JP2008081365A - Method of manufacturing silicon carbide powder - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing silicon carbide powder having high electric resistance and thermal conductivity and suitable as filler for obtaining a plastic-SiC composite having excellent strength characteristic. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the silicon carbide powder includes: mixing alcohol with silicon alkoxide; adding a thermosetting resin and stirring and mixing; hydrolyzing the liquid mixture by adjusting pH to 1-7; applying heat-treatment to the resultant thermosetting resin-silica composite gel at 800-1,000°C in a non-oxidizing atmosphere; adjusting the molar ratio (C/SiO<SB>2</SB>) of carbon/silica composite obtained by carbonizing the resin component to 2-5; heating the composite at the temperature of 1,400-2,300°C in a non-oxidizing atmosphere; and reducing silica of the carbon/silica composite by carbon to convert it to SiC. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、粉末粒子が二次的に結合した凝集構造(ストラクチャー)が高い炭化ケイ素粉末の製造方法に関し、特に、高電気抵抗性および高熱伝導性を備えるとともに、強度特性にも優れたプラスチック−SiC複合体製造用のフィラーなどとして好適な炭化ケイ素粉末の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing silicon carbide powder having a high agglomerated structure (structure) in which powder particles are secondarily bonded, and in particular, a plastic having high electrical resistance and high thermal conductivity and excellent strength properties. The present invention relates to a method for producing silicon carbide powder suitable as a filler for producing a SiC composite.

純粋な炭化ケイ素はバンドギャップが略3.2eVとほぼ不導電性でありながら、高い熱伝導性を有しており、例えば、樹脂などのプラスチックに炭化ケイ素粉末を複合すれば高電気抵抗性および高熱伝導性のプラスチック−SiC複合材料が得られる。   Pure silicon carbide has a high thermal conductivity while having a band gap of approximately 3.2 eV and is substantially non-conductive. For example, if silicon carbide powder is combined with plastic such as resin, high electrical resistance and A highly thermally conductive plastic-SiC composite material is obtained.

しかしながら、炭化ケイ素粉末をプラスチックに単純に混合したのみではプラスチック−SiC複合体の強度向上が図れないばかりか、むしろ低下する難点がある。そのため、プラスチックに複合しても強度低下を招かず、更には強度の向上がもたらされ、加えて高い電気絶縁性と熱伝導性を付与し得るプラスチック−SiC複合体の製造に好適な炭化ケイ素粉末の開発がの望まれている。   However, simply mixing silicon carbide powder with plastic cannot improve the strength of the plastic-SiC composite, but rather has a drawback of lowering. Therefore, silicon carbide suitable for the production of a plastic-SiC composite that does not cause a decrease in strength even when composited with plastic, further improves strength, and can impart high electrical insulation and thermal conductivity. The development of powder is desired.

炭化ケイ素粉末を製造する方法としてアチソン法で製造したバルク状SiCを粉砕し、分級する方法が古くから知られているが、SiCは極めて硬質な物質であるため、微細で球形の粉末粒子に粉砕することは困難であり、また粉砕、分級工程において不純物が混入し易く、高純度のものを得難い難点がある。   A method of pulverizing and classifying bulk SiC produced by the Atchison method has long been known as a method for producing silicon carbide powder, but since SiC is an extremely hard substance, it is pulverized into fine spherical powder particles. In addition, impurities are easily mixed in the pulverization and classification processes, and it is difficult to obtain a high-purity product.

そこで、気相プロセスによりサブミクロン級の微細なSiC微粉末を製造する技術が開発されており、例えば特許文献1にはハロゲン化シランを熱分解して得られたSiC粉末の平均粒径が0.2〜0.7μmで、各粒子の最大粒径と最小粒径の比率の平均が1.1〜1.4である易焼結性β型SiC粉末が開示されている。   Therefore, a technique for producing fine SiC fine powder of submicron grade by a vapor phase process has been developed. For example, Patent Document 1 discloses that the average particle diameter of SiC powder obtained by thermally decomposing halogenated silane is 0. An easily sinterable β-type SiC powder having an average ratio between the maximum particle size and the minimum particle size of 1.1 to 1.4 at 2 to 0.7 μm is disclosed.

