JP2008206258A - Battery circuit, and battery pack - Google Patents

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Toshiyuki Nakatsuji
俊之 仲辻
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a battery circuit capable of reducing an increase in the on-state resistance of a field effect transistor provided into the charge/discharge path of a secondary battery, even if the terminal voltage of the second battery is lowered, and a battery pack. <P>SOLUTION: The battery circuit includes FET 21, 22 for opening/closing the charge/discharge path of a battery pack 14, an on/off control unit 211 for controlling the on/off of the FET 21, 22, a voltage detection circuit 15 for detecting the terminal voltage of the battery pack 14, and a booster part 25 for boosting the terminal voltage of the battery pack 14 by the magnification corresponding to the instruction of the on/off control unit 211 to output the boosted terminal voltage as the on-voltage for turning on the FET 21, 22, wherein the on/off control unit 211 increases the magnification as the terminal voltage of the battery pack 14 is lowered, and the on-voltage output from the booster part 25 is applied as the inter-gate/source voltage of the FET 21, 22 to turn on the FET. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、二次電池を用いた電池回路、及び電池パックに関する。   The present invention relates to a battery circuit using a secondary battery and a battery pack.

図6は、背景技術に係る電池パックの構成を示す回路図であり、図6(a)はFET(電界効果トランジスタ)107としてNチャネルのFETを使用した場合を示し、図6(b)はFET107としてPチャネルのFETを使用した場合を示している。図6に示す電池パック100は、二次電池101、接続端子102,103、電流センサ104、過電流検出回路105、バッファ106、及びFET(電界効果トランジスタ)107を備えている。二次電池101は、例えばリチウムイオン二次電池が3個直列に接続された組電池にされている。   FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a battery pack according to the background art. FIG. 6A shows a case where an N-channel FET is used as the FET (field effect transistor) 107, and FIG. A case where a P-channel FET is used as the FET 107 is shown. A battery pack 100 shown in FIG. 6 includes a secondary battery 101, connection terminals 102 and 103, a current sensor 104, an overcurrent detection circuit 105, a buffer 106, and an FET (field effect transistor) 107. The secondary battery 101 is, for example, an assembled battery in which three lithium ion secondary batteries are connected in series.

以下、図6(a)に示す電池パック100について説明する。FET107は、二次電池101と接続端子102との間に接続されている。また、通常、FET107のゲートにハイレベルの電圧が印加されてオン状態にされており、二次電池101が接続端子102,103を介して充放電可能な状態にされている。また、過電流検出回路105によって過電流が検出された場合に、FET107がオフされることで二次電池101及びFETが過電流により劣化することが防止されるようになっている。   Hereinafter, the battery pack 100 shown in FIG. 6A will be described. The FET 107 is connected between the secondary battery 101 and the connection terminal 102. In general, a high level voltage is applied to the gate of the FET 107 to turn it on, and the secondary battery 101 can be charged and discharged via the connection terminals 102 and 103. Further, when an overcurrent is detected by the overcurrent detection circuit 105, the FET 107 is turned off to prevent the secondary battery 101 and the FET from deteriorating due to the overcurrent.

具体的には、電流センサ104による電流検出値に基づき過電流検出回路105によって過電流が検出されるようになっている。そして、過電流検出回路105によって過電流が検出されていなければ、過電流検出回路105から出力された制御信号に応じてバッファ106からハイレベルの電圧がFET107のゲートへ出力されて、FET107がオンする。一方、過電流検出回路105によって過電流が検出されると、過電流検出回路105からFET107をオフさせるための制御信号がバッファ106へ出力され、バッファ106の出力電圧がローレベルにされてFET107がオフするようになっている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2006−210409号公報
Specifically, the overcurrent is detected by the overcurrent detection circuit 105 based on the current detection value by the current sensor 104. If no overcurrent is detected by the overcurrent detection circuit 105, a high level voltage is output from the buffer 106 to the gate of the FET 107 according to the control signal output from the overcurrent detection circuit 105, and the FET 107 is turned on. To do. On the other hand, when an overcurrent is detected by the overcurrent detection circuit 105, a control signal for turning off the FET 107 is output from the overcurrent detection circuit 105 to the buffer 106, the output voltage of the buffer 106 is set to a low level, and the FET 107 is turned on. It is turned off (see, for example, Patent Document 1).
JP 2006-210409 A

ところで、電池パック100に電気機器が接続され、電池パック100から電気機器の駆動用電力を供給する際には、通常二次電池101以外に電源が存在しないから、過電流検出回路105及びバッファ106の動作用電源電圧は、二次電池101から供給される。そうすると、FET107をオンさせるためにバッファ106から出力される電圧は、二次電池の出力電圧とほぼ等しくなるため、二次電池101の放電が進んで二次電池の出力電圧が低下すると、FET107のゲート電圧も低下する。   By the way, when an electric device is connected to the battery pack 100 and electric power for driving the electric device is supplied from the battery pack 100, there is usually no power source other than the secondary battery 101. Therefore, an overcurrent detection circuit 105 and a buffer 106 are provided. The operation power supply voltage is supplied from the secondary battery 101. Then, since the voltage output from the buffer 106 to turn on the FET 107 becomes substantially equal to the output voltage of the secondary battery, when the discharge of the secondary battery 101 proceeds and the output voltage of the secondary battery decreases, the FET 107 The gate voltage also decreases.

図7は、FETのゲート−ソース間電圧VgsとFETのオン抵抗Ronとの関係の一例を示すグラフである。図7(a)は周囲温度Taが25℃の場合におけるゲート−ソース間電圧Vgs、オン抵抗Ron、及びFETを流れるドレイン電流Idの関係を示し、図7(b)はドレイン電流Idが18A〜4.5Aの場合におけるゲート−ソース間電圧Vgs、オン抵抗Ron、及びFETの周囲温度Taの関係を示している。   FIG. 7 is a graph showing an example of the relationship between the gate-source voltage Vgs of the FET and the on-resistance Ron of the FET. FIG. 7A shows the relationship among the gate-source voltage Vgs, the on-resistance Ron, and the drain current Id flowing through the FET when the ambient temperature Ta is 25 ° C., and FIG. The relationship between the gate-source voltage Vgs, the on-resistance Ron, and the ambient temperature Ta of the FET in the case of 4.5 A is shown.

図7(a)に示すように、ゲート−ソース間電圧Vgs、すなわちFET107のゲート電圧が高いほど、オン抵抗Ronは小さくなる。また、図7(b)に示すように、周囲温度Taが上昇するほどオン抵抗Ronは大きくなる。   As shown in FIG. 7A, the higher the gate-source voltage Vgs, that is, the gate voltage of the FET 107, the smaller the on-resistance Ron. Further, as shown in FIG. 7B, the on-resistance Ron increases as the ambient temperature Ta increases.

図8は、リチウムイオン二次電池の放電特性の一例を示すグラフである。リチウムイオン二次電池は、各セルメーカーや品種によって種々の放電特性を示すものがあり、例えばグラフG101に示すように4.2Vの充電電圧から徐々に端子電圧が低下する標準的なものの他、グラフG102に示すように平均電圧が高めのものや、グラフG103に示すように平均電圧が低く、低電圧まで放電可能にすることで、高容量化を図るもの等がある。   FIG. 8 is a graph showing an example of discharge characteristics of the lithium ion secondary battery. Some lithium ion secondary batteries exhibit various discharge characteristics depending on each cell manufacturer and product type. For example, as shown in the graph G101, in addition to a standard battery whose terminal voltage gradually decreases from a charging voltage of 4.2 V, As shown in the graph G102, there are those having a high average voltage, and as shown in the graph G103, the average voltage is low and the discharge can be performed up to a low voltage, thereby increasing the capacity.

図8に示すように、リチウムイオン二次電池の場合、放電開始時の4.2V付近から、公称容量を放電し終わる放電末期時には、3V〜2.5V程度まで、端子電圧が低下する。そうすると、二次電池101の放電末期では、FET107のゲート電圧が低下してオン抵抗Ronが増大する。また、電池パック100から電力が供給される電気機器は、一定の電力を必要としているから、二次電池101の端子電圧が低下すると、一定の電力を確保するために二次電池101の出力電流、すなわちFET107を流れる電流は増加する。このように、二次電池101の放電末期には、二次電池101の端子電圧の低下に伴いFET107のオン抵抗Ronと、FET107を流れる電流とが共に増大するため、加速度的にFET107の発熱量が増大し、FET107の劣化を招くおそれがあった。   As shown in FIG. 8, in the case of a lithium ion secondary battery, the terminal voltage decreases from around 4.2 V at the start of discharge to about 3 V to 2.5 V at the end of discharge when the nominal capacity is completely discharged. Then, at the end of discharge of the secondary battery 101, the gate voltage of the FET 107 decreases and the on-resistance Ron increases. In addition, since the electric device to which power is supplied from the battery pack 100 requires constant power, when the terminal voltage of the secondary battery 101 decreases, the output current of the secondary battery 101 is ensured to ensure constant power. That is, the current flowing through the FET 107 increases. Thus, at the end of discharge of the secondary battery 101, the on-resistance Ron of the FET 107 and the current flowing through the FET 107 both increase as the terminal voltage of the secondary battery 101 decreases. As a result, the FET 107 may be deteriorated.

本発明は、このような事情に鑑みて為された発明であり、二次電池の端子電圧が低下した場合であっても、二次電池の充放電経路に設けられた電界効果トランジスタのオン抵抗が増大することを低減することができる電池回路、及び電池パックを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and even when the terminal voltage of the secondary battery is lowered, the on-resistance of the field effect transistor provided in the charge / discharge path of the secondary battery An object of the present invention is to provide a battery circuit and a battery pack that can reduce an increase in the battery pack.

本発明に係る電池回路は、二次電池と、前記二次電池の負極に接続される第1端子と、前記二次電池の正極に接続される第2端子と、前記第1端子から前記二次電池を介して前記第2端子に至る電流経路を開閉する電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのオン、オフを制御するオンオフ制御部と、前記二次電池の端子電圧を検出する電圧検出部と、前記二次電池の端子電圧を、前記オンオフ制御部の指示に応じた倍率で昇圧し、前記電界効果トランジスタをオンさせるためのオン電圧として出力する昇圧部とを備え、前記オンオフ制御部は、前記電界効果トランジスタをオンする場合において、前記電圧検出部により検出された端子電圧が低下するほど前記倍率を増大させるように前記昇圧部に指示すると共に、前記昇圧部から出力されたオン電圧を前記電界効果トランジスタのゲート−ソース間電圧として印加することでオンさせる。   The battery circuit according to the present invention includes a secondary battery, a first terminal connected to the negative electrode of the secondary battery, a second terminal connected to the positive electrode of the secondary battery, and the second terminal to the second terminal. A field effect transistor that opens and closes a current path to the second terminal via the secondary battery; an on / off control unit that controls on / off of the field effect transistor; and a voltage detection unit that detects a terminal voltage of the secondary battery. And a boosting unit that boosts the terminal voltage of the secondary battery at a magnification according to an instruction from the on / off control unit and outputs the voltage as an on voltage for turning on the field effect transistor, the on / off control unit comprising: When the field effect transistor is turned on, the booster is instructed to increase the magnification as the terminal voltage detected by the voltage detector decreases, and the booster The gate of the output on-voltage the field effect transistors - are turned on by applying a source voltage.

