JP2001166317A - Electrooptical device, method of manufacture and projection display device - Google Patents

Electrooptical device, method of manufacture and projection display device

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JP2001166317A
JP2001166317A JP34765599A JP34765599A JP2001166317A JP 2001166317 A JP2001166317 A JP 2001166317A JP 34765599 A JP34765599 A JP 34765599A JP 34765599 A JP34765599 A JP 34765599A JP 2001166317 A JP2001166317 A JP 2001166317A
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JP
Japan
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electro
substrates
liquid crystal
optical device
pixel electrode
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JP34765599A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Yazaki
正幸 矢崎
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Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the uniformity of a gap between substrates, to reduce an adverse effect due to the lateral electric field generated at the time of line inverse-driving and dot inverse-driving and to executing image display in high brightness and contrast, in an electro-optical device, such as a liquid crystal device, having an electro-optical substance such as a liquid crystal interposed between a pair of substrates. SOLUTION: In the electro-optical device, plural pixel electrodes (9a) are disposed on the side opposed to a liquid crystal layer (50) of a first substrate (10) and a first pixel electrodes group to be inverse-driven in a first period and a second pixel electrodes group to be inverse-driven in a second period complementary to the first period are included. A second substrate is provided with a counter electrode. A partition wall consisting of a dielectric material, disposed between the first and the second substrates, regulating the gap therebetween and partitioning the first and the second pixel electrode groups at a line therebetween in a plane view is further provided. The electro-optical device is line or dot inversion-driven.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板間に液
晶等の電気光学物質が挟持されてなる液晶装置等の電気
光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学
装置を用いた投射型表示装置の技術分野に属し、特にマ
トリクス状に配置された複数の画素電極の駆動電圧極性
を行毎や列毎に反転させるライン反転駆動方式や画素毎
に反転させるドット反転駆動方式を採用する液晶装置等
の電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電
気光学装置を用いた投射型表示装置の技術分野に属す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electro-optical device such as a liquid crystal device in which an electro-optical material such as a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, a method of manufacturing the same, and a projection using such an electro-optical device. It belongs to the technical field of a liquid crystal display device, and particularly adopts a line inversion driving method in which the driving voltage polarities of a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix are inverted for each row or column, and a dot inversion driving method for inverting each pixel. The invention belongs to the technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device and a method of manufacturing the same, and a projection display device using such an electro-optical device.

【0002】[0002]

【背景技術】液晶装置等の電気光学装置では、一方の基
板上に、アクティブマトリクス駆動、パッシブマトリク
ス駆動、セグメント駆動等の駆動方式に応じた、画素電
極、走査線、データ線、薄膜トランジスタ(以下適宜、
TFTと称す)、薄膜ダイオード(以下適宜、TFDと
称す)などが形成される。他方の基板上に、やはり駆動
方式に応じた、対向電極、配線、各画素の開口領域を規
定する遮光膜、カラーフィルタ等が形成される。そし
て、これらの基板は、実際に画像が表示される画像表示
領域の周囲で、シール材により貼り合わせられる。この
貼り合わせられた一対の基板間には、TN(Twisted Ne
matic)液晶、STN(Super Twisted Nematic)液晶、
VA(Vertically Aligned)液晶等の電気光学物質が挟
持されている。そして動作時に、一対の基板間に挟持さ
れた液晶等には、一方の基板上に形成された画素電極と
他方の基板上に形成された対向電極との間に発生する縦
電界が印加され、これにより液晶の配向状態等の電気光
学物質の状態が変化して、ここを通過する表示光の偏光
状態を変化させることにより画像表示が行われるように
構成されている。
2. Description of the Related Art In an electro-optical device such as a liquid crystal device, pixel electrodes, scanning lines, data lines, and thin film transistors (hereinafter referred to as appropriate) are formed on one substrate in accordance with a driving method such as active matrix driving, passive matrix driving, or segment driving. ,
TFTs), thin-film diodes (hereinafter appropriately referred to as TFDs) and the like are formed. On the other substrate, a counter electrode, a wiring, a light-shielding film for defining an opening area of each pixel, a color filter, and the like are also formed according to the driving method. These substrates are bonded together with a sealant around an image display area where an image is actually displayed. A TN (Twisted Nematic) is provided between the pair of substrates thus bonded.
matic) liquid crystal, STN (Super Twisted Nematic) liquid crystal,
An electro-optical material such as a VA (Vertically Aligned) liquid crystal is sandwiched. During operation, a vertical electric field generated between a pixel electrode formed on one substrate and a counter electrode formed on the other substrate is applied to liquid crystal or the like sandwiched between a pair of substrates, As a result, the state of the electro-optical material such as the alignment state of the liquid crystal is changed, and an image is displayed by changing the polarization state of the display light passing therethrough.

【0003】ここで特に、液晶等の電気光学物質に対す
る直流電圧の印加により該電気光学物質の劣化(例え
ば、液晶成分の分解、液晶セル中に発生した不純物によ
る汚染、表示画像の焼き付きなど)が起きないように、
各画素電極についての駆動電圧の極性を例えば画像信号
における1フレームや1フィールドといった一定周期で
反転させる。特に画素数が多い場合には、この一定周期
のフリッカやクロストークの発生を防ぐために、例えば
この一定周期で駆動電圧の極性を、画素電極の行毎(例
えば、走査線毎)に反転させる1H反転駆動方式や画素
電極の列毎(例えば、データ線毎)に反転させる1S反
転駆動方式といったライン反転駆動方式が提案されてい
る。更には、この所定周期で駆動電圧の極性を、ドット
毎(即ち、行毎且つ列毎)に反転させるドット反転駆動
方式も提案されている。
[0003] In particular, deterioration of the electro-optical material (for example, decomposition of a liquid crystal component, contamination by impurities generated in a liquid crystal cell, burn-in of a display image, and the like) due to application of a DC voltage to the electro-optical material such as a liquid crystal is observed. So as not to get up
The polarity of the drive voltage for each pixel electrode is inverted at a constant period, for example, one frame or one field in an image signal. In particular, when the number of pixels is large, in order to prevent the occurrence of flicker and crosstalk in the fixed cycle, for example, the polarity of the drive voltage is inverted for each row of the pixel electrodes (for example, for each scanning line) in the fixed cycle. A line inversion driving method such as an inversion driving method and a 1S inversion driving method for inverting each pixel electrode column (for example, each data line) have been proposed. Further, a dot inversion driving method has been proposed in which the polarity of the driving voltage is inverted for each dot (that is, for each row and each column) at the predetermined cycle.

【0004】先に述べた一対の基板間の距離(即ちギャ
ップ)を所定値とするために、大型の液晶装置等ではス
ペーサと称される所定径のギャップ材が表示領域中に散
布される。これに対し、表示領域中にギャップ材を入れ
たのではギャップ材の影、及びギャップ材周辺の配向不
良が拡大投影されて画質劣化してしまう小型の液晶装置
等では、ギャップ材がシール材中のみに含まれている。
In order to make the distance (ie, gap) between the pair of substrates described above a predetermined value, in a large-sized liquid crystal device or the like, a gap material having a predetermined diameter called a spacer is scattered in the display area. On the other hand, if a gap material is placed in the display area, the shadow of the gap material and poor alignment around the gap material are enlarged and projected to deteriorate the image quality, so that the gap material is included in the sealing material. Only included.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ライン反転駆動方式の場合には、極性の相異なる電圧が
印加される列方向又は行方向に相隣接する画素電極間で
横電界が生じる。更にドット反転駆動方式の場合には、
極性の相異なる電圧が印加される行方向及び列方向に相
隣接する画素電極間で横電界が生じる。このように相隣
接する画素電極間で横電界が生じると、画素電極と対向
電極との間で発生する縦電界で液晶等の配向状態を制御
することが予定されている電気光学装置においては、液
晶の配向不良等の電気光学物質の動作不良が引き起こさ
れてしまう。係る電気光学物質の動作不良は、その動作
不良個所における光抜けによるコントラスト比の低下、
或いはこの動作不良化所を隠すことによる各画素の開口
率(即ち、各画素において、その全体面積に対する表示
に寄与する光が出力される領域の面積の比率)の低下に
つながり、表示画像が暗くなってしまうという問題点が
ある。特に近時における表示画像の高精細度化に伴っ
て、相隣接する画素電極間の距離が短くなる程に、該距
離に概ね反比例して横電界の強さは強まるため、この問
題は深刻さを増してしまう。
However, in the case of the above-described line inversion driving method, a horizontal electric field is generated between pixel electrodes adjacent to each other in a column direction or a row direction to which voltages having different polarities are applied. Further, in the case of the dot inversion driving method,
A horizontal electric field is generated between pixel electrodes adjacent to each other in a row direction and a column direction to which voltages having different polarities are applied. When a horizontal electric field is generated between adjacent pixel electrodes in this way, in an electro-optical device in which it is planned to control the alignment state of liquid crystal or the like by a vertical electric field generated between the pixel electrode and the counter electrode, An operation defect of the electro-optical material such as a liquid crystal alignment defect is caused. The malfunction of the electro-optical material is caused by a decrease in contrast ratio due to light leakage at the malfunction portion.
Alternatively, the aperture ratio of each pixel (that is, the ratio of the area of a region where light contributing to display is output to the entire area of each pixel) is reduced by concealing the defective operation portion, and the displayed image becomes dark. There is a problem that it becomes. In particular, with the recent increase in definition of a display image, as the distance between adjacent pixel electrodes becomes shorter, the strength of the horizontal electric field increases in inverse proportion to the distance, so that this problem is serious. Increase.

【0006】他方で、この種の電気光学装置では、特に
小型の液晶装置では、ギャップ材を表示領域中に入れる
ことができないため、画像表示領域の全面におけるセル
ギャップの均一性を向上させるのが困難となる。このよ
うにセルギャップの均一性が低下すると、画像表示領域
の全体で一定品質の画像表示を行えないという問題点が
ある。特に、誘電率異方性が負の液晶を用いた垂直配向
型の電気光学装置の場合には、セルギャップが透過率を
決める主要なパラメータの一つであるため、セルギャッ
プが設計値からずれてしまうと、透過率の低下するた
め、この問題は深刻さを増す。
On the other hand, in this type of electro-optical device, particularly in a small liquid crystal device, the gap material cannot be put in the display region, and therefore, it is necessary to improve the uniformity of the cell gap over the entire image display region. It will be difficult. When the uniformity of the cell gap is reduced in this manner, there is a problem that an image of a constant quality cannot be displayed in the entire image display area. In particular, in the case of a vertical alignment type electro-optical device using a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy, the cell gap is one of the main parameters for determining the transmittance, so that the cell gap deviates from a design value. If so, this problem becomes more serious because the transmittance is reduced.

【0007】これに加えて、この種の電気光学装置の製
造において、垂直配向膜が形成された基板間に、垂直配
向型の電気光学物質を注入する工程では、電気光学物質
は垂直配向状態を保ったまま注入される。このため、液
晶が基板に平行に捻れた状態で注入されるTN液晶やS
TN液晶の場合とは異なり、偏光軸をクロス配置した一
対の偏光板で挟持した状態で注入しても複屈折効果によ
る注入に伴うパネル面の色変化が起らないので、係る色
変化により注入を停止すべき最適時点を検出することが
困難であるという問題点もある。この結果、注入不足や
注入過多も起りやすく、画像表示領域の中央が窪んだり
膨れたりするので、セルギャップの均一性を向上させる
のが更に困難になってしまう。
In addition, in the process of injecting a vertical alignment type electro-optical material between substrates on which a vertical alignment film is formed in the manufacture of this type of electro-optical device, the electro-optical material is in a vertical alignment state. It is injected while keeping it. For this reason, TN liquid crystal or S liquid, which is injected while the liquid crystal is twisted in parallel to the substrate,
Unlike in the case of TN liquid crystal, even if the liquid crystal is injected while being sandwiched between a pair of polarizing plates in which the polarization axes are crossed, the color change of the panel surface due to the injection due to the birefringence effect does not occur. There is also a problem that it is difficult to detect the optimal point in time when the operation should be stopped. As a result, insufficient injection or excessive injection is likely to occur, and the center of the image display area is depressed or swollen, which makes it more difficult to improve the uniformity of the cell gap.

【0008】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、一対の基板間に挟持された液晶等の電気光学物
質の層厚の均一性が向上されており且つライン反転駆動
時やドット反転駆動時に発生する横電界による悪影響が
低減されており、明るく高コントラストで高品位の画像
表示が可能な液晶装置等の電気光学装置及びその製造方
法、並びにそのような電気光学装置を備えた投射型表示
装置を提供することを課題とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has improved uniformity of the layer thickness of an electro-optical material such as a liquid crystal sandwiched between a pair of substrates. An electro-optical device such as a liquid crystal device capable of displaying a bright, high-contrast, high-quality image and a method of manufacturing the same, and a projection including such an electro-optical device, in which adverse effects due to a lateral electric field generated during inversion driving are reduced. It is an object to provide a type display device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持して互
いに対向する一対の第1及び第2基板と、前記第1基板
の前記電気光学物質に対向する側に配置されており第1
周期で反転駆動されるための第1画素電極群及び該第1
周期と相補の第2周期で反転駆動されるための第2画素
電極群を含む複数の画素電極と、前記第2基板の前記電
気光学物質に対向する側に配置された対向電極と、前記
第1及び第2基板間に配置されてこれら間のギャップを
規定すると共に平面的に見て前記第1及び第2画素電極
群間を区切る誘電体からなる隔壁とを備える。
In order to solve the above-mentioned problems, an electro-optical device according to the present invention comprises a pair of first and second substrates opposed to each other while sandwiching an electro-optical material, and A first electrode disposed on the side facing the electro-optical material;
A first pixel electrode group for inversion driving in a cycle and the first pixel electrode group;
A plurality of pixel electrodes including a second pixel electrode group for inversion driving at a second period complementary to the period, a counter electrode disposed on a side of the second substrate facing the electro-optical material, A first partition disposed between the first and second substrates to define a gap between the first and second substrates and to partition the first and second pixel electrode groups in a plan view;

【0010】本発明の電気光学装置によれば、その動作
時には、第1基板上の第1及び第2画素電極群と、これ
に対向する第2基板上の対向電極との間における縦電界
により、これらの基板間に挟持される電気光学物質が駆
動される。ここで特に、第1画素電極群は、第1周期で
反転駆動され、第2画素電極群は、該第1周期と相補の
第2周期で反転駆動される。即ち、前述したライン反転
駆動、ドット反転駆動等の反転駆動方式で当該電気光学
装置は駆動される。従って、電気光学物質に対する直流
電圧の印加による電気光学物質の劣化を回避しつつフリ
ッカやクロストークを防止できる。しかるに、第1基板
上に配置された第1画素電極群と第2画素電極群との間
には、横電界が生じる。従って、ここで何らの対策を講
じなければ、縦電界で駆動されることが予定されている
電気光学物質には、係る横電界により液晶の配向不良等
の動作不良が生じてしまうが、本発明では特に、第1画
素電極群と第2画素電極群間との間には、誘電体からな
る隔壁が備えられている。即ち、横電界が生じる両電極
群間の領域には、誘電体からなる隔壁が存在するので、
横電界は、この隔壁により弱められるのである。加え
て、横電界が生じる領域では、隔壁が存在する分だけ電
気光学物質が存在しないので、横電界を強く受けて配向
不良等する電気光学物質部分(例えば、画素の間隙にあ
る部分)の存在により、分子間力等の相互作用によりこ
れに連続した電気光学物質部分(例えば、画素の縁付近
にある部分)が配向不良等してしまうことをも回避でき
る。他方で、画素電極と対向電極との間には、当該隔壁
は存在しないので、隔壁により縦電界が弱められること
はない。これらの結果、隔壁により横電界に対して相対
的に縦電界が強められることとなり、電気光学物質に対
する横電界による悪影響が低減される。
According to the electro-optical device of the present invention, at the time of its operation, a vertical electric field is generated between the first and second pixel electrode groups on the first substrate and the opposing electrodes on the second substrate opposed thereto. The electro-optical material sandwiched between these substrates is driven. Here, in particular, the first pixel electrode group is inversion-driven in the first cycle, and the second pixel electrode group is inversion-driven in the second cycle complementary to the first cycle. That is, the electro-optical device is driven by an inversion driving method such as the above-described line inversion driving and dot inversion driving. Therefore, it is possible to prevent flicker and crosstalk while avoiding deterioration of the electro-optical material due to application of a DC voltage to the electro-optical material. However, a lateral electric field is generated between the first pixel electrode group and the second pixel electrode group disposed on the first substrate. Therefore, if no countermeasure is taken here, the electro-optical material that is scheduled to be driven by the vertical electric field may cause poor operation such as poor alignment of liquid crystal due to the horizontal electric field. In particular, a partition made of a dielectric is provided between the first pixel electrode group and the second pixel electrode group. That is, in the region between the two electrode groups where the lateral electric field occurs, there is a partition wall made of a dielectric,
The transverse electric field is weakened by the partition. In addition, in the region where the horizontal electric field is generated, the electro-optical material does not exist as much as the partition walls exist, so that there is an electro-optical material portion (for example, a portion in a gap between pixels) which receives a strong horizontal electric field and causes poor alignment. Accordingly, it is possible to prevent the electro-optical material portion (for example, a portion near the edge of the pixel) continuous with the electro-optical material portion due to an interaction such as an intermolecular force from being poorly aligned. On the other hand, since the partition does not exist between the pixel electrode and the counter electrode, the vertical electric field is not weakened by the partition. As a result, the vertical electric field is strengthened relatively to the horizontal electric field by the partition walls, and the adverse effect of the horizontal electric field on the electro-optical material is reduced.