また、特許文献2には、シリコンアルコキシドおよび少なくとも1つの炭化水素基をもつアルコキシシランとの混合物を加水分解して球状単分散ゲル粒として、これを焼成してβ−SiC化する球状単分散β−SiC微粒の製造方法が開示されている。   Patent Document 2 discloses a spherical monodispersed β that hydrolyzes a mixture of silicon alkoxide and an alkoxysilane having at least one hydrocarbon group to form a spherical monodispersed gel particle, which is then fired to form β-SiC. -A method for producing SiC fine particles is disclosed.

更に、特許文献3には、シリコンアルコキシドと樹脂の混合溶液を塩基水溶液に滴下し、加水分解してシリカ/樹脂複合微粒子を調製し、得られたシリカ/樹脂複合微粒子を無酸素雰囲気中1450℃以上で加熱してSiC化するSiC粉体の製造方法が開示されている。
特開昭59−102809号公報 特開平03−199115号公報 特開平09−208210号公報
Further, in Patent Document 3, a mixed solution of silicon alkoxide and resin is dropped into an aqueous base solution and hydrolyzed to prepare silica / resin composite fine particles. The obtained silica / resin composite fine particles are obtained at 1450 ° C. in an oxygen-free atmosphere. The manufacturing method of the SiC powder heated to SiC and having been described above is disclosed.
JP 59-102809 Japanese Patent Laid-Open No. 03-199115 JP 09-208210 A

そこで、本発明者は、プラスチックに複合した場合に高い強度特性を有し、また電気抵抗が高く不導電性でありながら、熱伝導性が良好なプラスチック−SiC複合体を得るための炭化ケイ素粉末の開発について鋭意研究を行った。   Accordingly, the present inventor has developed a silicon carbide powder for obtaining a plastic-SiC composite having high strength characteristics when composited with plastic, and having high electrical resistance and non-conductivity, and good thermal conductivity. We conducted intensive research on the development of.

その結果、炭化ケイ素粉末の粒子が二次的に結合した凝集構造(ストラクチャー)が高い炭化ケイ素粉末をプラスチックに複合すると、高い電気抵抗性および熱伝導性を有し、強度特性にも優れたプラスチック−SiC複合体が得られることを知見した。   As a result, when silicon carbide powder with a high agglomeration structure (structure) in which silicon carbide powder particles are secondarily bonded is combined with plastic, the plastic has high electrical resistance and thermal conductivity, and excellent strength characteristics. It was found that a SiC composite can be obtained.

すなわち、本発明は上記の知見に基づいて開発されたもので、これらの特性を備えたプラスチック−SiC複合体を得るためのフィラーとして好適な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供することを目的とする。   That is, the present invention has been developed based on the above findings, and an object thereof is to provide a method for producing silicon carbide powder suitable as a filler for obtaining a plastic-SiC composite having these characteristics. .

上記の目的を達成するための本発明による炭化ケイ素粉末の製造方法は、シリコンアルコキシドにアルコールを混合し、次いで、熱硬化性樹脂を添加して撹拌混合した後、混合液のpHを1〜7に調整して加水分解し、得られた熱硬化性樹脂・シリカ複合ゲルを非酸化性雰囲気中800〜1000℃の温度で熱処理し、樹脂成分を炭化して得られた炭素/シリカ(C/SiO)複合体のC/SiOのモル比を2〜5に調整した後、非酸化性雰囲気中1400〜2300℃の温度で熱処理して炭素/シリカ複合体のシリカを炭素で還元してSiCに転化することを特徴とする。 In order to achieve the above object, the method for producing silicon carbide powder according to the present invention comprises mixing silicon alkoxide with alcohol, adding a thermosetting resin, stirring and mixing, and then adjusting the pH of the mixed solution to 1-7. The resulting thermosetting resin / silica composite gel was heat-treated at a temperature of 800 to 1000 ° C. in a non-oxidizing atmosphere to carbonize the resin component (C / silica (C / After adjusting the C / SiO 2 molar ratio of the SiO 2 ) composite to 2 to 5, heat treatment is performed at a temperature of 1400 to 2300 ° C. in a non-oxidizing atmosphere to reduce the silica of the carbon / silica composite with carbon. It is characterized by being converted to SiC.

なお、上記の製造方法において、炭素/シリカ(C/SiO)複合体のC/SiOのモル比は、熱硬化性樹脂の添加量を制御することにより、2〜5になるように調整される。 In the above production method, the C / SiO 2 molar ratio of the carbon / silica (C / SiO 2 ) composite is adjusted to 2 to 5 by controlling the addition amount of the thermosetting resin. Is done.

