JP2008258521A - Multi-chip lamination substrate, multi-chip lamination mounting structure using the same, and application of the same - Google Patents

Multi-chip lamination substrate, multi-chip lamination mounting structure using the same, and application of the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-chip lamination substrate, a multi-chip lamination mounting structure using the same, and an application of the same in which each chip group can independently operate. <P>SOLUTION: A multi-chip lamination substrate 200 at least has a first wire bonding finger 211, a second wire bonding finger 212, a trace, and a loop wiring. The first wire bonding finger 211 and the second wire bonding finger 212 are adjacent to a die attaching area. The loop wiring is connected in series to the first wire bonding finger 211 and the second wire bonding finger 212, and also connected to the trace. A multi-chip lamination mounting structure includes the substrate 200, a first chip 50 provided in the die attaching area, and a second chip 60 laminated on the first chip 50. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、マルチチップの積層技術に関し、特に、マルチチップ積層基板とそれを使用するマルチチップ積層実装構造とその応用に関するものである。   The present invention relates to a multi-chip stacking technique, and more particularly to a multi-chip stacked substrate, a multi-chip stacked mounting structure using the same, and its application.

近年、電子技術の進みとともに、より高性能化に、より人間に相応しい電子機器がどんどん製品化されている。外観から言えば、軽量化、薄型化、小型化などの趨勢に従って製品を設計し、微小化及び高速化の要求に応じ、数倍以上大容量或はより多機能を達成するため、複数のチップを基板上に垂直積層して封止体で密封し、それをマルチチップ積層実装構造と称する。しかし、従来のマルチチップ積層実装構造の製造過程において封止作業後に製品が電気検査されて、製品の中に一つのチップだけがうまく動かなければ、製品全体は故障品として廃棄されなければならず、封止作業後の修復が不可能となる。   In recent years, with the advancement of electronic technology, more and more electronic devices suitable for human beings have been commercialized for higher performance. In terms of appearance, products are designed according to the trend of weight reduction, thinning, miniaturization, etc., and in response to the demands for miniaturization and high speed, multiple chips are used to achieve several times more capacity or more functions. Are stacked vertically on a substrate and sealed with a sealing body, which is referred to as a multichip stacked mounting structure. However, if the product is electrically inspected after the sealing operation in the manufacturing process of the conventional multi-chip stacked mounting structure and only one chip does not work well in the product, the entire product must be discarded as a defective product. The repair after the sealing operation becomes impossible.

図1に示すように、マルチチップ積層実装構造は、少なくとも基板100、第一チップ10、第二チップ20、複数のボンディングワイヤ31、ボンディングワイヤ32及び封止体40を備える。基板100は複数のワイヤボンディングフィンガー110と複数のトレース120を含み、それらのトレース120は基板100の内表面101に形成されている。それらのワイヤボンディングフィンガー110は基板100のダイアタッチエリア103に隣接して、第一チップ10はダイアタッチエリア103上に貼着され、第二チップ20は第一チップ10の上方に積み上げられている。また、図1を参考にして、それらのワイヤボンディングフィンガー110は、内表面101に形成されてワイヤボンディング用として基板100の絶縁層130上に露出されている。基板100の外表面102に複数の外連結パッド140が形成されている。第一チップ10は複数の第一ボンディングパッド11を有し、第一ボンディングワイヤ31を介してそれらの第一ボンディングパッド11と対応のワイヤボンディングフィンガー110とを電気連結させる。第一チップ10と第二チップ20との間に介在物12が設置されている。第二チップ20は複数の第二ボンディングパッド21を有し、第二ボンディングワイヤ32を介してそれらの第二ボンディングパッド21と対応のワイヤボンディングフィンガー110とを電気接続させる。ゆえに、同一信号や共用電源または接地を利用するワイヤボンディングフィンガー110は、同時に第一ボンディングワイヤ31と第二ボンディングパッド21と連結することができる(図2に示す)。   As shown in FIG. 1, the multichip stacked mounting structure includes at least a substrate 100, a first chip 10, a second chip 20, a plurality of bonding wires 31, bonding wires 32, and a sealing body 40. The substrate 100 includes a plurality of wire bonding fingers 110 and a plurality of traces 120, which are formed on the inner surface 101 of the substrate 100. The wire bonding fingers 110 are adjacent to the die attach area 103 of the substrate 100, the first chip 10 is stuck on the die attach area 103, and the second chip 20 is stacked above the first chip 10. . Further, referring to FIG. 1, these wire bonding fingers 110 are formed on the inner surface 101 and exposed on the insulating layer 130 of the substrate 100 for wire bonding. A plurality of outer connection pads 140 are formed on the outer surface 102 of the substrate 100. The first chip 10 has a plurality of first bonding pads 11 and electrically connects the first bonding pads 11 and the corresponding wire bonding fingers 110 via first bonding wires 31. An inclusion 12 is installed between the first chip 10 and the second chip 20. The second chip 20 has a plurality of second bonding pads 21 and electrically connects the second bonding pads 21 and the corresponding wire bonding fingers 110 via the second bonding wires 32. Therefore, the wire bonding fingers 110 using the same signal, common power supply, or ground can be simultaneously connected to the first bonding wire 31 and the second bonding pad 21 (shown in FIG. 2).

周知のマルチチップ積層実装構造は、例えば、メモリカード、さらに封止体40を含み、この封止体40により第一チップ10と第二チップ20が密封されている。封止作業中に、もしチップやチップに接続するボンディングワイヤが不具合となれば、実装作業と検査作業の後に一つか一部のチップが正常に動かないと知って、もう不良なチップやボンディングワイヤは封止体に密封され、かつ基板に電気導通されたことによって、他の良好なチップに正常な動きができないように影響を及ぼして、不良なチップとともに半導体製品全体は捨てられることとなり、廃棄率の上昇を招いてしまう。   A known multi-chip stacked mounting structure includes, for example, a memory card and a sealing body 40, and the first chip 10 and the second chip 20 are sealed by the sealing body 40. During the sealing process, if the chip or bonding wire connected to the chip becomes defective, know that one or some of the chips will not move normally after the mounting and inspection operations, and the defective chip or bonding wire Is sealed in a sealing body and electrically connected to the substrate, so that other good chips cannot be moved normally, and the entire semiconductor product is discarded along with the defective chips. The rate will rise.

