含有量範囲である。 Further, as components other than the above, zinc oxide (ZnO) is 0 wt% to 40 wt%, boron oxide (B 2 O 3 ) is 0 wt% to 35 wt%, and silicon oxide (SiO 2 ) is 0 wt% to A material composition that does not include a lead component, such as 15% by weight and aluminum oxide (Al 2 O 3 ), such as 0% by weight to 10% by weight, may be included, and the content of these material compositions is not particularly limited, It is the content range of the material composition of the prior art level.

これらの組成成分からなる誘電体材料を、湿式ジェットミルやボールミルで平均粒径が0.5μm〜2.5μmとなるように粉砕して誘電体材料粉末を作製する。次にこの誘電体材料粉末55重量%〜70重量%と、バインダ成分30重量%〜45重量%とを三本ロールでよく混練してダイコート用あるいは印刷用の第2誘電体層用ペーストを作製する。そして、この第2誘電体層用ペーストを用いて第1誘電体層81上にスクリーン印刷法であるいはダイコート法で印刷して乾燥させ、その後、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の550℃〜590℃で焼成する。   A dielectric material powder is produced by pulverizing a dielectric material composed of these composition components with a wet jet mill or a ball mill so that the average particle size is 0.5 μm to 2.5 μm. Next, the dielectric material powder 55 wt% to 70 wt% and the binder component 30 wt% to 45 wt% are well kneaded with three rolls to produce a second dielectric layer paste for die coating or printing. To do. Then, the second dielectric layer paste is used to print on the first dielectric layer 81 by a screen printing method or a die coating method and then dried, and then, a temperature slightly higher than the softening point of the dielectric material is 550 ° C. Bake at ~ 590 ° C.

なお、誘電体層8の膜厚が小さいほどパネル輝度の向上と放電電圧を低減するという効果は顕著になるので、絶縁耐圧が低下しない範囲内であればできるだけ膜厚を小さく設定するのが望ましい。このような条件と可視光透過率の観点から、本発明の実施の形態では、誘電体層8の膜厚を41μm以下に設定し、第1誘電体層81を5μm〜15μm、第2誘電体層82を20μm〜36μmとしている。   Since the effect of improving the panel brightness and reducing the discharge voltage becomes more significant as the thickness of the dielectric layer 8 is smaller, it is desirable to set the thickness as small as possible within the range where the withstand voltage does not decrease. . From the viewpoint of such conditions and visible light transmittance, in the embodiment of the present invention, the film thickness of the dielectric layer 8 is set to 41 μm or less, the first dielectric layer 81 is 5 μm to 15 μm, and the second dielectric The layer 82 is 20 μm to 36 μm.

以上のように、本発明での誘電体層8に含まれる酸化ビスマス(Bi23)量は、第1誘電体層81および第2誘電体層82共に、上述のように5重量%〜25重量%としている。誘電体層8の酸化ビスマス(Bi23)量をこの範囲とすることで、PDPの黒色度を良化することができ、かつ誘電体層8としての所望の軟化点および誘電率を得ることができる。なお、第1誘電体層81と第2誘電体層82の酸化ビスマス(Bi23)量が同一である必要はない。 As described above, the amount of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) contained in the dielectric layer 8 in the present invention is 5% by weight to the first dielectric layer 81 and the second dielectric layer 82 as described above. 25% by weight. By setting the amount of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) in the dielectric layer 8 within this range, the blackness of the PDP can be improved, and a desired softening point and dielectric constant as the dielectric layer 8 can be obtained. be able to. The first dielectric layer 81 and the second dielectric layer 82 need not have the same amount of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ).

このようにして製造されたPDP前面板は、黒色度が良くかつ金属電極の接触抵抗値が低くなり、パネルとした場合に画像表示時のコントラストが良好なPDPを得ることができる。   The PDP front plate manufactured in this way has a good blackness and a low contact resistance value of the metal electrode, and when used as a panel, a PDP having a good contrast when displaying an image can be obtained.

(実施例)
本発明の実施の形態での効果を確認するために、42インチのハイビジョンに適合する前面板の構成にて、試験試料を作製し評価を行った。
(Example)
In order to confirm the effect of the embodiment of the present invention, a test sample was prepared and evaluated with a front plate configuration suitable for 42-inch high vision.

