JP2008219049A - Semiconductor device, production process of semiconductor device, circuit board, electro-optical device, electronic equipment - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having improved reliability of bump connection. <P>SOLUTION: The semiconductor device of the present invention is equipped with an electrode pad 24 and a bump electrode 10 electrically connected to the electrode pad 24 on the active surface 121a thereof. The bump electrode 10 is equipped with a resin projection 12 formed on the active surface 121a and a conductive film 20 placed over the electrode pad 24 and the surface of the resin projection 12, wherein the conductive film 20 and the resin projection 12 are placed so that they are not in contact. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶パネル等の基板に駆動ＩＣ等の半導体装置をフリップチップ実装する場合に好適な半導体装置の電極構造に関するものである。   The present invention relates to an electrode structure of a semiconductor device suitable for flip-chip mounting a semiconductor device such as a driving IC on a substrate such as a liquid crystal panel.

各種の電子機器に搭載される回路基板や液晶表示装置などでは、ＩＣチップなどの半導体装置が基板上に実装されている。例えば、液晶表示装置においては、液晶パネルを駆動するための液晶駆動用ＩＣチップが、液晶パネルを構成するガラス基板（相手側基板）に実装されている（いわゆるＣＯＧ構造）。このように、硬いシリコン基板を用いたＩＣチップを、硬いガラス基板の上に実装する場合には、ＩＣチップおよびガラス基板の反りを吸収することが困難である。そこで、ＩＣチップにはバンプ（突起）電極が形成され、このバンプ電極を押し潰しつつガラス基板に実装することにより、両者が導電接続されている。   In circuit boards and liquid crystal display devices mounted on various electronic devices, a semiconductor device such as an IC chip is mounted on the substrate. For example, in a liquid crystal display device, a liquid crystal driving IC chip for driving a liquid crystal panel is mounted on a glass substrate (mating substrate) constituting the liquid crystal panel (so-called COG structure). Thus, when an IC chip using a hard silicon substrate is mounted on a hard glass substrate, it is difficult to absorb warpage of the IC chip and the glass substrate. Therefore, bump (protrusion) electrodes are formed on the IC chip, and the bump electrodes are crushed and mounted on a glass substrate, so that both are conductively connected.

近時では、液晶表示装置の高精細化に伴ってＩＣチップの端子数が増加する一方で、ＩＣチップの小型化が強く要求されている。そのため、ＩＣチップに形成されるバンプ電極の狭ピッチ化が必要になっている。なお、従来のバンプ電極はレジスト開口部に電解Ａｕメッキ等を施すことによって形成されているので、バンプ電極を狭ピッチ化するにはレジスト開口部のアスペクト比を大きくする必要がある。そのため、従来のバンプ電極では狭ピッチ化への対応が困難であった。   Recently, as the number of terminals of an IC chip increases as the liquid crystal display device becomes higher in definition, there is a strong demand for miniaturization of the IC chip. Therefore, it is necessary to reduce the pitch of the bump electrodes formed on the IC chip. Since the conventional bump electrodes are formed by applying electrolytic Au plating or the like to the resist openings, it is necessary to increase the aspect ratio of the resist openings in order to reduce the pitch of the bump electrodes. For this reason, it has been difficult for conventional bump electrodes to cope with a narrow pitch.

そこで、図８に示すような樹脂バンプ電極１０が開発されている。樹脂バンプ電極１０は、樹脂突起１２の表面に導電膜２０を形成し、その導電膜２０をＩＣチップ２１の電極パッド２４に接続したものである（例えば、特許文献１参照）。この樹脂バンプ電極１０が相手側基板に当接すると、樹脂突起１２が弾性変形するので、ＩＣチップ２１および相手側基板の反りを吸収することができる。また、アスペクト比を大きくする必要がないので、バンプ電極の狭ピッチ化に対応することができる。
特開平１−１３７３４号公報 Accordingly, a resin bump electrode 10 as shown in FIG. 8 has been developed. The resin bump electrode 10 is formed by forming a conductive film 20 on the surface of a resin protrusion 12 and connecting the conductive film 20 to an electrode pad 24 of an IC chip 21 (see, for example, Patent Document 1). When the resin bump electrode 10 comes into contact with the mating substrate, the resin protrusion 12 is elastically deformed, so that the warp of the IC chip 21 and the mating substrate can be absorbed. In addition, since it is not necessary to increase the aspect ratio, it is possible to cope with a narrow pitch of the bump electrodes.
JP-A-1-13734

しかしながら、このような樹脂突起１２は比較的大きな熱膨張率を有するため、ＩＣチップ２１と相手側基板とを加熱加圧接合した場合、突起表面の導電膜２０には、樹脂突起１２の膨張に追随して変形することによって、大きな引張応力が加えられることになる。特に、樹脂突起１２は接合時の圧力を吸収して変形するため、このような変形力によって導電膜２０が断線し、十分な接続信頼性が得られない場合があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、相手側基板との導電接続を確実に行うことが可能な半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。また、このような半導体装置を備えた接続信頼性の高い回路基板、電気光学装置、電子機器を提供することを目的とする。 However, since such a resin protrusion 12 has a relatively large coefficient of thermal expansion, when the IC chip 21 and the counterpart substrate are joined by heating and pressure bonding, the conductive film 20 on the protrusion surface has an expansion of the resin protrusion 12. By following and deforming, a large tensile stress is applied. In particular, since the resin protrusion 12 is deformed by absorbing the pressure at the time of joining, the conductive film 20 may be disconnected by such a deformation force, and sufficient connection reliability may not be obtained.
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same that can reliably perform conductive connection with a counterpart substrate. It is another object of the present invention to provide a circuit board, an electro-optical device, and an electronic device that have such a semiconductor device and have high connection reliability.

上記の課題を解決するため、本発明の半導体装置は、能動面上に、電極パッドと、該電極パッドに導電接続されたバンプ電極とを有する半導体装置であって、前記バンプ電極が、前記能動面に形成された樹脂突起と、前記電極パッドから前記樹脂突起の表面にかけて配設された導電膜とを有してなり、前記導電膜と前記樹脂突起とが非密着に配置されていることを特徴とする。ここで、前記導電膜としては、金等の延性の高い材料を用いることが望ましい。
この構成によれば、樹脂突起と導電膜とが密着しない状態となっているので、バンプ電極を介して半導体装置を相手側基板に接合する際に、導電膜が樹脂突起に追随して伸縮若しくは変形することがない。このため、従来のように導電膜を樹脂突起に密着させた場合に比べて、導電膜に付与される応力が小さくなり、断線等が生じにくくなる。 In order to solve the above problems, a semiconductor device of the present invention is a semiconductor device having an electrode pad and a bump electrode conductively connected to the electrode pad on an active surface, wherein the bump electrode is the active device. A resin protrusion formed on the surface and a conductive film disposed from the electrode pad to the surface of the resin protrusion, and the conductive film and the resin protrusion are disposed in a non-contact manner. Features. Here, as the conductive film, it is desirable to use a highly ductile material such as gold.
According to this configuration, since the resin protrusion and the conductive film are not in close contact with each other, when the semiconductor device is bonded to the counterpart substrate via the bump electrode, the conductive film follows the resin protrusion to expand or contract. There is no deformation. For this reason, compared with the case where the electrically conductive film is made to adhere to the resin protrusion as in the prior art, the stress applied to the electrically conductive film is reduced, and disconnection or the like is less likely to occur.

本発明の半導体装置においては、前記導電膜と前記樹脂突起との間に空隙が形成されており、該空隙によって、前記導電膜と前記樹脂突起とが非密着に配置されているものとすることができる。
このように空隙を形成することで、樹脂突起と導電膜との密着力を確実に低下させることができる。 In the semiconductor device of the present invention, a gap is formed between the conductive film and the resin protrusion, and the conductive film and the resin protrusion are arranged in a non-contact manner by the gap. Can do.
By forming the gap in this way, the adhesion between the resin protrusion and the conductive film can be reliably reduced.

本発明の半導体装置においては、前記導電膜が、金や銅等の前記樹脂突起と非密着な（密着性の悪い）貴金属材料によって形成されているものとすることができる。
貴金属は化学的に安定な材料であるため、樹脂中に含まれる水分や酸素と反応することは殆どない。例えば、金（Ａｕ）はもともと酸化物を形成せず、銅（Ｃｕ）は酸化物を形成したとしても、その酸化物は化学的に不安定な材料となる。導電膜と樹脂突起との密着力は、樹脂突起中の水分や酸素等によって生じる化学反応（酸化反応等）によって強められるが、本発明では、導電膜が金や銅等の化学的に安定な貴金属によって形成されるため、樹脂突起との界面に化学反応は生じず、従って、導電膜と樹脂突起とは密着力の弱い非密着の状態となる。本発明では、単に導電膜を貴金属とすればよく、樹脂突起界面の密着力を弱めるための特別の処理が必要ないので、製造工程の簡略化が可能である。 In the semiconductor device of the present invention, the conductive film may be formed of a noble metal material that is not in close contact with the resin protrusion such as gold or copper (having poor adhesion).
Since noble metals are chemically stable materials, they rarely react with moisture and oxygen contained in the resin. For example, even if gold (Au) originally does not form an oxide and copper (Cu) forms an oxide, the oxide is a chemically unstable material. The adhesion between the conductive film and the resin protrusion is enhanced by a chemical reaction (oxidation reaction or the like) caused by moisture or oxygen in the resin protrusion. However, in the present invention, the conductive film is chemically stable such as gold or copper. Since it is formed of a noble metal, a chemical reaction does not occur at the interface with the resin protrusion, and therefore, the conductive film and the resin protrusion are in a non-contact state with a weak adhesive force. In the present invention, it is only necessary to use a noble metal as the conductive film, and no special treatment for weakening the adhesion at the resin protrusion interface is required, so that the manufacturing process can be simplified.

