JP2008083144A - Manufacturing method of liquid crystal panel - Google Patents

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毅 大山
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance reliability and manufacturing efficiency of a device by performing plate thinning treatment of at least a first substrate with respect to the first substrate and a second substrate which are stuck to each other. <P>SOLUTION: In a liquid crystal panel 1 wherein an array substrate 11 and a counter substrate 21 are stuck to each other, plate thinning treatment is applied so that its thickness is reduced. An extended region ER extended from a facing region OR where the array substrate 11 faces the counter substrate 21 so as to be exposed to surroundings is included, and after a supporting member 112s supporting the extended region ER is formed on the side of a surface where the array substrate 11 and the counter substrate 21 are opposite to each other in the extended region ER, the plate thinning treatment is applied. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶パネルの製造方法に関する。特に、第1基板と、その第1基板に対面するように第1基板に貼り合わされている第2基板と、その第1基板と第2基板との間に封入された液晶層とを有し、その第1基板が第2基板に対面している対面領域から周囲へ延在している延在領域を含む液晶パネルについて、当該液晶パネルの厚みを減少させるように、その貼り合わされた第1基板と第2基板とにおいて少なくとも第1基板の表面に対して薄板化処理を実施する液晶パネルの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal panel. In particular, it includes a first substrate, a second substrate bonded to the first substrate so as to face the first substrate, and a liquid crystal layer sealed between the first substrate and the second substrate. The first liquid crystal panel including the extended region extending from the facing region where the first substrate faces the second substrate to the periphery is bonded to the liquid crystal panel so as to reduce the thickness of the liquid crystal panel. The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal panel in which a thinning process is performed on at least a surface of a first substrate in a substrate and a second substrate.

液晶パネルは、薄型、軽量、低消費電力といった利点を有するため、携帯電話、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、パーソナルデジタルアシスタント(PDA:Personal Digital Assistant)などのように、モバイル用途の電子機器において、多く使用されている。   Since the liquid crystal panel has advantages such as thinness, light weight, and low power consumption, in mobile electronic devices such as mobile phones, digital still cameras, digital video cameras, personal digital assistants (PDAs), etc. Many are used.

液晶パネルにおいては、アレイ基板が対向基板に対面している対面領域から周囲へ露出するように延在している延在領域を含んでいる。この延在領域には、配線パッドが設けられており、たとえば、フレキシブルプリント基板が配線パッドに接続するように設置される。また、半導体チップが、この延在領域に、COG(Chip on glass)実装される。   In the liquid crystal panel, the array substrate includes an extension region extending so as to be exposed from the facing region facing the counter substrate to the periphery. In the extended region, a wiring pad is provided. For example, the flexible printed board is installed so as to be connected to the wiring pad. In addition, a semiconductor chip is mounted on the extended region by COG (Chip on glass).

この液晶パネルは、薄型化、軽量化のために、液晶パネルを構成しているガラス基板について薄板化処理が実施されている。ここでは、ケミカルエッチングやメカニカル研磨などの処理によって、この薄板化処理が実施される。たとえば、ガラス基板の厚さが0.5mm以下になるように薄板化処理が実施される。このような場合、大きい基板そのものを薄くすることが困難であり、また、切り出しや液晶の注入についても基板が薄い状態だと困難であるため、ある程度の厚さを保ったまま、液晶を注入・封止した後に、液晶パネルの状態で研磨をすることで、薄板化処理が実施される(たとえば、特許文献1,特許文献2,特許文献3参照)。   In order to reduce the thickness and weight of this liquid crystal panel, a thinning process is performed on a glass substrate constituting the liquid crystal panel. Here, the thinning process is performed by a process such as chemical etching or mechanical polishing. For example, the thinning process is performed so that the thickness of the glass substrate is 0.5 mm or less. In such a case, it is difficult to thin the large substrate itself, and it is also difficult to cut out and inject liquid crystal when the substrate is thin, so the liquid crystal is injected while maintaining a certain thickness. After sealing, the thinning process is performed by polishing the liquid crystal panel (see, for example, Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3).

特開2003−84265号公報JP 2003-84265 A 特開平11−142826号公報JP 11-142826 A 特開2003−322841号公報JP 2003-322841 A

図8は、液晶パネル1に対して、薄板化処理を実施する様子を示す断面図である。   FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state in which a thinning process is performed on the liquid crystal panel 1.

まず、図8(a)に示すように、アレイ基板11と対向基板21とが対面され、シール材Sで貼り合わされた液晶パネル1において、アレイ基板11の延在領域ERに形成されている配線パッド(図示無し)を保護するために、パッド保護材112を形成する。   First, as shown in FIG. 8A, in the liquid crystal panel 1 in which the array substrate 11 and the counter substrate 21 face each other and are bonded together with the sealing material S, wiring formed in the extending region ER of the array substrate 11 In order to protect the pad (not shown), the pad protection material 112 is formed.

ここでは、配線パッドを被覆するように、パッド保護材112を、その延在領域ERに形成し、研磨にて使用する研磨剤などの異物が配線パッドに混入することを防止する。たとえば、樹脂膜にて、このパッド保護材112を形成する。   Here, the pad protection material 112 is formed in the extending region ER so as to cover the wiring pad, and foreign substances such as an abrasive used in polishing are prevented from entering the wiring pad. For example, the pad protection material 112 is formed of a resin film.

つぎに、図8(b)に示すように、液晶パネル1について薄板化処理を実施する。   Next, as shown in FIG. 8B, the liquid crystal panel 1 is subjected to a thinning process.

ここでは、たとえば、荒削り(ラッピング)と仕上げ研磨(ポリッシング)との処理を順次実施することによってアレイ基板11と対向基板21との表面を研磨する。つまり、液晶パネル1において、アレイ基板11と対向基板21とが対面している面に対して反対側の面を研磨する。これにより、当初の液晶パネル1の厚みD0が薄い厚みD1になるため、液晶パネル1を薄板化することができる。   Here, for example, the surfaces of the array substrate 11 and the counter substrate 21 are polished by sequentially performing roughing (lapping) and finish polishing (polishing). That is, in the liquid crystal panel 1, the surface opposite to the surface where the array substrate 11 and the counter substrate 21 face each other is polished. Thereby, since the initial thickness D0 of the liquid crystal panel 1 becomes the thin thickness D1, the liquid crystal panel 1 can be thinned.

具体的には、研磨用キャリアに液晶パネルをセットしたあと、上、下定磐を同時に回転させ、アレイ基板11と対向基板21との両面を同時に削っていく。   Specifically, after the liquid crystal panel is set on the polishing carrier, the upper and lower plates are simultaneously rotated to scrape both surfaces of the array substrate 11 and the counter substrate 21 simultaneously.

しかしながら、図8(b)に示すように、アレイ基板11については、上記の薄板化処理において延在領域ERに応力が付加されるために、その延在領域ERが対向基板21側へ弓なり状に反り、延在領域ERの厚みDTeが、対面領域ORの厚みDTtよりも厚く形成される場合がある。   However, as shown in FIG. 8B, with respect to the array substrate 11, since stress is applied to the extension region ER in the above-described thinning process, the extension region ER has a bow shape toward the counter substrate 21 side. On the other hand, the thickness DTe of the extension region ER may be formed thicker than the thickness DTt of the facing region OR.

