JP2008102797A - Semiconductor device, semiconductor integrated circuit device and allowable phase difference measurement circuit - Google Patents

Semiconductor device, semiconductor integrated circuit device and allowable phase difference measurement circuit Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device that can effectively reduce a current peak at low cost. <P>SOLUTION: Clocks for a first module 21 and a second module 22 are synchronized in Step ST1 before the first module 21 transfers data to the second module 22 in Step ST2. The clock phase difference between the clock CLKA for the first module 21 and the clock CLKB for the second module 22 is set to a predetermined value in Step ST3 before the first module 21 and second module 22 execute respective predetermined operations independently in Step ST4. The clock CLKA for the first module 21 and a clock CLKP for a CPU 25 are synchronized in Step ST5 before the CPU 25 reads the operation result of the first module 21 in Step ST6. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、複数のモジュールにクロックを供給するクロック供給手段を有する半導体装置(半導体集積回路を含む概念)に関し、特にクロック供給手段によるクロックスキュー(位相)調整内容に関する。   The present invention relates to a semiconductor device (concept including a semiconductor integrated circuit) having clock supply means for supplying a clock to a plurality of modules, and more particularly, to contents of clock skew (phase) adjustment by the clock supply means.

従来、各モジュールのクロックの位相は、チップごとに固定であり、モジュール間のクロック位相差はできるだけ小さくするように作られていた。LSI内部のクロックスキューを低減するために、H-Treeや等長配線によるクロックツリー、メッシュ構造のクロック配線などの技術があり、日々研究されている。   Conventionally, the clock phase of each module is fixed for each chip, and the clock phase difference between modules is made as small as possible. In order to reduce the clock skew inside the LSI, there are techniques such as H-Tree, a clock tree using equal-length wiring, and a clock wiring with a mesh structure, which are being studied daily.

また、CADツールではCTS(Clock tree synthesis)ツールなどにより、クロックスキューを“0”に近づけるようクロック回路を挿入する技術も研究されている。   As a CAD tool, a technique for inserting a clock circuit so as to bring the clock skew closer to “0” by a CTS (Clock tree synthesis) tool or the like has been studied.

マイコン等のLSI内部回路はクロック同期で設計されているものが多く、クロックのエッジに合わせて多くの回路が動作する。特に最先端の微細プロセスを使用したLSIでは、LSIの周囲条件や製造によるばらつきが大きいため、それらの変動に対してマージンを持つ必要がある。したがって、LSI内部回路の一般的な動作において、クロックのエッジ直後の時間帯に大半の回路が動作する一方、エッジ直後から比較的時間が経過し次のエッジに近づく頃はほとんどの回路は動作しない傾向が強い。   Many LSI internal circuits such as microcomputers are designed with clock synchronization, and many circuits operate in accordance with clock edges. In particular, an LSI using the most advanced fine process has a large variation due to the ambient conditions and manufacturing of the LSI, and it is necessary to have a margin for such fluctuations. Therefore, in general operation of LSI internal circuits, most of the circuits operate in the time zone immediately after the edge of the clock, but most circuits do not operate when a relatively long time elapses immediately after the edge and approaches the next edge. The tendency is strong.

したがって、LSIで消費される電力の多くはクロックエッジ直後に消費されるため、電源電流のピーク値は平均電流に対してかなり大きくなる。   Accordingly, since most of the power consumed by the LSI is consumed immediately after the clock edge, the peak value of the power supply current becomes considerably larger than the average current.

電流ピークが大きいと、LSI内部の電源供給配線の抵抗により電圧降下が生じ、回路の誤動作や、動作速度の低下が起こるという問題がある。また、電流ピークが大きいと、EMI(Electromagnetic Interference;電磁妨害)ノイズも大きくなり、LSI外部への影響も懸念される。   When the current peak is large, there is a problem that a voltage drop occurs due to the resistance of the power supply wiring inside the LSI, causing malfunction of the circuit and a decrease in the operation speed. In addition, when the current peak is large, EMI (Electromagnetic Interference) noise increases, and there is a concern about the influence on the outside of the LSI.

上記問題を解決する一般的な方法として、低インピーダンスな電源配線により、電流ピークでも電圧降下が起きないようにする方法がある。しかしこの方法は電源配線を太く配線する必要があるため、LSIのダイ面積(チップ面積)が大きくなるという問題がある。また、EMIは低インピーダンスな電源配線では解決しない。   As a general method for solving the above problem, there is a method for preventing a voltage drop even at a current peak by using a low impedance power supply wiring. However, this method has a problem that the die area (chip area) of the LSI becomes large because the power supply wiring needs to be thick. Moreover, EMI cannot be solved with a low-impedance power supply wiring.

上記問題を解決する一般的な別の方法として、パイパスコンデンサ(パスコン)を使用する方法がある。LSI内部にゲート酸化膜でコンデンサを作る方法がある。しかしながら、LSI内蔵パスコンを挿入すると、その分LSIダイ面積が大きくなるという問題がある。またゲート酸化膜など限られた材質で作られるため、様々な周波数成分に対応するのは難しく、実際はそれほど効果は高くない。   As another general method for solving the above problem, there is a method using a bypass capacitor. There is a method of making a capacitor with a gate oxide film inside an LSI. However, when an LSI built-in bypass capacitor is inserted, there is a problem that the LSI die area is increased accordingly. In addition, since it is made of a limited material such as a gate oxide film, it is difficult to cope with various frequency components, and the effect is not so high in practice.

上記問題点を解決するための技術として、各々がクロックに同期して所定の動作を行う複数のモジュールに対し、モジュールごとに位相をずらしたクロックを供給する位相シフト型クロックドライバーが例えば特許文献1に開示されている。上記位相シフト型クロックドライバーの上述したクロック供給により、スイッチング電流のピークを分散させ、電源ノイズを低減している。また、特許文献1では、位相をずらした場合の、各モジュール出力の位相ずれを吸収する回路にも言及している。   As a technique for solving the above-described problem, a phase shift type clock driver that supplies a clock whose phase is shifted for each module to a plurality of modules each performing a predetermined operation in synchronization with the clock is disclosed in Patent Document 1, for example. Is disclosed. With the above-described clock supply of the phase shift type clock driver, the peak of the switching current is dispersed and the power supply noise is reduced. Patent Document 1 also mentions a circuit that absorbs the phase shift of each module output when the phase is shifted.

特開2002−14742号公報JP 2002-14742 A

モジュールごとに位相(スキュー)を変えた場合、その位相差をどこかで吸収する必要がある。そうしないとモジュール間の信号転送がクロック位相差より短かった場合、レーシングにより回路は誤動作する(ホールドエラー(hold error))。レーシングによる誤動作を防ぐため、モジュール間の信号転送にはモジュール間のクロックスキュー以上の遅延が必ず付くように遅延バッファを挿入する必要があるが、この方法では遅延バッファによる回路増により、面積と電力が増大する問題点があった。   When the phase (skew) is changed for each module, it is necessary to absorb the phase difference somewhere. Otherwise, if the signal transfer between the modules is shorter than the clock phase difference, the circuit will malfunction due to racing (hold error). In order to prevent malfunction due to racing, it is necessary to insert a delay buffer so that the signal transfer between modules must have a delay equal to or greater than the clock skew between the modules. There was a problem that increased.

特許文献1では位相吸収マクロを設けてクロック位相差の吸収を行っているが、位相吸収マクロを設けることによる回路増により、面積と電力が増大する問題点が生じてしまう。   In Patent Document 1, the phase absorption macro is provided to absorb the clock phase difference. However, the increase in the circuit due to the provision of the phase absorption macro causes a problem that the area and power increase.

また、クロック位相差分だけ実際のクロック周期より短い時間間隔で信号転送を行う必要があるため、モジュール間転送がクリティカルパスになっている場合、動作周波数を下げることになり、性能が劣化してしまう問題点もあった。   In addition, since it is necessary to perform signal transfer at a time interval shorter than the actual clock period by the clock phase difference, if the inter-module transfer is a critical path, the operating frequency will be lowered and the performance will deteriorate. There was also a problem.

このように、パスコンや電源配線の低インピーダンス化による電流ピーク対策は、面積増を招き高コストとなる問題点があり、特許文献1に開示された位相シフト型クロックドライバーによりモジュールごとに固定の位相差をつけた場合も、回路増による高コスト化と動作周波数低下による性能劣化の問題点があった。   Thus, current peak countermeasures by reducing the impedance of bypass capacitors and power supply wiring have a problem of increasing the area and increasing the cost, and the phase shift type clock driver disclosed in Patent Document 1 is fixed for each module. Even when the phase difference is added, there is a problem that the cost is increased due to an increase in circuits and the performance is deteriorated due to a decrease in operating frequency.

この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、その目的は、低コストで電流ピークを効果的に抑制することができるクロック供給手段を有する半導体装置を提供することである。この発明の他の目的は、電流ピークを効果的に抑制しながら誤動作を効果的に抑制することができるクロック供給手段を有する半導体装置を得ることである。   The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device having a clock supply means that can effectively suppress a current peak at low cost. Another object of the present invention is to provide a semiconductor device having a clock supply means that can effectively suppress malfunction while effectively suppressing current peaks.

本願発明の一実施の形態のLSIは、複数のクロックを供給するクロック供給手段と基板上に配置され上記複数のクロックに同期して動作する複数のモジュールを備えている。   An LSI according to an embodiment of the present invention includes a clock supply unit that supplies a plurality of clocks and a plurality of modules that are arranged on a substrate and operate in synchronization with the plurality of clocks.

そして、クロック供給手段は、データ転送対象となるモジュール間のデータ転送時に互いのクロックの位相を一致させ、データ転送をしない時に互いのクロックに位相差を設けている。   The clock supply means matches the phases of the clocks when data is transferred between modules to be transferred, and provides a phase difference between the clocks when data is not transferred.

上記構成により、上記一実施の形態のLSIは、低コストで電流ピークを効果的に抑制し、データ転送時においても誤動作が生じることはない。   With the above configuration, the LSI according to the embodiment effectively suppresses the current peak at a low cost, and no malfunction occurs during data transfer.

<基本構成>
(第1のLSI)
図1は本願発明の半導体装置であるLSIを実現するための第1のLSIの基本構成を示す説明図である。
<Basic configuration>
(First LSI)
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a basic configuration of a first LSI for realizing an LSI which is a semiconductor device of the present invention.

同図に示すように、第1のLSIはクロックCLK20を供給するPLL回路20と、モジュールA21、モジュールB22及びCPU25から構成されている。モジュールA21はクロックCLK20が可変遅延回路31を介して得られるクロックCLKAを受け、クロックCLKAに同期して動作する。モジュールB22はクロックCLK20が可変遅延回路32を介して得られるクロックCLKBを受け、クロックCLKBに同期して動作を行う。CPU25はクロックCLK20が可変遅延回路33を介して得られるクロックCLKPを受け、クロックCLKPに同期して動作する。なお、モジュールA21,モジュールB22等のモジュールは、クロックに同期して動作する回路全般を意味する。   As shown in the figure, the first LSI includes a PLL circuit 20 that supplies a clock CLK20, a module A21, a module B22, and a CPU 25. The module A21 receives the clock CLKA obtained by the clock CLK20 via the variable delay circuit 31, and operates in synchronization with the clock CLKA. The module B22 receives the clock CLKB obtained from the clock CLK20 via the variable delay circuit 32, and operates in synchronization with the clock CLKB. The CPU 25 receives the clock CLKP obtained from the clock CLK20 via the variable delay circuit 33, and operates in synchronization with the clock CLKP. The modules such as the module A21 and the module B22 mean all circuits that operate in synchronization with a clock.

CPU25は可変遅延回路31〜33に与える制御信号SCT1〜SCT3によって、可変遅延回路31〜33の遅延時間をそれぞれ個別に制御する。このように、可変遅延回路31〜33の遅延時間をCPU25によって制御することにより、モジュールA21、モジュールB22及びCPU25に供給されるクロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKP間の位相を可変制御することができる。   The CPU 25 individually controls the delay times of the variable delay circuits 31 to 33 by control signals SCT1 to SCT3 given to the variable delay circuits 31 to 33. Thus, by controlling the delay time of the variable delay circuits 31 to 33 by the CPU 25, the phase between the clock CLKA, the clock CLKB and the clock CLKP supplied to the module A21, the module B22 and the CPU 25 can be variably controlled. .

上記のように、第1のLSIのクロック供給手段(PLL回路20、CPU25、可変遅延回路31〜33)は可変遅延回路31〜33それぞれの遅延時間をCPU25によって制御することにより、PLL回路20から発生する1つの基準クロックCLK22から、互いに位相の異なる複数のクロック(クロックCLKA,クロックCLKB及びクロックCLKP)を比較的簡単な回路構成で得ることができる。   As described above, the clock supply means (PLL circuit 20, CPU 25, variable delay circuits 31 to 33) of the first LSI controls the delay time of each of the variable delay circuits 31 to 33 from the PLL circuit 20. A plurality of clocks (clock CLKA, clock CLKB, and clock CLKP) having different phases can be obtained from a generated reference clock CLK22 with a relatively simple circuit configuration.

(可変遅延回路)
図2は可変遅延回路31(32,33)の内部構成の第1の例を示す回路図である。同図に示すように、可変遅延回路31の入力信号INを受ける信号線56がn個のマルチプレクサMX1〜MXnの一方入力に接続される。遅延バッファDB1〜DBnはマルチプレクサMX1〜MXnの出力信号を入力部に受け、遅延バッファDB1〜DB(n−1)の出力がマルチプレクサMX2〜MXnの他方入力に接続される。遅延用バッファDBnの出力信号が可変遅延回路31の出力信号OUTとなる。
(Variable delay circuit)
FIG. 2 is a circuit diagram showing a first example of the internal configuration of the variable delay circuit 31 (32, 33). As shown in the figure, a signal line 56 that receives an input signal IN of the variable delay circuit 31 is connected to one input of n multiplexers MX1 to MXn. Delay buffers DB1 to DBn receive the output signals of multiplexers MX1 to MXn at their input parts, and the outputs of delay buffers DB1 to DB (n-1) are connected to the other inputs of multiplexers MX2 to MXn. The output signal of the delay buffer DBn becomes the output signal OUT of the variable delay circuit 31.

そして、マルチプレクサMX1〜MXnはそれぞれ制御信号CT1〜CTnの従い、一方入力及び他方入力より得られる信号のうち、一の信号を出力信号として出力する。制御信号CT1〜CTnが図1で示した第1のLSIにおけるCPU25から可変遅延回路31〜33に付与される制御信号SCT1〜SCT3それぞれに相当する。   The multiplexers MX1 to MXn output one signal as an output signal among the signals obtained from one input and the other input according to the control signals CT1 to CTn, respectively. The control signals CT1 to CTn correspond to the control signals SCT1 to SCT3 given to the variable delay circuits 31 to 33 from the CPU 25 in the first LSI shown in FIG.

このような構成の可変遅延回路31の第1の例は、制御信号CT1〜CTnに基づき、1段(遅延用バッファDBn)〜n段(遅延バッファDB1〜DBn)を適宜選択することにより、可変遅延回路31による遅延時間を可変制御することができる。   The first example of the variable delay circuit 31 having such a configuration is variable by appropriately selecting one stage (delay buffer DBn) to n stage (delay buffers DB1 to DBn) based on the control signals CT1 to CTn. The delay time by the delay circuit 31 can be variably controlled.

図3は可変遅延回路31(32,33)の内部構成の第2の例を示す回路図である。同図に示すように、n個の遅延用バッファBF1〜BFnが直列に接続され、初段の遅延用バッファBF1の入力部に可変遅延回路31の入力信号INを受ける。遅延用バッファBF1〜BFnの出力はマルチプレクサ34に入力される。マルチプレクサ34は制御信号CTLを受け、制御信号CTLに従い、遅延用バッファBF1〜BFnのうち、いずれか一の遅延用バッファBFより得られる出力信号を選択して出力信号OUTをして出力する。制御信号CTLが図1で示した第1のLSIにおけるCPU25から可変遅延回路31〜33に付与される制御信号SCT1〜SCT3それぞれに相当する。   FIG. 3 is a circuit diagram showing a second example of the internal configuration of the variable delay circuit 31 (32, 33). As shown in the figure, n delay buffers BF1 to BFn are connected in series, and the input signal IN of the variable delay circuit 31 is received at the input of the first-stage delay buffer BF1. The outputs of the delay buffers BF1 to BFn are input to the multiplexer 34. The multiplexer 34 receives the control signal CTL, selects an output signal obtained from any one of the delay buffers BF1 to BFn according to the control signal CTL, and outputs the output signal OUT as an output signal OUT. The control signal CTL corresponds to each of the control signals SCT1 to SCT3 given from the CPU 25 to the variable delay circuits 31 to 33 in the first LSI shown in FIG.

このように、可変遅延回路31の第2の例は、制御信号CTLに基づき、1段(遅延用バッファDB1)〜n段(遅延バッファDB1〜DBn)を適宜選択することにより、可変遅延回路31による遅延時間を可変制御することができる。   Thus, in the second example of the variable delay circuit 31, the variable delay circuit 31 is appropriately selected from one stage (delay buffer DB1) to n stage (delay buffers DB1 to DBn) based on the control signal CTL. The delay time due to can be variably controlled.

図4は可変遅延回路31(32,33)の内部構成の第3の例を示す回路図である。同図に示すように、バッファ35は入力信号INを入力部に受け、その出力部が信号線57を介してバッファ36の入力部に電気的に接続され、バッファ36の出力信号が出力信号OUTとなる。   FIG. 4 is a circuit diagram showing a third example of the internal configuration of the variable delay circuit 31 (32, 33). As shown in the figure, the buffer 35 receives an input signal IN at its input section, its output section is electrically connected to the input section of the buffer 36 via a signal line 57, and the output signal of the buffer 36 is the output signal OUT. It becomes.

そして、バッファ35,バッファ36間の信号線57にn個のN型の選択トランジスタSQ1〜SQnのドレインが電気的に共通に接続され、選択トランジスタSQ1〜SQnのソースはキャパシタCP1〜CPnを介して接地されるとともに、ゲートに制御信号CT1〜CTnを受ける。これら制御信号CT1〜CTnが図1で示した第1のLSIにおけるCPU25から可変遅延回路31〜33に付与される制御信号SCT1〜SCT3それぞれに相当する。   The drains of n N-type selection transistors SQ1 to SQn are electrically connected to a signal line 57 between the buffer 35 and the buffer 36, and the sources of the selection transistors SQ1 to SQn are connected via capacitors CP1 to CPn. In addition to being grounded, the gates receive control signals CT1 to CTn. These control signals CT1 to CTn correspond to the control signals SCT1 to SCT3 applied to the variable delay circuits 31 to 33 from the CPU 25 in the first LSI shown in FIG.

このように、可変遅延回路31の第3の例は、制御信号CT1〜CTnに基づき、選択トランジスタSQ1〜SQnを選択的にk(k=1〜n)個分オン状態にしてk個のキャパシタCPによる負荷容量を信号線57に与えることにより、可変遅延回路31による遅延時間を可変制御することができる。   As described above, the third example of the variable delay circuit 31 is configured to selectively turn on k selection transistors SQ1 to SQn for k (k = 1 to n) based on the control signals CT1 to CTn. By giving the load capacitance due to CP to the signal line 57, the delay time by the variable delay circuit 31 can be variably controlled.

可変遅延回路31の第1及び第2の例(図2及び図3)は第3の例(図4)に比べ以下の利点を有する。第3の例はキャパシタCP1〜CPnに対応して選択トランジスタSQ1〜SQnを設けることにより、各々単独のトランジスタを用いて負荷容量を調整しているため、近年よく用いられているセルライブラリを使った設計手法が使えない。このため、アナログ回路の場合と同じく、回路の検証が非常に手間がかかり、またLSIに組み込む際に特別なライブラリの形にする必要があるなど、手間を要し特別な技術が必要なる。   The first and second examples (FIGS. 2 and 3) of the variable delay circuit 31 have the following advantages over the third example (FIG. 4). In the third example, since the selection transistors SQ1 to SQn are provided corresponding to the capacitors CP1 to CPn, and the load capacitance is adjusted using each single transistor, a cell library that has been often used in recent years is used. The design method cannot be used. For this reason, as in the case of analog circuits, circuit verification is very time-consuming and requires special techniques such as special library form when incorporated into an LSI.

一方、第1及び第2の例では、遅延段数が可変制御可能な複数の遅延素子(遅延バッファDB1〜DBn,遅延用バッファBF1〜BFn)を用いているため、一般的に使われるスタンダードセルで構成できるため、セルライブラリを使った設計手法が適用でき、容易に設計できるという利点を有する。   On the other hand, in the first and second examples, a plurality of delay elements (delay buffers DB1 to DBn, delay buffers BF1 to BFn) that can be variably controlled in the number of delay stages are used. Since it can be configured, a design method using a cell library can be applied, and the design can be easily performed.

