JP2008071578A - Organic el display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機ＥＬ表示装置に係り、特にトップエミッション型有機ＥＬ表示素子を備えた有機ＥＬ表示装置に関する。 The present invention relates to an organic EL display device, and more particularly to an organic EL display device including a top emission type organic EL display element.
フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）などが実用化ないしは実用化研究段階にある。中でも、有機ＥＬ表示装置は薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。 Liquid crystal display devices (LCDs), plasma display devices (PDPs), field emission display devices (FEDs), organic EL display devices (OLEDs), etc. are in the practical application or practical application research stage as flat panel display devices. Among them, the organic EL display device is a very promising display device as a future display device as a typical thin and light self-luminous display device.
有機ＥＬ表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とがある。ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、ＴＦＴ基板を構成するガラス基板を好適とする絶縁基板の主面に、第１の電極または一方の電極としての透明電極（ＩＴＯ等）、電界の印加で発光する多層の有機膜（有機発光層とも言う）、第２の電極または他方の電極としての反射性の金属電極を順次積層した発光機構で有機ＥＬ素子が構成される。この有機ＥＬ素子をマトリクス状に多数配列し、それらの積層構造を覆って封止缶と称する他の基板あるいは封止膜を設け、上記発光構造を外部の雰囲気から遮断している。そして、例えば透明電極を陽極とし、金属電極を陰極として両者の間に電界を印加することで有機多層膜にキャリア（電子と正孔）が注入され、該有機多層膜が発光する。この発光をガラス基板側から外部に出射する構成となっている。 Organic EL display devices include a so-called bottom emission type and a top emission type. A bottom emission type organic EL display device emits light when an electric field is applied to a first electrode or a transparent electrode (such as ITO) as one electrode on the main surface of an insulating substrate that is preferably a glass substrate constituting a TFT substrate. The organic EL element has a light emitting mechanism in which a multilayer organic film (also referred to as an organic light emitting layer) and a reflective metal electrode as the second electrode or the other electrode are sequentially laminated. A large number of organic EL elements are arranged in a matrix, and another substrate or sealing film called a sealing can is provided to cover the laminated structure, thereby blocking the light emitting structure from the outside atmosphere. Then, for example, by applying an electric field between the transparent electrode as the anode and the metal electrode as the cathode, carriers (electrons and holes) are injected into the organic multilayer film, and the organic multilayer film emits light. This light emission is emitted from the glass substrate side to the outside.
一方、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、上記した一方の電極を反射性を有する金属電極とし、他方の電極をＩＴＯ等の透明電極とし、両者の間に電界を印加することで発光層が発光し、この発光を上記他方の電極側から出射する構成を特徴としている。トップエミッション型では、前記絶縁基板上の駆動回路上も発光エリアとして利用できる特徴を有している。又、トップエミッション型では、ボトムエミッション型における封止缶に対応する構成として、ガラス板を好適とする透明板が使用出来る。 On the other hand, in the top emission type organic EL display device, one of the above-described electrodes is a reflective metal electrode, the other electrode is a transparent electrode such as ITO, and the light emitting layer is formed by applying an electric field between them. It is characterized by emitting light and emitting the emitted light from the other electrode side. The top emission type has a feature that it can also be used as a light emitting area on the drive circuit on the insulating substrate. In the top emission type, a transparent plate suitable for a glass plate can be used as a configuration corresponding to the sealing can in the bottom emission type.
この種の有機ＥＬ表示装置に関し、特許文献１ではトップエミッション型有機ＥＬ表示素子の製造でインクジェットプロセスに適した膜の表面処理に関する技術が、又特許文献２では基板上に配置された一方の電極の上に形成される有機発光層および他方の電極でなる発光エリアを、膜厚が薄くテーパの少ない無機絶縁膜のバンクで囲む構成とし、バンクの段差を小さくすることでエッジグロースを無くし、隣接画素からの迷光の反射防止と電極の段切れを回避する技術がそれぞれ開示されている。
このようなトップエミッション型有機ＥＬ表示装置では、電極や有機ＥＬ層の素子構成、膜厚によって光の干渉の影響が大きく、輝度、コントラストの向上が困難であった。この光の干渉の影響を軽減するには前記有機ＥＬ層の膜厚管理の厳密さが要求される。ところが、この要求は製造過程での作業時間の短縮と製造原価の低減に逆行する問題を内包している。 In such a top emission type organic EL display device, the influence of light interference is large depending on the element configuration and film thickness of the electrode and the organic EL layer, and it is difficult to improve luminance and contrast. In order to reduce the influence of this light interference, strict control of the film thickness of the organic EL layer is required. However, this requirement includes a problem that goes against the reduction of the working time and the manufacturing cost in the manufacturing process.
