JP2008140654A - X-ray generator - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、工業分野、医療分野などに用いられるX線発生装置に関する。 The present invention relates to an X-ray generator used in the industrial field, the medical field, and the like.
X線発生装置として、カソード(電子源)をヒータなどで加熱して電子ビームを放出させる熱電子放出型を例に採って説明する。X線管発生装置は、各電極を内部に有する外囲器で構成されたX線管を備えている。X線管は、電子ビームを発生させるカソード(電子源)と、カソードからの電子ビームを集束させるフォーカス電極(集束手段)と、フォーカス電極を通った電子ビームの衝突によりX線を発生させるターゲットとを備えている。 As an X-ray generator, a thermionic emission type in which a cathode (electron source) is heated by a heater or the like to emit an electron beam will be described as an example. The X-ray tube generator includes an X-ray tube configured by an envelope having each electrode inside. The X-ray tube includes a cathode (electron source) that generates an electron beam, a focus electrode (focusing means) that focuses the electron beam from the cathode, and a target that generates X-rays by collision of the electron beam that passes through the focus electrode. It has.
カソードやフォーカス電極やターゲットの各電極に電圧を印加することで、電子ビーム量や電子ビームの径を制御する。マイクロフォーカスX線管の場合には、ターゲットへ衝突する電子ビームの径を微小に制御しなければならず、そのためにはフォーカス電極に印加する電圧(以下、「フォーカス電圧」と呼ぶ)の値を最適に設定しなければならない。実際には、フォーカス電圧を一定にした場合、電子ビームの径は主にターゲットへの印加電圧(以下、「ターゲット電圧」と呼ぶ)の影響を受けて変化する。つまり、電子ビームの径が最小になるフォーカス電圧の最適値は、ターゲット電圧によって変化する。 By applying a voltage to the cathode, focus electrode, and target electrodes, the amount of electron beam and the diameter of the electron beam are controlled. In the case of a microfocus X-ray tube, the diameter of the electron beam impinging on the target must be finely controlled. For this purpose, the value of the voltage applied to the focus electrode (hereinafter referred to as “focus voltage”) is set. Must be set optimally. Actually, when the focus voltage is constant, the diameter of the electron beam changes mainly under the influence of the voltage applied to the target (hereinafter referred to as “target voltage”). That is, the optimum value of the focus voltage that minimizes the diameter of the electron beam varies depending on the target voltage.
そこで、フォーカス電極を接地(グランド)して、ターゲット電圧の変化に連動させて、一定の比率でカソードへの印加電圧(以下、「カソード電圧」と呼ぶ)を変化させるように制御する手法がある(例えば、特許文献1参照)。そして、電子ビームの径が微小になるターゲット電圧とカソード電圧との比率を予め求め、その一定の比率でターゲット電圧に応じてカソード電圧を設定する。このように設定することで、ターゲット電圧が変化しても電子ビームの径は変わらずに微小のままに保つことができ、電子ビームの径が微小になるような(カソードから見た)フォーカス電圧を相対的に最適に制御することができる。なお、フォーカス電極を接地してカソード電圧を制御することで、カソードから見ればフォーカス電圧を相対的に制御することになる。
しかしながら、上述した特許文献1の場合には、各々のX線管の特性を考慮することなく一定の比率で固定してカソード電圧を制御しているので、X線管の実際の特性、および個体差に対する電子ビームの径の最適化が行えず、ひいてはX線をX線管の性能上の最小径に集束させることができない。 However, in the case of Patent Document 1 described above, the cathode voltage is controlled by fixing at a constant ratio without considering the characteristics of each X-ray tube. The electron beam diameter cannot be optimized with respect to the difference, and as a result, the X-rays cannot be focused to the minimum diameter in terms of performance of the X-ray tube.
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、集束手段への印加電圧を最適化して制御し、ひいてはX線を最適に制御することができるX線発生装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and provides an X-ray generator capable of optimizing and controlling the voltage applied to the focusing means, and thus optimally controlling X-rays. With the goal.
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、電子ビームを発生させる電子源と、電子源からの電子ビームを集束させる集束手段と、集束手段を通った電子ビームの衝突によりX線を発生させるターゲットとを備えたX線発生装置であって、ターゲットへの印加電圧、および集束手段による電子ビームの径を最適化する集束手段への印加電圧の相関関係を記憶した記憶手段と、記憶手段によって記憶された相関関係、およびターゲットへの印加電圧に基づいて集束手段への印加電圧を最適値に変更するように制御する集束制御手段とを備えることを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention described in claim 1 includes an electron source that generates an electron beam, a focusing unit that focuses the electron beam from the electron source, and a target that generates X-rays by collision of the electron beam that has passed through the focusing unit. An X-ray generator comprising: a storage means for storing a correlation between an applied voltage to the target and an applied voltage to the focusing means for optimizing the diameter of the electron beam by the focusing means; And a focusing control means for controlling the applied voltage to the focusing means to be changed to an optimum value based on the correlation and the applied voltage to the target.
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、ターゲットへの印加電圧、および集束手段による電子ビームの径を最適化する集束手段への印加電圧の相関関係を記憶した記憶手段と、記憶手段によって記憶された相関関係、およびターゲットへの印加電圧に基づいて集束手段への印加電圧を最適値に変更するように制御する集束制御手段とを備える。各々の装置ごとにかかる相関関係を記憶しているので、各々の装置ごとに、ターゲットへの印加電圧に基づいて集束手段への印加電圧を集束制御手段は最適値に変更することができる。その結果、集束手段への印加電圧を最適化して制御し、ひいてはX線を最適に制御することができる。 [Operation / Effect] According to the invention described in claim 1, the storage means storing the correlation between the voltage applied to the target and the voltage applied to the focusing means for optimizing the diameter of the electron beam by the focusing means; Focusing control means for controlling the applied voltage to the focusing means to be changed to an optimum value based on the correlation stored by the storage means and the applied voltage to the target. Since the correlation is stored for each device, the focusing control unit can change the voltage applied to the focusing unit to the optimum value for each device based on the voltage applied to the target. As a result, it is possible to optimize and control the voltage applied to the focusing means, and thus to optimally control the X-rays.
また、請求項2に記載の発明は、電子ビームを発生させる電子源と、電子源からの電子ビームを集束させる集束手段と、集束手段を通った電子ビームの衝突によりX線を発生させるターゲットとを備えたX線発生装置であって、ターゲットへの印加電圧、電子ビーム量に関する電流および集束手段による電子ビームの径を最適化する集束手段への印加電圧の相関関係を記憶した記憶手段と、記憶手段によって記憶された相関関係、電子ビーム量に関する電流およびターゲットへの印加電圧に基づいて集束手段への印加電圧を最適値に変更するように制御する集束制御手段とを備えることを特徴とするものである。 According to a second aspect of the present invention, there is provided an electron source that generates an electron beam, a focusing unit that focuses the electron beam from the electron source, a target that generates X-rays by collision of the electron beam that has passed through the focusing unit, A storage means for storing a correlation between an applied voltage to a target, a current relating to an amount of electron beam and a voltage applied to the focusing means for optimizing the diameter of the electron beam by the focusing means; And focusing control means for controlling the applied voltage to the focusing means to be changed to an optimum value based on the correlation stored by the storage means, the current relating to the amount of electron beam, and the applied voltage to the target. Is.
[作用・効果]また、請求項2に記載の発明によれば、ターゲットへの印加電圧、電子ビーム量に関する電流および集束手段による電子ビームの径を最適化する集束手段への印加電圧の相関関係を記憶した記憶手段と、記憶手段によって記憶された相関関係、電子ビーム量に関する電流およびターゲットへの印加電圧に基づいて集束手段への印加電圧を最適値に変更するように制御する集束制御手段とを備える。各々の装置ごとにかかる相関関係を記憶しているので、各々の装置ごとに、電子ビーム量に関する電流およびターゲットへの印加電圧に基づいて集束手段への印加電圧を集束制御手段は最適値に変更することができる。その結果、集束手段への印加電圧を最適化して制御し、ひいてはX線を最適に制御することができる。
[Operation / Effect] According to the invention described in
この発明に係るX線発生装置によれば、(1)ターゲットへの印加電圧、および集束手段による電子ビームの径を最適化する集束手段への印加電圧の相関関係を記憶した記憶手段と、記憶手段によって記憶された相関関係、およびターゲットへの印加電圧に基づいて集束手段への印加電圧を最適値に変更するように制御する集束制御手段とを備える、あるいは(2)ターゲットへの印加電圧、電子ビーム量に関する電流および集束手段による電子ビームの径を最適化する集束手段への印加電圧の相関関係を記憶した記憶手段と、記憶手段によって記憶された相関関係、電子ビーム量に関する電流およびターゲットへの印加電圧に基づいて集束手段への印加電圧を最適値に変更するように制御する集束制御手段とを備える。各々の装置ごとにかかる相関関係を記憶しているので、各々の装置ごとに、(1)ターゲットへの印加電圧、あるいは(2)電子ビーム量に関する電流およびターゲットへの印加電圧に基づいて集束手段への印加電圧を集束制御手段は最適値に変更することができる。その結果、集束手段への印加電圧を最適化して制御し、ひいてはX線を最適に制御することができる。 According to the X-ray generator of the present invention, (1) storage means for storing the correlation between the voltage applied to the target and the voltage applied to the focusing means for optimizing the diameter of the electron beam by the focusing means; Focusing control means for controlling the applied voltage to the focusing means to be changed to an optimum value based on the correlation stored by the means and the applied voltage to the target, or (2) the applied voltage to the target, Storage means storing the correlation between the current relating to the amount of electron beam and the voltage applied to the focusing means for optimizing the diameter of the electron beam by the focusing means, the correlation stored by the storage means, the current relating to the amount of electron beam and the target Focusing control means for controlling the applied voltage to the focusing means to be changed to an optimum value based on the applied voltage. Since the correlation is stored for each device, the focusing means based on (1) the voltage applied to the target or (2) the current relating to the amount of electron beam and the voltage applied to the target for each device. The focusing control means can change the applied voltage to the optimum value. As a result, it is possible to optimize and control the voltage applied to the focusing means, and thus to optimally control the X-rays.
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図1は、実施例に係るX線発生装置のブロック図であり、図2は、ターゲットへの印加電圧(ターゲット電圧)およびフォーカス電極への印加電圧(フォーカス電圧)の数値テーブルをグラフ化した模式図であり、図3は、管電流を動かしたときのターゲットへの印加電圧(ターゲット電圧)およびフォーカス電極への印加電圧(フォーカス電圧)の数値テーブルをグラフ化した模式図である。