(システム構成例)
図5は図1で示した第1のLSIのバス上での接続状況を含む第1のシステム構成例を示すブロック図である。同図に示すように、モジュールA21、CPU25及び位相制御レジスタ24がバス40に信号授受可能に接続され、モジュールB22がバス40に接続されていない。なお、モジュールA21,モジュールB22間のデータ転送はバス40を介することなく直接行われる。
(System configuration example)
FIG. 5 is a block diagram showing a first system configuration example including the connection status of the first LSI shown in FIG. 1 on the bus. As shown in the figure, the module A 21, the CPU 25 and the phase control register 24 are connected to the bus 40 so as to be able to send and receive signals, and the module B 22 is not connected to the bus 40. Note that the data transfer between the module A21 and the module B22 is directly performed without going through the bus 40.

位相制御レジスタ24にはモジュールA21、モジュールB22及びCPU25のクロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKPの位相決定用の制御情報が格納されている。CPU25はバス40を介して位相制御レジスタ24にアクセスすることにより得られる制御情報に基づき、図1で示した可変遅延回路31〜33に付与する制御信号SCT(SCT1〜SCT3)を出力する。なお、位相制御レジスタ24に付与されるクロックCLK24の位相差決定用の制御情報を位相制御レジスタ24自身が格納し、CPU25によってクロックCLK24用の可変遅延回路(図示せず)の遅延時間を制御する構成も考えられる。   The phase control register 24 stores control information for determining the phases of the clock CLKA, the clock CLKB, and the clock CLKP of the module A21, the module B22, and the CPU 25. The CPU 25 outputs a control signal SCT (SCT1 to SCT3) to be given to the variable delay circuits 31 to 33 shown in FIG. 1 based on control information obtained by accessing the phase control register 24 via the bus 40. The phase control register 24 itself stores control information for determining the phase difference of the clock CLK24 that is given to the phase control register 24, and the CPU 25 controls the delay time of a variable delay circuit (not shown) for the clock CLK24. Configuration is also conceivable.

図6は図1で示した第1のLSIのバス上での接続状況を含む第2のシステム構成例を示すブロック図である。同図に示すように、モジュールA21及びCPU25がバス40に信号授受可能に接続され、モジュールB22がバス40に接続されていない。そして、CPU25内に位相制御レジスタ26が設けられる。なお、モジュールA21,モジュールB22間のデータ転送はバス40を介することなく直接行われる。   FIG. 6 is a block diagram showing a second system configuration example including the connection status of the first LSI shown in FIG. 1 on the bus. As shown in the figure, the module A 21 and the CPU 25 are connected to the bus 40 so as to be able to send and receive signals, and the module B 22 is not connected to the bus 40. A phase control register 26 is provided in the CPU 25. Note that the data transfer between the module A21 and the module B22 is directly performed without going through the bus 40.

位相制御レジスタ26にはモジュールA21、モジュールB22及びCPU25のクロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKP決定用の制御情報が格納されている。CPU25は内部の位相制御レジスタ26から得られる制御情報に基づき、図1で示した可変遅延回路31〜33に付与する制御信号SCTを出力する。   The phase control register 26 stores control information for determining the clock CLKA, the clock CLKB, and the clock CLKP of the module A21, the module B22, and the CPU 25. Based on the control information obtained from the internal phase control register 26, the CPU 25 outputs a control signal SCT to be provided to the variable delay circuits 31 to 33 shown in FIG.

(位相制御レジスタ)
図7は位相制御レジスタ24(26)のCPU25から見たメモリマップを示す説明図である。同図に示すように、アドレス0000_1000〜アドレス0000_1FFCが位相制御レジスタ24のアドレスとして割り当てられ、モジュールA21用としてアドレス0000_1000(〜1003)が割り当てられ、モジュールB22用としてアドレス0000_1004(〜1007)が割り当てられ、CPU25用としてアドレス0000_1100(〜1103)が割り当てられる。1アドレス当たり8ビットの情報が格納可能であるため、モジュールA21、モジュールB22及びCPU25用の制御情報としてそれぞれ4アドレス分の32ビットの情報が格納可能にマッピングされている。
(Phase control register)
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a memory map viewed from the CPU 25 of the phase control register 24 (26). As shown in the figure, addresses 0000 — 1000 to address 0000 — 1FFC are assigned as addresses of the phase control register 24, addresses 0000 — 1000 (-1003) are assigned for the module A21, and addresses 0000 — 1004 (˜1007) are assigned for the module B22. Address 0000_1100 (˜1103) is assigned for the CPU 25. Since 8 bits of information can be stored per address, 32 bits of information for 4 addresses are mapped so as to be stored as control information for the modules A21, B22 and CPU25.

図8は位相制御レジスタ24(26)の内部構成例を示す説明図である。同図に示すように、位相制御レジスタ24は32ビット(b0〜b31)の制御情報が格納可能あり、同図に例ではビットb16〜b31を制御情報用ビットとして格納している。   FIG. 8 is an explanatory diagram showing an example of the internal configuration of the phase control register 24 (26). As shown in the figure, the phase control register 24 can store control information of 32 bits (b0 to b31), and in the example shown in the figure, bits b16 to b31 are stored as control information bits.

図9は図8で示した位相制御レジスタ24の格納内容と制御情報との関係を表形式で示す説明図である。同図に示すように、ビットb16〜b31が制御情報として認識されており、ビットb16〜b31において、“1”が設定される箇所によって、「遅延無し」〜ディレイライン15段分遅延までの遅延時間が決定する。図8の例示ではビットb16〜b31が“1100_0000_0000_0000”となっており、図9によって「遅延無し」が制御情報であることが認識できる。   FIG. 9 is an explanatory diagram showing the relationship between the contents stored in the phase control register 24 shown in FIG. 8 and the control information in a table format. As shown in the figure, bits b16 to b31 are recognized as control information. Depending on the place where “1” is set in bits b16 to b31, there is a delay from “no delay” to a delay of 15 delay lines. Time is determined. In the example of FIG. 8, bits b16 to b31 are “1100_0000_0000_0000”, and it can be recognized from FIG. 9 that “no delay” is the control information.

このように、CPU25は位相制御レジスタ24(26)内の制御情報を認識して、可変遅延回路31〜33に制御信号SCT1〜SCT3を与えることにより、可変遅延回路31〜33の遅延時間を可変制御することができる。   As described above, the CPU 25 recognizes the control information in the phase control register 24 (26), and gives the control signals SCT1 to SCT3 to the variable delay circuits 31 to 33, whereby the delay times of the variable delay circuits 31 to 33 are variable. Can be controlled.

なお、図9で示した制御情報では、図2で示す可変遅延回路31の仕様としてディレイライン(遅延用バッファDB)の段数を指示すべく、ビットb16〜b31のうち最大2箇所を“1”にする仕様になっている。しかし、この仕様でなくても、例えば16段階の遅延時間を設定する場合、4ビットのレジスタで0〜15を指定する仕様とし、CPU25で認識して制御信号SCTを生成する構成も考えられる。   In the control information shown in FIG. 9, the maximum two places among the bits b16 to b31 are “1” in order to indicate the number of stages of the delay line (delay buffer DB) as the specification of the variable delay circuit 31 shown in FIG. It is a specification to make. However, even if this specification is not used, for example, when 16 delay times are set, a specification in which 0 to 15 is specified by a 4-bit register and the control signal SCT is generated by the CPU 25 can be considered.

また、図3及び図4で示した構成の可変遅延回路31に対しては、それぞれ異なる最適なビットアサインがあるので、それぞれに合った仕様にすればよい。ユーザーが使いやすいように、例えば16段階の場合4ビットのレジスタで0〜15を指定する仕様とするのもよい。また、図9の例では16段階の遅延時間を調整可能にしたが、調整段階は16より多くても少なくても構わない。搭載するLSIに最適な調整幅を持たせればよい。   Further, since the variable delay circuit 31 having the configuration shown in FIGS. 3 and 4 has optimum bit assignments different from each other, the specifications may be adapted to each. In order to make it easy for the user to use, for example, in the case of 16 stages, it may be a specification that specifies 0 to 15 with a 4-bit register. In the example of FIG. 9, the delay time of 16 steps can be adjusted, but the number of adjustment steps may be more or less than 16. What is necessary is just to give the optimal adjustment width to LSI to mount.

したがって、上記した第1のLSIに対して、ユーザーはプログラムに位相制御レジスタ24(26)に書き込み内容(制御情報)を記述して、それぞれのモジュールごとに、その時の使用状況に応じた最適な位相差を設定することにより、電源ノイズ低減、EMI低減を行うことができる。   Therefore, for the first LSI described above, the user describes the write contents (control information) in the phase control register 24 (26) in the program, and each module is optimally suited to the usage status at that time. By setting the phase difference, it is possible to reduce power supply noise and EMI.

第1のLSIによって以下の効果が期待できる。複数のクロックに位相差を設けることにより、電源ピークノイズ低減により、局所的な電圧降下が緩和される。これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能となる。   The following effects can be expected from the first LSI. By providing phase differences in a plurality of clocks, local voltage drop is mitigated by reducing power source peak noise. As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the cost and power consumption can be reduced.

EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる。   By reducing the EMI, the risk of malfunction in the system is reduced, and the cost for EMI countermeasures can be reduced.

(第2のLSI)
図10は本願発明のLSIを実現するための第2のLSIの構成例を示す説明図である。
(Second LSI)
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a configuration example of the second LSI for realizing the LSI of the present invention.

同図に示すように、第2のLSIはクロックCLKを供給するPLL回路27と、モジュールA21、モジュールB22及びCPU28から構成されている。モジュールA21は選択回路41を介して得られるクロックCLKAを受け、クロックCLKAに同期して動作する。モジュールB22は選択回路42を介して得られるクロックCLKBを受け、クロックCLKBに同期して所定の動作を行う。CPU28は選択回路43を介して得られるクロックCLKPを受け、クロックCLKPに同期して動作する。   As shown in the figure, the second LSI includes a PLL circuit 27 that supplies a clock CLK, a module A21, a module B22, and a CPU. The module A21 receives the clock CLKA obtained via the selection circuit 41 and operates in synchronization with the clock CLKA. The module B22 receives the clock CLKB obtained via the selection circuit 42, and performs a predetermined operation in synchronization with the clock CLKB. The CPU 28 receives the clock CLKP obtained via the selection circuit 43 and operates in synchronization with the clock CLKP.

図11はPLL回路27より生成されるクロックCLK21,CLK22の波形を示すタイミング図である。同図に示すように、クロックCLK21とクロックCLK22とは位相差ΔTが生じている。   FIG. 11 is a timing chart showing waveforms of clocks CLK21 and CLK22 generated by the PLL circuit 27. As shown in the figure, there is a phase difference ΔT between the clock CLK21 and the clock CLK22.

図12はPLL回路27の第1の構成例におけるオッシレータ部29の構成を示す説明図である。なお、PLL回路27の全体構成は通常のPLL回路の構成を呈している。   FIG. 12 is an explanatory diagram showing the configuration of the oscillator unit 29 in the first configuration example of the PLL circuit 27. Note that the entire configuration of the PLL circuit 27 is a configuration of a normal PLL circuit.

同図に示すように、オッシレータ部29は5段のインバータのループ接続により構成され、4段目のインバータの出力をクロックCLK21、最終段の出力をクロックCLK22とすることにより、クロックCLK21,CLK22間にインバータ1段分の位相差を設けている。なお、周波数制御入力finはオッシレータ部29の発振周波数制御用の電圧信号である。   As shown in the figure, the oscillator unit 29 is configured by a loop connection of five stages of inverters, and the output of the fourth stage inverter is set to the clock CLK21, and the output of the final stage is set to the clock CLK22. Is provided with a phase difference corresponding to one stage of the inverter. The frequency control input fin is a voltage signal for controlling the oscillation frequency of the oscillator unit 29.

図13はPLL回路27の第2の構成例を示すブロック図である。同図に示すように、PLL回路27より基準となるクロックCLK20を分周期27bが受け、PLL回路27よりクロックCLK20を分周してクロックCLK21を得る。   FIG. 13 is a block diagram showing a second configuration example of the PLL circuit 27. As shown in the figure, the dividing cycle 27b receives the reference clock CLK20 from the PLL circuit 27 and divides the clock CLK20 from the PLL circuit 27 to obtain the clock CLK21.

Dフリップフロップ27cはD入力にクロックCLK21を受け、CLK入力にクロックCLK20を受ける。Dフリップフロップ27cのQ出力より得られる信号をクロックCLK22として出力する。   The D flip-flop 27c receives the clock CLK21 at the D input and the clock CLK20 at the CLK input. A signal obtained from the Q output of the D flip-flop 27c is output as the clock CLK22.

このような構成において、クロックCLK20の立ち上がりエッジに同期してクロックCLK21を生成し、クロックCLK20の立ち上がりエッジに同期してDフリップフロップ27cにD入力をラッチさせた場合、クロックCLK21,CLK22間において、分周期27bの処理時間及びDフリップフロップ27cの処理時間に基づく位相差を設けることができる。   In such a configuration, when the clock CLK21 is generated in synchronization with the rising edge of the clock CLK20, and the D input is latched in the D flip-flop 27c in synchronization with the rising edge of the clock CLK20, between the clocks CLK21 and CLK22, A phase difference based on the processing time of the minute period 27b and the processing time of the D flip-flop 27c can be provided.

図10に戻って、上述したように、PLL回路27は位相が異なる2種類のクロックCLK21,CLK22を生成して、選択回路41〜43それぞれに付与する。CPU28は選択回路41〜43に制御信号SCT11〜SCT13を付与し、選択回路41〜43は制御信号SCT11〜SCT13に基づきクロックCLK21,CLK22のうちの一方をクロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKPとして出力する。   Returning to FIG. 10, as described above, the PLL circuit 27 generates two types of clocks CLK <b> 21 and CLK <b> 22 having different phases and applies them to the selection circuits 41 to 43, respectively. The CPU 28 gives control signals SCT11 to SCT13 to the selection circuits 41 to 43, and the selection circuits 41 to 43 output one of the clocks CLK21 and CLK22 as the clock CLKA, the clock CLKB, and the clock CLKP based on the control signals SCT11 to SCT13. .

このように、CPU28は制御信号SCT11〜SCT13によって、選択回路41〜43の選択内容をそれぞれ個別に制御することにより、モジュールA21、モジュールB22及びCPU28に供給されるクロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKP間の位相を可変制御することができる。   As described above, the CPU 28 individually controls the selection contents of the selection circuits 41 to 43 by the control signals SCT11 to SCT13, thereby the clock CLKA, the clock CLKB, and the clock CLKP supplied to the module A21, the module B22, and the CPU 28. Can be variably controlled.

なお、図10で示した第2のLSIでは、2種類のクロックCLK21,CLK22のいずれかを選択する例を示したが、3つのクロックまたはそれ以上の位相の違うクロックを選択する構成に拡張することもも勿論可能である。   In the second LSI shown in FIG. 10, an example is shown in which one of the two types of clocks CLK21 and CLK22 is selected. However, the second LSI can be extended to a configuration in which three clocks or clocks with different phases are selected. Of course it is also possible.

また、制御信号SCT11〜SCT13の内容は、第1のLSIと同様に位相制御レジスタ24に格納された制御情報に基づき決定することができる。   Further, the contents of the control signals SCT11 to SCT13 can be determined based on the control information stored in the phase control register 24 as in the first LSI.

このような構成の第2のLSIにおいて、第1のLSIと同様、ユーザーはプログラムから、それぞれのモジュールごとに、その時の使用状況に応じた最適な位相差をつけることにより、電源ノイズ低減、EMI低減を行うことができる。   In the second LSI having such a configuration, similarly to the first LSI, the user assigns an optimum phase difference according to the use state at the time for each module from the program, thereby reducing power supply noise and EMI. Reduction can be performed.

上述したように、第2のLSIは、電源ピークノイズ低減により、局所的な電圧降下が緩和される。これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能となる効果を奏する。   As described above, in the second LSI, the local voltage drop is reduced by reducing the power supply peak noise. As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the effects of cost reduction and power consumption reduction can be achieved.

加えて、EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果を奏する。   In addition, by reducing EMI, the risk of malfunction in the system is reduced, and it is possible to reduce the cost for EMI countermeasures.

(第3のLSI)
図14は本願発明のLSIを実現するための第3のLSIの基本構成を示す説明図である。
(Third LSI)
FIG. 14 is an explanatory diagram showing the basic configuration of a third LSI for realizing the LSI of the present invention.

同図に示すように、LSIはクロックCLK20を供給するPLL回路20と、モジュールA21、モジュールB22、CPU30及びクロック制御回路37から構成されている。モジュールA21はクロックCLK20が可変遅延回路31を介して得られるクロックCLKAを受け、クロックCLKAに同期して動作する。モジュールB22はクロックCLK20が可変遅延回路32を介して得られるクロックCLKBを受け、クロックCLKBに同期して動作する。CPU30はクロックCLK20が可変遅延回路33を介して得られるクロックCLKPを受け、クロックCLKPに同期して動作する。クロック制御回路37はCPU30とは別途に設けられ、クロックCLK20が遅延回路38を介して得られるクロックCLKXに同期して動作する。   As shown in the figure, the LSI includes a PLL circuit 20 that supplies a clock CLK20, a module A21, a module B22, a CPU 30, and a clock control circuit 37. The module A21 receives the clock CLKA obtained by the clock CLK20 via the variable delay circuit 31, and operates in synchronization with the clock CLKA. The module B22 operates in synchronization with the clock CLKB when the clock CLK20 is received through the variable delay circuit 32 and the clock CLKB is obtained. The CPU 30 receives the clock CLKP obtained from the clock CLK20 via the variable delay circuit 33, and operates in synchronization with the clock CLKP. The clock control circuit 37 is provided separately from the CPU 30 and operates in synchronization with the clock CLKX obtained by the clock CLK20 via the delay circuit 38.

クロック制御回路37は可変遅延回路31〜33に与える制御信号SCT21〜SCT23を出力することにより、可変遅延回路31〜33の遅延時間をそれぞれ個別に制御する。このように、可変遅延回路31〜33の遅延時間を、CPU30とは独立して設けられたクロック制御回路37によって制御することにより、モジュールA21、モジュールB22及びCPU30に供給されるクロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKP間の位相を可変制御することができる。   The clock control circuit 37 individually controls the delay times of the variable delay circuits 31 to 33 by outputting control signals SCT21 to SCT23 given to the variable delay circuits 31 to 33, respectively. Thus, by controlling the delay time of the variable delay circuits 31 to 33 by the clock control circuit 37 provided independently of the CPU 30, the clock CLKA and the clock CLKB supplied to the module A21, the module B22 and the CPU 30 are controlled. And the phase between the clocks CLKP can be variably controlled.

なお、CPU30からクロック制御回路37の活性/非活性を制御することができる。 またCPU30から強制的にクロック制御回路37を制御可能にすることにより、第1及び第2のLSIと同様に、にユーザーがプログラムから制御することも可能にすることも考えられる。   The activation / inactivation of the clock control circuit 37 can be controlled from the CPU 30. It is also conceivable that the user can control the clock control circuit 37 from the program by forcibly controlling the clock control circuit 37 from the CPU 30 like the first and second LSIs.

また、クロック制御回路37に供給されるクロックCLKXを生成する遅延回路38を可変に構成し、その可変制御をクロック制御回路37自身が行うことも考えられる。また、CPU30等の別の回路が遅延回路38を制御してクロックCLKXの位相を変更する方法も考えられる。また、クロック制御回路37のクロックCLKXの位相は制御できないように構成することも考えられる。   It is also conceivable that the delay circuit 38 that generates the clock CLKX supplied to the clock control circuit 37 is variably configured, and the clock control circuit 37 itself performs the variable control. In addition, a method in which another circuit such as the CPU 30 controls the delay circuit 38 to change the phase of the clock CLKX is also conceivable. It is also conceivable to configure the clock control circuit 37 so that the phase of the clock CLKX cannot be controlled.

このような構成の第3のLSIは、 クロック制御回路37により、それぞれのモジュールごとに、その時の使用状況に応じた最適な位相差をつけることにより、電源ノイズ低減、EMI低減を行うことができる。   In the third LSI having such a configuration, the clock control circuit 37 can reduce the power supply noise and the EMI by giving each module an optimum phase difference according to the use state at that time. .

上述したように、第3のLSIは、第1及び第2のLSIと同様、 電源ピークノイズ低減により、局所的な電圧降下が緩和されることにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能なる効果を奏する。   As described above, the third LSI, like the first and second LSIs, reduces the margin of the voltage drop expected during circuit design by reducing the local voltage drop by reducing the power supply peak noise. Therefore, the circuit scale / gate size can be reduced correspondingly, and there is an effect that cost and power consumption can be reduced.

さらに、EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果を奏する。   Furthermore, the risk of malfunction in the system is reduced by reducing the EMI, and it is possible to reduce the cost for EMI countermeasures.