この構成によれば、オンオフ制御部によって、電界効果トランジスタがオン、オフされると、二次電池を充放電するための電流経路が開閉される。また、オンオフ制御部によって、電圧検出部により検出された端子電圧が低下するほど昇圧部による二次電池の端子電圧の昇圧倍率が増大させるように指示され、当該指示に応じた倍率で昇圧されたオン電圧が、電界効果トランジスタのゲート−ソース間電圧として印加されることで電界効果トランジスタがオンされる。この場合、二次電池の端子電圧が低下し、当該端子電圧に基づき電界効果トランジスタのゲート−ソース間に印加される電圧が低下して電界効果トランジスタのオン抵抗が増大するおそれがある場合、二次電池の端子電圧の昇圧倍率が増大されて電界効果トランジスタのゲート−ソース間電圧として印加される結果、二次電池の充放電経路に設けられた電界効果トランジスタのオン抵抗の増大が低減される。   According to this configuration, when the field effect transistor is turned on / off by the on / off control unit, a current path for charging / discharging the secondary battery is opened / closed. Further, the ON / OFF control unit instructs that the boosting factor of the terminal voltage of the secondary battery by the boosting unit increases as the terminal voltage detected by the voltage detecting unit decreases, and the boosting unit boosts the voltage at a rate according to the instruction. The on-voltage is applied as a gate-source voltage of the field effect transistor, so that the field effect transistor is turned on. In this case, when the terminal voltage of the secondary battery decreases, the voltage applied between the gate and the source of the field effect transistor based on the terminal voltage may decrease, and the on-resistance of the field effect transistor may increase. The step-up ratio of the terminal voltage of the secondary battery is increased and applied as a gate-source voltage of the field effect transistor, and as a result, an increase in the on-resistance of the field effect transistor provided in the charge / discharge path of the secondary battery is reduced. .

また、前記昇圧部は、前記オンオフ制御部の指示に応じて、前記倍率を予め設定された設定倍率と1倍とで切り替えるものであり、前記オンオフ制御部は、前記電界効果トランジスタをオンする場合において、前記電圧検出部により検出された前記端子電圧が所定の閾値電圧を超えていれば、前記昇圧部の倍率を1倍に切り替える第1の指示を行い、前記電圧検出部により検出された前記端子電圧が前記閾値電圧以下であれば、前記昇圧部の倍率を前記設定倍率に切り替える第2の指示を行うことが好ましい。   The boosting unit switches the magnification between a preset setting magnification and 1 in accordance with an instruction from the on / off control unit, and the on / off control unit turns on the field effect transistor. If the terminal voltage detected by the voltage detection unit exceeds a predetermined threshold voltage, a first instruction to switch the magnification of the boosting unit to 1 is performed, and the voltage detection unit detects the voltage detected by the voltage detection unit. If the terminal voltage is equal to or lower than the threshold voltage, it is preferable to perform a second instruction to switch the magnification of the booster to the set magnification.

この構成によれば、二次電池の端子電圧が閾値電圧を超えていれば、オンオフ制御部によって昇圧部による昇圧の倍率が1倍に切り替えられる結果、二次電池の端子電圧が電界効果トランジスタのゲート−ソース間電圧として印加されて、電界効果トランジスタがオンされる。また、二次電池の端子電圧が低下して閾値電圧以下になると、オンオフ制御部によって昇圧部による昇圧の倍率が予め設定された設定倍率に切り替えられて昇圧され、昇圧部により昇圧された電圧が電界効果トランジスタのゲート−ソース間電圧として印加されて電界効果トランジスタがオンされるので、二次電池の端子電圧が閾値電圧以下に低下し、電界効果トランジスタのオン抵抗が増大するおそれがある場合、二次電池の端子電圧が昇圧されて電界効果トランジスタのゲート−ソース間電圧として印加される結果、二次電池の充放電経路に設けられた電界効果トランジスタのオン抵抗の増大が低減される。   According to this configuration, if the terminal voltage of the secondary battery exceeds the threshold voltage, the on / off control unit switches the boosting ratio of the boosting unit to 1 so that the terminal voltage of the secondary battery becomes the field effect transistor. Applied as a gate-source voltage, the field effect transistor is turned on. In addition, when the terminal voltage of the secondary battery decreases to be equal to or lower than the threshold voltage, the on / off control unit switches the boosting factor by the boosting unit to a preset setting factor and boosts the voltage. Since the field effect transistor is turned on by being applied as a gate-source voltage of the field effect transistor, there is a possibility that the terminal voltage of the secondary battery is lowered to a threshold voltage or less and the on-resistance of the field effect transistor is increased. As a result of boosting the terminal voltage of the secondary battery and applying it as the gate-source voltage of the field effect transistor, an increase in the on-resistance of the field effect transistor provided in the charge / discharge path of the secondary battery is reduced.

また、前記電界効果トランジスタの温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部により検出された温度が高いほど前記閾値電圧が高くなるように、当該閾値電圧を設定する閾値電圧設定部とをさらに備えることが好ましい。   A temperature detection unit that detects a temperature of the field effect transistor; and a threshold voltage setting unit that sets the threshold voltage such that the threshold voltage increases as the temperature detected by the temperature detection unit increases. It is preferable to provide.

この構成によれば、電界効果トランジスタの温度が高いほど閾値電圧が高くなるように、閾値電圧設定部によって当該閾値電圧が設定される。電界効果トランジスタは温度が高いほどオン抵抗が増大するので、電界効果トランジスタの温度が高く、オン抵抗が増大するほど閾値電圧を増大することで、温度上昇によるオン抵抗の増大を電界効果トランジスタのゲート−ソース間電圧の増大によって相殺することができる結果、温度上昇によるオン抵抗の増大を低減することができる。   According to this configuration, the threshold voltage is set by the threshold voltage setting unit so that the threshold voltage increases as the temperature of the field effect transistor increases. Since the on-resistance increases as the temperature increases, the on-resistance increases as the temperature increases, and the threshold voltage increases as the on-resistance increases. As a result of being able to cancel out by increasing the source-to-source voltage, an increase in on-resistance due to a temperature rise can be reduced

また、前記電界効果トランジスタは、前記二次電池の負極と前記第1端子との間に接続されたnチャネルの電界効果トランジスタであり、前記昇圧部は、キャパシタと、前記二次電池の正極と前記キャパシタの一端との間の接続を開閉する第1スイッチ部と、前記二次電池の負極と前記キャパシタの他端との間の接続を開閉する第2スイッチ部と、前記二次電池の正極と前記キャパシタの他端との間の接続を開閉する正側昇圧スイッチ部とを備えると共に前記キャパシタの一端に生じた電圧を前記オン電圧として出力し、前記オンオフ制御部は、前記第1の指示として、前記第1及び第2スイッチ部をオンさせると共に前記正側昇圧スイッチ部をオフさせる指示を行い、前記第2の指示として、前記第1及び第2スイッチ部をオフさせると共に前記正側昇圧スイッチ部をオンさせる指示を行うと共に、前記昇圧部から出力されたオン電圧を前記電界効果トランジスタのゲート−ソース間に印加することが好ましい。   The field effect transistor is an n-channel field effect transistor connected between a negative electrode of the secondary battery and the first terminal, and the boosting unit includes a capacitor, a positive electrode of the secondary battery, A first switch that opens and closes a connection between one end of the capacitor; a second switch that opens and closes a connection between the negative electrode of the secondary battery and the other end of the capacitor; and a positive electrode of the secondary battery And a positive-side boost switch unit that opens and closes a connection between the capacitor and the other end of the capacitor, and outputs a voltage generated at one end of the capacitor as the ON voltage, and the ON / OFF control unit includes the first instruction The first and second switch units are turned on and the positive boost switch unit is instructed to be turned off. As the second instruction, the first and second switch units are turned off. It performs an instruction to turn on the positive step-up switch unit, the on-voltage output from the boosting section gate of the field effect transistor - is preferably applied between the source.

この構成によれば、二次電池の端子電圧が閾値電圧を超えていれば、オンオフ制御部によって、第1及び第2スイッチ部がオンされると共に正側昇圧スイッチ部がオフされることで二次電池の正極電位が電界効果トランジスタのゲートに印加され、二次電池の端子電圧が電界効果トランジスタのゲート−ソース間に印加されることで電界効果トランジスタがオンされる。また、二次電池の端子電圧が閾値電圧以下であれば、オンオフ制御部によって、第1及び第2スイッチ部がオフされると共に正側昇圧スイッチ部がオンされることで二次電池の端子電圧にキャパシタの充電電圧が加算されることにより昇圧された電圧が、電界効果トランジスタのゲート−ソース間に印加されることで電界効果トランジスタがオンされる。この構成によれば、昇圧部を簡素化することができる。   According to this configuration, if the terminal voltage of the secondary battery exceeds the threshold voltage, the on / off control unit turns on the first and second switch units and turns off the positive side boost switch unit. The positive potential of the secondary battery is applied to the gate of the field effect transistor, and the terminal voltage of the secondary battery is applied between the gate and source of the field effect transistor to turn on the field effect transistor. If the terminal voltage of the secondary battery is equal to or lower than the threshold voltage, the on / off control unit turns off the first and second switch units and turns on the positive side boost switch unit to turn on the secondary battery terminal voltage. The voltage boosted by adding the charging voltage of the capacitor is applied between the gate and the source of the field effect transistor to turn on the field effect transistor. According to this configuration, the booster can be simplified.

また、前記電界効果トランジスタは、前記二次電池の正極と前記第2端子との間に接続されたpチャネルの電界効果トランジスタであり、前記昇圧部は、キャパシタと、前記二次電池の正極と前記キャパシタの一端との間の接続を開閉する第1スイッチ部と、前記二次電池の負極と前記キャパシタの他端との間の接続を開閉する第2スイッチ部と、前記二次電池の負極と前記キャパシタの一端との間の接続を開閉する負側昇圧スイッチ部とを備えると共に前記キャパシタの他端に生じた電圧を前記オン電圧として出力し、前記オンオフ制御部は、前記第1の指示として、前記第1及び第2スイッチ部をオンさせると共に前記負側昇圧スイッチ部をオフさせる指示を行い、前記第2の指示として、前記第1及び第2スイッチ部をオフさせると共に前記負側昇圧スイッチ部をオンさせる指示を行うと共に、前記昇圧部から出力されたオン電圧を前記電界効果トランジスタのゲート−ソース間に印加することが好ましい。   The field effect transistor is a p-channel field effect transistor connected between a positive electrode of the secondary battery and the second terminal, and the boosting unit includes a capacitor, a positive electrode of the secondary battery, A first switch that opens and closes a connection between one end of the capacitor; a second switch that opens and closes a connection between the negative electrode of the secondary battery and the other end of the capacitor; and a negative electrode of the secondary battery And a negative-side boost switch unit that opens and closes a connection between the capacitor and one end of the capacitor, and outputs a voltage generated at the other end of the capacitor as the ON voltage, and the ON / OFF control unit includes the first instruction The first and second switch units are turned on and the negative boost switch unit is instructed to be turned off. As the second instruction, the first and second switch units are turned off. It performs an instruction to turn on the negative side boost switch unit, the on-voltage output from the boosting section gate of the field effect transistor - is preferably applied between the source.

この構成によれば、二次電池の端子電圧が閾値電圧を超えていれば、オンオフ制御部によって、第1及び第2スイッチ部がオンされると共に負側昇圧スイッチ部がオフされて二次電池の負極電位が電界効果トランジスタのゲートに印加され、二次電池の端子電圧が電界効果トランジスタのゲート−ソース間に印加されることで電界効果トランジスタがオンされる。また、二次電池の端子電圧が閾値電圧以下であれば、オンオフ制御部によって、前記第1及び第2スイッチ部がオフされると共に前記負側昇圧スイッチ部がオンされることで二次電池の端子電圧にキャパシタの充電電圧が加算されることにより昇圧された電圧の負電位側が電界効果トランジスタのゲートに印加される結果、昇圧部により昇圧された電圧が電界効果トランジスタのゲート−ソース間に印加されることで電界効果トランジスタがオンされる。この構成によれば、昇圧部を簡素化することができる。   According to this configuration, if the terminal voltage of the secondary battery exceeds the threshold voltage, the on / off control unit turns on the first and second switch units and turns off the negative boost switch unit to turn off the secondary battery. Is applied to the gate of the field effect transistor, and the terminal voltage of the secondary battery is applied between the gate and source of the field effect transistor to turn on the field effect transistor. In addition, if the terminal voltage of the secondary battery is equal to or lower than the threshold voltage, the on / off control unit turns off the first and second switch units and turns on the negative boost switch unit to turn on the secondary battery. As a result of applying the negative potential side of the voltage boosted by adding the capacitor charging voltage to the terminal voltage to the gate of the field effect transistor, the voltage boosted by the booster is applied between the gate and source of the field effect transistor. As a result, the field effect transistor is turned on. According to this configuration, the booster can be simplified.

