JP2008252691A - Image signal capturing method and apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、薄膜トランジスタを有する多数の画像検出素子が２次元状に配列された画像検出器から画像信号を取得する画像信号取得方法および装置に関するものである。 The present invention relates to an image signal acquisition method and apparatus for acquiring an image signal from an image detector in which a large number of image detection elements having thin film transistors are two-dimensionally arranged.
近年、ＴＦＴアクティブマトリックス基板上にＸ線感応層を配置し、Ｘ線情報を直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｅｔｅｃｔｏｒ）が実用化されている。従来のイメージングプレートに比べて、即時に画像を確認でき、動画も確認できるといったメリットがあり、急速に普及が進んでいる。 In recent years, flat panel detectors (FPDs) have been put into practical use in which an X-ray sensitive layer is disposed on a TFT active matrix substrate and X-ray information can be directly converted into digital data. Compared to the conventional imaging plate, there is an advantage that an image can be confirmed immediately and a moving image can be confirmed, and it is rapidly spreading.
まず、図６を用いてＦＰＤとしての放射線画像検出器について説明する。 First, a radiation image detector as an FPD will be described with reference to FIG.
従来の放射線画像検出器は、図６に示すように、Ｘ線感応層からなり、Ｘ線を検出して電荷を発生するセンサ素子１０１と、センサ素子１０１によって発生した電荷を蓄積する蓄積容量１０２と、蓄積容量１０２に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチ１０３とからなる画像検出素子が縦横に２次元状に配置されている。そして、ＴＦＴスイッチ１０３をＯＮ／ＯＦするための制御信号が流れる走査配線１０４と蓄積容量１０２からＴＦＴスイッチ１０３を介して出力された電荷信号が流れ出すデータ配線１０５とが直交して配置されている。そして、走査配線１０４には、ＴＦＴスイッチ１０３をＯＮ／ＯＦＦするための制御信号を出力するゲートドライバ１０６が接続されており、データ配線１０５には、データ配線１０５に流れ出した電荷信号を検出するアンプ１０７が接続されている。 As shown in FIG. 6, the conventional radiographic image detector is composed of an X-ray sensitive layer, detects a X-ray and generates a charge, and a storage capacitor 102 that stores the charge generated by the sensor element 101. And an image detection element including a TFT switch 103 for reading out the electric charge accumulated in the storage capacitor 102 is two-dimensionally arranged vertically and horizontally. A scanning wiring 104 through which a control signal for turning on / off the TFT switch 103 flows and a data wiring 105 through which a charge signal output from the storage capacitor 102 through the TFT switch 103 flows are arranged orthogonally. A gate driver 106 that outputs a control signal for turning on / off the TFT switch 103 is connected to the scanning wiring 104, and an amplifier that detects a charge signal flowing out to the data wiring 105 is connected to the data wiring 105. 107 is connected.
そして、画像検出素子群の周辺には、ダミー検出素子が配置されている。このダミー検出素子は、画像検出素子群の周辺近傍の検出素子のＸ線感応層に印加される電界強度の均一性を向上するために設けられたものである。ダミー検出素子群がない場合には、周辺近傍の検出素子のＸ線感応層に印加される電界強度が強くなり、中央部とＸ線検出感度の差が生じやすい。そして、ダミー検出素子群にもデータ配線１０５が接続されているが、ダミー検出素子群が接続されたデータ配線１０５にはアンプ１０７は接続されていない。 A dummy detection element is disposed around the image detection element group. This dummy detection element is provided in order to improve the uniformity of the electric field strength applied to the X-ray sensitive layer of the detection element near the periphery of the image detection element group. When there is no dummy detection element group, the electric field strength applied to the X-ray sensitive layer of the detection elements in the vicinity of the periphery becomes strong, and a difference between the central portion and the X-ray detection sensitivity tends to occur. The data line 105 is also connected to the dummy detection element group, but the amplifier 107 is not connected to the data line 105 to which the dummy detection element group is connected.
