JP2008198892A - Optical coupling apparatus - Google Patents

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Haruhiko Okazaki
治彦 岡崎
Kazuhiro Inoue
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical coupling apparatus which can be miniaturized while securing reliability. <P>SOLUTION: The optical coupling apparatus includes: a first substrate provided with a recessed part on a first main surface; a first wiring pattern, a second wiring pattern, a third wiring pattern and a fourth wiring pattern provided on the first main surface of the first substrate; a second substrate bonded to the first main surface; a first light emitting element provided in an internal space formed by bonding the first main surface and the second substrate and electrically connected with the first and second wiring patterns, for emitting the light of a wavelength to be light-shielded by the first and second substrates; and a light receiving element provided in the internal space and electrically connected with the third and fourth wiring patterns, for receiving the light emitted from the first light emitting element. At least a part of the light emitted from the first light emitting element is reflected by the second substrate and is made incident on the light receiving element. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、光結合装置に関する。   The present invention relates to an optical coupling device.

光結合装置は、遮光性パッケージ内に発光素子及び受光素子を備えており、電気入力信号により駆動される発光素子からの光信号を受光素子により再び電気出力信号に変換する。このため、電気的に絶縁された状態で信号伝送が可能であり、スイッチング電源、FA用コントローラなどを含む電子機器に広く使用されている。近年、電子機器の高機能化及び小型化要求が強まるにつれて、光結合装置の小型化がますます必要となっている。   The optical coupling device includes a light emitting element and a light receiving element in a light shielding package, and converts an optical signal from the light emitting element driven by an electric input signal into an electric output signal again by the light receiving element. For this reason, signal transmission is possible in an electrically insulated state, and it is widely used in electronic devices including switching power supplies, FA controllers, and the like. In recent years, as the demand for higher functionality and miniaturization of electronic devices has increased, it has become increasingly necessary to reduce the size of optical coupling devices.

この光結合装置は、例えば発光素子及び受光素子がリードフレームにマウントされ、発光素子及び受光素子間に形成された透光性樹脂と、透光性樹脂の外側の包むように形成された遮光性樹脂とを含む構造とされる。   In this optical coupling device, for example, a light-emitting element and a light-receiving element are mounted on a lead frame, a light-transmitting resin formed between the light-emitting element and the light-receiving element, and a light-shielding resin formed so as to be wrapped outside the light-transmitting resin It is set as the structure containing these.

しかしながら、発光素子及び受光素子をマウントしたリードフレームを樹脂成型する構造において特性及び信頼性を確保しつつ小型化をはかるには限界がある。
リードフレームのスプリングバックに起因するクラックが入らないようにして、小型化が可能なフォトカプラに関する技術開示例がある(特許文献1)。
特開2001−358361号公報
However, there is a limit to downsizing while securing characteristics and reliability in a resin molding structure of a lead frame on which a light emitting element and a light receiving element are mounted.
There is a technology disclosure example regarding a photocoupler that can be reduced in size by preventing cracks due to springback of the lead frame (Patent Document 1).
JP 2001-358361 A

本発明は、信頼性を確保しつつ小型化が可能な光結合装置を提供する。   The present invention provides an optical coupling device that can be reduced in size while ensuring reliability.

本発明の一態様によれば、第1の主面に凹部が設けられた第1の基板と、前記第1の基板の前記第1の主面上に設けられた第1の配線パターン、第2の配線パターン、第3の配線パターン、及び第4の配線パターン、前記第1の主面に接合された第2の基板と、前記第1の主面と前記第2の基板とが接合されて形成された内部空間に設けられ、前記第1及び第2の配線パターンと電気的に接続され前記第1及び第2の基板により遮光される波長の光を放射する第1の発光素子と、前記内部空間に設けられ、前記第3及び第4の配線パターンと電気的に接続され前記第1の発光素子から放射される前記光を受光する受光素子と、を備え、前記第1の発光素子から放射された前記光の少なくとも一部は、前記第2の基板により反射されて前記受光素子に入射することを特徴とする光結合装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, a first substrate having a recess on a first main surface, a first wiring pattern provided on the first main surface of the first substrate, The second wiring pattern, the third wiring pattern, the fourth wiring pattern, the second substrate bonded to the first main surface, and the first main surface and the second substrate are bonded. A first light-emitting element that emits light having a wavelength that is provided in an internal space formed and is electrically connected to the first and second wiring patterns and is shielded by the first and second substrates; A light receiving element provided in the internal space, electrically connected to the third and fourth wiring patterns and receiving the light emitted from the first light emitting element, and the first light emitting element At least a part of the light emitted from the second substrate is reflected by the second substrate to receive the light Optical coupling apparatus is provided, characterized in that entering the child.