黒色度の評価は、ガラス基板上に、遮光層7を上述の方法にて形成し、さらにそれを覆うように誘電体層8を上述した方法により形成した試料を作製し、性能の評価を行った。   The evaluation of blackness is performed by forming a light shielding layer 7 on a glass substrate by the above-described method, and further preparing a sample in which the dielectric layer 8 is formed by the above-described method so as to cover it. It was.

一般に明度L*はJISZ8722(色の測定方法)、JISZ8729(色の表示方法−L***表色系及びL***表色系)に規定された方法で求められる。本発明の実施の形態では黒色度をL***表示系を用いて表し、L*値が低いことを黒色度が強い(良い)とした。そしてL*値が低い場合、PDPでの画像表示時では、コントラストが高くなる。本発明の実施形態ではL*値は、日本電色(株)分光色差計NF999を用いて測定したものである。 Generally, the lightness L * is obtained by a method defined in JISZ8722 (color measurement method) and JISZ8729 (color display method—L * a * b * color system and L * u * v * color system). In the embodiment of the present invention, the blackness is expressed by using an L * a * b * display system, and a low L * value indicates that the blackness is strong (good). When the L * value is low, the contrast is high when an image is displayed on the PDP. In the embodiment of the present invention, the L * value is measured using a Nippon Denshoku Co., Ltd. spectral color difference meter NF999.

測定試料は、測定領域が10mm角になるように上述と同様の手法でパターニングし、測定は膜面側に白色板を重ね、ガラス基板側(画像表示側)から測定をし、42インチサイズの基板内で位置を変えて3点測定を行った平均値を測定結果とする。   The measurement sample is patterned by the same method as described above so that the measurement area is 10 mm square, and the measurement is performed by stacking a white plate on the film surface side and measuring from the glass substrate side (image display side). An average value obtained by measuring three points by changing the position in the substrate is taken as a measurement result.

図3は誘電体層8の酸化ビスマス(Bi23)量に対する遮光層7の黒色度L*値の変化を示した図である。発明者等の測定条件においては、PDPの画像表示にて遮光層7のL*値が10以下であると、良好なコントラストが得られていた。これに基づくと、図3に示したように、L*値が10以下となるのは、誘電体層8の酸化ビスマス(Bi23)の量が5重量%〜30重量%であった。 FIG. 3 is a diagram showing a change in the blackness L * value of the light shielding layer 7 with respect to the amount of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) of the dielectric layer 8. Under the measurement conditions of the inventors, a good contrast was obtained when the L * value of the light shielding layer 7 was 10 or less in the PDP image display. Based on this, as shown in FIG. 3, the L * value is 10 or less because the amount of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) in the dielectric layer 8 is 5 wt% to 30 wt%. .

この現象についての詳細な原因は不明であるが、遮光層7の表示側の裏面あるいは黒色電極41b、51bの端部に接した、誘電体層8(本発明の実施形態では特に第1誘電体層81)中の、酸化ビスマス(Bi23)の影響によって生じていると考えられる。この影響により黒色材料となるコバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)の黒色金属微粒子、金属酸化物、金属複合酸化物が、前面ガラス基板3側すなわち画像表示面に拡散し、黒色度を良化していると推測している。 Although the detailed cause for this phenomenon is unknown, the dielectric layer 8 (in particular, the first dielectric in the embodiment of the present invention) is in contact with the rear surface of the light shielding layer 7 or the end of the black electrodes 41b and 51b. This is considered to be caused by the influence of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) in the layer 81). Due to this influence, black metal fine particles, metal oxides, and metal composite oxides of cobalt (Co), nickel (Ni), and copper (Cu), which are black materials, diffuse to the front glass substrate 3 side, that is, the image display surface, and become black. I guess it is improving.

表示電極6の接触抵抗値の評価としては、ガラス基板上に、透明電極4a、5a、黒色電極41b、51bおよび白色電極42b、52bを上述の方法によってそれぞれ形成し、さらにその電極を覆うように誘電体層8を上述した方法により形成した試験試料を作製し、テスターにより抵抗値の測定を行うことで性能の評価を行った。なお試料は、誘電体そのものの接触抵抗を省くために、取り出し端子を形成しており、誘電体層8の接触抵抗の影響は除外してある。   For the evaluation of the contact resistance value of the display electrode 6, the transparent electrodes 4a and 5a, the black electrodes 41b and 51b, and the white electrodes 42b and 52b are respectively formed on the glass substrate by the above-described method, and further, the electrodes are covered. A test sample in which the dielectric layer 8 was formed by the method described above was prepared, and the performance was evaluated by measuring the resistance value with a tester. In addition, in order to omit the contact resistance of the dielectric itself, the sample is formed with an extraction terminal, and the influence of the contact resistance of the dielectric layer 8 is excluded.

