JP2008218887A - Semiconductor device and testing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、パッケージ内部に少なくとも第1および第2の半導体チップを備え、これらの間がチップ間配線を介して接続された構成の半導体装置およびそのテスト方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device having a configuration in which at least first and second semiconductor chips are provided in a package and connected between them via inter-chip wiring, and a test method therefor.
パッケージ内部に複数の半導体チップを備えた半導体装置においては、各半導体チップの信号端子の一部をチップ間配線により互いに接続することで外部端子数の増加を抑制している。ところが、チップ間配線がなされた信号端子にのみ接続される内部回路についてはパッケージ状態での電気的特性のテストが行い難くなることから、それらのテストを行うには特殊な構成を設けて対応する必要がある。 In a semiconductor device having a plurality of semiconductor chips inside a package, an increase in the number of external terminals is suppressed by connecting a part of signal terminals of each semiconductor chip to each other by interchip wiring. However, since it is difficult to test the electrical characteristics in the package state for the internal circuit connected only to the signal terminals to which the wiring between the chips is made, a special configuration is provided to perform these tests. There is a need.
上記内部回路のテストを行うための技術として、例えば特許文献1には、パッケージ内部の全ての半導体チップに、外部に導出されたモニタ用端子を設けるとともに、このモニタ用端子、内部回路およびチップ間配線がなされた各信号端子のそれぞれの間をスイッチ回路を介して接続する構成が開示されている。
As a technique for testing the internal circuit, for example, in
上記技術によれば、例えばパッケージ内部に2つの半導体チップが内蔵されている構成において、一方の半導体チップのチップ間配線がなされた信号端子に対応する内部回路をテスト対象回路とする場合、他方の半導体チップにおける全ての信号端子と内部回路との間を電気的に切り離し、テスト対象回路と各半導体チップのモニタ用端子とを電気的に接続させるようにそれぞれのスイッチ回路を制御する。これにより、それぞれの半導体チップに設けられたモニタ用端子を介してテスト対象回路のテストを行うことができる。つまり、各半導体チップについて、単体と同じようなテストを行うことが可能となる。
しかしながら、上記従来技術の半導体装置は、一方の半導体チップの内部回路をテスト対象とする場合、それぞれの半導体チップのスイッチ回路をいずれも制御する必要があるため、テストを行うための構成が複雑化してしまう。また、テスト結果を検証する際、テスト対象の回路が設けられた半導体チップだけでなく、それ以外の半導体チップにおけるスイッチ回路の動作状態もテスト結果に関与するため、各半導体チップ単体の場合と同等のテストを行い難いという問題があった。 However, in the above-described conventional semiconductor device, when the internal circuit of one semiconductor chip is to be tested, it is necessary to control all the switch circuits of each semiconductor chip, so that the configuration for performing the test becomes complicated. End up. In addition, when verifying the test results, not only the semiconductor chip on which the circuit to be tested is provided, but also the operating state of the switch circuit in other semiconductor chips is involved in the test results, so it is equivalent to the case of each semiconductor chip alone There was a problem that it was difficult to test.
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、チップ間配線がなされた信号端子に対応するテスト対象回路について、テストを行うための構成が複雑化することを抑制しつつ、半導体チップ単体の場合と同等のテストを行うことができる半導体装置およびそのテスト方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to suppress a complication of a configuration for performing a test on a test target circuit corresponding to a signal terminal on which inter-chip wiring is made, and a semiconductor. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of performing a test equivalent to the case of a single chip and a test method thereof.
