JP2008130754A - Organic electroluminescent device - Google Patents

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JP2008130754A
JP2008130754A JP2006313071A JP2006313071A JP2008130754A JP 2008130754 A JP2008130754 A JP 2008130754A JP 2006313071 A JP2006313071 A JP 2006313071A JP 2006313071 A JP2006313071 A JP 2006313071A JP 2008130754 A JP2008130754 A JP 2008130754A
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layer
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light emitting
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Hiroshi Tada
多田  宏
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent device having an excellent electroluminescent characteristics and running durability. <P>SOLUTION: The organic electroluminescent device has at least a light emission layer and an electron injection promotion layer adjacent on the negative pole side of the light emission layer between a pair of electrodes. The light emission layer contains an electroluminescent material, while the electron injection promotion layer contains an electron transport material expressed by a general expression (A-1). The electron injection promotion layer has a thickness of 3 nm or less, and the electron transport material expressed by the general expression (A-1) has an electron affinity larger than that of the electroluminescent material. In the general expression (A-1), Z<SP>A1</SP>represents a group of atoms necessary for forming a nitrogen-contained heterocycle, L<SP>A1</SP>represents a linking group, and n<SP>A1</SP>is an integer of 2 or above. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子(以下、「有機EL素子」、「発光素子」、または「EL素子」ともいう。)に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent element (hereinafter also referred to as “organic EL element”, “light emitting element”, or “EL element”) that can emit light by converting electric energy into light.

今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光(EL)素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
有機電界発光素子は、発光層もしくは発光層を含む複数の有機層を挟んだ対向電極から構成されており、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が発光層において再結合し、生成した励起子からの発光を利用するもの、又は前記励起子からエネルギー移動によって生成する他の分子の励起子からの発光を利用するものである。
発光層への電子の流れを抑制する電子移動制御層を設けることによって高効率、長寿命化する技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
また、正孔阻止層を設けることによって正孔の漏れを阻止して発光効率を向上させる技術が開示されている(例えば、特許文献2、3参照)。
しかしながら、上記のいずれの有機電界発光素子も、発光効率、耐久性が十分とは言えず、特性向上が求められている。
特開2004−273163号公報 特開2000−243571号公報 特開2000−3790号公報
Today, research and development on various display elements are active. Among them, organic electroluminescence (EL) elements are attracting attention as promising display elements because they can emit light with high luminance at a low voltage.
The organic electroluminescent element is composed of a light emitting layer or a counter electrode sandwiching a plurality of organic layers including a light emitting layer, and electrons injected from the cathode and holes injected from the anode are recombined in the light emitting layer, One that uses light emission from the generated exciton, or one that uses light emission from the exciton of another molecule generated by energy transfer from the exciton.
There has been disclosed a technique for improving the efficiency and extending the life by providing an electron transfer control layer that suppresses the flow of electrons to the light emitting layer (see, for example, Patent Document 1).
In addition, a technique for preventing the leakage of holes and improving the light emission efficiency by providing a hole blocking layer is disclosed (for example, see Patent Documents 2 and 3).
However, none of the above organic electroluminescent elements has sufficient luminous efficiency and durability, and improvement in characteristics is required.
JP 2004-273163 A JP 2000-243571 A Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-3790

本発明の目的は,発光特性、駆動耐久性がともに良好な有機電界発光素子の提供にある。   An object of the present invention is to provide an organic electroluminescence device having good light emission characteristics and driving durability.

前記実情に鑑み本発明者らは、鋭意研究を行ったところ、上記課題を解決しうることを見出し本発明を完成した。
即ち、本発明は下記の手段により達成されるものである。
In view of the above circumstances, the present inventors have conducted extensive research and found that the above problems can be solved, thereby completing the present invention.
That is, the present invention is achieved by the following means.

<1> 一対の電極間に、少なくとも発光層と該発光層の陰極側に隣接する電子注入促進層とを有する有機電界発光素子であって、該発光層が発光材料を含有し、かつ該電子注入促進層が下記一般式(A−1)で表される電子輸送材料を含有し、かつ該電子注入促進層の膜厚が3nm以下であり、かつ該一般式(A−1)で表される電子輸送材料の電子親和力が該発光材料の電子親和力以上であることを特徴とする有機電界発光素子。 <1> An organic electroluminescent element having at least a light emitting layer and an electron injection promoting layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer between a pair of electrodes, the light emitting layer containing a light emitting material, and the electrons The injection promoting layer contains an electron transport material represented by the following general formula (A-1), and the film thickness of the electron injection promoting layer is 3 nm or less, and is represented by the general formula (A-1). An organic electroluminescent device characterized in that the electron affinity of the electron transport material is equal to or higher than the electron affinity of the light emitting material.

Figure 2008130754
Figure 2008130754

(一般式(A−1)中、ZA1は含窒素ヘテロ環の形成に必要な原子群を表す。LA1は連結基を表す。nA1は2以上の整数を表す。) (In General Formula (A-1), Z A1 represents an atomic group necessary for forming a nitrogen-containing heterocycle. L A1 represents a linking group. N A1 represents an integer of 2 or more.)

<2> 前記発光層がホスト材料を含有し、かつ前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料の電子親和力が該ホスト材料の電子親和力以上であることを特徴とする上記<1>に記載の有機電界発光素子。 <2> The light emitting layer contains a host material, and the electron affinity of the electron transport material represented by the general formula (A-1) is equal to or higher than the electron affinity of the host material <1 The organic electroluminescent element of>.

<3> 前記発光材料が燐光発光材料であることを特徴とする上記<1>又は<2>に記載の有機電界発光素子。
<4> 前記電子注入促進層に含有される前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料の電子親和力が2.7eV以上であることを特徴とする上記<1>〜<3>のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
<3> The organic electroluminescent element as described in <1> or <2> above, wherein the light emitting material is a phosphorescent material.
<4> The above <1> to <3>, wherein an electron affinity of the electron transport material represented by the general formula (A-1) contained in the electron injection promoting layer is 2.7 eV or more. Organic electroluminescent element as described in any one of these.

<5> 前記電子注入促進層の膜厚が0.1〜2nmであることを特徴とする上記<1>〜<4>のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
<6> 前記電子注入促進層に含有される前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料が、窒素原子を3個以上含有する材料であることを特徴とする上記<1>〜<5>のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
<5> The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <4>, wherein the electron injection promoting layer has a thickness of 0.1 to 2 nm.
<6> The <1> to <1>, wherein the electron transport material represented by the general formula (A-1) contained in the electron injection promoting layer is a material containing three or more nitrogen atoms. The organic electroluminescent element as described in any one of <5>.

<7> 前記ホスト材料がカルバゾール基を有することを特徴とする上記<2>〜<6>のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
<8> 前記電子注入促進層の陰極側に隣接して、下記一般式(C)で示される化合物を含む電子輸送層を設けることを特徴とする上記<1>〜<7>のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
<7> The organic electroluminescent element according to any one of <2> to <6>, wherein the host material has a carbazole group.
<8> Any one of the above <1> to <7>, wherein an electron transport layer containing a compound represented by the following general formula (C) is provided adjacent to the cathode side of the electron injection promoting layer. The organic electroluminescent element according to item.

Figure 2008130754
Figure 2008130754

(式中、R〜Rのうち少なくとも1つ以上は置換基を表し、残りは水素原子を表す。Mはアルミニウム、ガリウム、又はインジウムを表す。Yは置換基を有していても良い芳香族基またはシリル基を表す。) (In the formula, at least one of R 1 to R 6 represents a substituent, and the rest represents a hydrogen atom. M represents aluminum, gallium, or indium. Y may have a substituent. Represents an aromatic group or a silyl group.)

本発明によれば、発光特性、駆動耐久性がともに良好な有機電界発光素子の提供にある。   According to the present invention, there is provided an organic electroluminescent device having good light emission characteristics and driving durability.

[有機電界発光素子]
以下、本発明の有機電界発光素子(以下、適宜「有機EL素子」と称する場合がある。)について詳細に説明する。
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に少なくとも発光層と該発光層の陰極側に隣接する電子注入促進層とを有する有機電界発光素子であって、該発光層が発光材料を含有し、かつ該電子注入促進層が後述の一般式(A−1)で表される電子輸送材料を含有し、かつ該電子注入促進層の膜厚が3nm以下であり、かつ該一般式(A−1)で表される電子輸送材料の電子親和力が該発光材料の電子親和力以上であることを特徴とする。
本発明の有機電界発光素子は、上記構成としたことにより、発光効率を向上させ、同時に駆動耐久性に優れた効果を奏することができる。
[Organic electroluminescence device]
Hereinafter, the organic electroluminescent element of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “organic EL element” as appropriate) will be described in detail.
The organic electroluminescent device of the present invention is an organic electroluminescent device having at least a light emitting layer and an electron injection promoting layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer between a pair of electrodes, and the light emitting layer contains a light emitting material. And the electron injection promoting layer contains an electron transport material represented by the following general formula (A-1), the film thickness of the electron injection promoting layer is 3 nm or less, and the general formula (A The electron affinity of the electron transport material represented by -1) is greater than or equal to the electron affinity of the light emitting material.
Since the organic electroluminescent element of the present invention has the above-described configuration, it is possible to improve luminous efficiency and at the same time have an effect of excellent driving durability.