<実施の形態1>
上述した第1〜第3のLSIでは、互いに位相が異なる複数のクロックを供給するクロック供給手段(図1で示す第1のLSIではPLL回路20、CPU25及び可変遅延回路31〜33が相当、図10で示す第2のLSIではPLL回路27、CPU28及び選択回路41〜43が相当、図14で示す第3のLSIではPLL回路20、クロック制御回路37、可変遅延回路31〜33が相当)の回路構成について述べた。
<Embodiment 1>
In the first to third LSIs described above, clock supply means for supplying a plurality of clocks having different phases (in the first LSI shown in FIG. 1, the PLL circuit 20, the CPU 25, and the variable delay circuits 31 to 33 correspond, 10 is equivalent to the PLL circuit 27, the CPU 28, and the selection circuits 41 to 43, and the third LSI shown in FIG. 14 is equivalent to the PLL circuit 20, the clock control circuit 37, and the variable delay circuits 31 to 33). The circuit configuration was described.

上記第1〜第3のLSIのクロック供給手段は、複数のクロックを互いに位相が異なるように供給するため、低コストで電流ピークを効果的に抑制することができる効果を基本的に有している。   Since the clock supply means of the first to third LSIs supply a plurality of clocks so that their phases are different from each other, the clock supply means basically has an effect of effectively suppressing a current peak at a low cost. Yes.

しかし、上記クロック供給手段によりモジュールごとのクロックの位相を変えているため、位相の違うクロックが供給されているモジュール間のデータ転送で、モジュール間の信号転送がクロック位相差より短かい間隔で行われた場合、レーシングにより回路は誤動作する可能性がある(ホールドエラー(hold error))。そこで、誤動作が生じないようにしたのが、実施の形態1のLSIのクロック供給手段におけるクロックスキュー調整方法である。   However, since the clock phase of each module is changed by the clock supply means, signal transfer between modules is performed at intervals shorter than the clock phase difference in data transfer between modules supplied with clocks of different phases. Otherwise, the circuit may malfunction due to racing (hold error). Therefore, the clock skew adjusting method in the clock supply means of the LSI according to the first embodiment is designed to prevent malfunction.

図15は実施の形態1のLSIの物理的なレイアウトを概念的に示す説明図である。同図に示すように、基板58上において、バス16に信号授受可能にモジュールA11、モジュールB12、モジュールC13及びCPU1が配置されている。モジュールA11、モジュールB12、モジュールC13及びCPU1はクロックCLKA、クロックCLKB、クロックCLKC及びクロックCLKPに同期して動作し、これらのクロックCLKA、CLKB、CLKC及びCLKPは、上述した第1〜第3のLSIのような回路構成を呈することにより、位相が可変制御される。   FIG. 15 is an explanatory diagram conceptually showing the physical layout of the LSI according to the first embodiment. As shown in the figure, a module A11, a module B12, a module C13, and a CPU 1 are arranged on a substrate 58 so as to be able to exchange signals with the bus 16. The module A11, the module B12, the module C13, and the CPU 1 operate in synchronization with the clock CLKA, the clock CLKB, the clock CLKC, and the clock CLKP. These clocks CLKA, CLKB, CLKC, and CLKP are the first to third LSIs described above. Thus, the phase is variably controlled.

同図に示すように、基板58上のレイアウト構成において、モジュールA11とモジュールB12(第1のモジュール対)とは、物理的に距離(d12(第1の距離))が比較的近い関係にあり、モジュールC13とモジュールA11(第2のモジュール対)とはレイアウト構成上において物理的に距離(d13(第1の距離)>d12)が比較的遠い関係を呈して配置されている。したがって、モジュールA11からモジュールB12へのデータ転送の際の遅延時間(t12)が、モジュールA11からモジュールC13へのデータ転送の際の遅延時間(t13>t12)より長くなる。遅延時間が短いと、前述のレーシングによる誤動作の危険性が高まるため、モジュールA11から見て、モジュールB12は位相制御による誤動作の危険性が高く、また、モジュールC13は誤動作の危険性が低い。   As shown in the figure, in the layout configuration on the substrate 58, the module A11 and the module B12 (first module pair) are physically close in distance (d12 (first distance)). The module C13 and the module A11 (second module pair) are arranged so that the distance (d13 (first distance)> d12) is relatively far in the layout configuration. Therefore, the delay time (t12) when transferring data from the module A11 to the module B12 is longer than the delay time (t13> t12) when transferring data from the module A11 to the module C13. If the delay time is short, the risk of malfunction due to the above-mentioned racing increases, so that module B12 has a high risk of malfunction due to phase control, and module C13 has a low risk of malfunction.

上述したモジュール間距離の長短による誤動作を考慮して、レイアウト構成上物理的に近いモジュールA11とモジュールB12とのクロック位相差は“0”または比較的小さな位相差(Δ12)とし、モジュールA11とモジュールC13とのクロック位相差(Δ13>Δ12)を相対的に大きくするように、クロック位相差を制御するのが実施の形態1のLSIにおけるクロック供給手段によるクロックスキュー調整方法である。   Considering the above-described malfunction due to the length of the distance between the modules, the clock phase difference between the module A11 and the module B12 that are physically close to each other in the layout configuration is set to “0” or a relatively small phase difference (Δ12). The clock skew adjustment method by the clock supply means in the LSI according to the first embodiment controls the clock phase difference so that the clock phase difference (Δ13> Δ12) with C13 is relatively large.

また、一般的に、緊密な関係にあるモジュールを物理的に近くに配置する傾向が強いため、比較的距離が近いモジュール間の方が、比較的距離が遠いモジュール間よりも(信号)配線数が多い。したがって、実施の形態1のLSIのレイアウト構成の場合、モジュールA11とモジュールB12との間の配線数はモジュールA11とモジュールC13との間の配線数より多くなる傾向が強い。   Also, in general, there is a strong tendency to place modules that are closely related to each other physically close, so the number of (signal) wires between modules that are relatively close to each other is larger than between modules that are relatively far away. There are many. Therefore, in the case of the LSI layout configuration of the first embodiment, the number of wires between the module A11 and the module B12 tends to be larger than the number of wires between the module A11 and the module C13.

モジュール間のクロック位相差をデータ転送時間以上に設定する場合、データ転送時間を遅らせるため、モジュール間のデータ転送パス上にバッファなどを挿入する必要が生じる。   When the clock phase difference between modules is set to be longer than the data transfer time, it is necessary to insert a buffer or the like on the data transfer path between modules in order to delay the data transfer time.

しかしながら、実施の形態1のクロックスキュー調整方法では、物理的に近いモジュールA11,モジュールB12間のクロック位相差を予め小さく設定することにより、データ転送時間遅延用の挿入バッファ数を必要最小限に抑えることができる。したがって、モジュールA11,モジュールB12間の配線数が多さが挿入バッファ数の大きな増加をもたらすことはない。   However, in the clock skew adjustment method of the first embodiment, the number of insertion buffers for data transfer time delay is minimized by setting the clock phase difference between the physically close modules A11 and B12 to be small in advance. be able to. Therefore, a large number of wires between the module A11 and the module B12 does not cause a large increase in the number of insertion buffers.

(効果)
実施の形態1のLSIにおけるクロック供給手段により、複数のクロックが互いに位相が異なるように供給されるため、低コストで電流ピークを効果的に抑制することができる。
(effect)
Since the clock supply means in the LSI of the first embodiment supplies a plurality of clocks so that their phases are different from each other, current peaks can be effectively suppressed at low cost.

さらに、実施の形態1のクロック供給手段は、基板58上に比較的短い第1の距離を隔てて配置される第1のモジュール対間のクロックの位相差が、上記第1の距離より長い第2の距離を隔てて配置される第2のモジュール対間のクロック信号の位相差より小さくなるように、複数のクロックを供給している。図15において、モジュールA11,モジュールB12が上記第1のモジュール対に相当し、モジュールA11,モジュールC13が上記第2のモジュール対に相当し、クロックCLKA,クロックCLKB,クロックCLKCが上記複数のクロックに相当する。   Furthermore, the clock supply means of the first exemplary embodiment is such that the clock phase difference between the first module pair arranged on the substrate 58 at a relatively short first distance is longer than the first distance. A plurality of clocks are supplied so as to be smaller than the phase difference of the clock signals between the second module pairs arranged at a distance of two. In FIG. 15, module A11 and module B12 correspond to the first module pair, module A11 and module C13 correspond to the second module pair, and clock CLKA, clock CLKB, and clock CLKC are the plurality of clocks. Equivalent to.

このように、実施の形態1のLSIにおけるクロック供給手段は、モジュール間の信号転送時間に正の相関があるモジュール間距離が長くなるに従い、モジュール対間のクロック位相差を長くすることにより、モジュール間の信号転送時間がクロック位相差より短かい間隔で行われた場合に生じる可能性のある誤動作を効果的に抑制することができるという効果を奏する。   As described above, the clock supply means in the LSI of the first embodiment increases the clock phase difference between the module pairs as the inter-module distance having a positive correlation in the signal transfer time between the modules increases. There is an effect that it is possible to effectively suppress malfunctions that may occur when the signal transfer time between them is performed at intervals shorter than the clock phase difference.

加えて、実施の形態1のクロックスキュー調整方法では、モジュール間の物理的な位置を考慮してクロック位相差を制御することにより、遅延時間設定用の挿入バッファ数の削減を図ることができるため、少ないゲート追加で、電流ピークやEMIを低減させることができる効果を奏する。   In addition, in the clock skew adjustment method of the first embodiment, the number of insertion buffers for setting the delay time can be reduced by controlling the clock phase difference in consideration of the physical position between modules. With the addition of a small number of gates, the current peak and EMI can be reduced.

したがって、電源ピークノイズ低減により、局所的な電圧降下が緩和される。これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能となる。   Therefore, the local voltage drop is mitigated by the power supply peak noise reduction. As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the cost and power consumption can be reduced.

また、 EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果も奏する。   In addition, by reducing EMI, the risk of malfunction in the system is reduced, and the cost for EMI countermeasures can be reduced.

<実施の形態2>
図16はこの発明の実施の形態2であるLSIのクロック供給手段によるクロックスキュー調整方法を示すフローチャートである。図16で示すフローは例えば上述した第1のLSIにおける図5あるいは図6で示したシステム構成において実行される。
<Embodiment 2>
FIG. 16 is a flowchart showing a clock skew adjustment method by the LSI clock supply means according to the second embodiment of the present invention. The flow shown in FIG. 16 is executed, for example, in the system configuration shown in FIG. 5 or 6 in the first LSI described above.

図16を参照して、ステップST1において、モジュールA21とモジュールB22とのクロック位相を一致させた後、ステップST2において、モジュールA21からモジュールB22にデータ転送を行う。   Referring to FIG. 16, after the clock phases of module A21 and module B22 are matched in step ST1, data is transferred from module A21 to module B22 in step ST2.

このように、ステップST2のデータ転送時には、モジュールA21及びモジュールB22用のクロックCLKA及びクロックCLKBの位相が一致しているため、誤動作なくモジュールA21,モジュールB22間のデータ転送が行える。なお、モジュールA21,モジュールB22間のデータ転送の終了タイミングの認識方法として、(1)CPU25側で把握する、(2)転送元あるいは転送先のモジュール(モジュールA21あるいはモジュールB22)で把握する、(3)バス調停回路やDMAコントローラなど別の回路で把握する、等が考えられる。上記(1)の場合はCPU25にモジュールから終了報告、バス調停回路やDMAコントローラ等から終了報告がなされることで認識される。   Thus, at the time of data transfer in step ST2, since the phases of the clock CLKA and the clock CLKB for the module A21 and the module B22 coincide with each other, the data transfer between the module A21 and the module B22 can be performed without malfunction. As a method of recognizing the end timing of the data transfer between the module A21 and the module B22, (1) grasping on the CPU 25 side, (2) grasping on the transfer source or transfer destination module (module A21 or module B22), 3) It may be possible to grasp with another circuit such as a bus arbitration circuit or DMA controller. In the case of (1), the CPU 25 recognizes the end report from the module and the end report from the bus arbitration circuit or the DMA controller.

その後、ステップST3において、モジュールA21のクロックCLKAとモジュールB22のクロックCLKBとのクロック位相差を所定の大きさに設定した後、ステップST4において、モジュールA21とモジュールB22とがそれぞれ独立に所定の演算処理を行う。   Thereafter, in step ST3, the clock phase difference between the clock CLKA of the module A21 and the clock CLKB of the module B22 is set to a predetermined magnitude, and then in step ST4, the module A21 and the module B22 are each independently subjected to predetermined arithmetic processing. I do.

このように、ステップST4の実行時には、モジュールA21及びモジュールB22用のクロックCLKA及びクロックCLKB間に所定の位相差が設定されているため、モジュールB12及びモジュールB22がフルに動作することにより生じる電流ピークノイズやEMIノイズを低減することができる。また、ステップST4では、モジュールA21とモジュールB22は、他のモジュール、CPU等の外部との通信はしないので、クロックCLKA,クロックCLKB間にクロック位相差があっても誤動作の問題は生じない。   As described above, when step ST4 is executed, a predetermined phase difference is set between the clock CLKA and the clock CLKB for the module A21 and the module B22. Therefore, a current peak generated when the module B12 and the module B22 are fully operated. Noise and EMI noise can be reduced. In step ST4, the module A21 and the module B22 do not communicate with other modules, the outside of the CPU, etc., so that there is no problem of malfunction even if there is a clock phase difference between the clock CLKA and the clock CLKB.

そして、ステップST5において、モジュールA21のクロックCLKAとCPU25のクロックCLKPとの位相を一致させた後、ステップST6においてモジュールA21の演算結果をCPU25で読み取る。   In step ST5, the phases of the clock CLKA of the module A21 and the clock CLKP of the CPU 25 are matched, and then the calculation result of the module A21 is read by the CPU 25 in step ST6.

このように、ステップST6のデータ転送時には、モジュールA21及びCPU25用のクロックCLKA及びクロックCLKPの位相が一致しているため、誤動作なくモジュールA21,CPU25間のデータ転送が行える。   Thus, at the time of data transfer in step ST6, the phases of the clock CLKA and the clock CLKP for the module A21 and the CPU 25 are the same, so that the data transfer between the module A21 and the CPU 25 can be performed without malfunction.

(効果)
実施の形態2のLSIにおけるクロック供給手段により、データ転送をしない時に原則的に複数のクロックが互いに位相が異なるように供給されるため、低コストで電流ピークを効果的に抑制することができる。
(effect)
The clock supply means in the LSI according to the second embodiment supplies a plurality of clocks in principle so that their phases are different from each other when data transfer is not performed, so that the current peak can be effectively suppressed at low cost.

さらに、実施の形態1のLSIのクロック供給手段が行うクロックスキュー調整方法は、モジュール間のデータ転送時に互いにクロックの位相を一致させ、データ転送をしない時に互いのクロックに所定の位相差を設けるため、電流ピークを抑制しながらモジュール間のデータ転送を誤動作なく行うことができる。   Further, the clock skew adjustment method performed by the clock supply means of the LSI according to the first embodiment is to make the clock phases coincide with each other when transferring data between modules, and to provide a predetermined phase difference between the clocks when not transferring data. In addition, data transfer between modules can be performed without malfunction while suppressing current peaks.

このように、実施の形態2のクロックスキュー調整方法では、プログラム内容によって動的にクロック位相を制御することで、より効果的に電流ピークやEMIを低減させることができる。   Thus, in the clock skew adjustment method of the second embodiment, the current peak and EMI can be reduced more effectively by dynamically controlling the clock phase according to the program contents.

そして、電源ピークノイズ低減により、局所的な電圧降下が緩和される。これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能となる効果を奏する。   And local voltage drop is relieved by power supply peak noise reduction. As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the effects of cost reduction and power consumption reduction can be achieved.

さらに、EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果を奏する。   Furthermore, the risk of malfunction in the system is reduced by reducing the EMI, and it is possible to reduce the cost for EMI countermeasures.

<実施の形態3>
図17は実施の形態3のLSIに関しバスを中心としたレイアウト構成を示す説明図である。同図に示すように、バス16に信号授受可能にモジュールA11、モジュールB12、モジュールC13及びCPU1が接続されている。モジュールA11、モジュールB12、モジュールC13及びCPU1はクロックCLKA、クロックCLKB、クロックCLKC及びクロックCLKPに同期して動作し、これらのクロックCLKA、CLKB、CLKC及びCLKPは、上述した第1〜第3のLSIのような回路構成を呈することにより、位相が可変制御される。
<Embodiment 3>
FIG. 17 is an explanatory diagram showing a layout configuration centered on a bus in the LSI according to the third embodiment. As shown in the figure, a module A11, a module B12, a module C13, and the CPU 1 are connected to the bus 16 so as to be able to exchange signals. The module A11, the module B12, the module C13, and the CPU 1 operate in synchronization with the clock CLKA, the clock CLKB, the clock CLKC, and the clock CLKP. These clocks CLKA, CLKB, CLKC, and CLKP are the first to third LSIs described above. Thus, the phase is variably controlled.

図17に示すように、各モジュール11〜13がバス16に共通に接続されている場合、バス16にかかる負荷が大きいため消費電力は大きくなる。したがって、可能な限り、各モジュール11〜13のクロックの位相は、バス16のクロックと位相差をつける方が望ましい。   As shown in FIG. 17, when the modules 11 to 13 are commonly connected to the bus 16, power consumption increases because the load on the bus 16 is large. Therefore, as much as possible, it is desirable to make the phase of the clock of each of the modules 11 to 13 different from the phase of the clock of the bus 16.

そこで、実施の形態3のクロック供給手段が実行するクロックスキュー調整方法は、モジュール11〜13がそれぞれバス16にアクセスをする場合は、バスクロックと位相を合わせ、バスアクセスが終わると、再びバスクロックと位相差をつけている。なお、バスクロックとはバスアクセス時において各モジュール11〜13及びCPU1に要求されるクロックを意味し、以下では「バスクロックCKBS」と称する場合がある。   Therefore, the clock skew adjusting method executed by the clock supply means of the third embodiment is such that when the modules 11 to 13 access the bus 16 respectively, the phase is matched with the bus clock, and when the bus access is completed, the bus clock is adjusted again. And a phase difference. The bus clock means a clock required for each of the modules 11 to 13 and the CPU 1 at the time of bus access, and may be hereinafter referred to as “bus clock CKBS”.

図18はこの発明の実施の形態3であるLSIのクロック供給手段におけるクロックスキュー調整方法を示すフローチャートである。以下、同図を参照して実施の形態3の処理手順を説明する。なお、初期状態として、クロックCLKA、クロックCLKB、クロックCLKC及びクロックCLKPは互いに異なる位相に設定されている。   FIG. 18 is a flowchart showing a clock skew adjustment method in the LSI clock supply means according to the third embodiment of the present invention. Hereinafter, the processing procedure of the third embodiment will be described with reference to FIG. Note that, as an initial state, the clock CLKA, the clock CLKB, the clock CLKC, and the clock CLKP are set to phases different from each other.

まず、ステップST11において、モジュールA11及びモジュールB12のクロッククロックCLKA及びクロックCLKBの位相をバスクロックCKBSに一致させた後、ステップST12において、モジュールA11からモジュールB12にバス16を介したデータ転送を行う。   First, in step ST11, the phases of the clock clock CLKA and the clock CLKB of the module A11 and the module B12 are matched with the bus clock CKBS, and then in step ST12, data transfer is performed from the module A11 to the module B12 via the bus 16.

このように、ステップST12のデータ転送時には、モジュールA11及びモジュールB12用のクロックCLKA及びクロックCLKBの位相がバスクロックCKBSに一致しているため、誤動作なくモジュールA11,モジュールB12間のバス16を介したデータ転送が行える。   As described above, at the time of data transfer in step ST12, the phases of the clock CLKA and the clock CLKB for the module A11 and the module B12 coincide with the bus clock CKBS, so that the malfunction does not occur via the bus 16 between the module A11 and the module B12. Data transfer can be performed.

その後、ステップST13において、クロックCLKA及びクロックCLKBを初期状態に戻し、クロックCLKA及びクロックCLKBとバスクロックCKBSとの間に位相差をつける。その後、ステップST14において、モジュールA11,モジュールB12及びCPU1がバス16を使用しない独立の演算処理を行う。   Thereafter, in step ST13, the clock CLKA and the clock CLKB are returned to the initial state, and a phase difference is set between the clock CLKA and the clock CLKB and the bus clock CKBS. Thereafter, in step ST14, the module A11, the module B12, and the CPU 1 perform independent arithmetic processing that does not use the bus 16.

このように、ステップST14の実行時には、モジュールA11及びモジュールB12用のクロックCLKA及びクロックCLKBとバスクロックCKBSとの間には所定の位相差が設定されているため、モジュールB12及びモジュールB12がフルに動作することにより生じるバス16上の電流ピークノイズやEMIノイズを低減することができる。また、ステップST14では、モジュールA11及びモジュールB12は、バス16を介したデータ転送動作は行わないので、クロックCLKA及びクロックCLKBとバスクロックCKBSとのクロック位相差があっても誤動作の問題は生じない。   Thus, when step ST14 is executed, a predetermined phase difference is set between the clocks CLKA and CLKB for the modules A11 and B12 and the bus clock CKBS, so that the modules B12 and B12 are fully loaded. Current peak noise and EMI noise on the bus 16 generated by the operation can be reduced. In step ST14, the module A11 and the module B12 do not perform the data transfer operation via the bus 16, so that there is no problem of malfunction even if there is a clock phase difference between the clock CLKA and the clock CLKB and the bus clock CKBS. .