また、前記二次電池の異常を検出する異常検出部をさらに備え、前記オンオフ制御部は、前記異常検出部により異常が検出された場合、前記電界効果トランジスタをオフすることが好ましい。この構成によれば、二次電池に異常が生じた場合、異常検出部により当該異常が検出され、オンオフ制御部によって、前記電界効果トランジスタがオフされて、二次電池の充放電電流経路が開かれることで、二次電池が保護される。   Further, it is preferable that an abnormality detection unit that detects an abnormality of the secondary battery is further provided, and the on / off control unit turns off the field effect transistor when an abnormality is detected by the abnormality detection unit. According to this configuration, when an abnormality occurs in the secondary battery, the abnormality is detected by the abnormality detection unit, the field effect transistor is turned off by the on / off control unit, and the charge / discharge current path of the secondary battery is opened. As a result, the secondary battery is protected.

また、前記二次電池を充電するための充電電圧を、前記第1及び第2端子を介して前記二次電池に印加することにより、当該二次電池を充電する充電部をさらに備えることが好ましい。この構成によれば、充電部によって充電電圧が二次電池に印加されると、二次電池が充電されると共に、充電部から供給された充電電圧が二次電池の端子電圧として得られるので、電界効果トランジスタのゲート−ソース間電圧として印加するための端子電圧、及び昇圧部で昇圧するための端子電圧を、充電部から供給することができる。そうすると、二次電池の端子電圧が、昇圧部で昇圧しても、電界効果トランジスタを低抵抗でオンさせることができなくなるほど低下した場合であっても、充電部から供給された充電電圧に基づき電界効果トランジスタをオンさせることで、電界効果トランジスタのオン抵抗を低減することができる。   Moreover, it is preferable to further include a charging unit that charges the secondary battery by applying a charging voltage for charging the secondary battery to the secondary battery via the first and second terminals. . According to this configuration, when the charging voltage is applied to the secondary battery by the charging unit, the secondary battery is charged and the charging voltage supplied from the charging unit is obtained as the terminal voltage of the secondary battery. A terminal voltage to be applied as a gate-source voltage of the field effect transistor and a terminal voltage to be boosted by the boosting unit can be supplied from the charging unit. Then, even if the terminal voltage of the secondary battery is lowered so that the field effect transistor cannot be turned on with a low resistance even when boosted by the booster, it is based on the charging voltage supplied from the charger. By turning on the field effect transistor, the on-resistance of the field effect transistor can be reduced.

また、本発明に係る電池パックは、上述の電池回路を備える。この構成によれば、電池パック内において、二次電池の端子電圧が低下した場合であっても、二次電池の充放電経路に設けられた電界効果トランジスタのオン抵抗が増大することを低減することができる。   A battery pack according to the present invention includes the above-described battery circuit. According to this configuration, even when the terminal voltage of the secondary battery decreases in the battery pack, the increase in the on-resistance of the field effect transistor provided in the charge / discharge path of the secondary battery is reduced. be able to.

このような構成の電池回路、及び電池パックは、オンオフ制御部によって、電界効果トランジスタがオン、オフされると、二次電池を充放電するための電流経路が開閉される。また、オンオフ制御部によって、電圧検出部により検出された端子電圧が低下するほど昇圧部による二次電池の端子電圧の昇圧倍率が増大させるように指示され、当該指示に応じた倍率で昇圧されたオン電圧が、電界効果トランジスタのゲート−ソース間電圧として印加されることで電界効果トランジスタがオンされる。この場合、二次電池の端子電圧が低下し、当該端子電圧に基づき電界効果トランジスタのゲート−ソース間に印加される電圧が低下して電界効果トランジスタのオン抵抗が増大するおそれがある場合、二次電池の端子電圧の昇圧倍率が増大されて電界効果トランジスタのゲート−ソース間電圧として印加される結果、二次電池の充放電経路に設けられた電界効果トランジスタのオン抵抗の増大が低減される。   In the battery circuit and the battery pack having such a configuration, when the field effect transistor is turned on and off by the on / off control unit, a current path for charging and discharging the secondary battery is opened and closed. Further, the ON / OFF control unit instructs that the boosting factor of the terminal voltage of the secondary battery by the boosting unit increases as the terminal voltage detected by the voltage detecting unit decreases, and the boosting unit boosts the voltage at a rate according to the instruction. The on-voltage is applied as a gate-source voltage of the field effect transistor, so that the field effect transistor is turned on. In this case, when the terminal voltage of the secondary battery decreases, the voltage applied between the gate and the source of the field effect transistor based on the terminal voltage may decrease, and the on-resistance of the field effect transistor may increase. The step-up ratio of the terminal voltage of the secondary battery is increased and applied as a gate-source voltage of the field effect transistor, and as a result, an increase in the on-resistance of the field effect transistor provided in the charge / discharge path of the secondary battery is reduced. .

以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。   Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, the structure which attached | subjected the same code | symbol in each figure shows that it is the same structure, The description is abbreviate | omitted.

(第1実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る電池回路を用いた電池システム、及び電池パックの構成の一例を示すブロック図である。この電池システム1は、電池パック2に、それを充電する充電器3を備えて構成されるが、電池パック2から給電が行われる図示しない負荷機器をさらに含めて電子機器システムが構成されてもよい。その場合、電池パック2は、図1では充電器3から充電が行われるけれども、該電池パック2が前記負荷機器に装着されて、負荷機器を通して充電が行われてもよい。
(First embodiment)
FIG. 1 is a block diagram showing an example of the configuration of a battery system using a battery circuit and a battery pack according to the first embodiment of the present invention. The battery system 1 includes a battery pack 2 that includes a charger 3 that charges the battery pack 2. However, even if an electronic device system is configured to further include a load device (not shown) that receives power from the battery pack 2. Good. In that case, although the battery pack 2 is charged from the charger 3 in FIG. 1, the battery pack 2 may be attached to the load device and charged through the load device.

電池パック2は、端子11、端子12、GND端子13、組電池14(二次電池)、電圧検出回路15(電圧検出部)、温度センサ17、温度センサ19(温度検出部)、制御IC18、FET21,22(電界効果トランジスタ)、バッファ23,24、及び昇圧部25を備えている。また、制御IC18は、アナログデジタル(A/D)変換器201と、制御部202と、通信部203とを備えている。   The battery pack 2 includes a terminal 11, a terminal 12, a GND terminal 13, an assembled battery 14 (secondary battery), a voltage detection circuit 15 (voltage detection unit), a temperature sensor 17, a temperature sensor 19 (temperature detection unit), a control IC 18, FETs 21 and 22 (field effect transistors), buffers 23 and 24, and a booster 25 are provided. The control IC 18 includes an analog / digital (A / D) converter 201, a control unit 202, and a communication unit 203.

充電器3は、端子31,32、GND端子33、制御IC34、及び充電電圧供給回路35(充電部)を備えている。なお、制御部202を電池パック2に備える例に限られず、充電器3に制御部202を備えるようにしてもよい。また、制御部202を電池パック2と充電器3で分担して備えるようにしてもよい。   The charger 3 includes terminals 31 and 32, a GND terminal 33, a control IC 34, and a charging voltage supply circuit 35 (charging unit). The control unit 202 is not limited to the example provided in the battery pack 2, and the charger 3 may include the control unit 202. Further, the control unit 202 may be shared by the battery pack 2 and the charger 3.

電池パック2および充電器3は、給電を行う直流ハイ側の端子11,31と、通信信号の端子12,32と、給電および通信信号のためのGND端子13,33とによって相互に接続される。前記負荷機器が設けられる場合も、同様の端子が設けられる。この場合、GND端子13は第1端子の一例に相当し、端子11は第2端子の一例に相当している。   The battery pack 2 and the charger 3 are connected to each other by DC high-side terminals 11 and 31 for supplying power, communication signal terminals 12 and 32, and GND terminals 13 and 33 for power supply and communication signals. . Similar terminals are also provided when the load device is provided. In this case, the GND terminal 13 corresponds to an example of a first terminal, and the terminal 11 corresponds to an example of a second terminal.

なお、電池システム1は、必ずしも電池パック2と充電器3とに分離可能に構成されるものに限られず、電池システム1全体で一つの電池回路として構成されていてもよい。この場合、端子11及びGND端子13は、組電池14を充放電するための電流経路を充電電圧供給回路35と接続するものであればよく、例えばコネクタであってもよく、ランドやパッド等の配線パターンであってもよい。   The battery system 1 is not necessarily limited to the battery pack 2 and the charger 3 that are separable, and the battery system 1 as a whole may be configured as one battery circuit. In this case, the terminal 11 and the GND terminal 13 are only required to connect a current path for charging / discharging the assembled battery 14 to the charging voltage supply circuit 35, and may be, for example, a connector such as a land or a pad. It may be a wiring pattern.

電池パック2では、端子11は、組電池14の正極に接続されている。また、端子13は、充電用のFET21と放電用のFET22とを介して組電池14の負極に接続されており、端子13からFET21,22、及び組電池14を介して端子11に至る電流経路が構成されている。FET21,22は、寄生ダイオードの向きが互いに逆になるように接続されている。   In the battery pack 2, the terminal 11 is connected to the positive electrode of the assembled battery 14. The terminal 13 is connected to the negative electrode of the assembled battery 14 via the charging FET 21 and the discharging FET 22, and the current path from the terminal 13 to the terminal 11 via the FETs 21 and 22 and the assembled battery 14. Is configured. The FETs 21 and 22 are connected so that the directions of the parasitic diodes are opposite to each other.

そして、FET21,22間の電圧が、制御部202に入力されている。これにより、組電池14の充放電電流が過大になると、FET22のオン抵抗によってFET21,22間の電圧が上昇し、制御部202で過電流を検知することができるようになっている。組電池14は、複数、例えば三個の二次電池141,142,143が直列に接続された組電池である。二次電池141,142,143は、例えばリチウムイオン二次電池である。   A voltage between the FETs 21 and 22 is input to the control unit 202. Thereby, when the charging / discharging current of the assembled battery 14 becomes excessive, the voltage between the FETs 21 and 22 increases due to the on-resistance of the FET 22, and the control unit 202 can detect the overcurrent. The assembled battery 14 is an assembled battery in which a plurality of, for example, three secondary batteries 141, 142, and 143 are connected in series. The secondary batteries 141, 142, and 143 are, for example, lithium ion secondary batteries.

温度センサ17は、二次電池141,142,143の温度を検出する温度センサである。温度センサ19は、電池パック2内の環境温度、すなわちFET21,22の周囲温度Taを検出することで、間接的にFET21,22の温度を検出する。なお、温度センサ19は、FET21,22の温度を直接検出するものであってもよい。   The temperature sensor 17 is a temperature sensor that detects the temperatures of the secondary batteries 141, 142, and 143. The temperature sensor 19 detects the temperature of the FETs 21 and 22 indirectly by detecting the environmental temperature in the battery pack 2, that is, the ambient temperature Ta of the FETs 21 and 22. The temperature sensor 19 may directly detect the temperature of the FETs 21 and 22.

