JP2008141002A - Semiconductor package - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、例えば各種の電子部品を構成する半導体素子が収容配置される半導体パッケージに関する。 The present invention relates to a semiconductor package in which, for example, semiconductor elements constituting various electronic components are accommodated.
一般に、半導体パッケージは、パッケージ本体を熱伝導率の高い銅や銅合金で形成して、このパッケージ本体には、Ｓｉ（シリコン）基板等の半導体用基板材料製の基板上に回路パターンを実装した各種の電子部品を構成する半導体素子が熱的に結合されて収容配置される。また、このパッケージ本体には、外部接続用の接続端子が突設され、この接続端子が印刷配線基板の回路に電気的に接続されて使用に供される。 In general, in a semiconductor package, a package body is formed of copper or a copper alloy having high thermal conductivity, and a circuit pattern is mounted on the package body on a substrate made of a semiconductor substrate material such as a Si (silicon) substrate. Semiconductor elements constituting various electronic components are thermally coupled and accommodated. The package body is provided with a connection terminal for external connection, and the connection terminal is electrically connected to the circuit of the printed wiring board for use.
ところで、このような半導体パッケージは、その使用により、半導体素子が駆動され、発熱してその温度が許容値を超えると、所望の部品性能を確保することが困難となる。このため、半導体パッケージにおいては、半導体素子の熱をパッケージ本体に伝達した後、パッケージ本体から放熱板に熱移送させて排熱することにより、半導体素子の温度を許容値に保つように熱制御する方法が採られている。 By the way, when such a semiconductor package is used, a semiconductor element is driven and generates heat, and when its temperature exceeds an allowable value, it becomes difficult to ensure desired component performance. For this reason, in the semiconductor package, after the heat of the semiconductor element is transferred to the package body, the heat is transferred from the package body to the heat radiating plate to exhaust the heat, so that the temperature of the semiconductor element is controlled to maintain an allowable value. The method is taken.
一方、このような半導体パッケージは、その半導体素子の高出力化の要請と共に、小型化の要請が強くあり、その要請を満足するために、半導体素子の熱制御が大きな課題の一つとなっている。 On the other hand, in such a semiconductor package, there is a strong demand for miniaturization along with a demand for higher output of the semiconductor element, and thermal control of the semiconductor element is one of the major issues in order to satisfy the demand. .
そこで、半導体パッケージにおいては、その駆動に伴う熱を効率よく排熱して、半導体素子の温度を許容値に熱制御するための各種の冷却構造が開発されている。このような冷却構造としては、例えば基板に実装するパッケージ本体上に放熱フィンを設け、この放熱フィンの上から冷媒を吹付けて半導体素子の駆動に伴う熱を強制的に排熱する構成のものが提案されている（例えば，特許文献１参照）。
しかしながら、上記冷却構造では、半導体パッケージのパッケージ本体上に直接的に冷媒を吹付けて強制的に冷却する構成上、半導体素子の高出力化による発熱量が増加すればするほど、基板との接触部位の温度上昇を招くために、許容温度に保つことが困難となるという不都合を有する。 However, in the above cooling structure, the coolant is directly blown onto the package body of the semiconductor package to forcibly cool it. As the amount of heat generated by the higher output of the semiconductor element increases, the contact with the substrate increases. Since the temperature of the part is increased, there is a disadvantage that it is difficult to maintain the temperature at an allowable temperature.
係る熱制御の問題は、特に、半導体素子の高出力化を促進して、性能の向上を図る場合における重要な課題となっている。 Such a problem of thermal control is an important issue particularly in the case of improving performance by promoting higher output of the semiconductor element.
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、小型化を実現したうえで、高効率な熱制御を実現して、高出力化の促進を図り得るようにした半導体パッケージを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a semiconductor package that can achieve miniaturization and realize high-efficiency thermal control to promote high output. Objective.
この発明は、少なくとも一部が半導体用基板材料で形成され、この基板材料部位に回路パターンを実装してなる半導体素子が設けられたパッケージ本体と、このパッケージ本体に外部接続可能に設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された外部接続端子とを備えて半導体パッケージを構成した。 The present invention provides a package body in which at least a part is formed of a semiconductor substrate material, and a semiconductor element formed by mounting a circuit pattern on the substrate material portion, and is provided to be externally connectable to the package body. A semiconductor package was configured with an external connection terminal electrically connected to the semiconductor element.
