JP2008110898A - Apparatus for cleaving, system for cleaving, and method for cleaving - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent edges of a cleaved plane from chipping by external force applied when in mechanically gauging or carrying a processing substrate. <P>SOLUTION: The apparatus for cleaving 10 comprises a substrate holder 50 holding the processing substrate 60, a laser heating part 30 regionally heating by irradiating the processing substrate 60 at a region in the vicinity of a line 65 scheduled to cleave with a laser beam LB2, and a cooling part 40 spraying a cooling agent C having fluidity on the processing substrate 60 held by the substrate holder 50 at a region heated with the laser beam LB2 in the vicinity of the line 65 scheduled to cleave. The cooling agent C spraying from the cooling part 40 contains a protective material 1 which protects the edges 60e of the cleaved plane 60t of the processing substrate 60 by sticking on the surface of the processing substrate 60 to remain. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、脆性材料からなる被加工基板を割断する割断装置、割断システムおよび割断方法に係り、とりわけ、被加工基板の割断面のエッジが欠けることを防止する割断装置、割断システムおよび割断方法に関する。   The present invention relates to a cleaving device, a cleaving system, and a cleaving method for cleaving a substrate to be processed made of a brittle material, and more particularly to a cleaving device, a cleaving system, and a cleaving method for preventing an edge of a cleaved surface of a substrate to be processed from being lost. .

図6に示すように、従来のガラスなどの脆性材料からなる被加工基板60を割断する割断装置10は、被加工基板60を保持する基板ホルダ50と、基板ホルダ50に保持された被加工基板60の割断予定線65近傍の領域にレーザ光LB1を照射して、被加工基板60の割断予定線65上を予熱するレーザ予熱部20と、基板ホルダ50に保持された被加工基板60のうち、レーザ予熱部20からのレーザ光LB1により予熱された割断予定線65近傍の領域に、レーザ光LB2を照射して局部的に加熱するレーザ加熱部30と、基板ホルダ50に保持された被加工基板60のうち、レーザ加熱部30からのレーザ光LB2によって加熱された割断予定線65近傍の領域に、流動性のある冷却剤C’を噴射する冷却部40とを備えている。   As shown in FIG. 6, a cleaving apparatus 10 for cleaving a substrate to be processed 60 made of a brittle material such as glass includes a substrate holder 50 that holds the substrate to be processed 60, and a substrate to be processed that is held by the substrate holder 50. Among the laser preheating unit 20 that preheats the cutting line 65 of the substrate to be processed 60 by irradiating the region near the cutting line 65 of the laser beam LB1 and the substrate 60 to be processed held by the substrate holder 50 The laser heating unit 30 that irradiates the laser beam LB2 locally to the region near the planned cutting line 65 preheated by the laser beam LB1 from the laser preheating unit 20 and the workpiece to be processed held by the substrate holder 50 A cooling unit 40 that injects a fluid coolant C ′ is provided in a region near the planned cutting line 65 heated by the laser beam LB <b> 2 from the laser heating unit 30 in the substrate 60.

そして、冷却部40から噴射される冷却剤C’としては、水や霧(水と気体との混合物)、窒素等の気体、二酸化炭素粒子(ドライアイス)等の微粒子固体、アルコール等の液体、霧状のアルコール、雪状のドライアイス等が用いられている。   The coolant C ′ sprayed from the cooling unit 40 includes water, mist (a mixture of water and gas), a gas such as nitrogen, a particulate solid such as carbon dioxide particles (dry ice), a liquid such as alcohol, Mist-like alcohol, snow-like dry ice, etc. are used.

しかしながら、このような割断装置10によって割断された被加工基板60の割断面のエッジは、何ら保護されておらず外部にむき出しになっている。このため、当該エッジは、被加工基板60を機械的にゲージングするときや、被加工基板60を持ち運ぶときなどに加わる外力によって、欠けることがある。   However, the edge of the cut section of the substrate to be processed 60 cut by the cleaving apparatus 10 is not protected at all and is exposed to the outside. For this reason, the edge may be chipped due to an external force applied when the workpiece substrate 60 is mechanically gauged or when the workpiece substrate 60 is carried.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被加工基板を機械的にゲージングするときや、被加工基板を持ち運ぶときなどに加わる外力によって、被加工基板の割断面のエッジが欠けることを防止する割断装置、割断システムおよび割断方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and the edge of the fractured surface of the substrate to be processed by an external force applied when the substrate to be processed is mechanically gauged or when the substrate to be processed is carried. An object of the present invention is to provide a cleaving device, a cleaving system, and a cleaving method that prevent chipping.

本発明は、脆性材料からなる被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱および冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断装置において、被加工基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線近傍の領域に、レーザ光を照射して局部的に加熱するレーザ加熱部と、基板ホルダに保持された被加工基板のうち、レーザ加熱部からのレーザ光によって加熱された割断予定線近傍の領域に、流動性のある冷却剤を噴射する冷却部とを備え、冷却部から噴射される冷却剤が、被加工基板の表面に付着して残留することによって、被加工基板の割断面のエッジを保護する保護材料を含有することを特徴とする割断装置である。   The present invention relates to a cleaving apparatus that heats and cools a substrate to be processed made of a brittle material locally along a planned cutting line and generates a crack in the substrate to be processed by a stress generated at that time. A substrate holder that holds the processed substrate, a laser heating unit that irradiates the region near the planned cutting line of the substrate to be processed held by the substrate holder and locally heats the substrate, and a substrate that is held by the substrate holder In the processed substrate, a cooling unit for injecting a fluid coolant is provided in a region in the vicinity of the planned cutting line heated by the laser beam from the laser heating unit. A cleaving apparatus comprising a protective material that protects an edge of a fractured surface of a substrate to be processed by adhering and remaining on the surface of the processed substrate.

