JP2008107526A - Electro-optical device and electronic equipment - Google Patents

Electro-optical device and electronic equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2008107526A
JP2008107526A JP2006289636A JP2006289636A JP2008107526A JP 2008107526 A JP2008107526 A JP 2008107526A JP 2006289636 A JP2006289636 A JP 2006289636A JP 2006289636 A JP2006289636 A JP 2006289636A JP 2008107526 A JP2008107526 A JP 2008107526A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
liquid crystal
electro
electrode
scattering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006289636A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4858082B2 (en
Inventor
Toshihiro Otake
俊裕 大竹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2006289636A priority Critical patent/JP4858082B2/en
Publication of JP2008107526A publication Critical patent/JP2008107526A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4858082B2 publication Critical patent/JP4858082B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an electro-optical device by which an electrode can be finely patterned. <P>SOLUTION: The device includes a reflection film 44 formed in a reflective display region R of an element substrate 21, and a frame portion 11a and a belt-like portion 11b formed on the reflection film 44. The frame portion 11a and the belt-like portion 11b are disposed closer to a liquid crystal layer 23 than the reflection film 44, and at least partially formed on a flat face in the reflective display region R. The reflection film 44 includes a ruggedness portion 44a formed in a region overlapped in a planar view with the frame portion 11a and the non-belt-like portion 11b, and a flat portion 44b formed in a region overlapped with the frame portion 11a and the belt-like portion 11b in a planar view. A scattering region to scatter the light reflected by the reflection film 44 is formed in a region of the reflective display region R on a counter substrate 22, overlapped with the frame portion 11a and the belt-like portion 11b. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば液晶表示装置などの電気光学装置及びこれを備える電子機器に関する。   The present invention relates to an electro-optical device such as a liquid crystal display device and an electronic apparatus including the same.

従来から、明るい場所では外光を利用し、暗い場所ではバックライトなどの内部の光源を利用して表示を視認可能とした半透過反射型の液晶表示装置が利用されている。この半透過反射型の液晶表示装置では、反射型と透過型とを兼ね備えた表示方式を採用しており、周囲の明るさに応じて反射モードまたは透過モードのいずれかの表示方式に切り替えることにより、消費電力を低減しつつ周囲が暗い場合でも明瞭な表示が行えるようにしたものである。
ところで、このような半透過反射型の液晶表示装置では、1つの画素領域内に透過表示を行う透過表示領域と反射表示を行う反射表示領域とが設けられている。そして、液晶表示装置のうち反射表示領域と対応する領域には、液晶層に入射した外光を入射面に向けて反射する反射膜が設けられている。この反射膜の表面には、反射表示において良好な表示特性を得ることを目的として、光を散乱させながら反射するための凹凸が形成されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, transflective liquid crystal display devices that use external light in a bright place and use an internal light source such as a backlight in a dark place to make a display visible have been used. This transflective liquid crystal display device adopts a display method that combines a reflective type and a transmissive type. By switching to either the reflective mode or the transmissive mode depending on the ambient brightness, In this way, clear display can be performed even when the surroundings are dark while reducing power consumption.
By the way, in such a transflective liquid crystal display device, a transmissive display region for performing transmissive display and a reflective display region for performing reflective display are provided in one pixel region. A reflective film that reflects external light incident on the liquid crystal layer toward the incident surface is provided in a region corresponding to the reflective display region in the liquid crystal display device. On the surface of the reflective film, there are formed irregularities for reflecting light while scattering it for the purpose of obtaining good display characteristics in reflective display.

また、液晶表示装置の広視野角化を図る一手段として、液晶層に対して基板方向の電界を発生させて液晶分子の配向制御を行う方式(以下、横電界方式と称する)を用いることが知られており、このような横電界方式としてIPS(In-Plane Switching)方式やFFS(Fringe-Field Switching)方式が知られている(例えば、特許文献1参照)。
このような横電界方式を用いた液晶表示装置では、液晶層を挟持する一対の基板の一方に液晶分子を駆動するための一対の電極である画素電極及び共通電極が設けられている。例えば、FFS方式の液晶表示装置における画素電極は、共通電極との間で電界を発生させるために間隔をあけて設けられた複数の帯状電極を備えている。
特開2005−338256号公報
Further, as one means for achieving a wide viewing angle of the liquid crystal display device, a method of generating an electric field in the substrate direction with respect to the liquid crystal layer to control alignment of liquid crystal molecules (hereinafter referred to as a horizontal electric field method) is used. As such a lateral electric field method, an IPS (In-Plane Switching) method and an FFS (Fringe-Field Switching) method are known (for example, see Patent Document 1).
In a liquid crystal display device using such a horizontal electric field method, a pixel electrode and a common electrode, which are a pair of electrodes for driving liquid crystal molecules, are provided on one of a pair of substrates that sandwich a liquid crystal layer. For example, a pixel electrode in an FFS mode liquid crystal display device includes a plurality of band-like electrodes provided at intervals in order to generate an electric field with a common electrode.
JP 2005-338256 A

しかしながら、上記従来の液晶表示装置においても、以下の課題が残されている。すなわち、半透過反射型のFFS方式を用いた液晶表示装置では、反射表示領域における画素電極が反射表示領域と対応する凹凸面上に設けられることがある。そして、凹凸面上に帯状電極を形成することから、帯状電極の微細加工が困難となり、帯状電極の断線や隣接する他の帯状電極との短絡が発生する場合があるという問題が発生する。   However, the following problems remain in the conventional liquid crystal display device. That is, in the liquid crystal display device using the transflective FFS method, the pixel electrode in the reflective display region may be provided on the uneven surface corresponding to the reflective display region. Since the strip electrode is formed on the concavo-convex surface, it becomes difficult to finely process the strip electrode, and there is a problem that the strip electrode may be disconnected or a short circuit may occur with another adjacent strip electrode.

本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、反射表示領域と対応する領域に形成された帯状電極の断線や短絡を防止できる電気光学装置及びこれを備える電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and provides an electro-optical device capable of preventing disconnection and short-circuiting of a strip electrode formed in a region corresponding to a reflective display region, and an electronic apparatus including the same. Objective.

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる電気光学装置は、第1及び第2基板に電気光学層が挟持され、各画素領域に反射表示領域が設けられた電気光学装置であって、前記第1基板の前記反射表示領域に設けられた反射膜と、前記反射膜上に設けられた帯状電極とを備え、前記帯状電極が、前記反射膜よりも前記電気光学層側に配置され、少なくとも一部が前記反射表示領域で平坦面上に形成され、前記反射膜が、平面視で前記帯状電極の非形成領域と重なる領域に設けられた凹凸部と、平面視で前記帯状電極と重なる領域に形成された平坦部とを有し、前記第2基板の前記反射表示領域のうち前記帯状電極と重なる領域に、前記反射膜で反射した光を散乱させる散乱領域が形成されていることを特徴とする。   The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, the electro-optical device according to the present invention is an electro-optical device in which an electro-optical layer is sandwiched between first and second substrates and a reflective display region is provided in each pixel region, and the reflection of the first substrate is performed. A reflective film provided in a display area; and a strip-shaped electrode provided on the reflective film, wherein the strip-shaped electrode is disposed closer to the electro-optic layer than the reflective film, and at least a part of the reflective display An uneven portion formed on a flat surface in the region, and the reflective film is provided in a region overlapping with the non-formation region of the strip electrode in plan view, and a flat portion formed in the region overlapping with the strip electrode in plan view And a scattering region for scattering the light reflected by the reflective film is formed in a region of the reflective display region of the second substrate that overlaps the strip electrode.

この発明では、帯状電極の形成面を平坦面とすることで帯状電極の断線や隣接する他の帯状電極との短絡などの発生を抑制できると共に、平坦面である帯状電極と対応する領域に形成された反射膜において反射した光を散乱して第2基板から出射させることができる。
すなわち、反射膜の表面のうち帯状電極の非形成領域に向けて進行する光は、反射膜の表面が凹凸面となっているので、反射膜において第2基板に向けて散乱しながら反射する。また、反射膜の表面のうち帯状電極の形成領域に向けて進行する光は、帯状電極の形成面が平坦面となっているので、反射膜において第2基板に向けて鏡面反射する。そして、第2基板に入射した鏡面反射光は、反射表示領域に対応して設けられた散乱領域に入射する。その後、鏡面反射光は、散乱領域において散乱して第2基板から出射する。このため、帯状電極の形成面が平坦面であっても、鏡面反射によって反射表示領域における画像の表示特性が低下することを防止できる。ここで、反射膜の表面のうち帯状電極の非形成領域において凹凸部が形成されているため、反射膜の表面をすべて平坦面とすることと比較して、反射膜に入射した光をより確実に散乱させることができ、反射表示領域における画像の表示特性の向上が図れる。
また、反射膜のうち帯状電極の形成領域と重なる領域に平坦部を設けることで、帯状電極の形成面が平坦面になる。これにより、複数の帯状電極のパターニングを精度よく行うことができるので、帯状電極の断線や隣接する他の帯状電極などとの短絡が防止できる。そして、帯状電極を平坦面上に形成することで、電気光学層内に発生する電界が乱れることを抑制できる。
In the present invention, the formation surface of the strip electrode is a flat surface, so that the occurrence of disconnection of the strip electrode or a short circuit with other adjacent strip electrodes can be suppressed, and the formation is performed in the region corresponding to the flat strip electrode. The light reflected by the reflected film can be scattered and emitted from the second substrate.
That is, light that travels toward the non-formation region of the strip-shaped electrode in the surface of the reflective film is reflected while being scattered toward the second substrate in the reflective film because the surface of the reflective film is an uneven surface. Further, the light traveling toward the band electrode formation region in the surface of the reflection film is specularly reflected toward the second substrate in the reflection film because the band electrode formation surface is a flat surface. Then, the specular reflection light incident on the second substrate enters a scattering region provided corresponding to the reflective display region. Thereafter, the specular reflection light is scattered in the scattering region and emitted from the second substrate. For this reason, even if the formation surface of a strip electrode is a flat surface, it can prevent that the display characteristic of the image in a reflective display area falls by specular reflection. Here, since the uneven portion is formed in the non-formation region of the strip-shaped electrode in the surface of the reflective film, the light incident on the reflective film is more reliably compared to making the entire surface of the reflective film flat. The display characteristics of the image in the reflective display area can be improved.
In addition, by providing a flat portion in a region of the reflective film that overlaps with the band electrode formation region, the band electrode formation surface becomes a flat surface. Thereby, since the patterning of a some strip | belt-shaped electrode can be performed accurately, the disconnection of a strip | belt-shaped electrode or a short circuit with other adjacent strip-shaped electrodes can be prevented. And it can suppress that the electric field which generate | occur | produces in an electro-optic layer is disturbed by forming a strip | belt-shaped electrode on a flat surface.