請求項1記載の手段によれば、第1のテスト対象回路のテストを行う場合、スイッチ手段により外部に導出されたモニタ用信号端子を第1の内部接続用信号端子に接続(第1の状態に設定)し、入出力動作機能を無効化する手段により入出力回路の入出力動作機能を無効化させる。上記設定を行うことにより、チップ間配線がなされた第1の内部接続用信号端子に接続された第1のテスト対象回路について、第1の半導体チップに設けられたモニタ用信号端子を介してチップ単体の場合と同等のテストを行うことができる。この際、第2のテスト対象回路と第2の内部接続用信号端子との間に介在された入出力回路の入出力動作機能が無効化されているので、たとえ第2のテスト対象回路が動作していても、第1のテスト対象回路に影響を与えることはない。 According to the first aspect, when the test of the first test target circuit is performed, the monitor signal terminal led to the outside by the switch means is connected to the first internal connection signal terminal (first state). The input / output operation function of the input / output circuit is invalidated by means for invalidating the input / output operation function. By performing the above-described setting, the first test target circuit connected to the first internal connection signal terminal having the interchip wiring is connected to the chip via the monitor signal terminal provided in the first semiconductor chip. A test equivalent to that of a single unit can be performed. At this time, since the input / output operation function of the input / output circuit interposed between the second test target circuit and the second internal connection signal terminal is invalidated, even if the second test target circuit operates. However, the first test target circuit is not affected.
一方、第2のテスト対象回路のテストを行う場合、スイッチ手段により第1の状態に設定し、入出力回路の入出力動作機能を有効化させる。上記設定を行うことにより、チップ間配線がなされた第2の内部接続用信号端子に対応する第2のテスト対象回路についても、第1のテスト対象回路と同様に、第1の半導体チップに設けられたモニタ用信号端子を介してチップ単体の場合と同等のテストを行うことができる。また、スイッチ手段によりモニタ用信号端子を第1の内部接続用信号端子から遮断(第2の状態に設定)し、入出力回路の入出力動作機能を有効化させることで、半導体装置を通常の動作状態に切り換えることができる。 On the other hand, when the test of the second test target circuit is performed, the first state is set by the switch means to enable the input / output operation function of the input / output circuit. By performing the above setting, the second test target circuit corresponding to the second internal connection signal terminal for which the inter-chip wiring is made is also provided in the first semiconductor chip, similarly to the first test target circuit. The same test as in the case of a single chip can be performed through the monitor signal terminals. In addition, the monitoring signal terminal is cut off from the first internal connection signal terminal by the switch means (set to the second state), and the input / output operation function of the input / output circuit is enabled, so that the semiconductor device is It can be switched to the operating state.
請求項2記載の手段によれば、スイッチ手段によりモニタ用信号端子を複数の第1の内部接続用信号端子に選択的に接続させることができる。従って、チップ間配線がなされた第1の内部接続用信号端子が複数ある場合でも、1つのモニタ用信号端子を介して、複数の第1の内部接続用信号端子のそれぞれに接続された第1のテスト対象回路について、選択的にテストすることができる。また、複数の第1の内部接続用信号端子とチップ間配線を介して接続される第2の内部接続用信号端子が複数存在する場合であっても、これらに対応する第2のテスト対象回路について、1つのモニタ用信号端子を介して選択的にテストすることができる。 According to the second aspect, the monitor signal terminal can be selectively connected to the plurality of first internal connection signal terminals by the switch means. Therefore, even when there are a plurality of first internal connection signal terminals with interchip wiring, the first internal connection signal terminals connected to each of the plurality of first internal connection signal terminals via one monitor signal terminal. The test target circuit can be selectively tested. Further, even when there are a plurality of second internal connection signal terminals connected to the plurality of first internal connection signal terminals via the inter-chip wiring, the second test target circuit corresponding thereto Can be selectively tested through one monitor signal terminal.
請求項3記載の手段によれば、アナログスイッチによりスイッチ手段を構成するので、モニタ用信号端子を介してアナログ信号を入出力するようなテストを行うことができるとともに、第1の半導体チップにおいてスイッチ手段が占有する回路面積を小さくできる。 According to the third aspect of the present invention, since the switch means is constituted by the analog switch, a test for inputting / outputting an analog signal through the monitor signal terminal can be performed, and the switch in the first semiconductor chip can be performed. The circuit area occupied by the means can be reduced.