又、この光の干渉の影響により、視野角により輝度、コントラストに変化が生じ、その対策が求められている。更に、光の干渉の影響が反射防止を困難にし、別途偏光板の配置を必要とする等の問題があった。
更に又、光の干渉の影響で多色発光の構成では、各発光光の色純度が低く色再現性が十分ではないという問題もあった。
Further, due to the influence of this light interference, the brightness and contrast change depending on the viewing angle, and countermeasures are required. Further, the influence of light interference makes it difficult to prevent reflection, and there is a problem that a separate polarizing plate is required.
Furthermore, in the configuration of multicolor light emission due to the influence of light interference, there is a problem that the color purity of each emitted light is low and the color reproducibility is not sufficient.
本発明の目的は、上述した問題を解決し、高輝度、高コントラストで優れた色純度の有機ＥＬ表示装置を提供することにある。 An object of the present invention is to solve the above-described problems and provide an organic EL display device having high luminance, high contrast, and excellent color purity.
上記目的を達成するため、本発明は、有機ＥＬ層に接して隣接する有機ＥＬ層と離隔する突堤状の堤絶縁突起（以下バンクと言う）と、前記有機ＥＬ層の背面側に配置される画素電極等を光吸収機能を備えた構成としたものである。 In order to achieve the above-mentioned object, the present invention is arranged on the back side of the organic EL layer, with a bank-like ridge insulation protrusion (hereinafter referred to as a bank) that is in contact with the organic EL layer and is separated from the adjacent organic EL layer. The pixel electrode or the like is provided with a light absorption function.
本発明は有機ＥＬ層の側面及び背面に光吸収機能を備えた構成としたことにより、
（１）外来光及び発光（出射）光の反射を低減し、各発光光の色純度及び輝度を向上させ ると共にコントラストの向上を図ることが出来る。
（２）不要な出射光を遮蔽できるため青，緑，赤成分の光が出射される割合が増加し，Ｒ ＧＢ各発光光の色純度が向上する。
（３）光の干渉を低減できることから、別途に偏光板を必須とせず、省略することも可能 で、コスト低減は勿論のこと、輝度向上も期待できる。
（４）フルカラー有機ＥＬ表示装置としての色再現範囲が拡大する。
（５）装置が薄くなり更に軽量化されるため，適用できる製品範囲が拡大できる。
The present invention is configured to have a light absorption function on the side and back of the organic EL layer,
(1) The reflection of extraneous light and emitted (emitted) light can be reduced, the color purity and luminance of each emitted light can be improved, and the contrast can be improved.
(2) Since unnecessary outgoing light can be shielded, the proportion of blue, green, and red component light is increased, and the color purity of each RGB emitted light is improved.
(3) Since interference of light can be reduced, a polarizing plate is not required separately and can be omitted. In addition to cost reduction, luminance can be expected.
(4) The color reproduction range as a full-color organic EL display device is expanded.
(5) Since the device becomes thinner and lighter, the applicable product range can be expanded.
以下、本発明の実施の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings of the examples.
