JP2008098669A - Method of dicing semiconductor wafer - Google Patents
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Description
本発明は半導体ウエハ・ダイシング方法に係り、特に発明の構成を最小限に抑えつつ半導体ウエハをダイシングした際のチッピング（半導体ウエハのチップに欠けを生じさせること）を防止でき、歩留の向上、ダイシング速度向上を可能にした半導体ウエハ・ダイシング方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer dicing method, and in particular, can prevent chipping (which causes chipping of a semiconductor wafer chip) when dicing a semiconductor wafer while minimizing the configuration of the invention, improving yield, The present invention relates to a semiconductor wafer dicing method capable of improving the dicing speed.
従来、半導体ウエハは、その背面に半導体ウエハ・ダイシング用シートが粘着されてからチップ状に切断（ダイシング）される。 2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor wafer is cut (diced) into chips after a semiconductor wafer / dicing sheet is adhered to the back surface of the semiconductor wafer.
このダイシングには、切削抵抗によるチップとブレードの干渉によってチッピング（チップの一部が欠けてしまう現象）や、ブレードの目詰まりによって発生するダイシング速度制限（低速であれば目詰まりが生じないため、ダイシング速度が上がらない）という問題があった。 In this dicing, chipping due to interference between the tip and the blade due to cutting resistance (a phenomenon in which a part of the tip is chipped) and dicing speed limitation caused by clogging of the blade (because clogging does not occur at low speeds, The dicing speed does not increase).
本出願人は、チッピングを防止する半導体ウエハ・ダイシング用シートとして、基材と粘着剤層の間にチッピング防止層を積層し、チッピング防止効果を持たせた手段を開示している（特許文献１）。
特許文献１の半導体ウエハ・ダイシング用シートは、チッピング防止効果を有する優れた発明である。しかしながら、本発明にあっては、積層数が増えるため、製品の構成数及び製造工程が増えるという新たな課題が生じてしまっていた。また、粘着剤層に新たな構成を付加していないため、ダイシング速度が上がらないという課題を解決できないままであった。 The semiconductor wafer dicing sheet of Patent Document 1 is an excellent invention having an effect of preventing chipping. However, in the present invention, since the number of stacked layers increases, a new problem has arisen that the number of products and the number of manufacturing processes increase. Moreover, since a new structure is not added to the pressure-sensitive adhesive layer, the problem that the dicing speed does not increase remains unsolvable.
したがって、本発明の目的は、発明の構成を最小限に抑えつつ半導体ウエハ・ダイシング時にチッピングが生じない一方、ダイシング速度を向上させた半導体ウエハ・ダイシング方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor wafer dicing method in which chipping does not occur during semiconductor wafer dicing while minimizing the configuration of the invention, while improving the dicing speed.
本発明者は、上記に鑑み鋭意検討を行った結果、その背面に半導体ウエハ・ダイシング用シートが粘着された半導体ウエハをチップ状に切断する半導体ウエハ・ダイシング方法において、半導体ウエハ・ダイシング用シートが、シート状の基材と、該基材上に積層された粘着剤層を有する半導体ウエハ・ダイシング用シートであり、粘着剤層の厚みを３〜７μｍとし、該粘着剤層の弾性率を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃｍ2（測定温度２３℃、周波数１Ｈｚ）とし、該基材が紫外線透過性シートであり、該粘着剤層には紫外線硬化化合物を含有されていることを特徴とすることによって、上記課題を解決できることを見出だし、本発明を完成した。 As a result of intensive studies in view of the above, the present inventor conducted a semiconductor wafer dicing method for cutting a semiconductor wafer having a semiconductor wafer / dicing sheet adhered to the back thereof into a chip shape. A sheet for semiconductor wafer dicing having a sheet-like base material and an adhesive layer laminated on the base material, the thickness of the adhesive layer is 3 to 7 μm, and the elastic modulus of the adhesive layer is 5 0.0 × 10 4 to 5.0 × 10 6 dyn / cm 2 (measurement temperature: 23 ° C., frequency: 1 Hz), the base material is an ultraviolet transmissive sheet, and the adhesive layer contains an ultraviolet curable compound. It has been found that the above-mentioned problems can be solved by the feature of the present invention, and the present invention has been completed.
