JP2008176607A - Method for specifying memory card - Google Patents
Method for specifying memory card Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008176607A JP2008176607A JP2007009971A JP2007009971A JP2008176607A JP 2008176607 A JP2008176607 A JP 2008176607A JP 2007009971 A JP2007009971 A JP 2007009971A JP 2007009971 A JP2007009971 A JP 2007009971A JP 2008176607 A JP2008176607 A JP 2008176607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory card
- information
- block
- memory
- block information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Debugging And Monitoring (AREA)
Abstract
Description
本発明は、不揮発性メモリを搭載したメモリカードを特定する方法に関する。より詳細には、フラッシュメモリとフラッシュメモリを制御するメモリコントローラを備えたメモリカードを特定する方法に関する。 The present invention relates to a method for specifying a memory card equipped with a nonvolatile memory. More specifically, the present invention relates to a method for specifying a memory card including a flash memory and a memory controller that controls the flash memory.
近年、不揮発性の記憶媒体であるフラッシュメモリの開発が盛んに行われ、フラッシュメモリを備えたメモリカード、例えばCFカード等が、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ等の情報機器(ホストシステム)の外部記憶装置として普及している。 In recent years, flash memory, which is a non-volatile storage medium, has been actively developed, and a memory card such as a CF card provided with the flash memory is an external storage device for information devices (host systems) such as digital cameras and personal computers. As popular.
ところで、メモリカードのような製品では、製品が市場で故障、不具合を起こした場合、その製品は製造元に返却される。製造元では、その製品の製造日や製造ロットを特定の上、当該製造ロットに関する製造履歴資料を調査し故障原因の調査、同日製造、同工程ナンバーで製造された他ロットへの影響等を推定することが通常行われている。 By the way, in the case of a product such as a memory card, when the product fails or malfunctions in the market, the product is returned to the manufacturer. The manufacturer specifies the production date and production lot of the product, investigates the production history data related to the production lot, investigates the cause of failure, estimates the effects on other lots produced with the same process number and the same process number, etc. It is usually done.
メモリカードのような製品では、製品の製造日や製造ロットを特定するため、シリアル番号を製品に付与し管理する方法が一般に行われている。例えば、ATA(AT Attachment)で規定されているシリアル番号をメモリカード内のカード属性情報領域に書き込む方法又はシリアル番号を印刷したラベルをメモリカードに貼り付ける方法が通常行われている。 In a product such as a memory card, a method of assigning a serial number to a product and managing the product is generally performed in order to specify a production date and a production lot of the product. For example, a method of writing a serial number defined by ATA (AT Attachment) in a card attribute information area in a memory card or a method of attaching a label printed with a serial number to a memory card is usually performed.
これらの方法では、シリアル番号をメモリカード内のカード属性情報領域に書き込む工程やシリアル番号を印刷したラベルをメモリカードの表面に貼るという工程が必要になる。また、これらの方法でシリアル番号を付与したとしても、カード属性情報領域に書き込む方法では、書き込んだ情報が消えてしまう場合がある。ラベルをメモリカードに貼り付ける方法では、ラベルが剥がれて紛失してしまう場合がある。更に、ラベルをメモリカードに貼り付ける方法では、メモリカードの外観を損ねるという問題がある。 In these methods, a step of writing a serial number in a card attribute information area in the memory card and a step of sticking a label printed with the serial number on the surface of the memory card are required. Even if the serial number is assigned by these methods, the written information may be erased by the method of writing in the card attribute information area. In the method of attaching the label to the memory card, the label may be peeled off and lost. Furthermore, the method of attaching a label to a memory card has a problem that the appearance of the memory card is impaired.
又、メモリカードの表面にシリアル番号を直接印刷する方法もあるが、ラベルをメモリカードに貼り付ける方法と同様にメモリカードの外観を損ねるという問題がある。特許文献1及び2では、この外観を損ねるという問題を解決するため、外観に表れない凹部の底面に、シリアル番号のようなメモリカードを識別するための情報を刻印又は塗布している。
There is also a method of printing the serial number directly on the surface of the memory card, but there is a problem that the appearance of the memory card is impaired as in the method of attaching a label to the memory card. In
しかしながら、特許文献1及び2では、この外観を損ねるという問題を解決することはできるが、工程数を削減することができない。
However,
本発明は、シリアル番号を使用することなく、カードの製造日や製造ロットを特定することができるメモリカードの特定方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a method for specifying a memory card that can specify a card manufacturing date and a manufacturing lot without using a serial number.
上記目的を達成するため、本発明のメモリカードの特定方法は、記憶媒体として物理ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリを用いたメモリカードの特定方法であって、前記メモリカードに搭載されたフラッシュメモリ内にある全ての先天性不良ブロックの物理ブロックアドレスを含む不良ブロック情報を、該メモリカードを特定するための情報として登録する登録ステップと、特定対象の前記メモリカードから不良ブロック情報を読み出す読み出しステップと、前記登録ステップで登録された複数の前記不良ブロック情報から前記読み出しステップで読み出した前記不良ブロック情報と一致するものを検出する検出ステップと、を含むことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a method for specifying a memory card according to the present invention is a method for specifying a memory card using a flash memory in which stored data is erased in units of physical blocks as a storage medium. A registration step for registering, as information for specifying the memory card, bad block information including physical block addresses of all congenital bad blocks in the flash memory, and defective block information from the memory card to be specified And a detection step of detecting a match with the bad block information read in the read step from the plurality of bad block information registered in the registration step.
