JP2008225033A - Liquid crystal device, manufacturing of liquid crystal device, and electronic apparatus - Google Patents

Liquid crystal device, manufacturing of liquid crystal device, and electronic apparatus Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal device that gives liquid crystal an arbitrary pretile and also applies stable anchoring force, and to provide a manufacturing of the liquid crystal device and an electronic apparatus. <P>SOLUTION: The liquid crystal device which has the liquid crystal sandwiched between a first substrate and a second substrate opposed to the first substrate has an alignment layer 16 comprising a grouond film 30 which is formed on an electrode 9a and has a plurality of groove portions 31 extending in a predetermined direction and arrayed at predetermined intervals; and an obliquely vapor-deposited film 40 which is formed on the ground film 30 and comprises a plurality of columnar structures projected in the extending direction of the groove portions 31 obliquely at a predetermined angle θ0. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、第1の基板と該第1の基板に対向する第2の基板との間に液晶が挟持された液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器に関する。   The present invention relates to a liquid crystal device in which a liquid crystal is sandwiched between a first substrate and a second substrate facing the first substrate, a method for manufacturing the liquid crystal device, and an electronic apparatus.

一般に、液晶表示パネル等の液晶装置において液晶分子を配向規制するための配向膜として、SiO等の無機材料を基板表面に対し所定の角度をもって蒸着することにより形成される無機配向や、ポリイミド等の有機材料によって構成される薄膜にラビング処理を施すことによって形成される有機配向膜が知られている。 In general, as an alignment film for regulating alignment of liquid crystal molecules in a liquid crystal device such as a liquid crystal display panel, inorganic alignment formed by depositing an inorganic material such as SiO 2 at a predetermined angle with respect to the substrate surface, polyimide, or the like An organic alignment film formed by subjecting a thin film made of the organic material to a rubbing process is known.

しかしながら、蒸着により無機配向膜を形成する場合、基板に対して均一な方向から蒸着を行わなければならないため、装置が大型になり製造コストが増大する。また、ラビングにより有機配向膜を形成する場合、ラビング処理に伴う発塵により液晶装置の不良が発生しやすくなる。   However, when forming an inorganic alignment film by vapor deposition, the vapor deposition must be performed from a uniform direction with respect to the substrate, which increases the size of the apparatus and the manufacturing cost. Further, when the organic alignment film is formed by rubbing, a defect of the liquid crystal device is likely to occur due to dust generation accompanying rubbing treatment.

このような、従来の配向膜の製造時の問題点を解消するために、様々な配向膜の形成方法が提案されている。例えば、特許文献1及び2には液晶に接する膜の表面にレーザーを照射することにより凹凸を形成し、液晶に対する配向規制力を得る技術が開示されている。また、特許文献3には、液晶に接する膜の表面にスタンプ法やエッチング法により凹凸を形成し、液晶に対する配向規制力を得る技術が開示されている。
特開平6−51314号公報 特開平9−152612号公報 特開平5−188377号公報
In order to eliminate such problems in manufacturing the conventional alignment film, various methods for forming the alignment film have been proposed. For example, Patent Documents 1 and 2 disclose a technique in which irregularities are formed by irradiating a surface of a film in contact with a liquid crystal to obtain an alignment regulating force for the liquid crystal. Patent Document 3 discloses a technique for obtaining alignment regulating force for liquid crystal by forming irregularities on the surface of a film in contact with liquid crystal by a stamp method or an etching method.
JP-A-6-51314 JP-A-9-152612 JP-A-5-188377

しかしながら、特許文献1から3に開示されているような、液晶に接する膜の表面に凹凸を形成することによって配向膜を形成した場合、液晶に対して所望のプレチルト角を与えることが困難であるという問題がある。このため、液晶の配向が乱れやすく、いわゆるディスクリネーションが発生しやすくなってしまう。   However, when the alignment film is formed by forming irregularities on the surface of the film in contact with the liquid crystal as disclosed in Patent Documents 1 to 3, it is difficult to give a desired pretilt angle to the liquid crystal. There is a problem. For this reason, the alignment of the liquid crystal is likely to be disturbed, and so-called disclination is likely to occur.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、液晶に対して任意のプレチルトを与え、かつ安定したアンカリング力を与えることにより高い表示品位を実現することが可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and a liquid crystal device and a liquid crystal capable of realizing high display quality by giving an arbitrary pretilt to the liquid crystal and giving a stable anchoring force An object of the present invention is to provide a device manufacturing method and an electronic device.

