JP2008206333A - Piezoelectric thin-film device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ダイヤフラム構造の圧電薄膜を備えた圧電薄膜デバイスおよび圧電薄膜デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a piezoelectric thin film device including a piezoelectric thin film having a diaphragm structure and a method for manufacturing the piezoelectric thin film device.
従来から、焦点距離可変の凹面鏡などを構成するため、ダイヤフラム構造の圧電薄膜を備えた圧電薄膜デバイスが用いられている。このような圧電薄膜デバイスにおいては、圧電薄膜に電圧を印加して圧電薄膜の面形状を変形させることにより圧電薄膜と共に変形する反射面によって、例えば、凹面鏡が形成される。歪のない反射光を得るために、例えば、圧電薄膜に電圧を印加していない初期状態において、平坦な反射表面が形成されている必要がある。 2. Description of the Related Art Conventionally, a piezoelectric thin film device including a piezoelectric thin film having a diaphragm structure has been used to form a concave mirror having a variable focal length. In such a piezoelectric thin film device, for example, a concave mirror is formed by a reflecting surface that is deformed together with the piezoelectric thin film by applying a voltage to the piezoelectric thin film to deform the surface shape of the piezoelectric thin film. In order to obtain reflected light without distortion, for example, a flat reflective surface needs to be formed in an initial state where no voltage is applied to the piezoelectric thin film.
凹凸のある表面の平坦化を図る方法として、半導体分野におけるフォトレジストを用いる方法が知られている。例えば、基板に形成された凹部の端部に近接して、凹部の影響を受けることなく導電通路や接触バンプの形状を正確に形成するために、その凹部をフォトレジストによって一時的に埋めて平坦な表面とし、その平坦な表面を利用してフォトリソグラフィなどの処理を行う方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。 As a method for flattening an uneven surface, a method using a photoresist in the semiconductor field is known. For example, close to the end of the recess formed in the substrate, in order to accurately form the shape of the conductive path and contact bump without being affected by the recess, the recess is temporarily filled with photoresist and flattened. A method of performing a process such as photolithography using a flat surface is known (see, for example, Patent Document 1).
また、フォトレジストを用いて微細構造を生成する際のフォトレジストの膜厚不均一性を解消するため、塗布したフォトレジストの表面にガラス基板の実質上平滑な表面を密着させ、ガラス基板を通して露光する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。 In addition, in order to eliminate the non-uniformity of the photoresist film thickness when producing a microstructure using a photoresist, the substantially smooth surface of the glass substrate is brought into close contact with the surface of the applied photoresist, and exposure is performed through the glass substrate. There is a known method (see, for example, Patent Document 2).
また、成膜時の結晶粒界を反映した凹凸形状を有するポリシリコン膜の表面を平坦化するため、ポリシリコン膜の上に、このポリシリコン膜のエッチング速度と略等しいエッチング速度を有するフォトレジスト層をスピンコート法によって形成し、その後、フォトレジスト層の平坦な表面から、ポリシリコン膜の内部に至るまでドライエッチングによって削り戻す方法が知られている（例えば、特許文献３参照）。
しかしながら、上述したような平坦化方法は、ダイヤフラム構造の圧電薄膜を用いる圧電薄膜デバイスおよび圧電薄膜デバイスの製造方法において、残留応力などにより撓んだ圧電薄膜の表面に平坦化された表面を備えるようにする場合、次のような問題がある。すなわち、特許文献１に示されるような方法は、フォトレジストによって凹部を埋めるもののその表面が平坦でないため、埋め込んだ部分のフォトレジストを残すように上部のフォトレジストを露光現像して、その後、平坦な面を形成するとされているが、このように露光現像によって一部のフォトレジストを残す条件設定は困難であり、実用的ではない。
However, the flattening method as described above has a flattened surface on the surface of the piezoelectric thin film that is bent due to residual stress or the like in the piezoelectric thin film device using the piezoelectric thin film having the diaphragm structure and the method for manufacturing the piezoelectric thin film device. There are the following problems. That is, in the method as disclosed in
また、特許文献２に示されるような方法は、ガラス基板という補助具を用いることや、ガラス基板を密着させるためにダイヤフラム構造に圧力を加えるなどのことから、圧電薄膜の表面に平坦化された表面を備えるための方法として適用できない。
Moreover, the method as shown in
また、特許文献３に示されるような方法は、ドライエッチングによって削り戻すための処理が複雑であり、また、ドライエッチング時の熱負荷によってダイヤフラム構造の熱変形が発生するので、やはり、ダイヤフラム構造の圧電薄膜の表面に平坦化された表面を備えるための方法として適用できない。
Moreover, the method as shown in
本発明は、上記課題を解消するものであって、簡単な構成により、ダイヤフラム構造の圧電薄膜における残留応力などにより撓んだ表面に平坦化された表面を備えた圧電薄膜デバイスおよび圧電薄膜デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-described problems, and provides a piezoelectric thin film device and a piezoelectric thin film device having a flattened surface due to a residual stress in a piezoelectric thin film having a diaphragm structure due to a simple structure. An object is to provide a manufacturing method.
上記課題を達成するために、請求項１の発明は、基板と、前記基板によって支持されたダイヤフラム構造の圧電薄膜と、前記圧電薄膜に電圧を印加して当該圧電薄膜の面形状を変形させるための薄膜電極と、を備えた圧電薄膜デバイスにおいて、前記圧電薄膜には当該圧電薄膜と共に変形可能な平坦化用の多層膜が積層されており、前記多層膜を構成する各層の膜は前記圧電薄膜からより遠い膜ほどその表面が平坦化されているものである。
To achieve the above object, the invention of
請求項２の発明は、請求項１に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、前記平坦化用の多層膜は樹脂、シリコン、または、常温硬化ガラスの中から選択される１つ以上の物質によって形成されているものである。 According to a second aspect of the present invention, in the piezoelectric thin film device according to the first aspect, the multi-layer film for planarization is formed of one or more substances selected from resin, silicon, or room temperature-curing glass. It is what.
