JP2008088022A - Method of manufacturing aluminum nitride substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板強度が高く、化学的耐性に優れ、高熱伝導性で高電気絶縁等に優れる窒化アルミニウム基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing an aluminum nitride substrate having high substrate strength, excellent chemical resistance, high thermal conductivity, and high electrical insulation.
窒化アルミニウム基板は、常温から高温の範囲まで基板強度が高く、化学的耐性にも優れているので、耐熱材料として用いられている。また、窒化アルミニウム基板は、高熱伝導性、高電気絶縁性を利用して半導体素子からの発熱の放熱材料として、例えば、発光ダイオード(Light Emitting Diode:以下、LEDという。)等の発光素子を搭載して収納するための発光素子収納用パッケージとして用いられている。このようにして用いられる窒化アルミニウム基板は、窒化アルミニウム自体が融点を持たずに、約2200℃以上の高温で分解するので、通常、焼結体として用いられている。この窒化アルミニウムの焼結体は、窒化アルミニウム粉末を単独で用いた場合には焼結性が悪いので、ホットプレス法で焼結する以外は高密度な焼結体を作製することが困難となっている。この焼結体を、常圧で焼結するには、窒化アルミニウム粉末に希土類酸化物や、アルカリ土類金属酸化物等の焼結助剤を添加し、1700〜1850℃程度の高温で焼成することでかなり密度が高く、熱伝導率の高い焼結体を作製することが可能となっている。 An aluminum nitride substrate is used as a heat-resistant material because it has high substrate strength from a room temperature to a high temperature range and excellent chemical resistance. In addition, the aluminum nitride substrate is mounted with a light emitting element such as a light emitting diode (hereinafter referred to as an LED) as a heat dissipation material for generating heat from the semiconductor element by utilizing high thermal conductivity and high electrical insulation. It is used as a light emitting element storage package for storage. The aluminum nitride substrate used in this manner is normally used as a sintered body because aluminum nitride itself does not have a melting point and decomposes at a high temperature of about 2200 ° C. or higher. Since this aluminum nitride sintered body has poor sinterability when an aluminum nitride powder is used alone, it is difficult to produce a high-density sintered body other than sintering by a hot press method. ing. In order to sinter the sintered body at normal pressure, a sintering aid such as rare earth oxide or alkaline earth metal oxide is added to the aluminum nitride powder and fired at a high temperature of about 1700 to 1850 ° C. This makes it possible to produce a sintered body having a considerably high density and high thermal conductivity.
図4に示すように、この焼結体からなる窒化アルミニウム基板50は、通常、焼結助剤を含有する窒化アルミニウムのシート状のセラミックグリーンシートに導体配線パターンを形成して複数枚を重ね合わせて温度と圧力をかけて積層体51を形成した後、セラミックグリーンシートと導体配線パターンを同時焼成して脱脂体を形成した後、更に、焼成して焼結体を作製している。この積層体51から脱脂体、及び焼結体を作製するためには、モリブデン(Mo)等の高融点金属板52上に積層体51を載置し、この積層体51の周囲の高融点金属板52上にMoの金属ブロックからなるスペーサー53を載置して積層体52を塞ぐようにして囲い、この状態のものを複数段重ね、最上段を更に高融点金属板52で蓋をして塞いで組立体54としている。そして、この組立体54は、Mo炉壁からなるメタル焼成炉のN2/H2雰囲気中で1300〜1400℃の4〜6時間焼成して脱脂を行った後、同じメタル焼成炉のN2/H2雰囲気中で1650〜1750℃の5〜7時間焼成して焼結を行って、窒化アルミニウム基板50を作製している。
As shown in FIG. 4, the
しかしながら、積層体51の脱脂を行った後、直接モリブデン(Mo)等の高融点金属板52上に載置して焼結を行う場合には、積層体51中の焼結助剤からのガラス成分が高融点金属板52に抽出して窒化アルミニウム基板50の表面に傷が発生する。そこで、図5に示すように、脱脂体55の焼結に際しては、脱脂体55を窒化アルミニウムからなるセッター56で両面から挟持している。更に、この挟持したものは、Mo等の高融点金属板52上に載置され、周囲をMoの金属ブロックからなるスペーサー53で囲い、この状態のものを複数段重ね、最上段を更に高融点金属板52で蓋をして塞いでいる。そして、脱脂体55は、Mo炉壁からなるメタル焼成炉のN2/H2雰囲気中で1650〜1750℃の5〜7時間焼成して、焼結体の窒化アルミニウム基板50を作製している。
However, when the laminate 51 is degreased and then directly placed on the refractory metal plate 52 such as molybdenum (Mo) and sintered, the glass from the sintering aid in the laminate 51 is used. The components are extracted into the refractory metal plate 52 and scratches are generated on the surface of the
