JP2008233460A - Inspection probe and manufacturing method thereof - Google Patents
Inspection probe and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008233460A JP2008233460A JP2007072025A JP2007072025A JP2008233460A JP 2008233460 A JP2008233460 A JP 2008233460A JP 2007072025 A JP2007072025 A JP 2007072025A JP 2007072025 A JP2007072025 A JP 2007072025A JP 2008233460 A JP2008233460 A JP 2008233460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- film
- liquid crystal
- nickel layer
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明は、電気光学装置に好適な検査用プローブ及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an inspection probe suitable for an electro-optical device and a manufacturing method thereof.
液晶パネル等の電気光学装置は、基板上に複数のデータ線及び複数の走査線を形成し、データ線及び走査線の交差に対応させて画素が構成される。データ線及び走査線によって駆動信号を供給することで、各画素を駆動して画面表示を行う。 In an electro-optical device such as a liquid crystal panel, a plurality of data lines and a plurality of scanning lines are formed on a substrate, and pixels are configured corresponding to the intersection of the data lines and the scanning lines. By supplying drive signals through the data lines and the scanning lines, each pixel is driven to perform screen display.
この種の電気光学装置には、一般的に、基板縁辺部近傍の領域に、パネル上の各種駆動回路と外部機器との間で、駆動信号、タイミング信号及び画像信号等を送受するための実装端子が配列されている。外部機器との接続にはFPC(フレキシブルプリント板)が採用される。実装端子とFPCとは、実装端子とFPCとの間に設けられたACF(Anisotoropic Conductive Film)(異方性導電膜)を用いて圧着される。 This type of electro-optical device is generally mounted to send and receive drive signals, timing signals, image signals, and the like between various drive circuits on the panel and external devices in a region near the edge of the substrate. The terminals are arranged. An FPC (flexible printed board) is employed for connection with an external device. The mounting terminal and the FPC are pressure-bonded using an ACF (Anisotoropic Conductive Film) (anisotropic conductive film) provided between the mounting terminal and the FPC.
ところで、製造された電気光学装置が正常に作動するか否かの表示検査を、FPCが取り付けられる前の完成品について行うことがある。例えば、電気光学装置に所定の画像信号を表示データとして入力し、投影、表示等させることによって、正しくデータが表示されるか否か等の、欠陥画素の有無のチェックが行われる。 By the way, a display inspection of whether or not the manufactured electro-optical device normally operates may be performed on a finished product before the FPC is attached. For example, by inputting a predetermined image signal as display data to the electro-optical device and projecting, displaying, etc., the presence or absence of defective pixels, such as whether or not the data is correctly displayed, is checked.
このような表示検査は、電気光学装置の実装端子に、ピンプローブを押し当て、ピンプローブを介して各種信号を供給することで行われる。
ところで、ピンプローブを用いて表示検査を行う場合には、電気光学装置上の多数の実装端子に、ピンプローブの各ピンを夫々押し当てる必要がある。ところが、近年、電気光学装置の実装端子数の増大によって端子幅が50μm程度と極めて小さくなり、ピンプローブのピンでは各端子との電気的な接続が困難であるという問題があった。 By the way, when performing a display inspection using a pin probe, it is necessary to press each pin of the pin probe against a large number of mounting terminals on the electro-optical device. However, in recent years, due to the increase in the number of mounting terminals of the electro-optical device, the terminal width has become extremely small, about 50 μm, and there has been a problem that electrical connection with each terminal is difficult with pins of the pin probe.
本発明は、チップ・オン・フィルム(Chip on Film)を利用することによって、実装端子との確実な接続を可能にすることができる検査用プローブ及びその製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an inspection probe and a method for manufacturing the same that can enable reliable connection to a mounting terminal by using a chip on film.
本発明に係る検査用プローブは、端子部表面に金材料が設けられたチップ・オン・フィルムと、前記端子部表面の金材料上に形成されたニッケル層とを具備したことを特徴とする。 The inspection probe according to the present invention includes a chip-on-film in which a gold material is provided on the surface of the terminal portion, and a nickel layer formed on the gold material on the surface of the terminal portion.
