JP2008083314A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】透過開口率等の向上を図ることが可能な半透過反射型の液晶装置を提供する。
【解決手段】液晶装置は、単位サブ画素を構成する行列状に配列された画素電極と、その各々に対応して設けられた複数のＴＦＤ素子と、画素電極の各々に対応して設けられ、ＴＦＤ素子の各々に電気的に接続された複数の導電膜と、を有する素子基板を備え、導電膜の各々は、遮光性を有する材料により形成され、画素電極の各々と電気的に接続されるコンタクト部を有すると共に、相隣接する画素電極の間の平面領域に設けられている。つまり、導電膜は、画素電極と電気的に接続するためのコンタクト機能と、相隣接する画素電極の間を遮光する機能とを兼ね備え、その導電膜が、本来的に遮光領域となる、相隣接する画素電極の間の平面領域に設けられている。これにより、透過領域を大きくする必要がある場合に、単位サブ画素領域における透過領域の大きさを大きくでき、透過開口率を向上させることができる。
【選択図】図４

Description

本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置及び電子機器に関する。

従来より、透過型表示及び反射型表示の両方の表示モードを有し、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等のスイッチング素子を備える半透過反射型の液晶装置が一般的に良く知られている。

この種の液晶装置として、スイッチング素子が設けられる素子基板側において、樹脂散乱層を設けてその上に反射層を形成することで反射領域を形成すると共に、その反射領域の近傍位置に透過領域を形成し、透過領域の液晶層の厚さを反射領域の液晶層の厚さより大きく設定してなるマルチギャップ構造を有する液晶装置の一例が特許文献１に記載されている。

この特許文献１に記載の液晶装置では、透過領域と反射領域の間における樹脂散乱層等のテーパー状の部分に対応する位置に、画素電極とデータ線及びＴＦＤ素子とを電気的に接続する遮光性導電膜を形成して、その領域を光り抜け防止を図る遮光領域としている。

特開２００６−５８６２９号公報

しかしながら、上記の特許文献１に記載の液晶装置では、遮光性導電膜が透過領域及び反射領域を有するサブ画素領域内に形成されているため、その分、透過領域及び反射領域が小さくなってしまい、透過開口率及び反射開口率が低下してしまうという問題がある。

本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、透過開口率及び反射開口率の向上を図ることが可能な半透過反射型の液晶装置及びそれを用いた電子機器を提供することを課題とする。

本発明の１つの観点では、液晶装置は、単位サブ画素を構成する行列状に配列された画素電極と、前記画素電極の各々に対応して設けられた複数のスイッチング素子と、前記画素電極の各々に対応して設けられ、前記スイッチング素子の各々に電気的に接続された複数の導電膜と、を有する基板を備え、前記導電膜の各々は、遮光性を有する材料により形成され、前記画素電極の各々と電気的に接続されるコンタクト領域を有するとともに、相隣接する前記画素電極の間の平面領域に設けられている。

上記の液晶装置は、最小表示単位となる単位サブ画素を構成する行列状に配列された画素電極と、画素電極の各々に対応して設けられ、例えばＴＦＤ素子などの二端子型非線形素子又はＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子などの三端子素子に代表される複数のスイッチング素子と、画素電極の各々に対応して設けられ、スイッチング素子の各々に電気的に接続された複数の導電膜と、を有する基板を備えている。そして、導電膜の各々は、例えばクロムなどの遮光性を有する材料により形成され、画素電極の各々と電気的に接続されるコンタクト領域を有するとともに、相隣接する画素電極の間の平面領域に設けられている。つまり、この構成によれば、遮光性を有する導電膜は、画素電極と電気的に接続するためのコンタクト機能（接続機能）と、相隣接する画素電極の間を遮光する機能とを兼ね備え、その導電膜が、本来的に遮光領域となる、相隣接する画素電極の間の平面領域に設けられている。これにより、単位サブ画素内に導電膜を設けてなる画素構成と比較して、単位サブ画素における表示領域（単位サブ画素領域）を大きくすることができる。

そのため、透過型の液晶装置や半透過反射型の液晶装置に対してこの画素構成を適用した場合であって、仕様によって透過領域を大きくする必要がある場合に、単位サブ画素領域における透過領域の大きさを大きくすることができる。その結果、透過開口率を向上させることができる。

