JP2008257314A - Process management system - Google Patents

Process management system Download PDF

Info

Publication number
JP2008257314A
JP2008257314A JP2007095995A JP2007095995A JP2008257314A JP 2008257314 A JP2008257314 A JP 2008257314A JP 2007095995 A JP2007095995 A JP 2007095995A JP 2007095995 A JP2007095995 A JP 2007095995A JP 2008257314 A JP2008257314 A JP 2008257314A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
information
analysis
state information
management system
predetermined
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007095995A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nagahiro Inoue
永博 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP2007095995A priority Critical patent/JP2008257314A/en
Publication of JP2008257314A publication Critical patent/JP2008257314A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process management system that can quickly analyze information acquired by an apparatus. <P>SOLUTION: The process management system has a first acquisition means (control and monitoring part 20) for acquiring state information representing the state of each part of a vacuum process apparatus 1, a second acquisition means (control and monitoring part 20) for acquiring control information on the control of the vacuum process apparatus, an association means (timer 34) for associating the state information and control information acquired by the first and second acquisition means, a storage means (log storage device 2) for storing the state information and control information associated by the association means, an analysis means (analysis apparatus 4) for analyzing the state information by referring to the control information, and a presentation means (analysis apparatus 4) for presenting the information resulting from the analysis by the analysis means. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、プロセス管理システムに関する。   The present invention relates to a process management system.

近年、例えば、特許文献1に開示されるようなプロセス装置(例えば、CVD装置)を用いて加工対象を加工する際に、高いプロセス精度が求められるようになってきている。   In recent years, for example, when processing an object to be processed using a process apparatus (for example, a CVD apparatus) as disclosed in Patent Document 1, high process accuracy has been required.

特開2003−17437号公報(図1)JP 2003-17437 A (FIG. 1)

ところで、特許文献1に示すようなプロセス装置では、従来、装置の各部の状態を示すアナログ波形をサンプリングして記憶装置に記憶しておき、加工対象に何らかの不具合が見つかった場合には記憶装置に記憶された情報に基づいて原因の解析を行っていた。   By the way, in a process apparatus as shown in Patent Document 1, conventionally, an analog waveform indicating the state of each part of the apparatus is sampled and stored in a storage device. The cause was analyzed based on the stored information.

しかしながら、これらの作業は、手作業で行われていたことから、解析に時間を要するという問題点がある。また、前述したように、近年では、プロセス精度が高まっていることに関連して、プロセス上のわずかな差が、加工対象の性能を大きく左右するため、そのようなわずかな差をアナログ波形から手作業で検出するためには、多大な時間を要するという問題点がある。   However, since these operations are performed manually, there is a problem that analysis takes time. In addition, as described above, in recent years, a slight difference in the process greatly affects the performance of the processing object in connection with the increase in process accuracy. In order to detect manually, there exists a problem that much time is required.

本発明は、上記の事情に基づきなされたもので、その目的とするところは、装置によって得られる情報を迅速に解析することが可能なプロセス管理システムを提供することを目的とする。   The present invention has been made based on the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a process management system capable of quickly analyzing information obtained by an apparatus.

上述の目的を達成するため、本発明のプロセス管理システムは、装置の各部の状態を示す状態情報を取得する第1の取得手段と、装置の制御に関する制御情報を取得する第2の取得手段と、第1および第2の取得手段によって取得された状態情報と制御情報を対応付けする対応付手段と、対応付手段によって対応付けがされた状態情報および制御情報を格納する格納手段と、制御情報を参照して、状態情報に対して解析処理を施す解析手段と、解析手段の解析の結果として得られた情報を呈示する呈示手段と、を有する。このため、装置によって得られる情報を迅速に解析することが可能なプロセス管理システムを提供することができる。   In order to achieve the above object, the process management system of the present invention includes a first acquisition unit that acquires state information indicating the state of each unit of the apparatus, and a second acquisition unit that acquires control information related to control of the apparatus. The association means for associating the state information and the control information acquired by the first and second acquisition means, the storage means for storing the state information and the control information associated by the association means, and the control information Referring to FIG. 4, there is provided analysis means for performing analysis processing on the state information, and presentation means for presenting information obtained as a result of analysis by the analysis means. For this reason, the process management system which can analyze rapidly the information obtained by an apparatus can be provided.

また、他の発明のプロセス管理システムは、上述の発明に加えて、対応付手段は、状態情報と制御情報に対してそれぞれタイムスタンプを付与することにより対応付けを行うようにしている。これにより、タイムスタンプによってこれらの情報を確実かつ簡易に対応付けすることができる。また、タイムスタンプを用いることにより、加工年月日を容易に特定することができる。   In addition to the above-described invention, in the process management system of another invention, the associating means associates each of the status information and the control information by giving a time stamp. Thereby, these information can be reliably and simply matched by the time stamp. In addition, the processing date can be easily specified by using the time stamp.

また、他の発明のプロセス管理システムは、上述の発明に加えて、第1の取得手段は、所定の周期で状態情報を取得し、対応付手段は、状態情報に対して所定の周期に対応する時間単位のタイムスタンプを付与するとともに、制御情報に対しても所定の周期に対応する時間単位であって、しかも同期したタイムスタンプを付与するようにしている。これにより、状態情報と制御情報が同期してかつ同じ時間単位のタイムスタンプを有するので、双方の対応付けを簡易に行うことができる。   In addition to the above-described invention, in the process management system of another invention, the first acquisition unit acquires state information at a predetermined cycle, and the association unit corresponds to the state information at a predetermined cycle. In addition, a time stamp corresponding to a predetermined period is given to the control information, and a synchronized time stamp is also given to the control information. As a result, since the state information and the control information are synchronized and have the same time unit time stamp, both can be easily associated.

また、他の発明のプロセス管理システムは、上述の発明に加えて、第1の取得手段は、装置がプロセス処理を実行中である場合には第1の周期で状態情報を取得し、プロセス処理を実行中でない場合には第1の周期よりも周期が長い第2の周期で状態情報を取得する。これにより、プロセス処理が実行されていない場合には長い第2の周期によって状態情報を取得することにより、格納手段の記憶容量を削減することができる。   In addition to the above-described invention, the process management system according to another aspect of the invention may be configured such that the first acquisition unit acquires the state information in the first cycle when the apparatus is executing the process, If is not being executed, the state information is acquired in a second period that is longer than the first period. Thereby, when the process processing is not executed, the storage capacity of the storage unit can be reduced by acquiring the state information in the long second cycle.

また、他の発明のプロセス管理システムは、上述の発明に加えて、解析手段は、所定の制御情報を始点または終点として、所定の状態情報を抽出する処理を実行し、呈示手段は、解析手段によって抽出された所定の状態情報を呈示するようにしている。これにより、制御情報を参照して状態情報を特定することができるので、特定のプロセスに属する状態情報を簡易かつ迅速に抽出することができる。   In addition to the above-described invention, the process management system of another invention performs processing for extracting predetermined state information using predetermined control information as a start point or an end point, in addition to the above-described invention. The predetermined state information extracted by is presented. As a result, the state information can be specified with reference to the control information, so that the state information belonging to a specific process can be extracted easily and quickly.

また、他の発明のプロセス管理システムは、上述の発明に加えて、解析手段は、所定の制御情報を始点または終点として、所定の状態情報を抽出する処理を実行するとともに、抽出した所定の状態情報が所定の条件に該当する時間を算出する処理を実行し、呈示手段は、解析手段によって算出された時間を呈示するようにしている。これにより、条件に該当する時間の長短を調べることによりプロセスの状態が所望の条件を満たしているか否かを容易に判定することができる。   In addition to the above-described invention, the process management system according to another aspect of the invention executes a process of extracting predetermined state information using predetermined control information as a start point or an end point, and extracting the predetermined state. A process for calculating a time when the information meets a predetermined condition is executed, and the presenting means presents the time calculated by the analyzing means. Thereby, it is possible to easily determine whether or not the process state satisfies a desired condition by examining the length of time corresponding to the condition.

また、他の発明のプロセス管理システムは、上述の発明に加えて、解析手段は、所定の制御情報を始点または終点として、所定の状態情報を抽出する処理を実行するとともに、抽出した所定の状態情報の最大値、最小値、平均値、中央値の少なくとも1つ以上を算出する処理を実行し、呈示手段は、解析手段によって算出されたこれらの値を呈示する、ようにしている。これにより、最大値、最小値、平均値、中央値からプロセスの状態の妥当性を判断することができる。   In addition to the above-described invention, the process management system according to another aspect of the invention executes a process of extracting predetermined state information using predetermined control information as a start point or an end point, and extracting the predetermined state. A process of calculating at least one of the maximum value, minimum value, average value, and median value of information is executed, and the presenting means presents these values calculated by the analyzing means. Thereby, the validity of the process state can be determined from the maximum value, the minimum value, the average value, and the median value.

また、他の発明のプロセス管理システムは、上述の発明に加えて、格納手段は、装置がプロセス処理の対象とする加工対象を識別するための加工対象識別情報を制御情報および状態情報と併せて格納し、解析手段は、加工対象識別情報も参照して、解析処理を実行するようにしている。これにより、加工対象が複数存在する場合であっても、加工対象を限定して解析処理を迅速に実行することができる。   In addition to the above-described invention, the process management system according to another aspect of the invention may be configured such that the storage unit includes processing target identification information for identifying a processing target to be processed by the apparatus together with control information and status information. The storing and analyzing means refers to the processing object identification information and executes the analysis processing. As a result, even when there are a plurality of processing objects, the analysis process can be quickly executed with the processing objects limited.

また、他の発明のプロセス管理システムは、上述の発明に加えて、加工対象識別情報は、ロットを特定するための情報と、ロット内における処理順序を特定するための情報とを少なくとも含んでおり、解析手段は、ロットを特定するための情報およびロット内における処理順序を特定するための情報を参照して、解析処理を実行するようにしている。このため、ロット単位およびロット内の処理順序を参照して、解析処理を実行することができる。これにより、ロット毎のばらつき、および、ロット内の処理順序によるばらつきを知ることができる。   In addition to the above-described invention, in the process management system of another invention, the processing object identification information includes at least information for specifying a lot and information for specifying a processing order in the lot. The analysis means refers to the information for specifying the lot and the information for specifying the processing order in the lot, and executes the analysis process. Therefore, the analysis process can be executed with reference to the lot unit and the processing order in the lot. Thereby, the variation for each lot and the variation due to the processing order in the lot can be known.

また、他の発明のプロセス管理システムは、上述の発明に加えて、格納手段は、装置が複数存在する場合には、装置を特定するための装置特定情報を制御情報および状態情報と併せて格納し、解析手段は、装置識別情報も参照して、解析処理を実行するようにしている。このため、複数のプロセス装置が存在する場合であっても、プロセス装置を限定して解析処理を迅速に実行することができる。   In addition to the above-described invention, in the process management system of another invention, when there are a plurality of devices, the storage means stores device specifying information for specifying the device together with control information and status information. Then, the analysis means refers to the device identification information and executes analysis processing. For this reason, even when there are a plurality of process devices, the analysis processing can be quickly executed by limiting the process devices.

本発明によれば、装置によって得られる情報を迅速に解析することが可能なプロセス管理システムを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the process management system which can analyze rapidly the information obtained by an apparatus can be provided.

以下、本発明の一実施の形態について図に基づいて説明する。なお、以下では、(A)実施の形態の構成例、(B)実施の形態の動作の概要、(C)実施の形態の動作の詳細、(D)変形実施の態様の順に説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following, (A) a configuration example of the embodiment, (B) an outline of the operation of the embodiment, (C) details of the operation of the embodiment, and (D) a modified implementation mode will be described in this order.

(A)実施の形態の構成例 (A) Configuration example of the embodiment

図1は、本発明のプロセス管理システムの実施の形態の構成例を示す図である。この図に示すように、プロセス管理システムは、真空プロセス装置1、ログ格納装置2、ネットワーク3、および、解析装置4を主要な構成要素としている。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of an embodiment of a process management system of the present invention. As shown in this figure, the process management system includes a vacuum process device 1, a log storage device 2, a network 3, and an analysis device 4 as main components.

ここで、真空プロセス装置1は、例えば、PVD(Physical Vapor Deposition)装置、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置、エッチング装置、インプラー装置、フォトリソグラフィー装置等によって構成されている。この例では、後述するように、PVD装置を例に挙げている。   Here, the vacuum process apparatus 1 includes, for example, a PVD (Physical Vapor Deposition) apparatus, a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, an etching apparatus, an implanter apparatus, a photolithography apparatus, and the like. In this example, as will be described later, a PVD apparatus is taken as an example.

ログ格納装置2は、真空プロセス装置1において生成されたログデータをネットワーク3を介して取得して格納するとともに、解析装置4から要求がなされた場合には、格納しているログデータをネットワーク3を介して送信する。   The log storage device 2 acquires and stores the log data generated in the vacuum process device 1 via the network 3 and stores the stored log data in the network 3 when requested by the analysis device 4. To send through.

ネットワーク3は、例えば、LAN(Local Area Network)等によって構成され、真空プロセス装置1、ログ格納装置2、解析装置4を相互に電気的に接続し、これらの間で、例えば、パケットによる情報通信を可能とする。   The network 3 is configured by, for example, a LAN (Local Area Network) or the like, and electrically connects the vacuum process device 1, the log storage device 2, and the analysis device 4 to each other. Is possible.