本発明によれば、粉末粒子が二次的に結合した凝集構造(ストラクチャー)が高い炭化ケイ素粉末の製造方法が提供され、本発明により製造された炭化ケイ素粉末をフィラーとして樹脂などのプラスチックに配合することにより、電気抵抗性および熱伝導性が高く、強度特性にも優れたプラスチック−SiC複合体を得ることが可能となる。   According to the present invention, there is provided a method for producing a silicon carbide powder having a high agglomerated structure (structure) in which powder particles are secondarily bonded, and the silicon carbide powder produced according to the present invention is blended into a plastic such as a resin as a filler. By doing so, it becomes possible to obtain a plastic-SiC composite having high electrical resistance and thermal conductivity and excellent strength properties.

〔1〕熱硬化性樹脂・シリカ複合ゲルの合成;
先ず、シリカ源であるシリコンアルコキシドにアルコールを混合して混合溶液を作製する。シリコンアルコキシドとしては、アルキルシリケート、(モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−)アルコキシシラン、テトラアルコキシシランの重合体などが例示され、アルキルシリケートとしては、メチルシリケート、エチルシリケート、ブチルシリケートなどがあるが、取扱い性、反応性の観点からエチルシリケートが好適である。また、アルコキシシランとしては、テトラアルコキシシランが好ましく、テトラアルコキシシランの重合体としては、重合度が2〜15程度の低分子量重合体が好適である。
[1] Synthesis of thermosetting resin / silica composite gel;
First, alcohol is mixed with silicon alkoxide which is a silica source to prepare a mixed solution. Examples of silicon alkoxides include alkyl silicates, (mono-, di-, tri-, tetra-) alkoxysilanes, tetraalkoxysilane polymers, etc., and examples of alkyl silicates include methyl silicate, ethyl silicate, butyl silicate, and the like. However, ethyl silicate is preferred from the viewpoints of handleability and reactivity. Further, as the alkoxysilane, tetraalkoxysilane is preferable, and as the polymer of tetraalkoxysilane, a low molecular weight polymer having a polymerization degree of about 2 to 15 is preferable.

シリコンアルコキシドに混合するアルコールは、特に制限はなくいずれも使用することができるが、好ましくはエタノールが用いられる。また、混合するアルコール量は、次に添加する熱硬化性樹脂の混合が容易に行えるように体積比でシリコンアルコキシドに対して0.5倍量以上が好適であるが、この量が多くなると後に余剰のアルコールを除去する必要があり、好ましくは3倍量以下である。   The alcohol mixed with the silicon alkoxide is not particularly limited and any alcohol can be used, but ethanol is preferably used. In addition, the amount of alcohol to be mixed is preferably 0.5 times or more with respect to silicon alkoxide by volume so that the next-added thermosetting resin can be easily mixed. It is necessary to remove excess alcohol, and the amount is preferably 3 times or less.

このシリコンアルコキシドとアルコールの混合溶液に、熱硬化性樹脂を添加して撹拌混合し、次いで、混合液に酸水溶液あるいは水などを添加して撹拌混合し、混合液のpHを1〜7に調整して加水分解する。加水分解は混合液のpHを調整したのち、1時間〜3日間程度放置することにより行われ、熱硬化性樹脂・シリカ複合ゲルが得られる。   To this mixed solution of silicon alkoxide and alcohol, a thermosetting resin is added and mixed by stirring. Then, an aqueous acid solution or water is added to the mixed solution and mixed by stirring to adjust the pH of the mixed solution to 1 to 7. To hydrolyze. Hydrolysis is performed by adjusting the pH of the mixed solution and leaving it to stand for about 1 hour to 3 days to obtain a thermosetting resin / silica composite gel.

混合溶液のpHが1未満ではシリコンアルコキシドの加水分解反応が著しく速く進行して反応暴走を起こすおそれがあり、一方pHが7を越えると加水分解反応の進行が極めて遅くなり実用的でなくなる。   If the pH of the mixed solution is less than 1, the hydrolysis reaction of the silicon alkoxide may proceed remarkably fast and cause a reaction runaway. On the other hand, if the pH exceeds 7, the progress of the hydrolysis reaction becomes extremely slow and becomes impractical.

このようにして得られた熱硬化性樹脂・シリカ複合ゲルを乾燥した後、粉砕して炭化ケイ素粉末製造用の前駆体とする。   The thermosetting resin / silica composite gel thus obtained is dried and then pulverized to obtain a precursor for producing silicon carbide powder.

