JP2008040327A - Matrix type electro-optical device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、画素をマトリクス状に配置したマトリクス型電気光学装置に関する。 The present invention relates to a matrix type electro-optical device in which pixels are arranged in a matrix.
FPD(Flat Panel Display)市場は、従来型ディスプレスに比べ薄型であるから年々拡大している。FPDは大型化され、液晶、プラズマディスプレスに続いて、OLED(Organic Light Emitting Display)においても40インチが試作発表されている。 The FPD (Flat Panel Display) market is growing year by year because it is thinner than conventional displays. The size of the FPD has been increased, and 40-inch prototypes have been announced for OLED (Organic Light Emitting Display) following liquid crystal and plasma display.
FPDの大型化に伴い、パネル内の配線距離が長くなり、配線抵抗、配線容量に起因した信号伝播遅延が無視できなくなる上、画素へのデータ書き込み時間が短くなる。よって、ドライバから離れた距離にある画素では、データ書き込み時間内にデータを書き込めなくなる事態が生じてしまう。 As the FPD becomes larger, the wiring distance in the panel becomes longer, signal propagation delay due to wiring resistance and wiring capacitance cannot be ignored, and data writing time to the pixel is shortened. Therefore, in a pixel at a distance away from the driver, a situation occurs in which data cannot be written within the data writing time.
従来、この種の問題を解決する方法として、導電性の良い材料で走査線やデータ信号線を形成することが考えられる。しかし、そのような材料の開発待ちである上、本質的な解決にはなり得ない。 Conventionally, as a method for solving this type of problem, it is conceivable to form scanning lines and data signal lines with a material having good conductivity. However, it is awaiting the development of such materials and cannot be an essential solution.
次に、パネルの両側から走査線やデータ信号線を駆動する方法がある。しかし、両側にドライバ配置するために回路面積が増大し、パネルコストが増大する上、消費電力も大きくなってしまう。 Next, there is a method of driving scanning lines and data signal lines from both sides of the panel. However, since the drivers are arranged on both sides, the circuit area increases, the panel cost increases, and the power consumption increases.
さらには、ドライバからの幾何学的距離に応じて、書き込み時間を順次増大させるものがある(特許文献1)。しかし、パネルの大型化によって書き込み時間自体が短くなると、書き込み時間の増大も自ら制限が生じてしまう。
本発明の目的は、パネルの大型化に伴って配線抵抗、配線容量が増大しても、書き込み時間内にてデータを画素に書き込むことができるマトリクス型電気光学装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a matrix type electro-optical device capable of writing data to a pixel within a writing time even if wiring resistance and wiring capacity increase with an increase in the size of a panel.
本発明の他の目的は、加えて、パネル内での増設回路の占有面積を最小限としたマトリクス型電気光学装置を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a matrix type electro-optical device that minimizes the area occupied by the additional circuit in the panel.
本発明に係るマトリクス型電気光学装置は、行方向に沿って延びる複数行のタイミング信号線と、列方向に沿って延びる複数列のデータ信号線と、各々が、少なくとも前記複数行のタイミング信号線の各1本と前記複数列のデータ信号線の各1本とに接続された複数の画素と、前記複数行のタイミング信号線の一端よりタイミング信号を供給するタイミング信号線ドライバと、各々が、前記複数行のタイミング信号線の各1本にそれぞれ挿入接続され、前記複数行のタイミング信号線に一つずつに設けられた複数のバッファ回路とを有し、前記複数行のタイミング信号線の各々は、N(Nは3以上の整数)本の分割タイミング信号線に分断され、前記複数のバッファ回路の各々は、前記N本の分割タイミング信号線のうち前記行方向で隣り合う各2本の間に一つずつ直列接続された計(N−1)個のバッファを有することを特徴とする。 The matrix type electro-optical device according to the present invention includes a plurality of rows of timing signal lines extending in the row direction, a plurality of columns of data signal lines extending in the column direction, and at least each of the plurality of rows of timing signal lines. A plurality of pixels connected to each one of the plurality of data signal lines and a timing signal line driver for supplying a timing signal from one end of the plurality of rows of timing signal lines, Each of the plurality of rows of timing signal lines, and each of the plurality of rows of timing signal lines includes a plurality of buffer circuits that are respectively inserted and connected to each of the plurality of rows of timing signal lines. Is divided into N (N is an integer greater than or equal to 3) divided timing signal lines, and each of the plurality of buffer circuits is adjacent in the row direction among the N divided timing signal lines. And having each two one by one serially connected meter between the (N-1) pieces of buffers.
本発明では、複数行のタイミング信号線の各々に伝播されるタイミング信号が、直列接続された複数である計(N−1)個のバッファにより波形整形される。よって、タイミング信号線ドライバから離れた位置でも、タイミング信号の波形なまりを抑制し、パネル面内での輝度ばらつきを低減できる。 In the present invention, the timing signals propagated to each of the plurality of rows of timing signal lines are shaped by a total of (N−1) buffers that are connected in series. Therefore, the waveform rounding of the timing signal can be suppressed even at a position away from the timing signal line driver, and the luminance variation within the panel surface can be reduced.
本発明では、前記複数の画素は、前記複数行のタイミング信号線の各1本にそれぞれ共通接続される複数の画素行を含み、複数の画素行の各々はN個の行ブロックに分割され、
前記タイミング信号線ドライバ側から数えて前記行方向にてK(Kは1≦K≦N−1を満たす整数)番目の行ブロックと前記列方向にて隣接する位置に、前記タイミング信号線ドライバ側から数えて前記行方向にてK番目のバッファが配置される。
In the present invention, the plurality of pixels include a plurality of pixel rows commonly connected to each one of the plurality of rows of timing signal lines, and each of the plurality of pixel rows is divided into N row blocks,
The timing signal line driver side is adjacent to the K-th row block in the row direction counting from the timing signal line driver side (K is an integer satisfying 1 ≦ K ≦ N−1) in the column direction. And the Kth buffer is arranged in the row direction.