解析装置4は、例えば、パーソナルコンピュータによって構成され、ログ格納装置2に格納されているログデータをネットワーク3を介して取得し、種々の解析処理を実行する。   The analysis device 4 is configured by a personal computer, for example, acquires log data stored in the log storage device 2 via the network 3, and executes various analysis processes.

図2は、図1に示す真空プロセス装置1の詳細な構成例を示す図である。この図の例では、真空プロセス装置1は、チャンバ10、ウエハステージ11、ウエハ12、ターゲット13、イオンリフレクタ14、マグネット15、制御監視部20、DC(Direct Current)電源部21、ガス供給部22、ガス流量制御部23、圧力検出部24、ヒータ制御部25、RF(Radio Frequency)電源部26、温度検出部27、静電チャック部28、ドライポンプ29、ターボポンプ30、ドライポンプ31、IR(Ion Reflector)電源部32、通信部33、および、タイマ34を主要な構成要素としている。   FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration example of the vacuum process apparatus 1 shown in FIG. In the example of this figure, the vacuum process apparatus 1 includes a chamber 10, a wafer stage 11, a wafer 12, a target 13, an ion reflector 14, a magnet 15, a control monitoring unit 20, a DC (Direct Current) power supply unit 21, and a gas supply unit 22. , Gas flow rate control unit 23, pressure detection unit 24, heater control unit 25, RF (Radio Frequency) power supply unit 26, temperature detection unit 27, electrostatic chuck unit 28, dry pump 29, turbo pump 30, dry pump 31, IR (Ion Reflector) The power supply unit 32, the communication unit 33, and the timer 34 are main components.

ここで、チャンバ10は、例えば、石英、ステンレス、アルミ、銅、アルミナ、チタン等の部材によって構成された中空状の容器で、大気を遮断し、それぞれのプロセスに応じた高真空/内部雰囲気を保持する。   Here, the chamber 10 is a hollow container made of, for example, quartz, stainless steel, aluminum, copper, alumina, titanium, or the like, shuts off the atmosphere, and creates a high vacuum / internal atmosphere corresponding to each process. Hold.

ウエハステージ11は、ウエハ12を載置するためのステージである。ウエハステージ11の上部(図の上方向)にはウエハ12を静電気力によって吸着するための静電チャック機構(不図示)が配設されている。また、その内部には、ヒータおよび温度検出用のセンサ(共に不図示)が配設されている。   The wafer stage 11 is a stage for placing the wafer 12 thereon. An electrostatic chuck mechanism (not shown) for adsorbing the wafer 12 by electrostatic force is disposed on the wafer stage 11 (upward in the figure). In addition, a heater and a temperature detection sensor (both not shown) are disposed inside.

加工対象としてのウエハ12は、例えば、シリコン基板等であり、本装置では、シリコン基板上に、銅による配線をPVDによって形成する。   The wafer 12 to be processed is, for example, a silicon substrate, and in this apparatus, copper wiring is formed on the silicon substrate by PVD.

ターゲット13は、例えば、銅板によって構成されている。ターゲット13に対してアルゴンのプラズマが衝突することにより構成粒子が反跳し、ウエハ12上に堆積される。   The target 13 is made of, for example, a copper plate. When the argon plasma collides with the target 13, the constituent particles recoil and are deposited on the wafer 12.

イオンリフレクタ14は、ターゲット13およびウエハステージ11を囲繞するように構成される円筒形状の部材であり、イオンに対して電気的な斥力を与えることによってこれを反射(加速)する機能を有する。   The ion reflector 14 is a cylindrical member configured to surround the target 13 and the wafer stage 11, and has a function of reflecting (accelerating) the ion by applying an electrical repulsive force to the ions.

マグネット15は、ターゲット13の上部に配置され、プラズマ中のアルゴンイオンにローレンツ力を印加することによりこれを加速し、ターゲット13から銅分子が放出される効率を高める機能を有する。   The magnet 15 is disposed above the target 13 and has a function of accelerating the application of Lorentz force to the argon ions in the plasma and increasing the efficiency with which copper molecules are released from the target 13.

第1の取得手段、第2の取得手段、および、対応付手段の一部としての制御監視部20は、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等を有するマイクロコンピュータによって構成され、ROMに格納されているプログラムに基づいて装置の各部を制御するとともに、ログデータを生成して、通信部33およびネットワーク3を介して、ログ格納装置2に送信する。   The control monitoring unit 20 as a part of the first acquisition unit, the second acquisition unit, and the association unit includes a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), and the like. The microcomputer is configured to control each unit of the apparatus based on a program stored in the ROM, generate log data, and transmit the log data to the log storage apparatus 2 via the communication unit 33 and the network 3.

DC電源部21は、ターゲット13がマイナス、グランドがプラスになるようにこれらの間に直流電圧を印加し、ターゲット13とウエハ12の間の空間に満たされているアルゴンガスをプラズマ化する。   The DC power supply unit 21 applies a DC voltage between them so that the target 13 is negative and the ground is positive, and turns argon gas filled in the space between the target 13 and the wafer 12 into plasma.

ガス供給部22は、チャンバ10内部にガス流量制御部23を経由してアルゴンガスを供給する。   The gas supply unit 22 supplies argon gas into the chamber 10 via the gas flow rate control unit 23.

ガス流量制御部23は、例えば、マスフローコントローラ等によって構成され、制御監視部20の制御に応じてガス供給部22から供給されるガスの流量を制御するとともに、その時点におけるガス流量を制御監視部20に通知する。   The gas flow rate control unit 23 is constituted by, for example, a mass flow controller or the like, and controls the flow rate of the gas supplied from the gas supply unit 22 according to the control of the control monitoring unit 20, and also controls the gas flow rate at that time. 20 is notified.

圧力検出部24は、例えば、イオンゲージ、ピラニーゲージ等によって構成され、チャンバ10内部の圧力を計測し、計測結果を制御監視部20に通知する。   The pressure detection unit 24 includes, for example, an ion gauge, a Pirani gauge, etc., measures the pressure inside the chamber 10, and notifies the control monitoring unit 20 of the measurement result.

ヒータ制御部25は、制御監視部20の制御に応じて、ウエハステージ11に内蔵されているヒータを制御し、ウエハ12の温度が所望の温度になるようにする。   The heater control unit 25 controls the heater built in the wafer stage 11 according to the control of the control monitoring unit 20 so that the temperature of the wafer 12 becomes a desired temperature.

RF電源部26は、グランドとウエハステージの間に高周波電力を印加し、ウエハ12に対してRFバイアスを印加することにより、ウエハ12をマイナスに帯電させ、プラスの電荷を有する銅イオンとの間に電気的な引力を生じせしめる。これにより、銅イオンが高速にウエハ12に衝突するため、銅イオンがウエハ12に形成された凹部の深部にまで到達する。   The RF power supply unit 26 applies high-frequency power between the ground and the wafer stage, and applies an RF bias to the wafer 12 to charge the wafer 12 negatively and between the copper ions having a positive charge. Cause electrical attraction. Thereby, since copper ions collide with the wafer 12 at high speed, the copper ions reach the deep part of the recess formed in the wafer 12.

温度検出部27は、ウエハステージ11の温度を検出し、検出結果を制御監視部20に通知する。   The temperature detection unit 27 detects the temperature of the wafer stage 11 and notifies the control monitoring unit 20 of the detection result.

静電チャック部28は、制御監視部20の制御に応じて、ウエハステージ11に設けられたチャック機構を制御して、ウエハ12を吸着して固定させる。   The electrostatic chuck unit 28 controls the chuck mechanism provided on the wafer stage 11 according to the control of the control monitoring unit 20 to attract and fix the wafer 12.

ドライポンプ29は、制御監視部20の制御に応じて、チャンバ10内部に存在する空気を外部に排出し、チャンバ10の内部を真空状態にする。   The dry pump 29 discharges the air existing inside the chamber 10 to the outside according to the control of the control monitoring unit 20, and puts the inside of the chamber 10 into a vacuum state.

ターボポンプ30は、ドライポンプ29よりも高い真空度を達成するためのポンプであり、チャンバ10内部のガスを外部に排出する。   The turbo pump 30 is a pump for achieving a higher degree of vacuum than the dry pump 29 and discharges the gas inside the chamber 10 to the outside.

ドライポンプ31は、ターボポンプ30の排気側に接続され、ターボポンプ30から排出されるガスを外部に排出することにより、ターボポンプ30の効率を高める。   The dry pump 31 is connected to the exhaust side of the turbo pump 30 and increases the efficiency of the turbo pump 30 by discharging the gas discharged from the turbo pump 30 to the outside.

IR電源部32は、制御監視部20の制御に応じて、イオンリフレクタ14がプラス、グランドがマイナスになるように直流電圧を印加し、イオンリフレクタ14によって銅イオンを反射(加速)させる。   The IR power supply unit 32 applies a DC voltage so that the ion reflector 14 becomes positive and the ground becomes negative in accordance with the control of the control monitoring unit 20, and the ion reflector 14 reflects (accelerates) copper ions.

通信部33は、ネットワーク3を介してログ格納装置2と制御監視部20との間で通信を行う場合に、例えば、通信プロトコルに関する制御を行う。   When the communication unit 33 performs communication between the log storage device 2 and the control monitoring unit 20 via the network 3, for example, the communication unit 33 performs control related to a communication protocol.

対応付手段の一部としてのタイマ34は、例えば、日時情報(年、月、時刻、)等の情報を生成し、制御監視部20に供給する。制御監視部20は、タイマ34が生成した日時情報をタイムスタンプとして利用する。   For example, the timer 34 as a part of the association means generates information such as date information (year, month, time) and supplies the information to the control monitoring unit 20. The control monitoring unit 20 uses the date / time information generated by the timer 34 as a time stamp.

図3は、図1に示すログ格納装置2の詳細な構成例を示す図である。この図に示すように、ログ格納装置2は、CPU2a、ROM2b、RAM2c、HDD(Hard Disk Drive)2d、I/F(Interface)2f、および、バス2gを主要な構成要素としている。   FIG. 3 is a diagram illustrating a detailed configuration example of the log storage device 2 illustrated in FIG. 1. As shown in this figure, the log storage device 2 includes a CPU 2a, a ROM 2b, a RAM 2c, an HDD (Hard Disk Drive) 2d, an I / F (Interface) 2f, and a bus 2g as main components.

ここで、CPU2aは、HDD2dに格納されているプログラム2d1およびROM2bに格納されているプログラム(不図示)に基づいて装置の各部を制御するとともに、各種演算処理を実行する。また、CPU2aは、HDD2dに格納されているプログラム2d1に基づいて、真空プロセス装置1からログデータを取得して格納するとともに、解析装置4からの要求に応じてログデータを読み出して供給する。   Here, the CPU 2a controls each part of the apparatus based on a program 2d1 stored in the HDD 2d and a program (not shown) stored in the ROM 2b, and executes various arithmetic processes. Further, the CPU 2a acquires and stores log data from the vacuum process apparatus 1 based on the program 2d1 stored in the HDD 2d, and reads and supplies the log data in response to a request from the analysis apparatus 4.

ROM2bは、CPU2aが実行する基本的なプログラムおよびデータを格納している半導体記憶装置である。RAM2cは、CPU2aが実行するプログラムおよびデータを一時的に格納する半導体記憶装置である。   The ROM 2b is a semiconductor storage device that stores basic programs and data executed by the CPU 2a. The RAM 2c is a semiconductor storage device that temporarily stores programs and data executed by the CPU 2a.

格納手段としてのHDD2dは、磁気記憶媒体であるハードディスクに情報を記憶したり、記憶されている情報を読み出したりする記憶装置である。なお、この例では、HDD2dには、プログラム2d1およびログデータ2d2が格納されている。ここで、プログラム2d1は、ログ格納装置2を制御するためのオペレーティングシステム等のプログラムおよびログデータを取得して格納するためのアプリケーションプログラム等を有している。ログデータ2d2は、プログラム2d1が実行されることによって起動されたアプリケーションプログラムによって真空プロセス装置1から取得されたログデータが格納されている。   The HDD 2d as a storage unit is a storage device that stores information in a hard disk, which is a magnetic storage medium, and reads out stored information. In this example, the HDD 2d stores a program 2d1 and log data 2d2. Here, the program 2d1 includes a program such as an operating system for controlling the log storage device 2, an application program for acquiring and storing log data, and the like. The log data 2d2 stores log data acquired from the vacuum process apparatus 1 by an application program started by executing the program 2d1.

I/F(Interface)2fは、ネットワーク3を介して真空プロセス装置1との間で情報を授受する際に、プロトコルに関する処理を実行する。バス2gは、CPU2a、ROM2b、RAM2c、HDD2d、および、I/F2fを相互に電気的に接続して、これらの間で情報の授受を可能にする信号線群である。   The I / F (Interface) 2 f executes processing related to a protocol when exchanging information with the vacuum process apparatus 1 via the network 3. The bus 2g is a signal line group that electrically connects the CPU 2a, the ROM 2b, the RAM 2c, the HDD 2d, and the I / F 2f, and enables information exchange between them.

図4は、図1に示す解析装置4の詳細な構成例を示す図である。この図に示すように、解析装置4は、CPU4a、ROM4b、RAM4c、HDD4d、画像処理部4e、I/F4f、バス4g、表示装置4h、および、入力装置4iによって主に構成されている。   FIG. 4 is a diagram showing a detailed configuration example of the analysis apparatus 4 shown in FIG. As shown in this figure, the analysis device 4 is mainly configured by a CPU 4a, a ROM 4b, a RAM 4c, an HDD 4d, an image processing unit 4e, an I / F 4f, a bus 4g, a display device 4h, and an input device 4i.

