JP2008065556A - Molecule formation simulation method and program - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a molecule formation simulation method and program that automatically simulate the formation of a molecule having a layer structure involving van der Waals potential. <P>SOLUTION: The computerized molecule formation simulation method calculates bonding potentials of covalent bonds of target element atoms at each time point of a molecular dynamics simulation by means of a processor, determines and clusters the bonds of the target element atoms while removing catalytic atoms growing the target element atoms and the target element atoms in contact with the catalytic atoms, calculates van der Waals potentials only among different clusters resulting from the clustering, which are assumed to be single layers, and automatically simulates and displays the formation of a molecule having a layer structure involving van der Waals potential according to the calculated bonding potentials and van der Waals potentials. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、分子形成シミュレーション方法及びプログラムに係り、特に複数の層からなる多層ナノチューブや複数本のナノチューブからなるバンドルナノチューブ等の、ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションを行う分子形成シミュレーション方法、及びコンピュータにそのような分子形成シミュレーションを行わせるプログラムに関する。   The present invention relates to a molecular formation simulation method and program, and in particular, simulates the formation of a molecule having a layer structure in which van der Waals potential is interposed, such as a multi-layered multi-walled nanotube or a bundled nanotube composed of a plurality of nanotubes. The present invention relates to a molecule formation simulation method to be performed, and a program for causing a computer to perform such a molecule formation simulation.

カーボンナノチューブの形成メカニズムはまだよく理解されていない。シミュレーションによりカーボンナノチューブの形成メカニズムを解明し、構造制御法を提案して行くことは、カーボンナノチューブのデバイス応用には不可欠である。これまでに図1に示す如き単層のカーボンナノチューブの形成シミュレーションは第一原理分子動力学法でいくつか行われている(例えば、非特許文献1)。しかし、従来、図2に示す如き複数の層からなる多層ナノチューブや図3に示す如き複数本のナノチューブからなるバンドルナノチューブの形成シミュレーションは行われていない。図2及び図3において、vdWはファンデルワールス力を示す。   The formation mechanism of carbon nanotubes is not yet well understood. Elucidating the formation mechanism of carbon nanotubes through simulation and proposing structure control methods is indispensable for device application of carbon nanotubes. Until now, several simulations of the formation of single-walled carbon nanotubes as shown in FIG. 1 have been performed by the first principle molecular dynamics method (for example, Non-Patent Document 1). However, conventionally, a formation simulation of a multi-layer nanotube composed of a plurality of layers as shown in FIG. 2 or a bundle nanotube composed of a plurality of nanotubes as shown in FIG. 3 has not been performed. 2 and 3, vdW indicates Van der Waals force.

従来、例えばファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有するカーボンナノチューブの形成のシミュレーションが行われていないのは、炭素原子間の短い距離(〜2Å)の強い結合ポテンシャルと、長い距離(〜3Å)の弱いファンデルワールスポテンシャルとを共存させることが難しいためである。図4は共有結合による結合ポテンシャルを説明する図であり、図5はファンデルワールス結合(van der Waals binding)によるファンデルワールスポテンシャルを説明する図である。図4及び図5中、縦軸はポテンシャルエネルギーを示し、横軸は原子間距離を示す。又、実線は共有結合による結合ポテンシャルを示し、破線はファンデルワールス結合によるファンデルワールスポテンシャルを示す。   Conventionally, for example, the simulation of the formation of a carbon nanotube having a layer structure in which a van der Waals potential intervenes has not been performed because of a strong bonding potential of a short distance (˜2 () between carbon atoms and a long distance (˜3Å). This is because it is difficult to coexist with the weak van der Waals potential. FIG. 4 is a diagram for explaining a bond potential by a covalent bond, and FIG. 5 is a diagram for explaining a van der Waals potential by a van der Waals binding. 4 and 5, the vertical axis represents potential energy, and the horizontal axis represents interatomic distance. The solid line indicates the bond potential due to the covalent bond, and the broken line indicates the van der Waals potential due to the van der Waals bond.

原子の結合の形態が予め決まっている特殊な構造では、シミュレーションシステムのオペレータが手動で結合形態を設定することにより場合分けをすることが可能であるが、一般的な分子形成シミュレーションでは時々刻々と結合の組み換えが起こるため、結合形態を予め決めておくことはできない。この場合、ポテンシャルエネルギーを示す図4及び図5からも分かるように、単に共有結合及びファンデルワールス結合のポテンシャルエネルギーを共存させた場合、常にファンデルワールスポテンシャルに支配されてしまう。又、原子間距離で結合形態の場合分けをすることも考えられるが、初期値に依存した位置でポテンシャルの影響を受けてしまい、ポテンシャルを移り変わることができない。更に、結合結合数で結合形態の場合分けをすることも考えられるが、結合角や周りの原子の結合の状態も考慮に入れなければならず、シミュレーションの手順が非常に煩雑なものになってしまう。
Y. Shibuta, S. Maruyama, Chemical Physics Letter 382, 381 (2003)
In a special structure in which the form of atomic bonds is predetermined, the operator of the simulation system can classify the cases by manually setting the bond form. Since recombination of the binding occurs, the binding form cannot be determined in advance. In this case, as can be seen from FIGS. 4 and 5 showing the potential energy, when the potential energy of the covalent bond and the van der Waals bond is coexisted, it is always controlled by the van der Waals potential. In addition, although it is conceivable to divide the bond form according to the interatomic distance, it is affected by the potential at a position depending on the initial value, and the potential cannot be changed. Furthermore, it is conceivable to divide the bond form according to the number of bond bonds, but the bond angle and the state of bonding of surrounding atoms must be taken into consideration, which makes the simulation procedure very complicated. End up.
Y. Shibuta, S. Maruyama, Chemical Physics Letter 382, 381 (2003)

従来、結合ポテンシャルとファンデルワールスポテンシャルとを共存させることが難しいため、ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションを行う分子形成シミュレーション方法は提案されていないという問題があった。   Conventionally, it has been difficult to coexist the bond potential and the van der Waals potential, so there has been a problem that no molecular formation simulation method has been proposed for simulating the formation of molecules having a layer structure with the van der Waals potential. .

そこで、本発明は、ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションを自動的に行うことが可能な分子形成シミュレーション方法及びプログラムを提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a molecule formation simulation method and program capable of automatically performing the formation simulation of a molecule having a layer structure in which van der Waals potential is interposed.

上記の課題は、分子の形成のシミュレーションをプロセッサ、記憶部及び表示部を有するコンピュータシステムにより行う分子形成シミュレーション方法であって、分子動力学シミュレーションの各時刻において対象元素原子の共有結合による結合ポテンシャルを該プロセッサにより計算して該記憶部に格納する第1の計算ステップと、対象元素原子を成長させるための触媒原子と、該触媒原子に接する対象元素原子とを取り除いた状態で該プロセッサにより対象元素原子間の結合状態を調べてクラスタリングを行い、クラスタリングの結果を該記憶部に格納するクラスタリングステップと、該記憶部からクラスタリングの結果を読み出して、クラスタリングの結果により得られた各クラスタを1つの層とみなして異なるクラスタ間だけのファンデルワールスポテンシャルを該プロセッサにより計算して該記憶部に格納する第2の計算ステップと、該記憶部から結合ポテンシャル及びファンデルワールスポテンシャルを読み出して、これらのポテンシャルに基づいて該プロセッサによりファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションを行い、シミュレーションの結果を該表示部に表示するシミュレーションステップとを、該コンピュータシステムにより自動的に行うことを特徴とする分子形成シミュレーション方法によって達成できる。   The above-described problem is a molecular formation simulation method in which a molecule formation simulation is performed by a computer system having a processor, a storage unit, and a display unit. The target element is calculated by the processor in a state in which the first calculation step calculated by the processor and stored in the storage unit, the catalyst atoms for growing the target element atoms, and the target element atoms in contact with the catalyst atoms are removed. A clustering step in which the bonding state between atoms is examined to perform clustering, and the clustering result is stored in the storage unit, and the clustering result is read from the storage unit, and each cluster obtained from the clustering result is stored in one layer. Only between different clusters A second calculation step of calculating a Ndelwals potential by the processor and storing it in the storage unit; reading out a coupling potential and a van der Waals potential from the storage unit; Achieved by a molecular formation simulation method characterized in that the computer system automatically performs a simulation step of simulating the formation of a molecule having a layer structure with potential intervening and displaying the simulation result on the display unit. it can.