本発明にかかる半導体ウエハ・ダイシング方法は、その背面に半導体ウエハ・ダイシング用シートが粘着された半導体ウエハをチップ状に切断する半導体ウエハ・ダイシング方法において、半導体ウエハ・ダイシング用シートが、シート状の基材と、該基材上に積層された粘着剤層を有する半導体ウエハ・ダイシング用シートであり、粘着剤層の厚みを３〜７μｍとし、該粘着剤層の弾性率を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃｍ2（測定温度２３℃、周波数１Ｈｚ）とし、該基材が紫外線透過性シートであり、該粘着剤層には紫外線硬化化合物を含有されていることを特徴とし、これにより発明の構成を最小限に抑えつつダイシング時の切削抵抗を抑制しチップとブレードの干渉を抑えているのでチッピングを防止でき、さらに、ブレードの目詰まりを抑制しているのでダイシング速度の向上が図れた。 A semiconductor wafer dicing method according to the present invention is a semiconductor wafer dicing method in which a semiconductor wafer having a semiconductor wafer dicing sheet adhered to the back surface thereof is cut into chips. The semiconductor wafer dicing sheet has a sheet shape. A sheet for semiconductor wafer dicing having a base material and an adhesive layer laminated on the base material, the thickness of the adhesive layer is 3 to 7 μm, and the elastic modulus of the adhesive layer is 5.0 × 10 4 to 5.0 × 10 6 dyn / cm 2 (measurement temperature: 23 ° C., frequency: 1 Hz), the base material is an ultraviolet ray transmitting sheet, and the adhesive layer contains an ultraviolet curable compound. This feature minimizes the cutting force during dicing while minimizing the configuration of the invention, and prevents chip and blade interference, thereby preventing chipping. The model improves dicing speed because it suppresses the clogging of over de.
本発明にあっては、粘着剤層の厚みと粘着剤層の弾性率を限定することにより、ダイシング時の切削抵抗を抑制しチップとブレードの干渉を抑えて上記チッピングを防止する一方、ブレードの目詰まりを抑制してダイシング速度の向上を図るものである。 In the present invention, by limiting the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer and the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer, the cutting resistance during dicing is suppressed, and the chip and blade are prevented from interfering with each other to prevent the above chipping. It is intended to improve the dicing speed by suppressing clogging.
本発明にかかる半導体ウエハ・ダイシング用シートの粘着剤層として、厚みを３〜７μｍにしたのは、あまりに薄いとダイシング時にチップを保持するのに十分な粘着力が得られずチップ飛びが発生し、あまりに厚いとチッピング防止効果が出ないためである。該粘着剤層の弾性率を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃｍ2（測定温度２３℃、周波数１Ｈｚ）としたのは、あまりに低いと裏面チッピング、すなわち粘着剤貼り付け側のチップ面の欠けが生じ、あまりに高いとチップの粘着力が低くなり十分なチップ保持性が得られずダイシング時にチップ飛びを引き起こすためである。 The thickness of the adhesive layer of the semiconductor wafer / dicing sheet according to the present invention is 3 to 7 μm. If the thickness is too thin, the adhesive force sufficient to hold the chip during dicing cannot be obtained, and chip fly occurs. This is because if it is too thick, the chipping prevention effect does not appear. The elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer was set to 5.0 × 10 4 to 5.0 × 10 6 dyn / cm 2 (measurement temperature 23 ° C., frequency 1 Hz). This is because chipping of the chip surface on the side occurs, and if it is too high, the adhesive strength of the chip becomes low, and sufficient chip retention cannot be obtained, causing chip fly during dicing.
