JP2008147230A - Substrate for solar cell, solar cell module and solar cell device - Google Patents

Substrate for solar cell, solar cell module and solar cell device Download PDF

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誠 有沢
Hideki Kodaira
秀樹 小平
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for solar cell which has a transparent electrode with a low resistance and a micro-texture structure to the extent of demonstrating grating effect, and to provide a solar cell module with high photoelectric conversion efficiency by using the same, as well as to provide a solar cell device. <P>SOLUTION: A diffraction grating layer, made mainly of translucent insulating resin, is provided between a transparent insulating substrate and a translucent electrode, and as the translucent insulating resin, a resin made mainly of ionizing radiation curing resin, thermocuring resin or cast resin has a glass transition point (Tg) of 240°C or higher. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、太陽電池ユニット外部(入射光側)に設置される太陽電池用基板に関するもので、更に詳しくは、太陽電池モジュールに入射した光を有効に発電に利用するためのテクスチャー構造を備えた太陽電池用基板に関するものある。 The present invention relates to a solar cell substrate installed outside a solar cell unit (incident light side), and more specifically, has a texture structure for effectively using light incident on a solar cell module for power generation. It relates to a solar cell substrate.

なお、本明細書に記載されている「テクスチャー」とは、電子顕微鏡で輪郭の確認できる「微細凹凸」の業界用語である。
また、本願明細書に記載されている「微晶質」には、部分的に非晶質を含む場合も含む。
また、本願明細書に記載されている「主成分」とは、構成する成分のうち、主たる成分のことを指し、具体的には、50質量%以上を構成する成分を指す。
The “texture” described in this specification is an industry term for “fine irregularities” whose contour can be confirmed with an electron microscope.
In addition, “microcrystalline” described in the present specification includes a case where it partially contains amorphous.
In addition, the “main component” described in the specification of the present application refers to a main component among the constituent components, and specifically refers to a component constituting 50% by mass or more.

太陽光を使用する太陽電池は、資源の枯渇(原油可採年数;約30年、天然ガス可採年数;約40年、ウラン可採年数;約45年)が危惧されている化石燃料を使用しなくても良い発電システムとして注目されている。 Solar-powered solar cells use fossil fuels that are feared to run out of resources (crude oil availability: about 30 years, natural gas availability: about 40 years, uranium availability: about 45 years) It is attracting attention as a power generation system that does not have to be.

太陽電池モジュールの構造としては、ガラスやプラスチック等から成る透明絶縁性基材上に、SnOやITOやZnOからなる透明電極、光電変換機能を有する太陽電池ユニット層、AgやAl等からなる背面電極層がこの順序で積層された構造が周知となっている。 As the structure of the solar cell module, a transparent electrode made of SnO 2 , ITO or ZnO, a solar cell unit layer having a photoelectric conversion function, a back surface made of Ag, Al or the like on a transparent insulating substrate made of glass or plastic A structure in which electrode layers are stacked in this order is well known.

太陽電池ユニットの材料としては、100〜200℃程度の比較的低温で成膜できる非晶質シリコンが注目されている。 As a material for the solar cell unit, attention has been focused on amorphous silicon that can be formed at a relatively low temperature of about 100 to 200 ° C.

しかし、非晶質シリコンを材料とした太陽電池ユニットは、光電変換効率が低いという問題を抱えている。 However, a solar cell unit made of amorphous silicon has a problem that the photoelectric conversion efficiency is low.

光電変換効率を上昇させる試みとして、エッチング法にて透明電極表面にテクスチャー構造を形成し、太陽電池ユニットから散逸しようとする光を該テクスチャー構造にて太陽電池ユニットの中に封じ込め、かつ、太陽電池ユニットへの入射光をテクスチャー構造にて乱反射させ、太陽電池ユニット内における前記入射光の光路長を増加させる方法が提案されている。(例えば、特許文献1参照) As an attempt to increase the photoelectric conversion efficiency, a texture structure is formed on the surface of the transparent electrode by an etching method, and light to be dissipated from the solar cell unit is enclosed in the solar cell unit by the texture structure. A method has been proposed in which incident light to the unit is diffusely reflected by a texture structure to increase the optical path length of the incident light in the solar cell unit. (For example, see Patent Document 1)

また、光電変換効率を上昇させる試みとして、サンドブラスト法にて透明絶縁性基材表面にテクスチャー構造を形成する方法が提案されている。(例えば、特許文献2参照) Further, as an attempt to increase the photoelectric conversion efficiency, a method of forming a texture structure on the surface of a transparent insulating substrate by a sand blast method has been proposed. (For example, see Patent Document 2)

特開昭61−288473号公報JP-A-61-288473 特開平1−219043号公報Japanese Patent Laid-Open No. 1-219043

しかし、エッチング法にて透明電極表面にテクスチャー構造を形成すると、透明電極にクラックが生じ、その結果、透明電極の抵抗値が高くなってしまう。 However, when a texture structure is formed on the surface of the transparent electrode by an etching method, a crack occurs in the transparent electrode, and as a result, the resistance value of the transparent electrode becomes high.

また、サンドブラスト法にて透明絶縁性基材表面にテクスチャー構造を形成しても、回折効果を発揮できる程の微細なテクスチャー構造が得られない。 Further, even if a texture structure is formed on the surface of the transparent insulating substrate by the sand blast method, a fine texture structure that can exhibit a diffraction effect cannot be obtained.

本発明の課題は、透明電極の抵抗値が低く、且つ、回折格子効果を発揮できる程の微細なテクスチャー構造を有する太陽電池用基板と、それを用いた光電変換効率が高い太陽電池モジュールおよび太陽電池装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a solar cell substrate having a low texture of a transparent electrode and a fine texture structure capable of exhibiting a diffraction grating effect, a solar cell module and a solar cell using the same It is to provide a battery device.

請求項1に記載の発明は、透明絶縁性基材と、該透明絶縁性基材上に形成された、表面にテクスチャー構造を有する回折格子層からなる太陽電池用基板であって、
前記回折格子層が、透光性絶縁樹脂を主成分とすることを特徴とする太陽電池用基板である。
The invention according to claim 1 is a solar cell substrate comprising a transparent insulating substrate and a diffraction grating layer formed on the transparent insulating substrate and having a textured structure on the surface,
The said diffraction grating layer is a board | substrate for solar cells characterized by having translucent insulating resin as a main component.

透明絶縁性基材は、太陽電池ユニットへの水分侵入の防止、紫外線の遮断の役割、および、太陽電池モジュールを外力から保護する役割を果たす。 The transparent insulating substrate serves to prevent moisture from entering the solar cell unit, to block ultraviolet rays, and to protect the solar cell module from external forces.

回折格子層は、太陽電池ユニットへの入射光を乱反射させ、太陽電池ユニット内における前記入射光の光路長を増加させる役割、および、太陽電池ユニットから散逸しようとする光を該テクスチャー構造にて太陽電池ユニットの中に封じ込める役割を果たす。 The diffraction grating layer diffuses and reflects the incident light to the solar cell unit, increases the optical path length of the incident light in the solar cell unit, and the light to be dissipated from the solar cell unit in the texture structure. It plays a role of containment in the battery unit.

透光性絶縁樹脂は、微細なテクスチャー構造を形成するための材料となる。 The translucent insulating resin is a material for forming a fine texture structure.

請求項2に記載の発明は、前記透光性絶縁樹脂が、ガラス転移点(Tg)が240℃以上で、かつ、電離放射線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂またはキャスト樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池用基板である。 According to a second aspect of the present invention, the translucent insulating resin has a glass transition point (Tg) of 240 ° C. or higher, and an ionizing radiation curable resin, a thermosetting resin, or a cast resin as a main component. It is a board | substrate for solar cells of Claim 1 characterized by these.

電離放射線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂またはキャスト樹脂は、数十nmレベルのテクスチャー層の微細加工を、容易にするという役割を有する。 An ionizing radiation curable resin, a thermosetting resin, or a cast resin has a role of facilitating fine processing of a texture layer of several tens of nm level.