また、本発明における電気光学装置は、前記散乱領域が、前記帯状電極と重なる領域にのみ形成されていることが好ましい。
この発明では、第2基板において帯状電極と対応する領域にのみ散乱領域を形成することで、反射表示領域による画像の表示の明るさを確保できる。すなわち、反射膜のうち平坦部において反射した鏡面反射光は、主に第2基板のうちこの電極の形成領域と対応する領域に向けて進行する。このため、反射膜のうち凹凸部において反射した散乱反射光が、第2基板において散乱領域に入射することにより、過度に散乱して反射表示領域による画像の明るさが低下することを防止できる。
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the scattering region is formed only in a region overlapping with the strip electrode.
In the present invention, the brightness of image display by the reflective display region can be ensured by forming the scattering region only in the region corresponding to the strip electrode on the second substrate. That is, the specular reflected light reflected at the flat portion of the reflective film mainly travels toward a region corresponding to the electrode formation region of the second substrate. For this reason, it is possible to prevent the scattered reflected light reflected by the concavo-convex portion of the reflective film from entering the scattering region on the second substrate and being excessively scattered and reducing the brightness of the image in the reflective display region.

また、本発明における電気光学装置は、前記第2基板が、基体となる基板本体を有し、前記基板本体の表面の前記散乱領域には、散乱凹凸部が形成されていることとしてもよい。
この発明では、反射膜で反射した光が反射表示領域と対応する領域に形成された散乱凹凸部で散乱した後に第2基板から出射する。このようにして、反射膜において鏡面反射しても、画像の表示特性が低下することを防止する。
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the second substrate may include a substrate body serving as a base, and a scattering uneven portion may be formed in the scattering region on the surface of the substrate body.
In this invention, the light reflected by the reflective film is emitted from the second substrate after being scattered by the scattering irregularities formed in the region corresponding to the reflective display region. In this way, it is possible to prevent the display characteristics of the image from being deteriorated even if it is specularly reflected on the reflective film.

また、本発明における電気光学装置は、前記散乱凹凸部が、前記基板本体の前記電気光学層側の表面に形成されていることが好ましい。
この発明では、散乱凹凸部を基板本体のうち電気光学層と近接する一方の表面に形成することで、基板本体の一方の表面に他の光学部材を形成したとき、散乱凹凸部と同一面に加工を施すため、第2基板の製造が容易になる。
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the scattering uneven portion is formed on a surface of the substrate body on the electro-optical layer side.
In this invention, when the scattering irregularities are formed on one surface of the substrate body that is close to the electro-optic layer, when another optical member is formed on one surface of the substrate body, the scattering irregularities are flush with the scattering irregularities. Since the processing is performed, the second substrate can be easily manufactured.

また、本発明における電気光学装置は、前記散乱凹凸部に、前記電気光学層と屈折率の異なる充填材が充填されていることが好ましい。
この発明では、散乱凹凸部内に充填材を充填することで散乱凹凸部内と電気光学層との屈折率を互いに異ならせ、散乱凹凸部による光の散乱を確実に行うことができる。
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the scattering uneven portion is filled with a filler having a refractive index different from that of the electro-optical layer.
In this invention, by filling the scattering irregularities with the filler, the refractive indexes of the scattering irregularities and the electro-optic layer can be made different from each other, and light can be reliably scattered by the scattering irregularities.

また、本発明における電気光学装置は、前記第2基板の前記散乱領域に散乱板が設けられていることとしてもよい。
この発明では、反射膜で反射した光が反射表示領域と対応する領域に設けられた散乱板から出射する。このようにして、反射膜において鏡面反射しても、画像の表示特性が低下することを防止する。
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, a scattering plate may be provided in the scattering region of the second substrate.
In this invention, the light reflected by the reflective film is emitted from the scattering plate provided in the area corresponding to the reflective display area. In this way, it is possible to prevent the display characteristics of the image from being deteriorated even if it is specularly reflected on the reflective film.

また、本発明における電子機器は、上記記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする。
この発明では、反射表示領域における画像の表示特性の低下を防止すると共に、平面視で反射膜と重なる領域に形成された帯状電極の断線や隣接する他の帯状電極との短絡などの発生を抑制できる。
An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described liquid crystal display device.
According to the present invention, it is possible to prevent deterioration in display characteristics of an image in the reflective display area and to prevent occurrence of disconnection of a strip electrode formed in a region overlapping with the reflective film in a plan view or a short circuit with another adjacent strip electrode. it can.

[第1の実施形態]
以下、本発明における液晶表示装置(電気光学装置)の第1の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図1は液晶表示装置を示す等価回路図、図2はサブ画素領域の平面構成図、図3は図2のA−A矢視断面図である。
[First Embodiment]
Hereinafter, a liquid crystal display device (electro-optical device) according to a first embodiment of the invention will be described with reference to the drawings. In each drawing used in the following description, the scale is appropriately changed to make each member a recognizable size. Here, FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing a liquid crystal display device, FIG. 2 is a plan view of a sub-pixel region, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.

〔液晶表示装置〕
本実施形態における液晶表示装置(電気光学装置)1は、カラー液晶表示装置であって、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色光を出力する3個のサブ画素領域で1個の画素を構成する液晶表示装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称する。
[Liquid Crystal Display]
A liquid crystal display device (electro-optical device) 1 according to this embodiment is a color liquid crystal display device, and includes three sub-pixel regions that output light of each color of R (red), G (green), and B (blue). This is a liquid crystal display device that constitutes one pixel. Here, the display area which is the minimum unit constituting the display is referred to as a “sub-pixel area”.

まず、液晶表示装置1の概略構成について説明する。液晶表示装置1は、図1に示すように、画像表示領域を構成する複数のサブ画素領域がマトリックス状に配置されている。この複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極11と、画素電極11をスイッチング制御するためのTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)素子(駆動素子)12とが形成されている。このTFT素子12は、ソースが液晶表示装置1に設けられたデータ線駆動回路13から延在するデータ線14に接続され、ゲートが液晶表示装置1に設けられた走査線駆動回路15から延在する走査線16に接続され、ドレインが画素電極11に接続されている。   First, a schematic configuration of the liquid crystal display device 1 will be described. As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device 1 has a plurality of sub-pixel regions constituting an image display region arranged in a matrix. In each of the plurality of sub-pixel regions, a pixel electrode 11 and a TFT (Thin Film Transistor) element (drive element) 12 for switching control of the pixel electrode 11 are formed. The TFT element 12 has a source connected to a data line 14 extending from a data line driving circuit 13 provided in the liquid crystal display device 1 and a gate extending from a scanning line driving circuit 15 provided in the liquid crystal display device 1. The drain is connected to the pixel electrode 11.

データ線駆動回路13は、データ線14を介して画像信号S1、S2、…、Snを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、データ線駆動回路13は、画像信号S1〜Snをこの順で線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線14同士に対してグループごとに供給してもよい。
走査線駆動回路15は、走査線16を介して走査信号G1、G2、…、Gmを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、走査線駆動回路15は、走査信号G1〜Gmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
The data line driving circuit 13 is configured to supply image signals S1, S2,..., Sn to the sub-pixel regions via the data line. Here, the data line driving circuit 13 may supply the image signals S1 to Sn line-sequentially in this order, or may supply each of the data lines 14 adjacent to each other for each group.
The scanning line driving circuit 15 is configured to supply scanning signals G1, G2,..., Gm to the sub-pixel regions via the scanning lines 16. Here, the scanning line drive circuit 15 supplies the scanning signals G1 to Gm in a pulse-sequential manner at predetermined timing.

また、液晶表示装置1は、スイッチング素子であるTFT素子12が走査信号G1〜Gmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線14から供給される画像信号S1〜Snが所定のタイミングで画素電極11に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極11を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1〜Snは、画素電極11と後述する共通電極45との間で一定期間保持される。   Further, in the liquid crystal display device 1, the TFT elements 12 that are switching elements are turned on for a predetermined period by the input of the scanning signals G <b> 1 to Gm, so that the image signals S <b> 1 to Sn supplied from the data line 14 are predetermined. The pixel electrode 11 is written with timing. A predetermined level of image signals S1 to Sn written to the liquid crystal via the pixel electrode 11 is held for a certain period between the pixel electrode 11 and a common electrode 45 described later.

