JP2008233460A - Inspection probe and manufacturing method thereof - Google Patents

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Taichi Ishitani
太一 石谷
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To inexpensively provide an inspection probe capable of surely achieving contact and excellent in durability even when a terminal width is narrow. <P>SOLUTION: The inspection probe includes a chip-on film composed by forming a gold material on the surface of a terminal part and a nickel layer formed on the gold material formed on the surface of the terminal part. The nickel layer has intensity higher than that of the gold material, and even when nickel layer is abutted on a packaged terminal of an electro-optical apparatus, the nickel layer and the gold material are not peeled off. Consequently, the probe excellent in durability can be constituted. Since the probe can be constituted by forming the nickel layer on the chip-on film, the probe can be inexpensively manufactured. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学装置に好適な検査用プローブ及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an inspection probe suitable for an electro-optical device and a manufacturing method thereof.

液晶パネル等の電気光学装置は、基板上に複数のデータ線及び複数の走査線を形成し、データ線及び走査線の交差に対応させて画素が構成される。データ線及び走査線によって駆動信号を供給することで、各画素を駆動して画面表示を行う。   In an electro-optical device such as a liquid crystal panel, a plurality of data lines and a plurality of scanning lines are formed on a substrate, and pixels are configured corresponding to the intersection of the data lines and the scanning lines. By supplying drive signals through the data lines and the scanning lines, each pixel is driven to perform screen display.

この種の電気光学装置には、一般的に、基板縁辺部近傍の領域に、パネル上の各種駆動回路と外部機器との間で、駆動信号、タイミング信号及び画像信号等を送受するための実装端子が配列されている。外部機器との接続にはFPC(フレキシブルプリント板)が採用される。実装端子とFPCとは、実装端子とFPCとの間に設けられたACF(Anisotoropic Conductive Film)(異方性導電膜)を用いて圧着される。   This type of electro-optical device is generally mounted to send and receive drive signals, timing signals, image signals, and the like between various drive circuits on the panel and external devices in a region near the edge of the substrate. The terminals are arranged. An FPC (flexible printed board) is employed for connection with an external device. The mounting terminal and the FPC are pressure-bonded using an ACF (Anisotoropic Conductive Film) (anisotropic conductive film) provided between the mounting terminal and the FPC.

ところで、製造された電気光学装置が正常に作動するか否かの表示検査を、FPCが取り付けられる前の完成品について行うことがある。例えば、電気光学装置に所定の画像信号を表示データとして入力し、投影、表示等させることによって、正しくデータが表示されるか否か等の、欠陥画素の有無のチェックが行われる。   By the way, a display inspection of whether or not the manufactured electro-optical device normally operates may be performed on a finished product before the FPC is attached. For example, by inputting a predetermined image signal as display data to the electro-optical device and projecting, displaying, etc., the presence or absence of defective pixels, such as whether or not the data is correctly displayed, is checked.

このような表示検査は、電気光学装置の実装端子に、ピンプローブを押し当て、ピンプローブを介して各種信号を供給することで行われる。
特開平6-29291号公報
Such a display inspection is performed by pressing a pin probe against a mounting terminal of the electro-optical device and supplying various signals through the pin probe.
JP-A-6-29291

ところで、ピンプローブを用いて表示検査を行う場合には、電気光学装置上の多数の実装端子に、ピンプローブの各ピンを夫々押し当てる必要がある。ところが、近年、電気光学装置の実装端子数の増大によって端子幅が50μm程度と極めて小さくなり、ピンプローブのピンでは各端子との電気的な接続が困難であるという問題があった。   By the way, when performing a display inspection using a pin probe, it is necessary to press each pin of the pin probe against a large number of mounting terminals on the electro-optical device. However, in recent years, due to the increase in the number of mounting terminals of the electro-optical device, the terminal width has become extremely small, about 50 μm, and there has been a problem that electrical connection with each terminal is difficult with pins of the pin probe.

本発明は、チップ・オン・フィルム(Chip on Film)を利用することによって、実装端子との確実な接続を可能にすることができる検査用プローブ及びその製造方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide an inspection probe and a method for manufacturing the same that can enable reliable connection to a mounting terminal by using a chip on film.

