JP2008249741A - Coating forming agent for resist pattern microfabrication and micro resist pattern forming method using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、レジストパターン微細化用被覆形成剤、及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法に関し、特に、近年の半導体デバイスのさらなる微細化に対応し得るレジストパターン微細化用被覆形成剤、及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a resist pattern miniaturization coating forming agent and a fine resist pattern forming method using the same, and in particular, a resist pattern miniaturizing coating forming agent capable of coping with further miniaturization of recent semiconductor devices, and the same. The present invention relates to a method for forming a fine resist pattern using
半導体デバイス、液晶デバイス等の電子部品の製造においては、基板にエッチング等の処理を施す際にホトリソグラフィ技術が用いられている。このホトリソグラフィ技術では、活性放射線に感応するいわゆるホトレジスト材料を用いて基板上に被膜（ホトレジスト層）を設け、次いでこれを活性放射線で選択的に照射して露光し、現像処理を行った後、ホトレジスト層を選択的に溶解除去して、基板上に画像パターン（ホトレジストパターン）を形成する。そして、このホトレジストパターンを保護層（マスクパターン）としてエッチング処理を行うことにより、基板に配線パターンを形成する。 In the manufacture of electronic components such as semiconductor devices and liquid crystal devices, a photolithography technique is used when processing such as etching is performed on a substrate. In this photolithography technique, a coating (photoresist layer) is provided on a substrate using a so-called photoresist material that is sensitive to actinic radiation, then this is selectively irradiated with actinic radiation, exposed, and developed. The photoresist layer is selectively dissolved and removed to form an image pattern (photoresist pattern) on the substrate. Then, an etching process is performed using this photoresist pattern as a protective layer (mask pattern) to form a wiring pattern on the substrate.
近年、半導体デバイスの高集積化、微小化の傾向が高まり、これらホトレジストパターンの形成についても微細化が進み、現在パターン幅１２０ｎｍ以下の超微細加工が要求されている。また、ホトレジストパターン形成に用いられる活性光線も、ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザー光、ＥＢ、ＥＵＶ、軟Ｘ線等の短波長の照射光が利用され、ホトレジストパターン形成材料としてのホトレジスト材料についても、これらの照射光に対応した物性を持つ材料系の研究・開発が行われている。 In recent years, the trend toward higher integration and miniaturization of semiconductor devices has increased, and the formation of these photoresist patterns has progressed, and ultrafine processing with a pattern width of 120 nm or less is currently required. In addition, actinic rays used for forming a photoresist pattern are also irradiated with short-wavelength light such as KrF, ArF excimer laser light, EB, EUV, and soft X-rays. Research and development of material systems with physical properties corresponding to irradiation light are being conducted.
このようなホトレジスト材料の改良からの超微細化対応策に加え、パターン形成方法の面からも、ホトレジスト材料の持つ解像度の限界を超えるパターン微細化技術の研究・開発が行われている。 In addition to countermeasures for ultra-miniaturization due to such improvements in photoresist materials, research and development of pattern miniaturization techniques that exceed the resolution limits of photoresist materials are also being conducted from the aspect of pattern formation methods.
例えば、特許文献１（特開平５−１６６７１７号公報）では、基板上に塗布したパターン形成用レジストに抜きパターンを形成した後、該パターン形成用レジストとミキシングするミキシング生成用レジストを基板全面に塗布した後、ベークして、ミキシング層をパターン形成用レジストの側壁〜表面に形成し、このミキシング生成用レジストの非ミキシング部分を除去して、上記ミキシング層寸法分の微細化を図った抜きパターン形成方法が開示されている。また、特許文献２（特開平５−２４１３４８号公報）では、酸発生剤を含有するレジストパターンを形成した基板上に、酸の存在下で不溶化する樹脂を含むレジストを被着した後、熱処理し、レジストパターンから酸を拡散させてレジストパターンの界面付近に一定厚さのレジスト膜を形成した後、現像して、酸の拡散がされていない樹脂部分を除去することにより、上記一定の厚さ寸法分の微細化を図ったパターン形成方法が開示されている。さらに、特許文献３（特開平１０−０７３９２７号公報）では、酸発生剤を含むレジストパターン上を、酸の存在で架橋する材料を含む材料で覆い、続く加熱又は露光処理によりレジストパターン中に酸を発生させ、界面に生じた架橋層をレジストパターンの被覆層として形成し、レジストパターンを太らせることによりレジストパターンのホール径や分離幅を縮小する方法が開示されている。 For example, in Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-166717), after a pattern is formed on a pattern forming resist applied on a substrate, a mixing generation resist that is mixed with the pattern forming resist is applied to the entire surface of the substrate. Then, baking is performed to form a mixing layer on the side wall to the surface of the resist for pattern formation, and a non-mixing portion of the resist for generating the mixing is removed to form a pattern that is miniaturized by the size of the mixing layer. A method is disclosed. In Patent Document 2 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-241348), a resist containing a resin that is insolubilized in the presence of an acid is deposited on a substrate on which a resist pattern containing an acid generator is formed, and then heat treatment is performed. Then, after the acid is diffused from the resist pattern to form a resist film having a constant thickness near the interface of the resist pattern, development is performed to remove the resin portion where the acid is not diffused, thereby removing the constant thickness. A pattern forming method in which the size is reduced is disclosed. Further, in Patent Document 3 (Japanese Patent Laid-Open No. 10-073927), a resist pattern containing an acid generator is covered with a material containing a material that crosslinks in the presence of an acid, and an acid is contained in the resist pattern by subsequent heating or exposure treatment. A method of reducing the hole diameter and separation width of a resist pattern by forming a cross-linked layer at the interface as a coating layer of the resist pattern and thickening the resist pattern is disclosed.
しかしながら、これらの方法では、ウェーハ面内の熱依存性が十数ｎｍ／℃程度と大きく、大口径化したウェーハ面内において、レジストパターン上に形成される被膜の膜厚を均一に制御することが非常に困難であることから、微細化処理後のレジストパターン寸法のバラツキが顕著にみられるという問題がある。また、微細化処理後のディフェクト（パターン欠陥）の発生を抑止することが困難であり、さらには、レジストパターンの形成をやり直す場合のリワーク処理（一旦形成したレジストパターンをウェーハ上から取り除く処理）が困難であるという問題がある。 However, in these methods, the thermal dependence in the wafer surface is as large as about 10 nm / ° C., and the film thickness of the coating film formed on the resist pattern can be uniformly controlled in the wafer surface having a large diameter. Therefore, there is a problem that the variation of the resist pattern dimension after the miniaturization process is noticeable. Moreover, it is difficult to suppress the occurrence of defects (pattern defects) after the miniaturization process, and furthermore, a rework process (a process of removing the resist pattern once formed from the wafer) when re-forming the resist pattern is performed. There is a problem that it is difficult.
一方、レジストパターンを熱処理等で流動化させ、パターン寸法を微細化する方法も知られている。例えば、特許文献４（特開平１−３０７２２８号公報）では、基板上にレジストパターンを形成した後、熱処理を行って、レジストパターンの断面形状を変形させることにより、微細なパターンを形成する方法が開示されている。また、特許文献５（特開平４−３６４０２１号公報）では、レジストパターンを形成した後、その軟化温度の前後に加熱し、レジストの流動化によりそのパターン寸法を変化させて微細なパターンを形成する方法が開示されている。 On the other hand, a method is also known in which a resist pattern is fluidized by heat treatment or the like to reduce the pattern dimensions. For example, Patent Document 4 (Japanese Laid-Open Patent Publication No. 1-307228) discloses a method of forming a fine pattern by forming a resist pattern on a substrate and then performing heat treatment to deform the cross-sectional shape of the resist pattern. It is disclosed. In Patent Document 5 (Japanese Patent Laid-Open No. 4-340221), after forming a resist pattern, it is heated before and after the softening temperature, and the pattern dimension is changed by fluidizing the resist to form a fine pattern. A method is disclosed.
しかしながら、これらの方法は、熱流動による微細化量の制御が困難であり、微細化処理後に、良好な矩形形状を維持したレジストパターンを得ることが難しく、また、ウェーハ面内に混在する疎密パターンの微細化量を一定に制御することが困難であるという問題がある。 However, in these methods, it is difficult to control the amount of miniaturization by thermal flow, it is difficult to obtain a resist pattern that maintains a good rectangular shape after the miniaturization process, and the dense pattern mixed in the wafer surface There is a problem that it is difficult to control the amount of micronization to be constant.
上記方法をさらに発展させた方法として、例えば特許文献６（特開平７−４５５１０号公報）では、レジストパターンを形成した基板上に、レジストパターンの流動のしすぎを防止するための樹脂膜を形成し、次いで熱処理し、レジストを流動化させてパターン寸法を変化させた後、樹脂を除去して微細化レジストパターンを形成する方法が開示されている。 As a further development of the above method, for example, in Patent Document 6 (Japanese Patent Laid-Open No. 7-45510), a resin film for preventing excessive flow of a resist pattern is formed on a substrate on which a resist pattern is formed. Then, after heat treatment, the resist is fluidized to change the pattern dimension, and then the resin is removed to form a miniaturized resist pattern.
しかしながら、この方法では、微細化処理後に、良好な矩形形状を維持したレジストパターンを得ることが難しく、また、ウェーハ面内に混在する疎密パターンの微細化量を一定に制御することが困難であり、さらには、加熱温度の変動に対するホトレジストパターンの微細化量の変動を抑制することが困難であるという問題がある。 However, with this method, it is difficult to obtain a resist pattern that maintains a good rectangular shape after the miniaturization process, and it is difficult to control the miniaturization amount of the dense pattern mixed in the wafer surface uniformly. Furthermore, there is a problem that it is difficult to suppress the variation in the fineness of the photoresist pattern with respect to the variation in the heating temperature.
さらに、本出願人は、特許文献７〜１２（特開２００３-０８４４５９号公報、特開２００３-０８４４６０号公報、特開２００３-１０７７５２号公報、特開２００３-１４２３８１号公報、特開２００３-１９５５２７号公報、特開２００３-２０２６７９号公報）等において、パターン微細化用被覆形成剤及び微細パターンの形成方法に関する技術を提案している。これら特許文献７〜１２等に示す技術により、パターン寸法の制御性を向上し、微細化処理後のレジストパターンを良好な矩形形状とする等、半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることが可能となった。 Furthermore, the present applicants have disclosed Patent Documents 7 to 12 (JP 2003-084459 A, JP 2003-084460 A, JP 2003-107752 A, JP 2003-142381 A, JP 2003-195527 A). (Patent Publication No. JP-A-2003-202679) and the like have proposed a technique relating to a pattern forming coating forming agent and a method for forming a fine pattern. With the techniques shown in Patent Documents 7 to 12 and the like, a fine pattern having required characteristics in a semiconductor device, such as improving the controllability of pattern dimensions and making the resist pattern after the miniaturization process into a good rectangular shape, etc. Became possible.
これらのパターン微細化用被覆形成剤を用いた微細パターン形成技術では、まず、基板上にホトレジスト層を設け、これを露光・現像してホトレジストパターンを形成する。次いで、基板全面に亘ってパターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、加熱し、該パターン微細化用被覆形成剤の熱収縮作用を利用して、ホトレジストパターンを幅広とする。これにより、ホトレジストパターン間隔が狭められ、該ホトレジストパターン間隔により画定されるパターン幅も狭められ、微細化したパターンが得られる。 In the fine pattern formation technique using these pattern refinement coating forming agents, first, a photoresist layer is provided on a substrate, and this is exposed and developed to form a photoresist pattern. Next, the entire surface of the substrate is coated with a pattern-miniaturizing coating-forming agent, and then heated to make the photoresist pattern wider by utilizing the heat shrinking action of the pattern-miniaturizing coating-forming agent. As a result, the photoresist pattern interval is narrowed, the pattern width defined by the photoresist pattern interval is also narrowed, and a miniaturized pattern is obtained.
