JP2008126472A - マイクロ流体チップの精密溶着方法 - Google Patents

マイクロ流体チップの精密溶着方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008126472A
JP2008126472A JP2006312841A JP2006312841A JP2008126472A JP 2008126472 A JP2008126472 A JP 2008126472A JP 2006312841 A JP2006312841 A JP 2006312841A JP 2006312841 A JP2006312841 A JP 2006312841A JP 2008126472 A JP2008126472 A JP 2008126472A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lid
resin
substrate
upper mold
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006312841A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Kurosaki
晏夫 黒▲崎▼
Yukio Yamada
幸生 山田
Shinpei Okawa
晋平 大川
Naoki Shimizu
直紀 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electro Communications NUC
Original Assignee
University of Electro Communications NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electro Communications NUC filed Critical University of Electro Communications NUC
Priority to JP2006312841A priority Critical patent/JP2008126472A/ja
Publication of JP2008126472A publication Critical patent/JP2008126472A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

【課題】溶着による製品の熱損がなく、形状保持率も高いマイクロ流体チップを高速で製造する。
【解決手段】上面に超微小サイズ(μmサイズ)の溝を形成した樹脂製の有溝基板の上面に樹脂製の平板状蓋を密着させ、密着状態の基板と蓋とを、透明でヒートシンク機能を有する上型および下型からなるプレス装置内に組み込んで型締めし、上型上面に溝に対応するマスキングを配置し、上型側から赤外線を照射して基盤と蓋とを溶着させる。
【選択図】図1

Description

この発明はマイクロ流体チップの精密溶着方法に関するものであり、より詳しくは樹脂製マイクロ流体チップの赤外線照射溶着方法の改良に関するものである。
化学・生化学分野においては、さまざまなサンプルの前処理、反応、分離、検出などの操作をマイクロ流体チップ上に集積化したマイクロトータル分析システムが用いられるようになった。これには、ガラスや樹脂製の基板にマイクロメートルからミリメートルサイズの溝や孔を流路や液溜として形成したマイクロ流体チップがある。例えば、数センチメートル角の光学的に透明なガラスや樹脂製チップ上に幅10〜200μm、深さ1〜50μmの溝を形成し、この微細流路中で電気泳動操作を行うマイクロ電気泳動チップがある。血液などのサンプルの分析に際しては、該流路にサンプルを注入して、電圧を印加してその反応により分析を行うものである。
マイクロ流体チップの構成材料が光学的透明性を有していることは極めて重要である。なぜなら、マイクロ流体チップ内の粒子や細胞を観察するためには、顕微鏡観察がその主流を占めているからである。光学顕微鏡観察には、様々な方法がある。例えば、サンプルに照射した透過光または反射光を観察する最も一般的な観察法として「明視野法」、透過光が顕微鏡の対物レンズに入射しないように斜めから入射し、散乱光のみを観察する「暗視野法」、顕微鏡のリング絞りと対物レンズ内の波長板を利用して屈折率分布による光位相の変化をコントラストを高く観察する「位相差法」、二枚の偏光板を利用して複屈折性の物質による散乱のみを観察する「偏光法」、サンプルの凹凸など屈折率の勾配を偏光の直交する二本の光を用いて画像化する手法として「微分干渉法」、励起光フィルタ、ダイクロックミラー、吸収フィルタなどを組み合わせて蛍光物質からの蛍光を画像化する「蛍光法」がある。
いずれにしても、マイクロ流体チップとしては、励起光の入射、透過光や反射光の高感度かつ精密な検出や観察に必要な部分には、紫外域から可視域に及んで光学的な均質性と高い透明性を有していることが重要である。
かかるマイクロ流体チップは極微量の多数のサンプルに対しても同時並行にかつ高速で分析が行える特長をもつ。さらに光学的透明性を有する樹脂製のマイクロ流体チップはその取り扱い易さ、使い捨て性、量産適合性の故に最近多用されている。使用される透明樹脂材料としては、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリスチレン(PS)、ポリカーボネート(PC)、環境オレフィン共重合体(COC)などのノルボルネン系環状ポリオレフィンなどがある。
樹脂製マイクロ流体チップの製造においては、溝や孔が予め形成された樹脂基板と蓋の役割をする樹脂シートとを熱接合(溶着)する方法があるが、その溶着方法としては、大別して加熱板や熱風を用いた伝導加熱法と赤外線などの照射を用いた照射加熱法とがある。
伝導加熱法においては加熱板などを樹脂に接触させて、熱伝導により接合面を加熱し溶着する。
赤外線照射を利用した加熱法の場合(以下赤外線照射法と略称する)は、例えば照射源として、波長0.8〜1.1μmまでの範囲にある光を発生する半導体レーザーやNd−YAGレーザーを用いるものがある。この場合、基板及び蓋には、少なくともそれらの一方に微細溝が形成され、かつ、少なくとも一方に当該レーザー光に対して高い透過性を与えている(透過部材)。また、基板と蓋の溶着面近傍には、該レーザー光に対して高い吸収性を有する材料が配置される(吸収材)。
溶着の際には、該レーザー光を透過部材の外部から吸収材に向けて照射すると吸収材がレーザー光を吸収し速やかに発熱し、接合面近傍が加熱され溶着する。ただし、この場合、レーザー光が溝に直接当たってしまうと溝の部分で変形が極めて生じ易くなるため、マスクを用いたり、ビームスポットサイズを極力絞ることにより、溝の縁の外側にある接合面に限定して、レーザー光が当たるようにしてある。
特開2000―310613号公報 編者:北森武彦、庄子習一、馬場嘉信、藤田博之;標題:「マイクロ化学チップ技術と応用」;監修者:化学とマイクロ・ナノシステム研究会;発行者:村田誠四郎;発行:丸善株式会社、2005年 Marc J.Madou、L.James Lee、Kurrt W.Koelling、Sylvia Daunert、Siyi Lai、Chee Guan Koh、YI−je Juang、Liyong Yu、Yumin Lu、「Design and Fabrication of Polymer Microfluidic Platforms for Biomedical Applications」、Society of Plastic Engineers、Annual Technical Conference Proceedings 2001、2001年 Jie.Wei Chen、Jerry Zybko、「Laser Assembly Technology for Planer Microfluidic Devices」、Society of Plastic Engineers、Annual Technical Conference Proceedings 2002、2002年 David Grewell、Timothy Jerew、Avraham Benatar、「Diode Laser Microwelding of Polycarbonate and Polystyrene」、Society of Plastic Engineers、Annual Technical Conference Proceedings 2002、2002年
加熱板や熱風を熱源に用いる伝導加熱法においては熱伝導のみに頼っているので、あまり高い処理速度を期待できない。処理速度を上げるには加熱板や熱風などの熱源を高温にする必要がある。しかし加熱板や熱風などの熱源を高温にすると、加熱板や熱風と接触するチップの表面のみならず、チップ内部には微細構造を有するが故に、溶着面近くの流路や孔においても変形や焼損などが発生し易くなる。
その結果、得られたマイクロ流体チップの流路や孔などの微細構造部分が所望の寸法を満たすことができず、液体などを送液した際に安定した流速や流量が確保できなくなるなど、精度の高い分析操作に支障をきたすものとなる。
一方、前記したように熱源に赤外線照射を利用する赤外線照射法の中で、赤外線照射源として用いるレーザー光に対し、高い透過性を有する透過部材と吸収材とを組み合わせて基板と蓋を溶着すること(以下、レーザー透過溶着と呼称する)により微細流路を有するマイクロ流体チップを作製する手法がある。この手法では、レーザー光の照射領域を限定した精密な入熱制御により、微細流路の形状を変形などにより損なうことなく効率良くチップの基板と蓋と溶着できることが提案されている。
しかしながら、これらの手法では、透過部材と吸収材との組み合わせを用いることを前提としている。吸収材には一般にカーボンブラックなどの顔料やフタロシアニンなどの色素が用いられる。このため、流路の材質が一様でないため、流路内壁の表面特性が異なり、流路断面を流れる液体サンプルの流れが不均一となったり、前記した顕微鏡観察をする際、吸収材での光吸収により透過光が検出できなかったり、また、蛍光法では吸収材が自家蛍光したり、被検体からの蛍光を吸収するなどして、検出光の感度や精度を損なう恐れがあるため、用途が限られてしまう問題がある。
かかる従来技術の現状に鑑みて、この発明の目的は表面や内部微細構造での焼損が無く高い形状保持性が維持された光学的計測に対応し得るマイクロ流体チップを高速で製造することにある。
このため、この発明の方法においては、透明樹脂からなる少なくとも基板または蓋の一方に微小サイズの溝や孔を形成した基板と蓋とを密着させ、密着状態の基板と蓋とを、赤外線透過性をもちかつヒートシンク機能を有する上型または下型からなるプレス装置に組み込んで型締めし、該赤外線透過性とヒートシンク機能を有する上型または下型に、基板または蓋の溝または孔に対応する部分に光を遮蔽するマスクを配置し、赤外線透過性とヒートシンク機能を有する上型または下型側から赤外線を照射して基板と蓋とを溶着させることを要旨とするものである。
一般に赤外線は樹脂部材に照射された場合、樹脂表層での吸収が強いため、樹脂内部と比べて樹脂表層が高温となり易く樹脂表層で熱変形や焼損が起き易い。しかしこの発明においてはヒートシンクを採用しているので、赤外線吸収により樹脂表層で生じた熱エネルギーがヒートシンク側に急速に拡散され、樹脂表層の過熱が回避される結果、熱変形や焼損のリスクが低減する。樹脂内部には赤外線照射エネルギーが到達して、樹脂内部の温度が上昇し、短時間で良好な溶着が得られる。
また、微細溝や孔を有する基板や蓋の重ね合わせに対して、光を遮蔽するマスクを用いずに赤外線を照射した場合、赤外線の照射パワーや照射時間を種々変化させてみても、微細流路などの形状変形が不可避で、場所により流路形状にバラツキが生じたり、極端には潰れて閉塞してしまいマイクロ流体チップとして使用に耐えない場合を生じる。これを防止するための手法を鋭意探索検討した結果、流路形状の変形が生じ易い領域に光を遮蔽するマスクを採用することが、流路形状の変形を抑制する上で極めて有効であることを見出しこの発明に至った。
この発明で用いられるマイクロ流体チップを構成する樹脂としては、紫外から可視域に及ぶ高い光透過性、光学均質性を有することが重要である。光学的計測に支障をきたすような顔料や色素は無添加であることが好ましい。また、耐熱性、流路壁面でのタンパク質などの吸着性も問題となる場合があるため、低吸着性にすぐれたものがよい。さらに、化学的ないし物理的な表面処理による流路内壁の疎水性及び親水性のコントロールが容易なものであることも好ましい材料の特性である。具体的な樹脂としては、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリスチレン(PS)、ポリカーボネート(PC)、環境オレフィン共重合体(COC)などのノルボルネン系環状ポリオレフィンなどが挙げられるが、前記した樹脂の要求特性からはノルボルネン系環状ポリオレフィンを好ましく用いることができる。
遮光するマスクの作製技術としては、メタルマスクや光反射性の高い金などのメタルを赤外線透過性基板の遮光部に選択蒸着する方法など公知のものを用いることができる。
図1に示すのはこの発明の溶着方法を実施する装置の一例である。蓋1は樹脂製の平板成形体であり、射出成形などにより形成される。基板3は樹脂製のブロック成形体である。蓋1と基板3を構成する樹脂は必ずしも同種であることを要件とはしない。しかし溶着による接着性の観点からは同種のもので透明樹脂を使うのが望ましい。
基板3の上面には微小サイズ(マイクロメートル級)の溝31がホットエンボスなどにより形成されている。この溝31は例えばクロス型電気泳動チップなどを成形モデルとしたものである。
この蓋1と基板3とを密着状態にしてプレス装置内にセットするのであるが、該装置は上型5と下型7と上型5の上面に配置するマスキング9とから構成されている。
上型5は例えばサファイア、シリカ、マグネシア、シリコン、ゲルマニウム、ジンクセレナイドおよび硫化亜鉛などから形成されている。透明であることが必要とされるが、全体的に透明であっても、図示のように少なくとも蓋1と基板3とに対応する部分が透明なものであってもよい。
下型7の材料は特定されないが、その上面には蓋1と基板3との組合せと密着嵌合する空所71(溝)が形成されている。
マスキング9は平板状の部品であり、例えばアルミ箔などから形成される。
溶着処理に際しては、蓋1と基板3とを密着させた状態で、下型7の空所71内に密着嵌合させて、その上に上型5を配置し、上型5の上にマスキング9を配置して型締めする。この状態で上型5側から赤外線を所定時間照射する。その後10secほど放置して冷却させたのちに、溶着した製品をプレス装置から取り出す。
図2に種々の溶着方法により得られた製品の品質、つまり製品を加熱した後の溝寸法のバラツキを示す。横軸に製品の加熱時間(sec)を、縦軸にShape retention(%)をとる。図中■で示したものは熱伝導加熱(200℃、10sec)で処理した結果であり、●で示したものは熱伝導加熱(150℃、120sec)で処理した結果であり、□で示したものは単なる赤外線照射加熱(56W、12sec)で処理した結果であり、○はマスクを用いて赤外線照射加熱(56W、12sec)処理した(つまりこの発明の方法によったもの)結果である。
図から明らかなように■の場合(熱伝導加熱:200℃、10sec)には30〜100%のShape retentionであり、かなりのバラツキが認められる。●の場合(熱伝導加熱:150℃、120sec)には50〜80%のShape retentionであり、やはりバラツキが認められる。□の場合(赤外線照射加熱:56W、12sec)には45〜85%のShape retentionであり、バラツキが認められる。○の場合(この発明の方法)には80〜90%のShape retentionであり、非常にバラツキが小さいことが明らかである。
実験例
以下発明者らが行った実験の結果を記載する。
蓋および有溝基板の材料は、ともに非晶性環状オレフィンコポリマー(COC、Tg=80℃、MFR260℃・2.16kgf=30g/10min)を用いた。先ず射出成形により溝がない平坦な円板(直径22mm、圧さ1mm)を作製した。平坦な円板はそのまま蓋として用いた。
これとは別に平坦な円板の片面にホットエンボスによりクロス型電気泳動チップをモデルとした十字架パターン(幅110μm、高さ50μm)の溝を形成した有溝基板を準備した。なお射出成形でのゲートはサンプルの円周部に位置させた。
赤外線光源にはハロゲンランプ(波長範囲:300〜5000nm)を用いて精密油圧プレス装置に組み込んだ。プレスの上型には透明ヒートシンクとしてサファイア円板(厚さ10mm)を設置し、下型にはサファイア円板(厚さ2mm)を用いた。上下型の温度は電気ヒーターにより制御した。該赤外線は中心にピークのある強度分布を有したものである。
温度60℃に設定しておいた上下型の間に蓋と基板からなるサンプルを挿入し、圧力0.1MPaで型締めした後、上型を通してサンプル上面にハロゲンランプからの赤外線を所定時間(8〜180sec)照射することにより溶着を試みた。所定時間照射後は、型締め状態で10sec保持(冷却)し、サンプルを取り出した。
一方熱伝導溶着によるサンプルも準備した。予めサンプルの上下をサファイア円板(厚さ2mm)で挟み込んだ積層体(ホルダー)を用意した。加熱時には、所定温度に保持しておいた加熱プレス機によりホルダーを所定時間(8sec〜1hour)加熱した。冷却時には、加熱プレス機からホルダーを取り出した後、即座に冷却プレス機に移してホルダーを所定時間(10sec、一定)冷却した。温度条件としては、下型温度を60℃一定とし、上型温度を120〜200℃の間で変化させた。加熱および冷却プレス圧力は0.1MPa(一定)とした。
溶着効果の評価。加熱後のサンプルはミクロトームを用いて種々の位置で垂直断面を切り出した。共焦点型レーザー表面形状測定器を用いて、溝(流路)断面の高さを測定した。溝断面形状の指標として、溶着前の溝の高さに対する溶着後の溝の高さの割合(形状保持率=Shape retention %)を求めた。結果を図2に示す。
この発明はプラスチック成形の分野において広く利用されるものである。
この発明を実施する赤外線溶着装置の構成を示す前面模型図である。 この発明の効果を示すグラフである。
符号の説明
1: 蓋
3: 基板
5: 上型
7: 下型
9: マスキング