上記粘着剤層の素材としては、アクリル系ポリマ、エラストマ等の従来公知の一般型粘着剤を使用できる。また、該粘着剤層に紫外線硬化作用を発揮させる場合には、該粘着剤層に、紫外線硬化性化合物や上記紫外線硬化開始剤を添加することができる。 As the material for the pressure-sensitive adhesive layer, a conventionally known general-purpose pressure-sensitive adhesive such as an acrylic polymer or an elastomer can be used. Moreover, when making this adhesive layer exhibit an ultraviolet curing effect, an ultraviolet curable compound and the said ultraviolet curing initiator can be added to this adhesive layer.
該紫外線硬化性化合物としては、具体的には２個以上の官能基を有する官能性の紫外線硬化物がよく、例えばアクリレート系化合物、ウレタンアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマ及び／又はモノマ、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート等の単体又は混合系がある。 As the ultraviolet curable compound, specifically, a functional ultraviolet curable product having two or more functional groups may be used. For example, acrylate compounds, urethane acrylates, urethane acrylate oligomers and / or monomers, epoxy acrylates, polyesters There are single or mixed systems such as acrylate.
前記アクリレート系化合物としては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート等がある。 Examples of the acrylate compound include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, or 1,4-butylene glycol. Examples include diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, and oligoester acrylate.
前記ウレタンアクリレートとしては、例えばポリエステルウレタンアクリレート、ポリエーテルウレタンアクリレート、４官能ウレタンアクリレート、６官能ウレタンアクリレート等がある。 Examples of the urethane acrylate include polyester urethane acrylate, polyether urethane acrylate, tetrafunctional urethane acrylate, and hexafunctional urethane acrylate.
該ウレタンアクリレート系オリゴマは、炭素−炭素二重結合を少なくとも二個以上有する紫外線硬化性化合物であり、例えば、ポリエステル型又はポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物、例えば（２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフエニルメタン４，４−ジイソシアナート等）を反応させて得られる端末イソシアナートウレタンプレポリマにヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート等）を反応させて得られるものがある。 The urethane acrylate oligomer is an ultraviolet curable compound having at least two carbon-carbon double bonds. For example, a polyol compound such as a polyester type or a polyether type and a polyvalent isocyanate compound such as (2,4 Terminal obtained by reacting tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc. Acrylate or methacrylate having hydroxyl group on isocyanate urethane prepolymer (for example, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene) Recall acrylate include those obtained by reacting a polyethylene glycol methacrylate).
上記エポキシアクリレートとしては、エポキシ基とアクリル酸又はメタクリル酸との反応によって合成されるものであり、ビスフエノールＡ型、ビスフエノールＳ型、ビスフエノールＦ型、エポキシ油化型、フエノールノボラツク型、脂環型等がある。 The epoxy acrylate is synthesized by a reaction between an epoxy group and acrylic acid or methacrylic acid, and includes bisphenol A type, bisphenol S type, bisphenol F type, epoxy oiled type, phenol novolak type, There are alicyclic types.
上記ポリエステルアクリレートは、ジオール、ポリオールと２塩基酸より合成したポリエステル骨格に残ったＯＨ基に、アクリル酸を縮合してアクリレートにしたものであり、例えば無水フタル酸／プロピレンオキサイドジオール／アクリル酸、アジピン酸／１，６−ヘキサンジオール／アクリル酸、トリメリツト酸／ジエチレングリコール／アクリル酸等がある。 The polyester acrylate is an acrylate obtained by condensing acrylic acid to OH groups remaining in a polyester skeleton synthesized from diol, polyol and dibasic acid. For example, phthalic anhydride / propylene oxide diol / acrylic acid, adipine Acid / 1,6-hexanediol / acrylic acid, trimellitic acid / diethylene glycol / acrylic acid, and the like.
本発明における上記紫外線硬化開始剤は、ダイシングされたチップをピックアップする前に粘着剤層全体の凝集力を高めてその粘着力を下げるために用いられるものであり、この配合比はあまりに少ないと硬化が遅く作業性に劣り、あまりに多いと未反応の開始剤が残り汚染が生じてしまうため、好ましくは０．１〜１０重量部、さらに好ましくは１〜５重量部がよい。 The ultraviolet curing initiator in the present invention is used to increase the cohesive force of the entire pressure-sensitive adhesive layer and lower its adhesive strength before picking up the diced chip. However, if the amount is too large, unreacted initiator remains and contamination occurs. Therefore, the amount is preferably 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 1 to 5 parts by weight.
