JP2008171494A - 連想メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】連想メモリ装置特有の検索機能のテスト時間を半減する。
【解決手段】共通のワード線WLに接続して1ワード分のデータが記憶できるようにした複数のメモリセル1と、各メモリセル1に接続され検索データを受けて当該メモリセル1の記憶データと検索データとの比較を行う複数の一致検出回路2とを有するよう連想メモリワード回路6Aを構成し、その連想メモリワード回路6Aを複数アレイ配置して連想メモリ装置を構成する。各メモリセル1の2個のインバータに2本の動作電圧供給線21,22により個別に動作電圧VDD1,VDD2を供給する。そして、動作電圧VDD1,VDD2の立ち上げに時間差を設けることにより、前記複数の連想メモリワード回路6Aのワードメモリに、互いに異なる検索テストデータを記憶する。
【選択図】図2
【解決手段】共通のワード線WLに接続して1ワード分のデータが記憶できるようにした複数のメモリセル1と、各メモリセル1に接続され検索データを受けて当該メモリセル1の記憶データと検索データとの比較を行う複数の一致検出回路2とを有するよう連想メモリワード回路6Aを構成し、その連想メモリワード回路6Aを複数アレイ配置して連想メモリ装置を構成する。各メモリセル1の2個のインバータに2本の動作電圧供給線21,22により個別に動作電圧VDD1,VDD2を供給する。そして、動作電圧VDD1,VDD2の立ち上げに時間差を設けることにより、前記複数の連想メモリワード回路6Aのワードメモリに、互いに異なる検索テストデータを記憶する。
【選択図】図2
Description
本発明は、電源投入時にテストデータをプログラムして検索機能のテストを高速化できるようにした連想メモリ装置に関するものである。
連想メモリ装置は高速な検索機能を持ったメモリ装置である。図8に、連想メモリ装置に使用されるメモリセル1と一致検出回路2の構成を示す。メモリセル1において、MP1,MN1はインバータINV1を構成するP型、N型のMOSトランジスタ、MP2,MN2はインバータINV2を構成するP型、N型のMOSトランジスタであり、インバータINV1の入力がインバータINV2の出力(ノードN2)に、インバータINV2の入力がインバータINV1の出力(ノードN1)に、それぞれ接続されることにより、SRAMメモリセルが構成されている。MN3,MN4はワード線WLが“H”にされたときオンして、ビット線BL,BLNをノードN1,N2に接続するN型のMOSトランジスタである。SBL,SBLNは検索ビット線、MLは一致検出回路2で得られた一致情報(又は不一致情報)を伝達するための一致線である。
図9は、メモリセル1と一致検出回路2の組が複数集まって構成された1つの検索単位を示す図であり、1つの検索単位当り1つの一致情報を発生する1つの一致フラグ回路3が存在し、当該一致フラグ回路3と、左の検索単位からの一致情報と上からの一致情報との論理和をそれぞれ右(X)方向と下(Y)方向に伝達する一致伝達回路4,5回路が備えられる。
図9に示す1つの検索単位が1つのワードを表す連想メモリワード回路6Dとなっている場合について、以下説明する。図10に示すように、図9に示した連想メモリワード回路6Dをアレイ状に配列させ、ワード線ドライバ回路7およびビット線/検索ビット線ドライバ回路8と、ロウエンコーダ回路9およびカラムエンコーダ回路10を付加することにより、連想メモリ装置が構成される。
検索時の動作の概略を説明する。検索情報を各検索ビット線SBL,SBLNから各一致検出回路2に供給したとき、図11に示すように、ある連想メモリワード回路6D1のみがそこに記憶されたワードと検索ワードとが一致した場合、当該連想メモリワード回路6D1から右(X)方向と下(Y)方向に一致情報が伝達し(太線で示す)、それぞれ、ロウエンコーダ回路9とカラムエンコーダ回路10に入力される。各エンコーダ回路9,10では、一致線をアドレスに変換(エンコード)して、一致アドレスが生成される。
図11の例はシングルヒット(一致がひとつのみ)の場合であったが、図12に示すように、2つの連想メモリワード回路6D1,6D2あるいはそれ以上が一致した場合(マルチヒット)は、各エンコーダ回路9,10に2つ所以上の一致情報が入力されるため、アドレスに変換ができない。これを解決するために、図13に示すように、ロウエンコーダ回路9の手前にロウプライオリティ回路11を設け、カラムエンコーダ回路10の手前にカラムプライオリティ回路12を設けている連想メモリがある。