〔2〕炭化;
このようにして得た炭化ケイ素粉末製造用の前駆体である熱硬化性樹脂・シリカ複合ゲルを、不活性ガスや窒素ガスなどの非酸化性雰囲気中800〜1000℃の温度で熱処理して樹脂成分を炭化し、炭素/シリカ(C/SiO)複合体を作製する。
[2] Carbonization;
The thermosetting resin / silica composite gel, which is a precursor for producing silicon carbide powder thus obtained, is heat-treated at a temperature of 800 to 1000 ° C. in a non-oxidizing atmosphere such as an inert gas or nitrogen gas. The components are carbonized to produce a carbon / silica (C / SiO 2 ) composite.

この場合、樹脂成分を炭化して得られた炭素(C)とシリコンアルコキシドの加水分解によって生成したシリカ(SiO)とのモル比C/SiOを、2〜5に調整する。 In this case, the molar ratio C / SiO 2 of carbon (C) obtained by carbonizing the resin component and silica (SiO 2 ) generated by hydrolysis of silicon alkoxide is adjusted to 2-5.

炭素/シリカ(C/SiO)複合体のC/SiOのモル比が2を下回ると、製造される炭化ケイ素粉末の製造収率が低くなり、また炭化ケイ素粉末の粒子が二次的に結合した凝集構造(ストラクチャー)が高くなり過ぎて、プラスチックと複合する際の混練性が著しく低下することになる。しかし、C/SiOのモル比が5を越えると、炭化ケイ素粉末の粒子が二次的に結合した凝集構造(ストラクチャー)の発達が小さくなるためである。 When the C / SiO 2 molar ratio of the carbon / silica (C / SiO 2 ) composite is less than 2, the production yield of the produced silicon carbide powder is lowered, and the particles of the silicon carbide powder are secondary. The combined agglomerated structure (structure) becomes too high, and the kneadability at the time of compounding with plastic is remarkably lowered. However, if the molar ratio of C / SiO 2 exceeds 5, the development of an agglomerated structure (structure) in which the particles of silicon carbide powder are secondarily bonded becomes small.

なお、炭素/シリカ(C/SiO)複合体のC/SiOのモル比は、シリコンアルコキシドの加水分解によって生成するシリカに対する熱硬化性樹脂の炭化によって生成する炭素量を調整することにより制御することができ、シリコンアルコキシドとアルコールの混合溶液に添加する熱硬化性樹脂量により調整、制御する。 The C / SiO 2 molar ratio of the carbon / silica (C / SiO 2 ) composite is controlled by adjusting the amount of carbon produced by carbonization of the thermosetting resin relative to silica produced by hydrolysis of silicon alkoxide. It can be adjusted and controlled by the amount of thermosetting resin added to the mixed solution of silicon alkoxide and alcohol.

熱硬化性樹脂・シリカ複合ゲルは非酸化性雰囲気中800〜1000℃の温度で熱処理することにより、樹脂成分が炭化されて炭素/シリカ(C/SiO)複合体が作製されるが、熱処理温度が800℃未満では樹脂成分の炭化が不十分であり、一方、熱処理温度が1000℃を越える場合は既に炭化が完了しているので、不要である。 The thermosetting resin / silica composite gel is heat-treated at a temperature of 800 to 1000 ° C. in a non-oxidizing atmosphere to carbonize the resin component to produce a carbon / silica (C / SiO 2 ) composite. If the temperature is less than 800 ° C., the resin component is not sufficiently carbonized. On the other hand, if the heat treatment temperature exceeds 1000 ° C., the carbonization is already completed, which is unnecessary.

〔3〕炭化ケイ素粉末の製造;
このようにして得られた炭素/シリカ(C/SiO)複合体を、非酸化性雰囲気中で1400〜2300℃の温度で熱処理することにより、炭素/シリカ複合体中のシリカ
(SiO)が炭素(C)で還元されて、SiO+3C→SiC+2COの反応が生じて炭化ケイ素粉末が製造される。
[3] Production of silicon carbide powder;
The carbon / silica (C / SiO 2 ) composite thus obtained is heat-treated at a temperature of 1400 to 2300 ° C. in a non-oxidizing atmosphere, whereby silica (SiO 2 ) in the carbon / silica composite is obtained. Is reduced with carbon (C), and a reaction of SiO 2 + 3C → SiC + 2CO occurs to produce silicon carbide powder.