ここで、解析手段としてのCPU4aは、HDD4dに格納されているプログラム4d1およびROM4bに格納されているプログラムに基づいて、装置の各部を制御するとともに、各種の演算処理を実行する。また、CPU4aは、プログラム4d1に基づいて、ログ格納装置2に格納されているログデータを取得し、解析処理を実行する。   Here, the CPU 4a as the analysis unit controls each part of the apparatus and executes various arithmetic processes based on the program 4d1 stored in the HDD 4d and the program stored in the ROM 4b. Further, the CPU 4a acquires log data stored in the log storage device 2 based on the program 4d1, and executes analysis processing.

ROM4bは、CPU4aが実行する基本的なプログラムおよびデータを格納する半導体記憶装置である。RAM4cは、CPU4aが処理対象とするプログラムおよびデータを一時的に格納する半導体記憶装置である。   The ROM 4b is a semiconductor storage device that stores basic programs and data executed by the CPU 4a. The RAM 4c is a semiconductor storage device that temporarily stores programs and data to be processed by the CPU 4a.

HDD4dは、磁気記憶媒体であるハードディスクに情報を書き込んだり、書き込まれている情報を読み出したりする記憶装置である。この例では、プログラム4d1が格納されている。プログラム4d1は、例えば、解析装置4を制御するためのオペレーティングシステム等のプログラムおよびログデータを取得して解析するためのアプリケーションプログラム等を有している。   The HDD 4d is a storage device that writes information to a hard disk, which is a magnetic storage medium, and reads the written information. In this example, a program 4d1 is stored. The program 4d1 includes, for example, a program such as an operating system for controlling the analysis device 4 and an application program for acquiring and analyzing log data.

画像処理部4eは、CPU4aから供給された描画命令に従って描画処理を実行し、得られた画像を映像信号に変換して表示装置4hに供給する。I/F4fは、入力装置4iおよびネットワーク3との間で情報を授受する際に、データの表現形式等を変換する。バス4gは、CPU4a、ROM4b、RAM4c、HDD4d、画像処理部4e、および、I/F4fを相互に電気的に接続し、これらの間で情報の授受を可能にする信号線群である。   The image processing unit 4e executes a drawing process according to a drawing command supplied from the CPU 4a, converts the obtained image into a video signal, and supplies the video signal to the display device 4h. The I / F 4f converts the data representation format and the like when exchanging information between the input device 4i and the network 3. The bus 4g is a signal line group that electrically connects the CPU 4a, the ROM 4b, the RAM 4c, the HDD 4d, the image processing unit 4e, and the I / F 4f, and enables information exchange between them.

呈示手段としての表示装置4hは、例えば、LCD(Liquid Crystal Display)またはCRT(Cathode Ray Tube)ディスプレイ等によって構成され、画像処理部4eから供給された映像信号に対応する映像を表示部(不図示)に表示する。   The display device 4h as the presenting means is configured by, for example, an LCD (Liquid Crystal Display) or a CRT (Cathode Ray Tube) display, and displays a video corresponding to the video signal supplied from the image processing unit 4e (not shown). ).

入力装置4iは、例えば、キーボードまたはマウス等によって構成され、真空プロセス管理システムの管理者の操作に応じた情報を生成し、I/F4fを介してCPU4aに供給する。   The input device 4i is composed of, for example, a keyboard or a mouse, and generates information according to the operation of the administrator of the vacuum process management system and supplies it to the CPU 4a via the I / F 4f.

(B)実施の形態の動作の概要 (B) Overview of operation of the embodiment

本実施の形態の真空プロセス管理システムでは、真空プロセス装置1において、ウエハ12に対するプロセス処理が開始されると、制御監視部20は、予め設定されている制御プログラムに基づいて装置の各部(DC電源部21、ガス流量制御部23等)を制御し、プロセス処理を実行する。その際、制御監視部20は、制御に関する制御情報としてのデータ(イベントデータ)を生成し、処理対象となっているウエハ12を特定するためのID(以下、「ウエハID)と称する)を付加するとともに、タイマ34から供給されるタイムスタンプを貼付する。また、制御監視部20は、装置の各部の状態を示す状態情報としてのデータ(トレースデータ)を所定の周期(例えば、10分の1秒間隔)で取得し、タイマ34から供給されるタイムスタンプを貼付する。そして、得られたこれらの情報をログデータとして、ログ格納装置2に送信する。   In the vacuum process management system of the present embodiment, when process processing on the wafer 12 is started in the vacuum process apparatus 1, the control monitoring unit 20 controls each part (DC power supply) of the apparatus based on a preset control program. Control unit 21, gas flow rate control unit 23, etc.) to execute process processing. At that time, the control monitoring unit 20 generates data (event data) as control information related to control, and adds an ID (hereinafter referred to as “wafer ID”) for specifying the wafer 12 to be processed. At the same time, the time stamp supplied from the timer 34 is pasted, and the control monitoring unit 20 sets data (trace data) indicating the state of each part of the apparatus as a predetermined period (for example, 1/10). (Second interval), and a time stamp supplied from the timer 34 is pasted, and the obtained information is transmitted to the log storage device 2 as log data.

ログ格納装置2は、真空プロセス装置1から供給されたログデータを、ログデータ2d2としてHDD2dに格納する。   The log storage device 2 stores the log data supplied from the vacuum process device 1 in the HDD 2d as log data 2d2.

そして、例えば、製造したウエハ12に不具合が生じた場合には、真空プロセス管理システムの管理者(以下、単に「管理者」と称する)は、解析装置4の入力装置4iを操作し、ログ格納装置2に格納されているログデータ2d2を取得し、解析処理を施し、様々な観点から分析することにより、不具合の原因を特定する。   For example, when a defect occurs in the manufactured wafer 12, the administrator of the vacuum process management system (hereinafter simply referred to as “manager”) operates the input device 4 i of the analyzer 4 to store the log. The log data 2d2 stored in the device 2 is acquired, subjected to analysis processing, and analyzed from various viewpoints to identify the cause of the malfunction.

すなわち、管理者は、まず、解析装置4の入力装置4iを操作し、ログデータ2d2を、RAM4c上にダウンロードする。そして、ダウンロードされたログデータ2d2に含まれている、トレースデータと、イベントデータとを、タイムスタンプを参照して対応付けする処理を実行させる。ここで、イベントデータは、例えば、ガス供給部22からのガスの供給開始を示すデータと、加工対象であるウエハ12のウエハIDと、ガスの供給が開始された日時を示すタイムスタンプとを含んでいる。また、トレースデータは、それぞれの時点におけるガスの流量を示すデータと、その時点のタイムスタンプとを含むデータである。解析装置4は、同じ日時のタイムスタンプが貼付されているイベントデータと、トレースデータとを対応付けすることにより、2つのデータを時間軸上において関連付けする。   That is, the administrator first operates the input device 4i of the analysis device 4 to download the log data 2d2 onto the RAM 4c. Then, a process of associating the trace data and the event data included in the downloaded log data 2d2 with reference to the time stamp is executed. Here, the event data includes, for example, data indicating the start of gas supply from the gas supply unit 22, the wafer ID of the wafer 12 to be processed, and a time stamp indicating the date and time when the gas supply is started. It is out. The trace data is data including data indicating the gas flow rate at each time point and a time stamp at that time point. The analysis device 4 associates the two pieces of data on the time axis by associating the event data with the time stamp of the same date and time with the trace data.

つぎに、管理者は、解析装置4の入力装置4iを操作して、解析対象と、解析範囲と、解析内容とを指定し、解析処理を実行させる。具体的には、解析対象としては、解析の対象となるウエハのウエハID(例えば、1ヶ月前に製造されたウエハのウエハID)およびトレースデータの種類(例えば、圧力を示すトレースデータ)を指定する。また、解析範囲としては、イベントデータに含まれている所定のイベント(例えば、ガスの供給開始)から、他の所定のイベント(例えば、プロセス終了)までの範囲を始点および終点として指定する。また、解析内容としては、対象となるトレースデータに対する解析処理の内容(例えば、グラフを表示する、あるいは、トレースデータの最大値、最小値、平均値、中央値を求める等)を指定する。   Next, the administrator operates the input device 4i of the analysis device 4, designates the analysis target, the analysis range, and the analysis content, and causes the analysis processing to be executed. Specifically, the analysis target designates the wafer ID of the wafer to be analyzed (for example, the wafer ID of a wafer manufactured one month ago) and the type of trace data (for example, trace data indicating pressure). To do. As the analysis range, a range from a predetermined event (for example, gas supply start) included in the event data to another predetermined event (for example, process end) is designated as a start point and an end point. As the analysis contents, the contents of the analysis processing for the target trace data (for example, displaying a graph or obtaining the maximum value, minimum value, average value, and median value of the trace data) are designated.

その結果、解析装置4は、指定された解析対象から、解析範囲によって指定された範囲の情報を抽出し、解析内容によって指定された内容の解析処理を実行する。具体的には、前述した例では、1ヶ月前に製造されたウエハのトレースデータから、ガスの供給開始からプロセス終了までの範囲の圧力を示すトレースデータが抽出され、抽出された範囲の圧力を示すトレースデータがグラフとして表示装置4hに表示されるとともに、最大値、最小値、平均値、および、中央値が算出されて同様に表示装置4hに表示される。   As a result, the analysis device 4 extracts information in the range specified by the analysis range from the specified analysis target, and executes analysis processing of the content specified by the analysis content. Specifically, in the above-described example, the trace data indicating the pressure in the range from the start of gas supply to the end of the process is extracted from the trace data of the wafer manufactured one month ago. The displayed trace data is displayed as a graph on the display device 4h, and the maximum value, minimum value, average value, and median value are calculated and similarly displayed on the display device 4h.

管理者は、このようにして表示された情報を参照することで、不具合の原因を特定することができる。また、特定された不具合に基づいて、制御監視部20に格納されている制御プログラムを変更することにより、不具合が再度発生しないようにすることができる。   The administrator can identify the cause of the malfunction by referring to the information displayed in this way. Moreover, it is possible to prevent the problem from occurring again by changing the control program stored in the control monitoring unit 20 based on the identified problem.

(C)実施の形態の動作の詳細 (C) Details of operation of embodiment

つぎに、本発明の実施の形態の詳細な動作について説明する。以下では、(C−1)真空プロセス装置1におけるイベントデータの生成処理、(C−2)真空プロセス装置1におけるトレースデータの生成処理、(C−3)解析装置4における解析処理の順で説明を行う。   Next, the detailed operation of the embodiment of the present invention will be described. Hereinafter, (C-1) event data generation processing in the vacuum process apparatus 1, (C-2) trace data generation processing in the vacuum process apparatus 1, and (C-3) analysis processing in the analysis apparatus 4 will be described in this order. I do.

(C−1)真空プロセス装置1におけるイベントデータの生成処理 (C-1) Event data generation processing in the vacuum process apparatus 1

図5は、図2に示す真空プロセス装置1においてイベントデータを生成する処理の詳細を説明するフローチャートの一例である。なお、図5に示すフローチャートを説明する前に、図6を参照して、真空プロセス装置1において発生するイベントについて説明する。   FIG. 5 is an example of a flowchart for explaining details of processing for generating event data in the vacuum process apparatus 1 shown in FIG. Before explaining the flowchart shown in FIG. 5, an event occurring in the vacuum process apparatus 1 will be described with reference to FIG.

真空プロセス装置1では、アルゴンガスによって生成されるプラズマによってターゲット13としての銅をスパッタリングし、ウエハ12上に堆積させる。真空プロセス装置1では、複数枚のウエハ12を保持するウエハカセット(不図示)が真空プロセス装置1にセットされ、プロセスの開始が指示されると、ウエハカセットからウエハ12が1枚ずつ抜き出されて、チャンバ10内のウエハステージ11上に載置される。つぎに、チャンバ10内部が所定の真空度になるまでドライポンプ29が駆動される。そして、所定の真空度に到達すると、ターボポンプ30とドライポンプ31がつづいて駆動される。この結果、チャンバ10内部が所定の真空度に到達すると、図6に示すプロセスが開始される(ST1:プロセス開始のイベントが発生する)。   In the vacuum process apparatus 1, copper as a target 13 is sputtered by plasma generated by argon gas and deposited on the wafer 12. In the vacuum process apparatus 1, a wafer cassette (not shown) that holds a plurality of wafers 12 is set in the vacuum process apparatus 1, and when the start of the process is instructed, the wafers 12 are extracted from the wafer cassette one by one. Then, it is placed on the wafer stage 11 in the chamber 10. Next, the dry pump 29 is driven until the inside of the chamber 10 reaches a predetermined degree of vacuum. When a predetermined degree of vacuum is reached, the turbo pump 30 and the dry pump 31 are driven continuously. As a result, when the inside of the chamber 10 reaches a predetermined degree of vacuum, the process shown in FIG. 6 is started (ST1: a process start event occurs).

つぎに、制御監視部20は、IR電源部32を制御し、IR電源の供給を開始するとともに、静電チャック部28を制御して静電チャック機構を機能させる(ST2)。この結果、イオンリフレクタ14がプラスに、グランドがマイナスとなるように直流電圧が印加される。また、静電チャック部28が機能することにより、ウエハ12はウエハステージ11に吸着されて固定された状態となる。   Next, the control monitoring unit 20 controls the IR power source unit 32 to start supplying IR power, and controls the electrostatic chuck unit 28 to function the electrostatic chuck mechanism (ST2). As a result, a DC voltage is applied so that the ion reflector 14 is positive and the ground is negative. Further, when the electrostatic chuck portion 28 functions, the wafer 12 is attracted and fixed to the wafer stage 11.