請求項4記載の手段によれば、入出力回路が第2の内部接続用信号端子と電源端子との間に接続される抵抗、例えばプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗を備えている場合において、入出力動作機能を無効化する手段は上記抵抗の接続経路を遮断状態にすることができる。従って、第1のテスト対象回路をテストする場合、上記抵抗の接続経路を遮断状態にしておくことで、電源端子から上記抵抗を介して第1のテスト対象回路に対して影響を与えることを防止できる。
According to the means of
請求項5記載の手段によれば、入出力回路がCMOS回路により構成される出力回路を備えている場合において、入出力動作機能を無効化する手段は、CMOS回路のpチャネルおよびnチャネルの両方のトランジスタを遮断状態にすることができる。従って、第1のテスト対象回路をテストする場合、上記両方のトランジスタを遮断状態にしておくことで、出力回路が第1のテスト対象回路に対して影響を与えることを防止できる。 According to a fifth aspect of the present invention, in the case where the input / output circuit includes an output circuit composed of a CMOS circuit, the means for invalidating the input / output operation function includes both the p-channel and n-channel of the CMOS circuit. The transistor can be turned off. Therefore, when testing the first test target circuit, it is possible to prevent the output circuit from affecting the first test target circuit by setting both of the transistors in the cut-off state.
請求項6記載の手段によれば、第1の状態に設定する工程と、入出力回路の入出力動作機能を無効化する工程を行った後、第1のテスト対象回路のテストを実行する。また、第1の状態に設定する工程と、入出力回路の入出力動作機能を有効化する工程を行った後、第2のテスト対象回路のテストを実行する。このように、第1および第2のテスト対象回路のテストを行う前には、いずれの場合も2つの工程を行うだけであるので、テストのための設定が複雑化することがない。 According to the sixth aspect, after performing the step of setting to the first state and the step of invalidating the input / output operation function of the input / output circuit, the test of the first test target circuit is executed. In addition, after performing the step of setting to the first state and the step of enabling the input / output operation function of the input / output circuit, the second test target circuit is tested. As described above, since only the two steps are performed in each case before the first and second test target circuits are tested, the setting for the test is not complicated.
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、パッケージ内部に複数の半導体チップが設けられたマルチチップパッケージの半導体装置の構成について本発明の要旨に係る部分のみ示している。図1における半導体装置1は、パッケージ内部に2つの半導体チップ2および3(第1および第2の半導体チップに相当)が設けられている。図示しないが、半導体チップ2は、例えば、基本構成としてCPU、ROM、RAM等を備えたマイクロコンピュータを備えている。半導体チップ3は、例えばSOI基板をトレンチ分離して形成するTD(Trench Dielectric isolation)構造のドライバとして構成されている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows only a portion related to the gist of the present invention regarding the configuration of a semiconductor device of a multi-chip package in which a plurality of semiconductor chips are provided inside the package. A