すなわち上記パターン微細化では、ホトレジストパターン形成段階（第１段階）と、パターン微細化用被覆形成剤の熱収縮段階（第２段階）の、２つの段階でのレジストパターン寸法制御の影響を受ける。このような手法を用いたレジストパターンの形成においては、第１段階で形成したレジストパターン形状を、第２段階の熱収縮工程において、その形状を維持したまま均一な熱収縮率で収縮させることが必要である。 That is, the pattern miniaturization is affected by resist pattern dimension control in two stages, that is, a photoresist pattern formation stage (first stage) and a thermal shrinkage stage (second stage) of the pattern miniaturization coating forming agent. In forming a resist pattern using such a technique, the resist pattern shape formed in the first stage can be shrunk at a uniform heat shrinkage rate while maintaining the shape in the second stage heat shrinking process. is necessary.
しかしながら、さらなるパターンの微細化要求に伴い、微細化量を向上させ、かつ微細化処理後のレジストパターン形状、及び微細化量のより厳密な制御が求められており、こうした状況下では、これらのパターン微細化用被覆形成剤を用いた微細パターン形成技術であっても、安定したパターン形状や微細化量を得ることが困難であるという問題がある。これに加えて、生産管理や微細化量の管理が容易なパターン微細化用被覆形成剤が必要とされている。本願発明はかかる課題の解決のためのものである。
上述したように、これまで検討されてきた微細レジストパターン形成方法では、近年の半導体デバイスのさらなる微細化に十分に対応することができないのが現状である。このため、近年の半導体デバイスのさらなる微細化に対応し得る微細レジストパターン形成方法、ひいてはそれを可能とするレジストパターン微細化用被覆形成剤を開発することは、当業者に課せられた火急の課題である。 As described above, the fine resist pattern forming methods that have been studied so far cannot sufficiently cope with further miniaturization of recent semiconductor devices. For this reason, it is an urgent problem imposed on those skilled in the art to develop a method for forming a fine resist pattern that can cope with further miniaturization of semiconductor devices in recent years, and thus to develop a coating forming agent for resist pattern miniaturization that makes it possible. It is.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、近年の半導体デバイスのさらなる微細化に対応し得るレジストパターン微細化用被覆形成剤、及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its object is to provide a resist pattern miniaturization coating forming agent that can cope with further miniaturization of semiconductor devices in recent years, and a fine resist pattern forming method using the same. Is to provide.
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、水溶性ポリマーと、少なくとも１以上のヒドラジド基を有するヒドラジド化合物とを含有するレジストパターン微細化用被覆形成剤によれば、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。 The inventors of the present invention have made extensive studies to solve the above problems. As a result, it has been found that the above-described problems can be solved by a coating forming agent for refining a resist pattern containing a water-soluble polymer and a hydrazide compound having at least one hydrazide group, and the present invention has been completed. .
より具体的には、本発明は、レジストパターンを有する基板上に被覆され、微細パターンを形成するために用いられるレジストパターン微細化用被覆形成剤であって、水溶性ポリマー（Ａ）と、少なくとも１以上のヒドラジド基を有するヒドラジド化合物（Ｂ）とを含有することを特徴とするレジストパターン微細化用被覆形成剤を提供する。また、このレジストパターン微細化用被覆形成剤を用いて、レジストパターンを有する基板上に被膜を形成した後、加熱して被膜を熱収縮させることによりレジストパターンの間隔を狭小せしめ、次いで被膜を除去することを特徴とする微細レジストパターン形成方法を提供する。 More specifically, the present invention is a resist pattern miniaturization coating-forming agent that is coated on a substrate having a resist pattern and used to form a fine pattern, comprising a water-soluble polymer (A) and at least A coating forming agent for refining a resist pattern comprising a hydrazide compound (B) having one or more hydrazide groups. In addition, using this resist pattern refinement coating forming agent, after forming a film on a substrate having a resist pattern, the film is thermally contracted by heating to narrow the distance between the resist patterns, and then the film is removed. A method for forming a fine resist pattern is provided.
本発明によれば、近年の半導体デバイスのさらなる微細化に十分に対応し得るべく、微細化量を向上させ、かつ微細化処理後のレジストパターン形状、及び微細化量のより厳密な制御が可能で、さらには、生産管理、微細化量の管理が容易なレジストパターン微細化用被覆形成剤、及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法を提供できる。 According to the present invention, the amount of miniaturization can be improved and the resist pattern shape after the miniaturization process and the amount of miniaturization can be controlled more rigorously in order to sufficiently cope with further miniaturization of semiconductor devices in recent years. Furthermore, it is possible to provide a resist pattern miniaturization coating forming agent that can easily manage production and miniaturization amount, and a fine resist pattern forming method using the same.
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
＜レジストパターン微細化用被覆形成剤＞
本実施形態に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤は、レジストパターンを有する基板上に被覆され、微細パターンを形成するために用いられるものであり、水溶性ポリマー（Ａ）と、少なくとも１以上のヒドラジド基を有するヒドラジド化合物（Ｂ）とを含有することを特徴とする。
<Resist pattern refinement coating forming agent>
The coating forming agent for refining a resist pattern according to the present embodiment is used to form a fine pattern that is coated on a substrate having a resist pattern, and includes at least one water-soluble polymer (A). And a hydrazide compound (B) having a hydrazide group.
［水溶性ポリマー（Ａ）］
本実施形態に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤中に含まれる水溶性ポリマー（Ａ）は、従来公知の水溶性ポリマーを用いることができ、特に限定されない。好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルアルコール、Ｎ−ビニルイミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、及びＮ−アクリロイルモルホリンよりなる群から選ばれる少なくとも１種のモノマーの重合体及び／又は共重合体の中から選ばれる少なくとも１種である。これらの重合体、共重合体は、単独で用いてもよく、２種以上を併用した混合ポリマーであってもよい。
[Water-soluble polymer (A)]
The water-soluble polymer (A) contained in the resist pattern miniaturization coating forming agent according to the present embodiment can be a conventionally known water-soluble polymer, and is not particularly limited. Preferably, acrylic acid, methacrylic acid, N-vinylpyrrolidone, vinyl alcohol, N-vinylimidazolidinone, N, N-dimethylacrylamide, N, N-dimethylaminopropylmethacrylamide, N, N-dimethylaminopropylacrylamide, At least one selected from the group consisting of N-methylacrylamide, diacetoneacrylamide, N, N-dimethylaminoethyl methacrylate, N, N-diethylaminoethyl methacrylate, N, N-dimethylaminoethyl acrylate, and N-acryloylmorpholine It is at least one selected from a polymer and / or copolymer of monomers. These polymers and copolymers may be used alone or in combination of two or more.
上記重合体及び／又は共重合体としては、その構造中に、少なくともカルボニル基（鎖）、酸性水酸基、及びアルコール性水酸基の中から選ばれる少なくとも１種の置換基を有することが好ましく、特には、カルボキシル基を置換基として有することがより好ましい。 The polymer and / or copolymer preferably has at least one substituent selected from at least a carbonyl group (chain), an acidic hydroxyl group, and an alcoholic hydroxyl group in its structure. It is more preferable to have a carboxyl group as a substituent.
また、上記重合体及び／又は共重合体を用いたレジストパターン微細化用被覆形成剤は、ホモポリマーを用いたレジストパターン微細化用被覆形成剤に比して、共重合体又は混合ポリマーを用いた場合、レジストパターン間を近接させる効果が高いうえ、レジストパターン形状の保持効果も高い。このような共重合体又は混合ポリマーにおいては、良好なレジストパターン形状、レジストパターンの微細化効率、水に対する溶解性、経時安定性等の観点から、構成モノマー種、各モノマーの構成比率が選定される。 Further, the resist pattern refinement coating forming agent using the polymer and / or copolymer described above uses a copolymer or a mixed polymer as compared with a resist pattern miniaturizing coating forming agent using a homopolymer. In this case, the effect of bringing the resist patterns close to each other is high, and the effect of maintaining the resist pattern shape is also high. In such a copolymer or mixed polymer, the constituent monomer species and the constituent ratio of each monomer are selected from the viewpoints of good resist pattern shape, resist pattern refinement efficiency, solubility in water, stability over time, etc. The
このような水溶性ポリマー（Ａ）として好ましく用いられるものは、アクリル酸、及びＮ−ビニルピロリドンの中から選ばれる少なくとも１種の重合体及び／又は共重合体である。これらの水溶性ポリマー（Ａ）によれば、後述するヒドラジド化合物（Ｂ）と効果的に相互作用する結果、熱収縮作用（シュリンク作用）が増強され、より微細で良好な形状を有するレジストパターンの形成が可能となる。 What is preferably used as such a water-soluble polymer (A) is at least one polymer and / or copolymer selected from acrylic acid and N-vinylpyrrolidone. According to these water-soluble polymers (A), as a result of effective interaction with the hydrazide compound (B) described later, the heat shrinkage action (shrink action) is enhanced, and the resist pattern having a finer and better shape can be obtained. Formation is possible.
アクリル酸とＮ−ビニルピロリドンとの共重合体においては、アクリル酸とＮ−ビニルピロリドンの構成比率は、本発明の効果が奏される範囲内であれば特に限定されないが、好ましくは、アクリル酸：Ｎ−ビニルピロリドン＝５０：５０〜９９：１（質量比）の範囲である。この範囲内で共重合された共重合体を水溶性ポリマー（Ａ）として用いたレジストパターン微細化用被覆形成剤によれば、より優れた微細化効率、良好なレジストパターン形状が得られる。 In the copolymer of acrylic acid and N-vinyl pyrrolidone, the constituent ratio of acrylic acid and N-vinyl pyrrolidone is not particularly limited as long as the effect of the present invention is exhibited, but preferably acrylic acid : N-vinylpyrrolidone = 50: 50 to 99: 1 (mass ratio). According to the resist pattern miniaturization coating-forming agent using the copolymer copolymerized within this range as the water-soluble polymer (A), more excellent miniaturization efficiency and good resist pattern shape can be obtained.
水溶性ポリマー（Ａ）の分子量としては、本発明の効果が奏される範囲内であれば特に制限はないが、被膜形成性及び熱処理時における耐熱性等の観点から、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定したポリメチルメタクリレート換算の質量平均分子量が１０,０００〜５０,０００の範囲であることが好ましい。 The molecular weight of the water-soluble polymer (A) is not particularly limited as long as it is within the range in which the effects of the present invention can be achieved. From the viewpoints of film formation and heat resistance during heat treatment, etc., gel permeation chromatography method The mass average molecular weight in terms of polymethyl methacrylate measured by (GPC method) is preferably in the range of 10,000 to 50,000.
［ヒドラジド化合物（Ｂ）］
本実施形態に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤中に含まれるヒドラジト化合物（Ｂ）は、少なくとも１以上のヒドラジド基を有することを特徴とする。具体的には、下記一般式（Ｉ）で表される化合物である。
The hydrazide compound (B) contained in the resist pattern miniaturization coating forming agent according to the present embodiment has at least one hydrazide group. Specifically, it is a compound represented by the following general formula (I).
上記式（Ｉ）中、Ｒ１は、直鎖、分岐鎖のいずれでもよく、不飽和結合、環骨格を有していてもよい、炭素原子数１〜１０のアルキレン鎖であるか、又は単結合であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、それぞれ独立に水素原子、又はメチル基を示し、ｎは０又は１を示す。 In the above formula (I), R 1 may be either a straight chain or a branched chain, an unsaturated bond, an alkylene chain having 1 to 10 carbon atoms which may have a ring skeleton, or a single chain. R 2 , R 3 , R 4 , and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and n represents 0 or 1.