好適な例では、前記導電膜は、例えば、データ線の延在方向となる前記列の方向に相隣接する前記画素電極の間に対応して設けられているのが好ましい。また、前記単位サブ画素は、透過型表示が行われる透過領域と、反射型表示が行われる反射領域と、を備え、前記反射領域は、表面に凹凸を有し、光を散乱させる散乱層と、前記散乱層上に形成され、光を反射する反射層と、を有し、前記スイッチング素子は、前記単位サブ画素内における前記反射層の下側に配置され、当該単位サブ画素を構成する前記画素電極に対して、前記列の方向に隣接する他の前記画素電極と前記導電膜を通じて電気的に接続されているのが好ましい。また、前記スイッチング素子と前記導電膜とは一体的に又は独立に形成されているのが好ましい。

上記の液晶装置の一つの態様では、前記基板に液晶を介して対向する対向基板を備え、前記対向基板は、前記列の方向に相隣接する前記画素電極の間に、且つ、前記導電膜と平面的に重ならない位置に又は前記導電膜の端部と部分的に重なる位置に、且つ、前記画素電極の隅の位置に対応して設けられた遮光層を有し、当該列の方向に相隣接する前記画素電極の間の前記平面領域は、前記導電膜と前記遮光層の両方によって遮光されている。

この態様では、基板に液晶を介して対向する対向基板を備えている。そして、対向基板は、前記列の方向に相隣接する画素電極の間に、且つ、導電膜と平面的に重ならない位置に又は導電膜の端部と部分的に重なる位置に、且つ、画素電極の隅の位置に対応して設けられた遮光層を有する。また、当該列の方向に相隣接する画素電極の間の平面領域は、導電膜と遮光層の両方によって遮光されている。これにより、前記列の方向に相隣接する画素電極の間に対応する位置全体に遮光層を有する構成と比較して、遮光層の面積を小さくすることができる。そのため、例えば、半透過反射型の液晶装置であって、導電膜と反射領域の部分とが平面的に重なる構成を有する液晶装置の場合、導電膜と平面的に重なる反射領域の殆どの部分は、遮光層によって遮光されずに反射領域として用いることができ、その分、反射領域の大きさを大きくすることができる。その結果、反射開口率を向上させることができる。

本発明の他の観点では、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。

以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の実施形態は、本発明を液晶装置に適用したものである。

[液晶装置の構成]
まず、図１乃至図３を参照して、本発明の実施形態に係る液晶装置の電極及び配線構成等を中心とした平面構成について説明する。図１は、本発明の液晶装置１００の電極及び配線等を中心とした構成を模式的に示す平面図である。

液晶装置１００は、反射表示モード及び透過表示モードの両表示モードを有する半透過反射型の液晶装置であり、スイッチング素子の一例としてのＴＦＤ素子２１を有する素子基板９１と、カラーフィルタ（着色層）６を有するカラーフィルタ基板９２とが、複数の金属粒子などの導通部材７が混入された枠状のシール材３を介して貼り合わされ、そのシール材３の内側に液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。また、この液晶装置１００は、素子基板９１側において、表示電極たる画素電極１０と、データ線３２及びＴＦＤ素子２１等とが樹脂散乱層１７にて絶縁されたオーバーレイヤー構造を備えて構成されている。

（素子基板の平面構成）
図１及び図２を参照して、電極及び配線構成を中心とした素子基板９１の平面構成について説明する。図２は、図１において素子基板９１を正面視したときの当該素子基板９１の電極及び配線等を中心とした構成を模式的に示す平面図である。

素子基板９１は、第１基板１、引き回し配線３１、データ線３２、遮光膜３７、ＹドライバＩＣ３３、ＸドライバＩＣ３４、外部接続用配線３５、及び画素電極１０を有する。

第１基板１は、ガラスなどの絶縁性材料により形成されている。第１基板１は、シール材３の内側に設けられた表示に寄与する有効表示領域Ｖと、第１基板１の外形と有効表示領域Ｖの間に設けられた表示に寄与しない額縁領域３８と、カラーフィルタ基板９２の一辺側から外側へ張り出してなる張り出し領域３６と、を有する。

