JP2008197673A - Liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device which positively prevents the light leakage of blue light that occurs in the outer part of a display region when a shielding film is constituted by piling up a red color filter and a blue color filter. <P>SOLUTION: A liquid crystal display device has: a TFT substrate 150 having a plurality of pixel electrodes formed on one of the face sides and an orientation membrane 156 that covers the pixel electrodes; a CF substrate 160 having color filters of red, green and blue that are disposed opposed to the pixel electrodes, and a black matrix constituted by piling up a blue color filter and a red color filter, a counter electrode that covers the color filters and the black matrix, and an orientation membrane 166 that covers the counter electrode; and a liquid crystal 49 with negative dielectric constant anisotropy that is sealed between the TFT substrate 150 and the CF substrate 160. A redundant shielding membrane 163 to interrupt blue light is formed at the outside part of the display region. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特にカラーフィルタを積層して遮光膜を形成する液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device in which color filters are stacked to form a light shielding film.

アクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、非選択時にオフ状態となって信号を遮断するスイッチを各画素に設けることによってクロストークを防止するものであり、単純マトリクス方式の液晶表示装置に比べて優れた表示特性を示す。特に、スイッチとしてTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)を使用した液晶表示装置は、TFTの駆動能力が高いので、CRT(Cathode-Ray Tube)に匹敵するほど優れた表示特性を示す。   The active matrix liquid crystal display device prevents crosstalk by providing each pixel with a switch that shuts off a signal when it is not selected, and is superior to a simple matrix liquid crystal display device. Display characteristics are shown. In particular, a liquid crystal display device using a TFT (Thin Film Transistor) as a switch has a high TFT driving capability, and thus exhibits excellent display characteristics comparable to a CRT (Cathode-Ray Tube).

図43は一般的なTN(Twisted Nematic )型液晶表示装置の構造を示す断面図である。TN型液晶表示装置は、対向して配置された2枚のガラス基板61,71の間に正の誘電率異方性を有する液晶69を封入した構造を有している。一方のガラス基板61の上面側にはTFT(図示せず)、画素電極62、バスライン63、平坦化層64及び配向膜66が形成されている。画素電極62は透明導電材料であるITO(indium-tin oxide:インジウム酸化スズ)からなり、これらの画素電極62には画像に応じた電圧がバスライン63及びTFTを介して所定のタイミングで供給される。平坦化層64は絶縁材料に形成されており、画素電極62及びバスライン63を覆っている。平坦化層64の上にはポリイミド等からなる水平配向膜66が形成されている。この配向膜66の表面には、電圧を印加していないときの液晶分子の配向方向を決定するために、配向処理が施されている。配向処理の代表的な方法としては、布製のローラーにより配向膜の表面を一方向に擦るラビング法が知られている。   FIG. 43 is a cross-sectional view showing the structure of a general TN (Twisted Nematic) type liquid crystal display device. The TN liquid crystal display device has a structure in which a liquid crystal 69 having a positive dielectric anisotropy is sealed between two glass substrates 61 and 71 arranged opposite to each other. On the upper surface side of one glass substrate 61, TFTs (not shown), pixel electrodes 62, bus lines 63, a planarizing layer 64, and an alignment film 66 are formed. The pixel electrode 62 is made of ITO (indium-tin oxide) which is a transparent conductive material, and a voltage corresponding to an image is supplied to the pixel electrode 62 through the bus line 63 and the TFT at a predetermined timing. The The planarization layer 64 is formed of an insulating material and covers the pixel electrode 62 and the bus line 63. A horizontal alignment film 66 made of polyimide or the like is formed on the planarizing layer 64. The surface of the alignment film 66 is subjected to an alignment process in order to determine the alignment direction of the liquid crystal molecules when no voltage is applied. As a typical method of alignment treatment, a rubbing method is known in which the surface of an alignment film is rubbed in one direction with a cloth roller.

また、ガラス基板71の下面側にはブラックマトリクス72、カラーフィルタ73、平坦化層74、対向電極75及び配向膜76が形成されている。ブラックマトリクス72は画素間の領域を光が透過しないようにするため、Cr(クロム)等の金属により形成されている。カラーフィルタ73には赤(R)、緑(G)、青(B)の3色があり、1つの画素電極62にR・G・Bいずれか1つのカラーフィルタ73が対向している。平坦化層74はブラックマトリクス72及びカラーフィルタ73を覆うように形成されており、この平坦化層74の下側にはITOからなる対向電極75が形成されている。また、対向電極75の下側には水平配向膜76が形成されている。この配向膜76の表面も、ラビング処理が施されている。但し、配向膜66のラビング方向と配向膜76のラビング方向とは90°異なっている。   A black matrix 72, a color filter 73, a planarizing layer 74, a counter electrode 75 and an alignment film 76 are formed on the lower surface side of the glass substrate 71. The black matrix 72 is made of a metal such as Cr (chromium) in order to prevent light from passing through the region between the pixels. The color filter 73 has three colors of red (R), green (G), and blue (B), and one of the R, G, and B color filters 73 faces one pixel electrode 62. The planarizing layer 74 is formed so as to cover the black matrix 72 and the color filter 73, and a counter electrode 75 made of ITO is formed below the planarizing layer 74. A horizontal alignment film 76 is formed below the counter electrode 75. The surface of the alignment film 76 is also rubbed. However, the rubbing direction of the alignment film 66 and the rubbing direction of the alignment film 76 differ by 90 °.

基板61,71は、球形又は円柱形のスペーサ79を挟んで配置され、このスペーサ79により液晶69の層厚(以下、「セル厚」という)が一定に維持される。スペーサ79は、例えばプラスチック又はガラスにより形成されている。更に、ガラス基板61の下面側及びガラス基板71の上面側にはそれぞれ偏光板(図示せず)が貼り付けられている。ノーマリホワイトモードの液晶表示装置では2枚の偏光板は偏光軸が互いに直交するように配置され、ノーマリブラックモードの液晶表示装置では2枚の偏光板は偏光軸が並行に配置される。   The substrates 61 and 71 are arranged with a spherical or cylindrical spacer 79 interposed therebetween, and the layer thickness (hereinafter referred to as “cell thickness”) of the liquid crystal 69 is maintained constant by the spacer 79. The spacer 79 is made of, for example, plastic or glass. Further, polarizing plates (not shown) are attached to the lower surface side of the glass substrate 61 and the upper surface side of the glass substrate 71, respectively. In the normally white mode liquid crystal display device, the two polarizing plates are arranged so that the polarization axes are orthogonal to each other, and in the normally black mode liquid crystal display device, the two polarizing plates are arranged in parallel.

以下、TFT、画素電極及び配向膜等が形成された基板をTFT基板といい、カラーフィルタ、対向電極及び配向膜等が形成された基板をCF基板という。図44はノーマリホワイトモードのTN型液晶表示装置の動作を示す模式図である。この図44に示すように、ノーマリホワイトモードの液晶表示装置では、2枚の偏光板67,77は偏光軸が直交するように配置される。TN型液晶表示装置では正の誘電率異方性を有する液晶69と水平配向膜66,76を用いているので、配向膜66,76の近傍の液晶分子69aは配向膜66,76のラビング方向に配向する。図44(a)に示すように、2枚の偏光板67,77を偏光軸が直交するように配置したTN型液晶表示装置では、2つの配向膜66,76の間の液晶分子69aは、一方の基板61側から他方の基板71側に向かうにつれて螺旋状に配向方向を変えていく。このとき、偏光板67を通過した光は直線偏光となり液晶69の層に入る。液晶分子69aは徐々に捩じれて配向しているので、入力した光の偏光方向も徐々に捩じれ、光が偏光板77を通過する。   Hereinafter, a substrate on which a TFT, a pixel electrode, an alignment film and the like are formed is referred to as a TFT substrate, and a substrate on which a color filter, a counter electrode, an alignment film and the like are formed is referred to as a CF substrate. FIG. 44 is a schematic diagram showing the operation of a normally white mode TN liquid crystal display device. As shown in FIG. 44, in the normally white mode liquid crystal display device, the two polarizing plates 67 and 77 are arranged so that their polarization axes are orthogonal to each other. Since the TN liquid crystal display device uses the liquid crystal 69 having a positive dielectric anisotropy and the horizontal alignment films 66 and 76, the liquid crystal molecules 69 a in the vicinity of the alignment films 66 and 76 are rubbed in the alignment films 66 and 76. Oriented to As shown in FIG. 44 (a), in a TN liquid crystal display device in which two polarizing plates 67 and 77 are arranged so that their polarization axes are orthogonal, the liquid crystal molecules 69a between the two alignment films 66 and 76 are The orientation direction is spirally changed from one substrate 61 side toward the other substrate 71 side. At this time, the light passing through the polarizing plate 67 becomes linearly polarized light and enters the liquid crystal 69 layer. Since the liquid crystal molecules 69 a are gradually twisted and aligned, the polarization direction of the input light is also gradually twisted, and the light passes through the polarizing plate 77.

画素電極62と対向電極75との間の電圧を徐々に上げていくと、ある電圧(しきい値)を境に液晶分子69aが電界の方向に立ち上がり始め、十分な電圧を印加すると、図44(b)に示すように、液晶分子69aは基板61,71に対しほぼ垂直になる。このとき、偏光板67を通過した光は液晶69の層で偏光軸が回転しないため、偏光板77を通過することができない。   When the voltage between the pixel electrode 62 and the counter electrode 75 is gradually increased, the liquid crystal molecules 69a start to rise in the direction of the electric field at a certain voltage (threshold), and when a sufficient voltage is applied, FIG. As shown in (b), the liquid crystal molecules 69 a are substantially perpendicular to the substrates 61 and 71. At this time, the light passing through the polarizing plate 67 cannot pass through the polarizing plate 77 because the polarization axis does not rotate in the layer of the liquid crystal 69.

つまり、TN型液晶表示装置では、印加電圧に応じて、液晶分子が基板61,71に対し殆ど平行な状態から殆ど垂直な状態に変化し、液晶表示装置を透過する光の透過率もこれに応じて変化する。各画素毎に光の透過率を制御することにより、液晶表示装置に所望の画像を表示することができる。ところで、上述した構造のTN型液晶表示装置では、視野角特性がよくない。すなわち、基板に対し垂直な方向から画像を見ると良好な表示品質が得られるものの、斜め方向から画像を見るとコントラストが著しく低下したり、濃淡が反転してしまう。   In other words, in the TN liquid crystal display device, the liquid crystal molecules change from a state almost parallel to the substrates 61 and 71 to a state almost perpendicular to the substrates 61 and 71 according to the applied voltage, and the transmittance of light transmitted through the liquid crystal display device is also increased. Will change accordingly. A desired image can be displayed on the liquid crystal display device by controlling the light transmittance for each pixel. By the way, the TN liquid crystal display device having the above-described structure has poor viewing angle characteristics. That is, when an image is viewed from a direction perpendicular to the substrate, good display quality can be obtained, but when the image is viewed from an oblique direction, the contrast is remarkably lowered or the contrast is reversed.

TN型液晶表示装置の視野角特性を改善する方法として、配向分割が知られている。これは、1つの画素内に配向方向が異なる2以上の領域を設けることにより達成される。具体的には、1つの画素領域を2以上の領域に分けて、配向膜のラビング方向がそれぞれ異なるようにラビングする。これにより、一方の領域で漏れた光が他方の領域で遮断されるので、中間調表示におけるコントラストの低下が改善される。   As a method for improving the viewing angle characteristics of a TN liquid crystal display device, alignment division is known. This is achieved by providing two or more regions having different orientation directions in one pixel. Specifically, one pixel region is divided into two or more regions, and rubbing is performed so that the rubbing directions of the alignment films are different. As a result, light leaking in one region is blocked in the other region, so that a reduction in contrast in halftone display is improved.

また、近年、TN型液晶表示装置よりも視角特性及び表示品質が優れた液晶表示装置として垂直配向型液晶表示装置が注目されている。TN型液晶表示装置では正の誘電率異方性を有する液晶(ポジ型液晶)と水平配向膜とを組み合わせて使用するのに対し、垂直配向型液晶表示装置では負の誘電率異方性を有する液晶(ネガ型液晶)と垂直配向膜とを組み合わせて使用する。垂直配向型液晶表示装置では、画素電極と対向電極との間に電圧を印加しない状態では液晶分子が基板に対しほぼ垂直な方向に配向し、画素電極と対向電極との間に電圧を印加すると液晶分子の配向方向は基板に対し水平な方向に傾いていく。   In recent years, a vertical alignment type liquid crystal display device has attracted attention as a liquid crystal display device having a better viewing angle characteristic and display quality than a TN type liquid crystal display device. A TN liquid crystal display device uses a combination of a liquid crystal having a positive dielectric anisotropy (positive liquid crystal) and a horizontal alignment film, whereas a vertical alignment liquid crystal display device has a negative dielectric anisotropy. A liquid crystal (negative liquid crystal) having a vertical alignment film is used in combination. In a vertical alignment type liquid crystal display device, when no voltage is applied between the pixel electrode and the counter electrode, the liquid crystal molecules are aligned in a direction substantially perpendicular to the substrate, and a voltage is applied between the pixel electrode and the counter electrode. The alignment direction of the liquid crystal molecules is inclined in a horizontal direction with respect to the substrate.

ところで、従来の垂直配向型液晶表示装置では、図43に示すTN型液晶表示装置と同様に、スペーサによりセル厚を一定の厚さに維持している。スペーサは、前述したように球形又は円柱形のプラスチップ又はガラスからなり、TFT基板とCF基板とを貼合わせるときにいずれか一方の基板上に散布される。   By the way, in the conventional vertical alignment type liquid crystal display device, the cell thickness is maintained at a constant thickness by the spacer as in the TN type liquid crystal display device shown in FIG. As described above, the spacer is made of a spherical or cylindrical plus chip or glass, and is spread on one of the substrates when the TFT substrate and the CF substrate are bonded together.

従って、従来の垂直配向型液晶表示装置では、スペーサを散布する工程が必要であり、煩雑である。また、スペーサの散布密度のばらつきによりセル厚が不均一になり、表示品質が低下する。更に、振動や衝撃が加えられるとスペーサが移動し、セル厚のばらつきの原因となる。更にまた、ガラス基板に強い圧力が加えられるとスペーサがカラーフィルタにめり込み、セル厚が変化する。   Therefore, the conventional vertical alignment type liquid crystal display device requires a step of spraying spacers, which is complicated. Further, the cell thickness becomes non-uniform due to the dispersion of the dispersion density of the spacers, and the display quality is deteriorated. Further, when a vibration or impact is applied, the spacer moves and causes variation in cell thickness. Furthermore, when a strong pressure is applied to the glass substrate, the spacers sink into the color filter and the cell thickness changes.

本発明は、表示品質が良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the liquid crystal display device with favorable display quality.

上記した課題は、図39に例示するように、一方の面側に形成された複数の第1の電極と、該第1の電極を覆う第1の配向膜156とを有する第1の基板150と、前記第1の基板150の前記第1の電極に対向して配置された赤色、緑色及び青色のカラーフィルタと、少なくとも2色のカラーフィルタを重ねて構成されたブラックマトリクスと、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスを覆う第2の電極と、前記第2の電極を覆う第2の配向膜166とを有する第2の基板160と、前記第1の基板150と前記第2の基板160との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶49とを有する液晶表示装置において、前記複数の第1の電極が配置されてなる表示領域の外側部分に、青色光を遮断する冗長遮光膜163が形成されていることを特徴とする液晶表示装置により解決される。   The above-described problem is, as illustrated in FIG. 39, a first substrate 150 having a plurality of first electrodes formed on one surface side and a first alignment film 156 covering the first electrodes. A red matrix of red, green, and blue color filters disposed opposite to the first electrode of the first substrate 150; a black matrix configured by overlapping at least two color filters; and the color filter And a second substrate 160 having a second electrode that covers the black matrix and a second alignment film 166 that covers the second electrode, and the first substrate 150 and the second substrate 160. In a liquid crystal display device having a liquid crystal 49 having negative dielectric anisotropy enclosed between them, redundant light shielding for blocking blue light in an outer portion of a display region in which the plurality of first electrodes are arranged Film 163 is formed It is solved by a liquid crystal display device comprising that.

赤色カラーフィルタと青色カラーフィルタとを重ねて遮光膜とする場合、表示領域の外側部分で青色光の光漏れが発生することがある。これを防止するために、本発明においては、表示領域の外側部分に、青色光を遮断する冗長遮光膜を形成する。これにより、表示領域外側部分における青色光の光漏れを確実に防止することができて、表示品質が向上する。本発明は、垂直配向膜を使用するVA(Vertically Aligned)モードの液晶表示装置だけでなく、水平配向膜を使用する液晶表示装置にも適用することができる。   When the red color filter and the blue color filter are overlapped to form a light shielding film, light leakage of blue light may occur in the outer portion of the display area. In order to prevent this, in the present invention, a redundant light-shielding film that blocks blue light is formed in the outer portion of the display area. Thereby, the light leakage of the blue light in the outer part of the display area can be surely prevented, and the display quality is improved. The present invention can be applied not only to a VA (Vertically Aligned) mode liquid crystal display device using a vertical alignment film, but also to a liquid crystal display device using a horizontal alignment film.

なお、本発明に関連する第1の液晶表示装置は、図1に例示するように、一方の面側に形成された第1の電極32と、該第1の電極32を覆う第1の垂直配向膜36とを有する第1の基板30と、前記第1の基板30の前記一方の面に対向する面側に形成された第2の電極44と、該第2の電極44の上に絶縁材料により形成された第1の突起パターン45と、前記第2の電極44及び前記第1の突起パターン45を覆う第2の垂直配向膜46とを有し、前記第1の突起パターン45の先端部分が前記第1の基板30に接触した第2の基板40と、前記第1の基板30と前記第2の基板40との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶49とを有することを特徴とする。   As shown in FIG. 1, the first liquid crystal display device related to the present invention includes a first electrode 32 formed on one surface side and a first vertical covering the first electrode 32. A first substrate 30 having an alignment film 36, a second electrode 44 formed on the side of the first substrate 30 facing the one surface, and insulation on the second electrode 44 A first protrusion pattern 45 formed of a material; and a second vertical alignment film 46 covering the second electrode 44 and the first protrusion pattern 45, and a tip of the first protrusion pattern 45. A second substrate 40 having a portion in contact with the first substrate 30, and a liquid crystal 49 having negative dielectric anisotropy sealed between the first substrate 30 and the second substrate 40, It is characterized by having.

垂直配向型液晶表示装置は、TN型液晶表示装置に比べて視野角特性が良好であるが、配向分割により視野角特性をより一層向上させることができる。垂直配向型液晶表示装置では、電極(画素電極32及び対向電極44のうち少なくとも一方)の上方に突起パターン35,45を設けることにより、配向分割を達成することができる。つまり、垂直配向型液晶表示装置では、液晶分子は垂直配向膜の表面に対し垂直方向に配向するので、電極32,45の上方に突起パターン33,45を設けると、突起パターン32,45の一方の斜面と他方の斜面で液晶分子の配向方向が異なり、配向分割が達成される。   The vertical alignment type liquid crystal display device has better viewing angle characteristics than the TN type liquid crystal display device, but the viewing angle characteristics can be further improved by alignment division. In the vertical alignment type liquid crystal display device, the alignment division can be achieved by providing the protrusion patterns 35 and 45 above the electrode (at least one of the pixel electrode 32 and the counter electrode 44). That is, in the vertical alignment type liquid crystal display device, since the liquid crystal molecules are aligned in the direction perpendicular to the surface of the vertical alignment film, when the protrusion patterns 33 and 45 are provided above the electrodes 32 and 45, one of the protrusion patterns 32 and 45 is provided. The alignment direction of the liquid crystal molecules is different between the first and second inclined surfaces, and alignment division is achieved.

第1の液晶表示装置では、電極の上方に絶縁体からなる突起パターン35,45を設けることにより配向分割を達成するとともに、少なくとも突起パターン45の一部を一方の基板40側から他方の基板30側に大きく突出させて突起パターン45の先端部分を他方の基板30に接触させて、これによりセル厚を一定に維持する。このように、第1の液晶表示装置においては、配向分割を達成するための突起パターン45によりセル厚を一定に維持するので、球形又は円柱形のスペーサを散布する工程が不要になるとともに、スペーサの移動やカラーフィルタへのめり込みによる表示品質の劣化が回避される。   In the first liquid crystal display device, the alignment division is achieved by providing the protrusion patterns 35 and 45 made of an insulator above the electrodes, and at least a part of the protrusion pattern 45 is transferred from the one substrate 40 side to the other substrate 30. The tip portion of the protrusion pattern 45 is brought into contact with the other substrate 30 so that the cell thickness is kept constant. As described above, in the first liquid crystal display device, the cell thickness is kept constant by the projection pattern 45 for achieving the alignment division, so that the step of spraying the spherical or cylindrical spacers becomes unnecessary, and the spacer The display quality is prevented from deteriorating due to the movement of the display and the color filter.

配向分割を達成するための突起パターン(画素領域に形成される突起パターン35)のパターン幅が狭すぎると、配向分割の効果を十分に得ることができない。逆に、配向分割を達成するための突起パターン35のパターン幅が広すぎると、開口率が低下して明るい画像を表示することができなくなる。このため、配向分割を達成するための突起パターン35のパターン幅は、3〜15μmとすることが好ましい。   If the pattern width of the projection pattern (projection pattern 35 formed in the pixel region) for achieving alignment division is too narrow, the effect of alignment division cannot be sufficiently obtained. On the contrary, if the pattern width of the protrusion pattern 35 for achieving the orientation division is too wide, the aperture ratio is lowered and a bright image cannot be displayed. For this reason, it is preferable that the pattern width of the protrusion pattern 35 for achieving orientation division is 3 to 15 μm.

また、配向分割を達成するための突起パターン35の高さが低すぎると、配向分割の効果を十分に得ることができない。このため、配向分割を達成するための突起パターン35の高さは、遮光膜42(ブラックマトリクス)の開口部におけるセル厚の1/5以上とすることが必要である。配向分割を達成するための突起パターン35に替えて、図4(b),図5に例示するように、電極2b,32にスリット6,32aを形成してもよい。これにより、電圧を印加したときにスリット6,32aの近傍では電界の方向が電極の面に対し若干傾くため、突起パターンを設けたときと同様に配向分割が達成される。   Further, if the height of the projection pattern 35 for achieving the alignment division is too low, the effect of the alignment division cannot be sufficiently obtained. Therefore, the height of the projection pattern 35 for achieving the alignment division needs to be 1/5 or more of the cell thickness at the opening of the light shielding film 42 (black matrix). Instead of the projection pattern 35 for achieving the alignment division, the slits 6 and 32a may be formed in the electrodes 2b and 32 as illustrated in FIGS. Thereby, when a voltage is applied, the direction of the electric field is slightly inclined with respect to the surface of the electrode in the vicinity of the slits 6 and 32a, so that the alignment division is achieved in the same manner as when the projection pattern is provided.

