JP2008117857A - Surface processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ガラス基板や半導体ウェハ等の被処理物に処理流体を噴き付けることにより、洗浄、表面改質、エッチング、成膜等の表面処理を行なう装置に関する。 The present invention relates to an apparatus for performing surface treatment such as cleaning, surface modification, etching, and film formation by spraying a treatment fluid onto an object to be treated such as a glass substrate or a semiconductor wafer.
例えば、特許文献1には、処理ガスを吹き出すヘッドと、このヘッドの下側に配置されたローラコンベアとを備えた表面処理装置が記載されている。ローラコンベアによって、被処理基板がヘッドの下方を横切るように搬送される。ヘッドの下方には、ローラコンベアの一部を収容する容器が設けられている。これによって、ヘッドから吹き出された処理ガスが、ローラコンベアの下側へ抜けて雰囲気中に拡散するのが防止されている。
上掲特許文献1に記載の容器は、ローラコンベアにほぼ一体に組み込まれるようになっているため、その寸法形状をローラコンベアの仕様に対応させる必要があった。したがって、例えばガスの滞留や流れの状態を制御する場合、容器ひいてはローラコンベアの仕様ごとに、ガスの供給量や吸い込み量等を調節する必要があった。 Since the container described in the above-mentioned Patent Document 1 is designed to be almost integrated into the roller conveyor, it is necessary to make the size and shape correspond to the specifications of the roller conveyor. Therefore, for example, when controlling the stagnation and flow state of the gas, it is necessary to adjust the gas supply amount, the suction amount, and the like for each specification of the container and the roller conveyor.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、
(A)被処理物を1の仮想平面上において一方向へ搬送するローラコンベアと、
(B)前記仮想平面の上側に配置され、処理流体を下方へ噴出す噴出し口を有するヘッドと、
(C)前記ヘッドと対向するようにして前記仮想平面の下側に配置された容器構造と、
を備え、前記容器構造が、
(a)前記ローラコンベアの一部を収容する第1容器と、
(b)前記第1容器より小さく、前記噴出し口と対向するようにして前記第1容器に収容された第2容器と、
を有していることを特徴とする。
この特徴構成によれば、第1容器はローラコンベアに合わせた寸法形状にする一方、第2容器はローラコンベアの仕様に拘わらず一定の寸法形状にすることにより、所望の滞留や流れの状態が得られるようにすることができる。また、二重容器構造になるため、ローラコンベアの下側に回り込んだ処理流体が外部に漏れるのを確実に防止することができる。
第2容器には、前記第1容器に収容された前記ローラコンベアの一部のさらに一部が収容されていてもよい。
The present invention has been made in view of the above circumstances,
(A) a roller conveyor that conveys the workpiece in one direction on one virtual plane;
(B) a head that is disposed on the upper side of the virtual plane and has an ejection port that ejects the processing fluid downward;
(C) a container structure disposed below the virtual plane so as to face the head;
Comprising the container structure,
(A) a first container containing a part of the roller conveyor;
(B) a second container accommodated in the first container so as to be smaller than the first container and opposed to the ejection port;
It is characterized by having.
According to this characteristic configuration, the first container is sized and shaped to match the roller conveyor, while the second container is sized and shaped regardless of the specifications of the roller conveyor, so that the desired stay and flow conditions can be achieved. Can be obtained. Moreover, since it becomes a double container structure, it can prevent reliably that the processing fluid which went around to the lower side of a roller conveyor leaks outside.
A part of the roller conveyor housed in the first container may be further housed in the second container.
前記第1容器には、流体排出ダクトに連なる接続口が設けられていることが好ましい。これによって、第1容器内の流体をダクトから排出できるとともに、第2容器内の流体を、第1容器を経てダクトから排出することができる。
前記第1容器には、前記接続口に僅かに離れて被さる拡散板が設けられていることが好ましい。これによって、第1容器内のダクトへの排出流を拡散板の周方向に拡散させることができる。
The first container is preferably provided with a connection port connected to the fluid discharge duct. Thereby, the fluid in the first container can be discharged from the duct, and the fluid in the second container can be discharged from the duct through the first container.
