JP2008192952A - Method and apparatus for forming conductive pattern - Google Patents

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Toshiaki Mikoshiba
俊明 御子柴
Kazunari Umetsu
一成 梅津
Kazuto Yoshimura
和人 吉村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive pattern forming method capable of accurately forming a fine conductive pattern with a sufficient film thickness, without the use of photosensitive resist, or the like, and without reducing the productivity, and to provide a substrate manufacturing apparatus. <P>SOLUTION: The conductive pattern forming method comprises: a groove forming process for forming a groove by irradiating a substrate 1 with laser light 12 via a mask 11 on which a pattern corresponding to a conductive pattern is formed; a liquid-repellent treatment process for repelling liquid from the substrate 1 after the groove forming process; a treatment process for making the groove of the substrate 1 lyophilic, which is liquid-repelled by the liquid-repellent treatment process; and a conductor forming process for forming a conductive pattern, by discharging a liquid drop of a conductive material liquid into the groove of the substrate 1 made lyophilic by the lyophilic treatment process. In the lyophilic treatment process, the groove is irradiated with a laser light 12 via the mask 11. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、導電性パターンの形成方法および形成装置に関するものである。   The present invention relates to a method and an apparatus for forming a conductive pattern.

従来から、インクジェット方式を用いて基板上に微細な配線等を形成する導電性パターンの形成方法が知られている。このような導電性パターンの形成方法として、基板上にフォトリソグラフィ法、転写法、または印刷法によってバンクを形成し、インクジェット方式によって吐出された導電性材料液をバンクと基板とで形成された凹部に収容するものが知られている。(例えば、特許文献1参照)。また、レーザ光の照射によって基板上に溝パターンを形成し、溝パターンに沿って導電性材料液を配置するものが知られている(例えば、特許文献2参照)。これらの導電性パターンの形成方法においては、導電性材料液を効率よく配置するために、前者においては導電性材料液を配置する基板表面を親液化すると共にバンクの表面を撥液化処理し、後者においては導電性材料液を配置する溝パターンに親液化処理が施されると共に基板表面に撥液化処理が施されている。
特開2003−317945号公報 特開2006−135090号公報
2. Description of the Related Art Conventionally, a method for forming a conductive pattern is known in which fine wirings and the like are formed on a substrate using an inkjet method. As a method for forming such a conductive pattern, a bank is formed on a substrate by a photolithography method, a transfer method, or a printing method, and a concave formed by a conductive material liquid discharged by an ink jet method between the bank and the substrate. What is housed in is known. (For example, refer to Patent Document 1). Further, there is known a technique in which a groove pattern is formed on a substrate by laser light irradiation, and a conductive material liquid is disposed along the groove pattern (for example, see Patent Document 2). In these conductive pattern forming methods, in order to efficiently arrange the conductive material liquid, the former makes the surface of the substrate on which the conductive material liquid is placed lyophilic and the liquid repellent treatment is performed on the surface of the bank. In FIG. 2, the groove pattern in which the conductive material liquid is disposed is subjected to lyophilic treatment and the substrate surface is subjected to lyophobic treatment.
JP 2003-317945 A JP 2006-135090 A

しかしながら、上記従来の導電性パターンの形成方法では、前者においては基板上にバンクを形成する際に感光性レジスト等のレジストを使用する必要がある。レジストを使用すると、レジストに対して導電性材料液中に分散したAg等がマイグレーション(Migration)を起こし配線基板としての信頼性を低下させるという課題がある。また、後者においてはレジストを使用せずレーザ光によって溝を形成することができる点で優れているが、溝の形成時に基板のレーザ加工によって発生する飛散物等、所謂デブリ(debris)が基板表面に付着し、基板表面の撥液性を低下させてしまうという課題がある。基板表面の撥液性が低下すると、溝に収容された導電性材料液が基板表面に溢れ、微細な配線等の導電性パターンを十分な膜厚で精度よく形成することが困難である。   However, in the conventional method for forming a conductive pattern, the former requires the use of a resist such as a photosensitive resist when a bank is formed on a substrate. When a resist is used, there is a problem that Ag or the like dispersed in the conductive material liquid causes migration to the resist, thereby reducing the reliability of the wiring board. Further, the latter is excellent in that grooves can be formed by laser light without using a resist, but so-called debris such as scattered matter generated by laser processing of the substrate at the time of forming the grooves are formed on the substrate surface. There is a problem that the liquid repellency of the substrate surface is lowered. When the liquid repellency of the substrate surface is lowered, the conductive material liquid accommodated in the groove overflows the substrate surface, and it is difficult to accurately form a conductive pattern such as a fine wiring with a sufficient film thickness.

そこで、この発明は、感光性レジスト等を使用せず、生産性を低下させることなく微細で十分な膜厚の導電性パターンを精度良く形成することができる導電性パターンの形成方法および導電性パターン形成装置を提供するものである。   Accordingly, the present invention provides a method for forming a conductive pattern and a conductive pattern that can accurately form a fine and sufficient conductive pattern without using a photosensitive resist or the like and without reducing productivity. A forming apparatus is provided.