そして、二次電池141,142,143の温度は温度センサ17によって検出され、FET21,22の温度は温度センサ19によって検出され、制御IC18内のアナログデジタル変換器201に入力される。また、組電池14の端子電圧Vout、及び二次電池141,142,143の各端子電圧V1,V2,V3は電圧検出回路15(電圧検出部)によってそれぞれ読取られ、制御IC18内のアナログデジタル変換器201に入力される。アナログデジタル変換器201は、各入力値をデジタル値に変換して、制御部202へ出力する。   The temperatures of the secondary batteries 141, 142, and 143 are detected by the temperature sensor 17, and the temperatures of the FETs 21 and 22 are detected by the temperature sensor 19 and input to the analog / digital converter 201 in the control IC 18. Further, the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 and the terminal voltages V1, V2, and V3 of the secondary batteries 141, 142, and 143 are read by the voltage detection circuit 15 (voltage detection unit), respectively, and analog-digital conversion in the control IC 18 is performed. Is input to the device 201. The analog-digital converter 201 converts each input value into a digital value and outputs the digital value to the control unit 202.

図2は、昇圧部25の構成の一例を示す回路図である。図2に示す昇圧部25は、キャパシタC1と、組電池14の正極とキャパシタC1の一端との間の接続を開閉するスイッチSW1(第1スイッチ部)と、組電池14の負極とキャパシタC1の他端との間の接続を開閉するスイッチSW2(第2スイッチ部)と、組電池14の正極とキャパシタC1の他端との間の接続を開閉するスイッチSW3(正側昇圧スイッチ部)と備えている。また、平滑用のキャパシタC2が、キャパシタC1の一端と組電池14の負極、すなわちグラウンドとの間に接続されている。そして、キャパシタC1とキャパシタC2との間に設けたダイオードDにて、キャパシタC2から電池側への逆流防止を行い、キャパシタC2の電位を安定させている。   FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of the configuration of the booster 25. 2 includes a capacitor C1, a switch SW1 (first switch unit) that opens and closes a connection between the positive electrode of the assembled battery 14 and one end of the capacitor C1, and a negative electrode of the assembled battery 14 and the capacitor C1. A switch SW2 (second switch unit) that opens and closes the connection between the other ends and a switch SW3 (positive side boost switch unit) that opens and closes the connection between the positive electrode of the assembled battery 14 and the other end of the capacitor C1. ing. A smoothing capacitor C2 is connected between one end of the capacitor C1 and the negative electrode of the assembled battery 14, that is, the ground. A diode D provided between the capacitor C1 and the capacitor C2 prevents backflow from the capacitor C2 to the battery side, and stabilizes the potential of the capacitor C2.

スイッチSW1,SW2,SW3は、例えばトランジスタ等のスイッチング素子であり、制御部202からの制御信号に応じてオン、オフするようになっている。なお、平滑用のキャパシタC2を備えない構成としてもよい。   The switches SW1, SW2, and SW3 are switching elements such as transistors, for example, and are turned on and off according to a control signal from the control unit 202. The smoothing capacitor C2 may not be provided.

そして、キャパシタC1の一端に生じた電圧が、バッファ23,24の動作用電源電圧Vpとして出力されるようになっている。   The voltage generated at one end of the capacitor C1 is output as the operation power supply voltage Vp for the buffers 23 and 24.

制御部202は、例えば所定の演算処理を実行するCPU(Central Processing Unit)と、所定の制御プログラムが記憶されたROM(Read Only Memory)と、データを一時的に記憶するRAM(Random Access Memory)と、これらの周辺回路等とを備えて構成され、ROMに記憶された制御プログラムを実行することにより、オンオフ制御部211、閾値電圧設定部212、異常検出部213、及び充電処理部214として機能する。   The control unit 202 includes, for example, a CPU (Central Processing Unit) that executes predetermined arithmetic processing, a ROM (Read Only Memory) that stores a predetermined control program, and a RAM (Random Access Memory) that temporarily stores data. And these peripheral circuits and the like, and functions as an on / off control unit 211, a threshold voltage setting unit 212, an abnormality detection unit 213, and a charging processing unit 214 by executing a control program stored in the ROM. To do.

異常検出部213は、アナログデジタル変換器201からの各入力値や、FET21,22間の電圧から、端子11,13間の短絡や充電器3からの異常電流などの電池パック2の外部における異常、組電池14の異常な温度上昇等の異常を検出する検出部で、このような異常を検出した場合、当該異常を検出した旨の信号をオンオフ制御部211へ出力する。具体的には、異常検出部213は、例えば、FET21,22間の電圧が上昇して例えばハイレベルになると、充電器3からの異常電流に基づく過電流異常が生じたと判定し、例えば電圧検出回路15で検出された電圧が急激に低下すると端子11,13間の短絡異常が生じたと判定し、例えば温度センサ17によって検出された二次電池141,142,143の温度が予め設定された異常温度判定閾値を超えると、組電池14の異常が生じたと判定し、異常が生じた旨の信号をオンオフ制御部211へ出力する。   The abnormality detection unit 213 detects an abnormality outside the battery pack 2 such as a short circuit between the terminals 11 and 13 or an abnormal current from the charger 3 from each input value from the analog-digital converter 201 or a voltage between the FETs 21 and 22. When such an abnormality is detected by the detection unit that detects an abnormality such as an abnormal temperature rise in the assembled battery 14, a signal indicating that the abnormality has been detected is output to the on / off control unit 211. Specifically, for example, when the voltage between the FETs 21 and 22 rises to, for example, a high level, the abnormality detection unit 213 determines that an overcurrent abnormality based on the abnormal current from the charger 3 has occurred, for example, voltage detection When the voltage detected by the circuit 15 rapidly decreases, it is determined that a short circuit abnormality between the terminals 11 and 13 has occurred. For example, the temperature of the secondary batteries 141, 142, and 143 detected by the temperature sensor 17 is preset. When the temperature determination threshold is exceeded, it is determined that an abnormality has occurred in the assembled battery 14 and a signal indicating that an abnormality has occurred is output to the on / off control unit 211.

オンオフ制御部211は、バッファ23を介してFET21のゲートに接続され、バッファ24を介してFET22のゲートに接続されている。バッファ23,24の電源端子には、昇圧部25の出力電圧が供給され、バッファ23,24のグラウンド(GND)端子は、グラウンドに接続されている。   The on / off control unit 211 is connected to the gate of the FET 21 through the buffer 23 and is connected to the gate of the FET 22 through the buffer 24. The power supply terminals of the buffers 23 and 24 are supplied with the output voltage of the booster 25, and the ground (GND) terminals of the buffers 23 and 24 are connected to the ground.

バッファ23,24は、オンオフ制御部211から、FET21,22をオンさせる旨の信号を受信すると、昇圧部25から出力された動作用電源電圧Vp(オン電圧)をFET21,22のゲートへ出力することで、FET21,22をオンさせる。また、バッファ23,24は、オンオフ制御部211から、FET21,22をオフさせる旨の信号を受信すると、0VをFET21,22のゲートへ出力することで、FET21,22をオフさせる。なお、バッファ23,24は、例えば制御IC18に内蔵されたI/Oバッファであってもよい。   When the buffers 23 and 24 receive a signal to turn on the FETs 21 and 22 from the on / off control unit 211, the buffers 23 and 24 output the operation power supply voltage Vp (on voltage) output from the boosting unit 25 to the gates of the FETs 21 and 22. As a result, the FETs 21 and 22 are turned on. When the buffers 23 and 24 receive a signal to turn off the FETs 21 and 22 from the on / off control unit 211, the buffers 23 and 24 output 0V to the gates of the FETs 21 and 22, thereby turning off the FETs 21 and 22. The buffers 23 and 24 may be I / O buffers built in the control IC 18, for example.

なお、バッファ23,24を備えず、例えば昇圧部25から出力された動作用電源電圧VpをFET21,22のゲートに常時印加しておき、FET21のゲート−ソース間、及びFET22のゲート−ソース間に、それぞれ抵抗とスイッチング素子との直列回路を接続し、オンオフ制御部211からの制御信号に応じてFET21のゲート−ソース間、及びFET22のゲート−ソース間のスイッチング素子をオン、オフさせることで、FET21,22のオン、オフを制御するようにしてもよい。   Note that the buffers 23 and 24 are not provided, and for example, the operation power supply voltage Vp output from the booster 25 is always applied to the gates of the FETs 21 and 22, and between the gate and source of the FET 21 and between the gate and source of the FET 22. In addition, a series circuit of a resistor and a switching element is connected to each other, and the switching elements between the gate and source of the FET 21 and between the gate and source of the FET 22 are turned on and off according to a control signal from the on / off control unit 211. The FETs 21 and 22 may be turned on / off.

そして、オンオフ制御部211は、通常時はバッファ23,24をオンさせて、昇圧部25から出力された動作用電源電圧Vpをバッファ23,24によってFET21,22のゲートへ印加させることにより、FET21,22をオン状態にしている。   The on / off control unit 211 normally turns on the buffers 23 and 24 and applies the operation power supply voltage Vp output from the boosting unit 25 to the gates of the FETs 21 and 22 by the buffers 23 and 24. , 22 are turned on.

また、オンオフ制御部211は、FET21,22をオンする場合において、電圧検出回路15により検出された端子電圧Voutが閾値電圧設定部212により設定された閾値電圧Vthを超えていれば、スイッチSW1,SW2をオンさせると共にスイッチSW3をオフさせる指示(第1の指示)を行い、キャパシタC1とスイッチSW1との接続点に生じた電圧、すなわち組電池14の端子電圧Voutをバッファ23,24へ動作用電源電圧Vpとして供給させる。一方、オンオフ制御部211は、電圧検出回路15により検出された端子電圧Voutが、閾値電圧Vth以下であれば、スイッチSW1,SW2をオフさせると共にスイッチSW3をオンさせる指示(第2の指示)を行い、キャパシタC1とスイッチSW1との接続点に生じた電圧、すなわち組電池14の端子電圧VoutとキャパシタC1の充電電圧とが加算された電圧を、バッファ23,24へ動作用電源電圧Vpとして供給させる。この場合、キャパシタC1の充電電圧は、端子電圧Voutに等しいから、Vp=Vout+Voutとなる。すなわち昇圧部25は、昇圧の倍率が2倍に設定されている。   Further, when the FETs 21 and 22 are turned on, the on / off control unit 211 switches the switches SW1 and SW1 if the terminal voltage Vout detected by the voltage detection circuit 15 exceeds the threshold voltage Vth set by the threshold voltage setting unit 212. An instruction (first instruction) to turn on SW2 and turn off switch SW3 is issued, and the voltage generated at the connection point between the capacitor C1 and the switch SW1, that is, the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 is used for operating the buffers 23 and 24. The power supply voltage Vp is supplied. On the other hand, when the terminal voltage Vout detected by the voltage detection circuit 15 is equal to or lower than the threshold voltage Vth, the on / off control unit 211 gives an instruction to turn off the switches SW1 and SW2 and turn on the switch SW3 (second instruction). The voltage generated at the connection point between the capacitor C1 and the switch SW1, that is, the voltage obtained by adding the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 and the charging voltage of the capacitor C1 is supplied to the buffers 23 and 24 as the operation power supply voltage Vp. Let In this case, since the charging voltage of the capacitor C1 is equal to the terminal voltage Vout, Vp = Vout + Vout. That is, the boosting unit 25 is set to double the boosting factor.

また、オンオフ制御部211は、異常検出部213により異常が検出されると、FET12,13をオフさせて、過電流や過熱等の異常から、組電池14を保護する保護動作を行う。   In addition, when an abnormality is detected by the abnormality detection unit 213, the on / off control unit 211 turns off the FETs 12 and 13 and performs a protective operation to protect the assembled battery 14 from abnormalities such as overcurrent and overheating.

閾値電圧設定部212は、温度センサ19により検出された周囲温度Taが高いほど閾値電圧Vthが高くなるように、閾値電圧Vthを設定する。   The threshold voltage setting unit 212 sets the threshold voltage Vth so that the threshold voltage Vth increases as the ambient temperature Ta detected by the temperature sensor 19 increases.