The first container is preferably provided with a diffusion plate that covers the connection port slightly apart. Thereby, the discharge flow to the duct in the first container can be diffused in the circumferential direction of the diffusion plate.
前記第1容器の上縁が、前記仮想平面に近接して配置されていることが好ましい。これによって、雰囲気ガスが容器内に巻き込まれたり、容器内に流れ込んだ処理流体が被処理物と容器の上縁との間から外へ漏れたりするのを防止することができる。
前記第2容器の上縁が、前記仮想平面に近接して配置されていることが好ましい。これによって、第2容器の上縁と被処理物との間の圧力損失を大きくでき、流体を第2容器内にある程度滞留させるとともに、第1容器へ均一に流出するようにすることができる。
It is preferable that the upper edge of the first container is disposed in the vicinity of the virtual plane. Accordingly, it is possible to prevent the atmospheric gas from being caught in the container or the processing fluid flowing into the container from leaking out between the workpiece and the upper edge of the container.
It is preferable that the upper edge of the second container is disposed in proximity to the virtual plane. Thereby, the pressure loss between the upper edge of the second container and the object to be processed can be increased, and the fluid can be retained in the second container to some extent and can be uniformly discharged to the first container.
前記第2容器は、支持部材を介して前記第1容器に支持されていてもよい。
前記第2容器は、高さ調節機構を介して前記第1容器に高さ調節可能に支持されていてもよい。
前記第1容器の底部に高さ調節可能な支柱が立設され、この支柱に前記第2容器が支持されていてもよい。これによって、第1容器ひいてはローラコンベアの仕様に関わらず、第2容器を所定の高さに容易に配置することができる。
The second container may be supported by the first container via a support member.
The second container may be supported by the first container via a height adjustment mechanism so that the height can be adjusted.
A column whose height can be adjusted is erected on the bottom of the first container, and the second container may be supported by the column. Accordingly, the second container can be easily arranged at a predetermined height regardless of the specifications of the first container and the roller conveyor.
前記第1容器の上面は、開口されていてもよい。第2容器の上面は、開口されていてもよい。
前記ヘッドには、前記第1容器の上面開口を覆うカバー部が設けられていることが好ましい。これによって、処理流体をヘッドと容器構造との間に確実に閉じ込めることができるとともに、外部の雰囲気がヘッドと容器構造との間に侵入するのを確実に防止することができる。
前記カバー部と前記第1容器の前記一方向の端部どうしが、互いに上下に対向するように配置されていることが好ましい。これらカバー部と第1容器の端部どうしの間隔を狭くすることにより、外部の雰囲気が被処理物と共にヘッドと容器構造との間に巻き込まれるのを防止することができる。
前記カバー部の前記一方向の端部の近傍に、周囲の流体を吸い込む吸い込み口が形成されていることが好ましい。これによって、処理流体を噴出し口からカバー部の端部近くまで流通させた後、吸い込むことができる。また、雰囲気ガスがヘッドと容器構造との間に侵入するのを一層確実に防止することができる。
The upper surface of the first container may be opened. The upper surface of the second container may be opened.
The head is preferably provided with a cover portion that covers the upper surface opening of the first container. As a result, the processing fluid can be reliably confined between the head and the container structure, and an external atmosphere can be reliably prevented from entering between the head and the container structure.
It is preferable that the one end portion in the one direction of the cover portion and the first container is arranged so as to face each other vertically. By narrowing the distance between the cover portion and the end portion of the first container, it is possible to prevent the external atmosphere from being caught between the head and the container structure together with the object to be processed.
It is preferable that a suction port for sucking in a surrounding fluid is formed in the vicinity of the end portion in one direction of the cover portion. As a result, the processing fluid can be sucked after flowing from the outlet to near the end of the cover. In addition, it is possible to more reliably prevent the atmospheric gas from entering between the head and the container structure.