本発明の液晶装置は、第1の基板と該第1の基板に対向する第2の基板との間に液晶が挟持されてなる液晶装置であって、前記第1の基板と前記第2の基板との少なくとも一方の基板の電極上に形成されてなり、所定の方向に延在し、かつ所定の間隔で配列された複数の溝部を有する下地膜と、該下地膜上に形成され、前記溝部の延在方向に沿って所定の角度だけ傾斜して凸設される複数の柱状構造物により構成される斜方蒸着膜とによって構成される配向膜を具備することを特徴とする。   The liquid crystal device of the present invention is a liquid crystal device in which a liquid crystal is sandwiched between a first substrate and a second substrate facing the first substrate, wherein the first substrate and the second substrate Formed on the electrode of at least one of the substrates, a base film having a plurality of grooves extending in a predetermined direction and arranged at a predetermined interval, and formed on the base film, It is characterized by comprising an alignment film composed of an oblique vapor deposition film composed of a plurality of columnar structures that are inclined and projected at a predetermined angle along the extending direction of the groove.

また、本発明の液晶装置の製造方法は、第1の基板と該第1の基板に対向する第2の基板との間に液晶が挟持されてなる液晶装置の製造方法であって、前記第1の基板と前記第2の基板との少なくとも一方の基板の電極上に透光性を有する絶縁膜を形成する工程と、該透光性を有する絶縁膜に、所定の方向に延在しかつ所定の間隔で配列された複数の溝部を形成する工程と、前記溝部が形成された前記透光性を有する絶縁膜上に、前記溝部の延在方向に沿う方向から所定の角度で斜方蒸着を行うことにより、斜方蒸着膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする。   The method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal device in which a liquid crystal is sandwiched between a first substrate and a second substrate facing the first substrate. A step of forming a light-transmitting insulating film on an electrode of at least one of the first substrate and the second substrate, the light-transmitting insulating film extending in a predetermined direction, and Forming a plurality of grooves arranged at predetermined intervals, and oblique deposition at a predetermined angle from a direction along the extending direction of the grooves on the light-transmitting insulating film in which the grooves are formed And performing a step of forming an oblique vapor deposition film.

また、本発明の電子機器は、前記液晶装置を具備することを特徴とする。   According to another aspect of the invention, an electronic apparatus includes the liquid crystal device.

本発明のこのような構成によれば、従来の表面に溝部を形成しただけの配向膜とは異なり液晶分子に任意のプレチルトを与えることが可能であり、かつ、従来の斜方蒸着膜に比して、液晶分子に対して、より安定し、かつより強い方位方向のアンカリング力を与えることが可能となる。よって、ディスクリネーションが生じ難い表示品位の高い液晶装置を提供することが可能となる。   According to such a configuration of the present invention, it is possible to give an arbitrary pretilt to the liquid crystal molecules, unlike the conventional alignment film in which only the groove portion is formed on the surface, and compared with the conventional oblique deposition film. Thus, it becomes possible to give a more stable and stronger anchoring force in the azimuth direction to the liquid crystal molecules. Therefore, it is possible to provide a liquid crystal device with high display quality that hardly causes disclination.

また、本発明は、前記下地膜は、透光性を有する絶縁膜であることが好ましい。   In the present invention, it is preferable that the base film is a light-transmitting insulating film.

このような構成によれば、ディスクリネーションが生じ難く表示品位の高い透過式の液晶装置を提供することが可能となる。   According to such a configuration, it is possible to provide a transmissive liquid crystal device that does not easily cause disclination and has high display quality.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。本実施形態に係る蒸着装置は、液晶装置用の基板に無機配向膜を形成する装置である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The vapor deposition apparatus according to this embodiment is an apparatus that forms an inorganic alignment film on a substrate for a liquid crystal device. In each drawing used for the following description, the scale is different for each member in order to make each member a size that can be recognized on the drawing.

まず、本実施形態の液晶装置100の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここで、図1はTFTアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図である。図2は、図1のH−H’断面図である。ここでは、液晶装置の一例として、駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶表示装置を例にとる。   First, the overall configuration of the liquid crystal device 100 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Here, FIG. 1 is a plan view of the liquid crystal device when the TFT array substrate is viewed from the side of the counter substrate together with each component configured thereon. 2 is a cross-sectional view taken along the line H-H ′ of FIG. 1. Here, as an example of the liquid crystal device, a transmissive liquid crystal display device of a TFT active matrix driving method with a built-in driving circuit is taken as an example.