そして、図６の紙面上部よりＸ線が入射し、センサ素子１０１において電荷信号に変換され、その電荷信号が蓄積容量１０２に蓄積されることにより放射線画像の記録が行われる。そして、ゲートドライバ１０６から走査配線１０４に順次制御信号が出力され、ＴＦＴスイッチ１０３が順次ＯＮすることによって蓄積容量１０２に蓄積された電荷信号が順次データ配線１０５に流れ出し、その電荷信号がアンプ１０７によって放射線画像信号として検出されることによって放射線画像の読取りが行われる。なお、このとき画像検出素子により検出された電荷信号だけがアンプ１０７によって放射線画像信号として取得される。 Then, X-rays enter from the upper part of the paper surface of FIG. 6, are converted into charge signals by the sensor element 101, and the charge signals are stored in the storage capacitor 102, whereby a radiographic image is recorded. Then, a control signal is sequentially output from the gate driver 106 to the scanning wiring 104, and when the TFT switch 103 is sequentially turned on, the charge signal stored in the storage capacitor 102 sequentially flows out to the data wiring 105, and the charge signal is output by the amplifier 107. A radiographic image is read by being detected as a radiographic image signal. At this time, only the charge signal detected by the image detection element is acquired as a radiation image signal by the amplifier 107.
ここで、一般的に放射線画像検出器では、数百〜数千本のデータ配線が配置されている。このため、その一部のデータ配線に断線不良や、アンプの接触不良などが発生することも多い。そして、これらの異常を発生したデータ配線からは正常な信号が得られないため、放射線画像検出器としても不良箇所となる。アクティブマトリクス基板は、放射線画像検出器を構成する部品のなかでも最も高価な部品であるため、製造コスト低減を図る上で重要な問題となっている。そして、この問題を解決するため、画像処理により、データ配線不良により欠損した情報を補間する方法がとられている。この方法によれば、あるデータ配線に断線不良があった場合、少なくとも不良配線に隣接する２つのデータ配線の情報が得られれば、画像処理による補間が可能である。
しかしながら、図６に示すように、画像検出素子群の最外郭の画像検出素子に接続されたデータ配線Ｓ１において、断線もしくは接触不良が発生すると、不良配線の右側の情報はデータ配線Ｓ２に接続された画像検出素子により得ることができるが、左側の情報は得ることができず、その結果、画像処理による補間ができないという問題があった。 However, as shown in FIG. 6, when a disconnection or a contact failure occurs in the data wiring S1 connected to the outermost image detection element of the image detection element group, information on the right side of the defective wiring is connected to the data wiring S2. However, the information on the left side cannot be obtained, and as a result, there is a problem that interpolation by image processing cannot be performed.
本発明は、上記の事情に鑑み、画像検出素子群の周辺部部分の画像検出素子に接続されるデータ配線に異常が発生した場合においても、そのデータ配線に接続された画素の情報を適切に取得することができ、製造歩留まりを改善して製造コストの低減を図ることができる画像信号取得方法および装置を提供することを目的とする。 In view of the above-described circumstances, the present invention appropriately stores information on pixels connected to data lines even when an abnormality occurs in the data lines connected to the image detection elements in the peripheral portion of the image detection element group. An object of the present invention is to provide an image signal acquisition method and apparatus that can be acquired and that can improve manufacturing yield and reduce manufacturing cost.
本発明の画像信号取得装置は、マトリクス状に配置された複数の画像検出素子と、画像検出素子の周囲に配置された複数のダミー検出素子と、画像検出素子とダミー検出素子とに接続され、画像検出素子とダミー検出素子とから画素データを取得する信号検出回路と、複数の画像検出素子からなるマトリクスの周縁部分に配置された画像検出素子の画素データを、ダミー検出素子により取得された画素データに基づいて補正する画素データ補正部とを備えたことを特徴とする。 The image signal acquisition device of the present invention is connected to a plurality of image detection elements arranged in a matrix, a plurality of dummy detection elements arranged around the image detection element, an image detection element and a dummy detection element, A pixel from which pixel data is acquired by the dummy detection element, and a signal detection circuit for acquiring pixel data from the image detection element and the dummy detection element, and pixel data of the image detection element arranged at the peripheral portion of the matrix composed of a plurality of image detection elements And a pixel data correction unit that performs correction based on the data.