つぎに、制御監視部20は、ガス流量制御部23を制御することにより、ガスフローを開始する(ST3)。この結果、ガス供給部22から供給されたアルゴンガスは、ガス流量制御部23によって流量を調整された後、チャンバ10内部に導入される。   Next, the control monitoring unit 20 starts the gas flow by controlling the gas flow rate control unit 23 (ST3). As a result, the argon gas supplied from the gas supply unit 22 is introduced into the chamber 10 after the flow rate is adjusted by the gas flow rate control unit 23.

つづいて、制御監視部20は、DC電源部21を制御し、ターゲット13がマイナスに、グランドがプラスになるように直流電圧(スパッタリングパワー)を印加する(ST4:スパッタリングパワーオン)。この結果、ターゲット13とウエハステージ11の間でグロー放電が開始され、その結果として、アルゴンガスがプラズマ状態となる。プラズマ状態となったアルゴンガスの原子核(アルゴンイオン)は、プラスの電荷を帯びているので、マイナスの電圧が印加されているターゲットとの間で引力が働くため、これに吸い寄せられて加速され、ターゲット13に衝突する。この結果、ターゲット13を構成する銅から銅の分子が反跳される。反跳された銅の分子は、ウエハ12の表面に堆積する。   Subsequently, the control monitoring unit 20 controls the DC power supply unit 21 and applies a DC voltage (sputtering power) so that the target 13 is negative and the ground is positive (ST4: sputtering power on). As a result, glow discharge is started between the target 13 and the wafer stage 11, and as a result, the argon gas enters a plasma state. Since the atomic nucleus of argon gas (argon ions) in a plasma state has a positive charge, an attractive force works with the target to which a negative voltage is applied, so it is attracted and accelerated, Collides with the target 13. As a result, copper molecules are recoiled from the copper constituting the target 13. The recoiled copper molecules are deposited on the surface of the wafer 12.

つづいて、制御監視部20は、ガス流量制御部23を制御し、アルゴンガスの流量を減少させる(ST5)。つぎに、制御監視部20は、RF電源部26を制御し、ウエハステージ11とグランドの間に高周波電力(RFパワー)を印加する(ST6:RFパワーオン)。プラズマ内においては、電子は、イオンよりも移動度が大きいため、銅の分子から電子が分離され、イオン化される(銅イオンとなる)。そして、分離された電子は、ウエハ12上に集まるため、ウエハ12はマイナスに帯電する。これにより、プラスの電荷を有する銅イオンと、マイナスに帯電したウエハ12との間には電気的な引力が作用し、銅イオンは加速されて、ウエハ12に衝突する。このため、ウエハ12に形成された凹部の深部にまで銅イオンが到達する。また、高速に衝突することにより、凹部の開口部にバリ状の銅が形成されることが防止できる。さらに、銅イオンには、図2の横方向へ向かう速度よりも、下方向(ウエハ12の方向)に向かう速度の方が大きくなるので、高アスペクト比を有する凹部の内部に対しても均一な銅膜を形成することができる。   Subsequently, the control monitoring unit 20 controls the gas flow rate control unit 23 to decrease the flow rate of argon gas (ST5). Next, the control monitoring unit 20 controls the RF power supply unit 26 to apply high frequency power (RF power) between the wafer stage 11 and the ground (ST6: RF power on). In the plasma, since electrons have a higher mobility than ions, the electrons are separated from the copper molecules and ionized (to become copper ions). Since the separated electrons are collected on the wafer 12, the wafer 12 is negatively charged. As a result, an electrical attractive force acts between the positively charged copper ions and the negatively charged wafer 12, and the copper ions are accelerated and collide with the wafer 12. For this reason, copper ions reach the deep part of the recess formed in the wafer 12. Moreover, it is possible to prevent burr-like copper from being formed in the opening of the recess by colliding at high speed. Furthermore, since the speed toward the lower direction (the direction of the wafer 12) is larger than the speed toward the lateral direction in FIG. 2, the copper ions are uniform with respect to the inside of the recess having a high aspect ratio. A copper film can be formed.

なお、イオン化された銅は、プラスの電荷を有するため、プラスの電圧が印加されたイオンリフレクタ14との間に斥力が働くため、銅イオンはイオンリフレクタ14によって反射(加速)され、プラズマの内部に引き戻される。これにより、銅膜の形成の効率を高めることができる。   Since ionized copper has a positive charge, a repulsive force acts between the ion reflector 14 to which a positive voltage is applied, so that the copper ions are reflected (accelerated) by the ion reflector 14 and the inside of the plasma Pulled back to. Thereby, the efficiency of forming the copper film can be increased.

そして、スパッタリングが開始されてから所定の時間が経過し、ウエハ12上に堆積した銅の膜厚が所定の厚さに到達すると、制御監視部20は、DC電源部21を制御して、スパッタリングパワーをオフの状態にするとともに、RF電源部26を制御してRFパワーをオフの状態にする(ST7)。これによりスパッタリングが終了する。   Then, when a predetermined time elapses after the sputtering is started and the film thickness of the copper deposited on the wafer 12 reaches a predetermined thickness, the control monitoring unit 20 controls the DC power source unit 21 to perform the sputtering. The power is turned off, and the RF power supply unit 26 is controlled to turn off the RF power (ST7). Thereby, sputtering is completed.

つづいて、制御監視部20は、静電チャック部28を制御して静電チャックをオフの状態にする(ST8)。つぎに、制御監視部20は、ガス流量制御部23を制御して、ガス供給部22からのアルゴンガスの供給を停止する(ST9)。そして、制御監視部20は、プロセスを終了する(ST10)。   Subsequently, the control monitoring unit 20 controls the electrostatic chuck unit 28 to turn off the electrostatic chuck (ST8). Next, the control monitoring unit 20 controls the gas flow rate control unit 23 to stop the supply of argon gas from the gas supply unit 22 (ST9). Then, the control monitoring unit 20 ends the process (ST10).

以上により、1枚のウエハ12に対するプロセス処理が完了する。その後は、チャンバ10内からプロセス処理が完了したウエハ12が取り出され、つぎのウエハ12がウエハカセットから抜き出され、チャンバ10内のウエハステージ11上に載置され、前述の場合と同様の処理が繰り返される。そして、ウエハカセットに配置されている全てのウエハ12に対する処理が完了すると、1ロット分の処理が完了する。   Thus, the process processing for one wafer 12 is completed. Thereafter, the wafer 12 that has been processed is removed from the chamber 10, the next wafer 12 is extracted from the wafer cassette and placed on the wafer stage 11 in the chamber 10, and the same processing as described above is performed. Is repeated. When processing for all the wafers 12 arranged in the wafer cassette is completed, processing for one lot is completed.

つぎに、図5を参照して、真空プロセス装置1において、以上のプロセスが実行される際に、イベントデータを取得する処理について説明する。図5に示すフローチャートの処理が開始されると、以下のステップが実行される。   Next, a process for acquiring event data when the above process is performed in the vacuum process apparatus 1 will be described with reference to FIG. When the processing of the flowchart shown in FIG. 5 is started, the following steps are executed.

ステップS10:制御監視部20は、イベントが発生したか否かを判定し、イベントが発生した場合にはステップS11に進み、それ以外の場合には同様の処理を繰り返す。すなわち、制御監視部20は、図示せぬ制御プログラムに応じて制御を行う上で、図6に示すいずれかのイベントが発生した場合にはステップS11に進み、それ以外の場合にはステップS10の処理を繰り返す。   Step S10: The control monitoring unit 20 determines whether or not an event has occurred. If an event has occurred, the process proceeds to step S11. Otherwise, the same processing is repeated. That is, the control monitoring unit 20 proceeds to step S11 when any of the events shown in FIG. 6 occurs when performing control according to a control program (not shown), and otherwise, the control monitoring unit 20 proceeds to step S10. Repeat the process.

ステップS11:制御監視部20は、イベントデータを生成する。図7は、イベントデータの一例を示している。この例では、各行が1レコード分のイベントデータを示している。1レコード分のイベントデータは、タイムスタンプ(詳細は後述する)、実モジュールID、処理ID、ウエハID、および、メッセージを有している。ここで、タイムスタンプは後述するステップS12の処理において貼付される情報である。真空プロセス装置識別情報としての実モジュールIDは、チャンバ10を特定するためのIDである。図1の実施の形態では、真空プロセス装置1は、チャンバ10を1つしか有していないが、真空プロセス装置1が複数のチャンバを有している場合や、システムが複数の真空プロセス装置を有している場合には、複数のチャンバのそれぞれに対して付与されるIDである。この例では、真空プロセス装置1は1台であるので、モジュールIDは全て「F1」となっている。   Step S11: The control monitoring unit 20 generates event data. FIG. 7 shows an example of event data. In this example, each row shows event data for one record. The event data for one record has a time stamp (details will be described later), an actual module ID, a processing ID, a wafer ID, and a message. Here, the time stamp is information pasted in the process of step S12 described later. The actual module ID as the vacuum process apparatus identification information is an ID for specifying the chamber 10. In the embodiment of FIG. 1, the vacuum process apparatus 1 has only one chamber 10, but when the vacuum process apparatus 1 has a plurality of chambers, the system includes a plurality of vacuum process apparatuses. If it is, it is an ID assigned to each of the plurality of chambers. In this example, since there is one vacuum process apparatus 1, all the module IDs are “F1”.

処理IDは、処理の種類を特定するためのIDである。この例では、「SP−S」、「IR−ON」、「SC−ON」、「GF−S」、および、「DC−ON」が列挙されている。ここで、SP−Sは、図6のST1の「スパッタリングプロセス開始」を示している。IR−ONは、図6のST2の「IR電源供給開始」を示している。SC−ONは、図6のST2の「静電チャックオン」を示している。GF−Sは、図6のST3の「ガスフロー開始」を示している。また、DC−ONは、図6のST4の「スパッタリングパワーオン」を示している。   The process ID is an ID for specifying the type of process. In this example, “SP-S”, “IR-ON”, “SC-ON”, “GF-S”, and “DC-ON” are listed. Here, SP-S indicates “sputtering process start” in ST1 of FIG. IR-ON indicates “IR power supply start” in ST2 of FIG. SC-ON indicates “electrostatic chuck on” in ST2 of FIG. GF-S indicates “gas flow start” in ST3 of FIG. DC-ON indicates “sputtering power on” in ST4 of FIG.

加工対象識別情報としてのウエハIDは、ウエハ12を特定するためのIDである。ここで、ハイフンの左側の数字は、ウエハカセット(ロット)を特定するための値である。また、ハイフンの右側の数字は、ウエハカセット内の処理順序(ウエハカセットのスロット)を示す値である。この例では、イベントデータは全て同一のウエハ12に関するものであるので、ウエハIDとして「1−2」が格納されている。   The wafer ID as the processing target identification information is an ID for specifying the wafer 12. Here, the number on the left side of the hyphen is a value for specifying the wafer cassette (lot). The number on the right side of the hyphen is a value indicating the processing order (wafer cassette slot) in the wafer cassette. In this example, since all the event data relates to the same wafer 12, “1-2” is stored as the wafer ID.

メッセージは、解析処理において利用される付随的な情報であり、この例では、STEP1,STEP2等の情報が付与されている。   The message is incidental information used in the analysis process. In this example, information such as STEP 1 and STEP 2 is given.

なお、ステップS11の処理では、図7に示す1レコード分の情報のうち、イベントに応じた「処理ID」が生成されるとともに、チャンバおよびウエハに対応する「実モジュールID」および「ウエハID」が付加され、さらに、処理IDに対応した「メッセージ」が付加されてイベントデータが生成される。   In the process of step S11, among the information for one record shown in FIG. 7, “process ID” corresponding to the event is generated, and “actual module ID” and “wafer ID” corresponding to the chamber and the wafer are generated. Is further added, and a “message” corresponding to the process ID is added to generate event data.

ステップS12:制御監視部20は、タイマ34からイベントが発生した時点における日時情報を取得し、ステップS11において生成したイベントデータに対して貼付する。このとき、タイマ34が発生する日時情報の最小単位は、10分の1秒である。このため、100分の1秒以下の時間については、自動的に切り捨てまたは四捨五入がされる。具体的には、タイマ34が発生する日時情報が「2007/01/15 13:11:16.51」であった場合には、「13:11:16.51」の末尾の「1」が、例えば、四捨五入されて「13:11:16.5」がタイムスタンプとなる。これにより、後述するように、トレースデータとの時間の単位が一致することになる。   Step S12: The control monitoring unit 20 acquires date and time information at the time when the event occurs from the timer 34, and pastes it on the event data generated in step S11. At this time, the minimum unit of date and time information generated by the timer 34 is 1/10 second. For this reason, times less than 1/100 second are automatically rounded down or rounded off. Specifically, when the date and time information generated by the timer 34 is “2007/01/15 13: 11: 16.51”, “1” at the end of “13: 11: 16.51” is set. For example, the time stamp is rounded to “13: 11: 16.5”. Thereby, as will be described later, the unit of time coincides with the trace data.

以上の処理により、図7に示すように、年、月、日、および、時刻から構成されるタイムスタンプがイベントデータに対して付加されることになる。具体的には、図7の1行目のイベントデータでは、「2007/01/15 13:11:16.5」がタイムスタンプとして付加されている。   Through the above processing, as shown in FIG. 7, a time stamp composed of year, month, day, and time is added to the event data. Specifically, in the event data in the first row in FIG. 7, “2007/01/15 13: 11: 16.5” is added as a time stamp.

