JP2008203325A - 表示装置、ファインダ装置、カメラおよび表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
引出線パターンの表示を抑制し得る表示装置および前記表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
一対の基板２４ａ,２４ｂの間に封入された光学材料層２５と、前記一対の基板２４ａ,２４ｂの少なくとも一方の表面に形成され、前記光学材料層２５に電圧を印加するための電極パターン４０と、当該電極パターン４０に電圧を供給する引出線パターン３９とを有する電極部３７とを有し、前記光学材料層２５の前記引出線パターン３９の位置に対応する第１の領域２６の光散乱度が、前記電極パターン４０の位置に対応する第２の領域２７の光散乱度よりも低い表示装置。
【選択図】 図４

Description

本発明は、表示装置および表示装置の製造方法、特にカメラやビデオカメラ等のファインダ表示に用いて好適である表示装置および表示装置の製造方法に関する。

従来から、カメラのファインダ視野内にマーク表示を行う表示装置として、特許文献１に示すものが知られている。これは、表面に電極が形成された基板上に、高分子分散型液晶材料を表示マークに対応する形に印刷することにより、光散乱度の異なる複数の領域が形成された複合領域型表示装置である。

このような構成とすることにより、基板上に全面電極を形成するだけで、所定のマーク表示を行うことができる。

一方で、一対の基板内に均一な光散乱度の光学材料層を有し、基板上の電極パターンにより所定のマーク表示を形成する単一領域型表示装置が知られている。しかし、単一領域型表示装置では、表示マークに対応する電極パターンと同時に、表示マークに電圧を供給する引出線パターンも表示してしまうという欠点を有する。
特開平１０−２８２４７７

本発明の目的は、引出線パターンの表示を抑制し得る表示装置および表示装置の製造方法を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、
一対の基板の間に封入された光学材料層と、
前記一対の基板の少なくとも一方の表面に形成され、前記光学材料層に電圧を印加するための電極パターンと、当該電極パターンに電圧を供給する引出線パターンとを有する電極部とを有し、
前記光学材料層の前記引出線パターンの位置に対応する第１の領域の光散乱度が、前記電極パターンの位置に対応する第２の領域の光散乱度よりも低いことを特徴とする。

例えば、本発明に係る表示装置において、前記電極パターンは、表示マークに対応する位置に形成されていても良い。

例えば、本発明に係る表示装置において、前記第１の領域の幅が５〜３０μｍであっても良い。

例えば、本発明に係る表示装置において、前記光学材料層が、高分子媒体中に液晶粒子が分散してある高分子分散液晶層であり、前記第１の領域では、前記第２の領域に対して分散されている液晶粒子が少なくても良い。

例えば、前記内部電極層は少なくとも一部が透明であっても良い。

例えば、本発明に係る表示装置において、前記一対の基板のうちの少なくとも一方が、少なくとも一部において透明であっても良い。

また、本発明に係るファインダ装置は、上に記載の表示装置のうちいずれかの表示装置が、カメラのファインダ内に配置してあり、前記ファインダ内を透過する被写体光が、前記表示装置を透過するように構成してあることを特徴とする。

また、本発明に係るカメラは、上に記載のファインダ装置を有する。

また、本発明に係る表示装置の製造方法は、
一対の基板における少なくともいずれかの表面に、電極パターンと、当該電極パターンに電圧を供給する引出線パターンとを有する電極部を形成する工程と、
一対の基板の間に、光学材料層を封入する工程と、
前記引出線パターンの位置に対応する前記光学材料層に対して第１エネルギーを有する光を照射する工程と、
少なくとも前記引出線パターン以外の位置に対応する前記光学材料層に対して第１エネルギーとは異なる第２エネルギーを有する光を照射する工程と、を有することを特徴とする。

例えば、前記第１エネルギーを有する光は、前記第２エネルギーを有する光に対して狭い幅で照射しても良い。

例えば、前記第１エネルギーを有する光は、前記第２エネルギーを有する光に対して低エネルギーで照射しても良い。

本発明によれば、引出線パターンの表示を抑制することができる。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る表示装置が内蔵されたファインダ装置を有するカメラの概略図、
図２は図４に示す表示装置のII−II線に沿う概略断面図、
図３は図４に示す表示装置のIII−III線に沿う概略断面図、
図４は本発明の一実施形態に係る表示装置の電極パターンと光学材料層の各領域とを表す概略平面図、
図５は本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す一連の概略断面図、
図６は本発明の一実施形態に係る表示装置の表示状態と、比較例に係る表示装置の表示状態を比較した図である。
第１実施形態

図１に示すように、本発明の一実施形態に係る一眼レフカメラ２は、カメラボディ４を有し、カメラボディ４には、撮影レンズ６を備えるレンズ鏡筒７が交換可能に装着されている。一眼レフカメラ２としては、記録媒体８として銀塩フィルムを用いるフィルム式カメラでも、記録媒体８としてＣＣＤやＣＭＯＳ等の撮像素子が用いられる一眼レフ方式のデジタルカメラでもよい。