又、前記登録ステップでは、前記不良ブロック情報が該不良ブロック情報と対応する前記メモリカードの製造日又は製造ロットと関連付けて登録されることが好ましい。 In the registration step, it is preferable that the defective block information is registered in association with a manufacturing date or a manufacturing lot of the memory card corresponding to the defective block information.
又、検出ステップで検出された前記不良ブロック情報と関連付けて登録されている情報に基づいて、特定対象の前記メモリカードの製造日又は製造ロットを判別する判別ステップを含むことが好ましい。 Preferably, the method further includes a determination step of determining a manufacturing date or a manufacturing lot of the memory card to be specified based on information registered in association with the defective block information detected in the detection step.
本発明によれは、フラッシュメモリ内にある不良ブロックの物理ブロックアドレスにより、メモリカードを特定することが可能になる。そのため、出荷時に不良ブロックの物理ブロックアドレスとメモリカードの製造日や製造ロットの対応関係を記録しておくことにより、シリアル番号によること無く、メモリカードの製造日や製造ロットの特定が可能になる。このため、シリアル番号をカード内のカード属性情報領域に書き込む工程やシリアル番号を印刷したラベルをカードの表面にラベルを貼るという工程が不要になる。また、ラベルを貼る必要がないため、カードの外観損ねるという問題も同時に解決される。 According to the present invention, the memory card can be specified by the physical block address of the defective block in the flash memory. Therefore, by recording the correspondence between the physical block address of the defective block and the memory card manufacturing date and manufacturing lot at the time of shipment, it becomes possible to specify the memory card manufacturing date and manufacturing lot without using the serial number. . This eliminates the step of writing the serial number in the card attribute information area in the card and the step of sticking the label printed with the serial number on the surface of the card. Moreover, since it is not necessary to attach a label, the problem of deteriorating the appearance of the card is also solved.
さらに、不良ブロックの物理ブロックアドレスによりメモリカードを特定できるため、メモリカード毎にアプリケーションソフトを自動実行することや、メモリカード毎にホストシステム内の情報に対するアクセスを制限するといった使用も可能になる。 Furthermore, since the memory card can be specified by the physical block address of the defective block, it is possible to automatically execute application software for each memory card or restrict access to information in the host system for each memory card.
以下、図面に基づき、本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明に係るメモリカード1を概略的に示すブロック図である。図1に示すように、メモリカード1は、NAND型フラッシュメモリであるフラッシュメモリ2と、それを制御するコントローラ3で構成されている。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing a memory card 1 according to the present invention. As shown in FIG. 1, the memory card 1 includes a
なお、メモリカード1は、外部バス13を介してホストシステム4と接続される。ホストシステム4は、ホストシステム4の全体の動作を制御するためのCPU(Central Processing Unit)、メモリカード1との情報の授受を担うコンパニオンチップ等から構成される。ホストシステム4は、例えば、文字、音声、あるいは画像情報等の種々の情報を処理するパーソナルコンピュータやデジタルスチルカメラをはじめとする各種情報処理装置であってもよい。又、メモリカード1の出荷前の検査で使用される検査器もホストシステム4に対応する。
The memory card 1 is connected to the host system 4 via the
フラッシュメモリ2は、レジスタと、メモリセルアレイと、から構成される。フラッシュメモリ2は、レジスタとメモリセルアレイとの間で、データの書き込み又は読み出しを行う。
The
メモリセルアレイは、複数のメモリセル群と、ワード線と、を備える。各メモリセル群は、複数のメモリセルが直列に接続されたものである。ワード線は、メモリセル群の特定のメモリセルを選択するためのものである。このワード線を介して選択されたメモリセルとレジスタとの間で、データの書き込み又は読み出しが行われる。即ち、レジスタから選択されたメモリセルへのデータの書き込み又は選択されたメモリセルからレジスタへのデータの読み出しが行われる。 The memory cell array includes a plurality of memory cell groups and word lines. Each memory cell group includes a plurality of memory cells connected in series. The word line is for selecting a specific memory cell in the memory cell group. Data is written or read between the selected memory cell and the register via the word line. That is, data is written to the selected memory cell from the register or data is read from the selected memory cell to the register.
メモリセルアレイを構成するメモリセルは、2つのゲートを備えたMOSトランジスタによって構成される。ここで、一方のゲートはコントロールゲートと呼ばれ、もう一方のゲートはフローティングゲートと呼ばれている。このフローティングゲートに電荷(電子)を注入若しくはこのフローティングゲートから電荷(電子)を排出することによって、データの書き込み若しくはデータの消去が行われる。 A memory cell constituting the memory cell array is constituted by a MOS transistor having two gates. Here, one gate is called a control gate, and the other gate is called a floating gate. Data is written or erased by injecting charges (electrons) into the floating gate or discharging charges (electrons) from the floating gate.