液晶装置100は、ガラスや石英等からなるTFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶50を挟持してなり、液晶50の配向状態を変化させることにより、画像表示領域10aに対向基板20側から入射する光を変調しTFTアレイ基板10側から出射することで、画像表示領域10aにおいて画像を表示するものである。   In the liquid crystal device 100, the liquid crystal 50 is sandwiched between the TFT array substrate 10 made of glass, quartz, or the like and the counter substrate 20, and the alignment state of the liquid crystal 50 is changed, whereby the counter substrate 20 is placed in the image display region 10a. By modulating the light incident from the side and emitting from the TFT array substrate 10 side, an image is displayed in the image display region 10a.

図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置100では、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されており、TFTアレイ基板10と対向基板20との間には液晶50が挟持されている。また、シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が散らばって配設されている。   1 and 2, in the liquid crystal device 100 according to the present embodiment, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are arranged to face each other. The TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded to each other by a seal material 52 provided in a seal region located around the image display region 10a. Between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, A liquid crystal 50 is sandwiched. Further, in the sealing material 52, gap materials such as glass fibers or glass beads are arranged in a scattered manner so that the distance between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 is set to a predetermined value.

シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。なお、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。   A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display region 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal region where the seal material 52 is disposed. A part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side.

また、本実施形態においては、前記の画像表示領域10aの周辺に位置する非表示領域が存在する。非表示領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び実装端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。図示しないが、TFTアレイ基板10の表面に露出して設けられた実装端子102にフレキシブルプリント基板等を接続することにより、液晶装置100と例えば電子機器の制御装置等の外部との電気的接続が行われる。   In the present embodiment, there is a non-display area located around the image display area 10a. In the non-display area, the data line driving circuit 101 and the mounting terminal 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 in an area located outside the seal area where the seal material 52 is disposed. Although not shown, by connecting a flexible printed circuit board or the like to the mounting terminals 102 exposed on the surface of the TFT array substrate 10, electrical connection between the liquid crystal device 100 and the outside such as a control device of an electronic device can be achieved. Done.

また、走査線駆動回路104は、データ線駆動回路101及び実装端子102が設けられたTFTアレイ基板10の一辺に隣接する2辺に沿い、かつ額縁遮光膜53に覆われるように設けられている。また、TFTアレイ基板10の残る一辺、すなわちデータ線駆動回路101及び実装端子102が設けられたTFTアレイ基板10の一辺に対向する辺に沿って設けられ、額縁遮光膜53に覆われるように設けられた複数の配線105によって、二つの走査線駆動回路104は互いに電気的に接続されている。   The scanning line driving circuit 104 is provided along two sides adjacent to one side of the TFT array substrate 10 on which the data line driving circuit 101 and the mounting terminals 102 are provided, and is covered with the frame light shielding film 53. . Further, the TFT array substrate 10 is provided along the remaining side, that is, the side facing the one side of the TFT array substrate 10 on which the data line driving circuit 101 and the mounting terminal 102 are provided, and is provided so as to be covered with the frame light shielding film 53. The two scanning line driving circuits 104 are electrically connected to each other by the plurality of wirings 105.

また、対向基板20のコーナー部の少なくとも一箇所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材106が配置されている。他方、TFTアレイ基板10にはこれらの上下導通材106に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材106と上下導通端子を介して、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な接続が行われる。   Further, at least one corner of the counter substrate 20 is provided with a vertical conductive material 106 that functions as a vertical conductive terminal for electrical connection between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. On the other hand, the TFT array substrate 10 is provided with vertical conduction terminals in a region corresponding to these vertical conduction members 106. Electrical connection is made between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 via the vertical conductive member 106 and the vertical conductive terminal.

図2において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極9a上に、無機配向膜16が形成されている。他方、対向基板20上には、対向電極21の他、格子状又はストライプ状の遮光膜23、更には最上層部分に無機配向膜22が形成されている。TFTアレイ基板10及び対向基板20のそれぞれ液晶50と接する面に形成された無機配向膜16及び22は、詳しくは後述するが、SiO、SiO、MgF等の透光性を有する無機材料によって構成された薄膜である。無機配向膜16及び22は、液晶50の配向を規制するための膜であり、液晶50は一対の無機配向膜16及び22の間で、所定の配向状態をとる。 In FIG. 2, an inorganic alignment film 16 is formed on the TFT array substrate 10 on the pixel electrode 9a after the formation of pixel switching TFTs, scanning lines, data lines, and the like. On the other hand, on the counter substrate 20, in addition to the counter electrode 21, a lattice-shaped or striped light-shielding film 23 and an inorganic alignment film 22 are formed on the uppermost layer. As will be described in detail later, the inorganic alignment films 16 and 22 formed on the surfaces of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 in contact with the liquid crystal 50 are made of a light-transmitting inorganic material such as SiO 2 , SiO, or MgF 2 . It is a structured thin film. The inorganic alignment films 16 and 22 are films for regulating the alignment of the liquid crystal 50, and the liquid crystal 50 takes a predetermined alignment state between the pair of inorganic alignment films 16 and 22.

また、対向基板20の入射光が入射する側及びTFTアレイ基板10の出射光が出射する側には各々、例えば、TN(ツイステッドネマティック)モード、STN(スーパーTN)モード、D−STN(ダブル−STN)モード、VA(垂直配向)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。   Further, for example, the TN (twisted nematic) mode, the STN (super TN) mode, and the D-STN (double- A polarizing film, a retardation film, a polarizing plate, and the like are arranged in a predetermined direction according to an operation mode such as an STN) mode and a VA (vertical alignment) mode, and a normally white mode / normally black mode.

上述した構成を有する液晶装置100においては、液晶を配向規制するための配向膜を、SiO、SiO、MgF等の無機材料にて構成される薄膜である無機配向膜により形成している。無機材料によって構成される無機配向膜は、例えばポリイミド等の有機材料によって構成される配向膜に対して耐光性や耐熱性に優れるため、経年劣化がなく表示品位が低下することのない液晶装置を実現できる。 In the liquid crystal device 100 having the above-described configuration, the alignment film for regulating the alignment of the liquid crystal is formed of an inorganic alignment film that is a thin film made of an inorganic material such as SiO 2 , SiO, or MgF 2 . An inorganic alignment film composed of an inorganic material is superior in light resistance and heat resistance to an alignment film composed of an organic material such as polyimide, so that a liquid crystal device that does not deteriorate over time and does not deteriorate display quality is used. realizable.

なお、本実施形態においては、対向基板20に形成される無機配向膜23も同様の構成を有するものであるが、液晶装置の構成によっては、本実施形態の無機配向膜は、TFTアレイ基板及び対向基板のいずれか一方にのみ形成されてもよい。   In this embodiment, the inorganic alignment film 23 formed on the counter substrate 20 also has the same configuration. However, depending on the configuration of the liquid crystal device, the inorganic alignment film of this embodiment may be a TFT array substrate and It may be formed only on one of the counter substrates.

次に、上述した無機配向膜16の構成を、図3及び図4を用いて説明する。図3は、図2の画素電極上に形成された無機配向膜の構成を、無機配向膜によって配向される液晶とともに概略的に示す図である。図4は、無機配向膜の溝部の延在方向に沿った断面図である。なお、無機配向膜23の構成は、無機配向膜16の構成と同様であるため、以下においては、無機配向膜16の構成についてのみ説明する。   Next, the configuration of the inorganic alignment film 16 described above will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a diagram schematically showing the configuration of the inorganic alignment film formed on the pixel electrode of FIG. 2 together with the liquid crystal aligned by the inorganic alignment film. FIG. 4 is a cross-sectional view along the extending direction of the groove of the inorganic alignment film. In addition, since the structure of the inorganic alignment film 23 is the same as that of the inorganic alignment film 16, only the structure of the inorganic alignment film 16 is demonstrated below.

図3に示すように、本実施形態の無機配向膜16は、下地膜30と該下地膜30上に形成された斜方蒸着膜40とにより構成されている。   As shown in FIG. 3, the inorganic alignment film 16 of the present embodiment is composed of a base film 30 and an obliquely deposited film 40 formed on the base film 30.

下地膜30は、透光性を有する絶縁膜であって、本実施形態においては、シリコン酸化膜により構成されている。下地膜30は、その上面に、所定の方向(図3中、x方向)に沿う直線状の凹部である溝部31が、x方向と直交する方向であるy方向に所定の間隔Wで配列されて形成されている。   The base film 30 is a light-transmitting insulating film, and is composed of a silicon oxide film in this embodiment. On the upper surface of the base film 30, grooves 31 that are linear recesses along a predetermined direction (x direction in FIG. 3) are arranged at a predetermined interval W in the y direction, which is a direction orthogonal to the x direction. Is formed.

溝部31は、x−y平面、すなわちTFTアレイ基板10と略平行な平面の法線方向(図3中、z方向)に所定の深さhを有し、かつTFTアレイ基板10の表示領域10a全体に亘って形成されている。   The groove portion 31 has a predetermined depth h in the normal direction (z direction in FIG. 3) of the xy plane, that is, a plane substantially parallel to the TFT array substrate 10, and the display area 10 a of the TFT array substrate 10. It is formed throughout.

下地膜30は、所定の厚さのシリコン酸化膜をプラズマCVD法等によって成膜した後に、グレースケールマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により溝部31を凹設することで形成される。   The base film 30 is formed by forming a groove 31 by a photolithography process using a gray scale mask after a silicon oxide film having a predetermined thickness is formed by a plasma CVD method or the like.

斜方蒸着膜40は、溝部31が形成された下地膜30上に、本実施形態ではSiOからなる柱状構造物41が所定の密度で多数形成されて構成されている。この柱状構造は、カラム構造とも称されるものであり、所定の条件下で蒸着法によりSiOの分子を堆積させることで形成されるナノメートルオーダの構造である。 In the present embodiment, the oblique vapor deposition film 40 is formed by forming a large number of columnar structures 41 made of SiO 2 at a predetermined density on the base film 30 on which the groove portions 31 are formed. This columnar structure is also referred to as a column structure, and is a nanometer-order structure formed by depositing SiO 2 molecules by vapor deposition under a predetermined condition.

柱状構造物41は、TFTアレイ基板10と略平行な平面の法線方向(z方向)に対して、所定の角度θ0だけ、溝部31の延在する方向に傾斜するように形成されている。つまり、図4に示すように、斜方蒸着膜40を構成する柱状構造物41は、x−z平面に平行な方向に傾斜しており、x−z平面上においてTFTアレイ基板10と略平行な平面の法線方向(z方向)に対して所定の角度θ0を成すように凸設されている。   The columnar structure 41 is formed so as to incline in a direction in which the groove 31 extends by a predetermined angle θ0 with respect to a normal direction (z direction) of a plane substantially parallel to the TFT array substrate 10. That is, as shown in FIG. 4, the columnar structure 41 constituting the oblique vapor deposition film 40 is inclined in a direction parallel to the xz plane, and is substantially parallel to the TFT array substrate 10 on the xz plane. A convex surface is formed so as to form a predetermined angle θ0 with respect to the normal direction (z direction) of a flat surface.

斜方蒸着膜40は、溝部31が形成された下地膜30上に成膜されるため、表面に溝部31と略同一の方向に延在する溝状部42が形成される。   Since the oblique deposition film 40 is formed on the base film 30 on which the groove 31 is formed, a groove-like portion 42 extending in the same direction as the groove 31 is formed on the surface.

上述のような構成を有する斜方蒸着膜40は、蒸着による成膜工程時に蒸着源42を、TFTアレイ基板10と略平行な平面の法線方向(z方向)に対して、角度θ0だけ溝部31の延在する方向に傾けた方向(図3中、D1方向)に配置して蒸着を行うことにより形成される。このような蒸着方法は、一般に斜方蒸着法、斜め蒸着法と呼ばれているものである。言い換えれば、斜方蒸着膜40は、溝部31の延在方向(x方向)に沿う方向から、SiOを角度θ0で斜方蒸着することにより形成される。 The obliquely deposited film 40 having the above-described configuration is configured such that the deposition source 42 is grooved by an angle θ0 with respect to the normal direction (z direction) of a plane substantially parallel to the TFT array substrate 10 during the deposition process. It is formed by depositing in a direction inclined in the direction in which 31 extends (direction D1 in FIG. 3). Such a vapor deposition method is generally called an oblique vapor deposition method or an oblique vapor deposition method. In other words, the oblique vapor deposition film 40 is formed by oblique vapor deposition of SiO 2 at an angle θ0 from the direction along the extending direction (x direction) of the groove 31.

