JP2008198751A - Cooler and power converter using the same - Google Patents

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refrigerant flow
refrigerant
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semiconductor module
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Seiji Inoue
誠司 井上
Kimikazu Obara
公和 小原
Yuki Mukohara
佑輝 向原
Takeshi Yamamoto
武司 山本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cooler that has excellent cooling efficiency and can be miniaturized easily, and to provide a power converter using the cooler. <P>SOLUTION: The cooler 3 has a plurality of cooling pipes 31 arranged so that an electronic component (semiconductor module 2) is clamped from both surfaces. The power converter 1 uses the cooler 3. The cooling pipes 31 have a refrigerant channel 33 divided into not less than three layers by a partition wall 34 in a lamination direction to the semiconductor module 2. On the partition wall 34 between the outermost and innermost refrigerant channels 332, 331 in the refrigerant channels 33, there is a jet hole 35 for jetting a cooling refrigerant to the outermost cooling channel 332 from the innermost one 331. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子部品を冷却するための冷却器及びこれを用いた電力変換装置に関する。   The present invention relates to a cooler for cooling an electronic component and a power conversion device using the cooler.

従来より、インバータやDC−DCコンバータ等の電力変換装置として、半導体素子を内蔵する複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールを両主面から冷却するための冷却器とを有する電力変換装置がある。
かかる電力変換装置において、近年、被制御電力の大電力化等に伴い、半導体モジュールの発熱量、熱流束が増大している。これにより、半導体モジュールの温度が上昇しすぎて、動作不良を招くおそれがある。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a power conversion device such as an inverter or a DC-DC converter, there is a power conversion device having a plurality of semiconductor modules containing semiconductor elements and a cooler for cooling the semiconductor modules from both main surfaces.
In such power conversion devices, in recent years, the amount of heat generated and the heat flux of the semiconductor module are increasing as the controlled power is increased. As a result, the temperature of the semiconductor module rises excessively and may cause malfunction.

そこで、半導体モジュールを冷却するための上記冷却器の冷却効率を向上する必要性がある。
冷却器の冷却効率を向上させるための手段として、衝突噴流を利用することが考えられる。衝突噴流とは、伝熱面に対し概ね垂直方向から噴流状に衝突する冷却媒体の噴流である。この衝突噴流によると、伝熱面の温度境界層を薄くすることができるため、高い冷却性能を実現することができる。
Therefore, there is a need to improve the cooling efficiency of the cooler for cooling the semiconductor module.
As a means for improving the cooling efficiency of the cooler, it is conceivable to use a collision jet. The impinging jet is a jet of a cooling medium that collides in a jet shape from a direction substantially perpendicular to the heat transfer surface. According to this impinging jet, since the temperature boundary layer of the heat transfer surface can be made thin, high cooling performance can be realized.

衝突噴流を用いた冷却器として、特許文献1、2に示すものがある。これらの冷却器においては、半導体素子の伝熱面に対して垂直方向に管状のノズルを設けて、該ノズルから冷却媒体の噴流を半導体の伝熱面に衝突させる構成を採っている。
しかしながら、上記従来の冷却器においては、半導体素子に対して垂直方向に管状のノズルを設ける必要があるため、構造的に複雑となり、製造コストが高くなるという問題がある。また、上記の構成の場合、冷却器の厚みが大きくなり、小型の電力変換装置を得ることが困難となる。
更に、半導体モジュールを両主面から冷却する構成の冷却器に、上記従来の冷却器を適用すると、電力変換装置の体格が極めて大きくなってしまうという問題がある。
As a cooler using a collision jet, there are some which are shown in patent documents 1 and 2. In these coolers, a tubular nozzle is provided in a direction perpendicular to the heat transfer surface of the semiconductor element, and a jet of a cooling medium is made to collide with the heat transfer surface of the semiconductor from the nozzle.
However, in the conventional cooler, since it is necessary to provide a tubular nozzle in a direction perpendicular to the semiconductor element, there is a problem that the structure becomes complicated and the manufacturing cost increases. Moreover, in the case of said structure, the thickness of a cooler becomes large and it becomes difficult to obtain a small-sized power converter device.
Further, when the conventional cooler is applied to a cooler configured to cool the semiconductor module from both main surfaces, there is a problem that the physique of the power conversion device becomes extremely large.

特開平5−3274号公報JP-A-5-3274 特開平7−321267号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-32267

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、冷却効率に優れ、かつ小型化が容易な冷却器、及びこれを用いた電力変換装置を提供しようとするものである。   The present invention has been made in view of such conventional problems, and an object of the present invention is to provide a cooler excellent in cooling efficiency and easy in size reduction, and a power conversion device using the same.

第1の発明は、電子部品を両面から挟持するように配置された複数の冷却管を有する冷却器であって、
上記冷却管は、上記電子部品との積層方向に仕切壁によって3層以上に分割された冷媒流路を有しており、
該冷媒流路のうち最も外側の冷媒流路とその内側の冷媒流路との間の上記仕切壁には、上記内側の冷媒流路から上記外側の冷媒流路へ冷却媒体を噴出する噴出孔を設けてなることを特徴とする冷却器にある(請求項1)。
1st invention is a cooler which has a plurality of cooling pipes arranged so that electronic parts may be clamped from both sides,
The cooling pipe has a refrigerant flow path divided into three or more layers by a partition wall in the stacking direction with the electronic component,
An ejection hole for ejecting a cooling medium from the inner refrigerant channel to the outer refrigerant channel is formed in the partition wall between the outermost refrigerant channel and the inner refrigerant channel. Is provided in the cooler (claim 1).

次に、本発明の作用効果につき説明する。
上記冷却器においては、上記冷却管の仕切壁に上記噴出孔を設けてある。これにより、冷却管における内側の冷媒流路を流通する冷却媒体が、上記噴出孔から外側の冷媒流路に噴出され、冷却管の内壁面に衝突する。この冷却媒体の衝突噴流によって、冷却管の外表面に密着配置された電子部品が、効率よく冷却される。
即ち、上記衝突噴流によって、冷却管の内壁面の内側に形成される温度境界層を薄くすることができるため、冷却管を通じた冷却媒体と半導体モジュールとの熱交換効率を向上させ、電子部品の高い冷却効率を実現することができる。
Next, the effects of the present invention will be described.
In the cooler, the ejection hole is provided in the partition wall of the cooling pipe. As a result, the cooling medium flowing through the inner refrigerant flow path in the cooling pipe is ejected from the ejection holes to the outer refrigerant flow path, and collides with the inner wall surface of the cooling pipe. The electronic components arranged in close contact with the outer surface of the cooling pipe are efficiently cooled by the collision jet of the cooling medium.
That is, since the temperature boundary layer formed inside the inner wall surface of the cooling pipe can be thinned by the impinging jet, the heat exchange efficiency between the cooling medium and the semiconductor module through the cooling pipe is improved, and the electronic component High cooling efficiency can be realized.

また、上記衝突噴流は、上記仕切壁に上記噴出孔を穿設することによって形成することができるため、冷却管の厚みを特に大きくする必要がない。そのため、冷却器の小型化を妨げることなく、冷却効率を向上させることができる。   Further, since the collision jet can be formed by drilling the ejection hole in the partition wall, it is not necessary to increase the thickness of the cooling pipe. Therefore, the cooling efficiency can be improved without hindering the downsizing of the cooler.

以上のごとく、本発明によれば、冷却効率に優れ、かつ小型化が容易な冷却器を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a cooler that has excellent cooling efficiency and can be easily downsized.

第2の発明は、半導体素子を内蔵する複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールを両主面から冷却するための冷却器とを有する電力変換装置であって、
上記冷却器は、上記半導体モジュールの両主面に配され、該半導体モジュールと共に積層配置される複数の冷却管と、該複数の冷却管の冷媒入口同士及び冷媒出口同士を連結し或いは上記冷媒入口と上記冷媒出口とを連結する連結部とを有し、
上記冷却管は、上記半導体モジュールとの積層方向に仕切壁によって3層以上に分割された冷媒流路を有しており、
該冷媒流路のうち最も外側の冷媒流路とその内側の冷媒流路との間の上記仕切壁には、上記内側の冷媒流路から上記外側の冷媒流路へ冷却媒体を噴出する噴出孔を設けてなることを特徴とする電力変換装置にある(請求項7)。
A second invention is a power conversion device having a plurality of semiconductor modules containing semiconductor elements and a cooler for cooling the semiconductor modules from both main surfaces,
The cooler is arranged on both main surfaces of the semiconductor module and connects a plurality of cooling pipes stacked together with the semiconductor module, and refrigerant inlets and refrigerant outlets of the cooling pipes, or the refrigerant inlet And a connecting portion that connects the refrigerant outlet,
The cooling pipe has a refrigerant flow path divided into three or more layers by a partition wall in the stacking direction with the semiconductor module,
An ejection hole for ejecting a cooling medium from the inner refrigerant channel to the outer refrigerant channel is formed in the partition wall between the outermost refrigerant channel and the inner refrigerant channel. Is provided in a power converter (claim 7).

本発明の電力変換装置においては、衝突噴流によって、冷却管を通じた冷却媒体と半導体モジュールとの熱交換効率を向上させ、半導体モジュールの高い冷却効率を実現することができる。
また、上記衝突噴流は、上記仕切壁に上記噴出孔を穿設することによって形成することができるため、冷却管の厚みを特に大きくする必要がない。そのため、冷却器の小型化を妨げることなく、冷却効率を向上させることができる。これにより、電力変換装置の小型化を図ることができる。
In the power converter of the present invention, the heat exchange efficiency between the cooling medium and the semiconductor module through the cooling pipe can be improved by the impinging jet, and the high cooling efficiency of the semiconductor module can be realized.
Further, since the collision jet can be formed by drilling the ejection hole in the partition wall, it is not necessary to increase the thickness of the cooling pipe. Therefore, the cooling efficiency can be improved without hindering the downsizing of the cooler. Thereby, size reduction of a power converter device can be achieved.

以上のごとく、本発明によれば、半導体モジュールの冷却効率に優れ、かつ小型化が容易な電力変換装置を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a power conversion device that is excellent in cooling efficiency of a semiconductor module and can be easily downsized.

上記第1の発明(請求項1)において、上記冷却器は、例えば、DC−DCコンバータやインバータ等の電力変換装置の冷却器として用いることができ、上記電子部品としては、上記電力変換装置の一部を構成する半導体モジュールとすることができる。ただし、上記冷却器の用途はこれに限らず、種々の電子部品を冷却するために用いることができる。   In the first invention (invention 1), the cooler can be used, for example, as a cooler of a power converter such as a DC-DC converter or an inverter, and the electronic component includes the power converter. It can be set as the semiconductor module which comprises some. However, the use of the cooler is not limited to this, and can be used to cool various electronic components.

また、上記仕切壁は、上記冷媒流路の上流側から下流側に向かって複数の上記噴出孔を形成してなり、該複数の噴出孔には、少なくとも互いに開口面積の異なる大噴出孔と小噴出孔とがあることが好ましい(請求項2)。
この場合には、冷媒流路における位置によって衝突噴流の圧力を変えることができる。これにより、冷却管の位置による冷却効率のバラツキを抑制することが可能となる。例えば、比較的低温の冷却媒体が流れている上流部分と、比較的温度の高い冷却媒体が流れている下流部分とにおいて、噴出孔の開口面積を変えることにより、冷却効率を均一化することができる。
また、発熱量の異なる電子部品を、冷却管における上流側と下流側に配置した場合にも、大噴出孔と小噴出孔との配置を調整することにより、電子部品の効率的な冷却が可能となる。
The partition wall is formed with a plurality of the ejection holes from the upstream side to the downstream side of the refrigerant flow path, and the plurality of ejection holes include at least a large ejection hole having a different opening area and a small ejection hole. It is preferable that there is an ejection hole (claim 2).
In this case, the pressure of the collision jet can be changed depending on the position in the refrigerant flow path. Thereby, it becomes possible to suppress variation in cooling efficiency due to the position of the cooling pipe. For example, the cooling efficiency can be made uniform by changing the opening area of the ejection holes in the upstream portion where the relatively low temperature cooling medium flows and the downstream portion where the relatively high temperature cooling medium flows. it can.
In addition, even when electronic parts with different heat generation are arranged on the upstream and downstream sides of the cooling pipe, the electronic parts can be efficiently cooled by adjusting the arrangement of the large and small ejection holes. It becomes.

また、上記大噴出孔は、上記小噴出孔よりも下流側にあることが好ましい(請求項3)。
この場合には、上流側と下流側とに配置した複数の電子部品を略均等に冷却することができる。即ち、複数の電子部品を冷媒流路の上流側から下流側に沿って配置したとき、冷却媒体は、上流側の電子部品から受熱して高温となって、下流へ流れる。それ故、下流側の電子部品は、上流側の電子部品に比べて冷却効率が低下しやすい。そこで、下流側の噴出孔を大噴出孔とすることにより、下流側の衝突噴流を上流側の衝突噴流よりも大きくして、下流側の電子部品の冷却効率を向上させることができる。これにより、上流側と下流側とに配置した複数の電子部品を略均等に冷却することが可能となる。
Moreover, it is preferable that the said large ejection hole exists in the downstream rather than the said small ejection hole.
In this case, a plurality of electronic components arranged on the upstream side and the downstream side can be cooled substantially uniformly. That is, when a plurality of electronic components are arranged from the upstream side to the downstream side of the refrigerant flow path, the cooling medium receives heat from the electronic components on the upstream side, becomes high temperature, and flows downstream. Therefore, the cooling efficiency of the downstream electronic component is likely to be lower than that of the upstream electronic component. Therefore, by making the downstream ejection hole a large ejection hole, the downstream collision jet can be made larger than the upstream collision jet, and the cooling efficiency of the downstream electronic component can be improved. This makes it possible to cool the plurality of electronic components arranged on the upstream side and the downstream side substantially evenly.

また、上記冷却管は、上記冷媒流路を3層有しており、内側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅広となり、外側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅狭となるものとすることもできる(請求項4)。
この場合には、上流側よりも下流側の方が、噴出孔が冷却管の内壁面に近くなるため、下流側における電子部品の冷却効率を向上させることができる。その結果、上流側から下流側にかけて、略均一な冷却を行うことが可能となる。
In addition, the cooling pipe has three layers of the refrigerant flow path, the inner refrigerant flow path becomes wider toward the downstream side, and the outer refrigerant flow path becomes narrower toward the downstream side. (Claim 4).
In this case, since the ejection hole is closer to the inner wall surface of the cooling pipe on the downstream side than on the upstream side, the cooling efficiency of the electronic component on the downstream side can be improved. As a result, substantially uniform cooling can be performed from the upstream side to the downstream side.

また、上記冷却管は、上記冷媒流路を3層有しており、内側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅狭となり、外側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅広となるものとすることもできる(請求項5)。
この場合には、流量の多い内側の冷媒流路の上流側の部分の幅を広くすることができるため、冷媒流路の全体にわたって、圧力損失を小さくすることができる。
In addition, the cooling pipe has three layers of the refrigerant flow path, the inner refrigerant flow path becomes narrower toward the downstream side, and the outer refrigerant flow path becomes wider toward the downstream side. (Claim 5).
In this case, since the width of the upstream portion of the inner refrigerant flow path with a large flow rate can be increased, the pressure loss can be reduced over the entire refrigerant flow path.

また、上記冷却管は、上記冷媒流路を3層有しており、内側の冷媒流路は、外側の冷媒流路よりも幅広であるものとすることもできる(請求項6)。
この場合には、一つの内側の冷媒流路の流路断面積と二つの外側の冷媒流路の合計の流路断面積とを近付けることができるため、冷媒流路を流れる冷却媒体の圧力損失を低減することができる。これにより、電子部品の冷却効率を向上させることができる。
The cooling pipe may have three layers of the refrigerant flow path, and the inner refrigerant flow path may be wider than the outer refrigerant flow path (Claim 6).
In this case, since the cross-sectional area of one inner refrigerant flow path and the total flow cross-sectional area of the two outer refrigerant flow paths can be brought close to each other, the pressure loss of the cooling medium flowing through the refrigerant flow path Can be reduced. Thereby, the cooling efficiency of an electronic component can be improved.

上記第2の発明(請求項7)において、上記電力変換装置としては、例えば、DC−DCコンバータやインバータ等がある。また、上記電力変換装置は、例えば、電気自動車やハイブリッド自動車等の動力源である交流モータに通電する駆動電流の生成に用いることができる。   In the second invention (invention 7), examples of the power converter include a DC-DC converter and an inverter. Moreover, the said power converter device can be used for the production | generation of the drive current which supplies with electricity to the alternating current motor which is motive power sources, such as an electric vehicle and a hybrid vehicle, for example.

また、上記半導体素子としては、例えば上記スイッチング素子の他に、該スイッチング素子におけるコレクタ−エミッタ間に接続され、エミッタ側からコレクタ側へ電流を流すダイオード等がある。
また、上記スイッチング素子としては、例えば、IGBT素子を用いることができる。また、上記ダイオードとしては、例えば、フライホイールダイオードを用いることができる。
Examples of the semiconductor element include, in addition to the switching element, a diode that is connected between the collector and the emitter of the switching element and flows current from the emitter side to the collector side.
Moreover, as the switching element, for example, an IGBT element can be used. Further, as the diode, for example, a flywheel diode can be used.

また、上記仕切壁は、上記冷媒流路の上流側から下流側に向かって複数の上記噴出孔を形成してなり、該複数の噴出孔には、少なくとも互いに開口面積の異なる大噴出孔と小噴出孔とがあることが好ましい(請求項8)。
この場合には、冷却管の位置による冷却効率のバラツキを抑制することが可能となる。
The partition wall is formed with a plurality of the ejection holes from the upstream side to the downstream side of the refrigerant flow path, and the plurality of ejection holes include at least a large ejection hole having a different opening area and a small ejection hole. It is preferable that there is an ejection hole (claim 8).
In this case, it is possible to suppress variation in cooling efficiency due to the position of the cooling pipe.

また、上記大噴出孔は、上記小噴出孔よりも下流側にあることが好ましい(請求項9)。
この場合には、上流側と下流側とに配置した複数の半導体素子を略均等に冷却することができる。
Moreover, it is preferable that the said large ejection hole exists in the downstream rather than the said small ejection hole.
In this case, the plurality of semiconductor elements arranged on the upstream side and the downstream side can be cooled substantially uniformly.

また、上記冷却管は、上記冷媒流路を3層有しており、内側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅広となり、外側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅狭となるものとすることもできる(請求項10)。
この場合には、上流側から下流側にかけて、略均一な冷却を行うことが可能となる。
In addition, the cooling pipe has three layers of the refrigerant flow path, the inner refrigerant flow path becomes wider toward the downstream side, and the outer refrigerant flow path becomes narrower toward the downstream side. (Claim 10).
In this case, substantially uniform cooling can be performed from the upstream side to the downstream side.

また、上記冷却管は、上記冷媒流路を3層有しており、内側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅狭となり、外側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅広となるものとすることもできる(請求項11)。
この場合には、流量の多い内側の冷媒流路の上流側の部分の幅を広くすることができるため、冷媒流路の全体にわたって、圧力損失を小さくすることができる。
In addition, the cooling pipe has three layers of the refrigerant flow path, the inner refrigerant flow path becomes narrower toward the downstream side, and the outer refrigerant flow path becomes wider toward the downstream side. (Claim 11).
In this case, since the width of the upstream portion of the inner refrigerant flow path with a large flow rate can be increased, the pressure loss can be reduced over the entire refrigerant flow path.

また、上記冷却管は、上記冷媒流路を3層有しており、内側の冷媒流路は、外側の冷媒流路よりも幅広であるものとすることもできる(請求項12)。
この場合には、冷媒流路を流れる冷却媒体の圧力損失を低減して、半導体モジュールの冷却効率を向上させることができる。
The cooling pipe may have three layers of the refrigerant flow path, and the inner refrigerant flow path may be wider than the outer refrigerant flow path (claim 12).
In this case, it is possible to reduce the pressure loss of the cooling medium flowing through the refrigerant flow path and improve the cooling efficiency of the semiconductor module.

また、上記半導体モジュールと上記冷却管との積層方向から見たとき、上記半導体モジュールに内蔵された上記半導体素子には、上記噴出孔が重なるよう配置されていることが好ましい(請求項13)。
この場合には、上記噴出孔から噴出される衝突噴流を、上記半導体素子が配されている位置の冷却管の内壁面に衝突させることができる。これにより、半導体素子をより効率的に冷却することができる。
In addition, when viewed from the stacking direction of the semiconductor module and the cooling pipe, it is preferable that the ejection holes overlap with the semiconductor element incorporated in the semiconductor module.
In this case, the collision jet flow ejected from the ejection hole can be made to collide with the inner wall surface of the cooling pipe at the position where the semiconductor element is disposed. Thereby, a semiconductor element can be cooled more efficiently.

また、上記冷媒入口と上記冷媒出口との双方は、これらが形成された上記冷却管の表面に接触する上記半導体モジュールの本体部の幾何学的重心を通過する中央直線によって区切られる2つの領域のうちの一方の領域に集中して存在していることが好ましい(請求項14)。
この場合には、上記2つの領域のうちの他方の領域には、上記冷媒入口及び上記冷媒出口の何れも存在していないため、この領域には、半導体モジュールの電極端子や制御端子を延ばすことのできる空間が存在する。何故ならば、冷媒入口及び冷媒出口の何れもが存在しない領域に、上記連結部が存在することもないからである。
そのため、上記半導体モジュールの電極端子や制御端子を冷却器の外形の外側まで延ばすに当って、方向の自由度を高くすることができる。
In addition, both the refrigerant inlet and the refrigerant outlet are two regions separated by a central straight line passing through the geometric center of gravity of the main body of the semiconductor module that contacts the surface of the cooling pipe in which they are formed. It is preferable that they are concentrated in one of the regions (claim 14).
In this case, since neither the refrigerant inlet nor the refrigerant outlet exists in the other of the two areas, the electrode terminal and the control terminal of the semiconductor module are extended in this area. There is a space where you can. This is because the connecting portion does not exist in a region where neither the refrigerant inlet nor the refrigerant outlet exists.
Therefore, in extending the electrode terminal and the control terminal of the semiconductor module to the outside of the outer shape of the cooler, the degree of freedom in direction can be increased.

即ち、例えば、半導体モジュールの電極端子及び制御端子を異なる三方向に延ばすことも可能となる。これにより、半導体モジュールの電極端子や制御端子を接続する電力変換装置における他の構成部品の配置の自由度を高くすることができる。その結果、電力変換装置の小型化を容易にすることができる。   That is, for example, the electrode terminal and the control terminal of the semiconductor module can be extended in three different directions. Thereby, the freedom degree of arrangement | positioning of the other component in the power converter device which connects the electrode terminal and control terminal of a semiconductor module can be made high. As a result, the power converter can be easily downsized.

また、上記半導体モジュールは、上記半導体素子を制御する制御回路部に接続される複数の制御端子と、制御される電力を入出させる複数の電極端子とを、上記本体部の端面から突出して設けてなり、上記複数の制御端子と上記複数の電極端子とは、互いに異なる三方向以上に延びていることが好ましい(請求項15)。
この場合には、上記複数の制御端子と上記複数の電極端子とを、互いに異なる三方向以上に分散して延ばすことができる。これにより、各端子に接続する他の構成部品の配置を異なる三方向以上に分散して配置することができる。その結果、構成部品の配置の自由度を高くすることができる。
The semiconductor module is provided with a plurality of control terminals connected to a control circuit unit for controlling the semiconductor element and a plurality of electrode terminals for inputting / outputting controlled power so as to protrude from an end surface of the main body unit. Thus, it is preferable that the plurality of control terminals and the plurality of electrode terminals extend in three or more different directions.
In this case, the plurality of control terminals and the plurality of electrode terminals can be distributed and extended in three or more different directions. Thereby, arrangement | positioning of the other component connected to each terminal can be disperse | distributed and arrange | positioned in three or more different directions. As a result, it is possible to increase the degree of freedom of arrangement of the component parts.

例えば、一つの電極端子と他の電極端子とを異なる方向に延ばすことができる。これにより、一つの電極端子に接続する構成部品を他の電極端子に接続する構成部品に影響されることなく、半導体モジュールに近接する位置に配置することも可能となる。そのため、電力変換装置の小型化を容易にすることができる。また、配線を単純化し、短くすることが可能となるため、インダクタンスの低減、電力損失の低減を図ることもできる。   For example, one electrode terminal and another electrode terminal can be extended in different directions. Thereby, the component connected to one electrode terminal can be arranged at a position close to the semiconductor module without being affected by the component connected to the other electrode terminal. Therefore, the power converter can be easily downsized. In addition, since the wiring can be simplified and shortened, inductance and power loss can be reduced.

また、上記複数の電極端子を半導体モジュールの本体部における異なる端面に設けることも可能となるため、複数の電極端子の間の沿面距離を充分にとりやすくなり、半導体モジュールを大型化する必要もなくなる。その結果、電力変換装置の小型化が容易となる。   In addition, since the plurality of electrode terminals can be provided on different end surfaces of the main body of the semiconductor module, it is easy to provide a sufficient creepage distance between the plurality of electrode terminals, and it is not necessary to increase the size of the semiconductor module. As a result, the power converter can be easily downsized.

また、上記半導体モジュールの本体部は長方形状を有し、上記冷媒入口と上記冷媒出口との双方は、これらが形成された上記冷却管の表面に接触する上記半導体モジュールの上記本体部の一つの辺を含む直線よりも外側の領域に集中して存在していることが好ましい(請求項16)。
この場合には、上記半導体モジュールの本体部における少なくとも3つの辺の外側が全て開放されることとなるため、制御端子や電極端子の配設自由度が一層高くなる。
The main body of the semiconductor module has a rectangular shape, and both the refrigerant inlet and the refrigerant outlet are in contact with the surface of the cooling pipe in which they are formed. It is preferable that they are concentrated in a region outside the straight line including the side (claim 16).
In this case, since the outside of at least three sides in the main body of the semiconductor module is all open, the degree of freedom of arrangement of the control terminals and electrode terminals is further increased.

(実施例1)
本発明の実施例にかかる電力変換装置及びこれに用いる冷却器につき、図1〜図3を用いて説明する。
本例の電力変換装置1は、半導体素子を内蔵する複数の半導体モジュール2と、該半導体モジュール2を両主面から冷却するための冷却器3とを有する。
(Example 1)
A power converter according to an embodiment of the present invention and a cooler used therefor will be described with reference to FIGS.
The power conversion device 1 of this example includes a plurality of semiconductor modules 2 containing semiconductor elements, and a cooler 3 for cooling the semiconductor modules 2 from both main surfaces.

冷却器3は、図1、図3に示すごとく、半導体モジュール2の両主面に配され、該半導体モジュール2と共に積層配置される複数の冷却管31と、該複数の冷却管31の冷媒入口311同士及び冷媒出口312同士を連結する連結部32とを有する。
図1に示すごとく、上記冷却管31は、半導体モジュール2との積層方向に仕切壁34によって3層に分割された冷媒流路33を有している。
該冷媒流路33のうち最も外側の冷媒流路332とその内側の冷媒流路331との間の仕切壁34には、内側の冷媒流路331から外側の冷媒流路332へ冷却媒体Wを噴出する噴出孔35を設けてある。
As shown in FIG. 1 and FIG. 3, the cooler 3 is arranged on both main surfaces of the semiconductor module 2, and a plurality of cooling pipes 31 stacked together with the semiconductor module 2, and a refrigerant inlet of the plurality of cooling pipes 31. 311 and the connection part 32 which connects refrigerant | coolant exit 312 with each other.
As shown in FIG. 1, the cooling pipe 31 has a refrigerant flow path 33 divided into three layers by a partition wall 34 in the stacking direction with the semiconductor module 2.
In the partition wall 34 between the outermost refrigerant flow path 332 and the inner refrigerant flow path 331 among the refrigerant flow paths 33, the cooling medium W is supplied from the inner refrigerant flow path 331 to the outer refrigerant flow path 332. A jet hole 35 for jetting is provided.

各冷却管31における内側(中央)の冷媒流路331は冷媒入口311に接続され、外側の冷媒流路332は冷媒出口312に接続されている。
冷媒入口311と冷媒出口312とは、それぞれ冷却管31の両端部付近に形成されている。
The inner (center) refrigerant flow path 331 in each cooling pipe 31 is connected to the refrigerant inlet 311, and the outer refrigerant flow path 332 is connected to the refrigerant outlet 312.
The refrigerant inlet 311 and the refrigerant outlet 312 are respectively formed near both ends of the cooling pipe 31.

隣合う冷却管31の間には、それぞれ2個の半導体モジュール2が挟持されている。そして、2個の半導体モジュール2は、冷媒入口311における連結管32と冷媒出口312における連結管32との間に配置されている。
また、図2に示すごとく、冷却管31における噴出孔35は、積層方向から見たとき、半導体モジュール2の本体部20と重なる位置に複数形成されている。
Two semiconductor modules 2 are sandwiched between adjacent cooling pipes 31. The two semiconductor modules 2 are arranged between the connecting pipe 32 at the refrigerant inlet 311 and the connecting pipe 32 at the refrigerant outlet 312.
Further, as shown in FIG. 2, a plurality of ejection holes 35 in the cooling pipe 31 are formed at positions overlapping the main body 20 of the semiconductor module 2 when viewed from the stacking direction.

また、積層方向から見たとき、半導体モジュール2に内蔵された半導体素子(後述するスイッチング素子231、ダイオード232)に噴出孔35が重なるように配置されていることが好ましい。これにより、噴出孔35から噴出される衝突噴流W1を、半導体素子が配されている位置の冷却管31の内壁面314に衝突させることができ、半導体素子をより効率的に冷却することができる。   In addition, when viewed from the stacking direction, the ejection holes 35 are preferably arranged so as to overlap with semiconductor elements (a switching element 231 and a diode 232 described later) built in the semiconductor module 2. Thereby, the collision jet W1 ejected from the ejection hole 35 can be made to collide with the inner wall surface 314 of the cooling pipe 31 at the position where the semiconductor element is disposed, and the semiconductor element can be cooled more efficiently. .

図2に示すごとく、半導体モジュール2には、上記半導体素子として、スイッチング素子211と、該スイッチング素子211におけるコレクタ−エミッタ間に接続され、エミッタ側からコレクタ側へ電流を流すダイオード212が内蔵されている。
スイッチング素子211としては、例えば、IGBT素子を用いることができ、ダイオード212としては、例えば、フライホイールダイオードを用いることができる。
As shown in FIG. 2, the semiconductor module 2 includes a switching element 211 and a diode 212 that is connected between the collector and the emitter of the switching element 211 and flows current from the emitter side to the collector side as the semiconductor element. Yes.
As the switching element 211, for example, an IGBT element can be used, and as the diode 212, for example, a flywheel diode can be used.

また、図2に示すごとく、半導体モジュール2は、スイッチング素子211を制御する制御回路部(図示略)に接続される複数の制御端子22と、制御される電力を入出させる2本の電極端子231、232とを、本体部20の端面から突出して設けてなる。
一方の電極端子231は、電源部(図示略)に接続されると共に平滑コンデンサ(図示略)に接続される。他方の電極端子232は、バスバー(図示略)を介して回転電機(図示略)に接続される。
As shown in FIG. 2, the semiconductor module 2 includes a plurality of control terminals 22 connected to a control circuit unit (not shown) for controlling the switching element 211 and two electrode terminals 231 for inputting and outputting controlled electric power. 232 are provided so as to protrude from the end face of the main body 20.
One electrode terminal 231 is connected to a power source (not shown) and a smoothing capacitor (not shown). The other electrode terminal 232 is connected to a rotating electrical machine (not shown) via a bus bar (not shown).

電源部の直流電力を電力変換装置1において交流電力に変換して回転電機を駆動する場合には、電極端子231が入力側となり、電極端子232が出力側となるが、回転電機において発電した交流電力を電力変換装置1において直流電力に変換して、電源部に充電する場合には、電極端子231が出力側となり、電極端子232が入力側となる。   When the rotating electrical machine is driven by converting the DC power of the power supply unit into AC power in the power converter 1, the electrode terminal 231 is on the input side and the electrode terminal 232 is on the output side. When power is converted into DC power in the power converter 1 and the power supply unit is charged, the electrode terminal 231 is on the output side and the electrode terminal 232 is on the input side.

また、半導体モジュール2における本体部20は、スイッチング素子211とダイオード212とを樹脂によってモールディングしてあり、その本体部20の端面から、制御端子22、電極端子231、232を突出させている。また、本体部20の主面には、放熱板(図示略)が露出していてもよい。   The main body 20 in the semiconductor module 2 is formed by molding the switching element 211 and the diode 212 with resin, and the control terminal 22 and the electrode terminals 231 and 232 protrude from the end face of the main body 20. Further, a heat radiating plate (not shown) may be exposed on the main surface of the main body 20.

また、冷却管31は、アルミニウム又はその合金からなる。また、冷却管31は、プレス成形された複数の金属板を組合わせることにより形成することができる。
そして、冷却管31は、半導体モジュール2の本体部20の主面に密着している。その手段としては、冷却管31と半導体モジュール2との間に接着剤を介在させて接着させてもよいし、積層方向にバネ等の外力を付与することにより押圧してもよい。
また、半導体モジュール2の本体部20の主面に放熱板を露出させる場合には、本体部20の主面と冷却管31との間に絶縁材を介在させる。
The cooling pipe 31 is made of aluminum or an alloy thereof. The cooling pipe 31 can be formed by combining a plurality of press-formed metal plates.
The cooling pipe 31 is in close contact with the main surface of the main body 20 of the semiconductor module 2. As the means, an adhesive may be interposed between the cooling pipe 31 and the semiconductor module 2 or may be pressed by applying an external force such as a spring in the stacking direction.
Further, when exposing the heat sink to the main surface of the main body 20 of the semiconductor module 2, an insulating material is interposed between the main surface of the main body 20 and the cooling pipe 31.

また、上記冷却媒体Wとしては、例えば、エチレングリコール系の不凍液が混入した水、水やアンモニア等の自然冷媒、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒などを用いることができる。また、空気などの気体系の冷却媒体を用いることもできる。   Examples of the cooling medium W include water mixed with ethylene glycol antifreeze, natural refrigerants such as water and ammonia, fluorocarbon refrigerants such as fluorinate, chlorofluorocarbon refrigerants such as HCFC123 and HFC134a, methanol, alcohol An alcohol-based refrigerant such as acetone, or a ketone-based refrigerant such as acetone can be used. A gaseous cooling medium such as air can also be used.

図3に示すごとく、冷却器3における積層方向の一端に配された冷却管31には、半導体モジュール2とは反対側の面に冷媒導入部323と冷媒排出部324とを設けてある。そして、冷却媒体Wは、図1、図3に示すごとく、冷媒導入部323から導入されると共に連結部32を伝って、各冷却管31の冷媒入口311から各冷却管31の内側の冷媒流路331に分配される。内側の冷媒流路331に供給された冷却媒体Wは、噴出孔35から外側の冷媒流路332へ噴出され、冷却管31の内壁面に衝突する衝突噴流W1となる。   As shown in FIG. 3, the cooling pipe 31 disposed at one end in the stacking direction of the cooler 3 is provided with a refrigerant introduction part 323 and a refrigerant discharge part 324 on the surface opposite to the semiconductor module 2. As shown in FIGS. 1 and 3, the cooling medium W is introduced from the refrigerant introduction portion 323 and travels through the connecting portion 32 to flow the refrigerant flow from the refrigerant inlet 311 of each cooling pipe 31 to the inside of each cooling pipe 31. Distributed to the path 331. The cooling medium W supplied to the inner refrigerant flow path 331 is ejected from the ejection holes 35 to the outer refrigerant flow path 332 and becomes a collision jet W1 that collides with the inner wall surface of the cooling pipe 31.

外側の冷媒流路332に噴出された冷却媒体Wは、冷却管31の内壁面314に衝突した後、冷媒出口312に向かって流れ、冷媒出口312から連結部32を伝って冷媒排出部324へ達し、排出される。
このようにして、冷却器3に冷却媒体Wを巡らすことにより、半導体モジュール2との熱交換を行って、半導体モジュール2を冷却する。
The cooling medium W ejected to the outer refrigerant flow path 332 collides with the inner wall surface 314 of the cooling pipe 31, then flows toward the refrigerant outlet 312, travels from the refrigerant outlet 312 through the connecting portion 32, and flows to the refrigerant discharge portion 324. Reached and discharged.
In this way, by circulating the cooling medium W around the cooler 3, heat exchange with the semiconductor module 2 is performed to cool the semiconductor module 2.

次に、本例の作用効果につき説明する。
上記冷却器3においては、冷却管31の仕切壁34に噴出孔35を設けてある。これにより、冷却管31における内側の冷媒流路331を流通する冷却媒体Wが、噴出孔35から外側の冷媒流路332に噴出され、冷却管31の内壁面314に衝突する。この冷却媒体の衝突噴流W1によって、冷却管31の外表面に密着配置された半導体モジュール2が、効率よく冷却される。
即ち、上記衝突噴流W1によって、冷却管31の内壁面314の内側に形成される温度境界層を薄くすることができるため、冷却管31を通じた冷却媒体Wと半導体モジュール2との熱交換効率を向上させ、半導体モジュール2の高い冷却効率を実現することができる。
Next, the function and effect of this example will be described.
In the cooler 3, an ejection hole 35 is provided in the partition wall 34 of the cooling pipe 31. Thereby, the cooling medium W flowing through the inner refrigerant flow path 331 in the cooling pipe 31 is ejected from the ejection holes 35 to the outer refrigerant flow path 332 and collides with the inner wall surface 314 of the cooling pipe 31. The semiconductor module 2 disposed in close contact with the outer surface of the cooling pipe 31 is efficiently cooled by the collision jet W1 of the cooling medium.
That is, since the temperature boundary layer formed inside the inner wall surface 314 of the cooling pipe 31 can be thinned by the collision jet W1, the heat exchange efficiency between the cooling medium W and the semiconductor module 2 through the cooling pipe 31 is improved. It is possible to improve the cooling efficiency of the semiconductor module 2.

また、上記衝突噴流W1は、仕切壁34に噴出孔35を穿設することによって形成することができるため、冷却管31の厚みを特に大きくする必要がない。そのため、冷却器3の小型化を妨げることなく、冷却効率を向上させることができる。
そして、これにより、電力変換装置1の小型化を図ることができると共に、半導体モジュール2の冷却効率を向上させることができる。
Further, since the collision jet W1 can be formed by making the ejection hole 35 in the partition wall 34, it is not necessary to increase the thickness of the cooling pipe 31 in particular. Therefore, the cooling efficiency can be improved without hindering the downsizing of the cooler 3.
As a result, the power conversion device 1 can be reduced in size, and the cooling efficiency of the semiconductor module 2 can be improved.

なお,冷却管31を形成するに当っては、例えば、クラッド材をプレス加工して作製した噴出孔35を有する2枚の仕切壁34と、アルミ板等をプレス加工して作製した2枚の外殻部材とを、ロウ付けすることにより一体形成することができる。これにより、冷却器3の生産性を向上させることができる。   In forming the cooling pipe 31, for example, two partition walls 34 having ejection holes 35 made by pressing a clad material and two sheets made by pressing an aluminum plate or the like are used. The outer shell member can be integrally formed by brazing. Thereby, the productivity of the cooler 3 can be improved.

以上のごとく、本例によれば、冷却効率に優れ、かつ小型化が容易な冷却器及び電力変換装置を提供することができる。   As described above, according to this example, it is possible to provide a cooler and a power conversion device that are excellent in cooling efficiency and easy to downsize.

(実施例2)
本例は、図4、図5に示すごとく、隣合う冷却管31の間に1個の半導体モジュール2を配設した電力変換装置1の例である。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合には、半導体モジュール2ごとの冷却バラツキを低減することができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
(Example 2)
This example is an example of the power conversion apparatus 1 in which one semiconductor module 2 is disposed between adjacent cooling pipes 31 as shown in FIGS. 4 and 5.
Others are the same as in the first embodiment.
In the case of this example, the cooling variation for each semiconductor module 2 can be reduced.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

(実施例3)
本例は、図6、図7に示すごとく、冷却管31の仕切壁34に、互いに開口面積の異なる大噴出孔351と小噴出孔352とを設けた例である。
そして、開口面積が大きい大噴出孔351は、開口面積の小さい小噴出孔352よりも下流側に配設してある。
(Example 3)
In this example, as shown in FIGS. 6 and 7, a large ejection hole 351 and a small ejection hole 352 having different opening areas are provided in the partition wall 34 of the cooling pipe 31.
And the large ejection hole 351 with a large opening area is arrange | positioned downstream from the small ejection hole 352 with a small opening area.

また、隣合う冷却管31の間には2個の半導体モジュール2が冷媒流路33の上流側となる位置と下流側となる位置とに配設されている。そして、図7に示すごとく、積層方向から見たとき、上流側に配置された半導体モジュール2に重なる位置に小開口部352を設け、下流側に配置された半導体モジュール2に重なる位置に大開口部351を設けてある。
その他は、実施例1と同様である。
In addition, between the adjacent cooling pipes 31, two semiconductor modules 2 are disposed at a position on the upstream side and a position on the downstream side of the refrigerant flow path 33. As shown in FIG. 7, when viewed from the stacking direction, a small opening 352 is provided at a position overlapping the semiconductor module 2 disposed on the upstream side, and a large opening is disposed at a position overlapping the semiconductor module 2 disposed on the downstream side. A portion 351 is provided.
Others are the same as in the first embodiment.

本例の場合には、上流側と下流側とに配置した2個の半導体モジュール2を略均等に冷却することができる。即ち、2個の半導体モジュール2を冷媒流路33の上流側から下流側に沿って配置したとき、冷却媒体Wは、上流側の半導体モジュール2から受熱して高温となって、下流へ流れる。それ故、下流側の半導体モジュール2は、上流側の半導体モジュール2に比べて冷却効率が低下しやすい。そこで、下流側の噴出孔を大噴出孔351とすることにより、下流側の衝突噴流W1を上流側の衝突噴流W1よりも大きくして、下流側の半導体モジュール2の冷却効率を向上させることができる。これにより、上流側と下流側とに配置した2個の半導体モジュール2を略均等に冷却することが可能となる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
In the case of this example, the two semiconductor modules 2 arranged on the upstream side and the downstream side can be cooled substantially uniformly. That is, when the two semiconductor modules 2 are arranged along the refrigerant flow path 33 from the upstream side to the downstream side, the cooling medium W receives heat from the upstream semiconductor module 2 and reaches a high temperature and flows downstream. Therefore, the cooling efficiency of the downstream semiconductor module 2 is likely to be lower than that of the upstream semiconductor module 2. Therefore, by making the downstream ejection hole the large ejection hole 351, the downstream collision jet W1 can be made larger than the upstream collision jet W1, and the cooling efficiency of the downstream semiconductor module 2 can be improved. it can. Thereby, the two semiconductor modules 2 arranged on the upstream side and the downstream side can be cooled substantially uniformly.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

(実施例4)
本例は、図8に示すごとく、冷却管31における内側の冷媒流路331は下流側に向かうほど幅広となり、外側の冷媒流路332は下流側に向かうほど幅狭となるようにした冷却器3を有する電力変換装置1の例である。
即ち、冷却管31における仕切壁34を、冷却管31の内壁面314に対して傾斜させている。
その他は、実施例1と同様である。
Example 4
In this example, as shown in FIG. 8, the inner refrigerant flow path 331 in the cooling pipe 31 becomes wider toward the downstream side, and the outer refrigerant flow path 332 becomes narrower toward the downstream side. 3 is an example of the power conversion device 1 having three.
That is, the partition wall 34 in the cooling pipe 31 is inclined with respect to the inner wall surface 314 of the cooling pipe 31.
Others are the same as in the first embodiment.

本例の場合には、上流側よりも下流側の方が、噴出孔35が冷却管31の内壁面314に近くなるため、下流側における半導体モジュール2の冷却効率を向上させることができる。その結果、上流側から下流側にかけて、略均一な冷却を行うことが可能となる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
In the case of this example, since the ejection hole 35 is closer to the inner wall surface 314 of the cooling pipe 31 on the downstream side than on the upstream side, the cooling efficiency of the semiconductor module 2 on the downstream side can be improved. As a result, substantially uniform cooling can be performed from the upstream side to the downstream side.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

(実施例5)
本例は、図9に示すごとく、冷却管31における内側の冷媒流路331は下流側に向かうほど幅狭となり、外側の冷媒流路332は下流側に向かうほど幅広となるようにした冷却器3を有する電力変換装置1の例である。
即ち、冷却管31における仕切壁34を、冷却管31の内壁面314に対して傾斜させており、その傾斜方向が上記実施例4(図8)とは逆にしている。
その他は、実施例1と同様である。
(Example 5)
In this example, as shown in FIG. 9, the inner refrigerant flow path 331 in the cooling pipe 31 becomes narrower toward the downstream side, and the outer refrigerant flow path 332 becomes wider toward the downstream side. 3 is an example of the power conversion device 1 having three.
That is, the partition wall 34 in the cooling pipe 31 is inclined with respect to the inner wall surface 314 of the cooling pipe 31, and the inclination direction is opposite to that in the fourth embodiment (FIG. 8).
Others are the same as in the first embodiment.

本例の場合には、流量の多い内側の冷媒流路331の上流側の部分の幅を広くすることができるため、冷媒流路33の全体にわたって、圧力損失を小さくすることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
In the case of this example, the width of the upstream portion of the inner refrigerant flow path 331 with a large flow rate can be widened, so that the pressure loss can be reduced over the entire refrigerant flow path 33.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

(実施例6)
また、図10に示すごとく、冷却管31における内側の冷媒流路331は、外側の冷媒流路332よりも幅広である冷却器3を有する電力変換装置1の例である。
例えば、内側の冷媒流路331の幅V1を外側の冷媒流路332の幅V2の2倍とする。
その他は、実施例1と同様である。
(Example 6)
Further, as shown in FIG. 10, the inner refrigerant flow path 331 in the cooling pipe 31 is an example of the power conversion device 1 having the cooler 3 wider than the outer refrigerant flow path 332.
For example, the width V1 of the inner refrigerant channel 331 is set to be twice the width V2 of the outer refrigerant channel 332.
Others are the same as in the first embodiment.

本例の場合には、一つの内側の冷媒流路331の流路断面積と二つの外側の冷媒流路332の合計の流路断面積とを近付けることができるため、冷媒流路33を流れる冷却媒体Wの圧力損失を低減することができる。これにより、半導体モジュール2の冷却効率を向上させることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
In the case of this example, the flow passage cross-sectional area of one inner refrigerant flow passage 331 and the total flow passage cross-sectional area of the two outer refrigerant flow passages 332 can be brought close to each other. The pressure loss of the cooling medium W can be reduced. Thereby, the cooling efficiency of the semiconductor module 2 can be improved.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

(実施例7)
本例は、図11に示すごとく、各冷却管31の冷媒流路33を4層とし、2つの内側の冷媒流路331から、2つの外側の冷媒流路332へ衝突噴流W1を噴出するようにした冷却器3を有する電力変換装置1の例である。
本例の電力変換装置1における冷却管31は、上記実施例6における内側の冷媒流路331の中央に、噴出孔のない仕切壁340を他の仕切壁34と平行に設けた構成となっている。
その他は、実施例1と同様である。
(Example 7)
In this example, as shown in FIG. 11, the refrigerant flow paths 33 of the respective cooling pipes 31 have four layers, and the collision jet W1 is jetted from the two inner refrigerant flow paths 331 to the two outer refrigerant flow paths 332. It is an example of the power converter device 1 which has the cooler 3 made into.
The cooling pipe 31 in the power conversion device 1 of the present example has a configuration in which a partition wall 340 without an ejection hole is provided in parallel with the other partition wall 34 in the center of the inner refrigerant flow path 331 in the sixth embodiment. Yes.
Others are the same as in the first embodiment.

本例の場合には、例えば、2層構造の冷却管31を2枚貼り合せるようにして1つの4層の冷却管31を作製することができる。それ故、製造容易な冷却器3を得ることができ、ひいては、電力変換装置1の生産性を向上させることができる。
その他、実施例6と同様の作用効果を有する。
In the case of this example, for example, one four-layer cooling pipe 31 can be manufactured by bonding two cooling pipes 31 having a two-layer structure. Therefore, the cooler 3 that is easy to manufacture can be obtained, and as a result, the productivity of the power converter 1 can be improved.
In addition, the same effects as those of the sixth embodiment are obtained.

(実施例8)
本例は、図12に示すごとく、冷媒入口311と冷媒出口312との双方を、これらが形成された冷却管31の表面に接触する半導体モジュール2の本体部20の幾何学的重心を通過する中央直線Mによって区切られる2つの領域のうちの一方の領域に集中して存在させた例である。
(Example 8)
In this example, as shown in FIG. 12, both the refrigerant inlet 311 and the refrigerant outlet 312 pass through the geometric gravity center of the main body portion 20 of the semiconductor module 2 that contacts the surface of the cooling pipe 31 where they are formed. This is an example of being concentrated on one of the two areas separated by the central straight line M.

半導体モジュール2は、複数の制御端子22と複数の電極端子231、232とを、互いに異なる三方向に延ばしている。即ち、2本の電極端子231、232を、半導体モジュール2の本体部20における互いに反対側の端面から突出させている。そして、これらの端面に直交する端面であって、冷媒入口311および冷媒出口312が存在する側とは反対側における半導体モジュール2の本体部20の端面から制御端子22を突出させている。   The semiconductor module 2 has a plurality of control terminals 22 and a plurality of electrode terminals 231 and 232 extending in three different directions. That is, the two electrode terminals 231 and 232 are protruded from the opposite end surfaces of the main body 20 of the semiconductor module 2. And the control terminal 22 is made to protrude from the end surface orthogonal to these end surfaces from the end surface of the main-body part 20 of the semiconductor module 2 on the opposite side to the side where the refrigerant inlet 311 and the refrigerant outlet 312 exist.

また、冷媒入口311と冷媒出口312との双方は、半導体モジュール2の本体部20の制御電極22側とは反対側の辺(下辺201)を含む直線よりも外側の領域に集中して存在している。
更には、冷媒入口311と冷媒出口312との双方は、本体部20の2つの側辺202、203をそれぞれ含む2つの直線の間の領域に配されている。
その他は、実施例1と同様である。
Further, both the refrigerant inlet 311 and the refrigerant outlet 312 are concentrated in a region outside a straight line including a side (lower side 201) opposite to the control electrode 22 side of the main body 20 of the semiconductor module 2. ing.
Furthermore, both the refrigerant inlet 311 and the refrigerant outlet 312 are arranged in a region between two straight lines including the two side edges 202 and 203 of the main body 20.
Others are the same as in the first embodiment.

本例の場合には、上記中央直線Mによって区切られた2つの領域のうちの他方の領域には、冷媒入口311及び冷媒出口312の何れも存在していないため、この領域には、半導体モジュール2の電極端子231、232や制御端子22を延ばすことのできる空間が存在する。何故ならば、冷媒入口311及び冷媒出口312の何れもが存在しない領域に、連結部(図1の符号32参照)が存在することもないからである。
そのため、半導体モジュール2の電極端子231、232や制御端子22を冷却器3の外形の外側まで延ばすに当って、方向の自由度を高くすることができる。
In the case of this example, since neither the refrigerant inlet 311 nor the refrigerant outlet 312 exists in the other area of the two areas separated by the central straight line M, the semiconductor module is included in this area. There is a space in which the two electrode terminals 231 and 232 and the control terminal 22 can be extended. This is because the connecting portion (see reference numeral 32 in FIG. 1) does not exist in a region where neither the refrigerant inlet 311 nor the refrigerant outlet 312 exists.
Therefore, in extending the electrode terminals 231 and 232 and the control terminal 22 of the semiconductor module 2 to the outside of the outer shape of the cooler 3, the degree of freedom in direction can be increased.

即ち、半導体モジュール2の電極端子231、232及び制御端子22を異なる三方向に延ばすことが可能となる。これにより、一つの電極端子231に接続する構成部品を他の電極端子232に接続する構成部品に影響されることなく、半導体モジュール2に近接する位置に配置することも可能となる。そのため、電力変換装置1の小型化を容易にすることができる。また、配線を単純化し、短くすることが可能となるため、インダクタンスの低減、電力損失の低減を図ることもできる。   That is, the electrode terminals 231 and 232 and the control terminal 22 of the semiconductor module 2 can be extended in three different directions. As a result, the component connected to one electrode terminal 231 can be arranged at a position close to the semiconductor module 2 without being affected by the component connected to the other electrode terminal 232. Therefore, it is possible to easily reduce the size of the power conversion device 1. In addition, since the wiring can be simplified and shortened, inductance and power loss can be reduced.

また、2本の電極端子231、232を半導体モジュール2の本体部20における異なる端面に設けることにより、2本の電極端子231、232の間の沿面距離を充分にとりやすくなり、半導体モジュール2を大型化する必要もなくなる。その結果、電力変換装置1の小型化が容易となる。   Further, by providing the two electrode terminals 231 and 232 on different end surfaces of the main body 20 of the semiconductor module 2, it becomes easy to obtain a sufficient creepage distance between the two electrode terminals 231 and 232, and the semiconductor module 2 is made large. There is no need to make it. As a result, the power converter 1 can be easily downsized.

また、冷媒入口311と冷媒出口312との双方は、半導体モジュール2の本体部20の一つの辺(下辺201)を含む直線よりも外側の領域に集中して存在している。そのため、半導体モジュール2の本体部20における少なくとも3つの辺(下辺201及び側辺202、203)の外側が全て開放されることとなるため、制御端子22や電極端子231、232の配設自由度が一層高くなる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
Further, both the refrigerant inlet 311 and the refrigerant outlet 312 are concentrated in a region outside a straight line including one side (lower side 201) of the main body 20 of the semiconductor module 2. Therefore, since the outside of at least three sides (the lower side 201 and the side sides 202 and 203) in the main body 20 of the semiconductor module 2 are all open, the degree of freedom of arrangement of the control terminals 22 and the electrode terminals 231 and 232 is increased. Becomes even higher.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

(実施例9)
本例は、図15に示すごとく、半導体モジュール2が、2個のスイッチング素子211を内蔵し、3本の電極端子231、232、233を突出形成してなり、冷却管31が上記実施例8と同様の構成を有する例である。
また、ダイオード212も2個、半導体モジュール2の本体部20に埋設されている。
上記半導体モジュール2は、実施例1において開示した半導体モジュールを2個組合わせて一体化したものと機能上等価なものである。
Example 9
In this example, as shown in FIG. 15, the semiconductor module 2 includes two switching elements 211 and three electrode terminals 231, 232, and 233 project from each other, and the cooling pipe 31 is formed in the eighth embodiment. It is an example which has the same structure as.
Two diodes 212 are also embedded in the main body 20 of the semiconductor module 2.
The semiconductor module 2 is functionally equivalent to a combination of two semiconductor modules disclosed in the first embodiment.

また、3本の電極端子のうちの2本の電極端子231、232を、半導体モジュール2の本体部20の共通の辺から突出させ、他の電極端子233は、本体部20における反対側の辺から突出させている。
その他は、実施例8と同様である。
Two electrode terminals 231 and 232 out of the three electrode terminals are projected from the common side of the main body 20 of the semiconductor module 2, and the other electrode terminal 233 is the opposite side of the main body 20. It protrudes from.
Others are the same as in Example 8.

本例の場合には、半導体モジュール2の数を少なくすることができ、電力変換装置1の小型化を図ることができる。
その他、実施例8と同様の作用効果を有する。
In the case of this example, the number of semiconductor modules 2 can be reduced, and the power converter 1 can be downsized.
In addition, the same effects as those of the eighth embodiment are obtained.

(実施例10)
本例は、図16〜図18に示すごとく、上記実施例9に示した構成に対して、冷却管31における複数の噴出孔35の開口面積を互いに異ならせた例である。
即ち、冷媒入口311に近い上流側の噴出孔35を、小開口部352とし、冷媒出口312に近い下流側の噴出孔35を、大開口部351としている。
その他は、実施例9と同様である。
本例の場合には、上述した、実施例9の作用効果と実施例3の作用効果とを組合わせた作用効果を得ることができる。
(Example 10)
As shown in FIGS. 16 to 18, this example is an example in which the opening areas of the plurality of ejection holes 35 in the cooling pipe 31 are different from each other with respect to the configuration shown in the ninth embodiment.
That is, the upstream ejection hole 35 near the refrigerant inlet 311 is a small opening 352, and the downstream ejection hole 35 near the refrigerant outlet 312 is a large opening 351.
Others are the same as in the ninth embodiment.
In the case of this example, it is possible to obtain the effect obtained by combining the effect of Example 9 and the effect of Example 3 described above.

実施例1における、電力変換装置の一部の断面図であって、図2のA−A線矢視断面相当図。FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the power conversion device according to the first embodiment and is a cross-sectional equivalent view taken along the line AA in FIG. 2. 実施例1における、電力変換装置の一部の正面説明図。The some front explanatory drawing of the power converter device in Example 1. FIG. 実施例1における、電力変換装置の平面説明図。Plane explanatory drawing of the power converter device in Example 1. FIG. 実施例2における、電力変換装置の一部の断面図であって、図5のB−B線矢視断面相当図。FIG. 6 is a partial cross-sectional view of the power conversion device according to the second embodiment, and is a cross-sectional view corresponding to a cross section taken along line BB in FIG. 5. 実施例2における、電力変換装置の一部の正面説明図。The some front explanatory drawing of the power converter device in Example 2. FIG. 実施例3における、電力変換装置の一部の断面図であって、図7のC−C線矢視断面相当図。FIG. 9 is a partial cross-sectional view of the power conversion device according to the third embodiment, and is a cross-sectional view corresponding to the line CC in FIG. 7. 実施例3における、電力変換装置の一部の正面説明図。The front explanatory drawing of a part of power converter in Example 3. 実施例4における、電力変換装置の一部の断面図。Sectional drawing of a part of power converter device in Example 4. FIG. 実施例5における、電力変換装置の一部の断面図。Sectional drawing of a part of power converter device in Example 5. FIG. 実施例6における、電力変換装置の一部の断面図。Sectional drawing of a part of power converter device in Example 6. FIG. 実施例7における、電力変換装置の一部の断面図。Sectional drawing of a part of power converter device in Example 7. FIG. 実施例8における、電力変換装置の一部の正面説明図。The front explanatory drawing of a part of power converter in Example 8. 実施例8における、電力変換装置の一部の断面図であって、図12のD−D線矢視断面相当図。FIG. 13 is a partial cross-sectional view of the power conversion device according to Example 8 and is a cross-sectional equivalent view taken along the line DD in FIG. 12. 実施例8における、電力変換装置の一部の断面図であって、図12のE−E線矢視断面相当図。FIG. 13 is a partial cross-sectional view of the power conversion device in Example 8, corresponding to a cross-sectional view taken along the line E-E in FIG. 12. 実施例9における、電力変換装置の一部の正面説明図。The some front explanatory view of the power converter in Example 9. 実施例10における、電力変換装置の一部の正面説明図。The some front explanatory drawing of the power converter device in Example 10. FIG. 実施例10における、電力変換装置の一部の断面図であって、図16のF−F線矢視断面相当図。FIG. 17 is a partial cross-sectional view of the power conversion device according to Example 10 and is a cross-sectional view corresponding to a cross section taken along line FF in FIG. 16. 実施例10における、電力変換装置の一部の断面図であって、図16のG−G線矢視断面相当図。FIG. 17 is a partial cross-sectional view of the power conversion device according to Example 10 and is a cross-sectional equivalent view taken along the line GG in FIG. 16.

符号の説明Explanation of symbols

1 電力変換装置
2 半導体モジュール
3 冷却器
31 冷却管
311 冷媒入口
312 冷媒出口
33、331、332 冷媒流路
34 仕切壁
35 噴出孔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power converter 2 Semiconductor module 3 Cooler 31 Cooling pipe 311 Refrigerant inlet 312 Refrigerant outlet 33, 331, 332 Refrigerant flow path 34 Partition wall 35 Ejection hole

Claims (16)

電子部品を両面から挟持するように配置された複数の冷却管を有する冷却器であって、
上記冷却管は、上記電子部品との積層方向に仕切壁によって3層以上に分割された冷媒流路を有しており、
該冷媒流路のうち最も外側の冷媒流路とその内側の冷媒流路との間の上記仕切壁には、上記内側の冷媒流路から上記外側の冷媒流路へ冷却媒体を噴出する噴出孔を設けてなることを特徴とする冷却器。
A cooler having a plurality of cooling pipes arranged to sandwich an electronic component from both sides,
The cooling pipe has a refrigerant flow path divided into three or more layers by a partition wall in the stacking direction with the electronic component,
An ejection hole for ejecting a cooling medium from the inner refrigerant channel to the outer refrigerant channel is formed in the partition wall between the outermost refrigerant channel and the inner refrigerant channel. The cooler characterized by providing.
請求項1において、上記仕切壁は、上記冷媒流路の上流側から下流側に向かって複数の上記噴出孔を形成してなり、該複数の噴出孔には、少なくとも互いに開口面積の異なる大噴出孔と小噴出孔とがあることを特徴とする冷却器。   2. The partition wall according to claim 1, wherein the partition wall is formed with a plurality of the ejection holes from the upstream side to the downstream side of the refrigerant flow path, and the plurality of ejection holes have at least large ejection areas having different opening areas. A cooler characterized by having a hole and a small ejection hole. 請求項2において、上記大噴出孔は、上記小噴出孔よりも下流側にあることを特徴とする冷却器。   3. The cooler according to claim 2, wherein the large ejection hole is located downstream of the small ejection hole. 請求項1〜3のいずれか一項において、上記冷却管は、上記冷媒流路を3層有しており、内側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅広となり、外側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅狭となることを特徴とする冷却器。   4. The cooling pipe according to claim 1, wherein the cooling pipe has three layers of the refrigerant flow path, the inner refrigerant flow path becomes wider toward the downstream side, and the outer refrigerant flow path is downstream. A cooler that narrows toward the side. 請求項1〜3のいずれか一項において、上記冷却管は、上記冷媒流路を3層有しており、内側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅狭となり、外側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅広となることを特徴とする冷却器。   The cooling pipe according to any one of claims 1 to 3, wherein the cooling pipe has three layers of the refrigerant flow path, the inner refrigerant flow path becomes narrower toward a downstream side, and the outer refrigerant flow path is A cooler that becomes wider toward the downstream side. 請求項1〜3のいずれか一項において、上記冷却管は、上記冷媒流路を3層有しており、内側の冷媒流路は、外側の冷媒流路よりも幅広であることを特徴とする冷却器。   4. The cooling pipe according to claim 1, wherein the cooling pipe has three layers of the refrigerant flow path, and the inner refrigerant flow path is wider than the outer refrigerant flow path. To cool. 半導体素子を内蔵する複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールを両主面から冷却するための冷却器とを有する電力変換装置であって、
上記冷却器は、上記半導体モジュールの両主面に配され、該半導体モジュールと共に積層配置される複数の冷却管と、該複数の冷却管の冷媒入口同士及び冷媒出口同士を連結し或いは上記冷媒入口と上記冷媒出口とを連結する連結部とを有し、
上記冷却管は、上記半導体モジュールとの積層方向に仕切壁によって3層以上に分割された冷媒流路を有しており、
該冷媒流路のうち最も外側の冷媒流路とその内側の冷媒流路との間の上記仕切壁には、上記内側の冷媒流路から上記外側の冷媒流路へ冷却媒体を噴出する噴出孔を設けてなることを特徴とする電力変換装置。
A power conversion device having a plurality of semiconductor modules containing semiconductor elements and a cooler for cooling the semiconductor modules from both main surfaces,
The cooler is arranged on both main surfaces of the semiconductor module and connects a plurality of cooling pipes stacked together with the semiconductor module, and refrigerant inlets and refrigerant outlets of the cooling pipes, or the refrigerant inlet And a connecting portion that connects the refrigerant outlet,
The cooling pipe has a refrigerant flow path divided into three or more layers by a partition wall in the stacking direction with the semiconductor module,
An ejection hole for ejecting a cooling medium from the inner refrigerant channel to the outer refrigerant channel is formed in the partition wall between the outermost refrigerant channel and the inner refrigerant channel. A power conversion device comprising:
請求項7において、上記仕切壁は、上記冷媒流路の上流側から下流側に向かって複数の上記噴出孔を形成してなり、該複数の噴出孔には、少なくとも互いに開口面積の異なる大噴出孔と小噴出孔とがあることを特徴とする電力変換装置。   8. The partition wall according to claim 7, wherein the partition wall forms a plurality of the ejection holes from the upstream side to the downstream side of the refrigerant flow path, and the plurality of ejection holes have at least large ejection areas having different opening areas. A power converter characterized by having a hole and a small ejection hole. 請求項8において、上記大噴出孔は、上記小噴出孔よりも下流側にあることを特徴とする電力変換装置。   9. The power conversion device according to claim 8, wherein the large ejection hole is located downstream of the small ejection hole. 請求項7〜9のいずれか一項において、上記冷却管は、上記冷媒流路を3層有しており、内側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅広となり、外側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅狭となることを特徴とする電力変換装置。   10. The cooling pipe according to claim 7, wherein the cooling pipe has three layers of the refrigerant flow path, the inner refrigerant flow path becomes wider toward the downstream side, and the outer refrigerant flow path is downstream. A power converter characterized by becoming narrower toward the side. 請求項7〜9のいずれか一項において、上記冷却管は、上記冷媒流路を3層有しており、内側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅狭となり、外側の冷媒流路は下流側に向かうほど幅広となることを特徴とする電力変換装置。   The cooling pipe according to any one of claims 7 to 9, wherein the cooling pipe has three layers of the refrigerant flow path, the inner refrigerant flow path becomes narrower toward a downstream side, and the outer refrigerant flow path is A power converter characterized by becoming wider toward the downstream side. 請求項7〜9のいずれか一項において、上記冷却管は、上記冷媒流路を3層有しており、内側の冷媒流路は、外側の冷媒流路よりも幅広であることを特徴とする電力変換装置。   The cooling pipe according to any one of claims 7 to 9, wherein the cooling pipe has three layers of the refrigerant flow path, and the inner refrigerant flow path is wider than the outer refrigerant flow path. Power converter. 請求項7〜12のいずれか一項において、上記半導体モジュールと上記冷却管との積層方向から見たとき、上記半導体モジュールに内蔵された上記半導体素子には、上記噴出孔が重なるよう配置されていることを特徴とする電力変換装置。   The semiconductor device according to any one of claims 7 to 12, wherein when viewed from a stacking direction of the semiconductor module and the cooling pipe, the semiconductor element built in the semiconductor module is arranged so that the ejection hole overlaps. A power converter characterized by comprising: 請求項7〜13のいずれか一項において、上記冷媒入口と上記冷媒出口との双方は、これらが形成された上記冷却管の表面に接触する上記半導体モジュールの本体部の幾何学的重心を通過する中央直線によって区切られる2つの領域のうちの一方の領域に集中して存在していることを特徴とする電力変換装置。   14. The refrigerant inlet and the refrigerant outlet both according to claim 7, wherein both the refrigerant inlet and the refrigerant outlet pass through the geometric center of gravity of the main body portion of the semiconductor module that contacts the surface of the cooling pipe in which they are formed. A power conversion device characterized by being concentrated in one of two regions separated by a central straight line. 請求項7〜14のいずれか一項において、上記半導体モジュールは、上記半導体素子を制御する制御回路部に接続される複数の制御端子と、制御される電力を入出させる複数の電極端子とを、上記本体部の端面から突出して設けてなり、上記複数の制御端子と上記複数の電極端子とは、互いに異なる三方向以上に延びていることを特徴とする電力変換装置。   The semiconductor module according to any one of claims 7 to 14, wherein the semiconductor module includes a plurality of control terminals connected to a control circuit unit that controls the semiconductor element, and a plurality of electrode terminals that allow the controlled power to be input and output. The power conversion device according to claim 1, wherein the plurality of control terminals and the plurality of electrode terminals extend in three or more different directions. 請求項14又は15において、上記半導体モジュールの本体部は長方形状を有し、上記冷媒入口と上記冷媒出口との双方は、これらが形成された上記冷却管の表面に接触する上記半導体モジュールの上記本体部の一つの辺を含む直線よりも外側の領域に集中して存在していることを特徴とする電力変換装置。   16. The semiconductor module according to claim 14, wherein the main body of the semiconductor module has a rectangular shape, and both the refrigerant inlet and the refrigerant outlet are in contact with the surface of the cooling pipe in which they are formed. A power conversion device characterized by being concentrated in a region outside a straight line including one side of the main body.
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