ステップS13:制御監視部20は、通信部33およびネットワーク3を介して、ステップS12において生成したイベントデータを、ログ格納装置2に対して送信する。ログ格納装置2では、ネットワーク3を介して送信されてきたイベントデータを、I/F2fによって受信し、HDD2dにログデータ2d2として格納する。これにより、HDD2dには、図7に示すような形態により、イベントデータが格納される。なお、ステップS13におけるイベントデータの送信単位としては、例えば、1レコード分のデータが完成した時点で送信してもよいし、所定数のレコード分のデータが集まった場合に送信してもよいし、あるいは、図6に示すプロセス終了からつぎのプロセス開始までの間(空き時間)において、まとめて送信するようにしてもよい。   Step S13: The control monitoring unit 20 transmits the event data generated in step S12 to the log storage device 2 via the communication unit 33 and the network 3. In the log storage device 2, the event data transmitted via the network 3 is received by the I / F 2f and stored as log data 2d2 in the HDD 2d. Thus, event data is stored in the HDD 2d in the form as shown in FIG. The event data transmission unit in step S13 may be transmitted, for example, when data for one record is completed, or may be transmitted when data for a predetermined number of records is collected. Alternatively, it may be transmitted collectively from the end of the process shown in FIG. 6 to the start of the next process (free time).

ステップS14:制御監視部20は、処理を終了するか否かを判定し、終了しないと判定した場合にはステップS10に戻って同様の処理を繰り返し、それ以外の場合には処理を終了する。例えば、管理者から終了の指示がなされた場合には処理を終了し、それ以外の場合にはステップS10に戻って同様の処理を繰り返す。   Step S14: The control monitoring unit 20 determines whether or not to end the process. If it is determined that the process is not ended, the process returns to step S10 to repeat the same process, and otherwise the process ends. For example, if the administrator gives an instruction to end the process, the process ends. Otherwise, the process returns to step S10 and the same process is repeated.

以上の処理により、イベントログが生成されて、ログ格納装置2のHDD2dに格納されることになる。   Through the above processing, an event log is generated and stored in the HDD 2d of the log storage device 2.

(C−2)真空プロセス装置1におけるトレースデータの生成処理 (C-2) Trace data generation processing in the vacuum process apparatus 1

つぎに、図8を参照して、真空プロセス装置1におけるトレースデータの生成処理について説明する。図8のフローチャートの処理が開始されると、以下のステップが実行される。   Next, with reference to FIG. 8, a generation process of trace data in the vacuum process apparatus 1 will be described. When the processing of the flowchart of FIG. 8 is started, the following steps are executed.

ステップS20:制御監視部20は、タイマ34によって生成される日時情報を参照し、所定の時間が経過したか否かを判定する。例えば、制御監視部20は、タイマ34によって生成される日時情報を参照して、前回の処理が終了してから10分の1秒が経過したか否かを判定し、経過したと判定した場合にはステップS21に進み、それ以外の場合には同様の処理を繰り返す。より具体的には、前回の処理においてタイマ34が発生する日時情報が「2007/01/15 13:11:16.4」であった場合に、日時情報が「2007/01/15 13:11:16.5」に変化した場合には、所定の時間が経過したと判定して、ステップS21に進む。なお、この処理は、タイマ34からの周期的な(10分の1秒単位の)割り込み処理によって実行するようにしてもよい。   Step S20: The control monitoring unit 20 refers to the date and time information generated by the timer 34, and determines whether or not a predetermined time has elapsed. For example, the control monitoring unit 20 refers to the date and time information generated by the timer 34, determines whether or not 1/10 second has elapsed since the end of the previous process, and determines that it has elapsed In step S21, the same processing is repeated in other cases. More specifically, when the date and time information generated by the timer 34 in the previous process is “2007/01/15 13: 11: 16.4”, the date and time information is “2007/01/15 13:11”. : 16.5 ", it is determined that a predetermined time has elapsed, and the process proceeds to step S21. Note that this processing may be executed by periodic interrupt processing (in units of 1/10 second) from the timer 34.

ステップS21:制御監視部20は、真空プロセス装置1の各部の状態を示す情報としてのトレースデータを取得する。図9は、トレースデータの一例を示している。この例では、各行が1レコード分のトレースデータを示している。1レコード分のトレースデータは「真空度」、「IR電圧」、「ガス流量」、「DC電圧」、「RF電力」、および、「ウエハ温度」その他によって構成されている。   Step S21: The control monitoring unit 20 acquires trace data as information indicating the state of each unit of the vacuum process apparatus 1. FIG. 9 shows an example of the trace data. In this example, each line shows trace data for one record. The trace data for one record is composed of “vacuum degree”, “IR voltage”, “gas flow rate”, “DC voltage”, “RF power”, “wafer temperature” and others.

ここで、「真空度」は、図2に示す圧力検出部24によって測定された情報である。「IR電圧」は、IR電源部32によってイオンリフレクタ14とグランドとの間に印加されている直流電圧の電圧値を示す情報である。「ガス流量」は、ガス流量制御部23によってガス供給部22からチャンバ10内部に供給されるガスの単位時間あたりの流量を示す情報である。「DC電圧」は、DC電源部21によってターゲット13とグランドとの間に印加されている直流電圧の電圧値を示す情報である。「RF電力」は、RF電源部26によってウエハステージ11とグランドとの間に印加されている交流電力の電力値を示す情報である。また、「ウエハ温度」は、温度検出部27によって検出されたウエハ12の温度を示す情報である。なお、図9は一例であって、これ以外の情報であってもよい。   Here, “degree of vacuum” is information measured by the pressure detector 24 shown in FIG. The “IR voltage” is information indicating the voltage value of the DC voltage applied between the ion reflector 14 and the ground by the IR power supply unit 32. The “gas flow rate” is information indicating the flow rate per unit time of the gas supplied from the gas supply unit 22 into the chamber 10 by the gas flow rate control unit 23. “DC voltage” is information indicating a voltage value of a DC voltage applied between the target 13 and the ground by the DC power supply unit 21. “RF power” is information indicating the power value of the AC power applied between the wafer stage 11 and the ground by the RF power supply unit 26. The “wafer temperature” is information indicating the temperature of the wafer 12 detected by the temperature detection unit 27. Note that FIG. 9 is an example, and other information may be used.

なお、これらの情報は、略同時にサンプリングされて取得されるので、後述するタイムスタンプが示す日時のその瞬間における、真空プロセス装置1の各部の状態を示す情報となる。   Since these pieces of information are sampled and acquired substantially at the same time, they are information indicating the state of each part of the vacuum process apparatus 1 at the moment of the date and time indicated by the time stamp described later.

ステップS22:制御監視部20は、タイマ34からその時点における日時情報を取得し、ステップS21において取得したトレースデータに対して貼付する。このとき、タイマ34が発生する日時情報の最小単位は、10分の1秒であるので、例えば、タイムスタンプとしては「2007/01/15 13:11:16.5」が貼付されることになる。これにより、前述したイベントデータとの時間の単位および周期が一致することになる。   Step S22: The control monitoring unit 20 acquires date and time information at that time from the timer 34, and pastes it on the trace data acquired in step S21. At this time, since the minimum unit of the date and time information generated by the timer 34 is 1/10 second, for example, “2007/01/15 13: 11: 16.5” is pasted as the time stamp. Become. As a result, the time unit and the period coincide with the event data described above.

以上の処理により、図9に示すように、年、月、日、および、時刻から構成されるタイムスタンプがトレースデータに対して付加されることになる。具体的には、図9の1行目のイベントデータでは、「2007/01/15 13:11:16.5」がタイムスタンプとして付加され、これは、図7の1行目のタイムスタンプと一致している。   Through the above processing, as shown in FIG. 9, a time stamp composed of year, month, day, and time is added to the trace data. Specifically, in the event data on the first line in FIG. 9, “2007/01/15 13: 11: 16.5” is added as a time stamp, which is the same as the time stamp on the first line in FIG. Match.

ステップS23:制御監視部20は、通信部33およびネットワーク3を介して、ステップS22においてタイムスタンプが貼付されたトレースデータを、ログ格納装置2に対して送信する。ログ格納装置2では、ネットワーク3を介して送信されてきたトレースデータを、I/F2fによって受信し、HDD2dにログデータ2d2として格納する。これにより、HDD2dには、図9に示すような形態により、トレースデータが格納される。なお、ステップS23におけるトレースデータの送信単位としては、例えば、1レコード分のデータが完成した時点で送信してもよいし、所定数のレコード分のデータが集まった場合に送信してもよいし、あるいは、図6に示すプロセス終了からつぎのプロセス開始までの間(空き時間)において、まとめて送信するようにしてもよい。   Step S23: The control monitoring unit 20 transmits the trace data with the time stamp attached in Step S22 to the log storage device 2 via the communication unit 33 and the network 3. In the log storage device 2, the trace data transmitted via the network 3 is received by the I / F 2f and stored as log data 2d2 in the HDD 2d. Thereby, the trace data is stored in the HDD 2d in the form as shown in FIG. In addition, as a transmission unit of the trace data in step S23, for example, it may be transmitted when data for one record is completed, or may be transmitted when a predetermined number of records are collected. Alternatively, it may be transmitted collectively from the end of the process shown in FIG. 6 to the start of the next process (free time).

ステップS24:制御監視部20は、処理を終了するか否かを判定し、終了しないと判定した場合にはステップS20に戻って同様の処理を繰り返し、それ以外の場合には処理を終了する。例えば、管理者から終了の指示がなされた場合には処理を終了し、それ以外の場合にはステップS20に戻って同様の処理を繰り返す。   Step S24: The control monitoring unit 20 determines whether or not to end the process. If it is determined not to end the process, the process returns to step S20 to repeat the same process, and otherwise the process ends. For example, if the administrator gives an instruction to end the process, the process ends. Otherwise, the process returns to step S20 to repeat the same process.

以上の処理により、トレースデータが生成されて、ログ格納装置2のHDD2dに格納されることになる。   Through the above processing, trace data is generated and stored in the HDD 2d of the log storage device 2.

なお、以上のようにして生成されたイベントデータとトレースデータは、例えば、2ヶ月程度ログ格納装置2に保持し、2ヶ月が経過したこれらのデータについては順次HDD2dから削除するようにしてもよい。その際、タイムスタンプを参照することにより、削除対象となるデータを容易に判別することができる。また、保持する期間は、ウエハ12に対する不具合が判明する期間に応じて設定すればよい。例えば、1ヶ月程度で不具合が判明する場合には例えば2ヶ月程度保持し、3ヶ月程度で不具合が判明する場合には4ヶ月程度保持する。これ以外の期間であってもよいことは言うまでもない。   Note that the event data and the trace data generated as described above may be held in the log storage device 2 for about two months, for example, and these data after two months may be sequentially deleted from the HDD 2d. . At that time, the data to be deleted can be easily identified by referring to the time stamp. In addition, the holding period may be set according to a period during which a defect with respect to the wafer 12 is found. For example, when a defect is found in about one month, for example, it is held for about two months, and when a defect is found in about three months, it is held for about four months. Needless to say, the period may be other than this.

(C−3)解析装置4における解析処理 (C-3) Analysis processing in analysis device 4

つぎに、図10を参照して、図4に示す解析装置4において実行される解析処理について説明する。このフローチャートの処理は、管理者が、解析装置4の入力装置4iを操作してプログラム4d1に含まれている解析用のアプリケーションプログラムを起動した際に実行される。このフローチャートの処理が開始されると、以下のステップが実行される。   Next, with reference to FIG. 10, an analysis process executed in the analysis device 4 shown in FIG. 4 will be described. The processing of this flowchart is executed when the administrator operates the input device 4i of the analysis device 4 to activate the analysis application program included in the program 4d1. When the processing of this flowchart is started, the following steps are executed.

ステップS40:解析装置4のCPU4aは、ログ格納装置2からイベントデータを取得する。すなわち、CPU4aは、I/F4fおよびネットワーク3を介してログ格納装置2に対してイベントデータを送信するように要求を行う。ログ格納装置2のCPU2aは、I/F2fを介してこの要求を受信し、HDD2dに格納されているログデータ2d2からイベントデータを取得して、I/F2fにより送信する。この結果、解析装置4のCPU4aは、I/F4aを介してイベントデータを受信する。   Step S40: The CPU 4a of the analysis device 4 acquires event data from the log storage device 2. That is, the CPU 4 a requests the log storage device 2 to transmit event data via the I / F 4 f and the network 3. The CPU 2a of the log storage device 2 receives this request via the I / F 2f, acquires event data from the log data 2d2 stored in the HDD 2d, and transmits it by the I / F 2f. As a result, the CPU 4a of the analysis device 4 receives event data via the I / F 4a.

ステップS41:CPU4aは、ステップS40において受信したイベントデータを、RAM4cの所定の領域に格納する。   Step S41: The CPU 4a stores the event data received in step S40 in a predetermined area of the RAM 4c.