上述のような2層の構成を有する本実施形態の無機配向膜16は、図3に示すように、液晶分子50aに対して、z方向に対して角度θpのプレチルトを与え、かつ、液晶分子50aの傾斜する方位を、溝状部42の延在方向に沿った方向に略均一にアンカリングする配向規制力を有する。すなわち本実施形態の無機配向膜16の配向規制力により、液晶分子50aは、TFTアレイ基板10と略平行な平面の法線方向(z方向)に対して、角度θpだけ溝部31の延在する方向に傾斜するのである。   As shown in FIG. 3, the inorganic alignment film 16 of the present embodiment having the two-layer structure as described above gives a pretilt of an angle θp with respect to the z direction to the liquid crystal molecules 50a, and the liquid crystal molecules It has an orientation regulating force that anchors the tilting direction of 50a substantially uniformly in the direction along the extending direction of the groove-like portion. That is, due to the alignment regulating force of the inorganic alignment film 16 of the present embodiment, the liquid crystal molecules 50 a extend the groove 31 by an angle θp with respect to the normal direction (z direction) of a plane substantially parallel to the TFT array substrate 10. It tilts in the direction.

したがって、本実施形態によれば、従来の表面に溝部を形成しただけの配向膜とは異なり、蒸着角度θ0を変化させることで液晶分子に任意のプレチルトを与えることが可能であり、かつ、従来の斜方蒸着膜に比して、溝状部42が形成されていることにより、液晶分子に対してより安定し、かつより強いアンカリング力を与えることが可能となる。よって、本実施形態の液晶装置100によれば、ディスクリネーションが生じ難くかつコントラストの高い表示を実現することができる。   Therefore, according to the present embodiment, unlike the conventional alignment film in which only the groove portion is formed on the surface, it is possible to give the liquid crystal molecules an arbitrary pretilt by changing the vapor deposition angle θ0. Compared with the oblique vapor deposition film, the groove-shaped portion 42 is formed, so that it is possible to give more stable and stronger anchoring force to the liquid crystal molecules. Therefore, according to the liquid crystal device 100 of the present embodiment, it is possible to realize display with high discrepancies and high contrast.

次に、図1から図4に示したように構成された液晶装置の製造方法、具体的には、液晶装置100における無機配向膜16及び23の形成方法について説明する。なお、無機配向膜23の形成方法は、無機配向膜16と同様であるため、以下においては、無機配向膜16の形成方法についてのみ説明する。また、無機配向膜16及び23の形成方法以外の液晶装置の製造方法については、周知であるため、その説明は省略する。   Next, a method for manufacturing the liquid crystal device configured as shown in FIGS. 1 to 4, specifically, a method for forming the inorganic alignment films 16 and 23 in the liquid crystal device 100 will be described. In addition, since the formation method of the inorganic alignment film 23 is the same as that of the inorganic alignment film 16, only the formation method of the inorganic alignment film 16 is demonstrated below. Further, since the manufacturing method of the liquid crystal device other than the method of forming the inorganic alignment films 16 and 23 is well known, the description thereof is omitted.

まず、既知の半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって複数の薄膜が形成されたTFT基板10の画素電極9a上に、プラズマCVD法によってシリコン酸化膜を成膜する。次に、シリコン酸化膜に対し、グレーマスクを用いたフォトリソグラフィ工程を実施することにより、深さh、ピッチwの溝部31を形成する。   First, a silicon oxide film is formed by plasma CVD on the pixel electrode 9a of the TFT substrate 10 on which a plurality of thin films are formed by laminating known semiconductor thin films, insulating thin films, or conductive thin films. Next, a groove portion 31 having a depth h and a pitch w is formed by performing a photolithography process using a gray mask on the silicon oxide film.

そして、斜方蒸着法により、溝部31の延在方向(x方向)に沿う方向から、SiOを角度θ0で斜方蒸着することにより、斜方蒸着膜40を形成する。ここで、斜方蒸着時には、蒸着源42は、TFTアレイ基板10と略平行な平面の法線方向(z方向)に対して、角度θ0だけ溝部31の延在する方向に傾けた方向(D1方向)に配置される。 Then, the obliquely deposited film 40 is formed by obliquely depositing SiO 2 at an angle θ0 from the direction along the extending direction (x direction) of the groove 31 by the oblique deposition method. Here, during oblique vapor deposition, the vapor deposition source 42 is inclined in a direction (D1) inclined by an angle θ0 with respect to a normal direction (z direction) of a plane substantially parallel to the TFT array substrate 10 in an extending direction of the groove 31. Direction).

