JP2008267841A - Semiconductor tester - Google Patents

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JP2008267841A JP2007107678A JP2007107678A JP2008267841A JP 2008267841 A JP2008267841 A JP 2008267841A JP 2007107678 A JP2007107678 A JP 2007107678A JP 2007107678 A JP2007107678 A JP 2007107678A JP 2008267841 A JP2008267841 A JP 2008267841A
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Tamotsu Kumaki
保 熊木
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor tester for shortening the time required for calibration. <P>SOLUTION: In the semiconductor tester, correction data in a calibration operation storage means 1 are added to level data output from a level data output means 40, level voltages VH and VL corresponding to data obtained by the addition are applied to a DUT via a driver 5, the voltages are measured by a voltage measuring means 30, and the correction data are operated based on the measured voltages and the level data. The semiconductor tester includes a comparator 8 for comparing the voltages output from the driver 5 with reference values H-LIM and L-LIM, and a determination circuit 50 for determining the propriety of calibration execution based on a signal output from the comparator 8. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、ICテスタ等半導体試験装置のピンエレクトロニクスにおけるレベル校正に関する。   The present invention relates to level calibration in pin electronics of a semiconductor test apparatus such as an IC tester.

一般に、半導体試験装置は、被試験対象(DUT)であるIC,LSI等に試験信号を与え、DUTの出力を測定し、DUTの良否の判定を行うものである。半導体試験装置は、テストヘッド内にドライバ回路とコンパレータ回路の組み合わせからなるピンエレクトロニクス基板を有し、試験信号の出力とDUTの評価が行われる。この場合、ドライバの電圧レベル精度を維持するため、DUTに印加する電圧レベルを校正する必要がある。   In general, a semiconductor test apparatus gives a test signal to an IC, LSI or the like to be tested (DUT), measures the output of the DUT, and determines whether the DUT is good or bad. The semiconductor test apparatus has a pin electronics substrate formed of a combination of a driver circuit and a comparator circuit in a test head, and outputs a test signal and evaluates a DUT. In this case, in order to maintain the voltage level accuracy of the driver, it is necessary to calibrate the voltage level applied to the DUT.

図3は従来の半導体試験装置の構成を示す構成ブロック図である。n枚のピンエレクトロニクス301,302,・・・30nは同一の構成を有しているので、以下ピンエレクトロニクス301を例にとって説明する。レベルデータ出力手段40は電圧レベルに対応したレベルデータ(データセット)をピンエレクトロニクス301に出力する。校正演算記憶手段1は、校正用の補正データとして初期補正データ及び差分補正データを記憶するメモリと、補正データ、レベルデータ、測定電圧データの間で補正/校正演算を行う加減算機能とを有し、レベルデータ出力手段40から送られるレベルデータに対応して、補正演算された補正レベルデータをデジタル信号バス2に出力する。DA変換器3,4は、デジタル信号バス2を介して送られるハイレベル用、ローレベル用の補正レベルデータをそれぞれハイレベル電圧VH、ローレベル電圧VLに変換する。ドライバ5は、DA変換器3,4から出力される電圧VH、VLにより設定されたドライブ電圧を、パターンデータDinに対応して出力電圧Voutとして出力する。出力リレー6は、ドライバ5とDUTの間に接続し、制御信号により開閉される。DCリレー7は、出力リレー6と電圧測定ユニット30の間に接続し、制御信号により開閉される。テスタコントローラ(以下TSCと呼ぶ)60は、レベルデータ出力手段40、校正演算記憶手段1及び電圧制御ユニット30に指令を出し、校正処理の制御を行う。   FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of a conventional semiconductor test apparatus. Since the n pin electronics 301, 302,... 30n have the same configuration, the pin electronics 301 will be described below as an example. The level data output means 40 outputs level data (data set) corresponding to the voltage level to the pin electronics 301. The calibration calculation storage means 1 has a memory for storing initial correction data and difference correction data as correction data for calibration, and an addition / subtraction function for performing correction / calibration calculations between correction data, level data, and measurement voltage data. Corresponding to the level data sent from the level data output means 40, the corrected correction level data is output to the digital signal bus 2. The DA converters 3 and 4 convert the high level and low level correction level data sent via the digital signal bus 2 into the high level voltage VH and the low level voltage VL, respectively. The driver 5 outputs the drive voltage set by the voltages VH and VL output from the DA converters 3 and 4 as the output voltage Vout corresponding to the pattern data Din. The output relay 6 is connected between the driver 5 and the DUT and is opened and closed by a control signal. The DC relay 7 is connected between the output relay 6 and the voltage measurement unit 30 and is opened and closed by a control signal. A tester controller (hereinafter referred to as TSC) 60 issues a command to the level data output means 40, the calibration calculation storage means 1 and the voltage control unit 30 to control the calibration process.