そして、ステップST15において、モジュールA11及びCPU1のクロックCLKA及びクロックCLKPの位相をバスクロックCKBSに一致させた後、ステップST16において、モジュールA11の演算結果をバス16を介してCPU1に転送する。   In step ST15, the phases of the clock CLKA and the clock CLKP of the module A11 and the CPU 1 are matched with the bus clock CKBS, and then the calculation result of the module A11 is transferred to the CPU 1 via the bus 16 in step ST16.

このように、ステップST16のデータ転送時には、モジュールA11及びCPU1用のクロックCLKA及びクロックCLKPの位相がバスクロックCKBSに一致しているため、誤動作なくモジュールA11,CPU1間のデータ転送が行える。なお、図18では示していないが、ステップST16の実行後はクロックCLKA及びクロックCLKPを初期状態に戻し、両者の間に所定のクロック位相差が設定される。   Thus, at the time of data transfer in step ST16, since the phases of the clock CLKA and the clock CLKP for the module A11 and the CPU1 coincide with the bus clock CKBS, data transfer between the module A11 and the CPU1 can be performed without malfunction. Although not shown in FIG. 18, after the execution of step ST16, the clock CLKA and the clock CLKP are returned to the initial state, and a predetermined clock phase difference is set between them.

(効果)
実施の形態3のLSIにおけるクロック供給手段により、バスを介したデータ転送時に以外は、複数のクロックが互いに位相が異なるように供給されるため、低コストで電流ピークを効果的に抑制することができる。
(effect)
The clock supply means in the LSI according to the third embodiment supplies a plurality of clocks so that their phases are different from each other except at the time of data transfer via the bus, so that the current peak can be effectively suppressed at low cost. it can.

さらに、実施の形態3のLSIにおけるクロック供給手段は、データ転送時に転送対象となるモジュールのクロックをバスククロックの位相に合わせ、データ転送をしない時にモジュール間のクロックに所定の位相差を設けることにより、バス上の電流ピークを抑制しながらバスを介したモジュール間のデータ転送を誤動作なく行うことができる。   Furthermore, the clock supply means in the LSI of the third embodiment adjusts the clock of the module to be transferred to the phase of the basque clock at the time of data transfer, and provides a predetermined phase difference in the clock between modules when data is not transferred. Thus, data transfer between modules via the bus can be performed without malfunction while suppressing current peaks on the bus.

このように、実施の形態3のクロックスキュー調整方法では、プログラム内容によって動的にクロック位相を制御することで、より効果的に電流ピークやEMIを低減させることができる。   Thus, in the clock skew adjustment method of the third embodiment, the current peak and EMI can be reduced more effectively by dynamically controlling the clock phase according to the program contents.

そして、電源ピークノイズ低減により、局所的な電圧降下が緩和される。これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能となる効果を奏する。   And local voltage drop is relieved by power supply peak noise reduction. As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the effects of cost reduction and power consumption reduction can be achieved.

さらに、EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果を奏する。   Furthermore, the risk of malfunction in the system is reduced by reducing the EMI, and it is possible to reduce the cost for EMI countermeasures.

<実施の形態4>
図19は実施の形態4のLSIにおけるLSIのバスを中心としたレイアウト構成を示す説明図である。同図に示すように、バス59に信号授受可能にCPU1〜3及び2次キャッシュ6が接続されている。CPU1〜3はクロックCLKP1〜CLKP3に同期して動作し、2次キャッシュ6はクロックCLK6に同期して動作する。これらのクロックCLKP1〜CLKP3及びクロックCLK6は、上述した第1〜第3のLSIのような回路構成を呈することにより、位相が可変制御される。
<Embodiment 4>
FIG. 19 is an explanatory diagram showing a layout configuration centered on an LSI bus in the LSI of the fourth embodiment. As shown in the figure, the CPUs 1 to 3 and the secondary cache 6 are connected to a bus 59 so as to be able to exchange signals. The CPUs 1 to 3 operate in synchronization with the clocks CLKP1 to CLKP3, and the secondary cache 6 operates in synchronization with the clock CLK6. The phases of the clocks CLKP1 to CLKP3 and the clock CLK6 are variably controlled by exhibiting a circuit configuration like the first to third LSIs described above.

図19に示すように、3個のCPU1〜3からなるマルチプロセッサシステムを構成する実施の形態4のLSIでは、各々内部にキャッシュ(1次キャッシュ(図示せず))を有するとともに、CPU1〜3間で共有されるバス59に接続された2次キャッシュ6もキャッシュとして利用可能な構成を呈している。   As shown in FIG. 19, the LSI according to the fourth embodiment that constitutes a multiprocessor system including three CPUs 1 to 3 includes a cache (primary cache (not shown)) in each of the LSIs, and CPUs 1 to 3. The secondary cache 6 connected to the bus 59 shared between them also has a configuration that can be used as a cache.

このように、CPU1〜3がバス59に共有に接続されている場合、CPU1〜3におけるクロックCLKP1〜CLKP3間に位相差を設けた方が、バス59上における電流ピークノイズやEMIノイズを低減できる。   As described above, when the CPUs 1 to 3 are connected to the bus 59 in common, it is possible to reduce current peak noise and EMI noise on the bus 59 by providing a phase difference between the clocks CLKP1 to CLKP3 in the CPUs 1 to 3. .

しかしながら、CPU1〜3は内部の1次キャッシュへのアクセスをミスした後、2次キャッシュ6にアクセスをする場合は、2次キャッシュ6のクロックCLK6と、2次キャッシュ6にアクセスするCPUのクロックの位相を合わせる方が望ましい。   However, when the CPUs 1 to 3 miss the access to the internal primary cache and access the secondary cache 6, the clock CLK6 of the secondary cache 6 and the clock of the CPU accessing the secondary cache 6 It is desirable to match the phases.

図20はこの発明の実施の形態4であるLSIのクロック供給手段におけるクロックスキュー調整方法を示すフローチャートである。以下、同図を参照して実施の形態4のクロックスキュー調整方法の処理手順を説明する。   FIG. 20 is a flowchart showing a clock skew adjustment method in the LSI clock supply means according to the fourth embodiment of the present invention. The processing procedure of the clock skew adjustment method according to the fourth embodiment will be described below with reference to FIG.

まず、ステップST21において、CPU1〜3それぞれのクロックCLKP1〜CLKP3は、互いに所定の位相差を設けられるように初期設定される。この際、クロックCLKP1〜CLKP3は2次キャッシュ6のクロックCLK6との間においても位相差が設けられることが望ましい。   First, in step ST21, the clocks CLKP1 to CLKP3 of the CPUs 1 to 3 are initialized so that a predetermined phase difference is provided between them. At this time, it is desirable that the clocks CLKP1 to CLKP3 are also provided with a phase difference from the clock CLK6 of the secondary cache 6.

ステップST22において、CPU1が内部の1次キャッシュにキャッシュミスを起こした場合、ステップST23においてCPU1のクロックCLKP1の位相を変更して2次キャッシュ6のクロックCLK6の位相に一致させた後、ステップST24においてCPU1がバス59を介して2次キャッシュ6にアクセスする。   If the CPU 1 causes a cache miss in the internal primary cache at step ST22, the phase of the clock CLKP1 of the CPU 1 is changed to match the phase of the clock CLK6 of the secondary cache 6 at step ST23, and then at step ST24. The CPU 1 accesses the secondary cache 6 via the bus 59.

このように、ステップST24の2次キャッシュ6へのアクセス時には、CPU1のクロックCLKP1の位相と2次キャッシュ6のクロックCLK6の位相とが一致しているため、CPU1は誤動作なく2次キャッシュ6にアクセスすることができる。   In this way, when accessing the secondary cache 6 in step ST24, the phase of the clock CLKP1 of the CPU 1 and the phase of the clock CLK6 of the secondary cache 6 match, so the CPU 1 accesses the secondary cache 6 without malfunction. can do.

その後、ステップS25において、CPU1のクロックCLKP1はステップST1の初期設定の位相に戻される。   Thereafter, in step S25, the clock CLKP1 of the CPU 1 is returned to the initial phase set in step ST1.

このように、ステップST25の実行時に、CPU1のクロックCLKP1は初期状態に戻されるため、CPU1〜3がフルに動作することにより生じるバス59上の電流ピークノイズやEMIノイズを低減することができる。また、ステップST25の実行時は、CPU1〜32はバス59を介した2次キャッシュ6へのアクセスは行わないため誤動作の問題は生じない。   As described above, since the clock CLKP1 of the CPU 1 is returned to the initial state when the step ST25 is executed, the current peak noise and the EMI noise on the bus 59 caused by the full operation of the CPUs 1 to 3 can be reduced. Further, during the execution of step ST25, the CPUs 1 to 32 do not access the secondary cache 6 via the bus 59, so that the problem of malfunction does not occur.

なお、図20で示した例では、CPU1のクロックCLKP1の位相を変更してクロックCLK6の位相と一致させたたが、2次キャッシュ6のクロックCLK6の位相を変更してクロックCLKP1の位相を一致させても良い。この場合、図20におけるステップST23の処理は「2次キャッシュ6のクロックCLK6の位相を変更してCPU1のクロックCLKP1の位相に一致させる」となり、ステップS25の処理は「2次キャッシュ6のクロックCLK6を元の位相に戻す」となる。   In the example shown in FIG. 20, the phase of the clock CLKP1 of the CPU 1 is changed to match the phase of the clock CLK6. However, the phase of the clock CLK6 of the secondary cache 6 is changed to match the phase of the clock CLKP1. You may let them. In this case, the process of step ST23 in FIG. 20 is “the phase of the clock CLK6 of the secondary cache 6 is changed to match the phase of the clock CLKP1 of the CPU 1”, and the process of step S25 is “the clock CLK6 of the secondary cache 6”. To the original phase ”.

なお、本明細書中において、特定の機能を有するCPU等には独自の名称を、CPU等以外の一般的な論理回路を便宜上、モジュールA,モジュールB等で表現している。しかしながら、CPU等もクロックに同期して動作する点においてモジュールA等を共通しているため、広義の意味においてモジュールに含まれる。したがって、実施の形態4におけるCPU1〜3及び2次キャッシュ6も広義の意味でモジュールに含まれる。   In this specification, a CPU having a specific function is represented by a unique name, and a general logic circuit other than the CPU is represented by a module A, a module B, or the like for convenience. However, since the CPU and the like share the module A and the like in that they operate in synchronization with the clock, they are included in the module in a broad sense. Therefore, the CPUs 1 to 3 and the secondary cache 6 in the fourth embodiment are also included in the module in a broad sense.

(効果)
実施の形態4のLSIにおけるクロック供給手段により、2次キャッシュ6へのアクセス時以外は、複数のクロックが互いに位相が異なるように供給されるため、低コストで電流ピークを効果的に抑制することができる。
(effect)
The clock supply means in the LSI of the fourth embodiment supplies a plurality of clocks so that their phases are different from each other except when accessing the secondary cache 6, thereby effectively suppressing current peaks at low cost. Can do.

さらに、実施の形態4のLSIにおけるクロック供給手段は、2次キャッシュ6へのアクセス時のみ、アクセス所望のCPU(CPU1〜3のいずれか)のクロック(クロックCLKP1〜CLKP3のいずれか)と2次キャッシュ6のクロックCLK6の位相とを一致させるため、電流ピークを抑制しながら複数のCPUの2次キャッシュへのアクセスを誤動作なく行うことができる。   Further, the clock supply means in the LSI of the fourth embodiment is configured such that the clock (any one of the clocks CLKP1 to CLKP3) of the CPU (any one of the CPUs 1 to 3) and the secondary desired to be accessed only when the secondary cache 6 is accessed. Since the phase of the clock CLK6 of the cache 6 is matched, a plurality of CPUs can access the secondary cache without malfunction while suppressing current peaks.

このように、実施の形態4のクロック供給手段によるクロックスキュー調整方法では、共有バスに接続された2次キャッシュ6へのアクセス前後において動的にクロック位相を制御することで、より効果的に電流ピークやEMIを低減させることができる。   As described above, in the clock skew adjustment method by the clock supply unit according to the fourth embodiment, the clock phase is dynamically controlled before and after the access to the secondary cache 6 connected to the shared bus, so that the current can be more effectively generated. Peaks and EMI can be reduced.

そして、電源ピークノイズ低減により、局所的な電圧降下が緩和される。これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能となる効果を奏する。   And local voltage drop is relieved by power supply peak noise reduction. As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the effects of cost reduction and power consumption reduction can be achieved.

さらに、EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果を奏する。   Furthermore, the risk of malfunction in the system is reduced by reducing the EMI, and it is possible to reduce the cost for EMI countermeasures.

<実施の形態5>
図21は実施の形態5のLSIにおけるバスを中心としたレイアウト構成を示す説明図である。同図に示すように、クロック基準バス17に信号授受可能にモジュールA11、モジュールB12、モジュールC13及びCPU1が接続されている。モジュールA11、モジュールB12、モジュールC13及びCPU1はクロックCLKA、クロックCLKB、クロックCLKC及びクロックCLKPに同期して動作し、これらのクロックCLKA、CLKB、CLKC及びCLKPは、上述した第1〜第3のLSIのような回路構成を呈することにより、位相が可変制御される。
<Embodiment 5>
FIG. 21 is an explanatory diagram showing a layout configuration centered on a bus in the LSI of the fifth embodiment. As shown in the figure, the module A11, the module B12, the module C13, and the CPU 1 are connected to the clock reference bus 17 so as to be able to exchange signals. The module A11, the module B12, the module C13, and the CPU 1 operate in synchronization with the clock CLKA, the clock CLKB, the clock CLKC, and the clock CLKP. These clocks CLKA, CLKB, CLKC, and CLKP are the first to third LSIs described above. Thus, the phase is variably controlled.

実施の形態5のクロックスキュー調整方法は、図21に示す構成において、クロック基準バス17のバスクロックCKBSを基準にして、これらのクロックCLKA、CLKB、CLKC及びCLKPの位相制御を行っている。   In the clock skew adjustment method of the fifth embodiment, the phase control of these clocks CLKA, CLKB, CLKC and CLKP is performed with reference to the bus clock CKBS of the clock reference bus 17 in the configuration shown in FIG.

すなわち、バスクロックCKBSと基準として固定し、他のクロックは基準となったバスクロックCKBSに対してそれぞれ相対的にx度(またはxns)という具合に位相を決定する。   In other words, the bus clock CKBS is fixed as a reference, and the other clocks are determined to have a phase of x degrees (or xns) relative to the reference bus clock CKBS.

図21で示した構成において、各モジュール(11〜13,1)のうち、動作が高速なものは基準クロックであるバスクロックCKBSとの位相差が小さく設定する方が大変望ましい。   In the configuration shown in FIG. 21, among the modules (11 to 13, 1), it is highly desirable to set a high-speed operation to have a small phase difference from the bus clock CKBS that is the reference clock.

例えば、モジュールA11がモジュールB12,モジュールC13に比べて高速動作している場合、クロック基準バス17を介したデータ授受も頻繁になり、また高速なデータ転送が起こり得るため、基準クロックであるバスクロックCKBSとの位相差は小さい方が望ましい。なぜならば、クロックCLKAとバスクロックCKBSとのクロック位相差が大きいと、位相差の分、データ転送に必要な時間が短くなり、セットアップエラーによる誤動作を起こしやすくなるからである。   For example, when the module A11 is operating at a higher speed than the modules B12 and C13, the data transfer through the clock reference bus 17 is frequently performed, and high-speed data transfer can occur. A smaller phase difference from CKBS is desirable. This is because if the clock phase difference between the clock CLKA and the bus clock CKBS is large, the time required for data transfer is shortened by the phase difference and a malfunction due to a setup error is likely to occur.

また、モジュールB12のクロックCLKBも高速な場合は、モジュールA11のクロックCLKAと同様、バスクロックCKBSとの位相差が小さく設定されるため、結果的にクロックCLKAとクロックCLKBとの位相差も小さくなる。したがって、モジュールA11,モジュールB12間の転送時に誤動作は生じない。また、モジュールC13が低速動作の場合は、クロックCLKBとバスクロックCKBSとの位相差が大きくなるが、元々低速動作であるため、バスクロックCKBSまたは他の高速動作モジュールのクロックとの位相差が大きくても問題になりにくい。   Further, when the clock CLKB of the module B12 is also high speed, the phase difference between the clock CLKA and the clock CLKB is also reduced because the phase difference from the bus clock CKBS is set to be small as in the case of the clock CLKA of the module A11. . Therefore, no malfunction occurs during the transfer between the module A11 and the module B12. Further, when the module C13 operates at a low speed, the phase difference between the clock CLKB and the bus clock CKBS increases. However, since the operation is originally performed at a low speed, the phase difference from the bus clock CKBS or the clock of another high-speed operation module increases. However, it will not be a problem.

このように、実施の形態5のクロック供給手段によるクロックスキュー調整方法では、クロック基準バス17のバスクロックCKBSを基準とし、モジュールの動作速度によってクロック位相を動的に制御することにより、より効果的に電流ピークやEMIを低減させることができる。   As described above, in the clock skew adjustment method by the clock supply unit of the fifth embodiment, the clock phase is dynamically controlled based on the operation speed of the module with the bus clock CKBS of the clock reference bus 17 as a reference, so that it is more effective. In addition, current peaks and EMI can be reduced.

ここでモジュールの動作速度は、クロック周波数と考えることもできる。その場合はクロック周波数の関数として位相差を計算すればよい。   Here, the operation speed of the module can be considered as a clock frequency. In that case, the phase difference may be calculated as a function of the clock frequency.

(効果)
実施の形態5のLSIにおけるクロック供給手段により、複数のクロックが互いに位相が異なるように供給されるため、低コストで電流ピークを効果的に抑制することができる。
(effect)
Since the clock supply means in the LSI of the fifth embodiment supplies a plurality of clocks so that their phases are different from each other, current peaks can be effectively suppressed at low cost.

さらに、実施の形態5のLSIにおけるクロック供給手段は、複数のモジュールそれぞれの動作状態に基づき、動作状態がより高速動作になるに従い、複数のクロックの位相を基準クロックであるバスクロックCKBSの位相に近づけるように、複数のクロックを供給している。このため、誤動作の可能性が比較的高い高速動作時状態のモジュール間のクロックの位相を基準クロックの位相に近づけることにより互いに比較的近い位相差に設定することができる。   Further, the clock supply means in the LSI of the fifth embodiment changes the phase of the plurality of clocks to the phase of the bus clock CKBS that is the reference clock as the operation state becomes higher-speed operation based on the operation state of each of the plurality of modules. A plurality of clocks are supplied so as to approach each other. For this reason, it is possible to set the phase difference relatively close to each other by bringing the phase of the clock between the modules in the high-speed operation state where the possibility of malfunction is relatively high close to the phase of the reference clock.

その結果、クロック基準バス17上における電流ピークを抑制しながら高速動作状態のモジュール間のデータ転送時における誤動作を効果的に抑制することができる効果を奏する。   As a result, it is possible to effectively suppress malfunction during data transfer between modules in a high-speed operation state while suppressing a current peak on the clock reference bus 17.

このように、実施の形態5のクロック供給手段のクロックスキュー調整方法では、クロック基準バス17のバスクロックCKBSを基準とし、モジュールの動作速度の高/低によってバスクロックCKBSとの位相差の小/大を決定する動的なクロック位相制御を行うことにより、誤動作を生じさせることなく、より効果的に電流ピークやEMIを低減させることができる。   As described above, in the clock skew adjusting method of the clock supply means of the fifth embodiment, the bus clock CKBS of the clock reference bus 17 is used as a reference, and the phase difference between the clock clock CKBS and the bus clock CKBS is reduced depending on the module operating speed. By performing dynamic clock phase control that determines the magnitude, current peaks and EMI can be reduced more effectively without causing malfunction.

そして、電源ピークノイズ低減により、局所的な電圧降下が緩和される。これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能となる効果を奏する。   And local voltage drop is relieved by power supply peak noise reduction. As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the effects of cost reduction and power consumption reduction can be achieved.

さらに、EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果を奏する。   Furthermore, the risk of malfunction in the system is reduced by reducing the EMI, and it is possible to reduce the cost for EMI countermeasures.

<実施の形態6>
実施の形態2〜実施の形態5で示したクロック供給手段クロックスキュー調整方法のように、クロックの位相を動的に制御する場合における位相一致方法を示したのが、本実施の形態である。
<Embodiment 6>
This embodiment shows a phase matching method in the case where the clock phase is dynamically controlled as in the clock supply means clock skew adjustment method shown in the second to fifth embodiments.