本発明の半導体装置においては、前記導電膜が、前記電極パッドから前記樹脂突起を挟んで反対側まで延設され、該反対側において前記能動面と密着していることが望ましい。
前述のように、本発明では、導電膜を樹脂突起に対して密着させないように形成するため、導電膜を樹脂突起の上面部分までしか形成しないとすると、この樹脂突起上の導電膜はどこにも密着面を有しないため、浮いた状態となる。このため、半導体装置を相手側基板に接合するときに、この浮いた部分が剥がれを生じる場合がある。本発明では、導電膜を樹脂突起を挟んで反対側まで延設し、この反対側の能動面において密着面を形成しているので、導電膜の樹脂突起を挟んだ両側の端部（即ち、電極パッドに固定された端部と、樹脂突起を挟んで反対側の能動面に密着した端部）を能動面にしっかりと固定することができ、このような剥がれ等を防ぐことができる。 In the semiconductor device of the present invention, it is desirable that the conductive film extends from the electrode pad to the opposite side across the resin protrusion, and is in close contact with the active surface on the opposite side.
As described above, in the present invention, since the conductive film is formed so as not to be in close contact with the resin protrusion, if the conductive film is formed only up to the upper surface portion of the resin protrusion, the conductive film on the resin protrusion is anywhere. Since it does not have a close contact surface, it floats. For this reason, when the semiconductor device is bonded to the counterpart substrate, the floating portion may peel off. In the present invention, the conductive film is extended to the opposite side across the resin protrusion, and the adhesion surface is formed on the active surface on the opposite side. The end portion fixed to the electrode pad and the end portion in close contact with the active surface on the opposite side across the resin protrusion can be firmly fixed to the active surface, and such peeling or the like can be prevented.

本発明の半導体装置においては、前記能動面に複数の前記電極パッドが整列配置され、これら電極パッドのパッド列に沿って直線状に連続する共通の前記樹脂突起が形成されており、前記電極パッドの各々から前記共通の樹脂突起の表面にかけて、前記導電膜が配設されているものとすることができる。
この構成によれば、複数の電極パッドに対して樹脂突起を共通に設けているため、樹脂突起を個別に設ける場合に比べて、製造工程を簡略化することができる。 In the semiconductor device of the present invention, a plurality of the electrode pads are aligned on the active surface, and the common resin protrusion that is linearly continuous along the pad row of the electrode pads is formed. The conductive film may be arranged from each of the surfaces to the surface of the common resin protrusion.
According to this configuration, since the resin protrusion is provided in common for the plurality of electrode pads, the manufacturing process can be simplified as compared with the case where the resin protrusion is provided individually.

本発明の半導体装置の製造方法は、能動面上に、電極パッドと、該電極パッドに導電接続されたバンプ電極とを有する半導体装置の製造方法であって、前記バンプ電極の形成工程が、前記能動面に樹脂突起を形成する工程と、前記電極パッドから前記樹脂突起の表面にかけて、前記樹脂突起の表面に非密着な状態にて導電膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
この方法によれば、樹脂突起と導電膜とが密着しない状態に形成されるので、バンプ電極を介して半導体装置を相手側基板に接合する際に、導電膜が樹脂突起に追随して伸縮若しくは変形することがない。このため、従来のように導電膜を樹脂突起に密着させた場合に比べて、導電膜に付与される応力が小さくなり、断線等が生じにくくなる。 The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device having, on an active surface, an electrode pad and a bump electrode that is conductively connected to the electrode pad. The method includes forming a resin protrusion on an active surface and forming a conductive film in a non-adhering state on the surface of the resin protrusion from the electrode pad to the surface of the resin protrusion.
According to this method, since the resin protrusion and the conductive film are formed so as not to be in close contact with each other, when the semiconductor device is bonded to the counterpart substrate via the bump electrode, the conductive film follows the resin protrusion to expand or contract. There is no deformation. For this reason, compared with the case where the electrically conductive film is made to adhere to the resin protrusion as in the prior art, the stress applied to the electrically conductive film is reduced, and disconnection or the like is less likely to occur.

本発明の半導体装置の製造方法においては、前記導電膜を前記電極パッドから前記樹脂突起を挟んで反対側まで延設し、前記導電膜の前記樹脂突起を挟んだ両側の端部を前記能動面に密着させることが望ましい。
この方法によれば、導電膜を樹脂突起の両側でしっかり固定することができるため、半導体装置を相手側基板に接合する際に、導電膜の剥がれ等が生じにくくなる。 In the semiconductor device manufacturing method of the present invention, the conductive film extends from the electrode pad to the opposite side across the resin protrusion, and ends of both sides of the conductive film across the resin protrusion are the active surface. It is desirable to make it adhere to.
According to this method, since the conductive film can be firmly fixed on both sides of the resin protrusion, peeling of the conductive film is less likely to occur when the semiconductor device is bonded to the counterpart substrate.

本発明の半導体装置の製造方法においては、前記導電膜の形成工程が、前記導電膜と前記樹脂突起との間に犠牲層を形成する工程と、前記樹脂突起の表面の前記犠牲層を除去して、前記導電膜と前記樹脂突起との間に空隙を形成する工程とを含むものとすることができる。
このように空隙を形成することで、樹脂突起と導電膜との密着力を確実に低下させることができる。 In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the step of forming the conductive film includes a step of forming a sacrificial layer between the conductive film and the resin protrusion, and removing the sacrificial layer on the surface of the resin protrusion. And a step of forming a gap between the conductive film and the resin protrusion.
By forming the gap in this way, the adhesion between the resin protrusion and the conductive film can be reliably reduced.

本発明の半導体装置の製造方法においては、前記犠牲層の除去工程が、前記能動面の表面及び前記樹脂突起の表面における前記犠牲層のエッチングレートの違いを利用して、前記能動面の表面の前記犠牲層を残しつつ、前記樹脂突起の表面の前記犠牲層をエッチングにより除去する工程であるものとすることができる。
導電膜のエッチングレートは、その導電膜の形成される基板の表面状態に応じて異なることが本発明者らによって確認されている。例えば、シリコン基板上にエポキシ樹脂からなる樹脂突起を形成し、これらの表面にＴｉＷを成膜した場合、これを過酸化水素水を用いてエッチングすると、樹脂突起の表面に形成されたＴｉＷはシリコン基板の表面に形成されたＴｉＷよりも速くエッチングされる。本発明は、このようなエッチングレートの違いを利用して、樹脂突起の表面の犠牲層を選択的に除去するようにしている。本発明では、単に能動面全体を一括でエッチングすればよく、空隙を形成するための特別の処理が必要ないので、製造工程の簡略化が可能である。 In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the sacrificial layer removal step uses the difference in the etching rate of the sacrificial layer between the surface of the active surface and the surface of the resin protrusion to remove the surface of the active surface. It may be a step of removing the sacrificial layer on the surface of the resin protrusion by etching while leaving the sacrificial layer.
The inventors have confirmed that the etching rate of the conductive film varies depending on the surface state of the substrate on which the conductive film is formed. For example, when resin protrusions made of epoxy resin are formed on a silicon substrate and TiW is formed on these surfaces, when TiW is etched using hydrogen peroxide, TiW formed on the surface of the resin protrusions is silicon. It is etched faster than TiW formed on the surface of the substrate. In the present invention, the sacrifice layer on the surface of the resin protrusion is selectively removed by utilizing such a difference in etching rate. In the present invention, it is only necessary to etch the entire active surface at once, and no special treatment for forming a void is required, so that the manufacturing process can be simplified.

なお、前述のようなエッチングレートの違いは、他の材料を用いた場合であっても同様に生じる。能動面が無機材料によって構成される場合には、樹脂突起との間で表面状態を大きく異ならせることができるので、より好ましい。   Note that the difference in the etching rate as described above occurs similarly even when other materials are used. When the active surface is made of an inorganic material, it is more preferable because the surface state can be greatly different from the resin protrusion.