図4は黒色電極41b、51bの含有成分に対する接触抵抗の特性差を示す図である。また誘電体層8の酸化ビスマス(Bi23)の含有量を25重量%および40重量%として、接触抵抗値を比較検討した。なお接触抵抗値は、誘電体層8の酸化ビスマス(Bi23)含有量40重量%であって黒色電極41b、51bの含有成分がクロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)である試料の測定結果を1として相対値で示している。 FIG. 4 is a graph showing a difference in contact resistance characteristics with respect to the components contained in the black electrodes 41b and 51b. In addition, the contact resistance value was compared and examined by setting the content of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) in the dielectric layer 8 to 25 wt% and 40 wt%. The contact resistance value is that the dielectric layer 8 has a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) content of 40% by weight, and the black electrodes 41b and 51b contain chromium (Cr), manganese (Mn), and iron (Fe). The measurement result of the sample is shown as a relative value with 1.

この結果、黒色電極41b、51bの成分としてクロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)を含有する場合と比較して、本発明の実施形態で用いたコバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)を黒色電極41b、51bの成分として含有する方が、接触抵抗が低下することがわかる。これは上述したように、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)を黒色電極41b、51bの成分として含有する場合、各電極層への拡散が低減され、銀(Ag)粒子の接触を妨げることがないためと考えられる。   As a result, compared with the case where chromium (Cr), manganese (Mn), and iron (Fe) are contained as components of the black electrodes 41b and 51b, cobalt (Co) and nickel (Ni) used in the embodiment of the present invention are used. It can be seen that the contact resistance decreases when copper (Cu) is contained as a component of the black electrodes 41b and 51b. As described above, when cobalt (Co), nickel (Ni), and copper (Cu) are contained as components of the black electrodes 41b and 51b, diffusion to each electrode layer is reduced, and silver (Ag) particles This is probably because the contact is not hindered.

また、この接触抵抗値は誘電体層8の酸化ビスマス(Bi23)の含有量にも依存しており、図4に示すように、当該酸化ビスマス(Bi23)量が25重量%である方が、接触抵抗値が低下する。 The contact resistance value also depends on the content of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) in the dielectric layer 8, and as shown in FIG. 4, the amount of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is 25 wt. If it is%, the contact resistance value decreases.

さらに本発明の実施形態では、白色電極42b、52bのガラス材料内の酸化ビスマス(Bi23)含有量と、誘電体層8の酸化ビスマス(Bi23)含有量に対する接触抵抗の変化も調べた。この結果を図5および図6に示す。図5は白色電極42b、52bのガラス材料内の酸化ビスマス(Bi23)含有量が25重量%である場合の、誘電体層8の酸化ビスマス(Bi23)含有量に対する接触抵抗値の変化を示す図である。一方、図6は誘電体層8の酸化ビスマス(Bi23)含有量が25重量%である場合の、白色電極42b、52bのガラス材料内の酸化ビスマス(Bi23)含有量に対する接触抵抗値の変化を示す図である。また図4と同様に誘電体層8の酸化ビスマス(Bi23)含有量40重量%であって黒色電極41b、51bの含有成分がクロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)である試料の測定結果を1として相対値で示している。 Furthermore, in the embodiment of the present invention, the change in contact resistance with respect to the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) content in the glass material of the white electrodes 42 b and 52 b and the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) content in the dielectric layer 8. I also investigated. The results are shown in FIGS. FIG. 5 shows the contact resistance with respect to the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) content of the dielectric layer 8 when the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) content in the glass material of the white electrodes 42b and 52b is 25% by weight. It is a figure which shows the change of a value. On the other hand, FIG. 6 when bismuth oxide (Bi 2 O 3) content of the dielectric layer 8 is 25% by weight, white electrodes 42b, for bismuth oxide (Bi 2 O 3) content in the glass material 52b It is a figure which shows the change of a contact resistance value. Similarly to FIG. 4, the dielectric layer 8 has a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) content of 40% by weight, and the black electrodes 41b and 51b contain chromium (Cr), manganese (Mn), iron (Fe). The measurement result of the sample is shown as a relative value with 1.