【0011】更に、第1及び第2基板間に配置された隔
壁により、これら間のギャップが規定されているので、
ギャップ材が表示領域の中に入れられているか否かによ
らず、基板間のギャップ(セルギャップ)を精度良く制
御できる。従って、基板間ギャップが透過率を決定する
主要なパラメータの一つである垂直配向型の電気光学装
置の場合に、当該基板間ギャップの精度向上により、透
過率の向上を行うことができ大変有効である。特に、前
述の如く液晶注入時に複屈折効果によるパネル面の色変
化が起こらない垂直配向型の液晶装置であって且つ表示
領域中にギャップ材を散布できない小型の液晶装置の場
合に、本発明のこのような効果は最大限に発揮される。
Further, since a gap between the first and second substrates is defined by a partition wall disposed between the first and second substrates,
The gap (cell gap) between the substrates can be accurately controlled regardless of whether or not the gap material is contained in the display area. Therefore, in the case of a vertical alignment type electro-optical device in which the gap between the substrates is one of the main parameters determining the transmittance, the transmittance can be improved by improving the accuracy of the gap between the substrates, which is very effective. It is. In particular, in the case of a vertical alignment type liquid crystal device in which color change on the panel surface does not occur due to the birefringence effect at the time of liquid crystal injection as described above and a small liquid crystal device in which a gap material cannot be dispersed in a display region, the present invention Such effects are maximized.

【0012】以上の結果本発明によれば、比較的容易に
基板間ギャップの制御が可能であり、該基板間に挟持さ
れた液晶等の電気光学物質の層厚の均一性が向上されて
おり、しかも、ライン反転駆動時やドット反転駆動時に
発生する横電界による悪影響が低減されており、最終的
に明るく高コントラストで高品位の画像表示が可能とな
る。
As described above, according to the present invention, the gap between the substrates can be controlled relatively easily, and the uniformity of the layer thickness of the electro-optical material such as liquid crystal sandwiched between the substrates is improved. In addition, adverse effects due to the horizontal electric field generated at the time of line inversion driving or dot inversion driving are reduced, and finally a bright, high-contrast, high-quality image display can be performed.

【0013】本発明の電気光学装置の一の態様では、前
記電気光学物質は、誘電率の異方性が負である垂直配向
型の電気光学物質であり、前記第1及び第2基板のうち
少なくとも一方に、前記電気光学物質に対面配置されて
おり前記電気光学物質の配向状態を電圧無印加時にほぼ
垂直配向とするように且つ所定のプレティルト角を持つ
ようにラビング処理が施された配向膜を更に備える。
In one embodiment of the electro-optical device according to the present invention, the electro-optical material is a vertically-oriented electro-optical material having a negative dielectric constant anisotropy, and the electro-optical material is one of the first and second substrates. At least one of the alignment films is disposed facing the electro-optical material and has been subjected to a rubbing process so that the alignment state of the electro-optical material is substantially vertical when no voltage is applied and has a predetermined pretilt angle. Is further provided.

【0014】この態様によれば、当該電気光学装置は、
電圧無印加時に電気光学物質が所定のプレティルト角で
(例えば、基板面に垂直な方向から0.5度程度傾い
て)垂直配向しており、電圧印加時に電気光学物質がこ
のプレティルトの方向に揃って、基板面に平行に倒れ
る、垂直配向型の電気光学装置として構築される。従っ
て、基板間ギャップの制御が可能であるため且つ電気光
学物質が電圧印加時に一定方向に揃って倒れるため、透
過率が高められて明るい表示が可能となる。しかも、垂
直配向型とすることにより、コントラスト比、視角特性
及び応答特性を向上できる。
According to this aspect, the electro-optical device includes:
When no voltage is applied, the electro-optical material is vertically oriented at a predetermined pretilt angle (for example, at an angle of about 0.5 degrees from the direction perpendicular to the substrate surface), and when the voltage is applied, the electro-optical material is aligned in the pretilt direction. Thus, it is constructed as a vertical alignment type electro-optical device which falls down in parallel with the substrate surface. Therefore, since the gap between the substrates can be controlled and the electro-optical material falls down in a certain direction when a voltage is applied, the transmittance is increased, and a bright display is possible. Moreover, by using the vertical alignment type, the contrast ratio, the viewing angle characteristics, and the response characteristics can be improved.

【0015】尚、第1及び第2基板のうちの一方に、こ
のようにラビング処理が施された配向膜を形成すれば、
電圧無印加時における電気光学物質が倒れる方向を制御
できる。即ち他方の基板については、配向膜にラビング
処理を施す必要はない。但し両方の配向膜にラビング処
理を施してもよい。
If an alignment film subjected to the rubbing treatment is formed on one of the first and second substrates,
The direction in which the electro-optical material falls when no voltage is applied can be controlled. That is, for the other substrate, it is not necessary to perform a rubbing treatment on the alignment film. However, a rubbing treatment may be performed on both alignment films.

【0016】このように垂直配向型の電気光学物質を用
いる態様では、前記複数の画素電極は、マトリクス状に
行方向及び列方向に配列されており、前記第1及び第2
画素電極群は、前記行方向に沿って交互に複数配列され
ており、前記隔壁は、前記行方向に沿って伸びており、
前記ラビング処理は、平面的に見て前記列方向に沿って
行われているように構成してもよい。
In the aspect using the vertical alignment type electro-optical material, the plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix in a row direction and a column direction, and the first and second pixel electrodes are arranged in a matrix.
A plurality of pixel electrode groups are alternately arranged along the row direction, and the partition walls extend along the row direction,
The rubbing process may be configured to be performed along the column direction when viewed in plan.

【0017】この態様によれば、画素電極は1行毎に反
転駆動され、前述した1H反転駆動方式によりライン反
転駆動が行われる。そして、隔壁は行方向に沿って伸び
ており、即ち横電界が発生する領域に配置されている。
他方、ラビング処理は列方向に沿って行われており、電
気光学物質は電圧印加時に列方向に回動して倒れる。
According to this aspect, the pixel electrodes are driven to be inverted for each row, and the line inversion drive is performed by the 1H inversion drive method described above. The partition extends in the row direction, that is, is arranged in a region where a lateral electric field is generated.
On the other hand, the rubbing process is performed along the column direction, and the electro-optical material rotates and falls down in the column direction when a voltage is applied.

【0018】ここで、本発明の電気光学装置を液晶装置
に適用した場合における、偏光軸が相互に交わる一対の
偏光板間に当該電気光学装置を配置した際の透過率につ
いて説明を加える。
Here, in the case where the electro-optical device of the present invention is applied to a liquid crystal device, the transmittance when the electro-optical device is disposed between a pair of polarizing plates whose polarization axes cross each other will be described.

【0019】即ち、液晶が一軸方向に揃って傾斜する本
発明の如き電気光学装置では、その透過率Tは、次の式
(1)で与えられる。
That is, in the electro-optical device according to the present invention in which the liquid crystal is inclined in one axis direction, the transmittance T is given by the following equation (1).

【0020】 T=Sin2(2α)Sin2(πΔnd/λ)……(1) 但し、 α :偏光板の偏光軸と液晶の傾斜方向(一軸方向)
のなす角度 Δnd:液晶の光学膜厚(n:液晶の屈折率、d:液晶
の膜厚) λ :入射光の波長 (尚、一対の偏光板は、それらの偏光軸が直交するよう
に配置されているものとする。) 従って本発明の如き構成では、2α及びπΔnd/λを
夫々π/2に近付けることにより、透過率Tを理論上1
00%に近付けることができる。しかも、本願発明者に
よる研究によれば、この理論上の透過率T=100%を
達成するための実践上の主な障害は、或いはこれら2つ
の数値(2αとπΔnd/λ)を固定した条件下で透過
率Tをなるべく大きくしようとするための実践上の主な
障害は、横電界による液晶を構成する液晶分子の一軸方
向からのずれ又は揺らぎであることが判明している。即
ち、横電界により液晶の傾斜方向にバラツキが生じる
と、上記式(1)自体が成立しなくなる(例えば、液晶
が一軸方向に揃って傾斜しないことにより、透過率は8
0%程度にまで低下してしまう)のである。
T = Sin 2 (2α) Sin 2 (πΔnd / λ) (1) where α is the polarization axis of the polarizing plate and the tilt direction of the liquid crystal (uniaxial direction).
[Delta] nd: Optical film thickness of liquid crystal (n: Refractive index of liquid crystal, d: Film thickness of liquid crystal) [lambda]: Wavelength of incident light (In addition, a pair of polarizing plates are arranged such that their polarizing axes are orthogonal to each other. Therefore, in a configuration such as the present invention, by making 2α and πΔnd / λ close to π / 2, respectively, the transmittance T becomes theoretically 1 unit.
00% can be approached. Moreover, according to the study by the inventor of the present application, the main obstacle to achieving the theoretical transmittance T = 100% is the condition where these two numerical values (2α and πΔnd / λ) are fixed. It has been found that a major obstacle in practice for trying to increase the transmittance T as much as possible is displacement or fluctuation of the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal from one axis direction due to the transverse electric field. That is, when the lateral electric field causes a variation in the tilt direction of the liquid crystal, the above formula (1) itself is not satisfied (for example, the transmittance is 8 because the liquid crystal does not tilt in a uniaxial direction).
(It is reduced to about 0%).

【0021】しかるにこの態様にでは、ラビング処理
は、列方向に沿って(即ち、横電界の方向に沿って)行
われているため、このような横電界による各液晶分子の
一軸方向からのバラツキは低減されている。即ち、横電
界が作用しても、ラビング方向により規定された各液晶
分子の回動面に沿った電界として作用するだけであるの
で、横電界により各液晶分子がこの面から外れることは
ない。従ってこの態様では、上記理論上の最高値である
100%に近い透過率Tを得ることが可能となり、或い
は、これら2つの数値(2αとπΔnd/λ)を固定し
た条件下で透過率Tを大きくすることが可能となるので
ある。
However, in this embodiment, since the rubbing process is performed along the column direction (ie, along the direction of the horizontal electric field), the variation of each liquid crystal molecule from the uniaxial direction due to such a horizontal electric field. Has been reduced. That is, even if a horizontal electric field acts, the liquid crystal molecules only act as an electric field along the rotation plane of each liquid crystal molecule defined by the rubbing direction, and therefore, each liquid crystal molecule does not deviate from this plane due to the horizontal electric field. Therefore, in this embodiment, it is possible to obtain a transmittance T close to 100%, which is the theoretical maximum value, or to set the transmittance T under the condition that these two numerical values (2α and πΔnd / λ) are fixed. It is possible to make it larger.

【0022】以上のようにこの態様によれば、透過率の
向上により明るい表示が可能となり且つ横電界の悪影響
を隔壁により低減しつつ1H反転駆動方式による表示が
可能となり、しかも、垂直配向型とすることにより、コ
ントラスト比、視角特性及び応答特性を向上できる。
As described above, according to this aspect, the display can be made brighter by improving the transmittance, and the display can be performed by the 1H inversion driving method while the adverse effect of the horizontal electric field is reduced by the partition walls. By doing so, the contrast ratio, viewing angle characteristics, and response characteristics can be improved.

【0023】或いはこのように垂直配向型の電気光学物
質を用いる態様では、前記複数の画素電極は、マトリク
ス状に行方向及び列方向に配列されており、前記第1及
び第2画素電極群は、前記列方向に沿って交互に複数配
列されており、前記隔壁は、前記列方向に沿って伸びて
おり、前記ラビング処理は、平面的に見て前記行方向に
沿って行われているように構成してもよい。
Alternatively, in the aspect using the vertical alignment type electro-optical material, the plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix in a row direction and a column direction, and the first and second pixel electrode groups are arranged in a matrix. , The plurality of partitions are alternately arranged along the column direction, the partition walls extend along the column direction, and the rubbing process is performed along the row direction in plan view. May be configured.

【0024】この態様によれば、画素電極は1列毎に反
転駆動され、前述した1S反転駆動方式によりライン反
転駆動が行われる。そして、隔壁は列方向に沿って伸び
ており、即ち横電界が発生する領域に配置されている。
他方、ラビング処理は行方向に沿って行われており、電
気光学物質は電圧印加時に行方向に回動して倒れる。
According to this aspect, the pixel electrodes are driven inversion for each column, and the line inversion driving is performed by the 1S inversion driving method described above. The partition extends in the column direction, that is, is arranged in a region where a lateral electric field is generated.
On the other hand, the rubbing process is performed along the row direction, and the electro-optical material rotates and falls down in the row direction when a voltage is applied.

【0025】従って、式(1)を用いて説明したラビン
グ方向が列方向に沿っており1H反転駆動方式を行う態
様の場合と同じ原理により、理論上の最高値である10
0%に近い透過率Tを得ることが可能となり、或いは、
2つの数値(2αとπΔnd/λ)を固定した条件下で
透過率Tを大きくすることが可能となるのである。
Therefore, the rubbing direction described with reference to the equation (1) is along the column direction, and the theoretical maximum value is 10 according to the same principle as that of the mode in which the 1H inversion driving method is performed.
A transmittance T close to 0% can be obtained, or
The transmittance T can be increased under the condition that the two numerical values (2α and πΔnd / λ) are fixed.

【0026】以上のようにこの態様によれば、透過率の
向上により明るい表示が可能となり且つ横電界の悪影響
を隔壁により低減しつつ1S反転駆動方式による表示が
可能となり、しかも、垂直配向型とすることにより、コ
ントラスト比、視角特性及び応答特性を向上できる。
As described above, according to this embodiment, a bright display can be achieved by improving the transmittance, and the display can be performed by the 1S inversion driving method while the adverse effect of the horizontal electric field is reduced by the partition walls. By doing so, the contrast ratio, viewing angle characteristics, and response characteristics can be improved.

【0027】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記複数の画素電極は、マトリクス状に行方向及び列方向
に配列されており、前記第1及び第2画素電極群は、前
記行方向に沿って交互に複数配列されており、前記隔壁
は、前記行方向に沿って伸びる。
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix in a row direction and a column direction, and the first and second pixel electrode groups are arranged in the row direction. , And the partition walls extend along the row direction.

【0028】この態様によれば、画素電極は1行毎に反
転駆動され、前述した1H反転駆動方式によりライン反
転駆動が行われる。そして、隔壁は行方向に沿って伸び
ており、即ち横電界が発生する領域に配置されている。
従って、横電界の悪影響を隔壁により低減しつつ1H反
転駆動方式による表示が可能となり、しかも、垂直配向
型とすることにより、コントラスト比、視角特性及び応
答特性を向上できる。
According to this aspect, the pixel electrodes are driven inversion every row, and the line inversion driving is performed by the above-described 1H inversion driving method. The partition extends in the row direction, that is, is arranged in a region where a lateral electric field is generated.
Therefore, it is possible to perform display by the 1H inversion driving method while reducing the adverse effect of the horizontal electric field by the partition, and further, by using the vertical alignment type, it is possible to improve the contrast ratio, the viewing angle characteristics, and the response characteristics.

【0029】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記複数の画素電極は、マトリクス状に行方向及び列方向
に配列されており、前記第1及び第2画素電極群は、前
記列方向に沿って交互に複数配列されており、前記隔壁
は、前記列方向に沿って伸びる。
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix in a row direction and a column direction, and the first and second pixel electrode groups are arranged in the column direction. Are arranged alternately along the line, and the partition extends along the column direction.

【0030】この態様によれば、画素電極は1列毎に反
転駆動され、前述した1S反転駆動方式によりライン反
転駆動が行われる。そして、隔壁は列方向に沿って伸び
ており、即ち横電界が発生する領域に配置されている。
従って、横電界の悪影響を隔壁により低減しつつ1S反
転駆動方式による表示が可能となり、しかも、垂直配向
型とすることにより、コントラスト比、視角特性及び応
答特性を向上できる。
According to this aspect, the pixel electrodes are driven inversion for each column, and the line inversion driving is performed by the 1S inversion driving method described above. The partition extends in the column direction, that is, is arranged in a region where a lateral electric field is generated.
Therefore, display by the 1S inversion driving method can be performed while the adverse effect of the horizontal electric field is reduced by the partition, and the contrast ratio, the viewing angle characteristic, and the response characteristic can be improved by using the vertical alignment type.

【0031】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記複数の画素電極は、マトリクス状に行方向及び列方向
に配列されており、前記第1及び第2画素電極群は、前
記行方向及び前記列方向に交互に配置されており、前記
隔壁は、格子状である。
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix in a row direction and a column direction, and the first and second pixel electrode groups are arranged in the row direction. And the partition walls are alternately arranged in the column direction, and the partition walls have a lattice shape.

【0032】この態様によれば、画素電極は1行毎且つ
1列毎に反転駆動され、前述した1ドット反転駆動が行
われる。そして、隔壁は格子状であり、各画素電極を囲
んでおり、即ち横電界が発生する領域に配置されてい
る。従って、横電界の悪影響を隔壁により低減しつつ1
ドット反転駆動方式による表示が可能となり、しかも、
垂直配向型とすることにより、コントラスト比、視角特
性及び応答特性を向上できる。
According to this aspect, the pixel electrodes are inverted and driven for each row and each column, and the above-described one-dot inversion drive is performed. The partition has a lattice shape and surrounds each pixel electrode, that is, is arranged in a region where a horizontal electric field is generated. Therefore, while reducing the adverse effect of the lateral electric field by the partition walls, 1
Display by the dot inversion drive method becomes possible, and moreover,
By using the vertical alignment type, the contrast ratio, viewing angle characteristics, and response characteristics can be improved.