Claims (3)

  1. 上面に超微小サイズの溝を形成した樹脂製の有溝基板の上面に樹脂製の平板状蓋を密着させ、密着状態の基板と蓋とを、透明でヒートシンク機能を有する上型および下型からなるプレス装置に組み込んで型締めし、上型上面に溝に対応するマスキングを配置し、上型側から赤外線を照射して基盤と蓋とを溶着させることを特徴とするマイクロ流体チップの精密溶着方法。
  2. 前記上型は赤外線透過性材料で構成することを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 前記上型は熱伝導性の良好な材料で構成することを特徴とする請求項2に記載の方法。
JP2006312841A 2006-11-20 2006-11-20 マイクロ流体チップの精密溶着方法 Pending JP2008126472A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006312841A JP2008126472A (ja) 2006-11-20 2006-11-20 マイクロ流体チップの精密溶着方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006312841A JP2008126472A (ja) 2006-11-20 2006-11-20 マイクロ流体チップの精密溶着方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008126472A true JP2008126472A (ja) 2008-06-05

Family

ID=39552807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006312841A Pending JP2008126472A (ja) 2006-11-20 2006-11-20 マイクロ流体チップの精密溶着方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008126472A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103395152A (zh) * 2013-08-07 2013-11-20 苏州扬清芯片科技有限公司 一种圆环形高聚物微流控芯片的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003039843A1 (en) * 2001-11-07 2003-05-15 Mitsui Chemicals Inc Process for welding of thermoplastic resins
JP2005074796A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd マイクロチップ基板の接合方法およびマイクロチップ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003039843A1 (en) * 2001-11-07 2003-05-15 Mitsui Chemicals Inc Process for welding of thermoplastic resins
JP2005074796A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd マイクロチップ基板の接合方法およびマイクロチップ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103395152A (zh) * 2013-08-07 2013-11-20 苏州扬清芯片科技有限公司 一种圆环形高聚物微流控芯片的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3670631B2 (ja) ラブ・オン・チップのための吸光検出システム
Cai et al. Rapid prototyping of cyclic olefin copolymer based microfluidic system with CO 2 laser ablation
JP2004501372A (ja) ミクロ流体分析システム用の集積光導波路
US20090060782A1 (en) Method for bonding substrates, method for forming chip, and chip
Weingarten et al. Laser polishing and 2PP structuring of inside microfluidic channels in fused silica
Vargas et al. Excellent quality microchannels for rapid microdevice prototyping: Direct CO 2 laser writing with efficient chemical postprocessing
Tweedie et al. Microfluidic ratio metering devices fabricated in PMMA by CO2 laser
De Marco et al. Femtosecond laser fabrication and characterization of microchannels and waveguides in methacrylate-based polymers
WO2009110270A1 (ja) マイクロチップ及びその製造方法
JP2008126472A (ja) マイクロ流体チップの精密溶着方法
Morikawa et al. Thermal and optical properties of femtosecond-laser-structured PMMA
US9079359B2 (en) Microchip and method of manufacturing the same
Mohammed et al. Improved manufacturing quality and bonding of laser machined microfluidic systems
JP2008203186A (ja) 基板の貼り合わせ方法、マイクロチップの製造方法およびマイクロチップ
Chen et al. Diode laser bonding of planar MEMS, MOEMS, & microfluidic devices
JP2008188953A (ja) プラスチック製スタンパの製造方法、プラスチック製スタンパ、及び、プラスチック製基板の製造方法
EP3450392A1 (en) Adhesive-free bonding of layers of dielectric materials, using nanojet microstructures
US20110285985A1 (en) Method for Analyzing Sample and Microanalysis Chip to be used Therefore
Volpe et al. Femtosecond fiber laser welding of PMMA
JP5122368B2 (ja) マイクロチップ基板の接合方法および汎用マイクロチップ
Volpe et al. Fabrication and assembling of a microfluidic optical stretcher polymeric chip combining femtosecond laser and micro injection molding technologies
Capodacqua et al. Bonding of PMMA to silicon by femtosecond laser pulses
JP2010247056A (ja) マイクロチップ
EP3489732A1 (en) Apparatus and method for simultaneous imaging and execution of contact-free directed hydrodynamic flow
Volpe et al. Ultrashort laser welding of PMMA to silicon

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Effective date: 20090914

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

A521 Written amendment

Effective date: 20090914

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

A621 Written request for application examination

Effective date: 20091119

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111027

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111102

A02 Decision of refusal

Effective date: 20120301

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02