このような構成によれば、チップ・オン・フィルムの端子部表面に設けられた金材料上には、ニッケル層が形成されている。ニッケル層は金材料よりも高い強度を有し、このニッケル層を例えば電気光学装置の実装端子に当接させた場合でも、ニッケル層及び金材料が剥離することはない。これにより、耐久性に優れたプローブを構成することができる。また、チップ・オン・フィルムにニッケル層を形成することによって構成することができ、安価に製造することができる。 According to such a configuration, the nickel layer is formed on the gold material provided on the surface of the terminal portion of the chip-on-film. The nickel layer has higher strength than the gold material, and even when the nickel layer is brought into contact with, for example, a mounting terminal of the electro-optical device, the nickel layer and the gold material are not separated. Thereby, the probe excellent in durability can be comprised. Moreover, it can comprise by forming a nickel layer in a chip | tip on film, and can be manufactured cheaply.
また、前記ニッケル層は、無電界メッキ法により形成されたことを特徴とする。 The nickel layer is formed by electroless plating.
このような構成によれば、実装部品が搭載されたチップ・オン・フィルムであっても、ニッケル層形成時に電流が流されていないので、損傷を受けていない実装部品を搭載可能である。 According to such a configuration, even a chip-on-film on which a mounting component is mounted can mount a mounting component that is not damaged because no current is passed when the nickel layer is formed.
また、本発明に係る検査用プローブの製造方法は、ニッケルメッキ液内にニッケル材料を浸漬させて前記ニッケル材料表面にニッケル膜を成長させる工程と、前記ニッケルメッキ液内で、端子部表面に金材料が設けられたチップ・オン・フィルムの前記金材料に前記ニッケル材料を当接させて、前記金材料表面にニッケル膜を作成する工程と、前記金材料上に作成されたニッケル膜を成長させてニッケル層を形成する工程とを具備したことを特徴とする。 The method for manufacturing an inspection probe according to the present invention includes a step of immersing a nickel material in a nickel plating solution to grow a nickel film on the surface of the nickel material, A step of bringing the nickel material into contact with the gold material of the chip-on-film provided with the material to form a nickel film on the surface of the gold material, and growing the nickel film formed on the gold material And a step of forming a nickel layer.
このような構成によれば、ニッケルメッキ液内にニッケル材料を浸漬させてニッケル材料表面にニッケル膜を成長させる。次に、ニッケルメッキ液内で、チップ・オン・フィルムの端子部表面の金材料にニッケル材料を当接させて、金材料表面にニッケル膜を作成する。そして、金材料上に作成されたニッケル膜を成長させてニッケル層を形成する。ニッケル層の形成に電流を流しておらず、チップ・オン・フィルムの実装部品にダメージを与えることなく、ニッケル層を形成することができる。 According to such a configuration, the nickel material is immersed in the nickel plating solution to grow a nickel film on the surface of the nickel material. Next, in the nickel plating solution, the nickel material is brought into contact with the gold material on the surface of the terminal portion of the chip-on-film to form a nickel film on the gold material surface. Then, a nickel film formed on the gold material is grown to form a nickel layer. It is possible to form the nickel layer without applying an electric current to the formation of the nickel layer and damaging the chip-on-film mounting component.
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は本発明の一実施の形態に係る検査用プローブを示す断面図である。本実施の形態は検査対象の電気光学装置として液晶パネルを用いた例である。図2は検査対象の液晶パネルの画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図3はTFT基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図であり、図4は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶パネルを、図3のH−H'線の位置で切断して示す断面図である。また、図5は液晶パネルと検査用プローブとを示す平面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an inspection probe according to an embodiment of the present invention. This embodiment is an example in which a liquid crystal panel is used as an electro-optical device to be inspected. FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of various elements and wirings in a plurality of pixels constituting the pixel region of the liquid crystal panel to be inspected. FIG. 3 is a plan view of an element substrate such as a TFT substrate as viewed from the counter substrate side together with each component formed thereon, and FIG. 4 is an assembly process in which the element substrate and the counter substrate are bonded together to enclose liquid crystal. It is sectional drawing which cut | disconnects and shows the liquid crystal panel after completion | finish at the position of the HH 'line | wire of FIG. FIG. 5 is a plan view showing the liquid crystal panel and the inspection probe. In each drawing used for the following description, the scale is different for each member in order to make each member a size that can be recognized on the drawing.