本発明の実施形態では、接触抵抗値は相対値で0.9以下であると、表示電極全体としての抵抗値の増加量も小さく、画像表示における必要な印加電圧への影響も低く抑えられる。図5に示すように、接触抵抗値が0.9以下となるのは、誘電体層8の酸化ビスマス(Bi23)含有量が5重量%〜30重量%であった。一方で誘電体層8は放電時の無効電力の観点から、誘電率が低くなることが求められる。このことより、誘電体層8の酸化ビスマス(Bi23)の含有量は25重量%以下となることがさらに望ましい。 In the embodiment of the present invention, if the contact resistance value is 0.9 or less in relative value, the increase amount of the resistance value of the entire display electrode is also small, and the influence on the applied voltage necessary for image display can be suppressed low. As shown in FIG. 5, the contact resistance value is 0.9 or less because the dielectric layer 8 has a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) content of 5 wt% to 30 wt%. On the other hand, the dielectric layer 8 is required to have a low dielectric constant from the viewpoint of reactive power during discharge. From this, it is more desirable that the content of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) in the dielectric layer 8 is 25% by weight or less.

また、図6に示すように、接触抵抗値が0.9以下となるのは、白色電極42b、52bの酸化ビスマス(Bi23)含有量が5重量%〜40重量%であった。一方で焼成工程時の軟化点の観点から、白色電極42b、52bの酸化ビスマス(Bi23)の含有量は25重量%以下となることがさらに望ましい。 As shown in FIG. 6, the contact resistance value was 0.9 or less because the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) content of the white electrodes 42b and 52b was 5 wt% to 40 wt%. On the other hand, from the viewpoint of the softening point during the firing process, the content of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) in the white electrodes 42b and 52b is more preferably 25% by weight or less.

以上のように、本発明の実施形態では、ガラス基板上に表示電極および誘電体層が形成された前面板と、基板上に電極、隔壁および蛍光体層が形成された背面板とを対向配置するとともに周囲を封着して放電空間を形成したPDPであって、前記表示電極が少なくとも、銀およびガラス材料を含有する金属電極層を含む複数層で構成され、前記誘電体層の酸化ビスマス(Bi23)の含有量が、5重量%以上25重量%以下であって、前記金属電極層のガラス材料の酸化ビスマス(Bi23)の含有量が5重量%以上25重量%以下であることを特徴とし、また前記黒色層にはコバルト(Co)、ニッケル(Ni)もしくは銅(Cu)またはこれらの酸化物を含有することを特徴とする。これによって、表示電極の接触抵抗値を低下することができ、かつ黒色度が良好で高い画像表示品位のPDPを実現することができる。さらに本発明の実施形態のPDPでは、材料のコストを抑えることができ、また鉛(Pb)を含まない環境に配慮したPDPである。 As described above, in the embodiment of the present invention, the front plate in which the display electrode and the dielectric layer are formed on the glass substrate and the back plate in which the electrode, the barrier rib, and the phosphor layer are formed on the substrate are arranged to face each other. And the display electrode is formed of a plurality of layers including a metal electrode layer containing at least silver and a glass material, and the dielectric layer includes bismuth oxide ( The content of Bi 2 O 3 ) is 5 wt% or more and 25 wt% or less, and the content of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) in the glass material of the metal electrode layer is 5 wt% or more and 25 wt% or less. The black layer contains cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), or an oxide thereof. Thereby, the contact resistance value of the display electrode can be reduced, and a PDP having good blackness and high image display quality can be realized. Furthermore, the PDP according to the embodiment of the present invention is an environment-friendly PDP that can suppress the cost of materials and does not contain lead (Pb).

以上述べてきたように本発明は、画像表示コントラストが良好で、かつ環境問題にも配慮したPDPを実現することができ、大画面の表示デバイスなどに有用である。   As described above, the present invention can realize a PDP having a good image display contrast and considering environmental issues, and is useful for a display device having a large screen.