上記の課題を解決するために、本発明の導電性パターンの形成方法は、基板に導電性パターンを形成する導電性パターンの形成方法であって、前記導電性パターンの形状が描かれたパターンが形成されたマスクを介して、前記基板にレーザ光を照射することにより、前記導電性パターンの形状の溝を形成する溝形成工程と、前記溝形成工程において溝が形成された前記基板を撥液化する撥液化処理工程と、前記マスクを介して前記レーザ光を照射することにより、前記撥液化処理工程において撥液化された前記基板の溝を親液化する親液化処理工程と、前記親液化処理工程において親液化された前記溝に、導電性材料液の液滴を吐出して前記導電性パターンを形成する導電体形成工程と、を有することを特徴とする。
このようにすることで、溝形成工程において基板表面の撥液性が低下しても、続く撥液化処理によって基板表面の撥液性を回復させることができる。また、レーザ光によって加工された溝の親液性は撥液化処理によって失われるが、撥液化処理工程に続く親液化処理工程において溝にレーザ光を照射することで、溝の親液性を回復することができる。これにより、導電体形成工程において溝に導電性材料液を収容する際に、内部には溝の内部の親液性によって溝の導電性材料液が濡れ広がると共に基板表面の撥液性によって導電性材料液が基板表面に溢れ出すことを防止することができる。よって、溝の内部に導電性パターンを十分な膜厚で精度よく形成することができる。また、溝の親液化工程においては、溝形成時に用いたマスクを利用して溝にレーザ光を照射するので、溝形成工程と同様のマスクを用い、同様の手順で溝の内部のみに親液化処理を行うことができ、新たに別の方法で溝を親液化する場合と比較して、生産性を低下させることなく容易に溝の親液化処理を行うことができる。また、溝の形成時に用いたマスクと同一のマスクを用いてレーザ光を照射して溝を親液化するので、従来よりも溝のパターンに対する親液化のずれが少なく、溝の近傍における基板表面の撥液性が損なわれることがない。したがって、導電性材料液が基板表面に溢れ出ることが防止されるので、導電性パターンの形成精度が向上し、高精度の導電性パターンを形成することができる。
In order to solve the above problems, a conductive pattern forming method of the present invention is a conductive pattern forming method for forming a conductive pattern on a substrate, and a pattern in which the shape of the conductive pattern is drawn is provided. By irradiating the substrate with a laser beam through the formed mask, a groove forming step for forming a groove having the shape of the conductive pattern, and the substrate on which the groove is formed in the groove forming step is made liquid repellent Lyophobic treatment step, lyophilic treatment step of lyophilizing the groove of the substrate lyophobic in the lyophobic treatment step by irradiating the laser beam through the mask, and the lyophilic treatment step And forming a conductive pattern by discharging a droplet of a conductive material liquid into the groove that has been made lyophilic.
By doing so, even if the liquid repellency of the substrate surface is lowered in the groove forming step, the liquid repellency of the substrate surface can be recovered by the subsequent liquid repellency treatment. In addition, the lyophilicity of the groove processed by laser light is lost by the lyophobic treatment, but the lyophilicity of the groove is restored by irradiating the groove with laser light in the lyophilic process following the lyophobic process. can do. As a result, when the conductive material liquid is stored in the groove in the conductor forming step, the conductive material liquid in the groove is wet and spread due to the lyophilic property inside the groove, and the conductive property liquid is formed due to the liquid repellency of the substrate surface. It is possible to prevent the material liquid from overflowing to the substrate surface. Therefore, the conductive pattern can be accurately formed in the groove with a sufficient film thickness. Also, in the groove lyophilic process, the groove is irradiated with laser light by using the mask used at the time of forming the groove. Therefore, using the same mask as in the groove forming process, the lyophilic process is performed only inside the groove. Compared with the case where the groove is newly made lyophilic by another method, the groove lyophilic treatment can be easily performed without lowering the productivity. In addition, since the groove is made lyophilic by irradiating laser light using the same mask as that used for forming the groove, there is less shift in lyophilicity with respect to the groove pattern than before, and the substrate surface in the vicinity of the groove is Liquid repellency is not impaired. Therefore, since the conductive material liquid is prevented from overflowing to the substrate surface, the formation accuracy of the conductive pattern is improved, and a highly accurate conductive pattern can be formed.

また、本方法発明では、前記親液化処理工程における前記レーザ光のパワー密度が前記溝形成工程における前記レーザ光のパワー密度よりも小であることが望ましい。
このようにすることで、撥液化工程において形成された撥液層のみを除去し、基板がレーザ光によって加工されることを防止できるので、デブリの発生を防止して基板表面の撥液性を損なうことなく溝を親液化することができる。
Moreover, in this method invention, it is desirable that the power density of the laser beam in the lyophilic process step is smaller than the power density of the laser beam in the groove forming step.
By doing so, it is possible to remove only the liquid repellent layer formed in the liquid repellent process and prevent the substrate from being processed by the laser beam, thereby preventing the occurrence of debris and improving the liquid repellency of the substrate surface. The groove can be lyophilic without loss.

また、本方法発明では、前記撥液化処理工程の前に、前記基板を洗浄する洗浄工程を有することが望ましい。
このようにすることで、基板を洗浄して溝の形成時に基板に付着したデブリを取り除くことができる。また、洗浄工程に続く撥液化処理工程において、洗浄されデブリが取り除かれた基板に撥液化処理を行うことができ、基板の撥液性を回復させると共に撥液性をより向上することができる。
Moreover, in this method invention, it is desirable to have the washing process which wash | cleans the said board | substrate before the said liquid-repellent treatment process.
By doing so, it is possible to clean the substrate and remove debris attached to the substrate when the grooves are formed. Further, in the lyophobic treatment step subsequent to the cleaning step, the lyophobic treatment can be performed on the substrate that has been cleaned and debris is removed, so that the lyophobic property of the substrate can be recovered and the lyophobic property can be further improved.

また、本方法発明では、前記溝形成工程の前に、前記基板の撥液化処理を行う前撥液化処理工程を有することが望ましい。
このようにすることで、溝形成時にデブリが基板表面に付着することを抑制できる。また、基板表面に付着したデブリを洗浄工程でより容易に除去することができる。
Moreover, in this method invention, it is desirable to have a pre-liquid repellency treatment step of performing the liquid repellency treatment of the substrate before the groove forming step.
By doing in this way, it can suppress that a debris adheres to the substrate surface at the time of groove formation. Further, debris adhering to the substrate surface can be more easily removed in the cleaning process.

また、本発明の導電性パターン形成装置は、レーザ光を照射するレーザ照射部と、プラズマ表面処理を行うプラズマ処理部と、導電性材料液の液滴を吐出する液滴吐出部と、前記基板を固定する基板固定部と、を備え、前記レーザ照射部と前記プラズマ処理部と液滴吐出部との間を、前記基板固定部が移動可能に設けられていることを特徴とする。
このように構成することで、まずレーザ照射部においてレーザ光によって基板に溝を形成し、次にプラズマ処理部において基板表面に付着したデブリを洗浄した後、同じくプラズマ処理部において基板の撥液化処理を行い、再びレーザ照射部においてレーザ光によって溝の親液化処理を行い、次いで液滴吐出部において基板の溝に導電性材料液の液滴を吐出する、という一連の工程を、基板が固定された基板固定部を各処理部に適宜移動させることで、連続して行うことができる。したがって、各工程を行う際に個々の装置を別々に設け基板の移動と固定を繰り返す場合と比較して、生産性を著しく向上させることができる。
In addition, the conductive pattern forming apparatus of the present invention includes a laser irradiation unit that irradiates laser light, a plasma processing unit that performs plasma surface treatment, a droplet discharge unit that discharges droplets of a conductive material liquid, and the substrate. And a substrate fixing unit for fixing the substrate, wherein the substrate fixing unit is movably provided between the laser irradiation unit, the plasma processing unit, and the droplet discharge unit.
With this configuration, first, a groove is formed in the substrate by laser light in the laser irradiation unit, and then debris adhering to the substrate surface is cleaned in the plasma processing unit, and then the substrate is made liquid repellent in the same plasma processing unit. The substrate is fixed by performing a series of steps in which the groove is made lyophilic with the laser beam again in the laser irradiation unit, and then the droplet of the conductive material liquid is discharged into the groove of the substrate in the droplet discharge unit. The substrate fixing unit can be continuously performed by moving the substrate fixing unit to each processing unit. Therefore, productivity can be remarkably improved as compared with the case where each apparatus is provided separately when each process is performed and the movement and fixation of the substrate are repeated.

また、本発明の配線基板は、上述の導電性パターンの形成方法によって形成された導電性パターンを備えていることを特徴とする。
このように構成することで、基板上の溝の内部に十分な膜厚で導電性パターンが形成されるので、配線の電気抵抗を低下させ高性能の配線基板を得ることができる。また、高精度の導電性パターンが形成されるので、配線密度の高い配線基板を得ることができる。また、導電性パターン形成時の生産性を向上させることができるので、配線基板の生産性を向上させ、製造コストを低減することができる。
Moreover, the wiring board of the present invention is characterized by including a conductive pattern formed by the above-described method for forming a conductive pattern.
With this configuration, the conductive pattern is formed with a sufficient film thickness inside the groove on the substrate, so that a high-performance wiring substrate can be obtained by reducing the electrical resistance of the wiring. Further, since a highly accurate conductive pattern is formed, a wiring board having a high wiring density can be obtained. Moreover, since the productivity at the time of forming the conductive pattern can be improved, the productivity of the wiring board can be improved and the manufacturing cost can be reduced.