本発明の発光素子が駆動耐久性及び発光特性(発光効率)において優れた効果を奏することについては、以下のようなメカニズムにより機能しているものと推測している。
本発明における電子注入促進層においては、含有する一般式(A−1)で表される電子輸送材料が発光層への電子の注入を向上させることによって発光層中でのキャリアバランスを向上させ発光効率を向上させる機能を持つ。含有する一般式(A−1)で表される電子輸送材料の電子親和力を該発光材料の電子親和力以上とすることにより電子注入を促進させ、このために発光効率が向上する。ただし、電子注入促進層を厚くすると含有する一般式(A−1)で表される電子輸送材料にホールが注入されて分解しやすくなる。一般に、発光層に隣接して電子輸送材料からなる厚い層を形成すると正孔阻止層として機能し、発光層からのホールの漏れを阻止することによって発光効率を向上させることができる。しかし、含有する電子輸送材料にホールが注入されることによって分解しやすくなるために素子の耐久性は低い。これは一般に電子輸送材料はホールの注入に対して耐性が弱いからである。
本発明においては、電子注入促進層の膜厚を3nm以下とすることにより、該電子輸送材料の分解が防がれて素子耐久性が向上する。これは電子注入促進層が厳密には膜状態ではなく島状になっているため、該電子輸送材料にホールが注入されにくくなっている。即ち、島状構造であると発光層から漏れるホールは電子注入促進層には入らず隣接する次の層に通過するため該電子輸送材料の劣化が防がれると考えられる。
尚、本発明における膜厚は、平均膜厚を指す。それぞれの材料の50〜200nm程度の膜厚の単膜を成膜してその膜厚を段差計あるいは光学式膜厚系等の手段で測定しておき、素子作成時にはその換算値から成膜膜厚を設定する。
また、本発明においては発光材料として燐光発光材料を適用することにより特に大きな効果が得られる。燐光発光素子は蛍光発光素子と比べて原理的に4倍の発光効率が得られるため、高効率化のためには重要な技術である。燐光発光素子においては励起子寿命が長いために発光層中におけるキャリアバランスのずれが発光効率に大きく影響するが、本発明によってこのキャリアバランスを向上させることが可能となる。
It is presumed that the light-emitting element of the present invention has an excellent effect in driving durability and light-emitting characteristics (light-emitting efficiency) by the following mechanism.
In the electron injection promoting layer of the present invention, the electron transport material represented by the general formula (A-1) contained improves the carrier balance in the light emitting layer by improving the injection of electrons into the light emitting layer, and emits light. Has the ability to improve efficiency. Electron injection is promoted by setting the electron affinity of the electron transport material represented by the general formula (A-1) contained to be equal to or higher than the electron affinity of the light emitting material, thereby improving the light emission efficiency. However, when the electron injection promoting layer is thickened, holes are injected into the electron transport material represented by the general formula (A-1) to be contained and are easily decomposed. In general, when a thick layer made of an electron transport material is formed adjacent to the light emitting layer, it functions as a hole blocking layer, and light emission efficiency can be improved by preventing leakage of holes from the light emitting layer. However, since the holes are easily injected into the electron transport material contained therein, the element has low durability. This is because electron transport materials generally have poor resistance to hole injection.
In the present invention, by setting the film thickness of the electron injection promoting layer to 3 nm or less, the electron transport material is prevented from being decomposed and the element durability is improved. Strictly speaking, the electron injection promoting layer is not in a film state but in an island shape, so that holes are hardly injected into the electron transport material. That is, it is considered that when the island-shaped structure is used, holes leaking from the light-emitting layer do not enter the electron injection promoting layer and pass to the next adjacent layer, thereby preventing deterioration of the electron transport material.
In addition, the film thickness in this invention points out an average film thickness. A single film having a film thickness of about 50 to 200 nm of each material is formed, and the film thickness is measured by means such as a step meter or an optical film thickness system. Set the thickness.
In the present invention, a particularly large effect can be obtained by applying a phosphorescent material as the light emitting material. A phosphorescent light-emitting element is an important technique for achieving high efficiency because it can in principle have a luminous efficiency four times that of a fluorescent light-emitting element. In the phosphorescent light emitting device, exciton lifetime is long, and thus a shift in carrier balance in the light emitting layer greatly affects the light emission efficiency. However, according to the present invention, this carrier balance can be improved.

本発明における電子親和力は、単層膜の吸収スペクトルの長波端からバンドギャップを算出し、これと別に測定したイオン化ポテンシャル(Ip)の値から電子親和力を求め、この値で規定する。
該イオン化ポテンシャルは紫外線光電子分析装置AC−1(理研計器社)を用いて室温・大気下で測定した値で規定する。AC−1の測定原理については、安達千波矢等著「有機薄膜仕事関数データ集」シーエムシー出版社2004年発行に記載されている。
該イオン化ポテンシャルが6.2eVを超える材料については、測定範囲の問題からUSP(真空紫外光電子分光)法を用いる。
The electron affinity in the present invention is defined by calculating the band gap from the long wave end of the absorption spectrum of the single layer film, obtaining the electron affinity from the value of ionization potential (Ip) measured separately from this, and defining this value.
The ionization potential is defined by a value measured at room temperature and in the atmosphere using an ultraviolet photoelectron analyzer AC-1 (Riken Keiki Co., Ltd.). The measurement principle of AC-1 is described in Chiyaya Adachi et al., “Organic thin film work function data collection” issued by CMC Publishing Co., Ltd. 2004.
For materials whose ionization potential exceeds 6.2 eV, USP (vacuum ultraviolet photoelectron spectroscopy) is used because of the problem of measurement range.

次に、本発明の有機電界発光素子における構成について説明する。
本発明の発光素子は一対の陰極と陽極を有し、両電極の間に少なくとも発光層と、該発光層の陰極側に隣接する電子注入促進層から構成される。前記陰極及び陽極は基板上に形成されることが好ましい。更に該発光層と陽極との間、及び電子注入促進層と陰極との間には他の有機化合物層を有していてもよい。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。通常の場合、陽極が透明である。
本発明における有機電界発光素子の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子注入促進層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。
本発明において、一対の電極間に有する発光層を含む前記各層は、総称して「有機化合物層」ともいう。
次に、本発明を構成する要素について、詳細に説明する。
Next, the structure in the organic electroluminescent element of this invention is demonstrated.
The light emitting device of the present invention has a pair of a cathode and an anode, and is composed of at least a light emitting layer between both electrodes and an electron injection promoting layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer. The cathode and the anode are preferably formed on a substrate. Further, another organic compound layer may be provided between the light emitting layer and the anode and between the electron injection promoting layer and the cathode. In view of the properties of the light emitting element, at least one of the anode and the cathode is preferably transparent. Usually, the anode is transparent.
As an aspect of the lamination of the organic electroluminescent element in the present invention, an aspect in which the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron injection promoting layer are laminated in this order from the anode side is preferable. Furthermore, you may have a charge block layer etc. between the positive hole transport layer and the light emitting layer.
In the present invention, each of the layers including a light emitting layer between a pair of electrodes is collectively referred to as an “organic compound layer”.
Next, the elements constituting the present invention will be described in detail.

<基板>
本発明で使用することができる基板としては、発光層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム(YSZ)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料が挙げられる。
<Board>
The substrate that can be used in the present invention is preferably a substrate that does not scatter or attenuate light emitted from the light emitting layer. Specific examples thereof include zirconia stabilized yttrium (YSZ), inorganic materials such as glass, polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, and polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, and polycycloolefin. , Organic materials such as norbornene resin and poly (chlorotrifluoroethylene).

例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されていてもよい。
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層(ガスバリア層)を設けることができる。
透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
For example, when glass is used as the substrate, it is preferable to use non-alkali glass as the material in order to reduce ions eluted from the glass. Moreover, when using soda-lime glass, it is preferable to use what gave barrier coatings, such as a silica. In the case of an organic material, it is preferable that it is excellent in heat resistance, dimensional stability, solvent resistance, electrical insulation, and workability.
There is no restriction | limiting in particular about the shape of a board | substrate, a structure, a magnitude | size, It can select suitably according to the use, purpose, etc. of a light emitting element. In general, the shape of the substrate is preferably a plate shape. The structure of the substrate may be a single layer structure, a laminated structure, may be formed of a single member, or may be formed of two or more members.
The substrate may be colorless and transparent or colored and transparent, but is preferably colorless and transparent in that it does not scatter or attenuate light emitted from the light emitting layer.
The substrate can be provided with a moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) on the front surface or the back surface.
As a material for the moisture permeation preventive layer (gas barrier layer), inorganic materials such as silicon nitride and silicon oxide are preferably used. The moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high frequency sputtering method.
When a thermoplastic substrate is used, a hard coat layer, an undercoat layer, or the like may be further provided as necessary.

<陽極>
陽極は、通常、前記有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
<Anode>
The anode usually has a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element. Thus, it can be appropriately selected from known electrode materials. As described above, the anode is usually provided as a transparent anode.