充電処理部214は、アナログデジタル変換器201からの各入力値に応答して、充電器3に対して、出力を要求する充電電流の電圧値、電流値を演算し、通信部203から端子12,32を介して充電器3へ送信する。   In response to each input value from the analog-to-digital converter 201, the charging processing unit 214 calculates the voltage value and current value of the charging current that requires output from the charger 3, and the communication unit 203 outputs the terminal 12 , 32 to the charger 3.

具体的には、充電処理部214は、例えば、充電器3から、予め設定された一定の電流を供給させることにより定電流充電を実行し、組電池14の端子電圧Voutが予め設定された一定の終止電圧Vfに達すると、終止電圧Vfを印加して組電池14を充電する定電圧充電に切り替えるいわゆるCCCV充電を行う。なお、充電処理部214の充電方法はCCCV充電に限られず、一定の電流で充電を行う定電流(CC)充電、一定の電圧で充電を行う定電圧(CV)充電、パルス状に充電電流を供給するパルス充電、微少電流により充電を行うトリクル充電等、種々の充電方式を用いることができる。また、図略の負荷回路へ負荷電流を供給しながら組電池14を充電する構成であってもよい。   Specifically, for example, the charging processing unit 214 performs constant current charging by supplying a predetermined constant current from the charger 3, and the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 is constant. When the final voltage Vf is reached, so-called CCCV charging is performed in which the final voltage Vf is applied to switch to constant voltage charging for charging the assembled battery 14. In addition, the charging method of the charge processing unit 214 is not limited to CCCV charging, constant current (CC) charging for charging at a constant current, constant voltage (CV) charging for charging at a constant voltage, and charging current in pulses. Various charging methods such as pulse charging to be supplied and trickle charging for charging with a minute current can be used. Further, the battery pack 14 may be charged while supplying a load current to a load circuit (not shown).

充電器3では、充電処理部214からの要求を、制御IC34において、通信手段である通信部36で受信し、充電制御手段である充電制御部37が充電電流供給手段である充電電圧供給回路35(充電部)を制御して、要求に応じた電圧値、電流値、およびパルス幅で、充電電流を供給させる。充電電圧供給回路35は、AC−DCコンバータやDC−DCコンバータなどから成り、入力電圧を、充電制御部37で指示された電圧値、電流値、およびパルス幅に変換し、端子31,11;33,13を介して電池パック2へ供給する。   In the charger 3, the control IC 34 receives a request from the charge processing unit 214 by the communication unit 36 that is a communication unit, and the charge control unit 37 that is a charge control unit is a charge voltage supply circuit 35 that is a charge current supply unit. (Charging unit) is controlled to supply a charging current with a voltage value, a current value, and a pulse width according to the request. The charging voltage supply circuit 35 includes an AC-DC converter, a DC-DC converter, and the like, converts an input voltage into a voltage value, a current value, and a pulse width instructed by the charging control unit 37, and the terminals 31, 11; The battery pack 2 is supplied via 33 and 13.

次に、上述のように構成された電池システム1の動作について説明する。まず、充電処理部214からの要求信号に応じて、充電器3によって組電池14が充電され、二次電池141,142,143の各端子電圧V1,V2,V3が、例えば4.2Vにされ、組電池14の端子電圧Voutが、例えば12.6Vにされている。   Next, the operation of the battery system 1 configured as described above will be described. First, in response to a request signal from the charge processing unit 214, the battery pack 14 is charged by the charger 3, and the terminal voltages V1, V2, and V3 of the secondary batteries 141, 142, and 143 are set to, for example, 4.2V. The terminal voltage Vout of the assembled battery 14 is, for example, 12.6V.

図3は、図1に示す電池パック2の動作の一例を示すフローチャートである。まず、オンオフ制御部211によって、昇圧部25のスイッチSW1,SW2がオンされ、スイッチSW3がオフされる(ステップS1)。そうすると、キャパシタC1,C2が組電池14の端子電圧Vout、例えば12.6Vに充電されると共に、組電池14の端子電圧Voutが動作用電源電圧Vpとしてバッファ23,24へ供給される。   FIG. 3 is a flowchart showing an example of the operation of the battery pack 2 shown in FIG. First, the on / off controller 211 turns on the switches SW1 and SW2 of the booster 25 and turns off the switch SW3 (step S1). Then, the capacitors C1 and C2 are charged to the terminal voltage Vout of the assembled battery 14, for example, 12.6V, and the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 is supplied to the buffers 23 and 24 as the operation power supply voltage Vp.

次に、温度センサ19によって、FET21,22の周囲温度Taが検出される(ステップS2)。そして、閾値電圧設定部212によって、温度センサ19により検出された周囲温度Taが高いほど閾値電圧Vthが高くなるように、閾値電圧Vthが設定される(ステップS3)。   Next, the ambient temperature Ta of the FETs 21 and 22 is detected by the temperature sensor 19 (step S2). Then, the threshold voltage setting unit 212 sets the threshold voltage Vth so that the threshold voltage Vth increases as the ambient temperature Ta detected by the temperature sensor 19 increases (step S3).

図7(a)(b)に示すように、FET21,22のオン抵抗Ronは、ゲート−ソース間電圧Vgsが小さいほど、大きくなる特性がある。昇圧部25のスイッチSW1,SW2がオンされ、スイッチSW3がオフされている状態では、組電池14の端子電圧Voutが動作用電源電圧Vpとしてバッファ23,24へ供給され、すなわち昇圧部25の昇圧の倍率が1倍にされており、従ってバッファ23,24から出力されるゲート電圧も端子電圧Voutとなる。組電池14の端子電圧Voutは、組電池14の放電が進むと低下し、また、組電池14の充電初期には端子電圧Voutが低いから、FET21,22のオン抵抗Ronが増大してしまう。   As shown in FIGS. 7A and 7B, the on-resistance Ron of the FETs 21 and 22 has a characteristic of increasing as the gate-source voltage Vgs decreases. When the switches SW1 and SW2 of the booster 25 are turned on and the switch SW3 is turned off, the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 is supplied to the buffers 23 and 24 as the operation power supply voltage Vp. Therefore, the gate voltage output from the buffers 23 and 24 also becomes the terminal voltage Vout. The terminal voltage Vout of the assembled battery 14 decreases as the discharging of the assembled battery 14 proceeds, and since the terminal voltage Vout is low at the beginning of charging of the assembled battery 14, the on-resistance Ron of the FETs 21 and 22 increases.

そこで、オンオフ制御部211は、組電池14の端子電圧Voutが閾値電圧Vth以下となって、FET21,22のオン抵抗Ronが一定以上の抵抗値になると、昇圧部25によって動作用電源電圧Vpを昇圧させることでゲート電圧を増大させ、オン抵抗Ronを減少させるようになっている。   Therefore, when the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 becomes equal to or lower than the threshold voltage Vth and the on-resistance Ron of the FETs 21 and 22 becomes a certain resistance value or more, the on / off control unit 211 sets the operation power supply voltage Vp by the boosting unit 25. By increasing the voltage, the gate voltage is increased and the on-resistance Ron is decreased.

ここで、図7(b)に示すように、FET21,22のオン抵抗Ronは、周囲温度Taが高いほど大きくなる特性がある。そのため、もし仮に、閾値電圧Vthが周囲温度Taに関わらず一定の値に設定されていたとすると、周囲温度Taが高いほど、昇圧部25の昇圧の倍率が1倍から2倍に切り替える際のオン抵抗Ronが増大するので、周囲温度Taが高い場合には、周囲温度Taが低い場合よりも、端子電圧Voutが閾値電圧Vth付近まで低下した場合におけるFET21,22のオン抵抗Ronが増大する。   Here, as shown in FIG. 7B, the on-resistance Ron of the FETs 21 and 22 has a characteristic that it increases as the ambient temperature Ta increases. Therefore, if the threshold voltage Vth is set to a constant value regardless of the ambient temperature Ta, the higher the ambient temperature Ta, the higher the boosting factor of the booster 25 when switching from 1 to 2 times. Since the resistance Ron increases, when the ambient temperature Ta is high, the on-resistance Ron of the FETs 21 and 22 increases when the terminal voltage Vout decreases to near the threshold voltage Vth, compared to when the ambient temperature Ta is low.

そこで、閾値電圧設定部212は、周囲温度Taが高いほど閾値電圧Vthが高くなるように閾値電圧Vthを設定することで、周囲温度Taが上昇した際に、昇圧部25により昇圧を開始される際のオン抵抗Ronが増大することを低減させるようになっている。具体的には、例えば、オン抵抗Ronを予め設定された目標抵抗値Rtg、例えば4mΩ、以下の低抵抗に維持したい場合、図7(b)を参照して、閾値電圧設定部212によって、周囲温度Taが20℃のときオン抵抗Ronが4mΩとなるVgs=6Vが、閾値電圧Vthとして設定され、周囲温度Taが40℃のときオン抵抗Ronが4mΩとなるVgs=8Vが、閾値電圧Vthとして設定される。閾値電圧設定部212は、例えば、図7(b)に示される周囲温度Taとオン抵抗Ronと閾値電圧Vthとの関係を示す図略のデータテーブルを参照することで、上記閾値電圧Vthを設定する。   Therefore, the threshold voltage setting unit 212 sets the threshold voltage Vth so that the higher the ambient temperature Ta, the higher the threshold voltage Vth, so that when the ambient temperature Ta rises, the booster 25 starts boosting. The increase in on-resistance Ron at the time is reduced. Specifically, for example, when it is desired to maintain the on-resistance Ron at a target resistance value Rtg set in advance, for example, 4 mΩ, or lower, the threshold voltage setting unit 212 refers to FIG. Vgs = 6V at which the on-resistance Ron is 4 mΩ when the temperature Ta is 20 ° C. is set as the threshold voltage Vth, and Vgs = 8V at which the on-resistance Ron is 4 mΩ when the ambient temperature Ta is 40 ° C. is the threshold voltage Vth. Is set. For example, the threshold voltage setting unit 212 sets the threshold voltage Vth by referring to an unillustrated data table showing the relationship between the ambient temperature Ta, the on-resistance Ron, and the threshold voltage Vth shown in FIG. To do.

次に、電圧検出回路15によって、組電池14の端子電圧Voutが検出される(ステップS4)。そして、オンオフ制御部211によって、電圧検出回路15により検出された端子電圧Voutと閾値電圧設定部212により設定された閾値電圧Vthとが比較され(ステップS5)、端子電圧Voutが閾値電圧Vthを超えていれば(ステップS5でNO)、スイッチSW1,SW2がオンされると共にスイッチSW3がオフされ(ステップS6)、端子電圧Voutをバッファ23,24へ動作用電源電圧Vpとして供給させる。   Next, the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 is detected by the voltage detection circuit 15 (step S4). Then, the on / off control unit 211 compares the terminal voltage Vout detected by the voltage detection circuit 15 with the threshold voltage Vth set by the threshold voltage setting unit 212 (step S5), and the terminal voltage Vout exceeds the threshold voltage Vth. If so (NO in step S5), the switches SW1 and SW2 are turned on and the switch SW3 is turned off (step S6), and the terminal voltage Vout is supplied to the buffers 23 and 24 as the operation power supply voltage Vp.