半導体装置1は、パッケージの外部に導出される外部端子4〜6、7a〜7f、8a〜8gを備えている。半導体チップ2は、信号端子9〜14、15a〜15fを備えており、半導体チップ3は、信号端子16〜20、21a〜21gを備えている。半導体チップ2の信号端子9〜12(第1の内部接続用信号端子に相当)と半導体チップ3の信号端子17〜20(第2の内部接続用信号端子に相当)とは、チップ間配線22〜25によりそれぞれ接続されている。
The
半導体チップ2は、前述の基本構成に加えて図示のようなLEDの点灯を制御するLED制御部26および通信プロトコルとしてLIN(Local Interconnect Network)に準拠した車内用通信ネットワークに接続される外部機器との間における通信を制御するLIN通信制御部27(いずれも第1のテスト対象回路に相当)を備えている。
In addition to the basic configuration described above, the
信号端子9〜12は、チップ内部においてそれぞれに対応した出力バッファ28〜31の各出力端子および入力バッファ32〜35の各入力端子に接続されている。出力バッファ28、29の各入力端子および入力バッファ32、33の各出力端子はLED制御部26に接続され、出力バッファ30、31の各入力端子および入力バッファ34、35の各出力端子はLIN通信制御部27に接続されている。
The
信号端子13、14は、それぞれ外部端子4、5に接続されており、いずれもモニタ用信号端子として機能する。信号端子13と信号端子9〜12との間は、それぞれアナログスイッチ36〜39を介して接続されている。信号端子14と信号端子9〜12との間は、それぞれアナログスイッチ40〜43を介して接続されている。信号端子15a〜15fは、それぞれ外部端子7a〜7fに接続されるとともに、図示しない他の内部機能回路に接続されている。
The
アナログスイッチ36〜43(スイッチ手段に相当)は、CMOS回路により構成された周知のものである。また、マイクロコンピュータ(半導体チップ2)は、アナログスイッチ36〜43のオンオフを制御するための専用レジスタ(図示せず)を備えている。アナログスイッチ36〜43の制御端子には、この専用レジスタからの制御信号が与えられるようになっている。
The
半導体チップ3は、LED制御部26からの制御信号に基づいて外部に接続されるLED(図示せず)を駆動させるLEDドライバ44およびLIN通信制御部27と外部機器(図示せず)との間の通信信号のレベル変換等を行うLINドライバ45(いずれも第2のテスト対象回路に相当)を備えている。
The
信号端子16は、外部端子6に接続されており、モード切換端子として機能する。信号端子17、18は、それぞれに対応する入力バッファ46、47を介してLEDドライバ44に接続されている。信号端子19、20は、それぞれに対応する出力バッファ48、入力バッファ49を介してLINドライバ45に接続されている。出力バッファ48(出力回路に相当)は、CMOS回路により構成されたインバータ回路である。また、出力バッファ48は、制御端子に与えられる信号に応じてpチャネルおよびnチャネルの両方のトランジスタを一斉に遮断状態(出力カットオフ状態)に制御できるようになっている。
The
信号端子17は、スイッチ回路50および抵抗51を直列に介してグランド(電源端子に相当)に接続されている。信号端子18は、スイッチ回路52および抵抗53を直列に介して電源(電源端子に相当)に接続され、信号端子20は、スイッチ回路54および抵抗55を直列に介して電源に接続されている。スイッチ回路50、52、54は、図示しない制御端子を有しており、この制御端子に与えられる信号に応じてオンオフされる。つまり、スイッチ回路50、52、54のオンオフに応じて信号端子17のプルダウン状態および信号端子18、20のプルアップ状態が制御されるようになっている。信号端子21a〜21gは、それぞれ外部端子8a〜8gに接続されるとともに、図示しない他の内部機能回路に接続されている。
The
本実施形態では、入力バッファ46、47、49、出力バッファ48および抵抗51、53、55により入出力回路56が構成されている。また、スイッチ回路50、52、54および出力バッファ48の各制御端子は信号端子16に接続されている(図示せず)。従って、スイッチ回路50、52、54のオンオフおよび出力バッファ48の出力カットオフ状態は、信号端子16を介して入力されるモード切換信号Saにより一括して制御されるようになっている。
In the present embodiment, the input buffers 46, 47, 49, the
なお、本実施形態においては、モード切換信号Saが例えばLレベルのとき、スイッチ回路50、52、54がオンするとともに出力バッファ48のCMOS回路が通常の動作状態になるように設定されている。従って、この場合、入出力回路56は、その入出力動作機能が有効化された状態となる。また、モード切換信号Saが例えばHレベルのとき、スイッチ回路50、52、54がオフするとともに出力バッファ48が出力カットオフ状態になるように設定されている。従って、この場合、入出力回路56は、その入出力動作機能が無効化された状態となる。このように、出力バッファ48およびスイッチ回路50、52、54は、入出力回路56の入出力動作機能を無効化する手段として機能する。
In the present embodiment, when the mode switching signal Sa is at L level, for example, the