本発明に係る検査用プローブは、端子部表面に金材料が設けられたチップ・オン・フィルムと、前記端子部表面の金材料上に形成されたニッケル層とを具備したことを特徴とする。   The inspection probe according to the present invention includes a chip-on-film in which a gold material is provided on the surface of the terminal portion, and a nickel layer formed on the gold material on the surface of the terminal portion.

このような構成によれば、チップ・オン・フィルムの端子部表面に設けられた金材料上には、ニッケル層が形成されている。ニッケル層は金材料よりも高い強度を有し、このニッケル層を例えば電気光学装置の実装端子に当接させた場合でも、ニッケル層及び金材料が剥離することはない。これにより、耐久性に優れたプローブを構成することができる。また、チップ・オン・フィルムにニッケル層を形成することによって構成することができ、安価に製造することができる。   According to such a configuration, the nickel layer is formed on the gold material provided on the surface of the terminal portion of the chip-on-film. The nickel layer has higher strength than the gold material, and even when the nickel layer is brought into contact with, for example, a mounting terminal of the electro-optical device, the nickel layer and the gold material are not separated. Thereby, the probe excellent in durability can be comprised. Moreover, it can comprise by forming a nickel layer in a chip | tip on film, and can be manufactured cheaply.

また、前記ニッケル層は、無電界メッキ法により形成されたことを特徴とする。   The nickel layer is formed by electroless plating.

このような構成によれば、実装部品が搭載されたチップ・オン・フィルムであっても、ニッケル層形成時に電流が流されていないので、損傷を受けていない実装部品を搭載可能である。   According to such a configuration, even a chip-on-film on which a mounting component is mounted can mount a mounting component that is not damaged because no current is passed when the nickel layer is formed.

また、本発明に係る検査用プローブの製造方法は、ニッケルメッキ液内にニッケル材料を浸漬させて前記ニッケル材料表面にニッケル膜を成長させる工程と、前記ニッケルメッキ液内で、端子部表面に金材料が設けられたチップ・オン・フィルムの前記金材料に前記ニッケル材料を当接させて、前記金材料表面にニッケル膜を作成する工程と、前記金材料上に作成されたニッケル膜を成長させてニッケル層を形成する工程とを具備したことを特徴とする。   The method for manufacturing an inspection probe according to the present invention includes a step of immersing a nickel material in a nickel plating solution to grow a nickel film on the surface of the nickel material, A step of bringing the nickel material into contact with the gold material of the chip-on-film provided with the material to form a nickel film on the surface of the gold material, and growing the nickel film formed on the gold material And a step of forming a nickel layer.

このような構成によれば、ニッケルメッキ液内にニッケル材料を浸漬させてニッケル材料表面にニッケル膜を成長させる。次に、ニッケルメッキ液内で、チップ・オン・フィルムの端子部表面の金材料にニッケル材料を当接させて、金材料表面にニッケル膜を作成する。そして、金材料上に作成されたニッケル膜を成長させてニッケル層を形成する。ニッケル層の形成に電流を流しておらず、チップ・オン・フィルムの実装部品にダメージを与えることなく、ニッケル層を形成することができる。   According to such a configuration, the nickel material is immersed in the nickel plating solution to grow a nickel film on the surface of the nickel material. Next, in the nickel plating solution, the nickel material is brought into contact with the gold material on the surface of the terminal portion of the chip-on-film to form a nickel film on the gold material surface. Then, a nickel film formed on the gold material is grown to form a nickel layer. It is possible to form the nickel layer without applying an electric current to the formation of the nickel layer and damaging the chip-on-film mounting component.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は本発明の一実施の形態に係る検査用プローブを示す断面図である。本実施の形態は検査対象の電気光学装置として液晶パネルを用いた例である。図2は検査対象の液晶パネルの画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図3はTFT基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図であり、図4は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶パネルを、図3のH−H'線の位置で切断して示す断面図である。また、図5は液晶パネルと検査用プローブとを示す平面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an inspection probe according to an embodiment of the present invention. This embodiment is an example in which a liquid crystal panel is used as an electro-optical device to be inspected. FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of various elements and wirings in a plurality of pixels constituting the pixel region of the liquid crystal panel to be inspected. FIG. 3 is a plan view of an element substrate such as a TFT substrate as viewed from the counter substrate side together with each component formed thereon, and FIG. 4 is an assembly process in which the element substrate and the counter substrate are bonded together to enclose liquid crystal. It is sectional drawing which cut | disconnects and shows the liquid crystal panel after completion | finish at the position of the HH 'line | wire of FIG. FIG. 5 is a plan view showing the liquid crystal panel and the inspection probe. In each drawing used for the following description, the scale is different for each member in order to make each member a size that can be recognized on the drawing.