本発明の半導体装置の製造方法においては、前記導電膜が、前記犠牲層をシード層としてメッキ法により形成されるものとすることができる。
このようにメッキ法を用いることで、導電膜の厚膜化が容易になり、接合時の断線等をより確実に防ぐことができる。また、厚膜化によって、導電膜の電気抵抗を低減することも可能になる。 In the semiconductor device manufacturing method of the present invention, the conductive film may be formed by a plating method using the sacrificial layer as a seed layer.
By using the plating method in this way, it is easy to increase the thickness of the conductive film, and disconnection and the like during bonding can be more reliably prevented. Further, the electrical resistance of the conductive film can be reduced by increasing the film thickness.

本発明の半導体装置の製造方法においては、前記導電膜の形成工程が、貴金属からなる前記導電膜を蒸着又はスパッタリングすることにより、前記樹脂突起と非密着な前記導電膜を形成する工程を含むものとすることができる。この場合、前記導電膜は、金又は銅からなることが望ましい。
この方法では、導電膜として、貴金属のような化学的に安定な材料を用いているため、樹脂突起との間で化学的な反応（樹脂突起中の水分や酸素による酸化反応等）が生じず、導電膜と樹脂突起との界面は密着力の弱い非密着の状態となる。本方法では、前述のように犠牲層の形成や除去といった余分な工程を経ることなく、単に貴金属を成膜するのみで、樹脂突起の表面に非密着な導電膜を形成できるため、前述した方法に比べて製造工程を簡略化することができる。 In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the step of forming the conductive film includes a step of forming the conductive film that is not in close contact with the resin protrusions by vapor deposition or sputtering of the conductive film made of a noble metal. be able to. In this case, the conductive film is preferably made of gold or copper.
In this method, since a chemically stable material such as a noble metal is used as the conductive film, a chemical reaction (such as an oxidation reaction due to moisture or oxygen in the resin protrusion) does not occur with the resin protrusion. The interface between the conductive film and the resin protrusion is in a non-adherent state with a weak adhesive force. In this method, the conductive film can be formed in a non-adherent manner on the surface of the resin protrusion by simply forming a noble metal without passing through the extra steps of forming and removing the sacrificial layer as described above. Compared with the manufacturing process, the manufacturing process can be simplified.

本発明の半導体装置の製造方法においては、前記能動面に複数の前記電極パッドが整列配置されており、前記樹脂突起の形成工程が、前記複数の電極パッドのパッド列に沿って直線状に連続した共通の樹脂突起を形成する工程を含み、前記導電膜の形成工程が、前記複数の電極パッドの各々から前記共通の樹脂突起の表面にかけて前記導電膜を形成する工程を含むものとすることができる。
この方法によれば、複数の電極パッドに対して樹脂突起を共通に設けているため、樹脂突起を個別に設ける場合に比べて、製造工程を簡略化することができる。 In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the plurality of electrode pads are arranged in alignment on the active surface, and the resin protrusion forming step is continued linearly along the pad row of the plurality of electrode pads. Forming the common resin protrusion, and the step of forming the conductive film may include a step of forming the conductive film from each of the plurality of electrode pads to the surface of the common resin protrusion.
According to this method, since the resin protrusion is provided in common for the plurality of electrode pads, the manufacturing process can be simplified as compared with the case where the resin protrusion is provided individually.

本発明の半導体装置の製造方法においては、前記樹脂突起を切断し、前記電極パッドに応じて前記バンプ電極を分離する工程を含むことができる。
この方法によれば、樹脂突起が各導電膜に応じて分割されるため、半導体装置と相手側基板とを接合する際の樹脂突起の熱膨張や変形による影響を各導電膜について最小限に抑えることができる。 The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention may include a step of cutting the resin protrusion and separating the bump electrode according to the electrode pad.
According to this method, since the resin protrusion is divided according to each conductive film, the influence due to thermal expansion and deformation of the resin protrusion when the semiconductor device and the counterpart substrate are joined is minimized for each conductive film. be able to.

本発明の回路基板は、先に示した本発明の半導体装置が実装されてなる回路基板であって、前記半導体装置が、前記樹脂突起の表面に配設された前記導電膜を介して、前記回路基板の電極端子に導電接続されていることを特徴とする。
この構成によれば、導電接続の信頼性に優れた回路基板を提供することができる。 The circuit board of the present invention is a circuit board on which the semiconductor device of the present invention described above is mounted, and the semiconductor device is interposed through the conductive film disposed on the surface of the resin protrusion. It is characterized in that it is conductively connected to the electrode terminal of the circuit board.
According to this configuration, it is possible to provide a circuit board having excellent conductive connection reliability.

本発明の回路基板においては、前記樹脂突起は弾性変形して前記導電膜が前記回路基板に面で接触しており、前記半導体装置と前記電極端子の導電接触部分の周囲には封止樹脂が充填されて、前記半導体装置と前記電極端子とが保持されていることが望ましい。
本発明のバンプ電極は、樹脂突起をコアとし、その表面を導電膜で覆った構造となっているため、回路基板上の電極端子に対して加圧することにより、容易に押圧されて弾性変形状態となる。そして、バンプ電極の弾性変形状態は、導電接触部分の周囲に充填された封止樹脂によって保持された状態となる。このように弾性変形しながら回路基板とバンプ電極とが面で接触した場合には、常にバンプ電極は回路基板に対して復元力（反発力）を生じることになり、導電接触状態が確保され、高い接続信頼性を得ることができる。また、この実装構造では、異方性導電膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）のような高価な材料を用いる必要がないため、製造コストの低減に寄与することができる。 In the circuit board of the present invention, the resin protrusion is elastically deformed so that the conductive film is in contact with the circuit board on the surface, and a sealing resin is provided around the conductive contact portion of the semiconductor device and the electrode terminal. It is preferable that the semiconductor device and the electrode terminal are filled and held.
Since the bump electrode of the present invention has a structure in which a resin protrusion is used as a core and the surface thereof is covered with a conductive film, it is easily pressed and elastically deformed by applying pressure to the electrode terminals on the circuit board. It becomes. And the elastic deformation state of a bump electrode will be in the state hold | maintained with the sealing resin with which the circumference | surroundings of the conductive contact part were filled. When the circuit board and the bump electrode are in contact with each other while elastically deforming in this way, the bump electrode always generates a restoring force (repulsive force) against the circuit board, and a conductive contact state is ensured, High connection reliability can be obtained. Further, in this mounting structure, it is not necessary to use an expensive material such as an anisotropic conductive film (ACF) or an anisotropic conductive paste (ACP), which can contribute to a reduction in manufacturing cost.

本発明の電気光学装置は、前述した本発明の半導体装置又は前述した本発明の回路基板を備えたことを特徴とする。また、本発明の電子機器は、前述した本発明の回路基板又は前述した本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、導電接続の信頼性に優れた電気光学装置及び電子機器を提供することができる。 The electro-optical device of the present invention includes the semiconductor device of the present invention described above or the circuit board of the present invention described above. An electronic apparatus according to the present invention includes the circuit board according to the present invention described above or the electro-optical device according to the present invention described above.
According to this configuration, it is possible to provide an electro-optical device and an electronic apparatus that are excellent in reliability of conductive connection.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings below, the film thicknesses and dimensional ratios of the constituent elements are appropriately changed in order to make the drawings easy to see.

［第１の実施の形態］
［電気光学装置］
図１は本発明の電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示す模式図である。
図示の液晶表示装置１００は、液晶パネル１１０と、半導体装置１２１とを有する。また、必要に応じて、図示しない偏光板、反射シート、バックライト等の付帯部材が適宜に設けられる。 [First Embodiment]
[Electro-optical device]
FIG. 1 is a schematic view showing a liquid crystal display device which is an embodiment of the electro-optical device of the present invention.
The illustrated liquid crystal display device 100 includes a liquid crystal panel 110 and a semiconductor device 121. Moreover, incidental members, such as a polarizing plate, a reflective sheet, and a backlight (not shown), are appropriately provided as necessary.

液晶パネル１１０は、ガラスやプラスチックなどで構成される基板１１１及び１１２を備えている。基板１１１と基板１１２は対向配置され、図示しないシール材などによって相互に貼り合わされている。基板１１１と基板１１２の間には電気光学物質である液晶（不図示）が封入されている。基板１１１の内面上にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電体で構成された電極１１１ａが形成され、基板１１２の内面上には上記電極１１１ａに対向配置される電極１１２ａが形成されている。なお、電極１１１ａおよび電極１１２ａは直交するように配置されている。そして、電極１１１ａおよび電極１１２ａは基板張出部１１１Ｔに引き出され、その端部にはそれぞれ電極端子１１１ｂｘおよび電極端子１１１ｃｘが形成されている。また、基板張出部１１１Ｔの端縁近傍には入力配線１１１ｄが形成され、その内端部にも端子１１１ｄｘが形成されている。   The liquid crystal panel 110 includes substrates 111 and 112 made of glass or plastic. The substrate 111 and the substrate 112 are disposed to face each other and are bonded to each other by a sealing material (not shown). A liquid crystal (not shown) that is an electro-optical material is sealed between the substrate 111 and the substrate 112. An electrode 111a made of a transparent conductor such as ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the inner surface of the substrate 111, and an electrode 112a is formed on the inner surface of the substrate 112 so as to face the electrode 111a. . The electrode 111a and the electrode 112a are arranged so as to be orthogonal to each other. The electrode 111a and the electrode 112a are drawn out to the substrate overhanging portion 111T, and an electrode terminal 111bx and an electrode terminal 111cx are formed at the end portions, respectively. An input wiring 111d is formed in the vicinity of the edge of the substrate overhanging portion 111T, and a terminal 111dx is also formed at the inner end thereof.