また、上記本発明の画像信号取得装置においては、画素データ補正部を、マトリクスの周縁部分に配置された画像検出素子の画素データに欠損がある場合に、その画像検出素子の画素データをダミー検出素子により取得された画素データに基づいて補正するものとすることができる。 In the image signal acquisition apparatus of the present invention described above, the pixel data correction unit detects the pixel data of the image detection element in a dummy manner when the pixel data of the image detection element arranged at the peripheral portion of the matrix is defective. Correction can be made based on pixel data acquired by the element.
また、画素データ補正部を、マトリクスの周縁部分に配置された画像検出素子の画素データを、その画像検出素子に行方向または列方向に隣接する所定数ずつの画像検出素子およびダミー検出素子の画素データに基づいて補正をするものとすることができる。 Further, the pixel data correction unit converts the pixel data of the image detection element disposed at the peripheral portion of the matrix into a predetermined number of pixels of the image detection element and the dummy detection element adjacent to the image detection element in the row direction or the column direction. Corrections can be made based on the data.
本発明の画像信号取得方法は、マトリクス状に配置された複数の画像検出素子と画像検出素子の周囲に配置された複数のダミー検出素子によって検出された電荷信号を画素データとして取得し、複数の画像検出素子からなるマトリクスの周縁部分に配置された画像検出素子の画素データを、ダミー検出素子により取得された画素データに基づいて補正することを特徴とする。 The image signal acquisition method of the present invention acquires, as pixel data, charge signals detected by a plurality of image detection elements arranged in a matrix and a plurality of dummy detection elements arranged around the image detection element. The pixel data of the image detection element arranged at the peripheral portion of the matrix composed of the image detection elements is corrected based on the pixel data acquired by the dummy detection element.
ここで、上記「画像検出素子」とは、検出した電荷信号が画像を構成する画素データとして直接利用される検出素子のことをいう。 Here, the “image detection element” refers to a detection element in which a detected charge signal is directly used as pixel data constituting an image.
また、上記「ダミー検出素子」とは、検出した電荷信号が画像を構成する画素データとして直接利用されない検出素子のことをいう。 The “dummy detection element” refers to a detection element in which a detected charge signal is not directly used as pixel data constituting an image.
本発明の画像信号取得方法および装置によれば、マトリクス状に配置された複数の画像検出素子と画像検出素子の周囲に配置された複数のダミー検出素子とから画素データを取得し、複数の画像検出素子からなるマトリクスの周縁部分に配置された画像検出素子の画素データを、ダミー検出素子により取得された画素データに基づいて補正するようにしたので、たとえば、画像検出素子のマトリクスの周縁部分に配置された画素検出素子に接続される配線に異常が発生した場合においても、その配線に接続された画素データを適切に取得することができ、製造歩留まりを改善して製造コストの低減を図ることができる。 According to the image signal acquisition method and apparatus of the present invention, pixel data is acquired from a plurality of image detection elements arranged in a matrix and a plurality of dummy detection elements arranged around the image detection element, and a plurality of images are obtained. Since the pixel data of the image detection element arranged in the peripheral part of the matrix composed of the detection elements is corrected based on the pixel data acquired by the dummy detection element, for example, in the peripheral part of the matrix of the image detection element Even when an abnormality occurs in the wiring connected to the arranged pixel detection element, the pixel data connected to the wiring can be appropriately acquired, and the manufacturing yield is improved and the manufacturing cost is reduced. Can do.