先ず、図2乃至図4を参照して検査対象の電気光学装置である液晶パネルの全体構成について説明する。
液晶パネルは、図2及び図3に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いたTFT基板10と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板20との間に液晶50を封入して構成される。対向配置されたTFT基板10と対向基板20とは、シール材52によって貼り合わされている。
First, the overall configuration of a liquid crystal panel, which is an electro-optical device to be inspected, will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 2 and 3, the liquid crystal panel includes, for example, a quartz substrate, a glass substrate, a TFT substrate 10 using a silicon substrate, and a counter substrate using a glass substrate or a quartz substrate, for example. The liquid crystal 50 is sealed between the two. The TFT substrate 10 and the counter substrate 20 that are arranged to face each other are bonded together by a sealing material 52.

TFT基板10上には画素を構成する画素電極(ITO)9a等がマトリクス状に配置される。また、対向基板20上には全面に対向電極(ITO)21が設けられる。TFT基板10の画素電極9a上には、液晶50に接して、ラビング処理が施された配向膜16が設けられている。一方、対向基板20側においても、液晶50に接して、全面に渡って、ラビング処理が施された配向膜22が設けられている。各配向膜16,22は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。   On the TFT substrate 10, pixel electrodes (ITO) 9a constituting pixels are arranged in a matrix. A counter electrode (ITO) 21 is provided on the entire surface of the counter substrate 20. On the pixel electrode 9 a of the TFT substrate 10, an alignment film 16 that has been subjected to a rubbing process is provided in contact with the liquid crystal 50. On the other hand, on the counter substrate 20 side, an alignment film 22 that is rubbed is provided over the entire surface in contact with the liquid crystal 50. The alignment films 16 and 22 are made of a transparent organic film such as a polyimide film, for example.

図4は画素を構成するTFT基板10上の素子の等価回路を示している。図4に示すように、画素領域においては、複数本の走査線11aと複数本のデータ線6aとが交差するように配線され、走査線11aとデータ線6aとで区画された領域に画素電極9aがマトリクス状に配置される。そして、走査線11aとデータ線6aの各交差部分に対応してTFT30が設けられ、このTFT30に画素電極9aが接続される。   FIG. 4 shows an equivalent circuit of elements on the TFT substrate 10 constituting the pixel. As shown in FIG. 4, in the pixel region, a plurality of scanning lines 11a and a plurality of data lines 6a are wired so as to cross each other, and a pixel electrode is formed in a region partitioned by the scanning lines 11a and the data lines 6a. 9a are arranged in a matrix. A TFT 30 is provided corresponding to each intersection of the scanning line 11 a and the data line 6 a, and the pixel electrode 9 a is connected to the TFT 30.

TFT30は走査線11aのON信号によってオンとなり、これにより、データ線6aに供給された画像信号が画素電極9aに供給される。この画素電極9aと対向基板20に設けられた対向電極21との間の電圧が液晶50に印加される。また、画素電極9aと並列に蓄積容量70が設けられており、蓄積容量70によって、画素電極9aの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば3桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量70によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。   The TFT 30 is turned on by the ON signal of the scanning line 11a, whereby the image signal supplied to the data line 6a is supplied to the pixel electrode 9a. A voltage between the pixel electrode 9 a and the counter electrode 21 provided on the counter substrate 20 is applied to the liquid crystal 50. In addition, a storage capacitor 70 is provided in parallel with the pixel electrode 9a, and the storage capacitor 70 makes it possible to hold the voltage of the pixel electrode 9a for a time that is, for example, three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied. The storage capacitor 70 improves the voltage holding characteristic and enables image display with a high contrast ratio.