先ず、図2乃至図4を参照して検査対象の電気光学装置である液晶パネルの全体構成について説明する。
液晶パネルは、図2及び図3に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いたTFT基板10と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板20との間に液晶50を封入して構成される。対向配置されたTFT基板10と対向基板20とは、シール材52によって貼り合わされている。
First, the overall configuration of a liquid crystal panel, which is an electro-optical device to be inspected, will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 2 and 3, the liquid crystal panel includes, for example, a quartz substrate, a glass substrate, a
TFT基板10上には画素を構成する画素電極(ITO)9a等がマトリクス状に配置される。また、対向基板20上には全面に対向電極(ITO)21が設けられる。TFT基板10の画素電極9a上には、液晶50に接して、ラビング処理が施された配向膜16が設けられている。一方、対向基板20側においても、液晶50に接して、全面に渡って、ラビング処理が施された配向膜22が設けられている。各配向膜16,22は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
On the
図4は画素を構成するTFT基板10上の素子の等価回路を示している。図4に示すように、画素領域においては、複数本の走査線11aと複数本のデータ線6aとが交差するように配線され、走査線11aとデータ線6aとで区画された領域に画素電極9aがマトリクス状に配置される。そして、走査線11aとデータ線6aの各交差部分に対応してTFT30が設けられ、このTFT30に画素電極9aが接続される。
FIG. 4 shows an equivalent circuit of elements on the
TFT30は走査線11aのON信号によってオンとなり、これにより、データ線6aに供給された画像信号が画素電極9aに供給される。この画素電極9aと対向基板20に設けられた対向電極21との間の電圧が液晶50に印加される。また、画素電極9aと並列に蓄積容量70が設けられており、蓄積容量70によって、画素電極9aの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば3桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量70によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
The TFT 30 is turned on by the ON signal of the
画素電極9aは、TFT基板10上に、マトリクス状に複数設けられており、画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデータ線6a及び走査線11aが設けられている。データ線6aは、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線11aは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。TFT30は半導体層とゲート電極3aとの間にゲート絶縁膜を配置して構成され、走査線11aは、半導体層中のチャネル領域に対向するゲート電極3aに電気的に接続されている。すなわち、走査線11aとデータ線6aとの交差する箇所にはそれぞれ、走査線11aに接続されたゲート電極3aとチャネル領域とが対向配置されて画素スイッチング用のTFT30が構成されている。
A plurality of
TFT基板10上には、TFT30や画素電極9aの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。即ち、TFT基板10上には、走査線11aを含む層、TFT30及びゲート電極3aを含む層、蓄積容量70を含む層、データ線6a等を含む層、並びに、画素電極9a及び配向膜16等を含む層が形成される。
On the
各層の層間には、層間絶縁膜が配置されて、各要素間が短絡することが防止される。また、各層間絶縁膜には、上下の層を電気的に接続するためのコンタクトホールも設けられている。 An interlayer insulating film is disposed between the layers to prevent a short circuit between the elements. Each interlayer insulating film is also provided with a contact hole for electrically connecting the upper and lower layers.
また、図2及び図3に示すように、対向基板20には表示領域を区画する額縁としての遮光膜53が設けられている。対向基板20の全面には、上述したように、ITO等の透明導電性膜が対向電極21として形成され、更に、液晶50に面して、全面にポリイミド系の配向膜22が形成される。配向膜22は、液晶分子に所定のプレティルト角を付与するように、所定方向にラビング処理されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
遮光膜53の外側の領域には液晶を封入するシール材52が、TFT基板10と対向基板20間に形成されている。シール材52は対向基板20の輪郭形状に略一致するように配置され、TFT基板10と対向基板20を相互に固着する。シール材52は、TFT基板10の1辺の一部において欠落しており、液晶50を注入するための液晶注入口108が形成される。貼り合わされた素子基板10及び対向基板20相互の間隙には、液晶注入口108より液晶が注入される。液晶注入後に、液晶注入口108を封止材109で封止するようになっている。
In a region outside the
シール材52の外側の領域には、データ線6aに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線6aを駆動するデータ線駆動回路101及び外部回路との接続のための外部接続端子102がTFT基板10の一辺に沿って設けられている。この一辺に隣接する二辺に沿って、走査線11a及びゲート電極3aに走査信号を所定のタイミングで供給することによりゲート電極3aを駆動する走査線駆動回路104が設けられている。走査線駆動回路104は、シール材52の内側の遮光膜53に対向する位置においてTFT基板10上に形成される。また、TFT基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、外部接続端子102及び上下導通端子107を接続する配線105が、遮光膜53の3辺に対向して設けられている。
In an area outside the sealing
上下導通端子107は、シール材52のコーナー部の4箇所のTFT基板10上に形成される。そして、TFT基板10と対向基板20相互間には、下端が上下導通端子107に接触し、上端が対向電極21に接触する上下導通材106が設けられており、上下導通材106によって、TFT基板10と対向基板20との間で電気的な導通がとられている。
The
このように構成された液晶パネルに対して検査を行う場合には、外部接続端子102に図1及び図5に示す検査用プローブを接続する。
図1及び図5は、本実施の形態に係る検査用プローブを示している。図5は検査用プローブ80の先端部分のみを示し、図1は図5のV−V線で切断した断面の一部を示している。
When the inspection is performed on the liquid crystal panel configured as described above, the inspection probe shown in FIGS. 1 and 5 is connected to the
1 and 5 show an inspection probe according to the present embodiment. FIG. 5 shows only the distal end portion of the
本実施の形態に係る検査用プローブ80は、COF(Chip on Film)を流用して構成されている。一般的なCOFは、FPC(Flexible Print Circuit))上にLSI(大規模集積回路)を搭載して構成されており、液晶パネル用として用いる場合には、LSIとして例えば液晶パネルのドライバが搭載される。液晶パネルと一般的なCOFとは外部接続端子102を介して接続可能である。
The
このように、一般的なCOFの端子は、液晶パネルの外部接続端子102とコンタクト可能に構成されているので、本実施の形態では、この一般的なCOFを流用して検査用プローブ80を構成している。即ち、検査用プローブ80は、一般的なCOFと同様に、ポリイミドフィルム等のベース材料81上に例えば銅箔やニッケル材料を用いた導電性のパターン82が形成されている。パターン82上には金メッキ層83が形成されている。なお、図5においては、図面の見やすさを考慮してパターン82側を紙面表側方向に示している。また、図5ではパターン82についてはベース材料81の両端側の一部のみを示しており、中央部のパターンについては図示を省略している。
As described above, the general COF terminal is configured to be able to contact the
パターン82は、各パターンが液晶パネルの外部接続端子102の各端子部に対応した幅及びピッチで形成される。一般的なCOFはLSIを搭載するバンプ部に金が用いられており、パターン82上を含む端子部85において、金による金メッキ層83が形成されている。液晶パネルを製品として用いる場合には、COFの端子部85と外部接続端子102とはACFを介して接続される。
The
本実施の形態においては、COFを検査用のプローブとして流用するものであり、外部接続端子102との接続にACFは用いない。即ち、検査時には、検査用プローブ80の端子部85を直接外部接続端子102に押し当てる。
In this embodiment, COF is used as a probe for inspection, and ACF is not used for connection with the
一般的なCOFを外部接続端子102に押し当てた場合には、金メッキ層83が剥がれ落ちて、液晶パネルの外部接続端子102に転写されてしまう。このため、一般的なCOFでは、コンタクトの耐久性が著しく悪く、検査用のプローブとして用いることはできない。なお、このような金メッキ配線については、特許文献1に記載されたものがある。
When a general COF is pressed against the
そこで、本実施の形態においては、金メッキ層83上に、ニッケル層84を形成するようになっている。ニッケル層84は金メッキ層83の表面を覆う。ニッケル層84は、十分な強度を有すると共に、電気的特性にも優れている。このため、ニッケル層84を外部接続端子102に押し当てた場合でも、ニッケル層84並びにその下層の金メッキ層83が剥がれ落ちることはなく、また、ニッケル層83は良好な電気的特性を有することから、コンタクト性能に優れている。
Therefore, in the present embodiment, the
次に、ニッケル層84の形成方法について図6乃至図8を参照して説明する。図6はニッケル層84の形成工程を工程順に示す工程図である。図7はニッケル層84を無電界メッキ法により形成する場合のフローを示すフローチャートであり、図8は無電界メッキ法を説明するための説明図である。
Next, a method for forming the
本実施の形態においては、金メッキ層83上に、ニッケルを析出させることで、ニッケル層84を形成する。ニッケルの析出方法としては、電気を流しながら蒸着させる電界メッキ法と電気を流さずに自然増殖によりメッキを形成する無電界メッキ法とがある。電界メッキ法によってCOFの端子部にニッケルを蒸着しようとすると、LSIに電流が流れてLSIを破損させてしまう虞がある。そこで、本実施の形態においては、無電解メッキ法によるニッケル蒸着を行う。
In the present embodiment,
先ず、図7のステップS1において、蒸着槽91内のニッケルメッキ液92に、ニッケルプレート95を浸漬させる。これにより、ニッケルプレート95のプレート表面96には自己増殖によりニッケルメッキ層(図示せず)が形成される(ステップS2)。
First, in step S <b> 1 of FIG. 7, the
一方、蒸着槽91内には、図6(a)に示すように、パターン82上に金メッキ層83が形成されたCOF80’が浸漬されている。このCOF80’の端子部85にニッケルプレート95のプレート表面96を押し当てる(ステップS3)。そうすると、端子部85とプレート表面96とが同電位となり、端子部85の表面、即ち、金メッキ層83上にニッケルメッキ84’が蒸着される(ステップS4)。このニッケルメッキ84’が矢印に示すように自己増殖により成長して(ステップS5)、ニッケル層84が形成される。