従来の窒化アルミニウム基板の製造方法には、窒化アルミニウムのセラミックグリーンシートをホットプレス法で焼結したセッターを用いるものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、従来のセッターには、焼結助剤を用いない窒化アルミニウムの焼結体を用いるものが提案されている(例えば、特許文献2参照)。
更には、従来のセッターには、六方晶窒化硼素の焼結助剤を含有させた窒化アルミニウムの焼結体を用いるものが提案されている(例えば、特許文献3参照)。
As a conventional method of manufacturing an aluminum nitride substrate, a method using a setter obtained by sintering a ceramic green sheet of aluminum nitride by a hot press method has been proposed (for example, see Patent Document 1).
Further, as a conventional setter, one using an aluminum nitride sintered body that does not use a sintering aid has been proposed (for example, see Patent Document 2).
Furthermore, a conventional setter has been proposed that uses a sintered body of aluminum nitride containing a sintering aid for hexagonal boron nitride (see, for example, Patent Document 3).
しかしながら、前述したような従来の窒化アルミニウム基板の製造方法は、次のような問題がある。
(1)焼結助剤を含有する窒化アルミニウム基板の脱脂体を窒化アルミニウムセッターで挟持して焼結する時に、脱脂体から窒化アルミニウムセッター側に拡散しようとするガラス分は、窒化アルミニウムセッターにガラス吸収性ある場合には窒化アルミニウム基板の表面にシミが発生し、外観上の品質の低下をきたしている。
(2)窒化アルミニウム基板表面のシミ発生を防止するために、六方晶窒化硼素等の焼結助剤を含有する窒化アルミニウムでセッターを作製した場合には、比較的低い温度での常圧焼成法で焼結することでセッターを安価にすることができると共に、ガラス吸収性を小さくして作製することができるものの、セッターの強度が低くなるので、繰り返しの使用で変形が発生しやすく寿命が短くなっている。
(3)焼結助剤を用いない窒化アルミニウムセッターを高温のホットプレス法等で焼結して作製する場合には、セッターの強度が高く、セッターの繰り返しの使用に耐えることができるものの、セッターが高価となって窒化アルミニウム基板がコストアップとなっている。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、耐久性が高く、ガラス吸収性の小さい安価なセッターを用いてシミの発生を防止する安価な窒化アルミニウム基板の製造方法を提供することを目的とする。
However, the conventional method for manufacturing an aluminum nitride substrate as described above has the following problems.
(1) When a degreased body of an aluminum nitride substrate containing a sintering aid is sandwiched between aluminum nitride setters and sintered, the glass component to be diffused from the degreased body to the aluminum nitride setter side is glass in the aluminum nitride setter. If it is absorptive, spots are generated on the surface of the aluminum nitride substrate, resulting in a deterioration in quality on appearance.
(2) When the setter is made of aluminum nitride containing a sintering aid such as hexagonal boron nitride in order to prevent the generation of spots on the aluminum nitride substrate surface, a normal pressure firing method at a relatively low temperature Although the setter can be made cheaper by sintering with glass, and the glass absorbability can be made smaller, the strength of the setter is reduced, so deformation is likely to occur with repeated use and the life is shortened. It has become.
(3) When an aluminum nitride setter that does not use a sintering aid is sintered by high-temperature hot pressing or the like, the setter has high strength and can withstand repeated use of the setter. This increases the cost of the aluminum nitride substrate.
The present invention has been made in view of such circumstances, and provides an inexpensive aluminum nitride substrate manufacturing method that prevents the occurrence of spots using an inexpensive setter having high durability and low glass absorbability. With the goal.