上記一般式（Ｉ）で表されるヒドラジド化合物（Ｂ）としては、水溶性のものであれば利用可能であるが、中でも、カルボヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、及びアジピン酸ジヒドラジドよりなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましく用いられる。これらヒドラジド化合物（Ｂ）は、上記水溶性ポリマー（Ａ）と効果的に相互作用する結果、熱収縮作用が増強され、より微細で良好な形状を有するレジストパターンの形成が可能となる。このようなヒドラジド基を有するヒドラジド化合物は、カルボニル基（鎖）、酸性水酸基、及びアルコール性水酸基の中から選ばれる少なくとも１種、特には、カルボニル基（鎖）に対して相互作用性の高い官能基であり、本実施形態に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤においては、特にカルボン酸基等の酸性水酸基に対して相互作用性が高いと推測される。このため、上記水溶性ポリマー（Ａ）のうち、上記置換基を有する水溶性ポリマーを用いた場合には、特に大きな熱収縮作用が生じ、さらなる微細化が可能である。 As the hydrazide compound (B) represented by the general formula (I), any water-soluble hydrazide compound (B) can be used. At least one is preferably used. These hydrazide compounds (B) effectively interact with the water-soluble polymer (A). As a result, the heat shrinkage action is enhanced, and a resist pattern having a finer and better shape can be formed. Such a hydrazide compound having a hydrazide group is at least one selected from a carbonyl group (chain), an acidic hydroxyl group, and an alcoholic hydroxyl group, in particular, a functional group having a high interaction with the carbonyl group (chain). In the resist pattern refinement coating forming agent according to the present embodiment, it is presumed that the interaction property is particularly high with respect to acidic hydroxyl groups such as carboxylic acid groups. For this reason, when the water-soluble polymer having the substituent is used among the water-soluble polymers (A), a particularly large heat shrinking action is generated, and further miniaturization is possible.
また、従来のレジストパターン微細化用被覆形成剤においては、前記（Ａ）成分がイオン交換処理を行った水溶性ポリマーであった場合、すなわち低分子量域を除去した水溶性ポリマーであった場合には、所望の微細化量が得られないか、又はほとんど微細化が起こらないという現象が観察されていた。よって、実際の製品では、水溶性ポリマーのイオン交換処理を行わず、低分子量域を残したままの水溶性ポリマーが使用されていた。ところが、このようなイオン交換未処理の水溶性ポリマーを用いる場合は、その水溶性ポリマーのロット管理、及びレジストパターン微細化用被覆形成剤自体のロット管理が非常に困難であり、これに起因して、レジストパターンの微細化量を所定の範囲内に制御する管理が非常に困難であった。しかしながら、本発明のレジストパターン微細化用被覆形成剤では、上記（Ｂ）成分を配合することにより、水溶性ポリマーをイオン交換処理し、低分子領域が除去された水溶性ポリマーであっても、所望とする微細化量が得られることから、上述のロット管理や微細化量の管理が容易になるという利点を有するものである。 Further, in the conventional resist pattern refinement coating forming agent, when the component (A) is a water-soluble polymer subjected to ion exchange treatment, that is, a water-soluble polymer from which a low molecular weight region has been removed. Has been observed that a desired amount of fineness cannot be obtained or that fineness hardly occurs. Therefore, in the actual product, the water-soluble polymer was used without leaving the low molecular weight region without performing the ion exchange treatment of the water-soluble polymer. However, when such a water-soluble polymer that has not been subjected to ion exchange is used, it is very difficult to manage the lot of the water-soluble polymer and the lot of the coating forming agent itself for refining the resist pattern. Therefore, it has been very difficult to control the amount of refinement of the resist pattern within a predetermined range. However, in the coating forming agent for refining a resist pattern of the present invention, the water-soluble polymer is ion-exchanged by blending the above component (B), and even a water-soluble polymer from which a low molecular region has been removed, Since a desired amount of refinement can be obtained, the above-described lot management and refinement amount management are facilitated.
本実施形態に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤中に含まれる水溶性ポリマー（Ａ）及びヒドラジド化合物（Ｂ）の含有量は、本発明の効果が奏される範囲内であれば特に限定されない。これらの好ましい含有量は、水溶性ポリマー（Ａ）に対して、ヒドラジド化合物（Ｂ）が０．１モル％〜３０モル％であり、より好ましくは、１モル％〜２５モル％である。 The contents of the water-soluble polymer (A) and the hydrazide compound (B) contained in the resist pattern miniaturization coating forming agent according to the present embodiment are not particularly limited as long as the effects of the present invention are exhibited. . These preferable content is 0.1 mol%-30 mol% with respect to water-soluble polymer (A), More preferably, it is 1 mol%-25 mol%.
本発明のレジストパターン微細化用被覆形成剤は、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含有してなる水溶液として通常用いられる。この被覆形成剤は、その固形分質量濃度を３〜５０質量％として用いるのが好ましく、５〜２０質量％の水溶液として用いるのがより好ましい。 The coating forming agent for refining a resist pattern of the present invention is usually used as an aqueous solution containing the above components (A) and (B). This coating forming agent is preferably used as a solid content mass concentration of 3 to 50 mass%, more preferably 5 to 20 mass%.
なお、水溶液として用いることが好ましいが、本発明の効果を損なわない範囲であれば、水とアルコール系溶媒との混合溶媒としてもよい。このようなアルコール系溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−ブチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、２，３−ブチレングリコール等が挙げられる。これらのアルコール系溶媒は、水１００質量部に対して３０質量部を上限として混合して用いられる。 In addition, although using as aqueous solution is preferable, as long as the effect of this invention is not impaired, it is good also as a mixed solvent of water and an alcohol solvent. Examples of such alcohol solvents include methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, isopropyl alcohol, glycerin, ethylene glycol, propylene glycol, 1,2-butylene glycol, 1,3-butylene glycol, and 2,3-butylene. Glycol and the like. These alcohol solvents are used by mixing 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of water.
さらに、本実施形態に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤は、本発明の効果が奏される範囲内で、所望により上記（Ａ）以外の水溶性ポリマーを適宜含有することができる。このような水溶性ポリマーとしては、セルロース誘導体、アルキレングリコール系重合体、尿素系重合体、メラミン系重合体等が挙げられる。 Furthermore, the coating forming agent for refining a resist pattern according to the present embodiment can appropriately contain a water-soluble polymer other than the above (A) as desired within the range where the effects of the present invention are exhibited. Examples of such water-soluble polymers include cellulose derivatives, alkylene glycol polymers, urea polymers, melamine polymers, and the like.
前記セルロース誘導体としては、例えば、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースヘキサヒドロフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートサクシネート、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロール、セルロールアセテートヘキサヒドロフタレート、カルボキシメチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロース等が挙げられる。前記アルキレングリコール系重合体としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール等の付加重合体又は付加共重合体が挙げられる。前記尿素系重合体としては、例えば、メチロール化尿素、ジメチロール化尿素、エチレン尿素等の重合体が挙げられる。メラミン系重合体としては、例えばメトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミン、メトキシエチル化メラミン等の重合体がそれぞれ挙げられる。これらの他、水溶性のエポキシ系重合体やアミド系重合体を用いることもできる。これらの水溶性ポリマーは、単独で用いてもよく、２種以上を混合して併用してもよい。 Examples of the cellulose derivative include hydroxypropylmethylcellulose phthalate, hydroxypropylmethylcellulose acetate phthalate, hydroxypropylmethylcellulose hexahydrophthalate, hydroxypropylmethylcellulose acetate succinate, hydroxypropylmethylcellulose, hydroxypropylcellulose, hydroxyethylcellulose, cellulose acetate hexa Hydrophthalate, carboxymethylcellulose, ethylcellulose, methylcellulose and the like can be mentioned. Examples of the alkylene glycol-based polymer include addition polymers or addition copolymers such as ethylene glycol, propylene glycol, and butylene glycol. Examples of the urea polymer include polymers such as methylolated urea, dimethylolated urea, and ethyleneurea. Examples of the melamine polymer include polymers such as methoxymethylated melamine, methoxymethylated isobutoxymethylated melamine, and methoxyethylated melamine. In addition to these, water-soluble epoxy polymers and amide polymers can also be used. These water-soluble polymers may be used alone or in combination of two or more.
また、本発明では、被覆形成剤に対して、必要に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、以下の水溶性架橋剤、界面活性剤、水溶性フッ素化合物、アミド基含有モノマー、少なくとも酸素原子及び／又は窒素原子を有する複素環式化合物、少なくとも同一環内に２個以上の窒素原子を有する複素環式化合物、水溶性アミン化合物、非アミン系水溶性有機溶媒等を配合してもよい。このような任意に添加される成分としては、例えば以下のようなものが挙げられる。 Further, in the present invention, the following water-soluble crosslinking agent, surfactant, water-soluble fluorine compound, amide group-containing monomer, at least as long as the effect of the present invention is not impaired, as necessary, for the coating forming agent A heterocyclic compound having an oxygen atom and / or a nitrogen atom, a heterocyclic compound having at least two nitrogen atoms in the same ring, a water-soluble amine compound, a non-amine water-soluble organic solvent, etc. Good. Examples of such optionally added components include the following.
〔水溶性架橋剤〕
水溶性架橋剤としては、少なくとも２個の水素原子がヒドロキシアルキル基及び／又はアルコキシアルキル基で置換された、アミノ基及び／又はイミノ基を有する含窒素化合物が好ましく用いられる。これら含窒素化合物としては、例えば、アミノ基の水素原子がメチロール基又はアルコシキメチル基、あるいはその両方で置換された、メラミン系誘導体、尿素系誘導体、グアナミン系誘導体、アセトグアナミン系誘導体、ベンゾグアナミン系誘導体、スクシニルアミド系誘導体や、イミノ基の水素原子が置換されたグリコールウリル系誘導体、エチレン尿素系誘導体等を挙げることができる。
(Water-soluble crosslinking agent)
As the water-soluble crosslinking agent, a nitrogen-containing compound having an amino group and / or an imino group in which at least two hydrogen atoms are substituted with a hydroxyalkyl group and / or an alkoxyalkyl group is preferably used. Examples of these nitrogen-containing compounds include melamine derivatives, urea derivatives, guanamine derivatives, acetoguanamine derivatives, benzoguanamine derivatives in which a hydrogen atom of an amino group is substituted with a methylol group, an alkoxymethyl group, or both. Derivatives, succinylamide derivatives, glycoluril derivatives in which a hydrogen atom of an imino group is substituted, ethyleneurea derivatives, and the like.
これら含窒素化合物の中でも、架橋反応性の点から、少なくとも２個の水素原子がメチロール基、又は炭素原子数１〜６の低級アルコキシメチル基、あるいはその両方で置換された、アミノ基及び／又はイミノ基を有する、ベンゾグアナミン系誘導体、グアナミン系誘導体、メラミン系誘導体等のトリアジン誘導体、グリコールウリル系誘導体、及び尿素系誘導体のうちの１種以上が好ましい。 Among these nitrogen-containing compounds, from the viewpoint of crosslinking reactivity, at least two hydrogen atoms are substituted with a methylol group, a lower alkoxymethyl group having 1 to 6 carbon atoms, or both, an amino group and / or One or more of triazine derivatives such as benzoguanamine derivatives, guanamine derivatives, melamine derivatives, glycoluril derivatives, and urea derivatives having an imino group are preferred.
このような水溶性架橋剤を添加する場合の添加量は、被覆形成剤の固形分中、１〜３５質量％程度に調整することが好ましい。 When such a water-soluble crosslinking agent is added, the addition amount is preferably adjusted to about 1 to 35% by mass in the solid content of the coating forming agent.