NAND型フラッシュメモリであるフラッシュメモリ2のアドレス空間は、図2に示したように"ページ"及び"ブロック(物理ブロック)"で構成されている。
The address space of the
ページは、フラッシュメモリ2にて行われるデータ読み出し動作及びデータ書き込み動作における処理単位である。物理ブロックは、フラッシュメモリ2にて行われるデータ消去動作における処理単位であり、複数個のページで構成されている。物理ブロックには、それぞれに固有の物理ブロックアドレス(PBA)が割り当てられている。
A page is a processing unit in a data read operation and a data write operation performed in the
上記物理ブロックとページの構成は、フラッシュメモリの仕様によって異なるが、図2(a)に示したような小ブロックのフラッシュメモリと、図2(b)に示したような大ブロックのフラッシュメモリが一般的に使用されている。小ブロック構成では、図2(a)に示したように、1ブロックが32ページ(P0〜P31)で構成され、各ページが512バイト(1セクタ)のユーザ領域25と16バイトの冗長領域26で構成されている。また、大ブロック構成では、図2(b)に示したように、1ブロックが64ページ(P0〜P63)で構成され、各ページが2048バイト(4セクタ)のユーザ領域25と64バイトの冗長領域26で構成されている。
The physical block and page configuration differ depending on the specifications of the flash memory, but there are a small block flash memory as shown in FIG. 2 (a) and a large block flash memory as shown in FIG. 2 (b). Commonly used. In the small block configuration, as shown in FIG. 2A, one block is composed of 32 pages (P0 to P31), and each page has a 512-byte (one sector)
ユーザ領域25は、ホストシステム4から供給されるユーザデータを格納するための領域である。
The
冗長領域26は、エラーコレクションコード、論理アドレス情報、ブロックステータス等の付加データを記録するための領域である。
The
エラーコレクションコードは、ユーザ領域25に記憶されているデータに含まれる誤りを検出し、訂正するためのデータである。
The error collection code is data for detecting and correcting an error included in the data stored in the
論理アドレス情報は、物理ブロックに有効なユーザデータが記憶されている場合に、そのユーザデータに対応する論理ブロックを特定するために用いられる情報である。論理ブロックは、ホストシステム4側のアドレス空間におけるセクタを複数個まとめたものであり、この論理ブロックと物理ブロックの対応関係を管理することにより、ホストシステム4で管理されている論理アドレスとフラッシュメモリ2内の物理アドレスの対応関係を管理している。尚、ホストシステム4側のアドレス空間は、セクタ(512バイト)単位で分割した領域に付けた通番であるLBA(Logical Block Address)で管理されている。ホストシステム4は、このLBAでフラッシュメモリ2内のアクセス領域を指定する。
The logical address information is information used to specify a logical block corresponding to user data when valid user data is stored in the physical block. The logical block is a collection of a plurality of sectors in the address space on the host system 4 side, and the logical address and flash memory managed by the host system 4 are managed by managing the correspondence between the logical block and the physical block. 2 is managed. The address space on the host system 4 side is managed by an LBA (Logical Block Address) which is a serial number assigned to an area divided in units of sectors (512 bytes). The host system 4 designates an access area in the
物理ブロックに有効なユーザデータが記憶されていない場合、その物理ブロックの冗長領域26には、論理アドレス情報が書き込まれていない。従って、冗長領域26に論理アドレス情報が書き込まれているか否かを判定することにより、その物理ブロックに有効なデータが格納されているか否かを判定することができる。つまり、冗長領域26に論理アドレス情報が格納されていないとき、その物理ブロックには、有効なデータが格納されていない。
When valid user data is not stored in the physical block, logical address information is not written in the
ブロックステータスは、その物理ブロックが不良ブロック(正常にデータの書き込み等を行うことができない物理ブロック)であるか否かを示す情報であり、この情報に基づいて不良ブロックであるか否かが識別される。尚、不良ブロックには、出荷時から正常にデータの書き込み等を行うことができない先天性の不良ブロックと、使用を開始後の劣化等により正常にデータの書き込み等を行うことができなくなった後天性の不良ブロックとがある。 The block status is information indicating whether the physical block is a bad block (a physical block in which data cannot be normally written). Based on this information, the block status is identified. Is done. For defective blocks, there are innate defective blocks that cannot be written normally from the time of shipment, and after data cannot be written normally due to deterioration after the start of use, etc. There are natural bad blocks.