動的にクロック位相を制御する場合、2つのクロックの位相を相対的に近づけたり離したりすることになるが、どちらのクロックの位相を変更すれば良いのかを考えた場合に、位相を一致させる必要な2つのモジュールのうち、高速動作をする方は位相を変えずに、低速動作をする方を変えたほうが望ましい。なぜならば、位相を変える際には、少しだがクロックパルスが伸び縮みする。クロックの縮みは動作周波数の上限を決めるクリティカルパスのセットアップに影響するためである。なお、上記したモジュールは、モジュールA11、モジュールB12及びモジュールC13は勿論、図19で示したCPU1〜3、2次キャッシュ6を含む広い概念を意味する。   When dynamically controlling the clock phase, the phases of the two clocks will be moved closer or away from each other. However, when considering which clock phase should be changed, the phases should be matched. Of the two required modules, it is desirable to change the direction of low-speed operation without changing the phase for high-speed operation. This is because the clock pulse expands and contracts slightly when the phase is changed. This is because the clock contraction affects the critical path setup that determines the upper limit of the operating frequency. The above-mentioned modules mean a broad concept including the CPUs 1 to 3 and the secondary cache 6 shown in FIG. 19 as well as the modules A11, B12 and C13.

各モジュールの動作が高速か低速かは、例えば、クロック周波数で認識することができる。すなわちクロック周波数がより高周波なモジュールは高速動作をしていると考えることができる。   Whether the operation of each module is high speed or low speed can be recognized by, for example, a clock frequency. That is, it can be considered that a module having a higher clock frequency operates at a high speed.

図22はこの発明の実施の形態6であるLSIのクロック供給手段によるクロックスキュー調整方法の一部であるクロック位相一致方法を示すフローチャートである。なお、図22で示すフローは、図17で示した実施の形態2のシステム構成において、モジュールA11とモジュールB12との位相に所定の位相差を設けていた場合に、モジュールA11からモジュールB12へのデータ転送の必要が生じた状況におけるフローを示している。   FIG. 22 is a flowchart showing a clock phase matching method which is a part of the clock skew adjustment method by the LSI clock supply means according to the sixth embodiment of the present invention. Note that the flow shown in FIG. 22 is the flow from module A11 to module B12 when a predetermined phase difference is provided in the phase between module A11 and module B12 in the system configuration of the second embodiment shown in FIG. The flow in the situation where the need for data transfer occurs is shown.

図22を参照して、ステップST31で、モジュールA11からモジュールB12へのデータ転送の必要が発生すると、ステップST32において、モジュールA11のクロックCLKAのクロック周波数f(A)とモジュールB12のクロックCLKBのクロック周波数f(B)とを比較対象とする。   Referring to FIG. 22, when it is necessary to transfer data from module A11 to module B12 in step ST31, in step ST32, clock frequency f (A) of clock CLKA of module A11 and clock CLKB of module B12 are clocked. The frequency f (B) is to be compared.

そして、ステップST33において、クロック周波数f(A)とクロック周波数f(B)とを比較し、「f(A)>f(B)」の場合はステップST34〜ST36の処理に移行し、「f(A)<f(B)」の場合はステップST37〜ST39の処理に移行する。なお、「f(A)=f(B)」の場合どちらの処理に移行しても良い。   In step ST33, the clock frequency f (A) is compared with the clock frequency f (B). If “f (A)> f (B)”, the process proceeds to steps ST34 to ST36. When (A) <f (B) ”, the process proceeds to steps ST37 to ST39. If “f (A) = f (B)”, either process may be performed.

ステップST33で「f(A)>f(B)」の場合に実行されるステップST34において、モジュールB12のクロックCLKBの位相を変更して、モジュールA11のクロックCLKAの位相に一致させる。   In step ST34 executed when “f (A)> f (B)” in step ST33, the phase of the clock CLKB of the module B12 is changed to match the phase of the clock CLKA of the module A11.

その後、ステップST35でモジュールA11からモジュールB12にデータ転送し、ステップST36でモジュールB12のクロックCLKBの位相を変更して元の状態に戻し処理を終了する。   Thereafter, in step ST35, data is transferred from the module A11 to the module B12, and in step ST36, the phase of the clock CLKB of the module B12 is changed to return to the original state, and the process is ended.

一方、ステップST33で「f(A)<f(B)」の場合に実行されるステップST37において、モジュールA11のクロックCLKAの位相を変更して、モジュールB12のクロックCLKBの位相に一致させる。   On the other hand, in step ST37, which is executed when “f (A) <f (B)” in step ST33, the phase of the clock CLKA of the module A11 is changed to match the phase of the clock CLKB of the module B12.

その後、ステップST38でモジュールA11からモジュールB12にデータ転送し、ステップST39でモジュールA11のクロックCLKAの位相を変更して元の状態に戻し処理を終了する。   Thereafter, in step ST38, data is transferred from the module A11 to the module B12. In step ST39, the phase of the clock CLKA of the module A11 is changed to return to the original state, and the process is terminated.

図22で示したフローではクロック周波数の比較によりモジュール動作の高速/低速を判別したが、モジュールの機能が違う場合には単純にクロック周波数だけでは測れないこともある。その場合は設計時の周波数マージンを考慮して考えたり、あるいは単位時間あたりのデータの処理量(スループット)で判別したり、あるいは単位時間当たりの演算量で判別したり、クロック周波数の比較以外に様々なパラメータの比較を行うことが考えられる。   In the flow shown in FIG. 22, the high / low speed of the module operation is determined by comparing the clock frequencies. However, when the module functions are different, it may not be measured simply by the clock frequency. In that case, consider the frequency margin at the time of design, determine the data processing amount per unit time (throughput), determine the calculation amount per unit time, or compare the clock frequency It is possible to compare various parameters.

(効果)
このように、実施の形態6のLSIのクロック供給手段によるクロックスキュー調整方法では、プログラムによって動的にクロック位相を制御する際に、相対的に高速に動作するモジュールの位相は変えずに、相対的に低速に動作高するモジュールのクロック位相を変更することにより、位相一致対象のモジュール間のクロック位相を一致させている。
(effect)
As described above, in the clock skew adjustment method using the LSI clock supply means of the sixth embodiment, when the clock phase is dynamically controlled by the program, the phase of the module operating at a relatively high speed is not changed, and the relative By changing the clock phase of modules that operate at a low speed, the clock phases of the modules that are subject to phase matching are matched.

その結果、より高速に動作するモジュールのクロック位相変更に伴う誤動作の可能性をなくしながら、プログラムによって動的にクロック位相を制御することで、より効果的に電流ピークやEMIを低減させることができる。   As a result, the current peak and EMI can be reduced more effectively by dynamically controlling the clock phase by the program while eliminating the possibility of malfunction due to the clock phase change of the module operating at higher speed. .

そして、電源ピークノイズ低減により、局所的な電圧降下が緩和される。これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能となる効果を奏する。   And local voltage drop is relieved by power supply peak noise reduction. As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the effects of cost reduction and power consumption reduction can be achieved.

さらに、EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果を奏する。   Furthermore, the risk of malfunction in the system is reduced by reducing the EMI, and it is possible to reduce the cost for EMI countermeasures.

<実施の形態7>
近年の大規模LSIには、スキャンテスト回路と呼ばれるテスト容易化回路が内蔵されている。スキャンテストはフリップフロップなどの全ての状態素子を同一クロックで制御することになる。スキャンデータの転送はフリップフロップ間に論理回路が入らない直接転送になるが、その場合、クロック位相がずれているとクロックとデータのレーシングによるホールドエラーが起こり誤動作してしまう。
<Embodiment 7>
In recent large-scale LSIs, a test facilitating circuit called a scan test circuit is incorporated. In the scan test, all state elements such as flip-flops are controlled by the same clock. The scan data is transferred directly without a logic circuit between the flip-flops. In this case, if the clock phase is shifted, a hold error due to clock and data racing occurs, resulting in malfunction.

また、スキャンテストでは、場合によってはモジュール境界とは関係なくフリップフロップが接続されるため、モジュールごとの位相制御は難しく、また意味もなさない可能性が高い。   In the scan test, since flip-flops are connected regardless of the module boundary in some cases, it is difficult to control the phase of each module, and it is highly likely that it does not make sense.

図23はこの発明の実施の形態7であるLSIの構成を示す説明図である。同図に示すように、図14で示した第3のLSIの構成に加え、さらに、クロックの位相設定回路である遅延内容選択回路18が設けられる点を特徴としている。   FIG. 23 is an explanatory diagram showing the structure of the LSI according to the seventh embodiment of the present invention. As shown in the figure, in addition to the configuration of the third LSI shown in FIG. 14, a delay content selection circuit 18 which is a clock phase setting circuit is further provided.

遅延内容選択回路18はANDゲートG1〜G3より構成され、ANDゲートG1〜G3はそれぞれの一方入力にスキャンイネーブル反転信号バーSCANを共通に受ける。ANDゲートG1は他方入力にクロック制御回路39より可変遅延回路31制御用の制御信号SC21を受け、ANDゲートG2は他方入力にクロック制御回路39より可変遅延回路32制御用の制御信号SC22を受け、ANDゲートG3は他方入力にクロック制御回路39より可変遅延回路33制御用の制御信号SC23を受ける。そして、ANDゲートG1〜G3の出力信号が可変遅延回路31〜33の制御信号として付与される。なお、他の構成は図14で示した第3のLSIと同様であるため、説明を省略する。   The delay content selection circuit 18 includes AND gates G1 to G3, and the AND gates G1 to G3 commonly receive the scan enable inversion signal bar SCAN at their one inputs. The AND gate G1 receives a control signal SC21 for controlling the variable delay circuit 31 from the clock control circuit 39 at the other input, and the AND gate G2 receives a control signal SC22 for controlling the variable delay circuit 32 from the clock control circuit 39 at the other input. The AND gate G3 receives the control signal SC23 for controlling the variable delay circuit 33 from the clock control circuit 39 at the other input. The output signals of the AND gates G1 to G3 are given as control signals for the variable delay circuits 31 to 33. Other configurations are the same as those of the third LSI shown in FIG.

このような構成において、通常動作時(スキャンテスト時以外)は、スキャンイネーブル反転信号バーSCANは“H”のため、実施の形態7のLSIは第3のLSIと等価な動作を行う。   In such a configuration, during normal operation (except during the scan test), the scan enable inversion signal bar SCAN is “H”, so that the LSI of the seventh embodiment performs an operation equivalent to the third LSI.

一方、スキャンテスト時はスキャンイネーブル反転信号バーSCANが“L”となるため、ANDゲートG1〜G3の出力を強制的に同一の固定値(“0”)にすることにより、可変遅延回路31〜33それぞれの遅延時間を強制的に同一(最小遅延時間“0”)に設定することができる。   On the other hand, since the scan enable inversion signal SCAN becomes “L” during the scan test, the outputs of the AND gates G1 to G3 are forcibly set to the same fixed value (“0”). It is possible to forcibly set the delay times of 33 to the same (minimum delay time “0”).

このように、実施の形態7のLSIは、遅延内容選択回路18により、スキャンテスト時において、すべてのモジュール(CPU30を含む)のクロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKPを位相を強制的に一致させることにより、スキャンテスト動作、特にスキャンデータのスキャンFFへのデータ転送に適した動作環境を提供することができる。   As described above, in the LSI according to the seventh embodiment, the delay content selection circuit 18 forcibly matches the phases of the clock CLKA, the clock CLKB, and the clock CLKP of all the modules (including the CPU 30) during the scan test. Thus, it is possible to provide an operating environment suitable for the scan test operation, in particular, the data transfer of the scan data to the scan FF.

図23で示した構成では、クロック供給手段の制御機能をクロック制御回路39に持たせた構成を示したが、図1で示した第1のLSIのように、クロック供給手段の制御機能をCPU25に持たせた構成でも、遅延内容選択回路18に相当する回路をCPU25からの制御信号SCTと可変遅延回路31〜33間に設けることにより、同様に実現できるのは勿論である。   In the configuration shown in FIG. 23, the clock control circuit 39 is provided with the control function of the clock supply means. However, like the first LSI shown in FIG. Of course, the same configuration can be realized by providing a circuit corresponding to the delay content selection circuit 18 between the control signal SCT from the CPU 25 and the variable delay circuits 31 to 33.

(効果)
このように、実施の形態7のLSIは、スキャンテスト時において全てのクロックの位相を強制的に一致させる遅延内容選択回路18を備えることにより、スキャンテスト動作に適した動作か環境を提供することができる効果を奏する。
(effect)
As described above, the LSI according to the seventh embodiment provides an operation or environment suitable for the scan test operation by including the delay content selection circuit 18 that forcibly matches the phases of all clocks during the scan test. There is an effect that can.

さらに、通常時には第3のLSIと等価な動作が可能なため、クロック供給手段により、複数のクロックが互いに位相が異なるように供給されるため、低コストで電流ピークを効果的に抑制することができ、電源ピークノイズ低減により、局所的な電圧降下が緩和される。   Furthermore, since the operation equivalent to that of the third LSI is possible in normal times, the clock supply means supplies a plurality of clocks so that their phases are different from each other, thereby effectively suppressing the current peak at a low cost. In addition, local voltage drop is mitigated by reducing power source peak noise.

これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能な効果を奏する。   As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the effect of reducing cost and power consumption can be achieved.

また、EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果を奏する。   Moreover, the risk of malfunctioning in the system is reduced by reducing the EMI, and the effect of reducing the cost for EMI countermeasures can be achieved.

<実施の形態8>
実施の形態7で述べたように、スキャンテスト時におけるスキャンデータの転送は各モジュール間においてクロックの位相がそろっていた方が望ましいが、実際にデータをテスト対象回路(モジュールA21等)に与えて動作させ、その動作結果を取り込むサイクルであるキャプチャ動作時では、動作周波数上限のクロックで測定することが多い。
<Eighth embodiment>
As described in the seventh embodiment, it is desirable that the clock data is transferred between the modules in the scan test, but the data is actually supplied to the test target circuit (module A21, etc.). In the capture operation, which is a cycle of operating and capturing the operation result, measurement is often performed with a clock having an upper limit of the operation frequency.

キャプチャ動作時に各モジュール間のクロック位相差を小さく設定してしまうと、スキャンテスト時にはパス(pass)したが、実際に各モジュール間にクロック位相差をつけると誤動作する可能性がある。なぜなら、クロック位相差を大きくすると、位相の違うクロック間のデータ転送時間が短くなる結果、設計時の動作周波数では動作しなくなる危険性があるからである。この事態は最悪で、出荷後に市場不良となって、多大な金額的な損失と信用を下げることになりかねない。   If the clock phase difference between the modules is set small during the capture operation, it may pass during the scan test, but may actually malfunction if a clock phase difference is actually provided between the modules. This is because if the clock phase difference is increased, the data transfer time between clocks having different phases is shortened, and as a result, there is a risk that the operation is not performed at the design operating frequency. This situation is the worst and can lead to a bad market after shipping, which can lead to significant monetary losses and loss of credit.

上記のスキャンテストのキャプチャ時の動作を考慮したのが実施の形態8のLSIである。図24はこの発明の実施の形態8であるクロック制御機能を有するLSIの構成を示す説明図である。   The LSI according to the eighth embodiment takes into consideration the operation at the time of capturing the scan test. FIG. 24 is an explanatory diagram showing the structure of an LSI having a clock control function according to the eighth embodiment of the present invention.

同図に示すように、図14で示した第3のLSIの構成に加え、さらに、クロックの位相設定回路である遅延内容選択回路19が設けられることを特徴する。遅延内容選択回路19はANDゲートG1,G2及びORゲートG4より構成され、ANDゲートG1,G2の一方入力にキャプチャイネーブル信号バーSCCPを共通に受け、ORゲートG4の一方入力にキャプチャイネーブル信号バーSCCPの反転信号を受ける。ANDゲートG1は他方入力にクロック制御回路39より可変遅延回路31制御用の制御信号SC21を受け、ANDゲートG2は他方入力にクロック制御回路39より可変遅延回路32制御用の制御信号SC22を受け、ORゲートG4は他方入力にクロック制御回路39より可変遅延回路33制御用の制御信号SC23を受ける。そして、ANDゲートG1,G2及びORゲートG4の出力信号が可変遅延回路31〜33の制御信号として付与される。   As shown in the figure, in addition to the configuration of the third LSI shown in FIG. 14, a delay content selection circuit 19 which is a clock phase setting circuit is further provided. The delay content selection circuit 19 includes AND gates G1 and G2 and an OR gate G4. The capture enable signal bar SCCP is commonly received at one input of the AND gates G1 and G2, and the capture enable signal bar SCCP is received at one input of the OR gate G4. The inverted signal is received. The AND gate G1 receives a control signal SC21 for controlling the variable delay circuit 31 from the clock control circuit 39 at the other input, and the AND gate G2 receives a control signal SC22 for controlling the variable delay circuit 32 from the clock control circuit 39 at the other input. The OR gate G4 receives a control signal SC23 for controlling the variable delay circuit 33 from the clock control circuit 39 at the other input. The output signals of the AND gates G1 and G2 and the OR gate G4 are given as control signals for the variable delay circuits 31 to 33.

CPU30はモジュールA21及びモジュールB22それぞれに対しデータ転送を行う。なお、キャプチャイネーブル信号バーSCCPはスキャンテストにおけるキャプチャ時に“L”になる信号である。他の構成は図14で示した第3のLSIと同様であるため、説明を省略する。   The CPU 30 performs data transfer to each of the module A21 and the module B22. Note that the capture enable signal bar SCCP is a signal that becomes “L” during capture in the scan test. The other configuration is the same as that of the third LSI shown in FIG.

このような構成において、通常動作時(キャプチャ動作時以外)は、キャプチャイネーブル信号バーSCCPは“H”のため、実施の形態8のLSIは第3のLSIと等価な動作を行う。   In such a configuration, during the normal operation (except during the capture operation), the capture enable signal bar SCCP is “H”, so the LSI of the eighth embodiment performs an operation equivalent to the third LSI.

一方、キャプチャ動作時はキャプチャイネーブル信号バーSCCPが“L”となるため、ORゲートG4の出力を強制的に最大遅延を指示する固定値(“1”)にすることにより、可変遅延回路33の遅延時間を最大遅延時間に設定することができる。一方、ANDゲートG1,G2の出力を強制的に最小遅延を指示する固定値(“0”)にすることにより、可変遅延回路31,32それぞれの遅延時間を最小遅延時間に設定することができる。   On the other hand, since the capture enable signal SCCP is “L” during the capture operation, the output of the OR gate G4 is forcibly set to a fixed value (“1”) indicating the maximum delay, so that the variable delay circuit 33 The delay time can be set to the maximum delay time. On the other hand, the delay time of each of the variable delay circuits 31 and 32 can be set to the minimum delay time by forcibly setting the outputs of the AND gates G1 and G2 to a fixed value (“0”) instructing the minimum delay. .

その結果、キャプチャ動作時においてCPU25のクロックCLKPと、モジュールA21及びモジュールB22のクロックCLKA及びクロックCLKBとの間のクロック位相差を最大に設定することができる。すなわち、データ転送対象となるCPU25とモジュールA21あるいはモジュールB22との位相差が強制的に最大値に設定される。   As a result, the clock phase difference between the clock CLKP of the CPU 25 and the clocks CLKA and CLKB of the modules A21 and B22 can be set to the maximum during the capture operation. That is, the phase difference between the CPU 25 and the module A21 or the module B22 that is a data transfer target is forcibly set to the maximum value.

このように、実施の形態8のLSIは、スキャンテストにおけるキャプチャ動作時において、クロックCLKA及びクロックCLKBとクロックCLKPとの位相差を最大に設定することによりクロック位相差による影響が最悪の場合の動作周波数試験が可能となり、スキャンテストを厳しい動作環境で行うことができる。   As described above, the LSI according to the eighth embodiment operates when the influence of the clock phase difference is worst by setting the phase difference between the clock CLKA, the clock CLKB, and the clock CLKP to the maximum during the capture operation in the scan test. A frequency test is possible, and a scan test can be performed in a severe operating environment.

また、キャプチャ動作時はほとんどのモジュールが最高速で動作するため、実使用ではありえないピーク電流が発生するが、キャプチャ動作時においては各モジュール間のクロック位相を一致させることなく、通常動作時同様にずらしていうため、上記したピーク電流発生に関する問題も解決できる。   Also, since most modules operate at the highest speed during the capture operation, peak currents that cannot be actually used are generated, but during the capture operation, the clock phases between the modules are not matched and the same as during normal operation. Because of shifting, it is possible to solve the above-mentioned problem relating to the peak current generation.

図24で示した構成では、クロック供給手段の制御機能をクロック制御回路39に持たせた構成を示したが、図1で示した第1のLSIのように、クロック供給手段の制御機能をCPU25に持たせる構成でも、遅延内容選択回路19に相当する回路をCPU25からの制御信号SCTと可変遅延回路31〜33間に設けることにより、同様に実現できるのは勿論である。   In the configuration shown in FIG. 24, the configuration in which the clock control circuit 39 is provided with the control function of the clock supply means is shown. However, like the first LSI shown in FIG. Of course, it is possible to achieve the same configuration by providing a circuit corresponding to the delay content selection circuit 19 between the control signal SCT from the CPU 25 and the variable delay circuits 31 to 33.