図１乃至図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置の一実施例の概略構造を説明する模式図で、図１は平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図、図３は図２の有機ＥＬ層の拡大断面図である。図１乃至図３において、ＡＤは対向電極（アノード電極）、ＣＤは画素電極（カソード電極）、ＢＭＰはバンク、ＯＬＥは有機ＥＬ層、ＩＢは絶縁性の平坦化膜、ＩＣは絶縁膜、ＦＧはファーストゲート、ＳＧはセカンドゲート、ＧＩはゲート絶縁膜、ＡＬはスイッチング素子間の配線、ＡＬＳはスイッチング素子間の配線（光シールドも兼ねる部分）、ＳＵＢは絶縁基板である。 1 to 3 are schematic views for explaining the schematic structure of an embodiment of the organic EL display device of the present invention. FIG. 1 is a plan view, and FIG. 2 is an enlarged sectional view taken along the line AA in FIG. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the organic EL layer of FIG. 1 to 3, AD is a counter electrode (anode electrode), CD is a pixel electrode (cathode electrode), BMP is a bank, OLE is an organic EL layer, IB is an insulating flattening film, IC is an insulating film, FG Is a first gate, SG is a second gate, GI is a gate insulating film, AL is a wiring between switching elements, ALS is a wiring between switching elements (a part also serving as a light shield), and SUB is an insulating substrate.
前記絶縁基板ＳＵＢは、主面に窒化シリコンＳｉＮ、酸化シリコンＳｉＯ２ を成膜した透明なガラスを好適とする基板であり、前記したＴＦＴ基板となるものである。この酸化シリコンＳｉＯ２ 膜の上のスイッチング素子領域に半導体膜のパターニングでファーストゲートＦＧが形成されている。ファーストゲートＦＧを覆ってゲート絶縁膜ＧＩが形成され、ゲート絶縁膜ＧＩの上にセカンドゲートＳＧがパターニングされ、さらにその上を覆って絶縁性の平坦化膜１Ｂが成膜されている。 The insulating substrate SUB is a substrate preferably made of transparent glass with silicon nitride SiN and silicon oxide SiO2 formed on the main surface, and becomes the TFT substrate described above. A first gate FG is formed by patterning a semiconductor film in the switching element region on the silicon oxide SiO2 film. A gate insulating film GI is formed to cover the first gate FG, a second gate SG is patterned on the gate insulating film GI, and an insulating planarizing film 1B is formed to cover the second gate SG.
配線ＡＬはスイッチング素子のドレイン電極となるスイッチング素子間の配線（スイッチ間配線、信号配線、ドレイン配線）、又、配線ＡＬＳはソース電極でかつスイッチング素子間の配線兼シールド部材（スイッチ間配線兼シールド部材）を示し、平坦化膜１Ｂとゲート絶縁膜ＧＩを貫通するコンタクトホールを通してファーストゲートＦＧに接続されている。スイッチ間配線ＡＬとスイッチ間配線兼シールド部材ＡＬＳを覆って絶縁膜１Ｃが成膜されている。この絶縁膜１Ｃに設けたコンタクトホールを通してスイッチ間配線兼シールド部材ＡＬＳに接続する平板状の画素電極ＣＤが発光エリアに延びている。ここでは、画素電極ＣＤはカソード電極である。 The wiring AL is a wiring between switching elements (inter-switch wiring, signal wiring, drain wiring) serving as a drain electrode of the switching element, and the wiring ALS is a source electrode and a wiring / shielding member between the switching elements (inter-switch wiring / shielding) And is connected to the first gate FG through a contact hole that penetrates the planarizing film 1B and the gate insulating film GI. An insulating film 1C is formed to cover the inter-switch wiring AL and the inter-switch wiring / shield member ALS. A planar pixel electrode CD connected to the inter-switch wiring / shield member ALS through a contact hole provided in the insulating film 1C extends to the light emitting area. Here, the pixel electrode CD is a cathode electrode.
この画素電極ＣＤは例えばＭｇ−Ａｇ合金から構成され、少なくとも発光エリアに対面する面は例えばフラーレン（Ｃ60）又はその誘導体等により黒色化されて光吸収機能を有する構成となっている。 The pixel electrode CD is made of, for example, an Mg—Ag alloy, and at least the surface facing the light emitting area is blackened by, for example, fullerene (C 60 ) or a derivative thereof to have a light absorption function.
この画素電極ＣＤ上には発光エリアを構成する有機ＥＬ層ＯＬＥが突堤状のバンクＢＭＰで囲まれて積層配置されている。この有機ＥＬ層ＯＬＥはＸ方向及びＹ方向にマトリクス状に配置されている。 On this pixel electrode CD, an organic EL layer OLE constituting a light emitting area is laminated and disposed surrounded by a bank-like bank BMP. The organic EL layer OLE is arranged in a matrix in the X direction and the Y direction.