一方、例えば組電池14の放電が進んで端子電圧Voutが閾値電圧Vth以下となった場合(ステップS5でYES)、オンオフ制御部211によって、スイッチSW1,SW2がオフされると共にスイッチSW3がオンされる(ステップS7)。そうすると、昇圧部25において、組電池14の端子電圧VoutとキャパシタC1に充電されている端子電圧Voutとが加算され、すなわち端子電圧Vout×2に昇圧された電圧がバッファ23,24へ動作用電源電圧Vpとして供給される。   On the other hand, for example, when the discharge of the assembled battery 14 proceeds and the terminal voltage Vout becomes equal to or lower than the threshold voltage Vth (YES in step S5), the on / off control unit 211 turns off the switches SW1 and SW2 and turns on the switch SW3. (Step S7). Then, in the booster 25, the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 and the terminal voltage Vout charged in the capacitor C1 are added, that is, the voltage boosted to the terminal voltage Vout × 2 is supplied to the buffers 23 and 24 as an operating power source. It is supplied as the voltage Vp.

次に、ステップS8において、オンオフ制御部211によって、FET21,22のオン、オフ制御が実行される。具体的には、例えば、異常検出部213により異常が検出された場合には、オンオフ制御部211によって、FET21,22をオフする旨の信号がバッファ23,24へ出力され、バッファ23,24によってFET21,22のゲート電圧が0VにされてFET21,22がオフされる。一方、充電器3によって組電池14の充電が行われる際や、電池パック2が図略の負荷装置に接続されて組電池14を放電させる際には、オンオフ制御部211によって、FET21,22をオンする旨の信号がバッファ23,24へ出力される。   Next, in step S <b> 8, the on / off control unit 211 performs on / off control of the FETs 21 and 22. Specifically, for example, when an abnormality is detected by the abnormality detection unit 213, the on / off control unit 211 outputs a signal to turn off the FETs 21 and 22 to the buffers 23 and 24. The gate voltages of the FETs 21 and 22 are set to 0V, and the FETs 21 and 22 are turned off. On the other hand, when the battery pack 14 is charged by the charger 3 or when the battery pack 2 is connected to a load device (not shown) to discharge the battery pack 14, the FETs 21 and 22 are turned on by the on / off control unit 211. A signal to turn on is output to the buffers 23 and 24.

そうすると、バッファ23,24の動作用電源電圧Vpは、昇圧部25によって、端子電圧Voutが閾値電圧Vthを超えていれば端子電圧Voutにされているので、バッファ23,24から端子電圧Voutがゲート電圧としてFET21,22へ出力され、FET21,22のゲート−ソース間電圧Vgsが端子電圧Voutにされる結果、FET21,22が目標抵抗値Rtg以下のオン抵抗Ronでオンされる。一方、端子電圧Voutが閾値電圧Vth以下であれば、昇圧部25によって、動作用電源電圧Vpが昇圧されて端子電圧Vout×2にされているから、バッファ23,24から端子電圧Vout×2がゲート電圧としてFET21,22へ出力され、FET21,22のゲート−ソース間電圧Vgsが端子電圧Vout×2にされる結果、FET21,22がオンされると共にオン抵抗Ronが目標抵抗値Rtgを超えることが低減される。   Then, the operation power supply voltage Vp of the buffers 23 and 24 is set to the terminal voltage Vout by the booster 25 if the terminal voltage Vout exceeds the threshold voltage Vth, so that the terminal voltage Vout is gated from the buffers 23 and 24. The voltage is output to the FETs 21 and 22, and the gate-source voltage Vgs of the FETs 21 and 22 is set to the terminal voltage Vout. As a result, the FETs 21 and 22 are turned on with an on-resistance Ron that is equal to or less than the target resistance value Rtg. On the other hand, if the terminal voltage Vout is equal to or lower than the threshold voltage Vth, the operation power supply voltage Vp is boosted by the boosting unit 25 to the terminal voltage Vout × 2, so that the terminal voltage Vout × 2 is obtained from the buffers 23 and 24. The gate voltage is output to the FETs 21 and 22 and the gate-source voltage Vgs of the FETs 21 and 22 is set to the terminal voltage Vout × 2. As a result, the FETs 21 and 22 are turned on and the on-resistance Ron exceeds the target resistance value Rtg. Is reduced.

以上、ステップS1〜S8の処理により、組電池14の端子電圧Voutが低下した場合であっても、組電池14の充放電経路に設けられたFET21,22のオン抵抗が増大することを低減することができる。   As described above, the processing of steps S1 to S8 reduces the increase in the on-resistance of the FETs 21 and 22 provided in the charge / discharge path of the assembled battery 14 even when the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 decreases. be able to.

(第2実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態に係る電池回路を用いた電池システム、及び電池パックについて説明する。図4は、本発明の第2の実施形態に係る電池回路を用いた電池システム1a、及び電池パック2aの構成の一例を示すブロック図である。図4に示す電池システム1aは、図1に示す電池システム1とは、電池パック2の代わりに電池パック2aが用いられる点で異なる。図4に示す電池パック2aと、図1に示す電池パック2とでは、下記の点で異なる。
(Second Embodiment)
Next, a battery system using a battery circuit according to a second embodiment of the present invention and a battery pack will be described. FIG. 4 is a block diagram showing an example of the configuration of the battery system 1a using the battery circuit and the battery pack 2a according to the second embodiment of the present invention. The battery system 1a shown in FIG. 4 differs from the battery system 1 shown in FIG. 1 in that a battery pack 2a is used instead of the battery pack 2. The battery pack 2a shown in FIG. 4 is different from the battery pack 2 shown in FIG. 1 in the following points.

すなわち、図4に示す電池パック2aでは、端子11は、放電用のFET21aと充電用のFET22aとを介して組電池14の正極に接続されている。FET21a,22aとしては、pチャネルのFETが用いられる。FET21a,22aは、寄生ダイオードの向きが互いに逆になるように接続されている。また、端子13は、電流検出抵抗16(電流検出部)を介して組電池14の負極に接続されており、端子11からFET21a,22a、組電池14、及び電流検出抵抗16を介して端子13に至る電流経路が構成されている。そして、電流検出抵抗16によって、組電池14の充電電流および放電電流が電圧値に変換されて、アナログデジタル変換器201に入力されることで、組電池14の充電電流および放電電流がアナログデジタル変換器201によって検出可能にされている。また、異常検出部213は、電流検出抵抗16によって検出された電流値に基づき、過電流異常を検出するようになっている。   That is, in the battery pack 2a shown in FIG. 4, the terminal 11 is connected to the positive electrode of the assembled battery 14 via the discharging FET 21a and the charging FET 22a. As the FETs 21a and 22a, p-channel FETs are used. The FETs 21a and 22a are connected so that the directions of the parasitic diodes are opposite to each other. The terminal 13 is connected to the negative electrode of the assembled battery 14 via a current detection resistor 16 (current detection unit), and the terminal 13 is connected to the terminal 13 via the FETs 21 a and 22 a, the assembled battery 14, and the current detection resistor 16. A current path leading to is configured. The charging current and discharging current of the assembled battery 14 are converted into voltage values by the current detection resistor 16 and input to the analog-digital converter 201, whereby the charging current and discharging current of the assembled battery 14 are converted from analog to digital. It can be detected by the device 201. Further, the abnormality detection unit 213 detects an overcurrent abnormality based on the current value detected by the current detection resistor 16.

バッファ23a,24aの電源端子には、組電池14の端子電圧Voutが供給され、バッファ23a,24aのグラウンド(GND)端子には、昇圧部25aから供給された基準電圧Vgが供給されている。そして、バッファ23a,24aは、オンオフ制御部211からFET21a,22aをオフさせる旨の信号を受信すると、電源端子に供給されている端子電圧VoutをFET21a,22aのゲートへ印加して、FET21a,22aのゲート−ソース間電圧Vgsを0VにさせることによりFET21a,22aをオフさせ、オンオフ制御部211からバッファ23a,24aをオンさせる旨の信号を受信すると、グラウンド端子に供給されている基準電圧VgをFET21a,22aのゲートへ印加して、FET21a,22aのゲート−ソース間電圧Vgsを増大させることにより、FET21a,22aをオンさせる。   The terminal voltage Vout of the assembled battery 14 is supplied to the power supply terminals of the buffers 23a and 24a, and the reference voltage Vg supplied from the booster 25a is supplied to the ground (GND) terminal of the buffers 23a and 24a. When the buffers 23a and 24a receive a signal to turn off the FETs 21a and 22a from the on / off control unit 211, the buffers 23a and 24a apply the terminal voltage Vout supplied to the power supply terminal to the gates of the FETs 21a and 22a, thereby When the gate-source voltage Vgs is turned to 0V to turn off the FETs 21a and 22a and the on / off control unit 211 receives a signal to turn on the buffers 23a and 24a, the reference voltage Vg supplied to the ground terminal is changed. When applied to the gates of the FETs 21a and 22a to increase the gate-source voltage Vgs of the FETs 21a and 22a, the FETs 21a and 22a are turned on.

なお、バッファ23a,24aを備えず、例えば昇圧部25aから出力された動作用電源電圧VpをFET21a,22aのゲートに常時印加しておき、FET21aのゲート−ソース間、及びFET22aのゲート−ソース間に、それぞれ抵抗とスイッチング素子との直列回路を接続し、オンオフ制御部211からの制御信号に応じてFET21aのゲート−ソース間、及びFET22aのゲート−ソース間のスイッチング素子をオン、オフさせることで、FET21a,22aのオン、オフを制御するようにしてもよい。   It should be noted that the buffers 23a and 24a are not provided, and for example, the operating power supply voltage Vp output from the booster 25a is always applied to the gates of the FETs 21a and 22a, and between the gate and source of the FET 21a and between the gate and source of the FET 22a. In addition, a series circuit of a resistor and a switching element is connected to each other, and the switching element between the gate and source of the FET 21a and the gate and source of the FET 22a are turned on and off according to a control signal from the on / off control unit 211. The FETs 21a and 22a may be turned on / off.

図5は、図4に示す昇圧部25aの構成の一例を示す回路図である。図5に示す昇圧部25aは、キャパシタC1と、組電池14の正極とキャパシタC1の一端との間の接続を開閉するスイッチSW1(第1スイッチ部)と、組電池14の負極とキャパシタC1の他端との間の接続を開閉するスイッチSW2(第2スイッチ部)と、組電池14の負極とキャパシタC1の一端との間の接続を開閉するスイッチSW3(負側昇圧スイッチ部)とを備えている。また、平滑用のキャパシタC2が、キャパシタC1の他端と組電池14の正極端子との間に接続されている。そして、キャパシタC1とキャパシタC2との間に設けたダイオードDにて、電池側からキャパシタC2への逆流防止を行い、キャパシタC2の電位を安定させている。   FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the booster 25a shown in FIG. 5 includes a capacitor C1, a switch SW1 (first switch) that opens and closes a connection between the positive electrode of the assembled battery 14 and one end of the capacitor C1, a negative electrode of the assembled battery 14, and the capacitor C1. A switch SW2 (second switch unit) that opens and closes the connection between the other end and a switch SW3 (negative side boost switch unit) that opens and closes the connection between the negative electrode of the assembled battery 14 and one end of the capacitor C1. ing. A smoothing capacitor C2 is connected between the other end of the capacitor C1 and the positive terminal of the battery pack 14. The diode D provided between the capacitor C1 and the capacitor C2 prevents backflow from the battery side to the capacitor C2, thereby stabilizing the potential of the capacitor C2.

そして、スイッチSW1,SW2,SW3は、制御部202からの制御信号に応じてオン、オフするようになっている。なお、平滑用のキャパシタC2を備えない構成としてもよい。   The switches SW1, SW2, and SW3 are turned on and off in response to a control signal from the control unit 202. The smoothing capacitor C2 may not be provided.

そして、キャパシタC1の他端に生じた電圧が、基準電圧Vgとしてバッファ23a,24aのグラウンド端子へ供給されるようになっている。   The voltage generated at the other end of the capacitor C1 is supplied to the ground terminals of the buffers 23a and 24a as the reference voltage Vg.