次に、上記構成の半導体装置1の電気的特性のテスト方法について図2および図3を参照しながら説明する。
なお、上記テストを行う場合、マイクロコンピュータである半導体チップ2は、外部端子を介してテスト装置(いずれも図示せず)からテスト用のプログラムが与えられ、このプログラムに基づいて動作する、いわゆるテストモードで動作するものとする。また、テスト装置と外部端子4〜6とが接続されているものとする。これにより、使用者は、テスト装置を用いて、外部端子4〜6に対し信号を入力すること、および外部端子4、5における信号をモニタすることが可能となっている。
Next, a method for testing the electrical characteristics of the
When performing the above test, the
図2は、半導体チップ3のLEDドライバ44をテストする場合を示している。なお、図2ではテスト時における信号の伝達経路を太線で示している。この場合、マイクロコンピュータ(半導体チップ2)は、LEDドライバ44をテストするモードで以下のように動作する。すなわち、LED制御部26の動作を停止させるとともに、アナログスイッチ36および41をオンし、アナログスイッチ37〜40、42、43をオフする。これにより、信号端子13から信号端子9への接続経路および信号端子14から信号端子10への接続経路が形成される。
FIG. 2 shows a case where the
続いて、使用者がテスト装置を操作することにより、外部端子6からLレベルのモード切換信号Saが入力されると、入出力回路56の入出力動作機能が有効化される。これにより、外部端子4、5から半導体チップ2の上記接続経路、チップ間配線22、23および入力バッファ46、47を介してLEDドライバ44についてテスト可能な状態となる。この状態において、使用者がテスト装置を操作することにより、外部端子4、5からLEDドライバ44に対し、例えば各LEDを点灯および消灯させるための信号を入力し、各LEDが正常に点灯および消灯するか否か等を確認することができる。
Subsequently, when an L level mode switching signal Sa is input from the
図3は、半導体チップ2のLED制御部26をテストする場合を示している。なお、図3ではテスト時における信号の伝達経路を太線で示している。この場合、マイクロコンピュータ(半導体チップ2)は、LED制御部26をテストするモードで以下のように動作する。すなわち、マイクロコンピュータ(半導体チップ2)は、アナログスイッチ36および41をオンし、アナログスイッチ37〜40、42、43をオフする。これにより、信号端子13から信号端子9への接続経路および信号端子14から信号端子10への接続経路が形成される。なお、この場合、マイクロコンピュータ(半導体チップ2)は、LED制御部26を所定のテストパターンに基づいて動作させるようになっているが、その動作の開始はテスト装置により制御されるようになっている。
FIG. 3 shows a case where the
続いて、使用者がテスト装置を操作することにより、外部端子6からHレベルのモード切換信号Saが入力されると、入出力回路56の入出力動作機能が無効化される。これにより、半導体チップ3の入出力回路56は、半導体チップ2のLED制御部26に対し、チップ間配線22、23等を介して影響を与えない状態となる。また、外部端子4、5から半導体チップ2の上記接続経路、出力バッファ28、29および入力バッファ32、33を介してLED制御部26についてテスト可能な状態となる。
Subsequently, when an H level mode switching signal Sa is input from the
この状態において、使用者がテスト装置を操作することにより、LED制御部26の動作が開始されると、LED制御部26から例えば各LEDを点灯および消灯させるための信号が出力される。そして、使用者がテスト装置を操作することにより、外部端子4、5の信号をモニタし、正常な信号が出力されているか否か等について確認することができる。
In this state, when the operation of the
なお、半導体チップ3におけるLINドライバ45のテスト、および半導体チップ2におけるLIN通信制御部27のテストについては、上記した半導体チップ3におけるLEDドライバ44のテストおよび半導体チップ2におけるLED制御部26のテストと同様に行うことが可能である。
As for the test of the
一方、半導体装置1を通常の動作モードで動作させる場合、半導体チップ2を、予めROMに書き込まれた通常動作用のプログラムに基づいて動作させる。これにより、アナログスイッチ36〜43がオフされ、半導体チップ2において通常動作用の接続経路が形成される。また、この場合、半導体装置1の外部より外部端子6を介してLレベルのモード切換信号Saを入力するように構成し、半導体チップ3における入出力回路56の入出力動作機能を有効化させておく必要がある。また、外部端子4、5は、内部の回路と電気的に切り離された状態になっているが、例えばグランド等の安定電位に固定しておくとよい。
On the other hand, when the
以上説明したように、本実施形態によれば次のような効果を奏する。