また、本発明の他の一態様によれば、第1の主面に凹部が設けられた第1の基板と、前記第1の基板の前記第1の主面上に設けられた第1の配線パターン、第2の配線パターン、第3の配線パターン、及び第4の配線パターンと、前記第1の主面に接合された第2の基板と、前記第1の主面と前記第2の基板とが接合されて形成された内部空間に設けられ、前記第1及び第2の基板により遮光される波長の光を放射する第1の発光素子と、前記内部空間において前記第1の発光素子と対向して設けられ、前記第1の発光素子から放射される前記光を受光する受光素子と、前記第2の基板の表面に設けられ前記第3の配線パターンと接続された第5の配線パターンと、前記第2の基板の表面に設けられ前記第4の配線パターンと接続された第6の配線パターンと、を備え、前記第1の発光素子及び前記受光素子のいずれか一方は、前記第1の基板にマウントされ、前記第1及び第2の配線パターンに接続され、前記第1の発光素子及び前記受光素子のいずれか他方は、前記第2の基板にマウントされ、前記第5及び第6の配線パターンに接続されたことを特徴とする光結合装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a first substrate having a recess provided on a first main surface, and a first substrate provided on the first main surface of the first substrate. A wiring pattern, a second wiring pattern, a third wiring pattern, and a fourth wiring pattern; a second substrate bonded to the first main surface; the first main surface; A first light-emitting element which is provided in an internal space formed by bonding with a substrate and emits light having a wavelength shielded by the first and second substrates; and the first light-emitting element in the internal space A light receiving element that receives the light emitted from the first light emitting element, and a fifth wiring that is provided on the surface of the second substrate and is connected to the third wiring pattern And a sixth pattern provided on the surface of the second substrate and connected to the fourth wiring pattern. A wiring pattern, wherein one of the first light emitting element and the light receiving element is mounted on the first substrate, connected to the first and second wiring patterns, and the first light emitting element. One of the element and the light receiving element is mounted on the second substrate, and is connected to the fifth and sixth wiring patterns. An optical coupling device is provided.

また、本発明の他の一態様によれば、第1の主面に凹部が設けられた第1の基板と、前記第1の基板の前記第1の主面上に設けられた第1の配線パターン、第2の配線パターン、第3の配線パターン、及び第4の配線パターンと、半絶縁性半導体からなり、表面に作り込まれた受光素子を有し、前記第1の主面に接合された第2の基板と、前記第1の主面と前記第2の基板とが接合されて形成された内部空間において前記受光素子と対向して前記第1の基板にマウントされ、前記第1及び第2の配線パターンと電気的に接続され、前記第1及び第2の基板により遮光される波長の光を放射する第1の発光素子と、前記第2の基板の表面に設けられ前記受光素子と前記第3の配線パターンとを接続する第5の配線パターンと、前記第2の基板の表面に設けられ前記受光素子と前記第4の配線パターンとを接続する第6の配線パターンと、を備えたことを特徴とする光結合装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a first substrate having a recess provided on a first main surface, and a first substrate provided on the first main surface of the first substrate. A wiring pattern, a second wiring pattern, a third wiring pattern, a fourth wiring pattern, and a light-receiving element made of a semi-insulating semiconductor and formed on the surface, and bonded to the first main surface Mounted on the first substrate so as to face the light receiving element in an internal space formed by joining the second substrate, the first main surface, and the second substrate. And a first light emitting element that emits light having a wavelength that is electrically connected to the second wiring pattern and is shielded by the first and second substrates, and the light receiving device provided on the surface of the second substrate. A fifth wiring pattern for connecting an element and the third wiring pattern; and Optical coupling device characterized by comprising: the sixth wiring pattern for connecting the light receiving element provided on a surface and the fourth wiring patterns, is provided.

本発明により、信頼性を確保しつつ小型化が可能な光結合装置が提供される。   The present invention provides an optical coupling device that can be reduced in size while ensuring reliability.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態にかかる光結合装置を表し、図1(a)は模式斜視図、図1(b)はA−A線に沿った模式断面図、図1(c)は内部の模式斜視図である。半絶縁性を有する半導体を含む第1の基板10は凹部12を有しており、凹部12の内部の底面には発光素子30及び受光素子32がマウントされる。発光素子30及び受光素子32の電極とボンディングワイヤ34、35、36により接続するための配線パターン42、44、46、48が、第1の主面40に設けられた凹部12の内部表面から第1の主面40に延在している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1A and 1B show an optical coupling device according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a schematic perspective view, FIG. 1B is a schematic cross-sectional view along the line AA, and FIG. c) is a schematic perspective view of the inside. The first substrate 10 including a semi-insulating semiconductor has a recess 12, and a light emitting element 30 and a light receiving element 32 are mounted on the bottom surface inside the recess 12. Wiring patterns 42, 44, 46, 48 for connecting the electrodes of the light emitting element 30 and the light receiving element 32 with bonding wires 34, 35, 36 are provided from the inner surface of the recess 12 provided in the first main surface 40. 1 to the main surface 40.

発光素子30の一方の電極は配線パターン46と接続され、他方の電極は配線パターン48と接続される。図1において、発光素子30は配線パターン46上にマウントされており、一方の電極(図示せず)は発光素子30のチップの裏面から配線パターン46に接続される。他方の電極(図示せず)はワイヤボンディング36により配線パターン48と接続される。また、受光素子32の電極(図示せず)は、ボンディングワイヤ34、35により配線パターン44、42とそれぞれ接続される。   One electrode of the light emitting element 30 is connected to the wiring pattern 46, and the other electrode is connected to the wiring pattern 48. In FIG. 1, the light emitting element 30 is mounted on a wiring pattern 46, and one electrode (not shown) is connected to the wiring pattern 46 from the back surface of the chip of the light emitting element 30. The other electrode (not shown) is connected to the wiring pattern 48 by wire bonding 36. The electrodes (not shown) of the light receiving element 32 are connected to the wiring patterns 44 and 42 by bonding wires 34 and 35, respectively.

また、第1の基板10の第1の主面40と貼り合わされる第2の基板60は、第1の基板10の凹部12と対向する領域に光反射面62を有する。すなわち、本実施形態は反射型の光結合装置である。光反射面62は金属、誘電体、樹脂などにより形成でき、その形状は凹部状の曲面には限定されず、凸状の曲面や平面などであってもよい。   Further, the second substrate 60 bonded to the first main surface 40 of the first substrate 10 has a light reflecting surface 62 in a region facing the recess 12 of the first substrate 10. That is, this embodiment is a reflective optical coupling device. The light reflecting surface 62 can be formed of metal, dielectric, resin, and the like, and the shape thereof is not limited to the concave curved surface, and may be a convex curved surface or a flat surface.