上記の課題は、記憶部及び表示部に接続可能なコンピュータに、分子の形成のシミュレーションを行わせるプログラムであって、該コンピュータに、分子動力学シミュレーションの各時刻において対象元素原子の共有結合による結合ポテンシャルを計算させて該記憶部に格納させる第1の計算手順と、該コンピュータに、対象元素原子を成長させるための触媒原子と、該触媒原子に接する対象元素原子とを取り除いた状態で対象元素原子間の結合状態を調べさせてクラスタリングを行わせ、クラスタリングの結果を該記憶部に格納させるクラスタリング手順と、該コンピュータに、該クラスタリング手順に格納させたクラスタリングの結果を該記憶部から読み出させ、このクラスタリングの結果により得られた各クラスタを1つの層とみなして異なるクラスタ間だけのファンデルワールスポテンシャルを計算させて該記憶部に格納させる第2の計算手順と、該コンピュータに、該第1及び第2の計算手順で格納させた結合ポテンシャル及びファンデルワールスポテンシャルを該記憶部から読み出させ、これらのポテンシャルに基づいてファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションを自動的に行わせてシミュレーションの結果を該表示部に表示させるシミュレーション手順とを含むことを特徴とするプログラムによって達成できる。   The above-described problem is a program for causing a computer that can be connected to the storage unit and the display unit to perform a simulation of molecule formation, and to the computer by a covalent bond of target element atoms at each time of molecular dynamics simulation A first calculation procedure for calculating the potential and storing the potential element in the storage unit; and the target element in a state in which the catalyst atom for growing the target element atom and the target element atom in contact with the catalyst atom are removed from the computer A clustering procedure for checking the bonding state between atoms and performing clustering, and storing the clustering result in the storage unit, and causing the computer to read the clustering result stored in the clustering procedure from the storage unit. Each cluster obtained by this clustering result is regarded as one layer. A second calculation procedure for calculating the van der Waals potential only between different clusters and storing it in the storage unit; and a coupling potential and a van der Waals potential stored in the computer by the first and second calculation procedures Simulation procedure for causing the display unit to display a simulation result by automatically performing a simulation of the formation of a molecule having a layer structure with a van der Waals potential intervening based on these potentials It can be achieved by a program characterized by including.

本発明によれば、ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションを自動的に行うことが可能な分子形成シミュレーション方法及びプログラムを実現することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the molecular formation simulation method and program which can perform automatically the simulation of the formation of the molecule | numerator which has the layer structure which Van der Waals potential interposes are realizable.

本発明は、複数の層からなる多層ナノチューブや複数本のナノチューブからなるバンドルナノチューブ等の、ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションを行う。   The present invention simulates the formation of molecules having a layered structure with a van der Waals potential, such as multi-layer nanotubes composed of a plurality of layers and bundle nanotubes composed of a plurality of nanotubes.

層構造を有するカーボンナノチューブの場合を例に挙げると、実際に描きたいシミュレーションの過程では、例えばガスとして飛来してきた炭素を含むガスが触媒金属に溶け込み分解した後に炭素のネットワークを作って行くが、別々に層が形成されれば、その間にはファンデルワールス力が働き、層間距離が保たれる。他方、既に形成された層の近くに炭素原子が飛来した場合、炭素のネットワークに組み込まれたり、既に形成された層の近くに層が形成された場合、層間距離を保つように層が移動したりする。   Taking the case of carbon nanotubes with a layer structure as an example, in the simulation process that you want to draw, for example, a gas containing carbon that has come in as a gas dissolves in the catalyst metal and decomposes, creating a carbon network, If the layers are formed separately, van der Waals force acts between them, and the interlayer distance is maintained. On the other hand, when carbon atoms fly near the already formed layer, when the layer is formed in the carbon network or near the already formed layer, the layer moves to maintain the interlayer distance. Or

そこで、分子動力学シミュレーションの各時刻において、先ず対象元素原子である例えば炭素原子の共有結合による結合ポテンシャルの計算を行い、炭素原子を成長させるための触媒原子とそれに接する炭素原子を取り除いた状態で炭素原子間の結合状態を調べてクラスタリングを行う。このクラスタリングにより得られた各クラスタを1つの層とみなし、異なるクラスタ間だけのファンデルワールスポテンシャルを計算する。これにより、計算された結合ポテンシャルと、時々刻々と起こる結合の組み換えに応じて計算されたファンデルワールスポテンシャルとに基づいて、多層ナノチューブやバンドナノチューブ等のファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子を形成する分子形成シミュレーションを実現する。   Therefore, at each time of molecular dynamics simulation, first, the bond potential by the covalent bond of the target element atom, for example, a carbon atom is calculated, and the catalyst atom for growing the carbon atom and the carbon atom in contact with it are removed. Clustering is performed by examining the bonding state between carbon atoms. Each cluster obtained by this clustering is regarded as one layer, and the van der Waals potential between different clusters is calculated. Thus, based on the calculated bond potential and the van der Waals potential calculated according to the recombination of the bonds that occurs from time to time, it has a layer structure in which van der Waals potentials such as multi-wall nanotubes and band nanotubes intervene Realize molecular formation simulation to form molecules.

これにより、異なる層のファンデルワールス力による層間距離は保たれ、既に形成された層のネットワークに炭素原子を組み込むこともできる。又、既に形成された層の近くに層が形成されたときは、結合ポテンシャルが弱まり少し層間距離が離れることで、自動的にファンデルワールス力へ移り変わることができる。従って、図6(a)の如き炭素原子のネットワークから新しく炭素原子の層が形成されると、例えば図6(b)に示すように層構造を有するカーボンナノチューブを形成することができる。図6は、層構造を有するカーボンナノチューブの形成を説明する図である。   Thereby, the interlayer distance by the van der Waals force of different layers is maintained, and carbon atoms can also be incorporated into the network of already formed layers. Further, when a layer is formed in the vicinity of the already formed layer, the bond potential is weakened, and the distance between the layers is slightly increased, so that the van der Waals force can be automatically changed. Therefore, when a new layer of carbon atoms is formed from a network of carbon atoms as shown in FIG. 6A, for example, carbon nanotubes having a layer structure can be formed as shown in FIG. 6B. FIG. 6 is a diagram illustrating the formation of a carbon nanotube having a layer structure.

このように、本発明では、結合形態を予め決めることなく、結合ポテンシャルと時々刻々と起こる結合の組み換えに応じたファンデルワールスポテンシャルとを共存させて両方のポテンシャルを取り扱うことができる。このため、多層ナノチューブの形成過程、バンドルナノチューブの形成過程、ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する様々な分子の形成シミュレーション等を自動的に行うことが可能となる。   As described above, in the present invention, both potentials can be handled by coexisting the binding potential and the van der Waals potential corresponding to the recombination of the coupling that occurs every moment without determining the coupling form in advance. For this reason, it is possible to automatically perform the formation process of various molecules having a layer structure in which a multi-wall nanotube formation process, a bundle nanotube formation process, a van der Waals potential intervene, and the like.

以下に、本発明の分子形成シミュレーション方法及びプログラムの各実施例を、図6以降と共に説明する。   Hereinafter, each embodiment of the molecular formation simulation method and the program of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の分子形成シミュレーション方法の一実施例は、本発明のプログラムの一実施例を用いる。本実施例では、本発明がコンピュータシステムに適用されている。図7は、本実施例において本発明が適用されるコンピュータシステムを示す斜視図である。   One embodiment of the molecule formation simulation method of the present invention uses one embodiment of the program of the present invention. In this embodiment, the present invention is applied to a computer system. FIG. 7 is a perspective view showing a computer system to which the present invention is applied in this embodiment.

図7に示すコンピュータシステム100は、CPU(プロセッサ)やディスクドライブ等を内蔵した本体部101、本体部101からの指示により表示画面102a上に分子形成シミュレーションにより形成される分子等の画像を表示するディスプレイ(表示部)102、コンピュータシステム100に種々の情報を入力するためのキーボード103、ディスプレイ102の表示画面102a上の任意の位置を指定するマウス104及び外部のデータベース等にアクセスして他のコンピュータシステムに記憶されているプログラム等をダウンロードするモデム105を有する。   A computer system 100 shown in FIG. 7 displays an image of a molecule or the like formed by a molecule formation simulation on a display screen 102a in accordance with an instruction from the main body 101 including a CPU (processor) and a disk drive. Another computer by accessing a display (display unit) 102, a keyboard 103 for inputting various information to the computer system 100, a mouse 104 for designating an arbitrary position on the display screen 102a of the display 102, an external database, etc. A modem 105 for downloading a program or the like stored in the system is included.