前記バンクＢＭＰの前記有機ＥＬ層ＯＬＥと対向する面は光吸収機能を有する構成、例えば酸化シリコン膜のような無機絶縁材料に例えばカーボンのような黒色材料を添加して黒色化された構成となっている。 The surface of the bank BMP that faces the organic EL layer OLE has a light absorbing function, for example, a structure in which a black material such as carbon is added to an inorganic insulating material such as a silicon oxide film to be blackened. ing.
前記発光エリアを構成する有機ＥＬ層ＯＬＥ上には、例えばＩＴＯ膜からなる透光性の対向電極ＡＤが配置されている。ここでは、対向電極ＡＤはアノード電極である。 On the organic EL layer OLE constituting the light emitting area, a translucent counter electrode AD made of, for example, an ITO film is disposed. Here, the counter electrode AD is an anode electrode.
この対向電極ＡＤは前記有機ＥＬ層ＯＬＥ上に続いてバンクＢＭＰの側壁から天頂面を連続して覆って配置されている。 The counter electrode AD is disposed on the organic EL layer OLE so as to continuously cover the top surface from the side wall of the bank BMP.
前記バンクＢＭＰは例えば酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の無機絶縁材料から構成されており、発光エリアに開口部（バンク開口）を有する形状とされている。したがって、バンクＢＭＰはその開口部に凹みを有した形状となっている。
このように、本実施例による有機ＥＬ表示装置は、隣接する前記画素の有機ＥＬ層ＯＬＥの発光エリアが、例えば無機絶縁膜からなるバンクＢＭＰにより分離されている。
The bank BMP is made of an inorganic insulating material such as a silicon oxide film or a silicon nitride film, and has a shape having an opening (bank opening) in a light emitting area. Therefore, the bank BMP has a shape having a recess in its opening.
As described above, in the organic EL display device according to this example, the light emitting area of the organic EL layer OLE of the adjacent pixel is separated by the bank BMP made of, for example, an inorganic insulating film.
このバンクＢＭＰのバンク開口に配置された前記有機ＥＬ層ＯＬＥはその一例の詳細を図３に示す。 FIG. 3 shows details of an example of the organic EL layer OLE disposed in the bank opening of the bank BMP.
図３に示す有機ＥＬ層ＯＬＥは、画素電極ＣＤに接して電子輸送層ＥＴＬが配置され、その上に順次発光層ＥＭＬ、ホール輸送層ＨＴＬ、ホール注入層ＨＩＬがそれぞれ積層され、最上層には対向電極ＡＤが全面に形成されている。
この有機ＥＬ層ＯＬＥはバンク開口の内縁に接して形成されている。
In the organic EL layer OLE shown in FIG. 3, the electron transport layer ETL is disposed in contact with the pixel electrode CD, and the light emitting layer EML, the hole transport layer HTL, and the hole injection layer HIL are sequentially stacked on the organic EL layer OLE. A counter electrode AD is formed on the entire surface.
The organic EL layer OLE is formed in contact with the inner edge of the bank opening.
上記構成で、前記透明な対向電極ＡＤは陽極として機能し、画素電極ＣＤは陰極として機能するが、陽極である透明電極ＡＤには仕事関数の高い透明な電極材料を用いれば良く、前述したＩＴＯが一般的であるが他の透明な導電物質であっても良い。 In the above configuration, the transparent counter electrode AD functions as an anode and the pixel electrode CD functions as a cathode. However, a transparent electrode material having a high work function may be used for the transparent electrode AD serving as the anode. However, other transparent conductive materials may be used.
陰極である画素電極ＣＤには、仕事関数の低いＡｌ、Ｍｇ、Ｍｇ/Ａｇ合金やＡｌ/Ｌｉ合金等などを用いることができる。又、特性向上のためＡｌ単体ではなく，有機層との間に極薄いフッ化リチウムＬｉＦなどのアルカリ金属化合物などを用いても良い。なお、画素電極ＣＤは、発光層から出射した光の反射を抑制するため、光の反射率の低い材料から構成されることが望ましい。 For the pixel electrode CD which is a cathode, Al, Mg, Mg / Ag alloy, Al / Li alloy or the like having a low work function can be used. Further, in order to improve the characteristics, an alkali metal compound such as an extremely thin lithium fluoride LiF may be used between the organic layer and not an Al single substance. Note that the pixel electrode CD is preferably made of a material having low light reflectance in order to suppress reflection of light emitted from the light emitting layer.