以下、図面を参照して本発明の画像信号取得装置の一実施形態を用いた放射線画像信号取得装置について説明する。図１に一実施形態の放射線画像信号取得装置の放射線画像検出器１００の概略構成図を示す。 A radiation image signal acquisition apparatus using an embodiment of an image signal acquisition apparatus of the present invention will be described below with reference to the drawings. The schematic block diagram of the radiographic image detector 100 of the radiographic image signal acquisition apparatus of one Embodiment is shown in FIG.
放射線画像検出器１００は、図１に示すように、アクティブマトリクス基板１０と、このアクティブマトリクス基板１０上の略全面に形成された半導体膜２０と、半導体膜２０上に設けられた上部電極２１とによって構成されている。 As shown in FIG. 1, the radiation image detector 100 includes an active matrix substrate 10, a semiconductor film 20 formed on substantially the entire surface of the active matrix substrate 10, and an upper electrode 21 provided on the semiconductor film 20. It is constituted by.
半導体膜２０は、電磁波導電性を有するものであり、Ｘ線が照射されると膜の内部に電荷を発生するものである。半導体膜２０としては、たとえば、セレンを主成分とする膜厚保１００〜１０００μｍの非晶質ａ−Ｓｅ膜を用いることができる。上記半導体膜２０は、真空蒸着法によってたとえば３００〜１０００μｍの厚みで形成されている。 The semiconductor film 20 has electromagnetic wave conductivity, and generates charges inside the film when irradiated with X-rays. As the semiconductor film 20, for example, an amorphous a-Se film having a film thickness of 100 to 1000 μm whose main component is selenium can be used. The semiconductor film 20 is formed with a thickness of, for example, 300 to 1000 μm by a vacuum deposition method.
上部電極２２は、Ａｕ、Ａｌなどの低抵抗の導電材料で構成されている。 The upper electrode 22 is made of a low-resistance conductive material such as Au or Al.
アクティブマトリクス基板１０は、半導体膜２０において発生した電荷を収集する収集電極１１、収集電極１１によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量１２および蓄積容量１２に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチ１３を有する多数の画素１４とＴＦＴスイッチ１３をＯＮ／ＯＦＦするための多数の走査配線１５と蓄積容量１２に蓄積された電荷が読み出される多数のデータ配線１６とを備えている。画素１４は、アレイ状に配置されている。 The active matrix substrate 10 includes a collection electrode 11 that collects the charges generated in the semiconductor film 20, a storage capacitor 12 that stores the charges collected by the collection electrode 11, and a TFT switch 13 that reads the charges stored in the storage capacitor 12. And a plurality of scanning wirings 15 for turning on / off the TFT switch 13 and a number of data wirings 16 for reading out charges accumulated in the storage capacitor 12. The pixels 14 are arranged in an array.
ＴＦＴスイッチ１３としては、一般的には、アモルファスシリコンを活性層に用いたａ−ＳｉＴＦＴが用いられる。 As the TFT switch 13, an a-Si TFT using amorphous silicon as an active layer is generally used.
そして、データ配線１６の終端には、アンプ２３が接続されている。 An amplifier 23 is connected to the end of the data line 16.
図２に放射線画像検出器１００の等価回路図を示す。 FIG. 2 shows an equivalent circuit diagram of the radiation image detector 100.
図２に示すように、放射線画像検出器１００は、走査配線１５とデータ配線１６とが直交して配置されており、その交差部近傍にＴＦＴスイッチ１３が配置されている。そして、図２に示すように、画像検出素子１４が２次元状に配置され、その画像検出素子のマトリクスの周囲には、ダミー検出素子２６が配置されている。 As shown in FIG. 2, in the radiation image detector 100, the scanning wiring 15 and the data wiring 16 are arranged orthogonally, and the TFT switch 13 is arranged in the vicinity of the intersection. As shown in FIG. 2, the image detection elements 14 are two-dimensionally arranged, and dummy detection elements 26 are arranged around the matrix of the image detection elements.