ディスク110等の可搬型記録媒体に格納されるか、モデム105等の通信装置を使って他のコンピュータシステムの記録媒体106からダウンロードされる、コンピュータシステム100に少なくとも分子形成シミュレーション機能を持たせるプログラム(分子形成ソフトウェア)の本実施例は、コンピュータシステム100に入力されてコンパイルされる。プログラムの本実施例は、コンピュータシステム100(即ち、後述するCPU201)を分子形成シミュレーション機能を有するシミュレータ(又は、シミュレーションシステム)として動作させる。プログラムの本実施例は、例えばディスク110等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納されていても良い。コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、ディスク110、ICカードメモリ、フロッピー(登録商標)ディスク等の磁気ディスク、光磁気ディスク、CD−ROM等の可搬型記録媒体に限定されるものではなく、モデム105やLAN等の通信装置や通信手段を介して接続されるコンピュータシステムでアクセス可能な各種記録媒体を含む。   A program that causes the computer system 100 to have at least a molecular formation simulation function, which is stored in a portable recording medium such as the disk 110 or downloaded from the recording medium 106 of another computer system using a communication device such as the modem 105 ( This embodiment of the molecular formation software is input to the computer system 100 and compiled. In this embodiment of the program, the computer system 100 (that is, a CPU 201 described later) is operated as a simulator (or simulation system) having a molecule formation simulation function. This embodiment of the program may be stored in a computer-readable recording medium such as the disk 110, for example. The computer-readable recording medium is not limited to a portable recording medium such as a disk 110, an IC card memory, a magnetic disk such as a floppy (registered trademark) disk, a magneto-optical disk, or a CD-ROM. Various recording media accessible by a computer system connected via a communication device such as a LAN or communication means are included.

図8は、コンピュータシステム100の本体部101内の要部の構成を説明するブロック図である。同図中、本体部101は、バス200により接続されたCPU201、RAMやROM等からなるメモリ部202、ディスク110用のディスクドライブ203及びハードディスクドライブ(HDD)204からなる。本実施例では、ディスプレイ102、キーボード103及びマウス104も、バス200を介してCPU201に接続されているが、これらは直接CPU201に接続されていても良い。又、ディスプレイ102は、入出力画像データの処理を行う周知のグラフィックインタフェース(図示せず)を介してCPU201に接続されていても良い。   FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration of a main part in the main body 101 of the computer system 100. In FIG. 1, the main unit 101 includes a CPU 201 connected by a bus 200, a memory unit 202 including a RAM and a ROM, a disk drive 203 for the disk 110, and a hard disk drive (HDD) 204. In this embodiment, the display 102, the keyboard 103, and the mouse 104 are also connected to the CPU 201 via the bus 200, but these may be directly connected to the CPU 201. The display 102 may be connected to the CPU 201 via a known graphic interface (not shown) that processes input / output image data.

尚、コンピュータシステム100の構成は図7及び図8に示す構成に限定されるものではなく、代わりに各種周知の構成を使用しても良い。   The configuration of the computer system 100 is not limited to the configuration shown in FIGS. 7 and 8, and various known configurations may be used instead.

次に、本実施例の動作を図9〜図14と共に説明する。図9は炭素と炭素の結合(以下、単に炭素−炭素結合と言う)の数と原子番号の取得処理を説明するフローチャート、図10は炭素と金属の結合(以下、単に炭素−金属結合と言う)の数と原子番号の取得処理を説明するフローチャート、図11は各炭素原子の結合の数を計算する処理を説明するフローチャートである。図12は金属に接触しているか否かを判定する処理を説明するフローチャート、図13は各クラスタ間のファンデルワールス力を計算する処理を説明するフローチャート、図14は単独炭素原子のファンデルワールス力を計算する処理を説明するフローチャートである。図9〜図14に示す処理は、図8に示すCPU201により実行される。具体的には、CPU201の処理は、メモリ部202、ディスクドライブ203、HDD204等の記憶部に格納されたプログラム及びデータ(パラメータ)に基づいて、記憶部を中間データ等が一時的に格納されるワークエリアとして用いることで行われる。   Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a flowchart for explaining the process of obtaining the number and atomic number of carbon-carbon bonds (hereinafter simply referred to as carbon-carbon bonds), and FIG. 10 is a carbon-metal bond (hereinafter simply referred to as carbon-metal bonds). ) And an atomic number acquisition process. FIG. 11 is a flowchart illustrating a process for calculating the number of bonds of each carbon atom. FIG. 12 is a flowchart for explaining a process for determining whether or not a metal is in contact, FIG. 13 is a flowchart for explaining a process for calculating van der Waals forces between clusters, and FIG. 14 is a van der Waals for a single carbon atom. It is a flowchart explaining the process which calculates force. The processing shown in FIGS. 9 to 14 is executed by the CPU 201 shown in FIG. Specifically, in the processing of the CPU 201, intermediate data and the like are temporarily stored in the storage unit based on programs and data (parameters) stored in the storage unit such as the memory unit 202, the disk drive 203, and the HDD 204. This is done by using it as a work area.

図9において、natom1は炭素原子の個数、t1は炭素原子の位置座標、rc11は炭素−炭素結合の結合判定条件を示し、rc11は例えば2Åである。ステップS1は、iaを1に設定し、ia≦natom1であるか否かを判定する。ステップS1の判定結果がYESであると、ステップS2は、jaを1に設定し、ja≦natom1であるか否かを判定する。ステップS2の判定結果がYESであると、ステップS3は、dr(i)=t1(i, ja)-t1(i, ia), i=1, 3に基づいて炭素原子の座標の差drを計算して記憶部に格納する。ステップS4は、r=sqrt(dr(1)**2+dr(2)**2+dr(3)**2)に基づいて炭素原子間距離rを計算して記憶部に格納する。ここで、sqrtは平方根、**2は2のべき乗を示す。ステップS5は、記憶部に格納された炭素原子間距離rを用いてr<rc11であるか否かを判定し、判定結果がYESであると、ステップS6は、nr11=nr11+1に基づいて炭素−炭素結合の数を計算して記憶部に格納する。ステップS7は、iar11(nr)=ia, Jar11(nr)=jaに基づいて結合に対する原子の番号iar11(nr), Jar11(nr)を求め、記憶部に格納する。   In FIG. 9, natom1 is the number of carbon atoms, t1 is the position coordinate of the carbon atom, rc11 is a bond determination condition of the carbon-carbon bond, and rc11 is 2Å, for example. In step S1, ia is set to 1, and it is determined whether or not ia ≦ natom1. If the decision result in the step S1 is YES, a step S2 sets ja to 1, and decides whether or not ja ≦ natom1. If the decision result in the step S2 is YES, the step S3 calculates the difference dr of the carbon atom coordinates based on dr (i) = t1 (i, ja) -t1 (i, ia), i = 1, 3. Calculate and store in storage. In step S4, the inter-carbon atom distance r is calculated based on r = sqrt (dr (1) ** 2 + dr (2) ** 2 + dr (3) ** 2) and stored in the storage unit. Here, sqrt is a square root, and ** 2 is a power of 2. Step S5 determines whether r <rc11 using the inter-carbon distance r stored in the storage unit. If the determination result is YES, step S6 is based on nr11 = nr11 + 1. The number of carbon-carbon bonds is calculated and stored in the storage unit. In step S7, atomic numbers iar11 (nr) and Jar11 (nr) for the bonds are obtained based on iar11 (nr) = ia, Jar11 (nr) = ja, and stored in the storage unit.

ステップS1の判定結果がNOであると、処理は後述する図10のステップS11へ進む。   If the decision result in the step S1 is NO, the process advances to a step S11 in FIG.

ステップS2の判定結果がNOであると、iaは1だけインクリメントされてから処理はステップS1へ戻り、ia≦natom1であるか否かが判定される。   If the determination result in step S2 is NO, ia is incremented by 1, and then the process returns to step S1 to determine whether or not ia ≦ natom1.

ステップS5の判定結果がNO、又は、ステップS7の後、jaは1だけインクリメントされてから処理はステップS2へ戻り、ja≦natom1であるか否かが判定される。   If the determination result in step S5 is NO, or after step S7, ja is incremented by 1, and then the process returns to step S2 to determine whether ja ≦ natom1.

このようにして、炭素−炭素結合の数と原子番号が取得され、記憶部に格納される。   In this way, the number of carbon-carbon bonds and the atomic number are acquired and stored in the storage unit.