上記構成によれば、パッケージ本体には、半導体素子が、その一部の半導体用基板材料部位に直接的に回路パターンが実装されて形成され、該半導体用基板材料部位が半導体素子の基板の役を果たすように構成されていることにより、その半導体素子からの熱伝導経路の短縮化が図れると共に、発生した熱の広がりを、多く取ることが可能となる。従って、半導体素子の温度上昇の低減化が図れて、パッケージ本体の小型化を確保したうえで、半導体素子の高出力化の促進を図ることが可能となる。 According to the above configuration, the semiconductor element is formed in the package body by directly mounting the circuit pattern on a part of the semiconductor substrate material portion, and the semiconductor substrate material portion serves as a substrate of the semiconductor element. Therefore, the heat conduction path from the semiconductor element can be shortened, and a large amount of generated heat can be spread. Therefore, it is possible to reduce the temperature rise of the semiconductor element, to ensure the miniaturization of the package body, and to promote higher output of the semiconductor element.
以上述べたように、この発明によれば、小型化を実現したうえで、高効率な熱制御を実現して、高出力化の促進を図り得るようにした半導体パッケージを提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor package that can realize miniaturization and realize high-efficiency thermal control to promote high output.
以下、この発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図１及び図２は、この発明の一実施の形態に係る半導体パッケージの外観構成を示すもので、図１は、パッケージ本体１０の上面側から見た状態を示し、図２は、パッケージ本体１０の底面側から見た状態を示す。
1 and 2 show an external configuration of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a state viewed from the upper surface side of the
即ち、パッケージ本体１０は、ベース部１１、枠状のフレーム部１２及び蓋体１３で形成される。このうちベース部１１は、例えばＳｉＣ（炭化けい素）、Ｓｉ（シリコン）等の半導体用基板材料で形成される。このベース部１１には、その一方面の所定部位に直接的に回路パターン１４１が形成され（図３参照）、この回路パターン１４１に対応する他方面の部位には、例えば絶縁層が形成される。そして、回路パターン１４１に対して、図示しない電子部品が配線接続され、上記ベース部１１には、半導体素子１４が形成される。
That is, the
また、ベース部１１上には、上記フレーム部１２が上記半導体素子１４を囲んで設けられる。このフレーム部１２は、例えば銅、銅合金等の金属材料で形成され、その対向する両側壁には、上記ベース部１１の半導体素子１４に電気的に接続される外部接続端子１５，１５がそれぞれ外部接続可能に突設される。この外部接続端子１５，１５は、図示しない外部機器に配線接続される。
Further, the
さらに、ベース部１１の上記外部接続端子１５を挟んだ両端部には、例えば凹状の取付け部１１１，１１１がそれぞれ設けられる。これにより、ベース部１１は、例えば取付け部１１１，１１１が、図示しない支持台等に取付けられて上記パッケージ本体１０が位置決め配置される。
Furthermore, for example,
上記フレーム部１２の開口側には、上記蓋体１３が被着されて閉塞される。この蓋体１３は、例えば上記フレーム部１２と同様に銅、銅合金等の金属材料で形成され、該フレーム部１２と協働して上記ベース部１１の一部を基板とする上記半導体素子１４を密閉収容する。
On the opening side of the
上記構成により、パッケージ本体１０は、そのベース部１１が、例えば図示しない放熱部に熱的に結合された状態で、その取付け部１１１，１１１が上記支持台等に取付けられて設置される。そして、このパッケージ本体１０は、そのフレーム部１２から突設された外部接続端子１５，１５が図示しない外部機器に電気的に接続されて所望の電子機器システムが構築される。
With the above-described configuration, the
ここで、半導体用基板材料製のベース部１１の一部を基板として構成した半導体素子１４は、上記外部機器を介して駆動され、その駆動に伴い発熱される。この半導体素子１４の熱伝達経路は、そのパッケージ本体１０のベース部１１である半導体用基板材料から直接的に上記放熱部に至る経路を有する。
Here, the
この熱伝達経路は、半導体素子１４を構成する回路パターン１４１を直接的に形成したベース部１１を利用して構成されている。このベース部１１の一部を、その構成に含む半導体素子１４は、ベース部１１と別体の基板を備えた場合に比して熱伝達経路の短縮化が図れ、その熱抵抗の削減を図ることができる。
This heat transfer path is configured by using the
そして、上記半導体素子１４は、熱伝達経路的にベース部１１全体が、その基板面を構成することとなり、大きな熱伝達面積が得られるため、その熱の広がりを多く採ることができる。この結果、パッケージ本体１０内の半導体素子１４で発生した熱は、効率的に上記放熱部に熱移送されて放熱され、半導体素子１４が許容温度に熱制御される。
In the
ここで、上記放熱部としては、例えば図４及び図５に示す空気等の気体を供給する空冷式、あるいは図６乃至図８に示す冷却液を供給する液冷式等の冷却流体を供給することにより、強制的に冷却する放熱手段が構成される。 Here, as the heat radiating unit, for example, a cooling fluid such as an air cooling type that supplies a gas such as air shown in FIGS. 4 and 5 or a liquid cooling type that supplies a cooling liquid shown in FIGS. Thus, a heat radiation means for forcibly cooling is configured.
すなわち、図４及び図５に示す空冷式では、例えば上記ベース部１１の背面側に、放熱フィン１６が上記ベース部１１上の半導体素子１４に対応して設けられる。また、ベース部１１の背面側には、ダクト１７が放熱フィン１６を囲んで設けられる。このダクト１７は、外部より空気を放熱フィン１６に案内することにより、該放熱フィン１６の放熱効率を促進する。
That is, in the air cooling type shown in FIGS. 4 and 5, for example, on the back side of the
これにより、パッケージ本体１０内の半導体素子１４の熱は、ベース部１１より直接的に放熱フィン１６に熱移送される。すると、この熱は、放熱フィン１６に対してダクト１７を介して導かれる空気により強制的に排熱され、ここに、ベース部１１の一部を、その構成に含む半導体素子１４を許容温度に効率よく熱制御することができる。
Thereby, the heat of the
また、図６乃至図８に示す液冷式では、例えば上記ベース部１１の背面側に凹状の冷却液供給部１８がＯリング１９を介して密閉構造に配置される（図７及び図８参照）。そして、この冷却液供給部１８内には、上記ベース部１１の背面側に上記半導体素子１４に設けられた放熱フィン２０が収容配置される。また、冷却液供給部１８には、液供給口１８１及び液出口１８２が設けられ、この液供給口１８１及び液出口１８２には、図示しない液供給源が配管接続される。
Further, in the liquid cooling system shown in FIGS. 6 to 8, for example, a concave cooling
これにより、冷却液供給部１８は、その液供給口１８１に上記液供給源（図示せず）からの冷却液が供給されると、その冷却液が循環されて液出口１８２から排出される。この冷却液は、パッケージ本体１０のベース部１１の放熱フィン２０に熱移送された熱を奪って液出口１８２から排出されて排熱することにより、ベース部１１の一部を、その構成に含む半導体素子１４を許容温度に効率よく熱制御する。
Thus, when the coolant supplied from the liquid supply source (not shown) is supplied to the
このように、上記半導体パッケージは、パッケージ本体１０のベース部１１を、半導体用基板材料で形成して、このベース部１１の一部に回路パターン１４１を直接的に実装した半導体素子１４を形成し、この半導体素子１４に電気的に接続される外部接続端子１５を、フレーム部１１より突設配置するように構成した。
As described above, in the semiconductor package, the
これによれば、パッケージ本体１０は、半導体素子１４が、その半導体用基板材料製のベース部１１と回路パターン１４１とにより形成され、そのベース部１１自体が半導体素子１４の基板を構成していることにより、半導体素子１４からの熱伝導経路の短縮化が図れると共に、その発生した熱がベース部１１全体に効率よく広がる。これにより、半導体素子１４の温度上昇の低減化が図れて、パッケージ本体１０の小型化を実現したうえで、半導体素子１４の高出力化の促進を実現することができる。
According to this, in the
なお、上記実施の形態では、パッケージ本体１０のベース部１１を、半導体用基板材料で形成して、ベース部１１の一部を基板として、半導体素子１４を配置するように構成した場合について説明したが、これに限ることなく、その他、図９乃至図１１に示すように構成してもよく、同様に有効な効果が期待される。但し、この図９乃至図１１の実施の形態においては、上記図１〜図３及び図６〜図８と同一部分について同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
In the above-described embodiment, a case has been described in which the
即ち、この実施の形態では、ベース部２１を銅、銅合金等の金属材料で形成して、このベース部２１の例えばフレーム部１２で囲まれた領域の一部に、半導体用基板材料を埋め込んだりして素子形成部位２２を設ける。このベース部２１の一部を構成する素子形成部位２２には、その上面側に回路パターン１４１（図３参照）が直接的に実装されて半導体素子１４が形成され、この半導体素子１４が上記パッケージ本体１０のフレーム部１２内に収容配置される。そして、上記素子形成部位２２の背面側には、放熱フィン２３が半導体素子１４に対応して設けられる。