一般的なNAND型フラッシュメモリでは、予め定められた1バイトの領域に先天性の不良ブロックを示す情報がブロックステータスとして書き込まれている(以下、ブロックステータスが書き込まれている領域をブロックステータス領域と言う)。この先天性の不良ブロックを示す情報は、通常、00h(16進数表示)であり、消去することができないようにマーキングされている。又、後天性の不良ブロックに対しては、コントローラ3が、ブロックステータス領域に後天性の不良ブロックを示す情報を書き込む。この後天性の不良ブロックを示す情報は、先天性の不良ブロックを示す情報とは異なる値、例えば、0Fh(16進数表示)やF0h(16進数表示)を用いることが好ましい。尚、良品ブロックの場合、ブロックステータス領域に対して情報の書き込みは行われないため、ブロックステータスは、消去状態のFFhになっている。
In a general NAND flash memory, information indicating a congenital defective block is written as a block status in a predetermined 1-byte area (hereinafter, an area where the block status is written is referred to as a block status area). To tell). The information indicating this congenital defective block is usually 00h (in hexadecimal notation) and is marked so that it cannot be erased. For acquired defective blocks, the
このようなフラッシュメモリ2は、コントローラ3から、レジスタを介して、データ、アドレス情報、内部コマンド等を受信して、データの読み出し処理、書き込み処理、ブロック消去処理、転送処理等の各処理を行う。尚、メモリコントローラ3がフラッシュメモリ2に与えるコマンドを内部コマンドと呼び、ホストシステム4がメモリコントローラ3に与えるコマンドを外部コマンドという。
Such a
コントローラ3は、図1に示すように、マイクロプロセッサ6と、ホストインターフェースブロック7と、ワークエリア8と、バッファ9と、フラッシュメモリインターフェースブロック10と、ECC(Error Correcting Code)ブロック11と、ROM(Read Only Memory)12と、から構成される。これら機能ブロックによって構成されるコントローラ3は、一つの半導体チップ上に集積される。以下に各機能ブロックについて説明する。
As shown in FIG. 1, the
マイクロプロセッサ6は、ROM12に記憶されているプログラムに従って、コントローラ3の全体の動作を制御する。例えば、マイクロプロセッサ6は、各種処理等を定義したコマンドセット(シーケンスコマンド)をROM12から読み出してフラッシュメモリインターフェースブロック10に供給し、フラッシュメモリインターフェースブロック10に処理を実行させる。
The
ホストインターフェースブロック7は、外部バス13を介して、ホストシステム4との間で、データ、アドレス情報、ステータス情報、外部コマンド等の授受を行なう。ホストシステム4よりメモリカード1に供給されるデータ等は、ホストインターフェースブロック7を入口としてメモリカード1の内部(例えば、バッファ9)に取り込まれる。また、メモリカード1からホストシステム4に供給されるデータ等は、ホストインターフェースブロック7を出口としてホストシステム4に供給される。又、ホストインターフェースブロック7は、コマンドレジスタ、LBAレジスタ、セクタカウントレジスタ、データレジスタ、ステータスレジスタ等からなるATAレジスタを備えている。
The host interface block 7 exchanges data, address information, status information, external commands and the like with the host system 4 via the
ワークエリア8は、フラッシュメモリ2の制御に必要なデータが一時的に格納される作業領域であり、複数のSRAM(Static Random Access Memory)セルによって構成される。ワークエリア8には、例えば、論理アドレスと物理アドレスを変換するためのアドレス変換テーブル、データが書き込まれていない空きブロックを検索するための空きブロック検索テーブルなどが記憶される。
The
バッファ9は、フラッシュメモリ2から読み出されたデータ及びフラッシュメモリ2に書き込むデータを一時的に蓄積する。すなわち、フラッシュメモリ2から読み出されたデータは、ホストシステム4が受け取り可能な状態となるまでバッファ9に保持され、フラッシュメモリ2に書き込むべきデータは、フラッシュメモリ2が書き込み可能な状態となるまでバッファ9に保持される。
The
フラッシュメモリインターフェースブロック10は、内部バス14を介して、フラッシュメモリ2との間で、データ、アドレス情報、ステータス情報、内部コマンド等の授受を行う。
The flash
ECCブロック11は、フラッシュメモリ2に書き込むデータに付加されるエラーコレクションコードを生成するとともに、読み出しデータに付加されたエラーコレクションコードに基づいて、読み出したデータに含まれる誤りを検出・訂正する。
The
ROM12は、マイクロプロセッサ6による処理の手順を定義するプログラムを格納する不揮発性の記憶素子である。具体的には、ROM12は、例えば、アドレス変換テーブルの作成等の処理手順を定義するプログラムを格納する。
The
次に、本発明のメモリカードの特定方法について説明する。上述のようにNAND型フラッシュメモリでは、先天性の不良ブロックが存在する。この先天性の不良ブロックの個数及びそれらの位置(物理ブロックアドレス)はフラッシュメモリ2のチップ毎に異なり、先天性の不良ブロックの個数及びそれらの位置(物理ブロックアドレス)が完全に一致するチップはほとんど存在しない。従って、本発明のメモリカードの特定方法では、各チップに含まれる先天性の不良ブロックを検出し、それらの位置(物理ブロックアドレス)に関する情報(以下、不良ブロック情報と言う)に基づいて、そのチップが搭載されているメモリカードの特定行っている。
Next, a method for specifying a memory card according to the present invention will be described. As described above, in the NAND flash memory, there is a congenital defective block. The number of these inborn defective blocks and their positions (physical block addresses) are different for each chip of the
この不良ブロック情報を取得するため、本発明の実施の形態では、ATA規格には規定されていない不良ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)を取得するためのコマンドを設け、このコマンドにATA規格では規定されていないコマンドコードを割り当てている。このようなATA規格に規定されていないベンダーユニークな特殊コマンドは、ベンダーコマンドと呼ばれている。以下の説明で、不良ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)を取得するためのベンダーコマンドを不良ブロック情報取得コマンドと言う。 In order to acquire this bad block information, in the embodiment of the present invention, a command for acquiring a physical block address (PBA) of a defective block not defined in the ATA standard is provided, and this command is defined in the ATA standard. An unassigned command code is assigned. Such a vendor-specific special command not defined in the ATA standard is called a vendor command. In the following description, a vendor command for acquiring a physical block address (PBA) of a bad block is referred to as a bad block information acquisition command.