画像検出素子１４とダミー検出素子２６とは、その構成は同じであるがその用途が異なる。画像検出素子１４は、検出した電荷信号が画像を構成する画素データとして直接利用される検出素子であり、ダミー検出素子２６は、検出した電荷信号が画像を構成する画素データとして直接利用されない検出素子である。 The image detection element 14 and the dummy detection element 26 have the same configuration but have different uses. The image detection element 14 is a detection element in which the detected charge signal is directly used as pixel data constituting an image, and the dummy detection element 26 is a detection element in which the detected charge signal is not directly used as pixel data constituting an image. It is.
図３に、放射線画像検出器１００の全体図を示す。図３においては、画像検出素子１４とダミー検出素子２６は図示省略してあるが、四角で囲む範囲が画像検出エリアであり、この画像検出エリア内に画像検出素子１４が２次元状に配置されている。そして、画像検出エリアの周囲の範囲がダミー検出エリアであり、このダミー検出エリア内にダミー検出素子２６が配置されている。 FIG. 3 shows an overall view of the radiation image detector 100. In FIG. 3, the image detection element 14 and the dummy detection element 26 are not shown, but the area surrounded by a square is an image detection area, and the image detection element 14 is two-dimensionally arranged in this image detection area. ing. A range around the image detection area is a dummy detection area, and the dummy detection element 26 is arranged in the dummy detection area.
そして、走査配線１５には、ゲートドライバ４０が接続され、データ配線１６には、アンプ２３から構成される信号処理器４１が接続されている。そして、本実施形態の放射線画像検出器においては、ダミー検出素子２６が接続されるデータ配線１６にも信号処理回路４１が接続されている。そして、信号処理回路４１には、画素データ補間部２４を含むデータ処理回路４２が接続されている。データ処理回路４２の作用については、後で詳述する。 A gate driver 40 is connected to the scanning wiring 15, and a signal processor 41 including an amplifier 23 is connected to the data wiring 16. In the radiation image detector of this embodiment, the signal processing circuit 41 is also connected to the data wiring 16 to which the dummy detection element 26 is connected. The signal processing circuit 41 is connected to a data processing circuit 42 including the pixel data interpolation unit 24. The operation of the data processing circuit 42 will be described in detail later.
そして、本実施形態の放射線画像検出器１００は、２００６画素×２００４画素の大きさであり、そのうち２０００画素×２０００画素が画像検出エリアであり、図３の横方向の両端の３画素ラインずつと、縦方向の両端の２画素ラインずつがダミー検出エリアである。 The radiation image detector 100 of the present embodiment has a size of 2006 pixels × 2004 pixels, of which 2000 pixels × 2000 pixels is an image detection area, and 3 pixel lines at both ends in the horizontal direction in FIG. The two pixel lines at both ends in the vertical direction are dummy detection areas.
そして、データ処理回路４２には、データ処理回路４２から出力された画像データに基づいて画像を表示するコンピュータ５０が接続されている。 The data processing circuit 42 is connected to a computer 50 that displays an image based on the image data output from the data processing circuit 42.
次に、本実施形態の放射線画像検出器の動作原理について説明する。 Next, the operation principle of the radiation image detector of this embodiment will be described.
図１の上方より被写体を透過したＸ線が照射されると半導体膜２０はその内部に電荷を発生する。そして、半導体膜２０で発生した電荷のうち正孔は上部電極２１と収集電極１１との間のバイアスにより収集電極１１に集められ、収集電極１１と電気的に接続された蓄積容量１２に蓄積される。半導体膜２０はＸ線量に依存して異なる電荷量を発生するため、Ｘ線が担持した画像情報に依存した量の電荷が各画像検出素子１４とダミー検出素子２６の蓄積容量１２に蓄積される。 When X-rays transmitted through the subject are irradiated from above in FIG. 1, the semiconductor film 20 generates electric charges therein. Then, of the charges generated in the semiconductor film 20, holes are collected on the collection electrode 11 by the bias between the upper electrode 21 and the collection electrode 11, and accumulated in the storage capacitor 12 electrically connected to the collection electrode 11. The Since the semiconductor film 20 generates different amounts of charge depending on the X-ray dose, an amount of charge depending on the image information carried by the X-rays is stored in the storage capacitors 12 of the image detection elements 14 and the dummy detection elements 26. .