このような構成により、被加工基板を機械的にゲージングするときや、被加工基板を持ち運ぶときなどに加わる外力によって、被加工基板の割断面のエッジが欠けることを防止することができる。   With such a configuration, it is possible to prevent the edge of the fractured surface of the workpiece substrate from being lost due to an external force applied when the workpiece substrate is mechanically gauged or when the workpiece substrate is carried.

本発明は、冷却剤が水を含有し、保護材料が、当該水に溶解する水溶性材料からなることを特徴とする割断装置である。   The present invention is a cleaving apparatus characterized in that the coolant contains water and the protective material is made of a water-soluble material that dissolves in the water.

本発明は、冷却剤が有機溶媒を含有し、保護材料が、当該有機溶媒に溶解する油性材料からなることを特徴とする割断装置である。   The present invention is a cleaving apparatus characterized in that the coolant contains an organic solvent, and the protective material is made of an oily material that dissolves in the organic solvent.

本発明は、冷却剤が固体微粉末を含有することを特徴とする割断装置である。   The present invention is a cleaving apparatus characterized in that the coolant contains a solid fine powder.

本発明は、保護材料が、被加工基板に付着して乾燥した後、弾性を有することを特徴とする割断装置である。   The present invention is the cleaving apparatus characterized in that the protective material has elasticity after adhering to the substrate to be processed and drying.

このような構成により、被加工基板を機械的にゲージングするときや、被加工基板を持ち運ぶときなどに加わる外力を十分に吸収することができるので、被加工基板の割断面のエッジが欠けることをより確実に防止することができる。   With such a configuration, the external force applied when mechanically gauging the substrate to be processed or when carrying the substrate to be processed can be sufficiently absorbed, so that the edge of the cut section of the substrate to be processed is missing. It can prevent more reliably.

本発明は、保護材料が、被加工基板に付着して乾燥した後、粘着性を有さないことを特徴とする割断装置である。   The present invention is a cleaving apparatus characterized in that the protective material does not have adhesiveness after adhering to the substrate to be processed and drying.

このような構成により、被加工基板に付着した保護材料が、周辺機器など様々な箇所に付着する可能性を無くすことができ、当該被加工基板を容易に取り扱うことができる。   With such a configuration, it is possible to eliminate the possibility that the protective material attached to the substrate to be processed adheres to various places such as peripheral devices, and the substrate to be processed can be easily handled.

本発明は、冷却部が、保護材料が被加工基板のエッジに0.1μmから1mmの厚みで付着して残留するよう、被加工基板の表面に冷却剤を噴射することを特徴とする割断装置である。   According to the present invention, the cleaving apparatus is characterized in that the cooling unit injects a coolant onto the surface of the substrate to be processed so that the protective material adheres and remains on the edge of the substrate to be processed with a thickness of 0.1 μm to 1 mm. It is.

このような構成により、被加工基板の割断面のエッジが欠けることをより確実に防止することができるとともに、保護材料が被加工基板に厚く付着しすぎて、被加工基板の取り扱いが困難になることを防止することができる。   With such a configuration, it is possible to more reliably prevent the edge of the fractured surface of the substrate to be chipped, and the protective material is too thickly attached to the substrate to be processed, making it difficult to handle the substrate to be processed. This can be prevented.

本発明は、上述の割断装置と、被加工基板のエッジに付着して残留した保護材料を、被加工基板から除去する除去装置とを備えたことを特徴とする割断システムである。   The present invention is a cleaving system comprising the above cleaving apparatus and a removing apparatus that removes the protective material adhering to and remaining on the edge of the substrate to be processed from the substrate to be processed.

このような構成により、被加工基板に残留して付着した保護材料を、被加工基板から自動的に除去することができる。   With such a configuration, the protective material that remains and adheres to the substrate to be processed can be automatically removed from the substrate to be processed.

本発明は、除去装置が、被加工基板に付着した保護材料を、水または有機溶媒で洗浄することによって、被加工基板から保護材料を除去することを特徴とする割断システムである。   The present invention is a cleaving system in which the removing device removes the protective material from the workpiece substrate by washing the protective material attached to the workpiece substrate with water or an organic solvent.

本発明は、除去装置が、被加工基板に付着した保護材料に、機械的、熱的または化学的な外因をもたらすことによって、被加工基板から保護材料を除去することを特徴とする割断システムである。   The present invention is a cleaving system characterized in that the removing device removes the protective material from the workpiece substrate by bringing a mechanical, thermal or chemical external factor to the protective material attached to the workpiece substrate. is there.

本発明は、脆性材料からなる被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱および冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断方法において、基板ホルダによって、被加工基板を保持する基板保持工程と、レーザ加熱部によって、基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線近傍の領域に、レーザ光を照射して局部的に加熱するレーザ加熱工程と、冷却部によって、基板ホルダに保持された被加工基板のうち、レーザ加熱部からのレーザ光によって加熱された割断予定線近傍の領域に、流動性のある冷却剤を噴射する冷却工程とを備え、冷却部から噴射される冷却剤が、被加工基板の表面に付着して残留することによって、被加工基板の割断面のエッジを保護する保護材料を含有することを特徴とする割断方法である。   The present invention relates to a cleaving method in which a substrate to be processed made of a brittle material is heated and cooled locally along a planned cutting line, and the substrate to be processed is cracked by a stress generated at that time. A substrate holding step for holding the substrate to be processed by the holder, and a laser heating for locally heating the laser beam by irradiating a region near the planned cutting line of the substrate to be processed held by the substrate holder by the laser heating unit. And a cooling step of injecting a fluid coolant to a region near the planned cutting line heated by the laser beam from the laser heating portion of the substrate to be processed held by the substrate holder by the cooling unit; And a coolant sprayed from the cooling part contains a protective material that protects the edge of the cut section of the substrate to be processed by adhering to and remaining on the surface of the substrate to be processed. It is a cleaving method to.