ところで、連想メモリ装置には、有効なデータを書き込んでいない連想メモリワード回路が必ずといっていいほど存在する。そのため、そのような連想メモリワード回路が検索動作で一致情報を生成しないように、連想メモリ装置には検索マスク機能が追加されている。すなわち、各連想メモリワード回路に対し、1ビットずつ検索データをマスクする検索マスクビットを持たせて、有効なデータが存在しない場合には常に不一致情報を生成するようにしている。図14に一致フラグ回路3に不一致情報を入力させる検索マスクセル13を付加した連想メモリワード回路6Eの構成を示す。この検索マスクセル13のビットについては連想メモリ装置を使用する前にマスクデータを記憶する必要がある。
これを発展させ、図15に示すように、メモリセル1と一致検出回路2の組毎に1つの検索マスクセル13を付加させた連想メモリワード回路6Fからなる連想メモリ装置も存在する。この場合の一致検出回路2としては、図16、図17に示すような回路が使用される。
図16に示す一致検出回路2Aは、4個のN型のMOSトランジスタMN31〜MN34により構成されている。この一致検出回路2Aは、メモリセル1に記憶されたデータと同じデータが検索マスクセル13に記憶されているきはマスクされず、有効となる。すなわち、検索データとメモリセル1のデータとの一致検出が行われる。しかし、メモリセル1に“1”が記憶され、かつ、検索マスクセル13に“0”が記憶されたときは、マスクされ、無効となる。
図17に示す一致検出回路2Bは、5個のN型のMOSトランジスタMN41〜MN45により構成されている。この一致検出回路2Bは、検索マスクセル13に“1”が記憶されているときはマスクされず、有効となる。すなわち、検索データとメモリセル1のデータとの一致検出が行われる。しかし、検索マスクセル13に“0”が記憶されたときはマスクされ、無効となる。
以上説明した連想メモリ装置は、そのテストを行うとき、通常のメモリのテストに加えて、検索機能のテストが必須である。この検索機能のテストは、各連想メモリワード回路に備えられている一致検出回路、エンコーダ、プライオリティ回路を対象に行われる。
ところが、マルチヒットに対応しない連想メモリ装置においては、各連想メモリワード回路の一致検出回路のテストをする場合、各連想メモリワード回路をひとつずつ一致させる必要がある。つまり、検索テストのためのテストデータの記憶(初期化)において、全ての連想メモリワード回路について全て異なるデータを書き込む必要があり、n個の連想メモリワード回路(nワード)が存在する連想メモリ装置においては、初期化にnサイクルを要し、検索テストの準備に時間がかかってしまう。
マルチヒットに対応した連想メモリ装置においても、一回の検索で出力される一致アドレスはひとつであるため、全部の連想メモリワード回路の一致検出回路のテスト方法は上と同じ方法とならざるを得ないため、同様にテストの初期化に時間がかかり、検索テストの準備に時間がかかってしまう。
本発明の目的は、連想メモリ装置特有の検索機能のテスト時間を半減することができるようにした連想メモリ装置を提供することである。
上記目的を達成するために、請求項1にかかる発明の連想メモリ装置は、第1および第2のインバータの入力と出力とが相互に接続されたメモリセルを所定個数だけ共通のワード線に接続して1ワード分のデータを記憶するようにし、1ワード分の検索データの供給を受けて前記複数のメモリセルに対応した複数の一致検出回路において前記複数のメモリセルの1ワード分のデータとの一致検出を行うよう連想メモリワード回路を構成し、該連想メモリワード回路を複数備えた連想メモリ装置において、前記各メモリセルの前記第1および第2のインバータは、互いに独立に動作電圧を供給する2本の動作電圧供給線の一方および他方に接続され、前記2本の動作電圧供給線のそれぞれを通じた前記動作電圧の供給を所定の順番で開始することにより、前記複数の連想メモリワード回路に互いに異なるテストデータが記憶されるようにしたことを特徴とする。
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載の連想メモリ装置において、さらに検査回路を備え、該検査回路は、前記各連想メモリワード回路に前記テストデータが記憶された後に、前記各連想メモリワード回路の一致検出回路に、前記互いに異なるテストデータに対応する検索データを順に供給し、前記各連想メモリワード回路の一致検出回路から前記一致検出の結果を受け取ることにより、前記各連想メモリワード回路の一致検出回路の検査を行うことを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項1又は2に記載の連想メモリ装置において、前記各連想メモリワード回路に、前記一致検出回路による一致検出を有効にするか無効にするかを決めるマスクデータが記憶される検索マスクセルが付加され、該検索マスクセルは入力と出力とが相互に接続された第3および第4のインバータを備え、前記各検索マスクセルの前記第3および第4のインバータは、前記2本の動作電圧供給線の一方および他方に接続され、前記2本の動作電圧供給線のそれぞれを通じた前記動作電圧の供給を所定の順番で開始することにより、前記検索マスクセルに前記一致検出回路による一致検出を有効にするマスクデータが記憶されることを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項1又は2に記載の連想メモリ装置において、前記各連想メモリワード回路に、前記一致検出回路による一致検出を有効にするか無効にするかを決めるマスクデータが記憶される検索マスクセルが付加され、該検索マスクセルは入力と出力とが相互に接続された第3および第4のインバータを備え、前記各検索マスクセルの前記第3および第4のインバータは、互いに独立に動作電圧を供給する第3および第4の動作電圧供給線の一方および他方に接続され、該第3および第4の動作電圧供給線のそれぞれを通じた前記動作電圧の供給を所定の順番で開始することにより、前記検索マスクセルに前記一致検出回路による一致検出を有効にするマスクデータが記憶されることを特徴とする。
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載の連想メモリ装置において、さらに検査回路を備え、該検査回路は、前記各連想メモリワード回路に前記テストデータが記憶された後に、前記各連想メモリワード回路の一致検出回路に、前記互いに異なるテストデータに対応する検索データを順に供給し、前記各連想メモリワード回路の一致検出回路から前記一致検出の結果を受け取ることにより、前記各連想メモリワード回路の一致検出回路の検査を行うことを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項1又は2に記載の連想メモリ装置において、前記各連想メモリワード回路に、前記一致検出回路による一致検出を有効にするか無効にするかを決めるマスクデータが記憶される検索マスクセルが付加され、該検索マスクセルは入力と出力とが相互に接続された第3および第4のインバータを備え、前記各検索マスクセルの前記第3および第4のインバータは、前記2本の動作電圧供給線の一方および他方に接続され、前記2本の動作電圧供給線のそれぞれを通じた前記動作電圧の供給を所定の順番で開始することにより、前記検索マスクセルに前記一致検出回路による一致検出を有効にするマスクデータが記憶されることを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項1又は2に記載の連想メモリ装置において、前記各連想メモリワード回路に、前記一致検出回路による一致検出を有効にするか無効にするかを決めるマスクデータが記憶される検索マスクセルが付加され、該検索マスクセルは入力と出力とが相互に接続された第3および第4のインバータを備え、前記各検索マスクセルの前記第3および第4のインバータは、互いに独立に動作電圧を供給する第3および第4の動作電圧供給線の一方および他方に接続され、該第3および第4の動作電圧供給線のそれぞれを通じた前記動作電圧の供給を所定の順番で開始することにより、前記検索マスクセルに前記一致検出回路による一致検出を有効にするマスクデータが記憶されることを特徴とする。
本発明によれば、動作電圧供給開始時に各連想メモリワード回路に所望のテストデータが記憶されるので、各メモリセルにテストデータを個々に供給する必要はなく、検索データを供給するのみで、検索機能のテストを実施することができ、テスト時間を半減することができる。また、検索マスクセルを備える連想メモリワード回路では、動作電圧供給開始時に一致検出回路の一致検出を有効とするマスクデータが記憶されるので、検索マスクセルが備わっている場合でも、テスト時間を半減することができる。
<第1の実施例>
図1に本発明の連想メモリ装置の連想メモリワード回路6のメモリセル1と一致検出回路2の実施例を示す。図1は、メモリセル1の動作電圧供給線を、動作電圧VDD1を供給する動作電圧供給線21と動作電圧VDD2(=VDD1)を供給する動作電圧供給線22に分離したものである。他の点は、前記図8に示した構成と同じである。ここでは、メモリセル1のインバータINV1に動作電圧供給線22を、インバータINV2に動作電圧供給線21を接続している。
図1に本発明の連想メモリ装置の連想メモリワード回路6のメモリセル1と一致検出回路2の実施例を示す。図1は、メモリセル1の動作電圧供給線を、動作電圧VDD1を供給する動作電圧供給線21と動作電圧VDD2(=VDD1)を供給する動作電圧供給線22に分離したものである。他の点は、前記図8に示した構成と同じである。ここでは、メモリセル1のインバータINV1に動作電圧供給線22を、インバータINV2に動作電圧供給線21を接続している。
本実施例では、これら動作電圧VDD1,VDD2を独立に制御することで、動作電圧供給直後にメモリセル1にテストデータを記憶する。例えば、動作電圧立上り順をVDD2→VDD1にすれば、ノードN1が“H”、ノードN2が“L”となるため、メモリセル1にはデータ“1”が記憶される。逆に、VDD1→VDD2にすれば、ノードN1が“L”、ノードN2が“H”となって、データ“0”が記憶される。このように、動作電圧VDD1とVDD2の立上りの順序に応じて、メモリセル1に“1”、“0”の任意のデータをテストデータとして記憶できる。
図2は、このメモリセル1および一致検出回路2を使って構成した連想メモリワード回路6Aを示す図である。この連想メモリワード回路6Aを複数アレイ配置して連想メモリ装置を構成し、各メモリセル1の2系統の動作電圧を連想メモリ装置の外部からの動作電圧VDD1,VDD2の任意の組み合わせで接続することで、連想メモリワード回路6Aにテストデータ又はその反転データを短時間のうちに記憶することができるようになる。つまり、検索テストためのメモリセル1の初期化が非常に短い時間で達成できることになる。もちろん、テストに限らず、通常使用時に初期化が必要であれば、そのデータをプログラムすることで初期化が不要となる。
図3は、連想メモリ装置のテストのための構成を示す図である。連想メモリワード回路6Aをアレイ配置して構成した連想メモリ装置31に、メモリセル1内部の独立させた2系統の動作電圧VDD1,VDD2の立ち上がり順序を制御する電圧供給制御回路32を備えさせる。また、その電圧供給制御回路32に対してテストデータの記憶(データ初期化)のための電圧供給制御信号を与えると共に、連想メモリアレイ31に検索データを与え、その連想メモリ装置31から検索結果を取り込みテストを行う検査回路33を備えさせる。
検索機能のテスト手法は次の通りである。まず、全メモリセル1に対して、前記した動作電圧VDD1,VDD2の立上り順序によって、テストデータを書き込む。このデータは、連想メモリワード回路6A毎に相互間で比較した場合に、全ての連想メモリワード回路6Aで異なるデータ(ワード)を持つようにする。このテストデータの書き込みにおいては、従来では、検査装置がnサイクルの時間をかけてn個の連想メモリワード回路6Aに所望のテストデータを順次記憶していたのに対し、本発明においては、電圧供給制御回路32に電圧VDD1とVDD2の立上り順を決める電圧供給制御信号を与えるのみでテストデータの記憶が完了する。連想メモリワード回路6Aの数nが大きくなればなるほど、従来のテストデータの記憶時間(nサイクル)と本発明の動作電圧立ち上がり制御によるテストデータの記憶時間の差は大きくなっていく。昨今のメモリ容量の増加傾向を考えれば、連想メモリ装置においても容量増加傾向は必然である。したがって、本発明のテストデータの記憶時間は、従来に比較して、無視できるほどに小さくなると考えても良い。
テストデータの記憶後、検査回路33から、検索データを全ての連想メモリワード回路6Aの検索ビット線SBL,SBLNに供給し、全てのビットで一致が検出された連想メモリワード回路6Aを一致フラグ回路3で検出する。その検出結果は、図10〜図14で説明したロウエンコーダ回路9およびカラムエンコーダ回路10に伝達され、一致したワードのアドレスが検索結果として検査回路33に戻され、検査回路33は予想されたアドレスとの一致を確認する。この操作を、検索データを変化させて、一致する連想メモリワード回路6Aを変化させながら、nサイクル繰り返す。次に、反転のデータを連想メモリワード回路6に前記と同様に記憶し、反転した検索データで同様にnサイクル分の検索を繰り返す。
<第2の実施例>
図4は、メモリセル1と一致検出回路2の他に、当該一致検出回路2毎に検索マスクセル13を備える1ビット分の実施例を示す。ここでは、メモリセル1に接続される2本の動作電圧供給線21,22により、検索マスクセル13にもメモリセル1と同様の動作電圧VDD1,VDD2を供給する。
図4は、メモリセル1と一致検出回路2の他に、当該一致検出回路2毎に検索マスクセル13を備える1ビット分の実施例を示す。ここでは、メモリセル1に接続される2本の動作電圧供給線21,22により、検索マスクセル13にもメモリセル1と同様の動作電圧VDD1,VDD2を供給する。
図5は、このメモリセル1、一致検出回路2および検索マスクセル13を使って構成した連想メモリワード回路6Bを示す図である。この連想メモリワード回路6Bを複数アレイ配置して連想メモリ装置を構成し、各メモリセル1および検索マスクセル13に2系統の電源を連想メモリ装置の外部からの動作電圧VDD1,VDD2の任意の組み合わせで接続することで、各連想メモリワード回路6Bに1種類のテストデータ又はその反転データを短時間のうちに記憶することができるようになる。
検索機能のテスト中は検索マスクセル13が一致検出回路2をマスクしないようにする必要がある。一致検出回路2として図16に示した一致検出回路2Aを使用する場合は、メモリセル1と対の検索マスクセル13には、メモリセル1のテストデータと同じマスクデータが記憶されるようにする。この場合は、図4に示すように、インバータINV1とINV11を動作電圧供給線22に、インバータINV2とINV12を動作電圧供給線21に接続する。連想メモリワード回路6Bに含まれる他の検索マスクセルについても、図5に示されるように、対応するメモリセルのテストデータと同じマスクデータが記憶されるように、動作電圧供給線21および22を接続する。なお、検索機能のテスト手法は第1の実施例で説明した内容と同じである。
<第3の実施例>
図6は、メモリセル1と一致検出回路2の他に、当該一致検出回路2毎に検索マスクセル13を備える1ビット分の別の実施例を示す。図7はこのメモリセル1、一致検出回路2および検索マスクセル13を使って構成した連想メモリワード回路6Cを示す図である。ここでは、メモリセル1には2本の動作電圧供給線21,22により動作電圧VDD1,VDD2を供給し、検索マスクセル13には別の2本の動作電圧供給線23,24により動作電圧VDD3,VDD4(=VDD3)を供給する。動作電圧供給線21,22,23,24は別系統の動作電圧供給線であり、それら4本の動作電圧供給線は、独立してその投入タイミングを設定できるものとする。
図6は、メモリセル1と一致検出回路2の他に、当該一致検出回路2毎に検索マスクセル13を備える1ビット分の別の実施例を示す。図7はこのメモリセル1、一致検出回路2および検索マスクセル13を使って構成した連想メモリワード回路6Cを示す図である。ここでは、メモリセル1には2本の動作電圧供給線21,22により動作電圧VDD1,VDD2を供給し、検索マスクセル13には別の2本の動作電圧供給線23,24により動作電圧VDD3,VDD4(=VDD3)を供給する。動作電圧供給線21,22,23,24は別系統の動作電圧供給線であり、それら4本の動作電圧供給線は、独立してその投入タイミングを設定できるものとする。
メモリセル1には、前記したように、動作電圧VDD1,VDD2の立上り順序の設定により、テストデータを任意に記憶する。検索マスクセル13には、動作電圧VDD3,VDD4の立上り順序の設定により、一致検出回路2をマスクしないマスクデータを記憶する。一致検出回路2として図16に示した一致検出回路2Aを使用する場合は、メモリセル1に記憶されるテストデータと検索マスクセル13に記憶されるマスクデータは同じにする必要がある。例えば、動作電圧供給線21〜24を図6および図7に示すように接続したときは、動作電圧VDD1,VDD2をVDD2→VDD1の順で立ち上がらせるとき、動作電圧VDD3,VDD4をVDD4→VDD3の順で立ち上がらせる。
一方、一致検出回路2として図17に示した一致検出回路2Bを使用する場合は、検索マスクセル13に記憶するマスクデータは、メモリセル1に記憶するテストデータとは関係なしに、“1”のデータを記憶する。例えば、動作電圧供給線21〜24を図6に示すように接続したときは、動作電圧VDD3,VDD4をVDD4→VDD3の順で立ち上がらせる。連想メモリワード回路6Cに含まれる他の検索マスクセルについても、動作電圧供給先23,24への接続を同一とし、”1”のデータを記憶する。なお、検索機能のテスト手法は第1の実施例で説明した内容と同じである。
以上の第2および第3の実施例では、いずれも、各連想メモリワード回路6Bもしくは6Cを構成する複数のメモリセルのそれぞれに付加した検索マスクセルに対して、動作電圧供給開始時にマスクデータの設定を行った。それに対し、図14で説明した従来技術のように、複数のメモリセルからなる連想メモリワード回路に1つだけ検索マスクセルを付加した場合であっても、同様に動作電圧供給開始時にマスクデータの設定を行うことができる。
1:メモリセル
2,2A,2B:一致検出回路
3:一致フラグ回路
4,5:一致伝達回路
6A〜6F:連想メモリワード回路
7:ワード線ドライバ回路
8:ビット線/検索ビット線ドライバ回路
9:ロウエンコーダ回路
10:カラムエンコーダ回路
11:ロウプライオリティ回路
12:カラムプライオリティ回路
21〜24:動作電圧供給線
31:連想メモリ装置
32:電圧供給制御回路
33:検査回路
2,2A,2B:一致検出回路
3:一致フラグ回路
4,5:一致伝達回路
6A〜6F:連想メモリワード回路
7:ワード線ドライバ回路
8:ビット線/検索ビット線ドライバ回路
9:ロウエンコーダ回路
10:カラムエンコーダ回路
11:ロウプライオリティ回路
12:カラムプライオリティ回路
21〜24:動作電圧供給線
31:連想メモリ装置
32:電圧供給制御回路
33:検査回路
Claims (4)
- 第1および第2のインバータの入力と出力とが相互に接続されたメモリセルを所定個数だけ共通のワード線に接続して1ワード分のデータを記憶するようにし、1ワード分の検索データの供給を受けて前記複数のメモリセルに対応した複数の一致検出回路において前記複数のメモリセルの1ワード分のデータとの一致検出を行うよう連想メモリワード回路を構成し、該連想メモリワード回路を複数備えた連想メモリ装置において、
前記各メモリセルの前記第1および第2のインバータは、互いに独立に動作電圧を供給する2本の動作電圧供給線の一方および他方に接続され、
前記2本の動作電圧供給線のそれぞれを通じた前記動作電圧の供給を所定の順番で開始することにより、前記複数の連想メモリワード回路に互いに異なるテストデータが記憶されるようにしたことを特徴とする連想メモリ装置。 - 請求項1に記載の連想メモリ装置において、さらに検査回路を備え、
該検査回路は、前記各連想メモリワード回路に前記テストデータが記憶された後に、前記各連想メモリワード回路の一致検出回路に、前記互いに異なるテストデータに対応する検索データを順に供給し、前記各連想メモリワード回路の一致検出回路から前記一致検出の結果を受け取ることにより、前記各連想メモリワード回路の一致検出回路の検査を行うことを特徴とする連想メモリ装置。 - 請求項1又は2に記載の連想メモリ装置において、
前記各連想メモリワード回路に、前記一致検出回路による一致検出を有効にするか無効にするかを決めるマスクデータが記憶される検索マスクセルが付加され、該検索マスクセルは入力と出力とが相互に接続された第3および第4のインバータを備え、
前記各検索マスクセルの前記第3および第4のインバータは、前記2本の動作電圧供給線の一方および他方に接続され、前記2本の動作電圧供給線のそれぞれを通じた前記動作電圧の供給を所定の順番で開始することにより、前記検索マスクセルに前記一致検出回路による一致検出を有効にするマスクデータが記憶されることを特徴とする連想メモリ装置。 - 請求項1又は2に記載の連想メモリ装置において、
前記各連想メモリワード回路に、前記一致検出回路による一致検出を有効にするか無効にするかを決めるマスクデータが記憶される検索マスクセルが付加され、該検索マスクセルは入力と出力とが相互に接続された第3および第4のインバータを備え、
前記各検索マスクセルの前記第3および第4のインバータは、互いに独立に動作電圧を供給する第3および第4の動作電圧供給線の一方および他方に接続され、該第3および第4の動作電圧供給線のそれぞれを通じた前記動作電圧の供給を所定の順番で開始することにより、前記検索マスクセルに前記一致検出回路による一致検出を有効にするマスクデータが記憶されることを特徴とする連想メモリ装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017037700A (ja) * | 2012-12-26 | 2017-02-16 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 3値連想メモリのための擬似norセル |
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JP2017037700A (ja) * | 2012-12-26 | 2017-02-16 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 3値連想メモリのための擬似norセル |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100406 |