目前、上記の問題についての解決方法は幾つかが有り、一つはウエハーレベルクラス(wafer level class)に全部のチップに対して完全な電気検査を行って、正常に演算するチップを確認し得ることになるが、このような測定のコストはかなり高く、低コストの大量生産には向かない。他にもう一つの方法は、実装過程中に修復を行い、特許文献1の修復ができるマルチチップモジュール実装構造を参考にして、下層にダイアタッチと電気接続作業中かつ封止作業の前に電気検査を行い、正常ではない下層チップを発見すれば、下層チップに接続するボンディングワイヤを除去し、そして、一つの代用チップを積層方式で貼着させる。このような方法は、封止作業前に電気検査と不良チップのボンディングワイヤの除去をしなければいけないので、封止作業後の品質もまだ確定ではなく、製造過程にも余計な制限が出てくる。しかも、このような積層方式は、正常なチップを不良なチップ上に積み上げ、マルチチップ積層実装構造に対して専用のやり方ではない。   At present, there are several solutions to the above problem, and one can perform a complete electrical test on all chips in the wafer level class to check which chips operate normally. However, the cost of such measurements is quite high and is not suitable for low-cost mass production. Another method is that repair is performed during the mounting process, and referring to the multichip module mounting structure that can be repaired in Patent Document 1, the lower layer is electrically connected during the die attach and electrical connection work and before the sealing work. When inspection is performed and a lower layer chip that is not normal is found, the bonding wire connected to the lower layer chip is removed, and one substitute chip is attached in a stacked manner. Such a method requires electrical inspection and removal of bonding wires of defective chips before the sealing operation, so the quality after the sealing operation is not yet finalized, and there are additional restrictions on the manufacturing process. come. Moreover, such a stacking method is not a dedicated method for a multichip stacked mounting structure in which normal chips are stacked on a defective chip.

中華民国特許公開No.409,330号広報Taiwan Patent Publication No. 409,330 public information

本発明の主な目的は、マルチチップ積層基板とそれを使用するマルチチップ積層実装構造とその応用を提供することである。複数のチップは、実装構造内に積み上げられ、ヒューズを有するループ配線を用いて設計し、電気検査後にチップ群がお互い干渉せずにそれぞれ独立作業ができるようにさせる。
本発明のもう一つの目的は、マルチチップ積層基板とそれを使用するマルチチップ積層実装構造とその応用を提供し、それによって、封止作業の後にも、ヒューズを焼切ることができ、ボンディングワイヤを除去しなくても、修復を行えることに達する。
A main object of the present invention is to provide a multichip laminated substrate, a multichip laminated mounting structure using the same, and its application. A plurality of chips are stacked in a mounting structure and designed using a loop wiring having a fuse so that the chip groups can perform independent work without interfering with each other after electrical inspection.
Another object of the present invention is to provide a multi-chip laminated substrate, a multi-chip laminated mounting structure using the same, and its application, so that the fuse can be burned out even after the sealing operation, and the bonding wire Even if you don't remove it, you will be able to repair it.

上記目的を達成するため、本発明では、次に述べる技術が提案されている。本発明によれば、マルチチップ積層基板は少なくとも第一ワイヤボンディングフィンガー、第二ワイヤボンディングフィンガー、トレース及びループ配線を備える。第一ワイヤボンディングフィンガーはダイアタッチエリアに隣接し、第二ワイヤボンディングフィンガーもダイアタッチエリアに隣接している。トレースは電気転送用として利用されている。ループ配線は第一ワイヤボンディングフィンガーと第二ワイヤボンディングフィンガーに直列接続し、かつトレースに接続されている。   In order to achieve the above object, the following technique is proposed in the present invention. According to the present invention, the multichip laminated substrate includes at least a first wire bonding finger, a second wire bonding finger, a trace, and a loop wiring. The first wire bonding finger is adjacent to the die attach area, and the second wire bonding finger is also adjacent to the die attach area. Traces are used for electrical transfer. The loop wiring is connected in series to the first wire bonding finger and the second wire bonding finger, and is connected to the trace.

上記基板において、ループ配線には第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズを設置し、第一ヒューズは第一ワイヤボンディングフィンガーとトレースとの間に直列接続され、第二ヒューズは第一ワイヤボンディングフィンガーと第二ワイヤボンディングフィンガーとの間に直列接続され、及び第三ヒューズは第二ワイヤボンディングフィンガーとトレースの間に直列接続されている。   In the above board, the first fuse, the second fuse, and the third fuse are installed in the loop wiring, the first fuse is connected in series between the first wire bonding finger and the trace, and the second fuse is connected to the first wire bonding. A series connection is made between the finger and the second wire bonding finger, and a third fuse is connected in series between the second wire bonding finger and the trace.

上記基板において、第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズのそれぞれの線幅は、ループ配線の線幅よりも小さくなる。
上記基板において、さらに絶縁層を含み、この絶縁層は複数の開口を具備し、それらの開口は第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズに照準して第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズを露出させる。
上記基板において、絶縁層は、コア基板(core substrate)にすることができ、基板の外表面に第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズを露出させる。
In the substrate, the line widths of the first fuse, the second fuse, and the third fuse are smaller than the line width of the loop wiring.
The substrate further includes an insulating layer, the insulating layer having a plurality of openings, the openings aiming at the first fuse, the second fuse, and the third fuse, the first fuse, the second fuse, and the third fuse. Expose the fuse.
In the above substrate, the insulating layer may be a core substrate, exposing the first fuse, the second fuse, and the third fuse on the outer surface of the substrate.

上記基板において、絶縁層は、半田マスク層にすることができ、基板の内表面に第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズを露出させる。
上記基板において、第一ワイヤボンディングフィンガー、第二ワイヤボンディングフィンガー、トレース及びループ配線は基板の内表面に設置されることができ、さらに対外連結パッドを含み、この対外連結パッドは基板の外表面に設置されている。
上記基板において、ループ配線の外観は、ほぼ多辺形、円形と円弧形の周縁になる。
上記基板において、さらに第三ワイヤボンディングフィンガーを含み、この第三ワイヤボンディングフィンガーはループ配線と直列接続している。
In the substrate, the insulating layer may be a solder mask layer, and the first fuse, the second fuse, and the third fuse are exposed on the inner surface of the substrate.
In the substrate, the first wire bonding finger, the second wire bonding finger, the trace and the loop wiring may be disposed on the inner surface of the substrate, and further include an external connection pad, and the external connection pad is formed on the outer surface of the substrate. is set up.
In the substrate described above, the appearance of the loop wiring is a polygonal, circular, and arc-shaped periphery.
The substrate further includes a third wire bonding finger, and the third wire bonding finger is connected in series with the loop wiring.