なお、特開平7−311383号公報には、基板上に窒化シリコンまたは酸化シリコンからなる突起パターンを設け、その上に透明電極及び配向膜を形成した液晶表示装置が開示されている。しかし、特開平7−311383号公報に開示された技術は、水平配向型液晶表示装置に関するものであり、第1の液晶表示装置とは作用及び効果が異なる。すなわち、特開平7−311383号公報に開示された技術では、突起パターンの上に電極があるので電極が基板に対し傾斜した面をもつことになる。上記の技術を垂直配向型液晶表示装置に適用すると、電圧を印加していないときは液晶分子が傾斜面に対し垂直に配向し、電圧を印加すると、液晶分子は傾斜面に平行な方向に配向しようとする。しかし、電圧を印加したときに傾斜面近傍の液晶分子がどちら側に回転するかは不定であり、配向の乱れの原因となる。一方、第1の液晶表示装置では、電極は基板に対し平行であるので、電圧を印加すると、突起パターンの傾斜面に対し垂直な方向に対向している液晶分子に対し斜めの方向から電界が加わる。従って、液晶分子の回転方向が決まり、配向の乱れが回避される。   JP-A-7-311383 discloses a liquid crystal display device in which a protrusion pattern made of silicon nitride or silicon oxide is provided on a substrate and a transparent electrode and an alignment film are formed thereon. However, the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-311383 relates to a horizontal alignment type liquid crystal display device, and is different in operation and effect from the first liquid crystal display device. That is, in the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-311383, since the electrode is on the projection pattern, the electrode has a surface inclined with respect to the substrate. When the above technique is applied to a vertical alignment type liquid crystal display device, when no voltage is applied, the liquid crystal molecules are aligned perpendicular to the inclined surface, and when a voltage is applied, the liquid crystal molecules are aligned in a direction parallel to the inclined surface. try to. However, to which side the liquid crystal molecules in the vicinity of the inclined surface rotate when a voltage is applied is indeterminate, which causes disorder of alignment. On the other hand, in the first liquid crystal display device, since the electrodes are parallel to the substrate, when a voltage is applied, an electric field is applied from an oblique direction to the liquid crystal molecules facing the direction perpendicular to the inclined surface of the protrusion pattern. Join. Therefore, the rotation direction of the liquid crystal molecules is determined, and the alignment disorder is avoided.

本発明に関連する第1の液晶表示装置の製造方法は、図1に例示するように、第1の基板上41に各画素領域の間を遮光する遮光膜42を形成する工程と、前記第1の基板41上の前記画素領域上にカラーフィルタ43を形成する工程と、前記カラーフィルタ43の上に対向電極44を形成する工程と、前記対向電極44の上に絶縁材料からなる第1の突起パターン45を形成する工程と、前記第1の基板41の上側に前記対向電極44及び前記第1の突起パターン45を覆う第1の垂直配向膜46を形成する工程と、第2の基板31の上側に複数の画素電極32を形成する工程と、前記第2の基板31の上側に前記画素電極32を覆う第2の垂直配向膜36を形成する工程と、前記第1の基板41と前記第2の基板31とを前記第1の垂直配向膜46及び前記第2の垂直配向膜36が形成された面を対向させ、かつ前記第1の突起パターン45の先端部分を前記第2の基板31の前記第2の垂直配向膜36に接触させて配置する工程とを有することを特徴とする。なお、第1の基板と第2の基板との間に液晶を封入方法としては、第1の基板と第2の基板とをシール材で接合した後に両基板の間に液晶を注入する方法と、第1の基板又は第2の基板のいずれか一方に液晶を滴下し、その後一方の基板の上に他方の基板を配置して、これらの基板を接合する方法とがある。第1の液晶表示装置の製造方法では、どちらの方法を採用してもよい。   As illustrated in FIG. 1, the first method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes a step of forming a light-shielding film 42 that shields light between the pixel regions on the first substrate 41, and A step of forming a color filter 43 on the pixel region on one substrate 41, a step of forming a counter electrode 44 on the color filter 43, and a first made of an insulating material on the counter electrode 44. A step of forming a protrusion pattern 45; a step of forming a first vertical alignment film 46 covering the counter electrode 44 and the first protrusion pattern 45 on the upper side of the first substrate 41; and a second substrate 31. Forming a plurality of pixel electrodes 32 on the upper side of the substrate, forming a second vertical alignment film 36 covering the pixel electrodes 32 on the upper side of the second substrate 31, and the first substrate 41 and the The second substrate 31 and the first vertical The surface on which the counter film 46 and the second vertical alignment film 36 are formed is opposed to each other, and the tip portion of the first protrusion pattern 45 is in contact with the second vertical alignment film 36 of the second substrate 31. And a step of arranging them. In addition, as a method of sealing liquid crystal between the first substrate and the second substrate, a method of injecting liquid crystal between both substrates after the first substrate and the second substrate are bonded with a sealing material; There is a method in which liquid crystal is dropped on one of the first substrate and the second substrate, and then the other substrate is disposed on one substrate and these substrates are bonded. Either method may be adopted as the method for manufacturing the first liquid crystal display device.

第1の液晶表示装置の製造方法により形成した液晶表示装置では、突起パターン45により配向分割が達成されると共に、突起パターン45によりセル厚が一定に維持される。これにより、スペーサを散布する工程が不用になるとともに、スペーサの移動やカラーフィルタへのめり込みによる表示品質の劣化が回避される。   In the liquid crystal display device formed by the manufacturing method of the first liquid crystal display device, alignment division is achieved by the projection pattern 45 and the cell thickness is kept constant by the projection pattern 45. As a result, the step of spraying the spacers becomes unnecessary, and the deterioration of the display quality due to the movement of the spacers and the penetration into the color filter is avoided.

本発明に関連する第2の液晶表示装置は、図8に例示するように、一方の面側に形成された複数の第1の電極32と、該第1の電極32を覆う第1の垂直配向膜36とを有する第1の基板30と、前記第1の基板30の前記一方の面に対向する面側に形成されて前記第1の基板30の前記第1の電極間32の領域に対応する領域に配置された遮光膜52と、前記第1の基板30の各第1の電極32に対向して配置された複数のカラーフィルタ53と、前記遮光膜52及び前記カラーフィルタ53の上方に形成された第2の電極54と、前記第2の電極54の上に絶縁材料により形成された第1の突起パターン55と、前記第2の電極54及び少なくとも前記第2の電極54上の前記第1の突起パターン55を覆う第2の垂直配向膜56とを有し、前記遮光膜52の上方の前記第1の突起パターン55の先端部分が前記第1の基板30に接触した第2の基板50と、前記第1の基板30と前記第2の基板50との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶49とを有することを特徴とする。   As illustrated in FIG. 8, the second liquid crystal display device related to the present invention includes a plurality of first electrodes 32 formed on one side and a first vertical covering the first electrodes 32. A first substrate 30 having an alignment film 36 and a surface of the first substrate 30 facing the one surface are formed in a region between the first electrodes 32 of the first substrate 30. A light shielding film 52 disposed in a corresponding region, a plurality of color filters 53 disposed to face each first electrode 32 of the first substrate 30, and above the light shielding film 52 and the color filter 53. A second projection 54 formed of an insulating material on the second electrode 54, the second electrode 54 and at least the second electrode 54. And a second vertical alignment film 56 covering the first protrusion pattern 55. The second substrate 50 in which the tip portion of the first projection pattern 55 above the light shielding film 52 is in contact with the first substrate 30, and the first substrate 30 and the second substrate 50. And a liquid crystal 49 having negative dielectric anisotropy enclosed therebetween.

第2の液晶表示装置においては、遮光膜52を厚く形成し、その上に突起パターン55を形成して、他方の基板に接触させる。突起パターンのうち他方の基板に接触する部分を遮光膜の上に配置することにより、開口率の低下を回避できる。また、図11に例示するように、遮光膜52は、赤(R)・緑(G)・青(B)の3色のカラーフィルタのうち2つ以上を重ねることにより形成してもよい。この場合、クロム(Cr)等の金属を使用して遮光膜を形成する方法に比べて、製造工程を簡略化することができる。   In the second liquid crystal display device, the light-shielding film 52 is formed thick, and the projection pattern 55 is formed on the light-shielding film 52 and is brought into contact with the other substrate. By disposing the portion of the projection pattern that contacts the other substrate on the light shielding film, a decrease in the aperture ratio can be avoided. Further, as illustrated in FIG. 11, the light shielding film 52 may be formed by overlapping two or more color filters of three colors of red (R), green (G), and blue (B). In this case, the manufacturing process can be simplified as compared with a method of forming a light shielding film using a metal such as chromium (Cr).

本発明に関連する第2の液晶表示装置の製造方法は、図11に例示するように、第1の基板51上の各画素領域に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ53R,53G,53Bのいずれか1つを選択的に形成するとともに、各画素領域の間に前記赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ53R,53G,53Bのうちの少なくとも2つのカラーフィルタを重ね合わせて形成して遮光膜52とする工程と、前記カラーフィルタ53R,53G,53Bの上に対向電極54を形成する工程と、前記対向電極54の上に絶縁材料からなる第1の突起パターン55を形成する工程と、前記第1の基板51の上側に前記対向電極54及び前記第1の突起パターン55を覆う第1の垂直配向膜56を形成する工程と、第2の基板31の上側に複数の画素電極32を形成する工程と、前記第2の基板31の上側に前記画素電極32を覆う第2の垂直配向膜36を形成する工程と、前記第1の基板51と前記第2の基板31とを前記第1の垂直配向膜56及び前記第2の垂直配向膜36が形成された面を対向させ、かつ前記第1の突起パターン55の先端部分を前記第2の基板31の前記垂直配向膜に接触させて配置する工程とを有することを特徴とする。   In the second method for manufacturing a liquid crystal display device related to the present invention, as illustrated in FIG. One of them is selectively formed, and at least two of the red, green, and blue color filters 53R, 53G, and 53B are overlapped between the pixel regions to form a light shielding film 52. A step of forming a counter electrode 54 on the color filters 53R, 53G, and 53B, a step of forming a first protrusion pattern 55 made of an insulating material on the counter electrode 54, and the first Forming a first vertical alignment film 56 covering the counter electrode 54 and the first protrusion pattern 55 on the substrate 51, and a plurality of pixel electrodes on the second substrate 31. 2, a step of forming a second vertical alignment film 36 covering the pixel electrode 32 on the second substrate 31, and the first substrate 51 and the second substrate 31. The surfaces on which the first vertical alignment film 56 and the second vertical alignment film 36 are formed are opposed to each other, and the tip portion of the first protrusion pattern 55 is used as the vertical alignment film of the second substrate 31. And a step of arranging them in contact with each other.

第2の液晶表示装置の製造方法においては、カラーフィルタ53R,53G,53Bのうちの少なくとも2つのカラーフィルタを重ね合わせて形成して遮光膜52とするので、Cr等により遮光膜を形成する工程が不用になる。また、遮光膜52の上方の突起パターン55の先端部分を他方の基板30に接触させてセル厚を一定に維持するので、スペーサを散布する工程が不用である。これらにより、製造工程が簡略化される。   In the second method for manufacturing a liquid crystal display device, at least two of the color filters 53R, 53G, and 53B are overlaid to form the light shielding film 52. Therefore, the process of forming the light shielding film with Cr or the like. Becomes unnecessary. In addition, since the tip portion of the protrusion pattern 55 above the light shielding film 52 is brought into contact with the other substrate 30 to keep the cell thickness constant, a step of spraying spacers is unnecessary. These simplify the manufacturing process.

本発明に関連する第3の液晶表示装置は、図17,図18に例示するように、一方の面側に形成された複数の第1の電極102と、該第1の電極102を覆う第1の垂直配向膜106とを有する第1の基板100と、前記第1の基板100の前記第1の電極102に対向して配置された赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ113R,113G,113Bと、これらのカラーフィルタ113R,113G,113Bのうちの少なくとも2つのカラーフィルタが重なって構成され、前記の各第1の電極102間の領域に対応する領域に配置された遮光膜112と、少なくとも前記カラーフィルタ113R,113G,113Bを覆う第2の電極114と、前記遮光膜112の上方に選択的に形成されたセル厚調整層117と、前記第2の電極114及び前記セル厚調整層117の上方に絶縁材料により形成された突起パターン115と、前記第2の電極114及び少なくとも前記第2の電極114上の前記突起パターン115を覆う第2の垂直配向膜116とを有し、前記突起パターン115の先端部分が前記第1の基板100に接触した第2の基板110と、前記第1の基板100と前記第2の基板110との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶49とを有することを特徴とする。   As illustrated in FIGS. 17 and 18, the third liquid crystal display device related to the present invention includes a plurality of first electrodes 102 formed on one surface side and a first electrode 102 covering the first electrode 102. A first substrate 100 having one vertical alignment film 106, and red, green, and blue color filters 113R, 113G, and 113B disposed to face the first electrode 102 of the first substrate 100; In addition, at least two of these color filters 113R, 113G, and 113B are configured to overlap, and the light shielding film 112 disposed in a region corresponding to the region between the first electrodes 102, and at least the above-mentioned The second electrode 114 covering the color filters 113R, 113G, and 113B, the cell thickness adjusting layer 117 selectively formed above the light shielding film 112, and the second electrode 1 4 and the protrusion pattern 115 formed of an insulating material above the cell thickness adjusting layer 117, and the second vertical alignment film covering the second electrode 114 and at least the protrusion pattern 115 on the second electrode 114. 116, and a tip portion of the protrusion pattern 115 is sealed between the second substrate 110 in contact with the first substrate 100, and the first substrate 100 and the second substrate 110. And a liquid crystal 49 having negative dielectric anisotropy.

第3の液晶表示装置においては、遮光膜112の上に設けられたセル厚調整層117により、セル厚を調整することができる。これにより、カラーフィルタ113R,113G,113Bの厚さを厚くしなくとも、最適なセル厚に調整することが可能になる。この場合、第2の基板は、図23に例示するように、第1の基板の前記第1の電極に対向して配置された赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ113R,113G,113Bと、これらのカラーフィルタ113R,113G,113Bのうちの少なくとも2つのカラーフィルタが重なって構成され、前記の各第1の電極間の領域に対応する領域に配置された遮光膜112と、前記カラーフィルタ113R,113G,113B及び前記遮光膜112を覆う第2の電極116と、前記第2の電極の上に絶縁材料により形成された突起パターン117と、前記遮光膜112の上方の前記突起パターン117の上に形成されたセル厚調整層118と、前記第2の電極及び前記セル厚調整層を覆う第2の垂直配向膜116とを有する基板を使用してもよい。   In the third liquid crystal display device, the cell thickness can be adjusted by the cell thickness adjusting layer 117 provided on the light shielding film 112. As a result, the color cell 113R, 113G, 113B can be adjusted to an optimum cell thickness without increasing the thickness. In this case, as illustrated in FIG. 23, the second substrate includes red, green, and blue color filters 113R, 113G, and 113B disposed to face the first electrode of the first substrate, and these And at least two color filters of the color filters 113R, 113G, and 113B are overlapped, and the light shielding film 112 disposed in a region corresponding to the region between the first electrodes, the color filters 113R, 113G, 113B and the second electrode 116 covering the light shielding film 112, a projection pattern 117 formed of an insulating material on the second electrode, and the projection pattern 117 above the light shielding film 112 Even if the substrate having the formed cell thickness adjusting layer 118 and the second vertical alignment film 116 covering the second electrode and the cell thickness adjusting layer is used. There.

本発明に関連する第4の液晶表示装置は、図24に例示するように、一方の面側に形成された複数の第1の電極102と、該第1の電極を覆う第1の垂直配向膜10とを有する第1の基板100と、前記第1の基板100の第1の電極102の間の領域に対応する領域に配置された非透光性材料からなる遮光膜122と、前記第1の基板100の前記第1の電極102に対向して配置されるとともに、少なくとも1つが前記遮光膜122の上を覆う赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ123R,123G,123Bと、前記カラーフィルタ123R,123G,123Bを覆う第2の電極126と、前記第2の電極126の上に絶縁材料により形成された突起パターン125と、前記第2の電極126及び少なくとも前記第2の電極126上の前記突起パターン125を覆う第2の垂直配向膜126とを有し、前記突起パターン125の先端部分が前記第1の基板100に接触した第2の基板120と、前記第1の基板100と前記第2の基板120との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶49とを有することを特徴とする。   As illustrated in FIG. 24, the fourth liquid crystal display device related to the present invention includes a plurality of first electrodes 102 formed on one surface side, and a first vertical alignment covering the first electrodes. A first substrate 100 having a film 10; a light-shielding film 122 made of a non-translucent material disposed in a region corresponding to a region between the first electrodes 102 of the first substrate 100; Red, green, and blue color filters 123R, 123G, and 123B that are disposed to face the first electrode 102 of one substrate 100 and at least one covers the light shielding film 122, and the color filter 123R. , 123G, 123B, a projection pattern 125 formed of an insulating material on the second electrode 126, the second electrode 126, and at least the second electrode 126. A second vertical alignment film 126 that covers the protrusion pattern 125, a second substrate 120 in which a tip portion of the protrusion pattern 125 is in contact with the first substrate 100, and the first substrate 100. A liquid crystal 49 having negative dielectric anisotropy sealed between the second substrate 120 and the second substrate 120 is provided.

第4の液晶表示装置においても、黒色樹脂のような非透光性材料からなる遮光膜122によりセル厚を調整することができるので、カラーフィルタ123R,123G,123Bを厚くしなくても、最適なセル厚に調整することができる。この場合に、図25に例示するように、前記遮光膜が、金属又は金属化合物からなる膜(遮光膜)132と、その膜132の上に形成されたレジスト137とにより構成されていてもよい。   Even in the fourth liquid crystal display device, the cell thickness can be adjusted by the light-shielding film 122 made of a non-translucent material such as a black resin. The cell thickness can be adjusted. In this case, as illustrated in FIG. 25, the light shielding film may be composed of a film (light shielding film) 132 made of a metal or a metal compound and a resist 137 formed on the film 132. .

第4の液晶表示装置においては、遮光膜132のパターニングに使用したレジスト137を残し、そのレジスト137の上に形成された突起パターン135の先端部分を第1の基板100に接触させてセル厚を一定に維持する。これにより、製造工程が簡単であるという利点がある。   In the fourth liquid crystal display device, the resist 137 used for the patterning of the light shielding film 132 is left, and the tip portion of the projection pattern 135 formed on the resist 137 is brought into contact with the first substrate 100 to increase the cell thickness. Keep constant. Thereby, there exists an advantage that a manufacturing process is simple.

本発明に関連する第3の液晶表示装置の製造方法は、図17,図18,図20,図21に例示するように、第1の基板111の上の画素領域にカラーフィルタ113R,113G,113Bを形成するとともに、画素領域間の領域に前記カラーフィルタ113R,113G,113Bを2層以上に重ねて遮光膜112を形成する工程と、少なくとも前記カラーフィルタ113R,113G,113Bの上に対向電極114を形成する工程と、前記遮光膜112の上方の所定領域に絶縁材料からなるセル厚調整層117を形成する工程と、前記対向電極114及び前記セル厚調整層117の上にドメイン規制手段として絶縁材料からなる突起パターン115を形成する工程と、前記対向電極114及び少なくとも前記対向電極114上の前記突起パターン115を覆う第1の垂直配向膜116を形成する工程と、第2の基板101の上側に複数の画素電極102を形成する工程と、前記画素電極102を覆う第2の垂直配向膜106を形成する工程と、前記第1の基板111と前記第2の基板101とを前記第1の垂直配向膜116及び前記第2の垂直配向膜106が形成された面を対向させ、かつ前記突起パターン115の先端部分を前記第2の基板101の前記第2の垂直配向膜106に接触させて配置する工程とを有することを特徴とする。   The third liquid crystal display device manufacturing method related to the present invention includes color filters 113R, 113G, and pixel filters 113R, 113G, and a pixel region on the first substrate 111, as illustrated in FIGS. 113B, and forming a light shielding film 112 by overlapping two or more layers of the color filters 113R, 113G, 113B in a region between the pixel regions, and a counter electrode on at least the color filters 113R, 113G, 113B 114, a step of forming a cell thickness adjusting layer 117 made of an insulating material in a predetermined region above the light shielding film 112, and a domain regulating means on the counter electrode 114 and the cell thickness adjusting layer 117. Forming a protrusion pattern 115 made of an insulating material; and the counter electrode 114 and at least the protrusion on the counter electrode 114. A step of forming a first vertical alignment film 116 covering the pattern 115; a step of forming a plurality of pixel electrodes 102 on the second substrate 101; and a second vertical alignment film 106 covering the pixel electrodes 102. Forming the first substrate 111 and the second substrate 101 with the surfaces on which the first vertical alignment film 116 and the second vertical alignment film 106 are formed facing each other, and the protrusion pattern And a step of placing the tip portion of 115 in contact with the second vertical alignment film 106 of the second substrate 101.

第3の液晶表示装置の製造方法においては、セル厚調整層117によりセル厚を調整することができるので、カラーフィルタ113R,113G,113Bの厚さを過剰に厚くする必要がない。   In the third method for manufacturing a liquid crystal display device, since the cell thickness can be adjusted by the cell thickness adjusting layer 117, it is not necessary to excessively increase the thickness of the color filters 113R, 113G, and 113B.

本発明に関連する第4の液晶表示装置の製造方法は、図25〜図27に例示するように、第1の基板に金属膜及び感光性レジスト膜を形成し、フォトリソグライフィ法により前記感光性レジスト及び前記金属膜をパターニングして画素間の領域に前記金属膜及び前記レジスト膜を残し、前記金属膜からなる遮光膜132と該遮光膜132を覆うレジスト膜137とを形成する工程と、画素領域に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ133R,133G,133Bを形成するとともに、前記レジスト膜132の上に1色以上のカラーフィルタ133R,133G,133Bを形成する工程と、前記カラーフィルタ133R,133G,133Bの上に対向電極133を形成する工程と、前記対向電極133の上にドメイン規制手段として絶縁材料からなる突起パターン135を形成する工程と、前記対向電極134及び少なくとも前記対向電極134上の前記突起パターン135を覆う第1の垂直配向膜136を形成する工程と、第2の基板101の上側に複数の画素電極102を形成する工程と、前記画素電極102を覆う第2の垂直配向膜106を形成する工程と、前記第1の基板131と前記第2の基板101とを前記第1の垂直配向膜136及び前記第2の垂直配向膜106が形成された面を対向させ、かつ前記突起パターン135の先端部分を前記第2の基板101側に接触させて配置する工程とを有することを特徴とする。   In a fourth method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, as illustrated in FIGS. 25 to 27, a metal film and a photosensitive resist film are formed on a first substrate, and the photosensitive film is formed by photolithography. Forming a light-shielding film 132 made of the metal film and a resist film 137 covering the light-shielding film 132 by patterning the resist and the metal film to leave the metal film and the resist film in a region between pixels; Forming red, green, and blue color filters 133R, 133G, and 133B in the pixel region, and forming one or more color filters 133R, 133G, and 133B on the resist film 132; and the color filters 133R, Forming a counter electrode 133 on 133G and 133B and insulating the counter electrode 133 on the counter electrode 133 as a domain regulating means; A step of forming a projection pattern 135 made of a material, a step of forming a first vertical alignment film 136 covering the counter electrode 134 and at least the projection pattern 135 on the counter electrode 134, and an upper side of the second substrate 101. Forming a plurality of pixel electrodes 102, forming a second vertical alignment film 106 covering the pixel electrodes 102, the first substrate 131, and the second substrate 101. And a step of disposing the surface on which the vertical alignment film 136 and the second vertical alignment film 106 are formed facing each other and placing the tip portion of the protrusion pattern 135 in contact with the second substrate 101 side. Features.

第4の液晶表示装置の製造方法においては、遮光膜132のパターニングに使用したレジスト膜137によりセル厚を調整することが可能であり、比較的容易に製造することができる。   In the fourth method for manufacturing a liquid crystal display device, the cell thickness can be adjusted by the resist film 137 used for patterning the light-shielding film 132, and can be manufactured relatively easily.