電離放射線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂またはキャスト樹脂のガラス転移点(Tg)を240℃以上の範囲にすると、太陽電池ユニット形成工程における高温(100〜200℃程度)処理中に、樹脂のガラス転移は起こらない。 When the glass transition point (Tg) of the ionizing radiation curable resin, thermosetting resin or cast resin is in the range of 240 ° C. or higher, the glass of the resin during the high temperature (about 100 to 200 ° C.) treatment in the solar cell unit forming step. No metastasis occurs.

請求項3に記載の発明は、前記透明絶縁性基材が、化学強化ガラスまたは物理強化ガラスであることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の太陽電池用基板である。 The invention according to claim 3 is the solar cell substrate according to claim 1, wherein the transparent insulating substrate is chemically tempered glass or physical tempered glass. It is.

化学強化ガラスまたは物理強化ガラスは、従来のソーダ石灰系ガラスと比べ小型軽量な太陽電池モジュールの保護材としての役割を果たす。 Chemically tempered glass or physically tempered glass plays a role as a protective material for a small and light solar cell module as compared with conventional soda-lime glass.

請求項4に記載の発明は、前記透明絶縁性基材が、ガラス転移点(Tg)が240℃以上の、単独のプラスチックフィルムまたは積層プラスチックフィルムであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の太陽電池用基板である。 The invention described in claim 4 is characterized in that the transparent insulating substrate is a single plastic film or a laminated plastic film having a glass transition point (Tg) of 240 ° C. or higher. 2. The solar cell substrate according to 2.

プラスチックフィルムは、太陽電池モジュール保護材としての役割を果たすと共に、ロールtoロール法での大量生産を容易にするという役割を果たしている。 The plastic film plays a role of facilitating mass production by a roll-to-roll method while serving as a solar cell module protective material.

プラスチックフィルムのガラス転移点(Tg)を240℃以上の範囲にすると、太陽電池ユニット形成工程における高温(100〜200℃程度)処理中に、プラスチックフィルムのガラス転移は起こらない。 When the glass transition point (Tg) of the plastic film is in the range of 240 ° C. or higher, the glass transition of the plastic film does not occur during the high temperature (about 100 to 200 ° C.) treatment in the solar cell unit forming step.

請求項5に記載の発明は、前記回折格子層が、ハニカム構造であり、該ハニカム構造を構成する単セルの一辺の長さ(図1のL)が、100〜10000nmであり、
セル隔壁厚さ(図1のW)が10〜300nmであり、
セル隔壁高さ(図1のH)とセル隔壁厚さ(図1のW)の比が、1/8〜5/4の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の太陽電池用基板である。
In the invention according to claim 5, the diffraction grating layer has a honeycomb structure, and the length of one side (L in FIG. 1) constituting the honeycomb structure is 100 to 10,000 nm,
The cell partition wall thickness (W in FIG. 1) is 10 to 300 nm,
The ratio of the cell partition wall height (H in FIG. 1) to the cell partition wall thickness (W in FIG. 1) is in the range of 1/8 to 5/4. It is a substrate for solar cells of any one.

この範囲にすると、太陽光全波長領域におけるエネルギー強度が最大となる500nm付近の太陽光の、光電変換効率が最大になる。 When it is within this range, the photoelectric conversion efficiency of sunlight near 500 nm at which the energy intensity in the total wavelength region of sunlight is maximized is maximized.

請求項6に記載の発明は、前記回折格子層が、凸部と凹部が周期的に2次元に配列した構造であり、前記回折格子の厚み方向から見た前記凸部の形状が円形であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の太陽電池用基板である。 According to a sixth aspect of the present invention, the diffraction grating layer has a structure in which convex portions and concave portions are periodically arranged two-dimensionally, and the shape of the convex portion viewed from the thickness direction of the diffraction grating is circular. The solar cell substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate is a solar cell substrate.

回折格子層をこのようにすると、太陽光全波長領域におけるエネルギー強度が最大となる500nm付近の太陽光の、光電変換効率が最大になる。 When the diffraction grating layer is formed in this way, the photoelectric conversion efficiency of sunlight around 500 nm at which the energy intensity in the entire wavelength region of sunlight is maximized is maximized.

請求項7に記載の発明は、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の太陽電池用基板の回折格子層上に透明電極が形成されていることを特徴とする太陽電池用基板である。 The invention according to claim 7 is a solar cell substrate, wherein a transparent electrode is formed on the diffraction grating layer of the solar cell substrate according to any one of claims 1 to 6. It is.

透明電極は、太陽電池モジュールの電極の役割を果たす。 The transparent electrode serves as an electrode for the solar cell module.

請求項8に記載の発明は、前記透明電極上に形成された太陽電池ユニットと、
該太陽電池ユニット上に形成された背面電極と、
を有する太陽電池モジュールである。
The invention according to claim 8 is a solar cell unit formed on the transparent electrode,
A back electrode formed on the solar cell unit;
It is a solar cell module which has.

太陽電池ユニットは、太陽電池モジュールに入射した光を電気に変換する役割を果たす。 The solar cell unit plays a role of converting light incident on the solar cell module into electricity.

背面電極は、太陽電池モジュールの電極の役割を果たす。 The back electrode serves as an electrode for the solar cell module.

請求項9に記載の発明は、前記太陽電池モジュールを、該太陽電池モジュールの光入射面を開口部とした光反射材で包囲したことを特徴とする太陽電池装置である。 The invention according to claim 9 is a solar cell device characterized in that the solar cell module is surrounded by a light reflecting material having a light incident surface of the solar cell module as an opening.

光反射材は、太陽電池モジュールから漏洩する光を、光反射材表面で反射させ太陽電池モジュールへ再入射させる役割を果たす。 The light reflecting material plays a role of reflecting light leaking from the solar cell module on the surface of the light reflecting material and re-entering the solar cell module.

請求項1に記載の発明は、透明絶縁性基材と、該透明絶縁性基材上に形成された、表面にテクスチャー構造を有する回折格子層からなる太陽電池用基板であって、
前記回折格子層が、透光性絶縁樹脂を主成分とすることを特徴とする太陽電池用基板である。
The invention according to claim 1 is a solar cell substrate comprising a transparent insulating substrate and a diffraction grating layer formed on the transparent insulating substrate and having a textured structure on the surface,
The said diffraction grating layer is a board | substrate for solar cells characterized by having translucent insulating resin as a main component.

透明絶縁性基材と透明電極の間に、透光性絶縁樹脂を主成分とする回折格子層を設けることにより、透明電極の抵抗値が低く、且つ、回折効果を発揮できる程の微細なテクスチャー構造を有する太陽電池用基板を得ることができる。 By providing a diffraction grating layer mainly composed of a translucent insulating resin between the transparent insulating base material and the transparent electrode, the transparent electrode has a low resistance value and a fine texture capable of exhibiting a diffraction effect. A solar cell substrate having a structure can be obtained.

請求項2に記載の発明は、前記透光性絶縁樹脂が、ガラス転移点(Tg)が240℃以上で、かつ、電離放射線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂またはキャスト樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池用基板である。 According to a second aspect of the present invention, the translucent insulating resin has a glass transition point (Tg) of 240 ° C. or higher, and an ionizing radiation curable resin, a thermosetting resin, or a cast resin as a main component. It is a board | substrate for solar cells of Claim 1 characterized by these.

前記テクスチャー層の材料として、電離放射線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂またはキャスト樹脂を用いることにより、テクスチャー層を微細化することができ、よって、小型軽量化した太陽電池用基板を得ることができる。 By using an ionizing radiation curable resin, a thermosetting resin or a cast resin as the material of the texture layer, the texture layer can be made finer, and thus a small and lightweight solar cell substrate can be obtained. .

請求項3に記載の発明は、前記透明絶縁性基材が、化学強化ガラスまたは物理強化ガラスであることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の太陽電池用基板である。 The invention according to claim 3 is the solar cell substrate according to claim 1, wherein the transparent insulating substrate is chemically tempered glass or physical tempered glass. It is.

透明基材を、化学強化ガラスまたは物理強化ガラスとすることにより、太陽電池モジュールを小型軽量化することができる。 By making the transparent base material chemically tempered glass or physical tempered glass, the solar cell module can be reduced in size and weight.