請求項３の発明は、請求項１に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、前記平坦化用の多層膜はフォトレジストから成るものである。 A third aspect of the present invention is the piezoelectric thin film device according to the first aspect, wherein the planarizing multilayer film is made of a photoresist.
請求項４の発明は、請求項１に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、前記平坦化用の多層膜の上部には光を反射する反射膜層が形成されており、前記反射膜層は、金属薄膜、または、誘電体薄膜の中から選択される１つ以上の膜によって形成されているものである。 According to a fourth aspect of the present invention, in the piezoelectric thin film device according to the first aspect, a reflective film layer for reflecting light is formed on the flattening multilayer film, and the reflective film layer is a metal thin film. Or one or more films selected from dielectric thin films.
請求項５の発明は、請求項４に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、前記圧電薄膜は、前記薄膜電極を介して電圧が印加されることにより、前記反射膜層が凹面鏡または凸面鏡を形成するように変形するものである。 According to a fifth aspect of the present invention, in the piezoelectric thin film device according to the fourth aspect, the piezoelectric thin film is configured such that the reflective film layer forms a concave mirror or a convex mirror when a voltage is applied via the thin film electrode. It will be deformed.
請求項６の発明は、請求項１に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、前記圧電薄膜は、前記薄膜電極を介して電圧が印加されることにより、前記平坦化用の多層膜の平坦な表面の少なくとも一部を平坦に保って変形するものである。 According to a sixth aspect of the present invention, in the piezoelectric thin film device according to the first aspect, the piezoelectric thin film has at least a flat surface of the planarizing multilayer film when a voltage is applied via the thin film electrode. A part is kept flat and deformed.
請求項７の発明は、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、前記圧電薄膜はＰＺＴから成るものである。 According to a seventh aspect of the present invention, in the piezoelectric thin film device according to any one of the first to sixth aspects, the piezoelectric thin film is made of PZT.
請求項８の発明は、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、前記圧電薄膜の厚さが０．８μｍ以上５μｍ以下であり、前記多層膜の厚さが１μｍ以上２００μｍ以下のものである。 According to an eighth aspect of the present invention, in the piezoelectric thin film device according to any one of the first to seventh aspects, the thickness of the piezoelectric thin film is 0.8 μm or more and 5 μm or less, and the thickness of the multilayer film is 1 μm or more and 200 μm or less.
請求項９の発明は、請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、前記平坦化用の多層膜が、前記圧電薄膜にゼロでない所定の電圧を印加した状態において平坦な表面を有するものである。 A ninth aspect of the present invention is the piezoelectric thin film device according to any one of the first to eighth aspects, wherein the planarizing multilayer film is applied with a predetermined non-zero voltage on the piezoelectric thin film. It has a flat surface.
請求項１０の発明は、基板と、前記基板によって支持されたダイヤフラム構造の圧電薄膜と、前記圧電薄膜に電圧を印加して当該圧電薄膜の面形状を変形させるための薄膜電極と、を備えた圧電薄膜デバイスの製造方法において、基板に前記圧電薄膜と前記薄膜電極とを形成すると共に前記基板の一部を除去して前記圧電薄膜のダイヤフラム構造を形成する第１の工程と、前記工程によってダイヤフラム構造とされた圧電薄膜の上層に複数回のスピンコートによる成膜を行って多層膜を形成して当該圧電薄膜の上層に平坦な表面を形成する第２の工程と、を備えるものである。
The invention of
請求項１１の発明は、請求項１０に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、前記第２の工程により形成された平坦な表面に光を反射する反射膜層を形成する第３の工程をさらに備えるものである。 The eleventh aspect of the invention is the piezoelectric thin film device according to the tenth aspect, further comprising a third step of forming a reflective film layer that reflects light on the flat surface formed by the second step. is there.
請求項１２の発明は、請求項１１に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、前記スピンコートによって成膜する多層膜はフォトレジストから成るものである。 According to a twelfth aspect of the present invention, in the piezoelectric thin film device according to the eleventh aspect, the multilayer film formed by spin coating is made of a photoresist.
請求項１の発明によれば、圧電薄膜と共に変形可能であってダイヤフラム構造と略平行である平坦化された表面を有する平坦化用の多層膜が備えられているので、例えば、圧電薄膜デバイスを反射曲面を変形できる凹面鏡に用いる場合に、圧電薄膜に電圧を印加していない初期状態における平坦な反射表面を凹面に変形させて、歪のない凹面鏡による反射光を得ることができる。すなわち、圧電薄膜のダイヤフラム構造を形成する際に、残留応力などによって撓む不可避の表面形状の不確定な変形が発生したとしても、その変形を修正して平坦化した多層膜が存在するので、複数の圧電薄膜デバイスの動作特性の均一化が図られる。このような圧電薄膜デバイスは、制御が容易で使い勝手のよい安価で高精度のものとなる。 According to the first aspect of the present invention, since the flattening multilayer film having a flattened surface that is deformable together with the piezoelectric thin film and is substantially parallel to the diaphragm structure is provided, When used for a concave mirror capable of deforming a reflection curved surface, a flat reflecting surface in an initial state where no voltage is applied to the piezoelectric thin film is deformed into a concave surface, and reflected light from the concave mirror without distortion can be obtained. That is, when an inevitable deformation of the inevitable surface shape that is bent due to residual stress occurs when forming the diaphragm structure of the piezoelectric thin film, there is a multilayer film that is flattened by correcting the deformation, The operation characteristics of the plurality of piezoelectric thin film devices can be made uniform. Such a piezoelectric thin film device is easy to control, easy to use, inexpensive and highly accurate.