本発明に関連する第5の液晶表示装置は、図28,図29に例示するように、一方の面側に形成された複数の第1の電極102と、該第1の電極を覆う第1の垂直配向膜106とを有する第1の基板100と、前記第1の基板100の前記第1の電極102に対向して配置された赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ143R,143G,143Bと、赤色画素の周囲では青色カラーフィルタ143Bと該青色カラーフィルタ143Bの上の赤色カラーフィルタ143Rとにより構成され、緑色画素の周囲では青色カラーフィルタ143Bと該青色カラーフィルタ143Bの上の緑色カラーフィルタ143Gとにより構成された遮光膜142と、前記カラーフィルタ143R,143G,143B及び前記遮光膜142を覆う第2の電極144と、前記第2の電極144を覆う第2の垂直配向膜146とを有する第2の基板140と、前記第1の基板100と前記第2の基板140との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶49とを有することを特徴とする。   As illustrated in FIGS. 28 and 29, the fifth liquid crystal display device related to the present invention includes a plurality of first electrodes 102 formed on one surface side and a first electrode covering the first electrodes. A first substrate 100 having a vertical alignment film 106, and red, green, and blue color filters 143R, 143G, and 143B disposed to face the first electrode 102 of the first substrate 100; A blue color filter 143B and a red color filter 143R above the blue color filter 143B are formed around the red pixel, and a blue color filter 143B and a green color filter 143G above the blue color filter 143B are formed around the green pixel. And the second electrode 14 covering the color filters 143R, 143G, and 143B and the light shielding film 142. And a second substrate 140 having a second vertical alignment film 146 covering the second electrode 144, and a negative dielectric sealed between the first substrate 100 and the second substrate 140. And a liquid crystal 49 having a rate anisotropy.

第5の液晶表示装置では、赤色画素の周囲では青色カラーフィルタ143Bと赤色カラーフィルタ143Rとの2層のカラーフィルタにより遮光膜142を構成し、緑色画素の周囲では青色カラーフィルタ143Bと緑色カラーフィルタ143Gとにより遮光膜142を構成している。これにより、赤色画素側の段差の傾斜角度及び緑色側の段差の傾斜角度が小さくなり、液晶分子の配向異常に起因する光漏れを軽減することができる。   In the fifth liquid crystal display device, the light shielding film 142 is configured by two color filters of the blue color filter 143B and the red color filter 143R around the red pixel, and the blue color filter 143B and the green color filter around the green pixel. The light shielding film 142 is configured by 143G. As a result, the inclination angle of the step on the red pixel side and the inclination angle of the step on the green side are reduced, and light leakage due to an abnormal alignment of liquid crystal molecules can be reduced.

本発明に関連する第5の液晶表示装置の製造方法は、図29〜図32に例示するように、第1の基板141の上の青色画素領域及び遮光領域に青色カラーフィルタ143Bを形成する工程と、前記第1の基板141の上の赤色画素領域、該赤色画素領域の周囲の遮光領域及び前記青色画素領域の周囲の遮光領域の一部の前記青色カラーフィルタ143Bの上に赤色カラーフィルタ143Rを形成する工程と、前記第1の基板141上の緑色画素領域、該緑色画素領域の周囲の遮光領域及び前記青色画素領域の周囲の遮光領域の残部の前記青色カラーフィルタ143Bの上に緑色カラーフィルタ143Gを形成する工程と、前記赤色カラーフィルタ143R、前記青色カラーフィルタ143B及び前記緑色カラーフィルタ143Gの上に対向電極144を形成する工程と、前記対向電極144の上にドメイン規制手段として絶縁材料からなる突起パターン145を形成する工程と、前記対向電極144及び前記突起パターン145を覆う第1の垂直配向膜146を形成する工程と、第2の基板101の上に複数の画素電極102を形成する工程と、前記画素電極102を覆う第2の垂直配向膜106を形成する工程と、前記第1の基板141と前記第2の基板101とを前記第1の垂直配向膜146及び前記第2の垂直配向膜106が形成された面を対向させ、かつ前記突起パターン145の先端部分を前記第2の基板100側に接触させて配置することを特徴とする。   In the fifth method for manufacturing a liquid crystal display device related to the present invention, as illustrated in FIGS. 29 to 32, a step of forming a blue color filter 143B in the blue pixel region and the light shielding region on the first substrate 141 is performed. And a red color filter 143R on a red pixel region on the first substrate 141, a light shielding region around the red pixel region, and a part of the blue color filter 143B in the light shielding region around the blue pixel region. Forming a green color on the blue color filter 143B in the green pixel region on the first substrate 141, the light shielding region around the green pixel region, and the remaining light shielding region around the blue pixel region. A step of forming a filter 143G, and a counter electrode on the red color filter 143R, the blue color filter 143B, and the green color filter 143G; Forming a projection pattern 145 made of an insulating material as a domain regulating means on the counter electrode 144; and a first vertical alignment film 146 covering the counter electrode 144 and the projection pattern 145. Forming a plurality of pixel electrodes 102 on the second substrate 101, forming a second vertical alignment film 106 covering the pixel electrodes 102, and the first substrate 141. The surface on which the first vertical alignment film 146 and the second vertical alignment film 106 are formed is opposed to the second substrate 101, and the tip portion of the protrusion pattern 145 is on the second substrate 100 side. It arrange | positions in contact with, It is characterized by the above-mentioned.

第5の液晶表示装置の製造方法では、カラーフィルタを2層に重ねて遮光膜を形成し、その上に形成した突起パターン145の先端部分でセル厚を一定に維持するので、比較的容易に製造することができる。   In the fifth method for manufacturing a liquid crystal display device, the color filter is formed in two layers to form a light shielding film, and the cell thickness is maintained constant at the tip portion of the projection pattern 145 formed thereon, so that it is relatively easy. Can be manufactured.

本願発明の液晶表示装置によれば、表示領域の外側部分に青色光を遮断する冗長遮光膜を設けているので、遮光膜を赤色カラーフィルタと青色カラーフィルタとを重ねて構成した場合に表示領域の外側部分に発生する青色光の光漏れを確実に防止することができる。   According to the liquid crystal display device of the present invention, the redundant light-shielding film for blocking the blue light is provided on the outer portion of the display area. Therefore, when the light-shielding film is configured by overlapping the red color filter and the blue color filter, the display area is displayed. It is possible to reliably prevent the light leakage of blue light generated in the outer portion of the.

以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

(第1の実施の形態)
図1は本発明の第1の実施の形態の液晶表示装置の断面図、図2は同じくその液晶表示装置のTFT基板30の平面図、図3は同じくその液晶表示装置のCF基板40の平面図である。なお、図3には、TFT基板30側に形成された突起パターン35を一点鎖線で示す。
(First embodiment)
1 is a sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a TFT substrate 30 of the liquid crystal display device, and FIG. 3 is a plan view of a CF substrate 40 of the liquid crystal display device. FIG. In FIG. 3, the projection pattern 35 formed on the TFT substrate 30 side is indicated by a one-dot chain line.

本実施の形態の液晶表示装置は、TFT基板30とCF基板40との間に負の誘電率異方性を有する液晶49を封入した構造を有している。また、TFT基板30の上側及びCF基板40の下側にはそれぞれ偏光板(図示せず)が配置されている。これらの偏光板は、偏光軸が相互に直交するように配置されている。TFT基板30は、ガラス基板31と、このガラス基板31の下面側に形成された画素電極32、絶縁膜34a〜34c及び配向膜36等により構成される。すなわち、図2に示すように、ガラス基板31の下面側には複数本のゲートバスライン33bが相互に並行に形成されている。また、各ゲートバスライン33bの間には、それぞれ補助容量電極33cが形成されている。これらのゲートバスライン33b及び補助容量電極33cは、ガラス基板31の下面側に形成された絶縁膜(ゲート絶縁膜)34aに被覆されている(図1参照)。この絶縁膜34aの下には、TFT37の活性層となるシリコン膜37bが選択的に形成されている。このシリコン膜37bは、アモルファスシリコン又はポリシリコンからなる。ゲートバスライン33bとドレインバスライン33aとにより区画された矩形の領域がそれぞれ画素となる領域である。   The liquid crystal display device of the present embodiment has a structure in which a liquid crystal 49 having a negative dielectric anisotropy is sealed between the TFT substrate 30 and the CF substrate 40. Further, polarizing plates (not shown) are disposed on the upper side of the TFT substrate 30 and the lower side of the CF substrate 40, respectively. These polarizing plates are arranged so that their polarization axes are orthogonal to each other. The TFT substrate 30 includes a glass substrate 31, pixel electrodes 32 formed on the lower surface side of the glass substrate 31, insulating films 34a to 34c, an alignment film 36, and the like. That is, as shown in FIG. 2, a plurality of gate bus lines 33 b are formed in parallel to each other on the lower surface side of the glass substrate 31. Further, an auxiliary capacitance electrode 33c is formed between each gate bus line 33b. The gate bus line 33b and the auxiliary capacitance electrode 33c are covered with an insulating film (gate insulating film) 34a formed on the lower surface side of the glass substrate 31 (see FIG. 1). Under this insulating film 34a, a silicon film 37b to be an active layer of the TFT 37 is selectively formed. The silicon film 37b is made of amorphous silicon or polysilicon. Each rectangular area defined by the gate bus line 33b and the drain bus line 33a is a pixel area.

絶縁膜34a及びシリコン膜37aの下には絶縁膜34bが形成されている。この絶縁膜34bの下には、複数本のドレインバスライン33aと、TFT37のドレイン電極37a及びソース電極37cとが形成されている。ドレインバスライン33aはゲートバスライン33aに直交するように形成されている。また、ドレイン電極37aはドレインバスライン33aに電気的に接続されている。これらのドレインバスライン33a、ドレイン電極37a及びソース電極37cは、絶縁膜34bの下に形成された絶縁膜(最終保護膜)34cに覆われている。そして、この絶縁膜34cの下側には、ITOからなる画素電極32が、1つの画素毎に1つずつ形成されている。この画素電極32は、絶縁膜34cに形成されたコンタクトホールを介してソース電極37cと電気的に接続されている。   An insulating film 34b is formed under the insulating film 34a and the silicon film 37a. A plurality of drain bus lines 33a and a drain electrode 37a and a source electrode 37c of the TFT 37 are formed under the insulating film 34b. The drain bus line 33a is formed to be orthogonal to the gate bus line 33a. The drain electrode 37a is electrically connected to the drain bus line 33a. The drain bus line 33a, the drain electrode 37a, and the source electrode 37c are covered with an insulating film (final protective film) 34c formed under the insulating film 34b. A pixel electrode 32 made of ITO is formed on the lower side of the insulating film 34c for each pixel. The pixel electrode 32 is electrically connected to the source electrode 37c through a contact hole formed in the insulating film 34c.

画素電極32の下側には、図2に一点鎖線で示すように突起パターン35がジグザグ形状に形成されている。この突起パターン35は、絶縁性の樹脂により、約1.5μmの高さに形成されている。また、ガラス基板31の下側の全面には垂直配向膜36が形成されており、この垂直配向膜36により画素電極32及び突起パターン35の表面が覆われている。なお、図2中においてデータバスライン33aとゲートバスライン33bとが交差する部分に破線で示した台形の部分は、後述するCF基板40の突起パターン45が接触する位置を示している。   On the lower side of the pixel electrode 32, a projection pattern 35 is formed in a zigzag shape as shown by a one-dot chain line in FIG. The protrusion pattern 35 is formed with an insulating resin to a height of about 1.5 μm. A vertical alignment film 36 is formed on the entire lower surface of the glass substrate 31, and the surface of the pixel electrode 32 and the protrusion pattern 35 is covered with the vertical alignment film 36. In FIG. 2, a trapezoidal portion indicated by a broken line at a portion where the data bus line 33a and the gate bus line 33b intersect with each other indicates a position where a projection pattern 45 of the CF substrate 40 described later contacts.

一方、CF基板40は、ガラス基板41と、ガラス基板41の上面側に形成されたブラックマトリクス42、カラーフィルタ43、対向電極44及び垂直配向膜46等により構成される。すなわち、図3に示すように、ガラス基板41の上面上には、クロム(Cr)の薄膜からなるブラックマトリクス42が形成されている。このブラックマトリクス42は、TFT基板30のドレインバスライン33a、ゲートバスライン33b、補助容量電極33c及びTFT37を覆う形状に形成されている。   On the other hand, the CF substrate 40 includes a glass substrate 41, a black matrix 42 formed on the upper surface side of the glass substrate 41, a color filter 43, a counter electrode 44, a vertical alignment film 46, and the like. That is, as shown in FIG. 3, a black matrix 42 made of a chromium (Cr) thin film is formed on the upper surface of the glass substrate 41. The black matrix 42 is formed in a shape that covers the drain bus line 33 a, the gate bus line 33 b, the auxiliary capacitance electrode 33 c, and the TFT 37 of the TFT substrate 30.

また、ガラス基板41上には、赤(R)、緑(G)及び青(B)のカラーフィルタ43が形成されている。これらのカラーフィルタ43はTFT基板30の画素電極32に対向する位置に配置され、1つの画素電極32に赤、緑又は青のいずれか1つのカラーフィルタ43が対応している。また、カラーフィルタ43の縁部はブラックマトリクス42の縁部に重なっている。   On the glass substrate 41, red (R), green (G) and blue (B) color filters 43 are formed. These color filters 43 are arranged at positions facing the pixel electrodes 32 of the TFT substrate 30, and one of the color filters 43 corresponding to red, green, or blue corresponds to one pixel electrode 32. Further, the edge of the color filter 43 overlaps with the edge of the black matrix 42.

ブラックマトリクス42及びカラーフィルタ43の上には、ITOからなる対向電極44が形成されている。また、この対向電極44の上には突起パターン45が図3に太線で示すようにジグザグ形状に形成されている。この突起パターン45の高さは約4.0μmであり、絶縁性樹脂により形成されている。また、対向電極44の上には垂直配向膜46が形成されており、突起パターン45の表面はこの垂直配向膜46に覆われている。なお、CF基板40側の突起パターン45は、図3に示すように、TFT基板30側の突起パターン35の間に配置されている。   On the black matrix 42 and the color filter 43, a counter electrode 44 made of ITO is formed. On the counter electrode 44, a protrusion pattern 45 is formed in a zigzag shape as shown by a thick line in FIG. The protrusion pattern 45 has a height of about 4.0 μm and is formed of an insulating resin. A vertical alignment film 46 is formed on the counter electrode 44, and the surface of the protrusion pattern 45 is covered with the vertical alignment film 46. The protrusion pattern 45 on the CF substrate 40 side is disposed between the protrusion patterns 35 on the TFT substrate 30 side as shown in FIG.

本実施の形態においては、TFT基板30側の突起パターン35は約1.5μmの高さに形成されており、CF基板40側の突起パターン45は約4.0μmの高さに形成されている。そして、図1に示すようにCF基板40側の突起パターン45の先端部分がTFT基板30に接触し、セル厚を一定に維持している。このため、本実施の形態では、従来必要とされていたスペーサ(球形又は円柱形の部材)が不要であり、TFT基板30側の画素電極32とCF基板40側の対向電極44との短絡を確実に回避することができる。また、従来の液晶表示装置のように球形又は円柱形のスペーサを使用した場合は、スペーサの近傍では液晶分子がスペーサの表面に沿って配向してしまうため、配向が乱れて表示不良の原因となることがある。しかし、本実施の形態では、球形又は円柱形のスペーサを使用しないので、良好な表示品質が得られる。   In the present embodiment, the projection pattern 35 on the TFT substrate 30 side is formed with a height of about 1.5 μm, and the projection pattern 45 on the CF substrate 40 side is formed with a height of about 4.0 μm. . As shown in FIG. 1, the tip portion of the protrusion pattern 45 on the CF substrate 40 side is in contact with the TFT substrate 30 to keep the cell thickness constant. For this reason, in the present embodiment, a conventionally required spacer (spherical or cylindrical member) is unnecessary, and a short circuit between the pixel electrode 32 on the TFT substrate 30 side and the counter electrode 44 on the CF substrate 40 side is prevented. It can be avoided reliably. In addition, when a spherical or cylindrical spacer is used as in a conventional liquid crystal display device, liquid crystal molecules are aligned along the surface of the spacer in the vicinity of the spacer. May be. However, in this embodiment, since a spherical or cylindrical spacer is not used, good display quality can be obtained.

更に、本実施の形態においては、TFT基板30側の突起パターン35とCF基板40側の突起パターン45とにより配向分割が達成される。図4(a)は突起パターンにより配向分割が達成される原理を説明する模式図である。図4(a)に示す液晶表示装置では、一方の基板1aの上側に電極2aが形成されており、この電極2aの上に絶縁性材料からなる突起パターン3aが形成されている。これらの電極2a及び突起パターン3aの表面は垂直配向膜4aで覆われている。また、他方の基板1bの下側に電極2bが形成されており、この電極2bの下に絶縁性材料からなる突起パターン3bが形成されている。これらの電極2b及び突起パターン3bの表面は垂直配向膜4bで覆われている。   Further, in the present embodiment, alignment division is achieved by the projection pattern 35 on the TFT substrate 30 side and the projection pattern 45 on the CF substrate 40 side. FIG. 4A is a schematic diagram for explaining the principle that alignment division is achieved by the protrusion pattern. In the liquid crystal display device shown in FIG. 4A, an electrode 2a is formed on one substrate 1a, and a projection pattern 3a made of an insulating material is formed on the electrode 2a. The surfaces of these electrodes 2a and protrusion patterns 3a are covered with a vertical alignment film 4a. An electrode 2b is formed on the lower side of the other substrate 1b, and a projection pattern 3b made of an insulating material is formed below the electrode 2b. The surfaces of these electrodes 2b and protrusion patterns 3b are covered with a vertical alignment film 4b.

一般的に、垂直配向型液晶表示装置では、画素電極と対向電極との間に電圧を印加したときに液晶分子が傾く方向を一定にするために、配向膜の表面にラビング処理が施されている。しかし、図4(a)に示すように、電極2aと配向膜4aとの間に突起パターン3aを設け、電極2bと配向膜4bとの間に突起パターン3bを設けた場合、突起パターン3a,3bの近傍の液晶分子5は突起パターン3a,3bの表面に対し垂直方向に配向する。この状態で電極2a,2b間に電圧を印加すると、突起パターン3a,3bの近傍の液晶分子5の影響により、電極2a,2b間の液晶分子5の傾く方向が決まる。すなわち、突起パターン3a,3bの両側で液晶分子5の傾く方向が逆になる。これにより、配向膜4a,4bにラビング処理を施さなくとも、配向分割が達成される。   In general, in a vertical alignment type liquid crystal display device, a rubbing process is performed on the surface of an alignment film in order to make the direction in which liquid crystal molecules tilt when a voltage is applied between a pixel electrode and a counter electrode. Yes. However, as shown in FIG. 4A, when the protrusion pattern 3a is provided between the electrode 2a and the alignment film 4a and the protrusion pattern 3b is provided between the electrode 2b and the alignment film 4b, the protrusion pattern 3a, The liquid crystal molecules 5 in the vicinity of 3b are aligned in a direction perpendicular to the surfaces of the protrusion patterns 3a and 3b. When a voltage is applied between the electrodes 2a and 2b in this state, the tilting direction of the liquid crystal molecules 5 between the electrodes 2a and 2b is determined by the influence of the liquid crystal molecules 5 in the vicinity of the protrusion patterns 3a and 3b. That is, the direction in which the liquid crystal molecules 5 are inclined is reversed on both sides of the protrusion patterns 3a and 3b. As a result, alignment division can be achieved without rubbing the alignment films 4a and 4b.

また、一方の基板1b側に突起パターン3bを設ける替わりに、図4(b)に示すように、電極2bにスリット6を設けてもよい。この場合も、電極2a,2b間に電圧を印加したときに液晶分子の傾く方向が突起パターン3a及びスリット6の両側で逆方向になり、配向分割が達成される。本実施の形態では、図1に示すように、対向電極44の上及び画素電極32の下にそれぞれジグザグ形状の突起パターン45,35が形成されているので、1つの画素領域内で液晶分子の配向方向が2以上に分割される。これにより、良好な視角特性(コントラスト特性を含む)が得られる。また、本実施の形態においては、CF基板40側に設けられた突起パターン45によりセル厚を一定に維持する。この突起パターン45は対向電極44上に固定されており、振動や衝撃によりセル厚が変化することがない。従って、表示品質の劣化が回避される。   Further, instead of providing the projection pattern 3b on the one substrate 1b side, as shown in FIG. 4B, a slit 6 may be provided in the electrode 2b. Also in this case, when a voltage is applied between the electrodes 2a and 2b, the direction in which the liquid crystal molecules are inclined is reversed on both sides of the protrusion pattern 3a and the slit 6 to achieve alignment division. In this embodiment, as shown in FIG. 1, zigzag-shaped protrusion patterns 45 and 35 are formed on the counter electrode 44 and the pixel electrode 32, respectively. The orientation direction is divided into two or more. Thereby, good viewing angle characteristics (including contrast characteristics) can be obtained. In the present embodiment, the cell thickness is kept constant by the protrusion pattern 45 provided on the CF substrate 40 side. The protrusion pattern 45 is fixed on the counter electrode 44, and the cell thickness is not changed by vibration or impact. Therefore, deterioration of display quality is avoided.

以下、第1の実施の形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。TFT基板30は以下のように形成する。まず、公知の方法により、ガラス基板31の上(図1では下面側)にドレインバスライン33a、ゲートバスライン33b、補助容量電極33c、TFT37、画素電極32及び絶縁膜34a〜34cを形成する。ドレインバスライン33a、ゲートバスライン33b、補助容量電極33cの厚さは例えば0.15μm、ゲート絶縁膜34aの厚さは例えば約0.35μm、シリコン膜37bの厚さは例えば0.03μm、画素電極32の厚さは例えば、0.07μm、絶縁膜34cの厚さは例えば0.33μmとする。   A method for manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment will be described below. The TFT substrate 30 is formed as follows. First, the drain bus line 33a, the gate bus line 33b, the auxiliary capacitance electrode 33c, the TFT 37, the pixel electrode 32, and the insulating films 34a to 34c are formed on the glass substrate 31 (on the lower surface side in FIG. 1) by a known method. The drain bus line 33a, the gate bus line 33b, and the auxiliary capacitance electrode 33c have a thickness of, for example, 0.15 μm, the gate insulating film 34a has a thickness of, for example, about 0.35 μm, and the silicon film 37b has a thickness of, for example, 0.03 μm. The thickness of the electrode 32 is, for example, 0.07 μm, and the thickness of the insulating film 34 c is, for example, 0.33 μm.

次に、ガラス基板31の上側全面にフォトレジストを約1.5μmの厚さに塗布した後、所定のパターンを有するマスクを用いてフォトレジストを露光する。その後、現像処理を施し、厚さが約1.5μm、幅が約10μmでジグザグ形状の突起パターン35を形成する。この場合、図2に示すように、突起パターン35により1つの画素領域が少なくとも2つの領域に分割されるようにする。   Next, after applying a photoresist to a thickness of about 1.5 μm on the entire upper surface of the glass substrate 31, the photoresist is exposed using a mask having a predetermined pattern. Thereafter, a development process is performed to form a zigzag projection pattern 35 having a thickness of about 1.5 μm and a width of about 10 μm. In this case, as shown in FIG. 2, one pixel region is divided into at least two regions by the protrusion pattern 35.

次いで、ガラス基板31の上側に、所定のパターンでポリアミック酸からなる垂直配向膜36を約0.1μmの厚さに形成する。これにより、TFT基板30が完成する。なお、垂直配向膜としては、上記したポリアミック酸の膜以外にもポリイミドの膜や、斜方蒸着等により形成した無機膜を使用することができる。CF基板40は以下のように形成する。まず、ガラス基板41の上にクロム(Cr)膜を約0.16μmの厚さに形成し、該クロム膜の上に所定のパターンを有するフォトレジストを形成し、このフォトレジストをマスクとしてクロム膜をエッチングし、ブラックマトリクス42を形成する。   Next, a vertical alignment film 36 made of polyamic acid is formed in a predetermined pattern on the upper side of the glass substrate 31 to a thickness of about 0.1 μm. Thereby, the TFT substrate 30 is completed. In addition to the polyamic acid film described above, a polyimide film or an inorganic film formed by oblique deposition or the like can be used as the vertical alignment film. The CF substrate 40 is formed as follows. First, a chromium (Cr) film is formed to a thickness of about 0.16 μm on the glass substrate 41, a photoresist having a predetermined pattern is formed on the chromium film, and the chromium film is formed using the photoresist as a mask. Are etched to form a black matrix 42.