その他の構成は図1に示す電池システム1と同様であるのでその説明を省略し、以下、以下本実施形態の動作について説明する。図4に示す電池システム1aの動作は、電池システム1と同様、図3のフローチャートで示される。図4に示す電池システム1aの動作は、図1に示す電池システム1とは、図3のフローチャートにおけるステップS1,S6,S7での昇圧部25aの動作と、ステップS8でのバッファ23a,24aの動作のみ、異なる。その他の動作は、図1に示す電池システム1と同様であるのでその説明を省略し、本実施形態の特徴的な動作について説明する。   Since the other configuration is the same as that of the battery system 1 shown in FIG. 1, the description thereof will be omitted, and the operation of the present embodiment will be described below. The operation of the battery system 1a shown in FIG. 4 is shown in the flowchart of FIG. The operation of the battery system 1a shown in FIG. 4 is different from that of the battery system 1 shown in FIG. 1 in the operation of the booster 25a in steps S1, S6, and S7 in the flowchart of FIG. 3 and in the buffers 23a and 24a in step S8. Only the operation is different. Since other operations are the same as those of the battery system 1 shown in FIG. 1, description thereof is omitted, and characteristic operations of the present embodiment will be described.

まず、ステップS1において、オンオフ制御部211によって、昇圧部25のスイッチSW1,SW2がオンされ、スイッチSW3がオフされる(ステップS1)。そうすると、キャパシタC1,C2が組電池14の端子電圧Vout、例えば12.6Vに充電されると共に、組電池14の負極電位、すなわちグラウンド電位が基準電圧Vgとしてバッファ23a,24aへ供給される。   First, in step S1, the on / off controller 211 turns on the switches SW1 and SW2 of the booster 25 and turns off the switch SW3 (step S1). Then, the capacitors C1 and C2 are charged to the terminal voltage Vout of the assembled battery 14, for example, 12.6V, and the negative electrode potential of the assembled battery 14, that is, the ground potential is supplied as the reference voltage Vg to the buffers 23a and 24a.

そして、端子電圧Voutが閾値電圧Vthを超えていれば(ステップS5でNO)、スイッチSW1,SW2がオンされると共にスイッチSW3がオフされ(ステップS6)、基準電圧Vgがバッファ23a,24aのグラウンド端子へ供給される。   If the terminal voltage Vout exceeds the threshold voltage Vth (NO in step S5), the switches SW1 and SW2 are turned on and the switch SW3 is turned off (step S6), and the reference voltage Vg is grounded to the buffers 23a and 24a. Supplied to the terminal.

一方、例えば組電池14の放電が進んで端子電圧Voutが閾値電圧Vth以下となった場合(ステップS5でYES)、オンオフ制御部211によって、スイッチSW1,SW2がオフされると共にスイッチSW3がオンされる(ステップS7)。そうすると、昇圧部25aにおいて、組電池14の負極側にキャパシタC1に充電されている端子電圧Voutが加算され、すなわち端子電圧Voutが2倍に昇圧されてキャパシタC2に充電される。そして、キャパシタC1とスイッチSW2との接続点の電圧、すなわちキャパシタC2に充電された端子電圧Vout×2の負側の電圧が、基準電圧Vgとしてバッファ23a,24aへ供給される。この場合、基準電圧Vgはグラウンドレベルを基準にして−Voutとなり、組電池14の正極電位、すなわちFET21a,22aのソース電位を基準にして−Vout×2となる。従って、スイッチSW1,SW2がオンされると共にスイッチSW3がオフされた状態で、基準電圧Vgと組電池14の正極電位との間の電圧は端子電圧Voutにされており、ステップS7において、スイッチSW1,SW2がオフされると共にスイッチSW3がオンされると、基準電圧Vgと組電池14の正極電位との間の電圧は端子電圧Vout×2に昇圧されるようになっている。   On the other hand, for example, when the discharge of the assembled battery 14 proceeds and the terminal voltage Vout becomes equal to or lower than the threshold voltage Vth (YES in step S5), the on / off control unit 211 turns off the switches SW1 and SW2 and turns on the switch SW3. (Step S7). Then, in the booster 25a, the terminal voltage Vout charged in the capacitor C1 is added to the negative electrode side of the assembled battery 14, that is, the terminal voltage Vout is boosted twice and charged in the capacitor C2. The voltage at the connection point between the capacitor C1 and the switch SW2, that is, the negative voltage of the terminal voltage Vout × 2 charged in the capacitor C2, is supplied to the buffers 23a and 24a as the reference voltage Vg. In this case, the reference voltage Vg is −Vout with respect to the ground level, and is −Vout × 2 with respect to the positive electrode potential of the assembled battery 14, that is, the source potentials of the FETs 21a and 22a. Therefore, the voltage between the reference voltage Vg and the positive potential of the assembled battery 14 is set to the terminal voltage Vout with the switches SW1 and SW2 turned on and the switch SW3 turned off. In step S7, the switch SW1 , SW2 and switch SW3 are turned on, the voltage between the reference voltage Vg and the positive electrode potential of the assembled battery 14 is boosted to the terminal voltage Vout × 2.

次に、ステップS8において、オンオフ制御部211によって、FET21a,22aをオンする旨の信号がバッファ23a,24aへ出力されると、バッファ23a,24aのグラウンド端子には、昇圧部25aから基準電圧Vgが供給されており、基準電圧Vgは、昇圧部25aによって、端子電圧Voutが閾値電圧Vthを超えていれば0Vにされているので、バッファ23a,24aによってFET21a,22aのゲート電圧が0Vにされ、すなわちFET21a,22aのゲート−ソース間電圧Vgsが組電池14の端子電圧Voutにされる結果、FET21a,22aが目標抵抗値Rtg以下のオン抵抗Ronでオンされる。   Next, when a signal to turn on the FETs 21a and 22a is output to the buffers 23a and 24a by the on / off control unit 211 in step S8, the reference voltage Vg is supplied from the boosting unit 25a to the ground terminals of the buffers 23a and 24a. The reference voltage Vg is set to 0V by the booster 25a if the terminal voltage Vout exceeds the threshold voltage Vth, so that the gate voltages of the FETs 21a and 22a are set to 0V by the buffers 23a and 24a. That is, as a result of setting the gate-source voltage Vgs of the FETs 21a and 22a to the terminal voltage Vout of the assembled battery 14, the FETs 21a and 22a are turned on with an on-resistance Ron that is equal to or less than the target resistance value Rtg.

一方、端子電圧Voutが閾値電圧Vth以下であれば、昇圧部25aによって、組電池14の正極電位、すなわちFET21a,22aのソース電位を基準にして端子電圧Vout×2の電位差を有する基準電圧Vgがバッファ23a,24aのグラウンド端子に供給されるので、オンオフ制御部211によって、FET21a,22aをオンする旨の信号がバッファ23a,24aへ出力されると、バッファ23a,24aによって、FET21a,22aのゲート−ソース間電圧Vgsが組電池14の端子電圧Vout×2にされる結果、FET21,22がオンされると共にオン抵抗Ronが目標抵抗値Rtgを超えることが低減される。   On the other hand, if the terminal voltage Vout is equal to or lower than the threshold voltage Vth, the booster 25a generates a reference voltage Vg having a potential difference of the terminal voltage Vout × 2 with respect to the positive electrode potential of the assembled battery 14, that is, the source potential of the FETs 21a and 22a. Since the signals to turn on the FETs 21a and 22a are output to the buffers 23a and 24a by the on / off control unit 211, the gates of the FETs 21a and 22a are supplied to the ground terminals of the buffers 23a and 24a. As a result of the inter-source voltage Vgs being set to the terminal voltage Vout × 2 of the assembled battery 14, the FETs 21 and 22 are turned on and the on-resistance Ron is reduced from exceeding the target resistance value Rtg.

以上のように、図4に示す電池パック2aにおいても、ステップS1〜S8の処理により、組電池14の端子電圧Voutが低下した場合でも、組電池14の充放電経路に設けられたFET21a,22aのオン抵抗が増大することを低減することができる。   As described above, also in the battery pack 2a shown in FIG. 4, the FETs 21a and 22a provided in the charge / discharge path of the assembled battery 14 even when the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 is reduced by the processing of steps S1 to S8. It is possible to reduce an increase in the on-resistance.

また、充電器3によって、組電池14の充電電圧を、端子13,11を介して組電池14に印加して組電池14を充電する際には、組電池14が充電されると共に、充電器3から供給された充電電圧が組電池14の端子電圧Voutとして得られるので、FET21,22,21a,22aのゲート−ソース間電圧Vgsとして印加するための端子電圧Vout、及び昇圧部25,25aで昇圧するための端子電圧Voutを、充電器3から供給することができる。そうすると、組電池14の端子電圧Voutが、昇圧部25,25aで昇圧してもFET21,22,21a,22aを低抵抗でオンさせることができなくなるほど低下した場合であっても、組電池14の出力電圧の代わりに充電器3から供給された充電電圧を端子電圧Voutとして用いることで昇圧部25,25aで得られた電圧に基づきFET21,22,21a,22aをオンさせることで、FET21,22,21a,22aのオン抵抗を低減することができる。   Further, when charging the assembled battery 14 by applying the charging voltage of the assembled battery 14 to the assembled battery 14 via the terminals 13 and 11 by the charger 3, the assembled battery 14 is charged and the charger 3 is obtained as the terminal voltage Vout of the assembled battery 14, the terminal voltage Vout to be applied as the gate-source voltage Vgs of the FETs 21, 22, 21a, 22a, and the boosters 25, 25a. A terminal voltage Vout for boosting can be supplied from the charger 3. As a result, even if the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 is lowered so that the FETs 21, 22, 21a, and 22a cannot be turned on with low resistance even when boosted by the boosting units 25 and 25a, the assembled battery 14 By using the charging voltage supplied from the charger 3 instead of the output voltage as the terminal voltage Vout, the FETs 21, 22, 21a, 22a are turned on based on the voltages obtained by the boosting units 25, 25a, thereby allowing the FET 21, The on-resistance of 22, 21a and 22a can be reduced.

また、図1に示す電池システム1,電池パック2や図4に示す電池システム1a,電池パック2aによれば、組電池14の端子電圧Voutが低下した場合でも、組電池14の充放電経路に設けられたFET21a,22aのオン抵抗が増大することを低減することができるから、高価な低オン抵抗のFETを使用したり、FETを並列構成にしたりしてオン抵抗を低減する必要性が低下する結果、コストの上昇を抑制することが容易となる。   Further, according to the battery system 1 and the battery pack 2 shown in FIG. 1 and the battery system 1a and the battery pack 2a shown in FIG. 4, even when the terminal voltage Vout of the assembled battery 14 decreases, the charging / discharging path of the assembled battery 14 Since it is possible to reduce an increase in the on-resistance of the provided FETs 21a and 22a, the necessity of using an expensive low-on-resistance FET or reducing the on-resistance by using a parallel configuration of FETs is reduced. As a result, it becomes easy to suppress an increase in cost.

なお、昇圧部25,25aは、組電池14の両端端子間の電圧を昇圧する例を示したが、組電池14を構成する二次電池の一部の出力電圧を昇圧電圧分として利用するようにしてもよい。また、昇圧部25,25aは、昇圧の倍率が2倍に設定されている例を示したが、倍率は2倍でなくてもよい。また、昇圧部25,25aを、昇圧の倍率が可変の、例えばスイッチング電源回路、チャージポンプ回路やコイルを用いる回路によって構成し、オンオフ制御部211は、電圧検出回路15により検出された端子電圧が低下するほど昇圧の倍率を連続的に徐々に増大させるように、昇圧部25,25aの昇圧の倍率を設定するようにしてもよいが、チャージポンプ回路が安価なために好ましい。   In addition, although the boosting units 25 and 25a have shown an example of boosting the voltage between both terminals of the assembled battery 14, a part of the output voltage of the secondary battery constituting the assembled battery 14 is used as the boosted voltage. It may be. Moreover, although the boosting units 25 and 25a have shown the example in which the boosting magnification is set to 2 times, the scaling factor may not be 2 times. Further, the boosting units 25 and 25a are configured by a circuit using a switching power supply circuit, a charge pump circuit, or a coil, for example, with a variable boosting factor, and the on / off control unit 211 has a terminal voltage detected by the voltage detection circuit 15. The boosting factor of the boosters 25 and 25a may be set so that the boosting factor gradually and gradually increases as the voltage decreases, but this is preferable because the charge pump circuit is inexpensive.