ステップS42:CPU4aは、ログ格納装置2からトレースデータを取得する。すなわち、CPU4aは、I/F4fおよびネットワーク3を介してログ格納装置2に対してトレースデータを送信するように要求を行う。ログ格納装置2のCPU2aは、I/F2fを介してこの要求を受信し、HDD2dに格納されているログデータ2d2からトレースデータを取得して、I/F2fにより送信する。この結果、解析装置4のCPU4aは、I/F4aを介してトレースデータを受信する。   Step S42: The CPU 4a acquires trace data from the log storage device 2. That is, the CPU 4 a requests the log storage device 2 to transmit trace data via the I / F 4 f and the network 3. The CPU 2a of the log storage device 2 receives this request via the I / F 2f, acquires trace data from the log data 2d2 stored in the HDD 2d, and transmits it by the I / F 2f. As a result, the CPU 4a of the analysis device 4 receives the trace data via the I / F 4a.

ステップS43:CPU4aは、ステップS42において受信したトレースデータを、RAM4cの所定の領域に格納する。   Step S43: The CPU 4a stores the trace data received in step S42 in a predetermined area of the RAM 4c.

ステップS44:CPU4aは、RAM4cに格納されているイベントデータと、トレースデータを、それぞれに1レコード単位で貼付されているタイムスタンプを参照して、対応付けする処理を実行する。すなわち、同一の日時情報を有するタイムスタンプが貼付されているイベントデータと、トレースデータとを対応付けする処理を実行する。なお、トレースデータは、10分の1秒単位で周期的にサンプリングされるが、イベントデータはイベントが発生した時点において生成されるので、非周期的なデータである。したがって、これらを対応付けした場合には、図11に示すような状態となる。この図の例は、図7に示す処理IDと、図9に示すトレースデータとを対応付けして示している。行と行の間の点は、その間のトレースデータを省略していることを示している。   Step S44: The CPU 4a executes a process of associating the event data stored in the RAM 4c and the trace data with reference to time stamps attached to each record unit. That is, a process of associating the event data with the time stamp having the same date and time information with the trace data is executed. Note that the trace data is periodically sampled in units of 1/10 second, but the event data is aperiodic data because it is generated when the event occurs. Therefore, when these are associated with each other, the state shown in FIG. 11 is obtained. In the example of this figure, the process ID shown in FIG. 7 and the trace data shown in FIG. 9 are associated with each other. The dots between the lines indicate that the trace data between them is omitted.

このようにして、トレースデータと、イベントデータとを、タイムスタンプを参照して対応付けすることにより、トレースデータが標識化される。標識化されたトレースデータを用いることにより、後述するように、データの解析処理を容易かつ迅速に行うことができる。   In this way, the trace data is labeled by associating the trace data with the event data with reference to the time stamp. By using the labeled trace data, data analysis processing can be performed easily and quickly as described later.

ステップS45:CPU4aは、解析対象の入力を受け付ける。すなわち、CPU4aは、管理者によって入力装置4iが操作されることによって生成された情報を受け付ける。なお、解析対象としては、例えば、解析しようとするチャンバを特定するための情報である実モジュールIDや、解析しようとするウエハを特定するためのウエハIDが入力される。さらに、解析しようとするトレースデータの種類が入力される。   Step S45: The CPU 4a accepts an input to be analyzed. That is, the CPU 4a receives information generated by operating the input device 4i by the administrator. As an analysis target, for example, an actual module ID that is information for specifying a chamber to be analyzed or a wafer ID for specifying a wafer to be analyzed is input. Further, the type of trace data to be analyzed is input.

なお、実モジュールIDおよびウエハIDとして複数のIDを入力するようにしたり、所定の範囲のIDを入力するようにしたりしてもよい。具体的には、実モジュールIDを例に挙げると、例えば、F1,F2,F5のようにして複数のモジュールを指定したり、F1〜F4のようにモジュールの範囲を指定したりするようにしてもよい。また、ウエハIDを例に挙げると、例えば、1−1〜1−25のようにスロットの範囲を指定したり、1−1〜10−1のようにロットの範囲を指定したり、あるいは1−1〜10−25のようにロットとスロットの双方の範囲を指定したりしてもよい。これ以外にも、例えば、ワイルドカードを使用して、特定の範囲を指定するようにしてもよい。具体的には、1−?のようにすることにより、ロット「1」に属する任意のスロットを指定するようにしてもよい。   A plurality of IDs may be input as the actual module ID and wafer ID, or IDs in a predetermined range may be input. Specifically, taking an actual module ID as an example, for example, a plurality of modules may be designated as F1, F2, and F5, or a range of modules may be designated as F1 to F4. Also good. Taking the wafer ID as an example, for example, a slot range such as 1-1 to 1-25 is designated, a lot range is designated such as 1-1 to 10-1, or 1 The range of both the lot and the slot may be designated like -1 to 10-25. In addition to this, for example, a specific range may be specified using a wild card. Specifically, 1-? By doing so, an arbitrary slot belonging to the lot “1” may be designated.

また、トレースデータとしては、例えば、真空度、IR電圧、DC電圧のように個々の項目を指定したり、複数の項目を一括して指定したりするようにしてもよい。   As the trace data, for example, individual items such as a degree of vacuum, an IR voltage, and a DC voltage may be designated, or a plurality of items may be designated collectively.

ステップS46:CPU4aは、解析範囲の入力を受け付ける。すなわち、CPU4aは、管理者によって入力装置4iが操作されることによって生成された情報を受け付ける。なお、解析範囲としては、例えば、プロセスが開始(図6のST1)されてから終了(図6のST10)するまでの期間のデータのようにイベントデータに基づいて始点および終点を直接指定したり、ガスフローが開始してから1秒が経過した後から、ガス流量が変更(図6のST5)になるまで(あるいはガス流量が変更になってから2秒が経過するまで)の期間のデータのようにイベントデータを間接的に利用して始点および終点を指定したりすることができる。あるいは、スパッタリングパワーがオン(図6のST4)の状態になってから、DC電圧が所定の電圧になるまでの期間のデータのように、イベントデータとトレースデータとの双方を用いて始点と終点を指定する方法もある。   Step S46: The CPU 4a receives an input of the analysis range. That is, the CPU 4a receives information generated by operating the input device 4i by the administrator. As the analysis range, for example, the start point and the end point are directly specified based on the event data, such as data for a period from the start of the process (ST1 in FIG. 6) to the end (ST10 in FIG. 6). Data for a period of time after 1 second has elapsed from the start of gas flow until the gas flow rate is changed (ST5 in FIG. 6) (or until 2 seconds have elapsed since the gas flow rate was changed). As described above, the event data can be indirectly used to specify the start point and end point. Alternatively, the start point and the end point using both event data and trace data, such as data for a period from when the sputtering power is turned on (ST4 in FIG. 6) until the DC voltage reaches a predetermined voltage. There is also a way to specify.

ステップS47:CPU4aは、解析内容の入力を受け付ける。すなわち、CPU4aは、管理者によって入力装置4iが操作されることによって生成された情報を受け付ける。なお、解析内容としては、例えば、ステップS45で入力された解析対象およびステップS46で入力された解析範囲に対して、トレースデータのサンプリングを行うことであったり、トレースデータの最大値、最小値、平均値、中央値を求めたりすることであったり、あるいは、トレースデータの比較(例えば、相関関数の計算)を行うことであったりする。   Step S47: The CPU 4a accepts input of analysis contents. That is, the CPU 4a receives information generated by operating the input device 4i by the administrator. The analysis contents include, for example, sampling of trace data for the analysis target input in step S45 and the analysis range input in step S46, or the maximum value, minimum value of trace data, The average value or the median value may be obtained, or the trace data may be compared (for example, a correlation function is calculated).

また、以上の内容以外にも、例えば、トレースデータが、所定の値以上(または所定の値以下)になる時間や、所定の範囲内に入っている時間や、所定の時間が経過した時点におけるトレースデータの値を求めることを入力するようにしてもよい。   In addition to the above contents, for example, the time when the trace data is greater than or equal to a predetermined value (or less than a predetermined value), the time within a predetermined range, or the time when the predetermined time has elapsed It may be input that the value of the trace data is obtained.

また、以上の情報に加えて、得られた解析結果をどのように出力するかに関する情報を併せて入力するようにしてもよい。例えば、得られた結果を、所定の形式のファイルとして出力したり、グラフとして出力(画面表示または印刷)したりする際に、その形式を指定するようにすることができる。   Further, in addition to the above information, information regarding how to output the obtained analysis result may be input together. For example, when the obtained result is output as a file in a predetermined format or output as a graph (screen display or printing), the format can be specified.

ステップS48:CPU4aは、ステップS45〜S47において入力された情報に基づいて、ステップS44で対応付けがされたイベントデータおよびトレースデータに対して解析処理を施す。   Step S48: The CPU 4a performs an analysis process on the event data and the trace data associated in step S44 based on the information input in steps S45 to S47.

具体的には、例えば、実モジュールIDが「F1」であるチャンバにおいてプロセス処理が実行されたウエハIDが「1−2」であるウエハ12のガスフロー開始(図6のST3)から、プロセス終了(図6のST10)までの期間における、真空度に関するトレースデータをグラフ表示することが指定された場合を想定する。この場合、CPU4aは、まず、イベントデータから実モジュールIDが「F1」であり、ウエハIDが「1−2」であるレコードを検索する。その結果、図7に示すデータが該当することから、図7に示すデータが取得される。   Specifically, for example, the process ends from the gas flow start (ST3 in FIG. 6) of the wafer 12 whose wafer ID is “1-2” that has been processed in the chamber whose actual module ID is “F1”. A case is assumed in which it is designated to display the trace data relating to the degree of vacuum in a graph up to (ST10 in FIG. 6). In this case, the CPU 4a first searches the event data for a record in which the actual module ID is “F1” and the wafer ID is “1-2”. As a result, since the data shown in FIG. 7 is applicable, the data shown in FIG. 7 is acquired.

つぎに、CPU4aは、ガスフロー開始に対応する処理IDである「GF−S」と、プロセス終了に該当する処理IDである「SP−E」とを取得されたデータから検索する。図7では、4行目のレコード(GF−S)と、図中の末尾に表示されているレコード(SP−E)が該当するので、これらが取得される。つづいて、CPU4aは、処理ID「GF−S」と、処理ID「SP−E」のそれぞれのイベントデータに貼付されているタイムスタンプを取得する。この例では、「2007/01/15 13:11:19.7」と、「2007/01/15 13:11:26.3」が取得される。   Next, the CPU 4a searches the acquired data for “GF-S” that is a process ID corresponding to the start of gas flow and “SP-E” that is a process ID corresponding to the end of the process. In FIG. 7, since the record (GF-S) on the fourth line and the record (SP-E) displayed at the end in the figure correspond, these are acquired. Subsequently, the CPU 4a acquires a time stamp attached to each event data of the process ID “GF-S” and the process ID “SP-E”. In this example, “2007/01/15 13: 11: 19.7” and “2007/01/15 13: 11: 26.3” are acquired.

つづいて、CPU4aは、取得した2つのタイムスタンプが示す期間に含まれている真空度のトレースデータを取得する。すなわち、CPU4aは、図9に示すトレースデータから上述した2つのタイムスタンプを始点および終点とした場合に、これらの範囲に含まれている真空度に関するトレースデータを取得する。以上の処理により、指定されたチャンバの指定されたウエハの指定された範囲に属する真空度に関するトレースデータが取得される。   Subsequently, the CPU 4a acquires the trace data of the degree of vacuum included in the period indicated by the two acquired time stamps. That is, when the two time stamps described above are used as the start point and the end point from the trace data shown in FIG. 9, the CPU 4a acquires the trace data related to the degree of vacuum included in these ranges. Through the above processing, trace data relating to the degree of vacuum belonging to the specified range of the specified wafer in the specified chamber is acquired.

なお、いまの例では、1枚のウエハ12に関するトレースデータを取得するようにしたが、対象が複数存在する場合には、上述のような処理をウエハ毎に繰り返し実行するようにすればよい。また、複数のトレースデータが対象となっている場合は、タイムスタンプによって指定される期間に属する該当するトレースデータ群を取得するようにすればよい。   In the present example, the trace data related to one wafer 12 is acquired. However, when there are a plurality of objects, the above-described process may be repeatedly executed for each wafer. When a plurality of trace data are targeted, a corresponding trace data group belonging to the period specified by the time stamp may be acquired.

また、トレースデータの所定のポイントから、一定の時間が経過した場合を基準として範囲が設定された場合には、該当するトレースデータのタイムスタンプに対して、前述した一定の時間を加算して得られた時刻を基準として前述の場合と同様の処理を実行すればよい。具体的には、「GF−S」から1秒経過後が範囲の始点として設定された場合には、「2007/01/15 13:11:20.7」を始点とすればよい。   In addition, when a range is set based on the case where a certain amount of time has elapsed from a predetermined point in the trace data, the above-mentioned certain time is added to the time stamp of the corresponding trace data. The same process as described above may be executed with the given time as a reference. Specifically, when 1 second has elapsed after “GF-S” is set as the start point of the range, “2007/01/15 13: 11: 20.7” may be set as the start point.

また、イベントデータと、トレースデータの双方を使用して範囲を決定する場合には、前述の処理によって特定されたトレースデータが、所定の条件を満たした場合を始点または終点として、範囲を決定するようにすればよい。   When determining the range using both event data and trace data, the range is determined with the trace data specified by the above-described processing satisfying a predetermined condition as a start point or an end point. What should I do?

また、取得したトレースデータの最大値、最小値、平均値、中央値を求める場合には、取得したトレースデータの中で最大となる値、最小となる値、平均値となる値、中央値となる値を求めるようにすればよい。さらに、トレースデータの比較(例えば、相関関数の計算)を行う場合には、トレースデータ同士で相関関数を演算するようにすればよい。   In addition, when obtaining the maximum value, minimum value, average value, and median value of the acquired trace data, the maximum value, minimum value, average value, and median value of the acquired trace data What is necessary is just to obtain | require the value which becomes. Further, when comparing the trace data (for example, calculating the correlation function), the correlation function may be calculated between the trace data.