ホストシステム4が不良ブロック情報を取得するときには、まず、ホストシステム4がメモリコントローラ3内のコマンドレジスタに不良ブロック情報取得コマンドのコマンドコードを書き込む。メモリコントローラ3は、この不良ブロック情報取得コマンドに応答して不良ブロックの検索を開始する。この検索では、各物理ブロックの冗長領域に書き込まれているブロックステータスが順次読み出され、読み出されたブロックステータスに基づいて各物理ブロックが先天性不良ブロックであるか否かが識別される。この検索で先天性不良ブロックが検出されたときは、その先天性不良ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)がバッファ9に書き込まれる。
When the host system 4 acquires bad block information, the host system 4 first writes the command code of the bad block information acquisition command in the command register in the
このような処理により、フラッシュメモリ2に含まれる全ての物理ブロックからブロックステータスが読み出され、検出された全ての先天性不良ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)がバッファ9に書き込まれる。この後、メモリコントローラ3はホストシステム4に対して、不良ブロック情報の収集が終了したことを通知する。この通知には、メモリコントローラ3のレディ・ビジー(R/B)端子から出力される信号が用いられる。つまり、レディ・ビジー(R/B)端子から出力される信号のレベル(ハイレベル又はローレベル)で、レディ状態又はビジー状態を示している(以下、レディ状態を示す信号をレディ信号と言い、ビジー状態を示す信号をビジー信号と言う)。例えば、ハイレベルをレディ状態に、ローレベルをビジー状態に設定した場合、不良ブロック情報の収集が終了するまでは、レディ・ビジー(R/B)端子からローレベル(ビジー信号)を出力し、不良ブロック情報の収集が終了したときにレディ・ビジー(R/B)端子からハイレベル(レディ信号)を出力する。
By such processing, the block status is read from all the physical blocks included in the
尚、ホストシステム4に対して、不良ブロック情報の収集が終了したことを通知する方法は、割り込み信号を出力したり、ステータスレジスタ内の特定のビットの論理値を書き換えたりする方法であってもよい。 Note that the method of notifying the host system 4 that the collection of bad block information has ended may be a method of outputting an interrupt signal or rewriting the logical value of a specific bit in the status register. Good.
メモリコントローラ3がホストシステム4に対して、不良ブロック情報の収集が終了したことを通知すると、ホストシステム4はメモリコントローラ3のリードイネーブル(RE)端子にハイレベルとローレベルの信号を交互に入力する。メモリコントローラ3は、リードイネーブル(RE)端子に入力される信号のレベルが遷移するタイミング(ハイレベルからローレベル又はローレベルからハイレベルに遷移するタイミング)でバッファ9に書き込まれた内部情報をホストインターフェースブロック7内のデータレジスタに転送する。一方、ホストシステム4は、リードイネーブル(RE)端子にハイレベルとローレベルの信号を交互に入力すると共に、データレジスタに保持されている情報を読み出す。
When the
このようにして、バッファ9に書き込まれた不良ブロック情報はデータレジスタに転送され、ホストシステム4によって読み出される。バッファ9に書き込まれた全ての不良ブロック情報がデータレジスタに転送されたときに、メモリコントローラ3はレディ・ビジー(R/B)端子からビジー信号を出力し、ホストシステム4は、リードイネーブル(RE)端子への信号の入力と、データレジスタに保持されている情報の読み出しを終了する。
In this way, the bad block information written in the
尚、メモリコントローラ3は不良ブロック情報取得コマンドをホストシステム4から与えられたときに、フラッシュメモリ2からIDデータを読み出し、読み出したIDデータを不良ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)と同様にバッファ9に書き込むようにしてもよい。このようにすれば、ホストシステム4は不良ブロック情報と共にフラッシュメモリ2のIDデータも取得することができる。このIDデータには、メーカコード、デバイスコード、属性情報等の情報が含まれている。
The
メモリカード1を出荷する前には、検査器を用いてメモリカード1の動作チェックが行われる。この動作チェックでは、例えば、メモリカード1の動作電流、スループット等が測定され、これらの検査結果が検査日時、製造日及び製造ロットと共に検査器に保存される。本発明のメモリカードの特定方法を用いる場合には、更に、不良ブロック情報取得コマンドにより不良ブロック情報又は不良ブロック情報及びIDデータを取得し、これらの情報も検査器に保存される。つまり、本発明のメモリカードの特定方法を用いる場合には、不良ブロック情報又は不良ブロック情報及びIDデータが、検査結果、検査日時、製造日及び製造ロットと関連付けられて検査器に保存される。尚、検査日時が、製造日及び製造ロットと関連付けされている場合には、メモリカード毎に製造日及び製造ロットを保存しておかなくてもよい。又、検査器に保存した不良ブロック情報、検査結果、検査日時等のデータは、光学記録媒体、磁気記録媒体等の記録媒体にバックアップしておくことが好ましい。 Before shipping the memory card 1, an operation check of the memory card 1 is performed using an inspection device. In this operation check, for example, the operating current, throughput, and the like of the memory card 1 are measured, and these inspection results are stored in the inspection device together with the inspection date / time, manufacturing date, and manufacturing lot. When the memory card specifying method of the present invention is used, defective block information or defective block information and ID data are further acquired by a defective block information acquisition command, and these pieces of information are also stored in the inspection device. That is, when the memory card specifying method of the present invention is used, the defective block information or the defective block information and the ID data are stored in the inspection device in association with the inspection result, the inspection date / time, the manufacturing date, and the manufacturing lot. When the inspection date and time is associated with the manufacturing date and the manufacturing lot, the manufacturing date and the manufacturing lot need not be stored for each memory card. Moreover, it is preferable to back up data such as defective block information, inspection results, and inspection date / time stored in the inspection device in a recording medium such as an optical recording medium or a magnetic recording medium.