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられ、仕事関数が4.0eV以上の材料が好ましい。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとITOとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはITOが好ましい。   As a material of the anode, for example, a metal, an alloy, a metal oxide, a conductive compound, or a mixture thereof can be suitably cited, and a material having a work function of 4.0 eV or more is preferable. Specific examples of the anode material include conductive metals such as tin oxide (ATO, FTO) doped with antimony or fluorine, tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. Metals such as oxides, gold, silver, chromium, nickel, and mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, polyaniline, polythiophene, polypyrrole, etc. Organic conductive materials, and a laminate of these and ITO. Among these, conductive metal oxides are preferable, and ITO is particularly preferable from the viewpoints of productivity, high conductivity, transparency, and the like.

陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ITOを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、10nm〜50μm程度であり、50nm〜20μmが好ましい。
The anode is composed of, for example, a wet method such as a printing method and a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method, and a chemical method such as a CVD and a plasma CVD method. It can be formed on the substrate according to a method appropriately selected in consideration of suitability with the material to be processed. For example, when ITO is selected as the anode material, the anode can be formed according to a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, or the like.
In the organic electroluminescent element of the present invention, the formation position of the anode is not particularly limited and can be appropriately selected according to the use and purpose of the light emitting element, but it is preferably formed on the substrate. In this case, the anode may be formed on the entire one surface of the substrate, or may be formed on a part thereof.
The patterning for forming the anode may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching such as laser, or vacuum deposition or sputtering with a mask overlapped. It may be performed by a lift-off method or a printing method.
The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material constituting the anode and cannot be generally defined, but is usually about 10 nm to 50 μm, and preferably 50 nm to 20 μm.

陽極の抵抗値としては、10Ω/□以下が好ましく、10Ω/□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊(1999)に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ITO又はIZOを使用し、150℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
The resistance value of the anode is preferably 10 3 Ω / □ or less, and more preferably 10 2 Ω / □ or less. When the anode is transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent. In order to take out light emission from the transparent anode side, the transmittance is preferably 60% or more, and more preferably 70% or more.
The transparent anode is detailed in Yutaka Sawada's “New Development of Transparent Conductive Film” published by CMC (1999), and the matters described here can be applied to the present invention. In the case of using a plastic substrate having low heat resistance, a transparent anode formed using ITO or IZO at a low temperature of 150 ° C. or lower is preferable.

<陰極>
陰極は、通常、前記有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられ、仕事関数が4.5eV以下のものが好ましい。具体例としてはアルカリ金属(たとえば、Li、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(たとえばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。
なお、陰極の材料については、特開平2−15595号公報、特開平5−121172号公報に詳述されており、これらの公報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
<Cathode>
The cathode usually has a function as an electrode for injecting electrons into the organic compound layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element. , Can be appropriately selected from known electrode materials.
Examples of the material constituting the cathode include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof, and those having a work function of 4.5 eV or less are preferable. Specific examples include alkali metals (eg, Li, Na, K, Cs, etc.), alkaline earth metals (eg, Mg, Ca, etc.), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys, lithium-aluminum alloys, magnesium. -Rare earth metals such as silver alloys, indium, ytterbium, and the like. These may be used alone, but two or more can be suitably used in combination from the viewpoint of achieving both stability and electron injection.
Among these, as a material constituting the cathode, an alkali metal or an alkaline earth metal is preferable from the viewpoint of electron injecting property, and a material mainly composed of aluminum is preferable from the viewpoint of excellent storage stability.
The material mainly composed of aluminum is aluminum alone, an alloy of aluminum and 0.01 to 10% by mass of alkali metal or alkaline earth metal, or a mixture thereof (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum alloy, etc.) Say.
The cathode materials are described in detail in JP-A-2-15595 and JP-A-5-121172, and the materials described in these publications can also be applied in the present invention.

陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1〜5nmの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
There is no restriction | limiting in particular about the formation method of a cathode, According to a well-known method, it can carry out. For example, the cathode described above is configured from a wet method such as a printing method or a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, or a chemical method such as CVD or plasma CVD method. It can be formed according to a method appropriately selected in consideration of suitability with the material. For example, when a metal or the like is selected as the cathode material, one or more of them can be simultaneously or sequentially performed according to a sputtering method or the like.
Patterning when forming the cathode may be performed by chemical etching such as photolithography, physical etching by laser, or the like, or by vacuum deposition or sputtering with the mask overlaid. It may be performed by a lift-off method or a printing method.
In the present invention, the cathode formation position is not particularly limited, and may be formed on the entire organic compound layer or a part thereof.
Further, a dielectric layer made of an alkali metal or alkaline earth metal fluoride or oxide may be inserted between the cathode and the organic compound layer with a thickness of 0.1 to 5 nm. This dielectric layer can also be regarded as a kind of electron injection layer. The dielectric layer can be formed by, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like.

陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常10nm〜5μm程度であり、50nm〜1μmが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を1〜10nmの厚さに薄く成膜し、更にITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material constituting the cathode and cannot be generally defined, but is usually about 10 nm to 5 μm, and preferably 50 nm to 1 μm.
Further, the cathode may be transparent or opaque. The transparent cathode can be formed by depositing a thin cathode material to a thickness of 1 to 10 nm and further laminating a transparent conductive material such as ITO or IZO.

<有機化合物層>
本発明の有機電界発光素子は、前記発光層、該発光層の陰極側に隣接する電子注入促進層を有するが、前述の通りその他の層を含んでもよい。
該前述のその他の層としては、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
これらの層の詳細については後述する。
<Organic compound layer>
The organic electroluminescent element of the present invention has the light emitting layer and an electron injection promoting layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer, but may include other layers as described above.
Examples of the other layers include a hole transport layer, an electron transport layer, a charge blocking layer, a hole injection layer, and an electron injection layer.
Details of these layers will be described later.

−有機化合物層の形成−
本発明の有機電界発光素子における有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
-Formation of organic compound layer-
Each layer constituting the organic compound layer in the organic electroluminescent element of the present invention can be suitably formed by any of a dry film forming method such as a vapor deposition method and a sputtering method, a transfer method, and a printing method.

−発光層−
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層は発光材料を含有するが、ホスト材料と該発光材料をドーパントとして含有することが好ましく、該発光材料は燐光発光材料であることがより好ましい。
該ホスト材料としては、特に限定されるものではないが、電荷輸送材料であることが好ましい。
また、発光層は1層であっても2層以上であってもよい。
発光層に含有される燐光発光材料は、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体である。
遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer−Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
-Light emitting layer-
The light-emitting layer receives holes from the anode, the hole injection layer, or the hole transport layer when an electric field is applied, receives electrons from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer, and recombines holes and electrons. It is a layer which has the function to provide and to emit light.
The light emitting layer in the present invention contains a light emitting material, but preferably contains a host material and the light emitting material as a dopant, and the light emitting material is more preferably a phosphorescent light emitting material.
The host material is not particularly limited, but is preferably a charge transport material.
The light emitting layer may be a single layer or two or more layers.
The phosphorescent material contained in the light emitting layer is generally a complex containing a transition metal atom or a lanthanoid atom.
Although it does not specifically limit as a transition metal atom, Preferably, ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, and platinum are mentioned, More preferably, they are rhenium, iridium, and platinum.
Examples of lanthanoid atoms include lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium. Among these lanthanoid atoms, neodymium, europium, and gadolinium are preferable.
Examples of the ligand of the complex include G.I. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987, H.C. Examples include ligands described in Yersin's "Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds" published by Springer-Verlag 1987, Akio Yamamoto "Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications-" .

具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトンなど)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子など)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
燐光発光材料は、発光層中に、0.1〜20質量%含有されることが好ましく、0.5〜10質量%含有されることがより好ましい。
Specific ligands are preferably halogen ligands (preferably chlorine ligands), nitrogen-containing heterocyclic ligands (eg, phenylpyridine, benzoquinoline, quinolinol, bipyridyl, phenanthroline, etc.), diketones Ligand (for example, acetylacetone), carboxylic acid ligand (for example, acetic acid ligand), carbon monoxide ligand, isonitrile ligand, cyano ligand, more preferably nitrogen-containing Heterocyclic ligand. The complex may have one transition metal atom in the compound, or may be a so-called binuclear complex having two or more. Different metal atoms may be contained at the same time.
The phosphorescent material is preferably contained in the light emitting layer in an amount of 0.1 to 20% by mass, and more preferably 0.5 to 10% by mass.

また、本発明における発光層に含有することができるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するもの等が挙げられ、特に限定するものではないが、中でもカルバゾール骨格を有するものが好ましい。
ホスト材料のT(最低多重項励起状態のエネルギーレベル)は、ドーパント材料のTレベルより大きいことが好ましい。なお、ホスト材料とドーパント材料とを共蒸着することによって、ドーパント材料がホスト材料にドープされた発光層を好適に形成することができる。
Examples of the host material that can be contained in the light emitting layer in the present invention include those having a carbazole skeleton, those having a diarylamine skeleton, those having a pyridine skeleton, those having a pyrazine skeleton, those having a triazine skeleton And those having an arylsilane skeleton, and the like. Although not particularly limited, those having a carbazole skeleton are preferred.
The T 1 of the host material (the energy level of the lowest multiplet excited state) is preferably greater than the T 1 level of the dopant material. Note that by co-evaporating the host material and the dopant material, a light-emitting layer in which the dopant material is doped into the host material can be suitably formed.