この場合、熱処理温度を1400〜2300℃とするのは、熱処理温度が1400℃を下回るとこの反応が十分に進行せず、一方、2300℃を上回ると生成した炭化ケイ素の分解が起こるためである。   In this case, the reason why the heat treatment temperature is set to 1400 to 2300 ° C. is that this reaction does not proceed sufficiently when the heat treatment temperature is lower than 1400 ° C., whereas the generated silicon carbide is decomposed when the heat treatment temperature is higher than 2300 ° C. .

このようにして炭素/シリカ(C/SiO)複合体を非酸化性雰囲気中で熱処理して製造した炭化ケイ素粉末には、未反応の炭素が残留し易いので、これを除去する必要がある。この炭素分の除去は、空気中などの酸素が存在する雰囲気下に700〜1000℃程度の温度に加熱して、炭素を燃焼除去することが簡便で好ましい。加熱温度が700℃以下では処理時間が長くなり、1000℃以上では生成した炭化ケイ素粉末が酸化されるので好ましくない。 In the silicon carbide powder produced by heat-treating the carbon / silica (C / SiO 2 ) composite in a non-oxidizing atmosphere in this way, unreacted carbon is likely to remain, and thus it is necessary to remove this. . The removal of the carbon content is simple and preferable by heating to a temperature of about 700 to 1000 ° C. in an atmosphere such as air where oxygen is present to burn and remove the carbon. When the heating temperature is 700 ° C. or lower, the treatment time becomes long, and when it is 1000 ° C. or higher, the generated silicon carbide powder is oxidized, which is not preferable.

このようにして、粉末粒子が二次的に結合した凝集構造(ストラクチャー)が大きい炭化ケイ素粉末を製造することができ、例えば、カーボンブラックのストラクチャーの大きさを示す指標であるDBP吸収量が70〜200ml/100g程度の高ストラクチャー炭化ケイ素粉末を製造することができる。なお、DBP吸収量はJIS K6217「ゴム用カーボンブラックの基本性能の試験法」により測定した値である。   Thus, a silicon carbide powder having a large aggregate structure (structure) in which powder particles are secondarily bonded can be produced. For example, the DBP absorption amount, which is an index indicating the size of the structure of carbon black, is 70. High structure silicon carbide powder of about ~ 200ml / 100g can be produced. The DBP absorption is a value measured according to JIS K6217 “Testing method for basic performance of carbon black for rubber”.

実施例1
シリコンアルコキシドとしてエチルシリケート40(コルコート社製)に、体積比で等倍量のエタノールを混合した後、混合溶液に熱硬化製樹脂としてレゾール型フェノール樹脂(大日本インキ化学社製、J−325)を樹脂成分を炭化して得られた炭素/シリカ(C/SiO)複合体のC/SiOのモル比が3となるように調整して混合し、pHが3となるように塩酸を添加して一晩放置し、エチルシリケート40を加水分解してシリカに転化した後、乾燥、粉砕して炭化ケイ素粉末製造用の前駆体となるフェノール樹脂・シリカ複合ゲルを調製した。
Example 1
Ethyl silicate 40 (manufactured by Colcoat Co.) as a silicon alkoxide is mixed with an equal volume of ethanol in a volume ratio, and a resol type phenol resin (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, J-325) is used as a thermosetting resin in the mixed solution. The carbon / silica (C / SiO 2 ) composite obtained by carbonizing the resin component is mixed so that the C / SiO 2 molar ratio is 3, and hydrochloric acid is added so that the pH is 3. After adding and allowing to stand overnight, the ethyl silicate 40 was hydrolyzed and converted to silica, and then dried and pulverized to prepare a phenol resin / silica composite gel to be a precursor for producing silicon carbide powder.

このようにして得られたフェノール樹脂・シリカ複合ゲルを窒素ガス雰囲気中800℃の温度で熱処理してフェノール樹脂を焼成炭化し、炭素/シリカ(C/SiO)複合体を作製した。次いで、アルゴン雰囲気下1650℃の温度で熱処理して複合体中のシリカ(SiO)を炭素(C)で還元して炭化ケイ素に転化した後、空気中で800℃の温度に加熱して残留している炭素分を燃焼除去して、炭化ケイ素粉末を製造した。 The phenol resin / silica composite gel thus obtained was heat-treated in a nitrogen gas atmosphere at a temperature of 800 ° C., and the phenol resin was calcined to produce a carbon / silica (C / SiO 2 ) composite. Next, the silica (SiO 2 ) in the composite is reduced by carbon (C) to be converted into silicon carbide by heat treatment at a temperature of 1650 ° C. in an argon atmosphere, and then heated to a temperature of 800 ° C. in air to remain. The carbon content was burned and removed to produce silicon carbide powder.