〔界面活性剤〕
界面活性剤としては、上記水溶性ポリマー（Ａ）に対し溶解性が高く、懸濁を発生しない等の特性が必要である。このような特性を満たす界面活性剤を用いることにより、特に被覆形成剤を塗布する際の気泡（マイクロフォーム）発生を抑えることができ、このマイクロフォーム発生と関係があるとされるディフェクトの発生をより効果的に防止することができる。上記の点から、Ｎ−アルキルピロリドン系界面活性剤、第４級アンモニウム塩系界面活性剤、ポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤、ノニオン性界面活性剤のうちの１種以上が好ましく用いられる。
[Surfactant]
The surfactant needs to have properties such as high solubility in the water-soluble polymer (A) and no suspension. By using a surfactant that satisfies these characteristics, it is possible to suppress the generation of bubbles (microfoam), particularly when applying a coating forming agent, and to prevent the occurrence of defects that are related to the occurrence of microfoam. It can prevent more effectively. From the above points, one or more of N-alkylpyrrolidone surfactants, quaternary ammonium salt surfactants, polyoxyethylene phosphate ester surfactants, and nonionic surfactants are preferably used. It is done.
上記Ｎ−アルキルピロリドン系界面活性剤としては、下記一般式（１）で表されるものが好ましい。
上記一般式（１）中、Ｒ２０は、炭素原子数６以上のアルキル基を示す。 In the general formula (1), R 20 represents an alkyl group having 6 or more carbon atoms.
かかるＮ−アルキルピロリドン系界面活性剤として、具体的には、Ｎ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプチル−２−ピロリドン、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン、Ｎ−ノニル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−ウンデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ドデシル−２−ピロリドン、Ｎ−トリデシル−２−ピロリドン、Ｎ−テトラデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ペンタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキサデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−オクタデシル−２−ピロリドン等が挙げられる。中でも、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン（「ＳＵＲＦＡＤＯＮＥ ＬＰ１００」；ＩＳＰ社製）が好ましく用いられる。 Specific examples of such N-alkylpyrrolidone surfactants include N-hexyl-2-pyrrolidone, N-heptyl-2-pyrrolidone, N-octyl-2-pyrrolidone, N-nonyl-2-pyrrolidone, N- Decyl-2-pyrrolidone, N-decyl-2-pyrrolidone, N-undecyl-2-pyrrolidone, N-dodecyl-2-pyrrolidone, N-tridecyl-2-pyrrolidone, N-tetradecyl-2-pyrrolidone, N-pentadecyl- Examples include 2-pyrrolidone, N-hexadecyl-2-pyrrolidone, N-heptadecyl-2-pyrrolidone, and N-octadecyl-2-pyrrolidone. Among these, N-octyl-2-pyrrolidone (“SURFADONE LP100”; manufactured by ISP) is preferably used.
上記第４級アンモニウム系界面活性剤としては、下記一般式（２）で表されるものが好ましい。
上記一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４は、それぞれ独立に、アルキル基又はヒドロキシアルキル基を示し（ただし、そのうちの少なくとも１つは炭素原子数６以上のアルキル基又はヒドロキシアルキル基を示す）、Ｘ−は水酸化物イオン又はハロゲンイオンを示す。 In the general formula (2), R 21 , R 22 , R 23 and R 24 each independently represent an alkyl group or a hydroxyalkyl group (however, at least one of them is an alkyl group having 6 or more carbon atoms) Or a hydroxyalkyl group), X − represents a hydroxide ion or a halogen ion.
かかる第４級アンモニウム系界面活性剤として、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、トリデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ペンタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ヘプタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、オクタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。中でも、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましく用いられる。 Specific examples of the quaternary ammonium surfactant include dodecyltrimethylammonium hydroxide, tridecyltrimethylammonium hydroxide, tetradecyltrimethylammonium hydroxide, pentadecyltrimethylammonium hydroxide, hexadecyltrimethylammonium hydroxide, Examples include heptadecyltrimethylammonium hydroxide and octadecyltrimethylammonium hydroxide. Of these, hexadecyltrimethylammonium hydroxide is preferably used.
上記ポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤としては、下記一般式（３）で表されるものが好ましい。
上記一般式（３）中、Ｒ２５は、炭素原子数１〜１０のアルキル基又はアルキルアリル基を示し、Ｒ２６は、水素原子又は（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）Ｒ２５（Ｒ２５は上記で定義したとおり）を示し、ｘは１〜２０の整数を示す。 In the general formula (3), R 25 represents an alkyl group or an alkyl aryl group having 1 to 10 carbon atoms, R 26 is a hydrogen atom or a (CH 2 CH 2 O) R 25 (R 25 in the above And x represents an integer of 1 to 20.
かかるポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤としては、具体的には「プライサーフＡ２１２Ｅ」、「プライサーフＡ２１０Ｇ」（以上、いずれも第一工業製薬（株）製）等として市販されているものを好適に用いることができる。 Specifically, such polyoxyethylene phosphate ester surfactants are commercially available as "Plisurf A212E", "Plysurf A210G" (all of which are manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.). A thing can be used suitably.
上記ノニオン性界面活性剤としては、ポリオキシアルキレンのアルキルエーテル化物又はアルキルアミンオキシド化合物であることが好ましい。 The nonionic surfactant is preferably a polyoxyalkylene alkyl ether or an alkylamine oxide compound.
上記ポリオキシアルキレンのアルキルエーテル化物としては、下記一般式（４）又は（５）で表される化合物が好ましく用いられる。
上記一般式（４）、（５）において、Ｒ２７及びＲ２８は、炭素原子数１〜２２の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基、水酸基を有するアルキル基、又はアルキルフェニル基を示す。Ａ０は、オキシアルキレン基であり、オキシエチレン、オキシプロピレン、及びオキシブチレン基の中から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。ｙは整数である。 In the general formulas (4) and (5), R 27 and R 28 are each a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, an alkyl group having a hydroxyl group, or an alkylphenyl group. Indicates. A 0 is an oxyalkylene group, and is preferably at least one selected from oxyethylene, oxypropylene, and oxybutylene groups. y is an integer.
アルキルアミンオキシド化合物としては、下記一般式（６）又は（７）で表される化合物が好ましく用いられる。
上記一般式（６）、（７）において、Ｒ２９は、酸素原子で中断されていてもよい炭素原子数８〜２０のアルキル基又はヒドロキシアルキル基を示し、ｐ及びｑは１〜５の整数を示す。 In the general formulas (6) and (7), R 29 represents an alkyl group or hydroxyalkyl group having 8 to 20 carbon atoms which may be interrupted by an oxygen atom, and p and q are integers of 1 to 5. Indicates.
上記一般式（６）、（７）で表されるアルキルアミンオキシド化合物としては、オクチルジメチルアミンオキシド、ドデシルジメチルアミンオキシド、デシルジメチルアミンオキシド、ラウリルジメチルアミンオキシド、セチルジメチルアミンオキシド、ステアリルジメチルアミンオキシド、イソヘキシルジエチルアミンオキシド、ノニルジエチルアミンオキシド、ラウリルジエチルアミンオキシド、イソペンタデシルメチルエチルアミンオキシド、ステアリルメチルプロピルアミンオキシド、ラウリルジ（ヒドロキシエチル）アミンオキシド、セチルジエタノールアミンオキシド、ステアリルジ（ヒドロキシエチル）アミンオキシド、ドデシルオキシエトキシエトキシエチルジ（メチル）アミンオキシド、ステアリルオキシエチルジ（メチル）アミンオキシド等が挙げられる。 Examples of the alkylamine oxide compounds represented by the general formulas (6) and (7) include octyldimethylamine oxide, dodecyldimethylamine oxide, decyldimethylamine oxide, lauryldimethylamine oxide, cetyldimethylamine oxide, stearyldimethylamine oxide. , Isohexyl diethylamine oxide, nonyl diethylamine oxide, lauryl diethylamine oxide, isopentadecylmethylethylamine oxide, stearylmethylpropylamine oxide, lauryldi (hydroxyethyl) amine oxide, cetyldiethanolamine oxide, stearyldi (hydroxyethyl) amine oxide, dodecyloxy Ethoxyethoxyethyl di (methyl) amine oxide, stearyloxyethyl di (methyl) ) Amine oxides, and the like.
これらの界面活性剤の中でも、特にディフェクト低減の点からは、ノニオン性界面活性剤が好ましく用いられる。 Among these surfactants, nonionic surfactants are preferably used particularly from the viewpoint of reducing defects.
このような界面活性剤を添加する場合の添加量は、被覆形成剤の固形分中、１ｐｐｍ〜１０質量％程度とするのが好ましく、より好ましくは１００ｐｐｍ〜２質量％程度に調整することが好ましい。 In the case of adding such a surfactant, the amount added is preferably about 1 ppm to 10% by mass, more preferably about 100 ppm to 2% by mass in the solid content of the coating forming agent. .
〔水溶性フッ素化合物〕
水溶性フッ素化合物としては、上記水溶性ポリマー（Ａ）に対し溶解性が高く、懸濁を発生しない等の特性が必要である。このような特性を満たす水溶性フッ素化合物を用いることにより、さらにレベリング性（被覆形成剤の広がり度合い）を向上させることができる。このレベリング性は、界面活性剤の過剰量添加による接触角の引き下げにより達成することも可能であるが、界面活性剤添加量を過剰にした場合、ある一定以上の塗布向上性が認められないばかりか、過剰量とすることにより、塗布した際に被覆膜上に気泡（マイクロフォーム）が発生し、ディフェクトの原因となり得るという問題がある。この水溶性フッ素化合物を配合することにより、そのような発泡を抑制しつつ、接触角を下げ、レベリング性を向上させることができる。
[Water-soluble fluorine compound]
The water-soluble fluorine compound needs to have characteristics such as high solubility in the water-soluble polymer (A) and no suspension. By using a water-soluble fluorine compound that satisfies such characteristics, the leveling property (the degree of spread of the coating forming agent) can be further improved. This leveling property can be achieved by lowering the contact angle by adding an excessive amount of surfactant. However, when the surfactant addition amount is excessive, a certain level of coating improvement is not observed. However, if the amount is excessive, bubbles (microfoam) are generated on the coating film when applied, which may cause defects. By blending this water-soluble fluorine compound, the contact angle can be lowered and the leveling property can be improved while suppressing such foaming.
かかる水溶性フッ素化合物としては、フルオロアルキルアルコール類、フルオロアルキルカルボン酸類等が好ましく用いられる。フルオロアルキルアルコール類としては、２−フルオロ−１−エタノール、２，２−ジフルオロ−１−エタノール、トリフルオロエタノール、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロアミルアルコール等が挙げられる。フルオロアルキルカルボン酸類としては、トリフルオロ酢酸等が挙げられる。ただし、これら例示に限定されるものではなく、水溶性を有するフッ素化物であって、上述の効果を奏するものであれば限定されない。特には、炭素原子数６以下のフルオロアルキルアルコール類が好ましく用いられる。中でも入手しやすさ等の点から、トリフルオロエタノールが特に好ましい。 As such a water-soluble fluorine compound, fluoroalkyl alcohols, fluoroalkylcarboxylic acids and the like are preferably used. Examples of fluoroalkyl alcohols include 2-fluoro-1-ethanol, 2,2-difluoro-1-ethanol, trifluoroethanol, tetrafluoropropanol, and octafluoroamyl alcohol. Examples of the fluoroalkylcarboxylic acids include trifluoroacetic acid. However, it is not limited to these examples, and is not limited as long as it is a fluorinated material having water solubility and exhibits the above-described effects. In particular, fluoroalkyl alcohols having 6 or less carbon atoms are preferably used. Of these, trifluoroethanol is particularly preferable from the viewpoint of availability.
このような水溶性フッ素化合物を添加する場合の添加量は、被覆形成剤の固形分中、０．１〜３０質量％程度とするのが好ましく、特には０．１〜１５質量％程度に調整することが好ましい。 In the case of adding such a water-soluble fluorine compound, the addition amount is preferably about 0.1 to 30% by mass in the solid content of the coating forming agent, and particularly adjusted to about 0.1 to 15% by mass. It is preferable to do.