基板張出部１１１Ｔ上には、封止樹脂１２２を介して、半導体装置１２１が実装されている。この半導体装置１２１は、例えば液晶パネル１１０を駆動する液晶駆動用ＩＣチップである。半導体装置１２１の下面には図示しない多数の樹脂バンプ電極が形成されており、これらのバンプは基板張出部１１１Ｔ上の端子１１１ｂｘ，１１１ｃｘ，１１１ｄｘにそれぞれ導電接続される。   A semiconductor device 121 is mounted on the substrate extension 111T via a sealing resin 122. The semiconductor device 121 is, for example, a liquid crystal driving IC chip that drives the liquid crystal panel 110. A number of resin bump electrodes (not shown) are formed on the lower surface of the semiconductor device 121, and these bumps are conductively connected to terminals 111bx, 111cx, 111dx on the substrate overhanging portion 111T, respectively.

また、入力配線１１１ｄの外端部に形成された入力端子１１１ｄｙには、異方性導電膜１２４を介してフレキシブル配線基板１２３が実装されている。入力端子１１１ｄｙは、フレキシブル配線基板１２３に設けられた図示しない配線にそれぞれ導電接続されている。そして、外部からフレキシブル配線基板１２３を介して制御信号、映像信号、電源電位などが入力端子１１１ｄｙに供給され、半導体装置１２１において液晶駆動用の駆動信号が生成されて、液晶パネル１１０に供給されるようになっている。   A flexible wiring board 123 is mounted on the input terminal 111dy formed at the outer end of the input wiring 111d via an anisotropic conductive film 124. The input terminals 111dy are conductively connected to wirings (not shown) provided on the flexible wiring board 123, respectively. Then, a control signal, a video signal, a power supply potential, and the like are supplied from the outside to the input terminal 111 dy through the flexible wiring board 123, and a drive signal for driving the liquid crystal is generated in the semiconductor device 121 and supplied to the liquid crystal panel 110. It is like that.

以上のように構成された本実施形態の液晶表示装置１００によれば、半導体装置１２１を介して電極１１１ａと電極１１２ａとの間に適宜の電圧が印加されることにより、両電極１１１ａ，１１２ａが対向配置される画素部分の液晶を再配向させて光を変調することができ、これによって液晶パネル１１０内の画素が配列された表示領域に所望の画像を形成することができる。   According to the liquid crystal display device 100 of the present embodiment configured as described above, an appropriate voltage is applied between the electrode 111a and the electrode 112a via the semiconductor device 121, whereby the electrodes 111a and 112a are Light can be modulated by re-orienting the liquid crystal of the pixel portions opposed to each other, whereby a desired image can be formed in the display area in which the pixels in the liquid crystal panel 110 are arranged.

図２は図１のＨ−Ｈ線における側面断面図であり、上記液晶表示装置１００における半導体装置１２１の実装構造の説明図である。図２に示すように、半導体装置１２１の能動面（図示下面）には、ＩＣ側端子として複数の樹脂バンプ電極１０が設けられ、その先端は上記基板１１１の端子１１１ｂｘ，１１１ｄｘに直接導電接触している。樹脂バンプ電極１０と端子１１１ｂｘ，１１１ｄｘとの間の導電接触部分の周囲には、熱硬化性樹脂などで構成される硬化された封止樹脂１２２が充填されている。   2 is a side cross-sectional view taken along the line HH in FIG. 1 and is an explanatory diagram of a mounting structure of the semiconductor device 121 in the liquid crystal display device 100. FIG. As shown in FIG. 2, a plurality of resin bump electrodes 10 are provided as IC-side terminals on the active surface (lower surface in the figure) of the semiconductor device 121, and the tips thereof are in direct conductive contact with the terminals 111bx and 111dx of the substrate 111. ing. The periphery of the conductive contact portion between the resin bump electrode 10 and the terminals 111bx and 111dx is filled with a cured sealing resin 122 made of a thermosetting resin or the like.

［半導体装置］
次に、半導体装置１２１の端子構造について説明する。図３は、端子が形成される半導体装置１２１の能動面側の構造を示す部分斜視図である。
半導体装置１２１は、例えば液晶表示装置の画素を駆動するＩＣチップであり、その能動面側には薄膜トランジスタ等の複数の電子素子や各電子素子間を接続する配線等の電子回路（集積回路）が形成されている（いずれも不図示）。図３に示す半導体装置１２１では、その能動面１２１ａの長辺に沿って複数の電極パッド２４が整列配置されている。この電極パッド２４は、上述した電子素子等から引き出されたものであり、電子回路の外部電極として機能するものである。また、能動面１２１ａにおける電極パッド列２４ａの内側には、その電極パッド列２４ａに沿って直線状に連続する樹脂突起１２が形成されている。さらに、各電極パッド２４の表面から樹脂突起１２の表面にかけて、複数の導電膜２０が形成されている。そして、樹脂突起１２と、この樹脂突起１２の表面に配設された各導電膜２０とにより、樹脂バンプ電極１０が構成されている。 [Semiconductor device]
Next, a terminal structure of the semiconductor device 121 will be described. FIG. 3 is a partial perspective view showing the structure on the active surface side of the semiconductor device 121 where the terminals are formed.
The semiconductor device 121 is, for example, an IC chip that drives a pixel of a liquid crystal display device, and an electronic circuit (integrated circuit) such as a plurality of electronic elements such as thin film transistors and wirings connecting the electronic elements is provided on the active surface side. It is formed (both not shown). In the semiconductor device 121 shown in FIG. 3, a plurality of electrode pads 24 are arranged along the long side of the active surface 121a. The electrode pad 24 is drawn from the above-described electronic element or the like, and functions as an external electrode of the electronic circuit. In addition, a resin protrusion 12 that is linearly continuous along the electrode pad row 24a is formed inside the electrode pad row 24a on the active surface 121a. Further, a plurality of conductive films 20 are formed from the surface of each electrode pad 24 to the surface of the resin protrusion 12. The resin bump electrode 10 is configured by the resin protrusion 12 and each conductive film 20 disposed on the surface of the resin protrusion 12.

図４は、樹脂バンプ電極１０の要部構成を示す図であり、図４（ａ）は樹脂バンプ電極の周辺の平面拡大図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ線における側面断面図である。
図４に示すように、半導体装置１２１の能動面１２１ａの周縁部には、Ａｌ等の導電性材料からなる複数の電極パッド２４が配列形成されている。また、半導体装置１２１の能動面全体にＳｉＮ等の電気絶縁性材料からなるパッシベーション膜２６が形成されており、上述した各電極パッド２４の表面に、パッシベーション膜２６の開口部が形成されている。 4A and 4B are diagrams showing the main configuration of the resin bump electrode 10, FIG. 4A is an enlarged plan view of the periphery of the resin bump electrode, and FIG. 4B is an AA line in FIG. 4A. FIG.
As shown in FIG. 4, a plurality of electrode pads 24 made of a conductive material such as Al are arranged on the periphery of the active surface 121 a of the semiconductor device 121. In addition, a passivation film 26 made of an electrically insulating material such as SiN is formed on the entire active surface of the semiconductor device 121, and an opening of the passivation film 26 is formed on the surface of each electrode pad 24 described above.

そのパッシベーション膜２６の表面であって、電極パッド列２４ａの内側には、樹脂突起１２が形成されている。樹脂突起１２は、直線状に連続する突条とされ、電極パッド列２４ａと平行に配設されている。この樹脂突起１２は、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂等の弾性を有する樹脂材料からなっている。樹脂突起１２の断面は、図４（ｂ）に示すような台形状や半円状等の弾性変形が容易な先細り形状とすることが望ましい。こうすることで、相手側基板１１との当接時に樹脂バンプ電極１０を容易に弾性変形させることが可能になり、相手側基板との導電接続の信頼性を向上させることができる。   Resin protrusions 12 are formed on the surface of the passivation film 26 and inside the electrode pad row 24a. The resin protrusion 12 is a linearly continuous protrusion, and is disposed in parallel with the electrode pad row 24a. The resin protrusion 12 is made of an elastic resin material such as polyimide resin, acrylic resin, phenol resin, epoxy resin, silicone resin, or modified polyimide resin. It is desirable that the cross section of the resin protrusion 12 has a tapered shape such as a trapezoidal shape or a semicircular shape as shown in FIG. By doing so, the resin bump electrode 10 can be easily elastically deformed when coming into contact with the counterpart substrate 11, and the reliability of the conductive connection with the counterpart substrate can be improved.