また、遅延内容選択回路19を拡張して、スキャンテスト時におけるキャプチャ動作時以外のスキャンFFへのデータ転送動作等は、実施の形態7のように、クロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKPの位相を一致させるようにすることも可能である。   Further, the delay content selection circuit 19 is expanded so that the data transfer operation to the scan FF other than the capture operation at the time of the scan test has the phases of the clock CLKA, the clock CLKB, and the clock CLKP as in the seventh embodiment. It is also possible to make them coincide.

(効果)
このように、実施の形態8のLSIは、スキャンテストにおけるキャプチャ動作時において、テスト対象モジュール(CPU30,モジュールA21間、あるいはCPU30,モジュールB22間)に供給されるクロックの位相差を強制的に最大にする遅延内容選択回路19を備えることにより、最も誤動作な可能性がある厳しい動作環境下で精度の高いキャプチャ動作を実行することができる。更に通常動作時には電源ピークノイズ低減により、局所的な電圧降下が緩和される。
(effect)
As described above, the LSI of the eighth embodiment forcibly maximizes the phase difference of the clock supplied to the test target module (between CPU 30 and module A21 or between CPU 30 and module B22) during the capture operation in the scan test. By providing the delay content selection circuit 19 to be performed, a highly accurate capture operation can be executed under a severe operating environment where there is a possibility of the most malfunction. Further, during normal operation, local voltage drop is mitigated by reducing power source peak noise.

これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能な効果を奏する。   As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the effect of reducing cost and power consumption can be achieved.

また、EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果を奏する。   Moreover, the risk of malfunctioning in the system is reduced by reducing the EMI, and the effect of reducing the cost for EMI countermeasures can be achieved.

<実施の形態9>
実施の形態1〜実施の形態8では、クロックの位相を変えた場合に、位相の違うクロック間では、セットアップエラーやホールドエラーによる誤動作を起こす危険性がある。どの程度の位相差まで正常動作できるかは、該当LSIの製造ばらつきや、電圧、温度などの周囲条件で変わる。
<Embodiment 9>
In the first to eighth embodiments, when the clock phase is changed, there is a risk of malfunction due to a setup error or a hold error between clocks having different phases. To what extent the phase difference can be normally operated varies depending on the manufacturing variation of the corresponding LSI and ambient conditions such as voltage and temperature.

図25はこの発明の実施の形態9である許容位相差測定回路の第1の構成を示す説明図である。同図に示すように、2つのフリップフロップ51の出力部とフリップフロップ52の入力部との間に遅延素子53を設け、フリップフロップ51はクロックCLK1に同期して動作し、フリップフロップ52はクロックCLK2に同期する。   FIG. 25 is an explanatory diagram showing a first configuration of the allowable phase difference measuring circuit according to the ninth embodiment of the present invention. As shown in the figure, a delay element 53 is provided between the output part of the two flip-flops 51 and the input part of the flip-flop 52. The flip-flop 51 operates in synchronization with the clock CLK1, and the flip-flop 52 Synchronize with CLK2.

フリップフロップ51及び52は実施の形態1〜実施の形態8のLSIで用いたモジュールと等価なデータ転送動作が可能である。そして、遅延素子53はフリップフロップ51及び52間のデータ転送経路上に設けられ、フリップフロップ51及び52間のデータ転送の遅延時間を可変制御可能である。   The flip-flops 51 and 52 can perform a data transfer operation equivalent to the module used in the LSI of the first to eighth embodiments. The delay element 53 is provided on the data transfer path between the flip-flops 51 and 52, and the data transfer delay time between the flip-flops 51 and 52 can be variably controlled.

このような構成において、フリップフロップ51,52間のデータ転送が正しく行えるか、すなわち、前段のフリップフロップ51の格納値が後段のフリップフロップ52で正しくラッチできるかどうかを調べることにより、LSIの動作状態を把握でき、どの程度の位相差まで正常動作するかを間接的に調べることができる。   In such a configuration, the LSI operation is checked by checking whether the data transfer between the flip-flops 51 and 52 can be performed correctly, that is, whether the stored value of the preceding flip-flop 51 can be correctly latched by the subsequent flip-flop 52. The state can be grasped, and it can be indirectly checked to what extent the phase difference is normally operated.

具体的な方法は2通りある。第1の判定方法は、遅延素子53の遅延時間を実動作時のフリップフロップ51,52間のデータ転送遅延時間に設定し、クロックCLK1とクロックCLK2との間に位相差を可変測定し、フリップフロップ51,52間のデータ転送が正しく行えるかを調べる。データ転送が正しく行えれば、設定したクロックCLK1,CLK2間の位相差で正常動作可能と判定し、データ転送が正しく行わなければデータ転送不可能と判定する方法である。   There are two specific methods. In the first determination method, the delay time of the delay element 53 is set to the data transfer delay time between the flip-flops 51 and 52 in actual operation, the phase difference is variably measured between the clock CLK1 and the clock CLK2, and the flip-flop It is checked whether data transfer between the groups 51 and 52 can be performed correctly. If the data transfer can be performed correctly, it is determined that the normal operation is possible based on the phase difference between the set clocks CLK1 and CLK2, and if the data transfer is not performed correctly, it is determined that the data transfer is impossible.

第2の判定方法は、クロックCLK1,CLK2間で位相差は設けず、遅延素子53の遅延量を変える方法である。第2の判定方法は第1の判定方法と同じくフリップフロップ51,52間のデータ転送が可能か否かによって、正常動作可能な遅延時間を測定することがでる。   The second determination method is a method of changing the delay amount of the delay element 53 without providing a phase difference between the clocks CLK1 and CLK2. As in the first determination method, the second determination method can measure a delay time in which normal operation is possible depending on whether or not data transfer between the flip-flops 51 and 52 is possible.

このように、第1あるいは第2の判定方法を実行し、測定結果を元に、どれぐらいの位相差(遅延量)であれば、正常動作可能かを予め測定することができる。   As described above, the first or second determination method is executed, and based on the measurement result, it is possible to measure in advance how much phase difference (delay amount) the normal operation is possible.

図26はこの発明の実施の形態9である許容位相差測定回路の第2の構成を示す説明図である。同図に示すように、2つのフリップフロップ51の出力部とフリップフロップ52の入力部との間にレプリカ回路54を設け、フリップフロップ51はクロックCLK1に同期して動作し、フリップフロップ52はクロックCLK2に同期して動作する。   FIG. 26 is an explanatory diagram showing a second configuration of the allowable phase difference measuring circuit according to the ninth embodiment of the present invention. As shown in the figure, a replica circuit 54 is provided between the output part of the two flip-flops 51 and the input part of the flip-flop 52. The flip-flop 51 operates in synchronization with the clock CLK1, and the flip-flop 52 Operates in synchronization with CLK2.

なお、レプリカ回路54は、実際に動作する回路におけるクリティカルパスと同じ構造を持った回路のモデルであり、電源電圧や、温度の変動によるデバイス特性の変化を反映したタイミング信号を発生できるように構成されており、広い電源電圧範囲や温度範囲で安定に回路動作させることができる回路を意味する。   The replica circuit 54 is a model of a circuit having the same structure as a critical path in a circuit that actually operates, and is configured so as to be able to generate a timing signal that reflects changes in power supply voltage and device characteristics due to temperature fluctuations. It means a circuit that can operate stably over a wide power supply voltage range and temperature range.

このような構成において、第1の構成と同様、クロックCLK1,CLK2間の位相差を適宜変更しながら、フリップフロップ51,52間のデータ転送が正しく行えるかを調べることにより、LSIの動作状態を把握でき、どの程度の位相差まで正常動作するかを間接的に調べることができる。   In such a configuration, as in the first configuration, the operation state of the LSI is determined by examining whether data transfer between the flip-flops 51 and 52 can be performed correctly while appropriately changing the phase difference between the clocks CLK1 and CLK2. It can be grasped and it can be indirectly checked to what extent the phase difference is normally operated.

実施の形態9の第2の構成では、レプリカ回路54を用いることにより、測定結果がそのまま実際の回路の位相差許容範囲となり、計算による誤差が無い分より正確に許容位相差を求めることができる。但し、第2の構成はあらかじめクリティカルパスが分かっている必要があるという制約がある。   In the second configuration of the ninth embodiment, by using the replica circuit 54, the measurement result becomes the phase difference allowable range of the actual circuit as it is, and the allowable phase difference can be obtained more accurately because there is no calculation error. . However, the second configuration has a restriction that the critical path needs to be known in advance.

(効果)
このように、実施の形態9の許容位相差測定回路の第1の構成は、クロックCLK1及びCLK2に同期して、実動作するLSIのモジュールと等価なデータ転送動作が可能な第1及び第2の試験用回路であるフリップフロップ51及び52と、フリップフロップ51及び52のデータ転送経路上に設けられ、フリップフロップ51及び52間のデータ転送に所定の遅延時間が設定可能な試験用遅延部である遅延素子53を備えている。
(effect)
As described above, the first configuration of the allowable phase difference measurement circuit according to the ninth embodiment is capable of performing the data transfer operation equivalent to the LSI module that actually operates in synchronization with the clocks CLK1 and CLK2. Are provided on the data transfer path of the flip-flops 51 and 52, and a test delay unit capable of setting a predetermined delay time for data transfer between the flip-flops 51 and 52. A delay element 53 is provided.

したがって、遅延素子53の遅延時間を実動作時のフリップフロップ51,52間のデータ転送遅延時間に設定し、フリップフロップ51及び52間の位相を適宜変更することにより、実際のLSIのモジュール間で正常にデータ転送可能なクロックの位相差を測定することができる。   Therefore, the delay time of the delay element 53 is set to the data transfer delay time between the flip-flops 51 and 52 in actual operation, and the phase between the flip-flops 51 and 52 is changed as appropriate, so that the actual LSI modules can be changed. It is possible to measure the phase difference between clocks that can normally transfer data.

さらに、実施の形態9の許容位相差測定回路の第2の構成は、レプリカ回路54によりフリップフロップ51及び52間にクリティカルパスの遅延時間を設けるため、測定結果をそのまま実際のLSIのモジュール間の位相差許容範囲として用いることができる効果を奏する。   Furthermore, in the second configuration of the allowable phase difference measurement circuit of the ninth embodiment, since the critical circuit delay time is provided between the flip-flops 51 and 52 by the replica circuit 54, the measurement result is directly used between the actual LSI modules. There exists an effect which can be used as a phase difference allowable range.

このように、実施の形態9の許容位相差測定回路は、正常にデータ転送が可能なクロック位相差の許容範囲を予め測定により求めることができるため、実施の形態9の許容位相差測定回路を用いた測定結果に基づき、モジュール間のクロック位相差を設定することにより、誤動作の危険なく、電流ピークやEMIを低減させることができる。   As described above, since the allowable phase difference measurement circuit according to the ninth embodiment can obtain the allowable range of the clock phase difference that allows normal data transfer by measurement in advance, the allowable phase difference measurement circuit according to the ninth embodiment can be obtained. By setting the clock phase difference between modules based on the measurement results used, current peaks and EMI can be reduced without risk of malfunction.

これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能となる効果を奏する。   As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the effects of cost reduction and power consumption reduction can be achieved.

また、EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果を奏する。   Moreover, the risk of malfunctioning in the system is reduced by reducing the EMI, and the effect of reducing the cost for EMI countermeasures can be achieved.

<実施の形態10>
実施の形態1〜実施の形態8のLSIでは、複数のモジュール間にクロックの位相を変えた場合に、位相の違うクロック間では、セットアップエラーやホールドエラーによる誤動作を起こす危険性がある。セットアップエラーは動作周波数の上限を下げるだけなので、動作マージンがあれば特に問題にはならない。しかしホールドエラーは動作周波数に関わらず誤動作するため、その対応が困難である。
<Embodiment 10>
In the LSIs according to the first to eighth embodiments, when the clock phase is changed between a plurality of modules, there is a risk of causing a malfunction due to a setup error or a hold error between clocks having different phases. Since setup errors only lower the upper limit of the operating frequency, there is no particular problem if there is an operating margin. However, since a hold error malfunctions regardless of the operating frequency, it is difficult to cope with it.

例えば、図17で示した実施の形態2のシステム構成において、モジュールA11からモジュールB12にデータを転送する場合、図27に示すように、クロックCLKBがクロックCLKAに対し位相差ΔT1遅れている場合を想定する。この場合、クロックCLKAの立ち上がりエッジである時刻t1からしかる後(位相差ΔT1より十分短いモジュール間転送時間の経過後)に、モジュールA11の出力データOUTAはデータDT1からデータDT2に変化する。   For example, in the system configuration of the second embodiment shown in FIG. 17, when data is transferred from the module A11 to the module B12, as shown in FIG. 27, the clock CLKB is delayed by the phase difference ΔT1 from the clock CLKA. Suppose. In this case, the output data OUTA of the module A11 changes from the data DT1 to the data DT2 after a time t1, which is the rising edge of the clock CLKA (after the elapse of the inter-module transfer time sufficiently shorter than the phase difference ΔT1).

したがって、クロックCLKBが立ち上がる時刻t2には出力データOUTAがデータDT2に変化しているため、本来、データDT1を入力する必要があったモジュールB12が誤って次のサイクルのデータであるデータDT2を取り込むというホールドエラーが生じてしまう。   Accordingly, since the output data OUTA changes to the data DT2 at the time t2 when the clock CLKB rises, the module B12 that originally needed to input the data DT1 erroneously takes in the data DT2 that is data of the next cycle. Hold error will occur.

このように、モジュールA11の出力がモジュールB12に到達するタイミング以上に、クロックCLKBのクロックCLK1に対する位相が遅れた場合、モジュールB12は次サイクルの状態をサンプリングしてしまい、誤動作(ホールドエラー)する。このため、モジュールA11,モジュールB12間にはクロック位相差(位相差ΔT1)以上の遅延時間を挿入するか、モジュールA11からモジュールB12へのモジュール間転送時間以内の位相差に収まるように位相差ΔT1を設定することしか対応することができない。   Thus, when the phase of the clock CLKB with respect to the clock CLK1 is delayed more than the timing at which the output of the module A11 reaches the module B12, the module B12 samples the state of the next cycle and malfunctions (hold error). For this reason, a delay time greater than the clock phase difference (phase difference ΔT1) is inserted between the modules A11 and B12, or the phase difference ΔT1 so as to be within the phase difference within the inter-module transfer time from the module A11 to the module B12. It can only cope with setting.

図28はこの発明の実施の形態10であるLSIの第1のシステム構成を示す説明図である。同図に示すように、バス40に信号授受可能にCPU30、モジュールA11、モジュールB12、及びモジュールC13が接続される。具体的には、CPU30、モジュールA11、モジュールB12、及びモジュールC13の入力がバス40に直接接続され、CPU30、モジュールA11、モジュールB12、及びモジュールC13の出力がラッチ60〜63を介してバス40に接続される。   FIG. 28 is an explanatory diagram showing a first system configuration of the LSI according to the tenth embodiment of the present invention. As shown in the figure, a CPU 30, a module A11, a module B12, and a module C13 are connected to a bus 40 so as to be able to exchange signals. Specifically, the inputs of the CPU 30, the module A11, the module B12, and the module C13 are directly connected to the bus 40, and the outputs of the CPU 30, the module A11, the module B12, and the module C13 are input to the bus 40 via the latches 60 to 63. Connected.

なお、CPU30、モジュールA11、モジュールB12、及びモジュールC13は、クロックCLKP、クロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKCの立ち上がりエッジに同期して動作し、これらのクロックは上述した第1〜第3のLSIのような回路構成を呈することにより、位相が可変制御される。また、ラッチ60〜63はクロックCLKP、クロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKCの立ち下がりエッジに同期して動作する。具体的には、ラッチ60〜63は対応クロックの“L”時はデータスルー(アンラッチ)状態となり、“H”時にラッチ状態となる。   The CPU 30, the module A11, the module B12, and the module C13 operate in synchronization with the rising edges of the clock CLKP, the clock CLKA, the clock CLKB, and the clock CLKC, and these clocks are the same as those of the first to third LSIs described above. By exhibiting such a circuit configuration, the phase is variably controlled. The latches 60 to 63 operate in synchronization with the falling edges of the clock CLKP, the clock CLKA, the clock CLKB, and the clock CLKC. Specifically, the latches 60 to 63 are in a data through (unlatched) state when the corresponding clock is “L”, and are in a latch state when the corresponding clock is “H”.

図29は実施の形態10であるLSIにおけるモジュールA11,モジュールB12間のデータ転送動作を示すタイミング図であり、図27で示した場合と同様、クロックCLKA,クロックCLKB間に位相差ΔT1が生じている。   FIG. 29 is a timing chart showing a data transfer operation between the module A11 and the module B12 in the LSI according to the tenth embodiment. As in the case shown in FIG. 27, a phase difference ΔT1 is generated between the clock CLKA and the clock CLKB. Yes.

同図に示すように、クロックCLKBがクロックCLKAに対し位相差ΔT1分遅れているため、モジュールA11の出力データOUTAは時刻t2より早いタイミングでデータDT1からデータDT2に変化する。   As shown in the figure, since the clock CLKB is delayed by the phase difference ΔT1 from the clock CLKA, the output data OUTA of the module A11 changes from the data DT1 to the data DT2 at a timing earlier than the time t2.

しかしながら、ラッチ61はクロックCLKAの立ち下がりエッジをトリガとするため、時刻t1におけるクロックCLKAの立ち上がりエッジには反応せず、ラッチ61はデータDT1の格納し続ける。この状態で時刻t2にクロックCLKBが立ち上がるため、モジュールB12はラッチ61より本来格納すべきデータDT1を正確にラッチすることができる。   However, since latch 61 uses the falling edge of clock CLKA as a trigger, it does not react to the rising edge of clock CLKA at time t1, and latch 61 continues to store data DT1. In this state, the clock CLKB rises at time t2, so that the module B12 can accurately latch the data DT1 that should be stored from the latch 61.

その後、クロックCLKAが立ち下がりをトリガとして、ラッチ61は出力データOUTAをラッチすることにより、時刻t2より時間差ΔT2遅れた時刻t3にはじめてバス40上にデータDT2が現れる。   Thereafter, with the falling edge of the clock CLKA as a trigger, the latch 61 latches the output data OUTA, so that the data DT2 appears on the bus 40 for the first time at time t3 which is delayed by the time difference ΔT2 from time t2.

このように、モジュールA11の出力データOUTAがバス40に出力されるタイミングはラッチ61の存在によりクロックCLKAの半周期分遅くできるため、クロックCLKBの立ち上がり時刻t2には確実に取り込むべき本来のデータをバス16上に保持することができる。したがって、モジュールB12が誤って次のサイクルのデータDT2をサンプリングすることは無い。   As described above, the timing at which the output data OUTA of the module A11 is output to the bus 40 can be delayed by a half cycle of the clock CLKA due to the presence of the latch 61. Therefore, the original data to be surely taken in at the rising time t2 of the clock CLKB. It can be held on the bus 16. Therefore, the module B12 does not erroneously sample the data DT2 of the next cycle.

図30はこの発明の実施の形態10のLSIである第2のシステム構成を示す説明図である。同図に示すように、バス40に信号授受可能にCPU30、モジュールA11、モジュールB12、及びモジュールC13が接続される。具体的には、CPU30、モジュールA11、モジュールB12、及びモジュールC13の出力がバス40に直接接続され、CPU30、モジュールA11、モジュールB12、及びモジュールC13の入力がラッチ70〜73を介してバス40に接続される。ラッチ70〜73もラッチ60〜63同様なラッチ動作を行う。   FIG. 30 is an explanatory diagram showing a second system configuration which is an LSI according to the tenth embodiment of the present invention. As shown in the figure, a CPU 30, a module A11, a module B12, and a module C13 are connected to a bus 40 so as to be able to exchange signals. Specifically, the outputs of the CPU 30, the module A11, the module B12, and the module C13 are directly connected to the bus 40, and the inputs of the CPU 30, the module A11, the module B12, and the module C13 are input to the bus 40 via the latches 70 to 73. Connected. The latches 70 to 73 perform the same latch operation as the latches 60 to 63.

なお、CPU30、モジュールA11、モジュールB12、及びモジュールC13は、クロックCLKP、クロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKCの立ち上がりエッジに同期して動作し、これらのクロックは上述した第1〜第3のLSIのような回路構成を呈することにより、位相が可変制御される。また、ラッチ70〜73はクロックCLKP、クロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKCの立ち下がりエッジに同期して動作する。   The CPU 30, the module A11, the module B12, and the module C13 operate in synchronization with the rising edges of the clock CLKP, the clock CLKA, the clock CLKB, and the clock CLKC, and these clocks are the same as those of the first to third LSIs described above. By exhibiting such a circuit configuration, the phase is variably controlled. The latches 70 to 73 operate in synchronization with the falling edges of the clock CLKP, the clock CLKA, the clock CLKB, and the clock CLKC.