〔アミド基含有モノマー〕
アミド基含有モノマーとしては、特に限定されるものではないが、上記水溶性ポリマー（Ａ）に対し溶解性が高く、懸濁を発生しない等の特性が必要である。
(Amide group-containing monomer)
Although it does not specifically limit as an amide group containing monomer, The property of being highly soluble with respect to the said water-soluble polymer (A) and not generating suspension is required.
かかるアミド基含有モノマーとしては、下記一般式（８）で表されるアミド化合物が好ましく用いられる。
上記一般式（８）において、Ｒ３０は、水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基、又はヒドロキシアルキル基を示し、Ｒ３１は、炭素原子数１〜５のアルキル基を示し、Ｒ３２は、水素原子又はメチル基を示し、ｚは０〜５の整数を示す。上記においてアルキル基、ヒドロキシアルキル基は直鎖、分岐鎖のいずれも含む。 In the general formula (8), R 30 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a hydroxyalkyl group, R 31 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and R 32 Represents a hydrogen atom or a methyl group, and z represents an integer of 0 to 5. In the above, the alkyl group and the hydroxyalkyl group include both linear and branched chains.
上記一般式（８）中、Ｒ３０が水素原子、メチル基、又はエチル基を示し、ｚが０であるアミド基含有モノマーがより好ましく用いられる。このようなアミド基含有モノマーとしては、具体的には、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−エチルアクリルアミド、Ｎ−エチルメタクリルアミド等が挙げられる。中でも、アクリルアミド、メタクリルアミドが特に好ましい。 In the general formula (8), an amide group-containing monomer in which R 30 represents a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group and z is 0 is more preferably used. Specific examples of the amide group-containing monomer include acrylamide, methacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N, N-dimethylmethacrylamide, N, N-diethylacrylamide, N, N-diethylmethacrylamide, N-methyl acrylamide, N-methyl methacrylamide, N-ethyl acrylamide, N-ethyl methacrylamide, etc. are mentioned. Of these, acrylamide and methacrylamide are particularly preferable.
このようなアミド基含有モノマーを添加する場合の添加量は、被覆形成剤の固形分中、０．１〜３０質量％程度とするのが好ましく、特には１〜１５質量％程度に調整することが好ましい。 The addition amount in the case of adding such an amide group-containing monomer is preferably about 0.1 to 30% by mass, particularly about 1 to 15% by mass in the solid content of the coating forming agent. Is preferred.
〔少なくとも酸素原子及び／又は窒素原子を有する複素環式化合物〕
少なくとも酸素原子及び／又は窒素原子を有する複素環式化合物を配合してもよい。このような複素環式化合物としては、オキサゾリジン骨格を有する化合物、オキサゾリン骨格を有する化合物、オキサゾリドン骨格を有する化合物、及びオキサゾリジノン骨格を有する化合物の中から選ばれる少なくとも１種が好ましく用いられる。
[Heterocyclic compound having at least oxygen atom and / or nitrogen atom]
You may mix | blend the heterocyclic compound which has an oxygen atom and / or a nitrogen atom at least. As such a heterocyclic compound, at least one selected from a compound having an oxazolidine skeleton, a compound having an oxazoline skeleton, a compound having an oxazolidone skeleton, and a compound having an oxazolidinone skeleton is preferably used.
上記オキサゾリジン骨格を有する化合物としては、下記化学式（９）で表されるオキサゾリンのほか、その置換体が挙げられる。
該置換体としては、上記化学式（９）で表されるオキサゾリンの炭素原子あるいは窒素原子に結合する水素原子が、炭素原子数１〜６の置換若しくは未置換の低級アルキル基、カルボキシル基、水酸基、ハロゲン基で置換された化合物が挙げられる。上記置換された低級アルキル基としては、ヒドロキシアルキル基、低級アルコキシアルキル基等が挙げられるが、これら例示に限定されるものではない。 As the substituent, the hydrogen atom bonded to the carbon atom or nitrogen atom of the oxazoline represented by the chemical formula (9) is a substituted or unsubstituted lower alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a carboxyl group, a hydroxyl group, Examples thereof include compounds substituted with a halogen group. Examples of the substituted lower alkyl group include a hydroxyalkyl group and a lower alkoxyalkyl group, but are not limited to these examples.
上記オキサゾリン骨格を有する化合物としては、下記化学式（８−１）で表される２−オキサゾリン、化学式（８−２）で表される３−オキサゾリン、化学式（８−３）で表される４−オキサゾリンのほか、それらの置換体が挙げられる。
該置換体としては、上記化学式（８−１）〜（８−３）で表されるオキサゾリン骨格を有する化合物の炭素原子あるいは窒素原子に結合する水素原子が、炭素原子数１〜６の置換若しくは未置換の低級アルキル基、カルボキシル基、水酸基、ハロゲン基で置換された化合物が挙げられる。上記置換された低級アルキル基としては、ヒドロキシアルキル基、低級アルコキシアルキル基等が挙げられるが、これら例示に限定されるものではない。 As the substituent, a hydrogen atom bonded to a carbon atom or a nitrogen atom of the compound having an oxazoline skeleton represented by the above chemical formulas (8-1) to (8-3) is substituted or substituted with 1 to 6 carbon atoms. Examples thereof include compounds substituted with an unsubstituted lower alkyl group, a carboxyl group, a hydroxyl group, and a halogen group. Examples of the substituted lower alkyl group include a hydroxyalkyl group and a lower alkoxyalkyl group, but are not limited to these examples.
上記オキサゾリン骨格を有する化合物の中でも、下記化学式（８−１−Ａ）で表される２−メチル−２−オキサゾリンが好ましく用いられる。
上記オキサゾリドン骨格を有する化合物としては、下記化学式（９−１）で表される５（４）−オキサゾロン、下記化学式（９−２）で表される５（２）−オキサゾロン、下記化学式（９−３）で表される４（５）−オキサゾロン、下記化学式（９−４）で表される２（５）−オキサゾロン、下記化学式（９−５）で表される２（３）−オキサゾロンのほか、それらの置換体が挙げられる。 Examples of the compound having an oxazolidone skeleton include 5 (4) -oxazolone represented by the following chemical formula (9-1), 5 (2) -oxazolone represented by the following chemical formula (9-2), and the following chemical formula (9- In addition to 4 (5) -oxazolone represented by 3), 2 (5) -oxazolone represented by the following chemical formula (9-4), 2 (3) -oxazolone represented by the following chemical formula (9-5) , And their substitutes.
該置換体としては、上記化学式（９−１）〜（９−５）で表されるオキサゾリドン骨格を有する化合物の炭素原子あるいは窒素原子に結合する水素原子が、炭素原子数１〜６の置換若しくは未置換の低級アルキル基、カルボキシル基、水酸基、ハロゲン基で置換された化合物が挙げられる。上記置換された低級アルキル基としては、ヒドロキシアルキル基、低級アルコキシアルキル基等が挙げられるが、これら例示に限定されるものではない。 As the substituent, a hydrogen atom bonded to a carbon atom or a nitrogen atom of the compound having an oxazolidone skeleton represented by the above chemical formulas (9-1) to (9-5) is substituted or substituted with 1 to 6 carbon atoms. Examples thereof include compounds substituted with an unsubstituted lower alkyl group, a carboxyl group, a hydroxyl group, and a halogen group. Examples of the substituted lower alkyl group include a hydroxyalkyl group and a lower alkoxyalkyl group, but are not limited to these examples.
上記オキサゾリジノン骨格を有する化合物（又は２−オキサゾリドン骨格を有する化合物）としては、下記化学式（１０）で表されるオキサゾリジノン（又は２−オキサゾリドン）のほか、その置換体が挙げられる。
該置換体としては、上記化学式（１０）で表されるオキサゾリジノン（又は２−オキサゾリドン）の炭素原子あるいは窒素原子に結合する水素原子が、炭素原子数１〜６の置換若しくは未置換の低級アルキル基、カルボキシル基、水酸基、ハロゲン基で置換された化合物が挙げられる。上記置換された低級アルキル基としては、ヒドロキシアルキル基、（低級アルコキシ）アルキル基等が挙げられるが、これら例示に限定されるものではない。 Examples of the substituent include a substituted or unsubstituted lower alkyl group in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom or nitrogen atom of the oxazolidinone (or 2-oxazolidone) represented by the chemical formula (10) is 1 to 6 carbon atoms. , A compound substituted with a carboxyl group, a hydroxyl group or a halogen group. Examples of the substituted lower alkyl group include a hydroxyalkyl group and a (lower alkoxy) alkyl group, but are not limited to these examples.
該オキサゾリジノン骨格を有する化合物の中でも、下記化学式（１０−１）で表される３−メチル−２−オキサゾリドンが好ましく用いられる。
このような少なくとも酸素原子及び／又は窒素原子を有する複素環式化合物を添加する場合の添加量は、上記水溶性ポリマー（Ａ）に対し、１〜５０質量％とするのが好ましく、より好ましくは３〜２０質量％に調整することが好ましい。 The addition amount in the case of adding such a heterocyclic compound having at least an oxygen atom and / or a nitrogen atom is preferably 1 to 50% by mass, more preferably based on the water-soluble polymer (A). It is preferable to adjust to 3-20 mass%.
〔少なくとも同一環内に２個以上の窒素原子を有する複素環式化合物〕
少なくとも同一環内に２個以上の窒素原子を有する複素環式化合物としては、ピラゾール、３，５−ジメチルピラゾール、２−ピラゾリン、５−ピラゾロン、３−メチル−１−フェニル−５−ピラゾロン、２，３−ジメチル−１−フェニル−５−ピラゾロン、２，３−ジメチル−４−ジメチルアミノ−１−フェニル−５−ピラゾロン、ベンゾピラゾール等のピラゾール系化合物；イミダゾール、メチルイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、４−（２−アミノエチル）イミダゾール、２−アミノ−３−（４−イミダゾリル）プロピオン酸等のイミダゾール系化合物；２−イミダゾリン、２，４，５−トリフェニル−２−イミダゾリン、２−（１−ナフチルメチル）−２−イミダゾリン等のイミダゾリン系化合物；イミダゾリジン、２−イミダゾリドン、２，４−イミダゾリジンジオン、１−メチル−２，４−イミダゾリジンジオン、５−メチル−２，４−イミダゾリジンジオン、５−ヒドロキシ−２，４−イミダゾリジンジオン−５−カルボン酸、５−ウレイド−２，４−イミダゾリジンジオン、２−イミノ−１−メチル−４−イミダゾリドン、２−チオキソ−４−イミダゾリドン等のイミダゾリジン系化合物；ベンゾイミダゾール、２−フェニルベンゾイミダゾール、２−ベンゾイミダゾリノン等のベンゾイミダゾール系化合物；１，２−ジアジン、１，３−ジアジン、１，４−ジアジン、２，５−ジメチルピラジン等のジアジン系化合物；２，４（１Ｈ，３Ｈ）ピリミジンジオン、５−メチルウラシル、５−エチル−５−フェニル−４，６−パーヒドロピリミジンジオン、２−チオキソ−４（１Ｈ，３Ｈ）−ピリミジノン、４−イミノ−２（１Ｈ，３Ｈ）−ピリミジン、２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−ピリミジントリオン等のヒドロピリミジン系化合物；シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、ルミノール等のベンゾジアジン系化合物；ベンゾシノリン、フェナジン、５，１０−ジヒドロフェナジン等のジベンゾジアジン系化合物；１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、４−アミノ−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール系化合物；ベンゾトリアゾール、５−メチルベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール系化合物；１，３，５−トリアジン、１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリオール、２，４，６−トリメトキシ−１，３，５−トリアジン、１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリチオール、１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリアミン、４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン−２−オール等のトリアジン系化合物、等が挙げられるが、これら例示に限定されるものではない。
[Heterocyclic compound having at least two nitrogen atoms in the same ring]
Examples of the heterocyclic compound having at least two nitrogen atoms in the same ring include pyrazole, 3,5-dimethylpyrazole, 2-pyrazoline, 5-pyrazolone, 3-methyl-1-phenyl-5-pyrazolone, 2 , 3-dimethyl-1-phenyl-5-pyrazolone, 2,3-dimethyl-4-dimethylamino-1-phenyl-5-pyrazolone, pyrazole compounds such as benzopyrazole; imidazole, methylimidazole, 2,4,5 -Imidazole compounds such as triphenylimidazole, 4- (2-aminoethyl) imidazole, 2-amino-3- (4-imidazolyl) propionic acid; 2-imidazoline, 2,4,5-triphenyl-2-imidazoline Imidazoline compounds such as 2- (1-naphthylmethyl) -2-imidazoline; , 2-imidazolidone, 2,4-imidazolidinedione, 1-methyl-2,4-imidazolidinedione, 5-methyl-2,4-imidazolidinedione, 5-hydroxy-2,4-imidazolidinedione- Imidazolidine compounds such as 5-carboxylic acid, 5-ureido-2,4-imidazolidinedione, 2-imino-1-methyl-4-imidazolidone, 2-thioxo-4-imidazolidone; benzimidazole, 2-phenylbenzo Benzimidazole compounds such as imidazole and 2-benzimidazolinone; diazine compounds such as 1,2-diazine, 1,3-diazine, 1,4-diazine and 2,5-dimethylpyrazine; 2,4 (1H, 3H) pyrimidinedione, 5-methyluracil, 5-ethyl-5-phenyl-4,6-perhydropyrimi Hydropyrimidine compounds such as 2-dithione, 2-thioxo-4 (1H, 3H) -pyrimidinone, 4-imino-2 (1H, 3H) -pyrimidine, 2,4,6 (1H, 3H, 5H) -pyrimidinetrione; Benzodiazine compounds such as cinnoline, phthalazine, quinazoline, quinoxaline, and luminol; dibenzodiazine compounds such as benzocinoline, phenazine, and 5,10-dihydrophenazine; 1H-1,2,3-triazole, 1H-1,2,4 -Triazole compounds such as triazole and 4-amino-1,2,4-triazole; benzotriazole compounds such as benzotriazole and 5-methylbenzotriazole; 1,3,5-triazine, 1,3,5-triazine -2,4,6-triol, 2,4,6-trimethoxy-1,3,5 -Triazine, 1,3,5-triazine-2,4,6-trithiol, 1,3,5-triazine-2,4,6-triamine, 4,6-diamino-1,3,5-triazine-2 -Although triazine type compounds, such as ol, etc. are mentioned, it is not limited to these illustrations.
