JP2008266711A - Vacuum film deposition equipment - Google Patents

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Akihiro Takano
章弘 高野
Shin Shimozawa
慎 下沢
Keijiro Shudo
啓二郎 首藤
Kazunori Shimada
和則 島田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide vacuum film deposition equipment capable of detecting the generation of leaks in the whole vacuum deposition equipment. <P>SOLUTION: The vacuum film deposition equipment 1 is provided with a plurality of vacuum film deposition devices 2 for forming thin films in a vacuum state; vacuum pumps 3 provided so as to correspond to the respective vacuum film deposition devices 2; a combustion detoxifying device 4 composed so as to subject exhaust gas exhausted from each film deposition device 2 to combustion treatment; and exhaust piping 5 carrying the exhaust gas from each vacuum pump 3 to the combustion detoxifying device 4. In the equipment 1, the pipeline of the exhaust piping 5 in the vicinity of the inlet of the combustion detoxifying device 4 is provided with an oximeter 11. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、真空成膜設備に関する。詳細には、リークが発生したことを検知することが可能な真空成膜設備に関する。   The present invention relates to a vacuum film-forming facility. More specifically, the present invention relates to a vacuum film-forming facility that can detect that a leak has occurred.

従来では、アルモファスシリコン太陽電池等の太陽電池用の薄膜を形成するために、真空成膜装置を使用している。このような真空成膜装置の代表的な例として、ＣＶＤ装置が挙げられる。
ＣＶＤ装置で薄膜を形成する場合、まず、ＣＶＤ装置内に設けられている成膜室を真空ポンプで真空状態にする。その後、モノシラン（ＳｉＨ4）等の特殊材料ガスを成膜室に流し込み、この雰囲気下でプラズマ放電を行うことにより、薄膜が形成される。また、薄膜形成後に残った特殊材料ガスは、真空ポンプによって吸引され、排気配管を通って、燃焼除害装置に搬送されるようになっている。 Conventionally, a vacuum film-forming apparatus is used to form a thin film for a solar cell such as an Almorphus silicon solar cell. A typical example of such a vacuum film forming apparatus is a CVD apparatus.
In the case of forming a thin film with a CVD apparatus, first, a film formation chamber provided in the CVD apparatus is evacuated with a vacuum pump. Thereafter, a special material gas such as monosilane (SiH 4 ) is flowed into the film formation chamber, and plasma discharge is performed in this atmosphere to form a thin film. Further, the special material gas remaining after the thin film formation is sucked by a vacuum pump and conveyed to the combustion abatement apparatus through the exhaust pipe.

モノシラン等の特殊材料ガスは、空気に触れると発火するような性質をもっているため、ＣＶＤ装置を備える真空製膜設備は、リークにより空気が外部から混入することを防止する必要がある。従来では、リークの発生を検知するために、ヘリウムリークテスタ、真空計を用いた方法、圧力計を用いた方法、気密漏れ確認用のスヌープ試験等の方法を用いて検知を行っている。
ここで、ヘリウムリークテスタとは、ガスの排気後に試験体の外部からヘリウムガスを吹きつけ、内部に漏洩してくるガスをヘリウムリークディテクタで検知する方法である。また、真空計を用いた方法とは、試験体の内部を真空状態にして、一定時間後の圧力変化を真空計で測定する方法である。圧力計を用いた方法とは、試験体の内部を加圧して、一定時間後の圧力変化を圧力計で測定する方法である。更に、気密漏れ確認用のスヌープ試験とは、スヌープ（気密漏れ検査液）を試験体に付け、スヌープの泡立ちによりリーク箇所を特定する方法である。 Since a special material gas such as monosilane has a property of being ignited when it is exposed to air, a vacuum film-forming facility equipped with a CVD apparatus needs to prevent air from entering from the outside due to leakage. Conventionally, in order to detect the occurrence of a leak, detection is performed using a method such as a helium leak tester, a method using a vacuum gauge, a method using a pressure gauge, and a snoop test for airtight leak confirmation.
Here, the helium leak tester is a method in which helium gas is blown from the outside of the test body after the gas is exhausted, and the gas leaking inside is detected by the helium leak detector. The method using a vacuum gauge is a method in which the inside of a test body is evacuated and the pressure change after a certain time is measured with a vacuum gauge. The method using a pressure gauge is a method of pressurizing the inside of a specimen and measuring a pressure change after a certain time with the pressure gauge. Furthermore, the snoop test for airtight leak confirmation is a method of attaching a snoop (airtight leak inspection liquid) to a test body and specifying a leak location by bubbling snoop.