このような第2のシステム構成において、例えば、モジュールA11,モジュールB12間のデータ転送動作を想定した場合、モジュールA11の出力データOUTAがモジュールB12の入力に現れるタイミングはラッチ72の存在によりクロックCLKBの半周期分以上遅くできる。このため、クロックCLKBの立ち上がり時刻においても、確実に取り込むべき本来のデータをモジュールB12の入力部(ラッチ72の出力部)に保持することができる。したがって、モジュールB12が誤って次のサイクルのデータをサンプリングすることは無い。   In such a second system configuration, for example, assuming a data transfer operation between the module A11 and the module B12, the timing at which the output data OUTA of the module A11 appears at the input of the module B12 depends on the presence of the latch 72. Can be delayed more than half a cycle. For this reason, even at the rising time of the clock CLKB, the original data that should be reliably captured can be held in the input section of the module B12 (the output section of the latch 72). Therefore, the module B12 does not erroneously sample the data of the next cycle.

図31はこの発明の実施の形態10のLSIである第3のシステム構成を示す説明図である。同図に示すように、バス40に信号授受可能にモジュールA11及びモジュールB12が直接接続される。ただし、モジュールA11、モジュールB12間はバス40を介さずに互いにアクセス可能に構成されている。具体的には、モジュールA11の出力がラッチ64を介してモジュールB12の入力に付与され、モジュールB12の出力がラッチ65を介してモジュールA11の入力に付与される。ラッチ64,65もラッチ60〜63と同様なラッチ動作を行う。   FIG. 31 is an explanatory diagram showing a third system configuration which is an LSI according to the tenth embodiment of the present invention. As shown in the figure, the module A11 and the module B12 are directly connected to the bus 40 so as to be able to exchange signals. However, the module A11 and the module B12 are configured to be accessible to each other without going through the bus 40. Specifically, the output of the module A11 is given to the input of the module B12 via the latch 64, and the output of the module B12 is given to the input of the module A11 via the latch 65. The latches 64 and 65 perform the same latching operation as the latches 60 to 63.

なお、モジュールA11及びモジュールB12はクロックCLKA及びクロックCLKBの立ち上がりエッジに同期して動作し、これらのクロックは上述した第1〜第3のLSIのような回路構成を呈することにより、位相が可変制御される。また、ラッチ64及び65はクロックCLKA及びクロックCLKBの立ち下がりエッジに同期して動作する。   The module A11 and the module B12 operate in synchronization with the rising edges of the clock CLKA and the clock CLKB, and these clocks have a circuit configuration like the above-described first to third LSIs, so that the phase is variably controlled. Is done. The latches 64 and 65 operate in synchronization with the falling edges of the clock CLKA and the clock CLKB.

このような第3のシステム構成において、例えば、モジュールA11,モジュールB12間のデータ転送動作を想定した場合、モジュールA11の出力データOUTAがモジュールB12の入力に現れるタイミングはラッチ64の存在によりクロックCLKBの半周期分以上遅くできる。このため、クロックCLKBの立ち上がり時刻においても確実に取り込むべき本来のデータを、モジュールB12の入力部(ラッチ64の出力部)に保持することができる。したがって、モジュールB12が誤って次のサイクルのデータをサンプリングすることは無い。   In such a third system configuration, for example, assuming a data transfer operation between the module A11 and the module B12, the timing at which the output data OUTA of the module A11 appears at the input of the module B12 depends on the presence of the latch 64. Can be delayed more than half a cycle. For this reason, the original data to be surely taken in even at the rising time of the clock CLKB can be held in the input part of the module B12 (the output part of the latch 64). Therefore, the module B12 does not erroneously sample the data of the next cycle.

なお、上述した第1〜第3のシステム構成において、“L”スルーとなるラッチに代えてクロックの立ち下がりに同期するフリップフロップを用いても良い。   In the first to third system configurations described above, a flip-flop synchronized with the falling edge of the clock may be used instead of the latch that is “L” through.

上述のように、ホールド補正用にラッチを使用した場合、立下りエッジ同期のラッチまたはフリップフロップの存在がスキャンテストの正常動作を妨げる可能性がある。そこで、以下のように改良を加えることが望ましい。   As described above, when a latch is used for hold correction, the presence of a falling edge synchronized latch or flip-flop may interfere with the normal operation of the scan test. Therefore, it is desirable to add the following improvements.

図32は図30で示した第2のシステム構成の第1の改良例を示す説明図である。同図に示すように、クロックCLKAを一方入力、スキャンイネーブル信号SCANを他方入力とするORゲートG5を設け、ORゲートG5の出力をラッチ71のクロック入力に付与している。   FIG. 32 is an explanatory diagram showing a first improved example of the second system configuration shown in FIG. As shown in the figure, an OR gate G5 having a clock CLKA as one input and a scan enable signal SCAN as the other input is provided, and the output of the OR gate G5 is given to the clock input of the latch 71.

このような構成において、通常動作時(スキャンテスト時以外)はスキャンイネーブル信号SCANが“L”のため、図30で示した第2のシステム構成と等価な回路となる。一方、スキャンテスト時はスキャンイネーブル信号SCANが“H”のため、ラッチ71は常時データスルー状態となる。その結果、スキャンテスト時はラッチ71を単なる信号遅延手段としてスキャンテストを正常に行うことができる。   In such a configuration, since the scan enable signal SCAN is “L” during normal operation (except during the scan test), the circuit is equivalent to the second system configuration shown in FIG. On the other hand, since the scan enable signal SCAN is “H” during the scan test, the latch 71 is always in the data through state. As a result, during the scan test, the scan test can be normally performed using the latch 71 as a simple signal delay means.

図33は図30で示した第2のシステム構成の第2の改良例を示す説明図である。同図に示すように、ラッチ71相当のフリップフロップ67はクロックCLKAをクロック入力に受け、データ入力部がバス40に接続される。選択回路68はフリップフロップ67の出力を第1入力、バス40より直接得られる信号を第2入力とし、スキャンイネーブル信号SCANが“L”の時はフリップフロップ67の出力を選択し、スキャンイネーブル信号SCANが“H”の時はバス40上の信号を選択して、モジュールA11の入力部に付与する。   FIG. 33 is an explanatory diagram showing a second improved example of the second system configuration shown in FIG. As shown in the figure, a flip-flop 67 corresponding to the latch 71 receives a clock CLKA as a clock input, and a data input unit is connected to the bus 40. The selection circuit 68 uses the output of the flip-flop 67 as the first input and the signal directly obtained from the bus 40 as the second input. When the scan enable signal SCAN is “L”, the output of the flip-flop 67 is selected and the scan enable signal is selected. When SCAN is “H”, the signal on the bus 40 is selected and applied to the input of the module A11.

このような構成において、通常動作時(スキャンテスト時以外)はスキャンイネーブル信号SCANが“L”となり、選択回路68によりフリップフロップ67の出力が選択されるため、図30で示した第2のシステム構成と等価な回路となる。一方、スキャンテスト時はスキャンイネーブル信号SCANが“H”となり、バス40上の信号がフリップフロップ67を介すすることなくモジュールA11に入力される。その結果、スキャンテスト時は選択回路68を単なる信号遅延手段としてスキャンテストを正常に行うことができる。   In such a configuration, the scan enable signal SCAN is set to “L” during normal operation (except during the scan test), and the output of the flip-flop 67 is selected by the selection circuit 68. Therefore, the second system shown in FIG. The circuit is equivalent to the configuration. On the other hand, at the time of the scan test, the scan enable signal SCAN becomes “H”, and the signal on the bus 40 is input to the module A11 without passing through the flip-flop 67. As a result, during the scan test, the scan test can be normally performed using the selection circuit 68 as a simple signal delay means.

(効果)
上述したように、実施の形態10のLSIでは、位相の違うクロックを使用し、立ち上がりエッジ同期のモジュール間の信号伝搬経路上に、対応モジュール用クロックの立ち下がりエッジ同期のラッチまたはフリップフロップを挿入することにより、ホールドエラーによる誤動作を起こさずに、電流ピークやEMIを低減させることができる効果を奏する。
(effect)
As described above, in the LSI of the tenth embodiment, clocks with different phases are used, and the falling edge synchronization latch or flip-flop of the corresponding module clock is inserted on the signal propagation path between the rising edge synchronization modules. By doing so, there is an effect that current peaks and EMI can be reduced without causing malfunction due to a hold error.

すなわち、実施の形態10のLSIは、モジュール間のデータ転送動作を、モジュールに入力されるクロックによって決定される遅延時間で遅延させる遅延手段を備えることにより、モジュール間におけるデータ転送動作における誤動作を確実に回避することができる。   In other words, the LSI according to the tenth embodiment includes a delay unit that delays the data transfer operation between modules by a delay time determined by a clock input to the module, thereby ensuring a malfunction in the data transfer operation between modules. Can be avoided.

これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能となる効果を奏する。   As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the effects of cost reduction and power consumption reduction can be achieved.

また、EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果を奏する。   Moreover, the risk of malfunctioning in the system is reduced by reducing the EMI, and the effect of reducing the cost for EMI countermeasures can be achieved.

さらに、実施の形態10LSIは、スキャンテスト時において上記遅延手段の遅延機能が強制的に無効化される遅延無効機能(ORゲートG5(図32),選択回路68(図33))を有するため、スキャンテスト時には上記遅延手段によるデータ転送動作遅延を生じさせることなく、スキャンテスト動作を正常に行うことができる。   Furthermore, since the LSI of the tenth embodiment has a delay invalid function (OR gate G5 (FIG. 32), selection circuit 68 (FIG. 33)) for forcibly invalidating the delay function of the delay means at the time of a scan test, During the scan test, the scan test operation can be performed normally without causing a delay in the data transfer operation by the delay means.

<実施の形態11>
複数のLSIを同一パッケージ内に封止する、MCM(Multi Chip Package)やSIP(System In Package)が近年注目されている。MCM/SIPである半導体集積回路装置を本発明に適用したのが実施の形態11のLSIである。
<Embodiment 11>
In recent years, MCM (Multi Chip Package) and SIP (System In Package) that seal a plurality of LSIs in the same package have attracted attention. The LSI according to the eleventh embodiment applies the semiconductor integrated circuit device which is MCM / SIP to the present invention.

図34はこの発明の実施の形態11である半導体集積回路装置の第1のチップ構成を示す説明図である。同図に示すように、SIP4内にチップA7、チップB8及びチップC9が設けられている。以下、チップC9内の回路について説明する。   34 is an explanatory diagram showing a first chip configuration of the semiconductor integrated circuit device according to the eleventh embodiment of the present invention. As shown in the figure, a chip A7, a chip B8, and a chip C9 are provided in the SIP 4. Hereinafter, the circuit in the chip C9 will be described.

同図に示すように、チップC9はクロックCLK20を供給するPLL回路20、モジュールC23、クロック制御回路37、遅延回路38、可変遅延回路44〜46から構成されている。モジュールC23はクロックCLKCに同期して動作し、クロック制御回路37はクロックCLKXに同期して動作する。   As shown in the figure, the chip C9 includes a PLL circuit 20 that supplies a clock CLK20, a module C23, a clock control circuit 37, a delay circuit 38, and variable delay circuits 44 to 46. The module C23 operates in synchronization with the clock CLKC, and the clock control circuit 37 operates in synchronization with the clock CLKX.

クロック制御回路37は可変遅延回路31〜33に与える制御信号SCT21〜SCT23によって、可変遅延回路44〜46の遅延時間をそれぞれ個別に制御する。可変遅延回路44〜46は制御信号SCT21〜SCT23に基づき決定される遅延時間で、PLL回路20からのクロックCLK20を遅延させることにより、互いに位相の異なるクロックCLKA、クロックCLKB及びクロックCLKCを得る。また、遅延回路38はクロックCLK20を遅延させてクロックCLKXを得る。   The clock control circuit 37 individually controls the delay times of the variable delay circuits 44 to 46 by control signals SCT21 to SCT23 given to the variable delay circuits 31 to 33, respectively. The variable delay circuits 44 to 46 delay the clock CLK20 from the PLL circuit 20 with a delay time determined based on the control signals SCT21 to SCT23, thereby obtaining the clock CLKA, the clock CLKB, and the clock CLKC having different phases. Further, the delay circuit 38 delays the clock CLK20 to obtain the clock CLKX.

そして、チップC9外のチップA7内の回路(図示せず)はクロックCLKAに同期して動作し、チップB8内の回路(図示せず)はクロックCLKBに同期して動作する。   A circuit (not shown) in the chip A7 outside the chip C9 operates in synchronization with the clock CLKA, and a circuit (not shown) in the chip B8 operates in synchronization with the clock CLKB.

このように、第1のチップ構成では、SIP4内のチップC9に、チップC9以外のチップA7及びチップB8に供給するクロックの位相をコントロールする機構を持たせることができる。図34で示した第1のチップ構成では、図17で示した第3のLSIと同様に、専用のクロック制御回路37によってクロック位相制御を行う構成をていしているが、図1で示した第1のLSIと同様に、CPUによってクロック位相を制御する構成でも実現可能である。また、位相差を持たせたクロックの生成方法も、第1及び第3のLSIのように可変遅延回路を持たせることなく、図10で示した第2のLSIのように、位相が異なる複数種のクロックを選択する構成で実現することが可能である。   Thus, in the first chip configuration, the chip C9 in the SIP 4 can have a mechanism for controlling the phase of the clock supplied to the chip A7 and the chip B8 other than the chip C9. In the first chip configuration shown in FIG. 34, the clock phase control is performed by the dedicated clock control circuit 37 as in the third LSI shown in FIG. 17, but the configuration shown in FIG. Similar to the first LSI, it can also be realized by a configuration in which the clock phase is controlled by the CPU. In addition, a method for generating a clock having a phase difference also includes a plurality of phases having different phases as in the second LSI shown in FIG. 10 without having a variable delay circuit as in the first and third LSIs. It can be realized by a configuration for selecting a kind of clock.

図35はこの発明の実施の形態11である半導体集積回路装置の第2のチップ構成を示す説明図である。同図に示すように、SIP(あるいはMCM)5内にチップA7、チップC9及びチップB10が設けられている。チップC9内の回路構成は図34で示した第1のチップ構成のチップC9と同様であるため説明を省略する。   FIG. 35 is an explanatory diagram showing a second chip configuration of the semiconductor integrated circuit device according to the eleventh embodiment of the present invention. As shown in the figure, a chip A 7, a chip C 9 and a chip B 10 are provided in the SIP (or MCM) 5. Since the circuit configuration in the chip C9 is the same as that of the chip C9 having the first chip configuration shown in FIG.

チップC9外のチップA7内の回路(図示せず)はクロックCLKAに同期して動作し、チップB10内はクロックCLKBを基準クロックとして入力する。   A circuit (not shown) in the chip A7 outside the chip C9 operates in synchronization with the clock CLKA, and the clock CLKB is input as a reference clock in the chip B10.

図35に示すように、チップB10は、モジュールα14、モジュールβ15及びCPU55から構成されている。モジュールα14はクロックCLKBが可変遅延回路48を介して得られるクロックCLKαを受け、クロックCLKαに同期して動作する。モジュールβ15はクロックCLKBが可変遅延回路32を介して得られるクロックCLKβを受け、クロックCLKβに同期して動作する。CPU55はクロックCLKBが可変遅延回路50を介して得られるクロックCLKPを受け、クロックCLKPに同期して動作する。   As shown in FIG. 35, the chip B10 includes a module α14, a module β15, and a CPU 55. The module α14 receives the clock CLKα obtained by the clock CLKB via the variable delay circuit 48, and operates in synchronization with the clock CLKα. The module β15 receives the clock CLKβ obtained from the clock CLKB via the variable delay circuit 32, and operates in synchronization with the clock CLKβ. The CPU 55 receives the clock CLKP obtained from the clock CLKB via the variable delay circuit 50, and operates in synchronization with the clock CLKP.

CPU55は可変遅延回路48〜50に与える制御信号SCT1〜SCT3によって、可変遅延回路48〜50の遅延時間をそれぞれ個別に制御する。このように、可変遅延回路48〜50の遅延時間をCPU55によって制御することにより、モジュールA21、モジュールB22及びCPU55に供給されるクロックCLKα、クロックCLKβ及びクロックCLKP間の位相を可変制御することができる。   The CPU 55 individually controls the delay times of the variable delay circuits 48 to 50 by the control signals SCT1 to SCT3 given to the variable delay circuits 48 to 50. Thus, by controlling the delay time of the variable delay circuits 48 to 50 by the CPU 55, the phase between the clock CLKα, the clock CLKβ and the clock CLKP supplied to the module A21, the module B22 and the CPU 55 can be variably controlled. .

このように、第2のチップ構成では、SIP5内のチップC9に、チップC9以外のチップA7及びチップB10に供給するクロックの位相をコントロールする機構を持たせ、さらにチップB10内にも内部のクロックの位相をコントロールする機構を持たせている。   As described above, in the second chip configuration, the chip C9 in the SIP 5 is provided with a mechanism for controlling the phase of the clock supplied to the chip A7 and the chip B10 other than the chip C9, and the internal clock is also provided in the chip B10. It has a mechanism to control the phase.

図35で示した第2のチップ構成においても、位相差を持たせたクロックの生成方法を、第1及び第3のLSIのように可変遅延回路を持たせることなく、図10で示した第2のLSIのように、位相が異なる複数種のクロックを選択する構成で実現することが可能である。   Also in the second chip configuration shown in FIG. 35, the clock generation method having a phase difference is the same as that shown in FIG. 10 without having a variable delay circuit like the first and third LSIs. As in the case of LSI 2, it is possible to realize a configuration in which a plurality of types of clocks having different phases are selected.

また、図35で示した第2のチップ構成のようなクロック位相制御以外にも、例えば専用のクロック制御回路が各チップ内部のモジュール単位でクロック位相まで制御する方法も考えられる。この場合は、一元的に管理ができて、適切にスキュー調整すればSIP全体で非常に良い効果が得られることが期待できる。   In addition to the clock phase control as in the second chip configuration shown in FIG. 35, for example, a method in which a dedicated clock control circuit controls the clock phase in units of modules in each chip is also conceivable. In this case, it can be managed centrally, and if the skew is adjusted appropriately, it can be expected that a very good effect can be obtained in the entire SIP.

また、図35で示した第2のチップ構成のようなクロック位相制御以外にも、例えば、一のチップ内のCPUが各チップ内のモジュール単位のクロック位相を制御する方法も考えられる。また他の方法として、一のチップのCPUがSIPまたはMCM内の各チップに供給するクロック位相を制御し、上記一のチップ以外の各チップ内はそれぞれ個別にクロック位相を制御する方法も考えられる。   In addition to the clock phase control as in the second chip configuration shown in FIG. 35, for example, a method in which the CPU in one chip controls the clock phase of each module in each chip is conceivable. As another method, a method of controlling the clock phase supplied to each chip in the SIP or MCM by the CPU of one chip and controlling the clock phase individually in each chip other than the above one chip is also conceivable. .

上述した種々の方法うち、LSIの規模、制御するソフトウェアの規模、開発リソースにより、最適なものを選択すればよい。   Of the various methods described above, an optimum method may be selected according to the scale of LSI, the scale of software to be controlled, and development resources.

なお、第2のチップ構成において、チップC9内においてチップB10内のモジュールα14,モジュールβ15等のクロック位相を制御する構成も考えられるが、その場合、チップC9内のクロック制御回路37がチップB10内の内部回路の情報(どんなモジュールが何個あるのか等)を持っている必要がある。このため、チップC9内のクロック制御回路37の汎用性がなくなる、チップC9,チップB8間の信号線が多くなる等のデメリットがある。   In the second chip configuration, a configuration in which the clock phase of the module α14, the module β15, etc. in the chip B10 is controlled in the chip C9 is also conceivable. In this case, the clock control circuit 37 in the chip C9 is included in the chip B10. It is necessary to have the information of the internal circuit (how many modules are there etc.). For this reason, there are disadvantages such as loss of versatility of the clock control circuit 37 in the chip C9 and an increase in signal lines between the chip C9 and the chip B8.

一方、図35で示した第2のチップ構成例では、チップB10内のクロック位相制御はチップB10内で行っているため、上記したデメリットは生じない。また、チップA7へのクロックCLKAの供給のように、チップ単位に供給するクロックの位相を変えることは比較的容易に行えるため、第2の構成のようにクロックCLKBをチップB10に付与することは比較的容易である。   On the other hand, in the second chip configuration example shown in FIG. 35, since the clock phase control in the chip B10 is performed in the chip B10, the above-described disadvantages do not occur. In addition, since it is relatively easy to change the phase of the clock supplied in units of chips, such as the supply of the clock CLKA to the chip A7, it is possible to apply the clock CLKB to the chip B10 as in the second configuration. It is relatively easy.

(効果)
実施の形態11のLSIでは、SIPまたはMCM内の複数のチップのうち、一のチップ(チップC9)内に、他のチップ(チップA7,チップB8)用のクロックも供給するクロック供給手段を設けることにより、複数のチップに供給する複数のクロックを互いに位相が異なるように供給することができるため、複数のチップからなるSIP4においても低コストで電流ピークを効果的に抑制することができる。
(effect)
In the LSI of the eleventh embodiment, a clock supply means for supplying a clock for another chip (chip A7, chip B8) is provided in one chip (chip C9) among the plurality of chips in the SIP or MCM. As a result, a plurality of clocks to be supplied to a plurality of chips can be supplied so that their phases are different from each other, so that a current peak can be effectively suppressed at a low cost even in SIP 4 composed of a plurality of chips.