配線パターン46、48を介して発光素子30に印加された入力電気信号により発光素子30が発光し、光反射面62による反射光が受光素子32に入射する。受光素子32により変換された信号は出力電気信号となり、配線パターン42、44を介して外部に取り出される。このために、入力側及び出力側は、電気的な絶縁を保ちつつ信号を伝送できる。   The light emitting element 30 emits light by an input electric signal applied to the light emitting element 30 via the wiring patterns 46 and 48, and the reflected light from the light reflecting surface 62 enters the light receiving element 32. The signal converted by the light receiving element 32 becomes an output electric signal and is taken out through the wiring patterns 42 and 44. For this reason, the input side and the output side can transmit signals while maintaining electrical insulation.

第1の基板10の材質は、例えば半絶縁性の半導体とし、例えばSiとする。発光素子30は、例えばGaAlAsまたはGaAs系材料を用いた赤外発光素子とする。また、受光素子32は、例えばSiを用いたフォトダイオード、フォトトランジスタとする。基板をSiとし、外部光による受光素子32の誤動作を抑制する。   The material of the first substrate 10 is, for example, a semi-insulating semiconductor, for example, Si. The light emitting element 30 is an infrared light emitting element using, for example, GaAlAs or GaAs material. The light receiving element 32 is, for example, a photodiode or phototransistor using Si. The substrate is Si, and malfunction of the light receiving element 32 due to external light is suppressed.

光反射面62を有し第1の基板10と貼り合わされる第2の基板60の材質は、半絶縁性半導体または樹脂成型体などとする。第1及び第2の基板10、60に半導体を用いる場合、材質は同一でも異なってもよい。第2の基板60も、外部光による受光素子32の誤動作を抑制するよう遮光性を持たせる。すなわち、第1及び第2のき板10,60は、遮光性を有する絶縁材料または半絶縁材料とする。
なお、第1の基板10と第2の基板60とが接合されることにより形成される内部空間は、加熱による内圧の上昇を防止するために、真空または減圧とすることが望ましい。
The material of the second substrate 60 having the light reflecting surface 62 and bonded to the first substrate 10 is a semi-insulating semiconductor or a resin molded body. When semiconductors are used for the first and second substrates 10 and 60, the materials may be the same or different. The second substrate 60 also has a light shielding property so as to suppress malfunction of the light receiving element 32 due to external light. That is, the first and second plates 10 and 60 are made of an insulating material or a semi-insulating material having a light shielding property.
Note that the internal space formed by bonding the first substrate 10 and the second substrate 60 is desirably a vacuum or a reduced pressure in order to prevent an increase in internal pressure due to heating.

第1の実施形態において、第1の基板10の材質を半導体とすると凹部12及び配線パターン42、44、46、48の形成に、半導体の微細加工プロセスを用いることができる。図2は、本実施形態にかかる光結合装置の製造工程を表す工程断面図である。まず、図2(a)のように第1の基板10の第1の主面40に凹部12及び非貫通開口14をRIE法などにより形成する。   In the first embodiment, if the material of the first substrate 10 is a semiconductor, a semiconductor microfabrication process can be used to form the recess 12 and the wiring patterns 42, 44, 46, 48. FIG. 2 is a process cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the optical coupling device according to the present embodiment. First, as shown in FIG. 2A, the recess 12 and the non-through opening 14 are formed on the first main surface 40 of the first substrate 10 by the RIE method or the like.

続いて図2(b)のように、第1の主面40、凹部12の内部表面、非貫通開口14に沿って配線パターン42、44をリソグラフィ法により形成する。配線パターン42、44は金属層またはイオン注入層とする。この場合、チップのマウント領域及びワイヤボンディング領域の他はイオン注入層とすることができる。   Subsequently, as shown in FIG. 2B, wiring patterns 42 and 44 are formed by a lithography method along the first main surface 40, the inner surface of the recess 12, and the non-through opening 14. The wiring patterns 42 and 44 are metal layers or ion implantation layers. In this case, an ion implantation layer can be used in addition to the chip mounting region and the wire bonding region.

続いて図2(c)のように、非貫通開口14近傍を第1の基板10の裏面となる第2の主面41側からRIE法などにより除去し裏面開口16を設け、配線パターン42、44を露出する。続いて図2(d)のように、裏面開口16近傍に外部配線パターン52、54を形成し配線パターン42、44とそれぞれ接続する。さらに発光素子30、受光素子32を凹部12内に接着し、ワイヤボンディングなどで接続する。   Subsequently, as shown in FIG. 2C, the vicinity of the non-penetrating opening 14 is removed from the second main surface 41 side which is the back surface of the first substrate 10 by the RIE method or the like to provide the back surface opening 16, and the wiring pattern 42, 44 is exposed. Subsequently, as shown in FIG. 2D, external wiring patterns 52 and 54 are formed in the vicinity of the back surface opening 16 and connected to the wiring patterns 42 and 44, respectively. Further, the light emitting element 30 and the light receiving element 32 are bonded in the recess 12 and connected by wire bonding or the like.