出荷されたメモリカード1に故障、不具合等が発生して返品されたときには、検査器を用いて返品されたメモリカード1の不良ブロック情報又は不良ブロック情報及びIDデータの取得が行われる。続いて、検査器に検査結果、検査日時等と共に保存されている不良ブロック情報の中から、返品されたメモリカード1の不良ブロック情報と一致するものの検索が行われる。この検索で検出された不良ブロック情報と関連付けられている検査結果、検査日時等のデータが、返品されたメモリカード1に関するデータであると判断される。つまり、不良ブロック情報に基づいてメモリカード1を特定し、検査日時、製造日及び製造ロットを判別することができる。又、そのメモリカード1の出荷前の検査結果も参照することができる。 When the shipped memory card 1 is returned due to a failure, malfunction or the like, the defective block information or defective block information and ID data of the returned memory card 1 are acquired using an inspection device. Subsequently, a search is made for a match with the bad block information of the returned memory card 1 from the bad block information stored in the tester together with the test result, the test date and time, and the like. It is determined that the data such as the inspection result and the inspection date and time associated with the defective block information detected by this search are data relating to the returned memory card 1. That is, the memory card 1 can be specified based on the defective block information, and the inspection date / time, manufacturing date, and manufacturing lot can be determined. Also, the inspection result before shipment of the memory card 1 can be referred to.
この不良ブロック情報が一致するものの検索を容易に行うためには、不良ブロック情報に含まれる物理ブロックアドレス(PBA)のチェックサムを求め、このチェックサムも不良ブロック情報として検査器に保存しておくことが好ましい。こうしておくことにより、チェックサムに基づいて返品されたメモリカード1の不良ブロック情報と一致するものの検索を行うことができる。このチェックサムは、全ての不良ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)を加算した値なので、不良ブロックの個数が5個であれば、5個の物理ブロックアドレス(PBA)の加算により求められ、不良ブロックの個数が10個であれば、10個の物理ブロックアドレス(PBA)の加算により求められる。チェックサムのビット数については、物理ブロックアドレス(PBA)のビット数等を考慮して適宜設定することができる。又、返品されたメモリカード1のチェックサムと一致する不良ブロック情報が検出されたときには、更に、不良ブロック情報に含まれる物理ブロックアドレス(PBA)が全て一致しているかどうかを調べ、一致していない場合には更に検索を続行する。又、不良ブロック情報に含まれる物理ブロックアドレス(PBA)が全て一致したときに、IDデータも一致しているかどうかを調べれば、メモリカードの特定精度を更に向上させることができる。 In order to easily search for the matching of the bad block information, a checksum of the physical block address (PBA) included in the bad block information is obtained, and this checksum is also stored in the tester as bad block information. It is preferable. By doing so, it is possible to search for a match with the bad block information of the memory card 1 returned based on the checksum. Since this checksum is a value obtained by adding the physical block addresses (PBA) of all the bad blocks, if the number of bad blocks is five, the checksum is obtained by adding five physical block addresses (PBA). If the number of 10 is 10, it is obtained by adding 10 physical block addresses (PBA). The number of bits of the checksum can be appropriately set in consideration of the number of bits of the physical block address (PBA). When the bad block information that matches the checksum of the returned memory card 1 is detected, it is further checked whether or not all the physical block addresses (PBA) included in the bad block information match. If not, continue the search. In addition, when all the physical block addresses (PBA) included in the bad block information match, it is possible to further improve the accuracy of specifying the memory card by checking whether the ID data also matches.
尚、返品されたメモリカード1の不良ブロック情報を取得するときには、取得した不良ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)に、後天性の不良ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)が含まれてしまうのを防止するため、ブロックステータスに基づいて先天性の不良ブロックであると判断した物理ブロックについては、消去を実行した後に再度ブロックステータスを読み出して、先天性の不良ブロックであるか否かを再度判断することが好ましい。 When acquiring the defective block information of the returned memory card 1, it is prevented that the acquired physical block address (PBA) of the acquired defective block includes the physical block address (PBA) of the acquired defective block. Therefore, for a physical block that is determined to be a congenital defective block based on the block status, the block status is read again after executing erasure to determine again whether or not it is a congenital defective block. Is preferred.