請求項4に記載の発明は、前記透明絶縁性基材が、ガラス転移点(Tg)が240℃以上の、単独のプラスチックフィルムまたは積層プラスチックフィルムであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の太陽電池用基板である。 The invention described in claim 4 is characterized in that the transparent insulating substrate is a single plastic film or a laminated plastic film having a glass transition point (Tg) of 240 ° C. or higher. 2. The solar cell substrate according to 2.

このようにすることにより、太陽電池モジュールを小型軽量化することができ、また、生産性に優れたロールtoロール法を用いることができ、結果、製造コスト高を招く事なく小型軽量化した太陽電池用基板を得ることができる。 By doing so, the solar cell module can be reduced in size and weight, and the roll-to-roll method with excellent productivity can be used. As a result, the solar cell module can be reduced in size and weight without increasing the manufacturing cost. A battery substrate can be obtained.

請求項5に記載の発明は、前記回折格子層が、ハニカム構造であり、該ハニカム構造を構成する単セルの一辺の長さ(図1のL)が、100〜10000nmであり、
セル隔壁厚さ(図1のW)が10〜300nmであり、
セル隔壁高さ(図1のH)とセル隔壁厚さ(図1のW)の比が、1/8〜5/4の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の太陽電池用基板である。
In the invention according to claim 5, the diffraction grating layer has a honeycomb structure, and the length of one side (L in FIG. 1) constituting the honeycomb structure is 100 to 10,000 nm,
The cell partition wall thickness (W in FIG. 1) is 10 to 300 nm,
The ratio of the cell partition wall height (H in FIG. 1) to the cell partition wall thickness (W in FIG. 1) is in the range of 1/8 to 5/4. It is a substrate for solar cells of any one.

回折格子層をこのようにすることにより、光電変換効率の良い太陽電池モジュールを得ることができる。 By making the diffraction grating layer in this way, a solar cell module with good photoelectric conversion efficiency can be obtained.

請求項6に記載の発明は、前記回折格子層が、凸部と凹部が周期的に2次元に配列した構造であり、前記回折格子の厚み方向から見た前記凸部の形状が円形であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の太陽電池用基板である。 According to a sixth aspect of the present invention, the diffraction grating layer has a structure in which convex portions and concave portions are periodically arranged two-dimensionally, and the shape of the convex portion viewed from the thickness direction of the diffraction grating is circular. The solar cell substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate is a solar cell substrate.

回折格子層をこのようにすることにより、光電変換効率の良い太陽電池モジュールを得ることができる。 By making the diffraction grating layer in this way, a solar cell module with good photoelectric conversion efficiency can be obtained.

請求項7に記載の発明は、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の太陽電池用基板の回折格子層上に透明電極が形成されていることを特徴とする太陽電池用基板である。 The invention according to claim 7 is a solar cell substrate, wherein a transparent electrode is formed on the diffraction grating layer of the solar cell substrate according to any one of claims 1 to 5. It is.

透明電極を形成することにより、太陽電池モジュールの構成部品として用いることができる。 By forming a transparent electrode, it can be used as a component of a solar cell module.

請求項8に記載の発明は、前記透明電極上に形成された太陽電池ユニットと、
該太陽電池ユニット上に形成された背面電極と、
を有する太陽電池モジュールである。
The invention according to claim 8 is a solar cell unit formed on the transparent electrode,
A back electrode formed on the solar cell unit;
It is a solar cell module which has.

太陽電池用基板の透明電極上に太陽電池ユニット、背面電極をこの順に形成することにより、光電変換効率が高い太陽電池を得る事ができる。 By forming the solar cell unit and the back electrode in this order on the transparent electrode of the solar cell substrate, a solar cell with high photoelectric conversion efficiency can be obtained.

請求項9に記載の発明は、前記太陽電池モジュールを、該太陽電池モジュールの光入射面を開口部とした光反射材で包囲したことを特徴とする太陽電池装置である。 The invention according to claim 9 is a solar cell device characterized in that the solar cell module is surrounded by a light reflecting material having a light incident surface of the solar cell module as an opening.

太陽電池モジュールを光反射材で包囲することにより、光電変換効率が高い太陽電池モジュールを得ることができる。 By surrounding the solar cell module with the light reflecting material, a solar cell module with high photoelectric conversion efficiency can be obtained.

以下、本発明の図2、図3、図4、および、図5を基に、本発明の太陽電池用基板、太陽電池モジュール、および、太陽電池装置の製造方法を説明する。 Hereinafter, based on FIG. 2, FIG. 3, FIG. 4, and FIG. 5 of the present invention, a method for manufacturing a solar cell substrate, a solar cell module, and a solar cell device of the present invention will be described.

(回折格子形状転写スタンパの作製)
まず、スタンパ用基板100上に、フォトレジスト200を塗布する。(図3(a)参照)
(Preparation of diffraction grating shape transfer stamper)
First, a photoresist 200 is applied on the stamper substrate 100. (See Fig. 3 (a))

スタンパ用基板100として使用することができる材料は、寸法安定性および低熱膨張性を有していれば、不透明もしくは透明のいずれであっても良く、例えば、アルミニウム、ガラス、水晶、銅、真鍮、鋼、マグネシウム、カドミウム、銀、金、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、および、ポリカーボネート、若しくは、上記材料からなる複合材料を用いることができ、光学用部品製造工程中に化学的不活性、かつ、安価という観点から、ガラスが好ましい。 The material that can be used as the stamper substrate 100 may be either opaque or transparent as long as it has dimensional stability and low thermal expansibility. For example, aluminum, glass, crystal, copper, brass, Steel, magnesium, cadmium, silver, gold, polyester film, polyamide film, and polycarbonate, or a composite material composed of the above materials can be used, and it is chemically inert and inexpensive during the optical component manufacturing process. From the viewpoint, glass is preferable.

フォトレジスト200として使用することができる材料は、電離放射線で露光することにより架橋もしくは高分子量のポリマーを形成し、かつ、溶媒への溶解性が減少する組成物であれば特に限定されないが、解像度の観点から、ナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジストが好ましい。 The material that can be used as the photoresist 200 is not particularly limited as long as it is a composition that forms a cross-linked or high-molecular-weight polymer by exposure to ionizing radiation and has reduced solubility in a solvent. From this point of view, a naphthoquinonediazide-novolak positive resist is preferred.

スタンパ用基板100として使用することができる材料は、寸法安定性および低熱膨張性を有していれば、不透明もしくは透明のいずれであっても良く、例えば、アルミニウム、ガラス、水晶、銅、真鍮、鋼、マグネシウム、カドミウム、銀、金、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、および、ポリカーボネート、若しくは、上記材料からなる複合材料を用いることができ、光学用部品製造工程中、化学的不活性という観点から、ガラスが好ましい。 The material that can be used as the stamper substrate 100 may be either opaque or transparent as long as it has dimensional stability and low thermal expansibility. For example, aluminum, glass, crystal, copper, brass, Steel, magnesium, cadmium, silver, gold, polyester film, polyamide film, and polycarbonate, or composite materials composed of the above materials can be used. From the viewpoint of chemical inertness during the optical component manufacturing process, glass Is preferred.

フォトレジスト200として使用することができる材料は、電離放射線で露光することにより架橋もしくは高分子量のポリマーを形成し、かつ、溶媒への溶解性が減少する組成物であれば特に限定されないが、解像度の観点から、ナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジストが好ましい。 The material that can be used as the photoresist 200 is not particularly limited as long as it is a composition that forms a cross-linked or high-molecular-weight polymer by exposure to ionizing radiation and has reduced solubility in a solvent. From this point of view, a naphthoquinonediazide-novolak positive resist is preferred.

ナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジスト(フォトレジスト200)とガラス板(スタンパ用基板100)との密着性を向上させるため、ガラス板(スタンパ用基板100)表面にHMDS(ヘキサメチルジシラザン)によりベーパー処理を施しても良い。 In order to improve the adhesion between the naphthoquinonediazide-novolak positive resist (photoresist 200) and the glass plate (stamper substrate 100), the surface of the glass plate (stamper substrate 100) is vaporized with HMDS (hexamethyldisilazane). Processing may be performed.