半導体チップ3のLEDドライバ44をテストする場合、アナログスイッチ36〜43のオンオフ状態を切り換えるとともに、入出力回路56の入出力動作機能を有効化し、外部端子4、5からLEDドライバ44までの接続経路を形成する。このような設定が行われることにより、半導体チップ2に設けられた外部端子4、5を介して半導体チップ3のLEDドライバ44についてチップ単体の場合と同等のテストを行うことができる。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
When testing the
半導体チップ2のLED制御部26をテストする場合、アナログスイッチ36〜43のオンオフ状態を切り換えるとともに、入出力回路56の入出力動作機能を無効化し、外部端子4、5からLED制御部26までの接続経路を形成する。このような設定が行われることにより、半導体チップ2に設けられた外部端子4、5を介して半導体チップ2のLED制御部26についてチップ単体の場合と同等のテストを行うことができる。
When testing the
この際、入出力回路56の入出力動作機能が無効化されているので、たとえLEDドライバ44が動作していても、LED制御部26に影響を与えることがない。従って、テスト対象となる回路の切り分けを行い易くした状態、つまり半導体チップ2単体でテストを行う場合と同様の条件でLED制御部26のテストを行うことができる。これにより、例えばLED制御部26をテストした結果を検証する際、半導体チップ3側の回路の影響を考慮する必要がなくなるので、半導体チップ2側の回路のみを対象として容易にテスト結果を検証することができる。
At this time, since the input / output operation function of the input /
LEDドライバ44およびLED制御部26のいずれをテストする場合にも、テストを行う前に、使用者が行う設定は、上記したとおり、アナログスイッチ37〜43の切り換えおよび入出力回路56の入出力動作機能の切り換えの2つとしている。これにより、テスト前の設定を簡単に行えるので、使用者が誤った設定をしてしまうことを防止できる。
When testing either the
半導体装置1を通常に動作させる場合、アナログスイッチ36〜43を全てオフさせるとともに、入出力回路56の入出力動作機能を有効化する。このような設定を行うことにより、半導体装置1において通常動作用の接続経路が形成され、半導体装置1を通常の動作状態にすることができる。
When the
信号端子13と信号端子9〜12との間および信号端子14と信号端子9〜12との間にアナログスイッチ36〜43を設け、それぞれの間の接続状態を切り換え可能とした。従って、上記接続状態を選択的に切り換えることにより、4つの信号端子9〜12に対応するLED制御部26、LIN通信制御部27、LEDドライバ44およびLINドライバ45について、2つの信号端子13、14を介してテストを行うことができる。これにより、外部端子数の増加を抑制することができる。
Analog switches 36 to 43 are provided between the
CMOS回路により構成されたアナログスイッチ36〜43を用いたので、特殊な構成を用いることなく、端子の切り換え制御を行うことができる。また、外部端子4、5を介してアナログ信号を入力または出力するようなテストを行うことができるとともに、半導体チップ2においてアナログスイッチ36〜43が占有する回路面積を小さくできる。
Since the analog switches 36 to 43 configured by the CMOS circuit are used, the terminal switching control can be performed without using a special configuration. Further, a test for inputting or outputting an analog signal via the
スイッチ回路50、52、54のオンオフにより信号端子17のプルダウン状態および信号端子18、20のプルアップ状態を制御可能にするとともに、信号端子19に接続される出力バッファ48を出力カットオフ状態に設定可能とした。従って、入出力回路56の入出力動作機能を無効化する場合、スイッチ回路50、52、54をオフさせるとともに出力バッファ48を出力カットオフ状態に設定することで、電源またはグランドからの影響および出力バッファ48からの影響を半導体チップ2に対して与えることを防止できる。
The pull-down state of the
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した実施形態に限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
半導体チップ3のLEDドライバ44をテストする場合、半導体チップ2のLED制御部26が正常に動作することを確認済みであれば、LED制御部26を動作させた状態でテストを行ってもよい。この場合、LED制御部26からLEDドライバ44に対し、テスト用の信号を与え、外部端子4、5を介してその信号をモニタしながら、LEDの動作状態を確認するとよい。
The present invention is not limited to the embodiment described above and illustrated in the drawings, and the following modifications or expansions are possible.