以上により、本実施形態の無機配向膜16が形成される。   Thus, the inorganic alignment film 16 of the present embodiment is formed.

以下、本実施形態の変形例を、図5及び図6を参照して説明する。上述した実施形態においては、図3に、溝部31は、y−z平面による断面において、滑らかな波状の断面形状を有するものとして示しているが、溝部31の断面形状はこの形態に限られるものではない。例えば、図5に示すように、溝部の断面形状は矩形状であってもよいし、また、図示しないが勾配を有するテーパ状であってもよい。   Hereinafter, modifications of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6. In the embodiment described above, FIG. 3 shows that the groove 31 has a smooth wavy cross-sectional shape in a cross section taken along the yz plane, but the cross-sectional shape of the groove 31 is limited to this form. is not. For example, as shown in FIG. 5, the cross-sectional shape of the groove portion may be a rectangular shape, or may be a tapered shape having a gradient although not shown.

また、上述した実施形態においては、溝部31の深さhは、シリコン酸化膜の厚さよりも浅いものとして説明しているが、溝部の深さhは、シリコン酸化膜の厚さと同一であってもよい。すなわち、図6に示すように、下地膜30は、ピッチwで凸設された複数の凸条部35によって構成されるものであってもよい。   In the above-described embodiment, the depth h of the groove 31 is described as being shallower than the thickness of the silicon oxide film. However, the depth h of the groove is the same as the thickness of the silicon oxide film. Also good. That is, as shown in FIG. 6, the base film 30 may be configured by a plurality of ridges 35 that are provided with a pitch w.

次に、以上詳細に説明した液晶装置をライトバルブとして用いた電子機器である投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。図7は、液晶プロジェクタの構成例を示す断面図である。図7において、本実施形態における電子機器の一例である液晶プロジェクタ1100は、液晶装置100を、それぞれRGB用のライトバルブ100R、100G及び100Bとして用いている。液晶プロジェクタ1100では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット1102から投射光が発せられると、3枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によって、RGBの三原色に対応する光成分R、G及びBに分けられ、各色に対応するライトバルブ100R、100G及び100Bにそれぞれ導かれる。この際特に、B光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ1122、リレーレンズ1123及び出射レンズ1124からなるリレーレンズ系1121を介して導かれる。そして、ライトバルブ100R、100G及び100Bによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム1112により再度合成された後、投射レンズ1114を介してスクリーン1120にカラー画像として投射される。   Next, an overall configuration, particularly an optical configuration, of an embodiment of a projection color display device that is an electronic device using the liquid crystal device described in detail above as a light valve will be described. FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of a liquid crystal projector. In FIG. 7, a liquid crystal projector 1100, which is an example of the electronic apparatus in the present embodiment, uses the liquid crystal device 100 as RGB light valves 100R, 100G, and 100B, respectively. In the liquid crystal projector 1100, when projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, light components R, G, and B corresponding to the three primary colors of RGB are obtained by three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108. And are guided to the light valves 100R, 100G, and 100B corresponding to the respective colors. In particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an incident lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path. The light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B are synthesized again by the dichroic prism 1112 and then projected as a color image on the screen 1120 via the projection lens 1114.

なお、本実施形態に係る電子機器は、図7を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型コンピュータ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末又はタッチパネル等の各種電子機器に適用可能である。   In addition to the electronic device described with reference to FIG. 7, the electronic device according to the present embodiment is a mobile computer, a liquid crystal television, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, a viewfinder type, or a monitor direct view type video. The present invention can be applied to various electronic devices such as a tape recorder, a workstation, a video phone, a POS terminal, or a touch panel.

また、上述の実施形態では、TFTを用いたアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを液晶装置として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、TFD(Thin Film Diode)を用いたアクティブマトリクス駆動方式や、パッシブマトリクス駆動方式を採用した液晶装置にも本発明を適用可能である。また、本発明は透過型の液晶装置に限られるものではなく、反射型や半透過半反射型の液晶装置にも本発明を適用可能である。   In the above-described embodiment, an active matrix drive type transmissive liquid crystal panel using TFTs has been described as a liquid crystal device. However, the present invention is not limited to this, and a TFD (Thin Film Diode) is used. The present invention can also be applied to a liquid crystal device employing an active matrix driving method or a passive matrix driving method. The present invention is not limited to a transmissive liquid crystal device, and the present invention can also be applied to a reflective or transflective liquid crystal device.