こうすると、前記タイミング信号線ドライバから数えて前記行方向にてN番目の行ブロックと前記列方向にて隣接する位置には、前記バッファを配置しなくて済む他、バッファを省スペースにて画素に近接配置できる。 In this case, the buffer does not have to be arranged at a position adjacent to the Nth row block in the row direction and counted in the column direction from the timing signal line driver, and the buffer is saved in a space-saving pixel. Can be placed close to.
本発明では、前記複数行のタイミング信号線の総数は偶数であり、前記列方向で隣接する各2つの画素行の間をそれぞれ画素行間領域としたとき、前記複数のバッファ回路のうち、前記各2つの画素行に対応する各2つのバッファ回路を、奇数番目の画素行間領域に共通して配置することができる。これにより、奇数番目の画素行間領域を有効利用して、バッファを集中的に配置することができる。 In the present invention, the total number of the timing signal lines in the plurality of rows is an even number, and when each of the two pixel rows adjacent in the column direction is an inter-pixel row region, each of the buffer circuits among the plurality of buffer circuits. Each of the two buffer circuits corresponding to the two pixel rows can be arranged in common in the odd-numbered inter-pixel row region. Thereby, the buffers can be arranged in a concentrated manner by effectively using the odd-numbered pixel row regions.
本発明では、前記奇数番目の画素行間領域に配置される各2つのバッファ回路は、各(N−1)個のバッファが同一行に整列配置することができる。こうすると、列方向での回路面積の増大を抑制できる。さらに、好ましくは、前記各(N−1)個のバッファの各々が複数のトランジスタを含んで構成され、前記各(N−1)個のバッファを構成する全トランジスタを同一行に整列配置することもできる。こうすると、列方向ではトランジスタ1個分のスペースにてバッファを配置できる。 In the present invention, in each of the two buffer circuits arranged in the odd-numbered inter-pixel row region, (N−1) buffers can be arranged in the same row. This can suppress an increase in circuit area in the column direction. Preferably, each of the (N-1) buffers includes a plurality of transistors, and all the transistors constituting the (N-1) buffers are arranged in the same row. You can also. In this way, the buffer can be arranged in a space of one transistor in the column direction.
本発明では、前記各(N−1)個のバッファの各々が複数のトランジスタを含んで構成され、前記各(N−1)個のバッファを構成する前記複数のトランジスタを前記列方向で位置が異なる二行に亘って配置してもよい。こうすると、列方向ではトランジスタ2個分のスペースにてバッファを配置できる。 In the present invention, each of the (N−1) buffers includes a plurality of transistors, and the plurality of transistors constituting the (N−1) buffers are positioned in the column direction. You may arrange | position over two different lines. In this way, the buffer can be arranged in a space for two transistors in the column direction.
本発明では、前記複数の画素の各々は、前記複数列のデータ信号線の1本に接続され、前記複数行のタイミング信号線の1本によって選択される書き込みトランジスタを有することができる。つまり、アクティブ型電気光学装置に好適であるが、パッシブマトリクス型電気光学装置にも本発明を適用できる。タイミング信号の遅延の問題は、アクティブマトリクス型だけでなくパッシブマトリクス型にも共通の問題だからである。 In the present invention, each of the plurality of pixels may include a write transistor connected to one of the plurality of columns of data signal lines and selected by one of the plurality of rows of timing signal lines. That is, it is suitable for an active electro-optical device, but the present invention can also be applied to a passive matrix electro-optical device. This is because the timing signal delay problem is common to not only the active matrix type but also the passive matrix type.
本発明では、前記複数の画素の各々は、発光素子と、電源線に接続されて前記発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスタと、前記書き込みトランジスタ及び前記駆動トランジスタに接続され、前記駆動トランジスタのゲート電圧を保持する保持容量とをさらに有することができる。つまり、電圧プログラミング方式の発光装置に好適である。 In the present invention, each of the plurality of pixels is connected to a light emitting element, a driving transistor connected to a power supply line to control a current flowing in the light emitting element, the writing transistor, and the driving transistor. And a storage capacitor for holding a gate voltage. That is, it is suitable for a voltage programming light emitting device.
本発明では、前記(N−1)個のバッファを構成する前記複数のトランジスタ、前記書き込みトランジスタ及び前記駆動トランジスタは、共に同一導電型トランジスタにて形成することができる。こうすると、バッファ領域及び画素領域共にウェル構造が共通化され、省スペース設計が可能となる。 In the present invention, the plurality of transistors, the write transistor, and the drive transistor constituting the (N-1) buffers can be formed of the same conductivity type transistor. In this way, the well structure is shared between the buffer region and the pixel region, and a space-saving design is possible.
本発明では、前記複数行のタイミング信号線の各々は、第1〜第M(Mは2以上の整数)のタイミング信号線を含み、前記画素行に配置された各々の画素には、前記第1〜第Mのタイミング信号線が共通接続され、前記第1〜第Mのタイミング信号線の各々は、前記行方向にて異なる位置にて分断された前記N本の分割タイミング線をそれぞれ有し、前記N本の分割タイミング信号線のうち前記行方向で隣り合う各2本の間に一つずつ直列接続された計(N−1)個の前記バッファを有することができる。つまり、タイミング信号線は一種類に限定されない。 In the present invention, each of the plurality of rows of timing signal lines includes first to Mth timing signal lines (M is an integer of 2 or more), and each pixel arranged in the pixel row includes 1st to Mth timing signal lines are commonly connected, and each of the first to Mth timing signal lines has the N divided timing lines divided at different positions in the row direction. , Out of the N divided timing signal lines, a total of (N−1) buffers can be provided, each connected in series between each two adjacent in the row direction. That is, the timing signal line is not limited to one type.
