JP2008166944A - Electronic component - Google Patents
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Description
本発明は、共振器を備えた電子部品に関する。 The present invention relates to an electronic component including a resonator.
ブルートゥース規格の通信装置や無線LAN(ローカルエリアネットワーク)用の通信装置では、小型化、薄型化の要求が強いことから、それに用いられる電子部品の小型化、薄型化が要求されている。上記通信装置における電子部品の一つに、受信信号を濾波するバンドパスフィルタがある。このバンドパスフィルタにおいても、小型化、薄型化が要求されている。そこで、上記の通信装置における使用周波数帯域に対応でき、且つ小型化、薄型化を実現可能なバンドパスフィルタとして、例えば特許文献1ないし3に示されるように、積層基板における導体層を用いて構成された複数の共振器を備えた積層型のフィルタが提案されている。以下、共振器を構成する導体層を共振器用導体層という。この共振器用導体層は、インダクタンス成分を有している。 Bluetooth communication devices and wireless LAN (local area network) communication devices are strongly demanded to be smaller and thinner, and therefore, electronic components used therefor are required to be smaller and thinner. One of the electronic components in the communication apparatus is a band-pass filter that filters a received signal. This band pass filter is also required to be small and thin. Therefore, as a band-pass filter that can correspond to the frequency band used in the communication device and can be reduced in size and thickness, for example, as shown in Patent Documents 1 to 3, it is configured using a conductor layer in a multilayer substrate. A multilayer filter including a plurality of resonators has been proposed. Hereinafter, the conductor layer constituting the resonator is referred to as a resonator conductor layer. This resonator conductor layer has an inductance component.
特許文献1には、2個の共振器を備えたフィルタが記載されている。2個の共振器は、それぞれT字形状の中心導体を有している。各中心導体の一端はグランドプレーンに接続されている。各中心導体の他端には、それぞれ2つの延出部が形成されている。各中心導体における一方の延出部同士は、誘電体層を介して対向して、共振器間のキャパシタを形成している。各中心導体における他方の延出部は、それぞれ、誘電体層を介して端子と対向して、端子との間にキャパシタを形成している。 Patent Document 1 describes a filter including two resonators. Each of the two resonators has a T-shaped central conductor. One end of each central conductor is connected to the ground plane. Two extending portions are formed at the other end of each central conductor. One extending portion of each central conductor is opposed to each other via a dielectric layer to form a capacitor between the resonators. The other extension portion of each central conductor faces the terminal via the dielectric layer, and forms a capacitor between the terminal.
特許文献2には、T字形状の2個の共振電極を備えたフィルタが記載されている。2個の共振電極の基端部は接地端子に接続されている。各共振電極の先端部には、それぞれ2つの突出部が形成されている。各共振電極における一方の突出部同士は誘電体層を介して対向し、その間にグランド電極が配置されている。各共振電極における他方の突出部は、それぞれ誘電体層を介してシールド電極と対向している。
特許文献3には、並べて配置された3個の共振器電極を備えたフィルタが記載されている。各共振器電極の一端は、各共振器電極の長手方向の延長上に配置されたグランド外部電極に接続されている。
一般的に、複数の共振器を備えたバンドパスフィルタでは、共振器の数を多くすると、通過帯域幅が広くなると共に減衰極が急峻になる。 In general, in a band-pass filter including a plurality of resonators, when the number of resonators is increased, the passband width is widened and the attenuation pole is steep.
ところで、複数の共振器を備えた従来の積層型のバンドパスフィルタでは、小型化、薄型化する場合には、共振器用導体層の幅を小さくせざるを得ない。これは、共振器の数が多くなるほど顕著になる。 By the way, in the conventional multilayer bandpass filter provided with a plurality of resonators, the width of the resonator conductor layer must be reduced when the size and thickness are reduced. This becomes more significant as the number of resonators increases.
以下、複数の共振器用導体層におけるそれぞれの一端部が、積層基板の外周部に配置されたグランド用端子に接続される構造の積層型のフィルタにおける問題点について説明する。このフィルタにおいて、共振器用導体層の幅が小さくなると、共振器用導体層の一端部とグランド用端子との接触面積が小さくなる。すると、共振器用導体層のインダクタンス成分が所望の値よりも大きくなり、所望のフィルタの特性を実現することが困難になるという問題が発生する。 Hereinafter, a problem in a multilayer filter having a structure in which one end of each of the plurality of resonator conductor layers is connected to a ground terminal disposed on the outer peripheral portion of the multilayer substrate will be described. In this filter, when the width of the resonator conductor layer is reduced, the contact area between one end of the resonator conductor layer and the ground terminal is reduced. Then, the inductance component of the resonator conductor layer becomes larger than a desired value, which causes a problem that it is difficult to realize a desired filter characteristic.
また、一方向に並べて配置された3個以上の共振器用導体層を有する積層型のフィルタにおいて、グランド用端子を、積層基板の外周部のうち、3個以上の共振器用導体層が並ぶ方向の両側の側面に配置する場合には、以下のような問題が生じる。すなわち、この場合には、両側に配置された2個の共振器用導体層の間に配置された共振器用導体層では、両側に配置された2個の共振器用導体層に比べて、積層基板の側面との間の距離が大きくなるため、グランド用端子との接触面積を大きくすることが難しいと共に、グランド用端子との間の距離が大きくなる。そのため、両側に配置された2個の共振器用導体層の間に配置された共振器用導体層では、グランド用端子との接触面積を大きくすることが難しいことに加え、グランド用端子との距離が大きくなることによっても、インダクタンス成分が大きくなりやすい。 Further, in a multilayer filter having three or more resonator conductor layers arranged side by side in one direction, the ground terminal is arranged in the direction in which three or more resonator conductor layers are arranged in the outer peripheral portion of the multilayer substrate. In the case of arranging on both side surfaces, the following problems occur. That is, in this case, the resonator conductor layer disposed between the two resonator conductor layers disposed on both sides is compared with the two resonator conductor layers disposed on both sides. Since the distance to the side surface is increased, it is difficult to increase the contact area with the ground terminal, and the distance to the ground terminal is increased. Therefore, in the resonator conductor layer disposed between the two resonator conductor layers disposed on both sides, it is difficult to increase the contact area with the ground terminal, and the distance from the ground terminal is The inductance component tends to be large even when it is large.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、共振器を備えた電子部品であって、共振器を構成する共振器用導体層とグランド用端子との接触面積が小さいことによる共振器用導体層のインダクタンス成分の増加を抑制できるようにした電子部品を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is an electronic component including a resonator, because the contact area between the resonator conductor layer and the ground terminal constituting the resonator is small. An object of the present invention is to provide an electronic component capable of suppressing an increase in inductance component of a resonator conductor layer.
本発明の電子部品は、積層された複数の誘電体層を含む積層基板と、積層基板内に設けられた二股分岐形状の共振器用導体層を有する共振器と、積層基板の外周部に配置された第1および第2のグランド用端子とを備えている。二股分岐形状の共振器用導体層は、一方向に長い第1の部分と、それぞれの一端部が第1の部分の一端部に接続された第2および第3の部分とを有している。第1のグランド用端子は第2の部分の他端部に接続され、第2のグランド用端子は第3の部分の他端部に接続されている。 An electronic component of the present invention is disposed on a peripheral board of a multilayer substrate including a multilayer dielectric layer, a resonator having a bifurcated resonator conductor layer provided in the multilayer substrate, and a multilayer substrate. And first and second ground terminals. The bifurcated resonator conductor layer has a first portion that is long in one direction, and second and third portions each having one end connected to one end of the first portion. The first ground terminal is connected to the other end of the second portion, and the second ground terminal is connected to the other end of the third portion.
本発明の電子部品では、二股分岐形状の共振器用導体層の第2の部分が第1のグランド用端子に接続され、二股分岐形状の共振器用導体層の第3の部分が第2のグランド用端子に接続されている。 In the electronic component of the present invention, the second portion of the bifurcated resonator conductor layer is connected to the first ground terminal, and the third portion of the bifurcated resonator conductor layer is used for the second ground. Connected to the terminal.
本発明の電子部品は、積層基板内に設けられた第1ないし第3の共振器を備え、第2の共振器は、第1の共振器と第3の共振器の間に配置され、第2の共振器が二股分岐形状の共振器用導体層を有していてもよい。この場合、第1のグランド用端子は、積層基板の外周部の一部を構成する第1の面に配置され、第2のグランド用端子は、積層基板の外周部の他の一部を構成し、第1の面とは反対側に配置された第2の面に配置されていてもよい。 The electronic component of the present invention includes first to third resonators provided in the multilayer substrate, the second resonator being disposed between the first resonator and the third resonator, The two resonators may have a bifurcated resonator conductor layer. In this case, the first ground terminal is arranged on the first surface constituting a part of the outer peripheral portion of the multilayer substrate, and the second ground terminal constitutes another part of the outer peripheral portion of the multilayer substrate. And you may arrange | position to the 2nd surface arrange | positioned on the opposite side to a 1st surface.
また、本発明の電子部品は、積層基板内に設けられた第1ないし第3の共振器を備え、第1の共振器は、積層基板内に設けられた第1の共振器用導体層を有し、第2の共振器は、積層基板内に設けられた第2の共振器用導体層を有し、第3の共振器は、積層基板内に設けられた第3の共振器用導体層を有していてもよい。この場合、第2の共振器用導体層が二股分岐形状の共振器用導体層であり、第2の共振器用導体層である二股分岐形状の共振器用導体層における第1の部分は、第1の共振器用導体層と第3の共振器用導体層との間に配置されていてもよい。 The electronic component of the present invention includes first to third resonators provided in the multilayer substrate, and the first resonator has a first resonator conductor layer provided in the multilayer substrate. The second resonator has a second resonator conductor layer provided in the multilayer substrate, and the third resonator has a third resonator conductor layer provided in the multilayer substrate. You may do it. In this case, the second resonator conductor layer is a bifurcated resonator conductor layer, and the first portion of the bifurcated resonator conductor layer that is the second resonator conductor layer is the first resonance layer. You may arrange | position between the conductor layer for resonators, and the conductor layer for 3rd resonators.
上記の構成の場合、第1のグランド用端子は、積層基板の外周部の一部を構成する第1の面に配置され、第2のグランド用端子は、積層基板の外周部の他の一部を構成し、第1の面とは反対側に配置された第2の面に配置されていてもよい。また、電子部品は、更に、第1の面に配置され、第1の共振器用導体層に接続された第3のグランド用端子と、第2の面に配置され、第3の共振器用導体層に接続された第4のグランド用端子とを備えていてもよい。 In the case of the above configuration, the first ground terminal is disposed on the first surface constituting a part of the outer peripheral portion of the multilayer substrate, and the second ground terminal is the other one of the outer peripheral portion of the multilayer substrate. May be disposed on a second surface that is disposed on the opposite side of the first surface. The electronic component is further disposed on the first surface and connected to the first resonator conductor layer. The third ground terminal is disposed on the second surface. The third resonator conductor layer is disposed on the second surface. And a fourth ground terminal connected to the terminal.
また、第2の共振器用導体層は、第2の共振器用導体層である二股分岐形状の共振器用導体層における第1の部分を通り第1の部分の長手方向に平行な仮想の直線を中心として線対称となる形状を有し、且つ第1の共振器用導体層と第3の共振器用導体層は、上記仮想の直線を中心として線対称となる形状を有していてもよい。 The second resonator conductor layer is centered on an imaginary straight line that passes through the first portion of the bifurcated resonator conductor layer that is the second resonator conductor layer and is parallel to the longitudinal direction of the first portion. And the first resonator conductor layer and the third resonator conductor layer may have a shape that is line symmetric about the virtual straight line.
また、第2の共振器用導体層である二股分岐形状の共振器用導体層における第1の部分は、第1の共振器用導体層と第3の共振器用導体層のそれぞれに対してインターデジタル結合していてもよい。 In addition, the first portion of the bifurcated resonator conductor layer which is the second resonator conductor layer is interdigitally coupled to each of the first resonator conductor layer and the third resonator conductor layer. It may be.
また、第2の共振器用導体層である二股分岐形状の共振器用導体層における第1の部分の長手方向に直交する方向から見たときに、第1の部分と第1の共振器用導体層とが重なる領域の長さおよび第1の部分と第3の共振器用導体層とが重なる領域の長さは、第1の部分、第1の共振器用導体層および第3の共振器用導体層のいずれの長さよりも小さくてもよい。 In addition, when viewed from a direction perpendicular to the longitudinal direction of the first portion in the bifurcated branching conductor layer that is the second resonator conductor layer, the first portion and the first resonator conductor layer And the length of the region where the first portion and the third resonator conductor layer overlap is any of the first portion, the first resonator conductor layer, and the third resonator conductor layer. It may be smaller than the length of.
また、第1ないし第3の共振器は、いずれも、一端が開放され他端が短絡された1/4波長共振器であってもよい。 Further, each of the first to third resonators may be a quarter wavelength resonator in which one end is opened and the other end is short-circuited.
また、本発明の電子部品は、更に、積層基板の外周部に配置された入力端子および出力端子を備え、第1ないし第3の共振器は、回路構成上、入力端子と出力端子との間に設けられ、バンドパスフィルタの機能を実現してもよい。 The electronic component of the present invention further includes an input terminal and an output terminal arranged on the outer peripheral portion of the multilayer substrate, and the first to third resonators are provided between the input terminal and the output terminal in terms of circuit configuration. The band-pass filter function may be realized.
本発明の電子部品では、二股分岐形状の共振器用導体層の第2の部分が第1のグランド用端子に接続され、二股分岐形状の共振器用導体層の第3の部分が第2のグランド用端子に接続されている。これにより、本発明によれば、共振器を構成する共振器用導体層とグランド用端子との接触面積が小さいことによる共振器用導体層のインダクタンス成分の増加を抑制することが可能になるという効果を奏する。 In the electronic component of the present invention, the second portion of the bifurcated resonator conductor layer is connected to the first ground terminal, and the third portion of the bifurcated resonator conductor layer is used for the second ground. Connected to the terminal. As a result, according to the present invention, it is possible to suppress an increase in the inductance component of the resonator conductor layer due to the small contact area between the resonator conductor layer and the ground terminal constituting the resonator. Play.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図4を参照して、本発明の一実施の形態に係る電子部品の回路構成について説明する。本実施の形態に係る電子部品1は、バンドパスフィルタの機能を有している。図4に示したように、電子部品1は、入力端子2と、出力端子3と、3つの共振器4,5,6と、インダクタ7,8と、キャパシタ17〜19とを備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, a circuit configuration of an electronic component according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The electronic component 1 according to the present embodiment has a function of a band pass filter. As shown in FIG. 4, the electronic component 1 includes an
共振器4は、インダクタ11とキャパシタ14とを有している。共振器5は、インダクタ12とキャパシタ15とを有している。共振器6は、インダクタ13とキャパシタ16とを有している。共振器5は、共振器4と共振器6との間に配置されている。また、インダクタ12は、インダクタ11とインダクタ13との間に配置されている。インダクタ11,12は隣接し、誘導性結合している。インダクタ12,13も隣接し、誘導性結合している。図4では、インダクタ11,12間の誘導性結合と、インダクタ12,13間の誘導性結合を、それぞれ記号Mを付した曲線で表している。
The
インダクタ7,11の一端とキャパシタ14,19の各一端は、入力端子2に接続されている。インダクタ11の他端とキャパシタ14の他端はグランドに接続されている。キャパシタ17の一端はインダクタ7の他端に接続されている。インダクタ12の一端とキャパシタ15,18の各一端は、キャパシタ17の他端に接続されている。インダクタ12の他端とキャパシタ15の他端はグランドに接続されている。インダクタ8の一端はキャパシタ18の他端に接続されている。インダクタ13の一端、キャパシタ16の一端、キャパシタ19の他端および出力端子3は、インダクタ8の他端に接続されている。インダクタ13の他端とキャパシタ16の他端はグランドに接続されている。
One end of the
共振器4,5,6は、回路構成上、入力端子2と出力端子3との間に設けられ、バンドパスフィルタの機能を実現する。共振器4,5,6はいずれも、一端が開放され他端が短絡された1/4波長共振器である。共振器4,5,6は、それぞれ本発明における第1の共振器、第2の共振器、第3の共振器に対応する。隣接する共振器4,5は誘導性結合していると共に、キャパシタ17を介して容量性結合している。隣接する共振器6,5も誘導性結合していると共に、キャパシタ18を介して容量性結合している。インダクタ7,8は、バンドパスフィルタの通過信号に対する高調波等のスプリアスを低減するために、バンドパスフィルタの通過・減衰特性において通過帯域よりも高周波側に存在するノッチの周波数を調整するために設けられている。
The
本実施の形態に係る電子部品1では、入力端子2に信号が入力されると、そのうちの所定の周波数帯域内の周波数の信号が選択的に、共振器4,5,6を用いて構成されたバンドパスフィルタを通過し、出力端子3から出力される。
In the electronic component 1 according to the present embodiment, when a signal is input to the
次に、図1および図2を参照して、電子部品1の構造の概略について説明する。図1は、電子部品1の主要部分を示す斜視図である。図2は、電子部品1の外観を示す斜視図である。 Next, an outline of the structure of the electronic component 1 will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a perspective view showing the main part of the electronic component 1. FIG. 2 is a perspective view showing an external appearance of the electronic component 1.
電子部品1は、電子部品1の構成要素を一体化するための積層基板20を備えている。後で詳しく説明するが、積層基板20は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。インダクタ7,8,11〜13は、いずれも、積層基板20内の1つ以上の導体層を用いて構成されている。キャパシタ14〜19は、積層基板20内の導体層と誘電体層を用いて構成されている。
The electronic component 1 includes a
図2に示したように、積層基板20は、外周部として、上面と、底面と、4つの側面を有する直方体形状をなしている。積層基板20における1つの側面20aには、入力端子22と、その両側に配置された2つのグランド用端子24,25が設けられている。積層基板20において、入力端子22が設けられた側面20aと反対側の側面20bには、出力端子23と、その両側に配置された2つのグランド用端子26,27が設けられている。入力端子22は図4における入力端子2に対応し、出力端子23は図4における出力端子3に対応する。グランド用端子24,25,26,27はグランドに接続される。グランド用端子24は本発明における第1のグランド用端子に対応し、グランド用端子25は本発明における第3のグランド用端子に対応し、グランド用端子26は本発明における第2のグランド用端子に対応し、グランド用端子27は本発明における第4のグランド用端子に対応する。また、積層基板20の側面20aは、本発明における第1の面に対応し、積層基板20の側面20bは、本発明における第2の面に対応する。
As shown in FIG. 2, the
次に、図5ないし図8を参照して、積層基板20における誘電体層と導体層について詳しく説明する。図5において(a)〜(c)は、それぞれ、上から1層目ないし3層目の誘電体層の上面を示している。図6において(a)〜(c)は、それぞれ、上から4層目ないし6層目の誘電体層の上面を示している。図7において(a)〜(c)は、それぞれ、上から7層目ないし9層目の誘電体層の上面を示している。図8において(a)は、上から10層目の誘電体層の上面を示している。図8において(b)は、上から10層目の誘電体層およびその下の導体層を、上から見た状態で表したものである。
Next, the dielectric layer and the conductor layer in the
図5(a)に示した1層目の誘電体層31の上面には導体層は形成されていない。図5(b)に示した2層目の誘電体層32の上面には、グランドに接続されるグランド用導体層321が形成されている。この導体層321は、グランド用端子24〜27に接続される。図5(c)に示した3層目の誘電体層33の上面には導体層は形成されていない。
No conductor layer is formed on the top surface of the
図6(a)に示した4層目の誘電体層34の上面には、共振器用導体層111,121,131が形成されている。導体層111と導体層131は、それぞれ一方向に長い形状を有している。導体層111は積層基板20における側面20aの近傍に配置され、導体層131は積層基板20における側面20bの近傍に配置されている。導体層111における長手方向の一端部はグランド用端子25に接続される。導体層131における長手方向の一端部はグランド用端子27に接続される。導体層121は、二股分岐形状の共振器用導体層である。本実施の形態では特に、導体層121はT字形状になっている。導体層121は、一方向に長い第1の部分121aと、それぞれの長手方向の一端部が第1の部分121aにおける長手方向の一端部に接続された第2部分121bおよび第3の部分121cとを有している。第2部分121bは、第1の部分121aにおける一端部から積層基板20における側面20aに向けて延びている。第2部分121bにおける他端部はグランド用端子24に接続される。第3部分121cは、第1の部分121aにおける一端部から積層基板20における側面20bに向けて延びている。第3部分121cにおける他端部はグランド用端子26に接続される。導体層121における第1の部分121aは、導体層111,131の間に配置されている。また、第1の部分121aと導体層111,131のそれぞれの長手方向は平行である。導体層111,121は隣接し、誘導性結合している。導体層121,131も隣接し、誘導性結合している。本実施の形態では特に、導体層121における第1の部分121aは、導体層111,131のそれぞれに対してインターデジタル結合している。すなわち、第1の部分121aにおける開放側の端部(図6(a)における右側の端部)とグランド側の端部(図6(a)における左側の端部)の位置関係は、導体層111,131における開放側の端部(図6(a)における左側の端部)とグランド側の端部(図6(a)における右側の端部)の位置関係とは逆になっている。
Resonator conductor layers 111, 121, and 131 are formed on the upper surface of the
また、誘電体層34には、導体層111における他端部に接続されたスルーホール341と、導体層121の第1の部分121aにおける他端部に接続されたスルーホール342と、導体層131における他端部に接続されたスルーホール343とが形成されている。
The
図6(b)に示した5層目の誘電体層35の上面には、共振器用導体層112,122,132が形成されている。導体層112,122,132の形状、配置および相互の関係は、導体層111,121,131と同様である。すなわち、導体層112と導体層132は、それぞれ一方向に長い形状を有している。導体層112は積層基板20における側面20aの近傍に配置され、導体層132は積層基板20における側面20bの近傍に配置されている。導体層112における長手方向の一端部はグランド用端子25に接続される。導体層132における長手方向の一端部はグランド用端子27に接続される。導体層122は、二股分岐形状の共振器用導体層である。本実施の形態では特に、導体層122はT字形状になっている。導体層122は、一方向に長い第1の部分122aと、それぞれの長手方向の一端部が第1の部分122aにおける長手方向の一端部に接続された第2部分122bおよび第3の部分122cとを有している。第2部分122bは、第1の部分122aにおける一端部から積層基板20における側面20aに向けて延びている。第2部分122bにおける他端部はグランド用端子24に接続される。第3部分122cは、第1の部分122aにおける一端部から積層基板20における側面20bに向けて延びている。第3部分122cにおける他端部はグランド用端子26に接続される。導体層122における第1の部分122aは、導体層112,132の間に配置されている。また、第1の部分122aと導体層112,132のそれぞれの長手方向は平行である。導体層112,122は隣接し、誘導性結合している。導体層122,132も隣接し、誘導性結合している。本実施の形態では特に、導体層122における第1の部分122aは、導体層112,132のそれぞれに対してインターデジタル結合している。
Resonator conductor layers 112, 122, and 132 are formed on the top surface of the
また、誘電体層35には、導体層112における他端部に接続されたスルーホール351と、導体層122の第1の部分122aにおける他端部に接続されたスルーホール352と、導体層132における他端部に接続されたスルーホール353とが形成されている。スルーホール351,352,353は、それぞれスルーホール341,342,343に接続されている。
The
図6(c)に示した6層目の誘電体層36の上面には、共振器用導体層113,123,133が形成されている。導体層113,123,133の形状、配置および相互の関係は、導体層111,121,131と同様である。すなわち、導体層113と導体層133は、それぞれ一方向に長い形状を有している。導体層113は積層基板20における側面20aの近傍に配置され、導体層133は積層基板20における側面20bの近傍に配置されている。導体層113における長手方向の一端部はグランド用端子25に接続される。導体層133における長手方向の一端部はグランド用端子27に接続される。導体層123は、二股分岐形状の共振器用導体層である。本実施の形態では特に、導体層123はT字形状になっている。導体層123は、一方向に長い第1の部分123aと、それぞれの長手方向の一端部が第1の部分123aにおける長手方向の一端部に接続された第2部分123bおよび第3の部分123cとを有している。第2部分123bは、第1の部分123aにおける一端部から積層基板20における側面20aに向けて延びている。第2部分123bにおける他端部はグランド用端子24に接続される。第3部分123cは、第1の部分123aにおける一端部から積層基板20における側面20bに向けて延びている。第3部分123cにおける他端部はグランド用端子26に接続される。導体層123における第1の部分123aは、導体層113,133の間に配置されている。また、第1の部分123aと導体層113,133のそれぞれの長手方向は平行である。導体層113,123は隣接し、誘導性結合している。導体層123,133も隣接し、誘導性結合している。本実施の形態では特に、導体層123における第1の部分123aは、導体層113,133のそれぞれに対してインターデジタル結合している。
Resonator conductor layers 113, 123, and 133 are formed on the top surface of the
また、誘電体層36には、導体層113における他端部に接続されたスルーホール361と、導体層123の第1の部分123aにおける他端部に接続されたスルーホール362と、導体層133における他端部に接続されたスルーホール363とが形成されている。スルーホール361,362,363は、それぞれスルーホール351,352,353に接続されている。
The
導体層111,112,113は、それぞれインダクタンス成分を有している。導体層111,112,113は、スルーホール341,351とグランド用端子25を介して互いに接続されている。導体層111,112,113は、図4におけるインダクタ11を構成する。また、導体層111,112,113は、本発明における第1の共振器用導体層に対応する。
Each of the conductor layers 111, 112, and 113 has an inductance component. The conductor layers 111, 112, and 113 are connected to each other through the through
導体層121,122,123は、それぞれインダクタンス成分を有している。導体層121,122,123は、スルーホール342,352とグランド用端子24,26を介して互いに接続されている。導体層121,122,123は、図4におけるインダクタ12を構成する。また、導体層121,122,123は、本発明における第2の共振器用導体層に対応する。
Each of the conductor layers 121, 122, and 123 has an inductance component. The conductor layers 121, 122, and 123 are connected to each other through the through
導体層131,132,133は、それぞれインダクタンス成分を有している。導体層131,132,133は、スルーホール343,353とグランド用端子27を介して互いに接続されている。導体層131,132,133は、図4におけるインダクタ13を構成する。また、導体層131,132,133は、本発明における第3の共振器用導体層に対応する。
Each of the conductor layers 131, 132, and 133 has an inductance component. The conductor layers 131, 132, and 133 are connected to each other through the through
図7(a)に示した7層目の誘電体層37の上面には導体層は形成されていない。誘電体層37には、スルーホール371,372,373が形成されている。スルーホール371,372,373は、それぞれスルーホール361,362,363に接続されている。
No conductor layer is formed on the top surface of the
図7(b)に示した8層目の誘電体層38の上面には、導体層381,383が形成されている。導体層381は積層基板20における側面20aの近傍に配置され、導体層382は積層基板20における側面20bの近傍に配置されている。導体層381は、一方向に長いインダクタ形成部381aと、このインダクタ形成部381aにおける長手方向の一端部より、側面20aから遠ざかる方向に突出するように形成されたキャパシタ形成部381bとを有している。導体層383は、一方向に長いインダクタ形成部383aと、このインダクタ形成部383aにおける長手方向の一端部より、側面20bから遠ざかる方向に突出するように形成されたキャパシタ形成部383bとを有している。インダクタ形成部381aにおける他端部の近傍の部分は、入力端子22に接続される。インダクタ形成部383aにおける他端部の近傍の部分は、出力端子23に接続される。
Conductor layers 381 and 383 are formed on the upper surface of the
また、誘電体層38には、インダクタ形成部381aにおける他端部およびスルーホール371に接続されたスルーホール384と、スルーホール372に接続されたスルーホール385と、インダクタ形成部383aにおける他端部およびスルーホール373に接続されたスルーホール386とが形成されている。
Further, the
図7(c)に示した9層目の誘電体層39の上面には、キャパシタ用導体層391が形成されている。また、誘電体層39には、スルーホール384に接続されたスルーホール394と、スルーホール385に接続されたスルーホール395と、スルーホール386に接続されたスルーホール396とが形成されている。
A
図8(a)に示した10層目の誘電体層40の上面には、キャパシタ用導体層401,402,403が形成されている。導体層401,402,403には、それぞれ、スルーホール394,395,396が接続されている。
Capacitor conductor layers 401, 402, and 403 are formed on the top surface of the
図8(b)に示したように、10層目の誘電体層40の下面には、グランドに接続されるグランド用導体層411と、入力端子用導体層412と、出力端子用導体層413とが形成されている。この導体層411はグランド用端子24〜27に接続され、導体層412は入力端子22に接続され、導体層413は出力端子23に接続される。
As shown in FIG. 8B, on the lower surface of the
図7(b)に示した導体層381は、複数のスルーホールを介して、導体層111,112,113に接続されている。導体層383は、複数のスルーホールを介して、導体層131,132,133に接続されている。インダクタ形成部381aは、図4におけるインダクタ7を構成する。インダクタ形成部383aは、図4におけるインダクタ8を構成する。キャパシタ形成部381b,383bは、誘電層38,39を介して導体層402に対向している。導体層402は、複数のスルーホールを介して、導体層121,122,123に接続されている。キャパシタ形成部381b、誘電層38,39および導体層402は、図4におけるキャパシタ17を構成している。キャパシタ形成部383b、誘電層38,39および導体層402は、図4におけるキャパシタ18を構成している。
The
図7(c)に示した導体層391は、誘電層39を介して導体層401,403に対向している。導体層401は、複数のスルーホールを介して、導体層111,112,113に接続されている。導体層403は、複数のスルーホールを介して、導体層131,132,133に接続されている。導体層391,401,403および誘電層39は、図4におけるキャパシタ19を構成している。
The
また、導体層401,402,403は、誘電体層40を介して導体層411に対向している。導体層401,411および誘電体層40は、図4におけるキャパシタ14を構成している。導体層402,411および誘電体層40は、図4におけるキャパシタ15を構成している。導体層403,411および誘電体層40は、図4におけるキャパシタ16を構成している。
The conductor layers 401, 402, and 403 are opposed to the
上述の1層目ないし10層目の誘電体層31〜40および導体層が積層されて、図1および図2に示した積層基板20が形成される。図2に示した端子22〜27は、この積層基板20の外周部に形成される。
The above-mentioned first to tenth
なお、本実施の形態において、積層基板20としては、誘電体層の材料として樹脂、セラミック、あるいは両者を複合した材料を用いたもの等、種々のものを用いることができる。しかし、積層基板20としては、特に、高周波特性に優れた低温同時焼成セラミック多層基板を用いることが好ましい。
In the present embodiment, as the
図3は、側面20aからより見た積層基板20の内部を示す説明図である。本実施の形態では、例えば、誘電体層31,32,37〜40の誘電率は互いに等しく、誘電体層33〜36の誘電率も互いに等しくなっている。そして、誘電体層31,32,37〜40の誘電率は、誘電体層33〜36の誘電率よりも大きくなっている。例えば、誘電体層31,32,37〜40の比誘電率は50〜100の範囲内であり、誘電体層33〜36の比誘電率は3〜45の範囲内である。以下、誘電体層33〜36を低誘電率誘電体層と呼び、誘電体層31,32,37〜40を高誘電率誘電体層と呼ぶ。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing the inside of the
インダクタ11を構成する導体層111〜113、インダクタ12を構成する導体層121〜123およびインダクタ13を構成する導体層131〜133は、低誘電率誘電体層によって囲まれている。一方、インダクタ7,8を構成する導体層381,383は高誘電率誘電体層によって囲まれている。また、キャパシタ14〜19も高誘電率誘電体層によって囲まれている。
The conductor layers 111 to 113 constituting the
本実施の形態では、共振器4は、インダクタ11を構成する共振器用導体層111〜113と、キャパシタ14とを有している。共振器5は、インダクタ12を構成する共振器用導体層121〜123と、キャパシタ15とを有している。共振器6は、インダクタ13を構成する共振器用導体層131〜133と、キャパシタ16とを有している。
In the present embodiment, the
ここで、図9を参照して、共振器用導体層111〜113と、共振器用導体層121〜123と、共振器用導体層131〜133の形状、配置および相互の関係について詳しく説明する。図9は、これら共振器用導体層を示す平面図である。なお、以下、導体層111,121,131について説明するが、以下の説明は、導体層112,122,132と、導体層113,123,133にも当てはまる。 Here, with reference to FIG. 9, the shape, arrangement | positioning, and mutual relationship of the conductor layers 111-113 for resonators, the conductor layers 121-123 for resonators, and the conductor layers 131-133 for resonators are demonstrated in detail. FIG. 9 is a plan view showing these resonator conductor layers. Hereinafter, the conductor layers 111, 121, and 131 will be described, but the following description also applies to the conductor layers 112, 122, and 132 and the conductor layers 113, 123, and 133.
前述のように、導体層111と導体層131は、それぞれ一方向に長い形状を有している。導体層111における長手方向の一端部はグランド用端子25に接続される。導体層131における長手方向の一端部はグランド用端子27に接続される。導体層121は、二股分岐形状の共振器用導体層であり、一方向に長い第1の部分121aと、それぞれの長手方向の一端部が第1の部分121aにおける長手方向の一端部に接続された第2部分121bおよび第3の部分121cとを有している。第2部分121bにおける他端部はグランド用端子24に接続される。第3部分121cにおける他端部はグランド用端子26に接続される。導体層121における第1の部分121aは、導体層111,131の間に配置されている。第1の部分121aと導体層111,131のそれぞれの長手方向は平行である。導体層111,121は隣接し、誘導性結合している。導体層121,131も隣接し、誘導性結合している。
As described above, each of the
ところで、本実施の形態のように、積層基板内に3個の共振器用導体層を一方向に並べて配置し、グランド用端子を、積層基板の外周部のうち、3個の共振器用導体層が並ぶ方向の両側の側面に配置する場合には、中央の共振器用導体層では、両側の共振器用導体層に比べて、共振器用導体層の主要部分と積層基板の側面との間の距離が大きくなるため、グランド用端子との接触面積を大きくすることが難しいと共に、主要部分とグランド用端子との間の距離が大きくなる。そのため、中央の共振器用導体層ではインダクタンス成分が大きくなりやすい。その結果、所望のフィルタの特性を実現することが困難になる場合がある。すなわち、中央の共振器用導体層のインダクタンス成分が所望の値よりも大きくなると、その共振器用導体層によって構成される共振器の共振周波数が所望の共振周波数よりも低くなり、その結果、例えばバンドパスフィルタの通過帯域外における減衰量が小さくなる等の問題が発生する。 By the way, as in the present embodiment, three resonator conductor layers are arranged in one direction in the multilayer substrate, and the ground terminals are arranged on the outer periphery of the multilayer substrate. When arranged on the side surfaces on both sides in the line-up direction, the distance between the main part of the resonator conductor layer and the side surface of the multilayer substrate is larger in the central resonator conductor layer than in the resonator conductor layers on both sides. Therefore, it is difficult to increase the contact area with the ground terminal, and the distance between the main portion and the ground terminal is increased. Therefore, the inductance component tends to increase in the central resonator conductor layer. As a result, it may be difficult to achieve desired filter characteristics. That is, when the inductance component of the central resonator conductor layer becomes larger than a desired value, the resonance frequency of the resonator constituted by the resonator conductor layer becomes lower than the desired resonance frequency. Problems such as a small attenuation outside the passband of the filter occur.
本実施の形態では、中央の導体層121が二股分岐形状になっている。そして、導体層121の第2の部分121bがグランド用端子24に接続され、導体層121の第3の部分121cがグランド用端子26に接続されている。そのため、本実施の形態では、中央の導体層が1箇所でのみグランド用導体層に接続される場合に比べて、導体層121とグランド用端子との接触面積を大きくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、導体層121とグランド用端子との接触面積が小さいことによる導体層121のインダクタンス成分の増加を抑制することが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、所望のフィルタの特性を実現することが容易になる。
In the present embodiment, the
また、第1ないし第3の部分121a,121b,121cをそれぞれ別個のインダクタとみなすと、導体層121全体によって構成されるインダクタのインダクタンスは、第1ないし第3の部分121a,121b,121cのそれぞれによって構成されるインダクタのインダクタンスの合成となる。第2の部分121bによって構成されるインダクタと第3の部分121cによって構成されるインダクタは、第1の部分121aによって構成されるインダクタの一端とグランドとの間に並列に設けられる。従って、導体層121全体によって構成されるインダクタのインダクタンスは、導体層121から第2の部分121bと第3の部分121cのうちの一方を除いた導体層のインダクタンスよりも小さくなる。このことから、本実施の形態によれば、第1の部分121aとグランド用端子との間の距離が大きいことによる導体層121のインダクタンス成分の増加を抑制することができる。これにより、本実施の形態によれば、所望のフィルタの特性を実現することが容易になる。導体層122,123についても同様のことが言える。
Further, when the first to
また、導体層121〜123によって構成されるインダクタ12は、図10に示したように表すことができる。すなわち、インダクタ12は、第1の部分121a〜123aによって構成される第1のインダクタ12aと、第2の部分121b〜123bによって構成される第2のインダクタ12bと、第3の部分121c〜123cによって構成される第3のインダクタ12cとを含む。インダクタ12b,12cは、インダクタ12aの一端とグランドとの間に並列に設けられる。インダクタ12bはグランド用端子24に接続され、インダクタ12cはグランド用端子26に接続される。このように、本実施の形態では、インダクタ12aの一端とグランドとが、並列に設けられたインダクタ12b,12cによって接続される。
Moreover, the
ここで、本実施の形態におけるインダクタ12に対する第1の比較例として、図10に示したインダクタ12からインダクタ12b,12cのうちの一方を除いた構成のインダクタを考える。この第1の比較例のインダクタは、導体層121〜123から第2の部分121b〜123bと第3の部分121c〜123cのうちの一方を除いた構成の3つの導体層によって構成されるインダクタである。インダクタ12のインダクタンスは、第1の比較例のインダクタのインダクタンスよりも小さくなる。従って、本実施の形態によれば、電子部品1の構造や共振器5の配置に起因した共振器5のインダクタンス成分の増加、具体的には第1の部分121a〜123aとグランド用端子との間の距離が大きいことによるインダクタ12のインダクタンスの増加を抑制することができる。これにより、本実施の形態によれば、所望のフィルタの特性を実現することが容易になる。
Here, as a first comparative example for the
また、実験の結果、二股分岐形状の導体層121〜123によって構成される本実施の形態におけるインダクタ12のQは、それぞれ一方向に長く、一端部がグランドに接続された3層の導体層によって構成される第2の比較例のインダクタのQよりも大きくなることが分かった。第2の比較例のインダクタを構成する導体層は、本実施の形態におけるインダクタ11を構成する導体層111〜113と同様の形状を有している。実験では、それぞれ、共振周波数が2.4GHzになるように、本実施の形態におけるインダクタ12と第2の比較例のインダクタとを作製し、それらの無負荷のQ(以下,Quと記す。)を調べた。実験の結果、本実施の形態におけるインダクタ12のQuは54.9であり、第2の比較例のインダクタのQuは47.5であった。この実験の結果から、二股分岐形状の導体層121〜123によって構成される本実施の形態におけるインダクタ12のQは、第2の比較例のインダクタのQよりも大きくなることが分かる。
In addition, as a result of the experiment, the Q of the
また、本実施の形態では、図9に示したように、導体層121における第1の部分121aは、導体層111,131のそれぞれに対してインターデジタル結合している。そのため、本実施の形態では、第1の部分121aにおけるグランド側の端部(図9における左側の端部)と、導体層111,131におけるグランド側の端部(図9における右側の端部)は、第1の部分121aの長手方向について互いに反対側に配置される。これにより、本実施の形態によれば、積層基板20内の限られた空間を効率よく利用して、導体層111,121,131を配置することが可能になる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 9, the
また、本実施の形態では、図9に示したように、導体層121は、第1の部分121aを通り第1の部分121aの長手方向に平行な仮想の直線CLを中心として線対称となる形状を有している。また、導体層111と導体層131は、仮想の直線CLを中心として線対称となる形状を有している。このような構成とすることにより、積層基板20の内部の構成が簡単になると共に、フィルタの特性の調整が容易になる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 9, the
ここで、図9に示したように、第1の部分121aと導体層111とが互いに対向する領域、すなわち、第1の部分121aの長手方向に直交する方向(図9における上方または下方)から見たときに、第1の部分121aと導体層111とが重なる領域の長さをL4とする。また、第1の部分121aと導体層131とが互いに対向する領域、すなわち、第1の部分121aの長手方向に直交する方向(図9における上方または下方)から見たときに、第1の部分121aと導体層131とが重なる領域の長さをL5とする。本実施の形態では、長さL4,L5は、第1の部分の長さL2、導体層111の長さL1および導体層131の長さL3のいずれよりも小さい。長さL4,L5は、長さL1,L2,L3のうちの最も小さいものの25%以上75%以下であることがより好ましい。
Here, as shown in FIG. 9, from the region where the
本実施の形態では、導体層111と導体層121が誘導性結合し、導体層131と導体層121が誘導性結合している。ここで、上記の長さL4,L5が小さいほど、導体層111と導体層121との誘導性結合の大きさと、導体層131と導体層121との誘導性結合の大きさが小さくなる。従って、本実施の形態によれば、長さL4,L5を調整することによって、導体層111と導体層121との誘導性結合の大きさと導体層131と導体層121との誘導性結合の大きさを調整することができる。これにより、本実施の形態によれば、隣接する共振器4,5間の誘導性結合の大きさと、隣接する共振器5,6間の誘導性結合の大きさを容易に調整することが可能になる。その結果、本実施の形態によれば、バンドパスフィルタの特性を容易に調整することが可能になる。
In the present embodiment, the
また、本実施の形態によれば、長さL4,L5が長さL1,L2,L3より小さいことから、長さL4,L5が長さL1,L2,L3のいずれかと等しい場合に比べて、共振器4,5間の誘導性結合の大きさおよび共振器5,6間の誘導性結合の大きさを小さくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、長さL4,L5が長さL1,L2,L3のいずれかと等しい場合に比べて、バンドパスフィルタの通過・減衰特性を示す曲線のうちの減衰極の近傍の部分における傾きを大きくすることができる。そのため、本実施の形態によれば、通過帯域における通過・減衰特性と通過帯域外における通過・減衰特性とを明確に区別することが可能になる。
Further, according to the present embodiment, since the lengths L4 and L5 are smaller than the lengths L1, L2 and L3, compared to the case where the lengths L4 and L5 are equal to any of the lengths L1, L2 and L3, The size of inductive coupling between the
本実施の形態に係る電子部品1は、例えば、2.4〜2.5GHzの周波数帯域における減衰量を小さくし、2.17GHzの近傍の周波数帯域における減衰量を大きくしたい場合に有効である。2.4〜2.5GHzという周波数帯域は、ブルートゥース規格の通信装置や無線LAN用の通信装置において用いられるバンドパスフィルタの通過帯域である。2.17GHzの近傍の周波数帯域は、広帯域符号分割多元接続(W−CDMA)方式の携帯電話で使用される周波数帯域である。 The electronic component 1 according to the present embodiment is effective, for example, when it is desired to reduce the attenuation in the frequency band of 2.4 to 2.5 GHz and increase the attenuation in the frequency band near 2.17 GHz. The frequency band of 2.4 to 2.5 GHz is a pass band of a band-pass filter used in a Bluetooth standard communication device or a wireless LAN communication device. The frequency band in the vicinity of 2.17 GHz is a frequency band used in a wideband code division multiple access (W-CDMA) mobile phone.
また、本実施の形態によれば、電子部品1の小型化、薄型化に伴って隣接する共振器間の距離を短くせざるを得ない場合であっても、隣接する共振器間の誘導性結合の大きさを小さくすることができるので、電子部品1の小型化、薄型化が容易になる。 Further, according to the present embodiment, even when the distance between the adjacent resonators must be shortened as the electronic component 1 is reduced in size and thickness, the inductivity between the adjacent resonators is reduced. Since the size of the coupling can be reduced, the electronic component 1 can be easily reduced in size and thickness.
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態では、インダクタ11〜13をそれぞれ3つの共振器用導体層によって構成したが、インダクタ11〜13は、それぞれ、1つまたは2つの共振器用導体層によって構成してもよいし、4つ以上の共振器用導体層によって構成してもよい。また、インダクタ7,8は、設けられていなくてもよい。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change is possible. For example, in the embodiment, each of the
また、本発明の電子部品は、バンドパスフィルタに限らず、共振器を備えた電子部品全般に適用することができる。本発明の電子部品に含まれる共振器の数は、1つまたは2つでもよいし、4つ以上であってもよい。 Moreover, the electronic component of the present invention can be applied not only to the band-pass filter but also to all electronic components including a resonator. The number of resonators included in the electronic component of the present invention may be one, two, or four or more.
本発明の電子部品は、ブルートゥース規格の通信装置や無線LAN用の通信装置において用いられるフィルタ、特にバンドパスフィルタとして有用である。 The electronic component of the present invention is useful as a filter, particularly a band-pass filter, used in a Bluetooth standard communication device or a wireless LAN communication device.
1…電子部品、2…入力端子、3…出力端子、4〜6…共振器、7,8,11〜13…インダクタ、12a…第1のインダクタ、12b…第2のインダクタ、12c…第3のインダクタ、14〜19…キャパシタ、20…積層基板、22…入力端子、23…出力端子、24〜27…グランド用端子、111〜113,121〜123,131〜133…共振器用導体層、121a〜123a…第1の部分、121b〜123b…第2の部分、121c〜123c…第3の部分。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic component, 2 ... Input terminal, 3 ... Output terminal, 4-6 ... Resonator, 7, 8, 11-13 ... Inductor, 12a ... 1st inductor, 12b ... 2nd inductor, 12c ... 3rd Inductors, 14 to 19 ... Capacitors, 20 ... Laminated substrates, 22 ... Input terminals, 23 ... Output terminals, 24-27 ... Ground terminals, 111-113, 121-123, 131-133 ... Resonator conductor layers, 121a -123a ... 1st part, 121b-123b ... 2nd part, 121c-123c ... 3rd part.
Claims (10)
前記積層基板内に設けられた二股分岐形状の共振器用導体層を有する共振器と、
前記積層基板の外周部に配置された第1および第2のグランド用端子とを備え、
前記二股分岐形状の共振器用導体層は、一方向に長い第1の部分と、それぞれの一端部が前記第1の部分の一端部に接続された第2および第3の部分とを有し、
前記第1のグランド用端子は前記第2の部分の他端部に接続され、前記第2のグランド用端子は前記第3の部分の他端部に接続されていることを特徴とする電子部品。 A laminated substrate including a plurality of laminated dielectric layers;
A resonator having a bifurcated branching conductor layer provided in the laminated substrate;
First and second ground terminals disposed on the outer periphery of the multilayer substrate;
The bifurcated resonator conductor layer has a first portion that is long in one direction, and second and third portions each having one end connected to one end of the first portion,
The first ground terminal is connected to the other end of the second portion, and the second ground terminal is connected to the other end of the third portion. .
第2の共振器は、第1の共振器と第3の共振器の間に配置され、
前記第2の共振器が前記二股分岐形状の共振器用導体層を有していることを特徴とする請求項1記載の電子部品。 Comprising first to third resonators provided in the laminated substrate;
The second resonator is disposed between the first resonator and the third resonator,
2. The electronic component according to claim 1, wherein the second resonator has the bifurcated resonator conductor layer.
前記第1の共振器は、前記積層基板内に設けられた第1の共振器用導体層を有し、
前記第2の共振器は、前記積層基板内に設けられた第2の共振器用導体層を有し、
前記第3の共振器は、前記積層基板内に設けられた第3の共振器用導体層を有し、
前記第2の共振器用導体層が前記二股分岐形状の共振器用導体層であり、
前記第2の共振器用導体層である前記二股分岐形状の共振器用導体層における前記第1の部分は、第1の共振器用導体層と第3の共振器用導体層との間に配置されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。 Comprising first to third resonators provided in the laminated substrate;
The first resonator has a first resonator conductor layer provided in the multilayer substrate,
The second resonator has a second resonator conductor layer provided in the multilayer substrate,
The third resonator has a third resonator conductor layer provided in the multilayer substrate,
The second resonator conductor layer is the bifurcated resonator conductor layer;
The first portion of the bifurcated resonator conductor layer that is the second resonator conductor layer is disposed between the first resonator conductor layer and the third resonator conductor layer. The electronic component according to claim 1.
前記第2のグランド用端子は、前記積層基板の外周部の他の一部を構成し、前記第1の面とは反対側に配置された第2の面に配置され、
更に、前記第1の面に配置され、前記第1の共振器用導体層に接続された第3のグランド用端子と、前記第2の面に配置され、前記第3の共振器用導体層に接続された第4のグランド用端子とを備えたことを特徴とする請求項4記載の電子部品。 The first ground terminal is disposed on a first surface constituting a part of the outer peripheral portion of the multilayer substrate,
The second ground terminal constitutes another part of the outer peripheral portion of the multilayer substrate, and is disposed on a second surface disposed on the side opposite to the first surface,
Further, a third ground terminal disposed on the first surface and connected to the first resonator conductor layer, and a third ground terminal disposed on the second surface and connected to the third resonator conductor layer. The electronic component according to claim 4, further comprising a fourth ground terminal.
前記第1ないし第3の共振器は、回路構成上、前記入力端子と出力端子との間に設けられ、バンドパスフィルタの機能を実現することを特徴とする請求項4ないし9のいずれかに記載の電子部品。 Furthermore, an input terminal and an output terminal disposed on the outer peripheral portion of the multilayer substrate are provided,
The said 1st thru | or 3rd resonator is provided between the said input terminal and the output terminal on the circuit structure, and implement | achieves the function of a band pass filter, In any one of Claim 4 thru | or 9 characterized by the above-mentioned. The electronic component described.
Priority Applications (1)
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JP2006351959A JP2008166944A (en) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | Electronic component |
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