中でも、取り扱いが容易であり、さらには入手が容易である、等の点から、イミダゾール系化合物の単量体が好ましく用いられ、特にはイミダゾールが好ましく用いられる。 Among these, from the viewpoints of easy handling and availability, imidazole compound monomers are preferably used, and imidazole is particularly preferably used.
このような少なくとも同一環内に２個以上の窒素原子を有する複素環式化合物を添加する場合の添加量は、上記水溶性ポリマー（Ａ）に対し、１〜１５質量％程度とするのが好ましく、より好ましくは２〜１０質量％程度に調整することが好ましい。 The addition amount in the case of adding such a heterocyclic compound having at least two nitrogen atoms in the same ring is preferably about 1 to 15% by mass with respect to the water-soluble polymer (A). More preferably, it is preferably adjusted to about 2 to 10% by mass.
〔水溶性アミン化合物〕
このような水溶性アミン化合物を用いることにより、さらに不純物発生防止、ｐＨ調整等が可能となる。
[Water-soluble amine compound]
By using such a water-soluble amine compound, it becomes possible to further prevent generation of impurities, adjust pH, and the like.
かかる水溶性アミン化合物としては、２５℃の水溶液におけるｐＫａ（酸解離定数）が７．５〜１３のアミン類が挙げられる。具体的には、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類；ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、１，４−ブタンジアミン、Ｎ−エチル−エチレンジアミン、１，２−プロパンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン等のポリアルキレンポリアミン類；２−エチル−ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン類；ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミン類；ピペラジン、Ｎ−メチル−ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジン等の環状アミン類等が挙げられる。中でも、沸点１４０℃以上（７６０ｍｍＨｇ下）のものが好ましく、例えばモノエタノールアミン、トリエタノールアミン等が好ましく用いられる。 Examples of the water-soluble amine compound include amines having a pKa (acid dissociation constant) of 7.5 to 13 in an aqueous solution at 25 ° C. Specifically, for example, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, N, N-dibutylethanolamine , Alkanolamines such as N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, N-butylethanolamine, N-methyldiethanolamine, monoisopropanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine; diethylenetriamine, triethylenetetramine, propylenediamine, N, N-diethylethylenediamine, 1,4-butanediamine, N-ethyl-ethylenediamine, 1,2-propanediamine, 1,3-propanediamine, 1,6-hexane Polyalkylene polyamines such as amines; aliphatic amines such as 2-ethyl-hexylamine, dioctylamine, tributylamine, tripropylamine, triallylamine, heptylamine, cyclohexylamine; aromatic amines such as benzylamine and diphenylamine Cyclic amines such as piperazine, N-methyl-piperazine, and hydroxyethylpiperazine; Among them, those having a boiling point of 140 ° C. or higher (under 760 mmHg) are preferable, and for example, monoethanolamine, triethanolamine and the like are preferably used.
このような水溶性アミン化合物を添加する場合の添加量は、被覆形成剤の固形分中、０．１〜３０質量％程度とするのが好ましく、特には２〜１５質量％程度に調整することが好ましい。 In the case of adding such a water-soluble amine compound, the amount added is preferably about 0.1 to 30% by mass in the solid content of the coating forming agent, and particularly adjusted to about 2 to 15% by mass. Is preferred.
〔非アミン系水溶性有機溶媒〕
非アミン系水溶性有機溶媒を配合することにより、より一層ディフェクトの発生を抑制することができる。
[Non-amine water-soluble organic solvent]
By adding a non-amine water-soluble organic solvent, the occurrence of defects can be further suppressed.
かかる非アミン系水溶性有機溶媒としては、水と混和性のある非アミン系有機溶媒であればよく、例えばジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、グリセリン、１，２−ブチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、２，３−ブチレングリコール等の多価アルコール類及びその誘導体が挙げられる。中でも、ディフェクト発生抑制等の点から多価アルコール類及びその誘導体が好ましく、特にはグリセリンが好ましく用いられる。非アミン系水溶性有機溶媒は１種又は２種以上を用いることができる。 Such a non-amine water-soluble organic solvent may be any non-amine organic solvent miscible with water, such as sulfoxides such as dimethyl sulfoxide; dimethyl sulfone, diethyl sulfone, bis (2-hydroxyethyl) sulfone, Sulfones such as tetramethylene sulfone; Amides such as N, N-dimethylformamide, N-methylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylacetamide, N, N-diethylacetamide; N-methyl-2-pyrrolidone N-ethyl-2-pyrrolidone, N-propyl-2-pyrrolidone, N-hydroxymethyl-2-pyrrolidone, lactams such as N-hydroxyethyl-2-pyrrolidone; 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone 1,3-diethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diiso Imidazolidinones such as propyl-2-imidazolidinone; ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol, diethylene glycol monomethyl Polyhydric alcohols such as ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, glycerin, 1,2-butylene glycol, 1,3-butylene glycol, 2,3-butylene glycol and derivatives thereof Is mentioned. Among these, polyhydric alcohols and derivatives thereof are preferable from the viewpoint of suppressing the occurrence of defects, and glycerin is particularly preferable. One or more non-amine water-soluble organic solvents can be used.
このような非アミン系水溶性有機溶媒を添加する場合の添加量は、上記水溶性ポリマー（Ａ）に対し、０．１〜３０質量％程度とするのが好ましく、特には０．５〜１５質量％程度に調整することが好ましい。 When such a non-amine water-soluble organic solvent is added, the addition amount is preferably about 0.1 to 30% by mass, particularly 0.5 to 15% with respect to the water-soluble polymer (A). It is preferable to adjust to about mass%.
＜微細レジストパターン形成方法＞
本実施形態に係る微細レジストパターン形成方法は、上記レジストパターン微細化用被覆形成剤を用いて、レジストパターンを有する基板上に被膜を形成した後、加熱して被膜を熱収縮させることによりレジストパターンの間隔を狭小せしめ、次いで被膜を除去することを特徴とする。より詳しくは、本実施形態に係る微細レジストパターン形成方法は、（ａ）レジストパターン形成工程、（ｂ）水溶性樹脂被膜形成工程、（ｃ）熱処理工程、及び（ｄ）水洗工程を有する。
<Fine resist pattern formation method>
In the fine resist pattern forming method according to the present embodiment, a resist pattern is formed by forming a film on a substrate having a resist pattern using the resist pattern miniaturization coating forming agent and then thermally contracting the film by heating. It is characterized in that the distance between the two is narrowed and then the film is removed. More specifically, the fine resist pattern forming method according to this embodiment includes (a) a resist pattern forming step, (b) a water-soluble resin film forming step, (c) a heat treatment step, and (d) a water washing step.
［（ａ）レジストパターン形成工程］
この工程は、ホトレジストを用いて基板上にレジストパターンを形成する工程である。レジストパターンの形成方法としては、半導体素子の製造に際し、通常用いられている微細レジストパターン形成方法が採用される。例えば、シリコンウエハ等の基板上に、化学増幅型レジスト、電子線レジスト、又はＦ２レジストをスピンナー等で塗布し、乾燥して感光層を形成する。その後、縮小投影露光装置等を用いて、紫外線、ｄｅｅｐ−ＵＶ、エキシマレーザー光等を所望のマスクパターンを介して照射するか、又は電子線により描画し、加熱する。次いで、例えば１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等のアルカリ現像液を用いて現像処理することにより、所望のレジストパターンが形成される。
[(A) Resist pattern forming step]
This step is a step of forming a resist pattern on the substrate using a photoresist. As a method for forming a resist pattern, a fine resist pattern forming method that is usually used in the manufacture of semiconductor elements is employed. For example, a chemically amplified resist, electron beam resist, or F 2 resist is applied on a substrate such as a silicon wafer by a spinner or the like, and dried to form a photosensitive layer. Thereafter, using a reduced projection exposure apparatus or the like, ultraviolet rays, deep-UV, excimer laser light, or the like is irradiated through a desired mask pattern or drawn with an electron beam and heated. Next, a desired resist pattern is formed by developing using an alkaline developer such as an aqueous solution of 1 to 10% by mass of tetramethylammonium hydroxide.
［（ｂ）水溶性樹脂被膜形成工程］
この工程は、上記（ａ）レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターンの全面又は一部に水溶性樹脂被膜を設ける工程である。この水溶性樹脂被膜の形成には、上述のレジストパターン微細化用被覆形成剤が用いられる。被膜形成方法としては、従来の熱フロープロセスにおいて通常行われていた方法が採用される。例えば、上述のレジストパターン微細化用被覆形成剤を、スピンナー等を用いてレジストパターンの全面又は一部に塗布し、水溶性樹脂被膜を形成する。この際には、必要に応じ、加熱乾燥処理の工程を加えてもよい。水溶性樹脂被膜の厚さとしては、特に限定されないが、０．１μｍ〜０．５μｍが好ましい。
[(B) Water-soluble resin film forming step]
This step is a step of providing a water-soluble resin film on the entire or part of the resist pattern formed in the above (a) resist pattern forming step. For the formation of the water-soluble resin film, the above-described coating forming agent for refining a resist pattern is used. As the film forming method, a method usually performed in a conventional heat flow process is employed. For example, the above-described resist pattern refinement coating forming agent is applied to the entire surface or a part of the resist pattern using a spinner or the like to form a water-soluble resin film. In this case, a heat drying process may be added as necessary. Although it does not specifically limit as thickness of a water-soluble resin film, 0.1 micrometer-0.5 micrometer are preferable.
［（ｃ）熱処理工程］
この工程は、上記（ｂ）水溶性樹脂被膜形成工程で設けられた水溶性樹脂被膜を有するレジストパターンを熱処理し、レジストパターン間の距離を接近させる工程である。この熱処理工程における加熱処理で生じる水溶性樹脂被膜の熱収縮作用により、レジストパターンの間隔が狭小されて微細化が達成される。この熱処理温度は、通常、８０℃〜１６０℃（３０秒〜１２０秒間）で行われる。なお、本実施形態では、上記ヒドラジド化合物（Ｂ）の熱収縮作用によりレジストパターンの微細化が助長されるため、従来に比して低温化が可能である。
[(C) Heat treatment step]
This step is a step of heat-treating the resist pattern having the water-soluble resin coating provided in the step (b) of forming the water-soluble resin coating to bring the distance between the resist patterns closer. Due to the thermal contraction action of the water-soluble resin film generated by the heat treatment in this heat treatment step, the resist pattern interval is narrowed to achieve miniaturization. The heat treatment temperature is usually 80 ° C. to 160 ° C. (30 seconds to 120 seconds). In the present embodiment, the resist pattern is miniaturized by the thermal contraction action of the hydrazide compound (B), so that the temperature can be lowered as compared with the conventional case.
［（ｄ）水洗工程］
この工程は、上記（ｃ）熱処理工程で熱処理されたレジストパターン上に存在する水溶性樹脂被膜を水洗除去する工程である。この水溶性樹脂被膜は、水系溶剤、好ましくは純水により１０秒〜６０秒間、洗浄することにより完全に除去される。
[(D) Water washing step]
This step is a step of washing and removing the water-soluble resin film present on the resist pattern heat-treated in the above (c) heat treatment step. The water-soluble resin film is completely removed by washing with an aqueous solvent, preferably pure water, for 10 to 60 seconds.
以上の工程を順次経ることにより、リソグラフィー技術で形成されるレジストパターンをさらに微細化することができる。なお、レジストのパターンとしては、特に限定されず、トレンチ型パターンでもよく、ホール型パターンでもよい。 By sequentially performing the above steps, the resist pattern formed by the lithography technique can be further miniaturized. The resist pattern is not particularly limited, and may be a trench type pattern or a hole type pattern.
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated based on an Example, this invention is not limited to these Examples.
＜実施例１〜３、比較例１＞
膜厚７７ｎｍ「ＡＲＣ２９Ａ（ブリューワサイエンス社製）」の反射防止膜が形成されたシリコンウエハ上に、ホトレジスト（東京応化工業株式会社製、商品名「ＴＡｒＦ−Ｐ７ａ１４４ＭＥ」）をスピンナー塗布し、１１０℃で６０秒間ベーク処理することにより、膜厚２２０ｎｍのホトレジスト膜を形成した。その後、得られたホトレジスト膜に対し、露光装置（ニコン株式会社製、商品名「ＮＳＲ−３０２Ａ」）を用いて所定のパターン露光を行い、９５℃で６０秒間加熱処理した。次いで、２．３８質量％テトラアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて２３℃で６０秒間の現像処理を施すことにより、直径１２５ｎｍ（ピッチ１４００ｎｍ）のホールパターンを形成した。
<Examples 1-3, Comparative Example 1>
A photoresist (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., trade name “TArF-P7a144ME”) is spinner-coated on a silicon wafer on which an antireflection film having a film thickness of 77 nm “ARC29A (made by Brewer Science)” is formed, and 110 ° C. By baking for 60 seconds, a 220 nm thick photoresist film was formed. Thereafter, the obtained photoresist film was subjected to a predetermined pattern exposure using an exposure apparatus (trade name “NSR-302A” manufactured by Nikon Corporation), and heat-treated at 95 ° C. for 60 seconds. Next, a hole pattern having a diameter of 125 nm (pitch: 1400 nm) was formed by performing development processing at 23 ° C. for 60 seconds using an aqueous 2.38 mass% tetraammonium hydroxide solution.
得られたホールパターン上に、下表１の各レジストパターン微細化用被覆形成剤（各レジストパターン微細化用被覆形成剤の固形分質量濃度は全て７．５質量％に調整した）をそれぞれ２００ｎｍの膜厚となるように塗布し、１４０℃にて６０秒間加熱処理し、レジストパターンを熱収縮（シュリンク）させた。次いで、２３℃の純水を用いて６０秒間水洗し、レジストパターン微細化用被覆形成剤を除去することにより、微細化されたホールパターンを得た。 On each of the obtained hole patterns, each of the resist pattern refinement coating forming agents shown in Table 1 below (each solid content mass concentration of each resist pattern refinement coating forming agent was adjusted to 7.5% by mass) was 200 nm, respectively. The resist pattern was heat-shrinked (shrinked) at a temperature of 140 ° C. for 60 seconds. Subsequently, it was washed with pure water at 23 ° C. for 60 seconds to remove the resist pattern refinement coating forming agent, thereby obtaining a refined hole pattern.
各微細化されたホールパターンについて、シュリンク（熱収縮）量、及びホールパターンの真円性の評価を行った。シュリンク量の評価は、レジストパターン微細化後のホールパターンの径を、ＳＥＭを用いて測定することにより行った。また、ホールパターンの真円性の評価についてもＳＥＭを用いて拡大観察することにより行った。得られた評価結果を同表１に示す。 For each refined hole pattern, the amount of shrink (heat shrinkage) and the roundness of the hole pattern were evaluated. The shrinkage amount was evaluated by measuring the diameter of the hole pattern after miniaturization of the resist pattern using an SEM. The roundness of the hole pattern was also evaluated by magnifying and observing using SEM. The obtained evaluation results are shown in Table 1.
上表１中、「ＶＰＡＡ−Ｉ」は、アクリル酸とＮ−ビニルピロリドンの共重合体（構成比：アクリル酸／Ｎ−ビニルピロリドン＝９５／５、質量平均分子量１５０００）をイオン交換樹脂（オルガノ社製、ＥＧ４−ＨＧ）を用いて常法によりイオン交換を施した水溶性ポリマーであり、「ＡＤＨ」は、アジピン酸ジヒドラジドであり、「Ａ−２１０Ｇ」は、第一工業製薬（株）製のポリオキシエチレン−リン酸エステル系界面活性剤である「プライサーフＡ−２１０Ｇ」であり、「ＴＥＡ」は、トリエチルアミンである。また、表１中の（ｂ）成分の配合量（括弧内の数値）は（ａ）成分に対するモル％を示すものであり、その他の成分の配合量は（ａ）成分に対する質量％を示すものであり、真円性評価は、初期（微細化処理前）のホールパターンに対して、真円性が高くなったものを「○」、真円性が初期ホールパターンと同等又はそれよりも劣るものを「△」とした。 In Table 1 above, “VPAA-I” is a copolymer of acrylic acid and N-vinylpyrrolidone (component ratio: acrylic acid / N-vinylpyrrolidone = 95/5, mass average molecular weight 15000) ion exchange resin (organo EG4-HG), a water-soluble polymer subjected to ion exchange by a conventional method, “ADH” is adipic acid dihydrazide, and “A-210G” is manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. "Plysurf A-210G", which is a polyoxyethylene-phosphate ester surfactant, and "TEA" is triethylamine. In Table 1, the blending amount of component (b) (numerical value in parentheses) indicates mol% relative to component (a), and the blending amount of other components indicates mass% relative to component (a). In the evaluation of roundness, “○” indicates that the roundness is high with respect to the initial hole pattern (before miniaturization processing), and the roundness is equal to or lower than that of the initial hole pattern. The thing was made into "(triangle | delta)".
＜実施例４〜８、比較例２＞
前記実施例１と同様の手順にて、直径１４０ｎｍ（ピッチ２８０ｎｍ）のホールパターンＡ、及び直径１３１ｎｍ（ピッチ１４００ｎｍ）のホールパターンＢを形成した。
<Examples 4 to 8, Comparative Example 2>
A hole pattern A having a diameter of 140 nm (pitch 280 nm) and a hole pattern B having a diameter of 131 nm (pitch 1400 nm) were formed by the same procedure as in Example 1.
得られたホールパターン上に、下表２の各レジストパターン微細化用被覆形成剤（各レジストパターン微細化用被覆形成剤の固形分質量濃度は全て７．５質量％に調整した）をそれぞれ２００ｎｍの膜厚となるように塗布し、１４０℃にて６０秒間加熱処理し、レジストパターンを熱収縮（シュリンク）させた。次いで、２３℃の純水を用いて６０秒間水洗し、レジストパターン微細化用被覆形成剤を除去することにより、微細化されたホールパターンを得た。 On each of the obtained hole patterns, each of the resist pattern refinement coating forming agents shown in Table 2 below (each solid content mass concentration of each resist pattern refinement coating forming agent was adjusted to 7.5% by mass) was 200 nm, respectively. The resist pattern was heat-shrinked (shrinked) at a temperature of 140 ° C. for 60 seconds. Subsequently, it was washed with pure water at 23 ° C. for 60 seconds to remove the resist pattern refinement coating forming agent, thereby obtaining a refined hole pattern.
各微細化されたホールパターンについて、シュリンク（熱収縮）量、及びホールパターンの真円性の評価を行った。シュリンク量の評価は、レジストパターン微細化後のホールパターン径を、ＳＥＭを用いて測定することにより行った。また、ホールパターンの真円性の評価についてもＳＥＭを用いて拡大観察することにより行った。得られた評価結果を同表２に示す。 For each refined hole pattern, the amount of shrink (heat shrinkage) and the roundness of the hole pattern were evaluated. The shrinkage amount was evaluated by measuring the hole pattern diameter after miniaturization of the resist pattern using an SEM. The roundness of the hole pattern was also evaluated by magnifying and observing using SEM. The obtained evaluation results are shown in Table 2.
上表２中、ＣＤＨは、カルボジヒドラジドであり、ＳＵＤＨは、コハク酸ジヒドラジドであり、他は全て表１と同じである。 In Table 2 above, CDH is carbodihydrazide, SUDH is succinic dihydrazide, and everything else is the same as in Table 1.
＜実施例９〜１０、比較例３＞
前記実施例１と同様の操作にて、直径１４０ｎｍ（ピッチ２８０ｎｍ）のホールパターンＡ、及び直径１３１ｎｍ（ピッチ１４００ｎｍ）のホールパターンＢを形成した。
<Examples 9 to 10, Comparative Example 3>
In the same manner as in Example 1, a hole pattern A having a diameter of 140 nm (pitch 280 nm) and a hole pattern B having a diameter of 131 nm (pitch 1400 nm) were formed.
得られたホールパターン上に、下表３の各レジストパターン微細化用被覆形成剤（各レジストパターン微細化用被覆形成剤の固形分質量濃度は全て７．５質量％に調整した）をそれぞれ２００ｎｍの膜厚となるように塗布し、１４０℃にて６０秒間加熱処理し、レジストパターンを熱収縮（シュリンク）させた。次いで、２３℃の純水を用いて６０秒間水洗し、レジストパターン微細化用被覆形成剤を除去することにより、微細化されたホールパターンを得た。 On each of the obtained hole patterns, each of the resist pattern refinement coating forming agents shown in Table 3 below (each solid content concentration of each resist pattern refinement coating forming agent was adjusted to 7.5% by mass) was 200 nm. The resist pattern was heat-shrinked (shrinked) at a temperature of 140 ° C. for 60 seconds. Subsequently, it was washed with pure water at 23 ° C. for 60 seconds to remove the resist pattern refinement coating forming agent, thereby obtaining a refined hole pattern.
各微細化されたホールパターンについて、シュリンク（熱収縮）量、及びホールパターンの真円性の評価を行った。シュリンク量の評価は、レジストパターン微細化後のホールパターン径を、ＳＥＭを用いて測定することにより行った。また、ホールパターンの真円性の評価についてもＳＥＭを用いて拡大観察することにより行った。得られた評価結果を同表３に示す。 For each refined hole pattern, the amount of shrink (heat shrinkage) and the roundness of the hole pattern were evaluated. The shrinkage amount was evaluated by measuring the hole pattern diameter after miniaturization of the resist pattern using an SEM. The roundness of the hole pattern was also evaluated by magnifying and observing using SEM. The obtained evaluation results are shown in Table 3.
上表３中、ＶＰＡＡ−Ｓは、アクリル酸とＮ−ビニルピロリドンの共重合体（構成比：アクリル酸／Ｎ−ビニルピロリドン＝９５／５、質量平均分子量１８５００、イオン交換未処理）であり、他は全て表１及び表２と同じである。 In Table 3 above, VPAA-S is a copolymer of acrylic acid and N-vinylpyrrolidone (component ratio: acrylic acid / N-vinylpyrrolidone = 95/5, mass average molecular weight 18500, untreated with ion exchange), Everything else is the same as in Tables 1 and 2.
＜実施例１１〜１４、比較例４＞
前記実施例１と同様の操作にて、直径１３９ｎｍ（ピッチ２８０ｎｍ）のホールパターンＡ、及び直径１１８ｎｍ（ピッチ１４００ｎｍ）のホールパターンＢを形成した。
<Examples 11-14, Comparative Example 4>
In the same manner as in Example 1, a hole pattern A having a diameter of 139 nm (pitch 280 nm) and a hole pattern B having a diameter of 118 nm (pitch 1400 nm) were formed.
得られたホールパターン上に、下表４の各レジストパターン微細化用被覆形成剤（各レジストパターン微細化用被覆形成剤の固形分質量濃度は全て７．５質量％に調整した）をそれぞれ２００ｎｍの膜厚となるように塗布し、１４０℃にて６０秒間加熱処理し、レジストパターンを熱収縮（シュリンク）させた。次いで、２３℃の純水を用いて６０秒間水洗し、レジストパターン微細化用被覆形成剤を除去することにより、微細化されたホールパターンを得た。 On the obtained hole pattern, each resist pattern refinement coating forming agent in Table 4 below (each solid content concentration of each resist pattern refinement coating forming agent was adjusted to 7.5% by mass) was 200 nm, respectively. The resist pattern was heat-shrinked (shrinked) at a temperature of 140 ° C. for 60 seconds. Subsequently, it was washed with pure water at 23 ° C. for 60 seconds to remove the resist pattern refinement coating forming agent, thereby obtaining a refined hole pattern.
各微細化されたホールパターンについて、シュリンク（熱収縮）量、及びホールパターンの真円性の評価を行った。シュリンク量の評価は、レジストパターン微細化後のホールパターン径を、ＳＥＭを用いて測定することにより行った。また、ホールパターンの真円性の評価についてもＳＥＭを用いて拡大観察することにより行った。得られた評価結果を同表４に示す。 For each refined hole pattern, the amount of shrink (heat shrinkage) and the roundness of the hole pattern were evaluated. The shrinkage amount was evaluated by measuring the hole pattern diameter after miniaturization of the resist pattern using an SEM. The roundness of the hole pattern was also evaluated by magnifying and observing using SEM. The obtained evaluation results are shown in Table 4.
上表４中の記号は、全て表１〜表３と同じである。 All the symbols in Table 4 are the same as those in Tables 1 to 3.
＜実施例１５〜１６、比較例５＞
前記実施例１と同様の操作にて、直径１３９ｎｍ（ピッチ２８０ｎｍ）のホールパターンＡ、及び直径１１８ｎｍ（ピッチ１４００ｎｍ）のホールパターンＢを形成した。
<Examples 15 to 16, Comparative Example 5>
In the same manner as in Example 1, a hole pattern A having a diameter of 139 nm (pitch 280 nm) and a hole pattern B having a diameter of 118 nm (pitch 1400 nm) were formed.
得られたホールパターン上に、下表５の各レジストパターン微細化用被覆形成剤（各レジストパターン微細化用被覆形成剤の固形分質量濃度は全て７．５質量％に調整した）をそれぞれ２００ｎｍの膜厚となるように塗布し、１４０℃にて６０秒間加熱処理し、レジストパターンを熱収縮（シュリンク）させた。次いで、２３℃の純水を用いて６０秒間水洗し、レジストパターン微細化用被覆形成剤を除去することにより、微細化されたホールパターンを得た。 On each of the obtained hole patterns, each resist pattern refinement coating forming agent in Table 5 below (each solid content mass concentration of each resist pattern refinement coating forming agent was adjusted to 7.5% by mass) was 200 nm, respectively. The resist pattern was heat-shrinked (shrinked) at a temperature of 140 ° C. for 60 seconds. Subsequently, it was washed with pure water at 23 ° C. for 60 seconds to remove the resist pattern refinement coating forming agent, thereby obtaining a refined hole pattern.
各微細化されたホールパターンについて、シュリンク（熱収縮）量、及びホールパターンの真円性の評価を行った。シュリンク量の評価は、レジストパターン微細化後のホールパターン径を、ＳＥＭを用いて測定することにより行った。また、ホールパターンの真円性の評価についてもＳＥＭを用いて拡大観察することにより行った。得られた評価結果を同表５に示す。 For each refined hole pattern, the amount of shrink (heat shrinkage) and the roundness of the hole pattern were evaluated. The shrinkage amount was evaluated by measuring the hole pattern diameter after miniaturization of the resist pattern using an SEM. The roundness of the hole pattern was also evaluated by magnifying and observing using SEM. The obtained evaluation results are shown in Table 5.
上表５中、ＰＡＡは、ポリアクリル酸（日本純薬社製、商品名「ＡＣ−１０ＬＰ」、質量平均分子量３３０００）であり、他は全て表１〜表４と同様である。 In Table 5 above, PAA is polyacrylic acid (trade name “AC-10LP”, mass average molecular weight 33000, manufactured by Nippon Pure Chemical Industries, Ltd.), and the others are all the same as in Tables 1 to 4.
＜実施例１７、比較例６＞
前記実施例１と同様の操作にて、直径１３５ｎｍ（ピッチ２８０ｎｍ）のホールパターンＡを形成した。
<Example 17, comparative example 6>
A hole pattern A having a diameter of 135 nm (pitch 280 nm) was formed by the same operation as in Example 1.
得られたホールパターン上に、下表６の各レジストパターン微細化用被覆形成剤（各レジストパターン微細化用被覆形成剤の固形分質量濃度は全て７．５質量％に調整した）をそれぞれ２００ｎｍの膜厚となるように塗布し、実施例１７においては１１５℃にて６０秒間の加熱処理を施し、比較例６においては１４０℃にて６０秒間加熱処理を施すことにより、レジストパターンを熱収縮（シュリンク）させた。次いで、２３℃の純水を用いて６０秒間水洗し、レジストパターン微細化用被覆形成剤を除去することにより、微細化されたホールパターンを得た。 On the obtained hole pattern, each resist pattern refinement coating forming agent in Table 6 below (each solid content concentration of each resist pattern refinement coating forming agent was adjusted to 7.5% by mass) was 200 nm, respectively. In Example 17, the resist pattern was subjected to heat treatment at 115 ° C. for 60 seconds, and in Comparative Example 6 the heat treatment was performed at 140 ° C. for 60 seconds, whereby the resist pattern was subjected to heat shrinkage. (Shrink). Subsequently, it was washed with pure water at 23 ° C. for 60 seconds to remove the resist pattern refinement coating forming agent, thereby obtaining a refined hole pattern.
各微細化されたホールパターンについて、シュリンク（熱収縮）量、及びホールパターンの真円性の評価を行った。シュリンク量の評価は、レジストパターン微細化後のホールパターン径を、ＳＥＭを用いて測定することにより行った。また、ホールパターンの真円性の評価についてもＳＥＭを用いて拡大観察することにより行った。得られた評価結果を同表６に示す。 For each refined hole pattern, the amount of shrink (heat shrinkage) and the roundness of the hole pattern were evaluated. The shrinkage amount was evaluated by measuring the hole pattern diameter after miniaturization of the resist pattern using an SEM. The roundness of the hole pattern was also evaluated by magnifying and observing using SEM. The evaluation results obtained are shown in Table 6.
表１〜６の結果に示される通り、ヒドラジド化合物を添加することにより、シュリンク量が増加しているとともに、真円性も向上していることが確認された。また、トリエチルアミンを添加した実施例３においては、さらにパターンの垂直性が改善されていたことが確認された。 As shown in the results of Tables 1 to 6, it was confirmed that by adding the hydrazide compound, the shrink amount was increased and the roundness was also improved. In Example 3 to which triethylamine was added, it was confirmed that the verticality of the pattern was further improved.
さらに、イオン交換処理により低分子領域を除去した水溶性ポリマーを用いた場合であっても、本発明のヒドラジド化合物添加すれば、所望とする微細化が可能であることが確認された。これにより、水溶性ポリマーや被覆形成剤のロット管理を容易にすることができ、さらにはレジストパターン微細化用被覆形成剤の微細化量の制御が容易になる。また、実施例１〜１７のいずれにおいても、ホールパターン側壁のラフネスが改善されたことが確認された。 Furthermore, even when a water-soluble polymer from which a low molecular region has been removed by ion exchange treatment is used, it has been confirmed that the desired refinement can be achieved by adding the hydrazide compound of the present invention. As a result, lot management of the water-soluble polymer and the coating forming agent can be facilitated, and further, the control of the miniaturization amount of the resist pattern miniaturizing coating forming agent can be facilitated. Moreover, in any of Examples 1 to 17, it was confirmed that the roughness of the hole pattern side wall was improved.
さらには、実施例１７及び比較例６によれば、本発明のジヒドラジド化合物を添加することにより、より低い加熱温度で、同等の微細化量が得られることが確認された。よって、微細化処理温度の低温化を可能ならしめ、歩留まりの向上が可能である。 Furthermore, according to Example 17 and Comparative Example 6, it was confirmed that the same amount of refinement could be obtained at a lower heating temperature by adding the dihydrazide compound of the present invention. Therefore, the miniaturization temperature can be lowered and the yield can be improved.
以上述べた通り、本発明に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤、及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法は、従来に比してより一層微細化されたレジストパターンの形成が可能であることから、さらなる微細化が求められている近年の半導体デバイス用として適している。 As described above, the resist pattern miniaturization coating forming agent and the fine resist pattern forming method using the same according to the present invention are capable of forming a resist pattern that is further miniaturized as compared with the prior art. Therefore, it is suitable for use in recent semiconductor devices that require further miniaturization.
Claims (8)
水溶性ポリマー（Ａ）と、少なくとも１以上のヒドラジド基を有するヒドラジド化合物（Ｂ）とを含有することを特徴とするレジストパターン微細化用被覆形成剤。 A coating forming agent for refining a resist pattern, which is coated on a substrate having a resist pattern and used to form a fine pattern,
A coating forming agent for refining a resist pattern, comprising a water-soluble polymer (A) and a hydrazide compound (B) having at least one hydrazide group.
［式（Ｉ）中、Ｒ１は、直鎖、分岐鎖のいずれでもよく、不飽和結合、環骨格を有していてもよい、炭素原子数１〜１０のアルキレン鎖であるか、又は単結合であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、それぞれ独立に水素原子、又はメチル基を示し、ｎは０又は１を示す。］ The coating forming agent for refining a resist pattern according to any one of claims 1 to 3, wherein the hydrazide compound (B) is a compound represented by the following general formula (I).
[In Formula (I), R 1 may be linear or branched, and may be an unsaturated bond or an alkylene chain having 1 to 10 carbon atoms which may have a ring skeleton, or a single chain. R 2 , R 3 , R 4 , and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and n represents 0 or 1. ]
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