ステップS49:CPU4aは、ステップS48における解析処理によって得られた情報を、画像処理部4eに供給し、描画処理を実行させる。その結果、描画処理によって得られた画像は、映像信号に変換され、表示装置4hに供給されて、図示せぬ表示部に表示される。   Step S49: The CPU 4a supplies the information obtained by the analysis process in step S48 to the image processing unit 4e, and executes a drawing process. As a result, the image obtained by the drawing process is converted into a video signal, supplied to the display device 4h, and displayed on a display unit (not shown).

図12および図13は、以上の処理によって、表示装置4hの表示部に表示される情報の一例を示している。図12(A)は、前述した、実モジュールIDが「F1」であるチャンバにおいてプロセス処理が実行されたウエハIDが「1−2」であるウエハ12のガスフロー開始(図6のST3)から、プロセス終了(図6のST10)までの期間における、真空度に関するグラフである。このグラフの横軸は時間を示し、縦軸は真空度を示す。また、横軸のST3〜ST10は、図6に示すST3〜ST10に対応している。このようなグラフを参照することにより、所定のウエハ12の指定された期間における真空度を知ることができる。   12 and 13 show an example of information displayed on the display unit of the display device 4h by the above processing. FIG. 12A shows the gas flow start (ST3 in FIG. 6) of the wafer 12 whose wafer ID is “1-2” that has been processed in the chamber whose actual module ID is “F1”. FIG. 7 is a graph relating to the degree of vacuum in the period until the end of the process (ST10 in FIG. 6). The horizontal axis of this graph represents time, and the vertical axis represents the degree of vacuum. Also, ST3 to ST10 on the horizontal axis correspond to ST3 to ST10 shown in FIG. By referring to such a graph, it is possible to know the degree of vacuum of a predetermined wafer 12 in a specified period.

図12(B)は、例えば、実モジュールIDが「F1」であるチャンバにおいてプロセス処理が実行されたウエハIDが「1−2」であるウエハ12のプロセス開始(図6のST1)から、プロセス終了(図6のST10)までの期間における、直流電圧に関するグラフである。このグラフの横軸は時間を示し、縦軸は電圧を示す。また、横軸のST1〜ST10は、図6に示すST1〜ST10に対応している。このようなグラフを参照することにより、所定のウエハ12の指定された期間においてターゲット13に印加された直流電圧を知ることができる。   FIG. 12B shows, for example, the process from the start of the process of the wafer 12 with the wafer ID “1-2” that has been processed in the chamber with the actual module ID “F1” (ST1 in FIG. 6). It is a graph regarding DC voltage in the period until the end (ST10 in FIG. 6). The horizontal axis of this graph indicates time, and the vertical axis indicates voltage. Further, ST1 to ST10 on the horizontal axis correspond to ST1 to ST10 shown in FIG. By referring to such a graph, it is possible to know the DC voltage applied to the target 13 during a specified period of the predetermined wafer 12.

図13(A)は、図12(B)と同様の態様により、ウエハIDが「1−1」と「90−1」であるウエハ12に関する直流電圧の時間的な変化を重ねて描画したグラフである。この例では、実線がウエハIDが「1−1」のウエハ12のグラフを示し、破線がウエハIDが「90−1」のウエハ12のグラフを示している。この図に示すように、複数のトレースデータを重ねて表示させることにより、ロット毎の変化を知ることができる。これにより、例えば、装置の経年変化等の有無を知ることができる。なお、この例では、ロットの相違による特性の相違を表示しているが、例えば、同一ロット内の異なるスロットの相違を表示するようにしてもよい。例えば、ウエハIDが「1−1」と「1−25」のトレースデータを重ねて表示するようにしてもよい。そのような表示によれば、ロット内の処理順序による特性の相違を知ることができる。   FIG. 13A is a graph in which DC voltage temporal changes with respect to the wafers 12 whose wafer IDs are “1-1” and “90-1” are overlaid in the same manner as FIG. 12B. It is. In this example, the solid line indicates the graph of the wafer 12 with the wafer ID “1-1”, and the broken line indicates the graph of the wafer 12 with the wafer ID “90-1”. As shown in this figure, a change for each lot can be known by displaying a plurality of trace data in an overlapping manner. Thereby, for example, it is possible to know the presence or absence of aging of the apparatus. In this example, a difference in characteristics due to a difference in lots is displayed. However, for example, a difference in different slots in the same lot may be displayed. For example, trace data with wafer IDs “1-1” and “1-25” may be displayed in an overlapping manner. According to such display, it is possible to know the difference in characteristics depending on the processing order in the lot.

図13(B)は、スパッタリングパワーをオン(図6のST4)の状態にしてから、ターゲット13に印加される直流電圧が、例えば、所定の範囲内で安定するまで(例えば、500Vプラスマイナス5Vとなるまで)の時間を示すヒストグラムである。このグラフの横軸は安定するまでの時間を示し、縦軸は該当するプロセス(トレースデータ)の個数を示す。この例では、1.7秒で安定する事例が最も多く、そのつぎに1.6秒、1.5秒、1.8秒の順番となっている。このようなヒストグラムを参照することにより、安定化までの時間の分布状況を知ることができるので、例えば、どの程度の回数のプロセスが規格外に該当するのかを知ることができる。なお、この例では、全てのトレースデータを1つのグラフに表示するようにしたが、例えば、ロット単位で同様のグラフ(ヒストグラム)を複数生成し、これら複数のヒストグラムを比較することにより、ヒストグラムの時間的な変化を知ることができるようにしてもよい。   In FIG. 13B, the sputtering power is turned on (ST4 in FIG. 6) until the DC voltage applied to the target 13 is stabilized within a predetermined range (for example, 500 V plus or minus 5 V). It is a histogram which shows time until it becomes. The horizontal axis of this graph indicates the time until stabilization, and the vertical axis indicates the number of corresponding processes (trace data). In this example, the most stable case is 1.7 seconds, followed by 1.6 seconds, 1.5 seconds, and 1.8 seconds. By referring to such a histogram, it is possible to know the distribution state of time until stabilization, and for example, it is possible to know how many processes fall outside the standard. In this example, all the trace data is displayed in one graph. For example, a plurality of similar graphs (histograms) are generated for each lot, and the histograms are compared by comparing the plurality of histograms. You may make it possible to know changes over time.

ステップS50:CPU4aは、処理を終了するか否かを判定し、処理を終了しない場合にはステップS45に戻って同様の処理を繰り返し、それ以外の場合には処理を終了する。例えば、管理者から処理を終了する旨の操作が入力装置4iに対して行われた場合には処理を終了する。   Step S50: The CPU 4a determines whether or not to end the process. If the process is not ended, the process returns to step S45 to repeat the same process, and otherwise the process ends. For example, when an operation to end the process is performed on the input device 4i by the administrator, the process ends.

以上に説明したように、本発明の実施の形態によれば、イベントデータとトレースデータのそれぞれに対してタイムスタンプを貼付して対応付けし、イベントデータをトリガとして、所望のトレースデータを取得できるようにしたので、所望のタイミングのデータを迅速に検索することができる。   As described above, according to the embodiment of the present invention, it is possible to obtain desired trace data by using event data as a trigger by attaching a time stamp to each of event data and trace data and associating them with each other. Since it did in this way, the data of a desired timing can be searched quickly.

また、本発明の実施の形態によれば、イベントデータを基準として、所定の範囲のトレースデータを指定し、この範囲に含まれるトレースデータを表示したり、解析処理を施したりするようにしたので、特定の範囲のトレースデータを迅速かつ簡易に取得し、解析することができる。   In addition, according to the embodiment of the present invention, the trace data in a predetermined range is designated based on the event data, and the trace data included in this range is displayed or analyzed. Trace data in a specific range can be acquired and analyzed quickly and easily.

また、本発明の実施の形態によれば、イベントデータに対してウエハIDを付加して格納するようにしたので、所望のウエハに関するトレースデータを簡易かつ迅速に検索することができる。また、ウエハIDとして、ロットと、ロット内の処理順序(スロット)を示す符号を使用するようにしたので、所定のロットの所定の処理順序のウエハに関するトレースデータを簡易かつ迅速に検索することができる。また、同様にチャンバに対する実モジュールIDを付加するようにしたので、複数チャンバが存在する場合であっても、所望のチャンバのトレースデータを簡易かつ迅速に検索し、解析することができる。   Further, according to the embodiment of the present invention, since the wafer ID is added to the event data and stored, the trace data relating to the desired wafer can be retrieved easily and quickly. Further, since the lot and the code indicating the processing order (slot) in the lot are used as the wafer ID, it is possible to easily and quickly retrieve the trace data regarding the wafer in the predetermined processing order of the predetermined lot. it can. Similarly, since the real module ID for the chamber is added, even when there are a plurality of chambers, the trace data of the desired chamber can be searched and analyzed easily and quickly.

また、本発明の実施の形態によれば、取得したトレースデータを用いて、グラフを表示したり、最大値、最小値、平均値、中央値等を求める処理を実行して得られた結果を表示したりするようにしたので、表示されたこれらの情報に基づいて、不具合の発生原因を迅速に知ることができる。   Further, according to the embodiment of the present invention, the obtained trace data is used to display a graph, or to obtain a result obtained by executing processing for obtaining a maximum value, minimum value, average value, median value, etc. Since the information is displayed, it is possible to quickly know the cause of the failure based on the displayed information.

(D)変形実施の態様 (D) Modified embodiment

なお、上述の実施の形態は、本発明の好適な例であるが、本発明は、これらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形、変更が可能である。   The above-described embodiments are preferred examples of the present invention, but the present invention is not limited to these, and various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present invention. is there.

例えば、以上の実施の形態では、真空プロセス装置1としては、PVDによる銅のスパッタリングを行う装置を例に挙げて説明したが、これ以外のプロセス装置であってもよい。具体的には、前述したように、CVD装置、エッチング装置、インプラー装置、フォトリソグラフィー装置を真空プロセス装置1として用いることができる。また、以上では、真空下におけるプロセス装置を例に挙げて説明したが、必ずしも真空下に限定されるものではない。   For example, in the above embodiment, as the vacuum process apparatus 1, an apparatus that performs copper sputtering by PVD has been described as an example, but other process apparatuses may be used. Specifically, as described above, a CVD apparatus, an etching apparatus, an implanter apparatus, and a photolithography apparatus can be used as the vacuum process apparatus 1. In the above description, the process apparatus under vacuum has been described as an example, but the process apparatus is not necessarily limited to vacuum.

また、以上の実施の形態では、真空プロセス装置1が1台の場合を例に挙げて説明したが、真空プロセス装置は複数存在してもよい。その場合には、実モジュールIDによって、複数の真空プロセス装置を区別するようにすればよい。   Moreover, although the case where there was one vacuum process apparatus 1 was described as an example in the above embodiment, a plurality of vacuum process apparatuses may exist. In that case, a plurality of vacuum process apparatuses may be distinguished by the actual module ID.

また、以上の実施の形態では、ログ格納装置2を真空プロセス装置1とは独立した構成としたが、これらを一体としてもよい。すなわち、ログ格納装置2を真空プロセス装置1の一部として構成してもよい。   Further, in the above embodiment, the log storage device 2 is configured independently of the vacuum process device 1, but these may be integrated. That is, the log storage device 2 may be configured as a part of the vacuum process device 1.

また、以上の実施の形態では、解析装置4は、真空プロセス装置1およびログ格納装置2とは独立した構成としたが、解析装置4を真空プロセス装置1またはログ格納装置2の一部として構成してもよい。   In the above embodiment, the analysis device 4 is configured independently of the vacuum process device 1 and the log storage device 2. However, the analysis device 4 is configured as a part of the vacuum process device 1 or the log storage device 2. May be.

また、以上の実施の形態では、ネットワーク3を介して、真空プロセス装置1、ログ格納装置2、および、解析装置4を相互に接続するようにしたが、これらをネットワーク3を介さずに直接接続するようにしてもよい。具体的には、USB(Universal Serial Bus)その他のインタフェースによって直接接続することができる。   In the above embodiment, the vacuum process apparatus 1, the log storage apparatus 2, and the analysis apparatus 4 are connected to each other via the network 3, but these are directly connected without using the network 3. You may make it do. Specifically, it can be directly connected by a USB (Universal Serial Bus) or other interface.

また、以上の実施の形態では、図8に示すように、トレースデータは、常に一定の周期で取得するようにしたが、例えば、プロセス処理中とそれ以外の場合において、取得する周期を変更するようにしてもよい。具体的には、プロセス処理中は、短い周期(例えば、10分の1秒)でトレースデータを取得し、それ以外の場合には長い周期(例えば、1秒)でトレースデータを取得するようにしてもよい。これにより、トレースデータの量を減らすことができるので、HDD2dの必要な容量を削減できる。   Further, in the above embodiment, as shown in FIG. 8, the trace data is always acquired at a constant cycle. However, for example, the acquisition cycle is changed during process processing and in other cases. You may do it. Specifically, during process processing, trace data is acquired at a short cycle (for example, 1/10 second), and trace data is acquired at a long cycle (for example, 1 second) in other cases. May be. Thereby, since the amount of trace data can be reduced, the required capacity of the HDD 2d can be reduced.