図10において、natom2は金属原子の個数、t2は金属原子の位置座標、rc12は炭素−金属結合の結合判定条件を示し、rc12は例えば3Åである。ステップS11は、iaを1に設定し、ia≦natom1であるか否かを判定する。ステップS11の判定結果がYESであると、ステップS12は、jaを1に設定し、ja≦natom2であるか否かを判定する。ステップS12の判定結果がYESであると、ステップS13は、dr(i)=t2(i, ja)-t1(i, ia), i=1, 3に基づいて炭素原子の座標の差drを計算し、記憶部に格納する。ステップS14は、r=sqrt(dr(1)**2+dr(2)**2+dr(3)**2)に基づいて炭素原子間距離rを計算し、記憶部に格納する。ステップS15は、記憶部に格納された炭素原子間距離rを用いてr<rc12であるか否かを判定し、判定結果がYESであると、ステップS16は、indvdw(ia)=1に基づいて炭素原子にファンデルワールス力の指標indvdwを設定する。尚、単独の炭素原子の指標indvdwは計算の最初に0に設定しておき、金属に接触した炭素原子の指標indvdwを1に変更する。ステップS17は、nr12=nr12+1に基づいて炭素−金属結合の数nr12を計算し、記憶部に格納するする。ステップS18は、iar12(nr)=ia, Jar12(nr)=jaに基づいて結合に対する原子の番号iar12(nr), Jar12(nr)を求め、記憶部に格納する。   In FIG. 10, natom2 is the number of metal atoms, t2 is the position coordinate of the metal atom, rc12 is a bond determination condition for the carbon-metal bond, and rc12 is 3Å, for example. A step S11 sets ia to 1 and determines whether or not ia ≦ natom1. If the decision result in the step S11 is YES, a step S12 decides whether ja is set to 1 and whether ja ≦ natom2. If the decision result in the step S12 is YES, the step S13 calculates the difference dr of the carbon atom coordinates based on dr (i) = t2 (i, ja) -t1 (i, ia), i = 1, 3. Calculate and store in storage. In step S14, the inter-carbon atom distance r is calculated based on r = sqrt (dr (1) ** 2 + dr (2) ** 2 + dr (3) ** 2) and stored in the storage unit. Step S15 determines whether r <rc12 using the inter-carbon atom distance r stored in the storage unit. If the determination result is YES, step S16 is based on indvdw (ia) = 1. Set the van der Waals force index indvdw to the carbon atom. The index indvdw of a single carbon atom is set to 0 at the beginning of the calculation, and the index indvdw of the carbon atom in contact with the metal is changed to 1. In step S17, the number nr12 of carbon-metal bonds is calculated based on nr12 = nr12 + 1 and stored in the storage unit. In step S18, the atom numbers iar12 (nr) and Jar12 (nr) for the bonds are obtained based on iar12 (nr) = ia, Jar12 (nr) = ja, and stored in the storage unit.

ステップS11の判定結果がNOであると、処理は後述する図11のステップS21へ進む。   If the decision result in the step S11 is NO, the process advances to a step S21 in FIG.

ステップS12の判定結果がNOであると、iaは1だけインクリメントされてから処理はステップS11へ戻り、ia≦natom1であるか否かが判定される。   If the determination result in step S12 is NO, ia is incremented by 1, and then the process returns to step S11 to determine whether or not ia ≦ natom1.

ステップS15の判定結果がNO、又は、ステップS18の後、jaは1だけインクリメントされてから処理はステップS12へ戻り、ja≦natom2であるか否かが判定される。   The determination result of step S15 is NO, or after step S18, ja is incremented by 1, and then the process returns to step S12 to determine whether ja ≦ natom2.

このようにして、炭素−金属結合の数と原子番号が取得され、記憶部に格納される。   In this way, the number and atomic number of carbon-metal bonds are acquired and stored in the storage unit.

図11において、ステップS21は、iaを1に設定し、ia≦natom1であるか否かを判定する。ステップS21の判定結果がYESであると、ステップS22は、各炭素原子の炭素結合の数nb1(a)及び各炭素原子の金属結合の数nb2(ia)を夫々0に設定することで結合の数を初期化する。ステップS22の後、iaは1だけインクリメントされてから処理はステップS21へ戻り、ia≦natom1であるか否かが判定される。ステップS21の判定結果がNOであると、処理はステップS23へ進む。   In FIG. 11, step S21 sets ia to 1 and determines whether or not ia ≦ natom1. If the decision result in the step S21 is YES, the step S22 sets the bond number by setting the number nb1 (a) of carbon bonds of each carbon atom and the number nb2 (ia) of metal bonds of each carbon atom to 0, respectively. Initialize the number. After step S22, ia is incremented by 1, and then the process returns to step S21 to determine whether or not ia ≦ natom1. If the decision result in the step S21 is NO, the process advances to a step S23.

ステップS23は、irを1に設定し、ir≦nr11であるか否かを判定する。ステップS23の判定結果がYESであると、ステップS24は、nb1(iar11(ir))=nb1(iar11(ir))+1, nb1(jar11(ir))=nb1(jar11(ir))+1から炭素原子の炭素結合の数を計算し、記憶部に格納する。ステップ24の後、irは1だけインクリメントされてから処理はステップS23へ戻り、ir≦nr11であるか否かが判定される。ステップS23の判定結果がNOであると、処理はステップS25へ進む。   A step S23 sets ir to 1, and determines whether or not ir ≦ nr11. If the decision result in the step S23 is YES, a step S24 is nb1 (iar11 (ir)) = nb1 (iar11 (ir)) + 1, nb1 (jar11 (ir)) = nb1 (jar11 (ir)) + 1 The number of carbon bonds of carbon atoms is calculated from the above and stored in the storage unit. After step 24, ir is incremented by 1, and then the process returns to step S23 to determine whether or not ir ≦ nr11. If the decision result in the step S23 is NO, the process advances to a step S25.

ステップS25は、irを1に設定し、ir≦nr12であるか否かを判定する。ステップS25の判定結果がYESであると、ステップS26は、nb2(iar12(ir))=nb2(iar12(ir))+1から炭素原子の金属結合の数を計算し、記憶部に格納する。ステップ26の後、irは1だけインクリメントされてから処理はステップS25へ戻り、ir≦nr12であるか否かが判定される。ステップS25の判定結果がNOであると、処理は後述する図12のステップS31へ進む。   A step S25 sets ir to 1, and determines whether or not ir ≦ nr12. If the decision result in the step S25 is YES, a step S26 calculates the number of metal bonds of carbon atoms from nb2 (iar12 (ir)) = nb2 (iar12 (ir)) + 1 and stores it in the storage unit. After step 26, ir is incremented by 1, and then the process returns to step S25 to determine whether or not ir ≦ nr12. If the decision result in the step S25 is NO, the process advances to a step S31 in FIG.

このようにして、各炭素原子の結合の数が計算され、記憶部に格納される。   In this way, the number of bonds of each carbon atom is calculated and stored in the storage unit.

図12において、ncはクラスタの個数、indcは炭素原子が属するクラスタの番号を示す。indcは、金属結合がある場合には−1、金属結合がない場合には0である。ステップS31は、iaを1に設定し、ia≦natom1であるか否かを判定する。ステップS31の判定結果がYESであると、ステップS32は、indvdw(ia)=1、且つ、nb1(ia)=0、且つ、nb2(ia)=0であるか否かを判定する。ステップS32の判定結果がYESであると、ステップS33は、指標indvdw(ia)を0に設定し、金属に接触した後にまた飛び出した炭素原子の指標indvdwを0に戻す。ステップS34は、nb2(ia)>0であるか否かを判定し、判定結果がYESであると処理はステップS35へ進み、判定結果がNOであると処理はステップS36へ進む。ステップS35はクラスタ番号indc(ia)を−1に設定して金属に接触している炭素原子のクラスタ番号indcは−1に設定する。ステップS36はクラスタ番号indc(1)を0に設定する。ステップS35又はステップS36の後、iaは1だけインクリメントされてから処理はステップS31へ戻り、ia≦natom1であるか否かが判定される。   In FIG. 12, nc represents the number of clusters, and indc represents the number of the cluster to which the carbon atom belongs. indc is -1 when there is a metal bond and 0 when there is no metal bond. A step S31 sets ia to 1 and determines whether or not ia ≦ natom1. If the decision result in the step S31 is YES, a step S32 decides whether or not indvdw (ia) = 1, nb1 (ia) = 0, and nb2 (ia) = 0. If the decision result in the step S32 is YES, a step S33 sets the index indvdw (ia) to 0, and returns the index indvdw of the carbon atom that has jumped out after contacting the metal to 0. In step S34, it is determined whether nb2 (ia)> 0. If the determination result is YES, the process proceeds to step S35, and if the determination result is NO, the process proceeds to step S36. In step S35, the cluster number indc (ia) is set to -1, and the cluster number indc of the carbon atom in contact with the metal is set to -1. A step S36 sets the cluster number indc (1) to 0. After step S35 or step S36, ia is incremented by 1, and then the process returns to step S31 to determine whether or not ia ≦ natom1.