When testing the
出力バッファ48は、CMOS回路でなくともよく、例えばオープンコレクタ形式の回路で構成してもよい。スイッチ回路50、52、54は、信号端子17、18、20と入力バッファ46、47、49および抵抗51、53、55との間を遮断可能にするように設けてもよい。スイッチ手段としては、CMOS回路によるアナログスイッチでなくともよく、その他のスイッチ回路を用いてもよい。
モニタ用信号端子は、チップ間配線がなされた内部接続用信号端子の数やパッケージのサイズ等に応じて設ければよく、1つであってもよいし、3つ以上設けてもよい。また、アナログスイッチについても同様に、その数を適宜変更してもよい。
The
The monitor signal terminals may be provided in accordance with the number of internal connection signal terminals with inter-chip wiring, the size of the package, and the like, and may be one or three or more. Similarly, the number of analog switches may be changed as appropriate.
LED制御部26およびLIN通信制御部27を第1のテスト対象回路とし、LEDドライバ44およびLINドライバ45を第2のテスト対象回路としたが、これに限らず、例えばCAN(Controller Area Network)通信制御部を第1のテスト対象回路とし、CANドライバを第2のテスト対象回路としてもよい。
半導体チップ2は、例えばPLD等を基本構成として備えていてもよい。半導体チップ3は、例えばEEPROM等のメモリであってもよい。また、これら半導体チップ2および半導体チップ3をパッケージ内部で接続するチップ間配線は、5本以上であってもよいし、3本以下であってもよい。半導体装置1は、パッケージ内部に半導体チップが3つ以上搭載されていてもよい。
The
The
図面中、1は半導体装置、2、3は半導体チップ(第1および第2の半導体チップ)、9〜12は信号端子(第1の内部接続用信号端子)、13、14は信号端子(モニタ用信号端子)、17〜20は信号端子(第2の内部接続用信号端子)、22〜25はチップ間配線、26はLED制御部(第1のテスト対象回路)、27はLIN通信制御部(第1のテスト対象回路)、36〜43はアナログスイッチ(スイッチ手段)、44はLEDドライバ(第2のテスト対象回路)、45はLINドライバ(第2のテスト対象回路)、48は出力バッファ(出力回路、入出力動作機能を無効化する手段)、50、52、54はスイッチ回路(入出力動作機能を無効化する手段)、51、53、55は抵抗、56は入出力回路を示す。 In the drawings, 1 is a semiconductor device, 2 and 3 are semiconductor chips (first and second semiconductor chips), 9 to 12 are signal terminals (first internal connection signal terminals), and 13 and 14 are signal terminals (monitors). Signal terminal), 17 to 20 are signal terminals (second internal connection signal terminals), 22 to 25 are inter-chip wirings, 26 is an LED control unit (first test target circuit), and 27 is a LIN communication control unit. (First test target circuit), 36 to 43 are analog switches (switch means), 44 is an LED driver (second test target circuit), 45 is a LIN driver (second test target circuit), and 48 is an output buffer. (Output circuit, means for invalidating input / output operation function), 50, 52, 54 are switch circuits (means for invalidating input / output operation function), 51, 53, 55 are resistors, 56 is an input / output circuit .