本発明では、前記第1のタイミング信号線は走査信号線であり、前記第2のタイミング信号線はしきい値補償制御信号線であり、前記第Mのタイミング信号線は発光制御信号線であり、前記複数の画素の各々は、発光素子と、前記複数列のデータ信号線の1本に接続され、前記複数行のタイミング信号線の1本により選択される書き込みトランジスタと、電源線に接続されて前記発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスタと、前記書き込みトランジスタ及び前記駆動トランジスタに接続され、前記駆動トランジスタのゲート電圧を保持する保持容量と、前記しきい値補償制御信号線によりオン動作されて、前記駆動トランジスタをダイオード接続する補償トランジスタと、前記発光素子と直列接続され、前記発光制御信号線によりオン動作される発光制御トランジスタとを含むことができる。タイミング信号線を複数有する一例として、駆動トランジスタのしきい値補償が可能な発光装置を挙げることができる。 In the present invention, the first timing signal line is a scanning signal line, the second timing signal line is a threshold compensation control signal line, and the Mth timing signal line is a light emission control signal line. Each of the plurality of pixels is connected to a light emitting element, one of the plurality of columns of data signal lines, a write transistor selected by one of the plurality of rows of timing signal lines, and a power supply line. A driving transistor for controlling a current flowing through the light emitting element, a holding capacitor connected to the writing transistor and the driving transistor and holding a gate voltage of the driving transistor, and the threshold compensation control signal line. A compensation transistor for diode-connecting the drive transistor and a light-emitting element connected in series, It may include an operation to be the light emission control transistor. As an example having a plurality of timing signal lines, a light emitting device capable of compensating a threshold value of a driving transistor can be given.
本発明では、前記複数のバッファ回路に電源電圧を供給する電源供給線が設けられ、前記駆動トランジスタに接続される前記電源線を前記電源供給線として兼用することができる。こうすると、画素領域に引き回される電源供給線を省略でき、省スペース設計が可能となる。 In the present invention, a power supply line for supplying a power supply voltage to the plurality of buffer circuits is provided, and the power supply line connected to the drive transistor can also be used as the power supply line. In this way, the power supply line routed to the pixel region can be omitted, and a space-saving design is possible.
本発明では、前記複数の画素の各一画素はカラー階調を実現する少なくとも3つのサブ画素にて構成され、前記少なくとも3つのサブ画素の各々が前記複数行のタイミング信号線の1本と前記複数列のデータ信号線の1本とに接続され、前記3つのサブ画素はそれぞれ異なる列にて前記列方向に沿って配列され、かつ、同一色が前記行方向にて間隔を置いて配列されたストライブ配列とすることができる。 In the present invention, each one of the plurality of pixels is configured by at least three sub-pixels that realize color gradation, and each of the at least three sub-pixels includes one of the plurality of rows of timing signal lines and the plurality of timing signal lines. Connected to one of the data signal lines in a plurality of columns, the three sub-pixels are arranged in different columns along the column direction, and the same color is arranged at intervals in the row direction. A stripe arrangement can be used.
この場合、前記一画素を4つのサブ画素にて構成し、前記各(N−1)個のバッファの各々は4つのトランジスタを含み、前記4つのトランジスタの各一つが、前記4つのサブ画素の各一つに対して前記列方向にて隣接する位置に配置してもよい。こうすると、一画素毎にタイミング信号をバッファリングすることができる。 In this case, the one pixel is composed of four sub-pixels, and each of the (N−1) buffers includes four transistors, and each one of the four transistors includes one of the four sub-pixels. You may arrange | position in the position adjacent to the said row direction with respect to each one. In this way, the timing signal can be buffered for each pixel.
本発明では、カラー階調を実現するには、ストライプ配列に限らず、デルタ配列やモザイク配列とすることができる。いずれの場合も、前記各(N−1)個のバッファの各々に含まれる前記複数のトランジスタの各々を、前記列方向にて一つのサブ画素と対向する位置に配置することができる。 In the present invention, the color gradation can be realized not only in the stripe arrangement but also in the delta arrangement or the mosaic arrangement. In any case, each of the plurality of transistors included in each of the (N−1) buffers can be disposed at a position facing one subpixel in the column direction.
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成のすべてが本発明の必須構成要件であるとは限らない。なお、以下の図において同符号のものは同様の意味を表す。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. Also, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention. In the following drawings, the same reference numerals have the same meaning.