他方、ステップS31の判定結果がNOであると、ステップS37は、金属に接触していない炭素原子だけでクラスタリングを行う。具体的には、クラスタ番号indc(ia)=0の原子だけでクラスタリングを行い、クラスタ個数nc及びクラスタ番号indc(ia)を取得して記憶部に格納する。ステップS38は、icを0に設定し、ic≦ncであるか否かを判定する。ステップS38の判定結果がYESであると、ステップS39は、nac(ic)を0に設定することでクラスタの原子数nacを初期化する。ステップS39の後、icは1だけインクリメントされてから処理はステップS38へ戻り、ic≦ncであるか否かが判定される。   On the other hand, if the decision result in the step S31 is NO, the step S37 performs clustering only with carbon atoms that are not in contact with the metal. Specifically, clustering is performed using only the atoms with the cluster number indc (ia) = 0, the cluster number nc and the cluster number indc (ia) are acquired and stored in the storage unit. A step S38 sets ic to 0 and determines whether or not ic ≦ nc. If the decision result in the step S38 is YES, a step S39 initializes the atomic number nac of the cluster by setting nac (ic) to 0. After step S39, ic is incremented by 1, and the process returns to step S38 to determine whether or not ic ≦ nc.

ステップS38の判定結果がNOであると、ステップS40は、iaを1に設定し、ia≦natom1であるか否かを判定する。ステップS40の判定結果がYESであると、ステップS41は、indc(ia)>0であるか否かを判定する。ステップS41の判定結果がYESであると、ステップS42は、nac(indc(ia))=nac(indc(ia))+1, inda(nac(indc(ia), indc(ia))=iaに基づいてクラスタの原子数と原子番号を計算し、記憶部に格納する。ステップS41の判定結果がNO、又は、ステップS42の後、iaは1だけインクリメントされてから処理はステップS40へ戻り、ia≦natom1であるか否かが判定される。ステップS40の判定結果がNOであると、処理は後述する図13のステップS51へ進む。   If the decision result in the step S38 is NO, a step S40 sets ia to 1 and decides whether or not ia ≦ natom1. If the decision result in the step S40 is YES, a step S41 decides whether or not indc (ia)> 0. If the decision result in the step S41 is YES, the step S42 sets nac (indc (ia)) = nac (indc (ia)) + 1, inda (nac (indc (ia), indc (ia))) = ia Based on the number of atoms and the atomic number of the cluster based on the result, the result is stored in the storage unit, the determination result of step S41 is NO, or after step S42, ia is incremented by 1, and the process returns to step S40. It is determined whether or not ≦ natom 1. If the determination result in step S40 is NO, the process proceeds to step S51 in FIG.

このようにして、金属に接触していない炭素原子だけでクラスタリングが行われ、クラスタリングの結果が記憶部に格納される。   In this way, clustering is performed only with carbon atoms that are not in contact with the metal, and the clustering result is stored in the storage unit.

図13において、rcvdwは例えば6Åである。ステップS51は、icを0に設定し、ic≦ncであるか否かを判定する。ステップS51の判定結果がYESであると、ステップS52は、nac(ic)>0であるか否かを判定する。ステップS52の判定結果がYESであると、ステップS53は、iaを1に設定し、ia≦nac(ic)であるか否かを判定する。ステップS53の判定結果がYESであると、ステップS54は、indvdw(inda(ia, ic))=1であるか否かを判定する。尚、indvdw=0は単独炭素原子として後述する図14に示す処理で計算される。ステップS54の判定結果がYESであると、ステップS55は、jcをic+1に設定し、jc≦ncであるか否かを判定する。ステップS55の判定結果がYESであると、ステップS56は、jaを1に設定し、ja≦nac(jc)であるか否かを判定する。   In FIG. 13, rcvdw is, for example, 6cm. In step S51, ic is set to 0, and it is determined whether or not ic ≦ nc. If the decision result in the step S51 is YES, a step S52 decides whether or not nac (ic)> 0. If the decision result in the step S52 is YES, a step S53 sets ia to 1 and decides whether or not ia ≦ nac (ic). If the decision result in the step S53 is YES, a step S54 decides whether or not indvdw (inda (ia, ic)) = 1. Indvdw = 0 is calculated as a single carbon atom by the process shown in FIG. If the decision result in the step S54 is YES, a step S55 sets jc to ic + 1 and decides whether jc ≦ nc. If the decision result in the step S55 is YES, a step S56 sets ja to 1, and determines whether or not ja ≦ nac (jc).

ステップS56の判定結果がYESであると、ステップS57は、dr(i)=t1(i, inda(ja, ic))-t1(i, inda(ia, ic)), i=1, 3に基づいてクラスタの座標の差drを計算し、記憶部に格納する。ステップS58は、r=sqrt(dr(1)**2+dr(2)**2+dr(3)**2)に基づいてクラスタ間の距離rを計算し、記憶部に格納する。ステップS59は、記憶部に格納されたクラスタ間の距離rを用いてr<rcvdwであるか否かを判定し、判定結果がYESであると、ステップS60は、s=(3.37/r)**6, e=e+0.0096*(s*s-s)に基づいてクラスタ間のポテンシャルエネルギーeを計算し、記憶部に格納する。又、ステップS61は、dr(i)=dr(i)/(r*r), f=0.0096*(-s*s*12.0+s*6.0)*dr(i), hf(i, inda(ia, ic))=hf(i, inda(ia, ic))+f, hf(i, inda(ja, jc))=hf(i, inda(ja, jc))-fに基づいてクラスタ間のファンデルワールス力fを計算し、記憶部に格納する。   If the decision result in the step S56 is YES, a step S57 sets dr (i) = t1 (i, inda (ja, ic))-t1 (i, inda (ia, ic)), i = 1, 3 Based on this, a cluster coordinate difference dr is calculated and stored in the storage unit. In step S58, a distance r between clusters is calculated based on r = sqrt (dr (1) ** 2 + dr (2) ** 2 + dr (3) ** 2) and stored in the storage unit. Step S59 determines whether r <rcvdw using the distance r between clusters stored in the storage unit. If the determination result is YES, step S60 determines s = (3.37 / r) *. * 6, The potential energy e between clusters is calculated based on e = e + 0.0096 * (s * ss) and stored in the storage unit. In addition, step S61 includes dr (i) = dr (i) / (r * r), f = 0.0096 * (-s * s * 12.0 + s * 6.0) * dr (i), hf (i, inda ( ia, ic)) = hf (i, inda (ia, ic)) + f, hf (i, inda (ja, jc)) = hf (i, inda (ja, jc))-f The van der Waals force f is calculated and stored in the storage unit.

ステップS51の判定結果がNOであると、処理は後述する図14のステップS71へ進む。   If the decision result in the step S51 is NO, the process advances to a step S71 in FIG.

ステップS52又はステップS53の判定結果がNOであると、icは1だけインクリメントされてから処理はステップS41へ戻り、ic≦ncであるか否かが判定される。   If the determination result in step S52 or step S53 is NO, ic is incremented by 1, and then the process returns to step S41 to determine whether ic ≦ nc.

ステップS54又はステップS55の判定結果がNOであると、iaは1だけインクリメントされてから処理はステップS53へ戻り、ia≦nac(ic)であるか否かが判定される。   If the determination result in step S54 or step S55 is NO, ia is incremented by 1, and then the process returns to step S53 to determine whether or not ia ≦ nac (ic).

ステップS56の判定結果がNOであると、jcは1だけインクリメントされてから処理はステップS55へ戻り、jc≦ncであるか否かが判定される。   If the decision result in the step S56 is NO, the jc is incremented by 1, and then the process returns to the step S55 to judge whether or not jc ≦ nc.

ステップS59の判定結果がNO、又は、ステップS61の後、jaは1だけインクリメントされてから処理はステップS56へ戻り、ja≦nac(jc)であるか否かが判定される。   If the determination result in step S59 is NO, or after step S61, ja is incremented by 1, and then the process returns to step S56 to determine whether ja ≦ nac (jc).

このようにして、各クラスタ間のファンデルワールス力が計算され、記憶部に格納される。   In this way, van der Waals forces between the clusters are calculated and stored in the storage unit.