このような構成により、被加工基板を機械的にゲージングするときや、被加工基板を持ち運ぶときなどに加わる外力によって、被加工基板の割断面のエッジが欠けることを防止することができる。   With such a configuration, it is possible to prevent the edge of the fractured surface of the workpiece substrate from being lost due to an external force applied when the workpiece substrate is mechanically gauged or when the workpiece substrate is carried.

本発明は、被加工基板のエッジに付着して残留した保護材料を、被加工基板から除去する除去工程をさらに備えたことを特徴とする割断方法である。   The present invention is a cleaving method characterized by further comprising a removing step of removing the protective material adhering to and remaining on the edge of the substrate to be processed from the substrate to be processed.

本発明によれば、被加工基板の表面に付着して残留することによって、被加工基板の割断面のエッジを保護する保護材料を含有する冷却剤を用いることにより、被加工基板を機械的にゲージングするときや、被加工基板を持ち運ぶときなどに加わる外力により、被加工基板の割断面のエッジが欠けることを防止することができる。   According to the present invention, by using a coolant containing a protective material that protects the edge of the cut surface of the substrate to be processed by adhering to and remaining on the surface of the substrate to be processed, the substrate to be processed is mechanically It is possible to prevent the edge of the cut surface of the substrate to be chipped due to an external force applied when gauging or carrying the substrate to be processed.

実施の形態
以下、本発明に係る割断システムの実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1乃至図5は本発明の実施の形態を示す図である。
Embodiment Hereinafter, an embodiment of the cleaving system of the present invention will be described with reference to the drawings. Here, FIG. 1 to FIG. 5 are diagrams showing an embodiment of the present invention.

割断システムは、ガラスなどの脆性材料からなる被加工基板60を、割断予定線65に沿って局部的に加熱および冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板60に亀裂を生じさせて割断する割断装置10(図1参照)と、被加工基板60のエッジ60eに付着して残留した保護材料1(後述する)を、被加工基板60から除去する除去装置70(図2乃至図4(a)(b)参照)とを備えている。   The cleaving system heats and cools the substrate 60 to be processed made of a brittle material such as glass locally along the planned cutting line 65, and generates a crack in the substrate to be processed 60 by the stress generated at that time. 1 and a removing device 70 for removing the protective material 1 (described later) adhering to the edge 60e of the substrate 60 to be processed from the substrate 60 (FIGS. 2 to 4). a) and (b)).

図1に示すように、割断システムに含まれる割断装置10は、被加工基板60を保持する基板ホルダ50と、基板ホルダ50に保持された被加工基板60の割断予定線65近傍の領域にレーザ光LB1を照射して、被加工基板60の割断予定線65上を予熱するレーザ予熱部20と、基板ホルダ50に保持された被加工基板60のうち、レーザ予熱部20からのレーザ光LB1により予熱された割断予定線65近傍の領域に、レーザ光LB2を照射して局部的に加熱するレーザ加熱部30と、基板ホルダ50に保持された被加工基板60のうち、レーザ加熱部30からのレーザ光LB2によって加熱された割断予定線65近傍の領域に、流動性のある冷却剤Cを噴射する冷却部40とを備えている。   As shown in FIG. 1, the cleaving apparatus 10 included in the cleaving system includes a laser in a substrate holder 50 that holds a substrate to be processed 60 and a region in the vicinity of the planned cutting line 65 of the substrate to be processed 60 held by the substrate holder 50. Of the laser preheating unit 20 that preheats the cutting line 65 of the substrate to be processed 60 by irradiation with the light LB1 and the substrate to be processed 60 held by the substrate holder 50, the laser beam LB1 from the laser preheating unit 20 The laser heating unit 30 that irradiates the laser beam LB2 to the preheated region near the planned cutting line 65 and locally heats the substrate 60 to be processed held by the substrate holder 50. A cooling unit 40 that injects a fluid coolant C is provided in the vicinity of the planned cutting line 65 heated by the laser beam LB2.

なお、図1において、被加工基板60内に延在する割断予定線65の方向をX方向とし、被加工基板60の面内方向であって、X方向に直交する方向をY方向とし、被加工基板60の法線方向(X方向及びZ方向に直交する方向)をZ方向とする。   In FIG. 1, the direction of the cleaving line 65 extending in the substrate 60 to be processed is the X direction, the in-plane direction of the substrate to be processed 60 and the direction orthogonal to the X direction is the Y direction, The normal direction of the processed substrate 60 (the direction orthogonal to the X direction and the Z direction) is taken as the Z direction.

また、図1に示すように、基板ホルダ50は、レーザ予熱部20、レーザ加熱部30及び冷却部40に対して、XY平面内で相対的に移動する移動ステージ55上に設けられている。   As shown in FIG. 1, the substrate holder 50 is provided on a moving stage 55 that moves relative to the laser preheating unit 20, the laser heating unit 30, and the cooling unit 40 in the XY plane.

次に、上述したレーザ予熱部20、レーザ加熱部30及び冷却部40を、詳細に説明する。   Next, the laser preheating part 20, the laser heating part 30, and the cooling part 40 mentioned above are demonstrated in detail.