続いて、図2(e)のように光反射面62が凹部12と対向するように第2及び第1の基板60、10を、例えば接着剤などにより接着する。さらに、ダイシング法などによりチップを分離して、図2(f)の構造となる。このようにして発光素子30及び受光素子32の電極は非貫通開口14及び裏面開口16を介して外部配線パターンと接続される。   Subsequently, as shown in FIG. 2E, the second and first substrates 60 and 10 are bonded with, for example, an adhesive so that the light reflecting surface 62 faces the recess 12. Further, the chip is separated by a dicing method or the like to obtain the structure of FIG. In this way, the electrodes of the light emitting element 30 and the light receiving element 32 are connected to the external wiring pattern through the non-through opening 14 and the back surface opening 16.

図1に表した第1の実施形態において、半導体を含む第1の基板10に微細加工プロセスにより凹部12を形成し、第2の基板60に設けられた光反射面62との間に形成された内部空間において光結合をさせることにより、リードフレーム及び樹脂によるパッケージよりも小型化できる。この場合、パッケージの強度は基板で保たれているので、リードフレームを太く厚くする必要がない。   In the first embodiment shown in FIG. 1, a recess 12 is formed in a first substrate 10 including a semiconductor by a microfabrication process, and is formed between a light reflecting surface 62 provided on a second substrate 60. By making optical coupling in the inner space, the package can be made smaller than a lead frame and a resin package. In this case, since the strength of the package is maintained by the substrate, it is not necessary to make the lead frame thick and thick.

さらに、光結合装置の端子はリードではなく第1の基板10に設けられる外部配線パターンとするので、幅を狭く、厚みを薄くでき、リード折り曲げも不要となる。このために、リードフレーム構造より小型化が一層容易となりCSP(Chip Scale Package)構造も可能となる。なお、第1の基板10の第2の主面41に外部配線パターンを設けることなく第1の主面40に形成された配線パターンのみでもよいが、実装基板への取り付けのためには外部配線パターンを第1の基板10の第2の主面41側に形成する方が好ましい
図3は、製造工程の変形例を表し、第1及び第2の基板10、60を真空または減圧下で接着する場合の工程断面図である。まず、図3(a)のように第1の基板10の第1の主面40に凹部12及び非貫通開口14をRIE法などにより形成する。
Further, since the terminals of the optical coupling device are not leads but external wiring patterns provided on the first substrate 10, the width can be reduced, the thickness can be reduced, and lead bending is not required. For this reason, downsizing is further facilitated than the lead frame structure, and a CSP (Chip Scale Package) structure is also possible. The wiring pattern formed on the first main surface 40 may be only provided on the second main surface 41 of the first substrate 10 without providing the external wiring pattern. It is preferable to form the pattern on the second main surface 41 side of the first substrate 10. FIG. 3 shows a modification of the manufacturing process, and the first and second substrates 10 and 60 are bonded together under vacuum or reduced pressure. It is process sectional drawing in the case of doing. First, as shown in FIG. 3A, the recess 12 and the non-through opening 14 are formed on the first main surface 40 of the first substrate 10 by the RIE method or the like.

続いて図3(b)のように、第1の主面40、凹部12の内表面、非貫通開口14に沿って配線パターン42、44をリソグラフィ法により形成する。配線パターン42、44は金属層またはイオン注入層とする。この場合、チップのマウント領域及びワイヤボンディング領域以外はイオン注入層とすることができる。発光素子30及び受光素子32は銀ペーストまたはAuSn半田によりマウントし、ワイヤボンディングなどにより配線パターンと接続する。   Subsequently, as shown in FIG. 3B, wiring patterns 42 and 44 are formed by a lithography method along the first main surface 40, the inner surface of the recess 12, and the non-through opening 14. The wiring patterns 42 and 44 are metal layers or ion implantation layers. In this case, the region other than the chip mounting region and the wire bonding region can be an ion implantation layer. The light emitting element 30 and the light receiving element 32 are mounted with silver paste or AuSn solder, and connected to the wiring pattern by wire bonding or the like.

第1の基板10の第1の主面40は、金属、誘電体、樹脂などを含む光反射面62を有する第2の基板60と真空または減圧下で接着される。第2の基板60も半導体であればウェーハ貼り合わせによる工程とする。この場合、半導体の材料が同一である必要はないが、発光素子30からの放射光に対して遮光性を有することが好ましい。半導体ウェーハを貼り合わせる構造では、より確実かつ容易に基板を接着できる。   The first main surface 40 of the first substrate 10 is bonded to a second substrate 60 having a light reflecting surface 62 containing metal, dielectric, resin, etc. under vacuum or reduced pressure. If the second substrate 60 is also a semiconductor, the process is performed by wafer bonding. In this case, the semiconductor materials do not have to be the same, but it is preferable to have a light shielding property against the emitted light from the light emitting element 30. In the structure in which the semiconductor wafers are bonded together, the substrate can be bonded more reliably and easily.

続いて図3(c)のように、非貫通開口14近傍を第1の基板10の裏面である第2主面41側からRIE法などにより除去し、配線パターン42、44を露出させる。さらに、図3(d)のように、第2の主面41側から外部配線パターン52、54を形成し配線パターン42、44とそれぞれに接続する。   Subsequently, as shown in FIG. 3C, the vicinity of the non-through opening 14 is removed from the second main surface 41 side which is the back surface of the first substrate 10 by the RIE method or the like to expose the wiring patterns 42 and 44. Further, as shown in FIG. 3D, external wiring patterns 52 and 54 are formed from the second main surface 41 side and connected to the wiring patterns 42 and 44, respectively.