また、各電極パッド２４の表面から樹脂突起１２の表面にかけて、複数の導電膜２０が形成されている。この導電膜２０は、ＡｕやＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ等、または鉛フリーはんだ等の導電性材料からなっている。この導電膜２０は、能動面１２１ａ上に配置されたシード層２５を介して電極パッド２４に導電接続されている。シード層２５は、樹脂突起１２を挟んでその両側に設けられている。このシード層２５は、ＴｉＷ等の導電材料を能動面全体に形成し、その後、ヨウ化カリウムを含むヨウ酸溶液等を用いて突起表面の導電材料を選択的にエッチングすることにより形成されている。導電膜２０はこのシード層２５の表面にメッキ形成されたものであり、シード層２５の除去工程は、この導電膜２０の形成後に行なわれる。このため、導電膜２０と樹脂突起１２との間には、シード層２５を除去したことによる空隙Ｇが形成されている。すなわち、突起表面１２ａのシード層２５は、導電膜２０の下に空隙Ｇを形成するための犠牲層として形成され、この犠牲層を除去することで、導電膜２０と樹脂突起１２とが非密着な状態とされている。   A plurality of conductive films 20 are formed from the surface of each electrode pad 24 to the surface of the resin protrusion 12. The conductive film 20 is made of a conductive material such as Au, TiW, Cu, Ni, Pd, Al, Cr, Ti, W, NiV, or lead-free solder. The conductive film 20 is conductively connected to the electrode pad 24 through a seed layer 25 disposed on the active surface 121a. The seed layer 25 is provided on both sides of the resin protrusion 12. The seed layer 25 is formed by forming a conductive material such as TiW over the entire active surface and then selectively etching the conductive material on the protrusion surface using an iodic acid solution containing potassium iodide. . The conductive film 20 is formed by plating on the surface of the seed layer 25, and the removal process of the seed layer 25 is performed after the formation of the conductive film 20. For this reason, a gap G is formed between the conductive film 20 and the resin protrusion 12 by removing the seed layer 25. That is, the seed layer 25 on the protrusion surface 12a is formed as a sacrificial layer for forming the gap G under the conductive film 20, and the conductive film 20 and the resin protrusion 12 are not in close contact with each other by removing the sacrificial layer. It is supposed to be in a state.

なお、導電膜２０は、電極パッド２４から樹脂突起１２を挟んで反対側に延設され、この反対側において、能動面１２１ａと密着している。すなわち、導電膜２０は、樹脂突起１２の外側における各電極パッド２４の表面に密着するとともに、樹脂突起１２の表面を経由して、樹脂突起１２の内側における能動面１２１ａにかけて形成され、この内側の能動面１２１ａに配置されたシード層２５若しくはパッシベーション膜２６との間で密着面を形成している。このため、導電膜２０は、樹脂突起１２との間では浮いた状態になるが、樹脂突起１２を挟んだ両側において能動面に固定されるため、相手側基板１１１と接合する際に剥がれ等が生じにくい構造となっている。   The conductive film 20 extends from the electrode pad 24 to the opposite side across the resin protrusion 12 and is in close contact with the active surface 121a on the opposite side. That is, the conductive film 20 is in close contact with the surface of each electrode pad 24 on the outer side of the resin protrusion 12, and is formed through the surface of the resin protrusion 12 to the active surface 121 a on the inner side of the resin protrusion 12. An adhesion surface is formed between the seed layer 25 or the passivation film 26 disposed on the active surface 121a. For this reason, the conductive film 20 is in a floating state between the resin protrusions 12, but is fixed to the active surface on both sides of the resin protrusions 12, so that peeling or the like may occur when joining the mating substrate 111. It has a structure that does not easily occur.

図１に戻って、上記の樹脂バンプ電極１０は、封止樹脂１２２を介して基板１１１上の端子１１１ｂｘに熱圧着されている。封止樹脂１２２は熱硬化性樹脂であり、実装前においては未硬化状態若しくは半硬化状態となっている。封止樹脂１２２が未硬化状態であれば、実装前に半導体装置１２１の能動面（図示下面）又は基板１１１の表面に塗布すればよく、また、封止樹脂１２２が半硬化状態であれば、フィルム状若しくはシート状として、半導体装置１２１と基板１１１との間に介挿すればよい。封止樹脂１２２としてはエポキシ樹脂が一般的に用いられるが、他の樹脂でも同じ目的を達することができるものであれば良い。   Returning to FIG. 1, the resin bump electrode 10 is thermocompression bonded to the terminal 111 bx on the substrate 111 via the sealing resin 122. The sealing resin 122 is a thermosetting resin, and is in an uncured state or a semi-cured state before mounting. If the sealing resin 122 is in an uncured state, it may be applied to the active surface (the lower surface in the drawing) of the semiconductor device 121 or the surface of the substrate 111 before mounting. If the sealing resin 122 is in a semi-cured state, What is necessary is just to insert between the semiconductor device 121 and the board | substrate 111 as a film form or a sheet form. An epoxy resin is generally used as the sealing resin 122, but other resins may be used as long as they can achieve the same purpose.

半導体装置１２１の実装は、図示しない加熱加圧ヘッドなどを用いて半導体装置１２１を基板１１１上に加熱しながら加圧して行う。このとき、封止樹脂１２２は初期において加熱によって軟化し、この軟化した樹脂を押し分けるようにして樹脂バンプ電極１０の頂部が端子１１１ｂｘに導電接触する。そして、上記の加圧によって内部樹脂である樹脂突起１２が押圧されて接触方向（図示上下方向）に弾性変形する。そして、この状態でさらに加熱を続けると封止樹脂１２２は架橋して熱硬化するので、加圧力を解放しても封止樹脂１２２によって樹脂バンプ電極１０が端子１１１ｂｘに導電接触しつつ弾性変形した状態に保持されるようになる。   The semiconductor device 121 is mounted by applying pressure while heating the semiconductor device 121 on the substrate 111 using a heating and pressing head (not shown) or the like. At this time, the sealing resin 122 is initially softened by heating, and the top portion of the resin bump electrode 10 is in conductive contact with the terminal 111bx so as to push the softened resin apart. And the resin protrusion 12 which is internal resin is pressed by said pressurization, and elastically deforms in a contact direction (illustrated vertical direction). If the heating is further continued in this state, the sealing resin 122 is cross-linked and thermoset. Therefore, even if the applied pressure is released, the resin bump electrode 10 is elastically deformed while being in conductive contact with the terminal 111bx by the sealing resin 122. It will be held in the state.

［半導体装置の製造方法］
次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。図４は、半導体装置１２１の製造方法の一例を示す工程図である。
本実施形態では、まず、図４（ａ）に示すように、電極パッド２４及びパッシベーション膜２６が形成された半導体装置１２１の能動面１２１ａに、スピンコート法等を用いて感光性樹脂をコーティングする。そして、ガラスマスクを介して紫外線を露光し、現像液を用いて現像した後、高温で焼成して硬化させる。これにより、電極パッド列２４ａの内側に、該電極パッド列２４ａに沿って直線状に連続した共通の樹脂突起１２が形成される。なお、グレーマスクを用いたフォトリソグラフィを行うことにより、樹脂突起１２の断面を台形状や半円状等の弾性変形が容易な先細り形状とすることが望ましい。 [Method for Manufacturing Semiconductor Device]
Next, a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention will be described. FIG. 4 is a process diagram illustrating an example of a method for manufacturing the semiconductor device 121.
In the present embodiment, first, as shown in FIG. 4A, the active surface 121a of the semiconductor device 121 on which the electrode pad 24 and the passivation film 26 are formed is coated with a photosensitive resin using a spin coating method or the like. . Then, ultraviolet rays are exposed through a glass mask, developed with a developer, and then baked and cured at a high temperature. As a result, the common resin protrusion 12 that is linearly continuous along the electrode pad row 24a is formed inside the electrode pad row 24a. In addition, it is desirable to make the cross section of the resin protrusion 12 into a tapered shape that can be easily elastically deformed, such as a trapezoidal shape or a semicircular shape, by performing photolithography using a gray mask.