この炭化ケイ素粉末とレゾール型フェノール樹脂(大日本インキ化学社製、J−325)を硬化後の固形分との重量比が4:6の割合となるように混合して、フェノール樹脂−SiC複合体を製造した。   This silicon carbide powder and a resol type phenol resin (manufactured by Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., J-325) are mixed so that the weight ratio of the solid content after curing is 4: 6, and a phenol resin-SiC composite The body was manufactured.

比較例1
炭化ケイ素粉末として市販品(屋久島電工社製、OY−15)を用いて、実施例1と同じ方法でフェノール樹脂−SiC複合体を製造した。
Comparative Example 1
A phenol resin-SiC composite was produced in the same manner as in Example 1 using a commercially available product (OY-15 manufactured by Yakushima Electric Works) as silicon carbide powder.

比較例2
実施例1において、フェノール樹脂を炭素/シリカ(C/SiO)複合体のC/SiOのモル比が1.5となるように調整して混合した他は、実施例1と同じ方法により炭化ケイ素粉末を製造し、またフェノール樹脂−SiC複合体を製造した。
Comparative Example 2
In Example 1, the phenol resin was mixed by adjusting so that the C / SiO 2 molar ratio of the carbon / silica (C / SiO 2 ) composite was 1.5. Silicon carbide powder was produced, and a phenol resin-SiC composite was produced.

比較例3
実施例1において、フェノール樹脂を炭素/シリカ(C/SiO)複合体のC/SiOのモル比が8となるように調整して混合した他は、実施例1と同じ方法により炭化ケイ素粉末を製造し、またフェノール樹脂−SiC複合体を製造した。
Comparative Example 3
In Example 1, silicon carbide was prepared in the same manner as in Example 1 except that the phenol resin was mixed so that the C / SiO 2 molar ratio of the carbon / silica (C / SiO 2 ) composite was 8. Powder was produced and a phenol resin-SiC composite was produced.

このようにして製造した炭化ケイ素粉末のDBP吸収量、樹脂との混練性、および、フェノール樹脂−SiC複合体の曲げ強度を表1に示した。   Table 1 shows the DBP absorption amount of the silicon carbide powder thus produced, the kneadability with the resin, and the bending strength of the phenol resin-SiC composite.

Figure 2008081365
Figure 2008081365

Claims (2)

シリコンアルコキシドにアルコールを混合し、次いで、熱硬化性樹脂を添加して撹拌混合した後、混合液のpHを1〜7に調整して加水分解し、得られた熱硬化性樹脂・シリカ複合ゲルを非酸化性雰囲気中800〜1000℃の温度で熱処理し、樹脂成分を炭化して得られた炭素/シリカ(C/SiO)複合体のC/SiOのモル比を2〜5に調整した後、非酸化性雰囲気中1400〜2300℃の温度で熱処理して炭素/シリカ複合体のシリカを炭素で還元してSiCに転化することを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法。 After mixing alcohol with silicon alkoxide, then adding thermosetting resin, stirring and mixing, adjusting the pH of the mixture to 1-7 to hydrolyze, and the resulting thermosetting resin / silica composite gel The carbon / silica (C / SiO 2 ) composite C / SiO 2 molar ratio of carbon / silica (C / SiO 2 ) composite obtained by heat treating the resin component at a temperature of 800 to 1000 ° C. in a non-oxidizing atmosphere is adjusted to 2 to 5. Then, heat treatment is performed at a temperature of 1400 to 2300 ° C. in a non-oxidizing atmosphere, and the silica of the carbon / silica composite is reduced with carbon and converted to SiC. 熱硬化性樹脂の添加量を、シリコンアルコキシドから生成するSiO量と樹脂成分の炭化により形成されるC量とのモル比が2〜5になるように調整する、請求項1記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。 The silicon carbide according to claim 1, wherein the addition amount of the thermosetting resin is adjusted so that the molar ratio between the amount of SiO 2 generated from silicon alkoxide and the amount of C formed by carbonization of the resin component is 2 to 5. Powder manufacturing method.
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