前記目的に沿う本発明に係る窒化アルミニウム基板の製造方法は、焼結助剤を含有する窒化アルミニウムグリーンシートの積層体を脱脂焼成して脱脂体を形成した後、焼結して焼結体を形成する窒化アルミニウム基板の製造方法において、積層体をモリブデン板上に載置してモリブデンスぺーサー及びモリブデン板で外周囲を塞ぐようにして脱脂焼成して脱脂体を形成する工程と、脱脂体を実質的に焼結助剤を含有しない99.5%以上の窒化アルミニウム粉末からなる造粒粉末を粉体プレス成形した後、1850〜1950℃、10〜15時間の常圧焼成法で焼結する窒化アルミニウムセッターで両面を挟持する工程と、窒化アルミニウムセッターで挟持された脱脂体をモリブデン板上に載置してモリブデンスぺーサー及びモリブデン板で外周囲を塞ぐようにして焼結して焼結体を形成する工程を有する。 The method for manufacturing an aluminum nitride substrate according to the present invention in accordance with the above object is to degrease and fire a laminated body of aluminum nitride green sheets containing a sintering aid to form a degreased body, and then sinter the sintered body. In the method for manufacturing an aluminum nitride substrate to be formed, a step of forming a degreased body by placing the laminate on a molybdenum plate and degreasing and firing so as to close the outer periphery with a molybdenum spacer and a molybdenum plate; After a granulated powder composed of 99.5% or more aluminum nitride powder substantially containing no sintering aid is powder press-molded, it is sintered by a normal pressure firing method at 1850 to 1950 ° C. for 10 to 15 hours. A process of sandwiching both surfaces with an aluminum nitride setter, and placing a degreased body sandwiched between aluminum nitride setters on a molybdenum plate with a molybdenum spacer and a molybdenum plate. A step of forming a sintered body by sintering so as to block the periphery.
ここで、上記の窒化アルミニウム基板の製造方法は、窒化アルミニウムセッターの窒化アルミニウム平均粒径が20〜30μmを有すると共に、表面が研削された平坦面を有するのがよい。 Here, in the above method for manufacturing an aluminum nitride substrate, the aluminum nitride setter preferably has an aluminum nitride average particle diameter of 20 to 30 μm and a flat surface whose surface is ground.
請求項1又はこれに従属する請求項2記載の窒化アルミニウム基板の製造方法は、積層体をモリブデン板上に載置してモリブデンスぺーサー及びモリブデン板で外周囲を塞ぐようにして脱脂焼成して脱脂体を形成する工程と、脱脂体を実質的に焼結助剤を含有しない99.5%以上の窒化アルミニウム粉末からなる造粒粉末を粉体プレス成形した後、1850〜1950℃、10〜15時間の常圧焼成法で焼結する窒化アルミニウムセッターで両面を挟持する工程と、窒化アルミニウムセッターで挟持された脱脂体をモリブデン板上に載置してモリブデンスぺーサー及びモリブデン板で外周囲を塞ぐようにして焼結して焼結体を形成する工程を有するので、緻密で耐久性が高く、安価なセッターを用いて、セラミックグリーンシートに含有する焼結助剤のセッターへの吸い込みを防止して焼結後の窒化アルミニウム基板の表面のシミ発生を防止する安価な窒化アルミニウム基板の製造方法を提供することができる。
The method of manufacturing an aluminum nitride substrate according to
特に、請求項2記載の窒化アルミニウム基板の製造方法は、窒化アルミニウムセッターの窒化アルミニウム平均粒径が20〜30μmを有すると共に、表面が研削された平坦面を有するので、窒化アルミニウム基板のセラミックグリーンシートに含有する焼結助剤のセッターへの吸い込みを確実に防止して焼結後の窒化アルミニウム基板の表面のシミ発生を防止できると共に、平面度の高いセッターに倣って反りの少ない窒化アルミニウム基板の製造方法を提供することができる。
In particular, in the method for manufacturing an aluminum nitride substrate according to
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施するための最良の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図1(A)〜(C)はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る窒化アルミニウム基板の製造方法の説明図、図2は同窒化アルミニウム基板の製造工程図、図3は同窒化アルミニウム基板の製造方法で用いるセッターの製造工程図である。
Subsequently, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the accompanying drawings to provide an understanding of the present invention.