本発明によれば、第2容器をローラコンベアの仕様に拘わらず一定の寸法形状にすることにより、処理流体や雰囲気ガスの滞留や流れの状態を制御しやすくすることができる。また、二重容器構造になるため、ローラコンベアの下側に回り込んだ処理流体が外部に漏れるのを確実に防止することができる。 According to the present invention, the stagnation and flow state of the processing fluid and the atmospheric gas can be easily controlled by making the second container have a constant size and shape regardless of the specifications of the roller conveyor. Moreover, since it becomes a double container structure, it can prevent reliably that the processing fluid which went around to the lower side of a roller conveyor leaks outside.
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
図1は、大型のガラス基板Wを被処理物とする表面処理装置Mを示したものである。表面処理装置Mとして、処理ガス(処理流体)を略大気圧のプラズマ放電空間でプラズマ化して、プラズマ空間の外部に配置した被処理物に接触させる所謂リモート式の大気圧プラズマ処理装置が用いられている。処理内容は、例えば洗浄であるが、これに限られず、表面改質、エッチング、成膜等であってもよい。
ここで、略大気圧とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×104〜10.664×104Paが好ましく、9.331×104〜10.397×104Paがより好ましい。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a surface treatment apparatus M that uses a large glass substrate W as a workpiece. As the surface processing apparatus M, a so-called remote atmospheric pressure plasma processing apparatus is used in which a processing gas (processing fluid) is converted into plasma in a plasma discharge space at approximately atmospheric pressure and is brought into contact with an object to be processed disposed outside the plasma space. ing. The processing content is, for example, cleaning, but is not limited thereto, and may be surface modification, etching, film formation, or the like.
Here, the approximately atmospheric pressure refers to the range of 1.013 × 10 4 ~50.663 × 10 4 Pa, considering the convenience of easier and device configuration of the pressure adjustment, 1.333 × 10 4 ~ 10.664 × 10 4 Pa is preferable, and 9.331 × 10 4 to 10.9797 × 10 4 Pa is more preferable.
表面処理装置Mは、ローラコンベア10と、プラズマ処理ヘッド20と、容器構造30とを備えている。
周知の通り、ローラコンベア10は、多数のシャフト11とローラ12とを有している。シャフト11は、それぞれ図1の紙面と直交する前後方向に延びるとともに、互いに左右に並べられている。ローラ12は、各シャフト11の延び方向に間隔を置いて配置されている。後記ヘッド本体21の左右外側に配置されたローラ12は、例えば耐腐食性の樹脂で構成され、ヘッド本体21の真下に配置されたローラ12は、例えばステンレスで構成されている。
The surface treatment apparatus M includes a
As is well known, the
被処理基板Wが、ローラ12の上に水平に載せられ、左右方向に搬送されるようになっている。この被処理基板Wの搬送されるべき面PLが、特許請求の範囲の「1の仮想平面」を構成する。
後記ヘッド本体21の左右外側に配置されたシャフト11の長手方向両端のローラ12には、被処理基板Wの縁を案内する段差状のガイド(図示省略)が設けられている。これに対し、後記ヘッド本体21の真下に配置されたローラ12には、上記のガイドが設けられていない。