図3の装置の動作を以下に説明する。
試験モードでは、校正演算記憶手段1から出力された校正済みの補正レベルデータは、デジタル信号バス2を経由して、DA変換器3,4でレベル電圧に変換され、それぞれVH,VLが出力される。レベル電圧VH,VLはそれぞれドライバ5のH側,L側ドライブ電圧設定入力となり、図4のタイムチャートに示すように、入力パターンデータDinが“H”のとき出力電圧VoutとしてVHが出力され、入力パターンデータDinが“L”のときVLが出力される。TSC60からの制御信号により出力リレー6が閉じられ、出力電圧Voutは出力リレー6を介してDUTに印加される。
The operation of the apparatus of FIG. 3 will be described below.
In the test mode, calibrated correction level data output from the calibration calculation storage means 1 is converted into level voltages by the DA converters 3 and 4 via the digital signal bus 2, and VH and VL are output, respectively. The The level voltages VH and VL are the H side and L side drive voltage setting inputs of the driver 5, respectively. As shown in the time chart of FIG. 4, when the input pattern data Din is “H”, VH is output as the output voltage Vout. When the input pattern data Din is “L”, VL is output. The output relay 6 is closed by the control signal from the TSC 60, and the output voltage Vout is applied to the DUT via the output relay 6.

校正モードでは、TSC60からの制御信号によりDCリレー7が閉じられ、出力電圧VoutはDCリレー7を介して電圧制御ユニット30により測定される。この測定電圧に対応したデータはTSC60を介して校正演算記憶手段1に送られ、校正演算記憶手段1内のメモリに記憶された初期補正データとともに、レベルデータ出力手段40から送られるレベルデータとの差分がとられ((1)式)、差分補正データとして校正演算記憶手段1内のメモリに記憶される。
レベルデータ−(初期補正データ+測定電圧データ)=差分補正データ (1)
In the calibration mode, the DC relay 7 is closed by a control signal from the TSC 60, and the output voltage Vout is measured by the voltage control unit 30 via the DC relay 7. The data corresponding to the measured voltage is sent to the calibration calculation storage means 1 via the TSC 60, and the initial correction data stored in the memory in the calibration calculation storage means 1 and the level data sent from the level data output means 40. The difference is taken (Equation (1)) and stored in the memory in the calibration calculation storage means 1 as difference correction data.
Level data-(initial correction data + measured voltage data) = difference correction data (1)

前述の試験モードでは、レベルデータに初期補正データと差分補正データを加算した値が、校正済みの補正レベルデータとして校正演算記憶手段1から出力される。このとき、ピンエレクトロニクス301内のDA変換器3,4、ドライバ5、出力リレー6、DCリレー7等による径路誤差は、初期補正データと差分補正データによって相殺されるので、電圧制御ユニット30により観測されるレベル電圧はレベルデータと等しくなる((2)式)。
測定電圧
=レベルデータ+(初期補正データ+差分補正データ)−径路誤差
=レベルデータ (2)
In the test mode described above, a value obtained by adding the initial correction data and the difference correction data to the level data is output from the calibration calculation storage means 1 as calibrated correction level data. At this time, since the path error due to the DA converters 3 and 4, the driver 5, the output relay 6, the DC relay 7, etc. in the pin electronics 301 is canceled by the initial correction data and the difference correction data, it is observed by the voltage control unit 30. The level voltage to be applied is equal to the level data (formula (2)).
Measurement voltage = level data + (initial correction data + difference correction data) −path error = level data (2)

なお、差分補正データの記憶内容は校正モードの都度、書き換えられる。 The stored content of the difference correction data is rewritten every time the calibration mode is used.

半導体試験装置のレベル校正に関連する先行技術文献としては次のようなものがある。   Prior art documents related to level calibration of semiconductor test equipment include the following.

特開平7−280885号公報JP-A-7-280885

従来の装置では、すべてのピンエレクトロニクスについて、リレーの開閉や電圧測定ユニットによる測定を行っていたため、校正に多大な時間を費やしていた。   In the conventional apparatus, since all the pin electronics are measured by the switching of the relay and the voltage measuring unit, a great amount of time is spent for calibration.