ここで、有効表示領域Ｖは、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明導電材料よりなる画素電極１０が配置されて表示の最小単位となる１つのサブ画素領域（破線にて囲まれる領域；単位サブ画素領域）ＳＧが行列状に配列されてなる領域である。張り出し領域３６は、ＸドライバＩＣ３４及びＹドライバＩＣ３３が実装される領域である。

ＸドライバＩＣ３４及びＹドライバＩＣ３３は、例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して、第１基板１の張り出し領域３６に実装されている。

ＸドライバＩＣ３４及びＹドライバＩＣ３３の各入力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数の外部用接続配線３５に夫々電気的に接続されている。外部接続用配線３５は、ＡＣＦや半田などを介して、図示しない配線基板、例えばフレキシブルプリント基板に電気的に接続される。また、ＸドライバＩＣ３４の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線３２に電気的に接続されている一方、ＹドライバＩＣ３３の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数の引き回し配線３１に電気的に接続されている。これらの構成により、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から、ＹドライバＩＣ３３を介して複数の引き回し配線３１に走査信号が、また、ＸドライバＩＣ３４を介して複数のデータ線３２にデータ信号が夫々出力される。

各引き回し配線３１は、張り出し領域３６側の一辺９１ａからその逆側に位置する一辺９１ｃ側に向かって延在する本線部分３１ａと、その本線部分３１ａの終端部からシール材３に向かって略直角に折れ曲がる折れ曲がり部分３１ｂと、を有する。各本線部分３１ａは、各ＹドライバＩＣ３３の出力端子に電気的に接続されている一方、各折れ曲がり部分３１ｂは、紙面左側又は紙面右側に位置するシール材３内まで延在するように形成され、シール材３内に混入された導通部材７と電気的に接続されている。

各データ線３２は、例えばクロムなどの遮光性を有する材料にて形成され、張り出し領域３６側から有効表示領域Ｖ側に向かって延在するように形成されている。なお、本明細書では、データ線３２の延在方向を列方向と称すると共に、データ線３２の延在方向と直交する方向及び走査電極８の延在方向を列方向と称する。各データ線３２は、その延在方向に列をなすサブ画素領域ＳＧ毎に対応して設けられた複数のＴＦＤ素子と電気的に共通接続されている。

各ＴＦＤ素子２１は、自身が配置されるサブ画素領域ＳＧに対して、前記列方向に隣接する他のサブ画素領域ＳＧに対応して設けられた各画素電極１０に、後述する導電膜２２を通じて電気的に接続されている。

遮光膜３７は、クロムなどの遮光性を有する材料にて島状に形成され、有効表示領域Ｖ内において、行方向に隣接する画素電極１０の間であって、且つ、各画素電極１０の両側に対応して設けられている。このように、遮光膜３７は、島状に形成されて画素電極１０毎に対応して設けられているため、クロストークの発生防止が図られている。

（カラーフィルタ基板の平面構成）
図１及び図３を参照して、電極構成を中心としたカラーフィルタ基板９２の平面構成について説明する。図３は、図１においてカラーフィルタ基板９２を正面視方向と逆方向から観察したときの当該カラーフィルタ基板９２の電極等を中心とした構成を模式的に示す平面図である。

カラーフィルタ基板９２は、第１基板１に対向配置される第２基板２、及び走査電極８を有する。

第２基板２は、第１基板１と同様の材料にて形成され、シール材３の内側に設けられた有効表示領域Ｖと、第２基板２の外形と有効表示領域Ｖの間に設けられた額縁領域３８と、を有する。

各走査電極８は、ＩＴＯなどの透明導電材料にて形成され、データ線３２及び遮光膜３７等の延在方向と直交する方向に延在してなる。各走査電極８の左端部又は右端部は、シール材３内まで延在するように形成され、シール材３内に混入された導通部材７に電気的に接続されている。

以上に述べた素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール材３を介して貼り合わされた状態が図１に示されている。同図に示すように、カラーフィルタ基板９２の各走査電極８は、行方向に配列された各画素電極１０と平面的に重なり合っている。このように、各走査電極８と各画素電極１０とが平面的に重なり合う領域が、上記した表示の最小単位となる１つのサブ画素領域ＳＧを構成する。