<第一実施形態>
次に、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
図1に示すように、基板1は、例えば、電気光学装置等に用いられるFPC(可撓性印刷配線)基板等の回路基板であり、表示装置等の駆動回路2への信号を入力する入力配線3、および駆動回路2から表示装置等へ信号を出力する出力配線4が形成されている。入力配線3には比較的幅の広い信号配線が使用されているが、出力配線4は線幅及び配線間隔が非常に狭い微細なパターンを有している。ここで、出力配線4の線幅および配線間隔は、例えば、それぞれ約7μm以下である。また、基板1は、例えば、ポリイミド、エポキシ、液晶ポリマー等の樹脂材料によって形成され、入力配線3および出力配線4は、例えば、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル等の導電性材料によって形成されている。
<First embodiment>
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed to make each member a recognizable size.
As shown in FIG. 1, the substrate 1 is a circuit board such as an FPC (flexible printed wiring) substrate used for an electro-optical device or the like, and is an input for inputting a signal to a drive circuit 2 such as a display device. The wiring 3 and the output wiring 4 for outputting a signal from the drive circuit 2 to the display device or the like are formed. A relatively wide signal wiring is used as the input wiring 3, but the output wiring 4 has a fine pattern with a very narrow line width and wiring interval. Here, the line width and wiring interval of the output wiring 4 are each about 7 μm or less, for example. The substrate 1 is formed of a resin material such as polyimide, epoxy, or liquid crystal polymer, and the input wiring 3 and the output wiring 4 are formed of a conductive material such as gold, silver, copper, palladium, or nickel. ing.

〔導電性パターン形成装置〕
図2に示すように、導電性パターン形成装置100には、レーザ光を照射するレーザ照射部10と、プラズマ表面処理を行うプラズマ処理部20と、導電性材料液の液滴を吐出する液滴吐出部30とが隣接して設けられている。また、基板固定部40のテーブル41には基板1を固定する図示しない基板固定機構が設けられている。基板固定部40の基部42は駆動軸43に設けられたネジに螺合されている。駆動軸43は、図示しないモータ等の駆動装置および制御部等によって自在に回転制御可能となっている。基板固定部40の下部には、レーザ照射部10、プラズマ処理部20、および液滴吐出部30の設置方向に沿ってレール44が設けられている。基板固定部40はレール44上をスライド可能に設けられた支持部45によってレール44上に支持され、レーザ照射部10とプラズマ処理部20と液滴吐出部30との間を自在に移動可能に設けられている。また、レール44は接地された状態となっている。
[Conductive pattern forming device]
As shown in FIG. 2, the conductive pattern forming apparatus 100 includes a laser irradiation unit 10 that irradiates laser light, a plasma processing unit 20 that performs plasma surface treatment, and a droplet that discharges a droplet of a conductive material liquid. The discharge part 30 is provided adjacently. The table 41 of the substrate fixing unit 40 is provided with a substrate fixing mechanism (not shown) that fixes the substrate 1. A base portion 42 of the substrate fixing portion 40 is screwed into a screw provided on the drive shaft 43. The drive shaft 43 can be freely controlled by a drive device such as a motor (not shown) and a control unit. A rail 44 is provided below the substrate fixing unit 40 along the installation direction of the laser irradiation unit 10, the plasma processing unit 20, and the droplet discharge unit 30. The substrate fixing unit 40 is supported on the rail 44 by a support unit 45 provided to be slidable on the rail 44, and can freely move among the laser irradiation unit 10, the plasma processing unit 20, and the droplet discharge unit 30. Is provided. The rail 44 is in a grounded state.

レーザ照射部10は、対向する基板固定部40に固定された基板1に向けて、図3(a)に示すように、マスク11を介してレーザ光12を照射可能に構成されている。マスク11には、図1に示す出力配線4の微細な配線パターンを拡大したパターンが形成されている。ここで、マスク11は、例えば、石英等によって形成され、パターンはクロム等によって形成されている。マスク11の基板1側には縮小光学系が設けられている。縮小光学系は、投影されたパターンを、例えば、1/4に縮小可能な4倍結像レンズ13を備えている。また、レーザ照射部10はレーザビームスポット14が基板1上をX方向およびY方向に走査できるように、マスク11およびレーザ照射部10のそれぞれにX軸方向駆動軸、Y軸方向駆動軸が設けられ、それぞれX方向およびY方向に移動可能に設けられている。また、レーザ照射部10はレーザ光12のパワー密度を制御する制御装置を備えている。   The laser irradiation unit 10 is configured to be able to irradiate the laser beam 12 through the mask 11 toward the substrate 1 fixed to the opposing substrate fixing unit 40 as shown in FIG. The mask 11 is formed with an enlarged pattern of the fine wiring pattern of the output wiring 4 shown in FIG. Here, the mask 11 is formed of, for example, quartz or the like, and the pattern is formed of chromium or the like. A reduction optical system is provided on the substrate 11 side of the mask 11. The reduction optical system includes a 4 × imaging lens 13 that can reduce the projected pattern to, for example, ¼. Further, the laser irradiation unit 10 is provided with an X-axis direction drive axis and a Y-axis direction drive axis in each of the mask 11 and the laser irradiation unit 10 so that the laser beam spot 14 can scan the substrate 1 in the X direction and the Y direction. Are provided so as to be movable in the X direction and the Y direction, respectively. In addition, the laser irradiation unit 10 includes a control device that controls the power density of the laser light 12.

図2に示すプラズマ処理部20は、内部に電源が接続され電圧を印加可能に設けられた印加側電極部を備えている。また、対向する基板固定部40のテーブル41は基部42および支持部45を介して接地されたレール44に電気的に接続され、アース側電極部として機能するようになっている。また、基板固定部40とプラズマ処理部20との間には、図示しないカバーおよび排気装置が移動可能に設けられている。また、処理ガスとしてOガス、または、キャリアガスとしてHeを用い当該HeガスにCF、C、CClF、SF等のフッ素含有化合物ガスを混合させた混合ガスを供給するガス供給装置を備えている。 The plasma processing unit 20 shown in FIG. 2 includes an application-side electrode unit that is connected to a power source and is capable of applying a voltage. Further, the table 41 of the opposing substrate fixing part 40 is electrically connected to a grounded rail 44 via a base part 42 and a support part 45, and functions as an earth side electrode part. A cover and an exhaust device (not shown) are movably provided between the substrate fixing unit 40 and the plasma processing unit 20. A gas that supplies O 2 gas as a processing gas or a mixed gas in which He is used as a carrier gas and a fluorine-containing compound gas such as CF 4 , C 2 F 6 , CClF 3 , or SF 6 is mixed with the He gas. A supply device is provided.