次に、ガラス基板41の上に、青色樹脂、赤色樹脂及び緑色樹脂をそれぞれ塗布して、赤(R)・緑(G)・青(B)のカラーフィルタ43を形成する。カラーフィルタ43の厚さは、例えば約1.5μmとする。また、各カラーフィルタ43の縁部がブラックマトリクス42の縁部と若干重なるようにする。次に、基板41の上側全面に例えばITOをスパッタリングして、厚さが約0.15μmの対向電極44を形成する。その後、対向電極44の上にフォトレジストを約4.0μmの厚さに塗布し、該フォトレジストを露光及び現像処理して、厚さが約4.0μm、幅が約10μmの突起パターン45を、図3に示すようにジグザグ形状に形成する。   Next, a blue resin, a red resin, and a green resin are respectively applied on the glass substrate 41 to form the color filters 43 of red (R), green (G), and blue (B). The thickness of the color filter 43 is about 1.5 μm, for example. The edge of each color filter 43 is slightly overlapped with the edge of the black matrix 42. Next, for example, ITO is sputtered on the entire upper surface of the substrate 41 to form a counter electrode 44 having a thickness of about 0.15 μm. Thereafter, a photoresist is applied on the counter electrode 44 to a thickness of about 4.0 μm, and the photoresist is exposed and developed to form a protrusion pattern 45 having a thickness of about 4.0 μm and a width of about 10 μm. 3 are formed in a zigzag shape as shown in FIG.

次いで、ガラス基板41の上側に、ポリアミック酸からなる垂直配向膜46を約0.1μmの厚さに形成する。これにより、CF基板40が完成する。このようにしてTFT基板30及びCF基板40を形成した後、配向膜36,46が形成された面を向かい合わせて配置し、TFT基板30の縁部とCF基板40の縁部とを、液晶注入口となる部分を残して接合する。その後、必要に応じて接合した基板30,40を所定のサイズに切断する。   Next, a vertical alignment film 46 made of polyamic acid is formed on the upper side of the glass substrate 41 to a thickness of about 0.1 μm. Thereby, the CF substrate 40 is completed. After the TFT substrate 30 and the CF substrate 40 are formed in this way, the surfaces on which the alignment films 36 and 46 are formed are arranged to face each other, and the edge of the TFT substrate 30 and the edge of the CF substrate 40 are connected to the liquid crystal. Join with leaving part of the inlet. Thereafter, the bonded substrates 30 and 40 are cut into a predetermined size as necessary.

次いで、TFT基板30とCF基板40との間に負の誘電率異方性を有する液晶49を注入し、液晶注入口の部分を密封する。その後、TFT基板30及びCF基板40の外側にそれぞれ偏光板を貼り付ける。これにより、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。本実施の形態においては、CF基板40に設けた突起パターン45によりセル厚を一定に維持するので、従来必要とされていた球形又は円柱形のスペーサを散布する工程が不要である。また、スペーサの移動に起因するセル厚の変化が防止されるので、表示むらの発生が回避される。更に、突起パターン35,45により配向分割を実現するので、配向膜36,46にラビング処理を施す必要がなく、ラビング工程及びラビング後の洗浄工程を省略することができる。また、突起パターン45は対向電極44上に固定されているので、振動や衝撃による位置ずれがなく、セル厚の変化が防止される。これにより、液晶表示装置の信頼性が向上する。更に、本実施の形態においては、突起パターン35,45の傾斜面に直交するように液晶分子が配向するので、突起パターン35,45の両側で液晶分子の配向方向が異なり、配向分割が実現される。これにより、良好な視角特性が得られる。   Next, a liquid crystal 49 having a negative dielectric anisotropy is injected between the TFT substrate 30 and the CF substrate 40 to seal the liquid crystal injection port. Thereafter, a polarizing plate is attached to the outside of the TFT substrate 30 and the CF substrate 40, respectively. Thereby, the liquid crystal display device of the present embodiment is completed. In the present embodiment, since the cell thickness is kept constant by the protrusion pattern 45 provided on the CF substrate 40, the step of spraying spherical or cylindrical spacers that has been conventionally required is unnecessary. In addition, since the change in the cell thickness due to the movement of the spacer is prevented, the occurrence of display unevenness is avoided. Further, since the alignment division is realized by the protrusion patterns 35 and 45, it is not necessary to perform the rubbing process on the alignment films 36 and 46, and the rubbing process and the cleaning process after the rubbing process can be omitted. Further, since the protrusion pattern 45 is fixed on the counter electrode 44, there is no displacement due to vibration or impact, and a change in cell thickness is prevented. Thereby, the reliability of the liquid crystal display device is improved. Further, in the present embodiment, since the liquid crystal molecules are aligned so as to be orthogonal to the inclined surfaces of the protrusion patterns 35 and 45, the alignment directions of the liquid crystal molecules are different on both sides of the protrusion patterns 35 and 45, and alignment division is realized. The Thereby, a favorable viewing angle characteristic is obtained.

なお、本実施の形態ではTFT基板側に突起パターン35が設けられている場合について説明したが、突起パターン35を設ける替わりに、画素電極32にスリットを設けてもよい(図4(b)参照)。この場合も、配向分割が実現され、上記の実施の形態と同様の効果が得られる。図5は、TFT基板側の画素電極32にスリットを形成した例を示す図である。この例では、画素電極32に、CF基板40側の突起パターン45に対し平行となるスリット32aを設けている。このような構成とすると、電圧を印加したときにスリットの近傍では電界の向きが基板に対し傾き、液晶分子は突起パターンに向かう方向に傾斜する。これにより、上記の実施の形態と同様に、配向分割が達成される。   In the present embodiment, the case where the protrusion pattern 35 is provided on the TFT substrate side has been described. Instead of providing the protrusion pattern 35, a slit may be provided in the pixel electrode 32 (see FIG. 4B). ). Also in this case, orientation division is realized, and the same effect as the above embodiment can be obtained. FIG. 5 is a diagram showing an example in which a slit is formed in the pixel electrode 32 on the TFT substrate side. In this example, the pixel electrode 32 is provided with a slit 32a that is parallel to the protrusion pattern 45 on the CF substrate 40 side. With such a configuration, when a voltage is applied, the direction of the electric field is inclined with respect to the substrate in the vicinity of the slit, and the liquid crystal molecules are inclined in a direction toward the protrusion pattern. Thereby, as in the above-described embodiment, alignment division is achieved.

本発明において、配向分割を実現するための突起パターンの幅が広すぎる場合及び突起パターンの高さが高すぎる場合は、開口率が減少して透過率の低下を招く。逆に突起パターンの幅が狭すぎる場合及び突起パターンの高さが低すぎる場合は、配向分割の効果が得られなくなったり、突起パターン形成時にパターン切れが発生しやすくなる。従って、配向分割を実現するための突起パターンの幅及び高さはセル厚に応じて適宜設定することが好ましい。   In the present invention, when the width of the protrusion pattern for realizing the alignment division is too wide and when the height of the protrusion pattern is too high, the aperture ratio decreases and the transmittance decreases. Conversely, when the width of the protrusion pattern is too narrow and the height of the protrusion pattern is too low, the effect of orientation division cannot be obtained, or pattern breakage is likely to occur when forming the protrusion pattern. Accordingly, it is preferable to appropriately set the width and height of the protrusion pattern for realizing the alignment division according to the cell thickness.

以下、配向分割を達成するための突起パターン(第1の実施の形態では、突起パターン35)の高さと幅について説明する。図6は、横軸に突起パターンの高さとセル厚との割合(突起パターン高さ/セル厚)をとり、横軸に白表示時の光の透過率をとって、両者の関係を示す図である。この図6からわかるように、突起パターンの高さとセル厚との割合を0.2以上とすると、透過率が約3%以上となり、明るくコントラストが高い画像を表示することができる。このため、配向分割を実現するための突起パターンの高さは、セル厚の0.2倍以上とすることが好ましい。突起パターンの高さのより好ましい範囲は、セル厚の0.2〜0.8倍、更に好ましい範囲は0.3〜0.5倍である。   Hereinafter, the height and width of the protrusion pattern (in the first embodiment, the protrusion pattern 35) for achieving the alignment division will be described. FIG. 6 is a graph showing the relationship between the ratio of the height of the projection pattern and the cell thickness (projection pattern height / cell thickness) on the horizontal axis and the light transmittance during white display on the horizontal axis. It is. As can be seen from FIG. 6, when the ratio between the height of the projection pattern and the cell thickness is 0.2 or more, the transmittance is about 3% or more, and a bright and high-contrast image can be displayed. For this reason, it is preferable that the height of the protrusion pattern for realizing the alignment division is 0.2 times or more the cell thickness. A more preferable range of the height of the protrusion pattern is 0.2 to 0.8 times the cell thickness, and a further preferable range is 0.3 to 0.5 times.

図7は、横軸に突起パターンのパターン幅をとり、縦軸に白表示時の光の透過率をとって両者の関係を示す図である。この図からわかるように、突起パターンのパターン幅を5μm〜15μmとすることにより、透過率が約3%以上となり、明るくコントラストが高い画像を表示することができる。このため、突起パターンのパターン幅は5〜15μmとすることが好ましい。   FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the pattern width of the projection pattern on the horizontal axis and the light transmittance during white display on the vertical axis. As can be seen from this figure, by setting the pattern width of the protrusion pattern to 5 μm to 15 μm, the transmittance is about 3% or more, and a bright and high-contrast image can be displayed. For this reason, it is preferable that the pattern width of a protrusion pattern shall be 5-15 micrometers.

(第2の実施の形態)
図8は本発明の第2の実施の形態の液晶表示装置の断面図、図9は同じくその液晶表示装置のCF基板の平面図である。本実施の形態が第1の実施の形態と異なる点はCF基板の構造が異なることにあるので、図8において図1と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 8 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a plan view of a CF substrate of the liquid crystal display device. Since this embodiment is different from the first embodiment in that the structure of the CF substrate is different, in FIG. 8, the same components as those in FIG.

CF基板50側のガラス基板51の上には、TFT基板30のゲートバスライン33b、ドレインバスライン33a、TFT及び補助容量電極に整合する位置にブラックマトリクス52が形成されている。このブラックマトリクス52は、黒色樹脂により約4μmの厚さに形成されている。また、ブラックマトリクス52の開口部には、赤(R)・緑(G)・青(B)のカラーフィルタ53が形成されている。これらのカラーフィルタ53の厚さはいずれも約1.5μmである。そして、ブラックマトリクス52及びカラーフィルタ53の上にはITOからなる対向電極54が形成されており、その対向電極54の上には、高さが約1.5μmの突起パターン55が、図9に示すようにジグザグ形状に形成されている。そして、対向電極54の上には垂直配向膜56が形成されており、突起パターン55の表面も配向膜56に覆われている。CF基板50側の突起パターン55は、データバスライン33aとゲートバスライン33bとが交差する部分(図2の破線で示す台形の部分)でTFT基板30に接触する。   On the glass substrate 51 on the CF substrate 50 side, a black matrix 52 is formed at a position aligned with the gate bus line 33b, the drain bus line 33a, the TFT, and the auxiliary capacitance electrode of the TFT substrate 30. The black matrix 52 is formed with a thickness of about 4 μm using a black resin. Further, red (R), green (G), and blue (B) color filters 53 are formed in the openings of the black matrix 52. Each of these color filters 53 has a thickness of about 1.5 μm. A counter electrode 54 made of ITO is formed on the black matrix 52 and the color filter 53, and a protrusion pattern 55 having a height of about 1.5 μm is formed on the counter electrode 54 in FIG. As shown, it is formed in a zigzag shape. A vertical alignment film 56 is formed on the counter electrode 54, and the surface of the protrusion pattern 55 is also covered with the alignment film 56. The protrusion pattern 55 on the CF substrate 50 side contacts the TFT substrate 30 at a portion where the data bus line 33a and the gate bus line 33b intersect (a trapezoidal portion indicated by a broken line in FIG. 2).

以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。但し、TFT基板の製造方法は第1の実施の形態と同様であるので、ここでは省略する。まず、ガラス基板51の上に、厚さが約4.0μmのブラックマトリクス52を黒色樹脂により形成する。ブラックマトリクス52の材料は特に限定するものではないが、例えばカーボンブラックを混入したアクリル樹脂を使用することができる。この場合、カーボンブラックを混入したアクリル樹脂を基板51上に塗布することによりブラックマトリクス52を形成する。   Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal display device of the present embodiment will be described. However, since the manufacturing method of the TFT substrate is the same as that of the first embodiment, it is omitted here. First, a black matrix 52 having a thickness of about 4.0 μm is formed on a glass substrate 51 with a black resin. The material of the black matrix 52 is not particularly limited. For example, an acrylic resin mixed with carbon black can be used. In this case, the black matrix 52 is formed by applying an acrylic resin mixed with carbon black on the substrate 51.

次に、ガラス板51の上のブラックマトリクス52の開口部分に、赤色樹脂、緑色樹脂及び青色樹脂を約1.5μmの厚さに順次塗布して、各画素領域に、赤(R)、緑(G)又は青(B)のカラーフィルタ53を形成する。これにより、ブラックマトリクス54とカラーフィルタ53との間には約2.5μmの段差が形成される。   Next, a red resin, a green resin, and a blue resin are sequentially applied to the opening of the black matrix 52 on the glass plate 51 to a thickness of about 1.5 μm, and red (R), green is applied to each pixel region. A color filter 53 of (G) or blue (B) is formed. As a result, a step of about 2.5 μm is formed between the black matrix 54 and the color filter 53.

次いで、ガラス基板51の上側全面に、ITOをスパッタリングして、厚さが約0.15μmの対向電極54を形成する。その後、対向電極54の上に高さが約1.5μm、幅が約10μmの突起パターン55をジグザグ形状に形成する。この突起パターン55は、第1の実施の形態と同様に、フォトレジストを使用して形成する。この場合、露光マスクの突起パターンの幅が均一であるとすると、図10に示すように、露光及び現像処理後にブラックマトリクス52上の突起パターン55の幅が他の部分よりも狭くなり、スペーサとして必要な強度を確保できなくなるおそれがある。このため、ブラックマトリクス52の上の突起パターン55の幅は、図9に示すように他の部分よりも広くすることが好ましい。   Next, the counter electrode 54 having a thickness of about 0.15 μm is formed on the entire upper surface of the glass substrate 51 by sputtering ITO. Thereafter, a protrusion pattern 55 having a height of about 1.5 μm and a width of about 10 μm is formed on the counter electrode 54 in a zigzag shape. The projection pattern 55 is formed using a photoresist as in the first embodiment. In this case, if the width of the projection pattern of the exposure mask is uniform, as shown in FIG. 10, the width of the projection pattern 55 on the black matrix 52 becomes narrower than the other portions after the exposure and development processing, and as a spacer There is a risk that the required strength cannot be secured. For this reason, it is preferable that the width of the protrusion pattern 55 on the black matrix 52 is wider than other portions as shown in FIG.

次いで、対向電極54の上側に、ポリアミック酸からなる垂直配向膜56を約0.15μmの厚さに形成し、この垂直配向膜56により対向電極54及び突起パターン55の表面を被覆する。これにより、CF基板50が完成する。その後、図8に示すように、配向膜36,56が形成された面を内側にしてTFT基板30とCF基板50とを重ね合わせる。この場合、ブラックマトリクス52上の突起パターン55がTFT基板30に接触し、CF基板50とTFT基板30との間の隙間(セル厚)が一定(約4μm)に維持される。   Next, a vertical alignment film 56 made of polyamic acid is formed on the upper side of the counter electrode 54 to a thickness of about 0.15 μm, and the surfaces of the counter electrode 54 and the protrusion pattern 55 are covered with the vertical alignment film 56. Thereby, the CF substrate 50 is completed. After that, as shown in FIG. 8, the TFT substrate 30 and the CF substrate 50 are overlapped with the surface on which the alignment films 36 and 56 are formed inside. In this case, the protrusion pattern 55 on the black matrix 52 comes into contact with the TFT substrate 30, and the gap (cell thickness) between the CF substrate 50 and the TFT substrate 30 is maintained constant (about 4 μm).

次いで、TFT基板30及びCF基板50の縁部を接合し、両者の間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する。その後、TFT基板30及びCF基板50の外側にそれぞれ偏光板(図示せず)を配置する。これにより、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。本実施の形態においても、突起パターン35,55により配向分割が実現され、第1の実施の形態と同様に良好な視角特性が得られる。また、ブラックマトリクス52の上の突起パターン55によりセル厚が一定に維持され、振動や衝撃が加えられてもセル厚が変化しないので、表示品質の劣化が回避される。更に、従来必要とされていた球形又は円柱形のスペーサを散布する工程や配向膜をラビング処理する工程が不要であり、液晶表示装置の製造工程が簡略化されるという利点もある。更にまた、突起パターン35,55により液晶分子の配向方向を決めるので、CF基板に平坦化膜(オーバーコート)を形成する必要がない。更にまた、本実施の形態では、ブラックマトリクス52上の突起パターン55の幅を他の部分よりも太くしているので、突起パターン55を形成する際にブラックマトリクス52の上の突起パターン55のパターン幅が細くなることが回避される。このため、セル厚を保持する部分の突起パターン55の高さが均一になり、セル厚の変動が抑制される。   Next, the edges of the TFT substrate 30 and the CF substrate 50 are joined, and a liquid crystal having negative dielectric anisotropy is sealed between them. Thereafter, polarizing plates (not shown) are respectively disposed outside the TFT substrate 30 and the CF substrate 50. Thereby, the liquid crystal display device of the present embodiment is completed. Also in the present embodiment, alignment division is realized by the protrusion patterns 35 and 55, and good viewing angle characteristics can be obtained as in the first embodiment. Further, the cell thickness is kept constant by the protrusion pattern 55 on the black matrix 52, and the cell thickness does not change even when vibration or impact is applied, so that deterioration of display quality is avoided. Furthermore, there is no need for the step of spraying spherical or cylindrical spacers and the step of rubbing the alignment film, which are conventionally required, and there is an advantage that the manufacturing process of the liquid crystal display device is simplified. Furthermore, since the alignment direction of the liquid crystal molecules is determined by the protrusion patterns 35 and 55, it is not necessary to form a planarizing film (overcoat) on the CF substrate. Furthermore, in the present embodiment, since the width of the projection pattern 55 on the black matrix 52 is thicker than that of other portions, the pattern of the projection pattern 55 on the black matrix 52 is formed when the projection pattern 55 is formed. A narrowing of the width is avoided. For this reason, the height of the protrusion pattern 55 in the portion that holds the cell thickness becomes uniform, and the variation in the cell thickness is suppressed.

なお、本実施の形態においても、図5に示すように、TFT基板30側に突起35を形成する替わりに、画素電極32にスリットを設けてもよい。   Also in this embodiment, as shown in FIG. 5, a slit may be provided in the pixel electrode 32 instead of forming the protrusion 35 on the TFT substrate 30 side.

(第3の実施の形態)
図11は本発明の第3の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図、図12は同じくそのCF基板の平面図である。本実施の形態が第2の実施の形態と異なる点はCF基板側の構造が異なることにあり、その他の部分は基本的に第2の実施の形態と同様であるので、図11、図12において、図8、図9と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
(Third embodiment)
FIG. 11 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a plan view of the CF substrate. This embodiment is different from the second embodiment in that the structure on the CF substrate side is different, and other parts are basically the same as those of the second embodiment. 8 and 9, the same reference numerals are given to the same components, and detailed description thereof is omitted.

CF基板50側のガラス基板51の上には、赤(R)のカラーフィルタ53R、緑(G)のカラーフィルタ53G及び青(B)のカラーフィルタ53Bが形成されており、TFT基板30のゲートバスライン33b、ドレインバスライン33a、TFT及び補助容量電極に整合する位置では、これらのカラーフィルタ53R,53G,53Bが3層に重なってブラックマトリクス52となっている。各カラーフィルタ53R,53G,53Bの厚さはいずれも約1.5μmである。但し、これらのカラーフィルタ53R,53G,53Bは赤色、緑色又は青色の樹脂を塗布することにより形成するが、そのようにしてカラーフィルタ53R,53G,53Bを形成すると、重なり部分(ブラックマトリクス52)におけるカラーフィルタ53R,53G,53Bの厚さは平坦部分(画素領域)のカラーフィルタ53R,53G,53Bよりも若干薄くなる。   A red (R) color filter 53R, a green (G) color filter 53G, and a blue (B) color filter 53B are formed on the glass substrate 51 on the CF substrate 50 side. The color filters 53R, 53G, and 53B overlap the three layers to form the black matrix 52 at positions matching the bus line 33b, the drain bus line 33a, the TFT, and the auxiliary capacitance electrode. Each of the color filters 53R, 53G, and 53B has a thickness of about 1.5 μm. However, these color filters 53R, 53G, and 53B are formed by applying red, green, or blue resin. If the color filters 53R, 53G, and 53B are formed in this way, overlapping portions (black matrix 52) are formed. The thickness of the color filters 53R, 53G, and 53B is slightly thinner than the color filters 53R, 53G, and 53B in the flat portion (pixel region).

これらのカラーフィルタ53R,53G,53Bの上には、ITOからなる対向電極54が約0.15μmの厚さに形成されている。この対向電極54の上には、高さが約1.5μmの絶縁性樹脂からなる突起パターン55が図12に示すようにジグザグ形状に形成されている。また、各画素領域の四隅の部分では、突起パターン55の幅は太くなっている。更に、突起パターン55とブラックマトリクス52とが交差する部分には、図12に示すように突起パターン55aを設けて、突起パターン55の強度を補強することが好ましい。   On these color filters 53R, 53G, 53B, a counter electrode 54 made of ITO is formed to a thickness of about 0.15 μm. On the counter electrode 54, a protrusion pattern 55 made of an insulating resin having a height of about 1.5 μm is formed in a zigzag shape as shown in FIG. Further, the width of the protrusion pattern 55 is thick at the four corners of each pixel region. Further, it is preferable to reinforce the strength of the protrusion pattern 55 by providing a protrusion pattern 55a at the intersection of the protrusion pattern 55 and the black matrix 52 as shown in FIG.

対向電極54の上にはポリアミック酸からなる垂直配向膜56が形成されており、突起パターン55,55aの表面もこの配向膜56により覆われている。以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造方法について、図13、図14を参照して説明する。但し、TFT基板の製造方法は第1の実施の形態と同様であるので、ここでは省略する。   A vertical alignment film 56 made of polyamic acid is formed on the counter electrode 54, and the surfaces of the protrusion patterns 55 and 55 a are also covered with the alignment film 56. Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal display device of the present embodiment will be described with reference to FIGS. However, since the manufacturing method of the TFT substrate is the same as that of the first embodiment, it is omitted here.

まず、図13(a)に示すように、ガラス基板51の上の青の画素領域及びブラックマトリクス52となる部分に青色の樹脂を約1.5μmの厚さに塗布して、カラーフィルタ53Bを形成する。次に、図13(b)に示すように、ガラス基板51上の赤の画素領域及びブラックマトリクス52となる部分に赤色の樹脂を約1.5μmの厚さに塗布して、カラーフィルタ53Rを形成する。その後、図13(c)に示すように、ガラス基板51の上の緑の画素領域及びブラックマトリクス52となる部分の上に緑色の樹脂を約1.5μmの厚さに塗布して、カラーフィルタ53Gを形成する。   First, as shown in FIG. 13A, a blue resin is applied to a portion to be a blue pixel region and a black matrix 52 on a glass substrate 51 to a thickness of about 1.5 μm, and a color filter 53B is formed. Form. Next, as shown in FIG. 13B, a red resin is applied to the red pixel area and the black matrix 52 on the glass substrate 51 to a thickness of about 1.5 μm, and the color filter 53R is applied. Form. Thereafter, as shown in FIG. 13C, a green resin is applied to a thickness of about 1.5 μm on the green pixel region and the black matrix 52 on the glass substrate 51 to form a color filter. 53G is formed.

次に、図14(a)に示すように、ガラス基板51の上側全面にITOを約0.15μmの厚さに被覆して対向電極54を形成する。その後、対向電極54の上に感光性樹脂を塗布し、突起パターンを有する露光マスクを介して感光性樹脂を露光した後、現像処理を施すことにより、図14(c)に示すように、突起パターン55を形成する。その後、ガラス基板11の上側にポリアミック酸を約0.1μmの厚さに塗布して垂直配向膜56を形成する。   Next, as shown in FIG. 14A, the counter electrode 54 is formed by covering the entire upper surface of the glass substrate 51 with ITO to a thickness of about 0.15 μm. Thereafter, a photosensitive resin is applied on the counter electrode 54, and the photosensitive resin is exposed through an exposure mask having a protrusion pattern, and then subjected to a development process, as shown in FIG. 14 (c). A pattern 55 is formed. Thereafter, polyamic acid is applied to the upper side of the glass substrate 11 to a thickness of about 0.1 μm to form a vertical alignment film 56.

次いで、図11に示すように、CF基板50とTFT基板30とを配向膜36.56を形成した面を内側にして重ね合わせ、両者の間に負の静電率異方性を有する液晶49を封入する。このときCF基板50とTFT基板30とはブラックマトリクス52の上の突起パターン55の部分で接触し、セル厚が一定に維持される。これにより、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。   Next, as shown in FIG. 11, the CF substrate 50 and the TFT substrate 30 are overlapped with the surface on which the alignment film 36.56 is formed inside, and a liquid crystal 49 having negative electrostatic anisotropy therebetween. Enclose. At this time, the CF substrate 50 and the TFT substrate 30 are in contact with each other at the protruding pattern 55 on the black matrix 52, and the cell thickness is kept constant. Thereby, the liquid crystal display device of the present embodiment is completed.

本実施の形態においては、R・G・Bの3色のカラーフィルタ55R.55G.55Bを重ね合わせてブラックマトリクス52を形成している。従って、第2の実施の形態で必要であった黒色樹脂によりブラックマトリクスを形成する工程が不要になり、スペーサを散布する工程及びラビング処理を施す工程が不要であることと相俟って、製造工程がより一層簡略化される。なお、この例では、R・G・Bの3色を重ね合わせてブラックマトリクス52を形成しているが、最も遮光性が高い青色のカラーフィルタを含む2色以上のカラーフィルタを重ね合わせてブラックマトリクスとしてもよい。例えば、赤と青とを重ねることにより、遮光率(OD値)が2.0以上(透過率が10-2以下)となるため、赤と青とのカラーフィルタ55R,55Bを重ね合わせるだけでも十分な遮光性が得られる。 In the present embodiment, the color filters 55R. 55G. The black matrix 52 is formed by superimposing 55B. Accordingly, the process of forming the black matrix with the black resin required in the second embodiment is not necessary, and the manufacturing process is combined with the fact that the process of spraying the spacers and the process of performing the rubbing process are unnecessary. The process is further simplified. In this example, the black matrix 52 is formed by superimposing three colors of R, G, and B. However, two or more color filters including a blue color filter having the highest light shielding property are superposed to form a black matrix 52. It may be a matrix. For example, since the shading rate (OD value) is 2.0 or more (transmittance is 10 −2 or less) by superimposing red and blue, it is possible to simply superimpose the red and blue color filters 55R and 55B. Sufficient light shielding properties can be obtained.

また、本実施の形態では、カラーフィルタ55R,55G,55Bを重ね合わせることによりブラックマトリクス52の部分を他の部分から突出させ、その上に突起パターン55を形成して、該突起パターン55の部分でCF基板50とTFT基板30とを接触させ、セル厚を一定に維持する。従って、振動や衝撃によりセル厚が変動するおそれがなく、良好な表示品質を維持できる。   Further, in the present embodiment, the color filter 55R, 55G, and 55B are overlapped so that the portion of the black matrix 52 protrudes from the other portion, the protrusion pattern 55 is formed thereon, and the portion of the protrusion pattern 55 is formed. The CF substrate 50 and the TFT substrate 30 are brought into contact with each other to maintain the cell thickness constant. Therefore, there is no possibility that the cell thickness fluctuates due to vibration or impact, and good display quality can be maintained.

なお、上記実施の形態では赤色、緑色及び青色の樹脂をガラス基板上に塗布することによりカラーフィルタ53R,53G,53Bを形成しているが、熱転写フィルム(ドライフィルム)によりこれらのカラーフィルタを形成してもよい。上記実施の形態のように樹脂を塗布してカラーフィルタを形成する場合、樹脂の乾燥が完了するまでの間に樹脂が高いところから低いとことに流れるいわゆるレベリングという現象が発生する。このため、セル厚によっては、カラーフィルタを重ねて所定の高さのブラックマトリクスを形成することが難しいことがある。このような場合、熱転写フィルムを使用することにより、所望の高さのブラックマトリクスを形成することができる。   In the above embodiment, the color filters 53R, 53G, and 53B are formed by applying red, green, and blue resins on a glass substrate. However, these color filters are formed by a thermal transfer film (dry film). May be. When a color filter is formed by applying a resin as in the above embodiment, a so-called leveling phenomenon occurs when the resin is high to low before the drying of the resin is completed. For this reason, depending on the cell thickness, it may be difficult to form a black matrix having a predetermined height by overlapping color filters. In such a case, a black matrix having a desired height can be formed by using a thermal transfer film.

例えば、着色層が2.0μmの厚さの青色の熱転写フィルムをガラス基板51上の全面に熱転写(ラミネート)した後、露光及び現像処理を施して青色のカラーフィルタ53Bを形成する。次に、赤色の熱転写フィルムをガラス基板上51上の全面に熱転写した後、露光及び現像処理を施して、赤色のカラーフィルタ53Rを形成し、更に緑色の熱転写フィルムをガラス基板上51上の全面に熱転写した後、露光及び現像処理を施して緑色のカラーフィルタ53Gを形成する。   For example, after a blue thermal transfer film with a colored layer having a thickness of 2.0 μm is thermally transferred (laminated) on the entire surface of the glass substrate 51, exposure and development are performed to form a blue color filter 53B. Next, the red thermal transfer film is thermally transferred to the entire surface on the glass substrate 51, and then exposed and developed to form a red color filter 53R. Further, the green thermal transfer film is applied to the entire surface on the glass substrate 51. Then, the green color filter 53G is formed by performing exposure and development processing.

この方法では、着色層が仮乾燥状態でガラス基板51に転写されるため、カラーフィルタの重なり部分でもレベリングが起こらず、最終的にカラーフィルタ53R,53G,53Bの厚さはいずれも約1.5μmとなり、合計膜厚が約4.5μmのブラックマトリクスを形成することができる。図15は第3の実施の形態の変形例を示す液晶表示装置の断面図である。この例では、青(B)のカラーフィルタ53Bの厚さを他のカラーフィルタ53R,53Gの厚さよりも厚くしている。具体的には、青のカラーフィルタ55Bの厚さを約2.0μmとし、赤及び緑のカラーフィルタ55R,55Gの厚さを約1.5μmとしている。従って、青の画素の部分ではセル厚が約3.5μmであり、赤及び緑の画素の部分ではセル厚が約4.0μmである。   In this method, since the colored layer is transferred to the glass substrate 51 in a temporarily dried state, leveling does not occur even in the overlapping portion of the color filters, and the thicknesses of the color filters 53R, 53G, and 53B are about 1. A black matrix having a total film thickness of about 4.5 μm can be formed. FIG. 15 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device showing a modification of the third embodiment. In this example, the thickness of the blue (B) color filter 53B is larger than the thickness of the other color filters 53R and 53G. Specifically, the thickness of the blue color filter 55B is about 2.0 μm, and the thickness of the red and green color filters 55R and 55G is about 1.5 μm. Accordingly, the cell thickness is about 3.5 μm in the blue pixel portion, and the cell thickness is about 4.0 μm in the red and green pixel portions.

図16は横軸にセル厚をとり、縦軸に光の透過率(相対値)をとって、各色の画素におけるセル厚(液晶層の厚さ)と透過率との関係を示す図である。この図から明らかなように、青(B)の画素の場合は液晶層の厚さが約3.5μm付近に透過率のピークがあり、赤(R)及び緑(G)の画素の場合は液晶層の厚さが約4.0〜4.5μmのところに透過率のピークがある。   FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the cell thickness (liquid crystal layer thickness) and the transmittance of each color pixel, with the horizontal axis representing the cell thickness and the vertical axis representing the light transmittance (relative value). . As is clear from this figure, in the case of the blue (B) pixel, the liquid crystal layer has a transmittance peak around 3.5 μm, and in the case of the red (R) and green (G) pixels. There is a transmittance peak when the thickness of the liquid crystal layer is about 4.0 to 4.5 μm.

このように、カラーフィルタの色毎(画素毎)に液晶層の厚さを調整することにより光学特性Δndが最適され、ノーマリブラックモードの液晶表示装置の場合、色度特性や透過率特性及びコントラスト等の特性が良好になるという効果が得られる。   As described above, the optical characteristic Δnd is optimized by adjusting the thickness of the liquid crystal layer for each color (pixel) of the color filter. In the case of a normally black mode liquid crystal display device, the chromaticity characteristic, the transmittance characteristic, The effect of improving the characteristics such as contrast is obtained.

(第4の実施の形態)
図17は本発明の第4の実施の形態の液晶表示装置の断面図、図18は同じくその一部を拡大して示す図、図19は同じくその液晶表示装置のCF基板110を示す平面図である。なお、図17,図18ではCF基板110を上側に、TFT基板100を下側に示している。また、図17では図18に示す配向膜106,116の図示を省略している。更に、図19には、TFT基板100側の画素電極102に設けられたスリット102aを一点鎖線で示している。図17は図19のA−A線による断面図である。
(Fourth embodiment)
17 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 18 is a partially enlarged view of the liquid crystal display device, and FIG. 19 is a plan view of the CF substrate 110 of the liquid crystal display device. It is. In FIGS. 17 and 18, the CF substrate 110 is shown on the upper side and the TFT substrate 100 is shown on the lower side. In FIG. 17, the alignment films 106 and 116 shown in FIG. 18 are not shown. Further, in FIG. 19, a slit 102a provided in the pixel electrode 102 on the TFT substrate 100 side is indicated by a one-dot chain line. 17 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.

本実施の形態の液晶表示装置は、TFT基板100とCF基板110との間に負の誘電率異方性を有する液晶49を封入した構造を有している。また、TFT基板100の下側及びCF基板110の上側にはそれぞれ偏光板(図示せず)が配置されている。これらの偏光板は、偏光軸が相互に直交するように配置されている。   The liquid crystal display device of this embodiment has a structure in which a liquid crystal 49 having a negative dielectric anisotropy is sealed between a TFT substrate 100 and a CF substrate 110. In addition, polarizing plates (not shown) are disposed on the lower side of the TFT substrate 100 and the upper side of the CF substrate 110, respectively. These polarizing plates are arranged so that their polarization axes are orthogonal to each other.

TFT基板100は、ガラス基板101と、このガラス基板101の上面側に形成された画素電極102、絶縁膜104a,104b、配向膜106及びTFT等により構成される。すなわち、図18に示すように、ガラス基板101の上面側には複数本のゲートバスライン103bと、複数本のドレインバスライン103aと、ITOからなる画素電極102とが形成されている。ゲートバスライン103bとドレインバスライン103aとの間は絶縁膜104aにより絶縁されており、ドレインバスライン103aと画素電極102との間は絶縁膜104bにより絶縁されている。画素電極102には液晶分子の配向方向を決めるためのスリット102aが設けられている(図5参照)。スリット102aは、図19に示すように、画素を複数の領域に分割するように、ジグザグ形状に設けられている。また、ガラス基板101の上側全面には垂直配向膜106が形成されており、この垂直配向膜106により画素電極102の表面が覆われている。   The TFT substrate 100 includes a glass substrate 101, pixel electrodes 102 formed on the upper surface side of the glass substrate 101, insulating films 104a and 104b, an alignment film 106, TFTs, and the like. That is, as shown in FIG. 18, a plurality of gate bus lines 103b, a plurality of drain bus lines 103a, and a pixel electrode 102 made of ITO are formed on the upper surface side of the glass substrate 101. The gate bus line 103b and the drain bus line 103a are insulated by an insulating film 104a, and the drain bus line 103a and the pixel electrode 102 are insulated by an insulating film 104b. The pixel electrode 102 is provided with a slit 102a for determining the alignment direction of liquid crystal molecules (see FIG. 5). As shown in FIG. 19, the slit 102a is provided in a zigzag shape so as to divide the pixel into a plurality of regions. A vertical alignment film 106 is formed on the entire upper surface of the glass substrate 101, and the surface of the pixel electrode 102 is covered with the vertical alignment film 106.

一方、CF基板110は、ガラス基板111と、ガラス基板111の下面側に形成されたカラーフィルタ113R,113G,113B、対向電極114及び配向膜116等により構成される。すなわち、図18に示すように、ガラス基板111の下面にはカラーフィルタ113R(赤),113G(緑),113B(青)が形成されている。各画素領域には、これらのカラーフィルタ113R,113G,113Bのうちのいずれか1色のフィルタが配置されている。また、画素と画素との間の領域ではカラーフィルタ113R,113G,113Bが3層に重なってブラックマトリクス112となっている。ガラス基板111の下面側には、これらのカラーフィルタ113R,113G,113B及びブラックマトリクス112を覆うようにして、ITOからなる対向電極114が形成されている。   On the other hand, the CF substrate 110 includes a glass substrate 111, color filters 113R, 113G, and 113B formed on the lower surface side of the glass substrate 111, a counter electrode 114, an alignment film 116, and the like. That is, as shown in FIG. 18, color filters 113R (red), 113G (green), and 113B (blue) are formed on the lower surface of the glass substrate 111. In each pixel region, a filter of any one of these color filters 113R, 113G, 113B is arranged. In the area between the pixels, the color filters 113R, 113G, and 113B overlap the three layers to form the black matrix 112. A counter electrode 114 made of ITO is formed on the lower surface side of the glass substrate 111 so as to cover the color filters 113R, 113G, 113B and the black matrix 112.

また、ゲートバスライン103b及びドレインバスライン103aが交差する部分のブラックマトリクス112の下方には、絶縁性樹脂からなるセル厚調整層117が形成されている。更に、対向電極114の上及びセル厚調整層117の下には、図19に示すように、突起パターン115がジグザグ形状に形成されている。更にまた、対向電極114の下側全面には垂直配向膜116が形成されており、この垂直配向膜116により画素電極114の表面及び突起パターン115の表面が覆われている。   A cell thickness adjusting layer 117 made of an insulating resin is formed below the black matrix 112 at a portion where the gate bus line 103b and the drain bus line 103a intersect. Further, as shown in FIG. 19, a projection pattern 115 is formed in a zigzag shape on the counter electrode 114 and below the cell thickness adjusting layer 117. Furthermore, a vertical alignment film 116 is formed on the entire lower surface of the counter electrode 114, and the surface of the pixel electrode 114 and the surface of the projection pattern 115 are covered with the vertical alignment film 116.

TFT基板100及びCF基板110は配向膜102,116が形成された面を対向させて配置されており、TFT基板100のゲートバスライン103b及びドレインバスライン103aが交差する部分に、CF基板110のセル厚調整層117の下方の突起パターン115が接触することにより、TFT基板100とCF基板110との間隔(セル厚)が一定に維持されている。以下、TFT基板とCF基板との間のセル厚を一定に維持する部分をスペーサ部という。   The TFT substrate 100 and the CF substrate 110 are disposed so that the surfaces on which the alignment films 102 and 116 are formed are opposed to each other, and the gate bus line 103b and the drain bus line 103a of the TFT substrate 100 intersect with each other. When the protrusion pattern 115 below the cell thickness adjusting layer 117 is in contact, the distance (cell thickness) between the TFT substrate 100 and the CF substrate 110 is kept constant. Hereinafter, a portion that maintains a constant cell thickness between the TFT substrate and the CF substrate is referred to as a spacer portion.

図20及び図21は本実施の形態の液晶表示装置のCF基板の製造方法を工程順に示す断面図である。なお、図20,図21では、カラーフィルタを形成する面を上側にしてCF基板を示している。まず、図20(a)に示すように、ガラス基板111上の青色画素領域、ブラックマトリクス形成領域及び位置合わせマーク(図示せず)等のマーク形成領域に、青色カラーフィルタ113Bを1.5μmの厚さに形成する。青色カラーフィルタ113Bの材料としては青色顔料を分散した感光性レジストを使用し、この感光性レジストをガラス基板111上に塗布した後、露光及び現像処理を施すことにより、青色カラーフィルタ113Bを形成することができる。   20 and 21 are cross-sectional views showing the method of manufacturing the CF substrate of the liquid crystal display device of this embodiment in the order of steps. 20 and 21, the CF substrate is shown with the surface on which the color filter is formed facing upward. First, as shown in FIG. 20A, a blue color filter 113B is 1.5 μm in a mark formation region such as a blue pixel region, a black matrix formation region, and an alignment mark (not shown) on the glass substrate 111. Form to thickness. As a material for the blue color filter 113B, a photosensitive resist in which a blue pigment is dispersed is used. After the photosensitive resist is applied on the glass substrate 111, exposure and development are performed to form the blue color filter 113B. be able to.

次に、図20(b)に示すように、赤色顔料を分散した感光性レジストを使用して、ガラス基板111上の赤色画素領域及びブラックマトリクス形成領域に、赤色カラーフィルタ113Rを1.5μmの厚さに形成する。次に、図20(c)に示すように、緑色顔料を分散した感光性レジストを使用して、ガラス基板111上の緑色画素形成領域及びブラックマトリクス形成領域に、緑色カラーフィルタ113Gを1.5μmの厚さに形成する。   Next, as shown in FIG. 20B, a red color filter 113R of 1.5 μm is formed in the red pixel region and the black matrix formation region on the glass substrate 111 using a photosensitive resist in which a red pigment is dispersed. Form to thickness. Next, as shown in FIG. 20C, using a photosensitive resist in which a green pigment is dispersed, a green color filter 113G is 1.5 μm in the green pixel formation region and the black matrix formation region on the glass substrate 111. The thickness is formed.

本実施の形態では、カラーフィルタ113R,113G,113Bを重ねてブラックマトリクスを形成するが、フィルタの重なり部分では画素領域に比べてフィルタの厚さが薄くなる。上記のように各フィルタ113R,113G,113Bの厚さを1.5μmとした場合、重なり部分の高さ(画素領域のカラーフィルタ表面からの突出高さ)は約1.8μmとなる。   In this embodiment, the color filters 113R, 113G, and 113B are overlapped to form a black matrix, but the thickness of the filter is thinner than the pixel area in the overlapping portion of the filters. As described above, when the thickness of each of the filters 113R, 113G, and 113B is 1.5 μm, the height of the overlapping portion (the protruding height of the pixel region from the color filter surface) is about 1.8 μm.

次に、図21(a)に示すように、ガラス基板111の上側全面にITOを1500Åの厚さに形成して対向電極114とする。次に、図21(b)に示すように、対向電極114上の所定の領域(スペーサ部)に高さが約3.0μmのセル厚調整層117を形成する。セル厚調整層117の材料としては例えばポジ型のノボラック樹脂(感光性レジスト)を使用することができる。この場合、ガラス基板111の上側の全面にノボラック樹脂を塗布し、その後露光及び現像処理を施すことにより、セル厚調整層117を形成する。   Next, as shown in FIG. 21A, ITO is formed on the entire upper surface of the glass substrate 111 to a thickness of 1500 mm to form the counter electrode 114. Next, as shown in FIG. 21B, a cell thickness adjusting layer 117 having a height of about 3.0 μm is formed in a predetermined region (spacer portion) on the counter electrode 114. As a material of the cell thickness adjusting layer 117, for example, a positive type novolac resin (photosensitive resist) can be used. In this case, the cell thickness adjusting layer 117 is formed by applying a novolac resin to the entire upper surface of the glass substrate 111 and then performing exposure and development processing.

次いで、図21(c)に示すように、ガラス基板111の上側に、高さが約1.5μmの突起パターン115を形成する。但し、カラーフィルタの重なり部分では、突起パターン115の高さは若干低くなる。突起パターン115も、ポジ型ノボラック樹脂を使用して形成することができる。その後、ガラス基板111の上側全面に配向膜116を形成する。これにより、CF基板110が完成する。この例では、スペーサ部の高さ(画素領域のフィルタ表面からの突出高さ)は約4.0μmとなる。   Next, as shown in FIG. 21C, a protrusion pattern 115 having a height of about 1.5 μm is formed on the upper side of the glass substrate 111. However, the height of the protrusion pattern 115 is slightly reduced in the overlapping portion of the color filters. The protrusion pattern 115 can also be formed using a positive novolac resin. Thereafter, an alignment film 116 is formed on the entire upper surface of the glass substrate 111. Thereby, the CF substrate 110 is completed. In this example, the height of the spacer portion (the protruding height of the pixel region from the filter surface) is about 4.0 μm.

なお、上記の例ではカラーフィルタ113R,113G,113Bを顔料分散型感光性レジストを使用して形成する場合について説明したが、それ以外の材料を使用してカラーフィルタ113R,113G,113Bを形成してもよい。例えば、染料又は顔料を含有する樹脂を使用し、エッチングにより所定の形状にパターニングしてカラーフィルタを形成してもよい。また、印刷等の方法によりカラーフィルタを形成することもできる。   In the above example, the case where the color filters 113R, 113G, and 113B are formed using a pigment dispersion type photosensitive resist has been described. However, the color filters 113R, 113G, and 113B are formed using other materials. May be. For example, a color filter may be formed by using a resin containing a dye or a pigment and patterning it into a predetermined shape by etching. In addition, a color filter can be formed by a method such as printing.

更に、上記に例では、セル厚調整層117をノボラック樹脂により形成したが、それ以外の材料、例えばアクリル、ポリイミド及びエポキシ樹脂等により形成してもよい。以下、本実施の形態の効果について説明する。カラーフィルタ113R,113G,113Bの原料となる感光性レジストには、着色材料(顔料)のバインダーとしてアクリル樹脂が使用されている。また、本実施の形態では、突起パターン115の材料として感光性ノボラック樹脂を使用している。これらの材料は平坦性がよいため、カラーフィルタの重なり部分における厚さは画素領域(平坦部分)における厚さよりも薄くなる。   Furthermore, in the above example, the cell thickness adjusting layer 117 is formed of novolac resin, but may be formed of other materials such as acrylic, polyimide, and epoxy resin. Hereinafter, effects of the present embodiment will be described. An acrylic resin is used as a binder for a coloring material (pigment) in the photosensitive resist that is a raw material for the color filters 113R, 113G, and 113B. In the present embodiment, a photosensitive novolac resin is used as the material of the protrusion pattern 115. Since these materials have good flatness, the thickness of the overlapping portion of the color filter is thinner than the thickness of the pixel region (flat portion).

通常、スピンナーやスリットコータなどでこれらの樹脂を塗布した場合、樹脂が乾燥するまでの間に、上に重なった2層目、3層目の樹脂部分ではレベリングが発生し、2層目のカラーフィルタの厚さは1層目の約70%、3層目のカラーフィルタの厚さは1層目の約50%程度と薄くなってしまう。仮に、セル厚調整層117がないとすると、セル厚はカラーフィルタの重なり部分の厚さによって決まるので、カラーフィルタの重なり部分における各カラーフィルタの厚さを厚くする必要がある。2層目及び3層目のカラーフィルタの厚さを厚くするためには、例えば真空乾燥により乾燥を早めてレベリングを少なくする方法や、樹脂の塗布膜厚を厚くする方法が考えられる。しかし、これらの方法では、塗布むらや乾燥むらが発生し、製造歩留まりが低下してしまう。   Normally, when these resins are applied with a spinner or slit coater, leveling occurs in the resin layer of the second and third layers that overlap each other until the resin dries. The thickness of the filter is about 70% of the first layer, and the thickness of the color filter of the third layer is as thin as about 50% of the first layer. If the cell thickness adjusting layer 117 is not provided, the cell thickness is determined by the thickness of the overlapping portion of the color filter, and thus it is necessary to increase the thickness of each color filter in the overlapping portion of the color filter. In order to increase the thickness of the color filters of the second layer and the third layer, for example, a method of shortening drying by vacuum drying to reduce leveling or a method of increasing the coating film thickness of the resin can be considered. However, in these methods, uneven coating and dry unevenness occur, resulting in a decrease in manufacturing yield.

図22は横軸に画素領域におけるカラーフィルタの厚さをとり、縦軸にスペーサ部の高さをとって、両者の関係を示した図である。但し、▲印は各カラーフィルタの厚さと突起パターンの高さが同じ場合、□印は突起パターンの高さが2μmで一定の場合を示している。この図からわかるように、セル厚を4μmとするためには、各カラーフィルタの画素領域における厚さ及び突起パターンの高さをいずれも3μmとする必要がある。但し、突起パターンの高さがセル厚の30%以下又は50%以上となると、透過率の低下やコントラストの低下を招く。このため、突起パターンの高さは1.2〜2.0μmとすることが好ましく、そうするとカラーフィルタの厚さを更に厚くする必要がある。   FIG. 22 is a diagram showing the relationship between the color filter thickness in the pixel region on the horizontal axis and the height of the spacer portion on the vertical axis. However, ▲ indicates the case where the thickness of each color filter is the same as the height of the protrusion pattern, and □ indicates the case where the height of the protrusion pattern is constant at 2 μm. As can be seen from this figure, in order to set the cell thickness to 4 μm, it is necessary to set the thickness of each color filter in the pixel region and the height of the protrusion pattern to 3 μm. However, when the height of the protrusion pattern is 30% or less or 50% or more of the cell thickness, the transmittance and the contrast are lowered. For this reason, it is preferable that the height of the projection pattern is 1.2 to 2.0 μm, and it is necessary to further increase the thickness of the color filter.

一般に、カラーフィルタの材料となる顔料分散型レジストは、厚さが3μmを超えると微細なパターニングが困難になる。また、塗布後の乾燥速度が遅くなり、生産性が低下するという問題も発生する。従って、カラーフィルタの厚さを3μm以上とすることは現実的ではない。カラーフィルタの材料として、ポリイミドのように平坦性が悪い材料を使用することも考えられる。しかし、ポリイミドは非感光性であるので、パターニングにはエッチング工程が必要になり、工程数の増加によって製造コストが上昇するという難点がある。また、仮にカラーフィルタを厚く形成したとしても、スペーサ部の対向電極とTFT基板側の画素電極との距離が極めて接近することとなり、短絡不良が発生しやすくなる。   In general, when a thickness of a pigment dispersion resist used as a color filter material exceeds 3 μm, fine patterning becomes difficult. Moreover, the drying rate after application | coating becomes slow, and the problem that productivity falls also generate | occur | produces. Therefore, it is not realistic to set the thickness of the color filter to 3 μm or more. It is also conceivable to use a material with poor flatness, such as polyimide, as the color filter material. However, since polyimide is non-photosensitive, an etching process is required for patterning, and the manufacturing cost increases due to an increase in the number of processes. Even if the color filter is formed thick, the distance between the counter electrode in the spacer portion and the pixel electrode on the TFT substrate side is very close, and short circuit failure is likely to occur.

本実施の形態では、前述の如く、カラーフィルタ113R,113G,113Bの重なり部分と突起パターン115との間にセル厚調整層117を設け、このセル厚調整層117でセル厚を調整できるので、カラーフィルタ113R,113G,113Bの厚さを3μm以下としても十分なセル厚を確保することができる。従って、生産性の低下や製造歩留まりの低下が回避される。また、感光性レジストでカラーフィルタを形成するので、カラーフィルタをポリイミド等の非感光性樹脂で製造する場合に比べて、工程数の増加を回避できる。更に、突起パターン117によりセル厚を最適値に調整することが比較的容易にできるので、透過率の低下やコントラストの低下を回避することができる。更にまた、セル厚調整層117により対向電極114とTFT基板100側の画素電極102との間に十分な間隔をとることができるので、仮に接触部分で配向膜106,116が破損したとしても、ショート不良の発生を回避できる。   In the present embodiment, as described above, the cell thickness adjusting layer 117 is provided between the overlapping portions of the color filters 113R, 113G, and 113B and the protrusion pattern 115, and the cell thickness can be adjusted by the cell thickness adjusting layer 117. Even if the thickness of the color filters 113R, 113G, and 113B is 3 μm or less, a sufficient cell thickness can be secured. Therefore, a decrease in productivity and a decrease in manufacturing yield are avoided. In addition, since the color filter is formed from a photosensitive resist, an increase in the number of steps can be avoided as compared with the case where the color filter is manufactured from a non-photosensitive resin such as polyimide. Furthermore, since the cell thickness can be adjusted to the optimum value by the protrusion pattern 117, it is possible to avoid a decrease in transmittance and a decrease in contrast. Furthermore, since the cell thickness adjusting layer 117 can provide a sufficient distance between the counter electrode 114 and the pixel electrode 102 on the TFT substrate 100 side, even if the alignment films 106 and 116 are damaged at the contact portion, Short circuit failure can be avoided.

なお、上記の実施の形態では、セル厚調整層117を形成し、その後突起パターン115を形成したが、この工程は逆でもよい。すなわち、図23に示すように、対向電極114上に突起パターン117を形成し、その後、スペーサ部の突起パターン117の上にセル厚調整層118を形成する。この場合も、上記の実施の形態と同様の効果が得られる。   In the above embodiment, the cell thickness adjusting layer 117 is formed and then the protrusion pattern 115 is formed. However, this process may be reversed. That is, as shown in FIG. 23, the protrusion pattern 117 is formed on the counter electrode 114, and then the cell thickness adjusting layer 118 is formed on the protrusion pattern 117 of the spacer portion. In this case, the same effect as the above embodiment can be obtained.

また、上記の実施の形態では、カラーフィルタ113R,113G,113Bを3層重ねてブラックマトリクス112としたが、何れか2層のカラーフィルタを重ねてブラックマトリクスとしてもよい。更に、スペーサ部で対向電極114と画素電極102とのショートの発生がない場合は、セル厚調整層117を形成した後に対向電極114を形成してもよい。   In the above embodiment, three layers of color filters 113R, 113G, and 113B are stacked to form the black matrix 112. However, any two layers of color filters may be stacked to form a black matrix. Further, when there is no short circuit between the counter electrode 114 and the pixel electrode 102 in the spacer portion, the counter electrode 114 may be formed after the cell thickness adjusting layer 117 is formed.

(第5の実施の形態)
図24は本発明の第5の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。なお、TFT基板側の構造は第4の実施の形態と同一であるので、図24において図18と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。CF基板120側のガラス基板121の一方の面(図では下面)には、黒色樹脂からなるブラックマトリクス122が所定のパターンで形成されている。この黒色樹脂からなるブラックマトリクス122の厚さは例えば3.5μmである。また、このブラックマトリクス122は、黒色顔料を分散した感光性レジストを使用し、露光及び現像工程を経てパターニングされる。
(Fifth embodiment)
FIG. 24 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention. Since the structure on the TFT substrate side is the same as that of the fourth embodiment, the same components in FIG. 24 as those in FIG. On one surface (lower surface in the figure) of the glass substrate 121 on the CF substrate 120 side, a black matrix 122 made of black resin is formed in a predetermined pattern. The thickness of the black matrix 122 made of the black resin is, for example, 3.5 μm. The black matrix 122 is patterned through an exposure and development process using a photosensitive resist in which a black pigment is dispersed.

ガラス基板121の下面の各画素領域には、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ123R,123G,123Bが形成されている。ブラックマトリクス124の下側には、これらのカラーフィルタ123R,123G,123Bが3層に積層されている。また、ガラス基板121の下面側には、カラーフィルタ123R,123G,123Bを覆うようにしてITOからなる対向電極124が形成されている。そして、対向電極124の下には、突起バターン125が形成されている。この突起パターンは、第4の実施の形態と同様に、TFT基板110側に設けられた画素電極102のスリット102a間に配置されている(図19参照)。   In each pixel region on the lower surface of the glass substrate 121, red (R), green (G), and blue (B) color filters 123R, 123G, and 123B are formed. Under the black matrix 124, these color filters 123R, 123G, and 123B are laminated in three layers. A counter electrode 124 made of ITO is formed on the lower surface side of the glass substrate 121 so as to cover the color filters 123R, 123G, and 123B. A projection pattern 125 is formed below the counter electrode 124. Similar to the fourth embodiment, this protrusion pattern is disposed between the slits 102a of the pixel electrode 102 provided on the TFT substrate 110 side (see FIG. 19).

対向電極124の下面には、垂直配向膜126が形成されており、突起パターン125の表面はこの垂直配向膜126により覆われている。本実施の形態においては、樹脂製のブラックマトリクス124によりセル厚を調整するので、第4の実施の形態と同様に、カラーフィルタの厚さを厚くしたり、突起パターンの高さを高くする必要がなく、最適なセル厚に調整することができる。これにより第4の実施の形態と同様の効果が得られる。   A vertical alignment film 126 is formed on the lower surface of the counter electrode 124, and the surface of the protrusion pattern 125 is covered with the vertical alignment film 126. In the present embodiment, since the cell thickness is adjusted by the resin black matrix 124, as in the fourth embodiment, it is necessary to increase the thickness of the color filter or increase the height of the protrusion pattern. Therefore, the optimum cell thickness can be adjusted. Thereby, the same effect as the fourth embodiment can be obtained.

なお、上記実施の形態ではブラックマトリクス124の下にカラーフィルタ123R,123G,123Bを3層に重ねた場合について説明したが、ブラックマトリクス124の下のカラーフィルタは1層又は2層でもよい。また、対向電極124と画素電極102とがショートするおそれがない場合は、突起パターン125を形成した後に対向電極124を形成してもよい。   In the above embodiment, the case where the color filters 123R, 123G, and 123B are stacked in three layers under the black matrix 124 has been described. However, the color filter under the black matrix 124 may be one layer or two layers. When there is no possibility that the counter electrode 124 and the pixel electrode 102 are short-circuited, the counter electrode 124 may be formed after the projection pattern 125 is formed.

更に、スペーサ部以外の部分では樹脂製ブラックマトリクス122の上にカラーフィルタを重ねなくてもよいし、スペーサ部と同様にカラーフィルタを重ねて形成してもよい。但し、スペーサ部以外の部分でセル厚の1/3を超える突起が形成される場合は、その上を突起パターン125と同時に形成した絶縁層(突起パターン125と同じ材料からなる絶縁層)により被覆することが好ましい。これにより、TFT基板100側の画素電極102とCF基板120側の対向電極124とのショートの発生をより確実に防止することができる。   Furthermore, the color filter may not be overlaid on the resin black matrix 122 in portions other than the spacer portion, or may be formed by overlapping the color filter in the same manner as the spacer portion. However, if a protrusion exceeding 1/3 of the cell thickness is formed in a portion other than the spacer portion, it is covered with an insulating layer (an insulating layer made of the same material as the protrusion pattern 125) formed on the protrusion pattern 125. It is preferable to do. As a result, it is possible to more reliably prevent the occurrence of a short circuit between the pixel electrode 102 on the TFT substrate 100 side and the counter electrode 124 on the CF substrate 120 side.

(第6の実施の形態)
図25は本発明の第6の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。なお、本実施の形態においてもTFT基板側の構造は第4の実施の形態と同一であるので、図25において図18と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
(Sixth embodiment)
FIG. 25 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to a sixth embodiment of the present invention. In this embodiment as well, the structure on the TFT substrate side is the same as that of the fourth embodiment. Therefore, in FIG. 25, the same components as those in FIG.

CF基板130側のガラス基板131の下面側には、低反射Cr(クロム)からなるブラックマトリクス132が所定のパターンで形成されている。また、ブラックマトリクス132の下には、ブラックマトリクス132と同じパターンでレジスト137が形成されている。ガラス基板131の下面の各画素領域には、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ133R,133G,133Bが形成されている。ブラックマトリクス124の下側には、これらのカラーフィルタ133R,133G,133Bが3層に積層されている。   A black matrix 132 made of low-reflection Cr (chrome) is formed in a predetermined pattern on the lower surface side of the glass substrate 131 on the CF substrate 130 side. A resist 137 is formed under the black matrix 132 with the same pattern as the black matrix 132. In each pixel region on the lower surface of the glass substrate 131, red (R), green (G), and blue (B) color filters 133R, 133G, and 133B are formed. Under the black matrix 124, these color filters 133R, 133G, and 133B are stacked in three layers.

また、ガラス基板131の下面側には、カラーフィルタ133R,133G,133Bを覆うようにしてITOからなる対向電極134が形成されている。更に、対向電極134の下には、突起バターン135が形成されている。この突起パターンは、第4の実施の形態と同様に、TFT基板110側に設けられた画素電極102のスリット102a間に配置されている(図19参照)。   A counter electrode 134 made of ITO is formed on the lower surface side of the glass substrate 131 so as to cover the color filters 133R, 133G, and 133B. Further, a protrusion pattern 135 is formed under the counter electrode 134. Similar to the fourth embodiment, this protrusion pattern is disposed between the slits 102a of the pixel electrode 102 provided on the TFT substrate 110 side (see FIG. 19).

更にまた、対向電極134の下には垂直配向膜136が形成されており、突起パターン135の表面はこの垂直配向膜136により覆われている。図26,図27は本実施の形態の液晶表示装置のCF基板130の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、図26(a)に示すように、ガラス基板131上に低反射Cr膜を約0.16μmの厚さに成膜し、その上にポジ型ノボラック樹脂からなる感光性レジスト137を約4.0μmの厚さに形成する。そして、このレジスト137を露光及び現像処理して、所定のブラックマトリクスパターンとする。その後、レジスト137に覆われていない部分のCr膜をエッチングにより除去して、レジスト137の下方にのみCr膜を残存させる。このレジスト137の下方に残存したCr膜がブラックマトリクス132となる。   Furthermore, a vertical alignment film 136 is formed under the counter electrode 134, and the surface of the projection pattern 135 is covered with the vertical alignment film 136. 26 and 27 are cross-sectional views showing the method of manufacturing the CF substrate 130 of the liquid crystal display device of this embodiment in the order of steps. First, as shown in FIG. 26A, a low reflection Cr film is formed on a glass substrate 131 to a thickness of about 0.16 μm, and a photosensitive resist 137 made of a positive novolac resin is formed on the glass substrate 131 about 4 times. A thickness of 0.0 μm is formed. Then, the resist 137 is exposed and developed to form a predetermined black matrix pattern. Thereafter, the portion of the Cr film not covered with the resist 137 is removed by etching, and the Cr film remains only under the resist 137. The Cr film remaining under the resist 137 becomes the black matrix 132.

次に、図26(b)に示すように、ガラス基板131上に、青色カラーフィルタ133Bを1.5μmの厚さに形成する。青色カラーフィルタ133Bの材料としては青色顔料を分散した感光性レジストを使用し、この感光性レジストをガラス基板131上に塗布した後、露光及び現像処理を施すことにより、青色カラーフィルタ133Bを形成することができる。   Next, as shown in FIG. 26B, a blue color filter 133B is formed on the glass substrate 131 to a thickness of 1.5 μm. As a material of the blue color filter 133B, a photosensitive resist in which a blue pigment is dispersed is used. After the photosensitive resist is applied on the glass substrate 131, the blue color filter 133B is formed by performing exposure and development processing. be able to.

次に、図26(c)に示すように、赤色顔料を分散した感光性レジストを使用して、ガラス基板131上に赤色カラーフィルタ133Rを1.5μmの厚さに形成する。次に、図27(a)に示すように、緑色顔料を分散した感光性レジストを使用して、ガラス基板131上に緑色カラーフィルタ133Gを1.5μmの厚さに形成する。ここまでの工程で、低反射Crブラックマトリクス132、ブラックマトリクス132上のレジスト137、各カラーフィルタ133R,133G,133Bの重なり部分の高さ(画素部分のフィルタ表面からの突出高さ)は約3.8μmとなる。   Next, as shown in FIG. 26C, a red color filter 133R is formed to a thickness of 1.5 μm on the glass substrate 131 using a photosensitive resist in which a red pigment is dispersed. Next, as shown in FIG. 27A, a green color filter 133G is formed to a thickness of 1.5 μm on a glass substrate 131 using a photosensitive resist in which a green pigment is dispersed. In the process so far, the height of the overlapping portion of the low reflection Cr black matrix 132, the resist 137 on the black matrix 132, and the color filters 133R, 133G, and 133B (the protruding height of the pixel portion from the filter surface) is about 3. .8 μm.

次に、図27(b)に示すように、全面にITOからなる対向電極114を例えば1500Åの厚さに形成する。次いで、図27(c)に示すように、対向電極114の上に突起パターン135をジグザグ形状(図19参照)に形成する。突起パターン135の高さは約1.5μmとする。カラーフィルタの重なり部分では、突起パターン135の高さは1.5μmよりも低くなる。突起パターン135の材料としては、ポジ型ノボラック樹脂を使用することができる。   Next, as shown in FIG. 27B, a counter electrode 114 made of ITO is formed on the entire surface to a thickness of 1500 mm, for example. Next, as shown in FIG. 27C, a projection pattern 135 is formed in a zigzag shape (see FIG. 19) on the counter electrode 114. The height of the protrusion pattern 135 is about 1.5 μm. In the overlapping portion of the color filters, the height of the protrusion pattern 135 is lower than 1.5 μm. As a material of the projection pattern 135, a positive novolac resin can be used.

その後、ガラス基板131の上側全面に配向膜136を形成する。これによりCF基板130が完成する。この例では、スペーサ部の高さ(画素領域のフィルタ表面からの突出高さ)は約4.0μmとなる。本実施の形態においては、第4の実施の形態と同様の効果が得られるのに加えて、低反射Crからなるブラックマトリクスを形成する際に使用したレジストをそのまま残してセル厚調整用のスペーサとするので、工程数の増加を回避できるという利点がある。   Thereafter, an alignment film 136 is formed on the entire upper surface of the glass substrate 131. Thereby, the CF substrate 130 is completed. In this example, the height of the spacer portion (the protruding height of the pixel region from the filter surface) is about 4.0 μm. In this embodiment, in addition to the same effects as those of the fourth embodiment, the cell thickness adjusting spacer is left as it is when the black matrix made of low reflection Cr is formed. Therefore, there is an advantage that an increase in the number of steps can be avoided.

なお、本実施の形態ではレジスト137の上にRGBのカラーフィルタを3層を重ねたが、1層又は2層重ねとしてもよい。また、本実施の形態では、レジスト137の上にカラーフィルタを重ねるため、レジスト137上のカラーフィルタの厚さは薄くなる。このため、所定のセル厚を確保するために、ブラックマトリクス132とレジスト137との合計の厚さを、各カラーフィルタ133R,133G,133Bの画素領域における厚さよりも厚くすることが好ましい。   Although three layers of RGB color filters are stacked on the resist 137 in this embodiment, one layer or two layers may be stacked. In this embodiment, since the color filter is overlaid on the resist 137, the thickness of the color filter on the resist 137 is reduced. For this reason, in order to ensure a predetermined cell thickness, it is preferable that the total thickness of the black matrix 132 and the resist 137 is made larger than the thickness in the pixel region of each of the color filters 133R, 133G, and 133B.

(第7の実施の形態)
図28は本発明の第7の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図、図29(a)は図28のB−B線による断面図、図29(b)は図28のC−C線による断面図である。なお、本実施の形態の液晶表示装置のTFT基板側の構造は第4の実施の形態と同一であるので、図29において図18と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。また、図29においては、TFT基板を上側、CF基板を下側に示している。
(Seventh embodiment)
FIG. 28 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a seventh embodiment of the present invention, FIG. 29A is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 28, and FIG. 29B is CC in FIG. It is sectional drawing by a line. The structure on the TFT substrate side of the liquid crystal display device of this embodiment is the same as that of the fourth embodiment. Therefore, in FIG. 29, the same components as those in FIG. To do. In FIG. 29, the TFT substrate is shown on the upper side and the CF substrate is shown on the lower side.

本実施の形態の液晶表示装置は、TFT基板100とCF基板140との間に負の誘電率異方性を有する液晶49を封入した構造を有している。また、TFT基板100の上側及びCF基板140の下側にはそれぞれ偏光板(図示せず)が配置されている。これらの偏光板は、偏光軸が相互に直交するように配置されている。   The liquid crystal display device of this embodiment has a structure in which a liquid crystal 49 having negative dielectric anisotropy is sealed between a TFT substrate 100 and a CF substrate 140. Further, polarizing plates (not shown) are disposed on the upper side of the TFT substrate 100 and the lower side of the CF substrate 140, respectively. These polarizing plates are arranged so that their polarization axes are orthogonal to each other.

CF基板140は、ガラス基板141と、ガラス基板141の上側に形成されたカラーフィルタ143R(赤),143G(緑),143B(青)、対向電極144及び配向膜146等により構成される。ずなわち、図29に示すように、ガラス基板141の上にはカラーフィルタ143R,143G,143Bが形成されている。各画素領域にはこれらのカラーフィルタ143R,143G,143Bのうちのいずれか1色のフィルタが配置されている。また、画素と画素との間の領域ではカラーフィルタ143Bと、カラーフィルタ143R又はカラーフィルタ143Gのいずれか1つとが2層に重なってブラックマトリクス142となっている。更に、ゲートバスライン103bとドレインバスライン103aとが交差する地点の近傍のスペーサ部148では、カラーフィルタ143R,143G,143Bが3層に重なっている。   The CF substrate 140 includes a glass substrate 141, color filters 143R (red), 143G (green), 143B (blue) formed on the upper side of the glass substrate 141, a counter electrode 144, an alignment film 146, and the like. In other words, as shown in FIG. 29, color filters 143R, 143G, and 143B are formed on the glass substrate 141. Any one of these color filters 143R, 143G, and 143B is disposed in each pixel region. In the region between the pixels, the color filter 143B and any one of the color filter 143R or the color filter 143G overlap each other to form a black matrix 142. Further, in the spacer portion 148 near the point where the gate bus line 103b and the drain bus line 103a intersect, the color filters 143R, 143G, and 143B are overlapped in three layers.

これらのカラーフィルタ143R,143G,143Bの上にはITOからなる対向電極144が形成されている。また、対向電極144上には、図28に示すように、絶縁性樹脂からなる突起パターン145がジグザグ形状に形成されている。更に、対向電極144及び突起パターン145の表面を覆うようにして垂直配向膜144が形成されている。   On these color filters 143R, 143G, 143B, a counter electrode 144 made of ITO is formed. On the counter electrode 144, as shown in FIG. 28, a projection pattern 145 made of an insulating resin is formed in a zigzag shape. Further, a vertical alignment film 144 is formed so as to cover the surfaces of the counter electrode 144 and the protrusion pattern 145.

このように構成されたCF基板140は、スペーサ部148の突起145の先端部分でTFT基板100に接触し、TFT基板100とCF基板140との間のセル厚を一定に維持するようになっている。なお、スペーサ部148のサイズは30μm×30μmである。図30,図31は本実施の形態の液晶表示装置のCF基板の製造方法を工程順に示す平面図、図32は同じくその断面図である。なお、図32は図28のC−C線における断面を示している。   The thus configured CF substrate 140 comes into contact with the TFT substrate 100 at the tip of the protrusion 145 of the spacer portion 148, and the cell thickness between the TFT substrate 100 and the CF substrate 140 is kept constant. Yes. The size of the spacer portion 148 is 30 μm × 30 μm. 30 and 31 are plan views showing the method of manufacturing the CF substrate of the liquid crystal display device of the present embodiment in the order of steps, and FIG. 32 is a sectional view of the same. FIG. 32 shows a cross section taken along the line CC of FIG.

まず、図30(a)及び図32(a)に示すように、青色顔料を分散した感光性レジストを使用し、ガラス基板141上の青色画素形成領域及びブラックマトリクス領域に青色カラーフィルタ143Bを約1.5μmの厚さに形成する。次に、図30(b)及び図32(b)に示すように、赤色顔料を分散した感光性レジストを使用し、ガラス基板141上の赤色画素形成領域に赤色カラーフィルタ143Rを約1.5μmの厚さに形成する。このとき同時に、赤色画素の周囲のブラックマトリクス形成領域、スペーサ部形成領域及び青色画素の周囲のブラックマトリクス形成領域の青色カラーフィルタ143Bの上に、赤色カラーフィルタ143Rを重ねて形成する。但し、赤色画素と緑色画素との間のブラックマトリクス形成領域では、赤色画素側の半分の領域にのみ赤色カラーフィルタ143Rを形成する。また、緑色画素と青色画素との間のブラックマトリクス形成領域の上には、赤色カラーフィルタ143Rを形成しない。   First, as shown in FIGS. 30A and 32A, a photosensitive resist in which a blue pigment is dispersed is used, and a blue color filter 143B is provided in a blue pixel formation region and a black matrix region on a glass substrate 141. It is formed to a thickness of 1.5 μm. Next, as shown in FIGS. 30B and 32B, a photosensitive resist in which a red pigment is dispersed is used, and a red color filter 143R is formed in a red pixel formation region on the glass substrate 141 by about 1.5 μm. The thickness is formed. At the same time, the red color filter 143R is formed on the black color filter 143B in the black matrix formation region around the red pixel, the spacer portion formation region, and the black matrix formation region around the blue pixel. However, in the black matrix formation region between the red pixel and the green pixel, the red color filter 143R is formed only in the half region on the red pixel side. Further, the red color filter 143R is not formed on the black matrix formation region between the green pixel and the blue pixel.

次に、図31,図32(c)に示すように、緑色顔料を分散した感光性レジストを使用し、ガラス基板141上の緑色画素形成領域に緑色カラーフィルタ143Gを約15μmの厚さに形成する。このとき同時に、緑色画素の周囲のブラックマトリクス形成領域及びスペーサ部形成領域の青色カラーフィルタ143B又は赤色カラーフィルタ143Rの上に、緑色カラーフィルタ143Gを重ねて形成する。但し、緑色画素と赤色画素との間のブラックマトリクス形成領域では、緑色画素側の半分の領域にのみ緑色カラーフィルタ143Gを形成する。   Next, as shown in FIGS. 31 and 32C, a green color filter 143G is formed in a green pixel formation region on the glass substrate 141 to a thickness of about 15 μm using a photosensitive resist in which a green pigment is dispersed. To do. At the same time, the green color filter 143G is formed on the black matrix forming region around the green pixel and the blue color filter 143B or the red color filter 143R in the spacer forming region. However, in the black matrix formation region between the green pixel and the red pixel, the green color filter 143G is formed only in the half region on the green pixel side.

次いで、図28及び図29に示すように、カラーフィルタ143R,143G,143Bの上にITOを約1000Åの厚さに形成して画素電極144とする。その後、画素電極144の上にポジ型レジストを成膜し、露光及び現像処理を施して、幅が約10μm、高さが約1.5μmの突起パターン145を形成する。そして、ガラス基板141の上側全面に垂直配向膜146を約800Åの厚さに形成する。これによりCF基板140が完成する。このようにしてCF基板140を形成した場合、スペーサ部148の高さは約3.8μmとなる。   Next, as shown in FIGS. 28 and 29, ITO is formed on the color filters 143R, 143G, and 143B to a thickness of about 1000 mm to form a pixel electrode 144. Thereafter, a positive resist film is formed on the pixel electrode 144, and exposure and development processes are performed to form a protrusion pattern 145 having a width of about 10 μm and a height of about 1.5 μm. Then, a vertical alignment film 146 is formed on the entire upper surface of the glass substrate 141 to a thickness of about 800 mm. Thereby, the CF substrate 140 is completed. When the CF substrate 140 is thus formed, the height of the spacer portion 148 is about 3.8 μm.

以下、本実施の形態の効果について説明する。ブラックマトリクスをRGBのカラーフィルタの3層構造とした場合、ブラックマトリクスの側壁部分の傾斜角度が大きくなり、ブラックマトリクスの側壁部分の近傍では液晶分子の角度が基板に対しほぼ水平となってしまう。このような配向異常は、電圧無印加時の光の漏れの原因となるとともに、電圧印加時の透過率の低下の原因となり、コントラストの大幅な低下を招く。   Hereinafter, effects of the present embodiment will be described. When the black matrix has a three-layer structure of RGB color filters, the inclination angle of the side wall portion of the black matrix increases, and the angle of the liquid crystal molecules becomes substantially horizontal to the substrate in the vicinity of the side wall portion of the black matrix. Such an orientation abnormality causes light leakage when no voltage is applied, and also causes a decrease in transmittance when a voltage is applied, resulting in a significant decrease in contrast.

図33は横軸に画素領域とブラックマトリクスとの段差をとり、縦軸にコントラストをとって、画素領域エッジ部の段差とコントラストとの関係を示す図である。この図からわかるように、段差が1.5μmを超えると、コントラストは200未満となってしまう。そこで、本実施の形態では、青色カラーフィルタ143Bと赤色カラーフィルタ143R又は緑色カラーフィルタ143Gとの2層によりブラックマトリクス142を構成している。これにより、画素領域とブラックマトリクスとの間の段差は3層構造のときの約2/3となり、液晶分子が基板に対しほぼ水平に配向する領域はセルギャップ方向で約2/3と少なくなり、光漏れが低減される。   FIG. 33 is a diagram showing the relationship between the step of the pixel region edge and the contrast, with the horizontal axis representing the step between the pixel region and the black matrix and the vertical axis representing the contrast. As can be seen from this figure, when the step exceeds 1.5 μm, the contrast is less than 200. Therefore, in this embodiment, the black matrix 142 is configured by two layers of the blue color filter 143B and the red color filter 143R or the green color filter 143G. As a result, the level difference between the pixel region and the black matrix is about 2/3 of the three-layer structure, and the region where the liquid crystal molecules are aligned almost horizontally with respect to the substrate is about 2/3 in the cell gap direction. , Light leakage is reduced.

また、ブラックマトリクスと画素領域との間の段差の傾斜角度が大きいと、液晶分子の配向は基板に対し水平に近づき、段差の傾斜角度が小さいと液晶分子の配向は基板に対し垂直に近づく。図34は横軸に段差部の傾斜角度をとり、縦軸にコントラストをとって両者の関係を示す図である。この図に示すように、傾斜角度が30度以下の場合は、コントラストが250以上となり、十分なコントラストが得られる。   In addition, when the step inclination angle between the black matrix and the pixel region is large, the alignment of the liquid crystal molecules approaches horizontal with respect to the substrate, and when the step inclination angle is small, the alignment of liquid crystal molecules approaches perpendicular to the substrate. FIG. 34 is a diagram showing the relationship between the horizontal axis with the step angle and the vertical axis with contrast. As shown in this figure, when the tilt angle is 30 degrees or less, the contrast is 250 or more, and sufficient contrast is obtained.

ところで、各カラーフィルタの明るさへの寄与を考えた場合、RGBの明るさへの寄与度は、R:G:B=3:3:1となる。従って、青色画素の部分での光漏れは、コントラストの低下には影響が少なく、赤色又は青色画素の部分での光漏れはコントラストの低下に大きく影響する。本実施の形態では、赤色画素の周囲ではブラックマトリクスの最上層を赤色カラーフィルタで構成し、緑色画素の周囲ではブラックマトリクスの最上層を緑色カラーフィルタで構成している。このため、赤色画素とその周囲のブラックマトリクスとの間、及び緑色画素とその周囲のブラックマトリクスとの間の傾斜が緩やかになり、配向異常によるコントラストの低下を低減することができる。なお、青色画素の周囲では傾斜角度が大きくなるが、上述したように青色画素の明るさへの寄与度が小さいので、傾斜角度が大きくなることによる青色画素での光漏れが問題となることはない。   By the way, when the contribution to the brightness of each color filter is considered, the contribution to the brightness of RGB is R: G: B = 3: 3: 1. Therefore, the light leakage at the blue pixel portion has little influence on the decrease in contrast, and the light leakage at the red or blue pixel portion greatly affects the decrease in contrast. In the present embodiment, the uppermost layer of the black matrix is composed of a red color filter around the red pixel, and the uppermost layer of the black matrix is composed of the green color filter around the green pixel. For this reason, the slopes between the red pixel and the surrounding black matrix and between the green pixel and the surrounding black matrix become gentle, and it is possible to reduce a decrease in contrast due to an abnormal alignment. Although the tilt angle increases around the blue pixel, as described above, since the contribution to the brightness of the blue pixel is small, light leakage at the blue pixel due to the large tilt angle is a problem. Absent.

実際に上記の方法で液晶表示装置を作成してコントラストを調べたところ、コントラストは400以上であった。画素領域とブラックマトリクスとの間の段差の傾斜角度を変化させる方法としては、カラーフィルタを形成するときの露光条件や現像条件を変化させる方法や、カラーフィルタの材料となる樹脂を変える方法がある。これらの方法を使用することにより、画素領域とブラックマトリクスとの間の段差の傾斜角度を30度以下とすることができる。   When the liquid crystal display device was actually produced by the above method and the contrast was examined, the contrast was 400 or more. As a method of changing the inclination angle of the step between the pixel region and the black matrix, there are a method of changing an exposure condition and a development condition when forming a color filter, and a method of changing a resin as a material of the color filter. . By using these methods, the inclination angle of the step between the pixel region and the black matrix can be set to 30 degrees or less.

(第8の実施の形態)
図35は本発明の第8の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。なお、本実施の形態は、液晶表示装置の表示領域の外側に冗長遮光膜を配置したものであり、その他の部分の構成は例えば前述の第1〜第7の実施の形態に示す構成を適用することができる。
(Eighth embodiment)
FIG. 35 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to an eighth embodiment of the present invention. In the present embodiment, a redundant light-shielding film is arranged outside the display area of the liquid crystal display device, and the configuration of the other portions is applied, for example, to the configuration shown in the first to seventh embodiments. can do.

本実施の形態においては、TFT基板150の表示領域の外側のガラス基板151上に冗長遮光膜152が形成されている。冗長遮光膜152は、光を遮断する例えばAl(アルミニウム)膜とTi(チタン)膜との多層金属膜、又はCr膜等の金属膜又は金属酸化膜により構成される。TFT基板150側の垂直配向膜156の端部は、この冗長遮光膜152の表示領域側端部の上に重なっている。本実施の形態では冗長遮光膜152の幅を2.0mmとしているが、冗長遮光膜152の幅はパターン形成時の位置決め精度に応じて決定し、配向膜156との間に隙間が生じないようにする必要がある。   In the present embodiment, the redundant light shielding film 152 is formed on the glass substrate 151 outside the display area of the TFT substrate 150. The redundant light shielding film 152 is made of, for example, a multilayer metal film of an Al (aluminum) film and a Ti (titanium) film, or a metal film such as a Cr film or a metal oxide film that blocks light. The edge of the vertical alignment film 156 on the TFT substrate 150 side overlaps the edge of the redundant light shielding film 152 on the display area side. In this embodiment, the width of the redundant light shielding film 152 is set to 2.0 mm. However, the width of the redundant light shielding film 152 is determined according to the positioning accuracy at the time of pattern formation so that no gap is generated between the redundant light shielding film 152 and the alignment film 156. It is necessary to.

なお、TFT基板150の表示領域には、複数の画素電極(図示せず)と、各画素電極毎に配置されたTFT(図示せず)と、該TFTに接続されたバスライン(図示せず)と、画素電極の上を覆う垂直配向膜156とが形成されている。CF基板160には、第1〜第7の実施の形態と同様に、各画素領域に配置されたカラーフィルタ(図示せず)と、ブラックマトリクス162と、表示領域内に存在するカラーフィルタ及びブラックマトリクス162の上を覆う対向電極(図示せず)と、対向電極を覆う垂直配向膜166が形成されている。本実施の形態では、ブラックマトリクス162が、青色カラーフィルタと赤色カラーフィルタとの2層により構成されているものとする。また、ブラックマトリクス162の縁部(表示領域の外側)は配向膜166に覆われていないものとする。TFT基板150側の冗長遮光膜152は、表示領域の外側のブラックマトリクス162に対向するように対向するように配置されている。   In the display area of the TFT substrate 150, a plurality of pixel electrodes (not shown), TFTs (not shown) arranged for each pixel electrode, and bus lines (not shown) connected to the TFTs. ) And a vertical alignment film 156 that covers the pixel electrode. Similar to the first to seventh embodiments, the CF substrate 160 includes a color filter (not shown) arranged in each pixel region, a black matrix 162, and a color filter and a black that exist in the display region. A counter electrode (not shown) that covers the matrix 162 and a vertical alignment film 166 that covers the counter electrode are formed. In this embodiment, it is assumed that the black matrix 162 is composed of two layers of a blue color filter and a red color filter. Further, it is assumed that the edge of the black matrix 162 (outside the display area) is not covered with the alignment film 166. The redundant light shielding film 152 on the TFT substrate 150 side is arranged so as to face the black matrix 162 outside the display area.

TFT基板150側のバスライン(ゲートバスライン又はドレインバスライン)は外部回路と接続するために、表示領域から基板151の端部まで引き出されている。このため、バスライン同士が冗長遮光膜152を介して電気的に接続しないように、冗長遮光膜152はバスライン間に形成するか、又はバスラインとは別の層に形成する必要がある。冗長遮光膜152をバスラインと別の層に形成する場合は、バスライン同士の容量カップリングを防止するために、図36に示すように、バスライン153の直上又は直下に冗長遮光膜152を配置しないことが好ましい。   A bus line (gate bus line or drain bus line) on the TFT substrate 150 side is drawn from the display area to the end of the substrate 151 to be connected to an external circuit. Therefore, it is necessary to form the redundant light shielding film 152 between the bus lines or in a layer different from the bus line so that the bus lines are not electrically connected via the redundant light shielding film 152. When the redundant light shielding film 152 is formed in a layer different from the bus line, in order to prevent capacitive coupling between the bus lines, as shown in FIG. It is preferable not to arrange.

以下、本実施の形態の効果について説明する。カラーフィルタを重ねてブラックマトリクスとする場合、カラーフィルタを3層重ねるとブラックマトリクスの厚さが厚くなって、段差部分で対向電極の断線(いわゆる段切れ)が発生しやすくなる。このため、カラーフィルタを重ねてブラックマトリクスとする場合は、カラーフィルタの層数は2層とすることが好ましい。カラーフィルタを2層又は3層に重ねた場合の透過率を下記表1に示す。但し、OD値は、透過率のログ値である。   Hereinafter, effects of the present embodiment will be described. In the case where the color filters are overlapped to form a black matrix, if the three layers of color filters are stacked, the thickness of the black matrix increases, and the disconnection (so-called step disconnection) of the counter electrode is likely to occur at the step portion. For this reason, when the color filters are overlapped to form a black matrix, the number of color filter layers is preferably two. Table 1 shows the transmittance when the color filters are stacked in two or three layers. However, the OD value is a log value of transmittance.

Figure 2008197673
Figure 2008197673

この表からわかるように、2色のカラーフィルタを重ねてブラックマトリクスとする場合、青色カラーフィルタと赤色カラーフィルタとの組み合わせが最も効率よく光を遮断することができる。しかし、実際にブラックマトリクスを青色カラーフィルタと赤色カラーフィルタとにより構成した液晶表示装置を作成すると、表示領域の外側部分で青色光の光漏れが発生する。これは、以下の理由によると考えられる。   As can be seen from this table, when two color filters are overlapped to form a black matrix, the combination of a blue color filter and a red color filter can block light most efficiently. However, when a liquid crystal display device in which a black matrix is actually configured with a blue color filter and a red color filter is produced, light leakage of blue light occurs in an outer portion of the display area. This is considered to be due to the following reason.

図37は、冗長遮光膜がない液晶表示装置の断面図である。なお、図37において、図35と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。この液晶表示装置では、青色カラーフィルタの上に赤色カラーフィルタを重ねてブラックマトリクスを構成しているものとする。一般的に、図37に示すように、CF基板160側の表示領域の外側のブラックマトリクス162の縁部は配向膜166に覆われていない。この部分では、液晶分子がランダムに配向するため、電圧無印加時の光の透過率が高くなる。   FIG. 37 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device without a redundant light shielding film. 37, the same components as those in FIG. 35 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In this liquid crystal display device, it is assumed that a black matrix is formed by overlapping a red color filter on a blue color filter. In general, as shown in FIG. 37, the edge of the black matrix 162 outside the display area on the CF substrate 160 side is not covered with the alignment film 166. In this part, since the liquid crystal molecules are randomly oriented, the light transmittance is increased when no voltage is applied.

図38は、青色、緑色及び赤色の各カラーフィルタの波長分光特性を示す図である。この図に示すように、青色領域の波長の光に対する赤色カラーフィルタの透過率が比較的高いため、青色カラーフィルタと赤色カラーフィルタとを重ねても、短波長領域の光を十分にカットすることができない。このため、青色カラーフィルタと赤色カラーフィルタとにより構成されるブラックマトリクスでは、短波長側の光(青色光)が透過し、青色光漏れとして観察される。   FIG. 38 is a diagram illustrating wavelength spectral characteristics of the blue, green, and red color filters. As shown in this figure, the transmittance of the red color filter with respect to the light of the wavelength in the blue region is relatively high, so even if the blue color filter and the red color filter are overlapped, the light in the short wavelength region is sufficiently cut off. I can't. For this reason, in the black matrix comprised of a blue color filter and a red color filter, light on the short wavelength side (blue light) is transmitted and observed as blue light leakage.

しかし、本実施の形態では、表示領域の外側に冗長遮光膜152を配置しているので、表示領域の外側に発生する青色光漏れを確実に遮断することができる。また、本実施の形態では、CF基板160側のブラックマトリクス162が青色及び赤色のカラーフィルタにより構成されているので、TFT基板150側の金属からなる冗長遮光膜152に比べて反射率が低く、外光反射防止膜としての効果もある。これにより、表示品質が向上するという利点がある。   However, in this embodiment, since the redundant light shielding film 152 is disposed outside the display area, it is possible to reliably block blue light leakage that occurs outside the display area. In the present embodiment, since the black matrix 162 on the CF substrate 160 side is composed of blue and red color filters, the reflectance is lower than that of the redundant light shielding film 152 made of metal on the TFT substrate 150 side. There is also an effect as an external light antireflection film. Thereby, there is an advantage that display quality is improved.

(第9の実施の形態)
図39は本発明の第9の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。なお、図39において、図35と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。本実施の形態においては、CF基板160に形成されたカラーフィルタ162が青色カラーフィルタ及び赤色カラーフィルタを積層して構成されている。また、CF基板160の上面(TFT基板150に対向する面と反対側の面)であって、表示領域の外側の部分に、UV(ultraviolet )コート膜からなる冗長遮光膜163が形成されている。UVコート膜は、例えば蒸着法によりTiO膜とSiO膜とを多層に積層して形成されたものであり、カットオフ波長は500nm以下である。
(Ninth embodiment)
FIG. 39 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to a ninth embodiment of the present invention. 39, the same components as those in FIG. 35 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In the present embodiment, the color filter 162 formed on the CF substrate 160 is configured by laminating a blue color filter and a red color filter. Further, a redundant light shielding film 163 made of a UV (ultraviolet) coat film is formed on the upper surface of the CF substrate 160 (the surface opposite to the surface facing the TFT substrate 150) and outside the display region. . The UV coat film is formed by laminating a TiO 2 film and a SiO 2 film in multiple layers, for example, by vapor deposition, and has a cutoff wavelength of 500 nm or less.

本実施の形態においては、表示領域の外側部分で青色カラーフィルタ及び赤色カラーフィルタにより構成されたブラックマトリクスを青色光が透過しても、冗長遮光膜163により青色光が遮断されるので、青光漏れを確実に防止することができる。なお、本実施の形態においては、CF基板160側にUVコート膜からなる冗長遮光膜163を形成したが、冗長遮光膜はTFT基板150側に形成してもよく、CF基板160及びTFT基板150の両方に形成してもよい。   In the present embodiment, even if blue light is transmitted through the black matrix composed of the blue color filter and the red color filter in the outer portion of the display area, the blue light is blocked by the redundant light shielding film 163. Leakage can be reliably prevented. In this embodiment, the redundant light shielding film 163 made of the UV coating film is formed on the CF substrate 160 side. However, the redundant light shielding film may be formed on the TFT substrate 150 side, and the CF substrate 160 and the TFT substrate 150 may be formed. You may form in both.

(第10の実施の形態)
図40は本発明の第10の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。なお、図40においても、図35と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。TFT基板150及びCF基板160を接合してなる液晶パネルを挟んで、一対の偏光板158,168が配置される。これらの偏光板158,168は、偏光軸が相互に直交するように配置される。本実施の形態では、これらの偏光板158,168のうちの少なくとも一方の偏光板に、冗長遮光膜169としてUVコート膜を形成している。但し、冗長遮光膜169は、表示領域の外側部分であって、ブラックマトリクス162が垂直配向膜166に覆われていない部分に対応する領域に形成する。
(Tenth embodiment)
FIG. 40 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to a tenth embodiment of the present invention. 40, the same components as those in FIG. 35 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. A pair of polarizing plates 158 and 168 are arranged with a liquid crystal panel formed by bonding the TFT substrate 150 and the CF substrate 160 interposed therebetween. These polarizing plates 158 and 168 are arranged so that the polarization axes are orthogonal to each other. In this embodiment, a UV coat film is formed as a redundant light shielding film 169 on at least one of the polarizing plates 158 and 168. However, the redundant light shielding film 169 is formed in a region corresponding to a portion outside the display region and where the black matrix 162 is not covered with the vertical alignment film 166.

本実施の形態では、第8の実施の形態と同様の効果が得られるのに加えて、液晶パネルに直接冗長遮光膜169(UVコート膜)を形成するのではないため、UVコート膜の形成が容易であるという利点がある。   In this embodiment, in addition to obtaining the same effect as in the eighth embodiment, the redundant light shielding film 169 (UV coat film) is not directly formed on the liquid crystal panel. Has the advantage of being easy.

(第11の実施の形態)
図41は本発明の第11の実施の形態の液晶表示装置のCF基板を示す平面図である。本実施の形態において、TFT基板の構造は例えば第1〜第7の実施の形態に示す構成を適用することができる。図41において、177は表示領域、178は表示領域の外側部分、179はトランスファ接続部を示す。また、図42(a)は表示領域177におけるCF基板の断面図、図42(b)は表示領域の外側におけるCF基板の断面図である。
(Eleventh embodiment)
FIG. 41 is a plan view showing a CF substrate of the liquid crystal display device according to the eleventh embodiment of the present invention. In this embodiment, the structure shown in the first to seventh embodiments can be applied to the structure of the TFT substrate, for example. 41, reference numeral 177 denotes a display area, 178 denotes an outer portion of the display area, and 179 denotes a transfer connection portion. FIG. 42A is a cross-sectional view of the CF substrate in the display area 177, and FIG. 42B is a cross-sectional view of the CF substrate in the outside of the display area.

本実施の形態において、CF基板170側の表示領域177内のブラックマトリクスは、青色カラーフィルタと赤色カラーフィルタとの2層構造により構成されている。また、表示領域よりも外側の部分178では、赤色、緑色及び青色カラーフィルタの3層構造により冗長遮光膜175が構成されている。通常、液晶表示装置では、CF基板側の対向電極とTFT基板側の電圧印加部とが、表示領域の外側の部分でトランスファといわれる導電体を介して電気的に接続される。トランスファは、トランスファ接続部179に配置される。   In the present embodiment, the black matrix in the display region 177 on the CF substrate 170 side has a two-layer structure of a blue color filter and a red color filter. In addition, in the portion 178 outside the display area, a redundant light shielding film 175 is configured by a three-layer structure of red, green, and blue color filters. In general, in a liquid crystal display device, a counter electrode on the CF substrate side and a voltage application unit on the TFT substrate side are electrically connected to each other through a conductor called a transfer at a portion outside the display region. The transfer is arranged at the transfer connection 179.

表示領域の外側部分の冗長遮光膜の全部を3色のカラーフィルタの3層構造としてしまうと、表示領域177とその外側の部分178との段差が大きくなり、対向電極(ITO膜)が連続的に形成されず、段切れ(断線)が発生するおそれがある。そこで、本実施の形態においては、図42(b)に示すように、トランスファ接続部179のカラーフィルタを2層重ねとし、接続不良の発生を防止している。   If all of the redundant light-shielding films on the outer side of the display area have a three-layer structure of three color filters, the step between the display area 177 and the outer part 178 becomes large, and the counter electrode (ITO film) is continuous. There is a risk of disconnection (disconnection). Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 42B, the color filters of the transfer connection portion 179 are stacked in two layers to prevent connection failure.

このように、本実施の形態においては、表示領域の外側部分の冗長遮光膜175を、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタの3層により構成しているので、表示領域の外側部分の青色光漏れを確実に回避することができる。また、表示領域の外側であってトランスファによりTFT基板側の電極と電気的に接続する部分(トランスファ接続部179)のカラーフィルタを2層重ねとしているので、ITO膜形成時の段切れが発生しにくく、製造歩留まりの低下が回避される。   As described above, in the present embodiment, the redundant light shielding film 175 in the outer portion of the display area is configured by the three layers of the red, green, and blue color filters. Can be reliably avoided. In addition, since the color filter of the portion (transfer connection portion 179) that is electrically connected to the electrode on the TFT substrate side by transfer is outside the display area, two layers of color filters are stacked, resulting in disconnection during the formation of the ITO film. It is difficult to avoid a decrease in manufacturing yield.

(付記)
(1)前記第1の液晶表示装置において、前記第1の基板の前記第1の電極と前記第1の垂直配向膜との間に、前記第1の突起パターンよりも低い第2の突起パターンを有することが好ましい。
(Appendix)
(1) In the first liquid crystal display device, a second protrusion pattern lower than the first protrusion pattern is provided between the first electrode of the first substrate and the first vertical alignment film. It is preferable to have.

(2)前記第1の液晶表示装置において、前記第1の基板の前記第1の電極にスリットが設けられていることが好ましい。   (2) In the first liquid crystal display device, it is preferable that a slit is provided in the first electrode of the first substrate.

(3)前記第2の液晶表示装置において、前記カラーフィルタのうち、青色のカラーフィルタが他の色のカラーフィルタと異なる厚さで形成されていることが好ましい。   (3) In the second liquid crystal display device, it is preferable that a blue color filter among the color filters is formed with a thickness different from that of other color filters.

(4)前記第2の液晶表示装置において、前記遮光膜は、黒色樹脂により前記カラーフィルタよりも厚く形成されていることが好ましい。   (4) In the second liquid crystal display device, it is preferable that the light shielding film is formed of a black resin so as to be thicker than the color filter.

(5)前記第2の液晶表示装置において、前記遮光膜は、前記カラーフィルタのうち、青色のカラーフィルタを含む少なくとも2以上のカラーフィルタが重なって構成されたものであることが好ましい。   (5) In the second liquid crystal display device, it is preferable that the light-shielding film is formed by overlapping at least two color filters including a blue color filter among the color filters.

(6)前記第2の液晶表示装置において、前記第1の基板の前記第1の電極と前記第1の垂直配向膜との間に第2の突起パターンが形成されていることが好ましい。   (6) In the second liquid crystal display device, it is preferable that a second protrusion pattern is formed between the first electrode of the first substrate and the first vertical alignment film.

(7)前記第2の液晶表示装置において、前記第1の基板の前記第1の電極にスリットが設けられていることが好ましい。   (7) In the second liquid crystal display device, it is preferable that a slit is provided in the first electrode of the first substrate.

(8)前記第1の液晶表示装置の製造方法において、前記第2の基板の上側に複数の画素電極を形成する工程の後に、前記画素電極の上方に絶縁材料からなる第2の突起パターンを形成する工程を有することが好ましい。   (8) In the method for manufacturing the first liquid crystal display device, after the step of forming a plurality of pixel electrodes on the second substrate, a second protrusion pattern made of an insulating material is formed above the pixel electrodes. It is preferable to have the process of forming.

(9)前記第1の液晶表示装置の製造方法において、前記遮光膜は黒色樹脂により形成し、前記カラーフィルタは該遮光膜よりも薄く形成することが好ましい。   (9) In the manufacturing method of the first liquid crystal display device, it is preferable that the light shielding film is formed of a black resin and the color filter is formed thinner than the light shielding film.

(10)前記第1の液晶表示装置の製造方法において、前記カラーフィルタのうち青色のカラーフィルタを他の色のカラーフィルタと異なる厚さで形成することが好ましい。   (10) In the manufacturing method of the first liquid crystal display device, it is preferable that a blue color filter among the color filters is formed with a thickness different from that of other color filters.

(11)前記第2の液晶表示装置の製造方法において、前記第2の基板の上側に複数の画素電極を形成する工程の後に、前記画素電極の上方に絶縁材料からなる第2の突起パターンを形成する工程を有することが好ましい。   (11) In the method for manufacturing the second liquid crystal display device, after the step of forming a plurality of pixel electrodes on the second substrate, a second protrusion pattern made of an insulating material is formed above the pixel electrodes. It is preferable to have the process of forming.

(12)前記第2の液晶表示装置の製造方法において、前記赤のカラーフィルタ、前記緑のカラーフィルタ及び前記青のカラーフィルタのうちの少なくとも1つは他のカラーフィルタと異なる厚さで形成することが好ましい。   (12) In the method for manufacturing the second liquid crystal display device, at least one of the red color filter, the green color filter, and the blue color filter is formed with a thickness different from that of the other color filters. It is preferable.

(13)前記第4の液晶表示装置において、前記遮光膜の厚さが前記カラーフィルタの厚さよりも厚いことが好ましい。   (13) In the fourth liquid crystal display device, it is preferable that a thickness of the light shielding film is larger than a thickness of the color filter.

(14)前記第4の液晶表示装置において、前記遮光膜が、金属又は金属化合物からなる膜と、その上に形成されたレジストとからなることが好ましい。   (14) In the fourth liquid crystal display device, it is preferable that the light shielding film includes a film made of a metal or a metal compound and a resist formed thereon.

(15)前記第5の液晶表示装置において、前記赤色画素領域とその周囲の前記遮光膜との間の傾斜角度、及び前記緑色画素領域とその周囲の前記遮光膜との間の傾斜角度がいずれも30度以下であることが好ましい。   (15) In the fifth liquid crystal display device, any of an inclination angle between the red pixel region and the surrounding light shielding film and an inclination angle between the green pixel region and the surrounding light shielding film Is preferably 30 degrees or less.

(16)前記第5の液晶表示装置において、前記赤色画素領域とその周囲の前記遮光膜との間の段差、及び前記緑色画素領域とその周囲の前記遮光膜との間の段差がいずれも1.5μm以下であることが好ましい。   (16) In the fifth liquid crystal display device, the step between the red pixel region and the surrounding light shielding film and the step between the green pixel region and the surrounding light shielding film are all 1 It is preferable that it is 5 μm or less.

(17)請求項1に記載の液晶表示装置において、前記冗長遮光膜は、金属又は金属化合物からなることが好ましい。   (17) In the liquid crystal display device of the first aspect, it is preferable that the redundant light shielding film is made of a metal or a metal compound.

(18)請求項1に記載の液晶表示装置において、前記冗長遮光膜は、カット波長が500nm以下のUVコート膜からなることが好ましい。   (18) In the liquid crystal display device according to claim 1, it is preferable that the redundant light shielding film is made of a UV coat film having a cut wavelength of 500 nm or less.

(19)請求項1に記載の液晶表示装置において、前記冗長遮光膜は、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタの3層構造からなることが好ましい。   (19) In the liquid crystal display device according to claim 1, it is preferable that the redundant light-shielding film has a three-layer structure of red, green and blue color filters.

図1は本発明の第1の実施の形態の液晶表示装置の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. 図2は第1の実施の形態の液晶表示装置のTFT基板の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the TFT substrate of the liquid crystal display device according to the first embodiment. 図3は第1の実施の形態の液晶表示装置のCF基板の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the CF substrate of the liquid crystal display device according to the first embodiment. 図4(a)は突起パターンにより配向分割が達成される原理を示す図、図4(b)は突起パターンと画素電極のスリットとにより配向分割が達成される原理を示す図である。FIG. 4A is a diagram showing the principle that alignment division is achieved by the projection pattern, and FIG. 4B is a diagram showing the principle that alignment division is achieved by the projection pattern and the slit of the pixel electrode. 図5はTFT基板側の画素電極にスリットを形成した例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an example in which a slit is formed in the pixel electrode on the TFT substrate side. 図6は突起パターン高さ/セル厚と白表示時の光の透過率との関係を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the protrusion pattern height / cell thickness and the light transmittance during white display. 図7は突起パターンのパターン幅と白表示時の光の透過率との関係を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the pattern width of the protrusion pattern and the light transmittance during white display. 図8は本発明の第2の実施の形態の液晶表示装置の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention. 図9は第2の実施の形態の液晶表示装置のCF基板の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a CF substrate of the liquid crystal display device according to the second embodiment. 図10はブラックマトリクス上の突起パターンの幅を他の部分と同じにしたときの問題点を示すCF基板の平面図である。FIG. 10 is a plan view of the CF substrate showing problems when the width of the protrusion pattern on the black matrix is made the same as that of other portions. 図11は本発明の第3の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention. 図12は第3の実施の形態の液晶表示装置のCF基板の平面図である。FIG. 12 is a plan view of a CF substrate of the liquid crystal display device according to the third embodiment. 図13は第3の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図(その1)である。FIG. 13 is a sectional view (No. 1) showing the method for manufacturing the liquid crystal display device of the third embodiment. 図14は第3の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図(その2)である。FIG. 14 is a sectional view (No. 2) showing the method for manufacturing the liquid crystal display device according to the third embodiment. 図15は第3の実施の形態の変形例を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing a modification of the third embodiment. 図16は赤、緑、青の各カラーフィルタを用いたときのセル厚と透過率との関係を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing the relationship between cell thickness and transmittance when red, green, and blue color filters are used. 図17は本発明の第4の実施の形態の液晶表示装置の断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention. 図18は図17の一部を拡大して示す図である。FIG. 18 is an enlarged view of a part of FIG. 図19は第4の実施の形態の液晶表示装置のCF基板を示す平面図である。FIG. 19 is a plan view showing a CF substrate of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment. 図20は第4の実施の形態の液晶表示装置のCF基板の製造方法を示す図(その1)である。FIG. 20 is a diagram (part 1) illustrating the method for manufacturing the CF substrate of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment. 図21は第4の実施の形態の液晶表示装置のCF基板の製造方法を示す図(その2)である。FIG. 21 is a diagram (No. 2) illustrating the method for manufacturing the CF substrate of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment. 図22はカラーフィルタの厚さとスペーサ部の高さとの関係を示す図である。FIG. 22 is a diagram showing the relationship between the thickness of the color filter and the height of the spacer portion. 図23は第4の実施の形態の変形例を示す断面図である。FIG. 23 is a cross-sectional view showing a modification of the fourth embodiment. 図24は本発明の第5の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 24 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention. 図25は本発明の第6の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 25 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to a sixth embodiment of the present invention. 図26は第6の実施の形態の液晶表示装置のCF基板の製造方法を示す図(その1)である。FIG. 26 is a diagram (part 1) illustrating the method for manufacturing the CF substrate of the liquid crystal display device according to the sixth embodiment. 図27は第6の実施の形態の液晶表示装置のCF基板の製造方法を示す図(その2)である。FIG. 27 is a diagram (No. 2) illustrating the method for manufacturing the CF substrate of the liquid crystal display device according to the sixth embodiment. 図28は本発明の第7の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。FIG. 28 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a seventh embodiment of the present invention. 図29(a)は図28のB−B線による断面図、図29(b)は図28のC−C線による断面図である。29A is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 28, and FIG. 29B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. 図30は第7の実施の形態の液晶表示装置のCF基板の製造方法を示す平面図(その1)である。FIG. 30 is a plan view (part 1) illustrating the method for manufacturing the CF substrate of the liquid crystal display device according to the seventh embodiment. 図31は第7の実施の形態の液晶表示装置のCF基板の製造方法を示す平面図(その2)である。FIG. 31 is a plan view (part 2) illustrating the method for manufacturing the CF substrate of the liquid crystal display device according to the seventh embodiment. 図32は第7の実施の形態の液晶表示装置のCF基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 32 is a cross-sectional view showing the method for manufacturing the CF substrate of the liquid crystal display device of the seventh embodiment. 図33は画素領域エッジ部の段差とコントラストとの関係を示す図である。FIG. 33 is a diagram showing the relationship between the level difference of the pixel region edge and the contrast. 図34は画素領域エッジ部の段差の傾斜角度とコントラストをとって両者の関係を示す図である。FIG. 34 is a diagram showing the relationship between the inclination angle of the step of the pixel region edge and the contrast. 図35は本発明の第8の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 35 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to an eighth embodiment of the present invention. 図36は第8の実施の形態の液晶表示装置を示す斜視図である。FIG. 36 is a perspective view showing a liquid crystal display device according to an eighth embodiment. 図37は冗長遮光膜がない液晶表示装置の断面図である。FIG. 37 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device without a redundant light shielding film. 図38は青色、緑色及び赤色の各カラーフィルタの波長分光特性を示す図である。FIG. 38 is a diagram showing the wavelength spectral characteristics of the blue, green and red color filters. 図39は本発明の第9の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 39 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to a ninth embodiment of the present invention. 図40は本発明の第10の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 40 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to a tenth embodiment of the present invention. 図41は本発明の第11の実施の形態の液晶表示装置のCF基板を示す平面図である。FIG. 41 is a plan view showing a CF substrate of the liquid crystal display device according to the eleventh embodiment of the present invention. 図42(a)は第11の実施の形態の液晶表示装置の表示領域におけるCF基板の断面図、図42(b)は表示領域の外側におけるCF基板の断面図である。FIG. 42A is a cross-sectional view of the CF substrate in the display region of the liquid crystal display device according to the eleventh embodiment, and FIG. 42B is a cross-sectional view of the CF substrate outside the display region. 図43は一般的なTN(Twisted Nematic )型液晶表示装置の構造を示す断面図である。FIG. 43 is a cross-sectional view showing the structure of a general TN (Twisted Nematic) type liquid crystal display device. 図44はノーマリホワイトモードのTN型液晶表示装置の動作を示す模式図である。FIG. 44 is a schematic diagram showing the operation of a normally white mode TN liquid crystal display device.

符号の説明Explanation of symbols

1a,1b,31,41,51,61,71,101,111,151,161, ガラス基板、
3a,3b,35,45,55,115,125,135,145 突起パターン、
4a,4b,36,46,56,106,116,146,156,166,176 垂直配向膜、
6,32a,102a スリット、
30,100,150 TFT基板、
32,62,102 画素電極、
40,50,110,120,130,160 CF基板、
42,52,72,112,122,132,142,162 ブラックマトリクス、
43,53,53R,53G,53B,73,113R,113G,113B,143R,143G,143B,173R,173G,173B カラーフィルタ、
44,54,75,114,124,174 対向電極、
49 液晶(ネガ型液晶)、
66,67 水平配向膜、
69 液晶(ポジ型液晶)、
70 スペーサ、
67,77 偏光板
117,118 セル厚調整層
137 レジスト
148 スペーサ部
152,163,169 冗長遮光膜。
1a, 1b, 31, 41, 51, 61, 71, 101, 111, 151, 161, glass substrate,
3a, 3b, 35, 45, 55, 115, 125, 135, 145 Projection pattern,
4a, 4b, 36, 46, 56, 106, 116, 146, 156, 166, 176, a vertical alignment film,
6, 32a, 102a slit,
30, 100, 150 TFT substrate,
32, 62, 102 pixel electrodes,
40, 50, 110, 120, 130, 160 CF substrate,
42, 52, 72, 112, 122, 132, 142, 162 Black matrix,
43, 53, 53R, 53G, 53B, 73, 113R, 113G, 113B, 143R, 143G, 143B, 173R, 173G, 173B color filters,
44, 54, 75, 114, 124, 174 counter electrode,
49 Liquid crystal (negative liquid crystal),
66, 67 horizontal alignment film,
69 liquid crystal (positive liquid crystal),
70 spacer,
67, 77 Polarizing plates 117, 118 Cell thickness adjusting layer 137 Resist 148 Spacers 152, 163, 169 Redundant light shielding films.

Claims (7)

一方の面側に形成された複数の第1の電極と、該第1の電極を覆う第1の配向膜とを有する第1の基板と、
前記第1の基板の前記第1の電極に対向して配置された赤色、緑色及び青色のカラーフィルタと、少なくとも2色のカラーフィルタを重ねて構成されたブラックマトリクスと、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスを覆う第2の電極と、前記第2の電極を覆う第2の配向膜とを有する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置において、
前記複数の第1の電極が配置されてなる表示領域の外側部分に、青色光を遮断する冗長遮光膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate having a plurality of first electrodes formed on one surface side and a first alignment film covering the first electrodes;
A black matrix formed by overlapping red, green and blue color filters disposed opposite to the first electrode of the first substrate; and at least two color filters; and the color filters and the black A second substrate having a second electrode covering the matrix and a second alignment film covering the second electrode;
In a liquid crystal display device having a liquid crystal having negative dielectric anisotropy sealed between the first substrate and the second substrate,
A liquid crystal display device, wherein a redundant light-shielding film for blocking blue light is formed on an outer portion of a display area where the plurality of first electrodes are arranged.
前記冗長遮光膜は、カットオフ波長が500nm以下のUVコート膜からなることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the redundant light shielding film is made of a UV coat film having a cutoff wavelength of 500 nm or less. 前記UVコート膜は、TiO膜とSiO膜とを多層に積層して形成されたものであることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。 3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the UV coat film is formed by laminating a TiO 2 film and a SiO 2 film in multiple layers. 前記冗長遮光膜は、前記第1の電極の形成面と反対側の面の前記第1の基板の上、及び、前記第2の電極の形成面と反対側の面の前記第2の基板の上のいずれか一方に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The redundant light shielding film is formed on the first substrate on the surface opposite to the surface on which the first electrode is formed and on the second substrate on the surface on the opposite side to the surface on which the second electrode is formed. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is formed on any one of the above. 前記冗長遮光膜は、前記第1の電極の形成面と反対側の面の前記第1の基板の上、及び、前記第2の電極の形成面と反対側の面の前記第2の基板の上の両方に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The redundant light shielding film is formed on the first substrate on the surface opposite to the surface on which the first electrode is formed and on the second substrate on the surface on the opposite side to the surface on which the second electrode is formed. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is formed on both of them. 前記ブラックマトリクスは、青色のカラーフィルタと赤色のカラーフィルタとを重ねて構成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the black matrix is configured by overlapping a blue color filter and a red color filter. 前記第1及び第2の配向膜は、垂直配向膜であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first and second alignment films are vertical alignment films.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111142179A (en) * 2018-11-02 2020-05-12 唯亚威通讯技术有限公司 Ladder-structured optical filter

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60243638A (en) * 1984-05-18 1985-12-03 Seiko Epson Corp Liquid crystal color display device
JPS61112129A (en) * 1984-11-07 1986-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Color liquid crystal display device
JPH039324A (en) * 1989-06-06 1991-01-17 Optrex Corp Negative liquid crystal display element
JPH03125120A (en) * 1989-10-11 1991-05-28 Hitachi Ltd Color liquid crystal display element
JPH05181107A (en) * 1991-12-30 1993-07-23 Stanley Electric Co Ltd Video device for liquid crystal image
JPH05249458A (en) * 1991-12-11 1993-09-28 Asahi Glass Co Ltd Liquid crystal optical element and projection type liquid crystal optical device formed by using the element
JPH07209632A (en) * 1993-12-01 1995-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Display panel and display device
JPH0990383A (en) * 1995-09-26 1997-04-04 Toshiba Corp Liquid crystal display element
JPH09197417A (en) * 1996-01-23 1997-07-31 Toshiba Corp Liquid crystal display element
JPH1062768A (en) * 1996-08-19 1998-03-06 Sharp Corp Liquid crystal display device
JPH10170935A (en) * 1996-12-10 1998-06-26 Seiko Epson Corp Liquid crystal panel, its driving method, and projection type display device
JPH10221700A (en) * 1997-02-10 1998-08-21 Fujitsu Ltd Liquid crystal display device manufacturing method
JPH11242225A (en) * 1997-06-12 1999-09-07 Fujitsu Ltd Liquid crystal display device

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60243638A (en) * 1984-05-18 1985-12-03 Seiko Epson Corp Liquid crystal color display device
JPS61112129A (en) * 1984-11-07 1986-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Color liquid crystal display device
JPH039324A (en) * 1989-06-06 1991-01-17 Optrex Corp Negative liquid crystal display element
JPH03125120A (en) * 1989-10-11 1991-05-28 Hitachi Ltd Color liquid crystal display element
JPH05249458A (en) * 1991-12-11 1993-09-28 Asahi Glass Co Ltd Liquid crystal optical element and projection type liquid crystal optical device formed by using the element
JPH05181107A (en) * 1991-12-30 1993-07-23 Stanley Electric Co Ltd Video device for liquid crystal image
JPH07209632A (en) * 1993-12-01 1995-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Display panel and display device
JPH0990383A (en) * 1995-09-26 1997-04-04 Toshiba Corp Liquid crystal display element
JPH09197417A (en) * 1996-01-23 1997-07-31 Toshiba Corp Liquid crystal display element
JPH1062768A (en) * 1996-08-19 1998-03-06 Sharp Corp Liquid crystal display device
JPH10170935A (en) * 1996-12-10 1998-06-26 Seiko Epson Corp Liquid crystal panel, its driving method, and projection type display device
JPH10221700A (en) * 1997-02-10 1998-08-21 Fujitsu Ltd Liquid crystal display device manufacturing method
JPH11242225A (en) * 1997-06-12 1999-09-07 Fujitsu Ltd Liquid crystal display device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111142179A (en) * 2018-11-02 2020-05-12 唯亚威通讯技术有限公司 Ladder-structured optical filter
CN111142179B (en) * 2018-11-02 2023-09-08 唯亚威通讯技术有限公司 Ladder structured optical filter

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