図14において、rcmolは想定する分子に対して例えば2Å〜6Åである。rcmolが大きいと、炭素は金属上の炭素付近の金属に接触しにくい。ステップS71は、nac(0)>0であるか否かを判定するステップS71の判定結果がYESであると、ステップS72は、iaを1に設定し、ia≦nac(0)であるか否かを判定する。ステップS72の判定結果がYESであると、ステップS73は、indvdw(inda(ia, 0)=0であるか否かを判定する。ステップS73の判定結果がYESであると、ステップS74は、jaを1に設定し、ja≦natom1であるか否かを判定する。ステップS74の判定結果がYESであると、ステップS75は、ja=inda(ia, 0)であるか否かを判定する。   In FIG. 14, rcmol is, for example, from 2 to 6 for the assumed molecule. When rcmol is large, carbon is unlikely to contact the metal near the carbon on the metal. Step S71 determines whether or not nac (0)> 0. If the determination result in Step S71 is YES, Step S72 sets ia to 1 and whether or not ia ≦ nac (0). Determine whether. If the decision result in the step S72 is YES, a step S73 decides whether or not indvdw (inda (ia, 0) = 0. If the decision result in the step S73 is YES, a step S74 is changed to ja. Is set to 1, and it is determined whether or not ja ≦ natom 1. If the determination result in the step S74 is YES, a step S75 determines whether or not ja = inda (ia, 0).

ステップS75の判定結果がYESであると、ステップS76は、dr(i)=tau(i, ja)-tau(i, inda(ia, 0)), i=1, 3に基づいて単独炭素原子の座標の差drを計算し、記憶部に格納する。ステップS77は、r=sqrt(dr(1)**2+dr(2)**2+dr(3)**2)に基づいて単独炭素原子とクラスタ間の距離rを計算し、記憶部に格納する。ステップS78は、記憶部に格納されたクラスタ間の距離rを用いてr<rcmolであるか否かを判定し、判定結果がYESであると、ステップS79は、s=(3.37/r)**6, e=e+0.0096*(s*s-s)に基づいて単独炭素原子とクラスタ間のポテンシャルエネルギーeを計算し、記憶部に格納する。又、ステップS80は、dr(i)=dr(i)/(r*r), f=0.0096*(-s*s*12.0+s*6.0)* dr(i), hd(i, inda(ia, 0)=hf(i, inda(ia, 0))+f, hf(i, ja)=hf(i, ja)-fに基づいて単独炭素原子とクラスタ間のファンデルワールス力fを計算し、記憶部に格納する。   If the decision result in the step S75 is YES, the step S76 determines that a single carbon atom is based on dr (i) = tau (i, ja) -tau (i, inda (ia, 0)), i = 1, 3. Is calculated and stored in the storage unit. Step S77 calculates the distance r between the single carbon atom and the cluster based on r = sqrt (dr (1) ** 2 + dr (2) ** 2 + dr (3) ** 2), and the storage unit To store. In step S78, it is determined whether r <rcmol using the distance r between the clusters stored in the storage unit. If the determination result is YES, step S79 determines s = (3.37 / r) * * 6, Calculate the potential energy e between the single carbon atom and the cluster based on e = e + 0.0096 * (s * ss) and store it in the storage unit. Also, step S80 is dr (i) = dr (i) / (r * r), f = 0.0096 * (-s * s * 12.0 + s * 6.0) * dr (i), hd (i, inda ( ia, 0) = hf (i, inda (ia, 0)) + f, hf (i, ja) = hf (i, ja) -f based on van der Waals force f between a single carbon atom and a cluster Calculate and store in storage.

ステップS71又はステップS72の判定結果がNOであると、処理は終了する。   The process ends if the decision result in the step S71 or the step S72 is NO.

ステップS73又はステップS74の判定結果がNOであると、iaは1だけインクリメントされてから処理はステップS72へ戻り、ia≦nac(0)であるか否かが判定される。   If the determination result in step S73 or step S74 is NO, ia is incremented by 1, and then the process returns to step S72 to determine whether or not ia ≦ nac (0).

ステップS75又はステップS78の判定結果がNO、或いは、ステップS80の後、jaは1だけインクリメントされてから処理はステップS74戻り、ja≦natom1であるか否かが判定される。   The determination result of step S75 or step S78 is NO, or after step S80, ja is incremented by 1, and then the process returns to step S74 to determine whether ja ≦ natom1.

このようにして、単独炭素原子とクラスタ間のファンデルワールス力が計算され、記憶部に格納される。   In this way, the van der Waals force between the single carbon atom and the cluster is calculated and stored in the storage unit.

従って、分子動力学シミュレーションの各時刻において対象元素原子である炭素原子の共有結合による結合ポテンシャルを計算して格納し、炭素原子を成長させるための触媒原子と触媒原子に接する炭素原子とを取り除いた状態で炭素原子間の結合状態を調べてクラスタリングを行いクラスタリングの結果を格納し、格納されているクラスタリングの結果を読み出してクラスタリングの結果より得られた各クラスタを1つの層とみなして異なるクラスタ間だけのファンデルワールスポテンシャルを計算して格納し、格納されている結合ポテンシャル及びファンデルワールスポテンシャルを読み出してこれらのポテンシャルに基づいてファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションをコンピュータにより自動的に行いシミュレーションの結果を表示することができる。この場合、ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子とは、多層(カーボン)ナノチューブやバンドル(カーボン)ナノチューブであり、分子形成シミュレーションにより、例えば図6(b)に示すような層構造を有するカーボンナノチューブが形成されてディスプレイ102の表示画面102aに表示される。   Therefore, at each time of molecular dynamics simulation, the bond potential due to the covalent bond of the carbon atom that is the target element atom is calculated and stored, and the catalyst atom for growing the carbon atom and the carbon atom in contact with the catalyst atom are removed. Clustering is performed by checking the bonding state between carbon atoms in the state, storing the clustering result, reading the stored clustering result, and considering each cluster obtained from the clustering result as one layer between different clusters Just calculate and store the van der Waals potential, read out the stored binding potential and van der Waals potential, and based on these potentials, simulate the formation of a molecule with a layered structure mediated by the van der Waals potential On the computer Ri can be performed automatically display the results of the simulation. In this case, the molecule having a layer structure in which the van der Waals potential intervenes is a multi-layer (carbon) nanotube or a bundle (carbon) nanotube, and has a layer structure as shown in FIG. Carbon nanotubes are formed and displayed on the display screen 102 a of the display 102.

結合ポテンシャルを計算する手順又は手段自体は周知である。又、従来より、原子の結合の形態が予め決まっている特殊な構造では、シミュレーションシステムのオペレータが手動で結合形態、即ち、ファンデルワールスポテンシャルを設定することにより、計算された結合ポテンシャルとオペレータにより手動で設定された固定のファンデルワールスポテンシャルとに基づいて分子を形成する手順又は手段自体も周知である。従って、本実施例では、周知の手順又は手段を用いることにより、計算され格納されている結合ポテンシャルに加えて、時々刻々と起こる結合の組み換えに応じて自動的に計算され格納されているファンデルワールスポテンシャルをも考慮して分子を形成する分子形成シミュレーションを行い、シミュレーションの結果を表示することができる。   The procedure or means for calculating the binding potential itself is well known. Conventionally, in a special structure in which the form of atomic bonds is determined in advance, the operator of the simulation system manually sets the bond form, that is, the van der Waals potential. Procedures or means for forming molecules based on a manually set fixed van der Waals potential are also well known. Therefore, in the present embodiment, by using a well-known procedure or means, in addition to the calculated and stored binding potential, the vandel that is automatically calculated and stored according to the recombination of the bond that occurs every moment is stored. It is possible to display a simulation result by performing a molecular formation simulation in which molecules are formed in consideration of the Waals potential.

本発明者は、単層ナノチューブにアモルファスが付着した構造から分子動力学シミュレーションを1000Kで1ns実施して結合ポテンシャルを求め、上記計算ルーチンを利用してファンデルワールスポテンシャルを求め、結合ポテンシャル及びファンデルワールスポテンシャルに基づいて分子を形成のシミュレーションを行ったところ、ナノチューブの内側の層間距離のところに新しい層構造が形成されることが確認された。   The present inventor conducted a molecular dynamics simulation for 1 ns at 1000 K from a structure in which an amorphous is attached to a single-walled nanotube to obtain a bond potential, obtains a van der Waals potential using the above calculation routine, and obtains a bond potential and a van der A simulation of molecule formation based on the Waals potential confirmed that a new layer structure was formed at the interlayer distance inside the nanotube.

又、本発明者は、108原子からなる触媒金属微粒子に炭素100原子を供給して分子動力学シミュレーションを1000Kで100ns実施して結合ポテンシャルを求め、上記計算ルーチンを利用してファンデルワールスポテンシャルを求め、結合ポテンシャル及びファンデルワールスポテンシャルに基づいて分子を形成のシミュレーションを行ったところ、層間距離の離れた2層からなる多層カーボンナノチューブ核が形成されることが確認された。   In addition, the present inventor supplies 100 atomic atoms to catalytic metal fine particles consisting of 108 atoms, performs molecular dynamics simulation at 1000 K for 100 ns to obtain a binding potential, and uses the above calculation routine to obtain the van der Waals potential. As a result, a simulation of the formation of molecules was performed based on the bond potential and van der Waals potential. As a result, it was confirmed that multi-walled carbon nanotube nuclei composed of two layers separated from each other were formed.