次に、液晶表示装置1の詳細な構成について、図2及び図3を参照しながら説明する。なお、図2では、対向基板の図示を省略している。また、図2において、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域の長軸方向をX軸方向、短軸方向をY軸方向とする。さらに、図3において、帯状部(帯状電極)11bの図示を適宜省略している。
液晶表示装置1は、各サブ画素領域において、図2及び図3に示すように、サブ画素領域の長軸方向(X軸方向)の一端部(サブ画素領域のうち長軸方向で二分割した領域のうち当該サブ画素領域と対応して設けられた走査線16から離間する側)と対応する領域を反射表示領域Rとし、他の領域を透過表示領域Tとした2つの表示領域を有している。
Next, a detailed configuration of the liquid crystal display device 1 will be described with reference to FIGS. In FIG. 2, the counter substrate is not shown. In FIG. 2, the major axis direction of a substantially rectangular sub-pixel region in plan view is defined as an X-axis direction, and the minor axis direction is defined as a Y-axis direction. Furthermore, in FIG. 3, illustration of the strip | belt-shaped part (strip-shaped electrode) 11b is abbreviate | omitted suitably.
As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the liquid crystal display device 1 divides each sub-pixel region into two portions in the major axis direction (X-axis direction) of the sub-pixel region (the major axis direction of the sub-pixel region). Of the two regions, a region corresponding to the sub-pixel region and the region separated from the scanning line 16) is a reflective display region R, and another region is a transmissive display region T. ing.

液晶表示装置1は、図3に示すように、素子基板(第1基板)21と、素子基板21と対向配置された対向基板(第2基板)22と、素子基板21及び対向基板22の間に挟持された液晶層(電気光学層)23と、素子基板21の外面側(液晶層23と反対側)に設けられた偏光板24と、対向基板22の外面側に設けられた偏光板25とを備えている。そして、液晶表示装置1は、素子基板21の外面側から照明光が照射される構成となっている。
また、液晶表示装置1には、素子基板21と対向基板22とが対向する領域の縁端に沿ってシール材(図示略)が設けられており、このシール材、素子基板21及び対向基板22によって液晶層23が封止されている。
As shown in FIG. 3, the liquid crystal display device 1 includes an element substrate (first substrate) 21, a counter substrate (second substrate) 22 disposed opposite to the element substrate 21, and the element substrate 21 and the counter substrate 22. A liquid crystal layer (electro-optic layer) 23 sandwiched between them, a polarizing plate 24 provided on the outer surface side of the element substrate 21 (opposite side of the liquid crystal layer 23), and a polarizing plate 25 provided on the outer surface side of the counter substrate 22. And. The liquid crystal display device 1 is configured to be irradiated with illumination light from the outer surface side of the element substrate 21.
Further, the liquid crystal display device 1 is provided with a sealing material (not shown) along an edge of a region where the element substrate 21 and the counter substrate 22 face each other. The seal material, the element substrate 21 and the counter substrate 22 are provided. Thus, the liquid crystal layer 23 is sealed.

素子基板21は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料からなる基板本体31と、基板本体31の内側(液晶層23側)の表面に順次積層されたゲート絶縁膜32、第1層間絶縁膜33、液晶層厚調整層34、第2層間絶縁膜35及び配向膜36とを備えている。
また、素子基板21は、基板本体31の内側の表面に配置された走査線16と、ゲート絶縁膜32の内側の表面に配置されたデータ線(図2に示す)14、半導体層41、ソース電極42及びドレイン電極43と、液晶層厚調整層34の内側の表面に配置された反射膜44と、第1層間絶縁膜33及び反射膜44の内側の表面に配置された共通電極45と、第2層間絶縁膜35の内側の表面に配置された画素電極11とを備えている。
The element substrate 21 includes a substrate main body 31 made of a light-transmitting material such as glass, quartz, and plastic, a gate insulating film 32 sequentially stacked on the inner surface (the liquid crystal layer 23 side) of the substrate main body 31, and a first interlayer. An insulating film 33, a liquid crystal layer thickness adjusting layer 34, a second interlayer insulating film 35, and an alignment film 36 are provided.
The element substrate 21 includes a scanning line 16 disposed on the inner surface of the substrate body 31, a data line (shown in FIG. 2) 14 disposed on the inner surface of the gate insulating film 32, a semiconductor layer 41, a source An electrode 42, a drain electrode 43, a reflective film 44 disposed on the inner surface of the liquid crystal layer thickness adjusting layer 34, a common electrode 45 disposed on the inner surface of the first interlayer insulating film 33 and the reflective film 44, The pixel electrode 11 is provided on the inner surface of the second interlayer insulating film 35.

ゲート絶縁膜32は、例えばSiO(酸化シリコン)などの透光性材料で構成されており、基板本体31上に形成された走査線16を覆うように設けられている。
第1層間絶縁膜33は、ゲート絶縁膜32と同様に、例えばSiN(窒化シリコン)などの透光性材料で構成されており、ゲート絶縁膜32上に形成されたデータ線14、半導体層41、ソース電極42及びドレイン電極43を覆うように設けられている。
The gate insulating film 32 is made of a translucent material such as SiO 2 (silicon oxide), for example, and is provided so as to cover the scanning lines 16 formed on the substrate body 31.
Like the gate insulating film 32, the first interlayer insulating film 33 is made of a light-transmitting material such as SiN (silicon nitride), for example, and the data line 14 and the semiconductor layer 41 formed on the gate insulating film 32. The source electrode 42 and the drain electrode 43 are provided so as to cover.

液晶層厚調整層34は、第1層間絶縁膜33の表面のうち反射表示領域Rと対応する部分に設けられており、例えばアクリルなどの樹脂材料をパターニングすることによって形成されている。また、液晶層厚調整層34は、内側の表面のうち平面視で反射膜44、共通電極45及び第2層間絶縁膜35を介して画素電極11の非形成領域と重なる領域が凹凸面であると共に、画素電極11と重なる領域が平坦面となっている。この凹凸面は、液晶層厚調整層34を部分的にパターニングすることにより形成されている。そして、この液晶層厚調整層34は、反射表示領域Rにおける液晶層23の層厚と透過表示領域Tにおける液晶層23の層厚とを異なる厚さとし、液晶層23を透過する光に付与される位相差を反射表示領域Rと透過表示領域Tとのそれぞれで最適化する機能を有する。   The liquid crystal layer thickness adjusting layer 34 is provided in a portion corresponding to the reflective display region R on the surface of the first interlayer insulating film 33, and is formed by patterning a resin material such as acrylic. Further, the liquid crystal layer thickness adjusting layer 34 has an uneven surface that overlaps with a region where the pixel electrode 11 is not formed through the reflective film 44, the common electrode 45, and the second interlayer insulating film 35 in plan view among the inner surface. In addition, a region overlapping with the pixel electrode 11 is a flat surface. This uneven surface is formed by partially patterning the liquid crystal layer thickness adjusting layer 34. The liquid crystal layer thickness adjusting layer 34 has a different thickness from the liquid crystal layer 23 in the reflective display region R and the liquid crystal layer 23 in the transmissive display region T, and is applied to the light transmitted through the liquid crystal layer 23. The phase difference between the reflective display region R and the transmissive display region T is optimized.

第2層間絶縁膜35は、第1層間絶縁膜33と同様に、例えばSiN(窒化シリコン)などの透光性材料で構成されており、第1層間絶縁膜33及び反射膜44上に形成された共通電極45を覆うように設けられている。また、第1及び第2層間絶縁膜33、35には、平面視でドレイン電極43と重なる領域に第1及び第2層間絶縁膜33、35を貫通するコンタクトホールHが形成されている。ここで、第2層間絶縁膜35の内側の表面のうち平面視で画素電極11の非形成領域と重なる領域は、液晶層厚調整層34の凹凸面と対応していることから、凹凸面である凹凸部35aとなっている。同様に、第2層間絶縁膜35は、内側の表面のうち平面視で画素電極11と重なる領域が、液晶層厚調整層34の平坦面と重なることから平坦面である平坦部35bとなっている。
配向膜36は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、第2層間絶縁膜35上に形成された画素電極11を覆うように設けられている。また、配向膜36の表面には、図2に示すサブ画素領域の短軸方向(Y軸方向)を配向方向とする配向処理が施されている。
Similar to the first interlayer insulating film 33, the second interlayer insulating film 35 is made of a light-transmitting material such as SiN (silicon nitride), and is formed on the first interlayer insulating film 33 and the reflective film 44. The common electrode 45 is provided so as to cover it. In the first and second interlayer insulating films 33 and 35, contact holes H penetrating the first and second interlayer insulating films 33 and 35 are formed in regions overlapping the drain electrode 43 in plan view. Here, the region of the inner surface of the second interlayer insulating film 35 that overlaps with the non-formed region of the pixel electrode 11 in plan view corresponds to the uneven surface of the liquid crystal layer thickness adjusting layer 34. A certain uneven portion 35a is formed. Similarly, the second interlayer insulating film 35 has a flat portion 35b that is a flat surface because a region of the inner surface that overlaps the pixel electrode 11 in plan view overlaps the flat surface of the liquid crystal layer thickness adjusting layer 34. Yes.
The alignment film 36 is made of, for example, a resin material such as polyimide, and is provided so as to cover the pixel electrode 11 formed on the second interlayer insulating film 35. The surface of the alignment film 36 is subjected to an alignment process in which the short axis direction (Y-axis direction) of the sub-pixel region shown in FIG.