上述のように本発明のメモリカードの特定方法では、メモリカードから取得した不良ブロックの位置(物理ブロックアドレス)に関する情報に基づいて、メモリカードを特定している。従って、出荷時に不良ブロックの位置に関する情報を、検査結果、検査日時、製造日及び製造ロットと共に保存しておくことにより、シリアル番号によること無くメモリカードを特定し、メモリカードの製造日や製造ロットを判別することができる。 As described above, in the method for specifying a memory card of the present invention, the memory card is specified based on the information regarding the position (physical block address) of the defective block acquired from the memory card. Therefore, by storing information on the location of the defective block at the time of shipment together with the inspection result, inspection date, manufacturing date, and manufacturing lot, the memory card is identified without using the serial number, and the manufacturing date and manufacturing lot of the memory card are specified. Can be determined.
次に、この不良ブロック情報を用いた応用的な実施形態を示す。不良ブロック情報は、メモリカードに不良ブロック情報取得コマンドを与える(メモリコントローラ3内のコマンドレジスタに不良ブロック情報取得コマンドのコマンドコードを書き込む)ことによりメモリカードの検査器だけでなく、パーソナルコンピュータ等からも取得して利用することができる。 Next, an applied embodiment using this bad block information is shown. The bad block information is sent from a personal computer or the like as well as a memory card inspector by giving a bad block information acquisition command to the memory card (writing a command code of the bad block information acquisition command in the command register in the memory controller 3). Can also be obtained and used.
従って、不良ブロック情報によりメモリカードを特定し、パーソナルコンピュータ上のアプリケーションソフトがメモリカード毎に行う必要のある処理を自動的に実行することが可能になる。例えば、メモリカードがパーソナルコンピュータのメモリカードスロットに挿入された時、アプリケーションソフトが挿入されたメモリカードを特定し、自動的にパーソナルコンピュータとメモリカードとの間でデータ転送等の処理を実行するように設定することができる。 Therefore, it becomes possible to identify a memory card based on the defective block information and automatically execute processing that application software on the personal computer needs to perform for each memory card. For example, when a memory card is inserted into a memory card slot of a personal computer, the memory card into which the application software is inserted is specified, and processing such as data transfer is automatically executed between the personal computer and the memory card. Can be set to
次に、具体的な利用形態の一例を示す。営業員は携帯型の情報機器のメモリカードスロットに挿入されたメモリカードに対して、受発注データや得意先データ等の書き込みを行う。営業員は、帰社したらメモリカードを携帯型の情報機器から抜き取り、サーバに接続された端末のメモリカードスロットに挿入する。サーバには、このメモリカードの不良ブロック情報が、このメモリカードを所有する営業員の情報に関連付けて保存されている。従って、サーバに保存されている情報と端末に挿入されたメモリカードの不良ブロック情報を照合することにより、このメモリカードを所有する営業員を判別することができる。このメモリカードを所有する営業員を判別した後に、端末に挿入されたメモリカードに保存されている情報が、サーバ側にアップロード(転送)される。ここで、アップロードされた情報は、不良ブロック情報に基づいて判別された営業員の情報としてサーバに保存される。例えば、アップロードされたデータに基づいて、営業員の営業成績を更新するようにしてもよい。 Next, an example of a specific usage form is shown. The sales staff writes ordering / customer data and the like to the memory card inserted into the memory card slot of the portable information device. When the salesperson returns to the office, he removes the memory card from the portable information device and inserts it into the memory card slot of the terminal connected to the server. The server stores the bad block information of the memory card in association with the information of the salesperson who owns the memory card. Therefore, by comparing the information stored in the server with the bad block information of the memory card inserted in the terminal, the salesperson who owns the memory card can be determined. After determining the salesperson who owns the memory card, the information stored in the memory card inserted in the terminal is uploaded (transferred) to the server side. Here, the uploaded information is stored in the server as information on the sales staff determined based on the bad block information. For example, the sales performance of the salesperson may be updated based on the uploaded data.
又、サーバにメモリカードの不良ブロック情報とパスワードを関連付けて保存しておけば、端末のメモリカードスロットに挿入されたメモリカードの不良ブロック情報と、端末にキー入力されたパスワードが一致しなければ、サーバに保存されているデータを参照することができないようにすることもできる。 Also, if the bad block information and password of the memory card are stored in the server in association with each other, the bad block information of the memory card inserted into the memory card slot of the terminal and the password keyed in the terminal do not match. The data stored in the server cannot be referred to.
また、以上に述べた実施形態はメモリカードについてのみ説明してきたが、本発明はメモリカードのみに限定されない。メモリスティック、USBメモリ等の不揮発性メモリを使用したメモリ製品についても同様に適用可能である。 Moreover, although the embodiment described above has described only the memory card, the present invention is not limited only to the memory card. The same applies to memory products using a non-volatile memory such as a memory stick or USB memory.
また、以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。 Moreover, all the embodiment described above shows the present invention exemplarily, and does not limit the present invention, and the present invention can be implemented in other various modifications and changes. Therefore, the scope of the present invention is defined only by the claims and their equivalents.