尚、本発明は、以下に付記する発明をも包含するものである。
(付記1) 分子の形成のシミュレーションをプロセッサ、記憶部及び表示部を有するコンピュータシステムにより行う分子形成シミュレーション方法であって、
分子動力学シミュレーションの各時刻において対象元素原子の共有結合による結合ポテンシャルを該プロセッサにより計算して該記憶部に格納する第1の計算ステップと、
対象元素原子を成長させるための触媒原子と、該触媒原子に接する対象元素原子とを取り除いた状態で該プロセッサにより対象元素原子間の結合状態を調べてクラスタリングを行い、クラスタリングの結果を該記憶部に格納するクラスタリングステップと、
該記憶部からクラスタリングの結果を読み出して、クラスタリングの結果により得られた各クラスタを1つの層とみなして異なるクラスタ間だけのファンデルワールスポテンシャルを該プロセッサにより計算して該記憶部に格納する第2の計算ステップと、
該記憶部から結合ポテンシャル及びファンデルワールスポテンシャルを読み出して、これらのポテンシャルに基づいて該プロセッサによりファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションを行い、シミュレーションの結果を該表示部に表示するシミュレーションステップとを、該コンピュータシステムにより自動的に行うことを特徴とする、分子形成シミュレーション方法。
(付記2) 該クラスタリングステップは、該対象元素原子同士の結合の数、該対象元素原子と該触媒原子との結合の数、及び各対象元素原子が触媒原子と接触しているか否かに基づいて、該プロセッサにより該クラスタリングを行うことを特徴とする、付記1記載の分子形成シミュレーション方法。
(付記3) 該第2の計算ステップは、該プロセッサにより各クラスタ間のファンデルワールスポテンシャルを計算して該記憶部に格納するステップと、該プロセッサにより単独対象元素原子のファンデルワールスポテンシャルを計算して該記憶部に格納するステップとからなることを特徴とする、付記1又は2記載の分子形成シミュレーション方法。
(付記4) 該対象元素は炭素であり、
該触媒原子は金属原子であり、
該ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子は多層カーボンナノチューブ又はバンドルカーボンナノチューブであることを特徴とする、付記1〜3のいずれか1項記載の分子形成シミュレーション方法。
(付記5) 該シミュレーションステップは、該プロセッサにより該シミュレーションの結果形成された該ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子を該表示部に表示することを特徴とする、付記1〜4のいずれか1項記載の分子形成シミュレーション方法。
(付記6) 記憶部及び表示部に接続可能なコンピュータに、分子の形成のシミュレーションを行わせるプログラムであって、
該コンピュータに、分子動力学シミュレーションの各時刻において対象元素原子の共有結合による結合ポテンシャルを計算させて該記憶部に格納させる第1の計算手順と、
該コンピュータに、対象元素原子を成長させるための触媒原子と、該触媒原子に接する対象元素原子とを取り除いた状態で対象元素原子間の結合状態を調べさせてクラスタリングを行わせ、クラスタリングの結果を該記憶部に格納させるクラスタリング手順と、
該コンピュータに、該クラスタリング手順に格納させたクラスタリングの結果を該記憶部から読み出させ、このクラスタリングの結果により得られた各クラスタを1つの層とみなして異なるクラスタ間だけのファンデルワールスポテンシャルを計算させて該記憶部に格納させる第2の計算手順と、
該コンピュータに、該第1及び第2の計算手順で格納させた結合ポテンシャル及びファンデルワールスポテンシャルを該記憶部から読み出させ、これらのポテンシャルに基づいてファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションを自動的に行わせてシミュレーションの結果を該表示部に表示させるシミュレーション手順とを含むことを特徴とする、プログラム。
(付記7) 該クラスタリング手順は、該コンピュータに、該対象元素原子同士の結合の数、該対象元素原子と該触媒原子との結合の数、及び各対象元素原子が触媒原子と接触しているか否かに基づいて、該クラスタリングを行わせることを特徴とする、付記6記載のプログラム。
(付記8) 該第2の計算手順は、該コンピュータに、各クラスタ間のファンデルワールスポテンシャルを計算させて該記憶部に格納させる手順と、該コンピュータに、単独対象元素原子のファンデルワールスポテンシャルを計算させて該記憶部に格納させる手順とからなることを特徴とする、付記6又は7記載のプログラム。
(付記9) 該対象元素は炭素であり、
該触媒原子は金属原子であり、
該ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子は多層カーボンナノチューブ又はバンドルカーボンナノチューブであることを特徴とする、付記6〜8のいずれか1項記載のプログラム。
(付記10) 該シミュレーション手順は、該コンピュータに、該シミュレーション手順で行われた該シミュレーションの結果形成された該ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子を該表示部に表示させることを特徴とする、付記6〜9のいずれか1項記載のプログラム。
In addition, this invention also includes the invention attached to the following.
(Supplementary Note 1) A molecule formation simulation method for performing a simulation of molecule formation by a computer system having a processor, a storage unit, and a display unit,
A first calculation step of calculating a bond potential due to a covalent bond of a target element atom at each time of molecular dynamics simulation by the processor and storing it in the storage unit;
Clustering is performed by examining the bonding state between the target element atoms by the processor in a state where the catalyst atoms for growing the target element atoms and the target element atoms in contact with the catalyst atoms are removed, and the clustering result is stored in the storage unit A clustering step to store in
A clustering result is read from the storage unit, each cluster obtained by the clustering result is regarded as one layer, and the van der Waals potential between different clusters is calculated by the processor and stored in the storage unit. 2 calculation steps;
The binding potential and van der Waals potential are read out from the storage unit, and based on these potentials, the processor simulates the formation of molecules having a layer structure in which the van der Waals potential is interposed, and the simulation result is displayed on the display unit. A molecular formation simulation method, wherein the computer system automatically performs a simulation step to be displayed on the screen.
(Supplementary Note 2) The clustering step is based on the number of bonds between the target element atoms, the number of bonds between the target element atoms and the catalyst atoms, and whether each target element atom is in contact with the catalyst atoms. The molecule formation simulation method according to appendix 1, wherein the clustering is performed by the processor.
(Supplementary Note 3) The second calculation step includes a step of calculating van der Waals potential between each cluster by the processor and storing it in the storage unit, and calculating a van der Waals potential of a single target element atom by the processor. And storing the data in the storage unit. 3. The molecular formation simulation method according to appendix 1 or 2, characterized by comprising:
(Appendix 4) The target element is carbon,
The catalytic atom is a metal atom;
The molecule formation simulation method according to any one of appendices 1 to 3, wherein the molecule having a layer structure in which the van der Waals potential is interposed is a multi-wall carbon nanotube or a bundle carbon nanotube.
(Supplementary note 5) The simulation step is characterized in that molecules having a layer structure with the van der Waals potential formed by the processor as a result of the simulation are displayed on the display unit. The molecule formation simulation method according to claim 1.
(Supplementary Note 6) A program for causing a computer connectable to a storage unit and a display unit to perform a simulation of molecule formation,
A first calculation procedure for causing the computer to calculate a bond potential due to a covalent bond of a target element atom at each time of molecular dynamics simulation and to store it in the storage unit;
The computer is caused to perform clustering by examining the bonding state between the target element atoms in a state in which the catalyst atoms for growing the target element atoms and the target element atoms in contact with the catalyst atoms are removed. A clustering procedure to be stored in the storage unit;
The computer reads the clustering result stored in the clustering procedure from the storage unit, and regards each cluster obtained by the clustering result as one layer, and calculates the van der Waals potential only between different clusters. A second calculation procedure for calculating and storing in the storage unit;
The computer has a layer structure in which the coupling potential and van der Waals potential stored in the first and second calculation procedures are read from the storage unit and the van der Waals potential is interposed based on these potentials. And a simulation procedure for automatically performing a simulation of molecule formation and displaying a result of the simulation on the display unit.
(Supplementary note 7) The clustering procedure is performed by the computer to determine the number of bonds between the target element atoms, the number of bonds between the target element atoms and the catalyst atoms, and whether each target element atom is in contact with the catalyst atoms. The program according to appendix 6, wherein the clustering is performed based on whether or not.
(Supplementary Note 8) The second calculation procedure includes a procedure for causing the computer to calculate a van der Waals potential between each cluster and storing it in the storage unit, and for causing the computer to have a van der Waals potential of a single target element atom. The program according to appendix 6 or 7, characterized by comprising the steps of calculating and storing in the storage unit.
(Supplementary note 9) The target element is carbon,
The catalytic atom is a metal atom;
The program according to any one of appendices 6 to 8, wherein the molecule having a layer structure in which the van der Waals potential is interposed is a multi-walled carbon nanotube or a bundled carbon nanotube.
(Supplementary Note 10) The simulation procedure causes the computer to display on the display unit molecules having a layer structure intervening the van der Waals potential formed as a result of the simulation performed in the simulation procedure. The program according to any one of appendices 6 to 9.