次に、図４（ｂ）に示すように、蒸着やスパッタリング等により、半導体装置１２１の能動面全体に、犠牲層となる導電材料２５１を形成する。続いて、その表面全体にフォトレジストを塗布し、そのレジストに導電膜パターンの開口部を形成する。そして、図４（ｃ）に示すように、そのレジスト開口部に、導電材料２５１をシード層として、電解メッキ法等により、導電膜２０となるＡｕメッキ等の金属メッキ膜を堆積させる。メッキ法を用いることで、導電膜２０の厚膜化が容易になり、導電膜２０の信頼性を高めることができる。例えば、スパッタにより形成した導電材料２５１の厚さは例えば０．３μｍ程度であるのに対し、電解メッキ法により形成した金属メッキ膜２０の厚さは例えば数μｍ程度であるため、金属メッキ膜２０を残存させつつ導電材料２５１をエッチングすることができる。また、導電膜２０の膜厚を増加させれば、半導体装置１２１を基板１１１に接合する際の導電膜２０の破壊や剥がれ等を防止することができ、また導電膜２０の電気抵抗を低減することもできる。   Next, as shown in FIG. 4B, a conductive material 251 serving as a sacrificial layer is formed on the entire active surface of the semiconductor device 121 by vapor deposition, sputtering, or the like. Subsequently, a photoresist is applied to the entire surface, and openings of the conductive film pattern are formed in the resist. Then, as shown in FIG. 4C, a metal plating film such as Au plating to be the conductive film 20 is deposited on the resist opening by an electroplating method or the like using the conductive material 251 as a seed layer. By using the plating method, it is easy to increase the thickness of the conductive film 20, and the reliability of the conductive film 20 can be improved. For example, the thickness of the conductive material 251 formed by sputtering is, for example, about 0.3 μm, whereas the thickness of the metal plating film 20 formed by electrolytic plating is, for example, about several μm. The conductive material 251 can be etched while remaining. Further, if the thickness of the conductive film 20 is increased, the conductive film 20 can be prevented from being broken or peeled off when the semiconductor device 121 is bonded to the substrate 111, and the electrical resistance of the conductive film 20 is reduced. You can also.

次に、レジストを剥離し、堆積した金属メッキ膜（導電膜２０）をマスクとして導電材料２５１をエッチングする。
ここで、導電材料２５１のエッチングレートは、その導電材料２５１の形成される基板の表面状態（表面を構成する材料等）に応じて異なることが、本発明者らによって確認されている。例えば、シリコン基板上にエポキシ樹脂からなる樹脂突起を形成し、これらの表面にＴｉＷを成膜した場合、これを過酸化水素水を用いてエッチングすると、樹脂突起の表面に形成されたＴｉＷはシリコン基板の表面に形成されたＴｉＷよりも速くエッチングされる。このため、これらの表面に形成されたＴｉＷを一括でエッチングすれば、シリコン基板表面のＴｉＷを一部残した状態で、樹脂突起表面のＴｉＷを全て除去することが可能である。このようなエッチングレートの違いは、他の材料を用いた場合にも同様に生じる。例えば、樹脂突起をポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂等とし、パッシベーション膜２６を、ＳｉＯ２等のＳｉＮ以外の他の無機材料とした場合にも、エッチングは樹脂突起上で速く進む。導電材料２５１を、Ｔｉなど、ＴｉＷ以外の他の金属材料とした場合も同様である。また、エッチング液をヨウ化カリウムとヨウ酸の水溶液など、過酸化水素水以外の他のエッチング液に換えても同様である。 Next, the resist is removed, and the conductive material 251 is etched using the deposited metal plating film (conductive film 20) as a mask.
Here, it has been confirmed by the present inventors that the etching rate of the conductive material 251 varies depending on the surface state of the substrate on which the conductive material 251 is formed (such as the material constituting the surface). For example, when resin protrusions made of epoxy resin are formed on a silicon substrate and TiW is formed on these surfaces, when TiW is etched using hydrogen peroxide, TiW formed on the surface of the resin protrusions is silicon. It is etched faster than TiW formed on the surface of the substrate. For this reason, if TiW formed on these surfaces is etched at once, it is possible to remove all TiW on the surface of the resin protrusion while leaving a part of TiW on the surface of the silicon substrate. Such a difference in etching rate occurs similarly when other materials are used. For example, when the resin protrusion is made of polyimide resin, acrylic resin, phenol resin, epoxy resin, silicone resin, modified polyimide resin, etc., and the passivation film 26 is made of an inorganic material other than SiN such as SiO 2 , the etching is also performed. Proceed quickly on the resin protrusion. The same applies to the case where the conductive material 251 is a metal material other than TiW, such as Ti. The same applies when the etching solution is replaced with an etching solution other than hydrogen peroxide, such as an aqueous solution of potassium iodide and iodic acid.

本実施形態では、このようなエッチングレートの違いを利用して、パッシベーション膜２６の表面（即ち、能動面１２１ａの表面）の導電材料２５１を残しつつ、樹脂突起１２の表面の導電材料２５１を選択的に除去している。本実施形態のように、導電材料２５１と導電膜２０とを積層してウェットエッチングを行なうと、前述の理由から、突起表面１２ａの導電材料２５１のサイドエッチングがパッシベーション膜表面１２１ａの導電材料２５１のそれに比べて非常に大きくなり、パッシベーション膜２６と導電膜２０との間の導電材料２５１を一部残した状態で、樹脂突起１２と導電膜２０との間の導電材料２５１が全てエッチングされる。   In the present embodiment, the conductive material 251 on the surface of the resin protrusion 12 is selected while leaving the conductive material 251 on the surface of the passivation film 26 (that is, the surface of the active surface 121a) using such a difference in etching rate. Have been removed. When the wet etching is performed by laminating the conductive material 251 and the conductive film 20 as in the present embodiment, side etching of the conductive material 251 on the projection surface 12a is performed on the surface of the conductive material 251 on the passivation film surface 121a for the reasons described above. Compared to that, the conductive material 251 between the resin protrusion 12 and the conductive film 20 is all etched while leaving a part of the conductive material 251 between the passivation film 26 and the conductive film 20.

以上により、導電膜２０と樹脂突起１２との間に、図４（ｄ）に示すような空隙Ｇが形成され、両者が非密着な状態に配置される。なお、樹脂突起表面１２ａのエッチングレートが十分に大きくない場合には、樹脂突起以外の部分をフォトレジスト等でマスクし、樹脂突起部分のシード層２５のみエッチングする。   As described above, a gap G as shown in FIG. 4D is formed between the conductive film 20 and the resin protrusion 12, and both are arranged in a non-contact state. If the etching rate of the resin protrusion surface 12a is not sufficiently high, the portion other than the resin protrusion is masked with a photoresist or the like, and only the seed layer 25 in the resin protrusion portion is etched.

なお、複数の導電膜２０を形成した後に、樹脂突起１２を切断し、個々の電極パッド２４に応じて樹脂バンク電極１０を分離しても良い。具体的には、Ｏ２ガスを処理ガスとするプラズマエッチングを行うことにより、導電膜２０が存在しない部分（隣り合う導電膜２０の間に位置する部分）の樹脂突起１２を除去する。金属材料からなる導電膜２０は樹脂材料に比べてドライエッチングされにくいため、導電膜２０の非形成領域における樹脂突起１２のみを選択的に除去することができる。樹脂突起１２は各導電膜２０（電極パッド２４）に対して共通に設けられていても問題はないが、樹脂突起を各導電膜２０に応じて分割した場合には、半導体装置１２１と相手側基板１１１とを接合する際の樹脂突起１２の熱膨張や変形による影響を各導電膜２０について最小限に抑えることができる。   In addition, after forming the some electrically conductive film 20, the resin protrusion 12 may be cut | disconnected and the resin bank electrode 10 may be isolate | separated according to each electrode pad 24. FIG. Specifically, by performing plasma etching using O 2 gas as a processing gas, the resin protrusion 12 in a portion where the conductive film 20 does not exist (portion located between adjacent conductive films 20) is removed. Since the conductive film 20 made of a metal material is harder to dry-etch than the resin material, only the resin protrusion 12 in the region where the conductive film 20 is not formed can be selectively removed. There is no problem even if the resin protrusions 12 are provided in common to the respective conductive films 20 (electrode pads 24), but when the resin protrusions are divided according to the respective conductive films 20, the semiconductor device 121 and the counterpart side The influence of the thermal expansion and deformation of the resin protrusion 12 when joining the substrate 111 can be minimized for each conductive film 20.

以上説明したように、本実施形態では、樹脂バンプ電極１０の導電膜２０と樹脂突起１２との間に空隙Ｇを形成し、この空隙Ｇによって、導電膜２０と樹脂突起１２とを非密着な状態とした。このため、樹脂バンプ電極１０を介して半導体装置１２１を相手側基板１１１に接合する際に、導電膜２０が樹脂突起１２に追随して伸縮若しくは変形することがない。したがって、従来のように導電膜を樹脂突起に密着させた場合に比べて、導電膜に付与される応力が小さくなり、断線等が生じにくくなる。   As described above, in this embodiment, the gap G is formed between the conductive film 20 of the resin bump electrode 10 and the resin protrusion 12, and the conductive film 20 and the resin protrusion 12 are not adhered to each other by the gap G. It was in a state. For this reason, when the semiconductor device 121 is bonded to the counterpart substrate 111 via the resin bump electrode 10, the conductive film 20 does not expand and contract or deform following the resin protrusion 12. Therefore, compared with the conventional case where the conductive film is brought into close contact with the resin protrusion, the stress applied to the conductive film is reduced, and disconnection or the like is less likely to occur.