一方、特許文献１には、窒素あるいは酸素がもつ固有のスペクトル光の光強度を監視する光検出器と、ガスの圧力を測定する真空計とを備えているプラズマ真空処理装置が開示されている。
特開平７−１７６５１５号公報 On the other hand, Patent Document 1 discloses a plasma vacuum processing apparatus that includes a photodetector that monitors the light intensity of the inherent spectrum light of nitrogen or oxygen and a vacuum gauge that measures the pressure of the gas. .
JP 7-176515 A

しかしながら、ヘリウムリークテスタ等の従来のリークを検知する方法では、ＣＶＤ装置が多数台ある場合には、リークを検知するのに長時間を要する。また、ＣＶＤ装置と燃焼除害装置との間を接続する排気配管が長い場合においては、排気配管の全箇所をチェックすることになり、現実的に不可能である。   However, in the conventional method for detecting a leak such as a helium leak tester, it takes a long time to detect a leak when there are a large number of CVD apparatuses. In addition, when the exhaust pipe connecting the CVD apparatus and the combustion abatement apparatus is long, all parts of the exhaust pipe are checked, which is practically impossible.

また、特許文献１に記載されている発明は、プラズマ真空処理装置のチャンバ内のリークしか検知できず、チャンバ以外（例えば、排気管や燃焼除害装置等）でリークが発生した場合には、検知することができない。   In addition, the invention described in Patent Document 1 can only detect a leak in the chamber of the plasma vacuum processing apparatus, and if a leak occurs outside the chamber (for example, an exhaust pipe or a combustion abatement apparatus), It cannot be detected.

本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、真空成膜設備全体において、リークの発生が検知可能な真空成膜設備を提供することである。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a vacuum film forming facility capable of detecting the occurrence of leakage in the entire vacuum film forming facility.

上記従来技術の有する課題を解決するために、請求項１の本発明では、真空状態で薄膜を形成するための複数の真空成膜装置と、前記真空成膜装置の各々に対応するように設けられている真空ポンプと、前記真空成膜装置から排出される排気ガスを燃焼処理するように構成されている燃焼除害装置と、前記排気ガスを前記真空ポンプから前記燃焼除害装置へ搬送する排気配管とを備えている真空成膜設備において、前記燃焼除害装置の入口近傍の前記排気配管の管路には、酸素濃度計が設けられている。   In order to solve the above-described problems of the prior art, the present invention of claim 1 is provided with a plurality of vacuum film forming apparatuses for forming a thin film in a vacuum state and corresponding to each of the vacuum film forming apparatuses. A vacuum pump, a combustion abatement apparatus configured to combust exhaust gas discharged from the vacuum film forming apparatus, and transport the exhaust gas from the vacuum pump to the combustion abatement apparatus In a vacuum film-forming facility provided with an exhaust pipe, an oxygen concentration meter is provided in a pipe line of the exhaust pipe in the vicinity of the inlet of the combustion abatement apparatus.

請求項２の本発明では、真空状態で薄膜を形成するための複数の真空成膜装置と、前記真空成膜装置の各々に対応するように設けられている真空ポンプと、前記真空成膜装置から排出される排気ガスを燃焼処理するように構成されている燃焼除害装置と、前記排気ガスを前記真空ポンプから前記燃焼除害装置へ搬送する排気配管とを備えている真空成膜設備において、前記真空ポンプの出口近傍の前記排気配管の管路には、酸素濃度計が設けられている。   In this invention of Claim 2, the several vacuum film-forming apparatus for forming a thin film in a vacuum state, the vacuum pump provided corresponding to each of the said vacuum film-forming apparatus, and the said vacuum film-forming apparatus In a vacuum film-forming facility comprising a combustion abatement device configured to combust exhaust gas discharged from a gas, and an exhaust pipe for conveying the exhaust gas from the vacuum pump to the combustion abatement device In addition, an oxygen concentration meter is provided in the pipe of the exhaust pipe in the vicinity of the outlet of the vacuum pump.