Claims (6)
前記第1の半導体チップは、
第1のテスト対象回路と、
前記パッケージの外部に導出されるモニタ用信号端子と、
前記第1のテスト対象回路に接続されるとともに前記第2の半導体チップに前記チップ間配線を介して接続される第1の内部接続用信号端子と、
前記モニタ用信号端子を前記内部接続用信号端子に接続する第1の状態と同モニタ用信号端子を前記内部接続用信号端子から遮断する第2の状態とを切り換え設定可能なスイッチ手段とを備え、
前記第2の半導体チップは、
第2のテスト対象回路と、
前記第1の半導体チップと前記チップ間配線を介して接続される第2の内部接続用信号端子と、
前記第2のテスト対象回路と前記第2の内部接続用信号端子との間に介在され、入出力動作機能を有するとともに入出力動作機能を無効化する手段を有する入出力回路とを備えたことを特徴とする半導体装置。 In a semiconductor device having a configuration in which at least a first and a second semiconductor chip are provided inside a package and connected between these via an inter-chip wiring,
The first semiconductor chip is:
A first circuit under test;
A monitoring signal terminal led out of the package;
A first internal connection signal terminal connected to the first test target circuit and connected to the second semiconductor chip via the inter-chip wiring;
Switch means capable of switching between a first state in which the monitor signal terminal is connected to the internal connection signal terminal and a second state in which the monitor signal terminal is disconnected from the internal connection signal terminal; ,
The second semiconductor chip is
A second circuit under test;
A second internal connection signal terminal connected to the first semiconductor chip via the inter-chip wiring;
An input / output circuit interposed between the second test target circuit and the second internal connection signal terminal and having an input / output operation function and means for disabling the input / output operation function; A semiconductor device characterized by the above.
前記第1の半導体チップは、前記第1の内部接続用信号端子を複数備え、
前記スイッチ手段は、前記モニタ用信号端子を前記複数の第1の内部接続用信号端子に選択的に接続可能に構成されていることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The first semiconductor chip includes a plurality of the first internal connection signal terminals,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the switch means is configured to selectively connect the monitor signal terminal to the plurality of first internal connection signal terminals.
前記スイッチ手段は、アナログスイッチを有していることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1 or 2,
The semiconductor device characterized in that the switch means includes an analog switch.
前記入出力回路は、前記第2の内部接続用信号端子と電源端子との間に接続される抵抗を備えており、
前記入出力動作機能を無効化する手段は、前記抵抗の接続経路を遮断状態にする手段であることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to any one of claims 1 to 3,
The input / output circuit includes a resistor connected between the second internal connection signal terminal and a power supply terminal,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the means for invalidating the input / output operation function is means for blocking the connection path of the resistor.
前記入出力回路は、CMOS回路で構成された出力回路を備えており、
前記入出力動作機能を無効化する手段は、前記CMOS回路のpチャネルおよびnチャネルの両方のトランジスタを遮断状態にする手段であることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The input / output circuit includes an output circuit composed of a CMOS circuit,
The means for invalidating the input / output operation function is means for shutting off both p-channel and n-channel transistors of the CMOS circuit.
前記第1のテスト対象回路のテストを行う場合、
前記スイッチ手段により前記第1の状態に設定する工程と、前記入出力動作機能を無効化する手段により前記入出力回路の入出力動作機能を無効化する工程とを行った後、前記第1のテスト対象回路のテストを実行し、
前記第2のテスト対象回路のテストを行う場合、
前記スイッチ手段により前記第1の状態に設定する工程と、前記入出力回路の入出力動作機能を有効化する工程とを行った後、前記第2のテスト対象回路のテストを実行することを特徴とする半導体装置のテスト方法。 A test method for a semiconductor device according to any one of claims 1 to 5,
When testing the first test target circuit,
After performing the step of setting the first state by the switch means and the step of invalidating the input / output operation function of the input / output circuit by the means for invalidating the input / output operation function, the first Run the test of the circuit under test,
When testing the second test target circuit,
A test of the second test target circuit is performed after performing the step of setting to the first state by the switch means and the step of enabling the input / output operation function of the input / output circuit. A method for testing a semiconductor device.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05281304A (en) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Nec Corp | Mixed analog-digital master with built-in test circuit |
JP2003004808A (en) * | 2001-06-19 | 2003-01-08 | Nec Corp | Semiconductor device and method of testing the same |
JP2004085366A (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multichip module and its test method |
JP2005148026A (en) * | 2003-11-20 | 2005-06-09 | Nec Corp | Semiconductor device |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05281304A (en) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Nec Corp | Mixed analog-digital master with built-in test circuit |
JP2003004808A (en) * | 2001-06-19 | 2003-01-08 | Nec Corp | Semiconductor device and method of testing the same |
JP2004085366A (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multichip module and its test method |
JP2005148026A (en) * | 2003-11-20 | 2005-06-09 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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