(本発明の原理)
図1は、本発明が適用されるOLED(Organic Light Emitting Display)の構成図であり、メイン制御回路10は、映像信号が入力されると、データドライバ制御回路12に映像データを、ゲートドライバ制御回路16にタイミング信号を送信する。データドライバ制御回路12は映像データに基づいてデータドライバ14を駆動制御し、ゲートドライバ制御回路16はタイミング信号に基づいてゲートドライバ18を駆動制御する。
(Principle of the present invention)
FIG. 1 is a configuration diagram of an OLED (Organic Light Emitting Display) to which the present invention is applied. When a video signal is input, the
有機ELパネル20には、行方向Xに沿って延びる複数行のゲート線(広義にはタイミング信号線)22と、列方向Yに沿って伸びる複数列のデータ信号線24とが設けられ、この複数行のゲート線22の各1本と複数列のデータ信号線24の各1本に接続された画素26が設けられている。
The
図1では、パネル20の左端のゲートドライバ18からタイミング信号(ゲート信号または走査信号)が送信され、パネル20の左端から入力されたタイミング信号はゲート線22を伝播してパネル20の右端まで到達する。
In FIG. 1, a timing signal (gate signal or scanning signal) is transmitted from the
ここで、図1に示す1本のゲート線22は、図2に示す等価回路として示すことができる。例えば30インチ級の大型パネル20では、ゲート線22の太さ、材質等のパネル仕様にもよるが、図2に示すように、ゲート線22の配線抵抗R及び配線容量CによるRC回路(20次)は、標準的には、ゲート線22の配線抵抗R=20kΩであり、配線容量C=140pFとなる。
Here, one
図2に示すRC回路(20次)において、どの程度波形が変化するかをシミュレートしてみた。なお、入力波形は、振幅15Vの矩形波で周期16μmとした。 In the RC circuit (20th order) shown in FIG. 2, how much the waveform changes was simulated. The input waveform was a rectangular wave with an amplitude of 15 V and a period of 16 μm.
図3にそのシミュレーション結果を示す。入力波形は矩形波であるのに対して、RC段数が高次になるに従い、波形のなまりが大きくなることがわかる。下記の表1に、入力波形に対する各段でのパルス幅90%(13.5V)以上の割合を示す。 FIG. 3 shows the simulation result. It can be seen that the input waveform is a rectangular wave, but the rounding of the waveform increases as the number of RC stages becomes higher. Table 1 below shows the ratio of the pulse width of 90% (13.5 V) or more at each stage to the input waveform.
表1からも明らかなように、後段ほどパルス幅90%以上の区間が短いことが分かる。このようなゲート線22の配線遅延により、書き込み時間不足や、それに伴うパネル面内での輝度ばらつきが発生することになる。
As is clear from Table 1, it can be seen that the section with a pulse width of 90% or more is shorter in the later stage. Due to such a wiring delay of the
本発明では、RC回路による矩形波のなまりを低減するために、図4に示すように、ゲート線22にバッファ回路30を挿入する。図4では、20段のRC回路の各段間にバッファ32を一つずつ、計19個のバッファ32をゲート線22に直列接続した。
In the present invention, a
次に、図3と同様にして、図4の回路での波形のなまりをシミュレートした結果を図5に示す。図5から明らかなように、各段での波形は入力波である矩形波とほぼ相似し、最終段でも波形のなまりは少ないことが分かる。下記の表2に、図4の回路において、入力波形に対する各段でのパルス幅90%(13.5V)以上の割合を、表1での結果と比較して示す。 Next, the result of simulating the rounding of the waveform in the circuit of FIG. 4 in the same manner as FIG. 3 is shown in FIG. As is apparent from FIG. 5, the waveform at each stage is almost similar to the rectangular wave that is the input wave, and it is understood that the waveform rounding is small even at the final stage. Table 2 below shows the ratio of the pulse width of 90% (13.5 V) or more at each stage with respect to the input waveform in the circuit of FIG. 4 in comparison with the results in Table 1.
このように、バッファ回路30をゲート線22に挿入することで、最終段のRC20段目では、90%以上のパルス幅期間が30%近く改善されることが分かった。
Thus, it has been found that by inserting the
このように、本発明ではゲート線22にバッファ回路30を挿入することで、タイミング信号の波形なまりや、パネル20内でのタイミング信号の波形のばらつきが改善されることが確認できた。以下に、バッファ回路30の配置するかについて説明する。
As described above, in the present invention, it was confirmed that insertion of the
(第1の実施形態)
本実施形態は、図6に示すように、一画素26が行方向Xにて隣接するR(Red),G(Green),B(Blue)のサブ画素26R,26G,26Bにて形成され、RGBの各サブ画素26R,26G,26Bに対応する各色R,G,Bが列方向Yに沿って配列されたいわゆるストライプ型のカラーフィルタ40を有する有機ELパネル20に適用したものである。
(First embodiment)
In the present embodiment, as shown in FIG. 6, one