1 メモリカード
2 フラッシュメモリ
3 メモリコントローラ
4 ホストシステム
6 マイクロプロセッサ
7 ホストインターフェースブロック
8 ワークエリア
9 バッファ
10 フラッシュメモリインターフェースブロック
11 ECCブロック
12 ROM
13 外部バス
14 内部バス
25 ユーザ領域
26 冗長領域
1
13
Claims (3)
前記メモリカードに搭載されたフラッシュメモリ内にある全ての先天性不良ブロックの物理ブロックアドレスを含む不良ブロック情報を、該メモリカードを特定するための情報として登録する登録ステップと、
特定対象の前記メモリカードから不良ブロック情報を読み出す読み出しステップと、
前記登録ステップで登録された複数の前記不良ブロック情報から前記読み出しステップで読み出した前記不良ブロック情報と一致するものを検出する検出ステップと、
を含むことを特徴とするメモリカードの特定方法。 A method for specifying a memory card using a flash memory in which storage data is erased in physical block units as a storage medium,
A registration step of registering defective block information including physical block addresses of all congenital defective blocks in the flash memory mounted on the memory card as information for specifying the memory card;
A reading step of reading out bad block information from the memory card to be identified;
A detection step of detecting a match with the bad block information read in the read step from the plurality of bad block information registered in the registration step;
A method for identifying a memory card, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007009971A JP4656063B2 (en) | 2007-01-19 | 2007-01-19 | How to identify the memory card |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007009971A JP4656063B2 (en) | 2007-01-19 | 2007-01-19 | How to identify the memory card |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008176607A true JP2008176607A (en) | 2008-07-31 |
JP4656063B2 JP4656063B2 (en) | 2011-03-23 |
Family
ID=39703576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007009971A Expired - Fee Related JP4656063B2 (en) | 2007-01-19 | 2007-01-19 | How to identify the memory card |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4656063B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013524378A (en) * | 2010-04-12 | 2013-06-17 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | Method and machine-readable storage medium for generating a physical identifier in a storage device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000112824A (en) * | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | Memory system |
JP2000235636A (en) * | 1998-12-14 | 2000-08-29 | Hitachi Ltd | Information medium using defect information |
JP2003263371A (en) * | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Olympus Optical Co Ltd | Information processing device |
JP2006190840A (en) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor package, its identifying apparatus, its id recognizer and recognizing method, semiconductor integrated circuit chip and its identifying apparatus |
-
2007
- 2007-01-19 JP JP2007009971A patent/JP4656063B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000112824A (en) * | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | Memory system |
JP2000235636A (en) * | 1998-12-14 | 2000-08-29 | Hitachi Ltd | Information medium using defect information |
JP2003263371A (en) * | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Olympus Optical Co Ltd | Information processing device |
JP2006190840A (en) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor package, its identifying apparatus, its id recognizer and recognizing method, semiconductor integrated circuit chip and its identifying apparatus |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013524378A (en) * | 2010-04-12 | 2013-06-17 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | Method and machine-readable storage medium for generating a physical identifier in a storage device |
US9136010B2 (en) | 2010-04-12 | 2015-09-15 | Samsung Electronics Co., Ltd | Method for generating physical identifier in storage device and machine-readable storage medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4656063B2 (en) | 2011-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8006030B2 (en) | Memory controller for identifying the last valid page/segment in a physical block of a flash memory | |
US8732519B2 (en) | Method for using bad blocks of flash memory | |
JP4761959B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US8392797B2 (en) | Error correcting controller, flash memory chip system, and error correcting method thereof | |
CN101427323A (en) | System and method for reading non-volatile computer memory | |
JP2001503166A (en) | Flash memory card | |
US8667348B2 (en) | Data writing method for non-volatile memory module and memory controller and memory storage apparatus using the same | |
US11853599B2 (en) | Memory system and information processing system | |
US8255656B2 (en) | Storage device, memory controller, and data protection method | |
US9552287B2 (en) | Data management method, memory controller and embedded memory storage apparatus using the same | |
TWI486957B (en) | Method, device and operating system for processing, using a nand flash memory burn data | |
US10579289B2 (en) | Memory management method for configuring super physical units of rewritable non-volatile memory modules, memory control circuit unit and memory storage device | |
US10437484B2 (en) | Data protecting method, memory control circuit unit and memory storage device | |
US9971682B2 (en) | Wear-leveling system and method for reducing stress on memory device using erase counters | |
US9858366B2 (en) | Simulator and simulating method for flash memory background | |
JP3589033B2 (en) | Flash memory system | |
CN113741798A (en) | Data storage device and operation method thereof | |
TWI616807B (en) | Data writing method and storage controller | |
CN102890645A (en) | Memory storage device, memory controller and data writing method | |
US20090164869A1 (en) | Memory architecture and configuration method thereof | |
JP4656063B2 (en) | How to identify the memory card | |
TWI494944B (en) | Method of detecting memory modules, memory control circuit unit and storage appartus | |
US20090182932A1 (en) | Method for managing flash memory blocks and controller using the same | |
JP2004145964A (en) | Semiconductor memory, semiconductor memory manufacturing method, memory card, and method of controlling semiconductor memory | |
US8312205B2 (en) | Method for identifying a page of a block of flash memory, and associated memory device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100806 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100730 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101130 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101213 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4656063 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |