JP2008138225A - Method for performing film deposition on large substrate surface - Google Patents

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守斌 張
Munetaka Mashima
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for depositing various thin films on a large substrate. <P>SOLUTION: In the method, a target 4 in which two or more adjacent targets 1 are laid on a backing plate 2 in a tile shape in a two-dimensional manner and joined with each other (hereinafter, the target with the backing plate is referred to as a "tile-shaped target") is installed in a film deposition chamber, and the film deposition is performed on a surface of a large substrate by performing the sputtering while transferring the substrate 3 in the film deposition chamber opposing and separated from the tile-shaped target 4. In the tile-shaped target, two or more targets are laid in a tile shape in a two-dimensional manner and joined with each other so that the adjacent lines of the targets are not parallel to the advancing direction of the substrate 3. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、大型の基板に各種薄膜を形成する方法に関するものであり、特にコンピュータモニタやテレビスクリーンなど大型の液晶表示装置の基板（例えば、ガラス基板、透明樹脂基板など）、有機ＥＬ表示装置の基板、無機ＥＬ表示装置の基板などに各種薄膜を形成する方法に関するものである。   TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for forming various thin films on a large substrate, and in particular, a substrate for a large liquid crystal display device such as a computer monitor or a television screen (for example, a glass substrate, a transparent resin substrate, etc.), or an organic EL display device. The present invention relates to a method of forming various thin films on a substrate, a substrate of an inorganic EL display device, or the like.

近年、各種電子機器、情報機器のディスプレイなどに液晶表示装置が使用されるようになり、この液晶表示装置には一般に基板（例えば、ガラス基板、透明樹脂基板など）の上に各種成分の薄膜が形成されている。例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｓｉ、希土類元素などの金属またはそれらの合金からなる薄膜が配線または電極膜として形成されており、透明導電膜としてＩｎ−Ｓｎ複合酸化物膜、Ｚｎ−Ａｌ複合化合物膜、Ｚｎ−Ｇａ複合酸化物膜などが形成されており、ＺｎＳ−ＳｉＯ２などの強誘電体膜が形成されている。
各種電子機器、情報機器のディスプレイとして使用される液晶表示装置は、近年、急速に大型化していることから、この大型化した液晶表示装置を量産する必要に迫られてきた。この要求を満たすために、図６の平面図および図６のＸ−Ｘ断面図である図７に示されるように、幅が基板と同等または基板以上の幅を有する長方形のターゲット１をバッキングプレート２の上に接合したバッキングプレート付きターゲット４１を成膜チャンバ内（図示せず）に設置し、このバッキングプレート付きターゲット４１のターゲット１の上方に離間しかつ対向させて大型の基板３をターゲット１の表面に平行な方向（図６および図７のＺ方向）に移送させつつスパッタリングし、基板３の表面に各種の薄膜を形成している（特許文献１参照）。
しかし、基板がさらに大型になると、この基板よりも幅広のターゲットを使用してスパッタリングを行なえばよいが、前記幅広のターゲットをホットプレスなどの方法により歩留まりよく作製することは難しくなることから、通常の大きさのターゲットを２枚以上用意し、これら通常の大きさのターゲット１を図８に示されるようにバッキングプレート２上に二次元的にタイル状に敷き詰めて接合し、基板３の幅と同等または基板３の幅よりも広い幅を有するバッキングプレート付きターゲット（以下、このバッキングプレート付きターゲットを「タイル状ターゲット」という）４２作製し、この広幅なタイル状ターゲット４２を使用してスパッタリングすることにより一層大型の基板３の表面に各種薄膜を形成する方法が考えられる。
特開２０００―１２９４３６号公報 In recent years, liquid crystal display devices have been used for displays of various electronic devices and information devices. In general, thin film of various components are provided on a substrate (for example, a glass substrate, a transparent resin substrate, etc.). Is formed. For example, a thin film made of a metal such as Cr, Ti, Al, Cu, Ag, Mo, Ta, Si, or a rare earth element or an alloy thereof is formed as a wiring or an electrode film, and an In—Sn composite oxide is used as a transparent conductive film. A material film, a Zn—Al composite compound film, a Zn—Ga composite oxide film, or the like is formed, and a ferroelectric film such as ZnS—SiO 2 is formed.
Since liquid crystal display devices used as displays for various electronic devices and information devices are rapidly increasing in size in recent years, there has been a need to mass-produce these enlarged liquid crystal display devices. In order to satisfy this requirement, as shown in FIG. 7 which is a plan view of FIG. 6 and a sectional view taken along line XX of FIG. 6, a rectangular target 1 having a width equal to or larger than the substrate is used as a backing plate. A target 41 with a backing plate bonded on the substrate 2 is placed in a film forming chamber (not shown), and the large substrate 3 is placed on the target 1 by separating and facing above the target 1 of the target 41 with backing plate. Sputtering is performed while transferring the film in a direction parallel to the surface (Z direction in FIGS. 6 and 7) to form various thin films on the surface of the substrate 3 (see Patent Document 1).
However, when the substrate becomes larger, sputtering may be performed using a target wider than this substrate, but it is difficult to produce the wide target with a high yield by a method such as hot pressing. Two or more targets of the size are prepared, and these normal size targets 1 are two-dimensionally tiled and bonded onto the backing plate 2 as shown in FIG. A target with a backing plate having a width equal to or wider than the width of the substrate 3 (hereinafter, this target with a backing plate is referred to as a “tile target”) 42, and sputtering is performed using the wide tile target 42. Thus, a method of forming various thin films on the surface of the larger substrate 3 can be considered.
JP 2000-129436 A

しかし、前記図８に示される２枚以上のターゲット１が隣接して形成された隣接ライン５を有する広幅なタイル状ターゲット４２を使用し、大型の基板３の表面に各種薄膜をスパッタリングにより形成すると、図９の薄膜の平面図に示されるように、大型の基板の表面に形成された薄膜６は隣接ライン５に沿って形成された薄膜部分の厚みが薄くなり、形成された薄膜を目視すると、形成された薄膜の表面に基板の進行方向に平行して色の薄い帯状部分７が発生するので好ましくない。   However, when a wide tile-shaped target 42 having an adjacent line 5 formed by adjoining two or more targets 1 shown in FIG. 8 is used and various thin films are formed on the surface of the large substrate 3 by sputtering. As shown in the plan view of the thin film in FIG. 9, the thin film 6 formed on the surface of the large substrate has a thin film portion formed along the adjacent line 5, and the formed thin film is visually observed. The thin film-like band-shaped portion 7 is generated on the surface of the formed thin film in parallel with the traveling direction of the substrate.

そこで、本発明者らは、かかる色の薄い帯状部分７の生成をなくして厚さが均一な薄膜を形成すべく研究を行った結果、
（イ）ターゲット１とターゲット１の隣接ライン５が基板３の進行方向に対して非平行状態に保ちながらスパッタリングすると、形成された薄膜の表面に色の薄い帯状部分が生成しなくなる、
（ロ）したがって、図１の平面図説明図に示されるように、２枚以上のターゲット１がバッキングプレート２上に隣接して二次元的にタイル状に敷き詰められているタイル状ターゲットにおける隣接ライン５が、基板の進行方向に対して非平行となるように基板３を通過させながらスパッタリングを行なうことにより薄膜上に形成される色の薄い帯状部分の生成を阻止することができ、均一な厚さの薄膜を形成することができる、などの研究結果が得られたのである。 Therefore, the present inventors conducted a study to form a thin film having a uniform thickness by eliminating the generation of the thin-colored belt-like portion 7,
(A) When sputtering is performed while the target 1 and the adjacent line 5 of the target 1 are kept in a non-parallel state with respect to the traveling direction of the substrate 3, a light-colored strip-shaped portion is not generated on the surface of the formed thin film.
(B) Therefore, as shown in the plan view explanatory diagram of FIG. 1, adjacent lines in a tile target in which two or more targets 1 are adjacently arranged on the backing plate 2 in a two-dimensional tile shape. 5 can prevent the formation of a thin-colored band-shaped portion formed on the thin film by performing sputtering while passing through the substrate 3 so as to be non-parallel to the traveling direction of the substrate. Research results such as being able to form a thin film were obtained.

この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）成膜チャンバ内に、２枚以上のターゲットが隣接してバッキングプレート上に二次元的にタイル状に敷き詰められて接合しているバッキングプレート付きターゲット（以下、このバッキングプレート付きターゲットを「タイル状ターゲット」という）を設置し、このタイル状ターゲットに対向しかつ離間して基板を前記成膜チャンバ内を移送しつつスパッタリングすることにより、大型基板表面に成膜する方法において、
前記タイル状ターゲットは、２枚以上のターゲットの隣接ラインが、基板の進行方向に対して非平行となるように二次元的にタイル状に敷き詰められて接合している大型基板表面に成膜する方法、に特徴を有するものである。 The present invention has been made based on such research results,
(1) A target with a backing plate in which two or more targets are adjacently two-dimensionally tiled on the backing plate and joined in the film formation chamber (hereinafter referred to as “target with backing plate” In a method of forming a film on the surface of a large substrate by installing a tile-like target) and sputtering the substrate while facing and spaced apart from the tile-shaped target while being transferred in the film formation chamber,
The tile target is formed on the surface of a large substrate in which adjacent lines of two or more targets are two-dimensionally tiled so as to be non-parallel to the substrate traveling direction. Characteristic of the method.

本発明者らは、さらに隣接ラインが前記基板の進行方向に対して非平行とはどの程度の非平行であれば一層好ましいかについて研究を行った。その結果、隣接ライン５が前記基板の進行方向に対して５〜９０°の範囲内で傾斜していれば一層好ましい、という研究結果が得られたのである。   The present inventors further studied how non-parallel that the adjacent line is non-parallel to the traveling direction of the substrate is more preferable. As a result, a research result has been obtained that it is more preferable if the adjacent line 5 is inclined within a range of 5 to 90 ° with respect to the traveling direction of the substrate.

したがって、この発明は、
（２）前記タイル状ターゲットは、２枚以上のターゲットの隣接ラインが、基板の進行方向に対して５〜９０°の範囲内となるように二次元的にタイル状に傾斜して敷き詰められて接合している前記（１）記載の大型の基板表面に成膜する方法、に特徴を有するものである。 Therefore, the present invention
(2) The tile-shaped target is two-dimensionally inclined and tiled so that adjacent lines of two or more targets are within a range of 5 to 90 ° with respect to the traveling direction of the substrate. The method is characterized in that the film is formed on the surface of the large substrate described in (1) above.

この発明の大型の基板表面に薄膜を形成するスパッタリング方法について、図面に基づいて一層詳細に説明する。 A sputtering method for forming a thin film on the surface of a large substrate according to the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

図１は、この発明の大型の基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング方法を説明するための平面説明図である。図１に示されるように、この発明で使用するタイル状ターゲット４は２枚以上の台形および平行四辺形の平面形状を有するターゲット１をバッキングプレート２の上に隣接して二次元的にタイル状に敷き詰め、ターゲット１をバッキングプレート２にろう付けなどの手段により接合されている。 FIG. 1 is an explanatory plan view for explaining a sputtering method for forming a thin film on the surface of a large substrate according to the present invention. As shown in FIG. 1, the tile target 4 used in the present invention is two-dimensionally tiled by adjoining a target 1 having two or more trapezoidal and parallelogram planar shapes on a backing plate 2. The target 1 is joined to the backing plate 2 by means such as brazing.

このタイル状ターゲット４を成膜チャンバ内（図示せず）に設置し、このバッキングプレート付きターゲット４の上方に離間しかつ対向させて大型の基板３をＺ方向に移送させつつスパッタリングすることにより基板３の表面に均一に成膜する。このときタイル状ターゲット４に形成されている隣接ライン５は基板３の移送方向（＝Ｚ方向）に対して非平行となるようにタイル状ターゲット４を成膜チャンバ内（図示せず）に設置する。 The tile-shaped target 4 is placed in a film forming chamber (not shown), and is sputtered while the large substrate 3 is transferred in the Z direction while being spaced apart and opposed to the target 4 with the backing plate. 3 is uniformly formed on the surface. At this time, the tile target 4 is installed in the film forming chamber (not shown) so that the adjacent line 5 formed on the tile target 4 is not parallel to the transfer direction (= Z direction) of the substrate 3. To do.

図２もこの発明の大型の基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング方法を説明するための平面説明図である。このタイル状ターゲット４を成膜チャンバ内（図示せず）に設置し、このタイル状ターゲット４の上方に離間しかつ対向させて大型の基板３をＺ方向に移送させつつスパッタリングすることにより基板３の表面に均一に成膜することは図１と同じであるが、基板３が隣接ラインを２回通過しないように隣接ライン５´の先端Ａおよび隣接ライン５´´の先端Ｂが基板の移送線Ｔに乗るようにターゲット１をバッキングプレート２上に二次元的にタイル状に敷き詰めてターゲット１とバッキングプレート２を接合したタイル状ターゲット４を使用している。このようにターゲット１をバッキングプレート２上に二次元的にタイル状に敷き詰めてターゲット１とバッキングプレート２を接合したタイル状ターゲット４を使用してスパッタリングを行なうと、基板３は全面に渡って隣接ライン５上を同一回数通過させてスパッタリングすることになり、基板全体にわたって均一な厚さの成膜を行なうことができる。 FIG. 2 is also an explanatory plan view for explaining a sputtering method for forming a thin film on the surface of a large substrate according to the present invention. The tile target 4 is placed in a film forming chamber (not shown), and the large substrate 3 is sputtered while being transported in the Z direction while being spaced apart and opposed to the tile target 4. 1 is the same as FIG. 1 except that the tip A of the adjacent line 5 ′ and the tip B of the adjacent line 5 ″ transfer the substrate so that the substrate 3 does not pass through the adjacent line twice. A tiled target 4 is used in which the target 1 is laid two-dimensionally on the backing plate 2 in a tile shape so as to ride on the line T, and the target 1 and the backing plate 2 are joined. In this way, when sputtering is performed using the tile target 4 in which the target 1 is two-dimensionally tiled on the backing plate 2 and the target 1 and the backing plate 2 are joined, the substrate 3 is adjacent over the entire surface. Sputtering is performed by passing through the line 5 the same number of times, so that a film having a uniform thickness can be formed over the entire substrate.

図３は、この発明の大型の基板表面に薄膜を形成するスパッタリング方法で使用するタイル状ターゲットの他の実施例を説明するための平面説明図であり、図３（ａ）は三角形のターゲット１を交互にバッキングプレート２の上に二次元的にタイル状に敷き詰め接合して得られたタイル状ターゲットであり、図３（ｂ）は三角形のターゲット１と平行四辺形のターゲット１を三角形のターゲット１が平行四辺形のターゲット１を囲むように交互にバッキングプレート２の上に二次元的にタイル状に敷き詰めて接合して得られたタイル状ターゲットであり、さらに図３（ｃ）は台形のターゲット１を交互に反対向きにバッキングプレート２の上に二次元的にタイル状に敷き詰めて接合して得られたタイル状ターゲットである。 FIG. 3 is a plan view for explaining another embodiment of a tile target used in the sputtering method for forming a thin film on the surface of the large substrate of the present invention. FIG. Are tiled targets obtained by alternately laying and joining tiles on the backing plate 2 in a two-dimensional manner, and FIG. 3 (b) shows a triangular target 1 and a parallelogram target 1 as a triangular target. FIG. 3 (c) shows a trapezoidal target obtained by two-dimensionally laying and joining tiles on a backing plate 2 alternately so that 1 surrounds a parallelogram target 1. This is a tile target obtained by two-dimensionally laying and joining the targets 1 alternately on the backing plate 2 in opposite directions.

図４もこの発明の大型の基板表面に薄膜を形成するスパッタリング方法を説明するための平面説明図である。このタイル状ターゲット４を２個以上成膜チャンバ内（図示せず）に併設し、このタイル状ターゲット４の上方に離間しかつ対向させて大型の基板３をＺ方向に移送させつつスパッタリングすることにより基板３の表面に均一に成膜することは図１と同じである。
この場合も前方に設置したタイル状ターゲット４の隣接ライン５と後方に設置したタイル状ターゲット４´の隣接ライン５がＺ方向に移送されている基板３を２回通過しないように、前方に設置したタイル状ターゲット４の隣接ライン５と後方に設置したタイル状ターゲット４´の隣接ライン５をずらして二次元的にタイル状に敷き詰めたタイル状ターゲット４を成膜チャンバ内（図示せず）に併設することが好ましく、このように隣接ライン上を同一回数通過させてスパッタリングすることにより基板全体にわたって均一な厚さの成膜を行なうことができる。 FIG. 4 is also an explanatory plan view for explaining a sputtering method for forming a thin film on the surface of a large substrate according to the present invention. Two or more tile-shaped targets 4 are provided in a film forming chamber (not shown), and sputtering is performed while transferring the large substrate 3 in the Z direction so as to be spaced apart from and opposed to the tile-shaped target 4. The uniform film formation on the surface of the substrate 3 is the same as in FIG.
Also in this case, the adjacent line 5 of the tile target 4 installed in the front and the adjacent line 5 of the tile target 4 ′ installed in the rear are installed forward so that the substrate 3 transferred in the Z direction does not pass twice. The tile-like target 4 laid two-dimensionally in a tiled manner by shifting the adjacent line 5 of the tile-like target 4 and the adjacent line 5 of the tile-like target 4 ′ installed behind is placed in a film forming chamber (not shown). It is preferable to provide a film with a uniform thickness over the entire substrate by sputtering by passing the same number of times on adjacent lines.

図５は、この発明の大型の基板表面に薄膜を形成するスパッタリング方法で使用するタイル状ターゲットの他の実施例を説明するための平面説明図であり、図５は特大の一枚のバッキングプレート２の上にタイル状ターゲット４を複数列敷き詰めて接合したものである。 FIG. 5 is an explanatory plan view for explaining another embodiment of the tile target used in the sputtering method for forming a thin film on the surface of the large substrate of the present invention, and FIG. 5 is an oversized backing plate. 2, tile-like targets 4 are laid in a plurality of rows and joined.

この発明の大型の基板表面に薄膜を形成するスパッタリング方法で使用するタイル状ターゲットにおける隣接ライン５は、基板３の移送方向（＝Ｚ方向）に対して非平行となるようにタイル状ターゲット４を成膜チャンバ内（図示せず）に設置してスパッタリングを行なうと均一に成膜することができるが、図１〜５のいずれの場合も隣接ライン５と基板３の移送方向（＝Ｚ方向）とのなす角αは５〜９０°の範囲内にあることが一層好ましい。 The adjacent line 5 in the tile target used in the sputtering method for forming a thin film on the surface of the large substrate according to the present invention is arranged so that the tile target 4 is not parallel to the transfer direction (= Z direction) of the substrate 3. When sputtering is performed in a film formation chamber (not shown), uniform film formation can be achieved. However, in any of FIGS. 1 to 5, the transfer direction of the adjacent line 5 and the substrate 3 (= Z direction). Is more preferably in the range of 5 to 90 °.

この発明の成膜方法によると、一層広い面積の液晶表示装置を工業的に製造することができ、ディスプレイ産業の発展に大いに貢献し得るものである。   According to the film forming method of the present invention, a liquid crystal display device having a wider area can be industrially manufactured, which can greatly contribute to the development of the display industry.

隣接ラインの基板進行方向に対する傾斜角αが０°、５°、３０°、４５°、６０°となるようにＡｌ２Ｏ３：２質量％を含有し、残部がＺｎＯからなる組成のターゲットを純銅製のバッキングプレート上に二次元的にタイル状に敷き詰め、ターゲットとバッキングプレートをＩｎろうによりろう付けしてタイル状ターゲットを作製した。このタイル状ターゲットを成膜チャンバ内に設置し、このタイル状ターゲットの上方に６０ｍｍ離間しかつ対向させて縦：６８０ｍｍ、横：８８０ｍｍ、厚さ：０．７１ｍｍの寸法を有する大型のガラス基板を移送させつつマグネトロンスパッタリングすることにより基板の表面に厚さ：５００ｎｍを有しＡｌ２Ｏ３：２質量％を含有し、残部がＺｎＯからなる組成を有する薄膜を成膜し、本発明法１〜４および従来法１を実施した。その結果、隣接ラインの基板進行方向に対する傾斜角αが０°の従来法１では得られた薄膜の表面に色の薄い帯状部分が現れたが、隣接ラインの基板進行方向に対する傾斜角αが５°、３０°、４５°、６０°の本発明法１〜４では色の薄い帯状部分が現れなかった。 A target having a composition containing Al 2 O 3 : 2% by mass so that the inclination angle α with respect to the substrate traveling direction of the adjacent line is 0 °, 5 °, 30 °, 45 °, 60 °, and the balance being ZnO. A tiled target was produced by laying in a two-dimensional tile on a pure copper backing plate and brazing the target and the backing plate with In brazing. A large glass substrate having a size of 680 mm in length, 880 mm in width, and 0.71 mm in thickness is provided by placing this tile target in a film forming chamber, spaced 60 mm above and facing the tile target. By carrying out magnetron sputtering while being transferred, a thin film having a thickness of 500 nm on the surface of the substrate, Al 2 O 3 : 2% by mass, and the balance of ZnO being formed is formed. 4 and conventional method 1 were carried out. As a result, in the conventional method 1 in which the inclination angle α with respect to the substrate traveling direction of the adjacent line is 0 °, a thin band portion appears on the surface of the thin film obtained, but the inclination angle α with respect to the substrate traveling direction of the adjacent line is 5 In the present invention methods 1 to 4 of °, 30 °, 45 °, and 60 °, a light-colored belt-like portion did not appear.

この発明の大型の基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング方法を説明するための平面説明図である。It is plane explanatory drawing for demonstrating the sputtering method which forms a thin film on the surface of the large sized board | substrate of this invention. この発明の大型の基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング方法を説明するための平面説明図である。It is plane explanatory drawing for demonstrating the sputtering method which forms a thin film on the surface of the large sized board | substrate of this invention. この発明の大型の基板表面に薄膜を形成するスパッタリング方法で使用するタイル状ターゲットの他の実施例を説明するための平面説明図である。It is plane explanatory drawing for demonstrating the other Example of the tile-shaped target used with the sputtering method which forms a thin film on the large sized substrate surface of this invention. この発明の大型の基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング方法を説明するための平面説明図である。It is plane explanatory drawing for demonstrating the sputtering method which forms a thin film on the surface of the large sized board | substrate of this invention. この発明の大型の基板表面に薄膜を形成するスパッタリング方法で使用するタイル状ターゲットの他の実施例を説明するための平面説明図である。It is plane explanatory drawing for demonstrating the other Example of the tile-shaped target used with the sputtering method which forms a thin film on the large sized substrate surface of this invention. 従来の基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング方法を説明するための平面説明図である。It is plane explanatory drawing for demonstrating the sputtering method which forms a thin film on the surface of the conventional board | substrate. 図６のＸ−Ｘ断面図である。It is XX sectional drawing of FIG. 従来の大型の基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング方法を説明するための平面説明図である。It is plane explanatory drawing for demonstrating the sputtering method which forms a thin film on the surface of the conventional large sized substrate. 従来のスパッタリング方法により大型の基板の表面に形成して得られた薄膜の欠点を説明するための平面説明図である。It is plane explanatory drawing for demonstrating the fault of the thin film obtained by forming on the surface of a large sized substrate with the conventional sputtering method.

符号の説明Explanation of symbols

１ ターゲット、
２ バッキングプレート、
３ 基板、
４ タイル状ターゲット、
４´ タイル状ターゲット、
４１ バッキングプレート付きターゲット
４２ タイル状ターゲット、
５ 隣接ライン、
６ 薄膜、
７ 色の薄い帯状部分 1 target,
2 backing plate,
3 substrate,
4 tile targets,
4 'tile target,
41 Target with backing plate 42 Tile target,
5 adjacent line,
6 Thin film,
7 color thin strips

Claims (2)

成膜チャンバ内に、２枚以上のターゲットが隣接してバッキングプレート上に二次元的にタイル状に敷き詰められて接合しているバッキングプレート付きターゲット（以下、このバッキングプレート付きターゲットを「タイル状ターゲット」という）を設置し、このタイル状ターゲットに対向しかつ離間して基板を前記成膜チャンバ内を移送しつつスパッタリングすることにより、大型基板表面に成膜する方法において、
前記タイル状ターゲットは、２枚以上のターゲットの隣接ラインが、基板の進行方向に対して非平行となるように二次元的にタイル状に敷き詰められて接合していることを特徴とする大型基板表面に成膜する方法。
A target with a backing plate in which two or more targets are adjacently laid in two-dimensional tiles on the backing plate and joined in the deposition chamber (hereinafter referred to as a tiled target). In a method of forming a film on the surface of a large substrate by sputtering while transporting the substrate in the film formation chamber facing and spaced apart from the tile target,
The tile-shaped target is a large substrate characterized in that adjacent lines of two or more targets are two-dimensionally tiled so as to be non-parallel to the traveling direction of the substrate. A method of forming a film on the surface.
前記タイル状ターゲットは、２枚以上のターゲットの隣接ラインが、基板の進行方向に対して５〜９０°の範囲内となるように傾斜して敷き詰められて接合していることを特徴とする請求項１記載の大型基板表面に成膜する方法。 The tile target is characterized in that adjacent lines of two or more targets are laid and joined so as to be inclined within a range of 5 to 90 ° with respect to the traveling direction of the substrate. A method for forming a film on the surface of a large substrate according to Item 1.
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