図7は、図1に示すパネル20のうち、ゲートドライバ18に接続された2本のゲート線GWRTに接続される第1,第2の画素行50,52を示している。第1,第2の画素行50,52の各々は、N(Nは3以上の整数)個の行ブロック1〜行ブロックNに分割されている。各行ブロックは、本実施形態では12つのサブ画素(=4画素分)を有している。
FIG. 7 shows the first and
第1,第2の画素行50,52に接続される2本のゲート線GWRTの各々は、N個の行ブロックに対応してN本の分割ゲート線(広義には分割走査線)GWRT1〜GWRTNに分断されている。そして、第1,第2の画素行50,52の各々には、バッファ回路30として、N本の分割ゲート線GWRT1〜GWRTNのうち行方向Xで隣り合う各2本の間に一つずつ直列接続された計(N−1)個のバッファ32−1,32−2,…32−(N−1)を有する。
Each of the two gate lines GWRT connected to the first and
本実施形態では、ゲートドライバ18側から数えて行方向XにてK(Kは1≦K≦N−1を満たす整数)番目に配置される行ブロックKと列方向Yにて隣接する位置に、ゲートドライバ18側から数えて行方向XにてK番目のバッファ32−Kが配置され、ゲートドライバ18側から数えて前記行方向にてN番目に配置される行ブロックNと列方向Yにて隣接する位置には、バッファは配置されていない。K番目のバッファ32−Kは、(K+1)番目の行ブロック(K+1)よりもゲートドライバ18側の上流側に配置することで、配線効率が向上するからである。なお、特に理由が無い限り、最終段の行ブロックNを除く行ブロック1〜行ブロック(N−1)には同数(本実施形態では12個)のサブ画素を配置することができるが、行方向の全サブ画素数が行ブロック数Nで割り切れない場合には、最終段の行ブロックNに配置されるサブ画素数は少なくなる。よって、最終段の行ブロックNと列方向Yで対向する位置のスペースは狭くなることがあり、バッファ32を配置できるスペースを確保できるとは限らない。この理由からも、最終段の行ブロックNと列方向Yで対向する位置にはバッファ32を配置していない。
In the present embodiment, at a position adjacent to the row block K arranged in the row direction X in the row direction X (K is an integer satisfying 1 ≦ K ≦ N−1) in the column direction Y from the
図8は、図7に示す第1の画素行50の行ブロック1を示している。一画素26を構成するサブ画素26R,26G,26Bの各々は、電圧プログラミング方式の2トランジスタ構成である。つまり、各サブ画素には、有機EL素子(広義には発光素子)ELと、データ信号線VDTに接続され、分割ゲート線GWRT1にゲートが共通接続されて選択される例えばN型トランジスタから成る書き込みトランジスタT1と、電源線VELに接続されて有機EL素子ELに流れる電流を制御する。例えばP型トランジスタから成る駆動トランジスタT2と、駆動トランジスタT2のゲート電圧を保持する保持容量Cとを有する。
FIG. 8 shows the
一方、バッファ32−1は、2つのCMOSインバータCMOS1,CMOS2から構成されている。CMOSインバータCMOS1は、インバータ電源線VBFとグランド電源線GNDとの間に直列接続されたP型トランジスタ60及びN型トランジスタ62を有する。CMOSインバータCMOS2も同様に、インバータ電源線VBFとグランド電源線GNDとの間に直列接続されたP型トランジスタ64及びN型トランジスタ66を有する。
On the other hand, the buffer 32-1 is composed of two CMOS inverters CMOS1 and CMOS2. The CMOS inverter CMOS1 has a P-
ここで、バッファ32−1を構成する4つのトランジスタ60−66は、第1の画素行50の行ブロック1と列方向Yにて対向する位置にて、同一行に整列配置されている。第1の画素行50では、他の行ブロック1〜行ブロック(N−1)でもバッファ32−2〜バッファ32−(N−1)が同様に配置されている。つまり、バッファ32−1〜バッファ32−(N−1)をそれぞれ構成する各4つのトランジスタ60−66が、同一行にて整列配置されている。このため、各画素行にて追加されるバッファ回路30は、列方向Yにてトランジスタ1個分の領域を増設するだけでよいため、パネル20の面積を必ずしも増大しなくてもバッファ回路30を追加することができる。
Here, the four transistors 60-66 constituting the buffer 32-1 are aligned in the same row at a position facing the
図9(A)〜図9(C)は、バッファ32−1を構成する4つのトランジスタ60−66と行ブロック1との配置関係を示している。図9(A)が図8と同じレイアウトを示しており、トランジスタ60は第1画素のGサブ画素、トランジスタ62は第1画素のBサブ画素、トランジスタ64は第2画素のGサブ画素、トランジスタ66は第2画素のBサブ画素と、それぞれ列方向Yにて隣接する位置に配置されている。これに限らず、4つのトランジスタ60−66と各サブ画素との関係は任意である。図9(B)では、第1画素の3つのRGBサブ画素と第2画素のRサブ画素と隣接させて、左詰めで4つのトランジスタ60−66を配置している。図9(C)は、行ブロック1と列方向Yにて隣接する領域にて、4つのトランジスタ60−66を等間隔にて散在配置している。
9A to 9C show the positional relationship between the four transistors 60-66 and the
図9(D)は、図9(A)〜図9(C)とは異なり、バッファ32−1に含まれる4つのトランジスタ60−66は、列方向で位置が異なる二行に亘って配置されている。図9(D)では、トランジスタ60,62が列方向Yで異なる位置に配置され、トランジスタ64,66はトランジスタ62と同一行に配置されている。パネル20内にてスペースに余裕があれば、図9(D)に示す配置とすることもできる。
9D differs from FIGS. 9A to 9C in that the four transistors 60-66 included in the buffer 32-1 are arranged across two rows whose positions are different in the column direction. ing. In FIG. 9D, the
また、一つの行ブロックに配置されるサブ画素の数は12個に限らず、一つの行ブロックとY方向にて隣接する領域にバッファ回路を配置できるスペースを確保できさえすれば、その数は任意に設定できる。 Further, the number of sub-pixels arranged in one row block is not limited to twelve. As long as a space for arranging a buffer circuit in an area adjacent to one row block in the Y direction can be secured, the number is Can be set arbitrarily.