続いて、ダイシングなどによりチップを分離して、図3(e)の構造となる。このようにして発光素子30及び受光素子32の電極は非貫通開口14及び裏面開口16を介して外部配線パターンとそれぞれに接続される。   Subsequently, the chip is separated by dicing or the like to obtain the structure of FIG. In this way, the electrodes of the light emitting element 30 and the light receiving element 32 are connected to the external wiring pattern through the non-penetrating opening 14 and the back surface opening 16, respectively.

また、図1において、受光素子32はSiである場合、基板に作り込むことにより、マウントを含む実装工程が簡素化でき、ワイヤボンディング領域が不要となるなど小型化がより容易となる。なお、配線パターン46,48の間に2つの発光素子30を逆並列に接続するとAC入力用光結合装置とできる。   In FIG. 1, when the light receiving element 32 is made of Si, the mounting process including the mounting can be simplified by making the light receiving element 32 on the substrate, and the miniaturization can be facilitated because the wire bonding region is not necessary. If two light emitting elements 30 are connected in reverse parallel between the wiring patterns 46 and 48, an AC input optical coupling device can be obtained.

図4は、本発明の第2実施形態にかかる光結合装置の模式斜視図である。本実施形態においては、凹部12において発光素子30及び受光素子32を覆うように透明樹脂20(ドットで表す)が設けられており、発光素子30及び受光素子32を保護している。また、凹部12の角部から離間した開口部18が溝部19を介して第1の主面40に形成されている。このようにすると、第2の基板60と貼り合わせられた場合、この開口部18及び溝部19の一部は透明樹脂20の非形成領域となり膨張した透明樹脂20がこの開口部18及び溝部19に沿って逃げることができるのでより好ましい。   FIG. 4 is a schematic perspective view of the optical coupling device according to the second embodiment of the present invention. In the present embodiment, the transparent resin 20 (represented by dots) is provided so as to cover the light emitting element 30 and the light receiving element 32 in the recess 12, and the light emitting element 30 and the light receiving element 32 are protected. An opening 18 that is spaced from the corner of the recess 12 is formed in the first main surface 40 via the groove 19. In this way, when bonded to the second substrate 60, a part of the opening 18 and the groove 19 becomes a non-formation region of the transparent resin 20, and the expanded transparent resin 20 enters the opening 18 and the groove 19. It is more preferable because it can escape along.

すなわち、透明樹脂の線膨張係数は、約3×10―4/℃であり、Si、リードフレーム、モールド樹脂よりも一桁程度は大きい。このために基板及び透明樹脂の間、モールド樹脂及び透明樹脂の間は密着性が不十分であり、温度変化による膨張・収縮量の差で透明樹脂の剥離を生じることがある。この剥離は光の結合効率を変動させる。また、透明樹脂の膨張によりモールド樹脂にクラックを発生させることもある。 That is, the linear expansion coefficient of the transparent resin is about 3 × 10 −4 / ° C., which is about one digit larger than that of Si, the lead frame, and the mold resin. For this reason, adhesiveness is insufficient between the substrate and the transparent resin, and between the mold resin and the transparent resin, and the transparent resin may be peeled off due to a difference in expansion and contraction due to a temperature change. This peeling changes the light coupling efficiency. Further, cracks may occur in the mold resin due to the expansion of the transparent resin.

これに対して、本実施形態においては、透明樹脂20の膨張及び収縮があっても透明樹脂20の逃げ場となる内部空間(溝部19と開口部18の一部または全部)が設けられるために透明樹脂20の剥離及びモールド樹脂のクラックを抑制できる。したがって、光結合効率の変動を抑制でき、特性及び信頼性の確保が容易となる。
なお、このような溝部19及び開口部18は、第2の基板60に設けてもよく、または第1の基板10と第2の基板60の両方に設けてもよい。
On the other hand, in this embodiment, even if the transparent resin 20 expands and contracts, an internal space (a part or the whole of the groove portion 19 and the opening portion 18) that serves as a escape place for the transparent resin 20 is provided. Peeling of the resin 20 and cracking of the mold resin can be suppressed. Therefore, fluctuations in optical coupling efficiency can be suppressed, and characteristics and reliability can be easily ensured.
Note that the groove 19 and the opening 18 may be provided on the second substrate 60, or may be provided on both the first substrate 10 and the second substrate 60.

また、第1の基板10を半絶縁性半導体とし、第2の基板60を半絶縁性基板または樹脂とし、いずれも遮光性とする。図1及び図4では、発光素子30及び受光素子32を第1の基板10に設けられた凹部12に配置した反射型光結合装置について説明した。しかし本発明はこれに限定されず、一方が第2の基板60に配置された対向型光結合装置であってもよい。   In addition, the first substrate 10 is a semi-insulating semiconductor, and the second substrate 60 is a semi-insulating substrate or resin, both of which are light-shielding. 1 and 4, the reflection type optical coupling device in which the light emitting element 30 and the light receiving element 32 are arranged in the recess 12 provided in the first substrate 10 has been described. However, the present invention is not limited to this, and may be a counter-type optical coupling device in which one is disposed on the second substrate 60.