発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
ホスト材料は、発光層中に、50〜99.9質量%含有されることが好ましく、70〜99.9質量%含有されることがより好ましい。
Although the thickness of a light emitting layer is not specifically limited, Usually, it is preferable that they are 1 nm-500 nm, it is more preferable that they are 5 nm-200 nm, and it is still more preferable that they are 10 nm-100 nm.
The host material is preferably contained in the light emitting layer in an amount of 50 to 99.9% by mass, and more preferably 70 to 99.9% by mass.

−電子注入促進層−
電子注入促進層は、陰極側から発光層への電子注入を促進する機能を有する層である。本発明においては、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、電子注入促進層を設ける。
該電子注入促進層に含有される前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料の電子親和力は、発光材料の電子親和力以上である必要があり、発光層に効率良く電子を注入するという観点から、発光層がホスト材料を含有する場合、前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料の電子親和力は、該ホスト材料の電子親和力以上であることが好ましい。
前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料の電子親和力は、中でも、2.7eV以上であることが好ましく、2.7eV以上4.1eV以下がより好ましく、2.9eV以上3.9eV以下がさらに好ましく、3.2eV以上3.9eV以下が特に好ましい。
該電子注入促進層の膜厚は、3nm以下が必須であるが、0.1〜2nmがより好ましく、0.1nm〜1nmが更に好ましく、0.2〜0.8nmが特に好ましい。
-Electron injection promotion layer-
The electron injection promoting layer is a layer having a function of promoting electron injection from the cathode side to the light emitting layer. In the present invention, an electron injection promoting layer is provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side.
The electron affinity of the electron transport material represented by the general formula (A-1) contained in the electron injection promoting layer needs to be equal to or higher than the electron affinity of the light emitting material, and efficiently injects electrons into the light emitting layer. In view of the above, when the light emitting layer contains a host material, the electron affinity of the electron transport material represented by the general formula (A-1) is preferably equal to or higher than the electron affinity of the host material.
In particular, the electron affinity of the electron transport material represented by the general formula (A-1) is preferably 2.7 eV or more, more preferably 2.7 eV or more and 4.1 eV or less, and 2.9 eV or more and 3. 9 eV or less is more preferable, and 3.2 eV or more and 3.9 eV or less is particularly preferable.
The thickness of the electron injection promoting layer is essentially 3 nm or less, more preferably 0.1 to 2 nm, still more preferably 0.1 nm to 1 nm, and particularly preferably 0.2 to 0.8 nm.

前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料としては、窒素原子を3個以上含有する材料であることが好ましい。
前記電子輸送材料としては、例えば、アゾール類(例えば、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、トリアゾール、チアゾール、チアジアゾール、及び、その誘導体(縮合体も含む)等が挙げられる。)、アジン類(例えば、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、及び、その誘導体(縮合体も含む)等が挙げられる。)、有機シラン類(例えば、シロール、アリール置換シラン、及び、その誘導体(縮合体も含む)等が挙げられる。)、フッ素置換芳香族炭価水素環類、8−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、及びそれらの誘導体等が挙げられる。
The electron transport material represented by the general formula (A-1) is preferably a material containing three or more nitrogen atoms.
Examples of the electron transport material include azoles (for example, oxazole, oxadiazole, imidazole, triazole, thiazole, thiadiazole, and derivatives thereof (including condensates)), azines (for example, And pyridine, pyrimidine, triazine, and derivatives thereof (including condensates), and organic silanes (eg, silole, aryl-substituted silane, and derivatives thereof (including condensates)). ), Fluorine-substituted aromatic hydrocarbon rings, metal complexes of 8-quinolinol, metal phthalocyanine, various metal complexes represented by metal complexes having benzoxazole or benzothiazole as a ligand, and derivatives thereof. .

本発明で用いる前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料として好ましくは、アゾール化合物、アジン化合物である。   The electron transport material represented by the general formula (A-1) used in the present invention is preferably an azole compound or an azine compound.

次に、前記一般式(A−1)で表される化合物について説明する。   Next, the compound represented by the general formula (A-1) will be described.

Figure 2008130754
Figure 2008130754

一般式(A−1)中、ZA1は含窒素ヘテロ環の形成に必要な原子群を表す。LA1は連結基を表す。nA1は2以上の整数を表す。 In General Formula (A-1), Z A1 represents an atomic group necessary for forming a nitrogen-containing heterocycle. L A1 represents a linking group. n A1 represents an integer of 2 or more.

一般式(A−1)におけるLA1は、連結基を表す。LA1で表される連結基としては、好ましくは、単結合の他、炭素原子、ケイ素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子、ゲルマニウム原子等で形成される連結基であり、より好ましくは単結合、炭素原子、ケイ素原子、ホウ素原子、酸素原子、硫黄原子、ゲルマニウム原子、芳香族炭化水素環、芳香族ヘテロ環であり、さらに好ましくは炭素原子、ケイ素原子、芳香族炭化水素環、芳香族ヘテロ環であり、さらに好ましくは、二価以上の芳香族炭化水素環、二価以上の芳香族ヘテロ環、炭素原子であり、さらに好ましくは、二価以上の芳香族炭化水素環、二価以上の芳香族ヘテロ環であり、特に好ましくは1,3,5−ベンゼントリイル基、1,2,5,6−ベンゼンテトライル基、1,2,3,4,5,6−ベンゼンヘキサイル基、2,2’−ジメチル−4,4’−ビフェニレン基、2,4,6−ピリジントリイル基、2,3,4,5,6−ピリジンペンタイル基、2,4,6−ピリミジントリイル基、2,4,6−トリアジントリイル基、2,3,4,5−チオフェンテトライル基である。LA1で表される連結基の具体例としては以下のものが挙げられる。 L A1 in the general formula (A-1) represents a linking group. The linking group represented by L A1 is preferably a linking group formed of a carbon atom, a silicon atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom, an oxygen atom, a boron atom, a germanium atom, etc. in addition to a single bond. More preferably a single bond, a carbon atom, a silicon atom, a boron atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a germanium atom, an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocycle, and still more preferably a carbon atom, a silicon atom or an aromatic ring. A hydrocarbon ring, an aromatic heterocycle, more preferably a divalent or higher aromatic hydrocarbon ring, a divalent or higher aromatic heterocycle, or a carbon atom, more preferably a divalent or higher aromatic carbon ring. A hydrogen ring or a divalent or higher aromatic heterocycle, particularly preferably 1,3,5-benzenetriyl group, 1,2,5,6-benzenetetrayl group, 1,2,3,4,5 , 6-Benze Hexayl group, 2,2′-dimethyl-4,4′-biphenylene group, 2,4,6-pyridinetriyl group, 2,3,4,5,6-pyridinepentyl group, 2,4,6- A pyrimidine triyl group, a 2,4,6-triazine triyl group, and a 2,3,4,5-thiophenetetrayl group. Specific examples of the linking group represented by L A1 include the following.

Figure 2008130754
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Figure 2008130754
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Figure 2008130754
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A1は置換基を有していてもよく、置換基としては例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。)、アミノ基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜10であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。)、 L A1 may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 10 carbon atoms; For example, methyl, ethyl, iso-propyl, tert-butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, etc.), an alkenyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms) Preferably it is C2-C20, Most preferably, it is C2-C10, for example, vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl etc.), an alkynyl group (preferably C2-C30, more) Preferably it is C2-C20, Most preferably, it is C2-C10, for example, a propargyl, 3-pentynyl, etc. are mentioned. ), An aryl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, and anthranyl). An amino group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 10 carbon atoms, such as amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, Ditolylamino, etc.),

アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる。)、ヘテロ環オキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、 An alkoxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy, etc.), An aryloxy group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy and the like. ), A heterocyclic oxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy and the like.) An acyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably carbon number) -12, for example, acetyl, benzoyl, formyl, pivaloyl, etc.), an alkoxycarbonyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms). For example, methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, etc.)

アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、 An aryloxycarbonyl group (preferably having a carbon number of 7 to 30, more preferably a carbon number of 7 to 20, particularly preferably a carbon number of 7 to 12, such as phenyloxycarbonyl), an acyloxy group (preferably carbon 2 to 30, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, such as acetoxy and benzoyloxy), acylamino group (preferably 2 to 30 carbon atoms, more preferably Has 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include acetylamino, benzoylamino and the like, and an alkoxycarbonylamino group (preferably 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 carbon atoms). -20, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonylamino An aryloxycarbonylamino group (preferably having 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonylamino). A sulfonylamino group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methanesulfonylamino and benzenesulfonylamino).

スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えばスルファモイル、メチルスメチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロ環チオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。)、 Sulfamoyl group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 0 to 12 carbon atoms, such as sulfamoyl, methylsmethylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl, phenylsulfamoyl ), A carbamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, phenylcarbamoyl, etc. An alkylthio group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms such as methylthio and ethylthio), an arylthio group. (Preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 6 carbon atoms. 0, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio, etc.), a heterocyclic thio group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 carbon atom). For example, pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio, etc.), a sulfonyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably carbon 1 to 20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as mesyl and tosyl), sulfinyl group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably Having 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfinyl, benzenesulfinyl, etc.),

ウレイド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。)、シリルオキシ基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。)などが挙げられる。 Ureido group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include ureido, methylureido, phenylureido), phosphoric acid amide group (Preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as diethyl phosphoric acid amide and phenyl phosphoric acid amide), hydroxy group, mercapto Group, halogen atom (eg fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, sulfo group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, heterocyclic group (preferably It has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms. Examples of the hetero atom include a nitrogen atom and an oxygen atom. A sulfur atom, specifically, imidazolyl, pyridyl, quinolyl, furyl, thienyl, piperidyl, morpholino, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzthiazolyl, carbazolyl group, azepinyl group, etc.), silyl group (preferably 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, for example, trimethylsilyl, triphenylsilyl, etc.), silyloxy group (preferably 3 to 40 carbon atoms, More preferably, it has 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, and examples thereof include trimethylsilyloxy, triphenylsilyloxy and the like.