本発明はこのような課題を解決しようとするもので、校正に要する時間を短縮することのできる半導体試験装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a semiconductor test apparatus that can shorten the time required for calibration.

このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
レベルデータに対応するレベル電圧がドライバを介してDUTに印加され、電圧測定手段で測定された前記レベル電圧及び前記レベルデータに基づいて前記レベル電圧が校正される複数のピンエレクトロニクスを有する半導体試験装置において、
前記レベル電圧を基準値と比較するコンパレータと、
該コンパレータから出力される信号に基づいて前記校正を行うピンエレクトロニクスを判別する判別手段と
を備えたことを特徴とする半導体試験装置。
In order to achieve such a problem, the invention according to claim 1 of the present invention is:
A semiconductor test apparatus having a plurality of pin electronics in which a level voltage corresponding to level data is applied to a DUT via a driver, and the level voltage is calibrated based on the level voltage measured by voltage measuring means and the level data In
A comparator for comparing the level voltage with a reference value;
A semiconductor test apparatus comprising: a discriminating unit that discriminates pin electronics for performing the calibration based on a signal output from the comparator.

請求項2記載の発明は、
請求項1記載の半導体試験装置において、
前記電圧測定手段で測定された前記レベル電圧と前記レベルデータとの差分から補正データを演算し、前記レベルデータに前記補正データを加算する校正演算記憶手段と、
該校正演算記憶手段から出力される補正レベルデータを変換して前記ドライバのレベル電圧とするDA変換器とを備えたことを特徴とする。
The invention according to claim 2
The semiconductor test apparatus according to claim 1,
Calibration calculation storage means for calculating correction data from the difference between the level voltage measured by the voltage measuring means and the level data, and adding the correction data to the level data;
And a DA converter that converts the correction level data output from the calibration calculation storage means into a level voltage of the driver.

請求項3記載の発明は、
請求項1記載の半導体試験装置において、
前記コンパレータとして前記ピンエレクトロニクスのパス/フェイル判定用のコンパレータを用いることを特徴とする。
The invention described in claim 3
The semiconductor test apparatus according to claim 1,
A comparator for pass / fail judgment of the pin electronics is used as the comparator.

請求項4記載の発明は、
請求項1記載の半導体試験装置において、
前記電圧測定手段として前記ピンエレクトロニクスの直流電圧電流源を用いる
ことを特徴とする。
The invention according to claim 4
The semiconductor test apparatus according to claim 1,
A DC voltage / current source of the pin electronics is used as the voltage measuring means.

請求項5記載の発明は、
請求項1記載の半導体試験装置において、
前記ドライバと前記DUTの間に接続する第1のリレーと、
該第1のリレーと前記電圧測定手段との間に接続する第2のリレーとを備え
前記判別回路が判別した前記ピンエレクトロニクスの前記第1及び第2のリレーを閉じて前記校正を行うことを特徴とする。
The invention according to claim 5
The semiconductor test apparatus according to claim 1,
A first relay connected between the driver and the DUT;
A second relay connected between the first relay and the voltage measuring means; and performing the calibration by closing the first and second relays of the pin electronics determined by the determination circuit. Features.

以上説明したことから明らかなように、本発明によれば、レベルデータに対応するレベル電圧がドライバを介してDUTに印加され、電圧測定手段で測定された前記レベル電圧及び前記レベルデータに基づいて前記レベル電圧が校正される複数のピンエレクトロニクスを有する半導体試験装置において、前記レベル電圧を基準値と比較するコンパレータと、該コンパレータから出力される信号に基づいて前記校正を行うピンエレクトロニクスを判別する判別手段とを備えたことにより、電圧レベルの精度が不良なピンについてのみ校正を行うので、校正に要する時間を短縮することができる。   As is apparent from the above description, according to the present invention, the level voltage corresponding to the level data is applied to the DUT via the driver, and based on the level voltage and the level data measured by the voltage measuring means. In a semiconductor test apparatus having a plurality of pin electronics in which the level voltage is calibrated, a comparator for comparing the level voltage with a reference value, and a discrimination for determining the pin electronics to be calibrated based on a signal output from the comparator Since the calibration is performed only for the pin whose voltage level accuracy is poor, the time required for calibration can be shortened.