図9は、液晶パネル1について薄板化処理を実施した後に、アレイ基板11の側面について撮影した光学顕微鏡写真を示す。図9において、図9(a)は、アレイ基板11の対面領域ORについての光学顕微鏡写真であり、図9(b)は、アレイ基板11の延在領域ERについての光学顕微鏡写真である。   FIG. 9 shows an optical micrograph taken of the side surface of the array substrate 11 after performing the thinning process on the liquid crystal panel 1. 9A is an optical micrograph of the facing region OR of the array substrate 11, and FIG. 9B is an optical micrograph of the extended region ER of the array substrate 11.

図9(a)に示すように、アレイ基板11の対面領域ORの厚みDTtが110μmに形成されたのに対し、図9(b)に示すように、アレイ基板11の延在領域ERの厚みDTeが125μmに形成された。   As shown in FIG. 9A, the thickness DTt of the facing region OR of the array substrate 11 is formed to 110 μm, whereas the thickness of the extended region ER of the array substrate 11 is shown in FIG. 9B. DTe was formed to 125 μm.

このように、延在領域ERが対向基板21側へ反り、その延在領域ERの厚みDTeが厚く形成される場合があるために、所定の形状になるように薄板化処理を実施することが困難な場合がある。このため、たとえば、この延在領域ERに半導体チップを搭載する場合には、その延在領域ERに形成された配線パッドにその半導体チップを適正に接続することが困難な場合がある。よって、画像表示が実施できないなど、装置の信頼性および製造効率が低下する場合がある。   As described above, since the extension region ER warps toward the counter substrate 21 and the extension region ER has a thick thickness DTe, the thinning process may be performed so as to have a predetermined shape. It can be difficult. For this reason, for example, when a semiconductor chip is mounted in the extension region ER, it may be difficult to properly connect the semiconductor chip to a wiring pad formed in the extension region ER. Therefore, the reliability and manufacturing efficiency of the apparatus may be reduced, such as inability to perform image display.

また、上記のように延在領域ERが反ってしまったアレイ基板11を含む液晶パネル1について、仕上げ研磨を実施する場合には、全体を均一に研磨できずに、研磨残りが生じて、その部分が白濁したような状態になる不具合が発生する場合がある。そして、白くなったままの状態であると、ガラス基板の強度が非常に弱くなると共に、半導体チップやフレキシブルプリント基板をパッド上に実装するときに、アライメントマークを認識することが困難になるなどの不具合が生じる場合がある。よって、装置の信頼性および製造効率が低下する場合がある。   Further, when the final polishing is performed on the liquid crystal panel 1 including the array substrate 11 in which the extension region ER is warped as described above, the entire surface cannot be uniformly polished, and a polishing residue is generated. There may be a problem that the part becomes cloudy. And when it is in a white state, the strength of the glass substrate becomes very weak, and it becomes difficult to recognize the alignment mark when mounting a semiconductor chip or a flexible printed board on the pad. Problems may occur. Therefore, the reliability and manufacturing efficiency of the apparatus may be reduced.

したがって、本発明は、装置の信頼性および製造効率を向上可能な液晶パネルの製造方法を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal panel manufacturing method capable of improving the reliability and manufacturing efficiency of the apparatus.

上記の目的を達成するため、本発明の液晶パネルの製造方法は、第1基板と、前記第1基板に対面するように前記第1基板に貼り合わされている第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に封入された液晶層とを有し、前記第1基板が前記第2基板に対面している対面領域から周囲へ延在している延在領域を含む液晶パネルの製造方法であって、前記液晶パネルの厚みを減少させるように、前記貼り合わされた第1基板と第2基板とにおいて少なくとも前記第1基板について薄板化処理を実施する薄板化処理工程を有し、前記薄板化処理工程においては、前記延在領域を支持する支持部材を、当該延在領域において前記第1基板と前記第2基板とが対面している面の側に形成した後に、前記薄板化処理を実施する。   In order to achieve the above object, a method of manufacturing a liquid crystal panel according to the present invention includes a first substrate, a second substrate bonded to the first substrate so as to face the first substrate, and the first substrate. And a liquid crystal layer sealed between the first substrate and the second substrate, and the first substrate includes an extended region extending from a facing region facing the second substrate to the periphery And a thinning process step of performing a thinning process on at least the first substrate in the bonded first substrate and the second substrate so as to reduce the thickness of the liquid crystal panel. In the thinning process step, after the supporting member that supports the extension region is formed on the side of the surface where the first substrate and the second substrate face in the extension region, the thin plate Execute the conversion process.

本発明においては、貼り合わされた第1基板と第2基板とにおいて少なくとも第1基板について薄板化処理を実施する。ここでは、その延在領域を支持する支持部材を、当該延在領域において第1基板と第2基板とが対面している面の側に形成した後に、その薄板化処理を実施する。   In the present invention, the thinning process is performed on at least the first substrate in the bonded first substrate and second substrate. Here, after the support member that supports the extension region is formed on the side of the extension region facing the first substrate and the second substrate, the thinning process is performed.

本発明によれば、装置の信頼性および製造効率を向上可能な液晶パネルの製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the liquid crystal panel which can improve the reliability and manufacturing efficiency of an apparatus can be provided.

本発明にかかる実施形態の一例について説明する。
(構成)
図1,図2,図3は、本発明にかかる実施形態において製造される液晶パネル1を示す図である。
An example of an embodiment according to the present invention will be described.
(Constitution)
1, 2 and 3 are views showing a liquid crystal panel 1 manufactured in an embodiment according to the present invention.

ここで、図1は、本発明にかかる実施形態において製造される液晶パネル1の全体構成を示す断面図である。また、図2は、本発明にかかる実施形態において製造される液晶パネル1の回路構成を示す回路図である。また、図3は、本発明にかかる実施形態において製造される液晶パネル1の一部を示す断面図である。   Here, FIG. 1 is a cross-sectional view showing the overall configuration of the liquid crystal panel 1 manufactured in the embodiment according to the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the liquid crystal panel 1 manufactured in the embodiment according to the present invention. Moreover, FIG. 3 is sectional drawing which shows a part of liquid crystal panel 1 manufactured in embodiment concerning this invention.

液晶パネル1は、アクティブマトリクス方式であり、図1に示すように、アレイ基板11と、対向基板21と、液晶層31とを有する。   The liquid crystal panel 1 is an active matrix system, and includes an array substrate 11, a counter substrate 21, and a liquid crystal layer 31, as shown in FIG.

液晶パネル1の各部について順次説明する。   Each part of the liquid crystal panel 1 will be described sequentially.