撮影レンズ６と記録媒体８との間には、被写体１４からの被写体光Ｌ１をファインダ光学系へと反射するクイックリターンミラー１０が配設されている。なお、図示していないが、記録媒体８とクイックリターンミラー１０との間にはシャッタが設けられている。

記録媒体８の画像結像面と光学的に共役な位置には、ファインダスクリーン１２が配置されており、被写体１４からの被写体光Ｌ１はクイックリターンミラー１０に反射されてファインダスクリーン１２上に結像する。さらに、後述する光学素子２１上で、ファインダスクリーン１２上に結像された被写体像と、光学素子２１による液晶表示とが重ね合わされる。光学素子２１上に形成された合成像は、ペンタプリズム１６および接眼レンズ１８を介して、撮影者に観察される。なお、撮影の際には、クイックリターンミラー１０が被写体光Ｌ１の光路上から光路外へと移動され、記録媒体８上に被写体像が結像される。

カメラボディ４内には、ファインダ装置が内蔵してある。ファインダ装置は、ファインダスクリーン１２と、ペンタプリズム１６と、接眼レンズ１８と、表示装置２０とを有する。表示装置２０は、光学素子２１と光源２２とを有する。

表示装置２０の光学素子２１は、ファインダスクリーン１２に隣接して配置されている。光学素子２１としては、この実施形態では、高分子分散型液晶光学素子が用いられている。光学素子２１の側方には、光学素子２１を照明するための光源２２が配置されている。光源２２としては、たとえばＬＥＤ等が用いられる。

光学素子２１は矩形平板形状を有し、その断面を図２に示す。この実施形態に係る光学素子２１は、透明な第１基板２４ａと、それに対向する透明な第２基板２４ｂとによってＺ方向に挟まれた空間に、光学材料層２５を封入してある。光学材料層２５は、側面（ＸおよびＹ方向）を透明シール材２８によって封止されている。

透明な基板２４ａおよび２４ｂの内面に、透明電極で構成される内部電極層３６，３７が、光学材料層２５を挟むように形成される。第１基板２４ａの内面には、上部電極層３６が形成されている。この実施形態では、上部電極層３６は、パターン化されていない全面電極となっているが、後述の下部電極層３７と同一の平面形状にパターン化してあっても良い。

第２基板２４ｂの内面には、図４に示す下部電極層３７が形成されている。図４中白抜きになっている部分は下部電極層３７が存在しない部分である。下部電極層３７には、光学素子２１の中央部付近に、略Ｃ字形状の２つの表示パターン部４０が、Ｘ方向中央を通るＹ軸に対して鏡面対称に配置されている。さらに、前記２つの表示パターン部４０の間には、それぞれの表示パターン部４０をつないだ後、Ｙの負方向へ光学素子端部まで伸びている引出線パターン部３９が、略Ｔ字形状に配置されている。引出線パターン部３９の線幅Ｗ１は、表示パターン部４０への導通が確保される範囲で、できるだけ狭く形成する。

図４には示していないが、引出線パターン部３９は、図１に示した配線５２に接続されている。さらに配線５２は図１に示したように駆動回路５０に接続されている。このようにして表示パターン部４０は、引出線パターン部３９および配線５２を介して、駆動回路５０より電圧を供給される。

また下部電極層３７には、表示パターン部４０および引出線パターン部３９を囲むように、ただしそれらのパターン部と絶縁してバックグラウンドパターン部３８が配置されている。バックグラウンドパターン部３８も、配線５２を介して駆動回路５０に接続され、電圧を供給される。

図４に示す下部電極層３７の上には、図２に示す光学材料層２５が配置されている。光学材料層２５は２つの領域から成り、図４において２点鎖線で囲まれた領域に第１領域２６が配置され、その余の領域に第２領域２７が配置されている。第１領域２６は、引出線パターン部３９を覆うように略Ｔ字形状に形成されている。Ｔ字を構成する第１領域２６の線幅Ｗ２は、引出線パターン部３９の線幅Ｗ１よりも広い。カメラ等のファインダ装置に使用される光学素子２１では、前記第１領域２６の線幅Ｗ２は概ね５〜３０μｍとすることが望ましい。

図２に示すように、この実施形態に係る光学材料層２５は、高分子媒体中に液晶粒子５４が分散してある高分子分散液晶層である。特に、光学材料層２５の第２領域２７は、内部電極層３６，３７により電圧が無印加である場合には入射光を散乱させるが、電圧が印加されると入射光を透過させる。