この構成においては、導電膜２０と樹脂突起１２との間が非密着となっているため、導電膜２０を樹脂突起１２の上面部分までしか形成しないとすると、この樹脂突起上の導電膜２０は浮いた状態となり、この浮いた部分が接合時の変形等によって剥がれを生じる場合がある。本実施形態では、導電膜２０を樹脂突起１２を挟んで反対側まで延設し、この反対側の能動面１２１ａにおいて密着面を形成しているので、導電膜２０の樹脂突起１２を挟んだ両側の端部（即ち、電極パッド２４に固定された端部と、樹脂突起１２を挟んで反対側の能動面１２１ａに密着した端部）を能動面１２１ａにしっかりと固定することができ、このような剥がれを防ぐことができる。   In this configuration, since the conductive film 20 and the resin protrusion 12 are not in close contact with each other, if the conductive film 20 is formed only up to the upper surface portion of the resin protrusion 12, the conductive film 20 on the resin protrusion is There is a case where the floated state occurs, and the floated portion may be peeled off due to deformation or the like at the time of joining. In the present embodiment, the conductive film 20 extends to the opposite side across the resin protrusion 12, and the contact surface is formed on the opposite active surface 121 a, so both sides of the conductive film 20 across the resin protrusion 12. (That is, the end fixed to the electrode pad 24 and the end close to the active surface 121a on the opposite side across the resin protrusion 12) can be firmly fixed to the active surface 121a. Can be prevented.

［第２の実施の形態］
［半導体装置］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図６は、本実施形態の樹脂バンプ電極１０の要部構成を示す図であり、第１の実施形態の図４（ｂ）に対応する図である。本実施形態において、電極パッドや樹脂突起、パッシベーション膜等の構成や配置は第１の実施形態と同様である。したがって、これら第１の実施形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。 [Second Embodiment]
[Semiconductor device]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of a main part of the resin bump electrode 10 of the present embodiment, and corresponds to FIG. 4B of the first embodiment. In the present embodiment, the configuration and arrangement of electrode pads, resin protrusions, a passivation film, and the like are the same as those in the first embodiment. Accordingly, the same members or parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施形態では、各電極パッド２４の表面から樹脂突起１２の表面にかけて、複数の導電膜２２が形成されている。また、導電膜２２と電極パッド２４との間には、導電膜２２の金属が電極パッド側に拡散しないように、Ｎｉ等からなるバリアメタル層２７が設けられている。このバリアメタル層２７は、樹脂突起１２を挟んでその両側に設けられている。導電膜２２は、金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）等の貴金属を蒸着やスパッタリング等することにより形成されたものである。このような貴金属は化学的に安定な材料であるため、樹脂中に含まれる水分や酸素と反応することは殆どない。例えば、金はもともと酸化物を形成せず、銅は酸化物を形成したとしても、その酸化物は化学的に不安定な材料となる。導電膜２２と樹脂突起１２との密着力は、樹脂突起中の水分や酸素等によって生じる化学反応（酸化反応等）によって強められるが、本実施形態では、導電膜２２が金や銅等の化学的に安定な貴金属によって形成されるため、樹脂突起１２との界面に化学反応は生じず、従って、導電膜２２と樹脂突起１２とは密着力の弱い非密着の状態となる。   In the present embodiment, a plurality of conductive films 22 are formed from the surface of each electrode pad 24 to the surface of the resin protrusion 12. Further, a barrier metal layer 27 made of Ni or the like is provided between the conductive film 22 and the electrode pad 24 so that the metal of the conductive film 22 does not diffuse to the electrode pad side. The barrier metal layer 27 is provided on both sides of the resin protrusion 12. The conductive film 22 is formed by vapor deposition or sputtering of a noble metal such as gold (Au) or copper (Cu). Since such a noble metal is a chemically stable material, it hardly reacts with moisture or oxygen contained in the resin. For example, even though gold originally does not form an oxide and copper forms an oxide, the oxide is a chemically unstable material. The adhesion force between the conductive film 22 and the resin protrusion 12 is strengthened by a chemical reaction (oxidation reaction or the like) caused by moisture, oxygen, or the like in the resin protrusion. In this embodiment, the conductive film 22 is made of a chemical such as gold or copper. Therefore, a chemical reaction does not occur at the interface with the resin protrusion 12, and therefore the conductive film 22 and the resin protrusion 12 are in a non-adhesive state with a weak adhesion.

なお、導電膜２２は、電極パッド２４から樹脂突起１２を挟んで反対側に延設され、この反対側において、能動面１２１ａと密着している。すなわち、導電膜２２は、樹脂突起１２の外側における各電極パッド２４の表面に密着するとともに、樹脂突起１２の表面を経由して、樹脂突起１２の内側における能動面１２１ａにかけて形成され、この内側の能動面１２１ａに配置されたバリアメタル層２７若しくはパッシベーション膜２６との間で密着面を形成している。このため、導電膜２２は、樹脂突起１２との間では浮いた状態になるが、樹脂突起１２を挟んだ両側において能動面に固定されるため、相手側基板１１１と接合する際に剥がれ等が生じにくい構造となっている。   The conductive film 22 extends from the electrode pad 24 to the opposite side across the resin protrusion 12, and is in close contact with the active surface 121 a on the opposite side. That is, the conductive film 22 is in close contact with the surface of each electrode pad 24 on the outside of the resin protrusion 12, and is formed through the surface of the resin protrusion 12 to the active surface 121 a on the inside of the resin protrusion 12. An adhesion surface is formed between the barrier metal layer 27 or the passivation film 26 disposed on the active surface 121a. For this reason, the conductive film 22 is in a floating state with the resin protrusion 12, but is fixed to the active surface on both sides of the resin protrusion 12, so that peeling or the like may occur when joining the mating substrate 111. It has a structure that does not easily occur.

以上説明したように、本実施形態でも、導電膜２２と樹脂突起１２とを非密着な状態としたため、加熱接合時の樹脂突起１２の膨張や変形による影響を小さくし、導電膜２２に断線等を生じにくくすることができる。
また本実施形態は、導電膜２２として、貴金属のような化学的に安定な材料を用いているため、第１の実施形態のようにシード層２５の形成や除去といった余分な工程を経ることなく、単に貴金属を成膜するのみで、樹脂突起１２の表面に非密着な導電膜２２を形成することができる。よって、前述した方法に比べて製造工程を簡略化することができる。 As described above, also in this embodiment, since the conductive film 22 and the resin protrusion 12 are not in close contact with each other, the influence of expansion and deformation of the resin protrusion 12 during heat bonding is reduced, and the conductive film 22 is disconnected. Can be made difficult to occur.
Further, in the present embodiment, a chemically stable material such as a noble metal is used as the conductive film 22, so that an extra process such as formation and removal of the seed layer 25 is not performed as in the first embodiment. The conductive film 22 that is not adhered to the surface of the resin protrusion 12 can be formed simply by depositing a noble metal. Therefore, the manufacturing process can be simplified as compared with the method described above.

［電子機器］
次に、上述した電気光学装置又は半導体装置を備えた電子機器について説明する。
図７は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、上述した電気光学装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上述した電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合にも電気的接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。 [Electronics]
Next, an electronic apparatus including the above-described electro-optical device or semiconductor device will be described.
FIG. 7 is a perspective view showing an example of an electronic apparatus according to the present invention. A cellular phone 1300 shown in the figure includes the above-described electro-optical device as a small-sized display unit 1301 and includes a plurality of operation buttons 1302, a mouthpiece 1303, and a mouthpiece 1304.
The above-described electro-optical device is not limited to the above mobile phone, but an electronic book, a personal computer, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, It can be suitably used as an image display means for a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal, a device equipped with a touch panel, etc., and in any case, an electronic device having excellent electrical connection reliability can be provided. it can.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but it goes without saying that the present invention is not limited to such examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.

電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示す模式図。1 is a schematic diagram illustrating a liquid crystal display device that is an embodiment of an electro-optical device. FIG. 液晶表示装置における半導体装置の実装構造の説明図。FIG. 14 is an explanatory diagram of a mounting structure of a semiconductor device in a liquid crystal display device. 第１実施形態に係る半導体装置の斜視図。1 is a perspective view of a semiconductor device according to a first embodiment. 同、半導体装置の端子部分を拡大して示す図。The figure which expands and shows the terminal part of a semiconductor device. 同、半導体装置の製造方法を説明するための工程図。Process drawing for demonstrating the manufacturing method of a semiconductor device equally. 第２実施形態に係る半導体装置の端子部分を拡大して示す図。The figure which expands and shows the terminal part of the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment. 電子機器の一例を示す斜視図。The perspective view which shows an example of an electronic device. 従来の樹脂バンプ電極を説明するための図。The figure for demonstrating the conventional resin bump electrode.