請求項２の発明によれば、圧電薄膜デバイスの用途に応じて、平坦化用の多層膜の、材料の異なる最適の圧電薄膜デバイスを選択できる。例えば、変形面積の大小、変形度合いの大小、圧電薄膜デバイスに要求される精度、価格、耐久性などに応じて、安価で特性の優れた最適の圧電薄膜デバイスを選択できる。 According to the second aspect of the present invention, it is possible to select an optimum piezoelectric thin film device made of a flattening multilayer film and made of different materials according to the application of the piezoelectric thin film device. For example, it is possible to select an optimum piezoelectric thin film device that is inexpensive and has excellent characteristics according to the size of the deformation area, the degree of deformation, the accuracy, price, and durability required for the piezoelectric thin film device.
請求項３の発明によれば、半導体技術分野で大量に使用されていて、特性が良く知られた豊富な種類を有するフォトレジストを用いているので、安価で高精度の圧電薄膜デバイスが提供される。
According to the invention of
請求項４の発明によれば、圧電薄膜デバイスの用途に応じて、反射膜層の材料の異なる最適の圧電薄膜デバイスを選択できる。例えば、反射させる光の波長、要求される反射率、圧電薄膜デバイスの価格などに応じて、最適の圧電薄膜デバイスを選択できる。 According to the fourth aspect of the present invention, an optimum piezoelectric thin film device having a different material for the reflective film layer can be selected according to the application of the piezoelectric thin film device. For example, the optimum piezoelectric thin film device can be selected according to the wavelength of light to be reflected, the required reflectance, the price of the piezoelectric thin film device, and the like.
請求項５の発明によれば、焦点距離可変の凹面鏡または凸面鏡を提供できる。圧電薄膜の変形によって形成される凹面鏡または凸面鏡の反射面は球面に限られず、従って、このような凹面鏡または凸面鏡は入射光の収差を修正するために用いることができる。
According to invention of
請求項６の発明によれば、例えば、平坦化用の多層膜の表面に光反射膜を備えた圧電薄膜デバイスの場合、角度可変の平面鏡や位置可変の平面鏡を提供できる。角度可変の平面鏡の場合、この圧電薄膜デバイスを用いて、反射光の方向を制御することができる。また、位置可変の平面鏡の場合、この圧電薄膜デバイスを用いて、平面鏡をその垂線方向に平行移動して、他の光学素子と平面鏡との距離を制御することができる。 According to the sixth aspect of the present invention, for example, in the case of a piezoelectric thin film device having a light reflecting film on the surface of a planarizing multilayer film, an angle variable plane mirror and a position variable plane mirror can be provided. In the case of an angle variable plane mirror, the direction of reflected light can be controlled using this piezoelectric thin film device. In the case of a position-variable plane mirror, the distance between another optical element and the plane mirror can be controlled by using the piezoelectric thin film device to translate the plane mirror in the perpendicular direction.
請求項７の発明によれば、従来から優れた特性を有する圧電薄膜材料としてよく知られたＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）を用いているので、安価で高精度の圧電薄膜デバイスが提供される。 According to the seventh aspect of the present invention, since PZT (lead zirconate titanate), which has been well known as a piezoelectric thin film material having excellent characteristics, is used, an inexpensive and highly accurate piezoelectric thin film device is provided. .
請求項８の発明によれば、圧電薄膜の厚さや多層膜の厚さを、圧電薄膜デバイスの大きさや用途によって所望の値となるように選択できる。比較的小型のものでは、例えば、光学ディスクなどの読み取りや書き込みなどに用いられるピックアップ光学系における収差修正用や焦点距離変更を行う反射鏡などに最適の圧電薄膜デバイスを提供でき、また、比較的大型のものでは、例えば、小型カメラの光学系の焦点距離可変反射鏡などに最適の圧電薄膜デバイスを提供できる。 According to the eighth aspect of the present invention, the thickness of the piezoelectric thin film and the thickness of the multilayer film can be selected to be a desired value depending on the size and application of the piezoelectric thin film device. For a relatively small device, for example, it is possible to provide an optimum piezoelectric thin film device for a reflection mirror for correcting an aberration or changing a focal length in a pickup optical system used for reading and writing of an optical disk, etc. In the case of a large-sized device, for example, a piezoelectric thin film device optimal for a variable focal length reflecting mirror of an optical system of a small camera can be provided.
請求項９の発明によれば、圧電薄膜に電圧を印加していない初期状態において、平坦面から変形された曲面、例えば、凹面を有しているので、要求される曲面形状近傍の初期状態の曲面を有する圧電薄膜デバイスを採用することによって、迅速に変形応答でき、また、より低い印加電圧で動作する圧電薄膜デバイスを提供できる。 According to the ninth aspect of the present invention, in the initial state in which no voltage is applied to the piezoelectric thin film, it has a curved surface deformed from a flat surface, for example, a concave surface. By adopting a piezoelectric thin film device having a curved surface, it is possible to provide a piezoelectric thin film device that can respond quickly to deformation and operate at a lower applied voltage.