データ線14は、図2に示すように、平面視で矩形状のサブ画素領域の長軸方向(X軸方向)に沿って配置されている。また、走査線16は、サブ画素領域の短軸方向(Y軸方向)に沿って配置されている。したがって、データ線14及び走査線16は、平面視でほぼ格子状に配線されている。   As shown in FIG. 2, the data line 14 is arranged along the major axis direction (X-axis direction) of the rectangular sub-pixel region in plan view. The scanning lines 16 are arranged along the minor axis direction (Y axis direction) of the sub-pixel region. Therefore, the data lines 14 and the scanning lines 16 are wired in a substantially lattice shape in plan view.

半導体層41は、図2及び図3に示すように、平面視でゲート絶縁膜32を介して走査線16と重なる領域に部分的に形成され、アモルファスシリコンやポリシリコンなどの半導体で構成されている。また、ソース電極42は、データ線14から分岐しており、一部が半導体層41の一部を覆うように形成されている。そして、ドレイン電極43は、一部が半導体層41の一部を覆うように形成されており、第1及び第2層間絶縁膜33、35を貫通するコンタクトホールHを介して画素電極11と導通している。これら半導体層41、ソース電極42及びドレイン電極43によって、TFT素子12が構成されている。また、TFT素子12は、データ線14及び走査線16の交差部近傍に設けられている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the semiconductor layer 41 is partially formed in a region overlapping the scanning line 16 through the gate insulating film 32 in plan view, and is made of a semiconductor such as amorphous silicon or polysilicon. Yes. Further, the source electrode 42 is branched from the data line 14 and is formed so as to partially cover the semiconductor layer 41. The drain electrode 43 is formed so as to partially cover the semiconductor layer 41 and is electrically connected to the pixel electrode 11 through a contact hole H penetrating the first and second interlayer insulating films 33 and 35. is doing. These semiconductor layer 41, source electrode 42 and drain electrode 43 constitute the TFT element 12. The TFT element 12 is provided in the vicinity of the intersection of the data line 14 and the scanning line 16.

反射膜44は、アルミニウムや銀などの光反射性を有する金属膜をパターン形成したものであって、液晶層厚調整層34の内側の表面に形成されている。ここで、反射膜44の内側の表面のうち平面視で共通電極45及び第2層間絶縁膜35を介して画素電極11の非形成領域と重なる領域は、液晶層厚調整層34が凹凸面となっていることから凹凸面である凹凸部44aとなっている。同様に、反射膜44の内側の表面のうち平面視で共通電極45及び第2層間絶縁膜35を介して画素電極11と重なる領域は、平坦面である平坦部44bとなっている。そして、反射膜44は、凹凸部44aにおいて散乱反射が可能となっており、平坦部44bにおいて鏡面反射が可能となっている。   The reflective film 44 is formed by patterning a light-reflective metal film such as aluminum or silver, and is formed on the inner surface of the liquid crystal layer thickness adjusting layer 34. Here, of the inner surface of the reflective film 44, the liquid crystal layer thickness adjusting layer 34 is an uneven surface in a region overlapping the non-formed region of the pixel electrode 11 through the common electrode 45 and the second interlayer insulating film 35 in plan view. Therefore, it is an uneven portion 44a which is an uneven surface. Similarly, a region of the inner surface of the reflective film 44 that overlaps the pixel electrode 11 through the common electrode 45 and the second interlayer insulating film 35 in plan view is a flat portion 44b that is a flat surface. The reflective film 44 can be scattered and reflected at the uneven portion 44a, and can be specularly reflected at the flat portion 44b.

共通電極45は、第1層間絶縁膜33及び反射膜44を覆うように形成されており、例えばITO(酸化インジウムスズ)などの透光性導電材料で構成されている。そして、共通電極45には、例えば液晶層23の駆動に用いられる所定の一定の電圧あるいは0V、または所定の一定の電位とこれと異なる他の所定の一定の電位とが周期的(フレーム期間ごとまたはフィールド期間ごと)に切り替わる信号が印加される。ここで、共通電極45の内側の表面のうち平面視で第2層間絶縁膜35を介して画素電極11の非形成領域と重なる領域は、液晶層厚調整層34の凹凸面と対応していることから、凹凸面となっている。同様に、共通電極45の内側の表面のうち平面視で第2層間絶縁膜35を介して画素電極11と重なる領域は、平坦面と対応していることから、平坦面となっている。   The common electrode 45 is formed so as to cover the first interlayer insulating film 33 and the reflective film 44, and is made of a translucent conductive material such as ITO (indium tin oxide). For example, a predetermined constant voltage or 0 V used for driving the liquid crystal layer 23, or a predetermined constant potential and another predetermined constant potential different from the common electrode 45 are periodically (every frame period). Alternatively, a signal that changes every field period) is applied. Here, the region of the inner surface of the common electrode 45 that overlaps with the non-formation region of the pixel electrode 11 through the second interlayer insulating film 35 in plan view corresponds to the uneven surface of the liquid crystal layer thickness adjustment layer 34. Therefore, it has an uneven surface. Similarly, a region of the inner surface of the common electrode 45 that overlaps the pixel electrode 11 through the second interlayer insulating film 35 in plan view is a flat surface because it corresponds to the flat surface.

画素電極11は、第2層間絶縁膜35上に形成されており、図2に示すように、平面視でほぼ梯子形状であって、共通電極45と同様に、例えばITOなどの透光性導電材料で構成されている。そして、画素電極11は、平面視で矩形の枠状の枠部(帯状電極)11aと、ほぼサブ画素領域の短軸方向(Y軸方向)に延在すると共にサブ画素領域の長軸方向(X軸方向)で間隔をあけて複数(15本)配置された帯状部11bとを備えている。   The pixel electrode 11 is formed on the second interlayer insulating film 35, and has a substantially ladder shape in plan view as shown in FIG. 2. Like the common electrode 45, the pixel electrode 11 has a light-transmitting conductive property such as ITO. Consists of materials. The pixel electrode 11 extends in the short axis direction (Y-axis direction) of the sub-pixel region and the long-axis direction (Y-axis direction) of the sub-pixel region. And a plurality of (15 pieces) belt-like portions 11b arranged at intervals in the (X-axis direction).

枠部11aは、2対の帯状電極を平面視でほぼ矩形の枠状となるように接続した構成となっており、互いに対向する2対の辺がそれぞれX軸方向及びY軸方向に沿って延在している。
帯状部11bは、互いが平行となるように形成されており、その両端がそれぞれ枠部11aのうちY軸方向に沿って延在する部分と接続されている。また、帯状部11bは、その延在方向がY軸方向と非平行となるように設けられている。すなわち、帯状部11bは、その延在方向が平面視においてデータ線14から離間する一端から近接する他端に向かうにしたがって走査線16に近接するように形成されている。ここで、枠部11a及び帯状部11bのうち、反射表示領域Rと対応する領域における第2層間絶縁膜35上に形成された一部は、第2層間絶縁膜35の平坦部35b上に形成されている。
The frame portion 11a has a configuration in which two pairs of strip electrodes are connected to form a substantially rectangular frame shape in plan view, and two pairs of sides facing each other are along the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively. It is extended.
The strip portions 11b are formed so as to be parallel to each other, and both ends thereof are connected to portions of the frame portion 11a extending along the Y-axis direction. Moreover, the strip | belt-shaped part 11b is provided so that the extension direction may become non-parallel to the Y-axis direction. That is, the strip portion 11b is formed so that its extending direction is closer to the scanning line 16 as it goes from one end away from the data line 14 toward the other end in plan view. Here, a part of the frame portion 11 a and the strip-like portion 11 b formed on the second interlayer insulating film 35 in the region corresponding to the reflective display region R is formed on the flat portion 35 b of the second interlayer insulating film 35. Has been.

以上より、液晶表示装置1は、帯状部11bと共通電極45との間に電圧を印加し、これによって生じる基板平面方向の電界(横電界)によって液晶を駆動する構成となっている。これにより、画素電極11及び共通電極45は、FFS方式の電極構造を構成している。   As described above, the liquid crystal display device 1 is configured to apply a voltage between the strip portion 11b and the common electrode 45 and drive the liquid crystal by an electric field (lateral electric field) in the substrate plane direction generated thereby. Accordingly, the pixel electrode 11 and the common electrode 45 constitute an FFS type electrode structure.

一方、対向基板22は、図3に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体51と、基板本体51の内側(液晶層23側)の表面に順次積層された遮光膜52、カラーフィルタ層53及び配向膜54とを備えている。
基板本体51の内側の表面のうち平面視で反射表示領域Rと重なる領域であって平面視で液晶層23を介して画素電極11と重なる領域には、基板本体51を透過する光を散乱させる散乱凹部51aが形成されている。この散乱凹部51aは、基板本体51がガラスで構成されている場合は基板本体51の表面に対して部分的にHF(フッ酸)を用いたエッチング処理を施すことによって形成されている。また、散乱凹部51aの内部には、透光性材料で構成されて液晶層23と屈折率の異なる充填材51bが充填されている。この基板本体51のうち散乱凹部51aが形成された領域によって散乱領域が構成されている。
On the other hand, as shown in FIG. 3, the counter substrate 22 is sequentially formed on a substrate body 51 made of a translucent material such as glass, quartz, and plastic, and on the inner surface (the liquid crystal layer 23 side) of the substrate body 51. A light shielding film 52, a color filter layer 53, and an alignment film 54 are provided.
Of the inner surface of the substrate main body 51, light that passes through the substrate main body 51 is scattered in a region that overlaps the reflective display region R in plan view and overlaps the pixel electrode 11 through the liquid crystal layer 23 in plan view. A scattering recess 51a is formed. When the substrate body 51 is made of glass, the scattering recess 51a is formed by partially performing an etching process using HF (hydrofluoric acid) on the surface of the substrate body 51. The scattering recess 51a is filled with a filler 51b made of a translucent material and having a refractive index different from that of the liquid crystal layer 23. A scattering region is constituted by the region of the substrate body 51 where the scattering recess 51a is formed.