符号の説明Explanation of symbols

１０…樹脂バンプ電極、１２…樹脂突起、２０…導電膜、２４…電極パッド、２４ａ…電極パッド列、２５…シード層、１００…液晶表示装置（電気光学装置）、１１１…基板（回路基板）、１１１ｂｘ，１１１ｃｘ，１１１ｄｘ…電極端子、１２１…半導体装置、１２１ａ…能動面、１２２…封止樹脂、１３００…携帯電話（電子機器）、Ｇ…空隙   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Resin bump electrode, 12 ... Resin protrusion, 20 ... Conductive film, 24 ... Electrode pad, 24a ... Electrode pad row | line | column, 25 ... Seed layer, 100 ... Liquid crystal display device (electro-optical device), 111 ... Substrate (circuit board) 111bx, 111cx, 111dx ... electrode terminals, 121 ... semiconductor device, 121a ... active surface, 122 ... sealing resin, 1300 ... mobile phone (electronic device), G ... gap

Claims (20)

能動面上に、電極パッドと、該電極パッドに導電接続されたバンプ電極とを有する半導体装置であって、
前記バンプ電極が、前記能動面に形成された樹脂突起と、前記電極パッドから前記樹脂突起の表面にかけて配設された導電膜とを有してなり、前記導電膜と前記樹脂突起とが非密着に配置されていることを特徴とする、半導体装置。 A semiconductor device having an electrode pad and a bump electrode conductively connected to the electrode pad on an active surface,
The bump electrode has a resin protrusion formed on the active surface and a conductive film disposed from the electrode pad to the surface of the resin protrusion, and the conductive film and the resin protrusion are not in close contact with each other. A semiconductor device characterized in that the semiconductor device is disposed in 前記導電膜と前記樹脂突起との間に空隙が形成されており、該空隙によって、前記導電膜と前記樹脂突起とが非密着に配置されていることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。   2. The semiconductor according to claim 1, wherein a gap is formed between the conductive film and the resin protrusion, and the conductive film and the resin protrusion are arranged in close contact with each other by the gap. apparatus. 前記導電膜が、前記樹脂突起と非密着な貴金属材料によって形成されていることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the conductive film is formed of a noble metal material that is not in close contact with the resin protrusion. 前記導電膜が、金又は銅からなることを特徴とする、請求項３記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 3, wherein the conductive film is made of gold or copper. 前記導電膜が、前記電極パッドから前記樹脂突起を挟んで反対側まで延設され、該反対側において前記能動面と密着していることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかの項に記載の半導体装置。   5. The device according to claim 1, wherein the conductive film extends from the electrode pad to the opposite side across the resin protrusion, and is in close contact with the active surface on the opposite side. A semiconductor device according to 1. 前記能動面に複数の前記電極パッドが整列配置され、これら電極パッドのパッド列に沿って直線状に連続する共通の前記樹脂突起が形成されており、前記電極パッドの各々から前記共通の樹脂突起の表面にかけて、前記導電膜が配設されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかの項に記載の半導体装置。   A plurality of the electrode pads are arranged in alignment on the active surface, and the common resin protrusions that are linearly continuous along the pad rows of the electrode pads are formed, and the common resin protrusions are formed from each of the electrode pads. The semiconductor device according to claim 1, wherein the conductive film is disposed over the surface of the semiconductor device. 能動面上に、電極パッドと、該電極パッドに導電接続されたバンプ電極とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記バンプ電極の形成工程が、前記能動面に樹脂突起を形成する工程と、前記電極パッドから前記樹脂突起の表面にかけて、前記樹脂突起の表面に非密着な状態にて導電膜を形成する工程とを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device having an electrode pad and a bump electrode conductively connected to the electrode pad on an active surface,
The bump electrode forming step includes a step of forming a resin protrusion on the active surface, and a step of forming a conductive film in a non-adhering state to the surface of the resin protrusion from the electrode pad to the surface of the resin protrusion. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: 前記導電膜を前記電極パッドから前記樹脂突起を挟んで反対側まで延設し、前記導電膜の前記樹脂突起を挟んだ両側の端部を前記能動面に密着させることを特徴とする、請求項７記載の半導体装置の製造方法。   The conductive film is extended from the electrode pad to the opposite side across the resin protrusion, and ends on both sides of the conductive film across the resin protrusion are in close contact with the active surface. 8. A method of manufacturing a semiconductor device according to 7. 前記導電膜の形成工程が、前記導電膜と前記樹脂突起との間に犠牲層を形成する工程と、前記樹脂突起の表面の前記犠牲層を除去して、前記導電膜と前記樹脂突起との間に空隙を形成する工程とを含むことを特徴とする、請求項７又は８記載の半導体装置の製造方法。   Forming the sacrificial layer between the conductive film and the resin protrusion; and removing the sacrificial layer on the surface of the resin protrusion to form the conductive film and the resin protrusion. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 7, further comprising a step of forming a gap therebetween. 前記犠牲層の除去工程が、前記能動面の表面及び前記樹脂突起の表面における前記犠牲層のエッチングレートの違いを利用して、前記能動面の表面の前記犠牲層を残しつつ、前記樹脂突起の表面の前記犠牲層をエッチングにより除去する工程であることを特徴とする、請求項９記載の半導体装置の製造方法。   The step of removing the sacrificial layer uses the difference in etching rate of the sacrificial layer between the surface of the active surface and the surface of the resin protrusion, leaving the sacrificial layer on the surface of the active surface, The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 9, wherein the sacrifice layer on the surface is removed by etching. 前記能動面が、無機材料によって構成されていることを特徴とする、請求項１０記載の半導体装置の製造方法。   The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 10, wherein the active surface is made of an inorganic material. 前記導電膜が、前記犠牲層をシード層としてメッキ法により形成されることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれかの項に記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 9, wherein the conductive film is formed by plating using the sacrificial layer as a seed layer. 前記導電膜の形成工程が、貴金属からなる前記導電膜を蒸着又はスパッタリングすることにより、前記樹脂突起と非密着な前記導電膜を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項７又は８記載の半導体装置の製造方法。   9. The step of forming the conductive film includes a step of forming the conductive film that is not in close contact with the resin protrusions by vapor deposition or sputtering of the conductive film made of a noble metal. Semiconductor device manufacturing method. 前記導電膜が、金又は銅からなることを特徴とする、請求項１３記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 13, wherein the conductive film is made of gold or copper. 前記能動面に複数の前記電極パッドが整列配置されており、
前記樹脂突起の形成工程が、前記複数の電極パッドのパッド列に沿って直線状に連続した共通の樹脂突起を形成する工程を含み、
前記導電膜の形成工程が、前記複数の電極パッドの各々から前記共通の樹脂突起の表面にかけて前記導電膜を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項７〜１４のいずれかの項に記載の半導体装置の製造方法。 A plurality of the electrode pads are aligned on the active surface,
The step of forming the resin protrusion includes a step of forming a common resin protrusion that is linearly continuous along the pad row of the plurality of electrode pads,
15. The method according to claim 7, wherein the step of forming the conductive film includes a step of forming the conductive film from each of the plurality of electrode pads to the surface of the common resin protrusion. The manufacturing method of the semiconductor device of description. 前記樹脂突起を切断し、前記電極パッドに応じて前記バンプ電極を分離する工程を含むことを特徴とする、請求項１５記載の半導体装置の製造方法。   16. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 15, further comprising a step of cutting the resin protrusion and separating the bump electrode according to the electrode pad. 請求項１〜６のいずれかの項に記載の半導体装置が実装されてなる回路基板であって、
前記半導体装置が、前記樹脂突起の表面に配設された前記導電膜を介して、前記回路基板の電極端子に導電接続されていることを特徴とする、回路基板。 A circuit board on which the semiconductor device according to any one of claims 1 to 6 is mounted,
The circuit board, wherein the semiconductor device is conductively connected to an electrode terminal of the circuit board via the conductive film disposed on a surface of the resin protrusion. 前記樹脂突起が弾性変形して前記導電膜が前記回路基板に面で接触しており、前記半導体装置と前記電極端子の導電接触部分の周囲に封止樹脂が充填されて、前記半導体装置と前記電極端子とが保持されていることを特徴とする、請求項１７記載の回路基板。   The resin protrusion is elastically deformed so that the conductive film is in contact with the circuit board on the surface, and a sealing resin is filled around a conductive contact portion of the semiconductor device and the electrode terminal, The circuit board according to claim 17, wherein an electrode terminal is held. 請求項１〜６のいずれかの項に記載の半導体装置又は請求項１７若しくは１８記載の回路基板を備えたことを特徴とする、電気光学装置。   An electro-optical device comprising the semiconductor device according to claim 1 or the circuit board according to claim 17 or 18. 請求項１７若しくは１８記載の回路基板又は請求項１９記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする、電子機器。   An electronic apparatus comprising the circuit board according to claim 17 or the electro-optical device according to claim 19.
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