また、液晶装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばLCOS(Liquid Crystal On Silicon)等であっても構わない。LCOSでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。   The liquid crystal device may be a display device that forms elements on a semiconductor substrate, such as LCOS (Liquid Crystal On Silicon). In LCOS, a single crystal silicon substrate is used as an element substrate, and a transistor is formed on a single crystal silicon substrate as a switching element used for a pixel or a peripheral circuit. In addition, a reflective pixel electrode is used for the pixel, and each element of the pixel is formed below the pixel electrode.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う蒸着装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the gist or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification. Moreover, it is included in the technical scope of the present invention.

TFTアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the electro-optical device when the TFT array substrate is viewed from the counter substrate side together with the components configured thereon. 図1のH−H’断面図である。It is H-H 'sectional drawing of FIG. 画素電極上に形成された無機配向膜の構成を、無機配向膜によって配向される液晶とともに概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly the structure of the inorganic alignment film formed on the pixel electrode with the liquid crystal aligned by an inorganic alignment film. 無機配向膜の溝部の延在方向に沿った断面図である。It is sectional drawing along the extension direction of the groove part of an inorganic alignment film. 下地膜の変形例を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the modification of a base film. 下地膜の変形例を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the modification of a base film. 液晶プロジェクタの光学系の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the optical system of a liquid crystal projector.

符号の説明Explanation of symbols

9a 画素電極、 10 TFTアレイ基板、 16 無機配向膜 、30 下地膜、 31 溝部、 40 斜方蒸着膜、 42 溝状部、 50a 液晶分子、 θp プレチルト角、 θ0 蒸着角度   9a pixel electrode, 10 TFT array substrate, 16 inorganic alignment film, 30 base film, 31 groove, 40 oblique deposition film, 42 groove, 50a liquid crystal molecule, θp pretilt angle, θ0 deposition angle

Claims (4)

第1の基板と該第1の基板に対向する第2の基板との間に液晶が挟持されてなる液晶装置であって、
前記第1の基板と前記第2の基板との少なくとも一方の基板の電極上に形成されてなり、所定の方向に延在し、かつ所定の間隔で配列された複数の溝部を有する下地膜と、
該下地膜上に形成され、前記溝部の延在方向に沿って所定の角度だけ傾斜して凸設される複数の柱状構造物により構成される斜方蒸着膜とによって構成された配向膜を具備することを特徴とする液晶装置。
A liquid crystal device in which liquid crystal is sandwiched between a first substrate and a second substrate facing the first substrate,
A base film having a plurality of grooves formed on electrodes of at least one of the first substrate and the second substrate, extending in a predetermined direction, and arranged at predetermined intervals; ,
An alignment film is formed on the base film and is formed by an oblique vapor deposition film formed of a plurality of columnar structures that are provided with an inclination at a predetermined angle along the extending direction of the groove. A liquid crystal device.
前記下地膜は、透光性を有する絶縁膜であることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 1, wherein the base film is a light-transmitting insulating film. 第1の基板と該第1の基板に対向する第2の基板との間に液晶が挟持されてなる液晶装置の製造方法であって、
前記第1の基板と前記第2の基板との少なくとも一方の基板の電極上に透光性を有する絶縁膜を形成する工程と、
該透光性を有する絶縁膜に、所定の方向に延在しかつ所定の間隔で配列された複数の溝部を形成する工程と、
前記溝部が形成された前記透光性を有する絶縁膜上に、前記溝部の延在方向に沿う方向から所定の角度で斜方蒸着を行うことにより、斜方蒸着膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
A method of manufacturing a liquid crystal device in which a liquid crystal is sandwiched between a first substrate and a second substrate facing the first substrate,
Forming a light-transmitting insulating film on an electrode of at least one of the first substrate and the second substrate;
Forming a plurality of grooves extending in a predetermined direction and arranged at a predetermined interval in the light-transmitting insulating film;
Forming an oblique vapor deposition film on the translucent insulating film in which the groove portion is formed by performing oblique vapor deposition at a predetermined angle from a direction along the extending direction of the groove portion; A method for manufacturing a liquid crystal device.
請求項1又は2に記載の液晶装置を具備することを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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