また、以上の実施の形態では、イベントデータとトレースデータとを別々に格納するようにしたが、例えば、図11に示すように予め対応付けしてから格納するようにしてもよい。そのような方法によれば、解析装置4側で対応付け処理を実行する必要がなくなるので、解析処理の待ち時間を短くすることができる。   In the above embodiment, the event data and the trace data are stored separately. However, for example, they may be stored after being associated in advance as shown in FIG. According to such a method, it is not necessary to perform the association process on the analysis device 4 side, so that the waiting time for the analysis process can be shortened.

また、以上の実施の形態では、解析装置4は、全てのイベントデータとトレースデータをログ格納装置2から取得し(S40〜S43)、取得した後に範囲および対象を絞り込む(S45,S46)ようにしたが、対象および範囲の指定を受けた後に、必要なデータのみをログ格納装置2から取得するようにしてもよい。そのような方法によれば、RAM4cの容量に比して、イベントデータおよびトレースデータのデータ量が大きい場合であっても解析処理を実行することができる。   In the above embodiment, the analysis device 4 acquires all event data and trace data from the log storage device 2 (S40 to S43), and narrows down the range and target after acquisition (S45, S46). However, after receiving the designation of the target and the range, only necessary data may be acquired from the log storage device 2. According to such a method, analysis processing can be executed even when the amount of event data and trace data is larger than the capacity of the RAM 4c.

また、以上の実施の形態では、イベントデータのメッセージを利用する場合については言及していないが、メッセージを利用して範囲を指定するようにしてもよい。具体的には、例えば、図7に示す「STEP1」および「STEP2」等のメッセージを利用して、範囲を指定することも可能である。   In the above embodiment, the case of using the event data message is not mentioned, but the range may be specified using the message. Specifically, for example, the range can be specified using messages such as “STEP1” and “STEP2” shown in FIG.

本発明は、例えば、PVD装置、または、CVD装置等の真空プロセス装置を管理する管理システムに適用することができる。   The present invention can be applied to a management system for managing a vacuum process apparatus such as a PVD apparatus or a CVD apparatus, for example.

本発明の実施の形態に係るプロセス管理システムの構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of the process management system which concerns on embodiment of this invention. 図1に示す真空プロセス装置の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the vacuum process apparatus shown in FIG. 図1に示すログ格納装置の構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of the log storage apparatus shown in FIG. 図1に示す解析装置の構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of the analyzer shown in FIG. 図2に示す真空プロセス装置においてイベントデータを生成する処理の一例を示すフローチャートである。3 is a flowchart showing an example of processing for generating event data in the vacuum process apparatus shown in FIG. 2. 図2に示す真空プロセス装置において実行されるイベントの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the event performed in the vacuum process apparatus shown in FIG. 図5に示すフローチャートによって生成されるイベントデータの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the event data produced | generated by the flowchart shown in FIG. 図2に示す真空プロセス装置においてトレースデータを取得する処理の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the process which acquires trace data in the vacuum process apparatus shown in FIG. 図5に示すフローチャートによって生成されるトレースデータの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the trace data produced | generated by the flowchart shown in FIG. 図4に示す解析装置において実行される解析処理の一例を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining an example of the analysis process performed in the analyzer shown in FIG. 図10に示すフローチャートによって対応付けがされたイベントデータとトレースデータの一例である。It is an example of the event data matched with the flowchart shown in FIG. 10, and trace data. 図10に示すフローチャートによって表示装置に表示される情報の一例である。It is an example of the information displayed on a display apparatus with the flowchart shown in FIG. 図10に示すフローチャートによって表示装置に表示される情報の他の一例である。It is another example of the information displayed on a display apparatus with the flowchart shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 真空プロセス装置、2 ログ格納装置、2d HDD(格納手段)、3 ネットワーク、4 解析装置、4a CPU(解析手段)、4h 表示装置(呈示手段)、12 ウエハ(加工対象)、20 制御監視部(第1の取得手段、第2の取得手段、対応付手段の一部)、34 タイマ(対応付手段の一部)   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum process apparatus, 2 log storage apparatus, 2d HDD (storage means), 3 network, 4 analysis apparatus, 4a CPU (analysis means), 4h display apparatus (presentation means), 12 wafer (processing object), 20 control monitoring part (First acquisition means, second acquisition means, part of correspondence means), 34 timer (part of correspondence means)

Claims (10)

装置の各部の状態を示す状態情報を取得する第1の取得手段と、
上記装置の制御に関する制御情報を取得する第2の取得手段と、
上記第1および第2の取得手段によって取得された上記状態情報と上記制御情報を対応付けする対応付手段と、
上記対応付手段によって対応付けがされた上記状態情報および上記制御情報を格納する格納手段と、
上記制御情報を参照して、上記状態情報に対して解析処理を施す解析手段と、
上記解析手段の解析の結果として得られた情報を呈示する呈示手段と、
を有することを特徴とするプロセス管理システム。
First acquisition means for acquiring state information indicating the state of each part of the device;
Second acquisition means for acquiring control information relating to control of the device;
Association means for associating the state information acquired by the first and second acquisition means with the control information;
Storage means for storing the state information and the control information associated by the association means;
Referring to the control information, analysis means for performing analysis processing on the state information;
Presenting means for presenting information obtained as a result of the analysis of the analyzing means;
A process management system comprising:
前記対応付手段は、前記状態情報と前記制御情報に対してそれぞれタイムスタンプを付与することにより対応付けを行うことを特徴とする請求項1記載のプロセス管理システム。   2. The process management system according to claim 1, wherein the association means associates the state information and the control information by assigning a time stamp to each of the state information and the control information. 前記第1の取得手段は、所定の周期で前記状態情報を取得し、
前記対応付手段は、前記状態情報に対して上記所定の周期に対応する時間単位のタイムスタンプを付与するとともに、前記制御情報に対しても上記所定の周期に対応する時間単位であって、しかも同期したタイムスタンプを付与する、
ことを特徴とする請求項2記載のプロセス管理システム。
The first acquisition means acquires the state information at a predetermined cycle,
The associating means assigns a time unit corresponding to the predetermined period to the state information, and also applies a time unit corresponding to the predetermined period to the control information. Give a synchronized timestamp,
The process management system according to claim 2, wherein:
前記第1の取得手段は、前記装置がプロセス処理を実行中である場合には第1の周期で前記状態情報を取得し、プロセス処理を実行中でない場合には第1の周期よりも周期が長い第2の周期で前記状態情報を取得することを特徴とする請求項1記載のプロセス管理システム。   The first acquisition unit acquires the state information at a first period when the apparatus is executing a process process, and has a period that is longer than the first period when the apparatus is not executing a process process. The process management system according to claim 1, wherein the state information is acquired at a long second period. 前記解析手段は、所定の前記制御情報を始点または終点として、所定の前記状態情報を抽出する処理を実行し、
前記呈示手段は、前記解析手段によって抽出された所定の前記状態情報を呈示する、
ことを特徴とする請求項1記載のプロセス管理システム。
The analysis means executes a process of extracting the predetermined state information with the predetermined control information as a start point or an end point,
The presenting means presents the predetermined state information extracted by the analyzing means;
The process management system according to claim 1.
前記解析手段は、所定の前記制御情報を始点または終点として、所定の前記状態情報を抽出する処理を実行するとともに、抽出した所定の前記状態情報が所定の条件に該当する時間を算出する処理を実行し、
前記呈示手段は、前記解析手段によって算出された前記時間を呈示する、
ことを特徴とする請求項1記載のプロセス管理システム。
The analysis means executes a process of extracting the predetermined state information using the predetermined control information as a start point or an end point, and calculating a time when the extracted predetermined state information satisfies a predetermined condition Run,
The presenting means presents the time calculated by the analyzing means;
The process management system according to claim 1.
前記解析手段は、所定の前記制御情報を始点または終点として、所定の前記状態情報を抽出する処理を実行するとともに、抽出した所定の前記状態情報の最大値、最小値、平均値、中央値の少なくとも1つ以上を算出する処理を実行し、
前記呈示手段は、前記解析手段によって算出されたこれらの値を呈示する、
ことを特徴とする請求項1記載のプロセス管理システム。
The analysis means executes a process of extracting the predetermined state information with the predetermined control information as a start point or an end point, and the maximum value, the minimum value, the average value, and the median value of the extracted predetermined state information. Execute a process of calculating at least one or more,
The presenting means presents these values calculated by the analyzing means,
The process management system according to claim 1.
前記格納手段は、前記装置がプロセス処理の対象とする加工対象を識別するための加工対象識別情報を前記制御情報および前記状態情報と併せて格納し、
前記解析手段は、上記加工対象識別情報も参照して、解析処理を実行する、
ことを特徴とする請求項1記載のプロセス管理システム。
The storage means stores processing target identification information for identifying a processing target to be processed by the apparatus together with the control information and the state information,
The analysis means refers to the processing object identification information and executes an analysis process.
The process management system according to claim 1.
前記加工対象識別情報は、ロットを特定するための情報と、ロット内における処理順序を特定するための情報とを少なくとも含んでおり、
前記解析手段は、上記ロットを特定するための情報および上記ロット内における処理順序を特定するための情報を参照して、解析処理を実行する、
ことを特徴とする請求項8記載のプロセス管理システム。
The processing target identification information includes at least information for specifying a lot and information for specifying a processing order in the lot,
The analysis means performs analysis processing with reference to information for specifying the lot and information for specifying a processing order in the lot.
9. The process management system according to claim 8, wherein:
前記格納手段は、前記装置が複数存在する場合には、装置を特定するための装置特定情報を前記制御情報および前記状態情報と併せて格納し、
前記解析手段は、上記装置識別情報も参照して、解析処理を実行する、
ことを特徴とする請求項1記載のプロセス管理システム。
The storage means stores device specifying information for specifying a device together with the control information and the state information when there are a plurality of the devices,
The analysis means refers to the device identification information and executes an analysis process.
The process management system according to claim 1.
JP2007095995A 2007-04-02 2007-04-02 Process management system Pending JP2008257314A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007095995A JP2008257314A (en) 2007-04-02 2007-04-02 Process management system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007095995A JP2008257314A (en) 2007-04-02 2007-04-02 Process management system

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011023885A Division JP2011106032A (en) 2011-02-07 2011-02-07 Process management system
JP2011023892A Division JP2011118920A (en) 2011-02-07 2011-02-07 Process management system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008257314A true JP2008257314A (en) 2008-10-23

Family

ID=39980855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007095995A Pending JP2008257314A (en) 2007-04-02 2007-04-02 Process management system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008257314A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011149093A (en) * 2009-12-22 2011-08-04 Canon Anelva Corp Sputtering system, sputtering film deposition method, and power source control method in sputtering system
KR20180060965A (en) * 2016-11-28 2018-06-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate processing system, storage medium and data processing method
CN111048390A (en) * 2018-10-15 2020-04-21 东京毅力科创株式会社 Installation state prompting device and installation state prompting method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63167988A (en) * 1987-01-05 1988-07-12 Toshiba Corp Data gathering device
JP2006310504A (en) * 2005-04-28 2006-11-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63167988A (en) * 1987-01-05 1988-07-12 Toshiba Corp Data gathering device
JP2006310504A (en) * 2005-04-28 2006-11-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011149093A (en) * 2009-12-22 2011-08-04 Canon Anelva Corp Sputtering system, sputtering film deposition method, and power source control method in sputtering system
KR20180060965A (en) * 2016-11-28 2018-06-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate processing system, storage medium and data processing method
KR102298688B1 (en) 2016-11-28 2021-09-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate processing system, storage medium and data processing method
CN111048390A (en) * 2018-10-15 2020-04-21 东京毅力科创株式会社 Installation state prompting device and installation state prompting method
CN111048390B (en) * 2018-10-15 2024-04-19 东京毅力科创株式会社 Installation state prompting device and installation state prompting method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2008152981A1 (en) Process management system
US6553419B1 (en) System and method for computer system performance data pause and resume consuming minimum display area
JP2002100611A (en) Plasma-processing apparatus and its method
JP2008257314A (en) Process management system
Antoniadis et al. The millisecond pulsar mass distribution: Evidence for bimodality and constraints on the maximum neutron star mass
US20070215044A1 (en) Substrate processing apparatus, deposit monitoring apparatus, and deposit monitoring method
JP2000214092A (en) Method and system for discrimination of gaseous effluent and facility provided therewith
JP2007538376A (en) Replaceable anode liner for ion source
JP2008306088A (en) Process control system
JP2011118920A (en) Process management system
CN110828285A (en) Time-of-flight mass spectrometer and recording medium
US20070023630A1 (en) Method and apparatus for mass spectormetry
JP2004165034A (en) Ion source filament life prediction method, and ion source device
JP2011106032A (en) Process management system
JP2019531479A (en) System and method for accurately quantifying the composition of a sample to be measured
JP2004241499A (en) Device and method for managing foreign matter in vacuum processor
US20140182357A1 (en) Particle monitoring method and particle monitoring apparatus
US20120298852A1 (en) Systems and computer program products for mass spectrometry
JP6335376B1 (en) Quadrupole mass spectrometer and determination method for sensitivity reduction thereof
JPH06224163A (en) Self-cleaning method for vacuum chamber
WO2015053300A1 (en) Electron microscope
US6776872B2 (en) Data processing apparatus for semiconductor processing apparatus
JP3116336B2 (en) Device for detecting the end point of wet etching
US11488817B2 (en) Mass spectrometry sweep cone cleaning by means of ultrasonic vibration
US20240120174A1 (en) Ion Milling Device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090821

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101207

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110412