発光層ＥＭＬは、陽極である透明な対向電極ＡＤと陰極である画素電極ＣＤとの間に所定の電圧が印加されたとき，所望の色で発光する材料を用いる。 The light-emitting layer EML uses a material that emits light in a desired color when a predetermined voltage is applied between the transparent counter electrode AD that is an anode and the pixel electrode CD that is a cathode.
発光層ＥＭＬの材料としては、赤色発光用として、例えば発光層はＡｌｑ３（トリス(８−キノリノレート)アルミニウム）に、ＤＣＭ−１（４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−(ｐ−ジメチルアミノスチリル)−４Ｈ−ピラン）を分散したもの、緑色発光用として、例えばＡｌｑ３，Ｂｅｂｑ，キナクリドンでドーピングしたＡｌｑ３、青色発光用として、例えばＤＰＶＢｉ（４,４'−ビス(２,２−ジフェニルビニル)ビフェニル）や、これとＢＣｚＶＢｉ（４,４'−ビス(２−カルバゾールビニレン)ビフェニル）からなる材料、或いはジスチリルアリレーン誘導体をホストとし、ジスチリルアミン誘導体をゲストとしてドーピングしたものを用いることができる。 As a material of the light emitting layer EML, for red light emission, for example, the light emitting layer is Alq3 (tris (8-quinolinolate) aluminum) and DCM-1 (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethyl). Aminostyryl) -4H-pyran) dispersed, for green light emission, for example Alq3, Bebq, Alq3 doped with quinacridone, for blue light emission, for example DPVBi (4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) ) Biphenyl) or a material comprising BCzVBi (4,4′-bis (2-carbazolvinylene) biphenyl), or a material having a distyrylarylene derivative as a host and a distyrylamine derivative as a guest. Can do.
又、それぞれの発光層ＥＭＬにおいて、ホール注入層ＨＩＬはＣｕＰｃ（銅フタロシアニン），ホール輸送層ＨＴＬはα−ＮＰＤ（Ｎ,Ｎ'−ジ(α−ナフチル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル１,１'−ビフェニル−４,４'−ジアミン）や、トリフェニルジアミン誘導体ＴＰＤ（Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)１,１'−ビフェニル−４,４'−ジアミン）、電子輸送層ＥＴＬはＡｌｑ３を用いることができる。
In each light emitting layer EML, the hole injection layer HIL is CuPc (copper phthalocyanine), and the hole transport layer HTL is α-NPD (N, N′-di (α-naphthyl) -N, N′-
更に、上記低分子系の材料の他にポリマー系の材料を用いることもできる。 Furthermore, in addition to the low molecular weight material, a polymer based material can also be used.
このような構成の有機ＥＬ層ＯＬＥを備えた有機ＥＬ素子では，陽極である対向電極ＡＤと陰極である画素電極ＣＤとに直流電源を接続し、両電極間に直流電圧を印加すると、対向電極ＡＤから注入されたホールと、画素電極ＣＤから注入された電子がそれぞれ発光層に到達し，電子−ホールの再結合が生じ所定の波長の発光が生じるものである。 In the organic EL element having the organic EL layer OLE having such a configuration, when a DC power source is connected to the counter electrode AD that is an anode and the pixel electrode CD that is a cathode, and a DC voltage is applied between the two electrodes, The holes injected from AD and the electrons injected from the pixel electrode CD reach the light emitting layer, respectively, and electron-hole recombination occurs to emit light of a predetermined wavelength.
実施例２による本発明の有機ＥＬ表示装置は、前述した図３に示す有機ＥＬ層ＯＬＥを発光層ＥＭＬの背面側の電子輸送層ＥＴＬに光吸収機能を有する構成としたものである。電子輸送層ＥＴＬを例えばＡｌｑ３で形成し、これにフラーレン（Ｃ60）を添加し、光吸収機能を持たせた構成である。その他の構成は図１、図２と同一、或いは画素電極ＣＤに光吸収機能を備えない構成でも良い。 In the organic EL display device of the present invention according to Example 2, the organic EL layer OLE shown in FIG. 3 is configured to have a light absorption function in the electron transport layer ETL on the back side of the light emitting layer EML. The electron transport layer ETL is formed of, for example, Alq3, and fullerene (C 60 ) is added thereto to provide a light absorption function. Other configurations may be the same as those in FIGS. 1 and 2, or the pixel electrode CD may not have a light absorption function.
図４は本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例の有機ＥＬ層の構成を説明する拡大断面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。図４に示す実施例３においては、有機ＥＬ層ＯＬＥを電子輸送層ＥＴＬと発光層ＥＭＬ及びホール輸送層ＨＴＬの３層構造とし、これにＶ2Ｏ5材からなる対向電極ＡＤＶを積層し、更に前記有機ＥＬ層ＯＬＥを発光層ＥＭＬの背面側の電子輸送層ＥＴＬに光吸収機能を有する構成としたものである。その他の構成は図１、図２と同一、或いは画素電極ＣＤに光吸収機能を備えない構成でも良い。 FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view for explaining the configuration of the organic EL layer of another embodiment of the organic EL display device according to the present invention. In Example 3 shown in FIG. 4, the organic EL layer OLE has a three-layer structure of an electron transport layer ETL, a light emitting layer EML, and a hole transport layer HTL, and a counter electrode ADV made of a V 2 O 5 material is laminated thereon, Further, the organic EL layer OLE has a light absorption function in the electron transport layer ETL on the back side of the light emitting layer EML. Other configurations may be the same as those in FIGS. 1 and 2, or the pixel electrode CD may not have a light absorption function.
実施例４による本発明による有機ＥＬ表示装置は、図４に示す３層構造の有機ＥＬ層ＯＬＥとＶ2Ｏ5材からなる対向電極ＡＤＶを積層した構成の基で、画素電極ＣＤに実施例１と同様に光吸収機能を持たせたものである。 The organic EL display device according to the present invention according to the fourth embodiment is applied to the pixel electrode CD on the basis of a configuration in which the organic EL layer OLE having the three-layer structure shown in FIG. 4 and the counter electrode ADV made of the V 2 O 5 material are stacked. Like FIG. 1, it has a light absorption function.
図５は本発明による有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の有機ＥＬ層の構成を説明する拡大断面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。実施例５においては、図５に示すように有機ＥＬ層ＯＬＥを挟んでアノード電極となる画素電極ＡＤＬを背面側に、カソード電極となる対向電極ＣＤＨを前面側にそれぞれ配置すると共に、この画素電極ＡＤＬを実施例１と同様に光吸収機能を持たせた構成としたものである。この構成で、前面側に配置される前記対向電極ＣＤＨは例えばＭｇ−Ａｇ合金から形成され、半透明の性状を有する。勿論、この実施例５の前記有機ＥＬ層ＯＬＥは前記画素電極ＡＤＬ側からホール注入層ＨＩＬ、ホール輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ及び電子輸送層ＥＴＬが順次積層されている。 FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view for explaining the structure of an organic EL layer of still another embodiment of the organic EL display device according to the present invention. The same parts as those shown in FIG. In the fifth embodiment, as shown in FIG. 5, the pixel electrode ADL serving as an anode electrode is disposed on the back surface side and the counter electrode CDH serving as a cathode electrode is disposed on the front surface side with the organic EL layer OLE interposed therebetween. The ADL is configured to have a light absorption function as in the first embodiment. In this configuration, the counter electrode CDH disposed on the front surface side is formed of, for example, an Mg—Ag alloy and has a translucent property. Of course, in the organic EL layer OLE of the fifth embodiment, a hole injection layer HIL, a hole transport layer HTL, a light emitting layer EML, and an electron transport layer ETL are sequentially stacked from the pixel electrode ADL side.