遮光膜52は、基板本体51の表面のうち平面視でサブ画素領域の縁部と重なる領域に形成されており、サブ画素領域を縁取っている。
また、カラーフィルタ層53は、各サブ画素領域に対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各サブ画素領域で表示する色に対応する色材を含有している。
配向膜54は、例えばポリイミドなどの透光性の樹脂材料で構成されており、カラーフィルタ層53を覆うように設けられている。そして、配向膜54の内側の表面には、配向膜36の配向方向と同方向のラビング処理が施されている。
The light shielding film 52 is formed in a region of the surface of the substrate body 51 that overlaps the edge of the sub pixel region in plan view, and borders the sub pixel region.
The color filter layer 53 is disposed corresponding to each sub-pixel region, and is made of, for example, acrylic and contains a color material corresponding to the color displayed in each sub-pixel region.
The alignment film 54 is made of a translucent resin material such as polyimide, and is provided so as to cover the color filter layer 53. The inner surface of the alignment film 54 is subjected to a rubbing process in the same direction as the alignment direction of the alignment film 36.

液晶層23を構成する液晶分子は、配向膜36、54にサブ画素領域の短軸方向(Y軸方向)を配向方向とする配向処理が施されているため、画素電極11及び共通電極45の間に電圧を印加しない状態(オフ状態)において、Y軸方向に沿って水平に配向している。また、液晶分子は、画素電極11及び共通電極45の間に電圧を印加した状態(オン状態)において、帯状部11bの延在方向と直交する方向に沿って配向する。したがって、液晶層23では、オフ状態とオン状態とにおける液晶分子の配向状態の差異に基づく複屈折性を利用して液晶層23を透過する光に対して位相差を付与している。
ここで、液晶層23の層厚は、反射表示領域Rにおいて液晶層23を透過する光に付与される位相差が1/4波長分となるような値となり、透過表示領域Tにおいて液晶層23を透過する光に付与される位相差が1/2波長分となるような値となっている。
Since the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 23 are subjected to an alignment process in which the alignment layers 36 and 54 have the minor axis direction (Y-axis direction) of the sub-pixel region as the alignment direction, the pixel electrodes 11 and the common electrode 45 In a state where no voltage is applied between them (off state), the layers are oriented horizontally along the Y-axis direction. Further, the liquid crystal molecules are aligned along a direction orthogonal to the extending direction of the belt-like portion 11b in a state where a voltage is applied between the pixel electrode 11 and the common electrode 45 (on state). Therefore, in the liquid crystal layer 23, a phase difference is given to the light transmitted through the liquid crystal layer 23 by utilizing birefringence based on the difference in the alignment state of the liquid crystal molecules between the off state and the on state.
Here, the layer thickness of the liquid crystal layer 23 is a value such that the phase difference imparted to the light transmitted through the liquid crystal layer 23 in the reflective display region R becomes a quarter wavelength, and the liquid crystal layer 23 in the transmissive display region T. The phase difference imparted to the light that passes through is a value that corresponds to ½ wavelength.

偏光板24は、その透過軸がサブ画素領域の長軸方向(図2に示すX軸方向)に沿うように設けられており、偏光板25は、その透過軸がサブ画素領域の短軸方向(図2に示すY軸方向)に沿うように設けられている。したがって、偏光板24、25は、その透過軸が互いにほぼ直交するように設けられている。
ここで、偏光板24、25の一方または双方の内側には、光学補償フィルム(図示略)を配置してもよい。光学補償フィルムを配置することで、液晶表示装置1を斜視した場合の液晶層23の位相差を補償することができ、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。光学補償フィルムとしては、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせたものや、各方向の屈折率がnx>nz>nyである二軸性媒体が用いられる。
The polarizing plate 24 is provided so that its transmission axis is along the major axis direction of the sub-pixel region (X-axis direction shown in FIG. 2), and the polarizing plate 25 is such that its transmission axis is the minor axis direction of the sub-pixel region. (Y-axis direction shown in FIG. 2) is provided. Accordingly, the polarizing plates 24 and 25 are provided so that their transmission axes are substantially orthogonal to each other.
Here, an optical compensation film (not shown) may be disposed inside one or both of the polarizing plates 24 and 25. By disposing the optical compensation film, it is possible to compensate for the phase difference of the liquid crystal layer 23 when the liquid crystal display device 1 is perspective, and to reduce light leakage and increase contrast. As the optical compensation film, a combination of a negative uniaxial medium and a positive uniaxial medium or a biaxial medium having a refractive index in each direction of nx>nz> ny is used.

〔液晶表示装置の動作〕
次に、このような構成の液晶表示装置1の動作について説明する。
まず、透過表示(透過モード)について説明する。素子基板21の外面側から透過表示領域Tに入射した光は、偏光板24によってサブ画素領域の長軸方向(図2に示すX軸方向)に平行な直線偏光に変換されて液晶層23に入射する。
ここで、オフ状態の場合であれば、液晶層23に入射した直線偏光は、液晶層23により入射時と同一の偏光状態で液晶層23から出射する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板25の透過軸と直交するため、偏光板25で遮断され、サブ画素領域が暗表示となる。
[Operation of liquid crystal display device]
Next, the operation of the liquid crystal display device 1 having such a configuration will be described.
First, transmissive display (transmission mode) will be described. Light that has entered the transmissive display region T from the outer surface side of the element substrate 21 is converted into linearly polarized light parallel to the major axis direction (X-axis direction shown in FIG. 2) of the sub-pixel region by the polarizing plate 24 and enters the liquid crystal layer 23. Incident.
Here, in the off state, the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer 23 is emitted from the liquid crystal layer 23 in the same polarization state as that upon incidence by the liquid crystal layer 23. The linearly polarized light has its polarization direction orthogonal to the transmission axis of the polarizing plate 25, and is thus blocked by the polarizing plate 25, and the sub-pixel region is darkly displayed.

一方、オン状態の場合であれば、液晶層23に入射した直線偏光は、液晶層23により所定の位相差(1/2波長分)が付与され、入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層23から出射する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板25の透過軸と平行であるため、偏光板25を透過して表示光として視認され、サブ画素領域が明表示となる。   On the other hand, in the case of the on state, the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer 23 is given a predetermined phase difference (1/2 wavelength) by the liquid crystal layer 23, and becomes linearly polarized light orthogonal to the polarization direction at the time of incidence. The light is converted and emitted from the liquid crystal layer 23. Since the polarization direction of the linearly polarized light is parallel to the transmission axis of the polarizing plate 25, the linearly polarized light passes through the polarizing plate 25 and is visually recognized as display light, and the sub-pixel region is brightly displayed.

続いて、反射表示(反射モード)について説明する。対向基板22の外面側から入射した光は、偏光板25によってサブ画素領域の短軸方向(図2に示すY軸方向)に平行な直線偏光に変換されて液晶層23に入射する。
ここで、オフ状態の場合であれば、液晶層23に入射した直線偏光は、液晶層23により所定の位相差(1/4波長分)が付与され、円偏光に変換されて反射膜44に達する。この円偏光が反射膜44で反射すると、回転方向が反転する。その後、円偏光は、液晶層23によりさらに所定の位相差(1/4波長分)が付与され、入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層23から出射する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板25の透過軸と直交するため、偏光板25で遮断され、サブ画素領域が暗表示となる。
Subsequently, reflection display (reflection mode) will be described. Light incident from the outer surface side of the counter substrate 22 is converted into linearly polarized light parallel to the minor axis direction (Y-axis direction shown in FIG. 2) of the sub-pixel region by the polarizing plate 25 and is incident on the liquid crystal layer 23.
Here, in the case of the off state, the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer 23 is given a predetermined phase difference (for ¼ wavelength) by the liquid crystal layer 23, converted into circularly polarized light, and applied to the reflective film 44. Reach. When this circularly polarized light is reflected by the reflection film 44, the rotation direction is reversed. Thereafter, the circularly polarized light is further given a predetermined phase difference (for ¼ wavelength) by the liquid crystal layer 23, is converted into linearly polarized light orthogonal to the polarization direction at the time of incidence, and is emitted from the liquid crystal layer 23. The linearly polarized light has its polarization direction orthogonal to the transmission axis of the polarizing plate 25, and is thus blocked by the polarizing plate 25, and the sub-pixel region is darkly displayed.