画素電極9aは、TFT基板10上に、マトリクス状に複数設けられており、画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデータ線6a及び走査線11aが設けられている。データ線6aは、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線11aは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。TFT30は半導体層とゲート電極3aとの間にゲート絶縁膜を配置して構成され、走査線11aは、半導体層中のチャネル領域に対向するゲート電極3aに電気的に接続されている。すなわち、走査線11aとデータ線6aとの交差する箇所にはそれぞれ、走査線11aに接続されたゲート電極3aとチャネル領域とが対向配置されて画素スイッチング用のTFT30が構成されている。   A plurality of pixel electrodes 9a are provided in a matrix on the TFT substrate 10, and data lines 6a and scanning lines 11a are provided along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrodes 9a. The data line 6a has a laminated structure including an aluminum film, and the scanning line 11a is made of, for example, a conductive polysilicon film. The TFT 30 is configured by disposing a gate insulating film between the semiconductor layer and the gate electrode 3a, and the scanning line 11a is electrically connected to the gate electrode 3a facing the channel region in the semiconductor layer. That is, the pixel switching TFT 30 is configured by the gate electrode 3a connected to the scanning line 11a and the channel region facing each other at the intersection of the scanning line 11a and the data line 6a.

TFT基板10上には、TFT30や画素電極9aの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。即ち、TFT基板10上には、走査線11aを含む層、TFT30及びゲート電極3aを含む層、蓄積容量70を含む層、データ線6a等を含む層、並びに、画素電極9a及び配向膜16等を含む層が形成される。   On the TFT substrate 10, in addition to the TFT 30 and the pixel electrode 9a, various configurations including these are provided in a laminated structure. That is, on the TFT substrate 10, the layer including the scanning line 11a, the layer including the TFT 30 and the gate electrode 3a, the layer including the storage capacitor 70, the layer including the data line 6a, the pixel electrode 9a, the alignment film 16, and the like. A layer containing is formed.

各層の層間には、層間絶縁膜が配置されて、各要素間が短絡することが防止される。また、各層間絶縁膜には、上下の層を電気的に接続するためのコンタクトホールも設けられている。   An interlayer insulating film is disposed between the layers to prevent a short circuit between the elements. Each interlayer insulating film is also provided with a contact hole for electrically connecting the upper and lower layers.

また、図2及び図3に示すように、対向基板20には表示領域を区画する額縁としての遮光膜53が設けられている。対向基板20の全面には、上述したように、ITO等の透明導電性膜が対向電極21として形成され、更に、液晶50に面して、全面にポリイミド系の配向膜22が形成される。配向膜22は、液晶分子に所定のプレティルト角を付与するように、所定方向にラビング処理されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the counter substrate 20 is provided with a light shielding film 53 as a frame for partitioning the display area. As described above, a transparent conductive film such as ITO is formed on the entire surface of the counter substrate 20 as the counter electrode 21, and a polyimide-based alignment film 22 is formed on the entire surface facing the liquid crystal 50. The alignment film 22 is rubbed in a predetermined direction so as to give a predetermined pretilt angle to the liquid crystal molecules.

遮光膜53の外側の領域には液晶を封入するシール材52が、TFT基板10と対向基板20間に形成されている。シール材52は対向基板20の輪郭形状に略一致するように配置され、TFT基板10と対向基板20を相互に固着する。シール材52は、TFT基板10の1辺の一部において欠落しており、液晶50を注入するための液晶注入口108が形成される。貼り合わされた素子基板10及び対向基板20相互の間隙には、液晶注入口108より液晶が注入される。液晶注入後に、液晶注入口108を封止材109で封止するようになっている。   In a region outside the light shielding film 53, a sealing material 52 that encloses liquid crystal is formed between the TFT substrate 10 and the counter substrate 20. The sealing material 52 is disposed so as to substantially match the contour shape of the counter substrate 20, and fixes the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 to each other. The sealing material 52 is missing in a part of one side of the TFT substrate 10, and a liquid crystal injection port 108 for injecting the liquid crystal 50 is formed. Liquid crystal is injected from the liquid crystal injection port 108 into the gap between the element substrate 10 and the counter substrate 20 bonded together. After the liquid crystal injection, the liquid crystal injection port 108 is sealed with a sealing material 109.