その後、走査配線１５を介してＴＦＴスイッチ１３をＯＮ状態にする信号が順次加えられ、データ配線１６を介して蓄積容量１２に蓄積された電荷が読み出される。そして、さらにアンプ２３で各画像検出素子１４およびダミー検出素子の電荷量を検出することにより画素データを取得することができる。 Thereafter, a signal for sequentially turning on the TFT switch 13 is applied via the scanning wiring 15, and the charge accumulated in the storage capacitor 12 is read via the data wiring 16. Further, the pixel data can be acquired by detecting the charge amounts of the image detection elements 14 and the dummy detection elements with the amplifier 23.
ここで、画像検出エリアの周縁部分において配線の断線などのデバイス欠陥が発生した場合の画像信号取得方法について説明する。 Here, a description will be given of an image signal acquisition method in the case where a device defect such as a wire breakage occurs in the peripheral portion of the image detection area.
図４には、データ配線Ｄ５ラインがゲート配線Ｇ４部分で断線した場合における各検出素子によって取得される画素データを模式的に示している。上記のように断線が発生した場合、その断線した配線に接続された画像検出素子により画素データを取得することが困難となり、データ配線Ｄ５ラインのＧ５画素より上の画素（Ｇ６、Ｇ７、・・・）の画素データは、図４に示すように０（白）となる。なお、図４中の色は、各検出素子により取得される画素データを模式的に示しており、その色が薄いほど画素データが小さいことを示している。 FIG. 4 schematically shows pixel data acquired by each detection element when the data wiring D5 line is disconnected at the gate wiring G4 portion. When a disconnection occurs as described above, it becomes difficult to obtain pixel data by the image detection element connected to the disconnected wiring, and pixels (G6, G7,... Above the G5 pixel on the data wiring D5 line). The pixel data of () is 0 (white) as shown in FIG. The color in FIG. 4 schematically shows pixel data acquired by each detection element, and the lighter the color, the smaller the pixel data.
図５は、図４のＡ−Ａ’線断面の画像情報、画素データ、出力画像データとを示している。なお、画像情報とは、放射線画像検出器に記録された放射線画像の大きさを示すものであり、画素データとは、各検出素子により取得された画素データの大きさを示すものであり、出力画像データとは、データ処理回路４２から出力される画像データの大きさを示すものである。 FIG. 5 shows image information, pixel data, and output image data of the A-A ′ line cross section of FIG. 4. The image information indicates the size of the radiation image recorded in the radiation image detector, and the pixel data indicates the size of the pixel data acquired by each detection element, and is output. The image data indicates the size of the image data output from the data processing circuit 42.
上述したように、Ｄ５ラインの画素データは０となっている。そして、データ処理回路４２は、画像検出エリアの画像検出素子により取得された画素データを画像データとして出力し、ダミー検出エリアのダミー検出素子により取得された画素データは出力しない。つまり、Ｄ１からＤ３ラインの画素データはカットされ、コンピュータ５０には出力されない。 As described above, the pixel data of the D5 line is 0. The data processing circuit 42 outputs pixel data acquired by the image detection element in the image detection area as image data, and does not output pixel data acquired by the dummy detection element in the dummy detection area. That is, the pixel data on the D1 to D3 lines are cut and not output to the computer 50.
そして、Ｄ５ラインの画素データについては、図５に示すように、Ｄ５ラインの左右３画素ずつの画素データを用いて補間する。これにより、画像検出エリアの周辺部分の画像検出素子または配線にデバイス欠陥が発生したとしても、画素データを適切に取得することができる。なお、補間方法については、欠損画素の周囲の画素データの傾向を考慮した補間方法を採用するようにすればよい。たとえば、周囲の画素データの平均値を算出し、これを欠損画素の画素データとすることができる。 Then, the pixel data of the D5 line is interpolated using the pixel data of the left and right three pixels of the D5 line as shown in FIG. Thereby, even if a device defect occurs in the image detection element or the wiring in the peripheral portion of the image detection area, the pixel data can be appropriately acquired. As the interpolation method, an interpolation method that takes into account the tendency of pixel data around the defective pixel may be adopted. For example, an average value of surrounding pixel data can be calculated and used as pixel data of a defective pixel.