本発明の実施の形態におけるPDPの構造を示す斜視図The perspective view which shows the structure of PDP in embodiment of this invention 同PDPの前面板の構成を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the front plate of the PDP 誘電体層の酸化ビスマス量に対する遮光層の黒色度を示す特性図Characteristic diagram showing the blackness of the light shielding layer relative to the amount of bismuth oxide in the dielectric layer 黒色電極の含有成分に対する接触抵抗値を示す特性図Characteristic diagram showing the contact resistance value for the components contained in the black electrode 誘電体層の酸化ビスマス含有量に対する接触抵抗値を示す特性図Characteristic diagram showing the contact resistance value for the bismuth oxide content of the dielectric layer 白色電極のガラス材料内の酸化ビスマス含有量に対する接触抵抗値を示す特性図Characteristic diagram showing contact resistance value against bismuth oxide content in glass material of white electrode

符号の説明Explanation of symbols

1 PDP
2 前面板
3 前面ガラス基板
4 走査電極
4a、5a 透明電極
4b、5b 金属バス電極
5 維持電極
6 表示電極
7 遮光層
8 誘電体層
9 保護層
10 背面板
11 背面ガラス基板
12 アドレス電極
13 下地誘電体層
14 隔壁
15 蛍光体層
16 放電空間
41b、51b 黒色電極
42b、52b 白色電極
81 第1誘電体層
82 第2誘電体層
1 PDP
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 Front plate 3 Front glass substrate 4 Scan electrode 4a, 5a Transparent electrode 4b, 5b Metal bus electrode 5 Sustain electrode 6 Display electrode 7 Light shielding layer 8 Dielectric layer 9 Protective layer 10 Back plate 11 Back glass substrate 12 Address electrode 13 Base dielectric Body layer 14 Partition 15 Phosphor layer 16 Discharge space 41b, 51b Black electrode 42b, 52b White electrode 81 First dielectric layer 82 Second dielectric layer

Claims (2)

ガラス基板上に表示電極および誘電体層が形成された前面板と、基板上に電極、隔壁および蛍光体層が形成された背面板とを対向配置するとともに周囲を封着して放電空間を形成したプラズマディスプレイパネルであって、
前記表示電極が少なくとも、銀およびガラス材料を含有する金属電極層を含む複数層で構成され、
前記誘電体層の酸化ビスマス(Bi23)の含有量が、5重量%以上25重量%以下であって、前記金属電極層のガラス材料の酸化ビスマス(Bi23)の含有量が5重量%以上25重量%以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
A front plate with a display electrode and dielectric layer formed on a glass substrate and a back plate with electrodes, barrier ribs and phosphor layers formed on the substrate are placed opposite to each other and sealed around to form a discharge space. A plasma display panel,
The display electrode comprises at least a plurality of layers including a metal electrode layer containing silver and a glass material,
The content of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) in the dielectric layer is 5 wt% or more and 25 wt% or less, and the content of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) in the glass material of the metal electrode layer is A plasma display panel, wherein the content is 5% by weight or more and 25% by weight or less.
前記黒色層にはコバルト(Co)、ニッケル(Ni)もしくは銅(Cu)またはこれらの酸化物を含有することを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 1, wherein the black layer contains cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), or an oxide thereof.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003187692A (en) * 2001-12-20 2003-07-04 Taiyo Ink Mfg Ltd Black paste component, and a plasma display panel with black pattern formed by using the same
JP2004063247A (en) * 2002-07-29 2004-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Process of manufacture of plasma display panel
JP2006253143A (en) * 2005-03-09 2006-09-21 E I Du Pont De Nemours & Co Black conductive thick film composition, black electrode and their forming method
WO2007040121A1 (en) * 2005-10-03 2007-04-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel
WO2007040142A1 (en) * 2005-10-03 2007-04-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003187692A (en) * 2001-12-20 2003-07-04 Taiyo Ink Mfg Ltd Black paste component, and a plasma display panel with black pattern formed by using the same
JP2004063247A (en) * 2002-07-29 2004-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Process of manufacture of plasma display panel
JP2006253143A (en) * 2005-03-09 2006-09-21 E I Du Pont De Nemours & Co Black conductive thick film composition, black electrode and their forming method
WO2007040121A1 (en) * 2005-10-03 2007-04-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel
WO2007040142A1 (en) * 2005-10-03 2007-04-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel

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