本発明の第一実施例によるマルチチップ積層基板を公開している。図3は基板がマルチチップ積層実装構造に応用される断面図であり、図4はワイヤボンディング接続作業を行った後の基板の部分を示す斜視図であり、図5は各種の電気検査結果に応じる複数のヒューズ開閉状態の比較表を示す図であり、図6は基板の部分を示す断面図である。
図3と図4に示すように、基板200は少なくとも複数のフィンガーセットを含み、各フィンガーセットは第一ワイヤボンディングフィンガー211、第二ワイヤボンディングフィンガー212、トレース220及びループ配線230を備える。基板200は内表面201と外表面202を有し、内表面201上にダイアタッチエリア203を定義してこのダイアタッチエリア203には複数の積層チップ50、積層チップ60或はより多くを設置している。第一ワイヤボンディングフィンガー211と第二ワイヤボンディングフィンガー212はお互いに接近してダイアタッチエリア203に隣接し、基板200の内表面201に設置される。図4に示すように、トレース220は電気伝送用として基板200の内表面201に設置される。本実施例では、基板200はさらに基板200の外表面202に設置される対外連結パッド250を含み、この対外連結パッド250は細長い形状のゴルドフィンガー(gold finger)にしてもよく、半導体製品のメモリカードに適用している。
A multichip laminated substrate according to a first embodiment of the present invention is disclosed. 3 is a cross-sectional view in which the substrate is applied to a multichip stacked mounting structure, FIG. 4 is a perspective view showing a portion of the substrate after wire bonding connection work, and FIG. 5 shows various electrical inspection results. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a portion of a substrate. FIG.
As shown in FIGS. 3 and 4, the substrate 200 includes at least a plurality of finger sets, and each finger set includes a first wire bonding finger 211, a second wire bonding finger 212, a trace 220, and a loop wiring 230. The substrate 200 has an inner surface 201 and an outer surface 202. A die attach area 203 is defined on the inner surface 201, and a plurality of laminated chips 50, laminated chips 60 or more are installed in the die attach area 203. ing. The first wire bonding finger 211 and the second wire bonding finger 212 are disposed on the inner surface 201 of the substrate 200 adjacent to the die attach area 203 close to each other. As shown in FIG. 4, the trace 220 is placed on the inner surface 201 of the substrate 200 for electrical transmission. In this embodiment, the substrate 200 further includes an external connection pad 250 disposed on the outer surface 202 of the substrate 200. The external connection pad 250 may be an elongated gold finger. Applied to the card.

図4に示すように、ループ配線230は第一ワイヤボンディングフィンガー211と第二ワイヤボンディングフィンガー212と直列接続し、また、トレース220に接続され、よって、第一ワイヤボンディングフィンガー211と第二ワイヤボンディングフィンガー212とはそれぞれトレース220に電気接続されている。本実施例では、ループ配線230は基板200の内表面201に設置されることができ、ほぼ多辺形、円形或は円弧形の周縁という外形になる。再び図4を参考にして、選択できるヒューズ切れを提供するため、ループ配線230には第一ヒューズF1、第二ヒューズF2及び第三ヒューズF3を設置することができる。その中で、第一ヒューズF1は第一ワイヤボンディングフィンガー211とトレース220との間に直列接続され、第二ヒューズF2は第一ワイヤボンディングフィンガー211と第二ワイヤボンディングフィンガー212との間に直列接続され、及び第三ヒューズF3は第二ワイヤボンディングフィンガー212とトレース220との間に直列接続されている。第一ワイヤボンディングフィンガー211と第二ワイヤボンディングフィンガー212との間隔は単一の第二ヒューズF2だけを配置できることが理想的と考えられ、ゆえに、第一ワイヤボンディングフィンガー211と第二ワイヤボンディングフィンガー212とは緊密に配列されることができる。一般に、第一ヒューズF1、第二ヒューズF2及び第三ヒューズF3の中のどれの線幅もループ配線230の線幅よりも小さくなるので、レーザ光線90で選択的にヒューズを焼切って線路切断することが可能である。本実施例では、第一ヒューズF1、第二ヒューズF2及び第三ヒューズF3はループ配線230と同一の製造材料にしてもよく、例えば、一般にCu(銅)等を使用し、或は、タングステンフィラメント(tungsten filament)、或は、他に焼切りができる金属も使える。   As shown in FIG. 4, the loop wiring 230 is connected in series with the first wire bonding finger 211 and the second wire bonding finger 212 and is also connected to the trace 220, so that the first wire bonding finger 211 and the second wire bonding finger are connected. Each finger 212 is electrically connected to a trace 220. In this embodiment, the loop wiring 230 can be installed on the inner surface 201 of the substrate 200 and has an outer shape of a substantially polygonal, circular or arcuate periphery. Referring again to FIG. 4, the first fuse F <b> 1, the second fuse F <b> 2, and the third fuse F <b> 3 can be installed in the loop wiring 230 in order to provide a selectable fuse blow. The first fuse F1 is connected in series between the first wire bonding finger 211 and the trace 220, and the second fuse F2 is connected in series between the first wire bonding finger 211 and the second wire bonding finger 212. The third fuse F3 is connected in series between the second wire bonding finger 212 and the trace 220. It is considered ideal that the distance between the first wire bonding finger 211 and the second wire bonding finger 212 can be arranged with only a single second fuse F2. Therefore, the first wire bonding finger 211 and the second wire bonding finger 212 are considered. And can be closely arranged. In general, since the line width of each of the first fuse F1, the second fuse F2, and the third fuse F3 is smaller than the line width of the loop wiring 230, the line is cut by selectively burning the fuse with the laser beam 90. Is possible. In the present embodiment, the first fuse F1, the second fuse F2, and the third fuse F3 may be made of the same manufacturing material as the loop wiring 230, for example, generally using Cu (copper) or the like, or a tungsten filament. (Tungsten filament) or other metal that can be burned out.