図5は、本発明の第3の実施形態にかかる対向型の光結合装置を表し、図5(a)は第2の基板の模式斜視図、図5(b)は模式断面図、図5(c)は第1の基板の模式斜視図である。本実施形態において、発光素子30は第1の基板10にマウントされ、受光素子32は第2の基板60にマウントされている。この場合、第1及び第2の基板10、60が貼り合わされ2つの凹部を含む内部空間が形成されている。第2の基板60の配線パターン66、68は第1の基板10の配線パターン42、44とそれぞれに接続され、第1の基板10の第2の主面41にすべての外部配線パターンが設けられる。本実施形態では、発光素子30及び受光素子32の間の距離を大きくし、絶縁耐圧を改善するのが容易となる。なお、図5に表したものとは逆に、発光素子30を第2の基板60にマウントし、受光素子32を第1の基板10にマントしてもよい。   5A and 5B show a counter-type optical coupling device according to a third embodiment of the present invention. FIG. 5A is a schematic perspective view of a second substrate, FIG. 5B is a schematic cross-sectional view, and FIG. (C) is a schematic perspective view of a 1st board | substrate. In the present embodiment, the light emitting element 30 is mounted on the first substrate 10, and the light receiving element 32 is mounted on the second substrate 60. In this case, the first and second substrates 10 and 60 are bonded together to form an internal space including two concave portions. The wiring patterns 66 and 68 of the second substrate 60 are connected to the wiring patterns 42 and 44 of the first substrate 10 respectively, and all external wiring patterns are provided on the second main surface 41 of the first substrate 10. . In the present embodiment, it is easy to increase the distance between the light emitting element 30 and the light receiving element 32 and improve the withstand voltage. In contrast to the one shown in FIG. 5, the light emitting element 30 may be mounted on the second substrate 60 and the light receiving element 32 may be cloaked on the first substrate 10.

また、チップ状の受光素子32を第2の基板60にマウントする代わりに、第2の基板60に受光素子32を作り込むことができる。すなわち、Siからなる第2の基板60の表面に、拡散やパターニングを施すことにより、受光素子32を形成することができる。このようにすると、実装工程が簡素化でき、小型化がより容易となる。また、ロジック出力やMOSFET出力の光結合装置においては、受光素子32と他の素子を組み込んだ集積回路69とし、これを第2の基板60に作り込むと、対向型であるために安定した高い結合効率を有しつつ、小型化が可能な光結合装置が可能となる。つまり、この場合も、Siからなる第2の基板60の表面に拡散やパターニングなどのプロセスを施すことにより、集積回路69を形成することができる。   Further, instead of mounting the chip-shaped light receiving element 32 on the second substrate 60, the light receiving element 32 can be formed on the second substrate 60. That is, the light receiving element 32 can be formed by performing diffusion or patterning on the surface of the second substrate 60 made of Si. If it does in this way, a mounting process can be simplified and size reduction will become easier. Further, in the optical output device of logic output or MOSFET output, the integrated circuit 69 in which the light receiving element 32 and other elements are incorporated, and when this is built in the second substrate 60, is an opposed type and stable and high. An optical coupling device that can be miniaturized while having coupling efficiency becomes possible. That is, also in this case, the integrated circuit 69 can be formed by performing a process such as diffusion or patterning on the surface of the second substrate 60 made of Si.

また、例えば電気的に独立である発光素子を2つ以上配置し、1つの受光素子32から信号を出力させることができる。図6は、本発明の第4の実施形態にかかる光結合装置を表し、図6(a)は第2の基板の模式斜視図、図6(b)は模式断面図、図6(c)は第1の基板の模式斜視図である。本実施形態において、第1の基板10に2つの発光素子30,31をマウントし、それぞれに独立した配線パターン46、47、48、49を設ける。このような発光素子30、31及び受光素子32を複数ペア配置することにより小型の多チャンネル光結合装置が可能となる。   Further, for example, two or more light-emitting elements that are electrically independent can be arranged, and a signal can be output from one light-receiving element 32. 6A and 6B show an optical coupling device according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 6A is a schematic perspective view of a second substrate, FIG. 6B is a schematic cross-sectional view, and FIG. FIG. 3 is a schematic perspective view of a first substrate. In the present embodiment, two light emitting elements 30 and 31 are mounted on the first substrate 10, and independent wiring patterns 46, 47, 48 and 49 are respectively provided. By arranging a plurality of pairs of such light emitting elements 30, 31 and light receiving elements 32, a small multi-channel optical coupling device can be realized.

他方、第1の基板10に受光素子32を配置し、第2の基板60に2つの発光素子30、31をマウントしてもよい。この場合、発光素子30、31と接続される4つの配線パターンが第2の基板60に設けられる。第1の基板10には、受光素子32と接続される2つの配線パターンと、第2の基板60に設けられた4つの配線パターンとそれぞれ接続される4つの配線パターンと、が、設けられる。
すなわち、前記第1の主面上に設けられた第7及び第8の配線パターンと、前記第2の基板の表面に設けられ前記第7の配線パターンと接続された第9の配線パターンと、前記第2の基板の表面に設けられ前記第8の配線パターンと接続された第10の配線パターンと、前記内部空間に設けられ、前記前記第9及び第10と電気的に接続され前記第1及び第2の基板により遮光される波長の光を放射する第2の発光素子と、をさらに備え、前記受光素子は、前記第2の発光素子から放射される前記光を受光し、前記第1及び第2の発光素子は前記第2の基板にマウントされ、前記受光素子は前記第1の基板に配置されたことを特徴とする請求項2に記載の光結合装置を提供することもできる。
On the other hand, the light receiving element 32 may be disposed on the first substrate 10, and the two light emitting elements 30 and 31 may be mounted on the second substrate 60. In this case, four wiring patterns connected to the light emitting elements 30 and 31 are provided on the second substrate 60. The first substrate 10 is provided with two wiring patterns connected to the light receiving element 32 and four wiring patterns respectively connected to the four wiring patterns provided on the second substrate 60.
That is, the seventh and eighth wiring patterns provided on the first main surface, the ninth wiring pattern provided on the surface of the second substrate and connected to the seventh wiring pattern, A tenth wiring pattern provided on a surface of the second substrate and connected to the eighth wiring pattern; provided in the internal space; and electrically connected to the ninth and tenth. And a second light emitting element that emits light having a wavelength that is shielded by the second substrate, wherein the light receiving element receives the light emitted from the second light emitting element, and 3. The optical coupling device according to claim 2, wherein the second light emitting element is mounted on the second substrate, and the light receiving element is disposed on the first substrate.