電源ピークノイズ低減により、局所的な電圧降下が緩和される。これにより、回路設計時に見込む電圧降下分のマージンが減るため、その分回路規模/ゲートサイズを減らすことができ、コスト低減、消費電力低減が可能となる効果を奏する。   Local voltage drop is mitigated by power supply peak noise reduction. As a result, the margin for the voltage drop expected at the time of circuit design is reduced, so that the circuit scale / gate size can be reduced accordingly, and the effects of cost reduction and power consumption reduction can be achieved.

また、EMI低減により、システムでの誤動作の危険性が低くなり、EMI対策にかけていたコストを削減できる効果を奏する。   Moreover, the risk of malfunctioning in the system is reduced by reducing the EMI, and the effect of reducing the cost for EMI countermeasures can be achieved.

また、図35で示した第2のチップ構成例のように、チップC9からクロックCLKBを基準クロックとして受けるチップB10内において、各々がクロックCLKBを遅延させて複数のクロック(CLKα,CLKβ,CLKP)を得る複数の遅延手段(48〜50)と、上記複数の遅延手段それぞれの遅延時間を制御する遅延時間制御手段であるCPU55とを備えている。上記構成により、チップB10内の複数のモジュール(14,15,55)間に供給する複数のクロック(CLKα,CLKβ,CLKP)を互いに位相が異なるように供給することができるため、チップB10内においても低コストで電流ピークを効果的に抑制することができる効果を奏する。   Further, as in the second chip configuration example shown in FIG. 35, in the chip B10 that receives the clock CLKB from the chip C9 as a reference clock, each of the clocks CLKB is delayed to delay a plurality of clocks (CLKα, CLKβ, CLKP). And a CPU 55 which is a delay time control means for controlling the delay time of each of the plurality of delay means. With the above configuration, a plurality of clocks (CLKα, CLKβ, CLKP) supplied between a plurality of modules (14, 15, 55) in the chip B10 can be supplied so as to have different phases. In addition, the current peak can be effectively suppressed at a low cost.

本願発明のLSIを実現するための第1のLSIの基本構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the basic composition of the 1st LSI for implement | achieving LSI of this invention. 可変遅延回路の内部構成の第1の例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the 1st example of the internal structure of a variable delay circuit. 可変遅延回路の内部構成の第2の例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the 2nd example of an internal structure of a variable delay circuit. 可変遅延回路の内部構成の第3の例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the 3rd example of an internal structure of a variable delay circuit. 図1で示した第1のLSIの第1のシステム構成例を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a first system configuration example of a first LSI illustrated in FIG. 1. 図1で示した第1のLSIの第2のシステム構成例を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating a second system configuration example of the first LSI illustrated in FIG. 1. 位相制御レジスタのCPUから見たメモリマップを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the memory map seen from CPU of the phase control register. 位相制御レジスタの内部構成例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the internal structural example of a phase control register. 図8で示した位相制御レジスタの格納内容と制御情報との関係を表形式で示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between the storage content of the phase control register shown in FIG. 8, and control information in a table format. 本願発明のLSIを実現するための第2のLSIの構成例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structural example of the 2nd LSI for implement | achieving LSI of this invention. 図10で示したPLL回路より生成されるクロックの波形を示すタイミング図である。FIG. 11 is a timing diagram illustrating a waveform of a clock generated from the PLL circuit illustrated in FIG. 10. 図10で示したPLL回路の第1の構成例におけるオッシレータ部の構成を示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram illustrating a configuration of an oscillator unit in the first configuration example of the PLL circuit illustrated in FIG. 10. 図10で示したPLL回路の第2の構成例を示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram illustrating a second configuration example of the PLL circuit illustrated in FIG. 10. 本願発明のLSIを実現するための第3のLSIの基本構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the basic composition of the 3rd LSI for implement | achieving LSI of this invention. 実施の形態1のLSIの物理的なレイアウトを概念的に示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram conceptually showing a physical layout of the LSI according to the first embodiment. この発明の実施の形態2であるLSIにおけるクロックスキュー調整方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the clock skew adjustment method in LSI which is Embodiment 2 of this invention. 実施の形態3のLSIにおいてバスを中心としたレイアウト構成を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a layout configuration centered on a bus in an LSI according to a third embodiment; この発明の実施の形態3であるLSIにおけるクロックスキュー調整方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the clock skew adjustment method in LSI which is Embodiment 3 of this invention. 実施の形態4のLSIにおいてバスを中心としたレイアウト構成を示す説明図である。FIG. 20 is an explanatory diagram showing a layout configuration centered on a bus in an LSI according to the fourth embodiment; この発明の実施の形態4であるLSIのクロックスキュー調整方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the clock skew adjustment method of LSI which is Embodiment 4 of this invention. 実施の形態5のLSIにおいてバスを中心としたレイアウト構成を示す説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram showing a layout configuration centered on a bus in an LSI according to the fifth embodiment; この発明の実施の形態6であるLSIのクロックスキュー調整方法にける位相一致方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the phase matching method in the clock skew adjustment method of LSI which is Embodiment 6 of this invention. この発明の実施の形態7であるクロック制御機能を有するLSIの構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of LSI which has a clock control function which is Embodiment 7 of this invention. この発明の実施の形態8であるクロック制御機能を有するLSIの構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of LSI which has a clock control function which is Embodiment 8 of this invention. この発明の実施の形態9である許容位相差測定回路の第1の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 1st structure of the allowable phase difference measuring circuit which is Embodiment 9 of this invention. この発明の実施の形態9である許容位相差測定回路の第2の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 2nd structure of the allowable phase difference measuring circuit which is Embodiment 9 of this invention. クロック位相差に起因するホールドエラー例について示すタイミング図である。It is a timing diagram shown about the example of a hold error resulting from a clock phase difference. この発明の実施の形態10である第1のシステム構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 1st system configuration which is Embodiment 10 of this invention. 実施の形態10であるLSIにおけるモジュール間のデータ転送動作を示すタイミング図である。FIG. 38 is a timing chart showing a data transfer operation between modules in the LSI according to the tenth embodiment. この発明の実施の形態10である第2のシステム構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 2nd system configuration which is Embodiment 10 of this invention. この発明の実施の形態10である第3のシステム構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 3rd system configuration which is Embodiment 10 of this invention. 図30で示した第2のシステム構成の第1の改良例を示す説明図である。FIG. 31 is an explanatory diagram showing a first improvement example of the second system configuration shown in FIG. 30. 図30で示した第2のシステム構成の第2の改良例を示す説明図である。FIG. 31 is an explanatory diagram illustrating a second improvement example of the second system configuration illustrated in FIG. 30. この発明の実施の形態11であるLSIの第1のチップ構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 1st chip | tip structure of LSI which is Embodiment 11 of this invention. この発明の実施の形態11であるLSIの第2のチップ構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 2nd chip structure of LSI which is Embodiment 11 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1〜3,25,28,30,55 CPU、4,5 SIP、6 2次キャッシュ、7 チップA、8,10 チップB、9 チップC、11,21 モジュールA、12,22 モジュールB、13,23 モジュールC、14 モジュールα、15 モジュールβ、16,40,59 バス、17 クロック基準バス、18,19 遅延内容選択回路、20,27 PLL回路、24,26 位相制御レジスタ、31〜33,44〜50 可変遅延回路、37,39 クロック制御回路、41〜43,68 選択回路、51,52,67 フリップフロップ、53 遅延素子、54 レプリカ回路、60〜65,70〜73 ラッチ、G5 ORゲート。   1-3, 25, 28, 30, 55 CPU, 4, 5 SIP, 6 Secondary cache, 7 Chip A, 8, 10 Chip B, 9 Chip C, 11, 21 Module A, 12, 22 Module B, 13 , 23 module C, 14 module α, 15 module β, 16, 40, 59 bus, 17 clock reference bus, 18, 19 delay content selection circuit, 20, 27 PLL circuit, 24, 26 phase control register, 31-33 44-50 variable delay circuit, 37, 39 clock control circuit, 41-43, 68 selection circuit, 51, 52, 67 flip-flop, 53 delay element, 54 replica circuit, 60-65, 70-73 latch, G5 OR gate .

Claims (15)

基板上に配置され複数のクロックに同期して動作する複数のモジュールと、
前記複数のモジュールに前記複数のクロックを供給するクロック供給手段とを備え、前記複数のクロックは互いに位相が異なるように供給され、
前記複数のモジュールは、前記基板上において第1の距離を隔てて配置される第1のモジュール対と、前記基板上において前記第1の距離より長い第2の距離を隔てて配置される第2のモジュール対とを含み、
前記クロック供給手段は、前記第1のモジュール対間のクロックの位相差が、前記第2のモジュール対間のクロック信号の位相差より小さくなるように、前記複数のクロックを供給することを特徴する、
半導体装置。
A plurality of modules arranged on a substrate and operating in synchronization with a plurality of clocks;
Clock supply means for supplying the plurality of clocks to the plurality of modules, and the plurality of clocks are supplied so that their phases are different from each other;
The plurality of modules are arranged on a first module pair arranged on the substrate at a first distance and a second module arranged on the substrate at a second distance longer than the first distance. Including module pairs,
The clock supply means supplies the plurality of clocks so that the phase difference of the clock between the first module pair is smaller than the phase difference of the clock signal between the second module pair. ,
Semiconductor device.
基板上に配置され複数のクロックに同期して動作する複数のモジュールと、
前記複数のモジュールに前記複数のクロックを供給するクロック供給手段とを備え、
前記複数のモジュールはデータ転送対象となる第1及び第2のモジュールを含み、前記複数のクロックは前記第1及び第2のモジュールに供給する第1及び第2のクロックを含み、
前記クロック供給手段は、前記第1及び第2のモジュール間のデータ転送時に前記第1及び第2のクロックの位相を一致させ、前記データ転送をしない時に前記第1及び第2のクロック間に所定の位相差を設けることを特徴とする、
半導体装置。
A plurality of modules arranged on a substrate and operating in synchronization with a plurality of clocks;
Clock supply means for supplying the plurality of clocks to the plurality of modules;
The plurality of modules include first and second modules to be subjected to data transfer, and the plurality of clocks include first and second clocks supplied to the first and second modules,
The clock supply means makes the phases of the first and second clocks coincide when transferring data between the first and second modules, and is predetermined between the first and second clocks when not transferring data. It is characterized by providing a phase difference of
Semiconductor device.
基板上に配置され複数のクロックに同期して動作する複数のモジュールと、
前記複数のモジュールに前記複数のクロックを供給するクロック供給手段とを備え、
前記複数のモジュールは共通に接続されるバスを介して互いにデータ転送を行う第1及び第2のモジュールを含み、前記複数のクロックは前記第1及び第2のモジュールに供給する第1及び第2のクロックを含み、前記バスを介したデータ転送時のクロックであるバスクロックが予め設定され、
前記クロック供給手段は、前記第1及び第2のモジュール間のデータ転送時に前記第1及び第2のクロックを前記バスククロックの位相に一致させ、前記データ転送をしない時に前記第1及び第2のクロック間に所定の位相差を設けることを特徴する、
半導体装置。
A plurality of modules arranged on a substrate and operating in synchronization with a plurality of clocks;
Clock supply means for supplying the plurality of clocks to the plurality of modules;
The plurality of modules include first and second modules that transfer data to each other via a commonly connected bus, and the plurality of clocks are supplied to the first and second modules. A bus clock that is a clock at the time of data transfer via the bus is set in advance,
The clock supply means makes the first and second clocks coincide with the phase of the basque clock when transferring data between the first and second modules, and the first and second clocks when not transferring data. Providing a predetermined phase difference between clocks,
Semiconductor device.
基板上に配置され複数のクロックに同期して動作する複数のCPUと、
前記複数のCPUに前記複数のクロックを供給するクロック供給手段とを備え、
前記複数のCPUは各々が内部に1次キャッシュを有し、共通に接続される2次キャッシュにアクセスし、
前記クロック供給手段は、前記複数のCPUに供給される複数のクロックを互いに異なる位相差に設定し、前記2次キャッシュへのアクセス時のみ前記2次キャッシュへのアクセスを所望するCPUのクロックと前記2次キャッシュのクロックとの位相を一致させることを特徴とする、
半導体装置。
A plurality of CPUs arranged on a substrate and operating in synchronization with a plurality of clocks;
Clock supply means for supplying the plurality of clocks to the plurality of CPUs;
The plurality of CPUs each have a primary cache inside, and access a commonly connected secondary cache;
The clock supply means sets a plurality of clocks supplied to the plurality of CPUs to different phase differences from each other, and a clock of a CPU that desires access to the secondary cache only when accessing the secondary cache, and the clock It is characterized by matching the phase with the clock of the secondary cache,
Semiconductor device.
基板上に配置され複数のクロックに同期して動作する複数のモジュールと、
前記複数のモジュールに前記複数のクロックを供給するクロック供給手段とを備え、前記複数のクロックは互いに位相が異なるように供給され、
前記複数のクロック間の基準となる基準クロックが予め設定され、
前記クロック供給手段は、前記複数のモジュールそれぞれの動作状態に基づき、動作状態がより高速動作になるに従い、前記複数のクロックの位相を前記基準クロックの位相に近づけるように、前記複数のクロックを供給することを特徴する、
半導体装置。
A plurality of modules arranged on a substrate and operating in synchronization with a plurality of clocks;
Clock supply means for supplying the plurality of clocks to the plurality of modules, and the plurality of clocks are supplied so that their phases are different from each other;
A reference clock serving as a reference between the plurality of clocks is preset,
The clock supply means supplies the plurality of clocks based on the operation state of each of the plurality of modules so that the phase of the plurality of clocks approaches the phase of the reference clock as the operation state becomes higher speed operation. It is characterized by
Semiconductor device.
請求項2記載の半導体装置であって、
前記クロック供給手段は、前記第1及び第2のモジュールのデータ転送時に前記第1及び第2のクロックの位相を一致させる際、前記第1及び第2のモジュールのうち低速動作状態のモジュールのクロックの位相を変更して行うことを特徴する、
半導体装置。
The semiconductor device according to claim 2,
When the clock supply means matches the phase of the first and second clocks during data transfer between the first and second modules, the clock of the module in the low-speed operation state among the first and second modules. Characterized by changing the phase of
Semiconductor device.
請求項1ないし請求項6のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
スキャンテスト時において前記複数のクロックの位相を強制的に一致させる位相設定回路をさらに備える、
半導体装置。
A semiconductor device according to any one of claims 1 to 6,
A phase setting circuit for forcibly matching the phases of the plurality of clocks during a scan test;
Semiconductor device.
請求項1ないし請求項6のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記複数のモジュールはスキャンテスト対象となり、スキャンテスト時にデータ転送を行う第1及び第2のテスト対象モジュールを含み、
スキャンテストにおいて実際に前記複数のモジュールを動作させ、その動作結果を取り込むキャプチャ時において、前記第1及び第2のテスト対象モジュールに供給されるクロックの位相差を強制的に最大にする位相設定回路をさらに備える、
半導体装置。
A semiconductor device according to any one of claims 1 to 6,
The plurality of modules are scan test targets, and include first and second test target modules that perform data transfer during the scan test,
Phase setting circuit for forcibly maximizing a phase difference between clocks supplied to the first and second test target modules at the time of capture in which the plurality of modules are actually operated in the scan test and the operation results are captured. Further comprising
Semiconductor device.
基板上に配置され複数のクロックに同期して動作する複数のモジュールと、
前記複数のモジュールに前記複数のクロックを供給するクロック供給手段とを備え、前記複数のクロックは互いに位相が異なるように供給され、
前記複数のモジュールはデータ転送対象となる第1及び第2のモジュールを含み、前記複数のクロックは前記第1及び第2のモジュールに供給する第1及び第2のクロックを含み、
前記クロック供給手段は前記第1及び第2のクロック間に所定の位相差を設け、
前記半導体装置は、
前記第1及び第2のモジュール間に設けられ、前記第1及び第2のモジュール間のデータ転送動作を、前記第1あるいは第2のクロックによって決定される遅延時間で遅延させる遅延手段をさらに備える、
半導体装置。
A plurality of modules arranged on a substrate and operating in synchronization with a plurality of clocks;
Clock supply means for supplying the plurality of clocks to the plurality of modules, and the plurality of clocks are supplied so that their phases are different from each other;
The plurality of modules include first and second modules to be subjected to data transfer, and the plurality of clocks include first and second clocks supplied to the first and second modules,
The clock supply means provides a predetermined phase difference between the first and second clocks;
The semiconductor device includes:
Delay means provided between the first and second modules and further delaying a data transfer operation between the first and second modules by a delay time determined by the first or second clock. ,
Semiconductor device.
請求項9記載の半導体装置であって、
前記遅延手段はスキャンテスト時において遅延機能が強制的に無効化される遅延無効機能を有する、
半導体装置。
The semiconductor device according to claim 9,
The delay means has a delay invalid function in which the delay function is forcibly invalidated during a scan test.
Semiconductor device.
請求項1ないし請求項10のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記クロック供給手段は、
各々が基準クロックを遅延させて前記複数のクロックを得る複数の遅延手段と、
前記複数の遅延手段それぞれの遅延時間を制御する遅延時間制御手段とを備え、
前記複数の遅延手段はそれぞれ遅延段数が可変制御可能な複数の遅延素子を含む、
半導体装置。
A semiconductor device according to any one of claims 1 to 10,
The clock supply means includes
A plurality of delay means each for delaying a reference clock to obtain the plurality of clocks;
A delay time control means for controlling the delay time of each of the plurality of delay means,
Each of the plurality of delay means includes a plurality of delay elements in which the number of delay stages can be variably controlled.
Semiconductor device.
請求項1ないし請求項11のうち、いずれか1項に記載の半導体装置の前記クロック供給手段と等価な回路を有する第1のチップと、
前記第1のチップと異なる第2のチップとを備え、前記第2のチップは前記第1のチップの前記クロック供給手段により供給される複数のクロックのうち一のクロックを第2チップ用クロックとして受ける、
半導体集積回路装置。
A first chip having a circuit equivalent to the clock supply means of the semiconductor device according to any one of claims 1 to 11,
A second chip different from the first chip, wherein the second chip uses one of a plurality of clocks supplied by the clock supply means of the first chip as a second chip clock. receive,
Semiconductor integrated circuit device.
請求項12記載の半導体集積回路装置であって、
前記第2のチップは
各々が前記第2チップ用クロックを遅延させて複数のクロックを得る複数の遅延手段と、
前記複数の遅延手段それぞれの遅延時間を制御する遅延時間制御手段とを備える、
半導体集積回路装置。
A semiconductor integrated circuit device according to claim 12, wherein
A plurality of delay means each for delaying the second chip clock to obtain a plurality of clocks;
A delay time control means for controlling the delay time of each of the plurality of delay means,
Semiconductor integrated circuit device.
基板上に配置された複数のモジュールに複数のクロックを供給するクロック供給手段を有する半導体装置の許容位相差測定回路であって、前記複数のモジュールはデータ転送対象となる第1及び第2のモジュールを含み、前記複数のクロックは前記第1及び第2のモジュールに供給する第1及び第2のクロックを含み、前記クロック供給手段は前記第1及び第2のクロック間に所定の位相差を設け、
前記許容位相差測定回路は、
第1及び第2の試験用クロックに同期して前記第1及び第2のモジュールと等価なデータ転送動作が可能な第1及び第2の試験用回路と、
前記第1及び第2の試験用回路のデータ転送経路上に設けられ前記第1及び第2の試験用回路間のデータ転送に所定の遅延時間が設定可能な試験用遅延部とを備える、
許容位相差測定回路。
An allowable phase difference measurement circuit for a semiconductor device having clock supply means for supplying a plurality of clocks to a plurality of modules arranged on a substrate, wherein the plurality of modules are first and second modules to be data transferred. The plurality of clocks include first and second clocks supplied to the first and second modules, and the clock supply means provides a predetermined phase difference between the first and second clocks. ,
The allowable phase difference measurement circuit includes:
First and second test circuits capable of performing a data transfer operation equivalent to the first and second modules in synchronization with the first and second test clocks;
A test delay unit provided on a data transfer path of the first and second test circuits and capable of setting a predetermined delay time for data transfer between the first and second test circuits;
Allowable phase difference measurement circuit.
請求項14記載の許容位相差測定回路であって、
前記所定の遅延時間は前記半導体装置のクリティカルパスの遅延時間を含む、
許容位相差測定回路。
The allowable phase difference measuring circuit according to claim 14,
The predetermined delay time includes a delay time of a critical path of the semiconductor device;
Allowable phase difference measurement circuit.
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CN113963651A (en) * 2021-11-10 2022-01-21 集创北方(珠海)科技有限公司 Data receiving circuit, display driving chip and electronic equipment

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