本発明の第一実施例によれば、基板200はさらにマルチチップ積層実装構造に応用されることができ、特に、マイクロSDカードである。図3に示すように、マルチチップ積層実装構造は少なくとも、基板200、第一チップ50及び第二チップ60を含む。第一チップ50は基板200のダイアタッチエリア203に設置され、複数の第一ボンディングパッド51を具し、また、伝統的なワイヤボンディング接続技術を用いて、第一ボンディングワイヤ71は対応する第一ボンディングパッド51と第一ワイヤボンディングフィンガー211とを電気的に接続している。第二チップ60は第一チップ50の上方に積み上げられ、複数の第二ボンディングパッド61を具し、また、伝統的なワイヤボンディング接続技術を用いて、第二ボンディングワイヤ72は対応する第二ボンディングパッド61と第二ワイヤボンディングフィンガー212とを電気的に接続している。具体的に言えば、マルチチップ積層実装構造はさらに介在物52を含み、この介在物52は第一チップ50と第二チップ60との間に設置されることにより、第二チップ60の背面は第一チップ50と第一ボンディングワイヤ71に直接に接触しない。   According to the first embodiment of the present invention, the substrate 200 can be further applied to a multi-chip stacked mounting structure, in particular, a micro SD card. As shown in FIG. 3, the multichip stacked mounting structure includes at least a substrate 200, a first chip 50, and a second chip 60. The first chip 50 is installed in the die attach area 203 of the substrate 200, includes a plurality of first bonding pads 51, and the first bonding wires 71 are associated with the first bonding wires 71 using a traditional wire bonding connection technique. The bonding pad 51 and the first wire bonding finger 211 are electrically connected. The second chip 60 is stacked above the first chip 50, includes a plurality of second bonding pads 61, and using traditional wire bonding connection techniques, the second bonding wires 72 are associated with the corresponding second bonding pads. The pad 61 and the second wire bonding finger 212 are electrically connected. Specifically, the multi-chip stacked mounting structure further includes an inclusion 52, which is disposed between the first chip 50 and the second chip 60, so that the back surface of the second chip 60 is The first chip 50 and the first bonding wire 71 are not in direct contact.

再び図3を参考にして、封止体80は、基板200の内表面201に形成されて第一チップ50、第二チップ60、第一ボンディングワイヤ71及び第二ボンディングワイヤ72を密封している。
具体的に言えば、基板200はさらに半田マスク層260を有し、この半田マスク層260は基板200の内表面201に形成されて基板200の配線層を部分的に覆いそしてトレース220を覆い、かつワイヤボンディング接続のために、第一ワイヤボンディングフィンガー211と第二ワイヤボンディングフィンガー212を露出させる。
Referring again to FIG. 3, the sealing body 80 is formed on the inner surface 201 of the substrate 200 to seal the first chip 50, the second chip 60, the first bonding wire 71 and the second bonding wire 72. .
Specifically, the substrate 200 further includes a solder mask layer 260, which is formed on the inner surface 201 of the substrate 200 to partially cover the wiring layer of the substrate 200 and cover the traces 220, The first wire bonding finger 211 and the second wire bonding finger 212 are exposed for wire bonding connection.

本実施例では、マルチチップ積層実装構造はさらに制御チップを具し、制御チップはトレース220と電気的に接続して、その応用として、第一チップ50と第二チップ60をともにメモリチップにすれば、メモリカード(図に示していない)を組み立てることができる。
使われる各チップの品質と状況はそれぞれ異なって、検査結果により不良品と判定されるチップを図5に示すような対応調整に従えば、第一ヒューズF1、第二ヒューズF2や第三ヒューズF3を焼切ることにより、他の良好チップが正常に動くことができる。封止作業完成の後にも、電気検査と修復作業を行うことが可能である。
In this embodiment, the multi-chip stacked mounting structure further includes a control chip, and the control chip is electrically connected to the trace 220. As an application, both the first chip 50 and the second chip 60 are used as memory chips. For example, a memory card (not shown) can be assembled.
The quality and status of each chip used are different, and if the chip determined to be defective based on the inspection result is subjected to the correspondence adjustment as shown in FIG. 5, the first fuse F1, the second fuse F2, and the third fuse F3 are used. By burning out, other good chips can move normally. Electrical inspection and repair work can be performed even after the sealing work is completed.

また、図4と図5を参考にして、検査結果において、第一チップ50と第二チップ60が良好の場合には、第一ヒューズF1、第二ヒューズF2及び第三ヒューズF3を切断する必要がない。次に、第一チップ50だけが故障する場合には、第一ヒューズF1と第二ヒューズF2とを切断することにより、第一ワイヤボンディングフィンガー211とトレース220との間は電気的に遮断されて、下層の第一チップ50は基板200の内部配線と完全に電気遮断されることになる。よって、第二チップ60は、第一チップ50による干渉がなく、正常な演算ができる。しかも、第二チップ60と接続する第二ボンディングワイヤ72を除去や切断する必要がない。   4 and 5, if the first chip 50 and the second chip 60 are satisfactory in the inspection result, it is necessary to cut the first fuse F1, the second fuse F2, and the third fuse F3. There is no. Next, when only the first chip 50 fails, the first fuse F1 and the second fuse F2 are disconnected, so that the first wire bonding finger 211 and the trace 220 are electrically disconnected. The lower first chip 50 is completely electrically insulated from the internal wiring of the substrate 200. Therefore, the second chip 60 can perform normal calculation without interference by the first chip 50. In addition, it is not necessary to remove or cut the second bonding wire 72 connected to the second chip 60.

再び図4と図5を参考にして、第二チップ60だけが故障する場合には、第二ヒューズF2と第三ヒューズF3とを切断して、第二ボンディングワイヤ72とトレース220との間は電気的に遮断されて、上層の第二チップ60は基板200の内部配線と完全に電気遮断されることになる。よって、第一チップ50は、第二チップ60による干渉がなく、正常に作動することができる。しかも、第一チップ50と接続する第一ボンディングワイヤ71を除去や切断する必要がない。   Referring to FIGS. 4 and 5 again, when only the second chip 60 fails, the second fuse F2 and the third fuse F3 are disconnected, and the second bonding wire 72 and the trace 220 are not separated. As a result, the upper second chip 60 is completely electrically disconnected from the internal wiring of the substrate 200. Therefore, the first chip 50 can operate normally without interference by the second chip 60. In addition, it is not necessary to remove or cut the first bonding wire 71 connected to the first chip 50.

