JP2008241335A - 化学センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SPV法を応用した化学センサにおける光活性層として光導電性有機膜を採用する。光導電性有機膜を採用することによって、デバイスの大面積化、薄膜化を簡便に実現することができる。さらに、有機膜は、シリコン半導体膜に比べて陽極酸化に耐性があることから、本発明の化学センサは、検出対象が電荷密度の変化を伴わない系であっても酸化還元反応を伴う系であれば観測することができるアンペロメトリック・センサとして構成される。
【選択図】図1
Description
ポリフェニレンビニレン前駆体0.25wt%水溶液に銅フタロシアニンを1wt%添加した溶液を、スピンコート法およびキャスト法を用いて15mm×15mmの大きさのITO/ガラス基板に塗布したのち、電気炉で加熱重合処理を行った。このときの作製条件を下記表1に示す。
15mm×15mmの大きさのITO/ガラス基板上に真空蒸着法により銅フタロシアニン薄膜を約500nm形成した後、その上に、実施例1と同様の条件にてポリフェニレンビニレン単独膜を形成した。
図10にキャスト法で成膜した実施例1のCuPc−PPV膜による化学センサを用いてK3Fe(CN)6/K4Fe(CN)6系で測定した結果を示す。測定は暗状態および青色LED(ピーク波長470nm)で励起した状態で行い、酸化還元種濃度10mM、電位掃引速度50mV/s、掃引範囲ー0.6〜1.0V vs. Ag/AgClの条件でサイクリックボルタンメトリを測定した。正方向スイープの0.54Vで酸化電流、負方向スイープの−0.12Vで還元電流のピークが観測され、正常な動作が確認できた。
前述したサイクリックボルタモグラムの測定において、酸化還元種の濃度を0.1〜10mMの範囲で変化させ、光導電性薄膜が光励起状態における酸化還元ピーク電流値を測定した結果を図11に示す。図11に示されるように、酸化電流、還元電流ともにほぼ直線的な濃度依存性を示しており、本実施例の化学センサ表面における酸化還元反応から化学種の濃度変化を電流の変化として捉えられることが示された。
前述のサイクリックボルタンメトリの測定結果に基づき、2次元測定をした場合に得られると予想される測定結果を計算機シミュレーションしたものを図12に示す。測定手順はポテンショスタットで一定電圧を印加した状態で励起光パルスを移動して2次元スキャンすることで、格子状の各測定点に対して定電圧パルスボルタンメトリを実行することを想定した。シミュレーション条件を下記表2に示す。
Claims (4)
- 透明基板上に積層された透明電極と、
前記透明電極上に積層された光導電性有機膜と、
前記透明基板の裏面に励起光をスポット照射する手段と、
前記透明基板に電圧を印加して応答電流を測定する手段とを含み、
前記光導電性有機膜は、導電性有機分子に対して増感剤としての色素を分散担持してなる、
化学センサ。 - 透明基板上に積層された透明電極と、
前記透明電極上に積層された光導電性有機膜と、
前記透明基板の裏面に励起光をスポット照射する手段と、
前記透明基板に電圧を印加して応答電流を測定する手段とを含み、
前記光導電性有機膜は、色素から形成されるキャリア発生層と導電性有機分子から形成されるキャリア輸送層が積層してなる、
化学センサ。 - 前記光導電性有機膜の上に、さらに、イオンチャンネル構造を備える、請求項1または2のいずれか1項に記載の化学センサ。
- 請求項1または2のいずれか1項に記載の化学センサを用いて化学種を検出する方法であって、
前記透明電極に対し検出対象である化学種の酸化還元電位に電圧を印加した状態で前記透明基板の裏面に対して励起光をスポット照射するステップと、
前記スポット照射によって前記透明電極と前記光導電性有機膜の表面とを電気的に接続するステップと、
前記電気的に接続された前記表面領域における前記化学種の酸化還元反応によって生じる酸化還元電流を観測するステップと、
を含む方法。
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