That is, in this embodiment, the
上記ベース部２１の背面側には、例えば上述した液冷式放熱手段を構成する冷却液供給部１８が上記素子形成部位２２の放熱フィン２３を覆うように取付けられる。この冷却液供給部には、上述したようにその液供給口１８１に上記液供給源からの冷却液が供給されて、その冷却液が液出口１８２から排出されることにより、上記放熱フィン２３を強制的に冷却して熱制御する。
On the back side of the
これにより、同様に半導体素子１４からの熱伝導経路の短縮化が図れると共に、その発生した熱がベース部２１全体に効率よく広がり、半導体素子１４の温度上昇の低減化が図れて、パッケージ本体１０の小型化を実現したうえで、半導体素子１４の高出力化の促進を実現することができる。
Accordingly, the heat conduction path from the
また、上記ベース部２１の一部に配する素子形成部位２２としては、ベース部２１に複数個を分離して設けて、この複数の素子形成部位２２にそれぞれに半導体素子１４を形成するように構成してもよい。
Further, as the
さらに、この図９乃至１１に示す実施の形態においても、ベース部２１に配する放熱手段としては、その他、例えば上記図４及び図５に示すダクト構造の放熱フィン１６を設けて、空冷式放熱手段を配するように構成してもよい。
Further, in the embodiment shown in FIGS. 9 to 11, as the heat radiating means disposed on the
なお、上記各実施の形態においては、放熱手段として、上記実施の形態で説明した空冷式あるいは液冷式の構成に限るものでなく、その他、各種放熱構造のものが適用可能である。 In each of the above embodiments, the heat radiating means is not limited to the air-cooled or liquid-cooled configuration described in the above embodiment, and various other heat radiating structures can be applied.
よって、この発明は、上記実施の形態に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記実施の形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより種々の発明が抽出され得る。 Therefore, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention in the implementation stage. Further, the above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements.
例えば実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。 For example, even if some constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the embodiment, the problem described in the column of the problem to be solved by the invention can be solved, and the effect described in the effect of the invention can be obtained. In such a case, a configuration in which this configuration requirement is deleted can be extracted as an invention.
１０…パッケージ本体、１１…ベース部、１１１…取付け部、１２…フレーム部、１３…蓋体、１４…半導体素子、１４１…回路パターン、１５…外部接続端子、１６…放熱フィン、１７…ダクト、１８…冷却液供給部、１８１…液供給口、１８２…液出口、１９…Ｏリング、２０…放熱フィン、２１…ベース部、２２…素子形成部位、２３…放熱フィン。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
このパッケージ本体に外部接続可能に設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された外部接続端子と、
を具備することを特徴とする半導体パッケージ。 A package body in which at least a part is formed of a semiconductor substrate material, and a semiconductor element formed by mounting a circuit pattern on the substrate material portion is provided;
An external connection terminal provided in the package body so as to be externally connectable and electrically connected to the semiconductor element;
A semiconductor package comprising:
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