ゆえに、第一ヒューズF1、第二ヒューズF2及び第三ヒューズF3を用いて、選択ができる断線にして、第一チップ50と第二チップ60はお互いに干渉せず、それぞれ独立作業をしている。つまり、マルチチップ積層実装構造中に、一個や一部分のチップが故障となれば、不良チップと接続するワイヤボンディングフィンガーのヒューズだけを焼切って、ワイヤボンディングフィンガーを断線状態にさせることにより、他の良好チップ群は正常に働くことができ、製造コストの低減を提供している。その上に、このような選択ができるヒューズ切断作業は、製造過程において、ダイアタッチ作業や封止作業の後に行われることが便利になって好ましい。   Therefore, the first fuse 50, the second fuse F2, and the third fuse F3 are used to make a disconnection that can be selected, and the first chip 50 and the second chip 60 do not interfere with each other, and each performs an independent operation. . In other words, if one or a part of a chip breaks down in a multi-chip stacked mounting structure, only the wire bonding finger fuse connected to the defective chip is burned out, and the wire bonding finger is disconnected. Good chip groups can work normally and provide a reduction in manufacturing costs. In addition, the fuse cutting operation that allows such selection is preferably performed after the die attach operation and the sealing operation in the manufacturing process.

図6に示すように、基板200はさらに複数の開口241を有する絶縁層240を含み、それらの開口241は第一ヒューズF1、第二ヒューズF2及び第三ヒューズF3に照準して第一ヒューズF1、第二ヒューズF2及び第三ヒューズF3をレーザ光線90で任意切断することができるように第一ヒューズF1、第二ヒューズF2及び第三ヒューズF3を露出させる。絶縁層240をコア基板にすることは好ましく、それによって、第一ヒューズF1、第二ヒューズF2及び第三ヒューズF3を基板200の外表面202に露出させ、ワイヤボンディング接続作業と封止作業の後にも、レーザ光線90を用いて第一ヒューズF1、第二ヒューズF2及び第三ヒューズF3を焼切って断線している。本実施例では、誘電性充填物270を用いてそれらの開口241に充填している。   As shown in FIG. 6, the substrate 200 further includes an insulating layer 240 having a plurality of openings 241. The openings 241 are aimed at the first fuse F1, the second fuse F2, and the third fuse F3. The first fuse F1, the second fuse F2, and the third fuse F3 are exposed so that the second fuse F2 and the third fuse F3 can be arbitrarily cut by the laser beam 90. The insulating layer 240 is preferably a core substrate, whereby the first fuse F1, the second fuse F2, and the third fuse F3 are exposed to the outer surface 202 of the substrate 200, and after the wire bonding connection operation and the sealing operation. Also, the first fuse F1, the second fuse F2, and the third fuse F3 are burned and disconnected using the laser beam 90. In this embodiment, dielectric openings 270 are used to fill the openings 241.

図7Aから図7Dまでは、ワイヤボンディング接続作業と封止作業の後の基板200上の断線の形成方法を示している。まず、図7Aに示すように、ワイヤボンディング接続、封止と検査作業を行ったマルチチップ積層実装構造は、平台に放置されながら、基板200の外表面202をレーザ光線射出装置に向けさせる。次に、図7Bに示すように、不良チップと接続するヒューズF1、ヒューズF2及びヒューズF3を探出す。また、図7Cに示すように、絶縁層240の開口241群は第二ヒューズF2を露出し、レーザ光線90を用いて、第二ヒューズF2を切断して、断線状態になる。最後に、図7Dに示すように、PCBビア充填技術(PCB via-filling technique)を応用して、それらの開口241、即ち、レーザ光線に照射されたのとされていない開口に誘電性充填物270を入れ、よって、それらのヒューズF1、ヒューズF2及びヒューズF3の露出を避けている。   7A to 7D show a method of forming a break on the substrate 200 after wire bonding connection work and sealing work. First, as shown in FIG. 7A, the multi-chip stacked mounting structure subjected to wire bonding connection, sealing, and inspection work is left on a flat table so that the outer surface 202 of the substrate 200 faces the laser beam emitting device. Next, as shown in FIG. 7B, the fuse F1, the fuse F2, and the fuse F3 connected to the defective chip are searched. Further, as shown in FIG. 7C, the opening 241 group of the insulating layer 240 exposes the second fuse F2, and the laser beam 90 is used to cut the second fuse F2 to be in a disconnected state. Finally, as shown in FIG. 7D, applying a PCB via-filling technique, these openings 241, i.e., openings that have not been exposed to the laser beam, are filled with dielectric material. 270 is inserted, thus avoiding exposure of those fuses F1, F2 and F3.

第二実施例では、他にもう一種のマルチチップ積層実装構造を公開している。図8に示すように、基板300は複数の電気機構を含み、各電気機構は少なくとも第一ワイヤボンディングフィンガー311、第二ワイヤボンディングフィンガー312、トレース320及びループ配線330を備える。本実施例では、第一ワイヤボンディングフィンガー311、第二ワイヤボンディングフィンガー312、トレース320及びループ配線330は、基板300の内表面301に配置されることができる。基板300はさらに対外連結パッド350を含み、この対外連結パッド350は基板300の外表面302に設置されている。第一ワイヤボンディングフィンガー311と第二ワイヤボンディングフィンガー312は、複数のチップ50’とチップ60’を積み上げるダイアタッチエリアに隣接している。トレース320は、電気転送用として利用されている。ループ配線330は、第一ワイヤボンディングフィンガー311と第二ワイヤボンディングフィンガー312に直列接続し、かつトレース320に接続されている。再び図8を参考にして、ループ配線330に少なくともヒューズ360が設置され、このヒューズ360は第一ワイヤボンディングフィンガー311、第二ワイヤボンディングフィンガー312とトレース320の間に直列接続されて選択ができる断線を提供している。   In the second embodiment, another type of multi-chip stacked mounting structure is disclosed. As shown in FIG. 8, the substrate 300 includes a plurality of electrical mechanisms, and each electrical mechanism includes at least a first wire bonding finger 311, a second wire bonding finger 312, a trace 320, and a loop wiring 330. In this embodiment, the first wire bonding finger 311, the second wire bonding finger 312, the trace 320 and the loop wiring 330 can be disposed on the inner surface 301 of the substrate 300. The substrate 300 further includes an external connection pad 350, which is disposed on the outer surface 302 of the substrate 300. The first wire bonding finger 311 and the second wire bonding finger 312 are adjacent to a die attach area where a plurality of chips 50 'and chips 60' are stacked. The trace 320 is used for electrical transfer. The loop wiring 330 is connected in series to the first wire bonding finger 311 and the second wire bonding finger 312, and is connected to the trace 320. Referring again to FIG. 8, at least a fuse 360 is installed in the loop wiring 330, and this fuse 360 is connected in series between the first wire bonding finger 311, the second wire bonding finger 312, and the trace 320, and can be selected. Is provided.