アレイ基板11は、図1に示すように、基板であり、ガラスなどのように、光を透過する絶縁体により形成されている。たとえば、アレイ基板11は、無アルカリガラスによって形成されている。また、詳細については後述するが、本実施形態においては、アレイ基板11は、薄板化処理が実施され、厚みが、たとえば、0.3mm以下である。アレイ基板11は、図1に示すように、一方の面が対向基板21に間隔を隔てて対面しており、その対向基板21に対面している対面領域ORの周囲においてシール材Sによって対向基板21に貼り付けられている。そして、このアレイ基板11の対面領域ORにおいては、図2に示した部材において、画素電極101と画素スイッチング素子102と保持容量素子103と走査配線201と信号配線202と保持容量配線203とゲートドライバ301とソースドライバ302とが形成されている。ここでは、図2に示すように、画素電極101と画素スイッチング素子102と保持容量素子103と走査配線201と信号配線202と保持容量配線203とが、液晶パネル1において画像表示が行われる画素領域PRに形成されている。そして、ゲートドライバ301とソースドライバ302とが、その画素領域PRの周辺領域に形成されている。この他に、アレイ基板11は、図1に示すように、対向基板21に対面している対面領域ORから周囲へ露出するように延在している延在領域ERを含み、その延在領域ERには、ゲートドライバ301とソースドライバ302とに接続する配線パッド(図示無し)が形成されている。   As shown in FIG. 1, the array substrate 11 is a substrate, and is formed of an insulator that transmits light, such as glass. For example, the array substrate 11 is made of alkali-free glass. Although details will be described later, in the present embodiment, the array substrate 11 is subjected to a thinning process and has a thickness of 0.3 mm or less, for example. As shown in FIG. 1, the array substrate 11 has one surface facing the counter substrate 21 with a space therebetween, and the counter substrate is surrounded by a sealing material S around a facing region OR facing the counter substrate 21. 21 is attached. In the facing region OR of the array substrate 11, the pixel electrode 101, the pixel switching element 102, the storage capacitor element 103, the scanning wiring 201, the signal wiring 202, the storage capacitor wiring 203, and the gate driver in the member shown in FIG. 301 and a source driver 302 are formed. Here, as shown in FIG. 2, the pixel electrode 101, the pixel switching element 102, the storage capacitor element 103, the scanning wiring 201, the signal wiring 202, and the storage capacitor wiring 203 are pixel regions in which image display is performed in the liquid crystal panel 1. It is formed in PR. A gate driver 301 and a source driver 302 are formed in the peripheral region of the pixel region PR. In addition, as shown in FIG. 1, the array substrate 11 includes an extension region ER extending so as to be exposed to the periphery from the facing region OR facing the counter substrate 21, and the extension region In the ER, wiring pads (not shown) connected to the gate driver 301 and the source driver 302 are formed.

対向基板21は、図1に示すように、基板であり、アレイ基板11と同様に、ガラスなどのように、光を透過する絶縁体により形成されている。たとえば、対向基板21は、無アルカリガラスによって形成されている。また、詳細については後述するが、本実施形態においては、対向基板21は、薄板化処理が実施され、厚みが、たとえば、0.3mm以下である。また、対向基板21は、図1に示すように、一方の面がアレイ基板11に間隔を隔てて対面しており、その対面領域ORの周囲においてシール材Sによって貼り付けられている。そして、図3に示すように、そのアレイ基板11に対面する面に、対向電極23がITOなどの透明電極として形成されている。ここでは、複数の画素電極101に対応する共通電極として、画素領域PRの全面を覆うようにベタ状に形成されている。また、カラーフィルタ層(図示無し)が、各画素電極101に対応するように形成されている。   As shown in FIG. 1, the counter substrate 21 is a substrate, and is formed of an insulator that transmits light, such as glass, like the array substrate 11. For example, the counter substrate 21 is made of alkali-free glass. Moreover, although mentioned later for details, in this embodiment, the opposing board | substrate 21 is thinned, and thickness is 0.3 mm or less, for example. Further, as shown in FIG. 1, the counter substrate 21 faces one side of the array substrate 11 with a space therebetween, and is attached by a sealing material S around the facing region OR. As shown in FIG. 3, a counter electrode 23 is formed as a transparent electrode such as ITO on the surface facing the array substrate 11. Here, the common electrode corresponding to the plurality of pixel electrodes 101 is formed in a solid shape so as to cover the entire surface of the pixel region PR. A color filter layer (not shown) is formed so as to correspond to each pixel electrode 101.

液晶層31は、図1に示すように、アレイ基板11と対向基板21との間に、たとえば、ツイストネマティック型の液晶が注入されている。ここでは、液晶層31は、アレイ基板11と対向基板21とのそれぞれに設けられた配向膜(図示無し)によって、配向されている。そして、液晶層31は、図2に示すように、画素電極101と対向電極23とに接続されており、その画素電極101と対向電極23との間にて印加される電圧に基づいて、その配向状態が変化する。これにより、液晶層31は、光を透過させる光透過率が変化し、画像の表示が行われる。   As shown in FIG. 1, for example, twisted nematic liquid crystal is injected between the array substrate 11 and the counter substrate 21 in the liquid crystal layer 31. Here, the liquid crystal layer 31 is aligned by alignment films (not shown) provided on each of the array substrate 11 and the counter substrate 21. Then, as shown in FIG. 2, the liquid crystal layer 31 is connected to the pixel electrode 101 and the counter electrode 23, and based on the voltage applied between the pixel electrode 101 and the counter electrode 23, The orientation state changes. As a result, the liquid crystal layer 31 changes its light transmittance for transmitting light, and an image is displayed.

アレイ基板11に形成されている各部について説明する。   Each part formed on the array substrate 11 will be described.

画素電極101は、ITO(Indium Tin Oxide)などの光透過性の導電材料を用いて形成された透明電極であり、図2に示すように、画素領域PRにおいて、複数がx方向とy方向とに並ぶようにマトリクス状に配置され、液晶層31に接続する。   The pixel electrode 101 is a transparent electrode formed using a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide). As illustrated in FIG. 2, in the pixel region PR, a plurality of pixels are arranged in the x direction and the y direction. Are arranged in a matrix so as to be aligned with each other and connected to the liquid crystal layer 31.

画素スイッチング素子102は、図2に示すように、画素領域PRにおいて、複数の画素電極101のそれぞれに対応するように、x方向とy方向とに複数がマトリクス状に配置されており、それぞれが各画素電極101に接続されている。また、図3に示すように、画素スイッチング素子102は、アレイ基板11において対向基板21に対面する側の面に、遮光膜12と層間絶縁膜13とを介するように形成されている。本実施形態においては、画素スイッチング素子102は、図3に示すように、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)であって、半導体層14と、ゲート絶縁膜102xと、ゲート電極102gとを含む。画素スイッチング素子102は、たとえば、ポリシリコンを用いたTFTであって、図3に示すように、半導体層14とゲート絶縁膜102xとゲート電極102gとが、アレイ基板11の側から順次形成されているトップゲート型であり、LDD構造である。   As shown in FIG. 2, a plurality of pixel switching elements 102 are arranged in a matrix in the x direction and the y direction so as to correspond to each of the plurality of pixel electrodes 101 in the pixel region PR. It is connected to each pixel electrode 101. As shown in FIG. 3, the pixel switching element 102 is formed on the surface of the array substrate 11 facing the counter substrate 21 with the light shielding film 12 and the interlayer insulating film 13 interposed therebetween. In the present embodiment, the pixel switching element 102 is a thin film transistor (TFT) as shown in FIG. 3, and includes a semiconductor layer 14, a gate insulating film 102x, and a gate electrode 102g. The pixel switching element 102 is, for example, a TFT using polysilicon. As shown in FIG. 3, the semiconductor layer 14, the gate insulating film 102x, and the gate electrode 102g are sequentially formed from the array substrate 11 side. The top gate type has an LDD structure.