本発明は、携帯型パーソナルコンピュータやデジタルカメラ等の電子機器、電気自動車やハイブリッドカー等の車両、等の電池搭載装置の電源として用いられる電池パック、及びこのような電池パックを充電する電池システム等に用いられる電池回路として好適に利用することができる。   The present invention relates to a battery pack used as a power source for a battery-mounted device such as an electronic device such as a portable personal computer or a digital camera, a vehicle such as an electric vehicle or a hybrid car, and a battery system for charging such a battery pack. It can utilize suitably as a battery circuit used for.

本発明の第1の実施形態に係る電池回路を用いた電池システム、及び電池パックの構成の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of a structure of the battery system using the battery circuit which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and a battery pack. 図1に示す昇圧部の構成の一例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a configuration of a boosting unit illustrated in FIG. 1. 図1に示す電池パックの動作の一例を示すフローチャートである。3 is a flowchart showing an example of the operation of the battery pack shown in FIG. 本発明の第2の実施形態に係る電池回路を用いた電池システム、及び電池パックの構成の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of the structure of the battery system using the battery circuit which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and a battery pack. 図4に示す昇圧部の構成の一例を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram illustrating an example of a configuration of a boosting unit illustrated in FIG. 4. 背景技術に係る電池パックの構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the battery pack which concerns on background art. FETのゲート−ソース間電圧VgsとFETのオン抵抗Ronとの関係の一例を示すグラフである。(a)は周囲温度Taが25℃の場合におけるゲート−ソース間電圧Vgs、オン抵抗Ron、及びFETを流れるドレイン電流Idの関係を示し、(b)はドレイン電流Idが18A〜4.5Aの場合におけるゲート−ソース間電圧Vgs、オン抵抗Ron、及びFETの周囲温度Taの関係を示している。It is a graph which shows an example of the relationship between the gate-source voltage Vgs of FET, and the ON resistance Ron of FET. (A) shows the relationship between the gate-source voltage Vgs, the on-resistance Ron, and the drain current Id flowing through the FET when the ambient temperature Ta is 25 ° C., and (b) shows the drain current Id between 18 A and 4.5 A. The relationship between the gate-source voltage Vgs, the on-resistance Ron, and the ambient temperature Ta of the FET is shown. リチウムイオン二次電池の放電特性の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the discharge characteristic of a lithium ion secondary battery.

符号の説明Explanation of symbols

1,1a 電池システム
2,2a 電池パック
3 充電器
11,12,13 端子
14 組電池
15 電圧検出回路
16 電流検出抵抗
17,19 温度センサ
23,23a バッファ
24,24a バッファ
25,25a 昇圧部
35 充電電圧供給回路
141,142,143 二次電池
201 アナログデジタル変換器
202 制御部
211 オンオフ制御部
212 閾値電圧設定部
213 異常検出部
214 充電処理部
C1,C2 キャパシタ
21,22 FET
SW1,SW2,SW3 スイッチ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1a Battery system 2,2a Battery pack 3 Charger 11,12,13 Terminal 14 Assembly battery 15 Voltage detection circuit 16 Current detection resistance 17,19 Temperature sensor 23,23a Buffer 24,24a Buffer 25,25a Boosting part 35 Charging Voltage supply circuit 141, 142, 143 Secondary battery 201 Analog-digital converter 202 Control unit 211 On-off control unit 212 Threshold voltage setting unit 213 Abnormality detection unit 214 Charging processing unit C1, C2 Capacitors 21, 22 FET
SW1, SW2, SW3 switch

Claims (8)

二次電池と、
前記二次電池の負極に接続される第1端子と、
前記二次電池の正極に接続される第2端子と、
前記第1端子から前記二次電池を介して前記第2端子に至る電流経路を開閉する電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタのオン、オフを制御するオンオフ制御部と、
前記二次電池の端子電圧を検出する電圧検出部と、
前記二次電池の端子電圧を、前記オンオフ制御部の指示に応じた倍率で昇圧し、前記電界効果トランジスタをオンさせるためのオン電圧として出力する昇圧部とを備え、
前記オンオフ制御部は、前記電界効果トランジスタをオンする場合において、前記電圧検出部により検出された端子電圧が低下するほど前記倍率を増大させるように前記昇圧部に指示すると共に、前記昇圧部から出力されたオン電圧を前記電界効果トランジスタのゲート−ソース間電圧として印加することでオンさせること
を特徴とする電池回路。
A secondary battery,
A first terminal connected to the negative electrode of the secondary battery;
A second terminal connected to the positive electrode of the secondary battery;
A field effect transistor that opens and closes a current path from the first terminal to the second terminal via the secondary battery;
An on / off control unit for controlling on / off of the field effect transistor;
A voltage detector for detecting a terminal voltage of the secondary battery;
A boosting unit that boosts the terminal voltage of the secondary battery at a magnification according to an instruction of the on / off control unit, and outputs an on-voltage for turning on the field effect transistor;
The on / off controller instructs the booster to increase the magnification as the terminal voltage detected by the voltage detector decreases when turning on the field effect transistor, and outputs from the booster The battery circuit is characterized in that it is turned on by applying the turned-on voltage as a gate-source voltage of the field effect transistor.
前記昇圧部は、前記オンオフ制御部の指示に応じて、前記倍率を予め設定された設定倍率と1倍とで切り替えるものであり、
前記オンオフ制御部は、前記電界効果トランジスタをオンする場合において、前記電圧検出部により検出された前記端子電圧が所定の閾値電圧を超えていれば、前記昇圧部の倍率を1倍に切り替える第1の指示を行い、前記電圧検出部により検出された前記端子電圧が前記閾値電圧以下であれば、前記昇圧部の倍率を前記設定倍率に切り替える第2の指示を行うこと
を特徴とする請求項1記載の電池回路。
The boosting unit switches the magnification between a preset magnification and 1 × in accordance with an instruction from the on / off control unit,
When the field effect transistor is turned on, the on / off control unit switches the magnification of the boosting unit to 1 when the terminal voltage detected by the voltage detection unit exceeds a predetermined threshold voltage. 2. If the terminal voltage detected by the voltage detection unit is equal to or lower than the threshold voltage, a second instruction to switch the magnification of the boosting unit to the set magnification is performed. The battery circuit as described.
前記電界効果トランジスタの温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部により検出された温度が高いほど前記閾値電圧が高くなるように、当該閾値電圧を設定する閾値電圧設定部とをさらに備えること
を特徴とする請求項2記載の電池回路。
A temperature detector for detecting the temperature of the field effect transistor;
The battery circuit according to claim 2, further comprising a threshold voltage setting unit that sets the threshold voltage such that the threshold voltage increases as the temperature detected by the temperature detection unit increases.
前記電界効果トランジスタは、前記二次電池の負極と前記第1端子との間に接続されたnチャネルの電界効果トランジスタであり、
前記昇圧部は、キャパシタと、前記二次電池の正極と前記キャパシタの一端との間の接続を開閉する第1スイッチ部と、前記二次電池の負極と前記キャパシタの他端との間の接続を開閉する第2スイッチ部と、前記二次電池の正極と前記キャパシタの他端との間の接続を開閉する正側昇圧スイッチ部とを備えると共に前記キャパシタの一端に生じた電圧を前記オン電圧として出力し、
前記オンオフ制御部は、前記第1の指示として、前記第1及び第2スイッチ部をオンさせると共に前記正側昇圧スイッチ部をオフさせる指示を行い、前記第2の指示として、前記第1及び第2スイッチ部をオフさせると共に前記正側昇圧スイッチ部をオンさせる指示を行うと共に、前記昇圧部から出力されたオン電圧を前記電界効果トランジスタのゲート−ソース間に印加すること
を特徴とする請求項2又は3記載の電池回路。
The field effect transistor is an n-channel field effect transistor connected between a negative electrode of the secondary battery and the first terminal;
The boosting unit includes a capacitor, a first switch unit that opens and closes a connection between the positive electrode of the secondary battery and one end of the capacitor, and a connection between the negative electrode of the secondary battery and the other end of the capacitor. A second switch unit that opens and closes, and a positive side boost switch unit that opens and closes a connection between the positive electrode of the secondary battery and the other end of the capacitor, and the voltage generated at one end of the capacitor is the ON voltage. Output as
The on / off control unit performs an instruction to turn on the first and second switch units and to turn off the positive boost switch unit as the first instruction, and the first and second switches as the second instruction. 2. An instruction for turning off the two switch units and turning on the positive side boost switch unit is given, and an on-voltage output from the boost unit is applied between the gate and the source of the field effect transistor. The battery circuit according to 2 or 3.
前記電界効果トランジスタは、前記二次電池の正極と前記第2端子との間に接続されたpチャネルの電界効果トランジスタであり、
前記昇圧部は、キャパシタと、前記二次電池の正極と前記キャパシタの一端との間の接続を開閉する第1スイッチ部と、前記二次電池の負極と前記キャパシタの他端との間の接続を開閉する第2スイッチ部と、前記二次電池の負極と前記キャパシタの一端との間の接続を開閉する負側昇圧スイッチ部とを備えると共に前記キャパシタの他端に生じた電圧を前記オン電圧として出力し、
前記オンオフ制御部は、前記第1の指示として、前記第1及び第2スイッチ部をオンさせると共に前記負側昇圧スイッチ部をオフさせる指示を行い、前記第2の指示として、前記第1及び第2スイッチ部をオフさせると共に前記負側昇圧スイッチ部をオンさせる指示を行うと共に、前記昇圧部から出力されたオン電圧を前記電界効果トランジスタのゲート−ソース間に印加すること
を特徴とする請求項2又は3記載の電池回路。
The field effect transistor is a p-channel field effect transistor connected between a positive electrode of the secondary battery and the second terminal;
The boosting unit includes a capacitor, a first switch unit that opens and closes a connection between the positive electrode of the secondary battery and one end of the capacitor, and a connection between the negative electrode of the secondary battery and the other end of the capacitor. A second switch unit that opens and closes, and a negative boost switch unit that opens and closes a connection between the negative electrode of the secondary battery and one end of the capacitor, and the voltage generated at the other end of the capacitor is the on-voltage Output as
The on / off control unit performs an instruction to turn on the first and second switch units and turn off the negative-side boost switch unit as the first instruction, and the first and second switches as the second instruction. 2. An instruction to turn off the two switch sections and turn on the negative boost switch section is given, and an on voltage output from the boost section is applied between the gate and the source of the field effect transistor. The battery circuit according to 2 or 3.
前記二次電池の異常を検出する異常検出部をさらに備え、
前記オンオフ制御部は、前記異常検出部により異常が検出された場合、前記電界効果トランジスタをオフすること
を特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電池回路。
An abnormality detection unit for detecting an abnormality of the secondary battery;
The battery circuit according to claim 1, wherein the on / off control unit turns off the field effect transistor when an abnormality is detected by the abnormality detection unit.
前記二次電池を充電するための充電電圧を、前記第1及び第2端子を介して前記二次電池に印加することにより、当該二次電池を充電する充電部をさらに備えること
を特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の電池回路。
The battery pack further includes a charging unit that charges the secondary battery by applying a charging voltage for charging the secondary battery to the secondary battery through the first and second terminals. The battery circuit according to claim 1.
請求項1〜6のいずれか1項に記載の電池回路を備える電池パック。   A battery pack provided with the battery circuit of any one of Claims 1-6.
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