スタンパ用基板100上へのフォトレジスト200の塗布方法としては、ロールコート法、カーテンフローコート法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法、スピンコート法などを用いることができるが、nmレベルのフォトレジスト200薄膜の膜厚を均一にできるという観点から、スピンコート法が好ましい。 As a method for applying the photoresist 200 onto the stamper substrate 100, a roll coating method, a curtain flow coating method, a screen printing method, a spray coater method, a spin coating method, or the like can be used. From the viewpoint that the thickness of the thin film can be made uniform, the spin coating method is preferable.

次に、活性線および光学系マスクを用いて、回折限界にてフォトレジスト200を露光することにより、ポジ型のフォトレジスト200を可溶化処理する。(図3(b)参照) Next, the positive photoresist 200 is solubilized by exposing the photoresist 200 at the diffraction limit using actinic radiation and an optical system mask. (See Fig. 3 (b))

活性線の光源としては、HeCdレーザー、エキシマレーザー、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キセノンランプ、X線、電子線等を用いることができるが、フォトレジスト200としてナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジストを用いた場合は、解像度の観点から、HeCdレーザーが好ましい。 As the active light source, HeCd laser, excimer laser, low pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp, ultra high pressure mercury lamp, arc lamp, xenon lamp, X-ray, electron beam, etc. can be used. When a positive resist is used, a HeCd laser is preferable from the viewpoint of resolution.

露光方法としては、光学系マスクをフォトレジスト200上に密着させた後に活性線を照射する方法の他、縮小投影露光装置またはミラー式投影露光装置等を使用する方法を用いることができるが、解像度の観点から、光学系マスクをフォトレジスト200上に密着させた後に活性線を照射する方法が好ましい。 As an exposure method, a method using a reduced projection exposure apparatus or a mirror type projection exposure apparatus can be used in addition to a method of irradiating active rays after an optical mask is brought into close contact with the photoresist 200. From this point of view, a method of irradiating the active ray after the optical mask is brought into close contact with the photoresist 200 is preferable.

次に、現像液を用いて、可溶化処理したフォトレジスト200´を除去(現像)する。(図3(c)参照) Next, the solubilized photoresist 200 ′ is removed (developed) using a developer. (See Fig. 3 (c))

現像液としては、ケイ酸ナトリウム系、燐酸ナトリウム系あるいはこれらの緩衝液や水酸化第4アルキルアンモニウム等のアルカリ溶液を用いることができ、中でも、現像カブリが起こり難いテトラメチルアンモニウム水溶液が好ましい。 As the developing solution, sodium silicate-based, sodium phosphate-based, or an alkaline solution such as a buffer solution or quaternary alkyl ammonium hydroxide can be used, and among them, a tetramethylammonium aqueous solution that hardly causes development fogging is preferable.

除去(現像)方法としては、スプレー法や浸漬法を用いることができるが、連続生産性の観点からスプレー法が好ましい。 As the removal (development) method, a spray method or a dipping method can be used, but the spray method is preferable from the viewpoint of continuous productivity.

現像液には現像均一性を上げるため界面活性剤を添加しても良い。
添加する界面活性剤としては、現像阻害効果が少なく、現像液(アルカリ溶液)との相性の良いアニオン界面活性剤(例えば、N−アシルアミノ酸およびその塩、アルキルスルホカルボン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸塩、N−アシルメチルタウリン塩、アルキル硫酸塩ポリオキシアルキルエーテル硫酸塩、アルキル硫酸塩ポリオキシエチレンアルキルエーテル燐酸塩、ロジン酸石鹸、ヒマシ油硫酸エステル塩、ラウリルアルコール硫酸エステル塩、アルキルフェノール型燐酸エステル、アルキル型燐酸エステル、アルキルアリルスルホン酸塩など)を用いることができる。
A surfactant may be added to the developer to improve development uniformity.
As the surfactant to be added, an anionic surfactant (for example, N-acylamino acid and its salt, alkylsulfocarboxylate, α-olefinsulfone, which has little development inhibitory effect and has good compatibility with a developer (alkaline solution)). Acid salt, polyoxyethylene alkyl ether acetate, N-acylmethyl taurate, alkyl sulfate polyoxyalkyl ether sulfate, alkyl sulfate polyoxyethylene alkyl ether phosphate, rosin acid soap, castor oil sulfate ester, lauryl Alcohol sulfate salts, alkylphenol phosphates, alkyl phosphates, alkyl allyl sulfonates, etc.) can be used.

上記アニオン界面活性剤の中でも、現像液との相溶性や安定性などの観点から分子量が比較的大きく浸透性が高い、アルキルスルホカルボン酸塩が好ましい。 Among the anionic surfactants, alkylsulfocarboxylates having a relatively large molecular weight and high permeability are preferable from the viewpoint of compatibility with a developer and stability.

次に、フォトレジスト200´´上に導電化層300を形成する。(図3(d)参照) Next, a conductive layer 300 is formed over the photoresist 200 ″. (See Fig. 3 (d))

導電化層300の材料としては、ニッケルや銀を用いることができるが、コストの観点から、ニッケルが好ましい。 Nickel or silver can be used as the material of the conductive layer 300, but nickel is preferable from the viewpoint of cost.

形成方法としては、無電解めっき法およびスパッタ法を用いることができるが、フォトレジスト200´´と導電化層300の密着性の観点から、スパッタ法が好ましい。 As a formation method, an electroless plating method and a sputtering method can be used. From the viewpoint of adhesion between the photoresist 200 ″ and the conductive layer 300, a sputtering method is preferable.

次に、導電化層300を電極にして、電鋳法を用いて、導電化層300上に金属層400を形成する。(図3(e)参照) Next, the metal layer 400 is formed on the conductive layer 300 by electroforming using the conductive layer 300 as an electrode. (See Fig. 3 (e))

金属層400の材料としては、ニッケルや銅を用いることができるが、光学用部品製造工程中の寸法安定性という観点から、ニッケルが好ましい。 Nickel or copper can be used as the material of the metal layer 400, but nickel is preferable from the viewpoint of dimensional stability during the optical component manufacturing process.

次に、スタンパ用基板100およびフォトレジスト200´´を剥離することにより、スタンパ500を得る。(図3(f)参照) Next, the stamper 500 is obtained by removing the stamper substrate 100 and the photoresist 200 ″. (See Fig. 3 (f))

(太陽電池用基板の作製)
次に、透明基材1の一方の面に回折格子前駆層2を積層する。(図4(a)参照)
(Preparation of solar cell substrate)
Next, the diffraction grating precursor layer 2 is laminated on one surface of the transparent substrate 1. (See Fig. 4 (a))

透明基材1の材料としては、ガラス転移点が240℃以上の単独のプラスチックフィルムまたは積層プラスチックフィルム、化学強化ガラスまたは物理強化ガラスなどを用いることができる。 As a material of the transparent substrate 1, a single plastic film or laminated plastic film having a glass transition point of 240 ° C. or higher, chemically tempered glass, or physically tempered glass can be used.

ガラス転移点(Tg)が240℃以上のプラスチックフィルムの材料としては、ポリイミド樹脂(ガラス転移点(Tg);約260℃)やアラミド樹脂(ガラス転移点(Tg);約355℃)を用いることができるが、透明性の観点から、ポリイミド樹脂が好ましい。 As a plastic film material having a glass transition point (Tg) of 240 ° C. or higher, a polyimide resin (glass transition point (Tg); about 260 ° C.) or an aramid resin (glass transition point (Tg); about 355 ° C.) should be used. However, a polyimide resin is preferable from the viewpoint of transparency.

化学強化ガラスとしては、ソーダガラス、石灰ガラスおよびケイ酸ガラス等に化学強化処理(硝酸塩、硫酸塩等のアルカリ塩を加熱溶融し、溶融液中に被処理ガラスを数時間から数十時間程度浸漬する処理)を施した物を用いることができるが、機械的強度が高いという観点から、アルミナケイ酸ガラスに化学強化処理を施した物が好ましい。 Chemically strengthened glass is chemically strengthened in soda glass, lime glass, silicate glass, etc. (alkaline salts such as nitrates and sulfates are heated and melted, and the glass to be treated is immersed in the melt for several hours to several tens of hours. However, from the viewpoint of high mechanical strength, a product obtained by subjecting alumina silicate glass to chemical strengthening treatment is preferable.

アルミナケイ酸ガラスとしては、Al含有量が10wt%以上である物が好ましく、15〜30wt%のA1を含有する物であれば更に好ましい。 The alumina silicate glass, preferably those Al 2 O 3 content of not less than 10 wt%, still more preferably as long as it contains the A1 2 O 3 of 15 to 30 wt%.

物理強化ガラスとしては、ソーダガラス、石灰ガラスおよびケイ酸ガラス等に物理強化処理(風冷または液冷処理)を施した物を用いることができるが、機械的強度が高いという観点から、アルミナケイ酸ガラスに物理強化処理を施した物が好ましい。 As the physically tempered glass, a material obtained by subjecting soda glass, lime glass, silicate glass or the like to physical tempering treatment (air cooling or liquid cooling treatment) can be used. From the viewpoint of high mechanical strength, alumina silica The thing which gave the physical strengthening process to the acid glass is preferable.

アルミナケイ酸ガラスとしては、Al含有量が10wt%以上である物が好ましく、15〜30wt%のA1を含有する物であれば更に好ましい。 The alumina silicate glass, preferably those Al 2 O 3 content of not less than 10 wt%, still more preferably as long as it contains the A1 2 O 3 of 15 to 30 wt%.

回折格子前駆層2の材料としては、ガラス転移点(Tg)が240℃以上で、かつ、透明性を有する電離放射線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂またはキャスト樹脂を用いることができるが、回折格子層形成に際して透明基材1に熱負荷を掛けなくて済むという観点から、電離放射線硬化型樹脂が好ましい。 As a material for the diffraction grating precursor layer 2, an ionizing radiation curable resin, thermosetting resin or cast resin having a glass transition point (Tg) of 240 ° C. or higher and transparency can be used. From the viewpoint that it is not necessary to apply a thermal load to the transparent substrate 1 when forming the layer, ionizing radiation curable resins are preferred.

電離放射線硬化型樹脂としては、電離放射線照射により硬化する樹脂であれば特に制限はないが、例えば、γ線硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂を用いることができ、硬化による体積収縮が極めて少ないという観点から、紫外線硬化型樹脂が好ましい。 The ionizing radiation curable resin is not particularly limited as long as it is a resin that is cured by irradiation with ionizing radiation. For example, a γ ray curable resin, an ultraviolet curable resin, and an electron beam curable resin can be used. From the viewpoint of extremely small volume shrinkage, an ultraviolet curable resin is preferable.

紫外線硬化型樹脂としては、ポリイミド樹脂(ガラス転移点(Tg);約260℃)やアラミド樹脂(ガラス転移点(Tg);約355℃)のプレポリマーに、粘度あるいは架橋密度を調整するための多官能または単官能のモノマー、光反応開始剤および増感剤を添加した樹脂を用いることができる。 As an ultraviolet curable resin, a prepolymer of a polyimide resin (glass transition point (Tg); about 260 ° C.) or an aramid resin (glass transition point (Tg); about 355 ° C.) is used for adjusting the viscosity or the crosslinking density. A resin to which a polyfunctional or monofunctional monomer, a photoinitiator and a sensitizer are added can be used.

熱硬化型樹脂としては、ポリイミド樹脂(ガラス転移点(Tg);約260℃)やアラミド樹脂(ガラス転移点(Tg);約355℃)を主成分として、架橋剤、重合開始剤等の硬化剤、または、重合促進剤を添加した樹脂を用いることができるが、硬化温度が低いという観点から、ポリイミド樹脂を主成分とした樹脂が好ましい。 Thermosetting resins include polyimide resins (glass transition point (Tg); about 260 ° C.) and aramid resins (glass transition point (Tg); about 355 ° C.) as main components, and curing of crosslinking agents, polymerization initiators, etc. A resin to which an agent or a polymerization accelerator is added can be used, but a resin containing a polyimide resin as a main component is preferable from the viewpoint of a low curing temperature.

キャスト樹脂としては、1つ以上の脂肪族イソシアネートプレポリマーと、1つ以上のポリエーテルポリオールとを含む反応性混合樹脂を主成分として、(透明基材1と回折格子層2との接着を促進するための)接着促進剤、硬化反応促進用触媒を添加した樹脂を用いることができる。 The cast resin is mainly composed of a reactive mixed resin containing one or more aliphatic isocyanate prepolymers and one or more polyether polyols, and promotes adhesion between the transparent substrate 1 and the diffraction grating layer 2. For this purpose, a resin added with an adhesion promoter and a curing reaction promoting catalyst can be used.

接着促進剤としては、シラン、アミノシラン等を用いることができるが、接着反応速度が速いという観点から、アミノシランが好ましい。 As the adhesion promoter, silane, aminosilane, or the like can be used, but aminosilane is preferable from the viewpoint of a high adhesion reaction rate.

硬化反応促進用触媒としては、ジブチル錫ジラウレートを用いる事ができる。 Dibutyltin dilaurate can be used as the catalyst for accelerating the curing reaction.

回折格子前駆層2の積層方法としては、(例えば、回折格子前駆層2の材料として紫外線硬化型樹脂(電離放射線硬化型ポリイミド樹脂)を用いた場合)溶剤を用いて紫外線硬化型ポリイミド樹脂を希釈したペーストを生成し、該ペーストをダイコート法、スピンコート法、スクリーン印刷法、バーコート法、グラビアコート法、ディップコート法によって透明基材1上に塗工し、その後、乾燥する方法を用いることがきるが、該ペースト(高価)使用量歩留の観点から、ディップコート法が好ましい。 As a method for laminating the diffraction grating precursor layer 2, the UV curable polyimide resin is diluted with a solvent (for example, when an ultraviolet curable resin (ionizing radiation curable polyimide resin) is used as the material of the diffraction grating precursor layer 2). A paste that is applied to the transparent substrate 1 by a die coating method, a spin coating method, a screen printing method, a bar coating method, a gravure coating method, or a dip coating method, and then dried. However, the dip coating method is preferable from the viewpoint of yield of the paste (expensive) used.

溶剤としては、沸点が適当である有機溶剤であれば特に限定されず、例えば、メチルエチルケトン(MEK)、アセトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドンを用いることができるが、例えば、紫外線硬化型ポリイミド樹脂を溶解する場合は、溶解性の観点から、メチルエチルケトン(MEK)が好ましい。 The solvent is not particularly limited as long as it has an appropriate boiling point. For example, methyl ethyl ketone (MEK), acetone, methyl isobutyl ketone, methanol, ethanol, isopropanol, butanol, tetrahydrofuran, dioxane, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone can be used. For example, when dissolving an ultraviolet curable polyimide resin, methyl ethyl ketone (MEK) is preferable from the viewpoint of solubility.

次に、回折格子前駆層2にスタンパ500を押圧し、回折格子パターン2´を形成する。(図4(b)参照) Next, the stamper 500 is pressed against the diffraction grating precursor layer 2 to form a diffraction grating pattern 2 ′. (See Fig. 4 (b))

次に、回折格子パターン2´を硬化させることにより、回折格子層2´´を形成する。(図4(c)参照) Next, the diffraction grating layer 2 ″ is formed by curing the diffraction grating pattern 2 ′. (See Fig. 4 (c))

硬化させる方法としては、加熱する方法、および、γ線照射、紫外線照射、電子線照射などの電離放射線を照射する方法を、(回折格子パターン2´構成樹脂を考慮したうえで選択し)用いることができる。 As a method of curing, use a method of heating and a method of irradiating ionizing radiation such as γ-ray irradiation, ultraviolet irradiation, electron beam irradiation (selecting in consideration of the diffraction grating pattern 2 ′ constituent resin). Can do.