具体的に言えば、基板300はさらに複数の開口341を有する絶縁層340を含み、それらの開口341はレーザ光線90でヒューズ360を切断し易いため、ヒューズ360に照準してヒューズ360を露出させる。本実施例では、絶縁層340は半田マスク層にしてもよく、基板300の内表面301にヒューズ360を露出させて、封止作業の前に選択可能な断線を行うことに適用している。   Specifically, the substrate 300 further includes an insulating layer 340 having a plurality of openings 341, and these openings 341 easily cut the fuse 360 with the laser beam 90, so that the fuse 360 is exposed by aiming at the fuse 360. . In the present embodiment, the insulating layer 340 may be a solder mask layer, which is applied to expose the fuse 360 on the inner surface 301 of the substrate 300 and perform a selectable disconnection before the sealing operation.

図9Aから図9Cまでは、ワイヤボンディング接続作業の後かつ封止作業の前の基板300のヒューズ焼切り方法を示している。まず、図9Aに示すように、第一チップ50’は基板300の内表面301に設置され、少なくとも第二チップ60’は第一チップ50’の上方に積み上げられ、また、複数の第一ボンディングワイヤ71’を用いて第一チップ50’の第一ボンディングパッド51’群と第一ワイヤボンディングフィンガー311とを電気的に接続し、複数の第二ボンディングワイヤ72’を用いて第二チップ60’の第二ボンディングパッド61’群と第二ワイヤボンディングフィンガー312とを電気的に接続している。次に、電気検査された後及び封止作業を行う前に、上記マルチチップ積層実装構造の半製品は平台に放置されながら、基板300の内表面301がレーザ光線射出装置に向くことにより、ヒューズ360が露出されている。そして、図9Bに示すように、検出された不良チップのワイヤボンディングフィンガーと接続するヒューズ360をレーザ光線90を用いて切断している。最後、図9Cに示すように、ヒューズ360は断線状態になるので、検出された不良チップは基板300の内部配線と電気的に遮断されている。ゆえに、ヒューズ360を使って選択可能な断線を形成することができ、複数の積層チップはお互いに干渉せず、それぞれ独立な作業をしている。   9A to 9C show a method for burning out the fuse of the substrate 300 after the wire bonding connection work and before the sealing work. First, as shown in FIG. 9A, the first chip 50 ′ is installed on the inner surface 301 of the substrate 300, and at least the second chip 60 ′ is stacked above the first chip 50 ′. The first bonding pads 51 ′ of the first chip 50 ′ are electrically connected to the first wire bonding fingers 311 using the wires 71 ′, and the second chips 60 ′ are used using the plurality of second bonding wires 72 ′. The second bonding pads 61 ′ and the second wire bonding fingers 312 are electrically connected. Next, after the electrical inspection and before performing the sealing operation, the inner surface 301 of the substrate 300 faces the laser beam emitting device while the semi-finished product of the multichip stacked mounting structure is left on a flat table, so that the fuse 360 is exposed. Then, as shown in FIG. 9B, the fuse 360 connected to the wire bonding finger of the detected defective chip is cut using a laser beam 90. Finally, as shown in FIG. 9C, the fuse 360 is disconnected, so that the detected defective chip is electrically disconnected from the internal wiring of the substrate 300. Therefore, it is possible to form a selectable disconnection using the fuse 360, and the plurality of laminated chips do not interfere with each other, and perform independent operations.

第三実施例では、さらに他にもう一種のマルチチップ積層実装構造を開示している。図10に示すように、基板400は少なくとも第一ワイヤボンディングフィンガー411、第二ワイヤボンディングフィンガー412、トレース420及びループ配線430を備える。第一ワイヤボンディングフィンガー411と第二ワイヤボンディングフィンガー412はダイアタッチエリア403に隣接し、トレース420は電気転送用として利用されている。ループ配線430は第一ワイヤボンディングフィンガー411と第二ワイヤボンディングフィンガー412と直列接続し、かつトレース420に接続されている。本実施例では、積層チップの数により、基板400は第三チップとワイヤボンディング接続用としてさらに第三ワイヤボンディングフィンガー413を具し、この第三ワイヤボンディングフィンガー413はダイアタッチエリア403に隣接してループ配線430に直列接続されている。また、第一ワイヤボンディングフィンガー411、第二ワイヤボンディングフィンガー412、第三ワイヤボンディングフィンガー413、トレース420及びループ配線430は、基板400の内表面401に設置されている。   In the third embodiment, yet another type of multi-chip stacked mounting structure is disclosed. As shown in FIG. 10, the substrate 400 includes at least a first wire bonding finger 411, a second wire bonding finger 412, a trace 420, and a loop wiring 430. The first wire bonding finger 411 and the second wire bonding finger 412 are adjacent to the die attach area 403, and the trace 420 is used for electrical transfer. The loop wiring 430 is connected in series with the first wire bonding finger 411 and the second wire bonding finger 412, and is connected to the trace 420. In the present embodiment, depending on the number of laminated chips, the substrate 400 further includes a third wire bonding finger 413 for wire bonding connection with the third chip, and the third wire bonding finger 413 is adjacent to the die attach area 403. The loop wiring 430 is connected in series. The first wire bonding finger 411, the second wire bonding finger 412, the third wire bonding finger 413, the trace 420 and the loop wiring 430 are installed on the inner surface 401 of the substrate 400.