On the other hand, as shown in FIG. 6A,
このように構成された検査用プローブ80においては、金メッキ層83上にニッケル層84が形成されていることから、強度が高く、耐久性に優れている。従って、液晶パネルの検査のために、検査用プローブ80の端子部85を液晶パネルの外部接続端子102に押し当てて、電気的な接続を行った場合でも、ニッケル層84及び金メッキ層83が剥離することはない。従って、検査用プローブ80を繰返し検査用として用いることができる。例えば、検査用プローブ80によって数百回のコンタクトをとることが可能である。
In the
このように本実施の形態においては、電気光学装置の端子幅が狭い場合でも、電気的に良好なコンタクトが可能で、且つ極めて耐久性に優れた検査用プローブを得ることができる。また、製品のCOFを流用して簡単に構成することができ、安価に製造することができる。 As described above, in the present embodiment, even when the terminal width of the electro-optical device is narrow, it is possible to obtain an inspection probe that is capable of making good electrical contact and is extremely excellent in durability. Moreover, it can be simply configured by diverting the product COF, and can be manufactured at low cost.
なお、上記実施の形態においては、電気光学装置として、パッシブマトリクス型の液晶表示パネルだけでなく、アクティブマトリクス型の液晶パネル(例えば、TFT(薄膜トランジスタ)やTFD(薄膜ダイオード)をスイッチング素子として備えた液晶表示パネル)にも同様に適用することが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置(Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等)、DLP(Digital Light Processing)(別名DMD:Digital Micromirror Device)等の各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。 In the above embodiment, as an electro-optical device, not only a passive matrix type liquid crystal display panel but also an active matrix type liquid crystal panel (for example, TFT (thin film transistor) or TFD (thin film diode)) is provided as a switching element. A liquid crystal display panel) can be similarly applied. In addition to liquid crystal display panels, electroluminescence devices, organic electroluminescence devices, plasma display devices, electrophoretic display devices, devices using electron emission (such as Field Emission Display and Surface-Conduction Electron-Emitter Display), DLP ( The present invention can be similarly applied to various electro-optical devices such as Digital Light Processing (aka DMD: Digital Micromirror Device).
また、本発明は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばLCOS(Liquid Crystal On Silicon)等にも適用可能である。 The present invention is also applicable to display devices that form elements on a semiconductor substrate, such as LCOS (Liquid Crystal On Silicon).
LCOSでは素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。 In LCOS, a single crystal silicon substrate is used as an element substrate, and a transistor is formed on a single crystal silicon substrate as a switching element used for a pixel or a peripheral circuit. In addition, a reflective pixel electrode is used for the pixel, and each element of the pixel is formed under the pixel electrode.
80…検査用プローブ、81…ベース材料、82…パターン、83…金メッキ層、84…ニッケル層。 80 ... Probe for inspection, 81 ... Base material, 82 ... Pattern, 83 ... Gold plating layer, 84 ... Nickel layer.
Claims (3)
前記端子部表面の金材料上に形成されたニッケル層と
を具備したことを特徴とする検査用プローブ。 A chip-on-film with a gold material on the surface of the terminal,
And a nickel layer formed on a gold material on the surface of the terminal portion.