なお、上記実施形態の説明においては、データ配線Ｄ５ラインに接続される画像検出素子の画素データを補間して求めるようにしたが、Ｄ５ラインに限らず、画像検出エリアの一番外側のデータ配線Ｄ４に接続される画像検出素子の画素データや画像検出エリアの外側から３番目のデータ配線Ｄ６に接続される画像検出素子の画素データを、上記と同様に、周囲の画素データを用いて補間するようにしてもよい。 In the description of the above embodiment, the pixel data of the image detection element connected to the data wiring D5 line is obtained by interpolation. However, the data wiring is not limited to the D5 line and is the outermost data wiring of the image detection area. The pixel data of the image detection element connected to D4 and the pixel data of the image detection element connected to the third data wiring D6 from the outside of the image detection area are interpolated using surrounding pixel data in the same manner as described above. You may do it.
また、上記実施形態においては、画像検出エリアの周辺部分のデータ配線が断線した場合の画素データの取得方法について説明したが、これに限らず、たとえば、画像検出エリアの周辺部分のゲート配線が断線した場合においても、上記と同様にして補間することにより画素データを適切に取得することができる。たとえば、図４におけるゲート配線Ｇ４が断線した場合には、ゲート配線Ｇ４に上下に隣接するゲート配線Ｇ２、Ｇ３、Ｇ５、Ｇ６に接続される画像検出素子およびダミー検出素子の画素データを用いてゲート配線Ｇ４に接続される画像検出素子の画素データを補間するようにすればよい。また、図４におけるゲート配線Ｇ３が断線した場合には、ゲート配線Ｇ３に上下に隣接するゲート配線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ４、Ｇ５に接続される画像検出素子およびダミー検出素子の画素データを用いてゲート配線Ｇ３に接続される画像検出素子の画素データを補間するようにすればよい。また、また、図４におけるゲート配線Ｇ５が断線した場合には、ゲート配線Ｇ５に上下に隣接するゲート配線Ｇ３、Ｇ４、Ｇ６、Ｇ７に接続される画像検出素子およびダミー検出素子の画素データを用いてゲート配線Ｇ３に接続される画像検出素子の画素データを補間するようにすればよい。 In the above-described embodiment, the pixel data acquisition method when the data wiring in the peripheral portion of the image detection area is disconnected has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the gate wiring in the peripheral portion of the image detection area is disconnected. Even in this case, pixel data can be appropriately acquired by performing interpolation in the same manner as described above. For example, when the gate line G4 in FIG. 4 is disconnected, the gate lines are used by using pixel data of image detection elements and dummy detection elements connected to the gate lines G2, G3, G5, and G6 adjacent to the gate line G4. The pixel data of the image detection element connected to the wiring G4 may be interpolated. Further, when the gate line G3 in FIG. 4 is disconnected, the gate line is used by using the pixel data of the image detection elements and the dummy detection elements connected to the gate lines G1, G2, G4, and G5 adjacent to the gate line G3. The pixel data of the image detection element connected to the wiring G3 may be interpolated. Further, when the gate line G5 in FIG. 4 is disconnected, the pixel data of the image detection elements and the dummy detection elements connected to the gate lines G3, G4, G6, and G7 adjacent to the gate line G5 in the vertical direction are used. Then, pixel data of the image detection element connected to the gate wiring G3 may be interpolated.