なお、図10に示すように、ループ配線430に第一ヒューズF1、第二ヒューズF2、第三ヒューズF3、第四ヒューズF4及び第五ヒューズF5を設置することができる。第一ヒューズF1は第一ワイヤボンディングフィンガー411とトレース420との間に直列接続され、第二ヒューズF2は第一ワイヤボンディングフィンガー411と第二ワイヤボンディングフィンガー412との間に直列接続され、第三ヒューズF3は第二ワイヤボンディングフィンガー412とトレース420との間に直列接続され、第四ヒューズF4は第二ワイヤボンディングフィンガー412と第三ワイヤボンディングフィンガー413との間に直列接続され、第五ヒューズF5は第三ワイヤボンディングフィンガー413とトレース420との間に直列接続されている。それにより、選択可能な断線を提供して、基板上の複数の積層チップ(三個かより多く)をボンディングワイヤを除去しなくても修復できるメリットを有するとともに、半導体実装過程中や製品完成後に修復作業を行ってもよいことは、全体の製造過程にとって柔軟性と便利性をより向上することができる。
以上、本発明をその好適な実施例に基づいて説明したが、本発明の保護範囲は後付の特許申請範囲で限定されて、この保護範囲に基準して本発明の精神と範囲内に触れるどんな変更や修正も本発明の保護範囲に属する。
As shown in FIG. 10, a first fuse F1, a second fuse F2, a third fuse F3, a fourth fuse F4, and a fifth fuse F5 can be installed in the loop wiring 430. The first fuse F1 is connected in series between the first wire bonding finger 411 and the trace 420, and the second fuse F2 is connected in series between the first wire bonding finger 411 and the second wire bonding finger 412. The fuse F3 is connected in series between the second wire bonding finger 412 and the trace 420, the fourth fuse F4 is connected in series between the second wire bonding finger 412 and the third wire bonding finger 413, and the fifth fuse F5. Are connected in series between the third wire bonding finger 413 and the trace 420. This provides selectable breaks and has the advantage that multiple stacked chips (three or more) on a substrate can be repaired without removing the bonding wires, as well as during the semiconductor mounting process and after product completion The ability to perform the repair operation can further improve flexibility and convenience for the entire manufacturing process.
Although the present invention has been described based on the preferred embodiments thereof, the scope of protection of the present invention is limited by the scope of patent application that is attached later, and touches the spirit and scope of the present invention based on this scope of protection. Any changes or modifications belong to the protection scope of the present invention.

周知のマルチチップ積層基板の断面図である。It is sectional drawing of a known multichip laminated substrate. ワイヤボンディング接続された後の周知の基板の斜視図である。It is a perspective view of the known board | substrate after being wire-bonded-connected. 本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the multichip lamination | stacking mounting structure by 1st Example of this invention. 本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造のワイヤボンディング接続された後の基板を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a substrate after wire bonding connection of a multichip stacked mounting structure according to a first embodiment of the present invention. FIG. 本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板と各種検査結果に従う複数のヒューズ開閉状態の比較表を示す図である。It is a figure which shows the comparison table of the several fuse open / close state according to the board | substrate of the multichip laminated mounting structure by 1st Example of this invention, and various test results. 本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the board | substrate of the multichip lamination | stacking mounting structure by 1st Example of this invention. 本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板の底面の断線形成方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the disconnection formation method of the bottom face of the board | substrate of the multichip lamination | stacking mounting structure by 1st Example of this invention. 本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板の底面の断線形成方法を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the disconnection formation method of the bottom face of the board | substrate of the multichip lamination | stacking mounting structure by 1st Example of this invention. 本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板の底面の断線形成方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the disconnection formation method of the bottom face of the board | substrate of the multichip lamination | stacking mounting structure by 1st Example of this invention. 本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板の底面の断線形成方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the disconnection formation method of the bottom face of the board | substrate of the multichip lamination | stacking mounting structure by 1st Example of this invention. 本発明の第二実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the board | substrate of the multichip lamination | stacking mounting structure by the 2nd Example of this invention. 本発明の第二実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板上の断線形成方法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the disconnection formation method on the board | substrate of the multichip lamination | stacking mounting structure by the 2nd Example of this invention. 本発明の第二実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板上の断線形成方法を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the disconnection formation method on the board | substrate of the multichip lamination | stacking mounting structure by 2nd Example of this invention. 本発明の第二実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板上の断線形成方法を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the disconnection formation method on the board | substrate of the multichip lamination | stacking mounting structure by 2nd Example of this invention. 本発明の第三実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板の内表面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the inner surface of the board | substrate of the multichip lamination | stacking mounting structure by the 3rd Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10:第一チップ、11:第一ボンディングパッド、12:介在物、20:第二チップ、21:第二ボンディングパッド、31:第一ボンディングワイヤ、32:第二ボンディングワイヤ、40:封止体、50:第一チップ、50’:第一チップ、51:第一ボンディングパッド、51’:第一ボンディングパッド、52:介在物、60:第二チップ、60’:第二チップ、61:第二ボンディングパッド、61’:第二ボンディングパッド、71:第一ボンディングワイヤ、71’:第一ボンディングワイヤ、72:第二ボンディングワイヤ、72’:第二ボンディングワイヤ、80:封止体、90:レーザ光線、90’:レーザ光線、100:基板、101:内表面、102:外表面、103:ダイアタッチエリア、110:ワイヤボンディングフィンガー、120:トレース、130:絶縁層、140:対外連結パッド、200:基板、201:内表面、202:外表面、203:ダイアタッチエリア、211:第一ワイヤボンディングフィンガー、212:第二ワイヤボンディングフィンガー、220:トレース、230:ループ配線、240:絶縁層、241:開口、250:対外連結パッド、260:半田マスク層、270:誘電性充填物、300:基板、301:内表面、302:外表面、311:第一ワイヤボンディングフィンガー、312:第二ワイヤボンディングフィンガー、320:トレース、330:ループ配線、340:絶縁層、341:開口、350:対外連結パッド、360:ヒューズ、401:内表面、403:ダイアタッチエリア、411:第一ワイヤボンディングフィンガー、412:第二ワイヤボンディングフィンガー、413:第三ワイヤボンディングフィンガー、420:トレース、430:ループ配線、F1:第一ヒューズ、F2:第二ヒューズ、F3:第三ヒューズ、F4:第四ヒューズ、F5:第五ヒューズ   10: first chip, 11: first bonding pad, 12: inclusion, 20: second chip, 21: second bonding pad, 31: first bonding wire, 32: second bonding wire, 40: sealing body 50: first chip, 50 ′: first chip, 51: first bonding pad, 51 ′: first bonding pad, 52: inclusion, 60: second chip, 60 ′: second chip, 61: first chip Two bonding pads, 61 ′: second bonding pad, 71: first bonding wire, 71 ′: first bonding wire, 72: second bonding wire, 72 ′: second bonding wire, 80: sealing body, 90: Laser beam, 90 ': Laser beam, 100: Substrate, 101: Inner surface, 102: Outer surface, 103: Die attach area, 110: Wire bond 120: Trace, 130: Insulating layer, 140: Outer connection pad, 200: Substrate, 201: Inner surface, 202: Outer surface, 203: Die attach area, 211: First wire bonding finger, 212: Second Wire bonding finger, 220: Trace, 230: Loop wiring, 240: Insulating layer, 241: Opening, 250: External connection pad, 260: Solder mask layer, 270: Dielectric filling, 300: Substrate, 301: Inner surface, 302: outer surface, 311: first wire bonding finger, 312: second wire bonding finger, 320: trace, 330: loop wiring, 340: insulating layer, 341: opening, 350: external connection pad, 360: fuse, 401 : Inner surface, 403: die attach area, 411: first Wire bonding finger, 412: Second wire bonding finger, 413: Third wire bonding finger, 420: Trace, 430: Loop wiring, F1: First fuse, F2: Second fuse, F3: Third fuse, F4: First Fourth fuse, F5: Fifth fuse