図1に示すレーザ予熱部20は、被加工基板60上にレーザ光LB1を照射して被加工基板60を局部的に予熱するためのものである。図1に示すように、レーザ予熱部20は、200W程度のCO2レーザ光を出射するレーザ発振器21と、レーザ発振器21により出射されたレーザ光LB1を反射する反射ミラー22と、反射ミラー22により反射されたレーザ光LB1を被加工基板60上で走査するポリゴンミラー23とを有している。そして、レーザ発振器21から出射したレーザ光LB1は、反射ミラー22を経てポリゴンミラー23で反射され、被加工基板60上で割断予定線65に沿って繰り返し走査される。   The laser preheating unit 20 shown in FIG. 1 is for locally heating the substrate 60 by irradiating the substrate 60 with the laser beam LB1. As shown in FIG. 1, the laser preheating unit 20 includes a laser oscillator 21 that emits about 200 W of CO 2 laser light, a reflection mirror 22 that reflects the laser light LB1 emitted by the laser oscillator 21, and a reflection mirror 22 that reflects the laser light. A polygon mirror 23 that scans the processed laser beam LB1 on the substrate 60 to be processed. The laser beam LB1 emitted from the laser oscillator 21 is reflected by the polygon mirror 23 via the reflection mirror 22 and repeatedly scanned along the planned cutting line 65 on the substrate 60 to be processed.

また、図1に示すレーザ加熱部30は、被加工基板60上にレーザ光LB2を照射して被加工基板60を局部的に加熱して、被加工基板60に亀裂を生じさせるためのものである。図1に示すように、レーザ加熱部30は、数十W〜百数十W程度のCO2レーザ光を出射するレーザ発振器31と、レーザ発振器31により出射されたレーザ光LB2を反射する反射ミラー32と、反射ミラー32により反射されたレーザ光LB2を被加工基板60上で走査するポリゴンミラー33とを有している。そして、レーザ発振器31から出射したレーザ光LB2は、反射ミラー32を経てポリゴンミラー33で反射され、被加工基板60上で割断予定線65に沿って繰り返し走査される。   Further, the laser heating unit 30 shown in FIG. 1 is for irradiating the laser beam LB2 on the substrate to be processed 60 to locally heat the substrate to be processed 60 and causing the substrate to be processed 60 to crack. is there. As shown in FIG. 1, the laser heating unit 30 includes a laser oscillator 31 that emits CO2 laser light of several tens of watts to hundreds of tens of watts, and a reflection mirror 32 that reflects the laser light LB2 emitted from the laser oscillator 31. And a polygon mirror 33 that scans the laser beam LB2 reflected by the reflection mirror 32 on the substrate 60 to be processed. The laser beam LB2 emitted from the laser oscillator 31 is reflected by the polygon mirror 33 through the reflection mirror 32 and repeatedly scanned along the planned cutting line 65 on the substrate 60 to be processed.

また、図1に示す冷却部40は、局部的に加熱された被加工基板60上の割断予定線65に冷却剤Cを吹き付けて冷却するためのものである。このような冷却剤Cは、被加工基板60の表面に付着して残留することによって、被加工基板60の割断面60tのエッジ60eを保護する保護材料1を含有している(図3(a)(b)および図4(a)(b)参照)。ところで、図3(a)(b)および図4(a)(b)は、保護部材1が被加工基板60のエッジ60eに付着した様子を図1の矢印Aから見た正面図である。   Moreover, the cooling unit 40 shown in FIG. 1 is for cooling by spraying the coolant C on the planned cutting line 65 on the substrate 60 heated locally. Such a coolant C contains the protective material 1 that protects the edge 60e of the fractured surface 60t of the substrate 60 to be processed by adhering and remaining on the surface of the substrate 60 to be processed (FIG. 3A). ) (B) and FIGS. 4 (a) and 4 (b)). 3A, 3B, and 4A, 4B are front views of the protective member 1 attached to the edge 60e of the substrate 60, as viewed from the arrow A in FIG.

冷却剤Cが水(霧状になったものを含む)を含有している場合には、保護材料1は、当該水に溶解する水溶性材料からなっている。また、冷却剤Cがアルコールなどの有機溶媒(霧状になったものを含む)を含有している場合には、保護材料1は、当該有機溶媒に溶解する油性材料からなっている。   When the coolant C contains water (including a mist), the protective material 1 is made of a water-soluble material that dissolves in the water. Further, when the coolant C contains an organic solvent such as alcohol (including a mist), the protective material 1 is made of an oily material that dissolves in the organic solvent.

また、冷却剤Cがドライアイスなどの固体微粉末を含有している場合には、保護材料1は、当該固体微粉末に混在している。   Moreover, when the coolant C contains solid fine powders, such as dry ice, the protective material 1 is mixed in the said solid fine powder.

保護材料1は、被加工基板60に付着して乾燥した後、弾性を有するものが好ましい。このような保護材料1を用いることによって、被加工基板60を機械的にゲージングするときや被加工基板60を持ち運ぶときなどに加わる外力を十分に吸収することができ、被加工基板60の割断面60tのエッジ60eが欠けることをより確実に防止することができるためである(図3(a)(b)および図4(a)(b)参照)。   The protective material 1 preferably has elasticity after being attached to the substrate 60 and dried. By using such a protective material 1, it is possible to sufficiently absorb external force applied when the workpiece substrate 60 is mechanically gauged or when the workpiece substrate 60 is carried. This is because it is possible to more reliably prevent the 60t edge 60e from being chipped (see FIGS. 3A and 3B and FIGS. 4A and 4B).

また、保護材料1は、被加工基板60に付着して乾燥した後、粘着性を有さないことが好ましい。保護材料1が粘着性を有していると、保護材料1が周辺機器など様々な箇所に付着する可能性があり、被加工基板60を取り扱うことが困難になるためである。   Moreover, it is preferable that the protective material 1 does not have adhesiveness after adhering to the substrate 60 to be processed and drying. This is because if the protective material 1 has adhesiveness, the protective material 1 may adhere to various places such as peripheral devices, and it becomes difficult to handle the substrate 60 to be processed.

また、水溶性材料からなる保護材料1としては、水溶性塗料や水溶性接着剤などを用いることができる。より具体的には、水性ペンキ、ボンド(登録商標)などを用いることができる。   As the protective material 1 made of a water-soluble material, a water-soluble paint, a water-soluble adhesive, or the like can be used. More specifically, water-based paint, Bond (registered trademark), or the like can be used.