請求項３の本発明では、真空状態で薄膜を形成するための複数の真空成膜装置と、前記真空成膜装置の各々に対応するように設けられている真空ポンプと、前記真空成膜装置から排出される排気ガスを燃焼処理するように構成されている燃焼除害装置と、前記排気ガスを前記真空ポンプから前記燃焼除害装置へ搬送する排気配管とを備えている真空成膜設備において、前記燃焼除害装置の入口近傍の前記排気配管の管路と、前記真空ポンプの出口近傍の前記排気配管の管路とには、酸素濃度計がそれぞれ設けられている。   In this invention of Claim 3, the several vacuum film-forming apparatus for forming a thin film in a vacuum state, the vacuum pump provided corresponding to each of the said vacuum film-forming apparatus, and the said vacuum film-forming apparatus In a vacuum film-forming facility comprising a combustion abatement device configured to combust exhaust gas discharged from a gas, and an exhaust pipe for conveying the exhaust gas from the vacuum pump to the combustion abatement device An oxygen concentration meter is provided in each of the exhaust pipe line near the inlet of the combustion abatement apparatus and the exhaust pipe line near the outlet of the vacuum pump.

上述の如く、本発明に係る真空成膜設備によれば、真空状態で薄膜を形成するための複数の真空成膜装置と、前記真空成膜装置の各々に対応するように設けられている真空ポンプと、前記真空成膜装置から排出される排気ガスを燃焼処理するように構成されている燃焼除害装置と、前記排気ガスを前記真空ポンプから前記燃焼除害装置へ搬送する排気配管とを備えている真空成膜設備において、前記燃焼除害装置の入口近傍の前記排気配管の管路には、酸素濃度計が設けられているため、真空成膜装置内だけでなく、真空成膜設備全体においてリークが発生したことを検知することができる。これにより、真空成膜設備全体のリークに対して迅速に対処が行えるようになり、特殊材料ガスに空気が混入することを防止することができる。更に、リーク箇所に対し迅速に対処が行えるため、リーク箇所から真空成膜装置内に不純物が混入することも防止され、製品の品質を保つことができる。   As described above, according to the vacuum film-forming facility according to the present invention, a plurality of vacuum film-forming apparatuses for forming a thin film in a vacuum state and a vacuum provided to correspond to each of the vacuum film-forming apparatuses. A pump, a combustion abatement apparatus configured to combust exhaust gas discharged from the vacuum film forming apparatus, and an exhaust pipe for conveying the exhaust gas from the vacuum pump to the combustion abatement apparatus In the vacuum film-forming facility provided, an oxygen concentration meter is provided in the pipe of the exhaust pipe in the vicinity of the inlet of the combustion abatement device. It is possible to detect that a leak has occurred throughout. As a result, it becomes possible to quickly cope with a leak of the entire vacuum film-forming facility, and air can be prevented from being mixed into the special material gas. Furthermore, since a leak location can be dealt with quickly, it is possible to prevent impurities from being mixed into the vacuum film forming apparatus from the leak location, and the product quality can be maintained.

さらに、本発明に係る真空成膜設備によれば、真空状態で薄膜を形成するための複数の真空成膜装置と、前記真空成膜装置の各々に対応するように設けられている真空ポンプと、前記真空成膜装置から排出される排気ガスを燃焼処理するように構成されている燃焼除害装置と、前記排気ガスを前記真空ポンプから前記燃焼除害装置へ搬送する排気配管とを備えている真空成膜設備において、前記真空ポンプの出口近傍の前記排気配管の管路には、酸素濃度計が設けられているため、真空成膜装置及び真空ポンプにおいてリークが発生したことを検知することができる。これにより、真空成膜装置や真空ポンプのリークに対して迅速に対処が行えるようになり、特殊材料ガスに空気が混入することを防止することができる。更に、リーク箇所に対し迅速に対処が行えるため、リーク箇所から真空成膜装置内に不純物が混入することも防止され、製品の品質を保つことができる。   Furthermore, according to the vacuum film-forming facility according to the present invention, a plurality of vacuum film-forming apparatuses for forming a thin film in a vacuum state, and a vacuum pump provided so as to correspond to each of the vacuum film-forming apparatuses, A combustion abatement apparatus configured to combust the exhaust gas discharged from the vacuum film forming apparatus, and an exhaust pipe for conveying the exhaust gas from the vacuum pump to the combustion abatement apparatus. In the vacuum film-forming facility, an oxygen concentration meter is provided in the pipe of the exhaust pipe in the vicinity of the outlet of the vacuum pump, so that it is detected that a leak has occurred in the vacuum film-forming apparatus and the vacuum pump. Can do. As a result, it becomes possible to quickly cope with a leak of the vacuum film forming apparatus or the vacuum pump, and it is possible to prevent air from being mixed into the special material gas. Furthermore, since a leak location can be dealt with quickly, it is possible to prevent impurities from being mixed into the vacuum film forming apparatus from the leak location, and the product quality can be maintained.

また、本発明に係る真空成膜設備によれば、真空状態で薄膜を形成するための複数の真空成膜装置と、前記真空成膜装置の各々に対応するように設けられている真空ポンプと、前記真空成膜装置から排出される排気ガスを燃焼処理するように構成されている燃焼除害装置と、前記排気ガスを前記真空ポンプから前記燃焼除害装置へ搬送する排気配管とを備えている真空成膜設備において、前記燃焼除害装置の入口近傍の前記排気配管の管路と、前記真空ポンプの出口近傍の前記排気配管の管路とには、酸素濃度計がそれぞれ設けられているため、リークが発生したことを検知するだけでなく、リーク箇所をある程度特定することができる。例えば、燃焼除外装置の入口近傍の酸素濃度計で酸素が検知され、真空ポンプの出口近傍の酸素濃度計では酸素が検知されていない場合は、真空ポンプの出口近傍の酸素濃度計の設置箇所より下流でリークが発生していることがわかる。これにより、リーク箇所を特定する時間が短縮され、真空成膜装置を停止する時間も短くなるため、真空成膜設備全体の生産性が向上する。   Further, according to the vacuum film-forming facility according to the present invention, a plurality of vacuum film-forming apparatuses for forming a thin film in a vacuum state, and a vacuum pump provided to correspond to each of the vacuum film-forming apparatuses, A combustion abatement apparatus configured to combust the exhaust gas discharged from the vacuum film forming apparatus, and an exhaust pipe for conveying the exhaust gas from the vacuum pump to the combustion abatement apparatus. In the vacuum film-forming facility, an oxygen concentration meter is provided in each of the exhaust pipe line near the inlet of the combustion abatement apparatus and the exhaust pipe line near the outlet of the vacuum pump. Therefore, it is possible not only to detect that a leak has occurred, but also to identify the leak location to some extent. For example, if oxygen is detected by an oximeter near the inlet of the combustion exclusion device and oxygen is not detected by an oximeter near the outlet of the vacuum pump, from the location of the oximeter near the outlet of the vacuum pump It can be seen that a leak has occurred downstream. As a result, the time for specifying the leak location is shortened, and the time for stopping the vacuum film-forming apparatus is also shortened, so that the productivity of the entire vacuum film-forming facility is improved.

以下、本発明に係る真空成膜設備を、図面を参照しながら説明する。   The vacuum film-forming facility according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１は、本発明に係る真空成膜設備１の実施形態を示すものである。   FIG. 1 shows an embodiment of a vacuum film-forming facility 1 according to the present invention.

本実施形態の真空成膜設備１は、薄膜を形成するための複数のＣＶＤ装置２と、ＣＶＤ装置２の各々に対応するように設けられている真空ポンプ３と、ＣＶＤ装置２から排出される特殊材料ガスを燃焼処理する燃焼除害装置４と、ＣＶＤ装置２から排出される特殊材料ガスを燃焼除害装置４へ搬送する排気配管５とを備えている。
ＣＶＤ装置２は、成膜室（図示せず）を設けており、ＣＶＤ装置２の成膜室と真空ポンプ３とは、第１の排気管６で接続されている。ＣＶＤ装置２は、成膜室を真空ポンプ３により真空状態にした後、モノシラン（ＳｉＨ4）等の特殊材料ガスを成膜室に流し込み、この雰囲気下でプラズマ放電を行うことにより、薄膜を形成するようになっている。
真空ポンプ３は、第１の排気管６を介してＣＶＤ装置２の成膜室にそれぞれ接続されており、成膜室を真空状態にするようになっている。また、真空ポンプ３は、第２の排気管７を介して排気配管５にそれぞれ接続されており、薄膜形成後には、残った特殊材料ガスを排気ガスとして吸引し、排気配管５へ搬送するようになっている。 The vacuum film-forming facility 1 of the present embodiment is discharged from a plurality of CVD apparatuses 2 for forming a thin film, a vacuum pump 3 provided so as to correspond to each of the CVD apparatuses 2, and the CVD apparatus 2. A combustion abatement apparatus 4 for burning special material gas and an exhaust pipe 5 for conveying the special material gas discharged from the CVD apparatus 2 to the combustion abatement apparatus 4 are provided.
The CVD apparatus 2 is provided with a film formation chamber (not shown), and the film formation chamber of the CVD apparatus 2 and the vacuum pump 3 are connected by a first exhaust pipe 6. The CVD apparatus 2 forms a thin film by evacuating the film forming chamber with a vacuum pump 3 and then flowing a special material gas such as monosilane (SiH 4 ) into the film forming chamber and performing plasma discharge in this atmosphere. It is supposed to be.
The vacuum pump 3 is connected to the film forming chamber of the CVD apparatus 2 through the first exhaust pipe 6 so that the film forming chamber is in a vacuum state. Further, the vacuum pump 3 is connected to the exhaust pipe 5 via the second exhaust pipe 7, and after the thin film is formed, the remaining special material gas is sucked as exhaust gas and conveyed to the exhaust pipe 5. It has become.

燃焼除害装置４は、排気配管５で搬送されてきた排気ガスを燃焼して分解することにより、排気ガスを無害化するように構成されている。また、燃焼除害装置４の下流側には、排気ファン８が設けられており、燃焼除害装置４と排気ファン８とは、第１の搬送管９で接続されている。更に、排気ファン８の下流側には、第２の搬送管１０が設けられている。燃焼除害装置４によって無害化された排気ガスは、第１の搬送管９により排気ファン８へ搬送され、その後、排気ファン８により第２の搬送管１０へ搬送され、大気中に放出されるようになっている。   The combustion abatement apparatus 4 is configured to detoxify the exhaust gas by burning and decomposing the exhaust gas conveyed through the exhaust pipe 5. Further, an exhaust fan 8 is provided on the downstream side of the combustion abatement apparatus 4, and the combustion abatement apparatus 4 and the exhaust fan 8 are connected by a first transport pipe 9. Furthermore, a second transport pipe 10 is provided on the downstream side of the exhaust fan 8. The exhaust gas rendered harmless by the combustion abatement device 4 is transported to the exhaust fan 8 by the first transport pipe 9, and then transported to the second transport pipe 10 by the exhaust fan 8 and released into the atmosphere. It is like that.

本実施形態では、第２の排気管７が接続している部分よりやや下流側（真空ポンプ３の出口近傍）の排気配管５の管路に、直接又は分岐菅を介して、酸素濃度計１１が設けられている。更に、燃焼除害装置４の入口近傍の排気配管５の管路に、直接又は分岐菅を介して、酸素濃度計１１が設けられている。
また、酸素濃度計１１は、監視装置１２を備えており、各酸素濃度計１１は、監視装置１２にそれぞれ電気的に接続されている。監視装置１２は、酸素濃度計１１で計測される酸素の濃度値を常時監視するための装置であり、酸素濃度計１１で計測された濃度値は、監視装置１２に送られるようになっている。 In the present embodiment, the oximeter 11 is connected directly or via a branch pipe to the pipe of the exhaust pipe 5 slightly downstream (near the outlet of the vacuum pump 3) from the portion where the second exhaust pipe 7 is connected. Is provided. Furthermore, an oxygen concentration meter 11 is provided in the pipe of the exhaust pipe 5 near the inlet of the combustion abatement apparatus 4 directly or via a branch pipe.
The oxygen concentration meter 11 includes a monitoring device 12, and each oxygen concentration meter 11 is electrically connected to the monitoring device 12. The monitoring device 12 is a device for constantly monitoring the oxygen concentration value measured by the oxygen concentration meter 11, and the concentration value measured by the oxygen concentration meter 11 is sent to the monitoring device 12. .

次に、本実施形態の酸素濃度計１１を用いて、リークの発生を検知する方法について説明する。
ＣＶＤ装置２の成膜室は、薄膜を形成する際に、真空ポンプ３により真空状態にされるため、ＣＶＤ装置２の成膜室には、ほとんど酸素は存在していない。つまり、ＣＶＤ装置２から排出される排気ガスには酸素が含まれていないため、酸素濃度計１１で計測される濃度値は通常、０％である。空気中には、約２１％の酸素があるため、真空成膜設備１のどこかでリークが発生して空気が入り込むと、酸素濃度計１１で酸素が検出されることになる。
したがって、監視装置１２において、酸素濃度計１１で計測された値が０％より大きな値を示した場合に、リークが発生していると判定する。
以上のように、酸素濃度計１１によりリークが発生したことを検知することができる。 Next, a method for detecting the occurrence of leak using the oxygen concentration meter 11 of the present embodiment will be described.
Since the film forming chamber of the CVD apparatus 2 is evacuated by the vacuum pump 3 when forming a thin film, almost no oxygen is present in the film forming chamber of the CVD apparatus 2. That is, since the exhaust gas discharged from the CVD apparatus 2 does not contain oxygen, the concentration value measured by the oxygen concentration meter 11 is normally 0%. Since there is about 21% oxygen in the air, oxygen is detected by the oxygen concentration meter 11 when a leak occurs somewhere in the vacuum film-forming facility 1 and the air enters.
Therefore, in the monitoring device 12, when the value measured by the oximeter 11 shows a value larger than 0%, it is determined that a leak has occurred.
As described above, the oximeter 11 can detect that a leak has occurred.

更に、本実施形態の酸素濃度計１１を用いて、リークの発生箇所を特定する方法について説明する。
本実施形態では、真空ポンプ３の出口近傍の排気配管５の管路と、燃焼除害装置４の入口近傍の排気配管５の管路とに、直接又は分岐菅を介して、それぞれ酸素濃度計１１が設けられているため、リーク箇所がある程度特定されるようになっている。例えば、ＣＶＤ装置２や真空ポンプ３でリークが発生した場合は、両方の酸素濃度計１１で酸素が検知される。また、真空ポンプ３の出口近傍の酸素濃度計１１の設置箇所より下流でリークが発生した場合は、燃焼除外装置４の入口近傍の酸素濃度計１１でのみ酸素が検知され、真空ポンプ３の出口近傍の酸素濃度計１１では酸素が検知されない。
以上のように、リーク箇所をある程度絞ることができる。これにより、対処する箇所が絞られるため、ヘリウムリークテスタ等の従来の方法を用いて、更にリーク箇所の詳細な位置を調べることができる。 Furthermore, a method for specifying a leak occurrence location using the oximeter 11 of the present embodiment will be described.
In the present embodiment, the oxygen concentration meter is connected to the pipe line of the exhaust pipe 5 near the outlet of the vacuum pump 3 and the pipe line of the exhaust pipe 5 near the inlet of the combustion removal apparatus 4 directly or via a branch pipe. 11 is provided, the leak location is specified to some extent. For example, when a leak occurs in the CVD apparatus 2 or the vacuum pump 3, oxygen is detected by both oxygen concentration meters 11. Further, when a leak occurs downstream from the location where the oximeter 11 near the outlet of the vacuum pump 3 is installed, oxygen is detected only by the oximeter 11 near the inlet of the combustion excluding device 4, and the outlet of the vacuum pump 3. Oxygen is not detected by the nearby oxygen concentration meter 11.
As described above, the leak location can be narrowed down to some extent. Thereby, since the location to deal with is narrowed down, the detailed position of the leak location can be further investigated using a conventional method such as a helium leak tester.

このように、本実施形態の真空成膜設備によれば、真空成膜設備１の全体においてリークが発生したことを検知することができる。これにより、真空成膜設備全体のリークに対して迅速に対処が行えるようになり、特殊材料ガスに空気が混入することを防止することができる。更に、リーク箇所に対し迅速に対処が行えるため、リーク箇所からＣＶＤ装置２内等に不純物が混入することも防止され、製品の品質を保つことができる。
また、本実施形態の真空成膜設備１によれば、リークが発生したことを検知するだけでなく、リーク箇所をある程度特定することができる。これにより、リーク箇所を特定する時間が短縮され、ＣＶＤ装置２を停止する時間も短くなるため、真空成膜設備全体の生産性が向上する。
更に、本実施形態の真空成膜設備１は、各真空ポンプ３に酸素濃度計１１を設置するような構成ではなく、排気配管５において、第２の排気管７が接続している部分よりやや下流側の管路に設けるような構成となっている。したがって、酸素濃度計１１の設置個数が少なく、コストもかからない。 Thus, according to the vacuum film-forming facility of the present embodiment, it is possible to detect that a leak has occurred in the entire vacuum film-forming facility 1. As a result, it becomes possible to quickly cope with a leak of the entire vacuum film-forming facility, and air can be prevented from being mixed into the special material gas. Furthermore, since a leak location can be dealt with quickly, it is possible to prevent impurities from entering the CVD apparatus 2 and the like from the leak location, and to maintain product quality.
Moreover, according to the vacuum film-forming facility 1 of the present embodiment, it is possible not only to detect that a leak has occurred, but also to identify the leak location to some extent. As a result, the time for specifying the leak location is shortened and the time for stopping the CVD apparatus 2 is also shortened, so that the productivity of the entire vacuum film-forming facility is improved.
Furthermore, the vacuum film-forming facility 1 of the present embodiment is not configured to install the oxygen concentration meter 11 in each vacuum pump 3, but slightly in the exhaust pipe 5 from the portion where the second exhaust pipe 7 is connected. It is configured to be provided in a downstream pipe line. Accordingly, the number of installed oxygen concentration meters 11 is small and the cost is not high.

以上、本発明の実施の形態につき述べたが、本発明は既述の実施形態に限定されるものでなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変形及び変更が可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made based on the technical idea of the present invention.

上述した実施形態では、真空ポンプ３の出口近傍の排気配管５の管路と、燃焼除害装置４の入口近傍の排気配管５の管路とに、直接又は分岐菅を介して、それぞれ酸素濃度計１１が設けられているが、燃焼除害装置４の入口近傍の排気配管５の管路にのみ酸素濃度計１１を設けてもよい。
これにより、酸素濃度計１１の設置個数が最小限で、真空成膜設備全体のリークに対して迅速に対処することができる。 In the embodiment described above, the oxygen concentration in the exhaust pipe 5 near the outlet of the vacuum pump 3 and the exhaust pipe 5 near the inlet of the combustion removal apparatus 4 is directly or via a branch soot. Although the total 11 is provided, the oxygen concentration meter 11 may be provided only in the pipe of the exhaust pipe 5 in the vicinity of the inlet of the combustion abatement apparatus 4.
Thereby, the installation number of the oxygen concentration meter 11 is minimized, and it is possible to quickly cope with a leak of the entire vacuum film forming facility.

上述した実施形態では、真空ポンプ３の出口近傍の排気配管５の管路と、燃焼除害装置４の入口近傍の排気配管５の管路とに、直接又は分岐菅を介して、それぞれ酸素濃度計１１が設けられているが、真空ポンプ３の出口近傍の排気配管５にのみ酸素濃度計１１を設けてもよい。
これにより、ＣＶＤ装置２や真空ポンプ３のリークに対して対処することができる。 In the embodiment described above, the oxygen concentration in the exhaust pipe 5 near the outlet of the vacuum pump 3 and the exhaust pipe 5 near the inlet of the combustion removal apparatus 4 is directly or via a branch soot. Although the total 11 is provided, the oxygen concentration meter 11 may be provided only in the exhaust pipe 5 near the outlet of the vacuum pump 3.
Thereby, it is possible to cope with leakage of the CVD apparatus 2 and the vacuum pump 3.

本発明に係る真空成膜設備の実施形態を示している図である。It is a figure showing an embodiment of vacuum film-forming equipment concerning the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 真空成膜設備
２ ＣＶＤ装置
３ 真空ポンプ
４ 燃焼除害装置
５ 排気配管
６ 第１の排気管
７ 第２の排気管
８ 排気ファン
９ 第１の搬送管
１０ 第２の搬送管
１１ 酸素濃度計
１２ 監視装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum film-forming equipment 2 CVD apparatus 3 Vacuum pump 4 Combustion elimination apparatus 5 Exhaust piping 6 1st exhaust pipe 7 2nd exhaust pipe 8 Exhaust fan 9 1st conveyance pipe 10 2nd conveyance pipe 11 Oxygen concentration meter 12 Monitoring device

Claims (3)

真空状態で薄膜を形成するための複数の真空成膜装置と、前記真空成膜装置の各々に対応するように設けられている真空ポンプと、前記真空成膜装置から排出される排気ガスを燃焼処理するように構成されている燃焼除害装置と、前記排気ガスを前記真空ポンプから前記燃焼除害装置へ搬送する排気配管とを備えている真空成膜設備において、
前記燃焼除害装置の入口近傍の前記排気配管の管路には、酸素濃度計が設けられていることを特徴とする真空成膜設備。 A plurality of vacuum film forming apparatuses for forming a thin film in a vacuum state, a vacuum pump provided corresponding to each of the vacuum film forming apparatuses, and combustion of exhaust gas discharged from the vacuum film forming apparatus In a vacuum film-forming facility comprising a combustion abatement apparatus configured to process and an exhaust pipe for conveying the exhaust gas from the vacuum pump to the combustion abatement apparatus,
A vacuum film-forming facility, wherein an oxygen concentration meter is provided in a pipe line of the exhaust pipe in the vicinity of the inlet of the combustion abatement apparatus. 真空状態で薄膜を形成するための複数の真空成膜装置と、前記真空成膜装置の各々に対応するように設けられている真空ポンプと、前記真空成膜装置から排出される排気ガスを燃焼処理するように構成されている燃焼除害装置と、前記排気ガスを前記真空ポンプから前記燃焼除害装置へ搬送する排気配管とを備えている真空成膜設備において、
前記真空ポンプの出口近傍の前記排気配管の管路には、酸素濃度計が設けられていることを特徴とする真空成膜設備。 A plurality of vacuum film forming apparatuses for forming a thin film in a vacuum state, a vacuum pump provided corresponding to each of the vacuum film forming apparatuses, and combustion of exhaust gas discharged from the vacuum film forming apparatus In a vacuum film-forming facility comprising a combustion abatement apparatus configured to process and an exhaust pipe for conveying the exhaust gas from the vacuum pump to the combustion abatement apparatus,
A vacuum film-forming facility characterized in that an oxygen concentration meter is provided in a pipe line of the exhaust pipe in the vicinity of the outlet of the vacuum pump. 真空状態で薄膜を形成するための複数の真空成膜装置と、前記真空成膜装置の各々に対応するように設けられている真空ポンプと、前記真空成膜装置から排出される排気ガスを燃焼処理するように構成されている燃焼除害装置と、前記排気ガスを前記真空ポンプから前記燃焼除害装置へ搬送する排気配管とを備えている真空成膜設備において、
前記燃焼除害装置の入口近傍の前記排気配管の管路と、前記真空ポンプの出口近傍の前記排気配管の管路とには、酸素濃度計がそれぞれ設けられていることを特徴とする真空成膜設備。



A plurality of vacuum film forming apparatuses for forming a thin film in a vacuum state, a vacuum pump provided corresponding to each of the vacuum film forming apparatuses, and combustion of exhaust gas discharged from the vacuum film forming apparatus In a vacuum film-forming facility comprising a combustion abatement apparatus configured to process and an exhaust pipe for conveying the exhaust gas from the vacuum pump to the combustion abatement apparatus,
An oxygen concentration meter is provided in each of the pipe of the exhaust pipe in the vicinity of the inlet of the combustion abatement apparatus and the pipe of the exhaust pipe in the vicinity of the outlet of the vacuum pump. Membrane equipment.



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JP2006261434A (en) * 2005-03-17 2006-09-28 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude Method for forming silicon oxide film

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