請求項１０の発明によれば、ダイヤフラム構造とされた圧電薄膜の上層に複数回のスピンコートによる成膜を行って多層膜を形成するので、圧電薄膜からより遠い膜ほどその表面が平坦化された多層膜を容易に形成でき、ダイヤフラム構造の圧電薄膜における残留応力などにより撓んだ表面に平坦化された表面を備えた圧電薄膜デバイスを容易かつ安価に製造できる。
According to the invention of
請求項１１の発明によれば、安価で高精度の面形状可変の反射鏡を備えた圧電薄膜デバイスを容易に製造できる。 According to the eleventh aspect of the present invention, it is possible to easily manufacture a piezoelectric thin film device including an inexpensive and highly accurate reflecting mirror with a variable surface shape.
請求項１２の発明によれば、半導体技術分野で大量に使用されていて、特性が良く知られた豊富な種類を有するフォトレジストを用いるので、安価で高精度の圧電薄膜デバイスを製造できる。 According to the twelfth aspect of the present invention, since a photoresist having abundant types whose characteristics are well known and used in a large amount in the semiconductor technical field is used, an inexpensive and highly accurate piezoelectric thin film device can be manufactured.
以下、本発明の実施形態に係るダイヤフラム構造の圧電薄膜を備えた圧電薄膜デバイスおよび圧電薄膜デバイスの製造方法について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, a piezoelectric thin film device including a piezoelectric thin film having a diaphragm structure according to an embodiment of the present invention and a method for manufacturing the piezoelectric thin film device will be described with reference to the drawings.
（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態に係る圧電薄膜デバイスの断面を示し、図２は圧電薄膜デバイスの層構成を示し、図３は圧電薄膜デバイスの外観を示す。圧電薄膜デバイス１は、図１に示すように、基板２と、基板２によって支持されたダイヤフラム構造の圧電薄膜４と、圧電薄膜４に電圧を印加して当該圧電薄膜４の面形状を変形させるための薄膜電極３，５と、を備えている。この圧電薄膜デバイス１は、さらに、圧電薄膜４には当該圧電薄膜４と共に変形可能な平坦化用の多層膜７が積層されており、多層膜７を構成する各層の膜は圧電薄膜４からより遠い膜ほどその表面が平坦化されている。
(First embodiment)
1 shows a cross section of the piezoelectric thin film device according to the first embodiment, FIG. 2 shows a layer structure of the piezoelectric thin film device, and FIG. 3 shows an appearance of the piezoelectric thin film device. As shown in FIG. 1, the piezoelectric
基板２は、例えば、シリコンウエハから形成されたものであり、図２に示すように、その中央部にはダイヤフラム構造を形成するために、シリコンを除去した円形の開口２ａが形成されている。なお、基板２の開口２ａは、必ずしも貫通している必要はなく、その一部を残す非貫通孔として、基板２そのものがダイヤフラム構造を備えるようにしたものでもよい。
The
薄膜電極３，５は、圧電薄膜４を上下から挟む配置で設けられている。下側の薄膜電極３は、いわゆるベタ電極であって、圧電薄膜デバイス１の主面の全体に形成されている。上側の薄膜電極５は、圧電薄膜４のダイヤフラム構造部分を８分割してそれぞれ独立に電圧印加可能なように設けられた印加電極部５１と、各印加電極部５１に接続された電極端子部５２とを備えて構成されている。
The
圧電薄膜４は、薄膜電極３と同様に、圧電薄膜デバイス１の主面の略全体に形成されているが、隅部を一部除去することにより、薄膜電極３を露出させて電極取り出し面を形成している。圧電薄膜４は、圧電薄膜材料としてよく知られたＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）を用いて形成されている。
The piezoelectric
平坦化用の多層膜７は、例えば、フォトレジストによって形成されている。また、フォトレジストに替えて、樹脂、シリコン、常温硬化ガラスなどの中から選択される１つ以上の物質によって形成されたものでもよい。また、表面が平坦であって、圧電薄膜４と共に変形可能な多層膜が形成されているならば、これら以外のいずれであってもよい。
The
また、本実施形態では、多層膜７の上部に、光を反射する反射膜層８が形成されている。反射膜層８は、例えば、金属薄膜であり、また、誘電体薄膜の多層膜とすることもできる。すなわち、圧電薄膜デバイス１の用途に応じて、反射膜層８の材料の異なる最適の圧電薄膜デバイス１とすることができる。例えば、反射させる光の波長、要求される反射率、圧電薄膜デバイス１の価格などに応じて、最適の圧電薄膜デバイス１とすることができる。
In the present embodiment, the
上述のように、本実施形態の圧電薄膜デバイス１によれば、圧電薄膜４と共に変形可能であってダイヤフラム構造と略平行である平坦化された表面を有する多層膜７が備えられているので、例えば、圧電薄膜デバイス１を反射曲面を変形できる凹面鏡に用いる場合に、圧電薄膜４に電圧を印加していない初期状態における平坦な反射表面を凹面に変形させて、歪のない凹面鏡による反射光を得ることができる。
As described above, according to the piezoelectric
すなわち、圧電薄膜４のダイヤフラム構造を形成する際に、残留応力などによって撓む不可避の表面形状の不確定な変形が発生したとしても、その変形を修正して平坦化した多層膜７が存在するので、複数の圧電薄膜デバイス１の動作特性の均一化が図られる。このような圧電薄膜デバイス１は、制御が容易で使い勝手のよい安価で高精度のものとなっている。
That is, even when an inevitable deformation of the inevitable surface shape that is bent due to residual stress or the like occurs when the diaphragm structure of the piezoelectric
また、圧電薄膜デバイス１の用途に応じて、多層膜７の材料の異なる最適の圧電薄膜デバイス１とすることができる。例えば、変形面積の大小、変形度合いの大小、圧電薄膜デバイス１に要求される精度、価格、耐久性などに応じて、安価で特性の優れた最適の圧電薄膜デバイス１とすることができる。多層膜７として、半導体技術分野で大量に使用されていて、特性が良く知られた豊富な種類を有するフォトレジストを用いた場合、安価で高精度の圧電薄膜デバイス１が提供される。
Moreover, according to the use of the piezoelectric
