JP2008065012A5 - - Google Patents
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Claims (21)
前記絶縁基板上にインクジェットの直描により形成された第１の導電性配線材からなる第１の配線と、この第１の配線上に一部を重畳してインクジェットの直描により形成された第２の導電性配線材の薄膜からなる第２の配線を有することを特徴とする表示パネル。 A display panel having an insulating substrate on which a thin film transistor is formed,
The first wiring made of the first conductive wiring material formed by ink jet direct drawing on an insulating substrate, which is formed by the ink jet direct drawing by superimposing a portion on the first wiring A display panel comprising a second wiring made of a thin film of two conductive wiring materials.
前記絶縁基板上にインクジェットの直描により形成された第１の導電性配線材からなる第１の配線と、この第１の配線上に一部を重畳してインクジェットの直描により形成された第２の導電性配線材の薄膜からなる第２の配線を有することを特徴とする液晶表示パネル。 A liquid crystal display panel having an insulating substrate on which a thin film transistor is formed,
The first wiring made of the first conductive wiring material formed by ink jet direct drawing on an insulating substrate, which is formed by the ink jet direct drawing by superimposing a portion on the first wiring A liquid crystal display panel comprising a second wiring made of a thin film of two conductive wiring materials.
前記第１の配線と前記第２の配線の幅、厚さは共に任意であることを特徴とする液晶表示パネル。 In claim 1 or 2,
The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the first wiring and the second wiring are both arbitrary in width and thickness .
前記絶縁基板に有する薄膜トランジスタは、前記絶縁基板上に形成されたゲート配線と、このゲート配線に一部を重畳するゲート電極を有し、
前記第１の配線は前記ゲート配線であり、前記第２の配線はゲート電極であることを特徴とする液晶表示パネル。 In claim 2,
The thin film transistor provided on the insulating substrate has a gate wiring formed on the insulating substrate and a gate electrode partially overlapping with the gate wiring,
The liquid crystal display panel, wherein the first wiring is the gate wiring and the second wiring is a gate electrode .
前記第２の導電性配線材は、Ｎｉ、ＩＴＯ、Ａｇ、Ｃｕの微粒子の何れか、またはこれらの２以上の微粒子の混合物をインクジェット用溶媒に分散した溶液であることを特徴とする液晶表示パネル。 In any one of Claims 1 thru | or 4 ,
The second conductive wiring material is a solution obtained by dispersing any one of Ni, ITO, Ag, Cu fine particles, or a mixture of two or more fine particles in an inkjet solvent. .
前記第２の導電性配線材は、Ａｇ又はＣｕの微粒子、またはこれらの微粒子の混合物をインクジェット用熔媒に分散した溶液であることを特徴とする液晶表示パネル。 In any one of Claims 1 thru | or 4 ,
The liquid crystal display panel, wherein the second conductive wiring material is a solution in which Ag or Cu fine particles or a mixture of these fine particles is dispersed in an inkjet solvent.
前記ゲート電極の膜厚が２０００Ａ以下であることを特徴とする液晶表示パネル。 In any one of Claims 4-6 ,
A liquid crystal display panel, wherein the gate electrode has a thickness of 2000 A or less.
前記ゲート電極の膜厚が１０００Å以下であることを特徴とする液晶表示パネル。 In any one of Claims 4-6 ,
A liquid crystal display panel, wherein the gate electrode has a thickness of 1000 mm or less.
前記絶縁基板に有する薄膜トランジスタは、前記絶縁基板上にインクジェットの直描により形成された第１の導電性配線材からなるゲート配線と、
前記ゲート配線上に一部を重畳してインクジェットの直描により形成された第２の導電性配線材の薄膜からなるゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って形成された半導体膜と、
前記半導体膜上、かつ当該半導体膜に形成されたチャネルを介して対時したソース電極とドレイン電極とを有することを特徴とする液晶表示パネル。 A liquid crystal display panel having an insulating substrate on which a thin film transistor is formed,
The thin film transistor on the insulating substrate includes a gate wiring made of a first conductive wiring material formed on the insulating substrate by direct drawing of an ink jet;
A gate electrode made of a thin film of a second conductive wiring material formed by direct drawing of an ink jet with a portion superimposed on the gate wiring;
A semiconductor film formed to cover the gate electrode;
A liquid crystal display panel comprising a source electrode and a drain electrode which are opposed to each other through a channel formed in the semiconductor film and on the semiconductor film.
前記ソース電極とドレイン電極とが、前記半導体膜上で互いに歯合する櫛型形状を有することを特微とする液晶表示パネル。 In claim 9 ,
A liquid crystal display panel characterized in that the source electrode and the drain electrode have a comb shape that meshes with each other on the semiconductor film.
前記第２の導電性配線材は、Ｎｉ、ＩＴＯ、Ａｇ、Ｃｕの微粒子の何れか、またはこれらの２以上の微粒子の混合物をインクジェット用溶媒に分散した溶液であることを特徴とする液晶表示パネル。 In claim 9 or 10 ,
The second conductive wiring material is a solution obtained by dispersing any one of Ni, ITO, Ag, Cu fine particles, or a mixture of two or more fine particles in an inkjet solvent. .
前記第２の導電性配線材は、Ａｇ又はＣｕの微粒子、またはこれらの微粒子の混合物をインクジェット用溶媒に分散した溶液であることを特徴とする液晶表示パネル。 In claim 9 or 10 ,
The liquid crystal display panel, wherein the second conductive wiring material is a solution in which Ag or Cu fine particles or a mixture of these fine particles is dispersed in an inkjet solvent.
前記ゲート電極の膜厚が２０００Ａ以下であることを特徴とする液晶表示パネル。 In claim 9 ,
A liquid crystal display panel, wherein the gate electrode has a thickness of 2000 A or less.
前記ゲート電極の膜厚が１０００Ａ以下であることを特徴とする液晶表示パネル。 In claim 9 ,
A liquid crystal display panel, wherein the gate electrode has a thickness of 1000 A or less.
前記絶縁基板に有する薄膜トランジスタは、前記絶縁基板上にインクジェットの直描により形成された第１の導電性配線材からなるゲート配線と、
前記ゲート配線上に一部を重畳してインクジェットの直描により形成された第２の導電性配線材の薄膜をフオトリソ処理で加工されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って形成された半導体膜と、
前記半導体膜上、かつ当該半導体膜に形成されたチャネルを介して対時したソース電極とドレイン電極とを有することを特徴とする液晶表示パネル。 A liquid crystal display panel having an insulating substrate on which a thin film transistor is formed,
The thin film transistor on the insulating substrate includes a gate wiring made of a first conductive wiring material formed on the insulating substrate by direct drawing of an ink jet;
A gate electrode obtained by processing a thin film of a second conductive wiring material formed by direct drawing of an ink jet by superimposing a part on the gate wiring;
A semiconductor film formed to cover the gate electrode;
A liquid crystal display panel comprising: a source electrode and a drain electrode which are opposed to each other through a channel formed in the semiconductor film and on the semiconductor film.
前記ゲート電極の幅が、１０μｍ以下の幅を有することを特徴とする液晶表示パネル。 In claim 15 ,
The liquid crystal display panel, wherein the gate electrode has a width of 10 μm or less.
前記ソース電極とドレイン電極とが、前記半導体膜上で互いに歯合する櫛型形状を有することを特徴とする液晶表示パネル。 In claim 15 ,
The liquid crystal display panel, wherein the source electrode and the drain electrode have a comb shape that meshes with each other on the semiconductor film.
前記第２の導電性配線材は、Ｎｉ、ＩＴＯ、Ａｇ、Ｃｕの微粒子の何れか、またはこれらの２以上の微粒子の混合物をインクジェット用溶媒に分散した熔液であることを特徴とする液晶表示パネル。 In any of claims 15 to 17 ,
The second conductive wiring material is a liquid in which fine particles of Ni, ITO, Ag, Cu, or a mixture of these two or more fine particles are dispersed in an inkjet solvent. panel.
前記第２の導電性配線材は、Ａｇ又はＣｕの微粒子、またはこれらの微粒子の混合物をインクジェット用溶媒に分散した溶液であることを特徴とする液晶表示パネル。 In any one of Claims 4 thru | or 4 ,
The liquid crystal display panel, wherein the second conductive wiring material is a solution in which Ag or Cu fine particles or a mixture of these fine particles is dispersed in an inkjet solvent.
前記ゲート電極の膜厚が２０００Å以下であることを特徴とする液晶表示パネル。 In claim 15 ,
A liquid crystal display panel, wherein the thickness of the gate electrode is 2000 mm or less.
前記ゲート電極の膜厚が１０００Å以下であることを特徴とする液晶表示パネル。 In claim 15 ,
A liquid crystal display panel, wherein the gate electrode has a thickness of 1000 mm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006242378A JP2008065012A (en) | 2006-09-07 | 2006-09-07 | Liquid crystal display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006242378A JP2008065012A (en) | 2006-09-07 | 2006-09-07 | Liquid crystal display panel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008065012A JP2008065012A (en) | 2008-03-21 |
| JP2008065012A5 true JP2008065012A5 (en) | 2009-03-26 |
Family
ID=39287788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006242378A Pending JP2008065012A (en) | 2006-09-07 | 2006-09-07 | Liquid crystal display panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008065012A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101902922B1 (en) | 2011-03-03 | 2018-10-02 | 삼성전자주식회사 | Thin film transistor and manufacturing method of the same |
| KR102430876B1 (en) * | 2015-04-30 | 2022-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display and method for repairing organic light emitting diode display |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3977974B2 (en) * | 1998-12-29 | 2007-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP4182468B2 (en) * | 2002-04-16 | 2008-11-19 | セイコーエプソン株式会社 | Device manufacturing method, device manufacturing apparatus, device, and electronic apparatus |
| JP4581423B2 (en) * | 2003-03-24 | 2010-11-17 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Thin film transistor element, element sheet and method for manufacturing the same |
| JP2004296393A (en) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Ricoh Co Ltd | Electron source substrate manufacturing device, electron source substrate, and image display device |
| JP4100278B2 (en) * | 2003-07-15 | 2008-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | Method for manufacturing active matrix substrate |
| JP4741218B2 (en) * | 2003-10-28 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device, manufacturing method thereof, and liquid crystal television receiver |
| JP4877868B2 (en) * | 2003-12-02 | 2012-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing display device |
| JP4419565B2 (en) * | 2003-12-25 | 2010-02-24 | 東レ株式会社 | Resin composition and method for forming insulating layer using the same |
| JP2006221059A (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Future Vision:Kk | Substrate for display device and image display device using the same |
-
2006
- 2006-09-07 JP JP2006242378A patent/JP2008065012A/en active Pending
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