【0033】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記隔壁は、前記第1及び第2基板のうち少なくとも一方
上に絶縁材料層がパターニングされることにより形成さ
れている。
In another aspect of the electro-optical device according to the present invention, the partition is formed by patterning an insulating material layer on at least one of the first and second substrates.

【0034】この態様によれば、第1及び第2基板のう
ち少なくとも一方上において、例えばITO(Indium T
im Oxide)膜からなる対向電極の上に樹脂をパターニン
グするなど、絶縁材料層をパターニングすることで、比
較的容易に隔壁を形成できる。
According to this aspect, on at least one of the first and second substrates, for example, ITO (Indium T
By patterning the insulating material layer, for example, by patterning a resin on the counter electrode formed of an im Oxide) film, the partition can be formed relatively easily.

【0035】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記隔壁は、前記第1及び第2基板のうち少なくとも一方
に溝がパターニングされることにより形成されている。
In another aspect of the electro-optical device according to the present invention, the partition is formed by patterning a groove in at least one of the first and second substrates.

【0036】この態様によれば、第1及び第2基板のう
ち少なくとも一方において、例えばエッチングにより基
板本体や基板上に積層された層間絶縁膜に溝を形成する
など、隔壁を除く基板上領域に溝を形成することで、比
較的容易に隔壁を形成できる。
According to this aspect, in at least one of the first and second substrates, a groove is formed in the substrate main body or the interlayer insulating film laminated on the substrate by etching, for example, in a region on the substrate excluding the partition walls. By forming the groove, the partition can be formed relatively easily.

【0037】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記第1基板上にマトリクス状に配置されており前記複数
の画素電極に夫々接続された複数のスイッチング素子
と、前記第1基板上に配置されており前記複数のスイッ
チング素子に夫々接続されると共に相交差する複数の走
査線及び複数のデータ線とを更に備える。
According to another aspect of the electro-optical device of the present invention, a plurality of switching elements arranged in a matrix on the first substrate and connected to the plurality of pixel electrodes, respectively, are provided on the first substrate. And a plurality of scanning lines and a plurality of data lines which are arranged and are connected to the plurality of switching elements, respectively, and cross each other.

【0038】この態様によれば、TFT、TFD等のス
イッチング素子を用いたアクティブマトリクス型の電気
光学装置を実現できる。従って、駆動周波数が高く高精
細であり、しかも明るい画像表示を行える。
According to this embodiment, an active matrix type electro-optical device using switching elements such as TFTs and TFDs can be realized. Therefore, a high driving frequency, high definition, and a bright image can be displayed.

【0039】本発明の第1の電気光学装置の製造方法は
上記課題を解決するために、第1基板上に、第1周期で
反転駆動されるための第1画素電極群及び該第1周期と
相補の第2周期で反転駆動されるための第2画素電極群
を含む複数の画素電極を形成する工程と、第2基板上に
対向電極を形成する工程と、前記第1及び第2基板間に
配置されてこれら間のギャップを規定すると共に平面的
に見て前記第1及び第2画素電極群間を区切る誘電体か
らなる隔壁を前記第1及び第2基板のうち少なくとも一
方に形成する工程と、該隔壁で区切られた空間内に電気
光学物質を充填する工程と、該電気光学物質を充填した
後に、前記第1及び第2基板を相互に貼り合せる工程と
を備える。
In order to solve the above-mentioned problems, a first method of manufacturing an electro-optical device according to the present invention includes, on a first substrate, a first pixel electrode group for inversion driving in a first cycle and the first cycle. Forming a plurality of pixel electrodes including a second pixel electrode group for inversion driving at a second period complementary to the first and second substrates; forming an opposing electrode on a second substrate; A partition made of a dielectric material is provided between the first and second substrates to define a gap therebetween and to separate the first and second pixel electrode groups when viewed in plan. A step of filling an electro-optical material into a space defined by the partition, and a step of bonding the first and second substrates to each other after filling the electro-optical material.

【0040】本発明の第1の電気光学装置の製造方法に
よれば、前述した本発明の電気光学装置を比較容易に製
造できる。特に、第1及び第2基板間に配置された隔壁
によりこれら両者間のギャップが規定されているので、
前述の如く液晶注入時に複屈折効果によるパネル面の色
変化が起こらない垂直配向型の液晶装置であって且つ表
示領域中にギャップ材を散布できない小型の液晶装置の
場合に有効である。
According to the first method of manufacturing an electro-optical device of the present invention, the above-described electro-optical device of the present invention can be manufactured easily. In particular, since the gap between the first and second substrates is defined by the partition wall disposed between the first and second substrates,
As described above, the present invention is effective for a liquid crystal device of a vertical alignment type in which a color change on a panel surface due to a birefringence effect does not occur at the time of liquid crystal injection and a small liquid crystal device in which a gap material cannot be dispersed in a display area.

【0041】更に、隔壁で区切られた空間内に電気光学
物質を充填した後に第1及び第2基板を相互に貼り合せ
るので、第1及び第2基板を相互に貼り合せた後に電気
光学物質を真空注入する製造技術と比較して、隔壁を形
成したことによる注入の困難性が何ら問題とならないの
で有利である。特に前述したドット反転駆動方式で駆動
され隔壁が格子状である態様における電気光学装置を製
造する場合には、係る電気光学物質を真空注入する製造
技術では非常に困難なことが予想されるため、本発明は
大変有効である。
Further, since the first and second substrates are bonded to each other after filling the space separated by the partition with the electro-optical material, the electro-optical material is bonded after the first and second substrates are bonded to each other. This is advantageous because the difficulty of injection due to the formation of the partition walls does not cause any problem as compared with the manufacturing technique of vacuum injection. In particular, when manufacturing an electro-optical device in a mode in which the partition walls are driven by the dot inversion driving method described above and the partition is in a grid shape, it is expected that a manufacturing technique of vacuum-injecting the electro-optical material is very difficult, The present invention is very effective.

【0042】本発明の第1の電気光学装置の製造方法の
一の態様によれば、前記電気光学物質を入れる工程は、
インクジェット方式により行われる。
According to one aspect of the first method for manufacturing an electro-optical device of the present invention, the step of adding the electro-optical material includes:
This is performed by an inkjet method.

【0043】この態様によれば、インクジェット方式に
より電気光学物質を入れる工程を比較的容易に行うこと
ができる。
According to this aspect, the step of introducing the electro-optical material by the ink jet method can be performed relatively easily.

【0044】本発明の第2の電気光学装置の製造方法は
上記課題を解決するために、第1基板上に、第1周期で
反転駆動されるための第1画素電極群及び該第1周期と
相補の第2周期で反転駆動されるための第2画素電極群
を含む複数の画素電極を形成する工程と、第2基板上に
対向電極を形成する工程と、前記第1及び第2基板間に
配置されてこれら間のギャップを規定すると共に平面的
に見て前記第1及び第2画素電極群間を区切る誘電体か
らなる隔壁を前記第1及び第2基板のうち少なくとも一
方に形成する工程と、該隔壁を形成した後に、前記第1
及び第2基板をシール材で相互に貼り合せる工程と、該
貼り合せられた第1及び第2基板間の間隙に平面的に見
て前記シール材の一部が欠落してなる注入口を介して電
気光学物質を真空注入する工程とを備える。
In order to solve the above-mentioned problems, a second method of manufacturing an electro-optical device according to the present invention includes, on a first substrate, a first pixel electrode group for inversion driving at a first cycle and the first cycle. Forming a plurality of pixel electrodes including a second pixel electrode group for inversion driving at a second period complementary to the first and second substrates; forming an opposing electrode on a second substrate; A partition made of a dielectric material is provided between the first and second substrates to define a gap therebetween and to separate the first and second pixel electrode groups when viewed in plan. And after forming the partition, the first
Bonding a second substrate and a second substrate to each other with a sealing material, and via an inlet formed by partially removing the sealing material in a gap between the bonded first and second substrates in plan view. And vacuum-injecting the electro-optical material.

【0045】本発明の第2の電気光学装置の製造方法に
よれば、前述した本発明の電気光学装置を比較容易に製
造できる。特に、第1及び第2基板間に配置された隔壁
によりこれら両者間のギャップが規定されているので、
前述の如く液晶注入時に複屈折効果によるパネル面の色
変化が起こらない垂直配向型の液晶装置であって且つ表
示領域中にギャップ材を散布できない小型の液晶装置の
場合に有効である。
According to the second method of manufacturing an electro-optical device of the present invention, the above-described electro-optical device of the present invention can be manufactured easily. In particular, since the gap between the first and second substrates is defined by the partition wall disposed between the first and second substrates,
As described above, the present invention is effective for a liquid crystal device of a vertical alignment type in which a color change on a panel surface due to a birefringence effect does not occur at the time of liquid crystal injection and a small liquid crystal device in which a gap material cannot be dispersed in a display area.

【0046】本発明の第2の電気光学装置の製造方法の
一の態様によれば、前記注入口は、平面的に見て前記隔
壁部分が伸びる方向の延長線上に位置する。
According to one aspect of the second manufacturing method of the electro-optical device of the present invention, the injection port is located on an extension in a direction in which the partition wall portion extends in a plan view.

【0047】この態様にによれば、第1及び第2基板を
相互に貼り合せた後に、平面的に見て隔壁部分が伸びる
方向の延長線上に位置する注入口を介して電気光学物質
を真空注入するので、隔壁を形成したことによる電気光
学物質の流動抵抗の増加を抑えることができるので有利
である。特に前述した1H反転駆動や1S反転駆動等の
ライン反転駆動方式で駆動され、隔壁がライン或いはス
トライプ状である態様における電気光学装置を製造する
場合には、本発明は大変有効である。尚、ライン状或い
はストライプ状の各隔壁の端部を、シール材の内壁から
若干距離をおいて形成すれば、係る隔壁のない空間を介
して各隔壁間の空間に電気光学物質が行き渡るようにで
きる。
According to this aspect, after the first and second substrates are bonded to each other, the electro-optical material is evacuated through the inlet positioned on an extension of the direction in which the partition wall portion extends in plan view. The injection is advantageous because the flow resistance of the electro-optical material due to the formation of the partition can be suppressed. In particular, the present invention is very effective when manufacturing an electro-optical device in a mode in which the partition walls are driven by a line inversion drive method such as the above-described 1H inversion drive or 1S inversion drive and the partition walls are in a line or stripe shape. In addition, if the end of each partition in the form of a line or a stripe is formed at a slight distance from the inner wall of the sealing material, the electro-optical material spreads to the space between the partitions via the space without the partition. it can.

【0048】本発明の投射型表示装置は上記課題を解決
するために、前記請求項1から10のいずれか一項に記
載の電気光学装置からなるライトバルブと、該ライトバ
ルブに投射光を入射する光源と、該ライトバルブから出
射した前記投射光を投射する光学系とを備える。
According to another aspect of the invention, there is provided a projection display apparatus including: a light valve including the electro-optical device according to any one of claims 1 to 10; and a projection light incident on the light valve. And an optical system for projecting the projection light emitted from the light valve.

【0049】本発明の投射型表示装置によれば、上述し
た本発明の電気光学装置(その各種態様も含む)をライ
トバルブとして備えているので、明るく高コントラスト
で高品位の画像表示が可能となる。
According to the projection display device of the present invention, since the above-described electro-optical device (including various aspects thereof) of the present invention is provided as a light valve, a bright, high-contrast, high-quality image can be displayed. Become.

【0050】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。
The operation and other advantages of the present invention will become more apparent from the embodiments explained below.

【0051】[0051]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。尚、以下の実施形態は本発明を液晶
装置に適用したものである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following embodiments, the present invention is applied to a liquid crystal device.

【0052】(電気光学装置の全体構成)先ず、本実施
形態の電気光学装置の全体構成について、図1及び図2
を参照して説明する。ここでは、駆動回路内蔵型のTF
Tアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとり
説明を加える。尚、図1は、TFTアレイ基板をその上
に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平
面図であり、図2は、図1のH−H’断面図である。
(Overall Configuration of Electro-Optical Device) First, the overall configuration of the electro-optical device of the present embodiment will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. Here, TF with built-in drive circuit
A description will be given by taking a T active matrix driving type liquid crystal device as an example. 1 is a plan view of the TFT array substrate together with the components formed thereon as viewed from the counter substrate side, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line HH 'of FIG.

【0053】図1及び図2において、電気光学装置は、
第1基板の一例としてのTFTアレイ基板10と第2基
板の一例としての対向基板20との間に、電気光学物質
の一例としての誘電率の異方性が負である垂直配向型液
晶からなる液晶層50が挟持されてなる。TFTアレイ
基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周
囲に位置するシール領域に設けられたシール材52によ
り相互に固着されている。
In FIGS. 1 and 2, the electro-optical device comprises:
A vertical alignment type liquid crystal having a negative dielectric anisotropy as an example of an electro-optical material is provided between a TFT array substrate 10 as an example of a first substrate and a counter substrate 20 as an example of a second substrate. The liquid crystal layer 50 is sandwiched. The TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 are fixed to each other by a seal member 52 provided in a seal region located around the image display region 10a.

【0054】シール材52は、両基板を貼り合わせるた
めの、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、
後述の製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に
塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられ
たものである。また、シール材52中には、両基板間の
距離(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスフ
ァイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材(スペー
サ)が散布されてもよいが、本実施形態では後述のよう
に横電界が発生する領域に、基板間ギャップ制御用の隔
壁301が設けられているため、シール材52中にギャ
ップ材を散布しなくてもよい。他方、表示領域中には、
ギャップ材を散布しない。従って、当該電気光学装置
は、プロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行うの
に適している。
The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet-curing resin, a thermosetting resin, or the like for bonding both substrates.
After being applied on the TFT array substrate 10 in a manufacturing process to be described later, it is cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. Further, a gap material (spacer) such as glass fiber or glass beads for setting a distance between the two substrates (gap between the substrates) to a predetermined value may be scattered in the sealing material 52, but in the present embodiment, Since the partition wall 301 for controlling the gap between the substrates is provided in the region where the horizontal electric field is generated as described later, the gap material does not need to be sprayed in the sealing material 52. On the other hand, in the display area,
Do not spray gap material. Therefore, the electro-optical device is suitable for performing a small-sized enlarged display as in a projector.

【0055】図1において、シール材52が配置された
シール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額
縁を規定する遮光膜53が(対向基板20側に)設けら
れている。
In FIG. 1, a light-shielding film 53 for defining the frame of the image display area 10a is provided (on the counter substrate 20 side) in parallel with the inside of the seal area where the seal material 52 is arranged.

【0056】図1において、シール材52が配置された
シール領域の外側の周辺領域には、データ線駆動回路1
01及び実装端子102がTFTアレイ基板10の一辺
に沿って設けられており、走査線駆動回路104が、こ
の一辺に隣接する2辺に沿って設けられている。更にT
FTアレイ基板10の残る一辺には、画面表示領域の両
側に設けられた走査線駆動回路104間をつなぐための
複数の配線105が設けられている。また、対向基板2
0のコーナー部の少なくとも一個所において、TFTア
レイ基板10と対向基板20との間で電気的導通をとる
ための上下導通材106が設けられている。データ線駆
動回路101及び走査線駆動回路104は各画素に設け
られた画素電極に対し、TFTアレイ基板10上にマト
リクス状に形成された各画素スイッチング用TFT30
(図2参照)を介して画像信号を選択的に供給するため
のデータ線(ソース電極)及び走査線(ゲート電極)に
各々電気的接続されている。データ線駆動回路101に
は、図示しない制御回路から即時表示可能な形式に変換
された画像信号が入力され、走査線駆動回路104がパ
ルス的に走査線に順番に走査信号(ゲート電圧)を送る
のに合わせて、データ線駆動回路101は画像信号(ソ
ース電圧)をデータ線に送る。
In FIG. 1, a data line driving circuit 1 is provided in a peripheral area outside the seal area where the seal material 52 is disposed.
01 and the mounting terminals 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10, and the scanning line driving circuit 104 is provided along two sides adjacent to this one side. Further T
On one remaining side of the FT array substrate 10, a plurality of wirings 105 for connecting between the scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the screen display area are provided. In addition, the counter substrate 2
In at least one of the 0 corners, an upper / lower conductive material 106 for providing electrical continuity between the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 is provided. The data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104 apply the pixel switching TFTs 30 formed in a matrix on the TFT array substrate 10 to pixel electrodes provided for each pixel.
Each of them is electrically connected to a data line (source electrode) and a scanning line (gate electrode) for selectively supplying an image signal via (see FIG. 2). An image signal converted into a format that can be immediately displayed from a control circuit (not shown) is input to the data line driving circuit 101, and the scanning line driving circuit 104 sequentially sends a scanning signal (gate voltage) to the scanning lines in a pulsed manner. In response, the data line driving circuit 101 sends an image signal (source voltage) to the data line.