本実施例では、X線管としてマイクロフォーカスX線管を例に採って説明するとともに、カソードとしてヒータなどで加熱して電子ビームを放出させる熱電子放出型を例に採って説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block diagram of an X-ray generator according to an embodiment. FIG. 2 is a schematic diagram of a numerical table of a voltage applied to a target (target voltage) and a voltage applied to a focus electrode (focus voltage). FIG. 3 is a schematic diagram in which a numerical table of the voltage applied to the target (target voltage) and the voltage applied to the focus electrode (focus voltage) when the tube current is moved is graphed. In this embodiment, a microfocus X-ray tube will be described as an example of the X-ray tube, and a thermoelectron emission type in which an electron beam is emitted by heating with a heater as a cathode will be described as an example.
図1に示すX線管1を備えたX線発生装置10は、X線非破壊検査機器などに代表されるX線撮像装置に用いられ、X線管1から照射されたX線を検出するX線検出器2とを備えている。X線検出器2は、例えばイメージインテンシファイア(I.I)やフラットパネル型X線検出器(FPD)などがある。X線管1から照射されたX線をX線検出器2が検出することで、検出されたX線に基づいてX線画像を撮像する。X線管1と後述するフォーカス電圧制御部29を含むフォーカス電圧制御部29周辺の各構成とを備えたX線発生装置10は、この発明におけるX線発生装置に相当する。
An
X線管1は、電子ビームBを発生させるカソード11と、カソード11からの電子ビームBを集束させるフォーカス電極12と、フォーカス電極12を通った電子ビームBの衝突によりX線を発生させるターゲット13とを備えている。本実施例では、カソード11を接地して、カソード11を基準にして、各電極への印加電圧を決定している。したがって、フォーカス電圧は、接地されたカソード11から見たフォーカス電極12への印加電圧であって、ターゲット電圧は、接地されたカソード11から見たターゲット13への印加電圧である。また、カソード11から発生した電子ビーム量に関する電流は「カソード電流」とも呼ばれ、本実施例では、管電流をこのカソード電流としている。カソード11は、この発明における電子源に相当し、フォーカス電極12は、この発明における集束手段に相当し、ターゲット13は、この発明におけるターゲットに相当する。また、管電流(カソード電流)は、この発明における電子ビーム量に関する電流に相当する。
The X-ray tube 1 includes a
この他に、X線管1は、カソード11とフォーカス電極12との間にグリッド電極14を配設している。このグリッド電極14は上述した管電流(カソード電流)をフィードバック制御する。
In addition, the X-ray tube 1 is provided with a
本実施例では、カソード11として熱電子放出型を採用しているので、熱電子放出型であれば、カソード11を形成する物質や形状については特に限定されない。図1では傍熱形(ディスペンサー形も含む)のカソードを用いて説明しているが、直熱形でも良い。直熱形の場合はカソードへの配線は、ヒータ(フィラメント)に接続され、ヒータがカソードとして作用する。カソード11は、例えば、6ホウ化ランタン(LaB6)や6ホウ化セリウム(CeB6)などで形成された単結晶あるいは焼結体のチップであってもよいし、タングステンで形成されたフィラメントであってもよいし、含浸型陰極であってもよい。上述したチップは、タングステンで形成されたフィラメントと比較すると消耗や切断に強い。また、上述した含浸型陰極は、タングステンで形成されたフィラメントと比較すると長寿命である。
In the present embodiment, since the thermoelectron emission type is adopted as the
グリッド電極14は、後述するグリッド電圧発生部25に接続されており、フォーカス電極12は、後述するフォーカス電圧発生部30に接続されている。また、ターゲット13は、後述するターゲット電圧発生部27に接続されている。また、ターゲット13は、タングステンなどで形成されている。ターゲット13を形成する物質や形状についても、上述したタングステンに限定されない。
The
これらの電極は、外囲器15内に収容され、外囲器15にX線窓15aを設ける。本実施例の場合には、電子ビームBの光軸に対して直交方向にX線が出射され、出射されたX線がX線窓15aを通って取り出される。
These electrodes are accommodated in the
X線発生装置10は、ヒータ電源21と電流検出部22と管電流設定部23と電流制御部24とグリッド電圧発生部25とターゲット電圧設定部26とターゲット電圧発生部27と最適値テーブル28とフォーカス電圧制御部29とフォーカス電圧発生部30とを備えている。フォーカス電圧制御部29は、この発明における集束制御手段に相当する。
The
ヒータ電源21は、カソード11を加熱するための電源であって、加熱によってカソード11は電子ビームBを発生させて放出させる。電流検出部22は、カソード11から発生した管電流(カソード電流)を検出するように構成されている。
The
管電流設定部23は、電流制御部24およびフォーカス電圧制御部29に接続されており、管電流設定部23で設定された管電流の値を電流制御部24およびフォーカス電圧制御部29に送り込む。電流制御部24は、上述した電流検出部22に接続されており、電流検出部22で検出された管電流の値を電流制御部24に送り込む。電流制御部24は、管電流設定部23で設定された管電流の値と電流検出部22で検出された管電流の値とを比較して、その比較結果に応じてグリッド電圧発生部25を制御する。もし、電流検出部22で検出された管電流の値が、管電流設定部23で設定された管電流の値よりも低くなれば、グリッド電圧発生部25からグリッド電極14に印加する電圧(以下、「グリッド電圧」と呼ぶ)の値を小さくする。逆に、電流検出部22で検出された管電流の値が、管電流設定部23で設定された管電流の値よりも高くなれば、グリッド電圧発生部25からグリッド電極14に印加するグリッド電圧の値を大きくする。したがって、電流検出部22、管電流設定部23、電流制御部24およびグリッド電圧発生部25を用いて、グリッド電極14は管電流をフィードバック制御する。
The tube
ターゲット電圧設定部26は、ターゲット電圧発生部27およびフォーカス電圧制御部29に接続されており、ターゲット電圧設定部26で設定されたターゲット電圧の値をターゲット電圧発生部27およびフォーカス電圧制御部29に送り込む。ターゲット電圧設定部26で設定されたターゲット電圧の値にしたがってターゲット電圧発生部27はターゲット電圧をターゲット13に印加すべく発生させる。