The substrate W to be processed is placed horizontally on the
Step-shaped guides (not shown) for guiding the edge of the substrate W to be processed are provided on the
ヘッド20は、ヘッド本体21と、この本体21に収容された一対の電極22,22とを有している。これら電極22,22のうち一方は、電源1に接続されてホット電極となり、他方は、電気的に接地されてアース電極となっている。これら電極22,22の対向面には、固体誘電体23がそれぞれ設けられている。一対の電極22,22の固体誘電体23,23どうしの間に略狭い間隙24が形成されている。電源1からの電圧供給により、電極22,22間に電界が印加されて大気圧グロー放電が生成され、間隙24が大気圧のプラズマ放電空間となるようになっている。
The
ヘッド本体21の底面には、金属板(電界遮蔽部材)25が設けられている。金属板25は電気的に接地されている。これによって、ホット電極から被処理基板Wへアーク等の異常放電が飛ぶのを防止できるようになっている。
A metal plate (electric field shielding member) 25 is provided on the bottom surface of the head
金属板25には、間隙24の下端部に連なる噴出し口26が形成されている。噴出し口26の左右方向の位置は、その真下にローラコンベア10のシャフト11が位置されないように設定されている。
The
ヘッド20は、図示しない架台に高さ調節可能に支持されている。これにより、噴出し口26と被処理基板Wとの間のギャップ(ワーキングディスタンス)が例えば略0〜15mmの範囲で調節可能になっている。ワーキングディスタンスは、例えば3.0mmを標準とする。
The
ヘッド20には処理ガス源2が接続されている。処理ガス源2には、処理目的に応じた成分を含む処理ガス(処理流体)が蓄えられている。処理ガス源2からの導入ライン2aが、放電空間24の上端部に連なっている。これにより、処理ガスが、導入ライン2aを経て、放電空間24に導入され、プラズマ化されるようになっている。このプラズマ化された処理ガスが、噴出し口26から下方へ吹き出されるようになっている。
A
なお、電極22、固体誘電体23、及び金属板25、ひいては放電空間24並びに噴出し口26は、それぞれ前後方向(図1の紙面直交方向)に延びている。ヘッド20の上側部の導入ライン2aには、処理ガスを前後方向に均一化する均一化部が設けられている。これによって、処理ガスが放電空間24の長手方向に均一に導入され、噴出し口26の長手方向の全体から均一に噴き出されるようになっている。噴出し口26の長さは、被処理基板Wの前後方向の幅寸法に対応する長さであることが好ましい。
The
ヘッド本体21には、フード27が被せられている。フード27の左右両側部の下側部には、それぞれカバー部28が設けられている。カバー部28は、水平な板状をなしてフード27から外側へ張り出すカバー本体28aと、このカバー本体28aの外端から垂下された端壁28bとを有している。カバー部28は、前後方向(図1の紙面直交方向)に延びている。
The head
カバー部28の左右方向の寸法は、例えば100mm以上であり、好ましくは、その外端の壁28bが、後記第1容器31の左右の側壁31aと略同じ左右方向位置に位置するように設定されている。カバー本体28aと被処理基板Wとの間の距離は、例えば30〜50mmになるように設定されている。端壁28bの下端部と被処理基板Wとの間隔は、例えば3〜5mmになるように設定されている。
種々の厚さの被処理物Wを処理する場合は、壁28bに上下にスライド可能な間隔調節板を設け、被処理物Wとの間隔を適宜調節できるようにしてもよい。
The dimension of the
When processing the workpiece W having various thicknesses, an interval adjusting plate that can slide up and down is provided on the
カバー部28の端壁28bの内側部には、吸い込み部29が設けられている。吸い込み部29には、下方へ開口された吸い込み口29aが形成されている。吸い込み口29aは、前後方向(図1の紙面直交方向)に延びている。吸い込み口29aは、後記第1容器31の左右の縁部と略対向する位置に配置されている。吸い込み部29は、排気路4aを介して吸引ポンプ等を含む排気手段4に連なっている。
A
容器構造30について説明する。
容器構造30は、ヘッド10と対向するようにして、基板搬送面PLの下側に配置されている。ヘッド10と容器構造30との間に被処理基板Wが挿入されるようになっている。
容器構造30は、第1容器31と、第2容器32を含んでいる。第1容器31は、上面開口の大きな箱状をなし、図1の紙面と直交する前後方向に延びている。詳細な図示は省略するが、第1容器31は、ローラコンベア20に連結されて支持されている。第1容器31の内部にローラコンベア10の一部のシャフト11及びローラ12が収容されている。図示は省略するが、第1容器31の長手方向(図1の紙面直交方向)の両端の壁には、ローラシャフト11を通す凹部が形成されている(図2参照)。
The
The
The
第1容器31の左右方向の幅は、ヘッド20の左右のカバー部28,28の外端部間の幅と略同じになっている。第1容器31の左右の側壁31aの左右方向の位置は、ヘッドカバー部28の外端壁28bの左右方向位置と略同じになるように配置され、壁31a,28aどうしが略面一になっている。これら壁31a,28aどうしの間に、被処理基板Wを出し入れする狭い出し入れ口5が画成されている。側壁31aの上端部と基板搬送面PLとの間の間隔は、例えば3〜5mmになるように設定されている。
通常、第1容器31は、ローラコンベア10の仕様に合うように製作されるため、この第1容器31に合わせてカバー部28を設計・製作するとよい。
The width of the
Usually, the
第1容器31の底部31bの例えば中央部には、ダクト接続口31eが設けられている。この接続口31eに流体排出ダクト6aが連なっている。ダクト6aは、吸引ポンプ等を含む排気手段6に連なっている。排気手段6は、上記ヘッド20の吸い込み口29a用の排気手段4と共通の排気手段を用いることにしてもよい。
ダクト接続口31eは、第1容器31の底部31bの中央部に1つだけ配置されるのに限られず、互いに離れて複数設けられていてもよい。
For example, a
The
ダクト接続口31eの上には、拡散板34が被せられている。拡散板34の四隅には、脚部34aが設けられている。この脚部34aによって拡散板34が第1容器31の底部31bひいてはダクト接続口31eから少し上に離れて据え付けられている。拡散板34とダクト接続口31bとの間の間隔は、例えば20mm程度に設定されている、
A
第2容器32は、第1容器31より小さく、第1容器31の内部に収容されている。第2容器32は、上面開口の箱状をなし、図1の紙面と直交する前後方向に延びている。第2容器32はヘッド本体21の真下に配置されている。第2容器32は、少なくとも噴出し口26と対向するように配置されていればよい。図面においては、第2容器32の左右幅は、ヘッド本体21の左右幅と略同じか、それより若干大きくなっているが、ヘッド本体21の左右幅より小さくてもよく、例えば後記のフランジ32fが電極22の真下に位置するような幅寸法になっていてもよく、或いは、2つのローラシャフト11,11の間に挿入可能な幅寸法であってもよい。
The
第2容器32の内部には、ヘッド本体21の真下に位置する1又は複数(図では2つ)のローラシャフト11が収容されている。この第2容器内部のローラ12と第2容器32の底部32bとの間の隙間は、例えば5〜20mm程度になるように設定されている。第2容器内部のローラ12と第2容器32の左右の側壁32aとの間の隙間は、例えば5〜20mm程度になるように設定されている。
図2に示すように、第2容器32の長手方向の両端の壁32cには、上縁から下に延びる凹部32dが形成されている。この凹部32dにローラシャフト11が通されている。
Inside the
As shown in FIG. 2, recesses 32 d extending downward from the upper edge are formed in the
図1及び図2に示すように、第2容器32の左右の側壁32aの上端部には、左右外側へ水平に突出するフランジ32fが設けられている。フランジ32fは、ローラ12の上端部より僅かに下に引っ込んだ高さに配置され、基板搬送面PLに近接されている。フランジ32fと基板搬送面PLとの間の間隔は、例えば3〜5mmになるように設定されている。
As shown in FIG.1 and FIG.2, the
第2容器32の支持構造を説明する。
図1に示すように、第1容器31の底部31bには、複数の支柱33(支持部材)が立設されている。支柱33の下端部は、第1容器31の底部31bにネジ(図示せず)等の固定手段にて固定されている。これら支柱の33の上端部に第2容器32が支持されている。
A support structure for the
As shown in FIG. 1, a plurality of support columns 33 (support members) are erected on the bottom 31 b of the
支柱33は、上下に伸縮可能になっている。これによって、第2容器32が高さ調節可能になっている。ひいては、フランジ32fと被処理基板Wとの間のクリアランスが調節可能になっている。支柱33は、第2容器32の高さ調節機構を構成している。
The support |
上記の表面処理装置を用いて基板Wを表面処理する方法を説明する。
処理すべき基板Wを、ヘッド20の例えば左外側のコンベアローラ12上に配置する。そして、ローラ12を回転させる。これにより、基板Wが、左側の出し入れ口5からヘッド20と容器構造30との間に挿入され、ヘッド本体21の下方に導かれる。基板Wの搬送に伴ない、容器31,32の上面開口が基板Wによって漸次塞がれていく。基板搬送と併行して、処理ガスが放電空間24に導入されてプラズマ化され、噴出し口26から下方へ噴き出される。
A method for surface-treating the substrate W using the above-described surface treatment apparatus will be described.
The substrate W to be processed is placed on the
出し入れ口5は十分に狭くなっているため、外部雰囲気が、基板Wと共にヘッド20と容器構造30との間に巻き込まれるのを抑えることができる。これによって、処理の均一性及び安定性を確保できる。また、処理ガスによって雰囲気ガスを外部に押しやる必要がないので、処理ガス流量を減らしても、処理効率を十分に確保することができる。さらには、処理ガスが出し入れ口5から外部に漏れるのを確実に防止することができる。
Since the entrance / exit 5 is sufficiently narrow, it is possible to suppress the external atmosphere from being caught between the
第2容器32の上面が基板Wで塞がれるまでの間は、ヘッド20から噴き出された処理ガスは、ヘッド本体21の真下のローラシャフト11,11間を通過して、第2容器32の内部に流れ込む。これによって、処理ガスがコンベア10の下側から雰囲気中に拡散するのを防止することができる。また、第1、第2容器31,32の上面開口は、カバー部28を含むヘッド20にて覆われているので、処理ガスが上方の雰囲気中へ拡散するのも防止することができる。第2容器32から溢れた処理ガスは、第1容器31と第2容器32との間に流れ込む。これによって、処理ガスが雰囲気中に拡散するのを一層確実に防止することができる。第1容器31と第2容器32との間に流れ込んだガスは、第1容器31の底部へ導かれ、ダクト接続口31eからダクト6aに吸込まれ、排気手段6から排出される。このとき、拡散板34によって、吸気の流れを拡散板34の周方向の全周に分散させることができる。このようにして、容器構造30内の流通状態を容易に制御することができる。
Until the upper surface of the
基板Wが噴出し口26の真下を通過することにより、処理ガスが基板Wの表面に接触する。これにより、基板Wの表面処理がなされる。処理ガスは、噴出し口26から左右に分かれ、ヘッド20と基板Wとの間の通路内を左右外側へ向けて流れる。そして、吸い込み口29aから吸込まれ、排気路4aを経て排出される。
外部の雰囲気ガスもこの吸い込む口29aから吸込まれる。したがって、雰囲気ガスがヘッド1の内側方向へ侵入するのを確実に防止することができる。
基板Wが第2容器32の上面開口を塞いだ状態では、基板Wと容器32のフランジ32fの間隙が極めて狭くなっているので、そこで圧力損失が生じるようにすることができ、第2容器32内のガスを容器32内にある程度滞留させつつ、第1容器31と第2容器32の間へ均一に排出されるようにすることができる。
The processing gas comes into contact with the surface of the substrate W as the substrate W passes just below the
External atmospheric gas is also sucked from the
In a state where the upper surface opening of the
上記の第1容器31は、ローラコンベア20に連結固定されるものであり、通常、ローラコンベア20の仕様に合わせて、コンベアメーカーが製作する。これに対し、第2容器32は、ローラコンベア20の仕様に縛られることなく、所望のガス滞留やガス流れの状態が得られるように設計、製作することができる。
伸縮可能な支柱33によって第2容器32を高さ調節できるので、第1容器31の底部31bの深さに拘わらず、第2容器32を所定高さに容易に位置させ、フランジ32fと被処理基板Wとの間隙を狭い一定の大きさに設定することができる。これによって、ガスの滞留及び流れの状態の制御を一層容易化することができる。
The
Since the height of the
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の改変をなすことができる。
例えば、第2容器32は、支柱33によって下から支持されるのに限られず、端壁32c又は側壁32aがブラケット等を介して第1容器31に連結されて支持されていてもよい。上記ブラケットの取り付け高さ等を調節することにより、第2容器32の高さを調節可能にしてもよい。
流体排出ダクト6aが、第1容器31に代えて又は第1容器31に加えて、第2容器32に接続されていてもよい。
拡散板34を省略してもよい。
処理流体は、流動体であればよく、気体に限られず、例えば霧状(ミスト)にした液体や粒子状の固体であってもよく、これらの混合流体であってもよい。
本発明は、プラズマ処理に限られず、オゾンやフッ酸ベーパー(フッ酸の蒸気またはミスト)によるエッチングやアッシング、シリコン含有原料の蒸気またはミストによる熱CVD等にも適用できる。
本発明は、エッチング、アッシング、成膜、洗浄、表面改質等の種々の表面処理に適用可能である。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
For example, the
The
The
The processing fluid may be a fluid and is not limited to gas, and may be, for example, a mist-like liquid (mist) or a particulate solid, or a mixed fluid thereof.
The present invention is not limited to plasma treatment, and can also be applied to etching or ashing using ozone or hydrofluoric acid vapor (hydrofluoric acid vapor or mist), thermal CVD using silicon-containing raw material vapor or mist, or the like.
The present invention is applicable to various surface treatments such as etching, ashing, film formation, cleaning, and surface modification.
本発明は、例えば半導体装置や、液晶テレビもしくはプラズマテレビのフラットパネルディスプレイ(FPD)等の製造工程における基材の洗浄などの表面処理に適用可能である。 The present invention is applicable to surface treatment such as cleaning of a substrate in a manufacturing process of a flat panel display (FPD) of a semiconductor device, a liquid crystal television or a plasma television, for example.
M 表面処理装置
W 基板(被処理物)
PL 基板搬送面(1の仮想平面)
6a 流体排出ダクト
10 ローラコンベア
11 ローラシャフト
12 ローラ
20 ヘッド
26 噴出し口
27 フード
28 カバー部
28b 端壁
29a 吸い込み口
30 容器構造
31 第1容器
31a 側壁
31e ダクト接続口
32 第2容器
33 支柱(高さ調節機構、支持部材)
34 拡散板
M Surface treatment device W Substrate (object to be treated)
PL substrate transfer surface (1 virtual plane)
6a
34 Diffuser
Claims (9)
(B)前記仮想平面の上側に配置され、処理流体を下方へ噴出す噴出し口を有するヘッドと、
(C)前記ヘッドと対向するようにして前記仮想平面の下側に配置された容器構造と、
を備え、前記容器構造が、
(a)前記ローラコンベアの一部を収容する第1容器と、
(b)前記第1容器より小さく、前記噴出し口と対向するようにして前記第1容器に収容された第2容器と、
を有していることを特徴とする表面処理装置。 (A) a roller conveyor that conveys the workpiece in one direction on one virtual plane;
(B) a head that is disposed on the upper side of the virtual plane and has an ejection port that ejects the processing fluid downward;
(C) a container structure disposed below the virtual plane so as to face the head;
Comprising the container structure,
(A) a first container containing a part of the roller conveyor;
(B) a second container accommodated in the first container so as to be smaller than the first container and opposed to the ejection port;
A surface treatment apparatus comprising:
前記ヘッドには、前記第1容器の上面開口を覆うカバー部が設けられていることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の表面処理装置。 Upper surfaces of the first and second containers are opened;
The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the head is provided with a cover portion that covers an upper surface opening of the first container.
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