シール材52の外側の領域には、データ線6aに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線6aを駆動するデータ線駆動回路101及び外部回路との接続のための外部接続端子102がTFT基板10の一辺に沿って設けられている。この一辺に隣接する二辺に沿って、走査線11a及びゲート電極3aに走査信号を所定のタイミングで供給することによりゲート電極3aを駆動する走査線駆動回路104が設けられている。走査線駆動回路104は、シール材52の内側の遮光膜53に対向する位置においてTFT基板10上に形成される。また、TFT基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、外部接続端子102及び上下導通端子107を接続する配線105が、遮光膜53の3辺に対向して設けられている。   In an area outside the sealing material 52, an image signal is supplied to the data line 6a at a predetermined timing to drive the data line 6a and an external connection terminal 102 for connection to an external circuit. Are provided along one side of the TFT substrate 10. A scanning line driving circuit 104 that drives the gate electrode 3a by supplying a scanning signal to the scanning line 11a and the gate electrode 3a at a predetermined timing is provided along two sides adjacent to the one side. The scanning line driving circuit 104 is formed on the TFT substrate 10 at a position facing the light shielding film 53 inside the sealing material 52. On the TFT substrate 10, wiring 105 connecting the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, the external connection terminal 102, and the vertical conduction terminal 107 is provided to face the three sides of the light shielding film 53. Yes.

上下導通端子107は、シール材52のコーナー部の4箇所のTFT基板10上に形成される。そして、TFT基板10と対向基板20相互間には、下端が上下導通端子107に接触し、上端が対向電極21に接触する上下導通材106が設けられており、上下導通材106によって、TFT基板10と対向基板20との間で電気的な導通がとられている。   The vertical conduction terminals 107 are formed on the four TFT substrates 10 at the corners of the sealing material 52. Between the TFT substrate 10 and the counter substrate 20, there is provided a vertical conductive material 106 whose lower end is in contact with the vertical conduction terminal 107 and whose upper end is in contact with the counter electrode 21. 10 and the counter substrate 20 are electrically connected.

このように構成された液晶パネルに対して検査を行う場合には、外部接続端子102に図1及び図5に示す検査用プローブを接続する。
図1及び図5は、本実施の形態に係る検査用プローブを示している。図5は検査用プローブ80の先端部分のみを示し、図1は図5のV−V線で切断した断面の一部を示している。
When the inspection is performed on the liquid crystal panel configured as described above, the inspection probe shown in FIGS. 1 and 5 is connected to the external connection terminal 102.
1 and 5 show an inspection probe according to the present embodiment. FIG. 5 shows only the distal end portion of the inspection probe 80, and FIG. 1 shows a part of a cross section cut along the line V-V in FIG.

本実施の形態に係る検査用プローブ80は、COF(Chip on Film)を流用して構成されている。一般的なCOFは、FPC(Flexible Print Circuit))上にLSI(大規模集積回路)を搭載して構成されており、液晶パネル用として用いる場合には、LSIとして例えば液晶パネルのドライバが搭載される。液晶パネルと一般的なCOFとは外部接続端子102を介して接続可能である。   The inspection probe 80 according to the present embodiment is configured by using COF (Chip on Film). A general COF is configured by mounting an LSI (Large Scale Integrated Circuit) on an FPC (Flexible Print Circuit), and when used for a liquid crystal panel, for example, a driver for the liquid crystal panel is mounted as the LSI. The The liquid crystal panel and a general COF can be connected via the external connection terminal 102.

このように、一般的なCOFの端子は、液晶パネルの外部接続端子102とコンタクト可能に構成されているので、本実施の形態では、この一般的なCOFを流用して検査用プローブ80を構成している。即ち、検査用プローブ80は、一般的なCOFと同様に、ポリイミドフィルム等のベース材料81上に例えば銅箔やニッケル材料を用いた導電性のパターン82が形成されている。パターン82上には金メッキ層83が形成されている。なお、図5においては、図面の見やすさを考慮してパターン82側を紙面表側方向に示している。また、図5ではパターン82についてはベース材料81の両端側の一部のみを示しており、中央部のパターンについては図示を省略している。   As described above, the general COF terminal is configured to be able to contact the external connection terminal 102 of the liquid crystal panel. In this embodiment, the general COF is used to configure the inspection probe 80. is doing. That is, in the inspection probe 80, a conductive pattern 82 using, for example, a copper foil or a nickel material is formed on a base material 81 such as a polyimide film, similarly to a general COF. A gold plating layer 83 is formed on the pattern 82. In FIG. 5, the pattern 82 side is shown in the direction of the front side of the drawing in consideration of the visibility of the drawing. In FIG. 5, only a part of both ends of the base material 81 is shown for the pattern 82, and the central pattern is not shown.