一方、オン状態の場合であれば、液晶層23に入射した直線偏光は、液晶層23により入射時と同一の偏光状態で反射膜44に達する。そして、反射膜44で反射した直線偏光は、入射時と同一の偏光方向で液晶層23から出射する。その後、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板25の透過軸と平行であるため、偏光板25を透過して表示光として視認され、サブ画素領域が明表示となる。
ここで、反射膜44のうち凹凸部44aに入射した光は、凹凸部44aが凹凸面であることから、散乱反射されて液晶層23に再度入射する。
また、反射膜44のうち平坦部44bに入射した光は、平坦部44bが平坦面であることから、鏡面反射されて液晶層23に再度入射する。このとき、鏡面反射光は、基板本体51の内側の表面のうち反射表示領域Rにおける枠部11a及び帯状部11bと対応する領域に向けて主に進行する。そして、鏡面反射光は、基板本体51のうちのこの領域に散乱凹部51aが形成されていることから、散乱凹部51aによって散乱される。ここで、散乱凹部51aを基板本体51の内側の表面のうち反射表示領域Rにおける枠部11a及び帯状部11bと対応する領域にのみ形成しているため、凹凸部44aによる散乱反射光が散乱凹部51aによって過度に散乱されることが抑制される。
これにより、オン状態における外光の正反射を防止して視認性に優れた反射表示となる。また、散乱凹部51a内に液晶層23と屈折率の異なる充填材51bが充填されていることによっても、散乱凹部51aによる光の散乱が確実に行われる。
On the other hand, in the case of the ON state, the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer 23 reaches the reflection film 44 in the same polarization state as that upon incidence by the liquid crystal layer 23. The linearly polarized light reflected by the reflective film 44 is emitted from the liquid crystal layer 23 in the same polarization direction as that at the time of incidence. Thereafter, since the polarization direction of the linearly polarized light is parallel to the transmission axis of the polarizing plate 25, the linearly polarized light passes through the polarizing plate 25 and is visually recognized as display light, and the sub-pixel region becomes bright display.
Here, the light incident on the concavo-convex portion 44 a in the reflective film 44 is scattered and reflected and re-enters the liquid crystal layer 23 because the concavo-convex portion 44 a is a concavo-convex surface.
Further, the light incident on the flat portion 44 b in the reflective film 44 is specularly reflected and reenters the liquid crystal layer 23 because the flat portion 44 b is a flat surface. At this time, the specular reflected light mainly travels toward the region corresponding to the frame portion 11 a and the strip portion 11 b in the reflective display region R on the inner surface of the substrate body 51. The specular reflection light is scattered by the scattering recess 51a because the scattering recess 51a is formed in this region of the substrate body 51. Here, since the scattering recess 51a is formed only in the region corresponding to the frame portion 11a and the strip portion 11b in the reflective display region R on the inner surface of the substrate body 51, the scattered reflected light from the uneven portion 44a is scattered by the scattering recess. Excessive scattering by 51a is suppressed.
Thereby, regular reflection of external light in the on state is prevented, and a reflective display with excellent visibility is obtained. Moreover, light scattering by the scattering recess 51a is reliably performed by filling the scattering recess 51a with the filler 51b having a refractive index different from that of the liquid crystal layer 23.

〔電子機器〕
以上のような構成の液晶表示装置1は、例えば図4に示すような携帯電話機100の表示部101として適用される。この携帯電話機100は、複数の操作ボタン102、受話口103、送話口104及び上記表示部101を有する本体部105を備えている。
〔Electronics〕
The liquid crystal display device 1 having the above configuration is applied as a display unit 101 of a mobile phone 100 as shown in FIG. The cellular phone 100 includes a main body 105 having a plurality of operation buttons 102, a mouthpiece 103, a mouthpiece 104, and the display unit 101.

以上のように、本実施形態における液晶表示装置1及び携帯電話機100によれば、基板本体51に反射表示領域Rと対応して形成された散乱凹部51aによって反射膜44で反射した光を散乱させて対向基板22から出射させることができるので、反射膜44の表面のうち枠部11a及び帯状部11bが形成される領域に平坦部44bを形成し、第2層間絶縁膜35の内側の表面のうちこれら枠部11a及び帯状部11bが形成される領域を平坦部35bにすることができる。これにより、帯状部11bの断線や隣接する他の帯状部11bとの短絡などの発生を抑制できる。また、帯状部11bをより確実に設計どおりにパターニングできるので、画素電極11及び共通電極45の間に発生する電界の乱れが生じることを防止し、液晶分子の駆動をより安定して行うことができる。
したがって、反射表示(反射モード)における画像の表示特性をより良好にできる。
As described above, according to the liquid crystal display device 1 and the mobile phone 100 in the present embodiment, the light reflected by the reflective film 44 is scattered by the scattering recess 51 a formed in the substrate body 51 corresponding to the reflective display region R. Therefore, the flat portion 44b is formed in the region of the surface of the reflective film 44 where the frame portion 11a and the strip-like portion 11b are formed, and the surface of the inner surface of the second interlayer insulating film 35 is formed. Of these, the region in which the frame portion 11a and the strip portion 11b are formed can be a flat portion 35b. Thereby, generation | occurrence | production of the disconnection of the strip-shaped part 11b, a short circuit with the other adjacent strip-shaped part 11b, etc. can be suppressed. Further, since the strip portion 11b can be more reliably patterned as designed, it is possible to prevent disturbance of the electric field generated between the pixel electrode 11 and the common electrode 45 and to drive the liquid crystal molecules more stably. it can.
Therefore, the display characteristics of the image in the reflective display (reflection mode) can be improved.

ここで、反射膜44のうち凹凸部44aにおいて反射した散乱反射光が、基板本体51において散乱凹部51aによって過度に散乱されることを防止し、反射表示領域Rによる画像の明るさが低下することを抑制できる。
また、散乱凹部51aを基板本体51のうち遮光膜52やカラーフィルタ層53などの形成面と同じ内側の表面に形成することで、対向基板22の製造が容易となる。
そして、散乱凹部51a内が液晶層23と屈折率の異なる充填材51bによって充填されているため、散乱凹部51aにおける光の散乱を確実に行うことができる。
Here, the scattered reflected light reflected by the concavo-convex portion 44 a of the reflective film 44 is prevented from being excessively scattered by the scattering concave portion 51 a in the substrate body 51, and the brightness of the image by the reflective display region R is reduced. Can be suppressed.
Further, by forming the scattering recess 51 a on the same inner surface as the light shielding film 52 and the color filter layer 53 in the substrate body 51, the counter substrate 22 can be easily manufactured.
And since the inside of the scattering recessed part 51a is filled with the filler 51b from which the refractive index differs from the liquid crystal layer 23, the light scattering in the scattering recessed part 51a can be performed reliably.

[第2の実施形態]
次に、本発明における液晶表示装置の第2の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図5は、サブ画素領域を示す断面図である。なお、本実施形態では、第1の実施形態とサブ画素領域の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Here, FIG. 5 is a cross-sectional view showing the sub-pixel region. In this embodiment, since the configuration of the sub-pixel region is different from that of the first embodiment, this point will be mainly described, and the same reference numerals are given to the components described in the above embodiment, and the description will be given. Omitted.

本実施形態における液晶表示装置110では、図5に示すように、液晶層厚調整層34が素子基板111ではなく対向基板112に設けられている。
液晶層厚調整層34は、カラーフィルタ層53の内側の表面のうち反射表示領域Rと対応する領域に形成されている。また、液晶層厚調整層34は、透光性の樹脂材料によって構成されている。そして、配向膜54は、カラーフィルタ層53及び液晶層厚調整層34を覆うように形成されている。
また、反射膜44は、第1層間絶縁膜33の内側の表面のうち反射表示領域Rと対応する領域に形成されている。
第1層間絶縁膜33の反射表示領域Rと対応する内側の表面のうち平面視で反射膜44、共通電極45及び第2層間絶縁膜35を介して画素電極11の非形成領域と重なる領域には、凸部113が形成されている。この凸部113は、例えば第1層間絶縁膜33上に設けられたアクリルなどの樹脂材料をパターニングすることによって形成されている。これにより、反射膜44に凹凸部44a及び平坦部44bが形成される。ここで、凹凸面は、第1層間絶縁膜33の反射表示領域Rと対応する内側の表面のうち平面視で反射膜44、共通電極45及び第2層間絶縁膜35を介して画素電極11の非形成領域と重なる領域をパターニングすることによって形成してもよい。
In the liquid crystal display device 110 according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, the liquid crystal layer thickness adjusting layer 34 is provided on the counter substrate 112 instead of the element substrate 111.
The liquid crystal layer thickness adjusting layer 34 is formed in a region corresponding to the reflective display region R on the inner surface of the color filter layer 53. The liquid crystal layer thickness adjusting layer 34 is made of a translucent resin material. The alignment film 54 is formed so as to cover the color filter layer 53 and the liquid crystal layer thickness adjusting layer 34.
The reflective film 44 is formed in a region corresponding to the reflective display region R on the inner surface of the first interlayer insulating film 33.
Of the inner surface corresponding to the reflective display region R of the first interlayer insulating film 33, the region overlapping the non-formed region of the pixel electrode 11 through the reflective film 44, the common electrode 45 and the second interlayer insulating film 35 in plan view. The convex part 113 is formed. The protrusion 113 is formed, for example, by patterning a resin material such as acrylic provided on the first interlayer insulating film 33. As a result, the uneven portion 44 a and the flat portion 44 b are formed in the reflective film 44. Here, the concavo-convex surface of the pixel electrode 11 passes through the reflective film 44, the common electrode 45, and the second interlayer insulating film 35 in plan view among the inner surface corresponding to the reflective display region R of the first interlayer insulating film 33. You may form by patterning the area | region which overlaps with a non-formation area | region.

以上のように、本実施形態における液晶表示装置110においても、上述と同様の作用、効果を奏する。   As described above, the liquid crystal display device 110 according to this embodiment also has the same operations and effects as described above.

[第3の実施形態]
次に、本発明における液晶表示装置の第3の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図6は、サブ画素領域を示す断面図である。なお、本実施形態では、第1の実施形態とサブ画素領域の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
[Third Embodiment]
Next, a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Here, FIG. 6 is a cross-sectional view showing the sub-pixel region. In this embodiment, since the configuration of the sub-pixel region is different from that of the first embodiment, this point will be mainly described, and the same reference numerals are given to the components described in the above embodiment, and the description will be given. Omitted.