液滴吐出部30は、対向する基板固定部40に向けて液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを内部に備えている。液滴吐出ヘッドにはX方向駆動軸とY方向駆動軸が設けられ、X方向駆動軸とY方向駆動軸に沿って自在に移動可能に設けられている。また、液滴吐出部30の内部には液滴吐出ヘッドに、例えば、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル等の導電性材料の微粒子が分散媒に分散された導電性材料液を供給する導電性材液供給部が備えられている。さらに、液滴吐出部30の内部には基板1を加熱するためのヒータが設けられている。   The droplet discharge unit 30 includes a droplet discharge head that discharges droplets toward the opposing substrate fixing unit 40. The droplet discharge head is provided with an X-direction drive axis and a Y-direction drive axis, and is provided so as to be freely movable along the X-direction drive axis and the Y-direction drive axis. In addition, a conductive material for supplying a conductive material liquid in which fine particles of a conductive material such as gold, silver, copper, palladium, nickel and the like are dispersed in a dispersion medium is supplied to the droplet discharge head inside the droplet discharge unit 30. A property material liquid supply unit is provided. Further, a heater for heating the substrate 1 is provided inside the droplet discharge unit 30.

〔導電性パターンの形成方法〕
次に、この導電性パターン形成装置100を用いた導電性パターンの形成方法について説明する。図2に示すように、駆動軸43を回転させると、基板固定部40はレール44上をレール44の設置方向に沿って移動する。このとき駆動軸43に接続されたモータの回転を制御部によって制御することで、基板固定部40をレール44上の任意の位置に自在に移動させ、位置決めすることができる。ここでは、予め撥液化処理され、表面に撥液層が形成された基板1を用いる。基板1は基板固定部40のテーブル41上に基板固定機構によって固定されている。
[Method of forming conductive pattern]
Next, a method for forming a conductive pattern using the conductive pattern forming apparatus 100 will be described. As shown in FIG. 2, when the drive shaft 43 is rotated, the board fixing unit 40 moves on the rail 44 along the installation direction of the rail 44. At this time, by controlling the rotation of the motor connected to the drive shaft 43 by the control unit, the board fixing unit 40 can be freely moved to an arbitrary position on the rail 44 and positioned. Here, a substrate 1 that has been subjected to a liquid repellent treatment in advance and on which a liquid repellent layer is formed is used. The substrate 1 is fixed on the table 41 of the substrate fixing unit 40 by a substrate fixing mechanism.

(溝形成工程)
まず、駆動軸43を回転制御することで、基板固定部40を基板1がレーザ照射部10に対向する位置まで移動させる。次に、基板1の位置決めを行った後、レーザ照射部10から、例えば、波長196nmのエキシマレーザのレーザ光12を、図3(a)に示すように、マスク11を介して基板1に照射する。レーザ照射部10から照射されたレーザ光12は、図1に示す基板1の出力配線4に対応して、図3に示すマスク11に形成されたパターンが、複数に分割された照射エリア15aを通過し、縮小光学系の4倍結像レンズ13によって1/4に縮小され、基板1の照射エリア5aに照射される。図1に示す基板1の照射エリア5aの大きさは、例えば、約2mm×2mmとなっている。なお、図3(a)〜図3(d)において、マスク11に形成された照射エリア15a〜15hおよび基板1の照射エリア5a〜5hは、図示都合上、一部省略して表している。
(Groove formation process)
First, by rotating the drive shaft 43, the substrate fixing unit 40 is moved to a position where the substrate 1 faces the laser irradiation unit 10. Next, after positioning the substrate 1, for example, the laser beam 12 of an excimer laser having a wavelength of 196 nm is irradiated from the laser irradiation unit 10 through the mask 11 as shown in FIG. To do. The laser beam 12 emitted from the laser irradiation unit 10 corresponds to the output wiring 4 of the substrate 1 shown in FIG. 1, and the irradiation area 15a in which the pattern formed on the mask 11 shown in FIG. Then, the light is reduced to ¼ by the 4 × imaging lens 13 of the reduction optical system, and irradiated onto the irradiation area 5 a of the substrate 1. The size of the irradiation area 5a of the substrate 1 shown in FIG. 1 is, for example, about 2 mm × 2 mm. 3A to 3D, the irradiation areas 15a to 15h formed on the mask 11 and the irradiation areas 5a to 5h of the substrate 1 are partially omitted for convenience of illustration.

すなわち、図1に示す基板1の一の照射エリア5aは、マスク11に形成された一の照射エリア15aに対応し、マスク11の照射エリア15aに形成されたパターンが1/4に縮小され、出力配線4を形成するための溝のパターンとして基板1の照射エリア5aに形成される。このときレーザ光12のパワー密度は、例えば、約1J/cmで、連続して20ショット照射する。これにより、図4に示すように、基板1の表面の撥液層6を除去すると共に、基板1に深さdが約8μmの溝7を形成することができる。このとき、基板1の表面には溝7の加工によって発生したデブリ8が付着する。また、形成された溝7は、底部の幅W1が約7μmと狭く、開口部の幅W2が約12μmと広い、やや上部が広がった形状となっている That is, one irradiation area 5a of the substrate 1 shown in FIG. 1 corresponds to one irradiation area 15a formed on the mask 11, and the pattern formed on the irradiation area 15a of the mask 11 is reduced to ¼. It is formed in the irradiation area 5 a of the substrate 1 as a groove pattern for forming the output wiring 4. At this time, the power density of the laser beam 12 is, for example, about 1 J / cm 2 and 20 shots are continuously irradiated. As a result, as shown in FIG. 4, the liquid repellent layer 6 on the surface of the substrate 1 can be removed, and a groove 7 having a depth d of about 8 μm can be formed in the substrate 1. At this time, debris 8 generated by the processing of the grooves 7 adheres to the surface of the substrate 1. Further, the formed groove 7 has a shape in which the bottom width W1 is as narrow as about 7 μm, the width W2 of the opening is as wide as about 12 μm, and the upper portion is slightly widened.