これらの置換基は更に置換されてもよい。置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、フッ素原子である。   These substituents may be further substituted. The substituent is preferably an alkyl group, an aryl group, a heterocyclic group, a halogen atom or a silyl group, more preferably an alkyl group, an aryl group, a heterocyclic group or a halogen atom, still more preferably an alkyl group or an aryl group. An aromatic heterocyclic group or a fluorine atom.

一般式(A−1)中、ZA1は含窒素ヘテロ環を形成するに必要な原子群を表し、ZA1を含む含窒素ヘテロ環は単環であっても二環以上の環が縮合した縮環であっても良い。ZA1を含む含窒素ヘテロ環として好ましくは、5〜8員の含窒素ヘテロ環であり、より好ましくは5〜7員の含窒素ヘテロ環であり、更に好ましくは5又は6員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、特に好ましくは5員の芳香族ヘテロ環である。LA1に連結する複数の、ZA1を含む含窒素ヘテロ環は、同一でも異なっていてもよい。 In General Formula (A-1), Z A1 represents an atomic group necessary to form a nitrogen-containing heterocycle, and even if the nitrogen-containing heterocycle containing Z A1 is a single ring, two or more rings are condensed. It may be a condensed ring. The nitrogen-containing heterocycle containing Z A1 is preferably a 5- to 8-membered nitrogen-containing heterocycle, more preferably a 5- to 7-membered nitrogen-containing heterocycle, and even more preferably a 5- or 6-membered nitrogen-containing aromatic. And particularly preferably a 5-membered aromatic heterocycle. A plurality of nitrogen-containing heterocycles containing Z A1 connected to L A1 may be the same or different.

A1を含む含窒素ヘテロ環の具体例としては、例えばピロール環、インドール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、チアザイゾール環、アザインドール環、カルバゾール環、カルボリン環(ノルハルマン環)、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、イミダゾピリジン環、プリン環、ピラゾ−ル環、インダゾール環、アザインダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、アゼピン環、イミノスチルベン環(ジベンゾアゼピン環)、トリベンゾアゼピン環、フェノチアジン環、フェノキサジン環等が挙げられ、好ましくはオキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、イミダゾピリジン環であり、より好ましくはベンゾイミダゾール環、イミダゾピリジン環である。
A1は可能であればさらに他の環と縮合環を形成してもよく、また置換基を有していても良い。ZA1の置換基としては、例えば一般式(A−1)におけるLA1の置換基として挙げたものが適用でき、好ましい範囲も同様である。
A1は2以上の整数を表し、好ましくは2〜8、より好ましくは2〜6を表す。
Specific examples of the nitrogen-containing hetero ring containing Z A1, for example a pyrrole ring, indole ring, an oxazole ring, oxadiazole ring, thiazole ring, Chiazaizoru ring, azaindole ring, a carbazole ring, a carboline ring (norharman ring), imidazole Ring, benzimidazole ring, imidazopyridine ring, purine ring, pyrazole ring, indazole ring, azaindazole ring, triazole ring, tetrazole ring, azepine ring, iminostilbene ring (dibenzoazepine ring), tribenzoazepine ring, phenothiazine ring A oxadiazole ring, a triazole ring, an imidazole ring, a benzimidazole ring, and an imidazopyridine ring, and more preferably a benzimidazole ring and an imidazopyridine ring.
Z A1 may further form a condensed ring with another ring, if possible, and may have a substituent. As the substituent for Z A1 , for example, those exemplified as the substituent for L A1 in formula (A-1) can be applied, and the preferred range is also the same.
n A1 represents an integer of 2 or more, preferably 2 to 8, more preferably 2 to 6.

本発明における化合物、一般式(A−1)は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物(重量平均分子量(ポリスチレン換算)は好ましくは1000〜5000000、より好ましくは2000〜1000000、さらに好ましくは3000〜100000である。)であっても良いが、本発明における化合物は低分子化合物が好ましい。
以下に、本発明における前記一般式(A−1)の具体例を列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
The compound in the present invention, the general formula (A-1) may be a low molecular compound, and an oligomer compound or a polymer compound (weight average molecular weight (polystyrene conversion) is preferably 1000 to 5000000, more preferably 2000 to 1000000. Further, it may be 3000 to 100,000, but the compound in the present invention is preferably a low molecular compound.
Specific examples of the general formula (A-1) in the present invention are listed below, but the present invention is not limited to these compounds.

Figure 2008130754
Figure 2008130754

Figure 2008130754
Figure 2008130754

Figure 2008130754
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本発明における電子注入促進層に用いる前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料は、単独で用いても、複数種を併用してもよい。
本発明における電子注入促進層の好ましい形態の一つは、前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料のみから構成されることであるが、さらに別の材料を含有することも可能である。
電子注入促進層中に、前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料は、50〜99.9質量%含有することが好ましく、70〜99.9質量%含有することがより好ましく、80〜99.9質量%含有することがさらに好ましく、100質量%含有することが最も好ましい。
The electron transport material represented by the general formula (A-1) used for the electron injection promoting layer in the present invention may be used alone or in combination.
One of the preferred modes of the electron injection promoting layer in the present invention is that it is composed only of the electron transport material represented by the general formula (A-1), but it can also contain another material. It is.
In the electron injection promoting layer, the electron transport material represented by the general formula (A-1) is preferably contained in an amount of 50 to 99.9% by mass, and more preferably 70 to 99.9% by mass. 80 to 99.9% by mass is more preferable, and 100% by mass is most preferable.

−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。発光層の陽極側に正孔輸送層を設けることによりホールの輸送を促進することが可能である。また、正孔輸送層よりも陽極側にさらに正孔注入層を設けることによって陽極からのホールの注入を促進することが可能である。
-Hole injection layer, hole transport layer-
The hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side. By providing a hole transport layer on the anode side of the light emitting layer, hole transport can be promoted. Moreover, it is possible to promote the injection of holes from the anode by providing a hole injection layer further on the anode side than the hole transport layer.

正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。   Specifically, the hole injection layer and the hole transport layer are carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamines. Derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, organosilane derivatives, carbon , Etc. are preferable.

正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々50nm以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、5〜50nmであることが好ましく、10〜40mであることが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、0.5〜50nmであることが好ましく、1〜40nmであることが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
The thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer are each preferably 50 nm or less from the viewpoint of lowering the driving voltage.
The thickness of the hole transport layer is preferably 5 to 50 nm, and more preferably 10 to 40 m. In addition, the thickness of the hole injection layer is preferably 0.5 to 50 nm, and more preferably 1 to 40 nm.
The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. .

本発明の有機EL素子の正孔注入層あるいは正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。正孔注入層、あるいは正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。   An electron-accepting dopant can be contained in the hole injection layer or the hole transport layer of the organic EL device of the present invention. As the electron-accepting dopant introduced into the hole-injecting layer or the hole-transporting layer, an inorganic compound or an organic compound can be used as long as it has an electron-accepting property and oxidizes an organic compound.

具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。   Specifically, examples of the inorganic compound include metal halides such as ferric chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, and antimony pentachloride, and metal oxides such as vanadium pentoxide and molybdenum trioxide.

有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
この他にも、特開平6−212153、特開平11−111463、特開平11−251067、特開2000−196140、特開2000−286054、特開2000−315580、特開2001−102175、特開2001−160493、特開2002−252085、特開2002−56985、特開2003−157981、特開2003−217862、特開2003−229278、特開2004−342614、特開2005−72012、特開2005−166637、特開2005−209643等に記載の化合物を好適に用いることが出来る。
In the case of an organic compound, a compound having a nitro group, halogen, cyano group, trifluoromethyl group or the like as a substituent, a quinone compound, an acid anhydride compound, fullerene, or the like can be preferably used.
In addition, JP-A-6-212153, JP-A-11-111463, JP-A-11-251067, JP-A-2000-196140, JP-A-2000-286054, JP-A-2000-315580, JP-A-2001-102175, JP-A-2001-2001. -160493, JP2002-252085, JP2002-56985, JP2003-157981, JP2003-217862, JP2003-229278, JP2004-342614, JP2005-72012, JP20051666667 The compounds described in JP-A-2005-209643 and the like can be preferably used.

これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して0.01質量%〜50質量%であることが好ましく、0.05質量%〜20質量%であることが更に好ましく、0.1質量%〜10質量%であることが特に好ましい。   These electron-accepting dopants may be used alone or in combination of two or more. Although the usage-amount of an electron-accepting dopant changes with kinds of material, it is preferable that it is 0.01 mass%-50 mass% with respect to hole transport layer material, and it is 0.05 mass%-20 mass%. It is further more preferable and it is especially preferable that it is 0.1 mass%-10 mass%.