1A to 1C are explanatory views of a method of manufacturing an aluminum nitride substrate according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the aluminum nitride substrate, and FIG. It is a manufacturing process figure of the setter used with the manufacturing method of an aluminum substrate.
本発明の一実施の形態に係る窒化アルミニウム基板の製造方法で作製される窒化アルミニウム基板には、半導体素子等を搭載させるためとして様々な形態のものがある。例えば、LED等の発光素子を搭載するための発光素子収納用パッケージは、平面視して、矩形状や、多角形や、円形等からなる平板形状の窒化アルミニウム基体上に、内周が多角形や、円形等からなり、外周が矩形状や、多角形や、円形等からなる窓枠形状のセラミック製や、金属製や、樹脂製等からなる枠体が接合されて形成されている。そして、この発光素子収納用パッケージは、枠体の開口部から露出する窒化アルミニウム基体の上面と、枠体の開口部の壁面で形成されるキャビティ部に発光素子が搭載できるようになっている。この窒化アルミニウム基板は、焼成温度1700℃〜1800℃程度の常圧焼結法で焼成されて焼結後の熱伝導率を160〜180W/mKと極めて高くでき、例えば、発光素子収納用パッケージに収納される発光素子からの発熱を効率よく伝熱させて外部に放熱させることができるようになっている。 The aluminum nitride substrate manufactured by the method for manufacturing an aluminum nitride substrate according to one embodiment of the present invention has various forms for mounting a semiconductor element or the like. For example, a light-emitting element storage package for mounting a light-emitting element such as an LED has a polygonal inner periphery on a flat plate-shaped aluminum nitride substrate having a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or the like in plan view. In addition, the frame is made of a window frame-shaped ceramic made of a round shape or the like, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or the like, or a frame made of a metal, a resin, or the like. In this light emitting element storage package, the light emitting element can be mounted on the cavity formed by the upper surface of the aluminum nitride substrate exposed from the opening of the frame and the wall surface of the opening of the frame. This aluminum nitride substrate is fired by a normal pressure sintering method at a firing temperature of about 1700 ° C. to 1800 ° C., and the heat conductivity after sintering can be extremely high as 160 to 180 W / mK. Heat generated from the light emitting element to be stored can be efficiently transferred and radiated to the outside.
上記の窒化アルミニウム基板を形成するための窒化アルミニウムは、基板をを高熱伝導率、及び高透光性に形成するために、焼結をより完全に行うためのホットプレス法が採用される場合がある。しかしながら、ホットプレス法での焼結は、設備が大がかりになるのと、量産性に欠けるので、窒化アルミニウム基板のコストアップとなる。従って、安価な窒化アルミニウム基板を形成するためには、常圧焼結法を用いることが必要となる。この常圧焼結法によって、窒化アルミニウム基板は、量産性に富む、安価な基板を作製することができるようになる。 In order to form the substrate with high thermal conductivity and high translucency, aluminum nitride for forming the above aluminum nitride substrate may employ a hot press method for more complete sintering. is there. However, the sintering by the hot press method increases the cost of the aluminum nitride substrate because of the large equipment and lack of mass productivity. Therefore, in order to form an inexpensive aluminum nitride substrate, it is necessary to use a normal pressure sintering method. By this atmospheric pressure sintering method, an aluminum nitride substrate can be manufactured with a high productivity and an inexpensive substrate.