上記紫外線硬化開始剤としては、具体的には、クロロアセトフエノン、ジエトキシアセトフエノン、ヒドロキシアセトフエノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン、α−アミノアセトフエノン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フエニル）−２−モルホリノープロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フエニルプロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフエニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフエニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、混合光開始剤、４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フエニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、アリルケトン含有光開始剤、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインエーテル、ベンジルジメチルケタール、ベンゾフエノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、４−フエニルベンゾフエノン、ヒドロキシベンゾフエノン、アクリル化ベンゾフエノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフエニルサルフアイド、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフエノン、メチル−Ｏ−ベンゾイルベンゾエート、チオキサンソン、２−クロルチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、α−アシルオキシムエステル、α−アシロキシムエステル、アシルホスフインオキサイド、メチルフエニルグリオキシレート、グリオキシエステル、３−ケトクマリン、２−エチルアンスラキノン、カンフアーキノン、ベンジル、９，１０−フエナンスレンキノン、アンスラキノン、ジベンゾスベロン、４’，４’’−ジエチルイソフタロフエノン、ミヒラーケトン、環状光開始剤、テトラメチルチウラムモノサルフアイド、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフエノン等がある。上記クロロアセトフエノンとしては、４−フエノキシジクロロアセトフエノン、４−ｔ−ブチル−ジクロロアセトフエノン、４−ｔ−ブチル−トリクロロアセトフエノン等がある。 Specific examples of the ultraviolet curing initiator include chloroacetophenone, diethoxyacetophenone, hydroxyacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, α-aminoacetophenone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholinopropan-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1- (4-isopropylphenyl) -2- Hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- (4-dodecylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, mixed photoinitiator, 4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl ( 2-hydroxy-2-propyl) ketone, allyl ketone-containing photoinitiator, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether , Benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin ether, benzyldimethyl ketal, benzophenone, benzoylbenzoic acid, methyl benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, hydroxybenzophenone, acrylated benzophenone, 4-benzoyl-4 ' -Methyldiphenylsulfide, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone, methyl-O-benzoylbenzoate, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxan Son, Isopropylthioxanthone, 2,4-Dichlorothioxanthone, 2,4-Diethylthioxanthone, 2,4-Diisopropylthioxanthone, α-Acyloxime ester, α-Acyloximes , Acylphosphine oxide, methylphenylglyoxylate, glyoxyester, 3-ketocoumarin, 2-ethylanthraquinone, camphorquinone, benzyl, 9,10-phenanthrenequinone, anthraquinone, dibenzosuberone, 4 ′, 4 ″ -diethylisophthalophenone, Michler's ketone, cyclic photoinitiator, tetramethylthiuram monosulfide, 3,3 ′, 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, etc. . Examples of the chloroacetophenone include 4-phenoxydichloroacetophenone, 4-t-butyl-dichloroacetophenone, 4-t-butyl-trichloroacetophenone, and the like.
また、本発明にかかる粘着剤層にあっては、該紫外線硬化開始剤に対して必要に応じて光開始助剤を配合しても良い。該光開始助剤は、それ自体は紫外線照射によって活性化はしないが、紫外線硬化開始剤と併用することにより紫外線硬化開始剤単独使用より開始反応が促進され、硬化反応を効率的にするものである。 Moreover, in the adhesive layer concerning this invention, you may mix | blend a photoinitiator adjuvant with respect to this ultraviolet curing initiator as needed. The photoinitiator is not activated by ultraviolet irradiation per se, but when used in combination with an ultraviolet curing initiator, the initiation reaction is promoted more than using an ultraviolet curing initiator alone, and the curing reaction is made efficient. is there.