上述した水溶性材料からなる保護材料1のうち、酢酸ビニル系接着剤を用いることがとりわけ好ましい。酢酸ビニル系接着剤は、水に容易に溶け、乾燥すると適度な弾性を有し、安価で入手することができ、さらに、後述するように被加工基板60から保護材料1を除去する際、被加工基板60から剥がして容易に取り除くことができるためである。   Of the protective material 1 made of the water-soluble material described above, it is particularly preferable to use a vinyl acetate adhesive. The vinyl acetate-based adhesive dissolves easily in water, has moderate elasticity when dried, can be obtained at a low cost, and further, when removing the protective material 1 from the substrate 60 to be processed, as will be described later. This is because it can be easily removed by peeling from the processed substrate 60.

また、油性材料からなる保護材料1としては、油性塗料や油性接着剤などを用いることができる。   Moreover, as the protective material 1 made of an oily material, an oily paint, an oily adhesive, or the like can be used.

ところで、冷却剤Cがドライアイスなどの固体微粉末を含有している場合には、上述のように、保護材料1は固体微粉末に混在している。このため、保護材料1としては、水溶性塗料、水溶性接着剤、油性塗料、油性接着剤など、被加工基板60に付着して残存するものであれば、あらゆるものを用いることができる。   By the way, when the coolant C contains solid fine powder such as dry ice, the protective material 1 is mixed in the solid fine powder as described above. For this reason, as the protective material 1, any material can be used as long as it remains attached to the substrate 60 to be processed, such as a water-soluble paint, a water-soluble adhesive, an oil-based paint, and an oil-based adhesive.

図1において、冷却部40は、保護材料1が被加工基板60のエッジ60eに0.1μmから1mmの厚みで付着して残留するよう、被加工基板60の表面に冷却剤Cを噴射する(図3(a)(b)および図4(a)(b)参照)。   In FIG. 1, the cooling unit 40 injects the coolant C onto the surface of the substrate to be processed 60 so that the protective material 1 remains on the edge 60e of the substrate to be processed 60 with a thickness of 0.1 μm to 1 mm. 3 (a) and 3 (b) and FIGS. 4 (a) and 4 (b)).

また、割断システムに含まれる除去装置70は、図2に示すように、被加工基板60を保持する基板ホルダ72と、基板ホルダ72の下部に連結され、基板ホルダ72を水平方向に駆動する移動ステージ75と、基板ホルダ72の上方に配置され、被加工基板60のエッジ60eに付着して残留した保護材料1を被加工基板60から除去する除去部71とを備えている。   Further, as shown in FIG. 2, the removing device 70 included in the cleaving system is connected to a substrate holder 72 that holds the substrate 60 to be processed and a lower portion of the substrate holder 72, and moves to drive the substrate holder 72 in the horizontal direction. A stage 75 and a removal unit 71 that is disposed above the substrate holder 72 and removes the protective material 1 remaining on the edge 60e of the substrate 60 to be processed from the substrate 60 to be processed are provided.

ここで、被加工基板60に付着した保護材料1が水溶性材料からなる場合には、除去部71として、保護材料1を水で洗浄することによって、被加工基板60から保護材料1を除去するものを用いることができる。また、保護材料1が油性材料からなる場合には、除去部71として、保護材料1を有機溶媒で洗浄することによって、被加工基板60から保護材料1を除去するものを用いることができる。   Here, when the protective material 1 attached to the substrate to be processed 60 is made of a water-soluble material, the protective material 1 is removed from the substrate to be processed 60 by washing the protective material 1 with water as the removing unit 71. Things can be used. Moreover, when the protective material 1 consists of an oily material, what removes the protective material 1 from the to-be-processed substrate 60 can be used as the removal part 71 by wash | cleaning the protective material 1 with an organic solvent.

また、除去部71として、被加工基板60に付着した保護材料1に、物理的な力を加えて(機械的な外因をもたらすことによって)被加工基板60から保護材料1を除去するものや、熱を加えたり冷却したりして(熱的な外因をもたらすことによって)被加工基板60から保護材料1を除去するものや、薬品などを塗布して(化学的な外因をもたらすことによって)被加工基板60から保護材料1を除去するものなどを用いることもできる。   Further, as the removing unit 71, a physical force is applied to the protective material 1 attached to the processed substrate 60 (by causing a mechanical external cause) to remove the protective material 1 from the processed substrate 60, Applying or cooling heat (by causing a thermal external cause) to remove the protective material 1 from the substrate 60 to be processed, or applying a chemical or the like (by causing a chemical external cause) What removes the protective material 1 from the process board | substrate 60 can also be used.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。   Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described.

まず、基板ホルダ50によって、被加工基板60が保持される(基板保持工程81)(図1および図5参照)。   First, the substrate 60 is held by the substrate holder 50 (substrate holding step 81) (see FIGS. 1 and 5).

次に、移動ステージ55により基板ホルダ50を移動させ、被加工基板60の割断予定線65上にレーザ予熱部20、レーザ加熱部30及び冷却部40を位置付ける(図1参照)。なお、レーザ予熱部20、レーザ加熱部30及び冷却部40は、被加工基板60の割断予定線65上に位置付けられた後、当該割断予定線65に沿って適切な間隔で一直線状に配置されるように予めアライメント調整される。   Next, the substrate holder 50 is moved by the moving stage 55, and the laser preheating unit 20, the laser heating unit 30, and the cooling unit 40 are positioned on the planned cutting line 65 of the substrate to be processed 60 (see FIG. 1). The laser preheating unit 20, the laser heating unit 30, and the cooling unit 40 are positioned on the planned cutting line 65 of the substrate to be processed 60, and then arranged in a straight line at appropriate intervals along the planned cutting line 65. The alignment is adjusted in advance so that