また、上述の圧電薄膜４の厚さは、０．８μｍ以上５μｍ以下が好適であり、多層膜７の厚さは、１μｍ以上２００μｍ以下が好適である。圧電薄膜４の厚さや多層膜７の厚さは、圧電薄膜デバイス１の大きさや用途によって所望の値を選択することができる。例えば、圧電薄膜デバイス１が、比較的小型の場合、光学ディスクなどの読み取りや書き込みなどに用いられるピックアップ光学系における収差修正用や焦点距離変更を行う形状可変反射鏡などに好適に用いることができる。また、圧電薄膜デバイス１が、比較的大型の場合、小型カメラの光学系の焦点距離可変反射鏡などに好適に用いることができる。
The thickness of the piezoelectric
（第２の実施形態）
次に、図４（ａ）〜（ｄ）、図５を参照して、第２の実施形態に係る圧電薄膜デバイスの製造方法を説明する。この圧電薄膜デバイスの製造方法は、例えば、第１の実施形態の圧電薄膜デバイスを製造する方法である。そこで、図１、図２、図３を参照して、製造方法の概要を述べ、その後、各工程毎に詳細を述べる。
(Second Embodiment)
Next, a manufacturing method of the piezoelectric thin film device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. The method for manufacturing the piezoelectric thin film device is, for example, a method for manufacturing the piezoelectric thin film device of the first embodiment. Therefore, an outline of the manufacturing method will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 3, and then details will be described for each process.
本製造方法は、基板２上に圧電薄膜４と薄膜電極３，５とを形成すると共に基板２の一部を除去して圧電薄膜４のダイヤフラム構造を形成する第１の工程と、前記工程によってダイヤフラム構造とされた圧電薄膜４の上層に複数回のスピンコートによる成膜を行って多層膜７を形成して圧電薄膜４の上層に平坦な表面を形成する第２の工程と、第２の工程により形成された多層膜７の上に光を反射する反射膜層８を形成する第３の工程と、を備えている。
The manufacturing method includes a first step of forming the piezoelectric
（第１の工程）
図４（ａ）（ｂ）と図５のステップＳ１〜Ｓ６は第１の工程の詳細を示す。なお、以下において、各ステップ名の後に、適宜便宜上の工程名を名付けて付記する。
(First step)
Steps S1 to S6 in FIGS. 4A and 4B and FIG. 5 show details of the first step. In the following, process names for convenience are appropriately named after each step name.
まず、ステップＳ１（下部薄膜電極形成工程）において、シリコンウエハ（以下、Ｓｉ基板２）上に下部薄膜電極３を成膜する。Ｓｉ基板２は、例えば、通常の半導体ＩＣの製造に用いられるシリコンウエハである。下部薄膜電極３は、金属膜のスパッタ成膜によって行われる。下部薄膜電極３は、例えば、Ｔｉ（チタン）を成膜し、その上にＰｔ（白金）を成膜する２層構造とされ、その厚さは、数１０ｎｍ〜数１００ｎｍである。
First, in step S1 (lower thin film electrode forming step), a lower
次に、ステップＳ２（圧電薄膜形成工程）において、下部薄膜電極３上に圧電薄膜４を成膜する。圧電薄膜４は、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）薄膜であり、スパッタ成膜法により、厚さ２〜３μｍに成膜する。
Next, in step S <b> 2 (piezoelectric thin film forming step), the piezoelectric
次に、ステップＳ３において、圧電薄膜４上にフォトレジストによるパターニングされたリフトオフ層を成膜し、ステップＳ４において、圧電薄膜４とリフトオフ層の上に上部薄膜電極５を成膜し、その後、ステップＳ５において、リフトオフ層をその上の電極用膜と共に除去（リフトオフ）する（以上、上部薄膜電極形成工程）。これにより、例えば、図２に示されるようなパターニングされた上部薄膜電極５が形成される。この、ステップＳ５までの処理が終了した状態が、図２（ａ）に示されている。
Next, in step S3, a lift-off layer patterned with a photoresist is formed on the piezoelectric
この上部薄膜電極５のパターンは、圧電薄膜デバイス１の機能や用途に応じて、任意に設計することができる。
The pattern of the upper
上部薄膜電極５は、例えば、Ａｕ（金），Ｐｔ（白金），Ａｌ（アルミニューム）などの金属材料を用いて、例えば、厚さ数１０ｎｍ〜数１００ｎｍとなるように、スパッタや蒸着などの方法によって成膜する。上部薄膜電極５のパターニングは、上述のようにリフトオフ法によって行うので、リフトオフ層となるフォトレジスト層は、電極用の金属膜を付けない部分に残るようにパターニングして形成される。
The upper
次に、ステップＳ６（シリコンエッチング工程）の処理が行われて、図４（ｂ）に示す状態となり、この第１の工程が終了する。ステップＳ６において、Ｓｉ基板２の裏側にフォトレジストによるマスクパターンを形成し、マスクパターンの開口部のシリコンをエッチング除去して開口２ａを形成することにより、圧電薄膜４のダイヤフラム構造を形成する。シリコンのエッチングは、例えば、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置を用いたドライエッチングによって行う。なお、開口２ａの形状は、図２に示したような円形に限らず、楕円形や四角形等の形状とすることができる。
Next, the process of step S6 (silicon etching process) is performed, and it will be in the state shown in FIG.4 (b), and this 1st process will be complete | finished. In step S6, a mask pattern made of a photoresist is formed on the back side of the
この際、下部薄膜電極３まで、つまり、Ｓｉ基板を貫通するまではエッチングしないで、シリコン層を僅かに残しておく。例えば、厚さ数μｍ〜数１０μｍ（デバイスのサイズに依存して最適値が変化する）のシリコン層を残すことにより、圧電薄膜４の破損の防止や、ハンドリングの容易さという効果が得られる。
At this time, the silicon layer is left slightly without etching until the lower thin-
上述のようにして形成された圧電薄膜４のダイヤフラム構造は、通常、残留応力などによる不可避の撓みや、表面形状の不確定な変形が発生している。そこで、次の工程によって、この撓みや変形を表面から見えないようにする。
In the diaphragm structure of the piezoelectric
（第２の工程）
図４（ｃ）と図５のステップＳ７（多層膜形成工程），Ｓ９は、第２の工程の詳細を示す。ステップＳ７において、圧電薄膜４と上部薄膜電極５の上に電気絶縁物からなる多層膜７を一層ずつ形成する。多層膜７は、フォトレジストで形成するのが簡便かつ好適である。フォトレジストを矢印７０で示すようにスピンコートし、必要に応じてパターニングを行い、露光し、硬化させる工程をｎ回繰り返す。多層膜７を構成する層数ｎは、予め決めておき、ステップＳ７，Ｓ８がｎ回繰り返される。