以下本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は本発明の実施の形態に係る半導体試験装置の一実施例を示す構成ブロック図である。図3と同一の箇所は同じ記号を付して重複した説明を省略する。n枚のピンエレクトロニクス101,102,・・・10nは同一の構成を有しているので、以下ピンエレクトロニクス101を例にとって説明する。ピンエレクトロニクス101において、コンパレータ8は、ドライバ5の出力電圧Voutを上限H−LIM及び下限L−LIMと比較する。検出回路9はコンパレータ8の比較結果に基づいて電圧レベル精度の良/不良を検出する。校正要否判別回路50は、検出回路9から出力される検出信号に基づいて、そのピンエレクトロニクス(101)の校正を実施する必要があるかどうかを判別する。TSC160は校正要否判別回路50から出力される校正要の信号に基づいて、図3の装置の場合と同様の校正処理を開始する。ここで、校正要否判別回路50はコンパレータ8から出力される信号に基づいて校正実施の可否を判別する判別回路を構成する。   FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an example of a semiconductor test apparatus according to an embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. Since the n pin electronics 101, 102,... 10n have the same configuration, the pin electronics 101 will be described below as an example. In the pin electronics 101, the comparator 8 compares the output voltage Vout of the driver 5 with the upper limit H-LIM and the lower limit L-LIM. The detection circuit 9 detects good / bad voltage level accuracy based on the comparison result of the comparator 8. Based on the detection signal output from the detection circuit 9, the calibration necessity determination circuit 50 determines whether or not the pin electronics (101) needs to be calibrated. The TSC 160 starts a calibration process similar to the case of the apparatus of FIG. 3 based on the calibration necessary signal output from the calibration necessity determination circuit 50. Here, the calibration necessity determination circuit 50 constitutes a determination circuit that determines whether or not calibration can be performed based on a signal output from the comparator 8.

図1の装置の動作を以下に説明する。ドライバ5から出力された出力電圧Voutは、コンパレータ8で上限H−LIM及び下限L−LIMと比較され、比較結果に基づいて検出回路9において電圧レベル精度の良/不良が検出される。ここで、上限H−LIM、下限L−LIMはそれぞれ入力パターンデータDinの“H”,“L”に対応して与えられ、レベル電圧VHが上限H−LIMより大、又はレベル電圧VLが下限L−LIMより小である場合は良とされ、それ以外の場合は不良とされる。検出回路9から出力される検出信号に基づいて、校正要否判別回路50は、そのピンエレクトロニクス(101)の校正を実施する必要があるかどうかを判別し、校正要の場合はその旨の信号をTSC160に送る。校正要の信号に基づいて、そのピンエレクトロニクス(101)に対し、TSC160によりレベルデータ出力回路40,校正演算記憶手段1,電圧測定ユニット30などに対する制御指令の送信や信号の授受が行われ、図3の装置の場合と同様の校正処理が開始される。   The operation of the apparatus of FIG. 1 will be described below. The output voltage Vout output from the driver 5 is compared with the upper limit H-LIM and the lower limit L-LIM by the comparator 8, and the detection circuit 9 detects good / bad voltage level accuracy based on the comparison result. Here, the upper limit H-LIM and the lower limit L-LIM are given corresponding to “H” and “L” of the input pattern data Din, respectively, and the level voltage VH is greater than the upper limit H-LIM or the level voltage VL is the lower limit. If it is smaller than L-LIM, it is considered good, and otherwise it is considered bad. Based on the detection signal output from the detection circuit 9, the calibration necessity determination circuit 50 determines whether or not the pin electronics (101) needs to be calibrated. To TSC160. Based on the signal requiring calibration, the TSC 160 transmits control commands to the level data output circuit 40, the calibration calculation storage means 1, the voltage measurement unit 30, and the like to the pin electronics (101). The same calibration process as in the case of the apparatus 3 is started.

上記のような構成の半導体試験装置によれば、電圧レベル精度の不良なピンエレクトロニクスについてのみリレー6,7を開閉し、電圧測定ユニット30で測定してレベル電圧の校正を行うので、校正に費やす時間を短縮することができる。   According to the semiconductor test apparatus configured as described above, the relays 6 and 7 are opened / closed only for pin electronics with poor voltage level accuracy, and the level voltage is calibrated by measuring with the voltage measurement unit 30. Time can be shortened.

なお、上記の実施例でコンパレータ8の基準値を上限H−LIM及び下限L−LIMとしたが、これに限定されない。例えばH側、L側基準値をそれぞれウィンドウタイプの基準値とし、それぞれのウィンドウ幅の中を“良” の範囲、それ以外を“不良”の範囲としてもよい。   In the above embodiment, the reference value of the comparator 8 is the upper limit H-LIM and the lower limit L-LIM, but is not limited thereto. For example, the H-side and L-side reference values may be used as window type reference values, and the window width may be set as a “good” range, and the others may be set as “bad” ranges.