以上第1〜第4の実施形態において、内部空間の発光素子及び受光素子を覆う透明樹脂をさらに備え、第1及び第2の基板の少なくともいずれかは、内部空間に連通した溝部を有する構造とすることができる。   As described above, in the first to fourth embodiments, a transparent resin that covers the light emitting element and the light receiving element in the internal space is further provided, and at least one of the first and second substrates has a structure having a groove portion that communicates with the internal space. can do.

さらに、第1〜第4の実施形態において、発光素子30、31及び受光素子32の配線パターンは、非平行であり垂直にすることが容易であり、入出力間の浮遊静電容量を低減することができる。従来構造では、入出力のリードが平行しており、かつリードの面積が大きいために浮遊静電容量が大きい。例えば、受光素子と一体に集積化されたMOSFETによりターンオン及びターンオフ時のスイッチング時間を短縮しようとしても、浮遊静電容量のためスイッチング時間短縮には限界があった。これに対して本実施形態ではスイッチング時間の短縮が容易である。   Furthermore, in the first to fourth embodiments, the wiring patterns of the light emitting elements 30, 31 and the light receiving element 32 are non-parallel and easy to make vertical, and reduce the floating capacitance between input and output. be able to. In the conventional structure, since the input / output leads are parallel and the lead area is large, the floating capacitance is large. For example, even if an attempt is made to shorten the switching time at turn-on and turn-off by a MOSFET integrated with a light receiving element, there is a limit to shortening the switching time due to the floating capacitance. On the other hand, in this embodiment, it is easy to shorten the switching time.

以上に説明したように本発明の実施形態において、入力と出力が絶縁された状態で信号伝送が可能で、信頼性を確保しつつ小型化が容易な光結合装置が提供される。この光結合装置は、スイッチング電源、FAコントローラ、医用を含む電子機器などの広い範囲において用いることができる。   As described above, in the embodiment of the present invention, an optical coupling device that can transmit a signal in a state where the input and the output are insulated and can be easily downsized while ensuring reliability is provided. This optical coupling device can be used in a wide range of switching power supplies, FA controllers, medical electronic devices, and the like.

以上、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし本発明はこれら実施形態に限定されない。例えば、光結合装置を構成する発光素子、受光素子、集積回路、基板、透明樹脂、モールド樹脂などの形状、材質、サイズ、配置などに関して、当業者が設計変更を行ったものであっても本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。   The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to these embodiments. For example, even if a person skilled in the art has changed the design regarding the shape, material, size, arrangement, etc. of the light-emitting element, light-receiving element, integrated circuit, substrate, transparent resin, mold resin, etc. constituting the optical coupling device It is included in the scope of the present invention without departing from the gist of the invention.

第1の実施形態にかかる光結合装置の模式図。The schematic diagram of the optical coupling device concerning 1st Embodiment. 第1の実施形態の製造工程を表す工程断面図。Process sectional drawing showing the manufacturing process of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の製造工程の変形例を表す工程断面図。Process sectional drawing showing the modification of the manufacturing process of 1st Embodiment. 第2の実施形態にかかる光結合装置の模式図。The schematic diagram of the optical coupling device concerning 2nd Embodiment. 第3の実施形態にかかる光結合装置の模式図。The schematic diagram of the optical coupling device concerning 3rd Embodiment. 第4の実施形態にかかる光結合装置の模式図である。It is a schematic diagram of the optical coupling device concerning 4th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 第1の基板、12 凹部、20 透明樹脂、30、31 発光素子、32 受光素子、40 第1の主面、42、44、46、47、48、49 配線パターン、52、58 外部配線パターン、60 第2の基板、62 光反射面、66、68 配線パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 1st board | substrate, 12 recessed part, 20 transparent resin, 30, 31 light emitting element, 32 light receiving element, 40 1st main surface, 42, 44, 46, 47, 48, 49 wiring pattern, 52, 58 external wiring pattern , 60 Second substrate, 62 Light reflecting surface, 66, 68 Wiring pattern

Claims (5)