具体的には、画素スイッチング素子102において、半導体層14は、ポリシリコンであって、チャネル形成領域102cを挟むように第1および第2のソース・ドレイン領域102a,102bが一対で形成されている。ここでは、チャネル領域102cを挟むように形成された第1および第2のソース・ドレイン領域102a,102bにおいて、一方の第1のソース・ドレイン領域102aは、信号配線202に接続され、他方の第2のソース・ドレイン領域102bは、画素電極101と保持容量素子103とに接続されている。   Specifically, in the pixel switching element 102, the semiconductor layer 14 is polysilicon, and a pair of first and second source / drain regions 102a and 102b are formed so as to sandwich the channel formation region 102c. . Here, in the first and second source / drain regions 102a and 102b formed so as to sandwich the channel region 102c, one first source / drain region 102a is connected to the signal wiring 202 and the other first The second source / drain region 102 b is connected to the pixel electrode 101 and the storage capacitor element 103.

また、画素スイッチング素子102において、第1および第2のソース・ドレイン領域のそれぞれは、図3に示すように、第1および第2の不純物拡散領域102Fa,102Fbと、第1および第2の低濃度不純物領域102La,102Lbとをそれぞれ有する。ここで、第1および第2の不純物拡散領域102Fa,102Fbは、半導体層14においてチャネル形成領域102cを挟む領域に不純物を拡散させることによって形成されている。そして、第1および第2の低濃度不純物領域102La,102Lbのそれぞれは、その第1および第2の不純物拡散領域102Fa,102Fbとチャネル形成領域102cとの間において、その第1および第2の不純物拡散領域102Fa,102Fbよりも低い不純物濃度になるように半導体層14に不純物を拡散させることによって形成されている。   Further, in the pixel switching element 102, each of the first and second source / drain regions includes the first and second impurity diffusion regions 102Fa and 102Fb and the first and second low diffusion regions as shown in FIG. Concentration impurity regions 102La and 102Lb are provided. Here, the first and second impurity diffusion regions 102Fa and 102Fb are formed by diffusing impurities in a region of the semiconductor layer 14 sandwiching the channel formation region 102c. Each of the first and second low-concentration impurity regions 102La and 102Lb includes the first and second impurities between the first and second impurity diffusion regions 102Fa and 102Fb and the channel formation region 102c. It is formed by diffusing impurities in the semiconductor layer 14 so as to have an impurity concentration lower than that of the diffusion regions 102Fa and 102Fb.

そして、画素スイッチング素子102において、ゲート絶縁膜102xは、図3に示すように、そのチャネル形成領域102cに対面するように形成されている。   In the pixel switching element 102, the gate insulating film 102x is formed to face the channel formation region 102c as shown in FIG.

また、ゲート電極102gは、図3に示すように、ゲート絶縁膜102xを介してチャネル形成領域102cに対応するように形成されており、図2に示すように、走査配線201に接続されている。   Further, as shown in FIG. 3, the gate electrode 102g is formed so as to correspond to the channel formation region 102c through the gate insulating film 102x, and is connected to the scanning wiring 201 as shown in FIG. .

そして、画素スイッチング素子102は、走査配線201を介してゲートドライバ301からゲート電極102gに入力される走査信号によって駆動制御される。また、画素スイッチング素子102は、信号配線202を介してソースドライバ302から画素スイッチング素子102にデータ信号が供給される。そして、画素スイッチング素子102は、オン状態の場合には、データ信号を画素電極101と保持容量素子103とのそれぞれに供給する。   The pixel switching element 102 is driven and controlled by a scanning signal input from the gate driver 301 to the gate electrode 102g via the scanning wiring 201. The pixel switching element 102 is supplied with a data signal from the source driver 302 to the pixel switching element 102 via the signal wiring 202. The pixel switching element 102 supplies a data signal to each of the pixel electrode 101 and the storage capacitor element 103 in the on state.

保持容量素子103は、図2に示すように、画素領域PRにおいて、複数の画素電極101のそれぞれに対応するように、x方向とy方向とのそれぞれに複数がマトリクス状に配置されている。そして、保持容量素子103は、液晶層31による静電容量と並列になるように形成され、液晶層31に印加されるデータ信号による電荷を保持する。また、図3に示すように、保持容量素子103は、画素スイッチング素子102と同様に、アレイ基板11の面において信号配線202が形成される領域に対応するように形成されている。つまり、保持容量素子103は、アレイ基板11の面の垂直方向において、信号配線202に対して、層間絶縁膜16を介してオーバーラップするように形成されている。また、図3に示すように、保持容量素子103は、アレイ基板11において対向基板21に対面する側の面に、遮光膜12と層間絶縁膜13とを介するように、形成されている。そして、図3に示すように、保持容量素子103は、上部電極103aと下部電極103bと誘電体膜103cとを有しており、下部電極103bと誘電体膜103cと上部電極103aとがアレイ基板11の側から順次形成されている。   As shown in FIG. 2, a plurality of storage capacitor elements 103 are arranged in a matrix in each of the x direction and the y direction so as to correspond to each of the plurality of pixel electrodes 101 in the pixel region PR. The storage capacitor element 103 is formed so as to be in parallel with the electrostatic capacitance of the liquid crystal layer 31, and holds a charge due to a data signal applied to the liquid crystal layer 31. As shown in FIG. 3, the storage capacitor element 103 is formed so as to correspond to a region where the signal wiring 202 is formed on the surface of the array substrate 11, similarly to the pixel switching element 102. That is, the storage capacitor element 103 is formed so as to overlap the signal wiring 202 via the interlayer insulating film 16 in the direction perpendicular to the surface of the array substrate 11. In addition, as shown in FIG. 3, the storage capacitor element 103 is formed on the surface of the array substrate 11 facing the counter substrate 21 so that the light shielding film 12 and the interlayer insulating film 13 are interposed therebetween. As shown in FIG. 3, the storage capacitor 103 has an upper electrode 103a, a lower electrode 103b, and a dielectric film 103c, and the lower electrode 103b, the dielectric film 103c, and the upper electrode 103a are array substrates. 11 are sequentially formed.

具体的には、保持容量素子103において上部電極103aは、ゲート電極102gと同様にして導電材料によって形成されており、保持容量配線203に接続されている。そして、下部電極103bは、図2に示すように、画素スイッチング素子102の第1および第2のソース・ドレイン領域102a,102bにおいて信号配線202が接続されていない側の第2のソース・ドレイン領域102bに接続されている。また、誘電体膜103cは、上部電極103aと下部電極103bとが対面する間に、挟まれるように形成されている。   Specifically, in the storage capacitor 103, the upper electrode 103a is formed of a conductive material in the same manner as the gate electrode 102g, and is connected to the storage capacitor wiring 203. As shown in FIG. 2, the lower electrode 103b is a second source / drain region on the side where the signal wiring 202 is not connected in the first and second source / drain regions 102a, 102b of the pixel switching element 102. 102b. The dielectric film 103c is formed so as to be sandwiched between the upper electrode 103a and the lower electrode 103b facing each other.

走査配線201は、図2に示すように、画素領域PRにおいて、x方向に延在して形成されており、そのx方向に並ぶ複数の画素スイッチング素子102に接続している。また、走査配線201は、y方向に並ぶ複数の画素スイッチング素子102に対応するように、y方向に間隔を隔てて並んで複数が形成されている。そして、走査配線201は、ゲートドライバ301に接続されており、ゲートドライバ301からの走査信号を、画素電極101の行を順次選択するように画素スイッチング素子102に供給する。   As shown in FIG. 2, the scanning wiring 201 is formed to extend in the x direction in the pixel region PR, and is connected to the plurality of pixel switching elements 102 arranged in the x direction. A plurality of scanning wirings 201 are formed side by side in the y direction so as to correspond to the plurality of pixel switching elements 102 arranged in the y direction. The scanning wiring 201 is connected to the gate driver 301, and supplies the scanning signal from the gate driver 301 to the pixel switching element 102 so as to sequentially select the rows of the pixel electrodes 101.

信号配線202は、図2に示すように、画素領域PRにおいて、y方向に延在して形成されており、y方向に並ぶ複数の画素スイッチング素子102に接続している。また、信号配線202は、x方向に並ぶ複数の画素スイッチング素子102に対応するように、x方向に間隔を隔てて並んで複数が形成されている。そして、信号配線202は、走査信号が供給された画素スイッチング素子102を介してデータ信号を画素電極101に供給する。本実施形態においては、信号配線202は、図3に示すように、画素領域PRにおいて画素スイッチング素子102に対面する領域を含むように形成されており、画素スイッチング素子102の第1のソース・ドレイン領域102aに接続されている。   As shown in FIG. 2, the signal wiring 202 is formed to extend in the y direction in the pixel region PR, and is connected to a plurality of pixel switching elements 102 arranged in the y direction. A plurality of signal wirings 202 are formed side by side in the x direction so as to correspond to the plurality of pixel switching elements 102 arranged in the x direction. The signal wiring 202 supplies a data signal to the pixel electrode 101 through the pixel switching element 102 to which the scanning signal is supplied. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the signal wiring 202 is formed so as to include a region facing the pixel switching element 102 in the pixel region PR, and the first source / drain of the pixel switching element 102 is formed. It is connected to the area 102a.

保持容量配線203は、図2に示すように、画素領域PRにおいて、x方向に延在して形成されており、x方向に並ぶ複数の保持容量素子103に接続している。また、保持容量配線203は、y方向に並ぶ複数の保持容量素子103に対応するように、y方向に間隔を隔てて並んで複数が形成されている。そして、保持容量配線203は、保持容量素子103の反対側が対向電極23に接続されている。   As shown in FIG. 2, the storage capacitor line 203 is formed to extend in the x direction in the pixel region PR, and is connected to a plurality of storage capacitor elements 103 arranged in the x direction. In addition, a plurality of storage capacitor lines 203 are formed side by side in the y direction so as to correspond to the plurality of storage capacitor elements 103 arranged in the y direction. The storage capacitor wiring 203 is connected to the counter electrode 23 on the opposite side of the storage capacitor 103.

(製造方法)
以下より、上記の液晶パネル1の製造方法について説明する。
(Production method)
Below, the manufacturing method of said liquid crystal panel 1 is demonstrated.

図4は、本発明にかかる実施形態において、液晶パネル1に対して薄板化処理を実施する際のフロー図である。   FIG. 4 is a flowchart when the thinning process is performed on the liquid crystal panel 1 in the embodiment according to the present invention.

まず、図4に示すように、支持部材112sを形成する(S11)。   First, as shown in FIG. 4, the support member 112s is formed (S11).

図5は、本発明にかかる実施形態において、支持部材を形成する様子を示す図である。図5において、図5(a)は、液晶パネル1の正面図であり、図5(b)は、側面図である。   FIG. 5 is a diagram showing how the support member is formed in the embodiment according to the present invention. 5, FIG. 5 (a) is a front view of the liquid crystal panel 1, and FIG. 5 (b) is a side view.

ここでは、アレイ基板11と対向基板21とに各部を形成した後に、図5(a)と図5(b)とに示すように、アレイ基板11と対向基板21とを対面させて貼り合わせる。その後、そのアレイ基板11と対向基板21とが対面されて貼り合わされた液晶パネル1において、アレイ基板11の延在領域ERに、その延在領域ERを支持する支持部材112sを、アレイ基板11と対向基板21とが対面している面の側に形成する。   Here, after forming each part on the array substrate 11 and the counter substrate 21, as shown in FIGS. 5A and 5B, the array substrate 11 and the counter substrate 21 face each other and are bonded together. Thereafter, in the liquid crystal panel 1 in which the array substrate 11 and the counter substrate 21 face each other and are bonded to each other, a support member 112 s that supports the extension region ER is attached to the array substrate 11 in the extension region ER of the array substrate 11. It is formed on the side facing the counter substrate 21.

具体的には、上述したように各部が形成されたアレイ基板11と対向基板21とを、互いを対面させ、シール材Sを用いて貼り合わされる。   Specifically, the array substrate 11 and the counter substrate 21 in which the respective parts are formed as described above are bonded to each other with the sealing material S facing each other.

その後、図5(a)と図5(b)とに示すように、アレイ基板11において配線パッドが形成された延在領域ERに、両面接着テープ113を用いて、支持部材112sを接着する。本実施形態においては、ガラスを用いて形成されている支持部材112sを用いる。たとえば、無アルカリガラスであって、硬度が、アレイ基板11の硬度に対して0.5倍以上,2倍以下であるものを用いる。支持部材112sの硬度が、アレイ基板11の硬度に対して0.5倍未満である場合には、支持剤無しで研磨したように、パッド部(延在領域ER)裏面の研磨が不十分となり、パッド部(延在領域ER)の端が、特に厚くなってしまう等の不具合が生じる場合があり、アレイ基板11の硬度に対して2倍を超える場合には、逆にパッド部(延在領域ER)が削られ過ぎて、パッド部(延在領域ER)が薄くなってしまうといったこと等の不具合が生じる場合があるためである。   Thereafter, as shown in FIGS. 5A and 5B, the support member 112 s is bonded to the extended region ER where the wiring pads are formed on the array substrate 11 using the double-sided adhesive tape 113. In the present embodiment, a support member 112s formed using glass is used. For example, non-alkali glass having a hardness of 0.5 to 2 times the hardness of the array substrate 11 is used. When the hardness of the support member 112s is less than 0.5 times the hardness of the array substrate 11, the back surface of the pad portion (extended region ER) is not sufficiently polished as if polished without a support agent. In some cases, the edge of the pad portion (extension region ER) becomes particularly thick, and when the hardness of the array substrate 11 exceeds twice, the pad portion (extension) This is because there may be a problem such that the area (ER) is excessively cut and the pad portion (extended area ER) becomes thin.

また、この支持部材112sとしては、延在領域ERにおいて両面接着テープ113を用いて接着した際の全体の厚さが、対面領域ORにおいてアレイ基板11と対向基板21とが貼り合わされた際の全体の厚さと同じになるような形状のものを用いる。すなわち、アレイ基板11と対向基板21とが対面する方向において、延在領域ERでの厚さと、対面領域ORでの厚さとが同じになるような厚みを有する支持部材112sと両面接着テープ113とを選択して使用する。   Further, as the support member 112s, the entire thickness when the double-sided adhesive tape 113 is bonded in the extending region ER is the entire thickness when the array substrate 11 and the counter substrate 21 are bonded in the facing region OR. Use a shape that is the same as the thickness. That is, in the direction in which the array substrate 11 and the counter substrate 21 face each other, the support member 112s and the double-sided adhesive tape 113 having such a thickness that the thickness in the extending region ER and the thickness in the facing region OR are the same. Select and use.

つぎに、図4に示すように、第1の研磨処理を実施する(S21)。   Next, as shown in FIG. 4, a first polishing process is performed (S21).

ここでは、「ラップ(lap)」、すなわち、「荒削り」を実施する。本実施形態においては、アレイ基板11と対向基板21とのそれぞれの表面を同時に研磨する。つまり、貼り合わされたアレイ基板11と対向基板21とにおいて互いに対面している面に対して反対側の面の両面を同時に研磨する。   Here, “lap”, that is, “roughing” is performed. In the present embodiment, the surfaces of the array substrate 11 and the counter substrate 21 are polished simultaneously. That is, both surfaces of the opposite surface of the bonded array substrate 11 and counter substrate 21 with respect to the surfaces facing each other are simultaneously polished.

具体的には、アレイ基板11と対向基板21とが対面している面に対して反対側の面に、スラリーを供給し、そのスラリーが供給された表面に研磨パッドを加圧して接触させる。そして、その研磨パッドを、そのスラリーが供給された表面に沿うように回転駆動させることによって、研磨処理を実施する。   Specifically, the slurry is supplied to the surface opposite to the surface where the array substrate 11 and the counter substrate 21 face each other, and the polishing pad is pressurized and brought into contact with the surface supplied with the slurry. Then, the polishing process is performed by rotationally driving the polishing pad along the surface to which the slurry is supplied.

図6は、本発明にかかる実施形態において、第1の研磨処理を実施する様子を模式的に示す側面図である。   FIG. 6 is a side view schematically showing how the first polishing process is performed in the embodiment according to the present invention.

図6に示すように、研磨用キャリアに液晶パネルをセットしたあと、上部定盤201と、下部定盤202とを同時に回転させ、アレイ基板11と対向基板21との両面を同時に削っていく。   As shown in FIG. 6, after setting the liquid crystal panel on the polishing carrier, the upper surface plate 201 and the lower surface plate 202 are rotated simultaneously to scrape both surfaces of the array substrate 11 and the counter substrate 21 simultaneously.

ここでは、図6に示すように、上部定盤201と下定盤202とによって挟持されているアレイ基板11と対向基板21とは、互いが対面する方向において、延在領域ERでの厚さと、対面領域ORでの厚さとが同じであるために、延在領域ERと対面領域ORとにおいては、略同じ圧力で圧着された状態になる。このため、延在領域ERと対面領域ORとにおいては、均一に研磨がされる。   Here, as shown in FIG. 6, the array substrate 11 and the counter substrate 21 sandwiched between the upper surface plate 201 and the lower surface plate 202 have a thickness in the extending region ER in the direction in which they face each other, Since the thickness in the facing region OR is the same, the extension region ER and the facing region OR are in a state of being crimped with substantially the same pressure. Therefore, the extended region ER and the facing region OR are uniformly polished.

つぎに、図4に示すように、支持部材112sを除去する(S31)。   Next, as shown in FIG. 4, the support member 112s is removed (S31).

ここでは、前述したように、アレイ基板11の延在領域ERに両面接着テープ113で接着された支持部材112sを剥離する。また、これと共に、その両面接着テープ113も延在領域ERから剥離して除去する。   Here, as described above, the support member 112s bonded to the extending region ER of the array substrate 11 with the double-sided adhesive tape 113 is peeled off. At the same time, the double-sided adhesive tape 113 is also peeled off from the extended region ER and removed.

つぎに、図4に示すように、第2の研磨処理を実施する(S41)。   Next, as shown in FIG. 4, a second polishing process is performed (S41).

ここでは、「ポリッシュ(polish)」、すなわち、「仕上げ研磨」を実施する。具体的には、第1の研磨処理と同様に、アレイ基板11と対向基板21とのそれぞれの表面を研磨する。たとえば、鏡面になるように、片側20μm、研磨する。そして、最終的なガラス厚として、たとえば片側0.1mm、両側で0.2mmのガラス厚を実現する。そのため、荒削りについては、最終的なガラスに比べて、20μm+20μm厚くしておく。   Here, “polish”, that is, “finish polishing” is performed. Specifically, similarly to the first polishing process, the surfaces of the array substrate 11 and the counter substrate 21 are polished. For example, 20 μm on one side is polished so as to be a mirror surface. The final glass thickness is, for example, 0.1 mm on one side and 0.2 mm on both sides. For this reason, the rough cutting is made 20 μm + 20 μm thick compared to the final glass.

その後、スクライブ処理を実施後、アレイ基板11と対向基板21との間のギャップに液晶層31を注入する。そして、液晶パネルを駆動させる駆動回路や、偏光板、バックライトなどの周辺機器を実装して液晶表示装置を完成する。   Thereafter, after the scribing process, the liquid crystal layer 31 is injected into the gap between the array substrate 11 and the counter substrate 21. Then, a liquid crystal display device is completed by mounting a driving circuit for driving the liquid crystal panel and peripheral devices such as a polarizing plate and a backlight.

以上のように、本実施形態においては、アレイ基板11と対向基板21とが貼り合わされた液晶パネル1において、その厚みが減少するように薄板化処理を実施する。ここでは、アレイ基板11が対向基板21に対面している対面領域ORから周囲へ露出するように延在している延在領域ERを含んでおり、その延在領域ERを支持する支持部材112sを、当該延在領域ERにおいてアレイ基板11と対向基板21とが対面している面の側に形成した後に、この薄板化処理を実施する。すなわち、1枚ガラスとなっている部分に、支持部材112sを取り付けて研磨する。このため、本実施形態においては、上述したように、薄板化処理を実施する際には、この支持部材112sによって、延在領域ERと対面領域ORとにおいて略同じ圧力で研磨されることになるため、延在領域ERと対面領域ORとにおいて均一に薄板化処理が実施される。   As described above, in the present embodiment, the thinning process is performed so that the thickness of the liquid crystal panel 1 in which the array substrate 11 and the counter substrate 21 are bonded is reduced. Here, the array substrate 11 includes an extension region ER extending so as to be exposed to the periphery from the facing region OR facing the counter substrate 21, and a support member 112 s that supports the extension region ER. Is formed on the side of the surface where the array substrate 11 and the counter substrate 21 face each other in the extended region ER, and this thinning process is performed. That is, the supporting member 112s is attached to the portion that is a single glass and polished. For this reason, in the present embodiment, as described above, when the thinning process is performed, the extending region ER and the facing region OR are polished by substantially the same pressure by the support member 112s. Therefore, the thinning process is performed uniformly in the extension region ER and the facing region OR.

図7は、本発明にかかる実施形態において、アレイ基板11と対向基板21との両者の表面を研磨した様子を示す光学顕微鏡写真である。   FIG. 7 is an optical micrograph showing how the surfaces of both the array substrate 11 and the counter substrate 21 are polished in the embodiment according to the present invention.

図7に示すように、アレイ基板11においては、対面領域ORと、延在領域ERとの両者が均一になるように研磨されている。   As shown in FIG. 7, the array substrate 11 is polished so that both the facing region OR and the extending region ER are uniform.

このように、本実施形態は、薄板化処理を実施する際に延在領域ERと対面領域ORとの間において略同じ圧力で研磨が実施されるように、支持部材112sに延在領域ERを支持させているため、延在領域ERが対向基板21側へ反り、その延在領域ERの厚みDTeが厚く形成される不具合が発生することを防止することができ、所定の形状になるように薄板化処理を実施することが容易である。このため、この延在領域ERに半導体チップを搭載する場合には、その延在領域ERに形成された配線パッドにその半導体チップを適正に接続することが容易にできる。したがって、本実施形態は、画像表示が実施できないなど、装置の信頼性および製造効率が低下することを防止でき、装置の信頼性および製造効率を向上することができる。   As described above, in the present embodiment, the extension region ER is formed on the support member 112s so that the polishing is performed with substantially the same pressure between the extension region ER and the facing region OR when the thinning process is performed. Since it supports, it can prevent that the extension area | region ER warps to the opposing board | substrate 21 side, and the malfunction that the thickness DTe of the extension area | region ER is formed thickly occurs, and it becomes a predetermined shape. It is easy to perform the thinning process. For this reason, when a semiconductor chip is mounted in the extension region ER, it is possible to easily connect the semiconductor chip to the wiring pads formed in the extension region ER. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to prevent the reliability and manufacturing efficiency of the apparatus from being lowered such that image display cannot be performed, and it is possible to improve the reliability and manufacturing efficiency of the apparatus.

また、本実施形態においては、アレイ基板11と対向基板21と同様に、支持部材112sに無アルカリガラスを用いている。このように、本実施形態は、アレイ基板11と対向基板21と同質な材料で、支持部材112sを設けているために、研磨レートが略同等になり、均一に薄板化処理が実施できるため、装置の信頼性および製造効率が低下することを防止でき、装置の信頼性および製造効率を向上することができる。   In the present embodiment, non-alkali glass is used for the support member 112s as in the case of the array substrate 11 and the counter substrate 21. Thus, in this embodiment, since the support member 112s is provided with the same material as the array substrate 11 and the counter substrate 21, the polishing rate is substantially equal, and the thinning process can be performed uniformly. It is possible to prevent a decrease in device reliability and manufacturing efficiency, and to improve device reliability and manufacturing efficiency.

なお、上記の実施形態において、液晶パネル1は、本発明の液晶パネルに相当する。また、上記の実施形態において、本発明のアレイ基板11は、本発明の第1基板に相当する。また、上記の実施形態において、本発明の対向基板21は、本発明の第2基板に相当する。また、上記の実施形態において、本発明の液晶層31は、本発明の液晶層に相当する。また、上記の実施形態において、本発明の支持部材112sは、本発明の支持部材に相当する。また、上記の実施形態において、本発明の両面接着テープ113は、本発明の両面接着テープに相当する。また、上記の実施形態において、本発明の対面領域ORは、本発明の対面領域に相当する。また、上記の実施形態において、本発明の延在領域ERは、本発明の延在領域に相当する。   In the above embodiment, the liquid crystal panel 1 corresponds to the liquid crystal panel of the present invention. In the above embodiment, the array substrate 11 of the present invention corresponds to the first substrate of the present invention. In the above embodiment, the counter substrate 21 of the present invention corresponds to the second substrate of the present invention. In the above embodiment, the liquid crystal layer 31 of the present invention corresponds to the liquid crystal layer of the present invention. In the above embodiment, the support member 112s of the present invention corresponds to the support member of the present invention. Moreover, in said embodiment, the double-sided adhesive tape 113 of this invention is corresponded to the double-sided adhesive tape of this invention. In the above embodiment, the facing area OR of the present invention corresponds to the facing area of the present invention. Moreover, in said embodiment, the extension area | region ER of this invention is corresponded to the extension area | region of this invention.

また、本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。   Moreover, when implementing this invention, it is not limited to above-described embodiment, A various deformation | transformation form is employable.

たとえば、支持部材としては、無アルカリガラスの他、アルカリガラスを用いても良い。アルカリガラスを用いる場合には、特に、コストの観点や、使いやすさの観点において、好適である。また、無アルカリガラス、アルカリガラスのような無機材料の他、樹脂のような有機材料を用いても良い。この場合、樹脂自身を延在領域ERに接着させた後に硬貨することで、支持部材として機能するようにすることが好ましい。   For example, as the support member, alkali glass may be used in addition to alkali-free glass. When alkali glass is used, it is particularly suitable from the viewpoint of cost and ease of use. In addition to inorganic materials such as alkali-free glass and alkali glass, organic materials such as resins may be used. In this case, it is preferable to function as a support member by coining the resin itself after adhering it to the extension region ER.

また、たとえば、上記の実施形態に示した工程順序にて、液晶パネルを製造する場合に限られない。たとえば、上記の工程を実施する前に、基板全体で研磨またはエッチングで薄くしてからパネル毎に、上記の工程を実施しても良い。具体的には、ガラス基板を張り合わせた状態では、1.4mm厚であるが、まず、半分の0.7mm厚(0.35mm×2)までエッチングする。その後、ガラスを切り出し、液晶を注入する。そして、上記の工程にて、0.2mm厚(0.1mm×2)まで研磨しても良い。   Further, for example, the present invention is not limited to the case of manufacturing a liquid crystal panel in the process order shown in the above embodiment. For example, before the above process is performed, the above process may be performed for each panel after the entire substrate is thinned by polishing or etching. Specifically, the thickness is 1.4 mm when the glass substrates are bonded to each other, but first, etching is performed up to a half thickness of 0.7 mm (0.35 mm × 2). Thereafter, the glass is cut out and liquid crystal is injected. And you may grind | polish to 0.2 mm thickness (0.1 mm x 2) in said process.

また、たとえば、上記の実施形態においては、アレイ基板11と対向基板21との両面のそれぞれを同時に研磨することによって薄板化処理を実施しているが、これに限らない。たとえば、片面ごとに研磨してもよい。また、アレイ基板11のみについて、薄板化処理を実施する場合においても、好適な効果を得ることができる。   Further, for example, in the above embodiment, the thinning process is performed by simultaneously polishing both surfaces of the array substrate 11 and the counter substrate 21, but the present invention is not limited to this. For example, each side may be polished. Moreover, even when only the array substrate 11 is subjected to the thinning process, a suitable effect can be obtained.

図1は、本発明にかかる実施形態において製造される液晶パネルの構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a liquid crystal panel manufactured in an embodiment according to the present invention. 図2は、本発明にかかる実施形態において製造される液晶パネルの回路構成を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the liquid crystal panel manufactured in the embodiment according to the present invention. 図3は、本発明にかかる実施形態において製造される液晶パネルの一部を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a part of the liquid crystal panel manufactured in the embodiment according to the present invention. 図4は、本発明にかかる実施形態において、液晶パネルに対して薄板化処理を実施する際のフロー図である。FIG. 4 is a flow chart when the thinning process is performed on the liquid crystal panel in the embodiment according to the present invention. 図5は、本発明にかかる実施形態おいて、支持部材を形成する様子を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing how the support member is formed in the embodiment according to the present invention. 図6は、本発明にかかる実施形態において、第1の研磨処理を実施する様子を示す側面図である。FIG. 6 is a side view showing a state in which the first polishing process is performed in the embodiment according to the present invention. 図7は、本発明にかかる実施形態において、アレイ基板と対向基板との両者の表面を研磨した様子を示す光学顕微鏡写真である。FIG. 7 is an optical micrograph showing how the surfaces of both the array substrate and the counter substrate are polished in the embodiment according to the present invention. 図8は、液晶パネルに対して、薄板化処理を実施する様子を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state in which a thinning process is performed on the liquid crystal panel. 図9は、液晶パネルについて薄板化処理を実施した後に、アレイ基板の側面について撮影した光学顕微鏡写真を示す。FIG. 9 shows an optical micrograph taken of the side surface of the array substrate after performing the thinning process on the liquid crystal panel.

符号の説明Explanation of symbols

1…液晶パネル(液晶パネル)、11…アレイ基板(第1基板)、14…半導体層、16…層間絶縁膜、21…対向基板(第2基板)、31…液晶層(液晶層)、23…対向電極、101…画素電極、102…画素スイッチング素子、102x…ゲート絶縁膜、102g…ゲート電極、102c…チャネル形成領域、102a…第1のソース・ドレイン領域、102b…第2のソース・ドレイン領域、102Fa…第1の不純物拡散領域、102Fb…第2の不純物拡散領域、102La…第1の低濃度不純物領域、102Lb…第2の低濃度不純物領域、103…保持容量素子、103a…上部電極、103b…下部電極、103c…誘電体膜、112s…支持部材(支持部材)、113…両面接着テープ(両面接着テープ)、201…走査配線、202…信号配線、203…保持容量配線、301…ゲートドライバ、302…ソースドライバ、PR…画素領域、OR…対面領域(対面領域)、ER…延在領域(延在領域) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal panel (liquid crystal panel), 11 ... Array board | substrate (1st board | substrate), 14 ... Semiconductor layer, 16 ... Interlayer insulation film, 21 ... Opposite board | substrate (2nd board | substrate), 31 ... Liquid crystal layer (liquid crystal layer), 23 Reference electrode, 101 ... Pixel electrode, 102 ... Pixel switching element, 102x ... Gate insulating film, 102g ... Gate electrode, 102c ... Channel formation region, 102a ... First source / drain region, 102b ... Second source / drain 102Fa, first impurity diffusion region, 102Fb, second impurity diffusion region, 102La, first low concentration impurity region, 102Lb, second low concentration impurity region, 103, storage capacitor element, 103a, upper electrode , 103b ... lower electrode, 103c ... dielectric film, 112s ... support member (support member), 113 ... double-sided adhesive tape (double-sided adhesive tape), 201 ... run Wiring, 202 ... signal wire, 203 ... storage capacitor wiring, 301 ... gate driver, 302 ... source driver, PR ... pixel region, OR ... facing region (facing region), ER ... extending region (extension region)

Claims (6)

第1基板と、前記第1基板に対面するように前記第1基板に貼り合わされている第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に封入された液晶層とを有し、前記第1基板が前記第2基板に対面している対面領域から周囲へ延在している延在領域を含む液晶パネルの製造方法であって、
前記液晶パネルの厚みを減少させるように、前記貼り合わされた第1基板と第2基板とにおいて少なくとも前記第1基板について薄板化処理を実施する薄板化処理工程
を有し、
前記薄板化処理工程においては、前記延在領域を支持する支持部材を、当該延在領域において前記第1基板と前記第2基板とが対面している面の側に形成した後に、前記薄板化処理を実施する
液晶パネルの製造方法。
A first substrate; a second substrate bonded to the first substrate so as to face the first substrate; and a liquid crystal layer sealed between the first substrate and the second substrate A method of manufacturing a liquid crystal panel including an extended region in which the first substrate extends from a facing region facing the second substrate to the periphery,
A thinning process step of performing a thinning process on at least the first substrate in the bonded first substrate and second substrate so as to reduce the thickness of the liquid crystal panel;
In the thinning process step, the supporting member that supports the extension region is formed on the side of the surface where the first substrate and the second substrate are facing in the extension region, and then the thinning is performed. The manufacturing method of a liquid crystal panel which performs a process.
前記第1基板と前記第2基板とのそれぞれは、ガラスを用いて形成されており、
前記支持部材は、ガラスを用いて形成されている、
請求項1に記載の液晶パネルの製造方法。
Each of the first substrate and the second substrate is formed using glass,
The support member is formed using glass,
The manufacturing method of the liquid crystal panel of Claim 1.
前記支持部材は、硬度が、前記第1基板と前記第2基板との硬度に対して0.5倍以上,2倍以下である、
請求項2に記載の液晶パネルの製造方法。
The support member has a hardness of 0.5 to 2 times the hardness of the first substrate and the second substrate.
The manufacturing method of the liquid crystal panel of Claim 2.
前記支持部材は、無アルカリガラスによって形成されている、
請求項2に記載の液晶パネルの製造方法。
The support member is made of alkali-free glass,
The manufacturing method of the liquid crystal panel of Claim 2.
前記支持部材は、アルカリガラスによって形成されている、
請求項2に記載の液晶パネルの製造方法。
The support member is formed of alkali glass.
The manufacturing method of the liquid crystal panel of Claim 2.
前記支持部材を前記延在領域に形成する際においては、両面接着テープを用いて前記支持部材を前記延在領域に接着する
請求項1に記載の液晶パネルの製造方法。
The method for manufacturing a liquid crystal panel according to claim 1, wherein when the support member is formed in the extension region, the support member is bonded to the extension region using a double-sided adhesive tape.
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