−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。発光層の陰極側に電子輸送層を設けることにより電子の輸送を促進することが可能である。また、電子輸送層よりも陰極側にさらに電子注入層を設けることによって陰極からの電子の注入を促進することが可能である。
-Electron injection layer, electron transport layer-
The electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side. By providing an electron transport layer on the cathode side of the light emitting layer, electron transport can be promoted. In addition, by providing an electron injection layer further on the cathode side than the electron transport layer, injection of electrons from the cathode can be promoted.

電子注入層、電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。   Specifically, the electron injection layer and the electron transport layer are triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, Carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, aromatic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene and perylene, phthalocyanine derivatives, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, benzoxazoles and benzothiazoles as ligands It is preferably a layer containing various metal complexes typified by metal complexes, organosilane derivatives, and the like.

電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々50nm以下であることが好ましい。
電子輸送層、電子輸送層の厚さとしては、5〜50nmであることが好ましく、10〜50nmであることが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上を含む単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層を含む多層構造であってもよい。
該電子注入促進層の陰極側に隣接して下記一般式(C)で示される化合物を含む電子輸送層を設けることが好ましい。
The thicknesses of the electron injection layer and the electron transport layer are each preferably 50 nm or less from the viewpoint of lowering the driving voltage.
The thicknesses of the electron transport layer and the electron transport layer are preferably 5 to 50 nm, and more preferably 10 to 50 nm.
The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure including one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure including a plurality of layers having the same composition or different compositions.
An electron transport layer containing a compound represented by the following general formula (C) is preferably provided adjacent to the cathode side of the electron injection promoting layer.

Figure 2008130754
Figure 2008130754

一般式(C)中、R〜Rのうち少なくとも1つ以上は置換基を表し、残りは水素原子を表す。Mはアルミニウムまたはガリウムまたはインジウムを表す。Yは置換基を有していても良い芳香族基またはシリル基を表す。 In general formula (C), at least one of R 1 to R 6 represents a substituent, and the rest represents a hydrogen atom. M represents aluminum, gallium or indium. Y represents an aromatic group or silyl group which may have a substituent.

Yで表されるシリル基として好ましくは、アルキルシリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24のアルキルシリル基であり、例えばトリメチルシリル、ジメチル−tert−ブチルシリルなどが挙げられる。)、アリールシリル基(好ましくは炭素数18〜60、より好ましくは炭素数18〜50、特に好ましくは炭素数18〜40のアリールシリル基であり、例えばトリフェニルシリル、ジフェニル−1−ナフチルシリル、ジフェニル−2−ナフチルシリルなどが挙げられる。)、アルキルアリールシリル基(好ましくは炭素数15〜60、より好ましくは炭素数15〜50、特に好ましくは炭素数15〜40のアルキルアリールシリル基であり、例えばジメチルフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、ジフェニル−1−ナフチルシリル、ジフェニル−2−ナフチルシリルなどが挙げられる。)、芳香族ヘテロ環置換シリル基(好ましくは、炭素数3〜60、より好ましくは炭素数3〜50、特に好ましくは炭素数3〜40の芳香族ヘテロ環置換シリル基であり、例えばトリピリジルシリル、ジフェニルピリジルシリルなどが挙げられる。)であり、より好ましくは、アリールシリル基であり、更に好ましくは炭素数18〜60の特に好ましくは置換基を有してもよりトリフェニルシリル基である。   The silyl group represented by Y is preferably an alkylsilyl group (preferably an alkylsilyl group having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, such as trimethylsilyl, Dimethyl-tert-butylsilyl, etc.), an arylsilyl group (preferably an arylsilyl group having preferably 18 to 60 carbon atoms, more preferably 18 to 50 carbon atoms, and particularly preferably 18 to 40 carbon atoms. Phenylsilyl, diphenyl-1-naphthylsilyl, diphenyl-2-naphthylsilyl, etc.), alkylarylsilyl groups (preferably having 15 to 60 carbon atoms, more preferably 15 to 50 carbon atoms, particularly preferably carbon numbers). 15 to 40 alkylarylsilyl groups such as dimethylphenylsilyl Diphenylmethylsilyl, diphenyl-1-naphthylsilyl, diphenyl-2-naphthylsilyl, etc.), aromatic heterocyclic substituted silyl groups (preferably having 3 to 60 carbon atoms, more preferably 3 to 50 carbon atoms, Particularly preferred are aromatic heterocyclic substituted silyl groups having 3 to 40 carbon atoms, such as tripyridylsilyl, diphenylpyridylsilyl, etc.), more preferred are arylsilyl groups, and even more preferred are carbons. The number of 18 to 60 is particularly preferably a triphenylsilyl group even if it has a substituent.

Yで表される芳香族基は、芳香族炭化水素基、芳香族ヘテロ環基のいずれでも良い。Yで表される芳香族炭化水素基として好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、4−メチル−フェニル、4−シアノ−フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、1−アントラニル、1−フェナントリル、1−ピレニルなどが挙げられる。   The aromatic group represented by Y may be either an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group. The aromatic hydrocarbon group represented by Y preferably has 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 12 carbon atoms. For example, phenyl, 4-methyl-phenyl, 4- And cyano-phenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 1-anthranyl, 1-phenanthryl, 1-pyrenyl and the like.

Yで表される芳香族ヘテロ環基として好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12の芳香族ヘテロ環基であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子などが挙げられる。Yで表される芳香族ヘテロ環基の具体例としては例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、キノキサリル、フリル、チエニル、ピラゾリル、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。   The aromatic heterocyclic group represented by Y is preferably an aromatic heterocyclic group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms. For example, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, etc. are mentioned. Specific examples of the aromatic heterocyclic group represented by Y include imidazolyl, pyridyl, quinolyl, quinoxalyl, furyl, thienyl, pyrazolyl, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzthiazolyl, carbazolyl group, azepinyl group and the like.

Yで表されるシリル基、芳香族基は置換基を有してもよく、置換基としては例えばアルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる。)、   The silyl group and aromatic group represented by Y may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably carbon atoms. Examples thereof include methyl, ethyl, iso-propyl, tert-butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl and the like, and an alkenyl group (preferably. 2-30 carbon atoms, more preferably 2-20 carbon atoms, particularly preferably 2-10 carbon atoms, such as vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl, etc.), alkynyl groups (preferably 2-30 carbon atoms, more preferably 2-20 carbon atoms, particularly preferably 2-10 carbon atoms, such as propargyl, 3-pentynyl Etc., and the like.),

アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。)、アミノ基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜10であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる。)、ヘテロ環オキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。)、 An aryl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, anthranyl and the like), amino. Group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 10 carbon atoms, such as amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, ditolylamino, etc. An alkoxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy, etc. An aryloxy group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably carbon 6 to 20, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, and the like, and heterocyclic oxy groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably ) Has 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy, and the like.

アシル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、 An acyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as acetyl, benzoyl, formyl, pivaloyl, etc.), an alkoxycarbonyl group ( Preferably it has 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl and the like, and an aryloxycarbonyl group (preferably having a carbon number). 7 to 30, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonyl, and acyloxy groups (preferably 2 to 30 carbon atoms, more preferably carbon atoms). 2 to 20, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, for example, acetoxy, benzoyloxy An acylamino group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include acetylamino and benzoylamino). ,

アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。)、 An alkoxycarbonylamino group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonylamino), aryloxycarbonylamino group ( Preferably it has 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyloxycarbonylamino, etc., and a sulfonylamino group (preferably 1 to 1 carbon atoms). 30, More preferably, it is C1-C20, Most preferably, it is C1-C12, for example, methanesulfonylamino, benzenesulfonylamino, etc.), a sulfamoyl group (preferably C0-30, more preferably) Has 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 12 carbon atoms. Amoiru, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl, and the like phenylsulfamoyl.),

カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロ環チオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、 A carbamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, phenylcarbamoyl and the like), alkylthio. A group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methylthio and ethylthio), an arylthio group (preferably having 6 to 6 carbon atoms). 30, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio, and the like, and a heterocyclic thio group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 carbon atom). -20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as pyridylthio, 2-benzimidazolyl Oh, 2-benzoxazolyl thio, and 2-benzthiazolylthio the like.),

スルホニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、 A sulfonyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as mesyl and tosyl), a sulfinyl group (preferably having 1 carbon atom). To 30, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfinyl, benzenesulfinyl, etc.), ureido groups (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably C1-C20, Most preferably, it is C1-C12, for example, a ureido, methylureido, phenylureido etc. are mentioned), phosphoric acid amide groups (preferably C1-C30, more preferably carbon number) 1 to 20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as diethyl phosphoric acid amide and phenyl phosphoric acid amide That.), Hydroxy group, a mercapto group, a halogen atom (e.g. fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom),

シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。)、シリルオキシ基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。)などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基同士で連結して環を形成してもよい。 Cyano group, sulfo group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, heterocyclic group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, As, for example, nitrogen atom, oxygen atom, sulfur atom, specifically imidazolyl, pyridyl, quinolyl, furyl, thienyl, piperidyl, morpholino, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzthiazolyl, carbazolyl group, azepinyl group, etc. ), A silyl group (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, and examples thereof include trimethylsilyl and triphenylsilyl), silyloxy group (Preferably 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 3 carbon atoms. , Particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, for example trimethylsilyloxy, etc. triphenylsilyl oxy and the like.) And the like. These substituents may be further substituted. Moreover, you may connect with substituents and may form a ring.