第1の主面に凹部が設けられた第1の基板と、
前記第1の基板の前記第1の主面上に設けられた第1の配線パターン、第2の配線パターン、第3の配線パターン、及び第4の配線パターンと、
前記第1の主面に接合された第2の基板と、
前記第1の主面と前記第2の基板とが接合されて形成された内部空間に設けられ、前記第1及び第2の配線パターンと電気的に接続され前記第1及び第2の基板により遮光される波長の光を放射する第1の発光素子と、
前記内部空間に設けられ、前記第3及び第4の配線パターンと電気的に接続され前記第1の発光素子から放射される前記光を受光する受光素子と、
を備え、
前記第1の発光素子から放射された前記光の少なくとも一部は、前記第2の基板により反射されて前記受光素子に入射することを特徴とする光結合装置。
A first substrate provided with a recess in the first main surface;
A first wiring pattern, a second wiring pattern, a third wiring pattern, and a fourth wiring pattern provided on the first main surface of the first substrate;
A second substrate bonded to the first main surface;
Provided in an internal space formed by bonding the first main surface and the second substrate, and electrically connected to the first and second wiring patterns, by the first and second substrates. A first light emitting element that emits light of a wavelength to be blocked;
A light receiving element that is provided in the internal space and that is electrically connected to the third and fourth wiring patterns and receives the light emitted from the first light emitting element;
With
At least a part of the light emitted from the first light emitting element is reflected by the second substrate and enters the light receiving element.
第1の主面に凹部が設けられた第1の基板と、
前記第1の基板の前記第1の主面上に設けられた第1の配線パターン、第2の配線パターン、第3の配線パターン、及び第4の配線パターンと、
前記第1の主面に接合された第2の基板と、
前記第1の主面と前記第2の基板とが接合されて形成された内部空間に設けられ、前記第1及び第2の基板により遮光される波長の光を放射する第1の発光素子と、
前記内部空間において前記第1の発光素子と対向して設けられ、前記第1の発光素子から放射される前記光を受光する受光素子と、
前記第2の基板の表面に設けられ前記第3の配線パターンと接続された第5の配線パターンと、
前記第2の基板の表面に設けられ前記第4の配線パターンと接続された第6の配線パターンと、
を備え、
前記第1の発光素子及び前記受光素子のいずれか一方は、前記第1の基板にマウントされ、前記第1及び第2の配線パターンに接続され、
前記第1の発光素子及び前記受光素子のいずれか他方は、前記第2の基板にマウントされ、前記第5及び第6の配線パターンに接続されたことを特徴とする光結合装置。
A first substrate provided with a recess in the first main surface;
A first wiring pattern, a second wiring pattern, a third wiring pattern, and a fourth wiring pattern provided on the first main surface of the first substrate;
A second substrate bonded to the first main surface;
A first light-emitting element that is provided in an internal space formed by bonding the first main surface and the second substrate and that emits light having a wavelength that is blocked by the first and second substrates; ,
A light receiving element that is provided opposite to the first light emitting element in the internal space and receives the light emitted from the first light emitting element;
A fifth wiring pattern provided on the surface of the second substrate and connected to the third wiring pattern;
A sixth wiring pattern provided on the surface of the second substrate and connected to the fourth wiring pattern;
With
Either one of the first light emitting element and the light receiving element is mounted on the first substrate and connected to the first and second wiring patterns,
One of the first light emitting element and the light receiving element is mounted on the second substrate, and is connected to the fifth and sixth wiring patterns.
第1の主面に凹部が設けられた第1の基板と、
前記第1の基板の前記第1の主面上に設けられた第1の配線パターン、第2の配線パターン、第3の配線パターン、及び第4の配線パターンと、
半絶縁性半導体からなり、表面に作り込まれた受光素子を有し、前記第1の主面に接合された第2の基板と、
前記第1の主面と前記第2の基板とが接合されて形成された内部空間において前記受光素子と対向して前記第1の基板にマウントされ、前記第1及び第2の配線パターンと電気的に接続され、前記第1及び第2の基板により遮光される波長の光を放射する第1の発光素子と、
前記第2の基板の表面に設けられ前記受光素子と前記第3の配線パターンとを接続する第5の配線パターンと、
前記第2の基板の表面に設けられ前記受光素子と前記第4の配線パターンとを接続する第6の配線パターンと、
を備えたことを特徴とする光結合装置。
A first substrate provided with a recess in the first main surface;
A first wiring pattern, a second wiring pattern, a third wiring pattern, and a fourth wiring pattern provided on the first main surface of the first substrate;
A second substrate made of a semi-insulating semiconductor, having a light receiving element formed on the surface, and joined to the first main surface;
The first main surface and the second substrate are mounted on the first substrate so as to face the light receiving element in an internal space formed by bonding, and the first and second wiring patterns are electrically connected to the first substrate. A first light-emitting element that emits light having a wavelength that is connected to each other and shielded by the first and second substrates;
A fifth wiring pattern provided on the surface of the second substrate and connecting the light receiving element and the third wiring pattern;
A sixth wiring pattern provided on the surface of the second substrate and connecting the light receiving element and the fourth wiring pattern;
An optical coupling device comprising:
前記第1の主面上に設けられた第7及び第8の配線パターンと、
前記内部空間に設けられ、前記第7及び第8の配線パターンと電気的に接続され前記第1及び第2の基板により遮光される波長の光を放射する第2の発光素子と、
をさらに備え、
前記受光素子は前記第2の発光素子から放射される前記光を受光することを特徴とする請求項1記載の光結合装置。
Seventh and eighth wiring patterns provided on the first main surface;
A second light emitting element that emits light having a wavelength that is provided in the internal space and is electrically connected to the seventh and eighth wiring patterns and shielded by the first and second substrates;
Further comprising
The optical coupling device according to claim 1, wherein the light receiving element receives the light emitted from the second light emitting element.
前記第1の主面上に設けられた第7及び第8の配線パターンと、
前記内部空間に設けられ、前記第7及び第8の配線パターンと電気的に接続され前記第1及び第2の基板により遮光される波長の光を放射する第2の発光素子と、
をさらに備え、
前記受光素子は前記第1及び第2の発光素子から放射される前記光を受光し、
前記第1及び第2の発光素子は前記第1の基板にマウントされ、
前記受光素子は前記第2の基板に配置されたことを特徴とする請求項2または3に記載の光結合装置。
Seventh and eighth wiring patterns provided on the first main surface;
A second light emitting element that emits light having a wavelength that is provided in the internal space and is electrically connected to the seventh and eighth wiring patterns and shielded by the first and second substrates;
Further comprising
The light receiving element receives the light emitted from the first and second light emitting elements;
The first and second light emitting elements are mounted on the first substrate;
4. The optical coupling device according to claim 2, wherein the light receiving element is disposed on the second substrate.
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