紫外線を照射する場合、カーボンアーク、メタルハライドランプ、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯などを用い、100〜380nmの波長領域で紫外線を照射するのが好ましいが、(nmレベルの微細パターンを有する回折格子層を短時間に安価に製造できるという観点から)、200〜300nmの波長領域で紫外線を照射するのが更に好ましい。 When irradiating ultraviolet rays, it is preferable to irradiate ultraviolet rays in a wavelength region of 100 to 380 nm using a carbon arc, a metal halide lamp, an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, etc. (Diffraction having a fine pattern of nm level) From the viewpoint that the lattice layer can be manufactured inexpensively in a short time), it is more preferable to irradiate ultraviolet rays in a wavelength region of 200 to 300 nm.

電子線を照射する場合、ダイナミトロン型、直線型、コックロフトワルトン型、バンデグラフ型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、高周波型などの各種電子線加速器等を用い、100nm以下の波長領域で電子線を照射するのが好ましいが、(nmレベルの微細パターンを有するストラクチャー層を短時間に安価に製造できるという観点から)、50nm以下の波長領域で電子線を照射するのが更に好ましい。 When irradiating an electron beam, use various electron beam accelerators such as a dynamitron type, a linear type, a cockroft Walton type, a bandegraph type, a resonant transformer type, an insulated core transformer type, a high frequency type, etc., and a wavelength region of 100 nm or less However, it is more preferable to irradiate an electron beam in a wavelength region of 50 nm or less (from the viewpoint that a structure layer having a fine pattern of nm level can be manufactured at a low cost in a short time).

電離放射線を照射する方法を用いる場合、スタンパ500の逆側から電離放射線を照射する。 When using the method of irradiating ionizing radiation, the ionizing radiation is irradiated from the opposite side of the stamper 500.

次に、スタンパ500を除去する。(図4(d)参照) Next, the stamper 500 is removed. (See Fig. 4 (d))

次に、回折格子層2´´上に、透明電極3を形成する。(図5(a)参照) Next, the transparent electrode 3 is formed on the diffraction grating layer 2 ″. (See Fig. 5 (a))

透明電極3の材料としては、良導体であって、かつ、太陽や白色蛍光灯等からの光を太陽電池ユニット内に効率よく吸収させるために光の透過率が70%以上である透明性を有する物であれば特に制限は無く、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)(酸化インジウムスズ)、CdO、化学式ZnOx(0.8≦x<1)、SnOおよびCdSnO等の金属酸化物や、Au、Al、Cu等の金属を極めて薄く半透明状に成膜した金属薄膜等を用いることができるが、低抵抗かつ透明性が高いという観点から、ITOが好ましい。 The material of the transparent electrode 3 is a good conductor and has a transparency with a light transmittance of 70% or more in order to efficiently absorb the light from the sun or white fluorescent lamp into the solar cell unit. is not particularly limited as long as, for example, ITO (indium tin oxide) (indium tin oxide), CdO, formula ZnOx (0.8 ≦ x <1) , a metal oxide such as SnO 2 and Cd 2 SnO 4 Ya A metal thin film formed by depositing a metal such as Au, Al, Cu or the like in an extremely thin and translucent form can be used, but ITO is preferable from the viewpoint of low resistance and high transparency.

透明電極3の厚さは、10nm〜300nmの範囲から選択することができるが、20〜200nmが好ましい。 Although the thickness of the transparent electrode 3 can be selected from the range of 10 nm-300 nm, 20-200 nm is preferable.

透明電極3の厚さが、200nmを超えると、特に、300nmを超えると、透明電極6にクラック等が入りやすくなる。 When the thickness of the transparent electrode 3 exceeds 200 nm, particularly when it exceeds 300 nm, cracks and the like are likely to occur in the transparent electrode 6.

また、透明電極3の厚さが、20nm未満であると、特に、10nm未満であると、透明電極3が連続皮膜と成らず(島状となり)、良好な導電性(表面抵抗が10Ω/□以下)を示さないことが懸念される。 Moreover, when the thickness of the transparent electrode 3 is less than 20 nm, particularly less than 10 nm, the transparent electrode 3 does not form a continuous film (island-like) and has good conductivity (surface resistance of 10 3 Ω). / □ or less) is a concern.

透明電極3の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、および、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、DCマグネトロンスパッタ法などを用いることができるが、成膜速度が速いという観点から、DCマグネトロンスパッタ法が好ましい。 As a method for forming the transparent electrode 3, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a DC magnetron sputtering method, or the like can be used. From this viewpoint, the DC magnetron sputtering method is preferable.

(太陽電池モジュールの作製)
まず、透明電極3上に太陽電池ユニット4を形成する。(図5(b)参照)
(Production of solar cell module)
First, the solar cell unit 4 is formed on the transparent electrode 3. (See FIG. 5 (b))

p層の厚さは、1nm〜10nmの範囲から選択することができるが、ピンホールレスおよび低コストの観点から、4〜6nmが好ましい。 The thickness of the p layer can be selected from a range of 1 nm to 10 nm, but 4 to 6 nm is preferable from the viewpoint of pinholeless and low cost.

i層の厚さは、280nm〜320nmの範囲から選択することができるが、290〜310nmが好ましい。 Although the thickness of i layer can be selected from the range of 280 nm-320 nm, 290-310 nm is preferable.

n層の厚さは、30nm〜70nmの範囲から選択することができるが、40〜60nmが好ましい。 Although the thickness of n layer can be selected from the range of 30 nm-70 nm, 40-60 nm is preferable.

太陽電池ユニット4の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、および、PCVD(プラズマCVD)法を用いることができるが、成膜速度が速いという観点から、PCVD法が好ましい。 As a method for forming the solar cell unit 4, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, and a PCVD (Plasma CVD) method can be used. From the viewpoint of being fast, the PCVD method is preferable.

最後に、太陽電池ユニット4上に背面電極5を積層することにより、太陽電池モジュールを得る。(図5(c)参照) Finally, the solar cell module is obtained by laminating the back electrode 5 on the solar cell unit 4. (See Fig. 5 (c))

背面電極5の材料としては、光反射率が高い良導体であれば特に限定されず、例えば、銀、銅、アルミニウムを用いることができるが、太陽電池ユニット4を透過した長波長(波長600nm程度)の光の反射率が高いという観点から、銀が好ましい。 The material of the back electrode 5 is not particularly limited as long as it is a good conductor with high light reflectivity. For example, silver, copper, or aluminum can be used, but a long wavelength (wavelength of about 600 nm) transmitted through the solar cell unit 4 can be used. From the viewpoint of high light reflectance, silver is preferable.

背面電極5の積層方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法を用いることができるが、表面鏡面性(平滑性)に優れた背面電極5が形成できるという観点から、スパッタ法が好ましい。 As a method for laminating the back electrode 5, for example, a vacuum deposition method or a sputtering method can be used. From the viewpoint that the back electrode 5 having excellent surface specularity (smoothness) can be formed, the sputtering method is preferable.

背面電極5の厚さは、220nm〜330nmの範囲から選択することができるが、240〜310nmが好ましい。 Although the thickness of the back electrode 5 can be selected from the range of 220 nm-330 nm, 240-310 nm is preferable.

以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

また、下記実施例にて作製された太陽電池の評価(測定)は、JIS C8934に基づき、模擬太陽光(スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm)を用いて、照射温度:25℃の条件下で実施した。 Moreover, the evaluation (measurement) of the solar cell produced in the following example is based on JIS C8934, using simulated sunlight (spectrum: AM1.5, irradiation intensity: 100 mW / cm 2 ), irradiation temperature: 25 It carried out on the conditions of (degreeC).

<実施例1>
(回折格子形状転写スタンパの作製)
まず、ガラス板(コーニング社製、1737(商品名))表面を島田理化社製の自動洗浄装置で洗浄し、その後、このガラス板をベーパーオーブン内にて、HMDS(ヘキサメチルジシラザン)(東京応化工業社製、OAP(商品名))蒸気を用いて、90℃下において2分間ベーパー処理を行った。
<Example 1>
(Preparation of diffraction grating shape transfer stamper)
First, the surface of a glass plate (manufactured by Corning, 1737 (trade name)) was cleaned with an automatic cleaning device manufactured by Shimada Rika Co., Ltd., and then this glass plate was HMDS (hexamethyldisilazane) (Tokyo) A vapor treatment was performed for 2 minutes at 90 ° C. using steam produced by Oka Kogyo Co., Ltd. (OAP (trade name)).

次に、フォトレジスト(ポジ型フォトレジスト)(東京応化工業社製、OFPR−800(商品名))を、湯浅社製のスピンコーターを用いて、前記ガラス板のベーパー処理面上に、4000rpm30秒間のスピンコート条件にて、膜厚が3±1μmの範囲になるように塗布し、その後、DAITORON社製のクリーンオーブン内で90℃下において50分間プリベークした。 Next, a photoresist (positive type photoresist) (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., OFPR-800 (trade name)) is applied to the vapor treated surface of the glass plate at 4000 rpm for 30 seconds using a spin coater manufactured by Yuasa. The film was applied so that the film thickness was in the range of 3 ± 1 μm under the above spin coating conditions, and then pre-baked for 50 minutes at 90 ° C. in a clean oven manufactured by DAITRON.

次に、レーザー干渉露光装置を用いて、回折格子層を形成する為のパターンを有する光学系マスク(NA(開口数)0.90)を介して、前記プリベークしたフォトレジストに、三方向より入射角度40度にて波長442nmのHeCdレーザーを照射することにより、露光した。 Next, the laser interference exposure apparatus is used to enter the pre-baked photoresist from three directions through an optical mask (NA (numerical aperture) 0.90) having a pattern for forming a diffraction grating layer. Exposure was performed by irradiating a HeCd laser having a wavelength of 442 nm at an angle of 40 degrees.

次に、0.3%のテトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、25℃下において60秒間現像処理を行い、その後、超純水でリンス処理を25秒間行い、その後、乾燥した。 Next, using a 0.3% tetramethylammonium aqueous solution, development processing was performed at 25 ° C. for 60 seconds, and then rinse treatment with ultrapure water was performed for 25 seconds, followed by drying.

次に、DC平行平板型マグネトロンスパッタリング装置(Va−rian社製、XM−8(商品名))内において、スパッタリングターゲットとしてNiターゲット、スパッタガスとして圧力0.3PaのArガスを用いて、初期真空度5×10−3Paにて、RFパワー300Wの条件で、Niをスパッタすることにより、フォトレジスト上に厚さが600ÅのNi導電化層を形成した。 Next, in a DC parallel plate type magnetron sputtering apparatus (XM-8 (trade name), manufactured by Va-Rian Co., Ltd.), a Ni target is used as a sputtering target, and an Ar gas having a pressure of 0.3 Pa is used as a sputtering gas. A Ni conductive layer having a thickness of 600 mm was formed on the photoresist by sputtering Ni at a temperature of 5 × 10 −3 Pa and an RF power of 300 W.

次に、以下の様なNi鍍金液を生成した。
スルファルミ酸ニッケル・4水塩・・・500g/L
硼酸・・・・・・・・・・・・・・・・37g/L
pH・・・・・・・・・・・・・・・・3.8
Next, the following Ni plating solution was produced.
Nickel sulfamate tetrahydrate ... 500g / L
Boric acid ... 37g / L
pH ... 3.8

次に、40℃に保温した上記Ni鍍金液に、前記Ni導電化層を浸漬し、通電電流時間積分値300AHの条件にて鍍金を行うことにより、前記Ni導電化層上に厚さ300μmのニッケル鍍金膜を形成した。 Next, the Ni conductive layer is dipped in the Ni plating solution kept at 40 ° C., and plated under the condition of an energization current time integral value of 300 AH, whereby a thickness of 300 μm is formed on the Ni conductive layer. A nickel plating film was formed.

最後に、ガラス板(回折格子形状転写スタンパ用基板)およびフォトレジストを剥離することにより、回折格子形状転写スタンパ500を得た。 Finally, the diffraction grating shape transfer stamper 500 was obtained by peeling the glass plate (diffraction grating shape transfer stamper substrate) and the photoresist.

(太陽電池用基板の作製)
まず、メチルエチルケトン(MEK)を用いて、紫外線硬化型ポリイミドモノマーを固形分45質量%に希釈したペーストを、ディップコート法を用いて、厚さ50μmのポリイミド樹脂フィルム(宇部興産社製(商品名;ユーピレツクスS))上に、膜厚3±1μmになるように塗布し、その後、60℃にて予備乾燥した。
(Preparation of solar cell substrate)
First, a paste obtained by diluting an ultraviolet curable polyimide monomer to a solid content of 45% by mass using methyl ethyl ketone (MEK) is coated with a polyimide resin film (product name: Ube Industries, Ltd. (trade name; The film was applied on Iupirex S)) to a film thickness of 3 ± 1 μm, and then preliminarily dried at 60 ° C.

次に、塗布面に、1MPaの圧力をかけて1分間前記回折格子形状転写スタンパを圧接した後、ポリイミド樹脂フィルム側から750mJ/cmのエネルギーで波長250nmの紫外線を照射して前記紫外線硬化型ポリイミド樹脂を硬化することにより回折格子層を形成し、その後、回折格子形成用スタンパを除去した。 Next, after applying pressure of 1 MPa to the coated surface and pressing the diffraction grating shape transfer stamper for 1 minute, the ultraviolet curable type is irradiated with ultraviolet light having a wavelength of 250 nm from the polyimide resin film side at an energy of 750 mJ / cm 2. The diffraction grating layer was formed by curing the polyimide resin, and then the diffraction grating forming stamper was removed.

回折格子層を形成した太陽電池用基板と、ITOターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置に装着し、成膜チャンバー内の温度を25℃、アルゴン分圧を6×10−3Torrおよび酸素分圧を1×10−4Torrとし、放電パワー200Wにて放電してITOターゲットをスパッタすることにより、厚さ280nmの透明電極を形成した。 A solar cell substrate on which a diffraction grating layer is formed and an ITO target are mounted on a DC magnetron sputtering apparatus, the temperature in the deposition chamber is 25 ° C., the argon partial pressure is 6 × 10 −3 Torr, and the oxygen partial pressure is 1 ×. A transparent electrode having a thickness of 280 nm was formed by discharging the ITO target at 10 −4 Torr and discharging at a discharge power of 200 W.

(太陽電池モジュールの作製)
次に、ヒーターに透明基材面が接触する様に、太陽電池用基板をプラズマCVD装置に装着し、その後、真空ポンプを用いて成膜室内の圧力が4×10−7Torrになるまで真空排気し、その後、ヒーターを用いて太陽電池基板を190±1℃に加熱した。
(Production of solar cell module)
Next, the solar cell substrate is mounted on the plasma CVD apparatus so that the transparent substrate surface is in contact with the heater, and then vacuum is applied using a vacuum pump until the pressure in the film formation chamber becomes 4 × 10 −7 Torr. After exhausting, the solar cell substrate was heated to 190 ± 1 ° C. using a heater.

次に、成膜室内へ、原料ガスとして、シラン(SiH)(1.2sccm)、テトラメチルシラン((CHSi)(2sccm)、水素(H)(600sccm)、ジボラン(B)(0.02sccm)を導入した。 Next, as source gases, silane (SiH 4 ) (1.2 sccm), tetramethylsilane ((CH 3 ) 4 Si) (2 sccm), hydrogen (H 2 ) (600 sccm), diborane (B 2 H 6 ) (0.02 sccm) was introduced.

原料ガス導入後、圧力制御装置を用いて、成膜室内の圧力を1.0±0.1Torrに制御した。 After introducing the source gas, the pressure in the film forming chamber was controlled to 1.0 ± 0.1 Torr using a pressure controller.

次に、高周波電源からインピーダンス整合器を介して、放電電極に100MHz高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、厚さ5nmのp層を成膜した。 Next, plasma was generated by supplying 100 MHz high frequency power to the discharge electrode from the high frequency power source via the impedance matching unit, and a 5 nm thick p layer was formed.

次に、成膜室内の温度を110±1℃、圧力を5×10−8Torrとし、その後、原料ガスとして、シラン(SiH)(100sccm)を成膜室内に導入した。 Next, the temperature in the film formation chamber was set to 110 ± 1 ° C., the pressure was set to 5 × 10 −8 Torr, and then silane (SiH 4 ) (100 sccm) was introduced as a source gas into the film formation chamber.

原料ガス導入後、圧力制御装置を用いて、成膜室内の圧力を75±1mTorrに制御した。 After introducing the source gas, the pressure in the film forming chamber was controlled to 75 ± 1 mTorr using a pressure control device.

次に、高周波電源からインピーダンス整合器を介して、放電電極に100MHz高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、厚さ300nmのi層を成膜した。 Next, plasma was generated by supplying 100 MHz high frequency power to the discharge electrode from the high frequency power source via the impedance matching unit, and an i layer having a thickness of 300 nm was formed.

次に、製膜室内の温度を180±1℃、圧力を6.8×10−9Torrとし、その後、原料ガスとして、シラン(SiH)(100sccm)、水素(H)(1600sccm)、PH(67sccm)を成膜室内に導入した。 Next, the temperature in the film forming chamber is set to 180 ± 1 ° C., the pressure is set to 6.8 × 10 −9 Torr, and then silane (SiH 4 ) (100 sccm), hydrogen (H 2 ) (1600 sccm), PH 3 (67 sccm) was introduced into the deposition chamber.

原料ガス導入後、圧力制御装置を用いて、成膜室内の圧力を75±1mTorrに制御した。 After introducing the source gas, the pressure in the film forming chamber was controlled to 75 ± 1 mTorr using a pressure control device.

次に、高周波電源からインピーダンス整合器を介して、放電電極に100MHz高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、厚さ50±1nmのn層を成膜した。 Next, plasma was generated by supplying 100 MHz high frequency power to the discharge electrode from a high frequency power source via an impedance matching unit, and an n layer having a thickness of 50 ± 1 nm was formed.

最後に、n層を成膜した基板とAgターゲットをマグネトロンスパッタ装置に装着し、成膜チャンバー内の温度を25℃、圧力を2mTorrとし、放電パワー200WでRF放電してAgターゲットをスパッタすることにより、厚さ280nmの背面電極を形成することにより、太陽電池モジュールを得た。 Finally, the substrate on which the n-layer is formed and the Ag target are mounted on a magnetron sputtering apparatus, the temperature in the film forming chamber is 25 ° C., the pressure is 2 mTorr, and RF discharge is performed with a discharge power of 200 W to sputter the Ag target. Thus, a solar cell module was obtained by forming a back electrode having a thickness of 280 nm.

本発明の、太陽電池用基板、太陽電池モジュール、太陽電池装置は、カメラ、携帯電話、ノートパソコン、PDA(Personal Digital Assistant)、ナビゲーションシステム、ポータブル音楽再生プレーヤーなどの携帯型小型電気機器、および、電気自動車、自動販売機、宇宙船などの電源に利用できる。 A substrate for a solar cell, a solar cell module, and a solar cell device of the present invention are a portable small electric device such as a camera, a mobile phone, a notebook computer, a PDA (Personal Digital Assistant), a navigation system, and a portable music player, and It can be used as a power source for electric vehicles, vending machines, spacecrafts, etc.

本発明の太陽電池用基板のハニカム構造の寸法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the dimension of the honeycomb structure of the board | substrate for solar cells of this invention. 本発明の太陽電池用基板の回折格子層を、太陽電池用基板の厚さ方向から見た断面図である。It is sectional drawing which looked at the diffraction grating layer of the board | substrate for solar cells of this invention from the thickness direction of the board | substrate for solar cells. 本発明の太陽電池用基板の作製に用いるスタンパの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the stamper used for preparation of the board | substrate for solar cells of this invention. 本発明の太陽電池用基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the board | substrate for solar cells of this invention. 本発明の太陽電池用基板および太陽電池モジュールの製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the board | substrate for solar cells of this invention, and a solar cell module. 本発明の太陽電池装置の模式図である。It is a schematic diagram of the solar cell apparatus of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・・・・・透明絶縁性基材
2・・・・・・・回折格子前駆層
2´・・・・・・回折格子パターン
2´´・・・・・回折格子層
3・・・・・・・透明電極
4・・・・・・・太陽電池ユニット
5・・・・・・・背面電極
6・・・・・・・光反射材
100・・・・・スタンパ用基板
200・・・・・フォトレジスト
200´・・・・可溶化処理したフォトレジスト
200´´・・・フォトレジスト
300・・・・・導電化層
400・・・・・金属層
500・・・・・回折格子形状転写スタンパ
1 .... Transparent insulating substrate 2 ... Diffraction grating precursor layer 2 '... Diffraction grating pattern 2 "... Diffraction grating layer 3 ... ·········································································· Reflector 100 .... Photoresist 200 '... Solubilized photoresist 200 "... Photoresist 300 ... Conductive layer 400 ... Metal layer 500 ... Diffraction Lattice shape transfer stamper

Claims (9)

透明絶縁性基材と、該透明絶縁性基材上に形成された、表面にテクスチャー構造を有する回折格子層からなる太陽電池用基板であって、
前記回折格子層が、透光性絶縁樹脂を主成分とすることを特徴とする太陽電池用基板。
A substrate for a solar cell comprising a transparent insulating substrate and a diffraction grating layer formed on the transparent insulating substrate and having a texture structure on the surface,
The substrate for a solar cell, wherein the diffraction grating layer contains a light-transmitting insulating resin as a main component.
前記透光性絶縁樹脂が、ガラス転移点(Tg)が240℃以上で、かつ、電離放射線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂またはキャスト樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池用基板。 2. The translucent insulating resin has a glass transition point (Tg) of 240 ° C. or higher and contains an ionizing radiation curable resin, a thermosetting resin, or a cast resin as a main component. Solar cell substrate. 前記透明絶縁性基材が、化学強化ガラスまたは物理強化ガラスであることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の太陽電池用基板。 The solar cell substrate according to claim 1, wherein the transparent insulating substrate is chemically tempered glass or physical tempered glass. 前記透明絶縁性基材が、ガラス転移点(Tg)が240℃以上の、単独のプラスチックフィルムまたは積層プラスチックフィルムであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の太陽電池用基板。 The solar cell substrate according to claim 1 or 2, wherein the transparent insulating substrate is a single plastic film or a laminated plastic film having a glass transition point (Tg) of 240 ° C or higher. 前記回折格子層が、ハニカム構造であり、該ハニカム構造を構成する単セルの一辺の長さ(図1のL)が、100〜10000nmであり、
セル隔壁厚さ(図1のW)が10〜300nmであり、
セル隔壁高さ(図1のH)とセル隔壁厚さ(図1のW)の比が、1/8〜5/4の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の太陽電池用基板。
The diffraction grating layer has a honeycomb structure, and the length of one side (L in FIG. 1) constituting the honeycomb structure is 100 to 10,000 nm,
The cell partition wall thickness (W in FIG. 1) is 10 to 300 nm,
The ratio of the cell partition wall height (H in FIG. 1) to the cell partition wall thickness (W in FIG. 1) is in the range of 1/8 to 5/4. The solar cell substrate according to any one of the preceding claims.
前記回折格子層が、凸部と凹部が周期的に2次元に配列した構造であり、前記回折格子の厚み方向から見た前記凸部の形状が円形であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の太陽電池用基板。 The diffraction grating layer has a structure in which convex portions and concave portions are periodically arranged two-dimensionally, and the shape of the convex portion viewed from the thickness direction of the diffraction grating is circular. The board | substrate for solar cells of any one of Claim 4. 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の太陽電池用基板の回折格子層上に透明電極が形成されていることを特徴とする太陽電池用基板。 A solar cell substrate, wherein a transparent electrode is formed on the diffraction grating layer of the solar cell substrate according to any one of claims 1 to 6. 前記透明電極上に形成された太陽電池ユニットと、
該太陽電池ユニット上に形成された背面電極と、
を有する太陽電池モジュール。
A solar cell unit formed on the transparent electrode;
A back electrode formed on the solar cell unit;
A solar cell module.
前記太陽電池モジュールを、該太陽電池モジュールの光入射面を開口部とした光反射材で包囲したことを特徴とする太陽電池装置。 A solar cell device, wherein the solar cell module is surrounded by a light reflecting material having a light incident surface of the solar cell module as an opening.
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