また、初期補正データを0とすることができる場合は、校正演算記憶手段1のメモリ内の校正用補正データ領域において、初期補正データの領域を省略してもよい。   When the initial correction data can be set to 0, the initial correction data area may be omitted from the correction data area for calibration in the memory of the calibration calculation storage means 1.

図2は図1の半導体試験装置の応用例で、ピンエレクトロニクスの既存の回路を利用して構成したものを示す構成ブロック図である。図1と同一の箇所は同じ記号を付して重複した説明を省略する。n枚のピンエレクトロニクス201,202,・・・20nは通常のピンエレクトロニクスカードの構成を有している。以下ピンエレクトロニクス201を例にとって説明する。コンパレータ81は通常のピンエレクトロニクスカードにおいてDUTに対するパス/フェイル(以下P/Fと呼ぶ)判定を行うための、ドライバ/コンパレータを構成するコンパレータで、DA変換器10,11はコンパレータ81にそれぞれH側の基準電圧VOH,L側の基準電圧VOLを供給する。アクティブロード12は基準電圧VREFに対するDUT出力電圧の大小に応じてDUTに対し電流を引き込み(Sink)、吐き出す(Source)機能を持つ。DA変換器13はアクティブロード12に基準電圧VREFを与える。ここで、DA変換器10,11,13の入力データは校正演算記憶手段1からデジタル信号バスを介して送られる。直流電圧電流源(Parametric Measurement Unit:以下PMUと呼ぶ)130は、DUTに対し電圧や電流の印加や測定を行う。TSC260は各レベルデータや校正データの制御を実行する。   FIG. 2 is a block diagram showing an application example of the semiconductor test apparatus shown in FIG. 1, which is configured using an existing circuit of pin electronics. The same parts as those in FIG. The n pin electronics 201, 202,... 20n have a configuration of a normal pin electronics card. Hereinafter, the pin electronics 201 will be described as an example. The comparator 81 is a comparator constituting a driver / comparator for performing pass / fail (hereinafter referred to as P / F) determination for the DUT in a normal pin electronics card. The DA converters 10 and 11 are respectively connected to the comparator 81 on the H side. The reference voltage VOH and the L-side reference voltage VOL are supplied. The active load 12 has a function of drawing current into the DUT according to the magnitude of the DUT output voltage with respect to the reference voltage VREF, and discharging it from the source. The DA converter 13 applies a reference voltage VREF to the active load 12. Here, the input data of the DA converters 10, 11, and 13 are sent from the calibration calculation storage means 1 via the digital signal bus. A DC voltage / current source (Parametric Measurement Unit: hereinafter referred to as PMU) 130 applies and measures voltage and current to the DUT. The TSC 260 controls each level data and calibration data.

図2の装置の動作を以下に説明する。コンパレータ81は、基準電圧VOH,VOLをそれぞれ図1のコンパレータ8の上限H−LIM及び下限L−LIMと等しく選ぶことにより、図1のコンパレータ8と同様の動作を行う。PMUユニット130は、その電圧測定機能を用いて、図1の電圧測定ユニット30と同様の動作を行う。コンパレータ81の比較出力は図1の検出回路9と同様に、P/F判定手段により良/不良判定された後(図示せず)、良/不良判定結果としてTSC260に送られる(図示せず)。良/不良判定結果に基づいて、TSC260により、図1の校正要否判別回路50と同様に、そのピンエレクトロニクス(201)の校正を実施する必要があるかどうかが判別され、校正が必要の場合はレベルデータ出力回路40,校正演算記憶手段1,PMU130などに対する制御指令の送信や信号の授受が行われ、校正処理が開始される。ここで、TSC260はコンパレータ81から出力される信号に基づいて校正実施の可否を判別する判別回路を構成する。   The operation of the apparatus of FIG. 2 will be described below. The comparator 81 performs the same operation as the comparator 8 of FIG. 1 by selecting the reference voltages VOH and VOL equal to the upper limit H-LIM and the lower limit L-LIM of the comparator 8 of FIG. The PMU unit 130 performs the same operation as the voltage measurement unit 30 of FIG. 1 using its voltage measurement function. The comparison output of the comparator 81 is sent to the TSC 260 (not shown) as a good / failed judgment result after being judged as good / bad by the P / F judging means (not shown) as in the detection circuit 9 of FIG. . When the TSC 260 determines whether or not the pin electronics (201) needs to be calibrated, as in the case of the calibration necessity determination circuit 50 of FIG. The control data is transmitted to and received from the level data output circuit 40, the calibration calculation storage means 1, the PMU 130, etc., and the calibration process is started. Here, the TSC 260 constitutes a determination circuit that determines whether or not calibration can be performed based on a signal output from the comparator 81.