次に、基板ホルダ50に保持された被加工基板60の割断予定線65上の領域が、レーザ予熱部20から照射される線状のレーザビームLB1によって、所定の温度(30℃〜200℃程度)で局部的に予熱される(レーザ予熱工程83)(図1および図5参照)。このとき、レーザ予熱部20は、レーザ発振器21により出射されたレーザ光LB1を、反射ミラー22で反射した後、ポリゴンミラー23で反射し、被加工基板60上の割断予定線65に沿って繰り返し走査する。   Next, the region on the planned cutting line 65 of the substrate to be processed 60 held by the substrate holder 50 is changed to a predetermined temperature (about 30 ° C. to 200 ° C.) by the linear laser beam LB 1 irradiated from the laser preheating unit 20. ) Is locally preheated (laser preheating step 83) (see FIGS. 1 and 5). At this time, the laser preheating unit 20 reflects the laser beam LB1 emitted from the laser oscillator 21 by the reflection mirror 22, then reflects by the polygon mirror 23, and repeats along the planned cutting line 65 on the substrate 60 to be processed. Scan.

次に、レーザ予熱部20によって局部的に予熱された被加工基板60上の領域よりも幅の狭い割断予定線65上の領域が、レーザ加熱部30から照射される線状のレーザビームLB2によって、所定の温度(100℃〜400℃程度)で局部的に加熱される(レーザ加熱工程85)(図1および図5参照)。このとき、レーザ加熱部30は、レーザ発振器31により出射されたレーザ光LB2を、反射ミラー32で反射した後、ポリゴンミラー33で反射し、被加工基板60上で割断予定線65に沿って繰り返し走査する。このように、被加工基板60の割断予定線65上の領域で加熱することによって、熱応力が発生する。   Next, the region on the cutting planned line 65 narrower than the region on the substrate 60 to be locally preheated by the laser preheating unit 20 is caused by the linear laser beam LB2 irradiated from the laser heating unit 30. Then, it is heated locally at a predetermined temperature (about 100 ° C. to 400 ° C.) (laser heating step 85) (see FIGS. 1 and 5). At this time, the laser heating unit 30 reflects the laser beam LB2 emitted from the laser oscillator 31 by the reflection mirror 32, then reflects by the polygon mirror 33, and repeats along the planned cutting line 65 on the substrate 60 to be processed. Scan. In this way, thermal stress is generated by heating in the region on the cutting line 65 of the substrate 60 to be processed.

その後、レーザ加熱部30により局部的に加熱が行われた領域よりも幅の広い円形状の領域に、冷却部40によって流動性のある冷却剤Cを噴射することにより、被加工基板60が局部的に冷却される(冷却工程87)(図1および図5参照)。このように冷却することによって、被加工基板60の表面が収縮し、引張応力が発生する。このため、誘起された応力を拡大させることができ、被加工基板60を割断予定線65で、効率よく割断することができる。   Thereafter, the coolant 60 is sprayed by the cooling unit 40 onto a circular region having a width wider than the region heated locally by the laser heating unit 30, thereby causing the substrate 60 to be processed locally. Is cooled (cooling step 87) (see FIGS. 1 and 5). By cooling in this manner, the surface of the substrate 60 to be processed contracts, and tensile stress is generated. For this reason, the induced stress can be enlarged, and the substrate 60 to be processed can be efficiently cleaved by the cleaved planned line 65.

このように冷却部40から噴射される冷却剤Cには、被加工基板60の表面に付着して残留する保護材料1が含有されている。このため、被加工基板60の割断面60tのエッジ60eに保護材料1が付着して残留し、被加工基板60のエッジ60eを保護することができる(図3(a)(b)および図4(a)(b)参照)。この結果、被加工基板60を機械的にゲージングしたり、持ち運んだりするときに、被加工基板60のエッジ60eが誤って欠けてしまうことを防止することができる。   As described above, the coolant C sprayed from the cooling unit 40 contains the protective material 1 that remains attached to the surface of the substrate 60 to be processed. For this reason, the protective material 1 adheres and remains on the edge 60e of the fractured surface 60t of the substrate to be processed 60, and the edge 60e of the substrate to be processed 60 can be protected (FIGS. 3A, 3B, and 4). (See (a) and (b)). As a result, it is possible to prevent the edge 60e of the processed substrate 60 from being accidentally chipped when the processed substrate 60 is mechanically gauged or carried.

ここで、図3(a)(b)および図4(a)(b)を参照として、被加工基板60のエッジ60eに保護材料1が付着する工程について、具体的に説明する。まず、被加工基板60に冷却部40から噴射された冷却剤Cが、被加工基板60に熱応力が加わることによって形成された亀裂CRに、毛細管現象によって浸透する(図3(a)および図4(a)参照)。次に、被加工基板60の表面に噴射された冷却剤Cの水、有機溶媒、固体微粉末などが蒸発し、保護材料1のみが被加工基板60のエッジ60eに残り、付着する(図3(a)および図4(a)参照)。その後、被加工基板60が亀裂CRで分離され、このとき、保護材料1も被加工基板60とともに分離される(図3(b)および図4(b)参照)。   Here, with reference to FIG. 3 (a) (b) and FIG. 4 (a) (b), the process in which the protective material 1 adheres to the edge 60e of the to-be-processed substrate 60 is demonstrated concretely. First, the coolant C sprayed from the cooling unit 40 to the workpiece substrate 60 penetrates into the crack CR formed by applying thermal stress to the workpiece substrate 60 by capillary action (FIG. 3A and FIG. 3). 4 (a)). Next, the water, organic solvent, solid fine powder, etc. of the coolant C sprayed on the surface of the substrate to be processed 60 evaporate, and only the protective material 1 remains on the edge 60e of the substrate 60 to be processed (FIG. 3). (See (a) and FIG. 4 (a)). Thereafter, the substrate to be processed 60 is separated by the crack CR, and at this time, the protective material 1 is also separated together with the substrate to be processed 60 (see FIGS. 3B and 4B).