パターン82は、各パターンが液晶パネルの外部接続端子102の各端子部に対応した幅及びピッチで形成される。一般的なCOFはLSIを搭載するバンプ部に金が用いられており、パターン82上を含む端子部85において、金による金メッキ層83が形成されている。液晶パネルを製品として用いる場合には、COFの端子部85と外部接続端子102とはACFを介して接続される。   The pattern 82 is formed with a width and a pitch corresponding to each terminal portion of the external connection terminal 102 of the liquid crystal panel. In general COF, gold is used for a bump portion on which an LSI is mounted, and a gold plating layer 83 made of gold is formed in a terminal portion 85 including the pattern 82. When the liquid crystal panel is used as a product, the terminal portion 85 of the COF and the external connection terminal 102 are connected via the ACF.

本実施の形態においては、COFを検査用のプローブとして流用するものであり、外部接続端子102との接続にACFは用いない。即ち、検査時には、検査用プローブ80の端子部85を直接外部接続端子102に押し当てる。   In this embodiment, COF is used as a probe for inspection, and ACF is not used for connection with the external connection terminal 102. That is, at the time of inspection, the terminal portion 85 of the inspection probe 80 is directly pressed against the external connection terminal 102.

一般的なCOFを外部接続端子102に押し当てた場合には、金メッキ層83が剥がれ落ちて、液晶パネルの外部接続端子102に転写されてしまう。このため、一般的なCOFでは、コンタクトの耐久性が著しく悪く、検査用のプローブとして用いることはできない。なお、このような金メッキ配線については、特許文献1に記載されたものがある。   When a general COF is pressed against the external connection terminal 102, the gold plating layer 83 is peeled off and transferred to the external connection terminal 102 of the liquid crystal panel. For this reason, in general COF, the durability of a contact is remarkably bad and cannot be used as a probe for inspection. In addition, there exists what was described in patent document 1 about such a gold plating wiring.

そこで、本実施の形態においては、金メッキ層83上に、ニッケル層84を形成するようになっている。ニッケル層84は金メッキ層83の表面を覆う。ニッケル層84は、十分な強度を有すると共に、電気的特性にも優れている。このため、ニッケル層84を外部接続端子102に押し当てた場合でも、ニッケル層84並びにその下層の金メッキ層83が剥がれ落ちることはなく、また、ニッケル層83は良好な電気的特性を有することから、コンタクト性能に優れている。   Therefore, in the present embodiment, the nickel layer 84 is formed on the gold plating layer 83. The nickel layer 84 covers the surface of the gold plating layer 83. The nickel layer 84 has sufficient strength and excellent electrical characteristics. For this reason, even when the nickel layer 84 is pressed against the external connection terminal 102, the nickel layer 84 and the gold plating layer 83 thereunder are not peeled off, and the nickel layer 83 has good electrical characteristics. Excellent contact performance.

次に、ニッケル層84の形成方法について図6乃至図8を参照して説明する。図6はニッケル層84の形成工程を工程順に示す工程図である。図7はニッケル層84を無電界メッキ法により形成する場合のフローを示すフローチャートであり、図8は無電界メッキ法を説明するための説明図である。   Next, a method for forming the nickel layer 84 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a process diagram showing the steps of forming the nickel layer 84 in the order of steps. FIG. 7 is a flowchart showing a flow when the nickel layer 84 is formed by the electroless plating method, and FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining the electroless plating method.

本実施の形態においては、金メッキ層83上に、ニッケルを析出させることで、ニッケル層84を形成する。ニッケルの析出方法としては、電気を流しながら蒸着させる電界メッキ法と電気を流さずに自然増殖によりメッキを形成する無電界メッキ法とがある。電界メッキ法によってCOFの端子部にニッケルを蒸着しようとすると、LSIに電流が流れてLSIを破損させてしまう虞がある。そこで、本実施の形態においては、無電解メッキ法によるニッケル蒸着を行う。   In the present embodiment, nickel layer 84 is formed by depositing nickel on gold plating layer 83. As a method for depositing nickel, there are an electroplating method in which vapor deposition is performed while electricity is applied, and an electroless plating method in which plating is formed by natural growth without causing electricity to flow. If nickel is deposited on the terminal portion of the COF by the electroplating method, a current may flow through the LSI, which may damage the LSI. Therefore, in this embodiment, nickel is deposited by electroless plating.

先ず、図7のステップS1において、蒸着槽91内のニッケルメッキ液92に、ニッケルプレート95を浸漬させる。これにより、ニッケルプレート95のプレート表面96には自己増殖によりニッケルメッキ層(図示せず)が形成される(ステップS2)。   First, in step S <b> 1 of FIG. 7, the nickel plate 95 is immersed in the nickel plating solution 92 in the vapor deposition tank 91. Thereby, a nickel plating layer (not shown) is formed on the plate surface 96 of the nickel plate 95 by self-replication (step S2).

一方、蒸着槽91内には、図6(a)に示すように、パターン82上に金メッキ層83が形成されたCOF80’が浸漬されている。このCOF80’の端子部85にニッケルプレート95のプレート表面96を押し当てる(ステップS3)。そうすると、端子部85とプレート表面96とが同電位となり、端子部85の表面、即ち、金メッキ層83上にニッケルメッキ84’が蒸着される(ステップS4)。このニッケルメッキ84’が矢印に示すように自己増殖により成長して(ステップS5)、ニッケル層84が形成される。   On the other hand, as shown in FIG. 6A, COF 80 ′ in which a gold plating layer 83 is formed on the pattern 82 is immersed in the vapor deposition tank 91. The plate surface 96 of the nickel plate 95 is pressed against the terminal portion 85 of the COF 80 '(step S3). Then, the terminal portion 85 and the plate surface 96 have the same potential, and nickel plating 84 'is deposited on the surface of the terminal portion 85, that is, on the gold plating layer 83 (step S4). The nickel plating 84 'grows by self-replication as indicated by the arrow (step S5), and the nickel layer 84 is formed.

このように構成された検査用プローブ80においては、金メッキ層83上にニッケル層84が形成されていることから、強度が高く、耐久性に優れている。従って、液晶パネルの検査のために、検査用プローブ80の端子部85を液晶パネルの外部接続端子102に押し当てて、電気的な接続を行った場合でも、ニッケル層84及び金メッキ層83が剥離することはない。従って、検査用プローブ80を繰返し検査用として用いることができる。例えば、検査用プローブ80によって数百回のコンタクトをとることが可能である。   In the inspection probe 80 configured as described above, since the nickel layer 84 is formed on the gold plating layer 83, the strength is high and the durability is excellent. Therefore, for the inspection of the liquid crystal panel, even if the terminal portion 85 of the inspection probe 80 is pressed against the external connection terminal 102 of the liquid crystal panel to make an electrical connection, the nickel layer 84 and the gold plating layer 83 are peeled off. Never do. Therefore, the inspection probe 80 can be used for repeated inspection. For example, the inspection probe 80 can make several hundreds of contacts.

このように本実施の形態においては、電気光学装置の端子幅が狭い場合でも、電気的に良好なコンタクトが可能で、且つ極めて耐久性に優れた検査用プローブを得ることができる。また、製品のCOFを流用して簡単に構成することができ、安価に製造することができる。   As described above, in the present embodiment, even when the terminal width of the electro-optical device is narrow, it is possible to obtain an inspection probe that is capable of making good electrical contact and is extremely excellent in durability. Moreover, it can be simply configured by diverting the product COF, and can be manufactured at low cost.