(Second step)
Steps S7 (multilayer film forming step) and S9 in FIG. 4C and FIG. 5 show details of the second step. In step S7, the
フォトレジストとして、例えば、化薬マイクロケム社製ＳＵ−８（グレードによって動粘度が異なり、３．８×１０−４〜４５×１０−４ｍ２／ｓである）を用いることができる。一層毎の成膜条件は、例えば、スピンコートの回転数が２０００〜４０００ｒｐｍ、ソフトベークの温度が６５℃で数分間、その後、９５℃で数分間である。その後、フォトレジストは自然冷却される。パターニングは、露光、ポストベーク、現像、洗浄という手順で行われる。 As the photoresist, for example, SU-8 manufactured by Kayaku Microchem Co., Ltd. (the kinematic viscosity varies depending on the grade and is 3.8 × 10 −4 to 45 × 10 −4 m 2 / s) can be used. The film forming conditions for each layer are, for example, a spin coat rotational speed of 2000 to 4000 rpm, a soft baking temperature of 65 ° C. for several minutes, and then 95 ° C. for several minutes. Thereafter, the photoresist is naturally cooled. Patterning is performed by the procedures of exposure, post-baking, development, and cleaning.
また、必要に応じて、滴下前のフォトレジストに対して真空脱泡処理を加える。一層の厚さは、数μｍ〜数１０μｍ程度であり、例えば、２層〜３層形成される。このようにして形成された多層膜７の表面粗さは、光学干渉測定装置による計測でＲａ３３ｎｍなどの値が得られる。
Further, if necessary, a vacuum defoaming process is applied to the photoresist before dropping. The thickness of one layer is about several μm to several tens of μm, and for example, two to three layers are formed. As for the surface roughness of the
このような多層膜７を形成することにより、例えば、面形状可変の反射鏡を形成する場合、多層膜７によって、その下のダイヤフラム構造の撓みや変形の影響を回避することができる。
By forming such a
また、多層膜７を形成する材料として、フォトレジストの他に、樹脂、シリコン、常温硬化ガラスなどを用いることができる。例えば、シリコンは、有機溶剤にポリシランを溶かした、いわゆる液体シリコンを用いることができる。
Further, as a material for forming the
（第３の工程）
図４（ｄ）と図５のステップＳ９（反射膜層形成工程）は、第３の工程を示す。ステップＳ９において、多層膜７の上面に金属膜を成膜して反射膜層８を形成する。反射膜層８用の金属として、例えば、Ａｌ、Ａｕなどを用いることができる。これらの金属は、例えば、メタルマスクを用いて、スパッタ成膜や蒸着によって成膜される。Ａｌの場合、その厚さは、例えば、０．５μｍである。反射膜層８の外形形状は、例えば、長径１３ｍｍ、短径１０ｍｍの楕円であり、この場合、当然、開口２ａの形状もこの楕円形状に見合った形状とされている。
(Third step)
Step S9 (reflective film layer forming step) in FIG. 4D and FIG. 5 shows a third step. In step S <b> 9, a metal film is formed on the upper surface of the
（第４の工程）
図５のステップＳ１０は、個片化工程を示す。上述した圧電薄膜デバイス製造方法の各工程は、通常の半導体ＩＣの製造工程と同様に、１枚のＳｉ基板２の上に多数の圧電薄膜デバイスを一括して形成する工程である。上述の反射膜層８を形成する第３の工程が終了した後、Ｓｉ基板２は、ダイシングされて、個々に個片化された多数の圧電薄膜デバイスが得られる。
(Fourth process)
Step S10 in FIG. 5 shows a singulation process. Each process of the piezoelectric thin film device manufacturing method described above is a process of forming a large number of piezoelectric thin film devices on a
（第３の実施形態）
次に、図７を参照して、第３の実施形態に係る圧電薄膜デバイスを説明する。圧電薄膜デバイスは、第１の実施形態で示したように、上下の薄膜電極３，５を介して圧電薄膜４に印加する電圧によって、圧電薄膜４の曲面形状を変化させるものである。すなわち、上下薄膜電極３，５、特に、上部薄膜電極５の印加電極部５１の形状、個数（分割数）、分布形状、および、各印加電極部に印加する電圧の大きさと相互の大小関係などによって、圧電薄膜４の曲面形状を所望の形状に変化させることができる。
(Third embodiment)
Next, a piezoelectric thin film device according to a third embodiment will be described with reference to FIG. As shown in the first embodiment, the piezoelectric thin film device changes the curved surface shape of the piezoelectric
そこで、図７に示すように、圧電薄膜４と、圧電薄膜４を挟むように形成された上下の薄膜電極３，５と、多層膜７と、その上の反射膜層８とを備えた圧電薄膜デバイス１において、圧電薄膜４に、薄膜電極３，５を介して電圧を印加することにより、反射膜層８が所望の曲率半径Ｒを有する凸面鏡を形成するように変形させることができる。このような圧電薄膜デバイス１は、上部薄膜電極５を適切に設計し、例えば、上述の第２の実施形態で示した製造方法を用いることにより、製造することができる。
Therefore, as shown in FIG. 7, a piezoelectric film comprising a piezoelectric
（第４の実施形態）
次に、図７を参照して、第４の実施形態に係る圧電薄膜デバイスを説明する。本実施形態の圧電薄膜デバイス１は、上述の第３の実施形態が凸面鏡を形成するように反射膜層８を変形させるのに対し、凹面鏡を形成するように反射膜層８を変形させるものである。このような圧電薄膜デバイス１は、上部薄膜電極５を適切に設計し、例えば、上述の第２の実施形態で示した製造方法を用いることにより、製造することができる。
(Fourth embodiment)
Next, a piezoelectric thin film device according to a fourth embodiment will be described with reference to FIG. The piezoelectric