また、カラーフィルタ基板９２の各走査電極８と、素子基板９１の各引き回し配線３１とは、同図に示すように、左辺側と右辺側との間で交互に平面的に重なり合っており、各走査電極８と、対応する各引き回し配線３１とは、シール材３内の導通部材３を通じて上下導通している。つまり、各走査電極８と、対応する各引き回し配線３１との導通は、左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。これにより、各ＹドライバＩＣ３３は、各引き回し配線３１を介して、対応する各走査電極８に走査信号を出力することが可能となっている。

[画素構成]
次に、図４及び図５を参照して、画素構成について説明する。なお、以下では、１つのサブ画素領域ＳＧ｛データ線３２の延在方向となる列方向の長さｄｙ、及び、データ線３２の延在方向と直交する方向（走査電極８の延在方向）となる行方向の長さｄｘを有する領域｝に対応する表示領域を「単位サブ画素」と、また、前記行方向に配列された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のサブ画素領域ＳＧに対応する表示領域を「１画素」と夫々称することがある。

図４は、２画素分に対応する素子基板９１の平面構成を示す。なお、図４では、走査電極８及びＢＭと画素電極１０との相対的な位置関係の理解を容易とするため、ＢＭの位置をハッチングにて、また、走査電極８の位置を二点鎖線にて示す。図５は、図４の切断線Ａ−Ａ’に沿った液晶装置１００の断面構成を示し、特に、１つのサブ画素領域ＳＧにおける反射領域Ｅｒ及び透過領域Ｅｔを含む位置で切断した断面構成を示す。

まず、素子基板９１に対応する画素構成は次の通りである。

第１基板１は、行列状に配列されたサブ画素領域ＳＧを備え、各サブ画素領域ＳＧは、光を反射させる反射層５を有し、反射型表示が行われる反射領域Ｅｒと、反射層５の一部を開口することにより形成され、透過型表示が行われる透過領域Ｅｔと、を有する。なお、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のサブ画素領域ＳＧにより１つの画素領域Ｇが構成される。

第１基板１上であって、前記行方向に相隣接する各画素電極１０の間には、一対のデータ線３２及び遮光膜３７が前記列方向に延在するように形成されている。このため、前記列方向に配列された各画素電極１０は、前記行方向に相隣接する２対のデータ線３２及び遮光膜３７によって狭持されている。各データ線３２は、第１基板１上であって、各画素電極１０の隅に対応する位置に且つ反射層５の下側の位置に設けられた各ＴＦＤ素子２１に電気的に接続されている。

ＴＦＤ素子２１は、第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂを含んで構成される。第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂは、ＴａＷ（タンタルタングステン）などからなる島状の第１金属膜３２２と、この第１金属膜３２２の表面を陽極酸化することによって形成されたＴａ_２Ｏ_５（酸化タンタル）等からなる絶縁膜３２３と、この表面に形成されて相互に離間してなる第２金属膜３１６、３３６と、この第２金属膜３１６の一端側に設けられ、当該第２金属膜３１６と一体的に形成された矩形状の導電膜２２と、を有する。第２金属膜３１６、３３６、及び導電膜２２は、クロム等の遮光性を有する導電膜をパターニングすることにより形成されており、前者の第２金属膜３３６は、データ線３２からＴ字状に分岐したものが用いられる一方、後者の導電膜２２の一部（コンタクト部２２ａ）は、後述する画素電極１０に電気的に接続（コンタクト）される。なお、以下では、導電膜２２のコンタクト部と、画素電極１０とがコンタクトされる領域を「コンタクト領域Ｅｃ」と称する。

第１基板１等の内面上であって、各透過領域Ｅｔを除く領域及びコンタクト領域Ｅｃには、表面に凹凸が形成された透明性を有する樹脂材料よりなり、光を散乱させる樹脂散乱層１７が形成されている。このため、各データ線３２及び遮光膜３７、並びに各ＴＦＤ素子２１（但し、コンタクト領域Ｅｃに対応する導電膜２２の一部上は除く）は、樹脂散乱層１７により覆われている。

各サブ画素領域ＳＧに対応する樹脂散乱層１７の内面上には反射層５が形成されており、反射層５は、樹脂散乱層１７の凹凸を反映した形状を有する。このため、反射層５にて反射された光は適度に散乱される。また、各反射層５は、透過領域Ｅｔを規定する開口５ａを有する。このため、各サブ画素領域ＳＧ内において、反射層５が設けられた領域が反射領域Ｅｒに対応していると共に、反射層５の開口５ａが設けられた領域が透過領域Ｅｔに対応している。

各サブ画素領域ＳＧ、具体的には、各反射領域Ｅｒに対応する反射層５の内面上、及び、各透過領域Ｅｔに対応する第１基板１の内面上には画素電極１０が形成されている。各画素電極１０は、自身が配置されるサブ画素領域ＳＧに対して、列方向であって且つ張り出し領域３６が存在する一辺９１ａ側に隣接する他の画素領域ＳＧに対応して設けられた各ＴＦＤ素子２１に導電膜２２のコンタクト部２２ａを通じて電気的に接続される。例えば、ここで、図５において、１つのサブ画素領域を「サブ画素領域ＳＧ１」とし、それに対して紙面左側に位置するサブ画素領域ＳＧを「サブ画素領域ＳＧ２」とし、また、サブ画素領域ＳＧ１に対して紙面右側に位置するサブ画素領域ＳＧを「サブ画素領域ＳＧ３」として、１つのサブ画素領域ＳＧ１に着目すると、当該サブ画素領域ＳＧ１に設けられた画素電極１０は、隣接する他のサブ画素領域ＳＧ２に対応して設けられたＴＦＤ素子２１と、コンタクト領域Ｅｃに位置する導電膜２２のコンタクト部２２ａにて電気的に接続される。このため、各画素電極１０は、自身に隣接する他のサブ画素領域ＳＧに対応して設けられたＴＦＤ素子２１を介してデータ線３２に電気的に接続されている。各画素電極１０等の内面上には、図示しない配向膜が形成されている。一方、第１基板１の外面上には、位相差板（１／４波長板）１１が設けられ、位相差板１１の外面上には偏光板１３が設けられている。偏光板１３の外面上には、照明装置たるバックライト１５が配置されている。

次に、上記した画素構成に対応するカラーフィルタ基板９２の構成は次の通りである。

第２基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色のいずれかよりなる着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが設けられている。着色層６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂにより、カラー１画素分の表示領域が形成される。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６Ｒ」などと記す。

第２基板２の内面上であって、前記列方向に相隣接する画素電極１０の間に対応する位置に、且つ、導電膜２２の端部と部分的に重なる位置に、且つ、各画素電極１０の隅に対応する位置には、遮光性を有する遮光層（ブラックマトリックス；ＢＭ）が設けられている。なお、本発明では、ＢＭは、導電膜２２の端部と重なり合うことは必須ではなく、少なくともＢＭは、各画素電極１０の隅に対応する位置に且つ前記列方向に相隣接する画素電極１０の間に対応する位置に且つ前記行方向に相隣接する導電膜２２の間に形成され、前記列方向に相隣接する画素電極１０の間の平面領域を導電膜２２と共に遮光する大きさに形成されていればよい。

ＢＭ及び各着色層６等の内面上には、透明性材料よりなるオーバーコート層１８が形成されている。オーバーコート層１８は、液晶装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から着色層６などを保護する機能を有する。オーバーコート層１８の内面上であって、前記行方向に配列された各画素電極１０と平面的に重なる位置には、走査電極８が形成されている。走査電極８等の内面上には、図示しない配向膜が形成されている。一方、第２基板２の外面上には、位相差板（１／４波長板）１２が設けられ、位相差板１２の外面上には偏光板１４が設けられている。

以上の構成を有する素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とは液晶層４を介して対向配置され、その両基板は、各導電膜２２の位置に対応して設けられたスペーサ２４によって一定の間隔に規定されている。そして、かかる構成を有する液晶装置１００では、透過領域Ｅｔにおいてバックライト１５から出射された照明光が経路Ｔに沿って進行して透過型表示がなされると共に、反射領域Ｅｒにおいて液晶装置１００内に入射した外光が経路Ｒに沿って進行して反射層５にて反射され反射型表示がなされる。

次に、比較例と比較した、本実施形態に係る液晶装置１００の特有の作用効果について説明する。なお、以下では、本実施形態と共通する要素については同一の符号を付し、その説明は簡略化又は省略する。

まず、図６を参照して、比較例の画素構成及びその課題について説明する。

図６は、図５に対応する、比較例に係る画素構成の部分平面図を示す。

本実施形態と比較例とを比較した場合、その両者は、素子基板における導電膜２２の形成位置と、カラーフィルタ基板に形成されるＢＭの相対的な大きさが夫々異なっており、それ以外は略同様の構成となっている。

即ち、比較例では、素子基板９１ｘ側において、画素電極１０とコンタクトされるコンタクト部２２ａを有する導電膜２２が、各サブ画素領域ＳＧ内に対応して設けられているので、その存在によって、各サブ画素領域ＳＧ内に設けられる透過領域Ｅｔの大きさが必然的に小さくなってしまい、透過開口率が低下してしまうという問題がある。また、比較例では、カラーフィルタ基板９２側において、列方向に相隣接する画素電極１０の間を行方向に延在するようにＢＭが設けられている。このため、比較例では、上記した本実施形態と比較すると、反射領域ＥｒとＢＭとの重なり合う面積が大きくなり、これに伴って、反射開口率が低下してしまうという問題がある。ここで、「透過開口率」とは、１つのサブ画素領域ＳＧの面積に対する、１つの透過領域Ｅｔの面積の割合をいう。また、「反射開口率」とは、１つのサブ画素領域ＳＧの面積に対する、１つの反射領域Ｅｒの面積の割合をいう。

これに対して、本実施形態では、単位サブ画素を構成する行列状に配列された画素電極１０と、画素電極１０の各々に対応して設けられた複数のＴＦＤ素子２１と、画素電極１０の各々に対応して設けられ、ＴＦＤ素子２１の各々に電気的に接続された複数の導電膜２２と、を有する素子基板９１を備えている。

そして、導電膜２２の各々は、遮光性を有する材料により形成され、画素電極１０の各々と電気的に接続されるコンタクト部２２ａを有するとともに、前記列方向に相隣接する画素電極１０の間の平面領域に設けられている。つまり、この構成によれば、遮光性を有する導電膜２２は、画素電極１０と電気的に接続するためのコンタクト機能（接続機能）と、前記列方向に相隣接する画素電極１０の間を遮光する機能とを兼ね備え、その導電膜２２が、本来的に遮光領域となる、前記列方向に相隣接する画素電極１０の間の平面領域に設けられている。これにより、液晶装置１００の仕様によって透過領域Ｅｔを大きくする必要がある場合に、比較例と比較して、サブ画素領域ＳＧにおける透過領域Ｅｔの大きさを大きくすることができる。その結果、透過開口率を向上させることができる。

また、カラーフィルタ基板９２は、図４等に示すように、前記列方向に相隣接する画素電極１０の間に、且つ、導電膜２２の端部と部分的に重なる位置に、且つ、画素電極１０の隅の位置に対応して設けられたＢＭ（遮光層）を有し、当該列方向に相隣接する画素電極１０の間の平面領域は、導電膜２２とＢＭ（遮光層）の両方によって遮光されている。これにより、比較例と比較して、列方向に相隣接する単位サブ画素の間に対応する位置に形成されるＢＭの面積を小さくすることができる。そのため、導電膜２２と平面的に重なる反射領域Ｅｒの殆どの部分は、ＢＭによって遮光されずに反射領域Ｅｒとして用いることができ、その分、反射領域Ｅｒの大きさを大きくすることができる。その結果、反射開口率を向上させることができる。

なお、本実施形態では、ＢＭは、導電膜２２の端部と部分的に重なる位置に設けることで光り漏れが生じるのを防止するようにしているが、本発明では、ＢＭは、前記列方向に相隣接する画素電極１０の間に、且つ、導電膜２２と平面的に重ならない位置に、且つ、画素電極１０の隅の位置に対応して設けられていても構わない。かかる構成であっても、上記同様の作用効果を得ることができる。

[変形例]
上記の実施形態では、半透過反射型の液晶装置１００に本発明の画素構造を適用したが、これに限らず、本発明では、透過型の液晶装置などにも本発明の画素構造を適用することが可能である。

また、上記の実施形態では、導電膜２２は、ＴＦＤ素子２１の構成要素である第２金属膜３１６と一体的に形成されていたが、これに限らず、本発明では、導電膜２２は、ＴＦＤ素子２１と独立に形成されていても構わない。

また、上記の実施形態では、各ＴＦＤ素子２１は、自身が配置されるサブ画素領域ＳＧに対して、前記列方向に隣接する他のサブ画素領域ＳＧに設けられた画素電極１０と導電膜２２のコンタクト部２２ａを通じて電気的に接続されていた。しかし、本発明では、これに限らず、各ＴＦＤ素子２１は、自身が配置されるサブ画素領域ＳＧに設けられた画素電極１０と導電膜２２のコンタクト部２２ａを通じて電気的に接続されていても構わない。

また、上記の実施形態では、本発明の画素構造に対して、スイッチング素子の一例としてのＴＦＤ素子２１を適用した場合について述べたが、これに限らず、本発明では、本発明の画素構造に対して、ＴＦＴ素子などの三端子素子を適用しても構わない。但し、この場合、本発明の画素構造を前提としつつ、素子基板及びカラーフィルタ基板の構成を、三端子素子適用型の素子基板用及びカラーフィルタ基板用の構成に変更する必要がある。

[電子機器]
次に、上述した本発明の実施形態に係る液晶装置１００等を適用可能な電子機器の具体例について図７を参照して説明する。

まず、本実施形態に係る液晶装置１００等を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図７（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶装置１００等を適用した表示部７１３とを備えている。

続いて、本実施形態に係る液晶装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図７（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶装置１００を適用した表示部７２４を備える。

なお、各実施形態に係る液晶装置１００を適用可能な電子機器としては、図７（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図７（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。

本発明の実施形態に係る液晶装置の電極等を中心とした構成を示す平面図。 本実施形態に係る素子基板の電極等を中心とした構成を示す平面図。 本実施形態に係るカラーフィルタ基板の電極を中心とした構成を示す平面図。 本実施形態に係る素子基板における画素構造を示す部分平面図。 単位サブ画素の断面構成を示す断面図。 比較例に係る素子基板における画素構造を示す部分平面図。 本発明の液晶装置を適用した電子機器の例。

符号の説明

５ 反射層、 ８ 走査電極、 １０ 画素電極、 １７ 樹脂散乱層、 ２１ ＴＦＤ素子、 ２２ 導電膜、 ２２ａ コンタクト部、 ３２ データ線、 ９１ 素子基板、 ９２ カラーフィルタ基板、 １００ 液晶装置

Claims (6)

1. 単位サブ画素を構成する行列状に配列された画素電極と、
   前記画素電極の各々に対応して設けられた複数のスイッチング素子と、
   前記画素電極の各々に対応して設けられ、前記スイッチング素子の各々に電気的に接続された複数の導電膜と、を有する基板を備え、
   前記導電膜の各々は、遮光性を有する材料により形成され、前記画素電極の各々と電気的に接続されるコンタクト領域を有するとともに、相隣接する前記画素電極の間の平面領域に設けられていることを特徴とする液晶装置。
2. 前記導電膜は、前記列の方向に相隣接する前記画素電極の間に対応して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記単位サブ画素は、透過型表示が行われる透過領域と、反射型表示が行われる反射領域と、を備え、
   前記反射領域は、表面に凹凸を有し、光を散乱させる散乱層と、前記散乱層上に形成され、光を反射する反射層と、を有し、
   前記スイッチング素子は、前記単位サブ画素内における前記反射層の下側に配置され、当該単位サブ画素を構成する前記画素電極に対して、前記列の方向に隣接する他の前記画素電極と前記導電膜を通じて電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
4. 前記基板に液晶を介して対向する対向基板を備え、
   前記対向基板は、前記列の方向に相隣接する前記画素電極の間に、且つ、前記導電膜と平面的に重ならない位置に又は前記導電膜の端部と部分的に重なる位置に、且つ、前記画素電極の隅の位置に対応して設けられた遮光層を有し、
   当該列の方向に相隣接する前記画素電極の間の前記平面領域は、前記導電膜と前記遮光層の両方によって遮光されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
5. 前記スイッチング素子と前記導電膜とは一体的に又は独立に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
6. 請求項１乃至５いずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器

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