本実施形態における液晶表示装置120では、図6に示すように、対向基板121を構成する基板本体122の外側の表面に散乱凹部122aが形成されている。この散乱凹部122aは、内部が空気層となっており、内部に充填材が充填されていない。   In the liquid crystal display device 120 according to the present embodiment, as shown in FIG. 6, a scattering recess 122 a is formed on the outer surface of the substrate body 122 constituting the counter substrate 121. The scattering recess 122a has an air layer inside and is not filled with a filler.

以上のように、本実施形態における液晶表示装置120においても、上述と同様の作用、効果を奏する。   As described above, the liquid crystal display device 120 according to this embodiment also has the same operations and effects as described above.

[第4の実施形態]
次に、本発明における液晶表示装置の第4の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図7は、サブ画素領域を示す断面図である。なお、本実施形態では、第1の実施形態とサブ画素領域の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
[Fourth Embodiment]
Next, a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Here, FIG. 7 is a cross-sectional view showing the sub-pixel region. In this embodiment, since the configuration of the sub-pixel region is different from that of the first embodiment, this point will be mainly described, and the same reference numerals are given to the components described in the above embodiment, and the description will be given. Omitted.

本実施形態における液晶表示装置130では、図7に示すように、対向基板131が基板本体132の外側の表面のうち反射表示領域Rと対応する領域に設けられた散乱板133を備えている。この散乱板133は、入射した光を散乱して出射させる構成となっている。   In the liquid crystal display device 130 according to the present embodiment, as shown in FIG. 7, the counter substrate 131 includes a scattering plate 133 provided in a region corresponding to the reflective display region R on the outer surface of the substrate body 132. The scattering plate 133 is configured to scatter and emit incident light.

以上のように、本実施形態における液晶表示装置130においても、上述と同様の作用、効果を奏する。   As described above, the liquid crystal display device 130 according to this embodiment also has the same operations and effects as described above.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、液晶表示装置は、上記第1の実施形態において第3の実施形態と同様に、対向基板における基板本体の外側の表面にも散乱凹部を形成した構成としてもよく、第4の実施形態と同様に、対向基板の外側の表面に散乱板を設けた構成としてもよい。すなわち、液晶表示装置は、上述した第1、3及び4の実施形態における構成を適宜組み合わせたり、第2から第4の実施形態における構成を適宜組み合わせたりした構成としてもよい。
また、液晶表示装置は、第1から第3の実施形態において、散乱凹部が対向基板における基板本体のうち平面視で反射表示領域における枠部及び帯状電極と対応する領域にのみ形成されているが、反射表示領域によって表示される画像の明るさを確保できれば、反射表示領域において枠部及び帯状電極と対応する領域を含む他の領域に形成されてもよい。同様に、第4の実施形態において、散乱板を散乱凹部が対向基板における基板本体のうち平面視で反射表示領域における枠部及び帯状電極と対応する領域にのみに設けてもよい。
そして、液晶表示装置は、第1から第3の実施形態において、散乱凹部に充填材が充填されているが、反射表示(反射モード)において光を確実に散乱させることができれば、充填材を散乱凹部に充填しなくてもよい。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, the liquid crystal display device may have a configuration in which a scattering recess is formed on the outer surface of the substrate body of the counter substrate in the first embodiment as in the third embodiment. Similarly, a configuration in which a scattering plate is provided on the outer surface of the counter substrate may be employed. That is, the liquid crystal display device may have a configuration in which the configurations in the first, third, and fourth embodiments described above are appropriately combined, or the configurations in the second to fourth embodiments are appropriately combined.
Further, in the first to third embodiments, the liquid crystal display device has the scattering recesses formed only in the region corresponding to the frame portion and the strip electrode in the reflective display region in a plan view of the substrate body in the counter substrate. As long as the brightness of the image displayed by the reflective display region can be ensured, the reflective display region may be formed in another region including the region corresponding to the frame portion and the strip electrode. Similarly, in the fourth embodiment, the scattering plate may be provided only in a region where the scattering concave portion corresponds to the frame portion and the strip electrode in the reflective display region in a plan view of the substrate body in the counter substrate.
In the first to third embodiments, the liquid crystal display device is filled with the filler in the scattering recess. If the light can be reliably scattered in the reflective display (reflection mode), the liquid crystal display device scatters the filler. It is not necessary to fill the recess.

また、TFT素子に接続される画素電極が第2層間絶縁膜を介して共通電極よりも液晶層側に形成されているが、共通電極が第2層間絶縁膜を介して画素電極よりも液晶層側に形成した構成としてもよい。このとき、共通電極が上記実施形態における画素電極と同様に帯状電極を有することとなる。
そして、画素電極及び共通電極によってFFS方式の電極構造を形成しているが、IPS方式の電極構造を形成してもよい。この場合、画素電極及び共通電極が平面視でそれぞれ櫛歯形状を有しており、それぞれが互いに帯状部(帯状電極)を有している。ここで、画素電極を構成する帯状部と共通電極を構成する帯状部とは、それぞれが互いに噛み合うように配置されている。
さらに、画素電極が帯状電極を有していれば、FFS方式やIPS方式のようないわゆる横電界方式の液晶表示装置に限らず、液晶層を挟持する素子基板及び対向基板の間で発生する電界によって駆動するTN(Twisted Nematic)モードや負の誘電率異方性を有するVAN(Vertically Aligned Nematic)モード、ECB(Electrically Controlled Birefringence)モード、OCB(Optical Compensated Bend)モードなど、他のモードで動作する液晶を用いた液晶表示装置であってもよい。
In addition, the pixel electrode connected to the TFT element is formed on the liquid crystal layer side with respect to the common electrode through the second interlayer insulating film, but the common electrode is formed on the liquid crystal layer with respect to the pixel electrode through the second interlayer insulating film. It is good also as a structure formed in the side. At this time, the common electrode has a strip-like electrode like the pixel electrode in the above embodiment.
The pixel electrode and the common electrode form an FFS electrode structure, but an IPS electrode structure may be formed. In this case, the pixel electrode and the common electrode each have a comb-like shape in plan view, and each has a strip portion (band electrode). Here, the belt-like portion constituting the pixel electrode and the belt-like portion constituting the common electrode are arranged so as to mesh with each other.
Furthermore, if the pixel electrode has a strip electrode, the electric field generated between the element substrate and the counter substrate sandwiching the liquid crystal layer is not limited to the so-called lateral electric field type liquid crystal display device such as the FFS method and the IPS method. Operates in other modes such as TN (Twisted Nematic) mode driven by VAN, VAN (Vertically Aligned Nematic) mode with negative dielectric anisotropy, ECB (Electrically Controlled Birefringence) mode, OCB (Optical Compensated Bend) mode A liquid crystal display device using liquid crystal may be used.

さらに、液晶層厚調整層によって反射表示領域において液晶層によって付与される位相差と透過表示領域において液晶層によって付与される位相差との調整を行って反射表示領域と透過表示領域とをノーマリブラックモードでそろえているが、液晶層厚調整層を設けずに、素子基板の外側に波長板を設けることで両表示領域をノーマリブラックモードでそろえてもよい。
ここで、液晶表示装置は、ノーマリブラックモードを採用しているが、ノーマリホワイトモードを採用してもよい。
また、液晶表示装置は、反射表示領域と透過表示領域とを有する半透過反射型の液晶表示装置としているが、反射表示領域のみを有する反射側の液晶表示装置であってもよい。
Further, the reflective display area and the transmissive display area are normally adjusted by adjusting the phase difference provided by the liquid crystal layer in the reflective display area by the liquid crystal layer thickness adjusting layer and the phase difference provided by the liquid crystal layer in the transmissive display area. Although the black mode is aligned, both display areas may be aligned in the normally black mode by providing a wavelength plate outside the element substrate without providing the liquid crystal layer thickness adjusting layer.
Here, the liquid crystal display device employs a normally black mode, but may employ a normally white mode.
The liquid crystal display device is a transflective liquid crystal display device having a reflective display region and a transmissive display region, but may be a reflective liquid crystal display device having only a reflective display region.

また、液晶表示装置は、画素電極をスイッチング制御する駆動素子としてTFT素子を用いているが、TFT素子に限らず、TFD(Thin Film Diode:薄膜ダイオード)素子など、他の駆動素子を用いてもよい。
そして、液晶表示装置は、R、G、Bの3色の色表示を行うカラー液晶表示装置としているが、他の色表示を行うサブ画素領域を備える構成としてもよく、単色の色表示を行う構成としてもよい。ここで、対向基板にカラーフィルタ層を設けずに、素子基板にカラーフィルタ層を設けてもよい。
In addition, the liquid crystal display device uses a TFT element as a drive element for switching the pixel electrode. However, the present invention is not limited to the TFT element, and other drive elements such as a TFD (Thin Film Diode) element may be used. Good.
The liquid crystal display device is a color liquid crystal display device that performs color display of three colors of R, G, and B. However, the liquid crystal display device may include a sub-pixel region that performs other color display, and performs monochromatic color display. It is good also as a structure. Here, the color filter layer may be provided on the element substrate without providing the color filter layer on the counter substrate.

また、液晶表示装置を備える電子機器としては、携帯電話機に限らず、PDA(Personal Digital Assistant:携帯情報端末機)やパーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、カーナビゲーション装置、ヘッドアップディスプレイ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、電子ブックやプロジェクタ、ワードプロセッサ、テレビ電話機、POS端末、タッチパネルを備える機器、照明装置などのような他の電子機器であってもよい。   In addition, the electronic device provided with the liquid crystal display device is not limited to a mobile phone, but a PDA (Personal Digital Assistant), a personal computer, a notebook personal computer, a workstation, a digital still camera, an in-vehicle monitor, a car Navigation device, head-up display, digital video camera, television receiver, viewfinder type or monitor direct-view type video tape recorder, pager, electronic notebook, calculator, electronic book or projector, word processor, video phone, POS terminal, touch panel It may be another electronic device such as a device provided, a lighting device, or the like.