上述のように、第３または第４の実施形態に係る圧電薄膜デバイス１によれば、焦点距離可変の凸面鏡や凹面鏡が得られる。圧電薄膜４の変形によって形成される凸面鏡または凹面鏡の反射面は球面に限られず、従って、このような凸面鏡または凹面鏡は入射光の収差を修正するために用いることができる。
As described above, according to the piezoelectric
（第５の実施形態）
次に、図８を参照して、第５の実施形態に係る圧電薄膜デバイスを説明する。本実施形態の圧電薄膜デバイス１は、例えば、上述の第２の実施形態で示した圧電薄膜デバイスの製造方法を用いて製造できるものであり、圧電薄膜４が、薄膜電極３，５を介して電圧が印加されることにより、多層膜７の平坦な表面の少なくとも一部を平坦に保って変形する。すなわち、本実施形態の圧電薄膜デバイス１は、矢印ａで示すように、多層膜７の上面に形成された反射膜層８の反射面を平行移動するものである。
(Fifth embodiment)
Next, a piezoelectric thin film device according to a fifth embodiment will be described with reference to FIG. The piezoelectric
（第６の実施形態）
次に、図９を参照して、第６の実施形態に係る圧電薄膜デバイスを説明する。本実施形態の圧電薄膜デバイス１は、上述の第５の実施形態と同様に、圧電薄膜４が、薄膜電極３，５を介して電圧が印加されることにより、多層膜７の平坦な表面の少なくとも一部を平坦に保って変形するものであり、多層膜７の上面に形成された反射膜層８の反射面が、矢印ｂで示すように回動可能なものである。
(Sixth embodiment)
Next, a piezoelectric thin film device according to a sixth embodiment will be described with reference to FIG. In the piezoelectric
上述のように、第５または第６の実施形態に係る圧電薄膜デバイス１によれば、多層膜７の表面に備えた反射膜層８を用いて、位置可変の平面鏡や角度可変の平面鏡を提供できる。例えば、位置可変の平面鏡の場合、この圧電薄膜デバイス１を用いて、平面鏡をその垂線方向に平行移動することにより、この平面鏡と他の光学素子との距離を制御することができる。そこで、この圧電薄膜デバイス１は、例えば、平行平面鏡間を多重反射させて波長選択を行うエタロンフィルタにおける距離可変反射鏡を構成する素子として用いることができる。
As described above, according to the piezoelectric
また、回動動作による角度可変の平面鏡の場合、この圧電薄膜デバイス１を用いて、反射光の方向を制御することができるので、このデバイスを、ファイバ通信網などにおける光スイッチングデバイスの構成素子として用いることができる。
Further, in the case of a plane mirror having a variable angle by a rotating operation, the direction of the reflected light can be controlled by using the piezoelectric
（第７の実施形態）
次に、図１０を参照して、上述の第２の実施形態で示した圧電薄膜デバイスの製造方法を用いて製造された圧電薄膜デバイス、または、第１の実施形態で示したような圧電薄膜デバイスの使用例を説明する。図１０は、光ディスク１０に対する光ピックアップ光学系を示す。このような光ピックアップにおいて、レーザ素子１１から発せられたレーザ光は、コリメータレンズ１２により平行光に変換され、偏向ビームスプリッタ１３、およびλ／４板１４を通り、圧電薄膜デバイス１で構成された形状可変ミラーによって反射され、対物レンズ１５で集光されて光ディスク１０に焦点を結ぶ。
(Seventh embodiment)
Next, referring to FIG. 10, the piezoelectric thin film device manufactured by using the method for manufacturing the piezoelectric thin film device shown in the second embodiment, or the piezoelectric thin film as shown in the first embodiment. A device usage example will be described. FIG. 10 shows an optical pickup optical system for the
また、光ディスク１０から反射したレーザ光は、対物レンズ１５を通り、圧電薄膜デバイス１で反射され、λ／４板１４、および偏向ビームスプリッタ１３を通り、偏向ビームスプリッタ１３によって偏向されて光検出光学系１７で集光され、光検出素子１８によって検出される。光検出素子１８は、いわゆるチルト検出用の検出素子も含んでいる。
The laser light reflected from the
このような光学系において、光ディスク１０がレーザ光の光軸に垂直な位置から傾くと、光ディスク１０から反射して戻ってきたレーザ光の波面が乱れて、波面収差（コマ収差）が発生する。つまり、光ディスク１０の受光面がレーザ光の光軸に対して垂直でなくなって、いわゆるチルトが発生すると、波面収差発生し、この波面収差が反射光に含まれることになる。そこで、圧電薄膜デバイス１で構成された形状可変ミラーを、予め波面収差を打ち消すように変形させることにより、チルト、従って、波面収差の影響を回避することができる。
In such an optical system, when the
（第８の実施形態）
次に、第８の実施形態に係る圧電薄膜デバイスについて説明する。本実施形態の圧電薄膜デバイスは、第１の実施形態や第７の実施形態で示したような圧電薄膜デバイス１であって、多層膜７が、圧電薄膜４にゼロでない所定の電圧を印加した状態において平坦な表面を有するものである。このような圧電薄膜デバイス１は、多層膜７を形成する際に、圧電薄膜４に所定の電圧を印加して形状変形させた状態で、多層膜７を形成することにより製造される。
(Eighth embodiment)
Next, a piezoelectric thin film device according to an eighth embodiment will be described. The piezoelectric thin film device of this embodiment is the piezoelectric
本実施形態の圧電薄膜デバイス１によれば、圧電薄膜４に電圧を印加していない初期状態において、平坦面から変形された曲面、例えば、凹面を有するようにできるので、面形状可変素子として要求される曲面形状近傍の初期状態の曲面を有する圧電薄膜デバイス１を採用することによって、迅速な変形応答や、より低い印加電圧での動作を実現することができる。
According to the piezoelectric
なお、本発明は、上記構成に限られることなく種々の変形が可能である。例えば、上述の各実施形態は、多層膜７の表面に反射膜層８を備えた例を示しているが、圧電薄膜デバイス１は、多層膜７の平坦な表面を利用するデバイスを提供するものであり、用途によっては、反射膜層８を備える必要はない。
The present invention is not limited to the above-described configuration, and various modifications can be made. For example, each of the above-described embodiments shows an example in which the
なお、本発明は、上記構成に限られることなく種々の変形が可能である。 The present invention is not limited to the above-described configuration, and various modifications can be made.
１ 圧電薄膜デバイス
２ 基板
３ 薄膜電極（下部）
４ 圧電薄膜
５ 薄膜電極（上部）
７ 多層膜
８ 反射膜層
1 Piezoelectric
4 Piezoelectric
7
Claims (12)
前記圧電薄膜には当該圧電薄膜と共に変形可能な平坦化用の多層膜が積層されており、前記多層膜を構成する各層の膜は前記圧電薄膜からより遠い膜ほどその表面が平坦化されていることを特徴とする圧電薄膜デバイス。 In a piezoelectric thin film device comprising: a substrate; a piezoelectric thin film having a diaphragm structure supported by the substrate; and a thin film electrode for applying a voltage to the piezoelectric thin film to deform a surface shape of the piezoelectric thin film.
The piezoelectric thin film is laminated with a multilayer film for flattening that can be deformed together with the piezoelectric thin film, and the film of each layer constituting the multilayer film is flattened as the film is farther from the piezoelectric thin film. A piezoelectric thin film device characterized by that.
基板に前記圧電薄膜と前記薄膜電極とを形成すると共に前記基板の一部を除去して前記圧電薄膜のダイヤフラム構造を形成する第１の工程と、
前記工程によってダイヤフラム構造とされた圧電薄膜の上層に複数回のスピンコートによる成膜を行って多層膜を形成して当該圧電薄膜の上層に平坦な表面を形成する第２の工程と、を備えることを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法。 In a method of manufacturing a piezoelectric thin film device, comprising: a substrate; a piezoelectric thin film having a diaphragm structure supported by the substrate; and a thin film electrode for applying a voltage to the piezoelectric thin film to deform a surface shape of the piezoelectric thin film ,
A first step of forming the piezoelectric thin film and the thin film electrode on a substrate and removing a part of the substrate to form a diaphragm structure of the piezoelectric thin film;
And a second step of forming a multilayer film on the upper layer of the piezoelectric thin film having a diaphragm structure by the above-described process to form a multilayer film to form a flat surface on the upper layer of the piezoelectric thin film. A method for manufacturing a piezoelectric thin film device.
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|---|---|---|---|---|
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| WO2013158806A1 (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-24 | California Institute Of Technology | Deformable mirrors and methods of making the same |
| JP2014233190A (en) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | 株式会社デンソー | Shape variable element |
| JP2015018094A (en) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 株式会社デンソー | Variable shape optical element |
| US9444032B2 (en) | 2013-07-31 | 2016-09-13 | Denso Corporation | Piezoelectric element and method of producing the same |
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2007
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8110963B2 (en) | 2008-12-17 | 2012-02-07 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic transducer, ultrasonic transducer array, and ultrasonic device |
| US8344595B2 (en) | 2008-12-17 | 2013-01-01 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic transducer, ultrasonic transducer array, and ultrasonic device |
| US8664830B2 (en) | 2008-12-17 | 2014-03-04 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic device |
| WO2013158806A1 (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-24 | California Institute Of Technology | Deformable mirrors and methods of making the same |
| JP2014233190A (en) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | 株式会社デンソー | Shape variable element |
| JP2015018094A (en) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 株式会社デンソー | Variable shape optical element |
| US9444032B2 (en) | 2013-07-31 | 2016-09-13 | Denso Corporation | Piezoelectric element and method of producing the same |
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