JP2008052304A - Image forming apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image forming apparatus mounted with a high-performance photoreceptor, having surface hydrophobicity increased, to the degree that a heater for heating the photoreceptor does not need to be provided. <P>SOLUTION: The image forming apparatus is provided with the photoreceptor having a photoconductive layer 4 and a surface protective layer 5 on an electrically conductive substrate; a charging means for providing charges to the photoreceptor; an exposure means for emitting light onto a charge area of the photoreceptor, to which charges are provided by the charging means; a developing means for developing an electrostatic latent image formed on the photoreceptor by the charging means and the exposure means with a toner for forming a toner image; a transfer means for transferring the toner image to a transfer material; and a cleaning means for remove toner remaining on the photoreceptor. The surface protective layer 5 in the photoreceptor is formed, by stacking a plurality of fluorinated amorphous layers 6e containing 12-35 at.% of fluorine in amorphous silicon carbide or amorphous carbon, and the surface protective layer 5 has surface free energy of 40 mN/m or smaller. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明はアモルファスシリコンカーバイドもしくはアモルファスカーボンからなるフッ素含有の表面保護層を備えた感光体を搭載した画像形成装置に関するものである。   The present invention relates to an image forming apparatus equipped with a photoreceptor having a fluorine-containing surface protective layer made of amorphous silicon carbide or amorphous carbon.

アモルファスシリコン(以下、アモルファスシリコンをa−Siと略記する)を光導電層とした感光体が、すでに製品化されているが、このa−Si感光体は導電性基板上にグロー放電分解法により水素化アモルファスシリコン(以下、水素化アモルファスシリコンをa−Si:Hと略記する)からなる電荷注入阻止層と、a−Si:Hからなる光導電層と、水素化アモルファスシリコンカーバイド(以下、水素化アモルファスシリコンカーバイドをa−SiC:Hと略記する)からなる表面保護層とを順次積層した層構成である。   A photoconductor using amorphous silicon (hereinafter abbreviated as a-Si) as a photoconductive layer has already been commercialized. This a-Si photoconductor is formed on a conductive substrate by a glow discharge decomposition method. A charge injection blocking layer composed of hydrogenated amorphous silicon (hereinafter abbreviated as a-Si: H), a photoconductive layer composed of a-Si: H, and a hydrogenated amorphous silicon carbide (hereinafter referred to as hydrogen). And a surface protective layer made of amorphized amorphous silicon carbide (abbreviated as a-SiC: H).

しかしながら、このような層構成の感光体においては、とくに高湿環境下で耐刷をおこなうと、画像流れと呼ばれる画像不良が発生していた。   However, in the photoconductor having such a layer structure, an image defect called image flow has occurred particularly when printing is performed in a high humidity environment.

この画像流れの発生を防止するために、ヒーターを用いて感光体を加熱して、その原因となる水分を飛散させる技術が提示されているが、これによって画像流れが改善されたが、その反面、感光体の帯電能が低下したり、感光体表面にトナーが固着したり、画像形成装置の消費電力が増大していた。   In order to prevent the occurrence of this image flow, a technique has been proposed in which the photosensitive member is heated using a heater and the water causing the image is scattered, but this has improved the image flow. In addition, the charging ability of the photoconductor is reduced, the toner is fixed on the surface of the photoconductor, and the power consumption of the image forming apparatus is increased.

かかる課題を解消するために、a−SiC:H表面保護層の元素比率と自由表面の動的押し込み硬さとを規定することで、ヒーターを用いないでもクリーニング手段などにより表面を適度に研磨して、表面層に吸着した放電生成物などを除去し、これによって画像流れを解消する技術が提示されている(特許文献1参照)。   In order to solve such a problem, the element ratio of the a-SiC: H surface protective layer and the dynamic indentation hardness of the free surface are regulated so that the surface is properly polished by a cleaning means or the like without using a heater. A technique for removing discharge products adsorbed on the surface layer and thereby eliminating image flow has been proposed (see Patent Document 1).

一方、a−Siを主成分とする感光体層の上に水素化アモルファスカーボン(以下、水素化アモルファスカーボンをa−C:Hと略記する)からなる表面保護層を積層し、ついでフッ素を含むガスでプラズマ放電処理をおこない、表面近傍中にCF、CF等の官能基を形成し、これによって疎水性を高め、オゾンの照射による疎水性の劣化を抑制して耐環境性が高める技術が提示されている(特許文献2参照)。 On the other hand, a surface protective layer made of hydrogenated amorphous carbon (hereinafter, hydrogenated amorphous carbon is abbreviated as aC: H) is laminated on the photoreceptor layer mainly composed of a-Si, and then contains fluorine. There is a technology that performs plasma discharge treatment with gas and forms functional groups such as CF and CF 2 in the vicinity of the surface, thereby improving hydrophobicity and suppressing environmental degradation by suppressing hydrophobic deterioration due to ozone irradiation. (See Patent Document 2).

上記のようなプラズマ放電処理をおこなうと、膜の表面がエッチングされるにしても、成膜とエッチングを交互に複数回繰り返すことで表面保護層となす技術も提案されている(特許文献3参照)。
特開平9−204056号公報 特公平7−3597号公報 特開平10−177265号公報
Even if the surface of the film is etched when the plasma discharge treatment as described above is performed, a technique for forming a surface protective layer by alternately repeating film formation and etching a plurality of times has been proposed (see Patent Document 3). ).
Japanese Patent Laid-Open No. 9-204056 Japanese Patent Publication No. 7-3597 Japanese Patent Laid-Open No. 10-177265

しかしながら、特許文献1によれば、ヒーターを用いた加熱をおこなわないにしても、この感光体を搭載した画像形成装置に、弾性ローラ(摺擦ローラ)などの研磨手段を設けなければならず、設計上および構成上煩雑になり、製造歩留りを低下させたり、耐久性および信頼性が劣る原因になっていた。   However, according to Patent Document 1, even if heating using a heater is not performed, a polishing unit such as an elastic roller (sliding roller) must be provided in an image forming apparatus equipped with this photosensitive member. This complicates the design and configuration, which decreases the manufacturing yield and deteriorates durability and reliability.

他方、特許文献2においては、a−C:Hからなる表面保護層を設けて、フッ素を含むガスでプラズマ放電処理し、疎水性を高めることができるが、画像形成装置に感光体用ヒーターを設けないでもよい程度の高い疎水性能は達成されていない。   On the other hand, in Patent Document 2, a surface protective layer made of aC: H can be provided, and plasma discharge treatment can be performed with a gas containing fluorine to increase hydrophobicity. A high hydrophobic performance that may not be provided has not been achieved.

また、特許文献3においては、表面保護層をBN膜で形成し、1回のエッチングによってエッチングされる膜厚を20Å以上にすることが記載されるが、このような方法にてBN膜を形成すると成膜速度が低くなり、製造コストが高くなる。さらに表面保護層をBN膜で形成しても、硬度が低く、耐久性に劣ったり、原子レベルにおける結合状態が不安定であるために、電位特性にバラツキが生じるという問題点もある。   Patent Document 3 describes that the surface protective layer is formed of a BN film, and the film thickness etched by one etching is set to 20 mm or more. However, the BN film is formed by such a method. As a result, the deposition rate is lowered, and the manufacturing cost is increased. Furthermore, even if the surface protective layer is formed of a BN film, there are problems that the hardness is low, the durability is inferior, and the bonding state at the atomic level is unstable, resulting in variations in potential characteristics.

本発明者は上記事情に鑑みて鋭意研究に努めた結果、グロー放電法によりシリコンカーバイドもしくはカーボンからなるアモルファス層を成膜形成し、ついでこのアモルファス層に対しフッ素を含むガスによりエッチング処理するフッ素化工程を経て、フッ素を12〜35%含有する表面保護層を形成することで、疎水性が著しく高くなり、これによって画像形成装置に感光体用のヒーターを設けなくてもよくなることが見出した。しかも、転写後に表面保護層を適度にクリーニングすることで、表面保護層の表面自由エネルギーが40mN/m以下に維持され、このような値に設定することで、良好な画質が得られることも見出した。   As a result of diligent research in view of the above circumstances, the present inventors have formed an amorphous layer made of silicon carbide or carbon by a glow discharge method, and then etched the amorphous layer with a gas containing fluorine. It has been found that by forming a surface protective layer containing 12 to 35% of fluorine through the process, the hydrophobicity is remarkably increased, thereby eliminating the need to provide a heater for the photoreceptor in the image forming apparatus. In addition, the surface protective layer is appropriately cleaned after the transfer so that the surface free energy of the surface protective layer is maintained at 40 mN / m or less, and by setting such a value, good image quality can be obtained. It was.

したがって本発明は上記知見により完成されたものであり、その目的は感光体加熱用のヒーターを設けない程度にまで表面の疎水性を高めた高性能な感光体を搭載した画像形成装置を提供することにある。   Accordingly, the present invention has been completed based on the above findings, and an object of the present invention is to provide an image forming apparatus equipped with a high-performance photoconductor whose surface hydrophobicity is increased to the extent that a heater for heating the photoconductor is not provided. There is.

本発明の他の目的は感光体における表面保護層の表面自由エネルギーを規定することで、良好な画質を達成するとともに、電位特性のバラツキをなくした高信頼性かつ低コストの感光体を搭載した画像形成装置を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a high-reliability and low-cost photoconductor that achieves good image quality and eliminates variations in potential characteristics by defining the surface free energy of the surface protective layer in the photoconductor. An object is to provide an image forming apparatus.

本発明のさらに他の目的は、高品質な画像形成装置を製造する基準として、感光体の表面保護層の表面自由エネルギーを規定することで、製造管理が容易になり、これによって製造コストが低減され、その結果、低コストな画像形成装置を提供することにある。   Still another object of the present invention is to define the surface free energy of the surface protective layer of the photoreceptor as a standard for manufacturing a high-quality image forming apparatus, thereby facilitating manufacturing management, thereby reducing manufacturing costs. As a result, an object is to provide a low-cost image forming apparatus.

さらにまた、本発明の目的は感光体用のヒーターを設けないことで、構造上簡単となり、製造歩留りが向上し、さらに部品点数が少なくなることで優れた耐久性が得られ、その結果、低コストかつ高信頼性の画像形成装置を提供することにある。   Furthermore, the object of the present invention is to simplify the structure by not providing a heater for the photosensitive member, to improve the manufacturing yield, and to obtain excellent durability by reducing the number of parts. An object of the present invention is to provide a cost-effective and highly reliable image forming apparatus.

本発明に係る画像形成装置は、導電性基板上に光導電層と表面保護層とを有する感光体と、前記感光体に電荷を付与する帯電手段と、前記帯電手段により電荷が付与される前記感光体の帯電領域に対して光を照射する露光手段と、前記帯電手段および前記露光手段により前記感光体に形成される静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写材に転写する転写手段と、前記感光体に残留するトナーを除去するクリーニング手段と、を備え、前記感光体における前記表面保護層は、アモルファスシリコンカーバイドもしくはアモルファスカーボンにフッ素を12〜35原子%含有してなるフッ素化アモルファス層のみを複数積層形成してなり、且つ、その表面自由エネルギーが40mN/m以下であることを特徴としている。   The image forming apparatus according to the present invention includes a photoconductor having a photoconductive layer and a surface protective layer on a conductive substrate, a charging unit for applying a charge to the photoconductor, and the charge applied by the charging unit. An exposure unit that irradiates light to a charged region of the photosensitive member; a developing unit that develops an electrostatic latent image formed on the photosensitive member by the charging unit and the exposing unit with toner; and a toner image. A transfer unit that transfers the toner image to a transfer material; and a cleaning unit that removes toner remaining on the photoconductor. The surface protective layer of the photoconductor includes fluorine on amorphous silicon carbide or amorphous carbon. It is formed by laminating a plurality of fluorinated amorphous layers containing 12 to 35 atomic%, and its surface free energy is 40 mN / m or less. It is characterized.

本発明に係る画像形成装置において、前記表面保護層における前記フッ素化アモルファス層の積層数は2層〜15層であるのが好ましい。   In the image forming apparatus according to the present invention, the number of the fluorinated amorphous layers in the surface protective layer is preferably 2 to 15 layers.

本発明に係る画像形成装置において前記トナーは研磨性粒子を含んでなるのが好ましい。   In the image forming apparatus according to the present invention, the toner preferably includes abrasive particles.

本発明に係る画像形成装置において、前記感光体における前記表面保護層の表面自由エネルギーは、コロナ暴露5時間の静電ランニング後において40mN/m以下であるのが好ましい。   In the image forming apparatus according to the present invention, the surface free energy of the surface protective layer in the photoreceptor is preferably 40 mN / m or less after electrostatic running for 5 hours after corona exposure.

本発明によれば、感光体において、フッ素含有のアモルファスシリコンカーバイド(a−SiC)もしくはアモルファスカーボン(a−C)からなる表面保護層に対し、フッ素含有量を12〜35原子%に規定したことで、感光体加熱用のヒーターを設けない程度にまで表面の疎水性を高め、これによって画像流れが発生しなくなり、さらに電位特性のバラツキがなくなり、その結果、高耐久性、高性能、高信頼性、かつ低コストの画像形成装置が提供できた。   According to the present invention, in the photoreceptor, the fluorine content is specified to be 12 to 35 atomic% with respect to the surface protective layer made of fluorine-containing amorphous silicon carbide (a-SiC) or amorphous carbon (a-C). Therefore, the surface hydrophobicity is increased to the extent that a heater for heating the photoconductor is not provided, thereby preventing the occurrence of image flow and further variation in potential characteristics, resulting in high durability, high performance, and high reliability. A low-cost image forming apparatus can be provided.

しかも、本発明においては、表面保護層の表面自由エネルギーを40mN/m以下にしたことで、感光体を搭載した画像形成装置でもって良否をするよりも、作製した感光体でもって、あらかじめ良否判定ができるようになり、これによって製造管理が容易になり、製造コストが低減され、その結果、低コストかつ高信頼性の画像形成装置が提供できた。   In addition, in the present invention, since the surface free energy of the surface protective layer is set to 40 mN / m or less, the pass / fail judgment is made in advance with the manufactured photoconductor rather than with the image forming apparatus equipped with the photoconductor. As a result, manufacturing management is facilitated and manufacturing costs are reduced, and as a result, a low-cost and highly reliable image forming apparatus can be provided.

また、本発明の画像形成装置によれば、転写後の感光体の表面保護層をクリーニングするためのクリーニング手段を配設して、表面保護層の表面自由エネルギーを40mN/m以下にしたことで、市場に出回った後であっても、そのように表面自由エネルギーでもって品質レベルが容易に判別できるようになった。   Further, according to the image forming apparatus of the present invention, the cleaning means for cleaning the surface protective layer of the photoconductor after the transfer is provided so that the surface free energy of the surface protective layer is 40 mN / m or less. Even after they are on the market, it is now possible to easily determine the quality level with surface free energy.

感光体の構成
感光体は導電性基板の上に少なくとも光導電層と表面保護層との積層構造を基本とするものであって、さらに性能を上げるために、たとえば図1に示すような積層構造にする。
Structure of photoconductor The photoconductor is based on a laminated structure of at least a photoconductive layer and a surface protective layer on a conductive substrate. For further improvement in performance, for example, as shown in FIG. Such a laminated structure is used.

同図は本実施形態に係る感光体1の層構成であり、グロー放電分解法などによりa−Si:Hなどからなる電荷注入阻止層3およびa−Si:Hなどからなる光導電層4を順次積層し、この光導電層4上に表面保護層5を積層する。   This figure shows the layer structure of the photoreceptor 1 according to the present embodiment. A charge injection blocking layer 3 made of a-Si: H or the like and a photoconductive layer 4 made of a-Si: H or the like by a glow discharge decomposition method or the like. The surface protective layer 5 is laminated on the photoconductive layer 4 in order.

導電性基板2は銅、黄銅、SUS、Al、Niなどの金属導電体、あるいはガラス、セラミックなどの絶縁体の表面に導電性薄膜を被覆したものなどがある。この導電性基板2はシート状、ベルト状もしくはウェブ状可とう性導電シートでもよく、このようなシートにはSUS、Al、Niなどの金属シート、あるいはポリエステル、ナイロン、ポリイミドなどの高分子樹脂フィルムの上にAl、Niなどの金属もしくは酸化スズ、インジウム・スズ・オキサイド(ITO)などの透明導電性材料や有機導電性材料を蒸着などにより被覆して導電処理したものを用いる。   Examples of the conductive substrate 2 include a metal conductor such as copper, brass, SUS, Al, and Ni, or a surface of an insulator such as glass and ceramic covered with a conductive thin film. The conductive substrate 2 may be a sheet-like, belt-like or web-like flexible conductive sheet, such as a metal sheet such as SUS, Al, Ni, or a polymer resin film such as polyester, nylon, polyimide, etc. A metal such as Al or Ni or a transparent conductive material such as tin oxide or indium tin oxide (ITO) or an organic conductive material coated thereon by vapor deposition is used.

また、電荷注入阻止層3をa−Si:Hなどで構成した場合には、酸素や窒素を含有させて、禁制帯幅を大きくし、これによって電荷注入阻止という機能上、障壁を高くしてもよい。しかも、酸素を含有させることで基板との密着性が高められる。ただし、酸素のみではシランガスと反応して爆発を引き起こし易いので不活性な窒素も併存させるとよく、実際には一酸化窒素(NO)ガスなどを使用する。   When the charge injection blocking layer 3 is made of a-Si: H or the like, oxygen or nitrogen is included to increase the forbidden band width, thereby increasing the barrier in terms of the function of blocking charge injection. Also good. In addition, the adhesion to the substrate can be improved by containing oxygen. However, since oxygen alone easily reacts with the silane gas to cause an explosion, inert nitrogen should be coexisted. Nitrogen monoxide (NO) gas or the like is actually used.

光導電層4はa−Si以外に、Se、Se−Te、AsSeなどのSe合金、ZnO、CdS、CdSeなどのII−VI族化合物の粒子を樹脂に分散したもの、ポリビニルカルバゾール等の有機半導体材料などがあり、これでもって単層型とする。あるいは光導電層4を電荷発生層と電荷輸送層に分けた機能分離型にしてもよい。 In addition to a-Si, the photoconductive layer 4 is made of a Se alloy such as Se, Se-Te, As 2 Se 3 or the like, and particles of II-VI group compounds such as ZnO, CdS, CdSe dispersed in a resin, polyvinyl carbazole, etc. This is a single layer type. Alternatively, the photoconductive layer 4 may be a function separation type in which the charge generation layer and the charge transport layer are separated.

そして、上記表面保護層5については、シリコンカーバイド(SiC)もしくはカーボン(C)からなるフッ素含有のアモルファス層により構成して、フッ素含有量を12〜35原子%に規定している。   The surface protective layer 5 is composed of a fluorine-containing amorphous layer made of silicon carbide (SiC) or carbon (C), and the fluorine content is specified to be 12 to 35 atomic%.

すなわち、フッ素含有量は表面保護層5を構成する各種原子の全量に対し12〜35原子%、好適には18〜26原子%にするとよく、12原子%未満の場合には画像流れが発生し、35原子%を超えると結合状態において終端部が増え、原子間のネットワークが少なくなり、C−C、Si−Si、Si−Cというような原子間結合が減少し、これによって膜強度が弱くなり、その結果、膜削れおよびキズが発生する。   That is, the fluorine content should be 12 to 35 atomic%, preferably 18 to 26 atomic%, based on the total amount of various atoms constituting the surface protective layer 5, and if it is less than 12 atomic%, image flow occurs. If it exceeds 35 atomic%, the terminal portion increases in the bonded state, the interatomic network decreases, and the interatomic bonds such as C—C, Si—Si, and Si—C decrease, thereby weakening the film strength. As a result, film scraping and scratches occur.

しかも、本発明においては、フッ素含有量を規定するとともに、表面保護層5の表面自由エネルギーを40mN/m以下、好適には35mN/m以下にすることが重要である。すなわち、上述のようにフッ素を12〜35原子%にまで多く含有させる処理(フッ素を含むガスのプラズマ化)をおこなった場合に、成膜条件によってフッ素の含有状態にもバラツキが生じる場合があり、フッ素を12〜35原子%の範囲内に含有させても画像流れが発生することがある。しかも、画像流れが発生しない程度の基準については、感光体1を搭載した画像形成装置でもって良否をするよりも、作製した感光体1でもって、あらかじめ良否判定するのがよい。   Moreover, in the present invention, it is important that the fluorine content is specified and the surface free energy of the surface protective layer 5 is 40 mN / m or less, preferably 35 mN / m or less. That is, as described above, when the treatment of containing a large amount of fluorine to 12 to 35 atomic% (plasmaization of a gas containing fluorine) is performed, the fluorine content may vary depending on the film formation conditions. Even if fluorine is contained in the range of 12 to 35 atomic%, image flow may occur. In addition, with respect to a standard that does not cause an image flow, it is better to make a pass / fail judgment in advance with the manufactured photoconductor 1 than with an image forming apparatus equipped with the photoconductor 1.

そこで、このような状況に鑑みて、作製した感光体1に対し表面保護層5の表面自由エネルギーにより良否判定をおこない、その値を40mN/m以下にまで下げられたものを良品とし、これによって、かかる良品の感光体を画像形成装置に搭載すれば、何ら品質上問題なく市場に提供することができることを知見し、本発明を完成するにいたった。   Therefore, in view of such a situation, the produced photoreceptor 1 is judged to be good or bad by the surface free energy of the surface protective layer 5, and a product whose value is reduced to 40 mN / m or less is regarded as a good product. It has been found that if such a non-defective photoconductor is mounted on an image forming apparatus, it can be provided to the market without any quality problems, and the present invention has been completed.

このような表面自由エネルギーは分散力成分、極性力成分、水素結合力成分でもって、それぞれの表面自由エネルギーが数値化できるものであって、これらの各数値の合計値によって求めた。測定は拡張Fowkesの理論を適用して解析するが、具体的には3種類の液体(分散力成分と双極子成分と水素結合力成分の各表面自由エネルギーの値がすでにわかっている、α−ブロムナフタリン、水、ヨウ化メチレン)を用いて、液滴法にて接触角を測定し、そのデータをもとにして拡張Fowkesの理論に基づいて算出した。   Such surface free energy is a dispersion force component, a polar force component, and a hydrogen bonding force component, and each surface free energy can be quantified. The surface free energy was obtained by a total value of these values. The measurement is analyzed by applying the extended Fowkes theory. Specifically, three kinds of liquids (dispersion force component, dipole component, and hydrogen bond force component surface free energy values are already known, α- The contact angle was measured by the droplet method using bromnaphthalene, water, and methylene iodide, and calculated based on the extended Fowkes theory based on the data.

かくして上記構成のように表面保護層5のフッ素含有量を12〜35原子%にして、さらに表面自由エネルギーを40mN/m以下にまで下げたことで、画像流れが発生しない高画質が得られる感光体が容易に作製することができた。   Thus, as described above, the fluorine content of the surface protective layer 5 is set to 12 to 35 atomic%, and the surface free energy is further reduced to 40 mN / m or less. The body could be made easily.

また、上記表面保護層5については、動的押し込み硬さを90〜500kgf/mm、好適には150〜500kgf/mmにするのが望ましい。 As for the surface protective layer 5, the dynamic indentation hardness of 90~500kgf / mm 2, preferably it is desirable to 150~500kgf / mm 2.

すなわち、表面保護層5はフッ素含有量と表面自由エネルギーを規定するとともに、硬度を高めることがよく、フッ素を12〜35原子%にまで多く含有させる処理(フッ素を含むガスのプラズマ化)をおこなって、表面をエッチングすると、その表面の硬度にバラツキが生じやすくなり、低い硬度になる場合もあり、そこで、原料ガスを希釈ガスでもって希釈させたり、高周波電力を高くする、というような製造条件でもって動的押し込み硬さを90kgf/mm以上にまで高めている。ただし、500kgf/mm以下にすることで、高い画質が達成される。さらに一回のエッチング量を少なくすることで、膜強度のバラツキを小さくするとともに、硬度を高めている。 That is, the surface protective layer 5 regulates the fluorine content and the surface free energy, and it is preferable to increase the hardness, and a treatment to contain a large amount of fluorine to 12 to 35 atomic% (plasma of fluorine-containing gas) is performed. When the surface is etched, the hardness of the surface tends to vary, and the hardness may be low. Therefore, manufacturing conditions such as diluting the source gas with a diluent gas or increasing the high frequency power Therefore, the dynamic indentation hardness is increased to 90 kgf / mm 2 or more. However, a high image quality is achieved by setting it to 500 kgf / mm 2 or less. Further, by reducing the amount of etching once, the variation in film strength is reduced and the hardness is increased.

このような動的押し込み硬さは島津製作所製の超微小硬度計DYNAMIC ULTRA MICRO HARDNESS TESTER (DUH−201・202)を使用してダイナミック硬さでもって表す。この測定方法によれば、電磁石により圧子(三角すい圧子)を試料に押しつけ、この押圧力を0.1gの荷重まで一定の割合で増加させ、圧子が試料に侵入していく過程で、圧子の試料への侵入深さを自動計測するものであって、その際に生じるくぼみの大きさを顕微鏡にて測定し、塑性変形分から硬さの値を得る。   Such dynamic indentation hardness is expressed by dynamic hardness using a DYNAMIC ULTRA MICRO HARDNESS TESTER (DUH-201 / 202) manufactured by Shimadzu Corporation. According to this measuring method, an indenter (triangular pan indenter) is pressed against the sample by an electromagnet, and the pressing force is increased at a constant rate up to a load of 0.1 g. The depth of penetration into the sample is automatically measured. The size of the indentation generated at that time is measured with a microscope, and the hardness value is obtained from the plastic deformation.

表面保護層5の形成方法
つぎに上記構成の表面保護層5の形成方法を図3および図4により述べる。
Method for forming surface protective layer 5 Next, a method for forming the surface protective layer 5 having the above structure will be described with reference to FIGS.

図3(イ)〜(ニ)は表面保護層5の形成方法Aを示す各工程図であって、図4(イ)〜(ホ)は表面保護層5の他の形成方法Bを示す各工程図である。   FIGS. 3A to 3D are process diagrams showing a forming method A of the surface protective layer 5, and FIGS. 4A to 4E are views showing other forming methods B of the surface protective layer 5. FIGS. It is process drawing.

〔表面保護層5の形成方法Aについて〕以下、図3の各工程(イ)〜(ニ)を述べる。   [Regarding Method A for Forming Surface Protective Layer 5] Steps (a) to (d) in FIG. 3 will be described below.

(イ)工程:光導電層4の上にグロー放電法によりシリコンカーバイド(SiC)もしくはカーボン(C)からなるアモルファス層6aを成膜形成する。 Step (a): An amorphous layer 6a made of silicon carbide (SiC) or carbon (C) is formed on the photoconductive layer 4 by glow discharge.

(ロ)工程:フッ素を含むガスによりエッチング処理する。このエッチング処理はCFガス、NFガス、SFガス、Cガス、Fガス、ClFガス、CHFガス、CHガス、CHFガスなどのガスを用いて、たとえばCFガスを使用した場合であれば、真空度0.35torr、基板温度270℃、高周波電力200Wという条件でもってプラズマ化し、これによってアモルファス層6aの表面から内部に漸次フッ素を侵入させると同時に、表面がエッチングされる。6bはアモルファス層6aのうちフッ素が侵入していない領域(フッ素未侵入領域)、6cはフッ素化領域、6dはアモルファス層6aのうち上層領域のエッチング処理された領域(エッチング領域)である。 (B) Step: Etching with a gas containing fluorine. This etching process uses a gas such as CF 4 gas, NF 3 gas, SF 6 gas, C 2 F 6 gas, F 2 gas, ClF 3 gas, CHF 3 gas, CH 2 F 2 gas, and CH 3 F gas. If, for example, CF 4 gas is used, plasma is generated under the conditions of a degree of vacuum of 0.35 torr, a substrate temperature of 270 ° C., and a high frequency power of 200 W, and as a result, fluorine gradually enters from the surface of the amorphous layer 6a to the inside. At the same time, the surface is etched. Reference numeral 6b denotes a region of the amorphous layer 6a where fluorine does not enter (fluorine non-intrusion region), 6c denotes a fluorinated region, and 6d denotes a region where the upper layer region of the amorphous layer 6a is etched (etching region).

また、エッチングレートが膜質に影響することもわかり、エッチングレートを50〜500Å/分、好適には100〜250Å/分に規定するのが望ましく、これによって膜表面に対するダメージが小さくなり、膜剥がれや画像欠陥等が発生しなくなるとともに、十分にフッ素化処理される。   It can also be seen that the etching rate affects the film quality, and it is desirable to set the etching rate to 50 to 500 liters / minute, preferably 100 to 250 liters / minute, thereby reducing the damage to the film surface and reducing film peeling. Image defects and the like do not occur and the film is sufficiently fluorinated.

フッ素化領域6cにおいては、エッチング処理されたことで、水素原子がフッ素原子に置換されたり、終端部にフッ素原子が結合し、C−F、C−F、C−Fなどの官能基が生成され、とくにC−Fが多く生成される。そして、これらの生成物は疎水性を高めるのに顕著な効果がある。これら各官能基の量はフーリエ変換赤外分光光度計により測定する。 In the fluorinated region 6c, the hydrogen atom is replaced with a fluorine atom or the fluorine atom is bonded to the terminal portion due to the etching treatment, and a functional group such as C—F, C—F 2 , or C—F 3 is used. Is produced, and in particular, a large amount of C—F 2 is produced. And these products have a significant effect on increasing hydrophobicity. The amount of each functional group is measured with a Fourier transform infrared spectrophotometer.

(ハ)工程:(ロ)工程のエッチング処理によりフッ素化領域6cが形成されるが、そのエッチング処理をさらに進行させると同時にエッチング領域6dもさらに大きくすることで、実質上フッ素未侵入領域6bがない程度にまでエッチング処理を進める。これによってアモルファス層6aの全体がフッ素化されるまでエッチング処理してフッ素化アモルファス層6eとなす。   Step (c): The fluorinated region 6c is formed by the etching process in the step (b). By further advancing the etching process and at the same time further increasing the etching region 6d, the substantially non-fluorine intruding region 6b The etching process is advanced to the extent that it does not occur. Thus, etching is performed until the entire amorphous layer 6a is fluorinated to form a fluorinated amorphous layer 6e.

(ニ)工程:(イ)工程〜(ハ)工程を一サイクルとして、このサイクルを繰り返すことで複数のフッ素化アモルファス層6eを積層する。たとえば、(イ)工程にてアモルファス層6aを2000Åの厚みで成膜形成し、(ロ)工程および(ハ)工程によって1000〜1500Åにする。そして、このようなサイクルを5回繰り返すことで、すなわちフッ素化アモルファス層6eを5層積層することで、表面保護層5を形成する。   (D) Step: The steps (a) to (c) are set as one cycle, and this cycle is repeated to laminate a plurality of fluorinated amorphous layers 6e. For example, the amorphous layer 6a is formed to a thickness of 2000 mm in the step (a), and is made 1000 to 1500 mm by the steps (b) and (c). The surface protective layer 5 is formed by repeating such a cycle five times, that is, by laminating five fluorinated amorphous layers 6e.

かくして表面保護層5の形成方法Aによれば、結合エネルギーの大きなC−F系の官能基が形成されることで、表面自由エネルギーが大幅に小さくなり、耐酸化性に優れ、これにより、放電生成物が付着されにくくなり、現像剤に働く力がほとんど静電引力となって転写性が改善され、その結果、画像流れが発生しなくなった。そして、放電生成物がわずかに付着されても、表面硬度が高くなったことで、たとえば研磨性粒子を含むトナーを使用しても適度に表面が研磨され、表面層に吸着した放電生成物などを除去できる。さらにクリーニング手段や紙などでもって容易にクリーニングができ、トナーの付着を抑制したり、防止できる。   Thus, according to the formation method A of the surface protective layer 5, the formation of a C—F functional group having a large binding energy significantly reduces the surface free energy and has excellent oxidation resistance. The product is less likely to adhere, and the force acting on the developer is almost electrostatic attraction, improving transferability, and as a result, no image blur occurs. And even if the discharge product is slightly adhered, the surface hardness is increased, for example, even if a toner containing abrasive particles is used, the surface is moderately polished and the discharge product adsorbed on the surface layer, etc. Can be removed. Furthermore, cleaning can be easily performed with a cleaning means or paper, and toner adhesion can be suppressed or prevented.

なお、(イ)工程〜(ハ)工程により単層のフッ素化アモルファス層6eでもって表面保護層5とすると、(ロ)工程のエッチング処理が長くなり、フッ素化領域6cの表面が荒れ、これによって膜の密着性が劣ったり、電子写真特性が低下する傾向にあるのに対し、アモルファス層6aの膜厚を小さくし、さらにエッチング処理時間を短くすることで、膜厚の小さいフッ素化アモルファス層6eを成膜形成し、このようなフッ素化アモルファス層6eを積層することで、個々のフッ素化アモルファス層6eの表面粗さを小さくして、膜の密着性を高めたり、電子写真特性を向上できる。望ましくは2層〜15層〔(ニ)工程におけるサイクル数:2〜15〕、最適には3層〜10層〔(ニ)工程におけるサイクル数:3〜10〕のフッ素化アモルファス層6eを積層することで表面保護層5を構成する。   If the surface protective layer 5 is formed by the single-layered fluorinated amorphous layer 6e by the steps (a) to (c), the etching process in the step (b) becomes longer and the surface of the fluorinated region 6c becomes rough. Fluoromorphic amorphous layer with a small film thickness by reducing the film thickness of the amorphous layer 6a and shortening the etching process time, while the film adhesion tends to be inferior or the electrophotographic characteristics tend to deteriorate. 6e is formed, and by laminating such a fluorinated amorphous layer 6e, the surface roughness of each fluorinated amorphous layer 6e is reduced, the adhesion of the film is improved, and the electrophotographic characteristics are improved. it can. Desirably, a fluorinated amorphous layer 6e of 2 to 15 layers (number of cycles in step (d): 2 to 15), optimally 3 to 10 layers (number of cycles in step (d): 3 to 10) is laminated. By doing so, the surface protective layer 5 is comprised.

〔表面保護層5の形成方法Bについて〕つぎに図4に示すような表面保護層5の他の形成方法Bを述べる。この形成方法Bにおいては、上述した形成方法Aに比べて(ハ)工程を除いている。すなわち、(ロ)工程のエッチング処理によりフッ素化領域6cが形成されるが、フッ素未侵入領域6bが残存する程度にエッチング処理を進める。そして、つぎの(ホ)工程にて、(イ)工程および(ロ)工程を一サイクルとして、このサイクルを繰り返すことでフッ素化領域6cとフッ素未侵入領域6bとを交互に積層させ、表面保護層5をなす。   [Regarding Method B for Forming Surface Protective Layer 5] Next, another method B for forming the surface protective layer 5 as shown in FIG. 4 will be described. In this forming method B, the step (c) is omitted as compared with the forming method A described above. That is, although the fluorinated region 6c is formed by the etching process in the step (b), the etching process is advanced to such an extent that the fluorine non-entry region 6b remains. Then, in the next step (e), the steps (a) and (b) are set as one cycle, and this cycle is repeated to alternately stack the fluorinated regions 6c and the non-fluorine-entry regions 6b, thereby protecting the surface. Layer 5 is formed.

このようにフッ素未侵入領域6bが表面保護層5内に存在してもよいが、前述の形成方法Aのようにフッ素未侵入領域6bが存在しない方が成膜の信頼性が向上し、安定した電子写真特性が得られ、さらに生産歩留りも高められる。   As described above, the fluorine non-intrusion region 6b may exist in the surface protective layer 5. However, when the fluorine non-intrusion region 6b does not exist as in the above-described formation method A, the reliability of film formation is improved and stable. Electrophotographic characteristics can be obtained, and the production yield can be increased.

表面保護層5の形成方法Aおよび形成方法Bのいずれにおいても、アモルファス層6aの膜厚を0.01〜1μm、好適には0.05〜0.5μmにするとよく、この範囲内であれば、適度な量でもってエッチングされ、膜全体に対しフッ素化が容易になるという点でよい。   In both the formation method A and the formation method B of the surface protective layer 5, the film thickness of the amorphous layer 6a may be 0.01 to 1 μm, preferably 0.05 to 0.5 μm. The film is etched with an appropriate amount, and fluorination of the entire film is easy.

フッ素化領域6cについても、膜厚を0.005〜0.5μm、好適には0.03〜0.3μmにするとよく、この範囲内であれば、耐久性および電位特性の双方を高めるという点でよい。   Also for the fluorinated region 6c, the film thickness should be 0.005 to 0.5 μm, preferably 0.03 to 0.3 μm, and if within this range, both durability and potential characteristics will be improved. It's okay.

そして、このように成膜した表面保護層5の膜厚を0.1〜1.5μm、好適には0.2〜1.0μmにするとよく、この範囲内であれば、耐久性および電位特性の双方を高めるという点でよい。   And it is good to make the film thickness of the surface protective layer 5 formed in this way into 0.1-1.5 micrometer, Preferably it is 0.2-1.0 micrometer, if it is in this range, durability and electric potential characteristics It is good in terms of enhancing both.

さらに形成方法Bについては、フッ素未侵入領域6bの膜厚を0.001〜0.05μm、好適には0.001〜0.01μmにするとよく、この範囲内であれば、適度な量でもってエッチングされて均等な膜厚が得られ、安定した膜厚となり、しかも、画像流れが発生しなくなるという点でよい。   Further, regarding the formation method B, the film thickness of the fluorine non-intrusion region 6b is preferably 0.001 to 0.05 μm, preferably 0.001 to 0.01 μm. Etching can provide a uniform film thickness, a stable film thickness, and no image flow.

この形成方法Bにおいても、(イ)工程と(ロ)工程により単一のフッ素化領域6cと単一のフッ素未侵入領域6bとの積層でもって表面保護層5となしてもよいが、フッ素化領域6cの表面の荒れを防ぐために、望ましくは2積層〜15積層〔(ホ)工程におけるサイクル数:2〜15〕、最適には3積層〜10積層〔(ホ)工程におけるサイクル数:3〜10〕の範囲にて表面保護層5を構成する。   Also in this forming method B, the surface protective layer 5 may be formed by laminating the single fluorinated region 6c and the single fluorine non-intruding region 6b by the steps (a) and (b). In order to prevent roughening of the surface of the control region 6c, preferably 2 to 15 layers [number of cycles in the step (e): 2 to 15], optimally 3 layers to 10 layers [number of cycles in the step (e): 3 To 10], the surface protective layer 5 is formed.

〔アモルファス層6aの材質について〕
(イ)工程にて成膜形成するアモルファス層6aはシリコンカーバイド(SiC)またはカーボン(C)からなるが、a−C膜はa−SiC膜に比べて硬度が小さいことから、a−SiC膜にて形成するのがよい。そのために原子組成比率Si1−XのX値を0.5以下、好適には0.3以下、最適には0.1以下にするとよい。そして、このようにSiを減少させたままで含有させることで耐コロナ性が向上する。ただし、a−C膜については、ガス希釈することで硬度を大きくすることができるが、a−SiC膜にて得られる程度の硬度が得られない。
[Material of amorphous layer 6a]
(A) The amorphous layer 6a formed and formed in the step is made of silicon carbide (SiC) or carbon (C), but the a-C film is smaller in hardness than the a-SiC film. It is good to form. Therefore, the X value of the atomic composition ratio Si X C 1-X is 0.5 or less, preferably 0.3 or less, and optimally 0.1 or less. And corona resistance improves by making it contain in this way reducing Si. However, the hardness of the a-C film can be increased by gas dilution, but the degree of hardness obtained with the a-SiC film cannot be obtained.

画像形成装置の構成
図2は本発明に係る画像形成装置7であり、8は感光体であり、この感光体8の周面にコロナ帯電器9と、その帯電後に光照射する露光器10(LEDヘッド)と、トナー像を感光体8の表面に形成するためのトナー11を備えた現像機12と、そのトナー像を被転写材13に転写する転写器14と、その転写後に感光体表面のクリーニングするためのブレードやブラシなどからなるクリーニング手段15と、その転写後に残余静電潜像を除去する除電手段16とを配設した構成である。また、17は被転写材13に転写されたトナー像を熱もしくは圧力により固着するための定着器である。トナー11にはアルミナ、酸化チタン、シリカなどのセラミック粒子などの研磨性粒子を含んでもよく、これによってクリーニング性が向上する。
Configuration of image forming apparatus Fig. 2 shows an image forming apparatus 7 according to the present invention, 8 is a photoconductor, and a corona charger 9 is applied to the peripheral surface of the photoconductor 8, and light is irradiated after the charging. An exposure device 10 (LED head), a developing device 12 having a toner 11 for forming a toner image on the surface of the photoreceptor 8, a transfer device 14 for transferring the toner image to a transfer material 13, and a transfer thereof A cleaning unit 15 including a blade and a brush for cleaning the surface of the photoreceptor later, and a charge eliminating unit 16 for removing the residual electrostatic latent image after the transfer are provided. Reference numeral 17 denotes a fixing device for fixing the toner image transferred to the transfer material 13 by heat or pressure. The toner 11 may contain abrasive particles such as ceramic particles such as alumina, titanium oxide, and silica, thereby improving the cleaning property.

このカールソン法は次の(1)〜(6)の各プロセスを繰り返し経る。   In the Carlson method, the following processes (1) to (6) are repeated.

(1)感光体8の周面をコロナ帯電器9により帯電する。 (1) The peripheral surface of the photoconductor 8 is charged by the corona charger 9.

(2)露光器10により画像を露光することにより、感光体8の表面上に電位コントラストとしての静電潜像を形成する。 (2) By exposing the image with the exposure device 10, an electrostatic latent image as a potential contrast is formed on the surface of the photoconductor 8.

(3)この静電潜像を現像機12により現像する。この現像により黒色のトナーが静電潜像との静電引力により感光体表面に付着し、可視化する。 (3) The electrostatic latent image is developed by the developing machine 12. By this development, black toner adheres to the surface of the photoreceptor due to electrostatic attraction with the electrostatic latent image, and is visualized.

(4)感光体表面のトナー像を紙などの被転写材13の裏面よりトナーと逆極性の電界を加えて、静電転写し、これにより、画像を被転写材13の上に得る。 (4) The toner image on the surface of the photoreceptor is electrostatically transferred by applying an electric field having a polarity opposite to that of the toner from the back surface of the transfer material 13 such as paper, whereby an image is obtained on the transfer material 13.

(5)感光体表面をブレードやブラシなどからなるクリーニング手段15によってクリーニングする。 (5) The surface of the photosensitive member is cleaned by the cleaning means 15 including a blade or a brush.

(6)感光体表面を強い光で全面露光し除電手段16により残余の静電潜像を除去する。 (6) The entire surface of the photosensitive member is exposed with strong light, and the remaining electrostatic latent image is removed by the charge eliminating means 16.

なお、画像形成装置7はプリンターの構成であるが、露光器10に代えて原稿からの反射光を通すレンズやミラーなどの光学系を用いれば、複写機の構成の画像形成装置となる。また、この画像形成装置7には通常の乾式現像を用いているが、その他、湿式現像に使用される液体現像剤にも適用される。   Although the image forming apparatus 7 has a printer configuration, if an optical system such as a lens or a mirror that transmits reflected light from a document is used instead of the exposure device 10, an image forming apparatus having a configuration of a copying machine is obtained. The image forming apparatus 7 uses normal dry development, but can also be applied to a liquid developer used for wet development.

本発明の画像形成装置7においては、クリーニング手段15を設けることで、感光体表面の残留トナーをクリーニング手段15により機械的に除去することができる。通常、クリーニング手段15を用いない場合には、さらにトナー11にアルミナ、酸化チタン、シリカなどのセラミック粒子などの研磨性粒子を含まないと、感光体表面が機械的に研磨されないために、表面保護層5の表面自由エネルギーが増大する傾向にあるが、このようにクリーニング手段15を用いることで、その表面自由エネルギーの増大を抑制することができる。本発明においては、作製した感光体1の表面保護層5の表面自由エネルギーを40mN/m以下にまで下げただけではなく、その後、画像形成装置7に搭載し、継続的に使用するに当たっても、感光体1の表面保護層5の表面自由エネルギーを40mN/m以下にするようにクリーニング手段15により感光体表面をクリーニングすることで、画像流れが発生しない高画質を長期間にわたって安定的に得ることができた。   In the image forming apparatus 7 of the present invention, by providing the cleaning unit 15, the residual toner on the surface of the photoreceptor can be mechanically removed by the cleaning unit 15. Usually, when the cleaning means 15 is not used, the surface of the photoconductor is not mechanically polished unless the toner 11 further contains abrasive particles such as ceramic particles such as alumina, titanium oxide, and silica. Although the surface free energy of the layer 5 tends to increase, the increase of the surface free energy can be suppressed by using the cleaning means 15 in this way. In the present invention, not only the surface free energy of the surface protective layer 5 of the produced photoreceptor 1 is lowered to 40 mN / m or less, but also after being mounted on the image forming apparatus 7 and continuously used, By cleaning the surface of the photoconductor with the cleaning unit 15 so that the surface free energy of the surface protective layer 5 of the photoconductor 1 is 40 mN / m or less, high image quality without image drift can be stably obtained over a long period of time. I was able to.

(例1)純度99.9%のAlからなる円筒状の基板の上に表1に示すような成膜条件(この条件は一チェンバ内での値である)でもってグロー放電分解法により電荷注入阻止層3および光導電層4を積層した。

Figure 2008052304
(Example 1) On a cylindrical substrate made of Al having a purity of 99.9%, charge is obtained by a glow discharge decomposition method under film forming conditions as shown in Table 1 (this condition is a value in one chamber). The injection blocking layer 3 and the photoconductive layer 4 were laminated.
Figure 2008052304

ついで表面保護層5を形成方法Aにより設ける。まず、表2に示す(イ)工程の成膜条件によりカーボン(C)からなるアモルファス層6aを2000Åの厚みで成膜形成する。

Figure 2008052304
Next, the surface protective layer 5 is provided by the forming method A. First, an amorphous layer 6a made of carbon (C) is formed to a thickness of 2000 mm according to the film forming conditions in step (a) shown in Table 2.
Figure 2008052304

つぎに表3に示す(ロ)工程の条件によりエッチング処理する。

Figure 2008052304
Next, an etching process is performed under the conditions of step (b) shown in Table 3.
Figure 2008052304

表3のエッチング処理を続けることで、実質上フッ素未侵入領域6bがない程度にまでエッチング処理を進め、これによって膜厚1000Åのフッ素化アモルファス層6eとなす((ハ)工程)。   By continuing the etching process of Table 3, the etching process is advanced to such an extent that there is substantially no fluorine non-intrusion region 6b, thereby forming a fluorinated amorphous layer 6e with a thickness of 1000 mm (step (c)).

しかる後に(ニ)工程、すなわち(イ)工程〜(ハ)工程を一サイクルとして、このサイクルを5回繰り返すことでフッ素化アモルファス層6eを5層積層し、表面自由エネルギーが16.2mN/m、動的押し込み硬さが250kgf/mm、フッ素含有量が24原子%の表面保護層5を形成した。 Thereafter, the process (d), that is, the processes (a) to (c) is set as one cycle, and this cycle is repeated five times, thereby stacking five fluorinated amorphous layers 6e, and the surface free energy is 16.2 mN / m. The surface protective layer 5 having a dynamic indentation hardness of 250 kgf / mm 2 and a fluorine content of 24 atomic% was formed.

かくして得られた感光体を前記画像形成装置7(京セラ株式会社製エコシスLS−3550、乾式現像:トナー平均粒径8μm)に搭載する。そして、画像形成装置7に使用するクリーニング手段15はブレードおよび摺擦ローラを用いた。この装置7に設けられた感光体加熱用ヒーターのスイッチングを常時OFFにして、感光体加熱をおこなわなかった。そして、カールソン法で画像形成して、30万枚のランニングテストをおこない(A4サイズの用紙を使用して、5%印字をおこなった。以下、すべて同じ印字条件である)、画像流れと画質を測定したところ、表4に示すような結果(a−C:H:Fからなる表面保護層)が得られた。

Figure 2008052304
The photoreceptor thus obtained is mounted on the image forming apparatus 7 (Ecosys LS-3550, manufactured by Kyocera Corporation, dry development: toner average particle diameter 8 μm). The cleaning unit 15 used in the image forming apparatus 7 uses a blade and a rubbing roller. Switching of the heater for heating the photoconductor provided in the apparatus 7 was always turned OFF, and the photoconductor was not heated. Then, the image was formed by the Carlson method, and a running test of 300,000 sheets was performed (A4 size paper was used to perform 5% printing. The following are all the same printing conditions). When measured, the results shown in Table 4 (surface protective layer comprising aC: H: F) were obtained.
Figure 2008052304

画像流れは33℃、85%湿度の環境下で8時間放置し、その画質を3段階にて評価し、○印は画像変化がまったくない場合であり、△印は一部画像が流れた場合であり、×印は全面にわたって画像が流れた場合である。   The image flow is left for 8 hours in an environment of 33 ° C and 85% humidity, and the image quality is evaluated in three stages. The circle indicates that there is no change in the image, and the triangle indicates that a portion of the image flows. The x mark represents a case where an image flows over the entire surface.

画質は3段階にて評価し、黒ベタ、白ベタおよびハーフトーン画像にて評価し、○印は黒ベタ濃度・白ベタにおいてかぶりにまったく問題なく、また、ハーフトーン画像にスジがまったく発生していない場合であり、△印はハーフトーン画像の一部にスジが発生している場合であり、×印はハーフトーン画像の全面にわたってスジが発生している場合である。   The image quality is evaluated in three stages, with black solid, white solid, and halftone images. ○ indicates that there is no problem with fogging in black solid density / white solids, and there are no streaks in the halftone image. △ mark indicates a case where a stripe is generated in a part of the halftone image, and X mark indicates a case where a stripe is generated over the entire surface of the halftone image.

比較例として、a−SiC:Hからなる表面保護層やa−C:Hからなる表面保護層を表5および表6に示すような成膜条件にて形成し、その他の層構成を表1の通りにして、それぞれの感光体を作製し、同様に評価したところ、表4に示すような結果が得られた。なお、表6に示すSiHガス量は8.3SCCMから2.5SCCMに漸次減少させている。 As a comparative example, a surface protective layer made of a-SiC: H and a surface protective layer made of a-C: H were formed under film forming conditions as shown in Tables 5 and 6, and other layer configurations were shown in Table 1. Each photoconductor was prepared as described above and evaluated in the same manner. The results shown in Table 4 were obtained. Note that the amount of SiH 4 gas shown in Table 6 is gradually decreased from 8.3 SCCM to 2.5 SCCM.

このようなa−SiC:Hからなる表面保護層の表面自由エネルギーが43mN/m、動的押し込み硬さは350kgf/mmであり、a−C:Hからなる表面保護層の表面自由エネルギーが38mN/m、動的押し込み硬さは200kgf/mmであった。

Figure 2008052304
Such a surface protective layer made of a-SiC: H has a surface free energy of 43 mN / m, a dynamic indentation hardness of 350 kgf / mm 2 , and a surface protective layer made of a-C: H has a surface free energy of The dynamic indentation hardness was 38 kgf / mm 2 .
Figure 2008052304

Figure 2008052304
Figure 2008052304

表4に示す結果から明らかなとおり、本発明のようなa−C:H:Fからなる表面保護層を形成したことで、画像流れおよび画質の双方が向上していることがわかる。   As is clear from the results shown in Table 4, it can be seen that both the image flow and the image quality are improved by forming the surface protective layer made of aC: H: F as in the present invention.

(例2)(例1)にて得られた感光体に対し、表7に示すようにRF電力を変えることで、表面保護層5のフッ素量を規定した各種感光体A〜Gを作製した。

Figure 2008052304
(Example 2) Various photoreceptors A to G in which the amount of fluorine of the surface protective layer 5 was defined were prepared by changing the RF power as shown in Table 7 for the photoreceptor obtained in (Example 1). .
Figure 2008052304

これらの感光体を画像形成装置7に搭載し、画像流れと画質を評価測定したところ、表8と表9に示すような結果が得られた。

Figure 2008052304
When these photoconductors were mounted on the image forming apparatus 7 and image flow and image quality were evaluated and measured, results shown in Tables 8 and 9 were obtained.
Figure 2008052304

Figure 2008052304
Figure 2008052304

これらの表から明らかなとおり、感光体C〜Fは画像流れと画質の双方とも優れている。しかし、感光体Gはフッ素含有量が多くなることで結合状態において終端部が増え、原子間のネットワークが少なく、膜強度が弱くなったため、膜削れおよびキズが発生した。なお、感光体C〜Fについては、いずれも表面保護層5の表面自由エネルギーは40mN/m以下である。   As is clear from these tables, the photoconductors C to F are excellent in both image flow and image quality. However, since the photoconductor G has an increased fluorine content, the number of terminal portions is increased in the bonded state, the number of atoms is less, and the film strength is weakened. In all of the photoreceptors C to F, the surface free energy of the surface protective layer 5 is 40 mN / m or less.

(例3)(例1)にて作製した感光体について、成膜条件を変えることでさらに2種類の感光体1、2を作成した。これらの感光体1、2について、各表面保護層5を形成方法Aにより設ける。   (Example 3) Two types of photoconductors 1 and 2 were prepared by changing the film forming conditions for the photoconductors prepared in (Example 1). For each of these photoreceptors 1 and 2, each surface protective layer 5 is provided by forming method A.

まず、表10に示す(イ)工程の成膜条件によりカーボン(C)からなるアモルファス層6aを2000Åの厚みで成膜形成する。

Figure 2008052304
First, the amorphous layer 6a made of carbon (C) is formed to a thickness of 2000 mm according to the film forming conditions in step (a) shown in Table 10.
Figure 2008052304

つぎに表11に示す(ロ)工程の条件によりエッチング処理する。

Figure 2008052304
Next, an etching process is performed under the conditions of step (b) shown in Table 11.
Figure 2008052304

表11のエッチング処理を続けることで、(ハ)工程を経ることで、実質上フッ素未侵入領域6bがない程度にまでエッチング処理を進め、これによって膜厚1000Åのフッ素化アモルファス層6eとなす。   By continuing the etching process of Table 11, the etching process is advanced to the extent that there is substantially no fluorine non-intrusion region 6b through the step (c), thereby forming a fluorinated amorphous layer 6e with a thickness of 1000 mm.

しかる後に(ニ)工程、すなわち(イ)工程〜(ハ)工程を一サイクルとして、このサイクルを5回繰り返すことでフッ素化アモルファス層6eを5層積層し、感光体1については、動的押し込み硬さが280kgf/mm、フッ素含有量が18原子%の表面保護層5を形成し、感光体2については、動的押し込み硬さが250kgf/mm、フッ素含有量が25原子%の表面保護層5を形成した。 Thereafter, the process (d), that is, the processes (a) to (c) is set as one cycle, and this cycle is repeated five times to laminate five fluorinated amorphous layers 6e. The surface protective layer 5 having a hardness of 280 kgf / mm 2 and a fluorine content of 18 atomic% is formed, and the photoreceptor 2 has a surface with a dynamic indentation hardness of 250 kgf / mm 2 and a fluorine content of 25 atomic%. A protective layer 5 was formed.

かくして得られた感光体を前記画像形成装置7(京セラ株式会社製エコシスLS−3550、乾式現像:トナー平均粒径8μm)に搭載する。そして、画像形成装置7に使用するクリーニング手段15は(例1)と同様にブレードおよび摺擦ローラを用いた。この装置7に設けられた感光体加熱用ヒーターのスイッチングを常時OFFにして、感光体加熱をおこなわなかった。   The photoreceptor thus obtained is mounted on the image forming apparatus 7 (Ecosys LS-3550, manufactured by Kyocera Corporation, dry development: toner average particle diameter 8 μm). The cleaning unit 15 used in the image forming apparatus 7 used a blade and a rubbing roller as in Example 1. Switching of the heater for heating the photoconductor provided in the apparatus 7 was always turned OFF, and the photoconductor was not heated.

また、比較例の感光体4、5、6について、表12に示すような成膜条件でもって膜厚2000Åの表面保護層を形成した。これら各表面保護層はエッチング処理しなかった。

Figure 2008052304
Further, a surface protective layer having a thickness of 2000 mm was formed on the photosensitive members 4, 5, and 6 of the comparative example under the film forming conditions as shown in Table 12. These surface protective layers were not etched.
Figure 2008052304

そして、各感光体1〜6について、作成した初期における表面自由エネルギーおよびコロナ暴露5時間による静電ランニング(0.3μC/cmの電荷量)をおこなうことでも表面自由エネルギーを測定したところ、表13に示すような結果が得られた。なお、感光体3は(例1)にて作成した感光体に相当する。

Figure 2008052304
Then, the surface free energy was measured by performing electrostatic running (charge amount of 0.3 μC / cm 2 ) for each photosensitive member 1 to 6 in the initial stage and the corona exposure for 5 hours. Results as shown in FIG. 13 were obtained. The photoconductor 3 corresponds to the photoconductor prepared in (Example 1).
Figure 2008052304

この表から明らかなとおり、各感光体1〜3によれば、初期の表面自由エネルギーが40mN/m以下であり、さらに5時間後の表面自由エネルギーも40mN/m以下である。これに対し各感光体4〜6については、初期の表面自由エネルギーが40mN/m以下であるが、5時間後の表面自由エネルギーは40mN/mを越えている。   As is apparent from this table, according to each of the photoreceptors 1 to 3, the initial surface free energy is 40 mN / m or less, and the surface free energy after 5 hours is also 40 mN / m or less. On the other hand, for each of the photoconductors 4 to 6, the initial surface free energy is 40 mN / m or less, but the surface free energy after 5 hours exceeds 40 mN / m.

そして、各感光体1〜6について、画像形成装置7に搭載し、画像流れと画質を評価測定したところ、表14に示すような結果が得られた。

Figure 2008052304
Each of the photoconductors 1 to 6 was mounted on the image forming apparatus 7 and the image flow and image quality were evaluated and measured. As a result, the results shown in Table 14 were obtained.
Figure 2008052304

この表から明らかなとおり、感光体1〜3を使用することで、画像流れおよび画質の双方に優れていることがわかる。   As is apparent from this table, it can be seen that the use of the photoconductors 1 to 3 is excellent in both image flow and image quality.

(例4)(例1)〜(例3)はa−C:H:Fからなる表面保護層を形成した場合であるが、以下、これに代えてa−SiC:H:Fからなる表面保護層を形成した場合を説明する。   (Example 4) (Example 1) to (Example 3) are cases where a surface protective layer made of a-C: H: F is formed, but hereinafter, a surface made of a-SiC: H: F instead. A case where a protective layer is formed will be described.

表1に示すような成膜条件でもって電荷注入阻止層3および光導電層4を積層し、その上にa−SiC:H:Fからなる表面保護層5を形成方法Aにより設ける。その場合、表15に示す(イ)工程の成膜条件によりa−SiC:Hからなるアモルファス層6aを2000Åの厚みで成膜形成する。

Figure 2008052304
The charge injection blocking layer 3 and the photoconductive layer 4 are laminated under the film forming conditions shown in Table 1, and the surface protective layer 5 made of a-SiC: H: F is provided thereon by the forming method A. In that case, the amorphous layer 6a made of a-SiC: H is formed to a thickness of 2000 mm according to the film forming conditions in step (a) shown in Table 15.
Figure 2008052304

つぎに表16に示す(ロ)工程の条件によりエッチング処理する。

Figure 2008052304
Next, an etching process is performed under the conditions of step (b) shown in Table 16.
Figure 2008052304

表16のエッチング処理を続けることで、(ハ)工程を経ることで、実質上フッ素未侵入領域6bがない程度にまでエッチング処理を進め、これによって膜厚1000Åのフッ素化アモルファス層6eとなす。   By continuing the etching process of Table 16, the etching process is advanced to the extent that there is substantially no fluorine non-intruding region 6b through the step (c), thereby forming a fluorinated amorphous layer 6e having a thickness of 1000 mm.

しかる後に(ニ)工程、すなわち(イ)工程〜(ハ)工程を一サイクルとして、このサイクルを5回繰り返すことでフッ素化アモルファス層6eを5層積層し、動的押し込み硬さが300kgf/mmであり、フッ素含有量が21原子%の表面保護層5を形成した。 Thereafter, the process (d), that is, the processes (a) to (c) is set as one cycle, and this cycle is repeated five times to thereby laminate five fluorinated amorphous layers 6e, and the dynamic indentation hardness is 300 kgf / mm. 2 and the surface protective layer 5 having a fluorine content of 21 atomic% was formed.

かくして得られた感光体を前記画像形成装置7(京セラ株式会社製エコシスLS−3550、乾式現像:トナー平均粒径8μm)に搭載する。そして、画像形成装置7に使用するクリーニング手段15はブレードおよび摺擦ローラを用いた。この装置7に設けられた感光体加熱用ヒーターのスイッチングを常時OFFにして、感光体加熱をおこなわなかった。そして、カールソン法で画像形成して、30万枚のランニングテストをおこない、画像流れと画質を測定したところ、表17に示すような結果(a−SiC:H:Fからなる表面保護層)が得られた。

Figure 2008052304
The photoreceptor thus obtained is mounted on the image forming apparatus 7 (Ecosys LS-3550, manufactured by Kyocera Corporation, dry development: toner average particle diameter 8 μm). The cleaning unit 15 used in the image forming apparatus 7 uses a blade and a rubbing roller. Switching of the heater for heating the photoconductor provided in the apparatus 7 was always turned OFF, and the photoconductor was not heated. Then, an image was formed by the Carlson method, 300,000 running tests were performed, and image flow and image quality were measured. As a result, the results shown in Table 17 (surface protective layer made of a-SiC: H: F) were obtained. Obtained.
Figure 2008052304

比較例として、(例1)に示すa−SiC:Hからなる表面保護層やa−C:Hからなる表面保護層を記す。   As comparative examples, a surface protective layer made of a-SiC: H and a surface protective layer made of aC: H shown in (Example 1) will be described.

表17に示す結果から明らかなとおり、本発明のようなa−SiC:H:Fからなる表面保護層を形成したことで、画像流れおよび画質の双方の点が著しく向上していることがわかる。   As is clear from the results shown in Table 17, it can be seen that the formation of the surface protective layer made of a-SiC: H: F as in the present invention significantly improves both the image flow and the image quality. .

(例5)(例4)にて得られた感光体に対し、表18に示すようにRF電力を変えることで、表面保護層5のフッ素量を規定した各種感光体A〜Gを作製した。

Figure 2008052304
(Example 5) Various photoconductors A to G in which the amount of fluorine of the surface protective layer 5 was specified were produced by changing the RF power as shown in Table 18 for the photoconductor obtained in (Example 4). .
Figure 2008052304

これらの感光体を画像形成装置7に搭載し、画像流れと画質を評価測定したところ、表19と表20に示すような結果が得られた。

Figure 2008052304
When these photoconductors were mounted on the image forming apparatus 7 and image flow and image quality were evaluated and measured, the results shown in Table 19 and Table 20 were obtained.
Figure 2008052304

Figure 2008052304
Figure 2008052304

これらの表から明らかなとおり、感光体C〜Fは画像流れと画質の双方とも優れている。しかし、感光体Gはフッ素含有量が多くなることで結合状態において終端部が増え、原子間のネットワークが少なく、膜強度が弱くなったため、膜削れおよびキズが発生した。なお、感光体C〜Fについては、いずれも表面保護層5の表面自由エネルギーは40mN/m以下である。   As is clear from these tables, the photoconductors C to F are excellent in both image flow and image quality. However, since the photoconductor G has an increased fluorine content, the number of terminal portions is increased in the bonded state, the number of atoms is less, and the film strength is weakened. In all of the photoreceptors C to F, the surface free energy of the surface protective layer 5 is 40 mN / m or less.

(例6)(例4)にて作製した感光体について、成膜条件を変えることでさらに2種類の感光体1、2を作成した。これらの感光体1、2について、各表面保護層5を形成方法Aにより設ける。   (Example 6) Two types of photoconductors 1 and 2 were prepared by changing the film forming conditions of the photoconductors prepared in (Example 4). For each of these photoreceptors 1 and 2, each surface protective layer 5 is provided by forming method A.

まず、表21に示す(イ)工程の成膜条件によりシリコンカーバイド(SiC)からなるアモルファス層6aを2000Åの厚みで成膜形成する。

Figure 2008052304
First, an amorphous layer 6a made of silicon carbide (SiC) is formed to a thickness of 2000 mm according to the film forming conditions in step (a) shown in Table 21.
Figure 2008052304

つぎに表22に示す(ロ)工程の条件によりエッチング処理する。

Figure 2008052304
Next, an etching process is performed under the conditions of (b) step shown in Table 22.
Figure 2008052304

表22のエッチング処理を続けることで、(ハ)工程を経ることで、実質上フッ素未侵入領域6bがない程度にまでエッチング処理を進め、これによって膜厚1000Åのフッ素化アモルファス層6eとなす。   By continuing the etching process of Table 22, the (c) step is performed, so that the etching process is advanced to such an extent that there is substantially no fluorine non-intrusion region 6b, thereby forming a fluorinated amorphous layer 6e having a thickness of 1000 mm.

しかる後に(ニ)工程、すなわち(イ)工程〜(ハ)工程を一サイクルとして、このサイクルを5回繰り返すことでフッ素化アモルファス層6eを5層積層し、感光体1については、動的押し込み硬さが290kgf/mm、フッ素含有量が18原子%の表面保護層5を形成し、感光体2については、動的押し込み硬さが230kgf/mm、フッ素含有量が23原子%の表面保護層5を形成した。 Thereafter, the process (d), that is, the processes (a) to (c) is set as one cycle, and this cycle is repeated five times to laminate five fluorinated amorphous layers 6e. The surface protective layer 5 having a hardness of 290 kgf / mm 2 and a fluorine content of 18 atomic% is formed, and the photoreceptor 2 has a surface with a dynamic indentation hardness of 230 kgf / mm 2 and a fluorine content of 23 atomic%. A protective layer 5 was formed.

かくして得られた感光体を前記画像形成装置7(京セラ株式会社製エコシスLS−3550、乾式現像:トナー平均粒径8μm)に搭載する。そして、画像形成装置7に使用するクリーニング手段15は(例1)と同様にブレードおよび摺擦ローラを用いた。この装置7に設けられた感光体加熱用ヒーターのスイッチングを常時OFFにして、感光体加熱をおこなわなかった。   The photoreceptor thus obtained is mounted on the image forming apparatus 7 (Ecosys LS-3550, manufactured by Kyocera Corporation, dry development: toner average particle diameter 8 μm). The cleaning unit 15 used in the image forming apparatus 7 used a blade and a rubbing roller as in Example 1. Switching of the heater for heating the photoconductor provided in the apparatus 7 was always turned OFF, and the photoconductor was not heated.

また、比較例の感光体4、5、6について、表23に示すような成膜条件でもって膜厚2000Åの表面保護層を形成した。これら各表面保護層はエッチング処理しなかった。

Figure 2008052304
Further, a surface protective layer having a thickness of 2000 mm was formed on the photoconductors 4, 5, 6 of the comparative example under the film forming conditions as shown in Table 23. These surface protective layers were not etched.
Figure 2008052304

そして、各感光体1〜6について、作成した初期における表面自由エネルギーおよびコロナ暴露5時間による静電ランニング(0.3μC/cmの電荷量)をおこなうことで、その経時的な変化を測定したところ、表24に示すような結果が得られた。なお、感光体3は(例4)にて作成した感光体に相当する。

Figure 2008052304
Then, with respect to each of the photoreceptors 1 to 6, the surface free energy in the initial stage and the electrostatic running (charge amount of 0.3 μC / cm 2 ) by corona exposure for 5 hours were performed, and the change with time was measured. However, the results shown in Table 24 were obtained. The photoconductor 3 corresponds to the photoconductor prepared in (Example 4).
Figure 2008052304

この表から明らかなとおり、各感光体1〜3によれば、初期の表面自由エネルギーが40mN/m以下であり、さらに5時間後の表面自由エネルギーも40mN/m以下である。これに対し各感光体4〜6については、初期の表面自由エネルギーおよび5時間後の表面自由エネルギーともに40mN/mを越えている。   As is apparent from this table, according to each of the photoreceptors 1 to 3, the initial surface free energy is 40 mN / m or less, and the surface free energy after 5 hours is also 40 mN / m or less. On the other hand, for each of the photoreceptors 4 to 6, both the initial surface free energy and the surface free energy after 5 hours exceed 40 mN / m.

そして、各感光体1〜6について、画像形成装置7に搭載し、画像流れと画質を評価測定したところ、表25に示すような結果が得られた。

Figure 2008052304
Each of the photoconductors 1 to 6 was mounted on the image forming apparatus 7 and the image flow and image quality were evaluated and measured. As a result, the results shown in Table 25 were obtained.
Figure 2008052304

この表から明らかなとおり、各感光体1〜3を使用することで、画像流れおよび画質ともに優れている。   As is apparent from this table, the use of each of the photoreceptors 1 to 3 is excellent in both image flow and image quality.

本発明の実施形態に係る感光体の層構成を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a layer structure of a photoreceptor according to an embodiment of the present invention. 本発明の画像形成装置の概略図である。1 is a schematic view of an image forming apparatus of the present invention. (イ)、(ロ)、(ハ)および(ニ)は本発明に係る表面保護層の形成方法を示す工程図である。(A), (b), (c) and (d) are process diagrams showing a method for forming a surface protective layer according to the present invention. (イ)、(ロ)および(ホ)は表面保護層の他の形成方法を示す工程図である。(A), (B) and (E) are process diagrams showing another method of forming the surface protective layer.

符号の説明Explanation of symbols

1、8 感光体
2 導電性基板
3 電荷注入阻止層
4 光導電層
5 表面保護層
6a アモルファス層
6b フッ素未侵入領域
6c フッ素化領域
6d エッチング領域
6e フッ素化アモルファス層
7 画像形成装置
9 コロナ帯電器
10 露光器
12 現像機
14 転写器
15 クリーニング手段
16 除電手段
17 定着器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 8 Photoconductor 2 Conductive substrate 3 Charge injection blocking layer 4 Photoconductive layer 5 Surface protective layer 6a Amorphous layer 6b Fluorine non-intrusion area 6c Fluorinated area 6d Etched area 6e Fluorinated amorphous layer 7 Image forming apparatus 9 Corona charger DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Exposure device 12 Developing device 14 Transfer device 15 Cleaning means 16 Static elimination means 17 Fixing device

Claims (4)

導電性基板上に光導電層と表面保護層とを有する感光体と、前記感光体に電荷を付与する帯電手段と、前記帯電手段により電荷が付与される前記感光体の帯電領域に対して光を照射する露光手段と、前記帯電手段および前記露光手段により前記感光体に形成される静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写材に転写する転写手段と、前記感光体に残留するトナーを除去するクリーニング手段と、を備え、
前記感光体における前記表面保護層は、アモルファスシリコンカーバイドもしくはアモルファスカーボンにフッ素を12〜35原子%含有してなるフッ素化アモルファス層のみを複数積層形成してなり、且つ、その表面自由エネルギーが40mN/m以下であることを特徴とする、画像形成装置。
A photoconductor having a photoconductive layer and a surface protective layer on a conductive substrate, a charging unit for applying a charge to the photoconductor, and light applied to a charged region of the photoconductor to which a charge is applied by the charging unit. Exposure means for irradiating the toner, developing means for developing the electrostatic latent image formed on the photosensitive member with the toner by the charging means and the exposure means with toner, and transferring the toner image to the transfer material Transfer means for cleaning, and cleaning means for removing toner remaining on the photoreceptor,
The surface protective layer in the photoreceptor is formed by laminating only a plurality of fluorinated amorphous layers containing 12 to 35 atomic% of fluorine in amorphous silicon carbide or amorphous carbon, and the surface free energy is 40 mN / An image forming apparatus, wherein m or less.
前記表面保護層における前記フッ素化アモルファス層の積層数は2層〜15層である、請求項1に記載の画像形成装置。 The image forming apparatus according to claim 1, wherein the number of laminated fluorinated amorphous layers in the surface protective layer is 2 to 15 layers. 前記トナーは研磨性粒子を含んでなる、請求項1または2に記載の画像形成装置。 The image forming apparatus according to claim 1, wherein the toner includes abrasive particles. 前記感光体における前記表面保護層の表面自由エネルギーは、コロナ暴露5時間の静電ランニング後において40mN/m以下である、請求項1から3のいずれかに記載の画像形成装置。 4. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the surface free energy of the surface protective layer in the photoconductor is 40 mN / m or less after electrostatic running for 5 hours after corona exposure.
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