なお、上記実施の形態においては、電気光学装置として、パッシブマトリクス型の液晶表示パネルだけでなく、アクティブマトリクス型の液晶パネル(例えば、TFT(薄膜トランジスタ)やTFD(薄膜ダイオード)をスイッチング素子として備えた液晶表示パネル)にも同様に適用することが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置(Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等)、DLP(Digital Light Processing)(別名DMD:Digital Micromirror Device)等の各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。   In the above embodiment, as an electro-optical device, not only a passive matrix type liquid crystal display panel but also an active matrix type liquid crystal panel (for example, TFT (thin film transistor) or TFD (thin film diode)) is provided as a switching element. A liquid crystal display panel) can be similarly applied. In addition to liquid crystal display panels, electroluminescence devices, organic electroluminescence devices, plasma display devices, electrophoretic display devices, devices using electron emission (such as Field Emission Display and Surface-Conduction Electron-Emitter Display), DLP ( The present invention can be similarly applied to various electro-optical devices such as Digital Light Processing (aka DMD: Digital Micromirror Device).

また、本発明は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばLCOS(Liquid Crystal On Silicon)等にも適用可能である。   The present invention is also applicable to display devices that form elements on a semiconductor substrate, such as LCOS (Liquid Crystal On Silicon).

LCOSでは素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。   In LCOS, a single crystal silicon substrate is used as an element substrate, and a transistor is formed on a single crystal silicon substrate as a switching element used for a pixel or a peripheral circuit. In addition, a reflective pixel electrode is used for the pixel, and each element of the pixel is formed under the pixel electrode.

本発明の一実施の形態に係る検査用プローブを示す断面図。Sectional drawing which shows the probe for an inspection which concerns on one embodiment of this invention. 検査対象の液晶パネルの画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels constituting a pixel region of a liquid crystal panel to be inspected. TFT基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。The top view which looked at element substrates, such as a TFT substrate, from the counter substrate side with each component formed on it. 素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶パネルを、図3のH−H'線の位置で切断して示す断面図。Sectional drawing which cuts and shows the liquid crystal panel after the assembly process which bonds an element substrate and a counter substrate together, and encloses a liquid crystal in the position of the HH 'line of FIG. 液晶パネルと検査用プローブとを示す平面図。The top view which shows a liquid crystal panel and the probe for a test | inspection. ニッケル層84の形成工程を工程順に示す工程図。Process drawing which shows the formation process of the nickel layer 84 in order of a process. ニッケル層84を無電界メッキ法により形成する場合のフローを示すフローチャート。The flowchart which shows the flow in the case of forming the nickel layer 84 by an electroless plating method. 無電界メッキ法を説明するための説明図。Explanatory drawing for demonstrating the electroless-plating method.

符号の説明Explanation of symbols

80…検査用プローブ、81…ベース材料、82…パターン、83…金メッキ層、84…ニッケル層。     80 ... Probe for inspection, 81 ... Base material, 82 ... Pattern, 83 ... Gold plating layer, 84 ... Nickel layer.

Claims (3)

端子部表面に金材料が設けられたチップ・オン・フィルムと、
前記端子部表面の金材料上に形成されたニッケル層と
を具備したことを特徴とする検査用プローブ。
A chip-on-film with a gold material on the surface of the terminal,
And a nickel layer formed on a gold material on the surface of the terminal portion.
前記ニッケル層は、無電界メッキ法により形成されたことを特徴とする請求項1に記載の検査用プローブ。   The inspection probe according to claim 1, wherein the nickel layer is formed by an electroless plating method. ニッケルメッキ液内にニッケル材料を浸漬させて前記ニッケル材料表面にニッケル膜を成長させる工程と、
前記ニッケルメッキ液内で、端子部表面に金材料が設けられたチップ・オン・フィルムの前記金材料に前記ニッケル材料を当接させて、前記金材料表面にニッケル膜を作成する工程と、
前記金材料上に作成されたニッケル膜を成長させてニッケル層を形成する工程と
を具備したことを特徴とする検査用プローブの製造方法。
Immersing a nickel material in a nickel plating solution to grow a nickel film on the nickel material surface; and
In the nickel plating solution, contacting the nickel material with the gold material of a chip-on-film provided with a gold material on the surface of the terminal part, and creating a nickel film on the gold material surface;
And a step of growing a nickel film formed on the gold material to form a nickel layer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100974535B1 (en) * 2010-03-23 2010-08-10 (주)유비프리시젼 Film type probe contactor and for manufacturing thereof
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