次いで、図1(A)〜(C)、図2、図3を参照しながら、窒化アルミニウム基板10の製造方法を説明する。
図1(A)〜(C)に示すように、本発明の一実施の形態に係る窒化アルミニウム基板10の製造方法には、窒化アルミニウム基板10の焼結前のセラミックグリーンシートを複数枚重ね合わせて形成される積層体11が用いられている。下記に、図2に示す製造工程図に従って、セラミックグリーンシートの作製から積層体11の焼結までの窒化アルミニウム基板10の製造方法を説明する。
Next, a method for manufacturing the
As shown in FIGS. 1A to 1C, a method for manufacturing an
(1)セラミックグリーンシート作製工程
窒化アルミニウム基板10には、焼結前の窒化アルミニウムからなるセラミックグリーンシートが用いられている。このセラミックグリーンシートは、窒化アルミニウム粉末原料に、イットリア(Y2O3)、カルシア(CaO)、アルミナ(Al2O3)等の焼結助剤を添加し、例えば、ブチラール樹脂等のバインダーと、ジオクチルフタレート等の可塑剤と、分散剤と、及びトルエン、キシレン、ブタノール等の溶剤を加え、樹脂製のボールミルで十分に混練した後、粘度を調整し、真空脱泡してスラリーを形成している。そして、スラリーからは、ドクターブレード法等によって、例えば、厚さ0.2mm程度のシート状に乾燥したセラミックグリーンシートを形成している。更に、シート状のセラミックグリーンシートからは、適当なサイズにカットして窒化アルミニウム基板10用のセラミックグリーンシートを作製している。
(1) Ceramic Green Sheet Manufacturing Step For the
(2)導体印刷パターン形成工程
次に、1又は複数枚のそれぞれのセラミックグリーンシートには、必要に応じて、上、下層を電気的に導通状態とするためのビア用等の貫通孔を打ち抜き金型や、パンチングマシーン等を用いて穿設した後、例えば、タングステンや、モリブデン等の高融点金属からなる導体ペーストを用いてスクリーン印刷してビア用や、導体配線パターン用や、各種接続端子パッド用等の導体印刷パターンを形成している。
(2) Conductor printed pattern forming step Next, if necessary, through holes for vias and the like for making the upper and lower layers electrically conductive are punched in one or more ceramic green sheets. After drilling using a die or punching machine, for example, screen printing using a conductive paste made of a high melting point metal such as tungsten or molybdenum, for vias, for conductor wiring patterns, and various connection terminals A conductor print pattern for pads or the like is formed.
(3)積層体形成工程
次に、導体印刷パターンが形成された複数枚のセラミックグリーンシートは、それぞれを重ね合わせて、温度と圧力をかけて接着して積層体11を形成している。
(3) Laminate Forming Step Next, the plurality of ceramic green sheets on which the conductor print pattern is formed are overlapped with each other and bonded by applying temperature and pressure to form the laminate 11.
(4)脱脂工程
次に、積層体11は、耐熱性が高く変形発生の少ない高融点金属であるモリブデン(Mo)板12上に載置してモリブデンスぺーサー13及びモリブデン板12で外周囲を塞ぐようにしている。また、この積層体11が載置されたそれぞれのモリブデン板12は、焼成効率を向上させるために、モリブデンスぺーサー13を挟んで多段に積み上げ、更に最上部をモリブデン板12で蓋をするようにして組立体14としている(図1(A)参照)。そして、組立体14は、例えば、発熱体がモリブデンや、タングステンや、白金ロジウム等の金属からなり、炉壁がモリブデン等からなるメタル焼成炉内に投入している。この焼成炉は、炉内を窒素と、水素の非酸化性雰囲気として昇温するようにしている。焼成炉内の積層体11は、温度1300〜1400℃程度に時間2〜10時間程度通過させてセラミックグリーンシート中のバインダーの除去である脱脂を行って、脱脂体15を形成している。