次に、図3(b)に示すように、基板1を固定したままレーザ照射部10およびマスク11を−X方向に距離D/4移動させた後、マスクのみを−X方向に距離D移動させ、マスク11の次の照射エリア15bに形成されたパターンを介してレーザ光12を照射して基板1の次の照射エリア5bに基板1の出力配線4に対応した溝を形成する。図3(c)、図3(d)に示すように、これを繰り返し、X方向の照射エリア5hの溝7の形成が終了したら、基板1を固定したままレーザ照射部10およびマスク11を+Y方向に距離D/4移動させた後、マスク11のみを+Y方向に距離D移動させ、同様にレーザ光12をマスク11の照射エリア16hに照射して基板1の照射エリア6hに溝7を形成する。そして、基板1を固定したままレーザ照射部10およびマスク11を、上記と同様に、それぞれ繰り返し+X方向に移動させて行き、レーザビームスポット14を基板1の+X方向に移動させながら、基板1の照射エリア6h〜6a毎に溝7の形成を行う。これを繰り返すことで、マスク11に形成されたパターンが全て基板1側に溝7のパターンとして縮小されて形成される。   Next, as shown in FIG. 3B, the laser irradiation unit 10 and the mask 11 are moved by the distance D / 4 in the −X direction while the substrate 1 is fixed, and then only the mask is moved by the distance D in the −X direction. Then, a laser beam 12 is irradiated through a pattern formed in the next irradiation area 15 b of the mask 11 to form a groove corresponding to the output wiring 4 of the substrate 1 in the next irradiation area 5 b of the substrate 1. As shown in FIGS. 3C and 3D, this process is repeated, and when the formation of the groove 7 in the irradiation area 5h in the X direction is completed, the laser irradiation unit 10 and the mask 11 are fixed to + Y while the substrate 1 is fixed. After moving the distance D / 4 in the direction, only the mask 11 is moved in the + Y direction by the distance D, and similarly, the irradiation area 16h of the mask 11 is irradiated with the laser beam 12 to form the groove 7 in the irradiation area 6h of the substrate 1. To do. Then, the laser irradiation unit 10 and the mask 11 are repeatedly moved in the + X direction, respectively, while the substrate 1 is fixed, and the laser beam spot 14 is moved in the + X direction of the substrate 1 while moving the laser beam spot 14 in the + X direction. A groove 7 is formed for each of the irradiation areas 6h to 6a. By repeating this, all the patterns formed on the mask 11 are reduced and formed as the pattern of the grooves 7 on the substrate 1 side.

(洗浄工程)
次に、図2に示すように、溝7が形成された基板1がプラズマ処理部20に対向する位置まで基板固定部40を移動させて位置決めする(矢印A)。次いで、プラズマ処理部20と基板1との間にカバーを移動させ、ガス供給装置から処理ガスとしてOガスを供給し、印加側電極部に電圧を印加し、基板固定部40のテーブル41をアース側電極部として、大気雰囲気中でプラズマを放電させる。これにより、図5に示すように、基板1の表面を洗浄し基板1の表面に付着したデブリ8を取り除くことができる。また、同時に基板1の表面の撥液層6も除去される。このときのプラズマ表面処理の条件は、例えば、プラズマパワーが100〜800kW、Oガス流量が50〜100ml/min、基板温度が70〜90℃である。また、プラズマの放電に伴って生じた不要なガスは、カバーに設けられた排気装置によって排気される。
(Washing process)
Next, as shown in FIG. 2, the substrate fixing unit 40 is moved to a position where the substrate 1 on which the groove 7 is formed faces the plasma processing unit 20 (arrow A). Next, the cover is moved between the plasma processing unit 20 and the substrate 1, O 2 gas is supplied as a processing gas from the gas supply device, a voltage is applied to the application side electrode unit, and the table 41 of the substrate fixing unit 40 is moved. Plasma is discharged in the atmosphere as an earth side electrode part. As a result, as shown in FIG. 5, the surface of the substrate 1 can be cleaned and the debris 8 attached to the surface of the substrate 1 can be removed. At the same time, the liquid repellent layer 6 on the surface of the substrate 1 is also removed. The plasma surface treatment conditions at this time are, for example, a plasma power of 100 to 800 kW, an O 2 gas flow rate of 50 to 100 ml / min, and a substrate temperature of 70 to 90 ° C. Further, unnecessary gas generated by the discharge of plasma is exhausted by an exhaust device provided in the cover.

(撥液化処理工程)
次いで、図2に示すように、プラズマ処理部20のガス供給装置によってHeガス等のパージガスを供給しつつ排気装置により排気を行って基板1とプラズマ処理部20との間をパージする。その後、ガス供給装置によってHeガスにCF、C、CClF、SF等のフッ素含有化合物ガスを混合させた混合ガスを供給し、印加側電極部に電圧を印加し、基板固定部40のテーブル41をアース側電極部として、大気雰囲気中でプラズマを放電させる。これにより、図6に示すように、溝7が形成され洗浄された基板1の表面に新たな撥液層6´が形成され、基板1の表面が撥液化される。このとき、溝7の内部も撥液化された状態となる。また、このときのプラズマ表面処理の条件は、例えば、プラズマパワーが100〜800kW、混合ガスの流量が50〜100ml/min、基板温度が70〜90℃である。また、プラズマの放電に伴って生じた不要なガスは、カバーに設けられた排気装置によって排気される。
(Liquid repellency treatment process)
Next, as shown in FIG. 2, while the purge gas such as He gas is supplied by the gas supply device of the plasma processing unit 20, the gas is exhausted by the exhaust device to purge between the substrate 1 and the plasma processing unit 20. After that, a gas supply device supplies a mixed gas in which a fluorine-containing compound gas such as CF 4 , C 2 F 6 , CClF 3 , SF 6 is mixed to He gas, applies a voltage to the application side electrode section, and fixes the substrate Plasma is discharged in the air atmosphere using the table 41 of the unit 40 as the ground side electrode unit. Thereby, as shown in FIG. 6, a new liquid repellent layer 6 'is formed on the surface of the substrate 1 where the grooves 7 are formed and cleaned, and the surface of the substrate 1 is made liquid repellent. At this time, the inside of the groove 7 is also lyophobic. Moreover, the conditions of the plasma surface treatment at this time are, for example, a plasma power of 100 to 800 kW, a mixed gas flow rate of 50 to 100 ml / min, and a substrate temperature of 70 to 90 ° C. Further, unnecessary gas generated by the discharge of plasma is exhausted by an exhaust device provided in the cover.

(親液化処理工程)
次に、図2に示すように、溝7が形成され撥液化処理された基板1がレーザ照射部10に対向する位置まで基板固定部40を移動させて位置決めする(矢印B)。次いで、溝形成工程と同様に、図3(a)〜図3(d)に示すように、基板1を固定したままレーザ照射部10およびマスク11をそれぞれ移動させ、レーザ照射部10から、例えば、波長196nmのエキシマレーザのレーザ光12を、マスク11の各照射エリア15a,15b…を介して基板1の各照射エリア5a,5b…に順次照射する。これにより、図7に示すように、溝7の内部の撥液層6´が除去され、溝7の内部が親液化される。このときレーザ光12のパワー密度は、例えば、約0.1J/cmで、連続して2ショット照射する。このように、親液化処理工程におけるレーザ光12のパワー密度を溝形成工程におけるレーザ光12のパワー密度(約1J/cm)よりも小としショット数を調整することで、溝7の内部の撥液層6´のみを除去することができる。したがって、基板1の加工に伴って発生するデブリ8の発生を防止して、基板1の表面の撥液性を損なうことなく、溝7の内部を親液化することができる。
(Liquidification process)
Next, as shown in FIG. 2, the substrate fixing unit 40 is moved to a position where the substrate 7 on which the groove 7 is formed and the liquid repellent treatment is opposed to the laser irradiation unit 10 is positioned (arrow B). Next, as in the groove forming step, as shown in FIGS. 3A to 3D, the laser irradiation unit 10 and the mask 11 are moved while the substrate 1 is fixed, and the laser irradiation unit 10, for example, The laser light 12 of an excimer laser having a wavelength of 196 nm is sequentially irradiated onto the irradiation areas 5a, 5b... Of the substrate 1 through the irradiation areas 15a, 15b. Thereby, as shown in FIG. 7, the liquid repellent layer 6 ′ inside the groove 7 is removed, and the inside of the groove 7 is made lyophilic. At this time, the power density of the laser beam 12 is, for example, about 0.1 J / cm 2 and two shots are continuously irradiated. As described above, the power density of the laser beam 12 in the lyophilic process step is smaller than the power density (about 1 J / cm 2 ) of the laser beam 12 in the groove forming step, and the number of shots is adjusted. Only the liquid repellent layer 6 'can be removed. Therefore, it is possible to prevent the generation of the debris 8 generated by processing the substrate 1 and make the inside of the groove 7 lyophilic without impairing the liquid repellency of the surface of the substrate 1.