The target
最適値テーブル28は、ターゲット13への印加電圧(ターゲット電圧)、電子ビーム量に関する電流(管電流)およびフォーカス電極12による電子ビームBの径を最適化するフォーカス電極12への印加電圧(フォーカス電圧)の相関関係を記憶している。本実施例では、これらの相関関係を数値テーブルとしている。数値テーブルは離散データであるので、最小自乗法などの公知の近似式を用いて、図2または図3に示すように、連続的なデータとしてグラフ化する。このようなテーブルは、X線発生装置10のX線管1の特性によって異なるので、各X線発生装置10ごと、あるいは各X線管1ごとに、予め求めて最適値テーブル28に記憶する。最適値テーブル28は、この発明における記憶手段に相当する。
The optimum value table 28 is a voltage applied to the focus electrode 12 (target voltage), a current related to the amount of electron beam (tube current), and a voltage applied to the
ここで、本明細書中において「最適化」とは、電子ビームBの径が微小になる条件の下でのターゲット電圧、管電流およびフォーカス電圧の組み合わせである。したがって、電子ビームBの径が微小になるように、ターゲット電圧および管電流をそれぞれ変えて、そのときのフォーカス電圧をプロットする。管電流を一定にしたときのグラフは図2に示す通りになり、管電流を動かしたときのグラフは図3に示す通りになる。図2および図3では、横軸をターゲット電圧にして、縦軸をフォーカス電圧にしている。図3のように管電流をも動かしたときには、図中の1点鎖線あるいは2点鎖線のように特性が変化する。 Here, “optimization” in the present specification is a combination of a target voltage, a tube current, and a focus voltage under the condition that the diameter of the electron beam B is small. Therefore, the target voltage and the tube current are respectively changed so that the diameter of the electron beam B becomes small, and the focus voltage at that time is plotted. The graph when the tube current is made constant is as shown in FIG. 2, and the graph when the tube current is moved is as shown in FIG. 2 and 3, the horizontal axis is the target voltage, and the vertical axis is the focus voltage. When the tube current is also moved as shown in FIG. 3, the characteristics change like the one-dot chain line or the two-dot chain line in the figure.
図1の説明に戻って、最適値テーブル28で記憶された相関関係、管電流設定部23で設定された管電流の値、ターゲット電圧設定部26で設定されたターゲット電圧の値に基づいて、フォーカス電圧をフォーカス電圧制御部29は最適値に変更するようにフォーカス電圧発生部30を制御する。フォーカス電圧制御部29で変更された最適値にしたがってフォーカス電圧発生部30はフォーカス電圧をフォーカス電極12に印加すべき発生させる。
Returning to the description of FIG. 1, based on the correlation stored in the optimum value table 28, the value of the tube current set by the tube
例えば、管電流が一定の条件の下で、ターゲット電圧設定部26で設定されたターゲット電圧の値がT1のときには、図2に示すようにフォーカス電圧の最適値はF1となるので、フォーカス電圧制御部29はF1に変更して、フォーカス電圧発生部30はF1をフォーカス電極12に印加する。また、管電流を動かした場合で、管電流設定部23で設定された管電流の値がI2のときで、ターゲット電圧設定部26で設定されたターゲット電圧の値がT2のときには、図3に示すようにフォーカス電圧の最適値はF2となるので、フォーカス電圧制御部29はF2に変更して、フォーカス電圧発生部30はF2をフォーカス電極12に印加する。
For example, when the target voltage value set by the target
以上のように構成されたX線管1を備えたX線発生装置10によれば、ターゲット13への印加電圧(ターゲット電圧)、電子ビーム量に関する電流(管電流)およびフォーカス電極12による電子ビームBの径を最適化するフォーカス電極12への印加電圧(フォーカス電圧)の相関関係を記憶した最適値テーブル28と、最適値テーブル28によって記憶された相関関係、電子ビーム量に関する電流(管電流)およびターゲット13への印加電圧(ターゲット電圧)に基づいてフォーカス電極12への印加電圧(フォーカス電圧)を最適値に変更するように制御するフォーカス電圧制御部29とを備える。各々の装置ごとにかかる相関関係を記憶しているので、各々の装置ごとに、電子ビーム量に関する電流(管電流)およびターゲット13への印加電圧(ターゲット電圧)に基づいてフォーカス電極12への印加電圧(フォーカス電圧)をフォーカス電圧制御部29は最適値に変更することができる。その結果、フォーカス電極12への印加電圧(フォーカス電圧)を最適化して制御し、ひいてはX線を最適に制御することができる。
According to the
また、X線発生装置10を備えたX線撮像装置によれば、このX線発生装置においてX線を最適に制御することができる結果、所望に制御されたX線画像を精度よく撮像することができる。
In addition, according to the X-ray imaging apparatus provided with the
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as follows.