該光開始助剤としては、主として脂肪族、芳香族アミンがあり、具体的にはトリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、ジエチルアミノエチルメタクリレート、ミヒラーケトン、４，４’−ジエチルアミノフエノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフエノン、２−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸（ｎブトキシ）エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、４−ジメチルアミノ安息香酸２−エチルヒキシル、重合性３級アミン、トリエチルアミン、テトラエチルペンタアミン、ジメチルアミノエーテル等がある。 The photoinitiator is mainly an aliphatic or aromatic amine, specifically, triethanolamine, methyldiethanolamine, triisopropanolamine, n-butylamine, N-methyldiethanolamine, diethylaminoethyl methacrylate, Michler's ketone, 4, 4′-diethylaminophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone, ethyl 2-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate (n-butoxy), 4-dimethylaminobenzoate Examples include isoamyl acid, 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate, polymerizable tertiary amine, triethylamine, tetraethylpentamine, and dimethylamino ether.
紫外線硬化を開始するためには、紫外線照射が必要になる。この紫外線照射量は、紫外線硬化開始剤や紫外線硬化性化合物の種類によって異なるが、例えば２０〜５００Ｊ／ｃｍ2（３６５ｎｍ）の範囲が好ましく、さらに好ましくは５０〜１５０Ｊ／ｃｍ2（３６５ｎｍ）の範囲がよい。これはあまりに少ないと紫外線照射による凝集力向上が図れず、粘着力が低下しないため切断されたチップをピックアップする際にピックアップ不良を発生させることとなり、あまりに多いと紫外線照射ラインの速度が遅くなり生産性が悪くなるためである。 In order to start ultraviolet curing, ultraviolet irradiation is required. Although this ultraviolet irradiation amount changes with kinds of a ultraviolet curing initiator or a ultraviolet curable compound, the range of 20-500 J / cm < 2 > (365 nm) is preferable, for example, More preferably, it is the range of 50-150 J / cm < 2 > (365 nm). Is good. If the amount is too small, the cohesive force cannot be improved by UV irradiation, and the adhesive strength does not decrease. Therefore, picking up a cut chip will cause a pickup failure. This is because the sex becomes worse.
本発明で採用されるシート状の基材は、半導体ウエハ・ダイシング用シートの基材として使用される従来公知の合成樹脂を採用でき、上記粘着剤層に紫外線硬化組成物等を配合する場合には基材側からの紫外線を粘着剤層にまで届かせる必要があるため紫外線透過性のシートである必要がある。具体的には、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリウレタン、エチレン−酢酸ビニルコポリマ、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン等の単独層、複合層又は複数層を採用できる。なお、該基材の厚みは１０〜５００μｍの範囲内から選択される。 The sheet-like substrate employed in the present invention can employ a conventionally known synthetic resin used as a substrate for a semiconductor wafer / dicing sheet, and when an ultraviolet curable composition or the like is blended in the pressure-sensitive adhesive layer. Since it is necessary to allow the ultraviolet rays from the substrate side to reach the pressure-sensitive adhesive layer, it is necessary to be an ultraviolet ray permeable sheet. Specifically, a single layer, a composite layer, or a plurality of layers such as polyvinyl chloride, polybutene, polybutadiene, polyurethane, ethylene-vinyl acetate copolymer, polyethylene terephthalate, polyethylene, and polypropylene can be employed. In addition, the thickness of this base material is selected from the range of 10-500 micrometers.
本発明にかかる半導体ウエハ・ダイシング用シートは、必要に応じて粘着剤上にポリエチレンラミネート紙、剥離処理プラスチツクフイルム等の剥離紙又は剥離シートを密着させて保存される。 The sheet for semiconductor wafer dicing according to the present invention is stored with a release paper or a release sheet such as polyethylene laminated paper or a release-treated plastic film in contact with the pressure-sensitive adhesive as necessary.