そして、電気光学装置としては、一対の電極の間に電界を発生させることにより電気光学層の光学特性を変化させるものであって反射表示領域を有するものであれば、液晶表示装置に限らず、有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置など他の装置であってもよい。   The electro-optical device is not limited to a liquid crystal display device as long as it changes the optical characteristics of the electro-optical layer by generating an electric field between a pair of electrodes and has a reflective display region. Other devices such as an organic EL (electroluminescence) device may be used.

第1の実施形態における液晶表示装置を示す等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram illustrating a liquid crystal display device according to a first embodiment. サブ画素領域を示す平面構成図である。It is a plane block diagram which shows a subpixel area | region. 図2のA−A矢視断面図である。It is AA arrow sectional drawing of FIG. 液晶表示装置を備える携帯電話機を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows a mobile telephone provided with a liquid crystal display device. 第2の実施形態におけるサブ画素領域を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the sub pixel area | region in 2nd Embodiment. 第3の実施形態におけるサブ画素領域の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the sub pixel area | region in 3rd Embodiment. 第4の実施形態におけるサブ画素領域の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the sub pixel area | region in 4th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1,110,120,130 液晶表示装置(電気光学装置)、11a 枠部(帯状電極)、11b 帯状部(帯状電極)、21,111 素子基板(第1基板)、22,112,121,131 対向基板(第2基板)、23 液晶層(電気光学層)、44 反射膜、44a 凹凸部、44b 平坦部、51,122,132 基板本体、51a,122a 散乱凹部、51b 充填材、100 携帯電話機(電子機器)、133 散乱板 1,110,120,130 Liquid crystal display device (electro-optical device), 11a Frame portion (band electrode), 11b Band portion (band electrode), 21,111 Element substrate (first substrate), 22, 112, 121, 131 Counter substrate (second substrate), 23 liquid crystal layer (electro-optic layer), 44 reflective film, 44a uneven portion, 44b flat portion, 51, 122, 132 substrate body, 51a, 122a scattering recess, 51b filler, 100 mobile phone (Electronic equipment) 133 Scattering plate

Claims (7)

第1及び第2基板に電気光学層が挟持され、各画素領域に反射表示領域が設けられた電気光学装置であって、
前記第1基板の前記反射表示領域に設けられた反射膜と、
前記反射膜上に設けられた帯状電極とを備え、
前記帯状電極が、前記反射膜よりも前記電気光学層側に配置され、少なくとも一部が前記反射表示領域で平坦面上に形成され、
前記反射膜が、平面視で前記帯状電極の非形成領域と重なる領域に設けられた凹凸部と、平面視で前記帯状電極と重なる領域に形成された平坦部とを有し、
前記第2基板の前記反射表示領域のうち前記帯状電極と重なる領域に、前記反射膜で反射した光を散乱させる散乱領域が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device in which an electro-optical layer is sandwiched between first and second substrates and a reflective display region is provided in each pixel region,
A reflective film provided in the reflective display region of the first substrate;
A strip electrode provided on the reflective film,
The belt-like electrode is disposed on the electro-optic layer side of the reflective film, and at least a part thereof is formed on a flat surface in the reflective display region;
The reflective film has a concavo-convex portion provided in a region overlapping with the non-formation region of the belt-like electrode in a plan view, and a flat portion formed in a region overlapping with the belt-like electrode in a plan view,
An electro-optical device, wherein a scattering region that scatters light reflected by the reflective film is formed in a region of the reflective display region of the second substrate that overlaps with the strip electrode.
前記散乱領域が、前記帯状電極と重なる領域にのみ形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the scattering region is formed only in a region overlapping with the belt-like electrode. 前記第2基板が、基体となる基板本体を有し、
前記基板本体の表面の前記散乱領域には、散乱凹凸部が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。
The second substrate has a substrate body serving as a base,
The electro-optical device according to claim 1, wherein a scattering uneven portion is formed in the scattering region on the surface of the substrate body.
前記散乱凹凸部が、前記基板本体の前記電気光学層側の表面に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 3, wherein the scattering uneven portion is formed on a surface of the substrate body on the electro-optical layer side. 前記散乱凹凸部に、前記電気光学層と屈折率の異なる充填材が充填されていることを特徴とする請求項3または4に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 3, wherein the scattering uneven portion is filled with a filler having a refractive index different from that of the electro-optical layer. 前記第2基板の前記散乱領域に散乱板が設けられていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein a scattering plate is provided in the scattering region of the second substrate. 請求項1から6のいずれか1項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
JP2006289636A 2006-10-25 2006-10-25 Electro-optical device and electronic apparatus Expired - Fee Related JP4858082B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006289636A JP4858082B2 (en) 2006-10-25 2006-10-25 Electro-optical device and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006289636A JP4858082B2 (en) 2006-10-25 2006-10-25 Electro-optical device and electronic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008107526A true JP2008107526A (en) 2008-05-08
JP4858082B2 JP4858082B2 (en) 2012-01-18

Family

ID=39440927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006289636A Expired - Fee Related JP4858082B2 (en) 2006-10-25 2006-10-25 Electro-optical device and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4858082B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008175990A (en) * 2007-01-17 2008-07-31 Nec Lcd Technologies Ltd Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device
US7755723B2 (en) 2006-12-25 2010-07-13 Sony Corporation Liquid crystal display device and display apparatus

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000047199A (en) * 1998-07-31 2000-02-18 Hitachi Chem Co Ltd Transfer film and manufacture of diffuse reflector plate
JP2001272674A (en) * 2000-01-18 2001-10-05 Sharp Corp Liquid crystal display device
JP2002090512A (en) * 2000-06-16 2002-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflector and reflection type liquid crystal display device having the reflector
JP2003302740A (en) * 2002-04-10 2003-10-24 Seiko Epson Corp Mask, substrate with light reflection film, method for forming light reflection film, method for manufacturing electro-optic device, electro-optic device, and electronic apparatus
JP2003344837A (en) * 2002-05-24 2003-12-03 Nec Corp Semitransmissive liquid crystal display device
JP2004037679A (en) * 2002-07-01 2004-02-05 Sharp Corp Liquid crystal display device
JP2005157218A (en) * 2003-11-28 2005-06-16 Seiko Epson Corp Method of manufacturing electro-optical device, electro-optic device, and electronic equipment

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000047199A (en) * 1998-07-31 2000-02-18 Hitachi Chem Co Ltd Transfer film and manufacture of diffuse reflector plate
JP2001272674A (en) * 2000-01-18 2001-10-05 Sharp Corp Liquid crystal display device
JP2002090512A (en) * 2000-06-16 2002-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflector and reflection type liquid crystal display device having the reflector
JP2003302740A (en) * 2002-04-10 2003-10-24 Seiko Epson Corp Mask, substrate with light reflection film, method for forming light reflection film, method for manufacturing electro-optic device, electro-optic device, and electronic apparatus
JP2003344837A (en) * 2002-05-24 2003-12-03 Nec Corp Semitransmissive liquid crystal display device
JP2004037679A (en) * 2002-07-01 2004-02-05 Sharp Corp Liquid crystal display device
JP2005157218A (en) * 2003-11-28 2005-06-16 Seiko Epson Corp Method of manufacturing electro-optical device, electro-optic device, and electronic equipment

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7755723B2 (en) 2006-12-25 2010-07-13 Sony Corporation Liquid crystal display device and display apparatus
JP2008175990A (en) * 2007-01-17 2008-07-31 Nec Lcd Technologies Ltd Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device
US8139184B2 (en) 2007-01-17 2012-03-20 NLT Technologies Ltd. LCD device including a reflection film having a convex-concave surface
US8284356B2 (en) 2007-01-17 2012-10-09 Nlt Technologies, Ltd. LCD device including a reflection film having a convex-concave surface

Also Published As

Publication number Publication date
JP4858082B2 (en) 2012-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100816145B1 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
KR100816137B1 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP5008026B2 (en) Display device with input function
JP5019848B2 (en) Liquid crystal device and electronic device
US20080111779A1 (en) Liquid-crystal display, method for producing liquid-crystal display, and electronic device
US20070132927A1 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP2009258332A (en) Liquid crystal display device and electronic device
JP2008299312A (en) Liquid crystal display device and electronic equipment
JP2008209858A (en) Liquid crystal device and electronic equipment
JP3901172B2 (en) Liquid crystal display device and electronic device
JP2004240177A (en) Liquid crystal display device and electronic appliance
JP2008180952A (en) Liquid crystal device and electronic equipment
JP4887745B2 (en) Liquid crystal device and electronic device
JP2009075421A (en) Liquid crystal device and electronic equipment
US7787083B2 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP4858082B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2007171231A (en) Liquid crystal device and electronic device
JP2009080303A (en) Liquid crystal device and electronic equipment
JP4858081B2 (en) Electro-optical device and manufacturing method thereof
JP2004333830A (en) Liquid crystal display and electronic device
JP2007334085A (en) Liquid crystal display device, and electronic apparatus
JP4923947B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2008157997A (en) Liquid crystal device and electronic equipment
JP2008197129A (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP2008145572A (en) Liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090723

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20090724

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100526

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100526

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111004

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111005

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111017

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4858082

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees