JP2008060587A - Semiconductor device and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve interconnection reliability, when mounting a semiconductor chip. <P>SOLUTION: The present invention forms solder balls 6 on the back surface of an interposer substrate 1 and mounts a semiconductor chip 3 on the front surface of the interposer substrate 1 so as to avoid the diagonals 7 of the interposer substrate 1. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、配線基板、半導体装置、半導体モジュール、電子機器、配線基板の設計方法、半導体装置の製造方法および半導体モジュールの製造方法に関し、特に、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）またはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）などに適用して好適なものである。   The present invention relates to a wiring board, a semiconductor device, a semiconductor module, an electronic device, a wiring board design method, a semiconductor device manufacturing method, and a semiconductor module manufacturing method, and in particular, a chip size package (CSP) or a ball grid array (BGA). It is suitable for application to the above.

従来のチップサイズパッケージおよびボールグリッドアレイでは、フルグリッドまたは千鳥配列などによって、ボールバンプの配置が行なわれていた。
図１２（ａ）は、従来のチップサイズパッケージの概略構成を示す平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＪ−Ｊ線で切断した断面図である。
図１２において、半導体チップ１０１には、能動領域に接続された配線層１０２が形成され、配線層１０２にはパッド電極１０３が形成されている。 In conventional chip size packages and ball grid arrays, ball bumps are arranged by a full grid or a staggered arrangement.
FIG. 12A is a plan view showing a schematic configuration of a conventional chip size package, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line JJ of FIG.
In FIG. 12, a wiring layer 102 connected to the active region is formed on the semiconductor chip 101, and a pad electrode 103 is formed on the wiring layer 102.

また、半導体チップ１０１に形成された能動領域上には、パッド電極１０３が露出するようにして応力緩和層１０４が形成され、パッド電極１０３上には、応力緩和層１０４上に延伸された再配置配線１０５が形成されている。
また、再配置配線１０５上にはソルダレジスト膜１０６が形成され、ソルダレジスト膜１０６には、応力緩和層１０４上において再配置配線１０５を露出させる開口部１０７が形成されている。 In addition, a stress relaxation layer 104 is formed on the active region formed in the semiconductor chip 101 so that the pad electrode 103 is exposed, and a rearrangement extended on the stress relaxation layer 104 is formed on the pad electrode 103. A wiring 105 is formed.
Further, a solder resist film 106 is formed on the rearrangement wiring 105, and an opening 107 for exposing the rearrangement wiring 105 on the stress relaxation layer 104 is formed in the solder resist film 106.

また、応力緩和層１０４上には、はんだボール１０８が形成され、はんだボール１０８は、ソルダレジスト膜１０６に形成された開口部１０７を介して再配置配線１０５と接続されている。
図１３（ａ）は、従来のボールグリッドアレイの概略構成を示す平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＫ−Ｋ線で切断した断面図である。 A solder ball 108 is formed on the stress relaxation layer 104, and the solder ball 108 is connected to the relocation wiring 105 through an opening 107 formed in the solder resist film 106.
FIG. 13A is a plan view showing a schematic configuration of a conventional ball grid array, and FIG. 13B is a cross-sectional view taken along the line KK of FIG. 13A.

図１３において、インターポーザ基板１１１の両面には配線１１２ａ、１１２ｃがそれぞれ形成され、各面に形成された配線１１２ａ、１１２ｃは、インターポーザ基板１１１に形成されたスルーホール配線１１２ｂを介して接続されている。
そして、インターポーザ基板１１１の表面には半導体チップ１１３が実装され、半導体チップ１１３は、バンプ電極１１４を介して配線１１２ａと接続されるとともに、モールド樹脂１１５により封止されている。
また、インターポーザ基板１１１の裏面には、はんだボール１１６がフルグリッド状に配置され、はんだボール１１６は配線１１２ｃに接続されている。 In FIG. 13, wirings 112 a and 112 c are formed on both surfaces of the interposer substrate 111, and the wirings 112 a and 112 c formed on each surface are connected via through-hole wirings 112 b formed on the interposer substrate 111. .
A semiconductor chip 113 is mounted on the surface of the interposer substrate 111, and the semiconductor chip 113 is connected to the wiring 112 a via the bump electrode 114 and is sealed with a mold resin 115.
Further, solder balls 116 are arranged in a full grid on the back surface of the interposer substrate 111, and the solder balls 116 are connected to the wiring 112c.

しかしながら、図１２のチップサイズパッケージでは、チップサイズが大きくなると、応力緩和層１０４やソルダレジスト膜１０６の伸縮量が大きくなり、半導体チップ１０１の反りを誘発して、はんだボール１０８の接続不良が発生し、二次実装の信頼性が低下するという問題があった。特に、半導体チップ１０１の対角線上で大きな応力が発生し、半導体チップ１０１の対角線上や四隅に配置されるはんだボール１０８の接続不良の頻度が大きいという問題があった。   However, in the chip size package of FIG. 12, when the chip size increases, the amount of expansion / contraction of the stress relaxation layer 104 and the solder resist film 106 increases, causing warpage of the semiconductor chip 101 and causing poor connection of the solder balls 108. However, there is a problem that the reliability of the secondary mounting is lowered. In particular, a large stress is generated on the diagonal line of the semiconductor chip 101, and there is a problem that the frequency of connection failures of the solder balls 108 arranged on the diagonal line and the four corners of the semiconductor chip 101 is large.

また、図１３のボールグリッドアレイでも同様に、インターポーザ基板１１１のサイズが大きくなると、パッケージの反りを誘発して、はんだボール１１６の接続不良が発生し、二次実装の信頼性が低下するという問題があった。
そこで、本発明の目的は、端子電極の接続信頼性を向上させることが可能な配線基板、半導体装置、半導体モジュール、電子機器、配線基板の設計方法、半導体装置の製造方法および半導体モジュールの製造方法を提供することである。 Similarly, in the ball grid array of FIG. 13, when the size of the interposer substrate 111 is increased, the warpage of the package is induced, the solder balls 116 are poorly connected, and the reliability of the secondary mounting is lowered. was there.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wiring board, a semiconductor device, a semiconductor module, an electronic device, a wiring board design method, a semiconductor device manufacturing method, and a semiconductor module manufacturing method capable of improving the connection reliability of terminal electrodes. Is to provide.

上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る配線基板によれば、基板上に形成された配線層と、前記配線層に接続され、前記基板にかかる応力分布に基づいて配置された端子電極とを備えることを特徴とする。
これにより、基板にかかる応力の小さい領域を選択しつつ、端子電極を基板上に配置することが可能となり、端子電極の配置位置を変更することで、端子電極の接続不良を低減することが可能となる。 In order to solve the above-described problem, according to a wiring board according to an aspect of the present invention, a wiring layer formed on the board, and connected to the wiring layer and arranged based on a stress distribution applied to the board. And a terminal electrode.
As a result, the terminal electrode can be arranged on the substrate while selecting a region where the stress applied to the substrate is small, and the connection failure of the terminal electrode can be reduced by changing the arrangement position of the terminal electrode. It becomes.

このため、基板構造を複雑化させることなく、端子電極の接続信頼性を向上させることが可能となり、二次実装の信頼性を容易に向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る配線基板によれば、基板上に形成された配線層と、前記配線層に接続され、対角線上を避けるようにして前記基板上に配置された端子電極とを備えることを特徴とする。 For this reason, it becomes possible to improve the connection reliability of a terminal electrode, without complicating a board | substrate structure, and it becomes possible to improve the reliability of secondary mounting easily.
Further, according to the wiring board according to one aspect of the present invention, the wiring layer formed on the board and the terminal electrode connected to the wiring layer and disposed on the board so as to avoid the diagonal line. It is characterized by providing.

これにより、基板にかかる応力の大きな領域を避けながら、端子電極を配置することが可能となり、基板構造を複雑化させることなく、端子電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る配線基板によれば、基板上に形成された配線層と、前記配線層に接続され、前記基板上に配置された端子電極と、前記基板の対角線に沿って設けられた応力遮断部とを備えることを特徴とする。 As a result, it is possible to dispose the terminal electrode while avoiding a region having a large stress applied to the substrate, and it is possible to improve the connection reliability of the terminal electrode without complicating the substrate structure.
Moreover, according to the wiring board which concerns on 1 aspect of this invention, along the diagonal of the wiring layer formed on the board | substrate, the terminal electrode connected to the said wiring layer, and arrange | positioned on the said board | substrate It is provided with the provided stress interruption | blocking part.

これにより、配線基板に加わる応力を分断させて、配線基板に加わる応力を低下させることが可能となり、配線基板のサイズが増大した場合においても、配線基板の反りを低減させて、二次実装の信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る配線基板によれば、前記応力遮断部は、溝またはスリットの少なくともいずれか一方であることを特徴とする。 As a result, the stress applied to the wiring board can be divided and the stress applied to the wiring board can be reduced. Even when the size of the wiring board increases, the warping of the wiring board can be reduced and the secondary mounting can be reduced. Reliability can be improved.
Moreover, according to the wiring board which concerns on 1 aspect of this invention, the said stress interruption | blocking part is at least any one of a groove | channel or a slit, It is characterized by the above-mentioned.

これにより、配線基板に加わる応力を溝またはスリットの位置で遮断することが可能となり、配線基板のサイズが増大した場合においても、配線基板に加わる応力を低下させて、二次実装の信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る配線基板によれば、基板上に形成された配線層と、前記配線層に接続され、前記基板上に配置された端子電極と、前記基板の四隅または対角線上に設けられたダミー端子とを備えることを特徴とする。 As a result, the stress applied to the wiring board can be cut off at the position of the groove or slit, and even when the size of the wiring board increases, the stress applied to the wiring board is reduced and the reliability of secondary mounting is improved. Can be improved.
Moreover, according to the wiring board according to one aspect of the present invention, the wiring layer formed on the board, the terminal electrode connected to the wiring layer and disposed on the board, and the four corners or diagonal lines of the board And a dummy terminal.

これにより、接続不良の頻度が大きい領域に端子電極が配置されることを防止しつつ、端子電極の接続状態をダミー端子で補強することが可能となる。
このため、配線基板のサイズが増大した場合においても、配線基板に加わる応力を低下させて、端子電極の接続不良を低減することが可能となり、二次実装の信頼性を向上させることができる。 Thereby, it becomes possible to reinforce the connection state of the terminal electrode with the dummy terminal while preventing the terminal electrode from being arranged in the region where the frequency of the connection failure is large.
For this reason, even when the size of the wiring board increases, it is possible to reduce the stress applied to the wiring board and reduce the connection failure of the terminal electrodes, and to improve the reliability of the secondary mounting.

また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、能動領域およびパッド電極が形成された半導体チップと、前記能動領域上に形成された応力緩衝層と、前記応力緩衝層上に形成され、前記半導体チップにかかる応力分布に基づいて配置されたバンプ電極と、前記バンプ電極と前記パッド電極とを接続する再配置配線層と、前記再配置配線層および前記パッド電極上に形成された保護層とを備えることを特徴とする。   Further, according to the semiconductor device of one embodiment of the present invention, the semiconductor chip in which the active region and the pad electrode are formed, the stress buffer layer formed on the active region, and formed on the stress buffer layer, A bump electrode disposed based on a stress distribution applied to the semiconductor chip, a rearrangement wiring layer connecting the bump electrode and the pad electrode, a protective wiring layer formed on the rearrangement wiring layer and the pad electrode It is characterized by providing.

これにより、半導体チップにかかる応力の小さい領域にバンプ電極を配置することが可能となり、バンプ電極の配置位置を変更することで、バンプ電極の接続不良を低減することが可能となる。
このため、チップサイズパケージの構造を複雑化させることなく、バンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となり、二次実装の信頼性を容易に向上させることが可能となる。 Thereby, it is possible to arrange the bump electrode in a region where the stress applied to the semiconductor chip is small, and it is possible to reduce the connection failure of the bump electrode by changing the arrangement position of the bump electrode.
Therefore, it is possible to improve the connection reliability of the bump electrode without complicating the structure of the chip size package, and it is possible to easily improve the reliability of the secondary mounting.

また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、能動領域およびパッド電極が形成された半導体チップと、前記能動領域上に形成された応力緩衝層と、前記応力緩衝層上に形成され、対角線上を避けるようにして配置されたバンプ電極と、前記バンプ電極と前記パッド電極とを接続する再配置配線層と、前記再配置配線層および前記パッド電極上に形成された保護層とを備えることを特徴とする。   Further, according to the semiconductor device of one embodiment of the present invention, the semiconductor chip in which the active region and the pad electrode are formed, the stress buffer layer formed on the active region, and formed on the stress buffer layer, A bump electrode disposed so as to avoid the diagonal line, a rearrangement wiring layer connecting the bump electrode and the pad electrode, and a protective layer formed on the rearrangement wiring layer and the pad electrode It is characterized by that.

これにより、半導体チップにかかる応力の大きな領域を避けながら、バンプ電極を配置することが可能となり、チップサイズパケージの構造を複雑化させることなく、バンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、能動領域およびパッド電極が形成された半導体チップと、前記能動領域上に形成され、対角線に沿って分割配置された応力緩衝層と、前記応力緩衝層上に形成されたバンプ電極と、前記バンプ電極と前記パッド電極とを接続する再配置配線層と、前記再配置配線層および前記パッド電極上に形成され、前記対角線に沿って分割配置された保護層とを備えることを特徴とする。 As a result, bump electrodes can be arranged while avoiding areas of high stress on the semiconductor chip, and the connection reliability of the bump electrodes can be improved without complicating the structure of the chip size package. Become.
In addition, according to the semiconductor device of one aspect of the present invention, the semiconductor chip in which the active region and the pad electrode are formed, the stress buffer layer formed on the active region and arranged separately along the diagonal line, A bump electrode formed on the stress buffer layer, a rearrangement wiring layer connecting the bump electrode and the pad electrode, formed on the rearrangement wiring layer and the pad electrode, and dividedly arranged along the diagonal line And a protective layer formed thereon.

これにより、応力緩衝層および保護層に加わる応力を分断させて、半導体チップに加わる応力を低下させることが可能となり、半導体チップのサイズが増大した場合においても、半導体チップの反りを低減させて、二次実装の信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、能動領域およびパッド電極が形成された半導体チップと、前記能動領域上に形成された応力緩衝層と、前記応力緩衝層上に形成されたバンプ電極と、前記応力緩衝層の四隅または対角線上に設けられたダミーバンプと、前記バンプ電極と前記パッド電極とを接続する再配置配線層と、前記再配置配線層および前記パッド電極上に形成された保護層とを備えることを特徴とする。 As a result, the stress applied to the stress buffer layer and the protective layer can be divided to reduce the stress applied to the semiconductor chip, and even when the size of the semiconductor chip increases, the warpage of the semiconductor chip is reduced, Secondary mounting reliability can be improved.
According to the semiconductor device of one embodiment of the present invention, the semiconductor chip in which the active region and the pad electrode are formed, the stress buffer layer formed on the active region, and the stress buffer layer are formed. Bump electrodes, dummy bumps provided on four corners or diagonal lines of the stress buffer layer, a rearrangement wiring layer connecting the bump electrode and the pad electrode, and the rearrangement wiring layer and the pad electrode are formed. And a protective layer.

これにより、接続不良の頻度が大きい領域にバンプ電極が配置されることを防止しつつ、バンプ電極の接続状態をダミーバンプで補強することが可能となるとともに、バンプ電極およびダミーバンプの一括形成および一括接続が可能となる。
このため、半導体チップのサイズが増大した場合においても、製造工程を複雑化させることなく、半導体チップに加わる応力を低下させて、バンプ電極の接続不良を低減することが可能となる。 As a result, it is possible to reinforce the connection state of the bump electrode with the dummy bump while preventing the bump electrode from being arranged in a region where the frequency of the connection failure is large, and simultaneously form and connect the bump electrode and the dummy bump. Is possible.
For this reason, even when the size of the semiconductor chip increases, the stress applied to the semiconductor chip can be reduced and the connection failure of the bump electrode can be reduced without complicating the manufacturing process.

また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、半導体チップが表面実装されたインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板の裏面に設けられた配線層と、前記配線層に接続され、前記インターポーザ基板にかかる応力分布に基づいて配置されたバンプ電極と、前記インターポーザ基板に設けられ、前記半導体チップと前記配線層とを接続するスルーホール配線とを備えることを特徴とする。   In addition, according to the semiconductor module of one aspect of the present invention, the interposer substrate on which the semiconductor chip is surface-mounted, the wiring layer provided on the back surface of the interposer substrate, and the wiring layer are connected to the interposer substrate. Bump electrodes arranged based on such stress distribution, and through-hole wirings provided on the interposer substrate and connecting the semiconductor chip and the wiring layer are provided.

これにより、インターポーザ基板にかかる応力の小さい領域にバンプ電極を配置することが可能となり、バンプ電極の配置位置を変更することで、バンプ電極の接続不良を低減することが可能となる。
このため、ボールグリッドアレイの構造を複雑化させることなく、バンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となり、二次実装の信頼性を容易に向上させることが可能となる。 Thereby, it is possible to arrange the bump electrode in a region where the stress applied to the interposer substrate is small, and it is possible to reduce the connection failure of the bump electrode by changing the arrangement position of the bump electrode.
For this reason, it is possible to improve the connection reliability of the bump electrodes without complicating the structure of the ball grid array, and it is possible to easily improve the reliability of the secondary mounting.

また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、半導体チップが表面実装されたインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板の裏面に設けられた配線層と、前記配線層に接続され、対角線上を避けるようにして前記インターポーザ基板の裏面に配置されたバンプ電極と、前記インターポーザ基板に設けられ、前記半導体チップと前記配線層とを接続するスルーホール配線とを備えることを特徴とする。
これにより、インターポーザ基板にかかる応力の大きな領域を避けながら、バンプ電極を配置することが可能となり、ボールグリッドアレイの構造を複雑化させることなく、バンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。 In addition, according to the semiconductor module of one embodiment of the present invention, the interposer substrate on which the semiconductor chip is surface-mounted, the wiring layer provided on the back surface of the interposer substrate, and the diagonal line connected to the wiring layer are avoided. Thus, the bump electrode disposed on the back surface of the interposer substrate and the through-hole wiring provided on the interposer substrate and connecting the semiconductor chip and the wiring layer are provided.
This makes it possible to place bump electrodes while avoiding areas of high stress on the interposer substrate, and improve the connection reliability of bump electrodes without complicating the structure of the ball grid array. Become.

また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、半導体チップが表面実装されたインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板の裏面に設けられた配線層と、前記配線層に接続され、対角線上を避けるようにして前記インターポーザ基板裏面に配置されたバンプ電極と、前記インターポーザ基板の対角線に沿って設けられた溝またはスリットの少なくともいずれか一方と、前記インターポーザ基板に設けられ、前記半導体チップと前記配線層とを接続するスルーホール配線とを備えることを特徴とする。   In addition, according to the semiconductor module of one embodiment of the present invention, the interposer substrate on which the semiconductor chip is surface-mounted, the wiring layer provided on the back surface of the interposer substrate, and the diagonal line connected to the wiring layer are avoided. Thus, the bump electrode disposed on the back surface of the interposer substrate, at least one of a groove or a slit provided along a diagonal line of the interposer substrate, the semiconductor chip and the wiring layer provided on the interposer substrate And a through-hole wiring for connecting the two.

これにより、インターポーザ基板に加わる応力を分断させて、インターポーザ基板に加わる応力を低下させることが可能となり、インターポーザ基板のサイズが増大した場合においても、インターポーザ基板の反りを低減させて、二次実装の信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、半導体チップが表面実装されたインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板の裏面に設けられた配線層と、前記配線層に接続され、前記インターポーザ基板の裏面に配置されたバンプ電極と、前記インターポーザ基板の裏面の四隅または対角線上に設けられたダミーバンプと、前記インターポーザ基板に設けられ、前記半導体チップと前記配線層とを接続するスルーホール配線とを備えることを特徴とする。 As a result, the stress applied to the interposer substrate can be divided to reduce the stress applied to the interposer substrate, and even when the size of the interposer substrate is increased, the warpage of the interposer substrate is reduced, and the secondary mounting is reduced. Reliability can be improved.
In addition, according to the semiconductor module of one aspect of the present invention, the interposer substrate on which the semiconductor chip is surface-mounted, the wiring layer provided on the back surface of the interposer substrate, the wiring layer connected to the wiring layer, and the interposer substrate Bump electrodes arranged on the back surface, dummy bumps provided on the four corners or diagonal lines of the back surface of the interposer substrate, and through-hole wirings provided on the interposer substrate and connecting the semiconductor chip and the wiring layer It is characterized by that.

これにより、接続不良の頻度が大きい領域にバンプ電極が配置されることを防止しつつ、バンプ電極の接続状態をダミーバンプで補強することが可能となるとともに、バンプ電極およびダミーバンプの一括形成および一括接続が可能となる。
このため、インターポーザ基板のサイズが増大した場合においても、製造工程を複雑化させることなく、インターポーザ基板に加わる応力を低下させて、バンプ電極の接続不良を低減することが可能となる。 As a result, it is possible to reinforce the connection state of the bump electrode with the dummy bump while preventing the bump electrode from being arranged in a region where the frequency of the connection failure is large, and simultaneously form and connect the bump electrode and the dummy bump. Is possible.
For this reason, even when the size of the interposer substrate is increased, it is possible to reduce the stress applied to the interposer substrate and reduce the connection failure of the bump electrodes without complicating the manufacturing process.

また、本発明の一態様に係る電子機器によれば、半導体チップが表面実装されたインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板の裏面に設けられた配線層と、前記配線層に接続され、対角線上を避けるようにして前記インターポーザ基板の裏面に配置されたバンプ電極と、前記インターポーザ基板に設けられ、前記半導体チップと前記配線層とを接続するスルーホール配線と、前記インターポーザ基板を実装するマザー基板と、前記マザー基板を介して前記バンプ電極に接続された電子部品を備えることを特徴とする。
これにより、インターポーザ基板に加わる応力を分断させて、インターポーザ基板に加わる応力を低下させることが可能となり、インターポーザ基板をマザー基板に実装する際の信頼性を向上させることができる。 According to the electronic device of one embodiment of the present invention, an interposer substrate on which a semiconductor chip is surface-mounted, a wiring layer provided on the back surface of the interposer substrate, and connected to the wiring layer to avoid diagonal lines Thus, the bump electrode disposed on the back surface of the interposer substrate, the through-hole wiring provided on the interposer substrate for connecting the semiconductor chip and the wiring layer, the mother substrate for mounting the interposer substrate, An electronic component connected to the bump electrode via a mother substrate is provided.
Thereby, the stress applied to the interposer substrate can be divided to reduce the stress applied to the interposer substrate, and the reliability when the interposer substrate is mounted on the mother substrate can be improved.

また、本発明の一態様に係る配線基板の設計方法によれば、配線基板にかかる応力分布に基づいて、前記配線基板上のバンプ電極の配置位置を決定することを特徴とする。
これにより、配線基板にかかる応力の小さい領域にバンプ電極を配置することが可能となり、配線基板のサイズが増大した場合においても、バンプ電極の配置位置を調整するだけで、バンプ電極の接続不良を低減することが可能となる。 The wiring board design method according to one aspect of the present invention is characterized in that the arrangement positions of the bump electrodes on the wiring board are determined based on a stress distribution applied to the wiring board.
This makes it possible to place bump electrodes in areas where the stress applied to the wiring board is small, and even when the size of the wiring board increases, it is possible to reduce the connection failure of the bump electrodes simply by adjusting the bump electrode placement position. It becomes possible to reduce.

また、本発明の一態様に係る配線基板の設計方法によれば、前記配線基板の対角線上を避けるようにして、前記配線基板上のバンプ電極の配置位置を決定することを特徴とする。
これにより、配線基板にかかる応力の大きな領域にバンプ電極が配置されることを防止することが可能となり、バンプ電極の配置位置を調整するだけで、バンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。 The wiring board design method according to one aspect of the present invention is characterized in that the arrangement positions of the bump electrodes on the wiring board are determined so as to avoid the diagonal line of the wiring board.
As a result, it is possible to prevent the bump electrode from being arranged in a region where the stress applied to the wiring board is large, and it is possible to improve the connection reliability of the bump electrode only by adjusting the arrangement position of the bump electrode. It becomes.

また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、パッド電極が形成された半導体チップの能動領域上に応力緩衝層を形成する工程と、前記応力緩衝層をパターニングすることにより、前記パッド電極を露出させる工程と、前記パッド電極から前記応力緩衝層上に延伸された再配置配線層を形成する工程と、前記再配置配線層上に保護層を形成する工程と、前記保護層をパターニングすることにより、対角線上を避けるようにして前記再配置配線層を露出させる開口部を形成する工程と、前記開口部を介して前記再配置配線層に接続されるバンプ電極を前記応力緩衝層上に形成する工程とを備えることを特徴とする。   Further, according to the method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention, by forming a stress buffer layer on the active region of the semiconductor chip on which the pad electrode is formed, and patterning the stress buffer layer, Exposing the pad electrode; forming a rearrangement wiring layer extending from the pad electrode on the stress buffer layer; forming a protective layer on the rearrangement wiring layer; and the protective layer Forming an opening that exposes the rearrangement wiring layer so as to avoid diagonal lines, and bump electrodes connected to the rearrangement wiring layer through the opening are subjected to stress buffering. Forming on the layer.

これにより、半導体チップにかかる応力の大きな領域にバンプ電極が配置されることを防止することが可能となり、バンプ電極の配置位置を調整するだけで、バンプ電極の接続不良を低減することが可能となる。
このため、チップサイズパケージの構造を複雑化させることなく、バンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となり、二次実装の信頼性を容易に向上させることが可能となる。 As a result, it is possible to prevent the bump electrode from being arranged in a region where the stress applied to the semiconductor chip is large, and it is possible to reduce the connection failure of the bump electrode only by adjusting the arrangement position of the bump electrode. Become.
Therefore, it is possible to improve the connection reliability of the bump electrode without complicating the structure of the chip size package, and it is possible to easily improve the reliability of the secondary mounting.

また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、パッド電極が形成された半導体チップの能動領域上に応力緩衝層を形成する工程と、前記応力緩衝層をパターニングすることにより、対角線に沿って前記応力緩衝層を分割するとともに、前記パッド電極を露出させる工程と、前記パッド電極から前記応力緩衝層上に延伸された再配置配線層を形成する工程と、前記再配置配線層上に保護層を形成する工程と、前記保護層をパターニングすることにより、前記対角線に沿って前記保護層を分割するとともに、前記再配置配線層を露出させる開口部を形成する工程と、前記開口部を介して前記再配置配線層に接続されるバンプ電極を前記応力緩衝層上に形成する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、応力緩衝層および保護層のパターニングを行うだけで、応力緩衝層および保護層に加わる応力を分断させることが可能となり、半導体チップのサイズが増大した場合においても、製造工程を増加させることなく、バンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。 Further, according to the method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention, by forming a stress buffer layer on the active region of the semiconductor chip on which the pad electrode is formed, and patterning the stress buffer layer, Dividing the stress buffer layer along a diagonal line, exposing the pad electrode, forming a rearrangement wiring layer extending from the pad electrode on the stress buffer layer, and the rearrangement wiring layer Forming a protective layer thereon, patterning the protective layer, dividing the protective layer along the diagonal line, and forming an opening exposing the relocation wiring layer; and the opening Forming a bump electrode connected to the rearrangement wiring layer through a portion on the stress buffer layer.
As a result, the stress applied to the stress buffer layer and the protective layer can be divided only by patterning the stress buffer layer and the protective layer, and the manufacturing process can be increased even when the size of the semiconductor chip increases. Therefore, it is possible to improve the connection reliability of the bump electrodes.

また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、パッド電極が形成された半導体チップの能動領域上に応力緩衝層を形成する工程と、前記応力緩衝層をパターニングすることにより、前記パッド電極を露出させる工程と、前記パッド電極から前記応力緩衝層上に延伸された再配置配線層を形成するとともに、前記応力緩衝層上の四隅または対角線上にダミーランドを形成する工程と、前記再配置配線層およびダミーランド上に保護層を形成する工程と、前記保護層をパターニングすることにより、前記再配置配線層を露出させる第１の開口部および前記ダミーランドを露出させる第２の開口部を形成する工程と、前記第１の開口部を介して前記再配置配線層に接続されるバンプ電極を前記応力緩衝層上に形成するとともに、前記第２の開口部を介して前記ダミーランド上に配置されるダミーバンプを形成する工程とを備えることを特徴とする。   Further, according to the method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention, by forming a stress buffer layer on the active region of the semiconductor chip on which the pad electrode is formed, and patterning the stress buffer layer, Exposing the pad electrode; forming a relocation wiring layer extending from the pad electrode on the stress buffer layer; and forming dummy lands on four corners or diagonal lines on the stress buffer layer; Forming a protective layer on the rearranged wiring layer and the dummy land, and patterning the protective layer to thereby expose a first opening for exposing the rearranged wiring layer and a second for exposing the dummy land. Forming a bump electrode connected to the relocation wiring layer via the first opening on the stress buffer layer, and forming the opening; Characterized in that it comprises a step of forming a dummy bump that is disposed on the dummy land through the second opening.

これにより、接続不良の頻度が大きい領域にバンプ電極が配置されることを防止しつつ、バンプ電極およびダミーバンプを一括形成することが可能となるとともに、バンプ電極を接続することで、バンプ電極の接続状態をダミーバンプで補強することが可能となる。
このため、半導体チップのサイズが増大した場合においても、製造工程を複雑化させることなく、半導体チップに加わる応力を低下させて、バンプ電極の接続不良を低減することが可能となる。 This makes it possible to form bump electrodes and dummy bumps in a batch while preventing the bump electrodes from being arranged in areas where the frequency of poor connection is high, and connecting the bump electrodes allows connection of the bump electrodes. The state can be reinforced with dummy bumps.
For this reason, even when the size of the semiconductor chip increases, the stress applied to the semiconductor chip can be reduced and the connection failure of the bump electrode can be reduced without complicating the manufacturing process.

また、本発明の一態様に係る半導体モジュールの製造方法によれば、スルーホールを介して接続された配線層を、インターポーザ基板の両面に形成する工程と、対角線上を避けるようにして、前記配線層に接続されたバンプ電極を前記インターポーザ基板の裏面に形成する工程と、前記インターポーザ基板の表面上に半導体チップを実装する工程とを備えることを特徴とする。   In addition, according to the method for manufacturing a semiconductor module according to an aspect of the present invention, the wiring layer connected through the through holes is formed on both surfaces of the interposer substrate, and the wiring is formed so as to avoid the diagonal line. Forming a bump electrode connected to the layer on the back surface of the interposer substrate; and mounting a semiconductor chip on the surface of the interposer substrate.

これにより、インターポーザ基板にかかる応力の大きな領域にバンプ電極が配置されることを防止することが可能となり、バンプ電極の配置位置を調整するだけで、バンプ電極の接続不良を低減することが可能となる。
このため、ボールグリッドアレイの構造を複雑化させることなく、バンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となり、二次実装の信頼性を容易に向上させることが可能となる。 As a result, it is possible to prevent the bump electrode from being arranged in a region where the stress applied to the interposer substrate is large, and it is possible to reduce the connection failure of the bump electrode only by adjusting the arrangement position of the bump electrode. Become.
For this reason, it is possible to improve the connection reliability of the bump electrodes without complicating the structure of the ball grid array, and it is possible to easily improve the reliability of the secondary mounting.

また、本発明の一態様に係る半導体モジュールの製造方法によれば、溝またはスリットのいずれか少なくとも一方をインターポーザ基板の対角線に沿って形成する工程と、スルーホールを介して接続された配線層を、前記インターポーザ基板の両面に形成する工程と、前記配線層に接続されたバンプ電極を前記インターポーザ基板の裏面に形成する工程と、前記インターポーザ基板の表面上に半導体チップを実装する工程とを備えることを特徴とする。   Further, according to the method for manufacturing a semiconductor module according to one aspect of the present invention, the step of forming at least one of the groove or the slit along the diagonal line of the interposer substrate, and the wiring layer connected through the through hole are provided. A step of forming on both surfaces of the interposer substrate, a step of forming bump electrodes connected to the wiring layer on the back surface of the interposer substrate, and a step of mounting a semiconductor chip on the surface of the interposer substrate. It is characterized by.

これにより、インターポーザ基板に溝またはスリットを形成することで、インターポーザ基板に加わる応力を分断させることが可能となり、インターポーザ基板のサイズが増大した場合においても、製造工程の増加を抑制しつつ、バンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールの製造方法によれば、スルーホールを介して接続された配線層を前記インターポーザ基板の両面に形成するとともに、前記インターポーザ基板の裏面の四隅または対角線上にダミーランドを形成する工程と、前記配線層に接続されたバンプ電極を前記インターポーザ基板の裏面に形成するとともに、前記ダミーランド上にダミーバンプを形成する工程と、前記インターポーザ基板の表面上に半導体チップを実装する工程とを備えることを特徴とする。 As a result, by forming grooves or slits in the interposer substrate, it becomes possible to divide the stress applied to the interposer substrate, and even when the size of the interposer substrate increases, the bump electrode is suppressed while suppressing an increase in the manufacturing process. It is possible to improve the connection reliability.
Further, according to the method for manufacturing a semiconductor module according to one aspect of the present invention, the wiring layers connected through the through holes are formed on both surfaces of the interposer substrate, and on the four corners or diagonal lines on the back surface of the interposer substrate. Forming a dummy land, forming a bump electrode connected to the wiring layer on the back surface of the interposer substrate, forming a dummy bump on the dummy land, and forming a semiconductor chip on the surface of the interposer substrate; And a process of mounting.

これにより、接続不良の頻度が大きい領域にバンプ電極が配置されることを防止しつつ、バンプ電極およびダミーバンプを一括形成することが可能となるとともに、バンプ電極を接続することで、バンプ電極の接続状態をダミーバンプで補強することが可能となる。
このため、インターポーザ基板のサイズが増大した場合においても、製造工程を複雑化させることなく、インターポーザ基板に加わる応力を低下させて、バンプ電極の接続不良を低減することが可能となる。 This makes it possible to form bump electrodes and dummy bumps in a batch while preventing the bump electrodes from being arranged in areas where the frequency of poor connection is high, and connecting the bump electrodes allows connection of the bump electrodes. The state can be reinforced with dummy bumps.
For this reason, even when the size of the interposer substrate is increased, it is possible to reduce the stress applied to the interposer substrate and reduce the connection failure of the bump electrodes without complicating the manufacturing process.

以下、本発明の実施形態に係る半導体装置および半導体モジュールについて、チップサイズパッケージおよびボールグリッドアレイを例にとって説明する。
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るボールグリッドアレイの概略構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
図１において、インターポーザ基板１の両面には配線２ａ、２ｃがそれぞれ形成され、各面に形成された配線２ａ、２ｃは、インターポーザ基板１に形成されたスルーホール配線２ｂを介して接続されている。 Hereinafter, a semiconductor device and a semiconductor module according to an embodiment of the present invention will be described taking a chip size package and a ball grid array as examples.
FIG. 1A is a plan view showing a schematic configuration of the ball grid array according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. is there.
In FIG. 1, wirings 2 a and 2 c are formed on both surfaces of the interposer substrate 1, and the wirings 2 a and 2 c formed on each surface are connected via through-hole wirings 2 b formed on the interposer substrate 1. .

そして、インターポーザ基板１の表面には半導体チップ３が実装され、半導体チップ３は、バンプ電極４を介して配線２ａと接続されるとともに、モールド樹脂５により封止されている。
また、インターポーザ基板１の裏面には、端子電極として、例えば、はんだボール６が配置され、はんだボール６は配線２ｃに接続されている。ここで、はんだボール６は、インターポーザ基板１の対角線７を避けるように配置されている。 A semiconductor chip 3 is mounted on the surface of the interposer substrate 1, and the semiconductor chip 3 is connected to the wiring 2 a through the bump electrode 4 and is sealed with a mold resin 5.
Further, for example, solder balls 6 are arranged as terminal electrodes on the back surface of the interposer substrate 1, and the solder balls 6 are connected to the wiring 2c. Here, the solder balls 6 are arranged so as to avoid the diagonal line 7 of the interposer substrate 1.

これにより、インターポーザ基板１にかかる応力の大きな領域を避けながら、はんだボール６を配置することが可能となり、はんだボール６の配置位置を調整するだけで、はんだボール６の接続信頼性を向上させることが可能となる。
このため、ボールグリッドアレイが大型化した場合においても、ボールグリッドアレイの構造を複雑化させることなく、はんだボール６の接続不良を低減することが可能となり、コストアップを抑制しつつ、ボールグリッドアレイの二次実装時の信頼性を向上させることができる。 Thereby, it becomes possible to arrange the solder balls 6 while avoiding a region where the stress applied to the interposer substrate 1 is large, and it is possible to improve the connection reliability of the solder balls 6 only by adjusting the arrangement position of the solder balls 6. Is possible.
For this reason, even when the ball grid array is increased in size, it is possible to reduce the connection failure of the solder balls 6 without complicating the structure of the ball grid array, and while suppressing an increase in cost, the ball grid array The reliability at the time of secondary mounting can be improved.

なお、インターポーザ基板１としては、例えば、シリコン基板、セラミック基板、ガラスエポキシ基板、あるいは、ビルドアップ多層基板などを用いることができる。また、インターポーザ基板１の裏面に設けられる端子電極としては、はんだボール６の他、例えば、Ａｕバンプ電極や、ＮｉバンプにＡｕ皮膜またはハンダ皮膜などが施されたバンプ電極を用いるようにしてもよい。   As the interposer substrate 1, for example, a silicon substrate, a ceramic substrate, a glass epoxy substrate, a build-up multilayer substrate, or the like can be used. Further, as the terminal electrode provided on the back surface of the interposer substrate 1, in addition to the solder ball 6, for example, an Au bump electrode or a bump electrode in which an Au film or a solder film is applied to an Ni bump may be used. .

図２（ａ）は、本発明の第２実施形態に係るボールグリッドアレイの概略構成を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
図２において、インターポーザ基板１１の両面には配線１２ａ、１２ｃがそれぞれ形成され、各面に形成された配線１２ａ、１２ｃは、インターポーザ基板１１に形成されたスルーホール配線１２ｂを介して接続されている。 FIG. 2A is a plan view showing a schematic configuration of a ball grid array according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. is there.
In FIG. 2, wirings 12 a and 12 c are formed on both surfaces of the interposer substrate 11, and the wirings 12 a and 12 c formed on each surface are connected via through-hole wirings 12 b formed on the interposer substrate 11. .

そして、インターポーザ基板１１の表面には半導体チップ１３が実装され、半導体チップ１３は、バンプ電極１４を介して配線１２ａと接続されるとともに、モールド樹脂１５により封止されている。
また、インターポーザ基板１１の裏面には、端子電極として、例えば、はんだボール１６が配置され、はんだボール１６は配線１２ｃに接続されている。ここで、はんだボール１６は、インターポーザ基板１１の対角線上を避けるように配置されるとともに、インターポーザ基板１１には、対角線に沿って溝１７が形成されている。 A semiconductor chip 13 is mounted on the surface of the interposer substrate 11, and the semiconductor chip 13 is connected to the wiring 12 a via the bump electrode 14 and is sealed with a mold resin 15.
Further, for example, solder balls 16 are arranged as terminal electrodes on the back surface of the interposer substrate 11, and the solder balls 16 are connected to the wiring 12c. Here, the solder balls 16 are arranged so as to avoid a diagonal line of the interposer substrate 11, and grooves 17 are formed in the interposer substrate 11 along the diagonal line.

これにより、インターポーザ基板１１に加わる応力を分断させて、インターポーザ基板１１に加わる応力を低下させることが可能となり、インターポーザ基板１１のサイズが増大した場合においても、インターポーザ基板１１の反りを低減させて、二次実装の信頼性を向上させることができる。
なお、上述した実施形態では、インターポーザ基板１１の対角線に沿って溝１７を設ける方法について説明したが、溝１７の代わりに孔またはスリットを設けるようにしてもよい。また、溝、孔またはスリットを混在させて設けるようにしてもよい。 Thereby, it is possible to reduce the stress applied to the interposer substrate 11 by dividing the stress applied to the interposer substrate 11, and even when the size of the interposer substrate 11 is increased, the warp of the interposer substrate 11 is reduced, Secondary mounting reliability can be improved.
In the above-described embodiment, the method of providing the groove 17 along the diagonal line of the interposer substrate 11 has been described. However, a hole or a slit may be provided instead of the groove 17. Moreover, you may make it provide a groove | channel, a hole, or a slit mixedly.

図３（ａ）は、本発明の第３実施形態に係るボールグリッドアレイの概略構成を示す平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＣ−Ｃ線で切断した断面図である。
図３において、インターポーザ基板２１の表面には配線２２ａが形成されるとともに、インターポーザ基板２１の裏面には配線２２ｃおよびダミーボール２８を配置するダミーランド２２ｄが形成され、各面に形成された配線２２ａ、２２ｃは、インターポーザ基板２１に形成されたスルーホール配線２２ｂを介して接続されている。 FIG. 3A is a plan view showing a schematic configuration of a ball grid array according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. 3A. is there.
In FIG. 3, a wiring 22a is formed on the front surface of the interposer substrate 21, and a dummy land 22d on which the wiring 22c and dummy balls 28 are arranged is formed on the back surface of the interposer substrate 21, and the wiring 22a formed on each surface. , 22c are connected through a through-hole wiring 22b formed in the interposer substrate 21.

そして、インターポーザ基板２１の表面には半導体チップ２３が実装され、半導体チップ２３は、バンプ電極２４を介して配線２２ａと接続されるとともに、モールド樹脂２５により封止されている。
また、インターポーザ基板２１の裏面には、端子電極およびダミー端子として、例えば、はんだボール２６およびダミーボール２８がそれぞれ設けられ、はんだボール２６は配線２２ｃに接続されるとともに、ダミーボール２８はダミーランド２２ｄ上に配置されている。 A semiconductor chip 23 is mounted on the surface of the interposer substrate 21, and the semiconductor chip 23 is connected to the wiring 22 a through the bump electrode 24 and is sealed with a mold resin 25.
On the back surface of the interposer substrate 21, for example, solder balls 26 and dummy balls 28 are provided as terminal electrodes and dummy terminals, respectively. The solder balls 26 are connected to the wiring 22c, and the dummy balls 28 are connected to the dummy lands 22d. Is placed on top.

ここで、はんだボール２６は、インターポーザ基板２１の対角線２７を避けるように配置されるとともに、インターポーザ基板２１の対角線２７上には、ダミーボール２８が所定間隔で並べて配置されている。
これにより、大きな応力のかかる対角線２７上にはんだボール２６が配置されることを防止することが可能となるとともに、はんだボール２６の未配置領域にダミーボール２８を配置することを可能として、はんだボール２６の接続状態をダミーボール２８で補強することが可能となる。 Here, the solder balls 26 are arranged so as to avoid the diagonal lines 27 of the interposer substrate 21, and dummy balls 28 are arranged on the diagonal lines 27 of the interposer substrate 21 at predetermined intervals.
As a result, it is possible to prevent the solder ball 26 from being placed on the diagonal line 27 where a large stress is applied, and it is possible to place the dummy ball 28 in a region where the solder ball 26 is not placed. 26 can be reinforced by the dummy balls 28.

このため、インターポーザ基板２１のサイズが増大した場合においても、インターポーザ基板２１に加わる応力を低下させて、はんだボール２６の接続不良を低減することが可能となり、二次実装の信頼性を容易に向上させることが可能となる。
なお、はんだボール２６とダミーボール２８の材質、大きさおよび形状などは一致させてもよいが、はんだボール２６とダミーボール２８の材質、大きさまたは形状などを異ならせるようにしてもよい。 For this reason, even when the size of the interposer substrate 21 is increased, it is possible to reduce the stress applied to the interposer substrate 21 and reduce the connection failure of the solder balls 26, and easily improve the reliability of the secondary mounting. It becomes possible to make it.
The material, size and shape of the solder ball 26 and the dummy ball 28 may be matched, but the material, size or shape of the solder ball 26 and the dummy ball 28 may be different.

ここで、はんだボール２６とダミーボール２８の材質、大きさおよび形状を一致させることにより、はんだボール２６とダミーボール２８とを一括して形成することが可能となり、製造工程の複雑化を防止することができる。
一方、はんだボール２６とダミーボール２８の材質を異ならせることにより、はんだボール２６とダミーボール２８との接着力を異ならせることが可能となり、ダミーボール２８を対角線２７上に配置した場合においても、ダミーボール２８を外れにくくして、はんだボール２６の接続不良を低減することが可能となる。 Here, by matching the materials, sizes, and shapes of the solder balls 26 and the dummy balls 28, the solder balls 26 and the dummy balls 28 can be formed in a lump, thereby preventing the manufacturing process from becoming complicated. be able to.
On the other hand, by making the material of the solder ball 26 and the dummy ball 28 different, it becomes possible to make the adhesive force of the solder ball 26 and the dummy ball 28 different, and even when the dummy ball 28 is arranged on the diagonal line 27, It becomes possible to reduce the connection failure of the solder ball 26 by making it difficult to remove the dummy ball 28.

例えば、ダミーボール２８を、はんだで被覆された樹脂ボールから構成することができる。
これにより、ダミーボール２８の弾性変形を起こさせ易くすることが可能となり、ダミーボール２８に歪み応力が加わった場合においても、ダミーボール２８を外れにくくすることが可能となるため、ダミーボール２８の接続不良を低減して、はんだボール２６の接続不良を低減することが可能となる。
また、ダミーボール２８をはんだで被覆することにより、ダミーボール２８の弾性変形を可能としつつ、はんだボール２６およびダミーボール２８の接続を一括して行うことが可能となり、製造工程の複雑化を防止することができる。 For example, the dummy ball 28 can be composed of a resin ball coated with solder.
As a result, the dummy ball 28 can be easily elastically deformed, and even when a strain stress is applied to the dummy ball 28, the dummy ball 28 can be made difficult to come off. It is possible to reduce the connection failure of the solder ball 26 by reducing the connection failure.
Further, by covering the dummy ball 28 with solder, the dummy ball 28 can be elastically deformed, and the solder ball 26 and the dummy ball 28 can be connected together, thereby preventing the manufacturing process from becoming complicated. can do.

図４（ａ）は、本発明の第４実施形態に係るボールグリッドアレイの概略構成を示す平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＣ´−Ｃ´線で切断した断面図である。
図４において、インターポーザ基板１２１の表面には配線１２２ａが形成されるとともに、インターポーザ基板１２１の裏面には配線１２２ｃおよびダミーボール１２８を配置するダミーランド１２２ｄが形成され、各面に形成された配線１２２ａ、１２２ｃは、インターポーザ基板１２１に形成されたスルーホール配線１２２ｂを介して接続されている。 FIG. 4A is a plan view showing a schematic configuration of a ball grid array according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross section taken along line C′-C ′ of FIG. FIG.
In FIG. 4, a wiring 122a is formed on the front surface of the interposer substrate 121, and a dummy land 122d on which the wiring 122c and the dummy balls 128 are arranged is formed on the back surface of the interposer substrate 121. The wiring 122a formed on each surface is formed. , 122c are connected through a through-hole wiring 122b formed in the interposer substrate 121.

そして、インターポーザ基板１２１の表面には半導体チップ１２３が実装され、半導体チップ１２３は、バンプ電極１２４を介して配線１２２ａと接続されるとともに、モールド樹脂１２５により封止されている。
また、インターポーザ基板１２１の裏面には、端子電極およびダミー端子として、例えば、はんだボール１２６およびダミーボール１２８がそれぞれ設けられ、はんだボール１２６は配線１２２ｃに接続されるとともに、ダミーボール１２８はダミーランド１２２ｄ上に配置されている。 A semiconductor chip 123 is mounted on the surface of the interposer substrate 121, and the semiconductor chip 123 is connected to the wiring 122 a through the bump electrode 124 and is sealed with a mold resin 125.
On the back surface of the interposer substrate 121, for example, solder balls 126 and dummy balls 128 are provided as terminal electrodes and dummy terminals, respectively. The solder balls 126 are connected to the wiring 122c, and the dummy balls 128 are connected to the dummy lands 122d. Is placed on top.

ここで、はんだボール１２６は、インターポーザ基板１２１の対角線１２７を避けるように配置されるとともに、インターポーザ基板１２１の対角線１２７上には、ダミーボール１２８同士が互いに接触するようにして連続して配置されている。
これにより、大きな応力のかかる対角線１２７上にはんだボール１２６が配置されることを防止しつつ、はんだボール１２６の接続状態をダミーボール１２８で補強することが可能となるとともに、ダミーボール１２８の大きさを変更することなく、ダミーボール１２８による接着力を容易に増大させることが可能となる。
このため、ダミーボール１２８による接着力の増大を可能としつつ、はんだボール１２６およびダミーボール１２８の一括形成および一括接続が可能となり、製造工程を複雑化することなく、インターポーザ基板１２１にかかる応力を効率よく吸収させることが可能となる。 Here, the solder balls 126 are disposed so as to avoid the diagonal 127 of the interposer substrate 121, and are continuously disposed on the diagonal 127 of the interposer substrate 121 so that the dummy balls 128 are in contact with each other. Yes.
As a result, it is possible to reinforce the connection state of the solder balls 126 with the dummy balls 128 while preventing the solder balls 126 from being placed on the diagonal line 127 where a large stress is applied. It is possible to easily increase the adhesive force by the dummy ball 128 without changing the above.
For this reason, it is possible to form and connect the solder balls 126 and the dummy balls 128 at once while increasing the adhesive force by the dummy balls 128, and to efficiently apply the stress applied to the interposer substrate 121 without complicating the manufacturing process. It can be absorbed well.

図５（ａ）は、本発明の第５実施形態に係るボールグリッドアレイの概略構成を示す平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＤ１−Ｄ１線で切断した断面図、図５（ｃ）は、図５（ａ）のＤ２−Ｄ２線で切断した断面図である。
図５において、インターポーザ基板３１の表面には配線３２ａが形成されるとともに、インターポーザ基板３１の裏面には配線３２ｃおよびダミーボール３８を配置するランド３２ｄが形成され、各面に形成された配線３２ａ、３２ｃは、インターポーザ基板３１に形成されたスルーホール配線３２ｂを介して接続されている。
そして、インターポーザ基板３１の表面には半導体チップ３３が実装され、半導体チップ３３は、バンプ電極３４を介して配線３２ａと接続されるとともに、モールド樹脂３５により封止されている。 FIG. 5A is a plan view showing a schematic configuration of a ball grid array according to a fifth embodiment of the present invention, FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line D1-D1 in FIG. FIG.5 (c) is sectional drawing cut | disconnected by the D2-D2 line | wire of Fig.5 (a).
5, the wiring 32a is formed on the front surface of the interposer substrate 31, and the land 32d on which the wiring 32c and the dummy balls 38 are arranged is formed on the back surface of the interposer substrate 31, and the wiring 32a formed on each surface. 32 c is connected through a through-hole wiring 32 b formed in the interposer substrate 31.
A semiconductor chip 33 is mounted on the surface of the interposer substrate 31, and the semiconductor chip 33 is connected to the wiring 32 a via the bump electrode 34 and is sealed with a mold resin 35.

また、インターポーザ基板３１の裏面には、端子電極およびダミー端子として、例えば、はんだボール３６およびダミーボール３８がそれぞれ設けられ、はんだボール３６は配線３２ｃに接続されるとともに、ダミーボール３８はダミーランド３２ｄ上に配置されている。
ここで、はんだボール３６は、インターポーザ基板３１の対角線３７を避けるようにしてインターポーザ基板３１の内側に配置されるとともに、ダミーボール３８は、インターポーザ基板３１の最外周の四隅に配置されている。
これにより、大きな応力のかかる領域にはんだボール３６が配置されることを防止しつつ、インターポーザ基板３１にかかる応力をダミーボール３８で効率よく吸収させることが可能となり、二次実装の信頼性を容易に向上させることが可能となる。 Further, on the back surface of the interposer substrate 31, for example, solder balls 36 and dummy balls 38 are provided as terminal electrodes and dummy terminals, respectively. The solder balls 36 are connected to the wiring 32c, and the dummy balls 38 are connected to the dummy lands 32d. Is placed on top.
Here, the solder balls 36 are disposed inside the interposer substrate 31 so as to avoid the diagonal lines 37 of the interposer substrate 31, and the dummy balls 38 are disposed at the four corners of the outermost periphery of the interposer substrate 31.
As a result, it is possible to efficiently absorb the stress applied to the interposer substrate 31 by the dummy ball 38 while preventing the solder ball 36 from being disposed in a region where a large stress is applied, and the reliability of the secondary mounting is facilitated. Can be improved.

図６（ａ）は、本発明の第６実施形態に係るボールグリッドアレイの概略構成を示す平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＥ１−Ｅ１線で切断した断面図、図６（ｃ）は、図６（ａ）のＥ２−Ｅ２線で切断した断面図である。
図６において、インターポーザ基板４１の表面には配線４２ａが形成されるとともに、インターポーザ基板４１の裏面には配線４２ｃおよびダミーボール４８ａ〜４８ｃを配置するランド４２ｄが形成され、各面に形成された配線４２ａ、４２ｃは、インターポーザ基板４１に形成されたスルーホール配線４２ｂを介して接続されている。
そして、インターポーザ基板４１の表面には半導体チップ４３が実装され、半導体チップ４３は、バンプ電極４４を介して配線４２ａと接続されるとともに、モールド樹脂４５により封止されている。 FIG. 6A is a plan view showing a schematic configuration of a ball grid array according to a sixth embodiment of the present invention, FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line E1-E1 of FIG. FIG. 6C is a cross-sectional view taken along line E2-E2 of FIG.
In FIG. 6, wirings 42a are formed on the front surface of the interposer substrate 41, and wirings 42c and lands 42d on which dummy balls 48a to 48c are arranged are formed on the back surface of the interposer substrate 41, and wirings formed on each surface. 42 a and 42 c are connected via a through-hole wiring 42 b formed in the interposer substrate 41.
A semiconductor chip 43 is mounted on the surface of the interposer substrate 41, and the semiconductor chip 43 is connected to the wiring 42 a via the bump electrode 44 and sealed with a mold resin 45.

また、インターポーザ基板４１の裏面には、端子電極およびダミー端子として、例えば、はんだボール４６およびダミーボール４８がそれぞれ設けられ、はんだボール４６は配線４２ｃに接続されるとともに、ダミーボール４８はダミーランド４２ｄ上に配置されている。
ここで、はんだボール４６は、インターポーザ基板４１の対角線４７を避けるようにしてインターポーザ基板４１の内側に配置されるとともに、ダミーボール４８ａ〜４８ｃは互いに接触するようにして、インターポーザ基板４１の四隅にそれぞれ配置されている。 On the back surface of the interposer substrate 41, for example, solder balls 46 and dummy balls 48 are provided as terminal electrodes and dummy terminals, respectively. The solder balls 46 are connected to the wiring 42c, and the dummy balls 48 are connected to the dummy lands 42d. Is placed on top.
Here, the solder balls 46 are arranged inside the interposer substrate 41 so as to avoid the diagonal line 47 of the interposer substrate 41, and the dummy balls 48a to 48c are in contact with each other at the four corners of the interposer substrate 41, respectively. Has been placed.

これにより、ダミーボール４８ａ〜４８ｃの配置位置を調整するだけで、ダミーボール４８ａ〜４８ｃによる接着力を増大させることが可能となり、ダミーボール４８ａ〜４８ｃによる接着力を増大させるために、ダミーボール４８ａ〜４８ｃの大きさを変更する必要がなくなる。
このため、はんだボール４６およびダミーボール４８ａ〜４８ｃの一括形成および一括接続が可能となり、製造工程を複雑化することなく、インターポーザ基板４１にかかる応力を効率よく吸収させることが可能となる。 Accordingly, it is possible to increase the adhesive force by the dummy balls 48a to 48c only by adjusting the arrangement positions of the dummy balls 48a to 48c. In order to increase the adhesive force by the dummy balls 48a to 48c, the dummy balls 48a There is no need to change the size of ~ 48c.
Therefore, the solder balls 46 and the dummy balls 48a to 48c can be collectively formed and connected, and the stress applied to the interposer substrate 41 can be efficiently absorbed without complicating the manufacturing process.

図７（ａ）は、本発明の第７実施形態に係るチップサイズパッケージの概略構成を示す平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＦ−Ｆ線で切断した断面図である。
図７において、半導体チップ５１上には、能動領域に接続された配線層５２が形成され、配線層５２にはパッド電極５３が形成されている。また、半導体チップ５１上に形成された能動領域上には、パッド電極５３が露出するようにして応力緩和層５４が形成され、パッド電極５３上には、応力緩和層５４上に延伸された再配置配線５５が形成されている。 FIG. 7A is a plan view showing a schematic configuration of a chip size package according to the seventh embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line FF of FIG. 7A. is there.
In FIG. 7, a wiring layer 52 connected to the active region is formed on the semiconductor chip 51, and a pad electrode 53 is formed on the wiring layer 52. Further, a stress relaxation layer 54 is formed on the active region formed on the semiconductor chip 51 so that the pad electrode 53 is exposed, and on the pad electrode 53, a re-stretched layer on the stress relaxation layer 54 is formed. A placement wiring 55 is formed.

ここで、再配置配線５５は、例えば、ＴｉＷスパッタ配線層、Ｃｕスパッタ配線層およびＣｕメッキ配線層の３層構造から構成することができる。
また、再配置配線５５上には、保護膜として、例えば、ソルダレジスト膜５６が形成され、ソルダレジスト膜５６には、応力緩和層５４上において再配置配線５５を露出させる開口部５７が形成されている。 Here, the rearrangement wiring 55 can be composed of, for example, a three-layer structure of a TiW sputter wiring layer, a Cu sputter wiring layer, and a Cu plating wiring layer.
For example, a solder resist film 56 is formed on the rearrangement wiring 55 as a protective film, and an opening 57 for exposing the rearrangement wiring 55 on the stress relaxation layer 54 is formed in the solder resist film 56. ing.

さらに、応力緩和層５４上には、バンプ電極として、例えば、はんだボール５８が配置され、はんだボール５８は、ソルダレジスト膜５６に形成された開口部５７を介して再配置配線５５と接続されている。ここで、はんだボール５８は、半導体チップ５１の対角線５９を避けるように配置されている。
これにより、半導体チップ５１にかかる応力の大きな領域を避けながら、はんだボール５８を配置することが可能となり、はんだボール５８の配置位置を調整するだけで、はんだボール５８の接続信頼性を向上させることが可能となる。 Further, on the stress relaxation layer 54, for example, solder balls 58 are arranged as bump electrodes, and the solder balls 58 are connected to the rearrangement wiring 55 through the openings 57 formed in the solder resist film 56. Yes. Here, the solder balls 58 are arranged so as to avoid the diagonal lines 59 of the semiconductor chip 51.
As a result, it is possible to arrange the solder balls 58 while avoiding a region where the stress applied to the semiconductor chip 51 is large, and to improve the connection reliability of the solder balls 58 only by adjusting the arrangement position of the solder balls 58. Is possible.

このため、チップサイズパケージが大型化した場合においても、チップサイズパケージの構造を複雑化させることなく、はんだボール５８の接続不良を低減することが可能となり、コストアップを抑制しつつ、チップサイズパケージの二次実装時の信頼性を向上させることができる。
なお、応力緩和層５４上に設けられるバンプ電極としては、はんだボール５８の他、例えば、Ａｕバンプ電極や、ＮｉバンプにＡｕ皮膜またはハンダ皮膜などが施されたバンプ電極を用いるようにしてもよい。 For this reason, even when the chip size package is enlarged, the connection failure of the solder ball 58 can be reduced without complicating the structure of the chip size package, and the chip size package is suppressed while suppressing an increase in cost. The reliability at the time of secondary mounting can be improved.
As the bump electrode provided on the stress relaxation layer 54, in addition to the solder ball 58, for example, an Au bump electrode or a bump electrode in which an Au film or a solder film is applied to a Ni bump may be used. .

図８（ａ）は、本発明の第８実施形態に係るチップサイズパッケージの概略構成を示す平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＧ−Ｇ線で切断した断面図である。
図８において、半導体チップ６１上には、能動領域に接続された配線層６２が形成され、配線層６２にはパッド電極６３が形成されている。また、半導体チップ６１上に形成された能動領域上には、パッド電極６３が露出するようにして応力緩和層６４が形成され、応力緩和層６４上には、ダミーボール６８ｂを配置するダミーランド６５ｂが設けられるとともに、パッド電極６３上には、応力緩和層６４上に延伸された再配置配線６５ａが形成されている。 FIG. 8A is a plan view showing a schematic configuration of a chip size package according to the eighth embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line GG of FIG. 8A. is there.
In FIG. 8, a wiring layer 62 connected to the active region is formed on the semiconductor chip 61, and a pad electrode 63 is formed on the wiring layer 62. Further, a stress relaxation layer 64 is formed on the active region formed on the semiconductor chip 61 so that the pad electrode 63 is exposed, and on the stress relaxation layer 64, a dummy land 65b on which a dummy ball 68b is disposed. And a rearrangement wiring 65 a extending on the stress relaxation layer 64 is formed on the pad electrode 63.

ここで、再配置配線６５ａおよびダミーランド６５ｂは、例えば、ＴｉＷスパッタ配線層、Ｃｕスパッタ配線層およびＣｕメッキ配線層の３層構造から構成することができる。
また、再配置配線６５ａおよびダミーランド６５ｂ上には、保護膜として、例えば、ソルダレジスト膜６６が形成され、ソルダレジスト膜６６には、応力緩和層６４上において、再配置配線６５ａおよびダミーランド６５ｂをそれぞれ露出させる開口部６７ａ、６７ｂが形成されている。 Here, the rearrangement wiring 65a and the dummy land 65b can be constituted by, for example, a three-layer structure of a TiW sputter wiring layer, a Cu sputter wiring layer, and a Cu plating wiring layer.
Further, for example, a solder resist film 66 is formed as a protective film on the rearrangement wiring 65a and the dummy land 65b, and the rearrangement wiring 65a and the dummy land 65b are formed on the solder resist film 66 on the stress relaxation layer 64. Openings 67a and 67b are formed to expose the.

さらに、応力緩和層６４上には、バンプ電極およびダミーバンプとして、例えば、はんだボール６８ａおよびダミーボール６８ｂがそれぞれ設けられ、はんだボール６８ａは、ソルダレジスト膜６６に形成された開口部６７ａを介して再配置配線６５と接続されるとともに、ダミーボール６８ｂは、ソルダレジスト膜６６に形成された開口部６７ｂを介してダミーランド６５ｂ上に配置されている。   Further, on the stress relaxation layer 64, for example, a solder ball 68a and a dummy ball 68b are provided as a bump electrode and a dummy bump, respectively, and the solder ball 68a is re-transmitted through an opening 67a formed in the solder resist film 66. The dummy balls 68 b are connected to the arrangement wiring 65 and arranged on the dummy lands 65 b through the openings 67 b formed in the solder resist film 66.

ここで、はんだボール６８ａは、半導体チップ６１の対角線６９を避けるように配置されるとともに、半導体チップ６１の対角線６９には、ダミーボール６８ｂが所定間隔で並べて配置されている。
これにより、大きな応力のかかる対角線６９上にはんだボール６８ａが配置されることを防止しつつ、はんだボール６８ａの接続状態をダミーボール６８ｂで補強することが可能となる。 Here, the solder balls 68 a are arranged so as to avoid the diagonal lines 69 of the semiconductor chip 61, and the dummy balls 68 b are arranged at predetermined intervals on the diagonal lines 69 of the semiconductor chip 61.
Accordingly, it is possible to reinforce the connection state of the solder balls 68a with the dummy balls 68b while preventing the solder balls 68a from being arranged on the diagonal line 69 where a large stress is applied.

このため、半導体チップ６１のサイズが増大した場合においても、半導体チップ６１に加わる応力を低下させて、はんだボール６８ａの接続不良を低減することが可能となり、二次実装の信頼性を容易に向上させることが可能となる。
なお、はんだボール６８ａとダミーボール６８ｂの材質、大きさおよび形状などは一致させてもよいが、はんだボール６８ａとダミーボール６８ｂの材質、大きさまたは形状などを異ならせるようにしてもよい。 For this reason, even when the size of the semiconductor chip 61 is increased, it is possible to reduce the stress applied to the semiconductor chip 61 and reduce the connection failure of the solder balls 68a, and easily improve the reliability of the secondary mounting. It becomes possible to make it.
The material, size and shape of the solder ball 68a and the dummy ball 68b may be matched, but the material, size or shape of the solder ball 68a and the dummy ball 68b may be different.

図９（ａ）は、本発明の第９実施形態に係るチップサイズパッケージの概略構成を示す平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＨ−Ｈ線で切断した断面図である。
図９において、半導体チップ７１には、能動領域に接続された配線層７２が形成され、配線層７２にはパッド電極７３が形成されている。
また、半導体チップ７１に形成された能動領域上には、パッド電極７３が露出するようにして形成された応力緩和層７４ａ〜７４ｄが分割配置され、パッド電極７３上には、応力緩和層７４ａ〜７４ｄ上に延伸された再配置配線７５が形成されている。 FIG. 9A is a plan view showing a schematic configuration of a chip size package according to the ninth embodiment of the present invention, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line HH of FIG. 9A. is there.
In FIG. 9, a wiring layer 72 connected to the active region is formed on the semiconductor chip 71, and a pad electrode 73 is formed on the wiring layer 72.
Further, stress relaxation layers 74 a to 74 d formed so that the pad electrode 73 is exposed are dividedly arranged on the active region formed in the semiconductor chip 71, and the stress relaxation layers 74 a to 74 d are arranged on the pad electrode 73. The rearrangement wiring 75 extended on 74d is formed.

ここで、再配置配線７５は、例えば、ＴｉＷスパッタ配線層、Ｃｕスパッタ配線層およびＣｕメッキ配線層の３層構造から構成することができる。
また、再配置配線７５およびパッド７３上には、応力緩和層７４ａ〜７４ｄにそれぞれ対応して分割配置されたソルダレジスト膜７６ａ〜７６ｄが形成され、ソルダレジスト膜７６ａ〜７６ｄには、各応力緩和層７４ａ〜７４ｄ上において再配置配線７５を露出させる開口部７７が形成されている。 Here, the rearrangement wiring 75 can be composed of, for example, a three-layer structure of a TiW sputter wiring layer, a Cu sputter wiring layer, and a Cu plating wiring layer.
On the rearrangement wiring 75 and the pad 73, solder resist films 76a to 76d that are divided and arranged corresponding to the stress relaxation layers 74a to 74d are formed, and the stress relief layers 76a to 76d are provided with respective stress relaxation layers. An opening 77 exposing the rearrangement wiring 75 is formed on the layers 74a to 74d.

そして、各応力緩和層７４ａ〜７４ｄ上には、バンプ電極として、例えば、はんだボール７８が形成され、各はんだボール７８は、各ソルダレジスト膜７６ａ〜７６ｄに形成された開口部７７をそれぞれ介して再配置配線７５と接続されている。
ここで、はんだボール７８は、半導体チップ７１の対角線上を避けるように配置されるとともに、応力緩和層７４ａ〜７４ｄおよびソルダレジスト膜７６ａ〜７６ｄは、半導体チップ７１の対角線に沿って分割されている。
これにより、半導体チップ７１に加わる応力を分断させて、半導体チップ７１に加わる応力を低下させることが可能となり、半導体チップ７１のサイズが増大した場合においても、半導体チップ７１の反りを低減させて、二次実装の信頼性を向上させることができる。 Then, for example, solder balls 78 are formed as bump electrodes on the stress relaxation layers 74a to 74d, and the solder balls 78 are respectively passed through openings 77 formed in the solder resist films 76a to 76d. It is connected to the rearrangement wiring 75.
Here, the solder balls 78 are arranged so as to avoid the diagonal line of the semiconductor chip 71, and the stress relaxation layers 74 a to 74 d and the solder resist films 76 a to 76 d are divided along the diagonal line of the semiconductor chip 71. .
Thereby, the stress applied to the semiconductor chip 71 can be divided to reduce the stress applied to the semiconductor chip 71. Even when the size of the semiconductor chip 71 increases, the warp of the semiconductor chip 71 is reduced, Secondary mounting reliability can be improved.

図１０は、本発明の第１０実施形態に係るチップサイズパッケージの製造方法を示す断面図である。
図１０（ａ）において、半導体ウェハＷには、パッド電極７３が設けられた配線層７２が形成されている。
そして、図１０（ｂ）に示すように、配線層７２およびパッド電極７３が形成された半導体ウェハＷ上に、ポリイミドなどの樹脂膜を塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いて樹脂膜のパターニングを行うことにより、パッド電極７３が露出されるとともに、対角線に沿って分割された応力緩和層７４ａ〜７４ｄを配線層７２上に形成する。 FIG. 10 is a sectional view showing a method for manufacturing a chip size package according to the tenth embodiment of the present invention.
In FIG. 10A, a wiring layer 72 provided with a pad electrode 73 is formed on a semiconductor wafer W.
Then, as shown in FIG. 10B, a resin film such as polyimide is applied onto the semiconductor wafer W on which the wiring layer 72 and the pad electrode 73 are formed, and the resin film is patterned using a photolithography technique. As a result, the pad electrode 73 is exposed and the stress relaxation layers 74 a to 74 d divided along the diagonal line are formed on the wiring layer 72.

次に、図１０（ｃ）に示すように、応力緩和層７４ａ〜７４ｄが形成された半導体ウェハＷ上に、スパッタにより、ＴｉＷスパッタ膜およびＣｕスパッタ膜を順次積層した後、メッキレジスト膜を塗布する。
そして、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、再配置配線７５に対応する開口部をメッキレジスト膜に形成し、この開口部を介して電解銅メッキを行うことにより、Ｃｕメッキ配線層を形成する。 Next, as shown in FIG. 10C, a TiW sputtering film and a Cu sputtering film are sequentially laminated on the semiconductor wafer W on which the stress relaxation layers 74a to 74d are formed, and then a plating resist film is applied. To do.
Then, by using a photolithography technique, an opening corresponding to the rearrangement wiring 75 is formed in the plating resist film, and electrolytic copper plating is performed through this opening, thereby forming a Cu plating wiring layer.

そして、メッキレジスト膜を除去し、Ｃｕメッキ配線層をマスクとして、Ｃｕスパッタ膜およびＴｉＷスパッタ膜を順次エッチングすることにより、Ｃｕスパッタ配線層およびＴｉＷスパッタ配線層を形成し、再配置配線７５を完成させる。
次に、図１０（ｄ）に示すように、再配置配線７５上にソルダレジストを塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、対角線に沿って分割配置されたソルダレジスト膜７６ａ〜７６ｄを再配置配線７５上に形成するとともに、再配置配線７５を露出させる開口部７７をソルダレジスト膜７６ａ〜７６ｄに形成する。 Then, the plating resist film is removed, and using the Cu plating wiring layer as a mask, the Cu sputtering film and the TiW sputtering film are sequentially etched to form the Cu sputtering wiring layer and the TiW sputtering wiring layer, and the rearrangement wiring 75 is completed. Let
Next, as shown in FIG. 10D, a solder resist is applied on the rearrangement wiring 75, and the solder resist films 76a to 76d divided along the diagonal lines are rearranged by using a photolithography technique. An opening 77 is formed in the solder resist films 76 a to 76 d while being formed on the wiring 75 and exposing the rearrangement wiring 75.

そして、図１０（ｅ）に示すように、この開口部７７を介して再配置配線７５に接続されたはんだボール７８をソルダレジスト膜７６ａ〜７６ｄ上に形成し、必要に応じて、補強樹脂を全面に塗布した後、スパッタにより、はんだボール７８を露出させることにより、はんだボール７８の根元を補強する。
これにより、応力緩和層７４ａ〜７４ｄおよびソルダレジスト膜７６ａ〜７６ｄのパターニングを行う際に、応力緩和層７４ａ〜７４ｄおよびソルダレジスト膜７６ａ〜７６ｄを分割することが可能となり、製造工程を増加させることなく、半導体チップ７１に加わる応力を分断させることが可能となる。 Then, as shown in FIG. 10 (e), solder balls 78 connected to the rearrangement wiring 75 through the opening 77 are formed on the solder resist films 76a to 76d, and a reinforcing resin is applied as necessary. After coating on the entire surface, the base of the solder ball 78 is reinforced by exposing the solder ball 78 by sputtering.
This makes it possible to divide the stress relaxation layers 74a to 74d and the solder resist films 76a to 76d when patterning the stress relaxation layers 74a to 74d and the solder resist films 76a to 76d, thereby increasing the number of manufacturing steps. Therefore, the stress applied to the semiconductor chip 71 can be divided.

図１１（ａ）は、本発明の第１１実施形態に係るチップサイズパッケージの概略構成を示す平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＩ１−Ｉ１線で切断した断面図、図１１（ｃ）は、図１１（ａ）のＩ２−Ｉ２線で切断した断面図である。
図１１において、半導体チップ８１上には、能動領域に接続された配線層８２が形成され、配線層８２にはパッド電極８３が形成されている。 FIG. 11A is a plan view showing a schematic configuration of a chip size package according to an eleventh embodiment of the present invention, FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line I1-I1 of FIG. FIG.11 (c) is sectional drawing cut | disconnected by the I2-I2 line | wire of Fig.11 (a).
In FIG. 11, a wiring layer 82 connected to the active region is formed on a semiconductor chip 81, and a pad electrode 83 is formed on the wiring layer 82.

また、半導体チップ８１上に形成された能動領域上には、パッド電極８３が露出するようにして応力緩和層８４が形成され、応力緩和層８４上の四隅には、ダミーボール８８ａを配置するダミーランド８５ｂが設けられるとともに、パッド電極８３上には、応力緩和層８４上に延伸された再配置配線８５ａが形成されている。
ここで、再配置配線８５ａおよびダミーランド８５ｂは、例えば、ＴｉＷスパッタ配線層、Ｃｕスパッタ配線層およびＣｕメッキ配線層の３層構造から構成することができる。 Further, a stress relaxation layer 84 is formed on the active region formed on the semiconductor chip 81 so that the pad electrode 83 is exposed, and dummy balls 88 a are disposed at four corners on the stress relaxation layer 84. A land 85 b is provided, and a relocation wiring 85 a extending on the stress relaxation layer 84 is formed on the pad electrode 83.
Here, the rearrangement wiring 85a and the dummy land 85b can be constituted by, for example, a three-layer structure of a TiW sputter wiring layer, a Cu sputter wiring layer, and a Cu plating wiring layer.

また、再配置配線８５ａおよびダミーランド８５ｂ上にはソルダレジスト膜８６が形成され、ソルダレジスト膜８６には、応力緩和層８４上において、再配置配線８５ａおよびダミーランド８５ｂをそれぞれ露出させる開口部８７ａ、８７ｂが形成されている。
そして、応力緩和層８４上には、応力緩和層８４の四隅に配置されるように、ダミーボール８８ｂが形成され、ダミーボール８８ｂは、ソルダレジスト膜８６に形成された開口部８７ｂを介してダミーランド８５ｂ上に配置されている。 Further, a solder resist film 86 is formed on the rearrangement wiring 85a and the dummy land 85b. The solder resist film 86 has an opening 87a that exposes the rearrangement wiring 85a and the dummy land 85b on the stress relaxation layer 84, respectively. , 87b are formed.
On the stress relaxation layer 84, dummy balls 88b are formed so as to be disposed at the four corners of the stress relaxation layer 84, and the dummy balls 88b are inserted into the dummy via the openings 87b formed in the solder resist film 86. Arranged on the land 85b.

さらに、ダミーボール８８ｂの内側には、はんだボール８８ａが配置され、はんだボール８８ａは、ソルダレジスト膜８６に形成された開口部８７ａを介して再配置配線８５と接続されている。
これにより、はんだボール８８ａが、応力緩和層８４の最外周の四隅に配置されることを防止することが可能となるとともに、はんだボール８８ａが形成された半導体チップ８１をマザー基板上に実装することで、はんだボール８８ａの接続状態をダミーボール８８ｂで補強することが可能となる。 Further, a solder ball 88 a is disposed inside the dummy ball 88 b, and the solder ball 88 a is connected to the rearrangement wiring 85 through an opening 87 a formed in the solder resist film 86.
Accordingly, it is possible to prevent the solder balls 88a from being arranged at the four corners of the outermost periphery of the stress relaxation layer 84, and to mount the semiconductor chip 81 on which the solder balls 88a are formed on the mother substrate. Thus, the connection state of the solder balls 88a can be reinforced by the dummy balls 88b.

このため、チップサイズパッケージが大型化した場合においても、実装時の工程数を増加させることなく、はんだボール８８ａの接続不良を低減することが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、チップサイズパッケージの二次実装時の信頼性を向上させることができる。
なお、上述したパッケージ構造は、例えば、液晶表示装置、携帯電話、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ Ｄｉｓｃ）プレーヤなどの電子機器に適用することができ、上述したパッケージ構造を用いることで、電子機器の小型・軽量化を図りつつ、電子機器の信頼性を向上させることが可能となる。 For this reason, even when the chip size package is enlarged, it is possible to reduce the connection failure of the solder balls 88a without increasing the number of steps during mounting, and the chip size package can be suppressed while suppressing a decrease in throughput. The reliability at the time of secondary mounting can be improved.
The above-described package structure can be applied to electronic devices such as a liquid crystal display device, a mobile phone, a portable information terminal, a video camera, a digital camera, and an MD (Mini Disc) player, and uses the above-described package structure. This makes it possible to improve the reliability of the electronic device while reducing the size and weight of the electronic device.

第１実施形態のボールグリッドアレイの構成を示す図。The figure which shows the structure of the ball grid array of 1st Embodiment. 第２実施形態のボールグリッドアレイの構成を示す図。The figure which shows the structure of the ball grid array of 2nd Embodiment. 第３実施形態のボールグリッドアレイの構成を示す図。The figure which shows the structure of the ball grid array of 3rd Embodiment. 第４実施形態のボールグリッドアレイの構成を示す図。The figure which shows the structure of the ball grid array of 4th Embodiment. 第５実施形態のボールグリッドアレイの構成を示す図。The figure which shows the structure of the ball grid array of 5th Embodiment. 第６実施形態のボールグリッドアレイの構成を示す図。The figure which shows the structure of the ball grid array of 6th Embodiment. 第７実施形態のチップサイズパッケージの構成を示す図。The figure which shows the structure of the chip size package of 7th Embodiment. 第８実施形態のチップサイズパッケージの構成を示す図。The figure which shows the structure of the chip size package of 8th Embodiment. 第９実施形態のチップサイズパッケージの構成を示す図。The figure which shows the structure of the chip size package of 9th Embodiment. 第１０実施形態のチップサイズパッケージの製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the chip size package of 10th Embodiment. 第１１実施形態のチップサイズパッケージの構成を示す図。The figure which shows the structure of the chip size package of 11th Embodiment. 従来のチップサイズパッケージの構成を示す図。The figure which shows the structure of the conventional chip size package. 従来のボールグリッドアレイの構成を示す図。The figure which shows the structure of the conventional ball grid array.

符号の説明Explanation of symbols

１、１１、２１、３１、４１、１２１ インターポーザ基板、２ａ、１２ａ、２２ａ、３２ａ、４２ａ、１２２ａ、２ｃ、１２ｃ、２２ｃ、３２ｃ、４２ｃ、１２２ｃ 配線、２ｂ、１２ｂ、２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ、１２２ｂ スルーホール配線、３、１３、２３、３３、４３、１２３ 半導体チップ、４、１４、２４、３４、４４、１２４ バンプ、５、１５、２５、３５、４５、１２５ 封止樹脂 ６、１６、２６、３６、４６、１２６ はんだボール、７、２７、３７、４７、５９、６９、１２７ 対角線、１７、７９ 溝、２２ｄ、３２ｄ、４２ｄ、６５ｂ、８５ｂ、１２２ｄ ダミーランド ２８、３８ 、４８ａ〜４８ｃ、６８ｂ、８８ｂ、１２８ ダミーボール、５１、６１、７１、８１ 半導体チップ ５２、６２、７２、８２ 配線層、５３、６３、７３、８３ パッド、５４、６４，７４ａ〜７４ｄ、８４ 応力緩和層、５５、６５ａ、７５、８５ａ 再配置配線、５６、６６、７６、８６ ソルダレジスト層、５７、６７ａ、６７ｂ、７７、８７ａ、８７ｂ 開口部、５８、６８ａ、７８、８８ａ ボールバンプ、Ｗ 半導体ウェハ   1, 11, 21, 31, 41, 121 Interposer substrate, 2a, 12a, 22a, 32a, 42a, 122a, 2c, 12c, 22c, 32c, 42c, 122c Wiring, 2b, 12b, 22b, 32b, 42b, 122b Through-hole wiring 3, 13, 23, 33, 43, 123 Semiconductor chip 4, 14, 24, 34, 44, 124 Bump 5, 15, 25, 35, 45, 125 Sealing resin 6, 16, 26 36, 46, 126 Solder balls, 7, 27, 37, 47, 59, 69, 127 Diagonal lines, 17, 79 Grooves, 22d, 32d, 42d, 65b, 85b, 122d Dummy lands 28, 38, 48a-48c, 68b, 88b, 128 Dummy ball, 51, 61, 71, 81 Semiconductor chip 52, 62, 72, 82 Wiring Layer, 53, 63, 73, 83 Pad, 54, 64, 74a to 74d, 84 Stress relaxation layer, 55, 65a, 75, 85a Relocation wiring, 56, 66, 76, 86 Solder resist layer, 57, 67a, 67b, 77, 87a, 87b Opening, 58, 68a, 78, 88a Ball bump, W Semiconductor wafer

Claims (22)

基板上に形成された配線層と、
前記配線層に接続され、前記基板にかかる応力分布に基づいて配置された端子電極とを備えることを特徴とする配線基板。 A wiring layer formed on the substrate;
A wiring board comprising: a terminal electrode connected to the wiring layer and arranged based on a stress distribution applied to the board. 基板上に形成された配線層と、
前記配線層に接続され、対角線上を避けるようにして前記基板上に配置された端子電極とを備えることを特徴とする配線基板。 A wiring layer formed on the substrate;
A wiring board comprising: a terminal electrode connected to the wiring layer and disposed on the board so as to avoid a diagonal line. 基板上に形成された配線層と、
前記配線層に接続され、前記基板上に配置された端子電極と、
前記基板の対角線に沿って設けられた応力遮断部とを備えることを特徴とする配線基板。 A wiring layer formed on the substrate;
A terminal electrode connected to the wiring layer and disposed on the substrate;
A wiring board comprising: a stress shielding portion provided along a diagonal of the board. 前記応力遮断部は、溝またはスリットの少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項３記載の配線基板。 The wiring board according to claim 3, wherein the stress blocking portion is at least one of a groove and a slit. 基板上に形成された配線層と、
前記配線層に接続され、前記基板上に配置された端子電極と、
前記基板の四隅または対角線上に設けられたダミー端子とを備えることを特徴とする配線基板。 A wiring layer formed on the substrate;
A terminal electrode connected to the wiring layer and disposed on the substrate;
A wiring board comprising dummy terminals provided on four corners or diagonal lines of the board. 能動領域およびパッド電極が形成された半導体チップと、
前記能動領域上に形成された応力緩衝層と、
前記応力緩衝層上に形成され、前記半導体チップにかかる応力分布に基づいて配置されたバンプ電極と、
前記バンプ電極と前記パッド電極とを接続する再配置配線層と、
前記再配置配線層および前記パッド電極上に形成された保護層とを備えることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor chip in which an active region and a pad electrode are formed;
A stress buffer layer formed on the active region;
A bump electrode formed on the stress buffer layer and disposed based on a stress distribution applied to the semiconductor chip;
A rearrangement wiring layer for connecting the bump electrode and the pad electrode;
A semiconductor device comprising: the rearrangement wiring layer and a protective layer formed on the pad electrode. 能動領域およびパッド電極が形成された半導体チップと、
前記能動領域上に形成された応力緩衝層と、
前記応力緩衝層上に形成され、対角線上を避けるようにして配置されたバンプ電極と、
前記バンプ電極と前記パッド電極とを接続する再配置配線層と、
前記再配置配線層および前記パッド電極上に形成された保護層とを備えることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor chip in which an active region and a pad electrode are formed;
A stress buffer layer formed on the active region;
Bump electrodes formed on the stress buffer layer and arranged so as to avoid diagonal lines;
A rearrangement wiring layer for connecting the bump electrode and the pad electrode;
A semiconductor device comprising: the rearrangement wiring layer and a protective layer formed on the pad electrode. 能動領域およびパッド電極が形成された半導体チップと、
前記能動領域上に形成され、対角線に沿って分割配置された応力緩衝層と、
前記応力緩衝層上に形成されたバンプ電極と、
前記バンプ電極と前記パッド電極とを接続する再配置配線層と、
前記再配置配線層および前記パッド電極上に形成され、前記対角線に沿って分割配置された保護層とを備えることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor chip in which an active region and a pad electrode are formed;
A stress buffer layer formed on the active region and divided along a diagonal;
A bump electrode formed on the stress buffer layer;
A rearrangement wiring layer for connecting the bump electrode and the pad electrode;
A semiconductor device, comprising: a protective layer formed on the rearranged wiring layer and the pad electrode and divided and disposed along the diagonal line. 能動領域およびパッド電極が形成された半導体チップと、
前記能動領域上に形成された応力緩衝層と、
前記応力緩衝層上に形成されたバンプ電極と、
前記応力緩衝層の四隅または対角線上に設けられたダミーバンプと、
前記バンプ電極と前記パッド電極とを接続する再配置配線層と、
前記再配置配線層および前記パッド電極上に形成された保護層とを備えることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor chip in which an active region and a pad electrode are formed;
A stress buffer layer formed on the active region;
A bump electrode formed on the stress buffer layer;
Dummy bumps provided on four corners or diagonal lines of the stress buffer layer;
A rearrangement wiring layer for connecting the bump electrode and the pad electrode;
A semiconductor device comprising: the rearrangement wiring layer and a protective layer formed on the pad electrode. 半導体チップが表面実装されたインターポーザ基板と、
前記インターポーザ基板の裏面に設けられた配線層と、
前記配線層に接続され、前記インターポーザ基板にかかる応力分布に基づいて配置されたバンプ電極と、
前記インターポーザ基板に設けられ、前記半導体チップと前記配線層とを接続するスルーホール配線とを備えることを特徴とする半導体モジュール。 An interposer substrate with a surface mounted semiconductor chip;
A wiring layer provided on the back surface of the interposer substrate;
A bump electrode connected to the wiring layer and disposed based on a stress distribution applied to the interposer substrate;
A semiconductor module comprising a through-hole wiring provided on the interposer substrate and connecting the semiconductor chip and the wiring layer. 半導体チップが表面実装されたインターポーザ基板と、
前記インターポーザ基板の裏面に設けられた配線層と、
前記配線層に接続され、対角線上を避けるようにして前記インターポーザ基板の裏面に配置されたバンプ電極と、
前記インターポーザ基板に設けられ、前記半導体チップと前記配線層とを接続するスルーホール配線とを備えることを特徴とする半導体モジュール。 An interposer substrate with a surface mounted semiconductor chip;
A wiring layer provided on the back surface of the interposer substrate;
Bump electrodes connected to the wiring layer and arranged on the back surface of the interposer substrate so as to avoid diagonal lines;
A semiconductor module comprising a through-hole wiring provided on the interposer substrate and connecting the semiconductor chip and the wiring layer. 半導体チップが表面実装されたインターポーザ基板と、
前記インターポーザ基板の裏面に設けられた配線層と、
前記配線層に接続され、対角線上を避けるようにして前記インターポーザ基板裏面に配置されたバンプ電極と、
前記インターポーザ基板の対角線に沿って設けられた溝またはスリットの少なくともいずれか一方と、
前記インターポーザ基板に設けられ、前記半導体チップと前記配線層とを接続するスルーホール配線とを備えることを特徴とする半導体モジュール。 An interposer substrate with a surface mounted semiconductor chip;
A wiring layer provided on the back surface of the interposer substrate;
Bump electrodes connected to the wiring layer and disposed on the back surface of the interposer substrate so as to avoid diagonal lines;
At least one of grooves or slits provided along a diagonal of the interposer substrate;
A semiconductor module comprising a through-hole wiring provided on the interposer substrate and connecting the semiconductor chip and the wiring layer. 半導体チップが表面実装されたインターポーザ基板と、
前記インターポーザ基板の裏面に設けられた配線層と、
前記配線層に接続され、前記インターポーザ基板の裏面に配置されたバンプ電極と、
前記インターポーザ基板の裏面の四隅または対角線上に設けられたダミーバンプと
前記インターポーザ基板に設けられ、前記半導体チップと前記配線層とを接続するスルーホール配線とを備えることを特徴とする半導体モジュール。 An interposer substrate with a surface mounted semiconductor chip;
A wiring layer provided on the back surface of the interposer substrate;
Bump electrodes connected to the wiring layer and disposed on the back surface of the interposer substrate;
A semiconductor module comprising: dummy bumps provided at four corners or diagonal lines on the back surface of the interposer substrate; and through-hole wirings provided on the interposer substrate and connecting the semiconductor chip and the wiring layer. 半導体チップが表面実装されたインターポーザ基板と、
前記インターポーザ基板の裏面に設けられた配線層と、
前記配線層に接続され、対角線上を避けるようにして前記インターポーザ基板の裏面に配置されたバンプ電極と、
前記インターポーザ基板に設けられ、前記半導体チップと前記配線層とを接続するスルーホール配線と、
前記インターポーザ基板を実装するマザー基板と、
前記マザー基板を介して前記バンプ電極に接続された電子部品を備えることを特徴とする電子機器。 An interposer substrate with a surface mounted semiconductor chip;
A wiring layer provided on the back surface of the interposer substrate;
Bump electrodes connected to the wiring layer and arranged on the back surface of the interposer substrate so as to avoid diagonal lines;
A through-hole wiring provided on the interposer substrate for connecting the semiconductor chip and the wiring layer;
A mother board on which the interposer board is mounted;
An electronic apparatus comprising an electronic component connected to the bump electrode through the mother substrate. 配線基板にかかる応力分布に基づいて、前記配線基板上のバンプ電極の配置位置を決定することを特徴とする配線基板の設計方法。 A method for designing a wiring board, comprising: determining an arrangement position of a bump electrode on the wiring board based on a stress distribution applied to the wiring board. 前記配線基板の対角線上を避けるようにして、前記配線基板上のバンプ電極の配置位置を決定することを特徴とする請求項１８記載の配線基板の設計方法。 19. The method of designing a wiring board according to claim 18, wherein the arrangement position of the bump electrode on the wiring board is determined so as to avoid the diagonal line of the wiring board. パッド電極が形成された半導体チップの能動領域上に応力緩衝層を形成する工程と、
前記応力緩衝層をパターニングすることにより、前記パッド電極を露出させる工程と、
前記パッド電極から前記応力緩衝層上に延伸された再配置配線層を形成する工程と、
前記再配置配線層上に保護層を形成する工程と、
前記保護層をパターニングすることにより、対角線上を避けるようにして前記再配置配線層を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部を介して前記再配置配線層に接続されるバンプ電極を前記応力緩衝層上に形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Forming a stress buffer layer on the active region of the semiconductor chip on which the pad electrode is formed;
Exposing the pad electrode by patterning the stress buffer layer;
Forming a relocation wiring layer extending from the pad electrode onto the stress buffer layer;
Forming a protective layer on the rearrangement wiring layer;
Patterning the protective layer to form an opening exposing the rearranged wiring layer so as to avoid diagonal lines; and
Forming a bump electrode connected to the rearrangement wiring layer through the opening on the stress buffer layer. パッド電極が形成された半導体チップの能動領域上に応力緩衝層を形成する工程と、
前記応力緩衝層をパターニングすることにより、対角線に沿って前記応力緩衝層を分割するとともに、前記パッド電極を露出させる工程と、
前記パッド電極から前記応力緩衝層上に延伸された再配置配線層を形成する工程と、
前記再配置配線層上に保護層を形成する工程と、
前記保護層をパターニングすることにより、前記対角線に沿って前記保護層を分割するとともに、前記再配置配線層を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部を介して前記再配置配線層に接続されるバンプ電極を前記応力緩衝層上に形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Forming a stress buffer layer on the active region of the semiconductor chip on which the pad electrode is formed;
Dividing the stress buffer layer along a diagonal line by patterning the stress buffer layer and exposing the pad electrode;
Forming a relocation wiring layer extending from the pad electrode onto the stress buffer layer;
Forming a protective layer on the rearrangement wiring layer;
Patterning the protective layer to divide the protective layer along the diagonal line and to form an opening exposing the relocation wiring layer; and
Forming a bump electrode connected to the rearrangement wiring layer through the opening on the stress buffer layer. パッド電極が形成された半導体チップの能動領域上に応力緩衝層を形成する工程と、
前記応力緩衝層をパターニングすることにより、前記パッド電極を露出させる工程と、
前記パッド電極から前記応力緩衝層上に延伸された再配置配線層を形成するとともに、前記応力緩衝層上の四隅または対角線上にダミーランドを形成する工程と、
前記再配置配線層およびダミーランド上に保護層を形成する工程と、
前記保護層をパターニングすることにより、前記再配置配線層を露出させる第１の開口部および前記ダミーランドを露出させる第２の開口部を形成する工程と、
前記第１の開口部を介して前記再配置配線層に接続されるバンプ電極を前記応力緩衝層上に形成するとともに、前記第２の開口部を介して前記ダミーランド上に配置されるダミーバンプを形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Forming a stress buffer layer on the active region of the semiconductor chip on which the pad electrode is formed;
Exposing the pad electrode by patterning the stress buffer layer;
Forming a rearrangement wiring layer extending from the pad electrode on the stress buffer layer, and forming dummy lands on four corners or diagonal lines on the stress buffer layer;
Forming a protective layer on the relocation wiring layer and the dummy land;
Forming a first opening exposing the rearranged wiring layer and a second opening exposing the dummy land by patterning the protective layer;
Bump electrodes connected to the rearrangement wiring layer through the first opening are formed on the stress buffer layer, and dummy bumps are arranged on the dummy land through the second opening. And a step of forming the semiconductor device. スルーホールを介して接続された配線層を、インターポーザ基板の両面に形成する工程と、
対角線上を避けるようにして、前記配線層に接続されたバンプ電極を前記インターポーザ基板の裏面に形成する工程と、
前記インターポーザ基板の表面上に半導体チップを実装する工程とを備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 Forming wiring layers connected through the through holes on both sides of the interposer substrate;
Forming a bump electrode connected to the wiring layer on the back surface of the interposer substrate so as to avoid the diagonal line; and
And a step of mounting a semiconductor chip on the surface of the interposer substrate. 溝またはスリットのいずれか少なくとも一方をインターポーザ基板の対角線に沿って形成する工程と、
スルーホールを介して接続された配線層を、前記インターポーザ基板の両面に形成する工程と、
前記配線層に接続されたバンプ電極を前記インターポーザ基板の裏面に形成する工程と、
前記インターポーザ基板の表面上に半導体チップを実装する工程とを備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 Forming at least one of a groove or a slit along a diagonal of the interposer substrate;
Forming wiring layers connected through through holes on both sides of the interposer substrate;
Forming bump electrodes connected to the wiring layer on the back surface of the interposer substrate;
And a step of mounting a semiconductor chip on the surface of the interposer substrate. スルーホールを介して接続された配線層を前記インターポーザ基板の両面に形成するとともに、前記インターポーザ基板の裏面の四隅または対角線上にダミーランドを形成する工程と、
前記配線層に接続されたバンプ電極を前記インターポーザ基板の裏面に形成するとともに、前記ダミーランド上にダミーバンプを形成する工程と、
前記インターポーザ基板の表面上に半導体チップを実装する工程とを備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 Forming wiring layers connected through through holes on both sides of the interposer substrate, and forming dummy lands on the four corners or diagonal lines of the back surface of the interposer substrate;
Forming bump electrodes connected to the wiring layer on the back surface of the interposer substrate, and forming dummy bumps on the dummy lands;
And a step of mounting a semiconductor chip on the surface of the interposer substrate.
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