以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。   While the present invention has been described with reference to the embodiments, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and improvements can be made within the scope of the present invention.

単層のカーボンナノチューブを示す断面図である。It is sectional drawing which shows a single-walled carbon nanotube. 多層ナノチューブを示す断面図である。It is sectional drawing which shows a multi-walled nanotube. バンドルナノチューブを示す断面図である。It is sectional drawing which shows a bundle nanotube. 共有結合による結合ポテンシャルを説明する図である。It is a figure explaining the coupling potential by a covalent bond. ファンデルワールス結合によるファンデルワールスポテンシャルを説明する図である。It is a figure explaining the van der Waals potential by van der Waals coupling. 層構造を有するカーボンナノチューブの形成を説明する図である。It is a figure explaining formation of the carbon nanotube which has a layered structure. 本発明が適用されるコンピュータシステムを示す斜視図である。1 is a perspective view showing a computer system to which the present invention is applied. コンピュータシステムの本体部内の要部の構成を説明するブロック図である。It is a block diagram explaining the structure of the principal part in the main-body part of a computer system. 炭素−炭素結合の数と原子番号の取得処理を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the acquisition process of the number of carbon-carbon bonds, and an atomic number. 炭素−金属結合の数と原子番号の取得処理を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the acquisition process of the number of carbon-metal bonds, and an atomic number. 各炭素原子の結合の数を計算する処理を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the process which calculates the number of bonds of each carbon atom. 金属に接触しているか否かを判定する処理を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the process which determines whether it is contacting the metal. 各クラスタ間のファンデルワールス力を計算する処理を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the process which calculates the van der Waals force between each cluster. 単独炭素原子のファンデルワールス力を計算する処理を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the process which calculates the van der Waals force of a single carbon atom.

符号の説明Explanation of symbols

100 コンピュータシステム
101 本体部
102 ディスプレイ
102a 表示画面
103 キーボード
104 マウス
105 モデム
106 記録媒体
110 ディスク
200 バス
201 CPU
202 メモリ部
203 ディスクドライブ
204 ハードディスクドライブ
100 Computer System 101 Main Body 102 Display 102a Display Screen 103 Keyboard 104 Mouse 105 Modem 106 Recording Medium 110 Disk 200 Bus 201 CPU
202 Memory unit 203 Disk drive 204 Hard disk drive

Claims (5)

分子の形成のシミュレーションをプロセッサ、記憶部及び表示部を有するコンピュータシステムにより行う分子形成シミュレーション方法であって、
分子動力学シミュレーションの各時刻において対象元素原子の共有結合による結合ポテンシャルを該プロセッサにより計算して該記憶部に格納する第1の計算ステップと、
対象元素原子を成長させるための触媒原子と、該触媒原子に接する対象元素原子とを取り除いた状態で該プロセッサにより対象元素原子間の結合状態を調べてクラスタリングを行い、クラスタリングの結果を該記憶部に格納するクラスタリングステップと、
該記憶部からクラスタリングの結果を読み出して、クラスタリングの結果により得られた各クラスタを1つの層とみなして異なるクラスタ間だけのファンデルワールスポテンシャルを該プロセッサにより計算して該記憶部に格納する第2の計算ステップと、
該記憶部から結合ポテンシャル及びファンデルワールスポテンシャルを読み出して、これらのポテンシャルに基づいて該プロセッサによりファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションを行い、シミュレーションの結果を該表示部に表示するシミュレーションステップとを、該コンピュータシステムにより自動的に行うことを特徴とする、分子形成シミュレーション方法。
A molecule formation simulation method for performing a molecule formation simulation by a computer system having a processor, a storage unit, and a display unit,
A first calculation step of calculating a bond potential due to a covalent bond of a target element atom at each time of molecular dynamics simulation by the processor and storing it in the storage unit;
Clustering is performed by examining the bonding state between the target element atoms by the processor in a state where the catalyst atoms for growing the target element atoms and the target element atoms in contact with the catalyst atoms are removed, and the clustering result is stored in the storage unit A clustering step to store in
A clustering result is read from the storage unit, each cluster obtained by the clustering result is regarded as one layer, and the van der Waals potential between different clusters is calculated by the processor and stored in the storage unit. 2 calculation steps;
The binding potential and van der Waals potential are read out from the storage unit, and based on these potentials, the processor simulates the formation of molecules having a layer structure in which the van der Waals potential is interposed, and the simulation result is displayed on the display unit. A molecular formation simulation method, wherein the computer system automatically performs a simulation step to be displayed on the screen.
記憶部及び表示部に接続可能なコンピュータに、分子の形成のシミュレーションを行わせるプログラムであって、
該コンピュータに、分子動力学シミュレーションの各時刻において対象元素原子の共有結合による結合ポテンシャルを計算させて該記憶部に格納させる第1の計算手順と、
該コンピュータに、対象元素原子を成長させるための触媒原子と、該触媒原子に接する対象元素原子とを取り除いた状態で対象元素原子間の結合状態を調べさせてクラスタリングを行わせ、クラスタリングの結果を該記憶部に格納させるクラスタリング手順と、
該コンピュータに、該クラスタリング手順に格納させたクラスタリングの結果を該記憶部から読み出させ、このクラスタリングの結果により得られた各クラスタを1つの層とみなして異なるクラスタ間だけのファンデルワールスポテンシャルを計算させて該記憶部に格納させる第2の計算手順と、
該コンピュータに、該第1及び第2の計算手順で格納させた結合ポテンシャル及びファンデルワールスポテンシャルを該記憶部から読み出させ、これらのポテンシャルに基づいてファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションを自動的に行わせてシミュレーションの結果を該表示部に表示させるシミュレーション手順とを含むことを特徴とする、プログラム。
A program for causing a computer connectable to a storage unit and a display unit to perform a simulation of molecule formation,
A first calculation procedure for causing the computer to calculate a bond potential due to a covalent bond of a target element atom at each time of molecular dynamics simulation and to store it in the storage unit;
The computer is caused to perform clustering by examining the bonding state between the target element atoms in a state in which the catalyst atoms for growing the target element atoms and the target element atoms in contact with the catalyst atoms are removed. A clustering procedure to be stored in the storage unit;
The computer reads the clustering result stored in the clustering procedure from the storage unit, and regards each cluster obtained by the clustering result as one layer, and calculates the van der Waals potential only between different clusters. A second calculation procedure for calculating and storing in the storage unit;
The computer has a layer structure in which the coupling potential and van der Waals potential stored in the first and second calculation procedures are read from the storage unit and the van der Waals potential is interposed based on these potentials. And a simulation procedure for automatically performing a simulation of molecule formation and displaying a result of the simulation on the display unit.
該クラスタリング手順は、該コンピュータに、該対象元素原子同士の結合の数、該対象元素原子と該触媒原子との結合の数、及び各対象元素原子が触媒原子と接触しているか否かに基づいて、該クラスタリングを行わせることを特徴とする、請求項2記載のプログラム。   The clustering procedure is based on the number of bonds between the target element atoms, the number of bonds between the target element atoms and the catalyst atoms, and whether each target element atom is in contact with the catalyst atoms. The program according to claim 2, wherein the clustering is performed. 該第2の計算手順は、該コンピュータに、各クラスタ間のファンデルワールスポテンシャルを計算させて該記憶部に格納させる手順と、該コンピュータに、単独対象元素原子のファンデルワールスポテンシャルを計算させて該記憶部に格納させる手順とからなることを特徴とする、請求項2又は3記載のプログラム。   The second calculation procedure includes causing the computer to calculate a van der Waals potential between each cluster and storing it in the storage unit, and causing the computer to calculate a van der Waals potential of a single target element atom. The program according to claim 2 or 3, comprising a procedure for storing in the storage unit. 該対象元素は炭素であり、
該触媒原子は金属原子であり、
該ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子は多層カーボンナノチューブ又はバンドルカーボンナノチューブであることを特徴とする、請求項2〜4のいずれか1項記載のプログラム。
The target element is carbon,
The catalytic atom is a metal atom;
The program according to any one of claims 2 to 4, wherein the molecule having a layer structure in which the van der Waals potential is interposed is a multi-walled carbon nanotube or a bundled carbon nanotube.
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