JP2008171287A - Information equipment, connection inspection method, program and recording medium - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately and efficiently inspect whether or not a storage element substrate on which a storage element is mounted has been normally connected to a slot of a main board. <P>SOLUTION: This connection inspection method includes carrying out addressing in a first address line signal state that only one address line as the object of inspection is put in a selective signal level to write prescribed data in inspecting whether or not the wiring pattern of an RAM-DIMM2 and the pin of a DIMM slot 5 are put in an open state about the address line (S1), and carrying out addressing in a second signal state that the signal levels of all address lines are put in a signal level whose phase is opposite to that of the selective signal level to write data different from the prescribed data (S2), and carrying out addressing in the first signal state to read data (S3), and carrying out verify check (S4). This operation is repeated for the number of the address lines (S6 to S9). <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体記憶素子などを実装した記憶素子基板がメインボードに正常に接続されているか否かを検査する接続検査技術に関する。   The present invention relates to a connection inspection technique for inspecting whether a memory element substrate on which a semiconductor memory element or the like is mounted is normally connected to a main board.

従来、デジタル複写機など画像情報機器では、半導体記憶素子DIMM(Dual Inline Memory Module)の接線チェックを行なう場合、例えばアドレス線チェックについては、DIMMのアドレス空間内のアドレスを00・・・0001、00・・・0010、00・・・0100というように1ビットずつずらしながらデータを書き込んだ後、書き込んだデータを読み出して書き込み前のデータと比較するヴェリファイ(Verify)チェックという方法を採用している。データ線チェックについても同様である。なお、この接線チェックは画像情報機器といった情報機器においては電源投入時に行なうのが一般的である。   2. Description of the Related Art Conventionally, in an image information device such as a digital copying machine, when performing a tangent check of a semiconductor memory element DIMM (Dual Inline Memory Module), for example, for an address line check, an address in the DIMM address space is 00... 0001, 00 .., 0010, 00... 0100, after data is written while being shifted bit by bit, a method of verify (Verify) is employed in which the written data is read and compared with the data before writing. The same applies to the data line check. Note that this tangential check is generally performed at the time of power-on in an information device such as an image information device.

以下、特許文献1に示された関連従来技術について説明する。
この従来技術はデータバスおよびアドレスバスの不完全な接続によるメモリ不良の発見を効率的に行なおうとするものである。そのため、この従来技術では、DSP(Digital Signal Processor)が、Nビットのアドレスバス、データバスに接続されたSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)を対象にその特定のアドレスにアドレス値と同じ値のデータを書き込んだ後、それぞれのアドレスのデータの読み込みを行なう。そして、それぞれのアドレスの値と対応する読み出したデータを比較し、一致しなければ、データバスによるメモリ不良と判定する。次に、DSPはアドレス0番地にオール0を書き込み、さらにアドレス0番地からの読み込みを行なう。さらに、前記特定アドレスからデータを読み込み、そのすべてのデータのOR演算を行ない、最終的に計算された結果からアドレスバスに起因するメモリ不良のアドレスビット位置を特定する。
特開2004−334707公報
The related prior art disclosed in Patent Document 1 will be described below.
This prior art intends to efficiently find a memory failure due to an incomplete connection of a data bus and an address bus. For this reason, in this conventional technique, a DSP (Digital Signal Processor) uses an N-bit address bus and an SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) connected to the data bus as data for the same address as the address value. After writing, data at each address is read. Then, the read data corresponding to each address value is compared, and if they do not match, it is determined that the memory is defective due to the data bus. Next, the DSP writes all 0s at address 0, and further reads from address 0. Further, data is read from the specific address, all the data are ORed, and the address bit position of the memory defect caused by the address bus is specified from the finally calculated result.
JP 2004-334707 A

半導体記憶素子の接線チェックのために、アドレスを変えながら前述したヴェリファイチェックを行なう場合、メモリ空間のアドレスがCS(Chip Select)線、入出力バッファ制御線(DQM)、アドレス線の組み合わせで実現されるので、メモリ空間上のアドレスを1ビットずつシフトしても半導体記憶素子の複数のアドレス線のうちの1本のみが順次選択されるわけではなく、したがって、従来技術の方法では不正確である。また、メモリ空間をカバーするアドレスビット数は、CS線、入出力バッファ制御線(DQM)、アドレス線それぞれの本数の和より多くなるので、チェックが冗長となり、検査時間が長くなる。本数の和が少なくなるのは、RAS側のアドレッシングとCAS側のアドレッシングを時分割で行なう結果、アドレス線の本数が少なくなるからである。
本発明は、このような従来技術の問題を解決しようとするものであり、アドレス線などを1本1本に対して検査することにより、正確に検査できるようにするとともに、検査の回数を少なくすることにより効率的に検査可能な接続検査技術を提供することを目的とする。
When the above-mentioned verify check is performed while changing the address to check the tangent of the semiconductor memory element, the memory space address is realized by a combination of CS (Chip Select) line, I / O buffer control line (DQM), and address line. Therefore, even if the address on the memory space is shifted bit by bit, only one of the plurality of address lines of the semiconductor memory element is not sequentially selected. Therefore, the conventional method is inaccurate. is there. Further, the number of address bits covering the memory space is larger than the sum of the number of each of the CS line, the input / output buffer control line (DQM), and the address line, so that the check becomes redundant and the inspection time becomes long. The reason why the sum of the numbers is reduced is that the number of address lines is reduced as a result of performing RAS side addressing and CAS side addressing in a time-sharing manner.
The present invention is intended to solve such a problem of the prior art. By inspecting each address line and the like one by one, it is possible to inspect accurately and reduce the number of inspections. It is an object of the present invention to provide a connection inspection technique that can be efficiently inspected.

請求項1記載の発明は、記憶素子を実装した記憶素子基板がスロットを介してメインボードと電気的に接続される情報機器において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かを個々のアドレス線ごとに検査する検査手段を備えたことを特徴とする。
請求項2記載の発明は、記憶素子を実装した記憶素子基板がスロットを介してメインボードと電気的に接続される情報機器において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かを個々の入出力バッファ制御線ごとに検査する検査手段を備えたことを特徴とする。
請求項3記載の発明は、記憶素子を実装した記憶素子基板がスロットを介してメインボードと電気的に接続される情報機器において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かをデータ線について検査する際に、一度にすべてのデータ線を対象に特定のデータを書き込み読み出すヴェリファイチェックにより検査する検査手段を備えたことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an information device in which a memory element substrate on which a memory element is mounted is electrically connected to a main board through a slot, and a connection between a wiring pattern provided on the memory element substrate and the slot It is characterized in that an inspection means for inspecting each address line whether or not the child is normally connected is provided.
According to a second aspect of the present invention, in an information device in which a memory element substrate on which a memory element is mounted is electrically connected to a main board via a slot, a wiring pattern provided on the memory element substrate is connected to the slot It is characterized by comprising inspection means for inspecting whether each child is normally connected or not for each input / output buffer control line.
According to a third aspect of the present invention, in an information device in which a memory element substrate on which a memory element is mounted is electrically connected to a main board via a slot, a wiring pattern provided on the memory element substrate is connected to the slot It is characterized by having an inspection means for inspecting by a verify check that writes and reads specific data for all data lines at the same time when inspecting whether the child is normally connected or not with respect to the data line. To do.

請求項4記載の発明は、請求項1、2または3記載の情報機器において、前記検査手段による検査の結果が期待値と異なる場合に記憶素子基板の接続に異常がある旨を表示させる異常表示手段を備えたことを特徴とする。
請求項5記載の発明は、請求項4記載の情報機器において、前記異常表示手段が、前記メインボードに複数のスロットがある場合にどのスロットに接続された記憶素子基板が異常であるかを表示させることを特徴とする。
請求項6記載の発明は、記憶素子を実装した記憶素子基板がスロットを介してメインボードと電気的に接続されている情報機器の接続検査方法において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かを個々のアドレス線および/または個々の入出力バッファ制御線ごとに検査することを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the information device according to the first, second, or third aspect, an abnormality display for displaying that there is an abnormality in the connection of the memory element substrate when a result of the inspection by the inspection means is different from an expected value Means are provided.
According to a fifth aspect of the present invention, in the information device according to the fourth aspect, the abnormality display means displays in which slot the storage element substrate connected is abnormal when the main board has a plurality of slots. It is characterized by making it.
The invention according to claim 6 is a wiring pattern provided on the storage element substrate in a connection inspection method for an information device in which a storage element substrate on which the storage element is mounted is electrically connected to a main board via a slot. And whether the connector of the slot is normally connected or not is checked for each address line and / or each input / output buffer control line.

請求項7記載の発明は、請求項6の接続検査方法において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とがオープン状態か否かをアドレス線について検査する際、それぞれのアドレス線を順次検査対象にして、検査対象の1本のアドレス線のみを選択信号レベルにした第1の信号状態でアドレッシングして所定のデータを書き、さらに全アドレス線の信号レベルを前記選択信号レベルとは逆相の信号レベルにした第2の信号状態でアドレッシングして前記所定のデータとは違うデータを書き、次に前記第1の信号状態でアドレッシングしてデータを読み出しヴェリファイチェックを行なうことにより検査することを特徴とする。
請求項8記載の発明は、請求項6の接続検査方法において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの隣接接続子とがショート状態か否かをアドレス線について検査する際、それぞれのアドレス線を順次検査対象にして、検査対象の1本のアドレス線のみを選択信号レベルにした第1の信号状態でアドレッシングして所定のデータを書き、さらに前記検査対象の1本のアドレス線に隣接するアドレス線のみを他のアドレス線とは異なる選択信号レベルにした第2の信号状態でアドレッシングして前記所定のデータとは異なるデータを書き、次に次に前記第1の信号状態でアドレッシングしてデータを読み出しヴェリファイチェックを行なうことにより検査することを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, in the connection inspection method according to the sixth aspect, each of the address lines checks whether or not the wiring pattern provided on the storage element substrate and the connector of the slot are in an open state. The address lines are sequentially inspected, only one address line to be inspected is addressed in the first signal state in which the selection signal level is set, predetermined data is written, and the signal levels of all address lines are selected. Addressing is performed in a second signal state having a signal level opposite to the signal level, and data different from the predetermined data is written, and then addressing is performed in the first signal state to read the data and perform a verify check. It is characterized by inspecting by performing.
The invention according to claim 8 is the connection inspection method according to claim 6, wherein when the address line is inspected whether the wiring pattern provided on the memory element substrate and the adjacent connector of the slot are in a short state, Each address line is sequentially inspected, and only one address line to be inspected is addressed in the first signal state in which the selection signal level is set and predetermined data is written, and further, one address to be inspected is written. Only the address line adjacent to the line is addressed in a second signal state having a selection signal level different from that of the other address lines, and data different from the predetermined data is written, and then the first signal state In this case, the data is read out by performing address verification and a verification check is performed.

請求項9記載の発明は、請求項6の接続検査方法において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かを入出力バッファ制御線について検査する際、検査対象の1本の入出力バッファ制御線のみを選択信号レベルにした信号状態で選択された記憶素子の所定のアドレスに所定のデータを書き、さらに、直前に書き込んだ入出力バッファ制御線に隣接する入出力バッファ制御線のみを前記選択信号レベルにした信号状態で書き込み済みデータとは異なるデータを前記所定のアドレスに書く動作を他の入出力バッファ制御線について繰り返し、次に、各入出力バッファ制御線について書き込み時と同様にアドレッシングしてデータを読み出しヴェリファイチェックを行なうことにより検査することを特徴とする。   According to a ninth aspect of the present invention, in the connection inspection method according to the sixth aspect, the input / output buffer control line determines whether or not the wiring pattern provided on the storage element substrate and the connector of the slot are normally connected. When a test is performed, a predetermined data is written to a predetermined address of a storage element selected in a signal state in which only one input / output buffer control line to be tested is set to a selection signal level, and the input / output written immediately before The operation of writing the data different from the written data at the predetermined address in the signal state in which only the input / output buffer control line adjacent to the buffer control line is at the selection signal level is repeated for the other input / output buffer control lines, By addressing each I / O buffer control line in the same way as writing, reading data and performing a verify check Characterized in that it 査.

請求項10記載の発明は、記憶素子を実装した記憶素子基板がスロットを介してメインボードと電気的に接続されている情報機器の接続検査方法において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かをデータ線について検査する際、一度にすべてのデータ線を対象に、すべてのデータ線について両隣線とは違う信号レベルのデータを書き込み読み出すヴェリファイチェックにより検査することを特徴とする。
請求項11記載の発明は、請求項10の接続検査方法において、書き込みデータとして2種類の文字コード列を用い、それぞれについてヴェリファイチェックを行なうことにより検査することを特徴とする。
請求項12記載の発明は、情報機器に、請求項6乃至11のいずれか1項に記載の方法の接続検査を実行させるためのプログラムであることを特徴とする。
請求項13記載の発明は、請求項12記載のプログラムを記録した情報機器読み取り可能な記録媒体であることを特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a wiring pattern provided on the storage element substrate in a connection inspection method for information equipment in which the storage element substrate on which the storage element is mounted is electrically connected to the main board via the slot. When the data line is inspected for proper connection between the connector and the slot connector, all the data lines are written at the same time, and data of a different signal level is written for all the data lines. It is characterized by inspecting by a verify check to be read.
According to an eleventh aspect of the present invention, in the connection inspection method according to the tenth aspect, two types of character code strings are used as write data, and a verification check is performed on each of the character code strings.
A twelfth aspect of the invention is a program for causing an information device to execute a connection test of the method according to any one of the sixth to eleventh aspects.
A thirteenth aspect of the invention is an information device-readable recording medium on which the program of the twelfth aspect is recorded.

本発明によれば、記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かを個々のアドレス線や個々の入出力バッファ制御線ごとに検査するので、正確に検査できる。また、検査の回数が少なくなり、効率的に検査できる。また、一度にすべてのデータ線を対象に特定のデータを書き込み読み出すヴェリファイチェックにより検査するので、検査の回数が少なくなり、効率的に検査できる。   According to the present invention, it is inspected for each address line and each input / output buffer control line whether the wiring pattern provided on the memory element substrate and the connector of the slot are normally connected. Can be inspected accurately. In addition, the number of inspections is reduced, and inspection can be performed efficiently. In addition, since inspection is performed by a verify check in which specific data is written to and read from all data lines at the same time, the number of inspections is reduced and inspection can be performed efficiently.

以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対位置などは特定的な記載がない限りこの説明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
図1は、本発明の一実施形態として情報機器のメインボード要部の構成とRAM-DIMMを示すブロック図である。図示したように、メインボード1にはCPU3、ROM4、DIMMスロット5、操作表示部6などが実装されている。CPU3には、システムバスを介して、ROM4、さらにDIMMスロット5を介して半導体記憶素子基板であるRAM-DIMM2が接続され、プログラムに従って動作するCPU3がRAM-DIMM2、ROM4、および操作表示部6を制御する。なお、プログラムは本発明に係る接続チェックプログラムを含めROM4などに記憶しておく。また、操作表示部6は例えばLCD(Liquid Crystal Display)で構成され、各種情報を表示する。
また、この実施形態では、請求項記載の検査手段がCPU3およびROM4などにより実現され、異常表示手段がCPU3、ROM4および操作表示部6などにより実現される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the components, types, combinations, shapes, relative positions, and the like described in this embodiment are not merely intended to limit the scope of this description unless otherwise specified, but are merely illustrative examples. .
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a main part of a main board of an information device and a RAM-DIMM as an embodiment of the present invention. As illustrated, the main board 1 is mounted with a CPU 3, a ROM 4, a DIMM slot 5, an operation display unit 6, and the like. The CPU 3 is connected to the ROM 4 via the system bus and the RAM-DIMM 2 which is the semiconductor memory element substrate via the DIMM slot 5. The CPU 3 operating according to the program has the RAM-DIMM 2, the ROM 4 and the operation display unit 6. Control. The program is stored in the ROM 4 or the like including the connection check program according to the present invention. Further, the operation display unit 6 is composed of, for example, an LCD (Liquid Crystal Display) and displays various types of information.
In this embodiment, the inspecting means described in the claims is realized by the CPU 3 and the ROM 4, and the abnormality display means is realized by the CPU 3, the ROM 4, the operation display unit 6, and the like.

図2はRAM-DIMM2内の配線状況を示す配線図である。図示したように、この例のRAM-DIMM2は8個の256MビットのDDR-SDRAM20〜27が基板両面に実装された256MバイトのDDR-SDRAM-DIMMである。また、このRAM-DIMM2をDIMMスロット5のピン(請求項記載の接続子に相当する)と接続する配線パターンとしては、CS(Chip Select)線11が2本、AD(Address)線12が13本、BA(Bank Address)線13が2本、DQM線(入出力バッファ制御線)14が8本、データ線15が64本設けられている。他にも電源線、GND線、CLK線、CKE線、RAS線、CAS線、WE線などがあるがここでは省略する。
このCS線11はLowレベルでコマンド入力サイクルを開始させ、Highレベルではコマンドが無視される。図2に示した例では、2本のCS線のうち、一方は図の上側に並んだチップを選択し、他方は下側に並んだチップを選択する。BA線13はDDR-SDRAM20〜27内にあるバンク(bank)を切り替える信号である。メモリ空間のアドレッシングは、このBA線の選択と、AD線を用いてRAS側の値およびCAS側の値を時分割的に与えて行なうアドレス選択とにより実現する。つまり、28ビット(2+13×2)でメモリ空間全体のアドレッシングを行なう。また、DQM線14は入出力バッファを制御し、LowレベルでバッファをON状態にし、HighレベルでバッファをOFF状態にする。
FIG. 2 is a wiring diagram showing a wiring state in the RAM-DIMM 2. As shown in FIG. As shown in the figure, the RAM-DIMM 2 in this example is a 256-Mbyte DDR-SDRAM-DIMM in which eight 256-Mbit DDR-SDRAMs 20 to 27 are mounted on both sides of the board. In addition, as a wiring pattern for connecting the RAM-DIMM 2 to a pin of the DIMM slot 5 (corresponding to a connector described in claims), two CS (Chip Select) lines 11 and 13 AD (Address) lines 12 are provided. There are provided two BA (Bank Address) lines 13, eight DQM lines (input / output buffer control lines) 14, and 64 data lines 15. There are other power supply lines, GND lines, CLK lines, CKE lines, RAS lines, CAS lines, WE lines, etc., but they are omitted here.
The CS line 11 starts a command input cycle at the Low level, and the command is ignored at the High level. In the example shown in FIG. 2, one of the two CS lines selects a chip arranged on the upper side of the figure, and the other selects a chip arranged on the lower side. The BA line 13 is a signal for switching a bank in the DDR-SDRAMs 20 to 27. Addressing of the memory space is realized by selecting the BA line and selecting an address by using the AD line and giving a value on the RAS side and a value on the CAS side in a time-sharing manner. That is, the entire memory space is addressed with 28 bits (2 + 13 × 2). Further, the DQM line 14 controls the input / output buffer, turns the buffer on at a low level, and turns the buffer off at a high level.

以下、本発明の実施例を説明する。
[実施例]
接線検査には、DIMMスロット5内の対応ピンとの接続がオープン状態(電気的に接続されていない状態)か否かをチェックするオープンチェックと、対応ピンに隣接したピンとショート状態(電気的に隣接ピンと短絡状態)か否かをチェックするショートチェックがある。ここではまず、アドレス線のオープンチェックを図3に示した動作フローに従って説明する。なお、この実施例では、接続検査を例えば電源投入時に行なう。
13本のAD線12全体の信号状態をAD[12-0]と表現することにし、まず0ビット目(AD0)のAD線が検査対象となるようにそのAD線のみ選択信号レベル(ここでは「1」と表現)にした、AD[12-0]=0000000000001b(bはその左側の数字列がバイナリであることを意味する)として、対応するアドレスに所定のデータ、例えば5ah(hはその左側の数字列がヘキサであることを意味する)を書き(ステップ1)。さらに、AD[12-0]=0000000000000bとして対応アドレスに先ほど書き込んだデータとは違うデータ、例えば00hを書く(ステップ2)。
Examples of the present invention will be described below.
[Example]
For the tangential inspection, an open check for checking whether the connection with the corresponding pin in the DIMM slot 5 is in an open state (a state in which the connection is not electrically connected), and a short state (electrically adjacent to the pin adjacent to the corresponding pin). There is a short check to check if the pin is short-circuited). First, the address line open check will be described with reference to the operation flow shown in FIG. In this embodiment, the connection inspection is performed, for example, when the power is turned on.
The signal state of the entire 13 AD lines 12 is expressed as AD [12-0]. First, only the AD line is selected so that the 0th bit (AD0) AD line becomes the inspection target (here, the selected signal level). AD [12-0] = 0000000000001b (b means that the numeric string on the left side is binary), and a predetermined data, for example, 5ah (h is the number) (It means that the numeric string on the left is hex) (step 1). Further, as AD [12-0] = 0000000000000b, data different from the data written earlier, such as 00h, is written in the corresponding address (step 2).

そして、AD[12-0]=0000000000001bに対応したアドレスからデータを読み出し(ステップ3)、先に書き込んだデータ(5ah)でないならば(ステップ4でNo)オープンエラーとする(ステップ5)。もし、チェック対象ビットのAD線がオープン状態ならば初めのデータ(5ah)はAD[12-0]=0000000000000bの対応アドレスに書き込まれ、次のデータ(00h)を書き込んだときに上書きされるので、ヴェリファイ時には2回目に書いたデータ(00h)が読み出され、期待値と違うのでエラーとなる。
次は信号状態をAD[12-0]=0000000000010b(チェック対象:AD線AD1)として同様のチェックを行い(ステップ6)、さらにAD[12-0]=0000000000100b(チェック対象:AD2)として同様のチェックを行う(ステップ7)。以下、チェック対象のAD線のみ値を選択信号レベル「1」としてチェック対象のAD線を一つずつずらしてチェックしていき(ステップ8)、13本すべてをチェックしたならば(ステップ9でYes)チェック終了とする。
Then, data is read from the address corresponding to AD [12-0] = 0000000000001b (step 3), and if it is not the previously written data (5ah) (No in step 4), an open error is set (step 5). If the AD line of the check target bit is open, the first data (5ah) is written to the corresponding address of AD [12-0] = 0000000000000b and is overwritten when the next data (00h) is written. During verification, the data (00h) written for the second time is read out, and an error occurs because it is different from the expected value.
Next, the signal state is set to AD [12-0] = 00000000000010b (check target: AD line AD1) and the same check is performed (step 6), and AD [12-0] = 0.000000000000b (check target: AD2). A check is performed (step 7). Thereafter, only the AD line to be checked is set to the selection signal level “1”, and the AD lines to be checked are shifted one by one (step 8). If all 13 lines are checked (Yes in step 9). ) End check.

次に、ショートチェックを図4に示した動作フローに従って説明する。
まず、信号状態をAD[12-0]=0000000000010b(チェック対象:AD1)として対応アドレスに所定のデータ(例えば5ah)を書き込み(ステップ11)。さらにチェック対象ビットの両隣のビットを選択信号レベルにしたAD[12-0]=0000000000001bとAD[12-0]=0000000000100bの対応アドレスに先ほど書き込んだデータとは違うデータ(例えば00h)を書き込む(ステップ12)。
続いて、AD[12-0]=0000000000010bの対応アドレスからデータを読み出し(ステップ13)、先に書き込んだデータ(5ah)でないならば(ステップ14でNo)ショートエラーとする(ステップ15)。もし、チェック対象AD線がショート状態であるならばAD[12-0]=0000000000010bの対応アドレスに書き込んだデータ(5ah)はAD[12-0]=0000000000011b(AD0とAD1がショートの場合)またはAD[12-0]=0000000000110b(AD1とAD2がショートの場合)またはAD[12-0]=0000000000111b(AD0、AD1、AD2がショートの場合)の対応アドレスに書き込まれ、次のデータ(00h)を書き込んだときも同じアドレスに上書きされるので、ヴェリファイ時にはチェック対象ビットの隣に書いたデータ(00h)が読み出され、期待値と違うのでエラーとなる。
その後、オープンチェックの場合と同様にAD線を一つずつずらして検査し(ステップ16)、13本すべてをチェックしたならば(ステップ17でYes)終了とする。
なお、両隣がないAD[12-0]=0000000000001bとAD[12-0]=1000000000000bは存在する隣のみにデータ(00h)を書き込む。
複数スロットがある場合は各スロットに対して前述したオープンチェックとショートチェックを行なう。
Next, the short check will be described according to the operation flow shown in FIG.
First, the signal state is AD [12-0] = 00000000000010b (check target: AD1), and predetermined data (for example, 5ah) is written to the corresponding address (step 11). Further, different data (for example, 00h) from the data written earlier is written in the corresponding addresses of AD [12-0] = 0000000000001b and AD [12-0] = 0000000000000100b in which the bits adjacent to the check target bit are set to the selection signal level ( Step 12).
Subsequently, data is read from the corresponding address of AD [12-0] = 00000000000010b (step 13), and if it is not the previously written data (5ah) (No in step 14), a short error is set (step 15). If the AD line to be checked is in a short state, the data (5ah) written to the corresponding address of AD [12-0] = 00000000000010b is AD [12-0] = 00000000000011b (when AD0 and AD1 are short) or Write to the corresponding address of AD [12-0] = 000000000000110 (when AD1 and AD2 are short) or AD [12-0] = 00000000000011b (when AD0, AD1, and AD2 are short) and the next data (00h) Since the same address is overwritten when the data is written, the data (00h) written next to the check target bit is read during verification, and an error occurs because it is different from the expected value.
Thereafter, the AD lines are shifted one by one in the same way as in the open check (step 16), and if all 13 lines are checked (Yes in step 17), the process ends.
Note that AD [12-0] = 0000000000001b and AD [12-0] = 1000000000000000b, which do not have both neighbors, write data (00h) only to the adjacent neighbor.
When there are a plurality of slots, the above-described open check and short check are performed for each slot.

DQM線14のオープンチェックとショートチェックとは同じ方法である。以下、DQM線14の接続チェックを図5に示した動作フローに従って説明する。なお、ここでは、8本のDQM線14の全体の信号状態をDQM[7-0]と表現する。
まず、信号状態をDQM[7-0]=1111110b(チェック対象:DQM0)として、チェック対象DQM線に繋がるDDR−SDRAMチップ内の所定のアドレスに所定のデータ(例えば11h)を書き込む(ステップ21)。さらに、DQM[7-0]=1111101bとして、チェック対象のDDR−SDRAMチップに書き込んだ際と同じアドレスに初めに書き込んだデータと違うデータ(例えば22h)を書き込む(ステップ22)。このように各DQM線の繋がるDDR−SDRAMチップにそれぞれ違うデータを書き込んでいく(ステップ23)。
The open check and short check of the DQM line 14 are the same method. Hereinafter, the connection check of the DQM line 14 will be described according to the operation flow shown in FIG. Here, the entire signal state of the eight DQM lines 14 is expressed as DQM [7-0].
First, the signal state is set to DQM [7-0] = 1111110b (check target: DQM0), and predetermined data (for example, 11h) is written to a predetermined address in the DDR-SDRAM chip connected to the check target DQM line (step 21). . Further, as DQM [7-0] = 1111101b, data (for example, 22h) different from the data originally written is written at the same address as when writing to the DDR-SDRAM chip to be checked (step 22). In this way, different data is written to each DDR-SDRAM chip connected to each DQM line (step 23).

次に、1番目のDQM線について書き込み時と同じアドレスから読み出し(ステップ24)、先に書き込んだデータでないならば(ステップ25でNo)、そのときのDQM線を接続エラーとする(ステップ26)。もし、DQM線がオープンしている場合、書き込み時は常に入力バッファがオン(ON)となっているので、他のDQM線の書き込み時にもオープンしたDQM線のDDR−SDRAMチップにデータが書かれる。その結果、オープンのDQM線に繋がったDDR−SDRAMチップはその出力はヴェリファイ時、期待値と違うのでエラーとなる。また、ショートしたDQM線の繋がったDDR−SDRAMチップにはそれぞれ同じデータが書かれ、ヴェリファイ時、期待値と違うのでエラーとなる。
その後、DQM線を一つずつずらして検査し(ステップ27)、8本すべてをチェックしたならば(ステップ28でYes)終了とする。
ショートチェック時はショートしたDQM線の繋がったDDR−SDRAMチップにそれぞれ同じデータが書かれ、ヴェリファイ時、期待値と違うのでショートエラーとなる。
複数スロットがある場合は各スロットに対してこのようなオープンチェックおよびショートチェックを行う。
Next, the first DQM line is read from the same address as at the time of writing (step 24), and if it is not previously written data (No in step 25), the DQM line at that time is regarded as a connection error (step 26). . If the DQM line is open, the input buffer is always on (ON) at the time of writing, so that data is written to the DDR-SDRAM chip of the opened DQM line at the time of writing other DQM lines. . As a result, an error occurs because the output of the DDR-SDRAM chip connected to the open DQM line is different from the expected value during verification. In addition, the same data is written in each DDR-SDRAM chip connected to the shorted DQM line, and an error occurs because it is different from the expected value during verification.
Thereafter, the inspection is performed by shifting the DQM lines one by one (step 27), and if all the eight lines are checked (Yes in step 28), the process ends.
At the time of the short check, the same data is written to each DDR-SDRAM chip connected to the shorted DQM line, and at the time of verification, a short error occurs because it differs from the expected value.
When there are a plurality of slots, such an open check and a short check are performed for each slot.

次に、データ線における接線チェックを説明する。なお、ここでは、64本のデータ線全体の信号状態をデータ[63-0]と表現する。
まず、データ[63-0]=5555555555555555hを所定のアドレスに書き込み、ヴェリファイチェックを行なう。さらに、同じアドレスにデータ[63-0]=aaaaaaaaaaaaaaaahを書き込み、ヴェリファイチェックを行なう。このような2回のヴェリファイチェック結果が期待値通りでないならばエラーとする。データ値はすべてのデータ線において両隣とは違うビット値(つまり、2種類のデータのうち一方は下位側から奇数番目のデータ線の値は0で、偶数番目のデータ線の値は1)となり、他方はその逆となるので、両隣と同じビット値になればショート、データ線が常に0であるならばオープンとするわけである。なお、2種類のデータでチェックするのはオープンチェックの場合、1種類では確実なチェックができないからである。
複数のスロットがある場合は各スロットに対してこのようなチェックを行なう。
Next, a tangent check on the data line will be described. Here, the signal state of the entire 64 data lines is expressed as data [63-0].
First, data [63-0] = 555555555555555h is written to a predetermined address to perform a verify check. Further, data [63-0] = aaaaaaaaaaaaaaaaaah is written to the same address, and a verify check is performed. If these two verification check results are not as expected, an error is assumed. The data value is a bit value different from both sides on all data lines (that is, one of the two types of data is 0 on the odd-numbered data line from the lower side and 1 on the even-numbered data line). The other is the opposite, so that if the bit value is the same as both neighbors, it is shorted, and if the data line is always 0, it is open. The reason for checking with two types of data is that in the case of open check, one type cannot be surely checked.
If there are multiple slots, such a check is performed for each slot.

以上、説明したように、この実施例の情報機器では、各信号線について1本1本確実に検査するので、情報機器の品質を高めることができる。また、この実施例の情報機器では、メモリ空間を実現するアドレスビット数28ビットよりも、CS線2本とDQM線8本とアドレス線15本(BA線2本を含む)の和の本数25本の方が少なく、データの接線チェックも特定のデータを用いたことにより検査回数が少なくて済むので、チェック時間が短くなる。
また、この実施例では、CPU3は、接続チェックにより接続エラーと判定すると、RAM-DIMMの接続に異常がある旨を操作表示部6に表示する。これにより、利用者はRAM-DIMMの接続不良を容易に知ることができる。また、DIMMスロット5が複数存在する場合には、その表示の際、接続エラーがあったRAM-DIMM2が接続されているDIMMスロット5を明示して操作表示部6に表示する。これにより、利用者は接続不良のRAM-DIMMを容易に知ることができる。
As described above, in the information apparatus of this embodiment, since each signal line is inspected one by one with certainty, the quality of the information apparatus can be improved. Further, in the information device of this embodiment, the total number of lines of 25 CS lines, 8 DQM lines and 15 address lines (including 2 BA lines) is more than 25 address bits for realizing the memory space. The number of books is smaller, and the tangent check of the data requires a smaller number of inspections by using specific data, so the check time is shortened.
In this embodiment, when the CPU 3 determines that there is a connection error through the connection check, the CPU 3 displays on the operation display unit 6 that there is an abnormality in the RAM-DIMM connection. Thereby, the user can easily know the connection failure of the RAM-DIMM. If there are a plurality of DIMM slots 5, the DIMM slot 5 connected to the RAM-DIMM 2 in which a connection error has occurred is clearly displayed and displayed on the operation display unit 6. Thereby, the user can easily know the RAM-DIMM with poor connection.

なお、本発明の半導体素子基板接続検査方法を一実施形態について説明したが、メインボード1内にRAMを備え、且つこのメインボード1を有する情報機器がハードディスク記憶装置や着脱可能な記録媒体の駆動装置を備えた構成とし、説明したようなバージョンアップ方法に従ってプログラミングしたプログラムを着脱可能な記録媒体に記録し、その記録媒体をこれまで本発明によった半導体素子基板接続検査を行なえなかったデジタル複写機やパーソナルコンピュータなど情報機器に装着することにより、または、そのようなプログラムをネットワーク経由でそのような情報機器へ転送することにより、そのような情報機器においても本発明によった半導体素子基板接続検査を行なうことができる。   Although the semiconductor element substrate connection inspection method of the present invention has been described with respect to one embodiment, the main board 1 includes a RAM, and an information device having the main board 1 drives a hard disk storage device or a removable recording medium. A digital copy in which a program programmed according to the version upgrade method described above is recorded on a detachable recording medium, and the semiconductor element substrate connection inspection according to the present invention has not been performed so far. The semiconductor element substrate connection according to the present invention is also applied to such information equipment by mounting it on information equipment such as a computer or a personal computer, or by transferring such a program to such information equipment via a network. Inspection can be performed.

本発明の一実施形態として情報機器のメインボード要部の構成などを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the main board main part, etc. of information equipment as one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態としてRAM-DIMM内の配線状況を示す配線図である。It is a wiring diagram which shows the wiring condition in RAM-DIMM as one Embodiment of this invention. 本発明の一実施例としてアドレス線のオープンチェックの動作フローを示すフロー図である。It is a flowchart which shows the operation | movement flow of the open check of an address line as one Example of this invention. 本発明の一実施例としてアドレス線のショートチェックの動作フローを示すフロー図である。It is a flowchart which shows the operation | movement flow of a short check of an address line as one Example of this invention. 本発明の一実施例としてDQM線のオープンチェックの動作フローを示すフロー図である。It is a flowchart which shows the operation | movement flow of the open check of a DQM line as one Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 メインボード、2 RAM-DIMM、3 CPU、5 DIMMスロット、6 操作表示部、11 CS線、12 AD線、13 BA線、14 DQM線、15 データ線、20〜27 DDR-SDRAM   1 Main board, 2 RAM-DIMM, 3 CPU, 5 DIMM slot, 6 Operation display, 11 CS line, 12 AD line, 13 BA line, 14 DQM line, 15 data line, 20-27 DDR-SDRAM

Claims (13)

記憶素子を実装した記憶素子基板がスロットを介してメインボードと電気的に接続される情報機器において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かを個々のアドレス線ごとに検査する検査手段を備えたことを特徴とする情報機器。   In an information device in which a storage element substrate on which a storage element is mounted is electrically connected to a main board via a slot, a wiring pattern provided on the storage element substrate and a connector of the slot are normally connected An information device comprising inspection means for inspecting whether each address line is present or not. 記憶素子を実装した記憶素子基板がスロットを介してメインボードと電気的に接続される情報機器において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かを個々の入出力バッファ制御線ごとに検査する検査手段を備えたことを特徴とする情報機器。   In an information device in which a storage element substrate on which a storage element is mounted is electrically connected to a main board via a slot, a wiring pattern provided on the storage element substrate and a connector of the slot are normally connected An information device comprising inspection means for inspecting whether each input / output buffer control line is present or not. 記憶素子を実装した記憶素子基板がスロットを介してメインボードと電気的に接続される情報機器において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かをデータ線について検査する際に、一度にすべてのデータ線を対象に特定のデータを書き込み読み出すヴェリファイチェックにより検査する検査手段を備えたことを特徴とする情報機器。   In an information device in which a storage element substrate on which a storage element is mounted is electrically connected to a main board via a slot, a wiring pattern provided on the storage element substrate and a connector of the slot are normally connected An information device comprising inspection means for inspecting a data line by a verify check for reading and writing specific data for all data lines at a time when inspecting whether or not the data line is present. 請求項1、2または3記載の情報機器において、前記検査手段による検査の結果が期待値と異なる場合に記憶素子基板の接続に異常がある旨を表示させる異常表示手段を備えたことを特徴とする情報機器。   4. The information apparatus according to claim 1, further comprising an abnormality display unit that displays that there is an abnormality in the connection of the storage element substrate when a result of the inspection by the inspection unit is different from an expected value. Information equipment. 請求項4記載の情報機器において、前記異常表示手段は、前記メインボードに複数のスロットがある場合に、どのスロットに接続された記憶素子基板が異常であるかを表示させることを特徴とする情報機器。   5. The information device according to claim 4, wherein the abnormality display means displays a memory element substrate connected to which slot is abnormal when the main board has a plurality of slots. machine. 記憶素子を実装した記憶素子基板がスロットを介してメインボードと電気的に接続されている情報機器の接続検査方法において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かを個々のアドレス線および/または個々の入出力バッファ制御線ごとに検査することを特徴とする接続検査方法。   In a connection inspection method for an information device in which a memory element substrate on which a memory element is mounted is electrically connected to a main board through a slot, a wiring pattern provided on the memory element substrate and a connector of the slot A connection inspection method characterized by inspecting each address line and / or each input / output buffer control line for normal connection. 請求項6の接続検査方法において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とがオープン状態か否かをアドレス線について検査する際、それぞれのアドレス線を順次検査対象にして、検査対象の1本のアドレス線のみを選択信号レベルにした第1の信号状態でアドレッシングして所定のデータを書き、さらに全アドレス線の信号レベルを前記選択信号レベルとは逆相の信号レベルにした第2の信号状態でアドレッシングして前記所定のデータとは違うデータを書き、次に前記第1の信号状態でアドレッシングしてデータを読み出しヴェリファイチェックを行なうことにより検査することを特徴とする接続検査方法。   7. The connection inspection method according to claim 6, wherein when the address line is inspected to determine whether or not the wiring pattern provided on the storage element substrate and the connector of the slot are in an open state, the address lines are sequentially inspected. Then, a predetermined data is written by addressing in a first signal state in which only one address line to be inspected is set to the selection signal level, and the signal levels of all the address lines are signals having a phase opposite to the selection signal level. A test is performed by writing data different from the predetermined data by addressing in the second signal state at the level, and then performing a verify check by reading the data by addressing in the first signal state. Connection inspection method. 請求項6の接続検査方法において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの隣接接続子とがショート状態か否かをアドレス線について検査する際、それぞれのアドレス線を順次検査対象にして、検査対象の1本のアドレス線のみを選択信号レベルにした第1の信号状態でアドレッシングして所定のデータを書き、さらに前記検査対象の1本のアドレス線に隣接するアドレス線のみを他のアドレス線とは異なる選択信号レベルにした第2の信号状態でアドレッシングして前記所定のデータとは異なるデータを書き、次に前記第1の信号状態でアドレッシングしてデータを読み出しヴェリファイチェックを行なうことにより検査することを特徴とする接続検査方法。   7. The connection inspection method according to claim 6, wherein when the address line is inspected whether or not the wiring pattern provided on the storage element substrate and the adjacent connector of the slot are in a short state, each address line is sequentially inspected. Then, addressing is performed in the first signal state in which only one address line to be inspected is set to the selection signal level and predetermined data is written, and only address lines adjacent to the one address line to be inspected are written. Address check in a second signal state having a selection signal level different from that of the other address lines to write data different from the predetermined data, and then address the first signal state to read the data and perform a verify check A connection inspection method characterized by inspecting by performing. 請求項6の接続検査方法において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かを入出力バッファ制御線について検査する際、検査対象の1本の入出力バッファ制御線のみを選択信号レベルにした信号状態で選択された記憶素子の所定のアドレスに所定のデータを書き、さらに、直前に書き込んだ入出力バッファ制御線に隣接する入出力バッファ制御線のみを前記選択信号レベルにした信号状態で書き込み済みデータとは異なるデータを前記所定のアドレスに書く動作を他の入出力バッファ制御線について繰り返し、次に、各入出力バッファ制御線について書き込み時と同様にアドレッシングしてデータを読み出しヴェリファイチェックを行なうことにより検査することを特徴とする接続検査方法。   7. The connection inspection method according to claim 6, wherein when the input / output buffer control line is inspected as to whether or not the wiring pattern provided on the storage element substrate and the connector of the slot are normally connected. A predetermined data is written to a predetermined address of a selected storage element in a signal state in which only one input / output buffer control line is set to a selection signal level, and the input / output adjacent to the input / output buffer control line written immediately before is written. In the signal state where only the buffer control line is at the selection signal level, the operation of writing data different from the written data to the predetermined address is repeated for the other input / output buffer control lines, and then for each input / output buffer control line It is characterized in that it is inspected by addressing in the same way as writing and reading the data and performing a verify check. Connection inspection method. 記憶素子を実装した記憶素子基板がスロットを介してメインボードと電気的に接続されている情報機器の接続検査方法において、前記記憶素子基板上に設けられた配線パターンと前記スロットの接続子とが正常に接続されているか否かをデータ線について検査する際、一度にすべてのデータ線を対象に、すべてのデータ線について両隣線とは違う信号レベルのデータを書き込み読み出すヴェリファイチェックにより検査することを特徴とする接続検査方法。   In a connection inspection method for an information device in which a memory element substrate on which a memory element is mounted is electrically connected to a main board through a slot, a wiring pattern provided on the memory element substrate and a connector of the slot When inspecting data lines to determine whether they are properly connected, all data lines should be inspected at the same time using a verify check that reads and writes data at a different signal level from both adjacent lines. A connection inspection method characterized by. 請求項10の接続検査方法において、書き込みデータとして2種類の文字コード列を用い、それぞれについてヴェリファイチェックを行なうことにより検査することを特徴とする接続検査方法。   11. The connection inspection method according to claim 10, wherein two types of character code strings are used as write data, and each of them is inspected by performing a verify check. 情報機器に、請求項6乃至11のいずれか1項に記載の方法の接続検査を実行させるためのプログラム。   A program for causing an information device to execute a connection test according to the method of any one of claims 6 to 11. 請求項12記載のプログラムを記録した情報機器読み取り可能な記録媒体。   An information device-readable recording medium on which the program according to claim 12 is recorded.
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