Yとして好ましくは芳香族基であり、より好ましくは芳香族炭化水素基であり、さらに好ましくは、置換基を有しても良いフェニル基またはナフチル基である。   Y is preferably an aromatic group, more preferably an aromatic hydrocarbon group, and still more preferably a phenyl group or naphthyl group which may have a substituent.

以下に、本発明における前記一般式(C)の具体例を列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。   Specific examples of the general formula (C) in the present invention are listed below, but the present invention is not limited to these compounds.

Figure 2008130754
Figure 2008130754

本発明の有機EL素子の電子注入層あるいは電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Liなどのアルカリ金属、Mgなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が4.2eV以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Cs、La、Sm、Gd、およびYbなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
この他にも、特開平6−212153、特開2000−196140、特開2003−68468、特開2003−229278、特開2004−342614等に記載の材料を用いることが出来る。
The electron injection layer or the electron transport layer of the organic EL device of the present invention can contain an electron donating dopant. The electron donating dopant introduced into the electron injecting layer or the electron transporting layer only needs to have an electron donating property and a property of reducing an organic compound, such as an alkali metal such as Li or an alkaline earth metal such as Mg. Transition metals including rare earth metals and reducing organic compounds are preferably used. As the metal, a metal having a work function of 4.2 eV or less can be preferably used. Specifically, Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Cs, La, Sm, Gd , And Yb. Examples of the reducing organic compound include nitrogen-containing compounds, sulfur-containing compounds, and phosphorus-containing compounds.
In addition, materials described in JP-A-6-212153, JP-A-2000-196140, JP-A-2003-68468, JP-A-2003-229278, JP-A-2004-342614, and the like can be used.

これらの電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して0.1質量%〜99質量%であることが好ましく、1.0質量%〜80質量%であることが更に好ましく、2.0質量%〜70質量%であることが特に好ましい。   These electron donating dopants may be used alone or in combination of two or more. The amount of the electron donating dopant varies depending on the type of material, but is preferably 0.1% by mass to 99% by mass, and 1.0% by mass to 80% by mass with respect to the electron transport layer material. Is more preferable, and 2.0 mass% to 70 mass% is particularly preferable.

<保護層>
本発明において、有機EL素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属、MgO、SiO、SiO、Al、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe、Y、TiO等の金属酸化物、SiN、SiN等の金属窒化物、MgF、LiF、AlF、CaF等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
<Protective layer>
In the present invention, the entire organic EL element may be protected by a protective layer.
As a material contained in the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing materials that promote device deterioration such as moisture and oxygen from entering the device.
Specific examples thereof include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, and Fe 2 O. 3 , metal oxides such as Y 2 O 3 , TiO 2 , metal nitrides such as SiN x , SiN x O y , metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 , CaF 2 , polyethylene, polypropylene, polymethyl Monomer mixture containing methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene and at least one comonomer Copolymer obtained by copolymerization, cyclic in the copolymer main chain Examples thereof include a fluorine-containing copolymer having a structure, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, and a moisture-proof substance having a water absorption of 0.1% or less.

保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。   The method for forming the protective layer is not particularly limited, and for example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency) Excited ion plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, transfer method can be applied.

<封止>
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
<Sealing>
Furthermore, the organic electroluminescent element of this invention may seal the whole element using a sealing container.
Further, a moisture absorbent or an inert liquid may be sealed in a space between the sealing container and the light emitting element. Although it does not specifically limit as a moisture absorber, For example, barium oxide, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, phosphorus pentoxide, calcium chloride, magnesium chloride, copper chloride Cesium fluoride, niobium fluoride, calcium bromide, vanadium bromide, molecular sieve, zeolite, magnesium oxide and the like. The inert liquid is not particularly limited, and examples thereof include fluorinated solvents such as paraffins, liquid paraffins, perfluoroalkanes, perfluoroamines, perfluoroethers, chlorinated solvents, and silicone oils. It is done.

本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。   The organic electroluminescence device of the present invention emits light by applying a direct current (which may include an alternating current component as necessary) voltage (usually 2 to 15 volts) or a direct current between the anode and the cathode. Obtainable.

本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平2−148687号、同6−301355号、同5−29080号、同7−134558号、同8−234685号、同8−241047号の各公報、特許第2784615号、米国特許5828429号、同6023308号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
本発明における有機電界発光素子の駆動耐久性は、特定の輝度における輝度半減時間により測定することができる。例えば、KEITHLEY製ソ−スメジャ−ユニット2400型を用いて、直流電圧を有機EL素子に印加し発光させ、初期輝度2000cd/mの条件で連続駆動試験をおこない、輝度が1000cd/mになった時間を輝度半減時間T(1/2)として、該輝度半減時間を従来発光素子と比較することにより求めることができる。本発明においてはこの数値を用いた。
また、発光特性としての発光効率は、前記駆動耐久性の測定と同時に、輝度−電流−電圧特性を測定し、本発明における発光効率(cd/A)とした。
The driving method of the organic electroluminescence device of the present invention is described in JP-A-2-148687, JP-A-6-301355, JP-A-5-29080, JP-A-7-134558, JP-A-8-234658, and JP-A-8-2441047. The driving method described in each publication, Japanese Patent No. 2784615, US Pat. Nos. 5,828,429, 6023308, and the like can be applied.
The driving durability of the organic electroluminescent element in the present invention can be measured by the luminance half time at a specific luminance. For example, using a source measure unit 2400 manufactured by KEITHLEY, a direct current voltage is applied to the organic EL element to emit light, and a continuous driving test is performed under the condition of an initial luminance of 2000 cd / m 2 , and the luminance becomes 1000 cd / m 2 . The brightness half-life time can be determined by comparing the brightness half-life time with a conventional light emitting device. This numerical value was used in the present invention.
In addition, the luminous efficiency as the luminous characteristic was measured as the luminance-current-voltage characteristic simultaneously with the measurement of the driving durability, and was defined as the luminous efficiency (cd / A) in the present invention.

本発明の有機EL素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。   The organic EL element of the present invention can be suitably used for display elements, displays, backlights, electrophotography, illumination light sources, recording light sources, exposure light sources, reading light sources, signs, signboards, interiors, optical communications, and the like.

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
[比較例1]
0.5mm厚み、2.5cm角のガラス基板にIn含有率が95質量%であるITOタ−ゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ(条件:基材温度100℃、酸素圧1×10−3Pa)により、透明陽極としてのITO薄膜(厚み0.2μm)を形成した。ITO薄膜の表面抵抗は10Ω/□であった。
次に、前記透明陽極を形成した基板を洗浄容器に入れ、IPA洗浄した後、これにUV−オゾン処理を30分おこなった。この透明陽極上に銅フタロシアニン(CuPC)を真空蒸着法にて、0.5nm/秒の速度で10nmの正孔注入層を設けた。
その上に、α−NPD((N,N’−ジ−α−ナフチル−N,N’−ジフェニル)−ベンジジン)を真空蒸着法にて0.5nm/秒の速度で30nmの正孔輸送層を設けた。 この上に発光層中のホスト材料としてCBP、発光層中の燐光発光材料としてIr(ppy)を真空蒸着法にて100/5の割合で共蒸着して、30nmの発光層を得た。
発光層の上に、BAlqを真空蒸着法にて0.5nm/秒の速度で10nm蒸着し、その上に、Alqを真空蒸着法にて0.2nm/秒の速度で蒸着して40nmの電子注入層を設けた。
さらに、この層上にパタ−ニングしたマスク(発光面積が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、フッ化リチウムを真空蒸着法にて1nm蒸着した。更に、この上にアルミニウムを真空蒸着法にて蒸着し0.1μmの陰極を設けた。
得られた発光積層体を窒素ガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、乾燥剤を設けたステンレス製の封止缶および紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ製)を用いて封止し、比較の発光素子を得た。
銅フタロシアニンの蒸着から封止までの作業は、真空または窒素雰囲気下で行い、大気に暴露することなく素子作製を行った。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
[Comparative Example 1]
Using an ITO target having an In 2 O 3 content of 95% by mass on a 0.5 mm thick, 2.5 cm square glass substrate, DC magnetron sputtering (conditions: substrate temperature 100 ° C., oxygen pressure 1 × 10 −3 Pa), an ITO thin film (thickness 0.2 μm) was formed as a transparent anode. The surface resistance of the ITO thin film was 10Ω / □.
Next, the substrate on which the transparent anode was formed was placed in a cleaning container and subjected to IPA cleaning, and then UV-ozone treatment was performed for 30 minutes. On this transparent anode, copper phthalocyanine (CuPC) was provided with a 10 nm hole injection layer at a rate of 0.5 nm / second by vacuum deposition.
On top of that, α-NPD ((N, N′-di-α-naphthyl-N, N′-diphenyl) -benzidine) is formed by a vacuum deposition method at a rate of 0.5 nm / sec. Was provided. On top of this, CBP as a host material in the light emitting layer and Ir (ppy) 3 as a phosphorescent light emitting material in the light emitting layer were co-deposited at a ratio of 100/5 by a vacuum evaporation method to obtain a 30 nm light emitting layer.
On the light-emitting layer, BAlq was deposited at a rate of 0.5 nm / second by a vacuum deposition method, and 10 nm was deposited thereon, and Alq 3 was deposited at a rate of 0.2 nm / second by a vacuum deposition method. An electron injection layer was provided.
Further, a patterned mask (a mask having a light emission area of 2 mm × 2 mm) was placed on this layer, and lithium fluoride was deposited by 1 nm by a vacuum deposition method. Further, aluminum was deposited thereon by a vacuum deposition method to provide a 0.1 μm cathode.
The obtained light-emitting laminate is put in a glove box substituted with nitrogen gas, and sealed with a stainless steel sealing can provided with a desiccant and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Chiba Nagase). Thus, a comparative light emitting element was obtained.
The operations from the deposition of copper phthalocyanine to the sealing were performed in a vacuum or nitrogen atmosphere, and the device was fabricated without exposure to the atmosphere.