(4) Degreasing step Next, the laminated body 11 is placed on a molybdenum (Mo) plate 12 which is a high melting point metal having high heat resistance and little deformation, and is surrounded by a molybdenum spacer 13 and a molybdenum plate 12. To block. In addition, each molybdenum plate 12 on which this laminate 11 is placed is stacked in multiple stages with a molybdenum spacer 13 interposed therebetween in order to improve firing efficiency, and the uppermost portion is covered with the molybdenum plate 12. Thus, an
(5)焼結工程
次に、積層体11から脱脂を行った脱脂体15は、組立体14から取り出されて、焼結を行うために再度組立体14aに形成される(図1(B)参照)。すなわち、組立体14aの形成は、先ず、モリブデン板12上に窒化アルミニウムセッター16を載置し、この窒化アルミニウムセッター16上に脱脂体15を載置し、更に脱脂体15上に窒化アルミニウムセッター16を載置して脱脂体15の両面を窒化アルミニウムセッター16で挟持するようにしている。更に、窒化アルミニウムセッター16で挟持された脱脂体15は、モリブデンスぺーサー13及びモリブデン板12で外周囲を塞ぐようにして多段に積み上げ、更に最上部をモリブデン板12で蓋をするようにして組立体14aとしている。そして、組立体14aは、例えば、脱脂体15を作製した焼成炉と同様の発熱体がモリブデンや、タングステンや、白金ロジウム等の金属からなり、炉壁がモリブデン等からなるメタル焼成炉内に投入している。この焼成炉は、炉内を窒素と、水素の非酸化性雰囲気として昇温するようにしている。焼成炉内の脱脂体15は、温度1700〜1800℃程度に時間2〜8時間程度通過させる常圧焼成法で焼結体からなる窒化アルミニウム基板10を作製している(図1(C)参照)。
(5) Sintering Step Next, the degreased
ここで、図3に示す製造工程図に従って、上記の焼結工程で用いる窒化アルミニウムセッター16の作製方法を説明する。
(1)窒化アルミニウム粉末準備工程
窒化アルミニウムセッター16を作製するための窒化アルミニウム粉末原料としては、平均粒径が5〜10μm程度のものを準備している。
(2)造粒粉末作製工程
次に、実質的に焼結助剤を含有しない99.5%以上の窒化アルミニウム粉末には、樹脂、溶剤、可塑剤等を含有させて混練させた後、スプレードライヤーで乾燥させて平均粒径80μm程度の造粒粉末を作製している。
(3)粉体プレス成形工程
次に、造粒粉末は、上金型、ダイス、及び下金型からなる粉体プレス成型機を用いて板状の成形体に形成している。
(4)焼結工程
次に、成形体は、発熱体がモリブデンや、タングステンや、白金ロジウム等の金属からなり、炉壁がモリブデン等からなるメタル焼成炉内に投入している。この焼成炉は、炉内を窒素と、水素の非酸化性雰囲気として昇温するようにしている。焼成炉内の成形体は、温度1850〜1950℃程度に時間10〜15時間程度通過させる常圧焼成法て焼結して焼結体からなる窒化アルミニウムセッター16に作製している。この様に作製される窒化アルミニウムセッター16は、実質的に焼結助剤を含まない窒化アルミニウムを緻密に粉体プレス成形し、高温の1850〜1950℃、長時間の10〜15時間で、しかも常圧焼成法で焼結しているので、焼結後の窒化アルミニウムセッター16の窒化アルミニウム平均粒径が20〜30μmと粒成長させることができ、緻密でガラス吸収性が小さく、曲げ強度の高い、安価な窒化アルミニウムセッター16とすることができる。従って、これを用いて作製される窒化アルミニウム基板10は、シミ発生を防止する安価な基板とすることができる。
(5)平面研削工程
上記の焼成体は、必要に応じて、平面研削機で研削して両面を平面状態とする窒化アルミニウムセッター16に作製している。これにより、反りの少ない窒化アルミニウム基板10を容易に作製することができる。
Here, a manufacturing method of the
(1) Aluminum nitride powder preparation process As an aluminum nitride powder raw material for producing the
(2) Granulated powder preparation step Next, 99.5% or more aluminum nitride powder substantially containing no sintering aid is mixed with a resin, a solvent, a plasticizer and the like, and then sprayed. A granulated powder having an average particle size of about 80 μm is produced by drying with a dryer.
(3) Powder press molding process Next, the granulated powder is formed into a plate-shaped molded body using a powder press molding machine comprising an upper die, a die, and a lower die.
(4) Sintering process Next, the molded body is put into a metal firing furnace in which a heating element is made of a metal such as molybdenum, tungsten, or platinum rhodium, and a furnace wall is made of molybdenum or the like. In this firing furnace, the temperature in the furnace is raised as a non-oxidizing atmosphere of nitrogen and hydrogen. The formed body in the firing furnace is made into an
(5) Surface Grinding Step The above-mentioned fired body is produced in an
なお、上記の窒化アルミニウムセッター16は、焼成温度が1850℃を下まわったり、焼成時間が10時間を下まわったりすると、粒成長が不足して緻密なセッターとすることが難しくなる。また、窒化アルミニウムセッター16は、焼成温度が1950℃を上まわったり、焼成時間が15時間を上まわったりすると、焼成炉の劣化が早くなり、安価なセッターを得ることが難しくなる。更に、上記の窒化アルミニウムセッター16の窒化アルミニウム粉末が99.5%以上とするのは、実質的には焼結助剤を含有しないで、0.5%未満の不純物としての焼結助剤が含有しても許容できる範囲であることを表している。
Note that the
本発明の窒化アルミニウム基板の製造方法で作製される窒化アルミニウム基板は、LED等の発光素子を搭載させて照明や、ディスプレイ等に用いることができる。また、本発明の窒化アルミニウム基板の製造方法で作製される窒化アルミニウム基板は、高放熱特性や、高反射率を必要とする電子部品を搭載するためのパッケージにも適用することができる。 The aluminum nitride substrate manufactured by the method for manufacturing an aluminum nitride substrate of the present invention can be used for illumination, a display, or the like by mounting a light emitting element such as an LED. The aluminum nitride substrate produced by the method for producing an aluminum nitride substrate of the present invention can also be applied to a package for mounting electronic components that require high heat dissipation characteristics and high reflectivity.
10:窒化アルミニウム基板、11:積層体、12:モリブデン板、13:モリブデンスペーサー、14、14a:組立体、15:脱脂体、16:窒化アルミニウムセッター 10: Aluminum nitride substrate, 11: Laminated body, 12: Molybdenum plate, 13: Molybdenum spacer, 14, 14a: Assembly, 15: Degreased body, 16: Aluminum nitride setter
Claims (2)
前記積層体をモリブデン板上に載置してモリブデンスぺーサー及び前記モリブデン板で外周囲を塞ぐようにして前記脱脂焼成して前記脱脂体を形成する工程と、
前記脱脂体を実質的に焼結助剤を含有しない99.5%以上の窒化アルミニウム粉末からなる造粒粉末を粉体プレス成形した後、1850〜1950℃、10〜15時間の常圧焼成法で焼結する窒化アルミニウムセッターで両面を挟持する工程と、
前記窒化アルミニウムセッターで挟持された前記脱脂体を前記モリブデン板上に載置して前記モリブデンスぺーサー及び前記モリブデン板で外周囲を塞ぐようにして焼結して前記焼結体を形成する工程を有することを特徴とする窒化アルミニウム基板の製造方法。 In the method of manufacturing an aluminum nitride substrate in which a laminated body of aluminum nitride green sheets containing a sintering aid is degreased and fired to form a degreased body, and then sintered to form a sintered body.
Placing the laminate on a molybdenum plate and closing the outer periphery with a molybdenum spacer and the molybdenum plate to form the degreased body by degreasing and firing;
The degreased body is powder-press-molded with a granulated powder composed of 99.5% or more aluminum nitride powder substantially containing no sintering aid, and then subjected to atmospheric pressure firing at 1850 to 1950 ° C. for 10 to 15 hours. Sandwiching both sides with an aluminum nitride setter sintered at
A step of placing the degreased body sandwiched between the aluminum nitride setters on the molybdenum plate and sintering the outer periphery with the molybdenum spacer and the molybdenum plate to form the sintered body. A method for producing an aluminum nitride substrate, comprising:
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JP2006271342A JP2008088022A (en) | 2006-10-03 | 2006-10-03 | Method of manufacturing aluminum nitride substrate |
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Cited By (2)
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-
2006
- 2006-10-03 JP JP2006271342A patent/JP2008088022A/en active Pending
Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2012152508A (en) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | Vacuum cleaner |
CN115677361A (en) * | 2022-10-11 | 2023-02-03 | 广西晶联光电材料有限责任公司 | Normal-pressure sintering method of ITO target material |
CN115677361B (en) * | 2022-10-11 | 2023-08-11 | 广西晶联光电材料有限责任公司 | Normal-pressure sintering method of ITO target |
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