Claims (8)

(a)第一ワイヤボンディングフィンガーはダイアタッチエリアに隣接して設けられ、
(b)第二ワイヤボンディングフィンガーはダイアタッチエリアと第一ワイヤボンディングフィンガーに隣接して設けられ、
(c)トレースは電気転送用として利用され、
(d)ループ配線は第一ワイヤボンディングフィンガーと第二ワイヤボンディングフィンガーと直列接続し、トレースに接続されているマルチチップ積層基板。
(A) the first wire bonding finger is provided adjacent to the die attach area;
(B) the second wire bonding finger is provided adjacent to the die attach area and the first wire bonding finger;
(C) The trace is used for electrical transfer,
(D) The multi-layer laminated substrate in which the loop wiring is connected in series with the first wire bonding finger and the second wire bonding finger and connected to the trace.
ループ配線に第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズが設置され、
第一ヒューズは第一ワイヤボンディングフィンガーとトレースとの間に直列接続され、
第二ヒューズは第一ワイヤボンディングフィンガーと第二ワイヤボンディングフィンガーとの間に直列接続され、
第三ヒューズは第二ワイヤボンディングフィンガーとトレースとの間に直列接続されていることを特徴とする請求項1記載のマルチチップ積層基板。
The first fuse, the second fuse and the third fuse are installed in the loop wiring,
The first fuse is connected in series between the first wire bonding finger and the trace,
The second fuse is connected in series between the first wire bonding finger and the second wire bonding finger,
The multichip laminated substrate according to claim 1, wherein the third fuse is connected in series between the second wire bonding finger and the trace.
第一ワイヤボンディングフィンガー、第二ワイヤボンディングフィンガー、トレース及びループ配線は、基板の内表面に設置され、さらに対外連結パッドを含み、対外連結パッドは基板の外表面に設置されていることを特徴とする請求項1記載のマルチチップ積層基板。   The first wire bonding finger, the second wire bonding finger, the trace and the loop wiring are installed on the inner surface of the substrate, further include an outer connection pad, and the outer connection pad is installed on the outer surface of the substrate. The multichip laminated substrate according to claim 1. さらに第三ワイヤボンディングフィンガーを含み、
第三ワイヤボンディングフィンガーはループ配線に直列接続されていることを特徴とする請求項1記載のマルチチップ積層基板。
Including a third wire bonding finger,
The multi-chip laminated substrate according to claim 1, wherein the third wire bonding fingers are connected in series to the loop wiring.
(a)基板は、
(1)ダイアタッチエリアに隣接する第一ワイヤボンディングフィンガーと、
(2)前記ダイアタッチエリアと第一ワイヤボンディングフィンガーとに隣接する第二ワイヤボンディングフィンガーと、
(3)電気転送用として利用されるトレースと、
(4)第一ワイヤボンディングフィンガーと第二ワイヤボンディングフィンガーと直列接続し、トレースに接続されるループ配線と、を備え、
(b)基板のダイアタッチエリアに設置され、第一ワイヤボンディングフィンガーに電気的に接続される第一チップと、
(c)第一チップの上方に積み上げられ、第二ワイヤボンディングフィンガーに電気的に接続される第二チップと、
からなることを特徴とするマルチチップ積層実装構造。
(A) The substrate is
(1) a first wire bonding finger adjacent to the die attach area;
(2) a second wire bonding finger adjacent to the die attach area and the first wire bonding finger;
(3) a trace used for electrical transfer;
(4) A first wire bonding finger and a second wire bonding finger are connected in series, and connected to the trace, and a loop wiring is provided.
(B) a first chip installed in the die attach area of the substrate and electrically connected to the first wire bonding fingers;
(C) a second chip stacked above the first chip and electrically connected to the second wire bonding finger;
A multi-chip stacked mounting structure comprising:
ループ配線に第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズが設置され、
第一ヒューズは第一ワイヤボンディングフィンガーとトレースとの間に直列接続され、
第二ヒューズは第一ワイヤボンディングフィンガーと第二ワイヤボンディングフィンガーとの間に直列接続され、
第三ヒューズは第二ワイヤボンディングフィンガーとトレースとの間に直列接続されていることを特徴とする請求項5記載のマルチチップ積層実装構造。
The first fuse, the second fuse and the third fuse are installed in the loop wiring,
The first fuse is connected in series between the first wire bonding finger and the trace,
The second fuse is connected in series between the first wire bonding finger and the second wire bonding finger,
6. The multichip stacked mounting structure according to claim 5, wherein the third fuse is connected in series between the second wire bonding finger and the trace.
基板は、さらに複数の開口を有する絶縁層を有し、
開口は第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズに照準して第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズを露出させていることを特徴とする請求項6記載のマルチチップ積層実装構造。
The substrate further includes an insulating layer having a plurality of openings,
7. The multichip stacked mounting structure according to claim 6, wherein the opening is aimed at the first fuse, the second fuse, and the third fuse to expose the first fuse, the second fuse, and the third fuse.
開口に入れる誘電性充填物を具備していることを特徴とする請求項7記載のマルチチップ積層実装構造。   8. The multi-chip stacked mounting structure according to claim 7, further comprising a dielectric filler to be put in the opening.
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