上記のような構成の装置によれば、図1の装置の場合と同様の効果を生じるだけでなく、既存のピンエレクトロニクスカードのハードウエアを活用しているので、新規にハードウエアを追加する必要がなく、より安価に実現することができる。   According to the apparatus configured as described above, not only the same effect as in the apparatus of FIG. 1 is produced, but also the hardware of the existing pin electronics card is utilized, so it is necessary to newly add hardware. It can be realized at a lower cost.

なお、上記の応用例において、アクティブロード12の基準電圧VREFの良/不良を、電圧VH,VLと同様に、コンパレータ81を用いて判定してもよい。 In the application example described above, whether the reference voltage VREF of the active load 12 is good or bad may be determined using the comparator 81 in the same manner as the voltages VH and VL.

本発明の実施の形態に係る半導体試験装置の一実施例を示す構成ブロック図である。1 is a configuration block diagram showing an example of a semiconductor test apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1の半導体試験装置の応用例を示す構成ブロック図である。FIG. 2 is a configuration block diagram showing an application example of the semiconductor test apparatus of FIG. 1. 従来の半導体試験装置の構成を示す構成ブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the conventional semiconductor test apparatus. 図3の装置の動作を説明するためのタイムチャートである。It is a time chart for demonstrating operation | movement of the apparatus of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 校正演算記憶手段
5 ドライバ
8 コンパレータ
30 電圧測定手段
40 レベルデータ出力手段
50 判別回路
H−LIM,L−LIM 基準値
VH,VL レベル電圧
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Calibration calculation memory | storage means 5 Driver 8 Comparator 30 Voltage measurement means 40 Level data output means 50 Discrimination circuit H-LIM, L-LIM Reference value VH, VL Level voltage

Claims (5)

レベルデータに対応するレベル電圧がドライバを介してDUTに印加され、電圧測定手段で測定された前記レベル電圧及び前記レベルデータに基づいて前記レベル電圧が校正される複数のピンエレクトロニクスを有する半導体試験装置において、
前記レベル電圧を基準値と比較するコンパレータと、
該コンパレータから出力される信号に基づいて前記校正を行うピンエレクトロニクスを判別する判別手段と
を備えたことを特徴とする半導体試験装置。
A semiconductor test apparatus having a plurality of pin electronics in which a level voltage corresponding to level data is applied to a DUT via a driver, and the level voltage is calibrated based on the level voltage measured by voltage measuring means and the level data In
A comparator for comparing the level voltage with a reference value;
A semiconductor test apparatus comprising: a discriminating unit that discriminates pin electronics for performing the calibration based on a signal output from the comparator.
前記電圧測定手段で測定された前記レベル電圧と前記レベルデータとの差分から補正データを演算し、前記レベルデータに前記補正データを加算する校正演算記憶手段と、
該校正演算記憶手段から出力される補正レベルデータを変換して前記ドライバのレベル電圧とするDA変換器とを備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。
Calibration calculation storage means for calculating correction data from the difference between the level voltage measured by the voltage measuring means and the level data, and adding the correction data to the level data;
2. The semiconductor test apparatus according to claim 1, further comprising: a DA converter that converts correction level data output from the calibration calculation storage means into a level voltage of the driver.
前記コンパレータとして前記ピンエレクトロニクスのパス/フェイル判定用のコンパレータを用いることを特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。   2. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein a comparator for pass / fail judgment of the pin electronics is used as the comparator. 前記電圧測定手段として前記ピンエレクトロニクスの直流電圧電流源を用いる
ことを特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。
2. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein a DC voltage / current source of the pin electronics is used as the voltage measuring means.
前記ドライバと前記DUTの間に接続する第1のリレーと、
該第1のリレーと前記電圧測定手段との間に接続する第2のリレーとを備え
前記判別回路が判別した前記ピンエレクトロニクスの前記第1及び第2のリレーを閉じて前記校正を行うことを特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。
A first relay connected between the driver and the DUT;
A second relay connected between the first relay and the voltage measuring means; and performing the calibration by closing the first and second relays of the pin electronics determined by the determination circuit. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010139442A (en) * 2008-12-12 2010-06-24 Advantest Corp Testing apparatus and diagnosis method

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