Figure 2008130754
Figure 2008130754

[評価]
電子注入促進層の電子輸送材料、発光層の発光材料とホスト材料におけるそれぞれの電子親和力(Ea)は、それぞれ単層膜(単独層)の吸収スペクトルの長波端からバンドギャップを算出し、この値と紫外線光電子分析装置AC−1(理研計器製)により測定したイオン化ポテンシャル(Ip)の値から電子親和力(Ea)を算出した。その結果を下記表1に示す。
[Evaluation]
Each electron affinity (Ea) in the electron transport material of the electron injection promoting layer, the light emitting material of the light emitting layer, and the host material is calculated by calculating the band gap from the long wave end of the absorption spectrum of the single layer film (single layer). The electron affinity (Ea) was calculated from the ionization potential (Ip) value measured by the UV photoelectron analyzer AC-1 (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.). The results are shown in Table 1 below.

また、上記により得られた発光素子を用いて、以下の方法で駆動耐久性及び発光効率を測定した。
−駆動耐久性試験−
発光素子を電流密度10mA/cmの条件で連続駆動試験をおこない、輝度が半減した時間を輝度半減時間T(1/2)とした。
−発光効率−
発光素子に電圧を印加して、この素子の輝度−電流−電圧特性を測定し、発光効率(cd/A)を算出した。
Moreover, drive durability and luminous efficiency were measured by the following method using the light emitting element obtained by the above.
-Driving durability test-
The light emitting element was subjected to a continuous driving test under the condition of a current density of 10 mA / cm 2 , and the time when the luminance was reduced by half was defined as the luminance half time T (1/2).
-Luminous efficiency-
A voltage was applied to the light emitting element, the luminance-current-voltage characteristic of this element was measured, and the light emission efficiency (cd / A) was calculated.

[比較例2]
比較例1において、発光層と電子輸送層との間に電子注入促進層として下記化合物aを真空蒸着法にて0.05nm/秒の速度で10nm蒸着した以外は、比較例1と同様に行い比較の発光素子を得て、同様の評価試験を行った。結果を表1に示す。
[Comparative Example 2]
In Comparative Example 1, the same procedure as in Comparative Example 1 was performed, except that the following compound a was deposited as an electron injection promoting layer between the light emitting layer and the electron transport layer by 10 nm at a rate of 0.05 nm / second by a vacuum deposition method. A comparative light-emitting element was obtained and subjected to the same evaluation test. The results are shown in Table 1.

Figure 2008130754
Figure 2008130754

[比較例3]
比較例2の電子注入促進層において、化合物aのかわりにα−NPDを真空蒸着法にて0.05nm/秒の速度で1nm蒸着した以外は比較例2と同様に行い発光素子を得て、同様の評価試験を行った。結果を下記表1に示す。
[Comparative Example 3]
In the electron injection promoting layer of Comparative Example 2, a light emitting device was obtained in the same manner as in Comparative Example 2 except that α-NPD was deposited by 1 nm at a rate of 0.05 nm / second by vacuum deposition instead of Compound a, A similar evaluation test was conducted. The results are shown in Table 1 below.

[実施例1]
比較例2の電子注入促進層において、下記化合物bを真空蒸着法にて0.05nm/秒の速度で、0.5nmの膜厚を形成した以外は比較例2と同様に行い発光素子を得て、同様の評価試験を行った。結果を表1に示す。
[Example 1]
A light emitting device was obtained in the same manner as in Comparative Example 2 except that in the electron injection promoting layer of Comparative Example 2, the following compound b was formed by a vacuum evaporation method at a rate of 0.05 nm / second to a thickness of 0.5 nm. The same evaluation test was conducted. The results are shown in Table 1.

Figure 2008130754
Figure 2008130754

Figure 2008130754
Figure 2008130754

表1より明らかな通り、比較例2は比較例1と比べて発光効率は向上するものの輝度半減時間が大幅に低下した。比較例3は比較例1と比べて輝度半減時間が大幅に低下した。電子注入促進層を形成してもその膜厚および含有される電子輸送材料の電子親和力を本発明の範囲としないと、輝度半減時間、発光効率が低下することが分かる。
一方、実施例から明らかなとおり、前記膜厚と電子親和力を本発明の範囲とすることにより、発光効率、輝度半減時間が良好な発光素子を得ることが分かる。
As is clear from Table 1, the luminance half time was significantly reduced in Comparative Example 2 compared to Comparative Example 1, although the luminous efficiency was improved. In Comparative Example 3, the luminance half time was significantly reduced as compared with Comparative Example 1. Even when the electron injection promoting layer is formed, the luminance half-life and the luminous efficiency are lowered unless the film thickness and the electron affinity of the contained electron transport material are within the scope of the present invention.
On the other hand, as is clear from the examples, it can be seen that a light-emitting element having good luminous efficiency and luminance half-time can be obtained by setting the film thickness and electron affinity within the scope of the present invention.

Claims (8)

一対の電極間に、少なくとも発光層と該発光層の陰極側に隣接する電子注入促進層とを有する有機電界発光素子であって、該発光層が発光材料を含有し、かつ該電子注入促進層が下記一般式(A−1)で表される電子輸送材料を含有し、かつ該電子注入促進層の膜厚が3nm以下であり、かつ該一般式(A−1)で表される電子輸送材料の電子親和力が該発光材料の電子親和力以上であることを特徴とする有機電界発光素子。
Figure 2008130754
(一般式(A−1)中、ZA1は含窒素ヘテロ環の形成に必要な原子群を表す。LA1は連結基を表す。nA1は2以上の整数を表す。)
An organic electroluminescent device having at least a light emitting layer and an electron injection promoting layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer between a pair of electrodes, the light emitting layer containing a light emitting material, and the electron injection promoting layer Contains an electron transport material represented by the following general formula (A-1), and the thickness of the electron injection promoting layer is 3 nm or less, and the electron transport represented by the general formula (A-1) An organic electroluminescent device, wherein the material has an electron affinity greater than or equal to that of the light emitting material.
Figure 2008130754
(In General Formula (A-1), Z A1 represents an atomic group necessary for forming a nitrogen-containing heterocycle. L A1 represents a linking group. N A1 represents an integer of 2 or more.)
前記発光層がホスト材料を含有し、かつ前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料の電子親和力が該ホスト材料の電子親和力以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。 The light emitting layer contains a host material, and the electron affinity of the electron transport material represented by the general formula (A-1) is greater than or equal to the electron affinity of the host material. Organic electroluminescent device. 前記発光材料が燐光発光材料であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the light emitting material is a phosphorescent light emitting material. 前記電子注入促進層に含有される前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料の電子親和力が2.7eV以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。 The electron affinity of the electron transport material represented by the general formula (A-1) contained in the electron injection promoting layer is 2.7 eV or more, according to any one of claims 1 to 3. The organic electroluminescent element as described. 前記電子注入促進層の膜厚が0.1〜2nmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 4, wherein the electron injection promoting layer has a thickness of 0.1 to 2 nm. 前記電子注入促進層に含有される前記一般式(A−1)で表される電子輸送材料が、窒素原子を3個以上含有する材料であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。 The electron transport material represented by the general formula (A-1) contained in the electron injection promoting layer is a material containing three or more nitrogen atoms. The organic electroluminescent element according to one item. 前記ホスト材料がカルバゾール基を有することを特徴とする請求項2〜6のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 2, wherein the host material has a carbazole group. 前記電子注入促進層の陰極側に隣接して、下記一般式(C)で示される化合物を含む電子輸送層を設けることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
Figure 2008130754
(式中、R〜Rのうち少なくとも1つ以上は置換基を表し、残りは水素原子を表す。Mはアルミニウム、ガリウム、又はインジウムを表す。Yは置換基を有していても良い芳香族基またはシリル基を表す。)
The organic electric field according to claim 1, wherein an electron transport layer containing a compound represented by the following general formula (C) is provided adjacent to the cathode side of the electron injection promoting layer. Light emitting element.
Figure 2008130754
(In the formula, at least one of R 1 to R 6 represents a substituent, and the rest represents a hydrogen atom. M represents aluminum, gallium, or indium. Y may have a substituent. Represents an aromatic group or a silyl group.)
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