前記ニッケルメッキ液内で、端子部表面に金材料が設けられたチップ・オン・フィルムの前記金材料に前記ニッケル材料を当接させて、前記金材料表面にニッケル膜を作成する工程と、
前記金材料上に作成されたニッケル膜を成長させてニッケル層を形成する工程と
を具備したことを特徴とする検査用プローブの製造方法。 Immersing a nickel material in a nickel plating solution to grow a nickel film on the nickel material surface; and
In the nickel plating solution, contacting the nickel material with the gold material of a chip-on-film provided with a gold material on the surface of the terminal part, and creating a nickel film on the gold material surface;
And a step of growing a nickel film formed on the gold material to form a nickel layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007072025A JP2008233460A (en) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | Inspection probe and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007072025A JP2008233460A (en) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | Inspection probe and manufacturing method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008233460A true JP2008233460A (en) | 2008-10-02 |
Family
ID=39906323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007072025A Withdrawn JP2008233460A (en) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | Inspection probe and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008233460A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100974535B1 (en) * | 2010-03-23 | 2010-08-10 | (주)유비프리시젼 | Film type probe contactor and for manufacturing thereof |
KR100979478B1 (en) | 2010-07-08 | 2010-09-02 | (주)유비프리시젼 | Mems film type probe contactor and probe block having thereof |
KR101343173B1 (en) * | 2012-11-30 | 2013-12-20 | 김상규 | A probe unit for display pannel and a method of manufacturing a probe unit for display pannel |
KR101651539B1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-06 | 주식회사 오킨스전자 | Base film for lcd panel test, probe block, probe unit comprising the same |
-
2007
- 2007-03-20 JP JP2007072025A patent/JP2008233460A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100974535B1 (en) * | 2010-03-23 | 2010-08-10 | (주)유비프리시젼 | Film type probe contactor and for manufacturing thereof |
KR100979478B1 (en) | 2010-07-08 | 2010-09-02 | (주)유비프리시젼 | Mems film type probe contactor and probe block having thereof |
KR101343173B1 (en) * | 2012-11-30 | 2013-12-20 | 김상규 | A probe unit for display pannel and a method of manufacturing a probe unit for display pannel |
KR101651539B1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-06 | 주식회사 오킨스전자 | Base film for lcd panel test, probe block, probe unit comprising the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10037984B2 (en) | Display device | |
KR101195688B1 (en) | Flexible substrate and electric circuit structure | |
CN100410740C (en) | Electrooptical device, mounting structure, and electronic apparatus | |
US8101869B2 (en) | Mounting structure, electro-optical device, and electronic apparatus | |
US8016181B2 (en) | Method of producing electro-optical device using anisotropic conductive adhesive containing conductive particles to bond terminal portions and electro-optical device | |
US20100182293A1 (en) | Display module, liquid crystal display device and method for manufacturing display module | |
US10595448B2 (en) | Display apparatus and manufacturing method thereof | |
JP4240111B2 (en) | Manufacturing method of electro-optical device | |
JP4277777B2 (en) | Mounting structure, mounting substrate, electro-optical device, and electronic apparatus | |
US20180068940A1 (en) | Display device having connection unit | |
KR100435796B1 (en) | Structure of substrate terminal, liquid crystal device, and electronic apparatus | |
JP2002090424A (en) | Matrix array board | |
JP2008233460A (en) | Inspection probe and manufacturing method thereof | |
US20090208731A1 (en) | Conductive adhesive film, method of producing conductive adhesive film, electronic apparatus including conductive adhesive film, and method of producing electronic apparatus including conductive adhesive film | |
US6791634B2 (en) | Display device having connecting pads crossing a spare line | |
JP7478257B2 (en) | Display device | |
US9158170B2 (en) | LCD device, array substrate, and method of manufacturing the array substrate | |
JP2011008051A (en) | Liquid crystal display device and inspection method for liquid crystal display device | |
JP2007288062A (en) | Terminal device, and method of connecting thereof | |
KR20090038775A (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method of the same | |
JP2007086110A (en) | Electrooptical device and electronic equipment | |
KR101080705B1 (en) | Chip on glass structure array substrate for Liquid crystal display device | |
KR101147260B1 (en) | Liquid Crystal Display and Fabricating Method thereof | |
JP2019008106A (en) | Array substrate and display panel including array substrate | |
CN215576013U (en) | Display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100601 |