本発明にあっては、その背面に半導体ウエハ・ダイシング用シートが粘着された半導体ウエハをチップ状に切断する半導体ウエハ・ダイシング方法において、半導体ウエハ・ダイシング用シートが、シート状の基材と、該基材上に積層された粘着剤層を有する半導体ウエハ・ダイシング用シートであり、粘着剤層の厚みを３〜７μｍとし、該粘着剤層の弾性率を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃｍ2（測定温度２３℃、周波数１Ｈｚ）とし、該基材が紫外線透過性シートであり、該粘着剤層には紫外線硬化化合物を含有されていることを特徴とし、これにより細かいチッピングが生じず、ダイシング速度向上を可能にし、さらに発明の構成を最小限に抑えた。 In the present invention, in a semiconductor wafer dicing method for cutting a semiconductor wafer having a semiconductor wafer / dicing sheet adhered to the back surface thereof in a chip shape, the semiconductor wafer / dicing sheet comprises a sheet-like base material, A sheet for semiconductor wafer dicing having a pressure-sensitive adhesive layer laminated on the substrate, the pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 3 to 7 μm, and the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer being 5.0 × 10 4 to 5. 0 × 10 6 dyn / cm 2 (measurement temperature: 23 ° C., frequency: 1 Hz), the base material is an ultraviolet transmissive sheet, and the adhesive layer contains an ultraviolet curable compound. Thus, fine chipping does not occur, the dicing speed can be improved, and the configuration of the invention is minimized.
本発明にかかる半導体ウエハ・ダイシング方法の各実施例を比較例と比較しつつ、表１を用いて詳細に説明する。 Each example of the semiconductor wafer dicing method according to the present invention will be described in detail with reference to Table 1 while comparing with each comparative example.
実施例１にかかる半導体ウエハ・ダイシング方法に適用される半導体ウエハ・ダイシング用シートは、厚さ１００μｍのポリプロピレンでできたシート状基材と、該基材上に積層された厚さ５μｍ、弾性率９×１０5ｄｙｎ／ｃｍ2の粘着剤層としてのアクリル系粘着剤を備えたものである。 A semiconductor wafer dicing sheet applied to the semiconductor wafer dicing method according to Example 1 is a sheet-like base material made of polypropylene having a thickness of 100 μm, a thickness of 5 μm laminated on the base material, and an elastic modulus. An acrylic pressure-sensitive adhesive as a pressure-sensitive adhesive layer of 9 × 10 5 dyn / cm 2 is provided.
表１における「弾性率」は、測定温度２３℃、周波数１Ｈｚの条件下で測定器ＲＤＡ−ＩＩ（レオメトリック社）で測定したものであり、「チップ飛び」はダイシング時にチップ飛びが一つも無いものを○、チップ飛びが一つでも発生したものを×とした。「チッピング」は半導体固定用シート上に厚さ４００μｍのシリコンウエハを貼り付けてから２０分後に３．８ｍｍ×７．０ｍｍ角チップへフルカツトしたチップを２００倍の顕微鏡で見て任意に抽出したサンプル３０個全てに１５μｍ以上の大きさの欠けが１個もなかった場合を○、そうでない場合を×とした。 “Elastic modulus” in Table 1 is measured with a measuring instrument RDA-II (Rheometric Co.) under the conditions of a measurement temperature of 23 ° C. and a frequency of 1 Hz, and “chip skip” has no chip skip when dicing. An object was marked with ◯, and a chip with one chip flying was marked with x. “Chipping” is a sample in which a chip fully cut into a 3.8 mm × 7.0 mm square chip 20 minutes after pasting a 400 μm thick silicon wafer on a semiconductor fixing sheet is arbitrarily extracted with a 200 × microscope. The case where there was no chip of 15 μm or more in all 30 pieces was marked as “◯”, and the case where it was not so was marked as “X”.
実施例１にあっては、チッピング飛び及びチッピングの両方において良好であった。 In Example 1, both chipping skipping and chipping were good.
実施例２は、実施例１の粘着剤層をベースポリマとしてのポリアクリル１００重量部の他、紫外線硬化性化合物としての６官能性ウレタンアクリレートオリゴマ１００重量部と、紫外線硬化開始剤としてのベンゾインイソプロピルエーテル８重量部を配合し、さらに基材を紫外線透過型にしたものである。 In Example 2, in addition to 100 parts by weight of the polyacryl as a base polymer, the pressure-sensitive adhesive layer of Example 1 is 100 parts by weight of a hexafunctional urethane acrylate oligomer as an ultraviolet curable compound, and benzoin isopropyl as an ultraviolet curing initiator. 8 parts by weight of ether is blended, and the base material is made into an ultraviolet transmission type.
表１における各比較例は、実施例２をベースに表１に示した粘着剤厚と弾性率を変化させたものである。 Each comparative example in Table 1 is based on Example 2 with the adhesive thickness and elastic modulus shown in Table 1 changed.
弾性率が高かった比較例１では粘着剤層が硬くなりすぎチップ飛びに問題があり、弾性率が低かった比較例２では軟らかすぎるためチッピングに問題があった。粘着剤層の厚みが厚かった比較例３ではチップの振動が抑制しきれずチッピングに問題があり、同厚みが薄かった比較例４ではチップの保持に十分な粘着力が得られずチップ飛びに問題があった。また、粘着剤層の厚みが厚く且つ弾性率が高い比較例５ではチッピングに問題があった。 In Comparative Example 1 where the elastic modulus was high, the pressure-sensitive adhesive layer was too hard, and there was a problem with chip skipping. In Comparative Example 2 where the elastic modulus was low, there was a problem in chipping because it was too soft. In Comparative Example 3 in which the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was large, chip vibration could not be suppressed, and there was a problem in chipping. In Comparative Example 4 in which the thickness was thin, sufficient adhesive force for holding the chip was not obtained, and there was a problem in chip skipping was there. Further, Comparative Example 5 having a thick adhesive layer and a high elastic modulus had a problem with chipping.
また、実施例１にあっては、比較例１〜５で行ったダイシング速度を１６０％に高速化しても、チップ飛び及びチッピングが生じなかった。 Moreover, in Example 1, even if the dicing speed performed in Comparative Examples 1 to 5 was increased to 160%, chip skipping and chipping did not occur.
本発明の半導体ウエハ・ダイシング方法は、特に発明の構成を最小限に抑えつつ半導体ウエハをダイシングした際のチッピング（半導体ウエハのチップに欠けを生じさせること）を防止でき、歩留の向上、ダイシング速度向上を可能にした半導体ウエハ・ダイシング方法に好適に用いられる。 The semiconductor wafer dicing method of the present invention can prevent chipping (causing chipping of the semiconductor wafer chip) when dicing the semiconductor wafer, while minimizing the configuration of the invention, and improving yield and dicing. It is suitably used for a semiconductor wafer dicing method that can improve the speed.
Claims (2)
半導体ウエハ・ダイシング用シートが、
シート状の基材と、該基材上に積層された粘着剤層を有する半導体ウエハ・ダイシング用シートであり、粘着剤層の厚みを３〜７μｍとし、該粘着剤層の弾性率を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃｍ2（測定温度２３℃、周波数１Ｈｚ）とし、該基材が紫外線透過性シートであり、該粘着剤層には紫外線硬化化合物を含有されていることを特徴とする、
半導体ウエハ・ダイシング方法。 In a semiconductor wafer dicing method for cutting a semiconductor wafer having a semiconductor wafer dicing sheet adhered to its back surface into chips,
Semiconductor wafer dicing sheet
4. A sheet for semiconductor wafer dicing having a sheet-like substrate and an adhesive layer laminated on the substrate, the thickness of the adhesive layer is 3 to 7 μm, and the elastic modulus of the adhesive layer is 5. 0 × 10 4 to 5.0 × 10 6 dyn / cm 2 (measuring temperature: 23 ° C., frequency: 1 Hz), the base material is an ultraviolet transmissive sheet, and the adhesive layer contains an ultraviolet curable compound. It is characterized by
Semiconductor wafer dicing method.
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