しかし、光学材料層２５の第１領域２６は、図２に示すように、第２領域２７に対して比較的少ない数の液晶粒子５４が分散してある。したがって、電圧無印加時において、第１領域２６の光散乱度は、第２領域２７の光散乱度より低い。このように、この実施形態に係る光学素子２１は、光散乱度の異なる複数の領域を有する複合領域型光学素子である。

このような光学材料層２５を有する光学素子２１の製造方法の一例としては、まず、片面に内部電極層３６,３７を形成した一対の透明な基板２４ａ,２４ｂを用意する。内部電極層３６,３７は、例えば、前記透明な基板２４ａ,２４ｂの表面を所定のパターンにマスクした後に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜を蒸着等することによって形成される。

図５（Ａ）に示すように、前記透明な基板２４ａ、２４ｂとシール材２８とを用いてセル７０を形成し、屈折率等方性を有する材料（高分子モノマー）と屈折率異方性を有する材料（液晶）との混合液を前記セル７０中に充填する。その後紫外線等の第１エネルギー光５６を、まず第１領域２６に相当する部分（図５Ａにおけるセル７０の中央部付近）に照射する。

この実施形態では、第１エネルギー光５６は、集光レンズ５８等を用いて、その照射幅を狭められている。第１エネルギー光５６のエネルギーは、前記混合液を硬化させるための適切な値に設定するが、さらに好ましくは、後述の第２エネルギー光５７のエネルギーより低エネルギーに設定する。

第１エネルギー光５６を照射すると、照射領域のモノマーが光重合によって硬化してポリマーを形成する。照射幅および照射エネルギーを適切に調整することにより、前記照射領域は、図５（Ａ）に示すように、周辺のモノマーを引き寄せ、液晶粒子５４を照射領域の外へ押し出す。その結果、図５（Ｂ）に示すように、周辺の領域より比較的少ない数の液晶粒子５４が分散してあるポリマーが、第１領域２６に形成される。

その後、図５（Ｃ）に示すように、第１エネルギー光５６とはエネルギーの異なる第２エネルギー光５７を、前記セル７０全体を照射する。それによって、第２領域２７には、第１領域２６に比較して多くの液晶粒子５４が分散しているポリマーが形成される。このようにして、図４に示すような、第１領域２６と第２領域２７とからな光学材料層２５が形成される。

この実施形態に係る光学素子２１において、マーク表示を点灯させる場合には、図４に示すバックグラウンドパターン部３８から光学材料層２５に電圧を印加するが、表示パターン部４０および引出線パターン部３９からは前記材料層２５に電圧を印加しない。このときの光学材料層２５の状態を、断面図等を用いながら説明する。

図３は、図４におけるIII-III線に沿った断面を表したものである。図３に示すように、光源２２からの照明光Ｌ２が、素子側方（Ｘ方向）より光学材料層２５に入射する。このとき、光源２２と光学素子２１の間にフィルタ６０を配置してもよい。

照明光Ｌ２は、まず、上部電極層３６とバックグラウンドパターン部３８に挟まれた領域に入射する。この断面における光学材料層２５は、液晶粒子５４が比較的多く存在し、電圧無印加時の光散乱度の高い第２領域２７のみで構成されている。しかしながら、バックグラウンドパターン部３８からは電圧が印加されているので、バックグラウンドパターン部３８上の領域では、照明光Ｌ２は散乱せず、透過する。このとき、バックグラウンドパターン部３８上の領域では、被写体光Ｌ１は散乱せず、透過してペンタプリズム１６の方向へと進む。

次に照明光Ｌ２は、上部電極層３６と表示パターン部４０に挟まれた領域に入射する。表示パターン部４０からは電圧が印加されていないので、照明光Ｌ２の一部は散乱し、散乱光Ｌ３を発生する。図３に示す断面における下部電極層３７は、バックグラウンドパターン部３８と表示パターン部４０が交互に繰り返されている。したがって、それぞれの表示パターン部４０上の領域において、ペンタプリズム１６方向に散乱光Ｌ３が発生する。このとき、表示パターン部４０上の領域においては、被写体光Ｌ１も散乱し、ペンタプリズム１６の方向へは透過しにくい。

これに対して図４におけるII-II線に沿った断面では、図２に示すように、光学材料層２５のＸ方向中央部に、第１領域２６が形成されている。なお、光学素子２１に入射した照明光Ｌ２が、バックグラウンドパターン部３８と上部電極層３６に挟まれた第２領域２７を透過するのは、図３と同様である。

図２に示す断面では、下部電極層３７のＸ方向中央付近には、引出線パターン部３９が配置されている。引出線パターン部３９は、先述の表示パターン部４０と導通しているため、その上部にある第１領域２６には電圧が印加されていない。しかし図５で示したように、第１領域２６中には液晶粒子５４が少ないため、光散乱度が低い。したがって、第１領域２６に入射した照明光Ｌ２は、ほとんど散乱光Ｌ３を発生することなく、透過する。第１領域２６に入射した被写体光Ｌ１もほとんど散乱することなくペンタプリズム１６方向に透過する。

断面図２および断面図３の状態を総合すると、光学素子２１は、全体として図６（Ａ）に示すような表示を行う。光学素子２１の中央部付近に、下部電極層３７の表示パターン部４０の形状に対応するマーク表示がなされている。このマーク表示は、図３に示した散乱光Ｌ３によるものである。また、下部電極層３７の引出線パターン部３９上には表示がなされていない。

図６（Ｂ）は、光学材料層が均一な光散乱度で構成された単一領域型表示装置の光学素子２１’の表示状態を示したものである。光学材料層以外は、本発明の第１実施形態に係る表示装置２０と同様に構成してある。この光学素子２１’では、表示パターン部４０’上と同様に、引出線パターン部３９’上でも照明光Ｌ２により散乱光が形成され、また、被写体光Ｌ１が透過しないため、引出線パターンが表示されてしまう。

以上に述べたように、本実施形態に係る表示装置２０は、マーク表示時に起こる引出線パターンの表示を抑制できる。また、本実施形態によれば、そのような表示装置を製造することができる。

また、本実施形態に係る表示装置２０は、表示マークのむらや欠けを抑制し、量産性に優れた表示装置を実現できる。また、本実施形態によれば、そのような表示装置を製造することができる。
その他の実施形態

被写体光Ｌ１が入射もしくは出射しない領域に対応する基板２４ａ,２４ｂおよび内部電極層３６，３７の構成部分は、不透明部材で構成することも可能である。表示装置２０が被写体光Ｌ１の光路外に配置されている場合は、基板２４ａ、２４ｂのいずれか一方および内部電極層３６,３７のいずれか一方の全面を不透明部材で構成してもよい。このような構成とすることで、光学材料層２５の中での意図しない光の散乱を抑制し、マーク表示のコントラストを向上させ得る。

図１は本発明の一実施形態に係る表示装置が内蔵されたファインダ装置を有するカメラの概略図である。 図２は図４に示す表示装置のII−II線に沿う概略断面図である。 図３は図４に示す表示装置のIII−III線に沿う概略断面図である。 図４は本発明の一実施形態に係る表示装置の電極パターンと光学材料層の各領域とを表す概略平面図である。 図５は本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す一連の概略断面図である。 図６は本発明の一実施形態に係る表示装置の表示状態と、比較例に係る表示装置の表示状態を比較した図である。

符号の説明

２１… 光学素子
２５… 光学材料層
２６… 第１領域
２７… 第２領域
３７… 下部電極層
３９… 引出線パターン部
４０… 表示パターン部

Claims (11)

1. 一対の基板の間に封入された光学材料層と、
   前記一対の基板の少なくとも一方の表面に形成され、前記光学材料層に電圧を印加するための電極パターンと、当該電極パターンに電圧を供給する引出線パターンとを有する電極部とを有し、
   前記光学材料層の前記引出線パターンの位置に対応する第１の領域の光散乱度が、前記電極パターンの位置に対応する第２の領域の光散乱度よりも低い表示装置。
2. 前記電極パターンは、表示マークに対応する位置に形成されている請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１の領域の幅が５〜３０μｍである請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記光学材料層が、高分子媒体中に液晶粒子が分散してある高分子分散液晶層であり、前記第１の領域では、前記第２の領域に対して分散されている液晶粒子が少ない請求項１〜３のいずれかに記載の表示装置。
5. 前記電極部は少なくとも一部が透明である請求項１〜４のいずれかに記載の表示装置。
6. 前記一対の基板のうちの少なくとも一方が、少なくとも一部において透明である請求項１〜５のいずれかに記載の表示装置。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の表示装置が、カメラのファインダ内に配置してあり、前記ファインダ内を透過する被写体光が、前記表示装置を透過するように構成してあるファインダ装置。
8. 請求項７に記載のファインダ装置を有するカメラ。
9. 一対の基板における少なくともいずれかの表面に、電極パターンと、当該電極パターンに電圧を供給する引出線パターンとを有する電極部を形成する工程と、
   一対の基板の間に、光学材料層を封入する工程と、
   前記引出線パターンの位置に対応する前記光学材料層に対して第１エネルギーを有する光を照射する工程と、
   少なくとも前記引出線パターン以外の位置に対応する前記光学材料層に対して第１エネルギーとは異なる第２エネルギーを有する光を照射する工程と、を有する表示装置の製造方法。
10. 前記第１エネルギーを有する光は、前記第２エネルギーを有する光に対して狭い幅で照射する請求項９に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記第１エネルギーを有する光は、前記第２エネルギーを有する光に対して低エネルギーで照射する請求項９または１０に記載の表示装置。

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