(導電体形成工程)
次に、図2に示すように、表面が撥液化処理され溝7の内部が親液化処理された基板1が、液滴吐出部30に対向する位置まで基板固定部40を移動させて位置決めする(矢印C)。次いで、液滴吐出部30の液滴吐出ヘッドを基板1に形成された溝7のパターンに沿って移動させながら、図8に示すように、液滴吐出ヘッドから基板1の溝7に向けて導電性材料液の液滴21を吐出する。このとき、溝7の内部が親液化されているため、溝7の内部に配置された液滴21は溝7に沿って容易に濡れ広がることができる。これにより、図9に示すように、導電性材料液を溝7に沿って均一に配置することができる。さらに、基板1の表面が撥液層6´によって撥液化されているため、導電性材料液22が基板1の表面に溢れ出ることを防止することができる。これにより、導電性材料液22を十分な膜厚Tで溝7の内部に配置することができる。
(Conductor formation process)
Next, as shown in FIG. 2, the substrate 1 whose surface has been subjected to lyophobic treatment and the inside of the groove 7 has been made lyophilic, moves and positions the substrate fixing unit 40 to a position facing the droplet discharge unit 30. (Arrow C). Next, while moving the droplet discharge head of the droplet discharge unit 30 along the pattern of the groove 7 formed on the substrate 1, the droplet discharge head is directed toward the groove 7 of the substrate 1 as shown in FIG. 8. A droplet 21 of conductive material liquid is discharged. At this time, since the inside of the groove 7 is made lyophilic, the liquid droplet 21 arranged inside the groove 7 can easily spread along the groove 7. Thereby, as shown in FIG. 9, the conductive material liquid can be uniformly arranged along the groove 7. Furthermore, since the surface of the substrate 1 is made liquid repellent by the liquid repellent layer 6 ′, the conductive material liquid 22 can be prevented from overflowing to the surface of the substrate 1. Thereby, the conductive material liquid 22 can be disposed in the groove 7 with a sufficient film thickness T.

次いで、液滴吐出部30の内部に設けられたヒータにより基板1を加熱して導電性材料液22の分散媒を蒸発させ乾燥させる。分散媒が蒸発し乾燥した後、溝7の内部に残された導電性材料の微粒子をさらに加熱して焼成することで、図10および図1に示すように、連続した膜としての導電性パターン23である出力配線4を形成することができる。ここで、形成された導電性パターン23の膜厚は、例えば、約1μm弱となる。   Next, the substrate 1 is heated by a heater provided inside the droplet discharge unit 30 to evaporate the dispersion medium of the conductive material liquid 22 and dry it. After the dispersion medium evaporates and dries, the conductive material fine particles left inside the grooves 7 are further heated and baked, thereby forming a conductive pattern as a continuous film as shown in FIGS. 23 can be formed. Here, the film thickness of the formed conductive pattern 23 is about 1 μm, for example.

以上説明したように、本実施の形態によれば、レーザ光12によって基板1に溝7を形成するため、感光性レジスト等を使用する必要がない。したがって、マイグレーションを防止して信頼性の高い基板1を得ることができる。
また、レーザ光12によって溝7を形成することで、レジストを用いる方法と比較して容易に深い溝7を形成することができる。加えて、溝7は底部の幅W1が狭く上部の幅W2が広い形状に形成される。さらに、基板1の表面が撥液化されているので、導電性材料液22が基板1の表面に溢れ出ることを防止できる。これにより、溝7の内部により多くの導電性材料液22を保持することが可能となる。したがって、より膜厚の厚い導電性パターン23を形成することができ、導電性パターン23の抵抗値を低下させ、品質を向上させることができる。
As described above, according to the present embodiment, since the groove 7 is formed in the substrate 1 by the laser beam 12, it is not necessary to use a photosensitive resist or the like. Therefore, migration can be prevented and a highly reliable substrate 1 can be obtained.
Further, by forming the groove 7 with the laser beam 12, the deep groove 7 can be easily formed as compared with a method using a resist. In addition, the groove 7 is formed in a shape with a narrow width W1 at the bottom and a wide width W2 at the top. Furthermore, since the surface of the substrate 1 is made liquid repellent, the conductive material liquid 22 can be prevented from overflowing to the surface of the substrate 1. As a result, a larger amount of the conductive material liquid 22 can be held in the groove 7. Therefore, the conductive pattern 23 having a larger thickness can be formed, the resistance value of the conductive pattern 23 can be reduced, and the quality can be improved.

また、溝7の形成には縮小光学系を用いているので、基板1に形成される微細な導電性パターン23が拡大されたパターンをマスク11に形成し、そのパターンを縮小して基板1に転写することができる。したがって、基板1に精度よく微細な溝7のパターンを形成することができる。
また、溝7は上部の幅W2が底部の幅W1よりも広い形状に形成されているので、液滴吐出部によって吐出された導電性材料液22の液滴21を容易に溝7の内部に収容させることができる。また、溝7の底部の幅W1が狭くなっているので、体積が減少した焼成後の導電性パターン23の幅は溝7の底部の幅W1の幅に略等しく、溝7の上部の幅W2に略等しい導電性材料液22の幅よりも縮小される。したがって、導電性パターン23同士の間隔を確保し、基板1の信頼性を向上させることができる。加えて、溝の形成時にチャンバーを用いたり、真空状態にしたりすることを必要としない。したがって、工程を単純化させ、生産性を向上し、製造におけるコストを低下させることができる。
Further, since the reduction optical system is used to form the groove 7, a pattern in which the fine conductive pattern 23 formed on the substrate 1 is enlarged is formed on the mask 11, and the pattern is reduced to form the substrate 1 on the substrate 1. Can be transferred. Therefore, a fine groove 7 pattern can be formed on the substrate 1 with high accuracy.
Further, since the groove 7 is formed in such a shape that the width W2 at the top is wider than the width W1 at the bottom, the droplet 21 of the conductive material liquid 22 discharged by the droplet discharge portion can be easily put inside the groove 7. Can be accommodated. Further, since the width W1 of the bottom portion of the groove 7 is narrowed, the width of the conductive pattern 23 after firing whose volume is reduced is substantially equal to the width W1 of the bottom portion of the groove 7 and the width W2 of the upper portion of the groove 7. The width of the conductive material liquid 22 is substantially smaller than the width of the conductive material liquid 22. Therefore, the interval between the conductive patterns 23 can be secured, and the reliability of the substrate 1 can be improved. In addition, it is not necessary to use a chamber or form a vacuum when forming the groove. Therefore, the process can be simplified, the productivity can be improved, and the manufacturing cost can be reduced.

また、溝7の親液化工程においては、溝7の形成に用いたレーザ照射部10を利用し、溝7の形成時と同様の手順によって溝7のみを親液化することができる。したがって、新たに別の装置や方法で溝7を親液化する場合と比較して、工程数の増加を抑制し、より容易に溝7を親液化することができる。また、溝7の形成時に用いたマスク11と同一のマスク11を用いてレーザ光12を照射して溝7を親液化するので、従来よりも溝7のパターンに対する親液化のずれが少なく、溝7の近傍における基板1表面の撥液性が損なわれることがない。したがって、導電性材料液22が基板1表面に溢れ出ることが防止されるので、導電性パターン23の形成精度が向上し、高精度の導電性パターン23を形成することができる。   Further, in the lyophilic step of the groove 7, only the groove 7 can be made lyophilic by the same procedure as that for forming the groove 7 by using the laser irradiation unit 10 used for forming the groove 7. Therefore, compared with the case where the groove 7 is newly made lyophilic with another device or method, the increase in the number of steps can be suppressed and the groove 7 can be made lyophilic more easily. Further, since the groove 7 is made lyophilic by irradiating the laser beam 12 using the same mask 11 as that used for forming the groove 7, the shift in lyophilicity with respect to the pattern of the groove 7 is less than that in the prior art. The liquid repellency of the surface of the substrate 1 in the vicinity of 7 is not impaired. Accordingly, since the conductive material liquid 22 is prevented from overflowing to the surface of the substrate 1, the formation accuracy of the conductive pattern 23 is improved, and the highly accurate conductive pattern 23 can be formed.

また、本実施の形態において説明した導電性パターン形成装置100を用いることで、導電性パターン23を形成する一連の工程を、基板1が固定された基板固定部40を各処理部10,20,30に適宜移動させることで、連続して行うことができる。したがって、各工程を行う際に個々の装置を別々に設け基板1の移動と固定を繰り返す場合と比較して、生産性を著しく向上させることができる。   In addition, by using the conductive pattern forming apparatus 100 described in the present embodiment, a series of steps for forming the conductive pattern 23 is performed using the substrate fixing unit 40 to which the substrate 1 is fixed as each processing unit 10, 20, By moving it to 30 as appropriate, it can be carried out continuously. Therefore, productivity can be remarkably improved as compared with the case where each apparatus is provided separately when performing each process and the movement and fixation of the substrate 1 are repeated.

したがって、本実施の形態によれば、感光性レジスト等を使用せず、生産性を低下させることなく微細で十分な膜厚の導電性パターン23を精度良く形成することができる。   Therefore, according to the present embodiment, the conductive pattern 23 having a fine and sufficient thickness can be accurately formed without using a photosensitive resist or the like and without reducing the productivity.

<第二実施形態>
次に、本発明の第二実施形態について、図1〜図10を援用して説明する。上述の第一実施形態では、予め表面が撥液化処理された基板を用いたが、本実施の形態では撥液化処理されていない基板を用い、上述の第一実施形態において説明した溝形成工程の前に基板を撥液化処理する前撥液化処理工程を有する点で異なっている。その他の点は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
<Second embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the first embodiment described above, a substrate whose surface has been subjected to a liquid repellency treatment in advance is used. However, in the present embodiment, a substrate that has not been subjected to a liquid repellency treatment is used, and the groove forming step described in the first embodiment described above is used. It differs in that it has a pre-liquid repellency treatment process for lyophobic the substrate before. Since the other points are the same as in the first embodiment, the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

(前撥液化処理工程)
まず、図2に示すように、基板固定機構によってテーブル41上に基板1を固定した基板固定部40を、駆動軸43を回転制御することで、基板1がプラズマ処理部20に対向する位置に移動させ位置決めする。次いで、上述の第一実施形態において説明した撥液化処理工程と同様に、ガス供給装置によってHeガスにCF、C、CClF、SF等のフッ素含有化合物ガスを混合させた混合ガスを供給し、印加側電極部に電圧を印加し基板固定部40のテーブル41をアース側電極部として、大気雰囲気中でプラズマを放電させる。これにより、基板1の表面に撥液層6が形成された状態となる。その後、第一実施形態と同様に、溝形成工程、洗浄工程、撥液化処理工程、親液化処理工程、導電性パターン形成工程を経ることで基板1に導電性パターン23を形成する。
(Pre-liquid repellency treatment process)
First, as shown in FIG. 2, the substrate fixing unit 40 that fixes the substrate 1 on the table 41 by the substrate fixing mechanism is rotationally controlled by the drive shaft 43, so that the substrate 1 is positioned at a position facing the plasma processing unit 20. Move and position. Next, in the same manner as the liquid repellency treatment process described in the first embodiment, the gas supply device is used to mix He gas with fluorine-containing compound gas such as CF 4 , C 2 F 6 , CClF 3 , SF 6. Gas is supplied, a voltage is applied to the application side electrode portion, and the table 41 of the substrate fixing portion 40 is used as the ground side electrode portion to discharge plasma in the atmosphere. As a result, the liquid repellent layer 6 is formed on the surface of the substrate 1. Thereafter, similarly to the first embodiment, the conductive pattern 23 is formed on the substrate 1 through a groove forming process, a cleaning process, a lyophobic process, a lyophilic process, and a conductive pattern forming process.

これにより、上述の第一実施形態と同様の効果を得られるだけでなく、基板1の溝形成工程の前の前撥液化処理工程を基板1に導電性パターン23を形成する一連の工程として組み込むことができる。したがって、生産性を必要以上に低下させることなく、予め撥液化処理されていない基板1を用いることができる。よって、基板1のコストを低減させることができる。また、基板1の表面が撥液化されるので、溝形成工程において表面に撥液化処理されていない基板を加工する場合と比較して、基板1の表面にデブリ8が付着するのを防止することができる。また、基板1の表面が撥液化されることにより基板1の洗浄工程においてデブリ8を除去しやすくできる。   As a result, not only the same effects as those of the first embodiment described above can be obtained, but also the pre-liquid repellency treatment step before the groove forming step of the substrate 1 is incorporated as a series of steps for forming the conductive pattern 23 on the substrate 1. be able to. Therefore, it is possible to use the substrate 1 that has not been subjected to the liquid repellent treatment in advance without reducing productivity unnecessarily. Therefore, the cost of the substrate 1 can be reduced. Further, since the surface of the substrate 1 is made liquid repellent, it is possible to prevent the debris 8 from adhering to the surface of the substrate 1 as compared with the case of processing a substrate that has not been subjected to the liquid repellent treatment in the groove forming step. Can do. Further, since the surface of the substrate 1 is made liquid repellent, the debris 8 can be easily removed in the cleaning process of the substrate 1.

尚、この発明は上述した実施形態に限られるものではなく、基板の洗浄工程においてエタノール等の液体を用いてスクラブ洗浄等を行ってもよい。基板の洗浄に用いる溶剤としては、水、IPA等の他、基板を溶かさないものであればよい。また、超音波洗浄によって基板を洗浄してもよい。また、溝形成工程の後の撥液化処理工程で基板表面に十分な撥液性が得られるのであれば、基板の洗浄工程を省略してもよい。
また、前撥液化処理工程を行わず、撥液化処理されていない基板を用いてもよい。この場合、基板表面にデブリが付着しやすくなるが、洗浄工程によってデブリを除去することができる。あるいは、撥液化工程によって基板表面の撥液性を回復させることができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and scrub cleaning or the like may be performed using a liquid such as ethanol in the substrate cleaning process. The solvent used for cleaning the substrate may be water, IPA, or the like as long as it does not dissolve the substrate. Further, the substrate may be cleaned by ultrasonic cleaning. Further, the substrate cleaning step may be omitted if sufficient liquid repellency is obtained on the substrate surface in the liquid repellency treatment step after the groove forming step.
Alternatively, a substrate that has not been subjected to the liquid repellency treatment without performing the liquid repellency treatment step may be used. In this case, debris easily adheres to the substrate surface, but the debris can be removed by a cleaning process. Alternatively, the liquid repellency of the substrate surface can be recovered by the liquid repellency process.

また、上述の実施形態では基板を固定してレーザ照射部およびマスクを移動させて基板にレーザ光を照射したが、レーザ照射部を固定して基板およびマスクを移動させるようにしてもよい。またレーザ光はエキシマレーザに限らず、YAGレーザ、半導体レーザ、COレーザ等を用いてもよい。
また、基板の材質はポリイミドに限らず、ガラス等他の材質の基板を使用することができる。石英ガラスを基板として用いる場合には、例えば、波長157nmのF2レーザを用いて基板に溝を形成することができる。
In the above-described embodiment, the substrate is fixed and the laser irradiation unit and the mask are moved to irradiate the substrate with laser light. However, the laser irradiation unit may be fixed and the substrate and the mask may be moved. The laser light is not limited to the excimer laser, and a YAG laser, a semiconductor laser, a CO 2 laser, or the like may be used.
Further, the material of the substrate is not limited to polyimide, and substrates of other materials such as glass can be used. When quartz glass is used as the substrate, for example, a groove can be formed in the substrate using an F2 laser having a wavelength of 157 nm.

本発明の第一実施形態における基板の平面図である。It is a top view of the board | substrate in 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態における導電性パターン製造装置の構成図である。It is a block diagram of the electroconductive pattern manufacturing apparatus in 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態における溝形成工程の説明図である。It is explanatory drawing of the groove | channel formation process in 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態における溝形成工程の説明図である。It is explanatory drawing of the groove | channel formation process in 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態における洗浄工程の説明図である。It is explanatory drawing of the washing | cleaning process in 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態における撥液化処理工程の説明図である。It is explanatory drawing of the liquid-repellent treatment process in 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態における親液化処理工程の説明図である。It is explanatory drawing of the lyophilic process in 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態における導電体形成工程の説明図である。It is explanatory drawing of the conductor formation process in 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態における導電体形成工程の説明図である。It is explanatory drawing of the conductor formation process in 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態における導電体形成工程の説明図である。It is explanatory drawing of the conductor formation process in 1st embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板、7 溝、10 レーザ照射部、11 マスク、12 レーザ光、20 プラズマ処理部、21 液滴、22 導電性材料液、23 導電性パターン、30 液滴吐出部、40 基板固定部、100 導電性パターン形成装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate, 7 groove | channel, 10 Laser irradiation part, 11 Mask, 12 Laser beam, 20 Plasma processing part, 21 Droplet, 22 Conductive material liquid, 23 Conductive pattern, 30 Droplet discharge part, 40 Substrate fixing | fixed part, 100 Conductive pattern forming device

Claims (6)

基板に導電性パターンを形成する導電性パターンの形成方法であって、
前記導電性パターンの形状が描かれたパターンが形成されたマスクを介して、前記基板にレーザ光を照射することにより、前記導電性パターンの形状の溝を形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程において溝が形成された前記基板を撥液化する撥液化処理工程と、
前記マスクを介して前記レーザ光を照射することにより、前記撥液化処理工程において撥液化された前記基板の溝を親液化する親液化処理工程と、
前記親液化処理工程において親液化された前記溝に、導電性材料液の液滴を吐出して前記導電性パターンを形成する導電体形成工程と、
を有することを特徴とする導電性パターンの形成方法。
A method of forming a conductive pattern for forming a conductive pattern on a substrate,
A groove forming step of forming a groove having the shape of the conductive pattern by irradiating the substrate with a laser beam through a mask on which a pattern in which the shape of the conductive pattern is drawn is formed;
A lyophobic treatment process for lyophobic the substrate on which the grooves are formed in the groove forming process;
A lyophilic process step of lyophilicizing the groove of the substrate that has been made liquid-repellent in the liquid-repellent process step by irradiating the laser light through the mask;
A conductor forming step of forming a conductive pattern by discharging a droplet of a conductive material liquid into the groove lyophilic in the lyophilic treatment step;
A method for forming a conductive pattern, comprising:
前記親液化処理工程における前記レーザ光のパワー密度が前記溝形成工程における前記レーザ光のパワー密度よりも小であることを特徴とする請求項1記載の導電性パターンの形成方法。   2. The method for forming a conductive pattern according to claim 1, wherein a power density of the laser beam in the lyophilic process step is smaller than a power density of the laser beam in the groove forming step. 前記撥液化処理工程の前に、前記基板を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の導電性パターンの形成方法。   The method for forming a conductive pattern according to claim 1, further comprising a cleaning step of cleaning the substrate before the liquid repellency treatment step. 前記溝形成工程の前に、前記基板の撥液化処理を行う前撥液化処理工程を有することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法。   The method for forming a conductive pattern according to any one of claims 1 to 3, further comprising a pre-liquid repellent treatment step of performing a liquid repellent treatment of the substrate before the groove forming step. レーザ光を照射するレーザ照射部と、プラズマ表面処理を行うプラズマ処理部と、導電性材料液の液滴を吐出する液滴吐出部と、前記基板を固定する基板固定部と、を備え、
前記レーザ照射部と前記プラズマ処理部と液滴吐出部との間を、前記基板固定部が移動可能に設けられていることを特徴とする導電性パターン形成装置。
A laser irradiation unit that irradiates laser light, a plasma processing unit that performs plasma surface treatment, a droplet discharge unit that discharges droplets of a conductive material liquid, and a substrate fixing unit that fixes the substrate,
The conductive pattern forming apparatus, wherein the substrate fixing unit is movably provided between the laser irradiation unit, the plasma processing unit, and the droplet discharge unit.
請求項1記載の導電性パターンの形成方法によって形成された導電性パターンを備えていることを特徴とする配線基板。   A wiring board comprising a conductive pattern formed by the method for forming a conductive pattern according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101023405B1 (en) * 2008-10-22 2011-03-25 한국기계연구원 A wiring Method of circuit for An ultra water repellent FPCB
JP2013125610A (en) * 2011-12-13 2013-06-24 Namiki Precision Jewel Co Ltd Conductive functional member and manufacturing method of the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101023405B1 (en) * 2008-10-22 2011-03-25 한국기계연구원 A wiring Method of circuit for An ultra water repellent FPCB
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