【0057】図2において、TFTアレイ基板10上に
は、画素スイッチング用TFT30や走査線、データ
線、容量線等の配線が形成されており、その最上層に、
ポリイミド系材料からなる垂直配向用の配向膜16が形
成されている。他方、対向基板20上(図2では、下側
の面上)には、対向電極21の他、各画素毎に非開口領
域を規定する遮光膜23、カラーフィルタ、隔壁301
等が形成されており、その最上層に、ポリイミド系材料
からなる垂直配向用の配向膜22が形成されている。本
実施形態では特に、液晶層50として垂直配向型液晶を
用いるため、このような配向膜16及び配向膜22のう
ち一方に所定方向のラビング処理を施せばよい。但し、
配向膜16及び配向膜22の両方に夫々所定方向のラビ
ング処理を施してもよい。
In FIG. 2, pixel switching TFTs 30 and wiring lines such as scanning lines, data lines, and capacitance lines are formed on the TFT array substrate 10, and the uppermost layer is
An alignment film 16 for vertical alignment made of a polyimide material is formed. On the other hand, on the opposing substrate 20 (on the lower surface in FIG. 2), in addition to the opposing electrode 21, a light-shielding film 23 for defining a non-opening area for each pixel, a color filter, and a partition 301
And the like, and an alignment film 22 for vertical alignment made of a polyimide material is formed on the uppermost layer. In the present embodiment, in particular, since a vertical alignment type liquid crystal is used as the liquid crystal layer 50, one of the alignment films 16 and 22 may be subjected to a rubbing treatment in a predetermined direction. However,
Rubbing treatment in a predetermined direction may be performed on both the alignment film 16 and the alignment film 22.

【0058】本実施形態では特に配向膜16は、後述の
製造プロセスにおいて、ポリイミド系材料を塗布し、焼
成した後、液晶層50中の液晶を所定方向に配向させる
と共に液晶に所定のプレチルト角を付与するようにラビ
ング処理が施されている。尚、遮光膜23は、表示画像
におけるコントラストの向上、色材の混色防止などの機
能を有しており、前述の如き走査線やデータ線に沿って
(即ち、各画素の境界に)発生し易いリバースチルトド
メイン等の配向不良領域を隠す機能をも有する。このよ
うな遮光膜23を対向基板20の側ではなく、TFTア
レイ基板10上に形成してもよい。
In the present embodiment, in particular, the alignment film 16 is formed by applying a polyimide-based material and firing the same in a manufacturing process described later, and then aligns the liquid crystal in the liquid crystal layer 50 in a predetermined direction and sets the liquid crystal to have a predetermined pretilt angle. A rubbing treatment is performed so as to provide the rubbing. The light-shielding film 23 has functions such as improvement of contrast in a display image and prevention of color mixture of color materials, and is generated along the scanning lines and data lines as described above (that is, at the boundary of each pixel). It also has a function of hiding a poorly-aligned region such as a reverse tilt domain. Such a light shielding film 23 may be formed on the TFT array substrate 10 instead of the counter substrate 20 side.

【0059】また、液晶層50は電圧無印加時には垂直
配向用の配向膜16及び配向膜22の作用により、両基
板間で、例えば基板面に対して約89.5度といった、
ほぼ垂直配向状態をとる。更に、液晶層50は誘電率の
異方性が負であるため、電圧印加時には基板面に平行な
方向に倒れる。この際各液晶分子は、配向膜16に施し
たラビング方向に一軸的に揃って倒れる。液晶層50
は、図1に示したように液晶注入口の部分が欠落したシ
ール材53及びこの液晶注入口を後述する液晶注入工程
の後に封止する封止材54により液晶が基板間に封入さ
れてなる。
When no voltage is applied, the liquid crystal layer 50 has an angle of about 89.5 degrees between the two substrates due to the action of the alignment films 16 and 22 for vertical alignment.
It takes a substantially vertical alignment state. Furthermore, since the liquid crystal layer 50 has a negative dielectric anisotropy, it falls down in a direction parallel to the substrate surface when a voltage is applied. At this time, each liquid crystal molecule falls down uniaxially in the rubbing direction applied to the alignment film 16. Liquid crystal layer 50
As shown in FIG. 1, the liquid crystal is sealed between the substrates by a sealing material 53 in which a portion of a liquid crystal injection port is missing and a sealing material 54 for sealing the liquid crystal injection port after a liquid crystal injection step described later. .

【0060】図2に示すように本実施形態では特に、後
述のように横電界が発生する領域に隔壁301が対向基
板20側における対向電極21上に夫々設けられてい
る。そして、隔壁301の高さを制御することにより、
基板間ギャップが制御されている。このため、本実施形
態では、基板間ギャップ即ち液晶層50の層厚が画像表
示領域の全体にわたって、精度良く均一化されている。
尚、このような隔壁301は、TFTアレイ基板10側
に設けてもよい。いずれにせよ、隔壁301を設けた対
向基板20側でその凹凸により配向膜22に対してラビ
ング処理を施し難い場合には、本実施形態の如く、隔壁
301とラビング処理を施す配向膜16とを相異なる基
板側(TFTアレイ基板10側又は対向基板20側)に
夫々設けるとよい。
As shown in FIG. 2, in this embodiment, in particular, a partition wall 301 is provided on the counter electrode 21 on the counter substrate 20 side in a region where a horizontal electric field is generated as described later. By controlling the height of the partition 301,
The gap between the substrates is controlled. For this reason, in the present embodiment, the gap between the substrates, that is, the thickness of the liquid crystal layer 50 is made uniform with high accuracy over the entire image display area.
Note that such a partition 301 may be provided on the TFT array substrate 10 side. In any case, when it is difficult to perform the rubbing process on the alignment film 22 due to the unevenness on the counter substrate 20 side on which the partition wall 301 is provided, as in the present embodiment, the partition wall 301 and the alignment film 16 to be subjected to the rubbing process are combined. It is preferable to provide them on different substrates (the TFT array substrate 10 side or the opposing substrate 20 side).

【0061】尚、本実施形態では配向膜22は、隔壁3
01を含めた対向基板20の全面を覆うように形成され
ている。しかしながら、配向膜22が隔壁301を除く
領域(即ち、液晶層50に対向する領域)に設けられて
いれば液晶層50を垂直配向させることは可能である。
このため、配向膜22を形成後に隔壁301を形成する
構成を採用することも可能である。
In the present embodiment, the alignment film 22 is formed on the partition 3
It is formed so as to cover the entire surface of the opposing substrate 20, including the counter substrate 01. However, if the alignment film 22 is provided in a region excluding the partition wall 301 (that is, a region facing the liquid crystal layer 50), the liquid crystal layer 50 can be vertically aligned.
Therefore, a configuration in which the partition wall 301 is formed after the formation of the alignment film 22 can be employed.

【0062】(電気光学装置の回路構成)次に、本実施
形態の電気光学装置における回路構成及びこれによる全
体動作について図3を参照して説明する。図3は、電気
光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路
である。
(Circuit Configuration of Electro-Optical Device) Next, the circuit configuration of the electro-optical device of the present embodiment and the overall operation thereof will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix forming an image display area of the electro-optical device.

【0063】図1において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素は、画素電極9aと画素電極9aを制御
するためのTFT30がマトリクス状に複数形成されて
おり、画像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT
30のソースに電気的に接続されている。データ線6a
に書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に
線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデー
タ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにし
ても良い。また、TFT30のゲートに走査線3aが電
気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3
aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この
順に線順次で印加するように構成されている。画素電極
9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されてお
り、スイッチング素子の一例としてのTFT30を一定
期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6
aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定
のタイミングで書き込む。画素電極9aを介して液晶に
書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、S
nは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間
保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子
集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、
階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであ
れば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を
通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれ
ば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通
過可能とされ、全体として電気光学装置からは画像信号
に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保
持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電
極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に
蓄積容量70を付加する。
In FIG. 1, a plurality of pixels formed in a matrix forming an image display area of the electro-optical device according to the present embodiment include a plurality of pixel electrodes 9a and a plurality of TFTs 30 for controlling the pixel electrodes 9a. The data line 6a formed and supplied with the image signal is connected to the TFT
It is electrically connected to 30 sources. Data line 6a
, Sn to be written may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied to a plurality of adjacent data lines 6a for each group. The scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning line 3a is provided at a predetermined timing.
The scanning signals G1, G2,..., Gm are applied to a in a pulse-wise manner in this order. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and by closing the switch of the TFT 30 as an example of a switching element for a certain period, the data line 6 is turned off.
The image signals S1, S2,..., Sn supplied from a are written at a predetermined timing. The image signals S1, S2,..., S of a predetermined level written in the liquid crystal through the pixel electrode 9a
n is held for a certain period between the counter electrode and the counter electrode formed on the counter substrate. The liquid crystal modulates light by changing the orientation and order of the molecular assembly according to the applied voltage level.
Enables gradation display. In the normally white mode, the incident light cannot pass through the liquid crystal portion according to the applied voltage. In the normally black mode, the incident light passes through the liquid crystal portion according to the applied voltage. Light having a contrast according to the image signal is emitted from the electro-optical device as a whole. Here, in order to prevent the held image signal from leaking, a storage capacitor 70 is added in parallel with a liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode.

【0064】以下に説明する各実施形態では、前述した
ライン反転駆動方式又はドット反転駆動方式が採用され
ている。これにより、直流電圧印加による液晶の劣化を
避けつつ、フレーム或いはフィールド周期で発生するフ
リッカや特に縦クロストークの低減された画像表示を行
える。
In each of the embodiments described below, the above-described line inversion drive system or dot inversion drive system is adopted. As a result, it is possible to perform image display with reduced flicker occurring in the frame or field cycle and particularly reduced vertical crosstalk while avoiding deterioration of the liquid crystal due to the application of the DC voltage.

【0065】(第1実施形態)次に、第1実施形態の電
気光学装置における各画素における隔壁301を中心と
する詳細構成について図4から図8を参照して説明す
る。
(First Embodiment) Next, a detailed configuration centering on the partition wall 301 in each pixel in the electro-optical device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.

【0066】図4は、データ線、走査線、画素電極等が
形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群
の平面図であり、図5は、隔壁が形成された対向基板の
下側を斜め下方から見上げた部分斜視図であり、図6
は、図4のA−A’断面図であり、図7は、1H反転駆
動方式における各電極における電圧極性と横電界が生じ
る領域とを示す画素電極の図式的平面図であり、図8
は、隔壁の各種変形例における断面図である。尚、図6
及び図8においては、各層や各部材を図面上で認識可能
な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異
ならしめてある。
FIG. 4 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, etc. are formed. FIG. FIG. 6 is a partial perspective view in which the side is viewed obliquely from below, and FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 4. FIG. 7 is a schematic plan view of a pixel electrode showing a voltage polarity and a region where a horizontal electric field is generated in each electrode in the 1H inversion driving method.
FIG. 9 is a cross-sectional view in various modified examples of the partition. FIG.
In FIG. 8 and in FIG. 8, the scale of each layer and each member is made different in order to make each layer and each member a recognizable size in the drawing.

【0067】図4において、電気光学装置のTFTアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極9
a(点線部9a’により輪郭が示されている)が設けら
れており、画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線6a、走査線3a及び容量線3bが設けられてい
る。データ線6aは、コンタクトホール5を介して例え
ばポリシリコン膜からなる半導体層1aのうち後述のソ
ース領域に電気接続されている。画素電極9aは、コン
タクトホール8を介して半導体層1aのうち後述のドレ
イン領域に電気接続されている。また、半導体層1aの
うち図中右下がりの斜線領域で示したチャネル領域1
a’に対向するように走査線3aが配置されており、走
査線3aはゲート電極として機能する。このように、走
査線3aとデータ線6aとの交差する個所には夫々、チ
ャネル領域1a’に走査線3aがゲート電極として対向
配置された画素スイッチング用TFT30が設けられて
いる。
In FIG. 4, a plurality of transparent pixel electrodes 9 are arranged in a matrix on the TFT array substrate of the electro-optical device.
a (the outline is indicated by a dotted line portion 9a ′), and the data line 6a, the scanning line 3a, and the capacitor line 3b are provided along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 9a. The data line 6a is electrically connected via a contact hole 5 to a source region described later in the semiconductor layer 1a made of, for example, a polysilicon film. The pixel electrode 9a is electrically connected to a drain region described later in the semiconductor layer 1a via the contact hole 8. In addition, the channel region 1 of the semiconductor layer 1a, which is indicated by a hatched region falling rightward in FIG.
The scanning line 3a is arranged so as to face a ′, and the scanning line 3a functions as a gate electrode. As described above, pixel switching TFTs 30 in which the scanning lines 3a are opposed to each other as gate electrodes in the channel region 1a 'are provided at intersections of the scanning lines 3a and the data lines 6a.

【0068】容量線3bは、走査線3aに沿ってほぼ直
線状に伸びる本線部と、データ線6aと交差する箇所か
らデータ線6aに沿って図中上方に突出した突出部とを
有する。
The capacitance line 3b has a main line extending substantially linearly along the scanning line 3a, and a protruding portion protruding upward in the drawing along the data line 6a from a location intersecting the data line 6a.

【0069】本実施形態では特に、対向基板側には、走
査線3a及び容量線3bに沿った領域(図中太線でその
輪郭が示された領域)に、ストライプ状の隔壁301が
複数設けられている。
In the present embodiment, in particular, a plurality of stripe-shaped partitions 301 are provided on the counter substrate side in a region along the scanning line 3a and the capacitance line 3b (a region whose outline is indicated by a thick line in the drawing). ing.

【0070】即ち、図5に示すように、対向基板20に
は、基板間ギャップを規定すべく、所定高さΔHを持つ
ストライプ状の隔壁301が平面的に見て走査線3a及
び容量線3bの本線部にほぼ対向する位置(図4参照)
に形成されている。
That is, as shown in FIG. 5, a stripe-shaped partition wall 301 having a predetermined height ΔH is formed on the opposing substrate 20 so as to define a gap between the substrates when the scanning line 3a and the capacitance line 3b are viewed in plan. (See Fig. 4)
Is formed.

【0071】そして、図6の断面図に示すように、隔壁
301によりTFTアレイ基板10と対向基板20との
間の基板間ギャップ或いは液晶層50の厚みが規定され
ている。
As shown in the cross-sectional view of FIG. 6, the partition 301 defines the gap between the substrates between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 or the thickness of the liquid crystal layer 50.

【0072】図6において、電気光学装置は、透明なT
FTアレイ基板10と、これに対向配置される透明な対
向基板20とを備えている。TFTアレイ基板10は、
例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、
対向基板20は、例えばガラス基板や石英基板からな
る。TFTアレイ基板10には、画素電極9aが設けら
れており、その上側には、配向膜16が設けられてい
る。画素電極9aは例えば、ITO(Indium Tin Oxid
e)膜などの透明導電性薄膜からなる。尚、画素電極9
aをアルミニウム等の反射性金属材料を用いることで、
反射型の電気光学装置とすることも可能である。
In FIG. 6, the electro-optical device has a transparent T
It includes an FT array substrate 10 and a transparent counter substrate 20 disposed opposite to the FT array substrate 10. The TFT array substrate 10
For example, a quartz substrate, a glass substrate, a silicon substrate,
The opposite substrate 20 is made of, for example, a glass substrate or a quartz substrate. A pixel electrode 9a is provided on the TFT array substrate 10, and an alignment film 16 is provided above the pixel electrode 9a. The pixel electrode 9a is made of, for example, ITO (Indium Tin Oxid).
e) It consists of a transparent conductive thin film such as a film. The pixel electrode 9
By using a a reflective metal material such as aluminum,
It is also possible to use a reflection type electro-optical device.

【0073】他方、対向基板20には、その全面に渡っ
て対向電極(共通電極)21が設けられている。対向電
極21は例えば、ITO膜などの透明導電性薄膜からな
る。
On the other hand, the counter substrate 20 is provided with a counter electrode (common electrode) 21 over the entire surface. The counter electrode 21 is made of, for example, a transparent conductive thin film such as an ITO film.

【0074】TFTアレイ基板10には、各画素電極9
aに隣接する位置に、各画素電極9aをスイッチング制
御する画素スイッチング用TFT30が設けられてい
る。
Each pixel electrode 9 is provided on the TFT array substrate 10.
A pixel switching TFT 30 that controls switching of each pixel electrode 9a is provided at a position adjacent to the pixel electrode 9a.

【0075】対向基板20には、対向基板20と対向電
極21との間における各画素の非開口領域に、遮光膜2
3が形成されており、対向基板20の側から入射光が画
素スイッチング用TFT30の半導体層1aのチャネル
領域1a’や低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン
領域1cに侵入することはない。更に、遮光膜23は、
コントラストの向上、カラーフィルタを形成した場合に
おける色材の混色防止などの機能を有する。尚、本実施
形態では、Al等からなる遮光性のデータ線6aで、各
画素の非開口領域のうちデータ線6aに沿った部分を遮
光することにより、各画素の開口領域のうちデータ線6
aに沿った輪郭部分を規定してもよいし、このデータ線
6aに沿った非開口領域についても冗長的に又は単独で
対向基板20に設けられた遮光膜23で遮光するように
構成してもよい。
The light blocking film 2 is provided on the non-opening region of each pixel between the counter substrate 20 and the counter electrode 21.
3, the incident light does not enter the channel region 1a ', the low-concentration source region 1b, and the low-concentration drain region 1c of the semiconductor layer 1a of the pixel switching TFT 30 from the side of the counter substrate 20. Further, the light shielding film 23 is
It has a function of improving contrast and preventing color mixture of color materials when a color filter is formed. In the present embodiment, the light-shielding data line 6a made of Al or the like is used to shield a portion of the non-opening area of each pixel along the data line 6a, so that the data line 6a of the opening area of each pixel is light-shielded.
a may be defined, or a non-opening area along the data line 6a may be shielded redundantly or independently by the light shielding film 23 provided on the counter substrate 20. Is also good.