(1)上述した実施例では、非破壊検査機器などの工業用装置を例に採ってX線撮像装置を説明したが、この発明は、X線診断装置などの医用装置にも適用することができる。 (1) In the above-described embodiments, the X-ray imaging apparatus has been described by taking an industrial apparatus such as a non-destructive inspection apparatus as an example. However, the present invention can also be applied to a medical apparatus such as an X-ray diagnostic apparatus. it can.
(2)上述した実施例では、カソードとして熱電子放出型を例に採って説明したが、電界によるトンネル効果によって電子ビームを放出させる電界放出型の電子源を備えた装置にも適用することができる。 (2) In the above-described embodiments, thermionic emission type is taken as an example of the cathode, but the present invention can also be applied to an apparatus including a field emission type electron source that emits an electron beam by a tunnel effect by an electric field. it can.
(3)上述した実施例では、この発明における集束手段はフォーカス電極12であったが、電子ビームを集束させる手段であれば、特に限定されない。例えば、円環状に構成された集束コイルであってもよい。集束コイルの場合には、レンズ電源(図示省略)から集束コイルに電流を流すことで磁界を発生させて、光学の集束レンズと同様に集束コイルは電子ビームを集束させる。
(3) In the embodiment described above, the focusing means in the present invention is the
(4)上述した実施例では、電子ビームBの光軸に対して直交方向にX線を反射させたが、図4に示すように電子ビームBの光軸に沿って平行にX線を透過させた装置にも適用することができる。 (4) In the above-described embodiment, X-rays are reflected in a direction orthogonal to the optical axis of the electron beam B, but X-rays are transmitted in parallel along the optical axis of the electron beam B as shown in FIG. The present invention can also be applied to the apparatus.
(5)上述した実施例では、管電流をカソード電流としたが、ターゲット付近の電子ビーム量に関する電流(ターゲット電流)に例示されるように、電子ビーム量に関する電流であれば特に限定されない。 (5) In the above-described embodiments, the tube current is the cathode current. However, the current is not particularly limited as long as the current is related to the amount of electron beam as exemplified by the current related to the amount of electron beam near the target (target current).
(6)上述した実施例では、カソード11を基準にして、各電極への印加電圧を決定したが、基準にする電極はカソードに限定されない。例えば、フォーカス電極あるいはターゲットを基準にして、各電極への印加電圧を決定してもよい。
(6) In the above-described embodiment, the voltage applied to each electrode is determined based on the
(7)上述した実施例では、カソード11を接地したが、接地する電極はカソードに限定されない。例えば、フォーカス電極あるいはターゲットを接地してもよい。
(7) In the embodiment described above, the
(8)相関関係は、図2に示すようなターゲット13への印加電圧(ターゲット電圧)およびフォーカス電極12による電子ビームBの径を最適化するフォーカス電極12への印加電圧(フォーカス電圧)の関係であってもよいし、図3に示すようなターゲット13への印加電圧(ターゲット電圧)、電子ビーム量に関する電流(管電流)、およびフォーカス電極12による電子ビームBの径を最適化するフォーカス電極12への印加電圧(フォーカス電圧)の相関関係であってもよい。図2の場合には、相関関係およびターゲット13への印加電圧(ターゲット電圧)に基づいてフォーカス電極12への印加電圧(フォーカス電圧)を最適値に変更するように制御する。
(8) The correlation is the relationship between the applied voltage (target voltage) to the
(9)上述した実施例では、相関関係は、離散的な数値テーブルを近似式などで連続的にしたグラフであったが、図5に示すように離散的な数値テーブルであってもよい。また、ターゲット電圧のみ、あるいはターゲット電圧および管電流を変数としたフォーカス電圧に関する関数式で、グラフを表して、その関数式をプログラミングして、ターゲット電圧のみ、あるいはターゲット電圧および管電流が設定されたら、そのプログラムに基づいて制御すべきフォーカス電圧の値を計算して出力するようにしてもよい。 (9) In the above-described embodiment, the correlation is a graph in which a discrete numerical table is continuous with an approximate expression or the like, but it may be a discrete numerical table as shown in FIG. Also, if the target voltage alone or the target voltage and tube current are set, the graph is expressed with a function expression related to the focus voltage with the target voltage and tube current as variables, and the function expression is programmed to set only the target voltage or the target voltage and tube current. The value of the focus voltage to be controlled based on the program may be calculated and output.
10 … X線発生装置
11 … カソード
12 … フォーカス電極
13 … ターゲット
28 … 最適値テーブル
29 … フォーカス電圧制御部
B … 電子ビーム
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