図６及び図７は本発明による有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例を説明する模式図で、図６は平面図、図７は図６のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。図６及び図７において、参照記号ＳＤは補助電極で、この補助電極ＳＤはバンクＢＭＰ上の対向電極ＡＤ上を前記バンクＢＭＰと略同心でＹ方向に帯状に延在している。 6 and 7 are schematic views for explaining still another embodiment of the organic EL display device according to the present invention. FIG. 6 is a plan view, and FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view along the line BB in FIG. The same parts as those in the above-mentioned figure are given the same symbols. 6 and 7, the reference symbol SD is an auxiliary electrode, and this auxiliary electrode SD extends on the counter electrode AD on the bank BMP in a band shape in the Y direction substantially concentrically with the bank BMP.
この補助電極ＳＤは例えばＡｌ、Ａｇ材等の導電材で形成されて対向電極ＡＤと導通しており、しかもその幅がバンクＢＭＰ上の天頂面の幅より広い寸法に設定されている。この補助電極ＳＤは対向電極ＡＤの補助配線としての機能を備えると共に、この補助電極ＳＤの外面側に光吸収機能を持たせる事で発光エリアの輪郭を明確にするブラックマトリクスの機能を併せ持ち、外光の反射も軽減しコントラスト向上に寄与する。 The auxiliary electrode SD is formed of a conductive material such as Al or Ag, and is electrically connected to the counter electrode AD. The width of the auxiliary electrode SD is set larger than the width of the top surface on the bank BMP. The auxiliary electrode SD has a function as an auxiliary wiring of the counter electrode AD, and also has a black matrix function for clarifying the outline of the light emitting area by providing a light absorption function on the outer surface side of the auxiliary electrode SD. It also reduces light reflection and contributes to improved contrast.
図８は本発明による有機ＥＬ表示装置の第７実施例を説明する模式平面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。図８に示す実施例７では、補助電極ＳＤを実施例６の図６に示す配列と略直交する方向に配置したものである。この図８に示す配置の構成も、前記実施例６と略同様な作用効果を奏する。勿論、図６と図８に示す配列の組み合わせ構成とすることも可能である。 FIG. 8 is a schematic plan view for explaining a seventh embodiment of the organic EL display device according to the present invention. In FIG. 8, the same parts as those shown in FIG. In Example 7 shown in FIG. 8, the auxiliary electrodes SD are arranged in a direction substantially orthogonal to the arrangement shown in FIG. The arrangement shown in FIG. 8 also has substantially the same operational effects as the sixth embodiment. Of course, a combination of the arrangements shown in FIGS. 6 and 8 is also possible.
ＡＤ、ＡＤＶ・・・対向電極、ＣＤ・・・画素電極、ＣＤＨ・・・画素電極、ＢＭＰ・・・バンク、ＳＵＢ・・・絶縁基板（ＴＦＴ基板）、ＩＢ・・・平坦化膜、ＯＬＥ・・・有機ＥＬ層、ＦＧ・・・ファーストゲート、ＳＧ・・・セカンドゲート、ＩＣ・・・絶縁膜、ＧＩ・・・ゲート絶縁膜、ＡＬ・・・スイッチング素子間の配線、ＡＬＳ・・・スイッチング素子間の配線、ＳＤ・・・補助電極。 AD, ADV ... counter electrode, CD ... pixel electrode, CDH ... pixel electrode, BMP ... bank, SUB ... insulating substrate (TFT substrate), IB ... flattening film, OLE ..Organic EL layer, FG ... first gate, SG ... second gate, IC ... insulating film, GI ... gate insulating film, AL ... wiring between switching elements, ALS ... switching Wiring between elements, SD ... Auxiliary electrode.
Claims (8)
前記有機ＥＬ層と画素電極の間、又は画素電極の前記対向電極側の面に光吸収機能を備えた構成としたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 A plurality of pixel electrodes disposed on the main surface of the insulating substrate, a multi-layer organic EL layer disposed on each of the plurality of pixel electrodes, and a translucent counter electrode disposed on the organic EL layer And an organic EL display device comprising an organic EL display element having an insulating protrusion disposed between the plurality of organic EL layers and configured to emit light from the counter electrode side,
An organic EL display device having a light absorption function between the organic EL layer and the pixel electrode or on the surface of the pixel electrode on the counter electrode side.
The organic EL display device according to claim 4, wherein the insulating protrusion contains a carbon material.
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