【0076】このように構成され、画素電極9aと対向
電極21とが対面するように配置されたTFTアレイ基
板10と対向基板20との間には、シール材(図1及び
図2参照)により囲まれた空間に液晶層50が形成され
る。液晶層50は、画素電極9aからの電界が印加され
ていない状態で垂直配向用の配向膜16及び配向膜22
により基板面に対してほぼ垂直に配向した状態(配向膜
16に対するラビング処理により、微小なプレティルト
角が一定の方向に付与されている状態)をとる。液晶層
50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混
合した誘電率異方性が負の液晶からなる。
The sealing material (see FIGS. 1 and 2) is provided between the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20, which are configured as described above and are arranged so that the pixel electrode 9a and the opposing electrode 21 face each other. The liquid crystal layer 50 is formed in the enclosed space. The liquid crystal layer 50 includes the alignment films 16 and 22 for vertical alignment in a state where no electric field is applied from the pixel electrode 9a.
As a result, the substrate is oriented substantially perpendicular to the substrate surface (a state in which a minute pretilt angle is given in a certain direction by rubbing the alignment film 16). The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy obtained by mixing one or several kinds of nematic liquid crystals.

【0077】本実施形態では特に、図4から図6に示す
ように、図4で左右に相隣接する画素電極9aの間隙に
対向する対向基板20上には、隔壁301は設けられて
おらず、対向電極21は平坦に形成されている。これに
対し、図4で上下に相隣接する画素電極9aの間隙に対
向する対向基板20上には、隔壁301が設けられてい
る。
In this embodiment, in particular, as shown in FIGS. 4 to 6, the partition 301 is not provided on the counter substrate 20 facing the gap between the pixel electrodes 9a adjacent to each other in FIG. The counter electrode 21 is formed flat. On the other hand, a partition 301 is provided on the counter substrate 20 facing the gap between the pixel electrodes 9a vertically adjacent to each other in FIG.

【0078】ここで図7を参照して、本実施形態で採用
する1H反転駆動方式における、相隣接する画素電極9
aの電圧極性と横電界の発生領域との関係について説明
する。
Referring to FIG. 7, adjacent pixel electrodes 9 in the 1H inversion driving method employed in the present embodiment.
The relationship between the voltage polarity a and the region where the lateral electric field is generated will be described.

【0079】即ち、図7(a)に示すように、n(但
し、nは自然数)番目のフィールド或いはフレームの画
像信号を表示する期間中には、画素電極9a毎に+又は
−で示す液晶駆動電圧の極性は反転されず、行毎に同一
極性で画素電極9aが駆動される。その後図7(b)に
示すように、n+1番目のフィールド或いは1フレーム
の画像信号を表示するに際し、各画素電極9aにおける
液晶駆動電圧の電圧極性は反転され、このn+1番目の
フィールド或いは1フレームの画像信号を表示する期間
中には、画素電極9a毎に+又は−で示す液晶駆動電圧
の極性は反転されず、行毎に同一極性で画素電極9aが
駆動される。そして、図7(a)及び図7(b)に示し
た状態が、1フィールド又は1フレームの周期で繰り返
されて、本実施形態における1H反転駆動方式による駆
動が行われる。この結果、本実施形態によれば、直流電
圧印加による液晶の劣化を避けつつ、クロストークやフ
リッカの低減された画像表示を行える。尚、1H反転駆
動方式によれば、1S反転駆動方式と比べて、列方向の
クロストークが殆ど無い点で有利である。
That is, as shown in FIG. 7A, during the period of displaying the image signal of the nth (where n is a natural number) field or frame, the liquid crystal indicated by + or-for each pixel electrode 9a. The polarity of the drive voltage is not inverted, and the pixel electrodes 9a are driven with the same polarity for each row. Thereafter, as shown in FIG. 7B, when displaying the image signal of the (n + 1) th field or one frame, the voltage polarity of the liquid crystal driving voltage in each pixel electrode 9a is inverted, and the (n + 1) th field or one frame of the one frame is displayed. During the period of displaying the image signal, the polarity of the liquid crystal drive voltage indicated by + or-is not inverted for each pixel electrode 9a, and the pixel electrodes 9a are driven with the same polarity for each row. Then, the states shown in FIGS. 7A and 7B are repeated at a cycle of one field or one frame, and the driving by the 1H inversion driving method in the present embodiment is performed. As a result, according to the present embodiment, image display with reduced crosstalk and flicker can be performed while avoiding deterioration of the liquid crystal due to the application of the DC voltage. The 1H inversion drive method is advantageous in that there is almost no crosstalk in the column direction as compared with the 1S inversion drive method.

【0080】図7(a)及び図7(b)から分かるよう
に、1H反転駆動方式では、横電界の発生領域C1は常
時、列方向(Y方向)に相隣接する画素電極9a間の間
隙付近となる。
As can be seen from FIGS. 7 (a) and 7 (b), in the 1H inversion driving method, the horizontal electric field generation region C1 always has a gap between the pixel electrodes 9a adjacent to each other in the column direction (Y direction). It will be near.

【0081】そこで図4から図6に示すように本実施形
態では、横電界が生じる領域に隔壁301を樹脂等の誘
電体から形成し且つ1H反転駆動で駆動する構成を採用
する。これにより、横電界は隔壁301により弱めら
れ、液晶層50に対する横電界による悪影響が低減され
る。更に、隔壁301により、基板間ギャップが規定さ
れているので、ギャップ材を表示領域中に散布しなくと
も、基板間ギャップを精度良く制御できる。従って、前
述の式(1)に従って基板間ギャップが透過率を決定す
る主要なパラメータの一つである垂直配向型液晶を用い
た電気光学装置の場合に、当該基板間ギャップの精度向
上により、透過率を向上できる。更に、基板間ギャップ
の制御が可能であるため且つ液晶層50中の各液晶分子
が電圧印加時に、列方向(配向膜16に対するラビング
方向)に揃って倒れるため、透過率が高められて明るい
表示が可能となる。具体的には、このように構成された
垂直配向型の電気光学装置を、図4の下部に複数の矢印
で示したように、例えば偏光軸A1及びA2が直交する
一対の偏光板間に挟持し且つデータ線6aと平行なラビ
ング方向A3にラビング処理を施して1H反転駆動すれ
ば、電圧無印加時に偏光板の特性にほぼ依存する程度ま
で良好な黒表示が得られる。他方で電圧印加時には、横
電界の発生領域に設けられた隔壁301により横電界の
悪影響が低減され、前述した式(1)に従って一軸的に
液晶分子が倒れることにより非常に高い透過率を得るこ
とができる。しかも、垂直配向型液晶を用いているの
で、コントラスト比、視角特性及び応答特性に大変優れ
ている。
Therefore, as shown in FIGS. 4 to 6, this embodiment employs a configuration in which the partition wall 301 is formed of a dielectric material such as resin in a region where a horizontal electric field is generated, and is driven by 1H inversion driving. As a result, the lateral electric field is weakened by the partition 301, and the adverse effect of the lateral electric field on the liquid crystal layer 50 is reduced. Further, since the gap between the substrates is defined by the partition wall 301, the gap between the substrates can be accurately controlled without dispersing the gap material in the display area. Therefore, in the case of an electro-optical device using a vertical alignment type liquid crystal in which the inter-substrate gap is one of the main parameters for determining the transmittance according to the above equation (1), the transmission accuracy is improved by improving the accuracy of the inter-substrate gap. Rate can be improved. Further, since the gap between the substrates can be controlled and each liquid crystal molecule in the liquid crystal layer 50 falls down in the column direction (rubbing direction with respect to the alignment film 16) when a voltage is applied, the transmittance is increased and the bright display is achieved. Becomes possible. Specifically, as shown by a plurality of arrows at the bottom of FIG. 4, the vertically-oriented electro-optical device configured as described above is sandwiched between a pair of polarizing plates whose polarization axes A1 and A2 are orthogonal to each other. If the rubbing process is performed in the rubbing direction A3 parallel to the data line 6a and the 1H inversion driving is performed, a good black display can be obtained to the extent that the characteristics substantially depend on the characteristics of the polarizing plate when no voltage is applied. On the other hand, when a voltage is applied, the adverse effect of the horizontal electric field is reduced by the partition wall 301 provided in the region where the horizontal electric field is generated, and a very high transmittance is obtained by uniaxially falling down of the liquid crystal molecules according to the above-mentioned equation (1). Can be. Moreover, since the vertical alignment type liquid crystal is used, the contrast ratio, the viewing angle characteristic and the response characteristic are very excellent.

【0082】尚、図4から図6に示すように、データ線
6aに対向する領域には隔壁301が形成されていない
が、この部分では、図7に示したように相隣接する画素
電極9a間に横電界は発生しないため、横電界に対する
対策を講ずる必要はない。逆に、このように一方向にの
み伸びるストライプ状の隔壁301を形成する方が、そ
の製造が容易であり、液晶の真空注入工程等も容易とな
る。
As shown in FIGS. 4 to 6, the partition 301 is not formed in the region facing the data line 6a, but in this portion, as shown in FIG. Since no horizontal electric field is generated therebetween, it is not necessary to take measures against the horizontal electric field. Conversely, forming the stripe-shaped partition wall 301 extending only in one direction as described above facilitates the manufacture thereof and also facilitates the vacuum injection step of the liquid crystal and the like.

【0083】図6において更に、TFTアレイ基板10
と複数の画素スイッチング用TFT30との間には、下
地絶縁膜12が設けられている。下地絶縁膜12は、T
FTアレイ基板10の全面に形成されることにより、T
FTアレイ基板10の表面の研磨時における荒れや、洗
浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用TFT30の特
性の劣化を防止する機能を有する。下地絶縁膜12は、
例えば、NSG(ノンドープトシリケートガラス)、P
SG(リンシリケートガラス)、BSG(ボロンシリケ
ートガラス)、BPSG(ボロンリンシリケートガラ
ス)などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化
シリコン膜等からなる。
In FIG. 6, the TFT array substrate 10
A base insulating film 12 is provided between the pixel switching TFT 30 and the plurality of pixel switching TFTs 30. The base insulating film 12 is made of T
By being formed on the entire surface of the FT array substrate 10, T
It has a function of preventing deterioration of the characteristics of the pixel switching TFT 30 due to roughening of the surface of the FT array substrate 10 during polishing, dirt remaining after cleaning, and the like. The base insulating film 12
For example, NSG (non-doped silicate glass), P
It is made of a highly insulating glass such as SG (phosphorous silicate glass), BSG (boron silicate glass), BPSG (boron phosphorus silicate glass), a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like.

【0084】本実施形態では、半導体層1aを高濃度ド
レイン領域1eから延設して第1蓄積容量電極1fと
し、これに対向する容量線3bの一部を第2蓄積容量電
極とし、ゲート絶縁膜を含んだ絶縁薄膜2を走査線3a
に対向する位置から延設してこれらの電極間に挟持され
た第1誘電体膜とすることにより、蓄積容量70が構成
されている。
In this embodiment, the semiconductor layer 1a extends from the high-concentration drain region 1e to form a first storage capacitor electrode 1f, and a part of the capacitor line 3b opposed to the first storage capacitor electrode 1f serves as a second storage capacitor electrode. The insulating thin film 2 including the film is connected to the scanning line 3a.
The storage capacitor 70 is formed by extending from a position facing the first dielectric film and forming a first dielectric film sandwiched between these electrodes.

【0085】図6において、画素スイッチング用TFT
30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有して
おり、走査線3a、当該走査線3aからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1
a’、走査線3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁薄膜2、データ線6a、半導体層1aの
低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、半
導体層1aの高濃度ソース領域1d並びに高濃度ドレイ
ン領域1eを備えている。高濃度ドレイン領域1eに
は、複数の画素電極9aのうちの対応する一つがコンタ
クトホール8を介して接続されている。また、走査線3
a及び容量線3bの上には、高濃度ソース領域1dへ通
じるコンタクトホール5及び高濃度ドレイン領域1eへ
通じるコンタクトホール8が各々形成された第1層間絶
縁膜4が形成されている。更に、データ線6a及び第1
層間絶縁膜4の上には、高濃度ドレイン領域1eへのコ
ンタクトホール8が形成された第2層間絶縁膜7が形成
されている。前述の画素電極9aは、このように構成さ
れた第2層間絶縁膜7の上面に設けられている。
In FIG. 6, the pixel switching TFT
Reference numeral 30 denotes an LDD (Lightly Doped Drain) structure, and includes a scanning line 3a and a channel region 1 of a semiconductor layer 1a in which a channel is formed by an electric field from the scanning line 3a.
a ', an insulating thin film 2 including a gate insulating film for insulating the scanning line 3a from the semiconductor layer 1a, a data line 6a, a low-concentration source region 1b and a low-concentration drain region 1c of the semiconductor layer 1a, and a high-concentration source of the semiconductor layer 1a. A region 1d and a high-concentration drain region 1e are provided. A corresponding one of the plurality of pixel electrodes 9a is connected to the high-concentration drain region 1e via the contact hole 8. Also, scanning line 3
A first interlayer insulating film 4 having a contact hole 5 leading to the high-concentration source region 1d and a contact hole 8 leading to the high-concentration drain region 1e is formed on the capacitor line 3a and the capacitor line 3b. Further, the data line 6a and the first
On the interlayer insulating film 4, a second interlayer insulating film 7 in which a contact hole 8 to the high concentration drain region 1e is formed. The above-described pixel electrode 9a is provided on the upper surface of the second interlayer insulating film 7 configured as described above.

【0086】図4及び図6に示すように、図4で左右に
相隣接する画素電極9aの間隙に位置する各画素の非開
口領域には、データ線6aが設けられており、各画素の
開口領域の輪郭のうちデータ線6aに沿った部分が規定
されており、且つデータ線6aにより当該非開口領域に
おける光抜けが防止されている。また、データ線6aの
下には、容量線3bの本線部からデータ線6aの下に沿
って突出した部分を利用して、蓄積容量70が形成され
ており、非開口領域の有効利用が図られている。
As shown in FIGS. 4 and 6, a data line 6a is provided in a non-opening area of each pixel located in a gap between pixel electrodes 9a adjacent to each other on the left and right in FIG. A portion along the data line 6a in the contour of the opening area is defined, and the data line 6a prevents light leakage in the non-opening area. A storage capacitor 70 is formed below the data line 6a by using a portion of the capacitor line 3b protruding below the data line 6a from a main line portion of the capacitor line 3b. Have been.

【0087】次に、図8を参照して第1実施形態の変形
例について説明する。以上説明した第1実施形態では、
図6に示したように、隔壁301を、対向電極21上に
樹脂でパターニング形成することで、比較的容易に形成
できる。これに対し、図8(a)に示すように、対向基
板20上において、ITO膜からなる対向電極21の下
(図中、上側)にある遮光膜23を絶縁材料層としてパ
ターニングして隔壁301’を形成してもよい。この場
合には、画素電極9aと対向電極21とのショート防止
用に両者間(少なくとも一方の基板上)に透明な絶縁膜
302を設けるとよい。図8(b)に示すように、TF
Tアレイ基板側に隔壁401を設けてもよい。この場合
には、画素電極9a上に透明な絶縁膜402を介して隔
壁401が形成されており、不図示の対向基板20側の
配向膜22に対してラビング処理を施してもよい。或い
は、図8(c)に示すように、対向基板20上におい
て、配向膜22を形成した後に、隔壁301”を設けて
もよい。この場合には、配向膜22に対してラビング処
理を施してもよい。また、隔壁301を絶縁材料層から
パターニング形成する代わりに、例えばエッチングによ
り基板本体(対向基板20又はTFTアレイ基板10)
や基板上に積層された層間絶縁膜(層間絶縁膜12、4
又は7)に溝を形成するなど、隔壁301を形成すべき
領域を除く基板上領域に溝(凹部)を形成することで、
隔壁を溝以外の凸状部分から形成してもよい。尚、この
場合にも、図8の変形例の場合と同様に、画素電極9a
と対向電極21とのショート防止用に透明な絶縁膜を設
けておくとよい。
Next, a modification of the first embodiment will be described with reference to FIG. In the first embodiment described above,
As shown in FIG. 6, the partition wall 301 can be formed relatively easily by patterning the counter electrode 21 with a resin. On the other hand, as shown in FIG. 8A, the light-shielding film 23 below (the upper side in the figure) the opposing electrode 21 made of an ITO film is patterned as an insulating material layer on the opposing substrate 20 to form a partition 301. 'May be formed. In this case, a transparent insulating film 302 may be provided between the pixel electrode 9a and the counter electrode 21 between them (at least on one of the substrates) to prevent a short circuit. As shown in FIG.
A partition 401 may be provided on the T array substrate side. In this case, a partition 401 is formed on the pixel electrode 9a via a transparent insulating film 402, and a rubbing process may be performed on the alignment film 22 on the counter substrate 20 side (not shown). Alternatively, as shown in FIG. 8C, after forming the alignment film 22 on the counter substrate 20, a partition wall 301 ″ may be provided. In this case, a rubbing process is performed on the alignment film 22. Further, instead of patterning and forming the partition wall 301 from the insulating material layer, for example, the substrate body (the counter substrate 20 or the TFT array substrate 10) is etched.
Insulating films (interlayer insulating films 12, 4)
Or by forming a groove (recess) in the region on the substrate except for the region where the partition 301 is to be formed, such as by forming a groove in 7).
The partition may be formed from a convex portion other than the groove. In this case, as in the case of the modification of FIG.
It is preferable to provide a transparent insulating film in order to prevent a short circuit between the electrode and the counter electrode 21.

【0088】以上説明した実施形態では、画素スイッチ
ング用TFT30は、好ましくは図6に示したようにL
DD構造を持つが、低濃度ソース領域1b及び低濃度ド
レイン領域1cに不純物イオンの打ち込みを行わないオ
フセット構造を持ってよいし、走査線3aの一部からな
るゲート電極をマスクとして高濃度で不純物イオンを打
ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を
形成するセルフアライン型のTFTであってもよい。ま
た本実施形態では、画素スイッチング用TFT30のゲ
ート電極を高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領
域1e間に1個のみ配置したシングルゲート構造とした
が、これらの間に2個以上のゲート電極を配置してもよ
い。
In the above-described embodiment, the pixel switching TFT 30 is preferably set to a low level as shown in FIG.
Although it has a DD structure, it may have an offset structure in which impurity ions are not implanted into the low-concentration source region 1b and the low-concentration drain region 1c. A self-aligned TFT in which ions are implanted to form high-concentration source and drain regions in a self-aligned manner may be used. In the present embodiment, the gate switching TFT 30 has a single gate structure in which only one gate electrode is disposed between the high-concentration source region 1d and the high-concentration drain region 1e, but two or more gate electrodes are provided between them. It may be arranged.

【0089】また以上説明した第1実施形態を、TFT
アクティブマトリクス駆動方式以外の、TFDアクティ
ブマトリクス方式、パッシブマトリクス駆動方式などい
ずれの方式の液晶装置に適用しても、基板間ギャップの
均一化と横電界の悪影響の低減とを図る本願独自の効果
は発揮される。更に、駆動回路内蔵型の液晶装置(図1
及び図2参照)のみならず、駆動回路を外付けする型の
液晶装置に、第1実施形態を適用しても、やはり同様の
効果が得られる。
The first embodiment described above is different from the first embodiment in that
Whether applied to a liquid crystal device other than the active matrix driving method, such as the TFD active matrix driving method and the passive matrix driving method, the unique effects of the present application for making the gap between the substrates uniform and reducing the adverse effect of the lateral electric field are obtained. Be demonstrated. Further, a liquid crystal device with a built-in drive circuit (FIG. 1)
And FIG. 2), the same effect can be obtained even if the first embodiment is applied to a liquid crystal device in which a driving circuit is externally provided.

【0090】(第2実施形態)本発明の電気光学装置の
第2実施形態について図9及び図10を参照して説明す
る。図9は、隔壁が形成された対向基板の下側を斜め下
方から見上げた部分斜視図であり、図10は、1S反転
駆動方式における各電極における電圧極性と横電界が生
じる領域とを示す画素電極の図式的平面図である。
(Second Embodiment) A second embodiment of the electro-optical device according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a partial perspective view of the lower side of the opposing substrate on which the partition walls are formed, as viewed obliquely from below. FIG. 10 is a pixel showing a voltage polarity and a region where a lateral electric field is generated in each electrode in the 1S inversion driving method. FIG. 2 is a schematic plan view of an electrode.

【0091】第2実施形態は、上述した第1実施形態と
比べて、図9に示すように隔壁501がデータ線に沿っ
た列方向(Y方向)にストライプ状に設けられており、
且つ図10に示した如き1S反転駆動方式を採用する点
が異なり、その他の構成については第1実施形態と同様
である。
The second embodiment is different from the first embodiment in that the partition walls 501 are provided in stripes in the column direction (Y direction) along the data lines as shown in FIG.
The difference is that the 1S inversion driving method as shown in FIG. 10 is adopted, and the other configuration is the same as that of the first embodiment.

【0092】1S反転駆動方式の場合、図10(a)に
示すように、n番目のフィールド或いはフレームの画像
信号を表示する期間中には、画素電極9a毎に+又は−
で示す液晶駆動電圧の極性は反転されず、列毎に同一極
性で画素電極9aが駆動される。その後図10(b)に
示すように、n+1番目のフィールド或いは1フレーム
の画像信号を表示するに際し、各画素電極9aにおける
液晶駆動電圧の電圧極性は反転され、このn+1番目の
フィールド或いは1フレームの画像信号を表示する期間
中には、画素電極9a毎に+又は−で示す液晶駆動電圧
の極性は反転されず、列毎に同一極性で画素電極9aが
駆動される。そして、図10(a)及び図10(b)に
示した状態が、1フィールド又は1フレームの周期で繰
り返される。この結果、直流電圧印加による液晶の劣化
を避けつつ、クロストークやフリッカの低減された画像
表示を行える。図10(a)及び図10(b)から分か
るように、1S反転駆動方式では、横電界の発生領域C
2は常時、行方向(X方向)に相隣接する画素電極9a
間の間隙付近となる。
In the case of the 1S inversion driving method, as shown in FIG. 10A, during the period of displaying the image signal of the n-th field or frame, + or-for each pixel electrode 9a.
The polarity of the liquid crystal drive voltage indicated by is not inverted, and the pixel electrode 9a is driven with the same polarity for each column. Thereafter, as shown in FIG. 10B, when displaying the image signal of the (n + 1) th field or one frame, the voltage polarity of the liquid crystal driving voltage in each pixel electrode 9a is inverted, and the (n + 1) th field or one frame of the one frame is displayed. During the period of displaying the image signal, the polarity of the liquid crystal drive voltage indicated by + or-is not inverted for each pixel electrode 9a, and the pixel electrode 9a is driven with the same polarity for each column. Then, the states shown in FIGS. 10A and 10B are repeated at a cycle of one field or one frame. As a result, image display with reduced crosstalk and flicker can be performed while avoiding deterioration of the liquid crystal due to the application of the DC voltage. As can be seen from FIGS. 10A and 10B, in the 1S inversion driving method, the lateral electric field generation region C
2 is a pixel electrode 9a which is always adjacent in the row direction (X direction).
It is near the gap between them.

【0093】しかるに第2実施形態では、係る横電界の
発生領域C2に隔壁501が設けられているので、横電
界の悪影響を隔壁501により低減しつつ1S反転駆動
方式による表示が可能となり、しかも、垂直配向型液晶
を用いることにより、コントラスト比、視角特性及び応
答特性を向上できる。
In the second embodiment, however, the partition 501 is provided in the horizontal electric field generation region C2, so that the display by the 1S inversion driving method can be performed while the adverse effect of the horizontal electric field is reduced by the partition 501. By using the vertical alignment type liquid crystal, the contrast ratio, viewing angle characteristics, and response characteristics can be improved.

【0094】(第3実施形態)本発明の電気光学装置の
第3実施形態について図11及び図12を参照して説明
する。図11は、隔壁が形成された対向基板の下側を斜
め下方から見上げた部分斜視図であり、図12は、ドッ
ト反転駆動方式における各電極における電圧極性と横電
界が生じる領域とを示す画素電極の図式的平面図であ
る。
(Third Embodiment) A third embodiment of the electro-optical device according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 11 is a partial perspective view of the lower side of the opposing substrate on which the partition walls are formed, as viewed obliquely from below. FIG. 12 is a pixel showing the voltage polarity and the region where a lateral electric field is generated in each electrode in the dot inversion driving method. FIG. 2 is a schematic plan view of an electrode.

【0095】第3実施形態は、上述した第1実施形態と
比べて、図11に示すように隔壁601が平面的に見て
各画素電極を囲むように格子状に設けられており、且つ
図12に示した如きドット反転駆動方式を採用する点が
異なり、その他の構成については第1実施形態と同様で
ある。
In the third embodiment, as compared with the first embodiment described above, as shown in FIG. 11, the partition walls 601 are provided in a lattice shape so as to surround each pixel electrode in plan view. The second embodiment is different from the first embodiment in that a dot inversion driving method as shown in FIG. 12 is employed.

【0096】ドット反転駆動方式の場合、図12(a)
に示すように、n番目のフィールド或いはフレームの画
像信号を表示する期間中には、画素電極9a毎に+又は
−で示す液晶駆動電圧の極性は反転されず、行方向及び
列方向に相隣接するドット毎に交互に逆極性で画素電極
9aが駆動される。その後図12(b)に示すように、
n+1番目のフィールド或いは1フレームの画像信号を
表示するに際し、各画素電極9aにおける液晶駆動電圧
の電圧極性は反転され、このn+1番目のフィールド或
いは1フレームの画像信号を表示する期間中には、画素
電極9a毎に+又は−で示す液晶駆動電圧の極性は反転
されず、行方向及び列方向に相隣接するドット毎に交互
に逆極性で画素電極9aが駆動される。そして、図12
(a)及び図12(b)に示した状態が、1フィールド
又は1フレームの周期で繰り返される。この結果、直流
電圧印加による液晶の劣化を避けつつ、クロストークや
フリッカの低減された画像表示を行える。図12(a)
及び図12(b)から分かるように、ドット反転駆動方
式では、横電界の発生領域C1及びC2は常時、各画素
電極9aの四方の縁付近となる。
In the case of the dot inversion driving method, FIG.
As shown in the figure, during the period of displaying the image signal of the n-th field or the frame, the polarity of the liquid crystal drive voltage indicated by + or-is not inverted for each pixel electrode 9a, and is adjacent to each other in the row direction and the column direction. The pixel electrode 9a is alternately driven with the opposite polarity for each dot. Thereafter, as shown in FIG.
When displaying the (n + 1) th field or one frame image signal, the voltage polarity of the liquid crystal driving voltage in each pixel electrode 9a is inverted, and during the period of displaying the (n + 1) th field or one frame image signal, the pixel The polarity of the liquid crystal drive voltage indicated by + or-is not inverted for each electrode 9a, and the pixel electrode 9a is driven with the opposite polarity alternately for each dot adjacent in the row direction and the column direction. And FIG.
The state shown in FIG. 12A and FIG. 12B is repeated at a cycle of one field or one frame. As a result, image display with reduced crosstalk and flicker can be performed while avoiding deterioration of the liquid crystal due to the application of the DC voltage. FIG. 12 (a)
12 (b), in the dot inversion driving method, the horizontal electric field generation regions C1 and C2 are always near the four edges of each pixel electrode 9a.

【0097】しかるに第3実施形態では、係る横電界の
発生領域C1及びC2に隔壁601が設けられているの
で、横電界の悪影響を隔壁601により低減しつつドッ
ト反転駆動方式による表示が可能となり、しかも、垂直
配向型液晶を用いることにより、コントラスト比、視角
特性及び応答特性を向上できる。
However, in the third embodiment, since the partition 601 is provided in the horizontal electric field generation regions C1 and C2, the display can be performed by the dot inversion driving method while the adverse effect of the horizontal electric field is reduced by the partition 601. Moreover, by using the vertical alignment type liquid crystal, the contrast ratio, the viewing angle characteristics and the response characteristics can be improved.

【0098】以上説明した各実施形態における電気光学
装置では、隔壁は、ストライプ状或いは格子状である
が、例えば、第1実施形態においてデータ線と交差する
個所を除く走査線に沿った領域に島状の隔壁を各画素の
辺毎に設けてもよいし、第2実施形態において走査線と
交差する個所を除くデータ線に沿った領域に島状の隔壁
を各画素の辺毎に設けてもよいし、第3実施形態におい
てデータ線と交差する個所を除く走査線に沿った領域及
び走査線と交差する個所を除くデータ線に沿った領域に
島状の隔壁を各画素の辺毎に設けてもよい。また各実施
形態の電気光学装置では、対向基板20の外面及びTF
Tアレイ基板10の外面には各々、ノーマリーホワイト
モード/ノーマリーブラックモードの別等に応じて、偏
光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向
で配置される。
In the electro-optical device according to each of the embodiments described above, the partition walls are in the form of stripes or grids. For example, in the first embodiment, islands are formed in the regions along the scanning lines except for the portions that intersect with the data lines. Partitions may be provided for each side of each pixel, or in the second embodiment, island-shaped partitions may be provided for each side of each pixel in a region along a data line except for a portion intersecting a scanning line. Alternatively, in the third embodiment, island-shaped partitions are provided for each pixel side in a region along a scanning line except for a portion intersecting with a data line and in a region along a data line except for a portion intersecting with a scanning line. You may. Further, in the electro-optical device of each embodiment, the outer surface of the opposing substrate 20 and the TF
On the outer surface of the T array substrate 10, a polarizing film, a retardation film, a polarizing plate, and the like are arranged in a predetermined direction according to a normally white mode / normally black mode or the like.

【0099】更に、以上の各実施形態において、特開平
9−127497号公報、特公平3−52611号公
報、特開平3−125123号公報、特開平8−171
101号公報等に開示されているように、TFTアレイ
基板10上において画素スイッチング用TFT30に対
向する位置(即ち、TFTの下側)にも、例えば高融点
金属からなる遮光膜を設けてもよい。このようにTFT
の下側にも遮光膜を設ければ、TFTアレイ基板10の
側からの裏面反射(戻り光)や複数の液晶装置をプリズ
ム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合
に、他の液晶装置からプリズム等を突き抜けて来る投射
光部分等が当該液晶装置のTFTに入射するのを未然に
防ぐことができる。また、対向基板20上に1画素1個
対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。この
ようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明
るい液晶装置が実現できる。更にまた、対向基板20上
に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積すること
で、光の干渉を利用して、RGB色を作り出すダイクロ
イックフィルタを形成してもよい。このダイクロイック
フィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶
装置が実現できる。
Further, in each of the above embodiments, JP-A-9-127497, JP-B-3-52611, JP-A-3-125123, and JP-A-8-171.
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 101-101 or the like, a light-shielding film made of, for example, a high-melting-point metal may be provided on the TFT array substrate 10 at a position facing the pixel switching TFT 30 (that is, below the TFT). . Thus, TFT
If a light-shielding film is also provided on the lower side, reflection on the back surface (return light) from the side of the TFT array substrate 10 and a combination of a plurality of liquid crystal devices via a prism or the like constitute another optical system. It is possible to prevent a projected light portion or the like that penetrates through the prism or the like from the liquid crystal device described above from entering the TFT of the liquid crystal device. Further, a micro lens may be formed on the counter substrate 20 so as to correspond to one pixel. In this case, a bright liquid crystal device can be realized by improving the efficiency of collecting incident light. Furthermore, a dichroic filter that produces RGB colors using light interference may be formed by depositing a number of interference layers having different refractive indexes on the counter substrate 20. According to the counter substrate with the dichroic filter, a brighter color liquid crystal device can be realized.

【0100】(電気光学装置の製造プロセス)次に、本
実施形態の電気光学装置の製造プロセスについて図13
から図17を参照して説明する。ここに、図13は、製
造プロセスを順を追って示す工程図であり、図14から
図16は夫々、1H反転駆動用、1S反転駆動用及びド
ット反転駆動用の電気光学装置の製造プロセスにおける
液晶注入工程の様子を示す図式的平面図である。また、
図17は、インクジェット方式の液晶注入工程の様子を
示す図式的側面図である。
(Manufacturing Process of Electro-Optical Device) Next, a manufacturing process of the electro-optical device of the present embodiment will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. Here, FIG. 13 is a process chart showing the manufacturing process in order, and FIGS. 14 to 16 show the liquid crystal in the manufacturing process of the electro-optical device for 1H inversion driving, 1S inversion driving, and dot inversion driving, respectively. FIG. 4 is a schematic plan view showing a state of an injection step. Also,
FIG. 17 is a schematic side view showing a state of the liquid crystal injection step of the ink jet system.

【0101】図13に示すように、上述の実施形態にお
ける電気光学装置の製造プロセスは、概ねTFTアレイ
基板10側におけるプロセスと、対向基板20側におけ
るプロセスと、両者を貼り合せた後のプロセスとに分か
れる。
As shown in FIG. 13, the manufacturing process of the electro-optical device according to the above-described embodiment includes a process on the TFT array substrate 10 side, a process on the counter substrate 20 side, and a process after bonding both. Divided into

【0102】図13において一方で、TFTアレイ基板
10側のプロセスとしては、石英等の基板上に画素電
極、TFT30等の素子並びに走査線、データ線等の配
線がプレーナ技術により形成された素子基板に対して、
先ず、これに付着した汚れやゴミ、埃を除去するための
受け入れ洗浄を行う(ステップS1)。
On the other hand, in FIG. 13, the process on the TFT array substrate 10 side is as follows: an element substrate in which pixel electrodes, TFT 30 and other elements and wiring such as scanning lines and data lines are formed on a substrate such as quartz by planar technology. For
First, receiving cleaning is performed to remove dirt, dust, and dust attached thereto (step S1).

【0103】次に、垂直配向用の配向膜16の形成を行
う(ステップS2)。具体的には、例えば配向膜16の
材料であるポリイミド(PI)系材料を基板の全面に塗
布した後に焼成を行う。
Next, an alignment film 16 for vertical alignment is formed (step S2). Specifically, for example, baking is performed after a polyimide (PI) -based material that is a material of the alignment film 16 is applied to the entire surface of the substrate.

【0104】次に、形成された配向膜16に対する配向
処理を、その表面を一定方向に擦るラビング処理により
行う(ステップS3)。この際、上述のポリイミド系材
料の選択及びこのラビング処理におけるラビング条件に
より、液晶を所定方向に配向させること及び液晶に所定
のプレチルト角を付与することが可能となる。
Next, an alignment process is performed on the formed alignment film 16 by rubbing the surface of the alignment film 16 in a fixed direction (step S3). At this time, the liquid crystal can be oriented in a predetermined direction and a predetermined pretilt angle can be given to the liquid crystal by selecting the above-described polyimide material and rubbing conditions in the rubbing process.

【0105】次に、シール領域に対して、シール材52
を印刷し(ステップS4)、上下導通材106をシール
材52の四隅に塗布する(ステップS5)。
Next, the sealing material 52 is applied to the sealing area.
Is printed (step S4), and the upper and lower conductive members 106 are applied to the four corners of the sealing material 52 (step S5).

【0106】図13において他方で、対向基板20側の
プロセスとしては、ガラス等の基板上に対向電極や配線
等が形成された対向側基板に対して、先ず、これに付着
した汚れやゴミ、埃を除去するための受け入れ洗浄を行
う(ステップS6)。
In FIG. 13, on the other hand, the process on the counter substrate 20 side is as follows. First, dirt and dust adhered to the counter substrate 20 on which a counter electrode and wiring are formed on a substrate such as glass. A cleaning for receiving dust is performed (step S6).

【0107】次に、垂直配向用の配向膜22の形成を行
う(ステップS7)。具体的には、例えば配向膜22の
材料であるポリイミド(PI)系材料を基板の全面に塗
布した後に焼成を行う。尚、本実施形態では、配向膜2
2に対するラビング処理は行わないでよい。
Next, an alignment film 22 for vertical alignment is formed (step S7). Specifically, for example, baking is performed after a polyimide (PI) -based material that is a material of the alignment film 22 is applied to the entire surface of the substrate. In this embodiment, the alignment film 2
The rubbing process for No. 2 need not be performed.

【0108】次に、フォトリソグラフィ及びエッチング
により絶縁性の樹脂をパターンニングして、隔壁を形成
する(ステップS8)。
Next, the insulating resin is patterned by photolithography and etching to form partitions (step S8).

【0109】図13において、ステップS1からS5を
経たTFTアレイ基板10とステップS6からS7を経
た対向基板20とを、シール材52により貼り合わせ
(ステップS9)、精度良くアラインメントした後(ス
テップS10)、基板間ギャップを所望の液晶セルギャ
ップとなるまで加圧下で締め付けて圧着する(ステップ
S11)。この時、対向基板20側における画像表示領
域の全体に渡って設けられた所定高さを有する隔壁(図
5及び図9参照)により、このような所望の基板間ギャ
ップが得られる。
In FIG. 13, the TFT array substrate 10 having passed through steps S1 to S5 and the counter substrate 20 having passed through steps S6 to S7 are bonded together with a sealing material 52 (step S9), and after being accurately aligned (step S10). Then, the substrates are clamped under pressure until the gap between the substrates becomes a desired liquid crystal cell gap (Step S11). At this time, such a desired inter-substrate gap is obtained by the partition walls (see FIGS. 5 and 9) having a predetermined height provided over the entire image display area on the counter substrate 20 side.

【0110】次に、シール材52に対して、紫外線照
射、加熱或いはそれらの両者により、シール材52を硬
化させる(ステップS12)。
Next, the sealing material 52 is cured by irradiating ultraviolet rays, heating, or both of them (step S12).

【0111】次に、液晶注入工程が行われる(ステップ
S13)。
Next, a liquid crystal injection step is performed (step S13).

【0112】ここで、液晶注入工程について図14及び
図15を参照して詳しく説明する。
Here, the liquid crystal injection step will be described in detail with reference to FIGS.

【0113】図14に示すように、第1実施形態の如く
行方向にストライプ状の隔壁301が形成されている場
合には、シール材53の一部が欠落してなる注入口53
aは、平面的に見てこの隔壁301が伸びる行方向の延
長線上に配置される。そして、注入口53aを介して液
晶を真空注入する。この結果、隔壁301を形成したこ
とによる液晶の流動抵抗の増加を抑えることができる。
特に、図中、左側に位置する隔壁301の端部は、シー
ル材53の内壁から若干距離をおいて形成されているの
で、矢印50aに示すように、隔壁301のない空間を
介して各隔壁301間の空間に液晶が行き渡るようにで
きる。
As shown in FIG. 14, when the stripe-shaped partition wall 301 is formed in the row direction as in the first embodiment, the injection port 53 in which a part of the sealing material 53 is missing is formed.
a is arranged on a line extending in the row direction in which the partition wall 301 extends in a plan view. Then, the liquid crystal is vacuum-injected through the injection port 53a. As a result, an increase in the flow resistance of the liquid crystal due to the formation of the partition wall 301 can be suppressed.
In particular, since the end of the partition 301 located on the left side in the figure is formed at a slight distance from the inner wall of the sealing material 53, as shown by the arrow 50a, each partition 301 is inserted through a space without the partition 301. The liquid crystal can be distributed in the space between 301.

【0114】或いは図15に示すように、第2実施形態
の如く列方向にストライプ状の隔壁401が形成されて
いる場合には、シール材53の一部が欠落してなる注入
口53aは、平面的に見てこの隔壁401が伸びる行方
向の延長線上に配置される。そして、注入口53aを介
して液晶を真空注入する。この結果、隔壁401を形成
したことによる液晶の流動抵抗の増加を抑えることがで
きる。特に、図中、下側に位置する隔壁401の端部
は、シール材53の内壁から若干距離をおいて形成され
ているので、矢印50aに示すように、隔壁401のな
い空間を介して各隔壁401間の空間に液晶が行き渡る
ようにできる。
Alternatively, as shown in FIG. 15, when striped partition walls 401 are formed in the column direction as in the second embodiment, the injection port 53a in which a part of the sealing material 53 is missing is The partition 401 is arranged on a line extending in the row direction in a plan view. Then, the liquid crystal is vacuum-injected through the injection port 53a. As a result, an increase in the flow resistance of the liquid crystal due to the formation of the partition 401 can be suppressed. In particular, in the figure, since the end of the partition 401 located on the lower side is formed at a slight distance from the inner wall of the sealing material 53, as shown by an arrow 50a, each end is formed through a space without the partition 401. The liquid crystal can be distributed over the space between the partitions 401.

【0115】再び図13に戻り、封止材54により液晶
注入口を封止し(ステップS14)、基板を複数の図1
及び図2に示したような液晶装置に分断した後(ステッ
プS15)、再び洗浄し(ステップS16)、更に、所
定の配線や素子の導通・絶縁検査や表示むらの検査等を
行った後(ステップS17)、外部配線の接続、偏光
板、位相差フィルム等の貼り付けなどの実装処理が行わ
れて(ステップS18)、電気光学装置が完成する。
Returning to FIG. 13 again, the liquid crystal injection port is sealed with the sealing material 54 (step S14), and the substrate is divided into a plurality of FIG.
After dividing into the liquid crystal device as shown in FIG. 2 (step S15), washing again (step S16), and after conducting continuity / insulation inspection of predetermined wiring and elements, inspection of display unevenness, and the like ( Step S17), mounting processing such as connection of external wiring, attachment of a polarizing plate, a retardation film, and the like is performed (step S18), and the electro-optical device is completed.

【0116】以上説明した製造方法によれば、前述した
本発明の第1及び第2実施形態における電気光学装置を
比較容易に製造できる。特に、基板間に配置された隔壁
301或いは401により、これら両者間のギャップが
規定されているので、液晶注入時に複屈折効果によるパ
ネル面の色変化が起こらない垂直配向型液晶の注入を過
不足なく行うことができる。また、表示領域中にギャッ
プ材を散布しないでも何ら問題は生じない。
According to the manufacturing method described above, the electro-optical device according to the first and second embodiments of the present invention can be manufactured easily. In particular, since the gap between the two is defined by the partition wall 301 or 401 disposed between the substrates, the injection of the vertical alignment type liquid crystal that does not cause a color change on the panel surface due to the birefringence effect at the time of liquid crystal injection is excessively or insufficiently performed. Can be done without. Even if the gap material is not scattered in the display area, no problem occurs.

【0117】以上説明した製造方法では、両基板を貼り
合せた後に、両基板間の間隙に液晶を真空注入するよう
にしたが、隔壁で区切られた空間内に電気光学物質を充
填した後に、両基板を貼り合せるようにしてもよい。こ
の製造方法によれば、特に図16に示した第3実施形態
の如きドット反転駆動方式用に隔壁601が格子状であ
るが故に、各隔壁601で区切られた空間50b内に真
空注入により液晶を注入する流路の確保が困難な場合に
も、液晶を該空間50b内に充填することができる。具
体的には例えば、図17に示したように、微細ピッチで
液晶50cを噴射可能なインクジェットヘッド800を
用いて、隔壁601で区切られた空間50b内に液晶5
0cを滴下すればよい(但しこの場合、隔壁601が形
成された対向基板20を裏返して液晶50cを滴下し、
その後この上に、やはり裏返したTFTアレイ基板10
を貼り合せるようにする)。このように、インクジェッ
ト方式により液晶を充填する工程を比較的容易に行え
る。尚、係るインクジェット方式により、第1又は第2
実施形態の如きストライプ状の隔壁により区切られた空
間内に液晶を充填するようにしてもよい。
In the manufacturing method described above, the liquid crystal is vacuum-injected into the gap between the two substrates after the two substrates are bonded. However, after the space defined by the partition walls is filled with the electro-optical material, You may make it bond both substrates. According to this manufacturing method, in particular, since the partition 601 is in a lattice shape for the dot inversion driving method as in the third embodiment shown in FIG. 16, the liquid crystal is injected into the space 50b divided by each partition 601 by vacuum injection. The liquid crystal can be filled in the space 50b even when it is difficult to secure a flow path for injecting the liquid crystal. Specifically, for example, as shown in FIG. 17, the liquid crystal 5 is formed in a space 50 b partitioned by the partition wall 601 by using an inkjet head 800 capable of ejecting the liquid crystal 50 c at a fine pitch.
0c may be dropped (in this case, the liquid crystal 50c is dropped by turning over the opposite substrate 20 on which the partition wall 601 is formed,
Thereafter, the TFT array substrate 10 which is also turned over
To be attached). As described above, the step of filling the liquid crystal by the ink jet method can be performed relatively easily. Note that the first or second ink jet method is used.
The liquid crystal may be filled in the space partitioned by the stripe-shaped partition as in the embodiment.

【0118】(電子機器)次に、以上詳細に説明した実
施形態における電気光学装置を備えた電子機器の実施の
形態について図18から図21を参照して説明する。
(Electronic Apparatus) Next, an embodiment of an electronic apparatus including the electro-optical device according to the embodiment described in detail above will be described with reference to FIGS.

【0119】先ず図18に、上述の実施形態の電気光学
装置からなる液晶装置100及びその駆動回路1004
を備えた電子機器の概略構成を示す。
First, FIG. 18 shows a liquid crystal device 100 including the electro-optical device according to the above-described embodiment and a driving circuit 1004 thereof.
1 shows a schematic configuration of an electronic device provided with.

【0120】図18において、電子機器は、表示情報出
力源1000、表示情報処理回路1002、駆動回路1
004、液晶装置100、クロック発生回路1008並
びに電源回路1010を備えて構成されている。表示情
報出力源1000は、ROM(Read Only Memory)、R
AM(Random Access Memory)、光ディスク装置などの
メモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含
み、クロック発生回路1008からのクロック信号に基
づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を
表示情報処理回路1002に出力する。表示情報処理回
路1002は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ロー
テーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周
知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信
号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順
次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路1004に
出力する。駆動回路1004は、液晶装置100を駆動
する。電源回路1010は、上述の各回路に所定電源を
供給する。尚、液晶装置100を構成するTFTアレイ
基板の上に、駆動回路1004を搭載してもよく、これ
に加えて表示情報処理回路1002を搭載してもよい。
In FIG. 18, the electronic equipment includes a display information output source 1000, a display information processing circuit 1002, and a drive circuit 1.
004, a liquid crystal device 100, a clock generation circuit 1008, and a power supply circuit 1010. The display information output source 1000 includes a ROM (Read Only Memory),
It includes a memory such as an AM (Random Access Memory), an optical disk device, and a tuning circuit that tunes and outputs an image signal, and displays display information such as an image signal in a predetermined format based on a clock signal from a clock generation circuit 1008. Output to the information processing circuit 1002. The display information processing circuit 1002 includes various known processing circuits such as an amplification / polarity inversion circuit, a phase expansion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, and a clamp circuit. Digital signals are sequentially generated from the information and output to the driving circuit 1004 together with the clock signal CLK. The drive circuit 1004 drives the liquid crystal device 100. The power supply circuit 1010 supplies a predetermined power to each of the above-described circuits. Note that the drive circuit 1004 may be mounted on the TFT array substrate included in the liquid crystal device 100, and in addition, the display information processing circuit 1002 may be mounted.

【0121】次に図19から図21に、このように構成
された電子機器の具体例を夫々示す。
Next, FIGS. 19 to 21 show specific examples of the electronic apparatus thus configured.

【0122】図19において、電子機器の一例たる液晶
プロジェクタ1100は、上述した駆動回路1004が
TFTアレイ基板上に搭載された液晶装置100を含む
液晶モジュールを3個用意し、夫々RGB用のライトバ
ルブ100R、100G及び100Bとして用いたプロ
ジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ11
00では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプ
ユニット1102から投射光が発せられると、3枚のミ
ラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108
によって、RGBの3原色に対応する光成分R、G、B
に分けられ、各色に対応するライトバルブ100R、1
00G及び100Bに夫々導かれる。この際特にB光
は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ1
122、リレーレンズ1123及び出射レンズ1124
からなるリレーレンズ系1121を介して導かれる。そ
して、ライトバルブ100R、100G及び100Bに
より夫々変調された3原色に対応する光成分は、ダイク
ロイックプリズム1112により再度合成された後、投
射レンズ1114を介してスクリーン1120にカラー
画像として投射される。
In FIG. 19, a liquid crystal projector 1100, which is an example of electronic equipment, prepares three liquid crystal modules each including the liquid crystal device 100 in which the above-described drive circuit 1004 is mounted on a TFT array substrate, and each of them has a light valve for RGB. The projector is used as 100R, 100G, and 100B. LCD projector 11
In 00, when the projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108
Light components R, G, and B corresponding to the three primary colors RGB.
Light valves 100R, 1R corresponding to each color
00G and 100B respectively. At this time, in particular, the B light is applied to the incident lens 1 to prevent light loss due to a long optical path.
122, relay lens 1123 and emission lens 1124
And is guided through a relay lens system 1121 composed of Then, the light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B, respectively, are combined again by the dichroic prism 1112, and then projected as a color image on the screen 1120 via the projection lens 1114.

【0123】図20において、電子機器の他の例たるマ
ルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピ
ュータ(PC)1200は、上述した液晶装置100が
トップカバーケース内に備えられており、更にCPU、
メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード1202
が組み込まれた本体1204を備えている。
In FIG. 20, a laptop personal computer (PC) 1200 for multimedia, which is another example of electronic equipment, includes the above-described liquid crystal device 100 in a top cover case, and further includes a CPU,
The keyboard 1202 accommodates a memory, a modem, and the like.
Is provided.

【0124】また図21に示すように、駆動回路100
4や表示情報処理回路1002を搭載しない液晶装置1
00の場合には、駆動回路1004や表示情報処理回路
1002を含むIC1324がポリイミドテープ132
2上に実装されたTCP(Tape Carrier Package)1
320に、TFTアレイ基板1の周辺部に設けられた異
方性導電フィルムを介して物理的且つ電気的に接続し
て、液晶装置100として、生産、販売、使用等するこ
とも可能である。
Further, as shown in FIG.
Liquid crystal device 1 which does not include the display device 4 or the display information processing circuit 1002
In the case of 00, the IC 1324 including the drive circuit 1004 and the display information processing circuit 1002
TCP (Tape Carrier Package) 1 mounted on 2
The liquid crystal device 100 can be physically, electrically and electrically connected to the TFT array substrate 320 via an anisotropic conductive film provided on the peripheral portion of the TFT array substrate 1 to produce, sell, use, and the like.

【0125】以上図19から図21を参照して説明した
電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又
はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲー
ション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エン
ジニアリング・ワークステーション(EWS)、携帯電
話、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装
置等などが図18に示した電子機器の例として挙げられ
る。
In addition to the electronic devices described with reference to FIGS. 19 to 21, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, an electronic organizer, a calculator, a word processor, an engineering machine, etc. A workstation (EWS), a mobile phone, a video phone, a POS terminal, a device including a touch panel, and the like are examples of the electronic device illustrated in FIG.

【0126】本発明は、上述した各実施形態に限られる
ものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう電気光学装置やこれを
備えた投射型表示装置もまた本発明の技術的範囲に含ま
れるものである。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be appropriately modified without departing from the spirit or spirit of the invention which can be read from the claims and the entire specification. Such an electro-optical device and a projection type display device having the same are also included in the technical scope of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係る電気光学装置の全体構
成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view illustrating an overall configuration of an electro-optical device according to an embodiment of the invention.

【図2】図1のH−H’断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line H-H 'of FIG.

【図3】実施形態の電気光学装置における画像表示領域
を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種
素子、配線等の等価回路である。
FIG. 3 is an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like provided in a plurality of pixels in a matrix forming an image display area in the electro-optical device of the embodiment.

【図4】第1実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of a plurality of adjacent pixel groups on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, and the like are formed in the electro-optical device according to the first embodiment.

【図5】第1実施形態の電気光学装置における対向基板
上に設けられた隔壁を示す部分斜視図である。
FIG. 5 is a partial perspective view illustrating a partition provided on an opposing substrate in the electro-optical device according to the first embodiment.

【図6】図4のA−A’断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 4;

【図7】第1実施形態で用いられる1H反転駆動方式に
おける各電極における電圧極性と横電界が生じる領域と
を示す画素電極の図式的平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view of a pixel electrode showing a voltage polarity and a region where a lateral electric field is generated in each electrode in the 1H inversion driving method used in the first embodiment.

【図8】第1実施形態における隔壁の各種変形例を示す
断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing various modifications of the partition wall in the first embodiment.

【図9】本発明の第2実施形態の電気光学装置における
対向基板上に設けられた隔壁を示す部分斜視図である。
FIG. 9 is a partial perspective view showing a partition provided on an opposing substrate in the electro-optical device according to the second embodiment of the present invention.

【図10】第2実施形態で用いられる1S反転駆動方式
における各電極における電圧極性と横電界が生じる領域
とを示す画素電極の図式的平面図である。
FIG. 10 is a schematic plan view of a pixel electrode showing a voltage polarity and a region where a lateral electric field is generated in each electrode in the 1S inversion driving method used in the second embodiment.

【図11】本発明の第3実施形態の電気光学装置におけ
る対向基板上に設けられた隔壁を示す部分斜視図であ
る。
FIG. 11 is a partial perspective view showing a partition provided on a counter substrate in an electro-optical device according to a third embodiment of the present invention.

【図12】第2実施形態で用いられるドット反転駆動方
式における各電極における電圧極性と横電界が生じる領
域とを示す画素電極の図式的平面図である。
FIG. 12 is a schematic plan view of a pixel electrode showing a voltage polarity and a region where a horizontal electric field is generated in each electrode in a dot inversion driving method used in the second embodiment.

【図13】実施形態の製造プロセスにおける各工程を示
す工程図である。
FIG. 13 is a process chart showing each step in the manufacturing process of the embodiment.

【図14】1H反転駆動用の電気光学装置の製造プロセ
スにおける液晶注入工程の様子を示す図式的平面図であ
る。
FIG. 14 is a schematic plan view showing a state of a liquid crystal injection step in a manufacturing process of the electro-optical device for 1H inversion driving.

【図15】1S反転駆動用の電気光学装置の製造プロセ
スにおける液晶注入工程の様子を示す図式的平面図であ
る。
FIG. 15 is a schematic plan view showing a state of a liquid crystal injection step in a manufacturing process of the electro-optical device for 1S inversion driving.

【図16】ドット反転駆動用の電気光学装置の製造プロ
セスにおける液晶注入工程の様子を示す図式的平面図で
ある。
FIG. 16 is a schematic plan view showing a state of a liquid crystal injection step in a manufacturing process of the electro-optical device for dot inversion driving.

【図17】インクジェット方式の液晶注入工程の様子を
示す図式的側面図である。
FIG. 17 is a schematic side view showing a state of a liquid crystal injection step of an inkjet system.

【図18】本発明による電子機器の実施の形態の概略構
成を示すブロック図である。
FIG. 18 is a block diagram illustrating a schematic configuration of an embodiment of an electronic device according to the present invention.

【図19】電子機器の一例としての液晶プロジェクタを
示す断面図である。
FIG. 19 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal projector as an example of an electronic apparatus.

【図20】電子機器の他の例としてのパーソナルコンピ
ュータを示す正面図である。
FIG. 20 is a front view showing a personal computer as another example of the electronic apparatus.

【図21】電子機器の他の例としてのTCPを用いた液
晶装置を示す斜視図である。
FIG. 21 is a perspective view illustrating a liquid crystal device using TCP as another example of the electronic apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

9a…画素電極 10…TFTアレイ基板 16…配向膜 20…対向基板 21…対向電極 22…配向膜 23…遮光膜 30…TFT 50…液晶層 50c…液晶 52…シール材 53…遮光膜 53a…注入口 54…封止材 100…基板 101…データ線駆動回路 104…走査線駆動回路 301、301’、301”、501、601…隔壁 302、402…絶縁膜 800…インクジェットヘッド 9a: Pixel electrode 10: TFT array substrate 16: Alignment film 20: Counter substrate 21: Counter electrode 22: Alignment film 23: Light shielding film 30: TFT 50: Liquid crystal layer 50c: Liquid crystal 52: Seal material 53: Light shielding film 53a: Note Entrance 54: sealing material 100: substrate 101: data line driving circuit 104: scanning line driving circuit 301, 301 ', 301 ", 501, 601: partition walls 302, 402 ... insulating film 800: inkjet head

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1333 505 G02F 1/1333 505 5C094 1/1337 525 1/1337 525 5G435 1/1341 1/1341 1/1368 G09F 9/00 360D G09F 9/00 360 9/30 320 9/30 320 338 338 G02F 1/136 500 Fターム(参考) 2H088 EA12 FA20 HA04 HA08 HA12 HA14 MA01 2H089 LA09 MA01X NA14 NA17 NA22 NA25 PA05 QA14 TA04 TA05 TA09 TA12 TA13 TA18 UA05 2H090 HA04 HB02X HB08Y LA02 LA04 LA05 LA15 LA16 MA01 MA07 MB01 2H092 HA28 JA24 JB54 JB56 JB69 MA37 PA03 PA08 PA09 PA13 RA05 2H093 NA16 NA32 ND10 ND15 ND17 NE06 NG02 5C094 AA02 AA06 AA10 AA12 AA13 AA43 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EA07 EB02 EC04 ED14 ED15 ED20 FB12 FB15 FB16 GB01 5G435 AA00 AA02 AA03 AA17 BB12 BB17 CC09 CC12 DD02 DD05 EE33 FF01 FF03 FF13 GG01 GG02 GG03 GG04 GG08 GG28 GG46 HH12 HH14 HH16 KK05 LL04 LL07 LL08 LL12 LL15 LL17 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G02F 1/1333 505 G02F 1/1333 505 5C094 1/1337 525 1/1337 525 5G435 1/1341 1/1341 1 / 1368 G09F 9/00 360D G09F 9/00 360 9/30 320 9/30 320 338 338 G02F 1/136 500 F term (reference) 2H088 EA12 FA20 HA04 HA08 HA12 HA14 MA01 2H089 LA09 MA01X NA14 NA17 NA22 NA04 PA05 QA14 TA TA05 TA09 TA12 TA13 TA18 UA05 2H090 HA04 HB02X HB08Y LA02 LA04 LA05 LA15 LA16 MA01 MA07 MB01 2H092 HA28 JA24 JB54 JB56 JB69 MA37 PA03 PA08 PA09 PA13 RA05 2H093 NA16 NA32 ND10 ND15 ND17 A12A13 A03 A03 A03 A03 A03 A03 A04 DA15 EA04 EA07 EB02 EC04 ED14 ED15 ED20 FB12 FB15 FB16 GB01 5G435 AA00 AA02 AA03 AA17 B B12 BB17 CC09 CC12 DD02 DD05 EE33 FF01 FF03 FF13 GG01 GG02 GG03 GG04 GG08 GG28 GG46 HH12 HH14 HH16 KK05 LL04 LL07 LL08 LL12 LL15 LL17

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電気光学物質を挟持して互いに対向する
一対の第1及び第2基板と、 前記第1基板の前記電気光学物質に対向する側に配置さ
れており第1周期で反転駆動されるための第1画素電極
群及び該第1周期と相補の第2周期で反転駆動されるた
めの第2画素電極群を含む複数の画素電極と、 前記第2基板の前記電気光学物質に対向する側に配置さ
れた対向電極と、 前記第1及び第2基板間に配置されてこれら間のギャッ
プを規定すると共に平面的に見て前記第1及び第2画素
電極群間を区切る誘電体からなる隔壁とを備えたことを
特徴とする電気光学装置。
1. A pair of first and second substrates opposing each other with an electro-optical material interposed therebetween, and disposed on a side of the first substrate opposing the electro-optical material, the first substrate being inverted and driven in a first cycle. A plurality of pixel electrodes including a first pixel electrode group for driving and a second pixel electrode group for inversion driving at a second period complementary to the first period, and facing the electro-optical material on the second substrate A counter electrode disposed on the side where the first and second substrates are disposed; and a dielectric that is disposed between the first and second substrates to define a gap therebetween and separates the first and second pixel electrode groups when viewed in plan. An electro-optical device comprising: a partition wall;
【請求項2】 前記電気光学物質は、誘電率の異方性が
負である垂直配向型の電気光学物質であり、 前記第1及び第2基板のうち少なくとも一方に、前記電
気光学物質に対面配置されており前記電気光学物質の配
向状態を電圧無印加時にほぼ垂直配向とするように且つ
所定のプレティルト角を持つようにラビング処理が施さ
れた配向膜を更に備えたことを特徴とする請求項1に記
載の電気光学装置。
2. The electro-optic material according to claim 1, wherein the electro-optic material is a vertically oriented electro-optic material having a negative dielectric anisotropy, and at least one of the first and second substrates faces the electro-optic material. The liquid crystal display device further comprising: an alignment film disposed and rubbed so that the alignment state of the electro-optical material is substantially vertical when no voltage is applied and has a predetermined pretilt angle. Item 2. The electro-optical device according to item 1.
【請求項3】 前記複数の画素電極は、マトリクス状に
行方向及び列方向に配列されており、 前記第1及び第2画素電極群は、前記行方向に沿って交
互に複数配列されており、 前記隔壁は、前記行方向に沿って伸びており、 前記ラビング処理は、平面的に見て前記列方向に沿って
行われていることを特徴とする請求項2に記載の電気光
学装置。
3. The plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix in a row direction and a column direction, and the first and second pixel electrode groups are alternately arranged in a plurality in the row direction. The electro-optical device according to claim 2, wherein the partition extends along the row direction, and the rubbing is performed along the column direction when viewed in plan.
【請求項4】 前記複数の画素電極は、マトリクス状に
行方向及び列方向に配列されており、 前記第1及び第2画素電極群は、前記列方向に沿って交
互に複数配列されており、 前記隔壁は、前記列方向に沿って伸びており、 前記ラビング処理は、平面的に見て前記行方向に沿って
行われていることを特徴とする請求項2に記載の電気光
学装置。
4. The plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix in a row direction and a column direction, and the first and second pixel electrode groups are alternately arranged in the column direction. 3. The electro-optical device according to claim 2, wherein the partition extends along the column direction, and the rubbing process is performed along the row direction when viewed in plan. 4.
【請求項5】 前記複数の画素電極は、マトリクス状に
行方向及び列方向に配列されており、 前記第1及び第2画素電極群は、前記行方向に沿って交
互に複数配列されており、 前記隔壁は、前記行方向に沿って伸びることを特徴とす
る請求項1又は2に記載の電気光学装置。
5. The plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix in a row direction and a column direction, and the first and second pixel electrode groups are alternately arranged in a row direction. 3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the partition extends along the row direction.
【請求項6】 前記複数の画素電極は、マトリクス状に
行方向及び列方向に配列されており、 前記第1及び第2画素電極群は、前記列方向に沿って交
互に複数配列されており、 前記隔壁は、前記列方向に沿って伸びることを特徴とす
る請求項1又は2に記載の電気光学装置。
6. The plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix in a row direction and a column direction, and the first and second pixel electrode groups are arranged alternately in the column direction. 3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the partition extends along the column direction.
【請求項7】 前記複数の画素電極は、マトリクス状に
行方向及び列方向に配列されており、 前記第1及び第2画素電極群は、前記行方向及び前記列
方向に交互に配置されており、 前記隔壁は、格子状であることを特徴とする請求項1又
は2に記載の電気光学装置。
7. The plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix in a row direction and a column direction, and the first and second pixel electrode groups are alternately arranged in the row direction and the column direction. The electro-optical device according to claim 1, wherein the partition has a lattice shape.
【請求項8】 前記隔壁は、前記第1及び第2基板のう
ち少なくとも一方上に絶縁材料層がパターニングされる
ことにより形成されていることを特徴とする請求項1か
ら7のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. The partition according to claim 1, wherein the partition is formed by patterning an insulating material layer on at least one of the first and second substrates. An electro-optical device according to claim 1.
【請求項9】 前記隔壁は、前記第1及び第2基板のう
ち少なくとも一方に溝がパターニングされることにより
形成されていることを特徴とする請求項1から7のいず
れか一項に記載の電気光学装置。
9. The method according to claim 1, wherein the partition is formed by patterning a groove in at least one of the first and second substrates. Electro-optical device.
【請求項10】 前記第1基板上にマトリクス状に配置
されており前記複数の画素電極に夫々接続された複数の
スイッチング素子と、 前記第1基板上に配置されており前記複数のスイッチン
グ素子に夫々接続されると共に相交差する複数の走査線
及び複数のデータ線とを更に備えたことを特徴とする請
求項1から9のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. A plurality of switching elements arranged in a matrix on the first substrate and connected to the plurality of pixel electrodes, respectively, and a plurality of switching elements arranged on the first substrate and The electro-optical device according to any one of claims 1 to 9, further comprising a plurality of scanning lines and a plurality of data lines which are respectively connected and cross each other.
【請求項11】 第1基板上に、第1周期で反転駆動さ
れるための第1画素電極群及び該第1周期と相補の第2
周期で反転駆動されるための第2画素電極群を含む複数
の画素電極を形成する工程と、 第2基板上に対向電極を形成する工程と、 前記第1及び第2基板間に配置されてこれら間のギャッ
プを規定すると共に平面的に見て前記第1及び第2画素
電極群間を区切る誘電体からなる隔壁を前記第1及び第
2基板のうち少なくとも一方に形成する工程と、 該隔壁で区切られた空間内に電気光学物質を充填する工
程と、 該電気光学物質を充填した後に、前記第1及び第2基板
を相互に貼り合せる工程とを備えたことを特徴とする電
気光学装置の製造方法。
11. A first pixel electrode group for inversion driving in a first cycle on a first substrate and a second pixel electrode group complementary to the first cycle.
A step of forming a plurality of pixel electrodes including a second pixel electrode group to be periodically inverted and driven; a step of forming a counter electrode on a second substrate; and a step of forming a counter electrode between the first and second substrates. A step of defining a gap between them and forming a partition made of a dielectric material that separates the first and second pixel electrode groups from at least one of the first and second substrates in plan view; An electro-optical device, comprising: a step of filling an electro-optical substance in a space defined by the above, and a step of bonding the first and second substrates to each other after filling the electro-optical substance. Manufacturing method.
【請求項12】 前記電気光学物質を充填する工程は、
インクジェット方式により行われることを特徴とする請
求項11に記載の電気光学装置の製造方法。
12. The step of filling the electro-optical material,
The method according to claim 11, wherein the method is performed by an ink-jet method.
【請求項13】 第1基板上に、第1周期で反転駆動さ
れるための第1画素電極群及び該第1周期と相補の第2
周期で反転駆動されるための第2画素電極群を含む複数
の画素電極を形成する工程と、 第2基板上に対向電極を形成する工程と、 前記第1及び第2基板間に配置されてこれら間のギャッ
プを規定すると共に平面的に見て前記第1及び第2画素
電極群間を区切る誘電体からなる隔壁を前記第1及び第
2基板のうち少なくとも一方に形成する工程と、 該隔壁を形成した後に、前記第1及び第2基板をシール
材で相互に貼り合せる工程と、 該貼り合せられた第1及び第2基板間の間隙に平面的に
見て前記シール材の一部が欠落してなる注入口を介して
電気光学物質を真空注入する工程とを備えたことを特徴
とする電気光学装置の製造方法。
13. A first pixel electrode group for inversion driving in a first cycle on a first substrate and a second pixel electrode group complementary to the first cycle.
A step of forming a plurality of pixel electrodes including a second pixel electrode group to be periodically inverted and driven; a step of forming a counter electrode on a second substrate; and a step of forming a counter electrode between the first and second substrates. Forming a gap made of a dielectric material defining at least one of the first and second substrates, which defines a gap therebetween and separates the first and second pixel electrode groups when viewed in a plan view; After forming, the first and second substrates are bonded to each other with a sealing material, and a part of the sealing material is viewed in a plan view in a gap between the bonded first and second substrates. Vacuum-injecting the electro-optical substance through the missing inlet.
【請求項14】 前記注入口は、平面的に見て前記隔壁
部分が伸びる方向の延長線上に位置することを特徴とす
る請求項13に記載の電気光学装置の製造方法。
14. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 13, wherein the inlet is located on an extension in a direction in which the partition wall portion extends in a plan view.
【請求項15】 請求項1から10のいずれか一項に記
載の電気光学装置からなるライトバルブと、 該ライトバルブに投射光を入射する光源と、 該ライトバルブから出射した前記投射光を投射する光学
系とを備えたことを特徴とする投射型表示装置。
15. A light valve comprising the electro-optical device according to any one of claims 1 to 10, a light source for projecting light to the light valve, and projecting the projection light emitted from the light valve. And a projection type display device comprising:
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