このとき、図4(a)(b)に示すように、保護材料1を、被加工基板60の割断面60tのエッジ60eのみに付着させてもよいが、図3(a)(b)に示すように、被加工基板60の割断面60t全体に、保護材料1を付着させることがより好ましい。図3(a)(b)に示すように、被加工基板60の割断面60t全体に保護材料1を付着させることによって、割断面60tのエッジ60eのみでなく、割断面60t全体を保護することができるためである。   At this time, as shown in FIGS. 4A and 4B, the protective material 1 may be attached only to the edge 60e of the fractured surface 60t of the substrate 60 to be processed. As shown, it is more preferable to attach the protective material 1 to the entire fractured surface 60t of the substrate 60 to be processed. As shown in FIGS. 3A and 3B, the protective material 1 is attached to the entire fractured surface 60t of the substrate to be processed 60, thereby protecting not only the edge 60e of the fractured surface 60t but also the entire fractured surface 60t. It is because it can do.

なお、保護材料1が被加工基板60のエッジ60eに0.1μmから1mmの厚みで付着して残留するよう、冷却部40によって、被加工基板60の表面に冷却剤Cが噴射される。このような厚みで、被加工基板60に保護材料1を付着させることによって、被加工基板60の割断面60tのエッジ60eが欠けることをより確実に防止することができるとともに、保護材料1が被加工基板60に厚く付着しすぎて、被加工基板60の取り扱いが困難になることを防止することができる。   The coolant C is sprayed onto the surface of the substrate to be processed 60 by the cooling unit 40 so that the protective material 1 remains attached to the edge 60e of the substrate 60 to be processed with a thickness of 0.1 μm to 1 mm. By attaching the protective material 1 to the substrate to be processed 60 with such a thickness, it is possible to more reliably prevent the edge 60e of the split section 60t of the substrate to be processed 60 from being chipped. It can be prevented that the substrate to be processed 60 becomes difficult to handle due to being too thickly attached to the substrate to be processed 60.

次に、除去装置70の基板ホルダ72によって、被加工基板60が保持される(基板保持工程91)(図2および図5参照)。   Next, the substrate 60 to be processed is held by the substrate holder 72 of the removing device 70 (substrate holding step 91) (see FIGS. 2 and 5).

次に、除去装置70の除去部71によって、被加工基板60のエッジ60eに付着して残留した保護材料1が、被加工基板60から除去される(除去工程93)(図2および図5参照)。このとき、移動ステージ75が水平方向に移動することによって、基板ホルダ72によって保持された被加工基板60が、除去部71に対して相対的に移動する。   Next, the protective material 1 adhered and remaining on the edge 60e of the substrate 60 to be processed is removed from the substrate 60 by the removing unit 71 of the removing device 70 (removal step 93) (see FIGS. 2 and 5). ). At this time, the workpiece stage 60 held by the substrate holder 72 moves relative to the removal unit 71 by the movement stage 75 moving in the horizontal direction.

ここで、保護材料1が酢酸ビニル系接着剤からなる場合には、被加工基板60から保護材料1を剥がして容易に取り除くことができるため、好ましい。   Here, it is preferable that the protective material 1 is made of a vinyl acetate-based adhesive because the protective material 1 can be easily removed by peeling off the substrate 60 to be processed.

本発明による割断システムの割断装置を示す側方図。The side view which shows the cleaving apparatus of the cleaving system by this invention. 本発明による割断システムの除去装置を示す側方図。The side view which shows the removal apparatus of the cleaving system by this invention. 本発明による割断システムの割断装置によって、保護部材が被加工基板のエッジに付着した様子を図1の矢印Aからみた正面図。The front view which looked at a mode that the protection member adhered to the edge of the to-be-processed substrate by the cleaving apparatus of the cleaving system by this invention from the arrow A of FIG. 本発明による割断システムの割断装置によって、保護部材が被加工基板のエッジに付着した別の様子を図1の矢印Aからみた正面図。The front view which looked at another mode that the protection member adhered to the edge of the to-be-processed board | substrate with the cleaving apparatus of the cleaving system by this invention seen from the arrow A of FIG. 本発明による割断方法を示すフロー図。The flowchart which shows the cleaving method by this invention. 従来の割断装置を示す側方図。The side view which shows the conventional cleaving apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1 保護材料
10 割断装置
20 レーザ予熱部
30 レーザ加熱部
40 冷却部
55 移動ステージ
60 被加工基板
60e エッジ
60t 割断面
65 割断予定線
75 移動ステージ
50 基板ホルダ
72 基板ホルダ
70 除去装置
71 除去部
81 基板保持工程
83 レーザ予熱工程
85 レーザ加熱工程
87 冷却工程
91 基板保持工程
93 除去工程
C 冷却剤
CR 亀裂
LB1,LB2 レーザ光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Protective material 10 Cleaving apparatus 20 Laser preheating part 30 Laser heating part 40 Cooling part 55 Moving stage 60 Substrate 60e Edge 60t Split section 65 Scheduled cutting line 75 Moving stage 50 Substrate holder 72 Substrate holder 70 Removing apparatus 71 Removing part 81 Substrate Holding process 83 Laser preheating process 85 Laser heating process 87 Cooling process 91 Substrate holding process 93 Removal process C Coolant CR Cracks LB1, LB2 Laser light

Claims (12)

脆性材料からなる被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱および冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断装置において、
被加工基板を保持する基板ホルダと、
基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線近傍の領域に、レーザ光を照射して局部的に加熱するレーザ加熱部と、
基板ホルダに保持された被加工基板のうち、レーザ加熱部からのレーザ光によって加熱された割断予定線近傍の領域に、流動性のある冷却剤を噴射する冷却部とを備え、
冷却部から噴射される冷却剤は、被加工基板の表面に付着して残留することによって、被加工基板の割断面のエッジを保護する保護材料を含有することを特徴とする割断装置。
In a cleaving apparatus that heats and cools a substrate to be processed made of a brittle material locally along a cleaving line, and generates a crack in the substrate to be cleaved by stress generated at that time,
A substrate holder for holding the substrate to be processed;
A laser heating unit that irradiates a laser beam to a region near the planned cutting line of the substrate to be processed held by the substrate holder and locally heats the substrate;
Of the substrate to be processed held by the substrate holder, a cooling unit that injects a fluid coolant in a region near the planned cutting line heated by the laser beam from the laser heating unit,
The coolant sprayed from a cooling part contains the protective material which protects the edge of the cut surface of a to-be-processed substrate by adhering to the surface of a to-be-processed substrate, and remaining, The cutting apparatus characterized by the above-mentioned.
冷却剤は水を含有し、
保護材料は、当該水に溶解する水溶性材料からなることを特徴とする請求項1記載の割断装置。
The coolant contains water,
The cleaving apparatus according to claim 1, wherein the protective material is made of a water-soluble material that dissolves in the water.
冷却剤は有機溶媒を含有し、
保護材料は、当該有機溶媒に溶解する油性材料からなることを特徴とする請求項1記載の割断装置。
The coolant contains an organic solvent,
The cleaving apparatus according to claim 1, wherein the protective material is made of an oily material that dissolves in the organic solvent.
冷却剤は固体微粉末を含有することを特徴とする請求項1記載の割断装置。   The cleaving apparatus according to claim 1, wherein the coolant contains a solid fine powder. 保護材料は、被加工基板に付着して乾燥した後、弾性を有することを特徴とする請求項1記載の割断装置。   The cleaving apparatus according to claim 1, wherein the protective material has elasticity after adhering to the substrate to be processed and drying. 保護材料は、被加工基板に付着して乾燥した後、粘着性を有さないことを特徴とする請求項1記載の割断装置。   The cleaving apparatus according to claim 1, wherein the protective material does not have adhesiveness after adhering to the substrate to be processed and drying. 冷却部は、保護材料が被加工基板のエッジに0.1μmから1mmの厚みで付着して残留するよう、被加工基板の表面に冷却剤を噴射することを特徴とする請求項1記載の割断装置。   2. The cleaving according to claim 1, wherein the cooling unit sprays a coolant onto the surface of the substrate to be processed so that the protective material remains attached to the edge of the substrate to be processed with a thickness of 0.1 μm to 1 mm. apparatus. 請求項1記載の割断装置と、
被加工基板のエッジに付着して残留した保護材料を、被加工基板から除去する除去装置とを備えたことを特徴とする割断システム。
A cleaving device according to claim 1;
A cleaving system comprising: a removing device that removes a protective material adhered to an edge of a substrate to be processed from the substrate to be processed.
除去装置は、被加工基板に付着した保護材料を、水または有機溶媒で洗浄することによって、被加工基板から保護材料を除去することを特徴とする請求項8記載の割断システム。   9. The cleaving system according to claim 8, wherein the removing device removes the protective material from the substrate to be processed by washing the protective material attached to the substrate to be processed with water or an organic solvent. 除去装置は、被加工基板に付着した保護材料に、機械的、熱的または化学的な外因をもたらすことによって、被加工基板から保護材料を除去することを特徴とする請求項8記載の割断システム。   9. The cleaving system according to claim 8, wherein the removing device removes the protective material from the workpiece substrate by bringing a mechanical, thermal or chemical external factor to the protective material attached to the workpiece substrate. . 脆性材料からなる被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱および冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断方法において、
基板ホルダによって、被加工基板を保持する基板保持工程と、
レーザ加熱部によって、基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線近傍の領域に、レーザ光を照射して局部的に加熱するレーザ加熱工程と、
冷却部によって、基板ホルダに保持された被加工基板のうち、レーザ加熱部からのレーザ光によって加熱された割断予定線近傍の領域に、流動性のある冷却剤を噴射する冷却工程とを備え、
冷却部から噴射される冷却剤は、被加工基板の表面に付着して残留することによって、被加工基板の割断面のエッジを保護する保護材料を含有することを特徴とする割断方法。
In a cleaving method in which a substrate to be processed made of a brittle material is heated and cooled locally along a planned cutting line, and the substrate to be processed is cracked by a stress generated at that time.
A substrate holding step for holding the substrate to be processed by the substrate holder;
A laser heating step of locally heating the laser beam by irradiating a laser beam onto a region near the planned cutting line of the substrate to be processed held by the substrate holder;
A cooling step of injecting a fluid coolant to a region in the vicinity of the planned cutting line heated by the laser beam from the laser heating unit of the substrate to be processed held by the cooling unit by the cooling unit;
A cleaving method characterized in that the coolant sprayed from the cooling unit contains a protective material that protects the edge of the fractured surface of the substrate to be processed by remaining attached to the surface of the substrate to be processed.
被加工基板のエッジに付着して残留した保護材料を、被加工基板から除去する除去工程をさらに備えたことを特徴とする請求項11記載の割断方法。   12. The cleaving method according to claim 11, further comprising a removing step of removing the protective material adhering to the edge of the substrate to be processed from the substrate to be processed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112687594A (en) * 2021-03-11 2021-04-20 度亘激光技术(苏州)有限公司 Semiconductor device cleavage device and cleavage method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016032828A (en) * 2014-07-31 2016-03-10 浜松ホトニクス株式会社 Workpiece cutting method
CN112687594A (en) * 2021-03-11 2021-04-20 度亘激光技术(苏州)有限公司 Semiconductor device cleavage device and cleavage method
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