また、上記実施形態の説明においては、データ配線またはゲート配線が断線した場合に、そのデータ配線またはゲート配線に接続された画像検出素子の画素データを補間するようにしたが、データ配線またはゲート配線に断線などの異常が発生した場合に限らず、上記異常が発生していない場合においても、画像検出エリアの周縁部分の画像検出素子の画素データを、その画像検出素子に隣接する画像検出素子およびダミー検出素子の画素データを用いて補正するようにしてもよい。上記のように画素データを補正することによりノイズやムラを補正することができる。なお、補正方法については、たとえば、特開平１１−２５８７１６に記載の方法などを採用することができる。 In the description of the above embodiment, when the data line or the gate line is disconnected, the pixel data of the image detection element connected to the data line or the gate line is interpolated. Not only when an abnormality such as disconnection occurs, but also when the abnormality does not occur, the pixel data of the image detection element in the peripheral portion of the image detection area is converted to an image detection element adjacent to the image detection element and You may make it correct | amend using the pixel data of a dummy detection element. Noise and unevenness can be corrected by correcting the pixel data as described above. As a correction method, for example, a method described in JP-A-11-258716 can be employed.
また、上記実施形態の放射線画像検出器は、放射線の照射を直接受けて電荷を発生する、いわゆる直接変換型の放射線画像検出器であるが、本発明の画像検出器は、直接変換型の放射線画像検出器に限らず、放射線を蛍光体により一旦光に変換し、その光の照射を受けて電荷を発生する、いわゆる間接変換型の放射線画像検出器にも適用可能である。 The radiological image detector of the above embodiment is a so-called direct conversion type radiological image detector that directly receives radiation and generates charges. However, the image detector of the present invention is a direct conversion type radiation image detector. The present invention can be applied not only to an image detector but also to a so-called indirect conversion type radiation image detector in which radiation is once converted into light by a phosphor and is irradiated with the light to generate charges.
１０ アクティブマトリックス基板
１１ 電荷収集電極
１２，１０２ 蓄積容量
１３，１０３ ＴＦＴスイッチ
１４ 画素
１５，１０４ 走査配線
１６，１０５ データ配線
２３，１０７ アンプ
２４ 画素データ補間部
４０，１０６ ゲートドライバ
４１ 信号検出器
４２ データ処理回路
５０ コンピュータ
１００，２００ 放射線画像検出器
１０１ センサ素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Active matrix board | substrate 11 Charge collection electrode 12,102 Storage capacity 13,103 TFT switch 14 Pixel 15,104 Scan wiring 16,105 Data wiring 23,107 Amplifier 24 Pixel data interpolation part 40,106 Gate driver 41 Signal detector 42 Data Processing circuit 50 Computer 100, 200 Radiation image detector 101 Sensor element
Claims (4)
該画像検出素子の周囲に配置された複数のダミー検出素子と、
前記画像検出素子と前記ダミー検出素子とに接続され、前記画像検出素子と前記ダミー検出素子とから画素データを取得する信号検出回路と、
前記複数の画像検出素子からなるマトリクスの周縁部分に配置された画像検出素子の画素データを、少なくとも前記ダミー検出素子により取得された画素データに基づいて補正する画素データ補正部とを備えたことを特徴とする画像信号取得装置。 A plurality of image detection elements arranged in a matrix;
A plurality of dummy detection elements arranged around the image detection element;
A signal detection circuit connected to the image detection element and the dummy detection element to obtain pixel data from the image detection element and the dummy detection element;
A pixel data correction unit that corrects pixel data of image detection elements arranged in a peripheral portion of a matrix composed of the plurality of image detection elements based on at least pixel data acquired by the dummy detection elements; A characteristic image signal acquisition apparatus.
前記複数の画像検出素子からなるマトリクスの周縁部分に配置された画像検出素子の画素データを、前記ダミー検出素子により取得された画素データに基づいて補正することを特徴とする画像信号取得方法。 Obtaining pixel data from a plurality of image detection elements arranged in a matrix and a plurality of dummy detection elements arranged around the image detection elements;
An image signal acquisition method comprising: correcting pixel data of an image detection element arranged at a peripheral portion of a matrix composed of the plurality of image detection elements based on pixel data acquired by the dummy detection element.
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