(第2の実施形態)
ゲートドライバ18に接続されたゲート線の総数は、一般に、偶数となる。この第2の実施形態では、図10に示すように、列方向Yで隣接する各2つの画素行(図10では5つの画素行50,52,54,56,58)の間をそれぞれ画素行間領域70としたとき、各2つの画素行に用いられる各2つのバッファ回路30は、奇数番目の画素行間領域70−1,70−3に共通して配置した。つまり、偶数番目の画素行間領域70−2,70−4,…には、バッファ回路30を配置する必要は無い。
(Second Embodiment)
The total number of gate lines connected to the
本実施形態では、一つの行ブロック内に配置されるサブ画素数は例えば18個(6画素分)である。この場合も、一つの行ブロックと対向してバッファ32を設け、かつ、そのバッファ32を構成する4つのトランジスタを配置している。4つのトランジスタ60−66の各々を一つのサブ画素と列方向Yにて隣接して配置すると、一つの行ブロックとY方向にて隣接する領域には空きスペースが残る。この空きスペースを利用して、列方向Yにて隣接する他の画素行の行ブロックのためのバッファ32を配置している。このため、本実施形態では、奇数番目の画素行間領域に配置される各2つのバッファ回路30は、各(N−1)個のバッファ32を同一行に整列配置することが出来る。さらに詳しくは、各(N−1)個のバッファ32の各々が複数例えば4つのトランジスタ60−66を含んで構成され、各(N−1)個のバッファ32を構成する全トランジスタを同一行に整列配置することができる。
In the present embodiment, the number of subpixels arranged in one row block is, for example, 18 (for 6 pixels). Also in this case, a
このようにすると、一つの行ブロック内のサブ画素数を増やしても、奇数番目の画素行間領域70−1,70−3,…に列方向Yにて隣接する2つの行ブロックのためのバッファ32を配置できるので、バッファ32を形成するトランジスタを比較的密に配置できる。よって、トランジスタの製造ばらつきを低減できる。
In this way, even if the number of sub-pixels in one row block is increased, a buffer for two row blocks adjacent in the column direction Y to the odd-numbered pixel row inter-regions 70-1, 70-3,. 32 can be arranged, so that the transistors forming the
この第2の実施形態は、上述した図9(D)のように、一つのバッファ32−1を構成する4つのトランジスタ60−66が列方向Yで位置が異なる二行に亘って配置されるものに好適である。この場合、図11に示すように、列方向Yで隣り合う第1,第2の画素行50,52の各々の行ブロック1は、その画素行間領域70−1の列方向Yにて異なる二行に、各4つのトランジスタ60−66が配置される。つまり、第1の画素行50に接続されるトランジスタ62−66と、第2の画素行52に接続されるトランジスタ60とが第一行目に配置される。第1の画素行50に接続されるトランジスタ60と、第2の画素行52に接続されるトランジスタ62−66とが第二行目に配置される。こうして、画素行間領域70−1を有効利用することができる。
In the second embodiment, as shown in FIG. 9D described above, four transistors 60-66 constituting one buffer 32-1 are arranged over two rows having different positions in the column direction Y. It is suitable for things. In this case, as shown in FIG. 11, each
(第3の実施形態)
この第3の実施形態は、図12に示すように、一画素26が行方向Xにて隣接するR(Red),G(Green),B(Blue),W(White)の4つのサブ画素26R,26G,26B,26Wにて形成され、RGBWの各サブ画素26R,26G,26B,26Wに対応する各色R,G,B,Wが列方向Yに沿って配列されたいわゆるストライプ型のカラーフィルタ70を有する有機ELパネル20に適用したものである。
(Third embodiment)
In the third embodiment, as shown in FIG. 12, four sub-pixels of R (Red), G (Green), B (Blue), and W (White) in which one
この場合、一画素26を構成するサブ画素数4は、バッファ32を構成するトランジスタ数4と一致する。このため、図13に示すように、バッファ32を構成する4つのトランジスタ60−66の各一つを、4つのサブ画素26R,26G,26B,26Wの各一つに対して列方向Yにて隣接する位置に配置することができる。つまり、一画素26と列方向Yにて隣接する領域内にてバッファ32を構成することができる。こうすると、最大で一画素26毎にバッファ32を接続することができる。
In this case, the number of
なお、一画素26を4サブ画素にて構成する他の例としては、特に本発明を液晶装置に適用した場合、RGBの三色にシアンを加えた4色のサブ画素を用いるものを挙げることができる。
In addition, as another example in which one
(第4の実施形態)
図14では、第1〜第3の実施形態とは異なり、一画素80がVth補償を行なえる4トランジスタ構成となっている。つまり、一サブ画素80内には、図8に示す有機EL素子EL、書き込みトランジスタT1、駆動トランジスタT2及び保持容量Cに加えて、例えば共にN型トランジスタにて形成される補償トランジスタT3及び発光制御トランジスタT4を有する。補償トランジスタT3は、駆動トランジスタT2のしきい値電圧Vthの変動を補償するためのしきい値補償期間(例えば書き込み期間の前の一水平走査期間)においてオンし、そのオンによって、駆動トランジスタT2をダイオード接続状態とし、駆動トランジスタT2のゲート電圧(保持容量Cのチャージ電圧)を、駆動トランジスタT2のしきい値電圧Vthを反映した電圧値(VEL−Vth)に収束させる。補償トランジスタT3のオフ後の書き込み期間では書き込みトランジスタT1かオンし、保持容量Cのチャージ電圧がデータ信号線VDTからのデータ電圧によりシフトされる。書き込みトランジスタT1がオフされ、発光制御トランジスタT4がオンすると、保持容量Cがゲートに接続された駆動トランジスタT2が、データ電圧に従って制御された電流を有機EL素子ELに流し、有機EL素子ELが発光される。
(Fourth embodiment)
In FIG. 14, unlike the first to third embodiments, one
このようなサブ画素80には、上述したゲート線GWRTに加えて、補償トランジスタT3のゲートに接続されるしきい値補償制御信号線GVTHと、発光制御トランジスタT4のゲートに接続される発光制御信号線GELとを要する。これら、しきい値補償制御信号線GVTHと発光制御信号線GELとは、ゲート線GWRTと同様に一つの画素行に共通接続されるので、ゲート線GWRTと同じく信号伝播遅延が生ずる。 In such a sub-pixel 80, in addition to the gate line GWRT described above, a threshold compensation control signal line GVTH connected to the gate of the compensation transistor T3, and a light emission control signal connected to the gate of the light emission control transistor T4. Line GEL is required. Since the threshold compensation control signal line GVTH and the light emission control signal line GEL are commonly connected to one pixel row in the same manner as the gate line GWRT, a signal propagation delay occurs as in the gate line GWRT.
そこで、本実施形態では、ゲート線GWRTを分割ゲート線GWRT1−GWRTNに分割したのと同様に、図15に示すように、しきい値補償制御信号線GVTHを分割しきい値補償制御信号線GVTH1,GVTH2,…と分割し、発光制御信号線GELも分割発光制御信号線GEL1,GEL2,…と分割する。そして、行方向Xで隣り合う2本の分割しきい値補償制御信号線(例えばGVTH1,GVTH2)間にバッファ34−1,34−2,…を配置する。同様に、行方向Xで隣り合う2本の分割発光制御信号線(例えばGEL1,GEL2)間にバッファ36−1,36−2,…を配置する。 Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 15, the threshold compensation control signal line GVTH is divided into the divided threshold compensation control signal line GVTH1, as in the case where the gate line GWRT is divided into the divided gate lines GWRT1-GWRTN. , GVTH2,..., And the emission control signal line GEL is also divided into divided emission control signal lines GEL1, GEL2,. Then, buffers 34-1, 34-2,... Are arranged between two divided threshold compensation control signal lines (for example, GVTH1, GVTH2) adjacent in the row direction X. Similarly, buffers 36-1, 36-2,... Are arranged between two divided light emission control signal lines (for example, GEL1, GEL2) adjacent in the row direction X.
本実施形態では、図15に示すように、例えば6サブ画素(2画素分)を行単位ブロック90と称し、3つの行単位ブロック90の各々と列方向Yにて隣接する領域に3つのバッファ32−1,34−1,36−1を配置している。図15では、ゲートドライバ18側に位置する第1の行単位ブロック90−1と列方向Yにて隣接する領域に、ゲート線GWRTのためのバッファ34−1が配置される。第2の行単位ブロック90−2と列方向Yにて隣接する領域には、しきい値補償制御信号線GVTHのためのバッファ34−1が配置される。第3の行単位ブロック90−3と列方向Yにて隣接する領域に、発光制御信号線GELのためのバッファ36−1が配置される。以下、バッファ32,34,36の順番で、後続の行単位ブロック90に対応させて各バッファを配置する。
In this embodiment, as shown in FIG. 15, for example, 6 sub-pixels (2 pixels) are referred to as a row unit block 90, and three buffers are provided in an area adjacent to each of the three row unit blocks 90 in the column direction Y. 32-1, 34-1 and 36-1 are arranged. In FIG. 15, a buffer 34-1 for the gate line GWRT is arranged in a region adjacent to the first row unit block 90-1 located on the
このため、ゲート線GWRT、しきい値補償制御信号線GVTH及び発光制御信号線GELは、分割位置がそれぞれ異なっている。このことを、3つのタイミング制御線毎に画素行50を行ブロック化する位置の違いで説明する。つまり、画素行50の行ブッロク化は、ゲート線GWRT、しきい値補償制御信号線GVTH、発光制御信号線GEL毎に異なる。そして、ゲート線GWRT、しきい値補償制御信号線GVTH、発光制御信号線GEL毎に固有の行ブロック間で、ゲート線GWRT、しきい値補償制御信号線GVTH、発光制御信号線GELはそれぞれ分断されている。
For this reason, the gate line GWRT, the threshold compensation control signal line GVTH, and the light emission control signal line GEL have different division positions. This will be described based on the difference in position at which the
先ず、ゲート線GWRTに対する画素行50の行ブロック化は、図15に示すように、第1の行単位ブロック90−1が第1の行ブロック1、第2−4の行単位ブロック90−2〜90−4が第2の行単位ブロック2となり、以降、3つの行単位ブロックを一組としてブロック化される。
First, as shown in FIG. 15, the first row unit block 90-1 is divided into the
次に、しきい値補償制御信号線GVTHに対する画素行50の行ブロック化は、図15に示すように、第1,2の行単位ブロック90−1,90−2が第1の行ブロック1、第3−6の行単位ブロック90−3〜90−6が第2の行単位ブロック2となり、以降、3つの行単位ブロックを一組としてブロック化される。
Next, as shown in FIG. 15, the first and second row unit blocks 90-1 and 90-2 are arranged in the
最後に、発光制御信号線GELに対する画素行50の行ブロック化は、図15に示すように、第1〜第3の行単位ブロック90−1〜90−3が第1の行ブロック1であり、以降、3つの行単位ブロックを一組としてブロック化される。
Finally, in the row blocking of the
なお、画素行50において最終段の行ブロックNには、上述した通りバッファ32,34,36のいずれも配置されない。
Note that none of the
なお、本実施形態においても、図6、図9(A)〜図12に示す形態を適用することが可能である。 Also in this embodiment, the forms shown in FIGS. 6 and 9A to 12 can be applied.
(第5の実施形態)
この第5の実施形態は、第1〜第4の実施形態の変形例である。図16は図8の変形例を示している。図16では、図8に示すバッファ回路30を構成する複数のバッファ32のための電源供給線VBFとして、駆動トランジスタT2に接続される電源線VELを兼用した。つまり、図16では、電圧VEL=電圧VBFとした。これにより、画素やバッファに供給される電源配線の数を大幅に縮減できる。なお、P型トランジスタ60がオンするためには、電圧VBF>電圧GWRTを満足すれば良い。
(Fifth embodiment)
The fifth embodiment is a modification of the first to fourth embodiments. FIG. 16 shows a modification of FIG. In FIG. 16, the power supply line VBF connected to the drive transistor T2 is also used as the power supply line VBF for the plurality of
図16ではさらに、図8に示すバッファ32に接続されたグランド電源配線GNDも省略され、代わりに、有機EL素子ELに接続される対向基板電位GNDに接続した。これにより、図8のようにグランド電源配線GNDを画素形成領域にて列方向Yに沿って引き回さなくて済む。なお、図16の実施形態は、図14に示すように一画素が4トランジスタ構成の実施形態にも同様に適用可能である。
Further, in FIG. 16, the ground power supply wiring GND connected to the
図17は、図14に示すバッファ32の変形例である。図17に示すバッファ32を構成する一方のCMOSインバータCMOS1は、電源線VBFとグランド電源線GNDとの間に直列接続された抵抗R1とN型トランジスタ68で構成され、他方のCMOSインバータCMOS2は、電源線VBFとグランド電源線GNDとの間に直列接続された抵抗R2とN型トランジスタ69で構成されている。つまり、P型トランジスタは用いていない。図17ではさらに、各サブ画素100に書き込みトランジスタT1、駆動トランジスタT2及びリセットトランジスタT3を配置し、これら3トランジスタT1〜T3もN型トランジスタにて形成した。このため、バッファ32とサブ画素100に含まれる全てのトランジスタを同一導電型として形成できる。この結果、バッファ32とサブ画素100のウェル構成が簡易化され、省スペース設計が可能となる。なお、図17に示す実施形態は、図8に示すように一サブ画素が2トランジスタ構成や4トランジスタ構成の実施形態にも同様に適用可能である。
FIG. 17 is a modification of the
図18は、図8の変形例を示している。図18では、バッファ32を構成する4つのトランジスタ60−66の配列を変更した。つまり、P型トランジスタ60,64を行方向Xにて隣接配置し、N型トランジスタ62,66を行方向Xにて隣接配置した。こうすると、同一導電型のトランジスタが隣接配置されるので、同一導電型トランジスタ同士で共通の電源ラインを使用することができる。ただし、図8と比較して、バッファ32内にて行方向X方向に引き回される配線量は増大する。
FIG. 18 shows a modification of FIG. In FIG. 18, the arrangement of the four
図19は、図6とは異なるカラーフィルタ110を示している。図19において、一画素26を構成するRGBの3つのサブ画素26R,26G,26Bは、列方向Yで隣接する2つの画素行に配置され、かつ、3つのサブ画素26R,26G,26Bが三角形の頂点に位置している。カラーフィルタ110は、その三角形の頂点と対向する位置に三原色を配置したデルタ配列である。
FIG. 19 shows a
図20は、図6及び図19とはさらに異なるからフィルタ120を示している。一画素26を構成するRGBの3つのサブ画素26R,26G,26Bは、列方向Yで隣接する2つの画素行に配置され、かつ、3つのサブ画素26R,26G,26Bが直角二辺上に位置している。カラーフィルタ120は、その直角二辺と対向する位置に三原色を配置したモザイク配列である。
FIG. 20 shows the
これら図19及び図20に示すカラーフィルタ110,120は、図6に示すストライプ配列のカラーフィルタ40に代えて上述した各実施形態にて使用することができるが、図12及び図13の実施形態には適用不能である。
The color filters 110 and 120 shown in FIGS. 19 and 20 can be used in the above-described embodiments in place of the stripe-arranged
上記のように、本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書または図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書または図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。 As described above, the embodiments of the present invention have been described in detail. However, those skilled in the art can easily understand that many modifications can be made without departing from the novel matters and effects of the present invention. . Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention. For example, a term described with a different term having a broader meaning or the same meaning at least once in the specification or the drawings can be replaced with the different term anywhere in the specification or the drawings.
例えば、本発明によれば図5に示すように、後段に向かうほどバッファ出力であるタイミング信号としての矩形波が位相遅れを生ずる。そこで、データドライバ14から出力されるデータ信号の供給タイミングを、矩形波の位相遅れに合わせて遅らせることができる。 For example, according to the present invention, as shown in FIG. 5, a rectangular wave as a timing signal, which is a buffer output, causes a phase delay toward the later stage. Therefore, the supply timing of the data signal output from the data driver 14 can be delayed in accordance with the phase delay of the rectangular wave.
また、本発明が適用されるマトリクス型電気光学装置は、上述したOELDに限らず、他の各種のFPDとしての液晶装置、プラズマディスプレイ、マイクロミラーディバイス等にも適用でき、必ずしも表示装置でなく光源やライトバルブであっても良い。また、上述したOELDと同様に、液晶装置であれば各画素に書き込みトランジスタ(画素選択トランジスタ)やダイオード等のスイッチング素子、保持容量及び液晶素子を備えたアクティブマトリクス型液晶装置にも適用できる他、パッシブマトリクス型電気光学装置にも適用可能である。 The matrix type electro-optical device to which the present invention is applied is not limited to the above-described OELD, but can be applied to other various liquid crystal devices such as FPDs, plasma displays, micromirror devices, and the like. Or a light valve. Similarly to the above-described OELD, the liquid crystal device can be applied to an active matrix liquid crystal device having a switching element such as a writing transistor (pixel selection transistor) or a diode, a storage capacitor, and a liquid crystal element in each pixel. The present invention can also be applied to a passive matrix type electro-optical device.
さらに、本発明に用いられるバッファ回路は、上述した一対のCMOSインバータや、トランジスタの一方を抵抗に置き換えたものの他、公知の他のバッファ回路に置き換えられることは言うまでもない。 Furthermore, it goes without saying that the buffer circuit used in the present invention can be replaced by other known buffer circuits in addition to the above-described pair of CMOS inverters or transistors in which one of the transistors is replaced by a resistor.
また、有機ELでカラー階調を実現するには、上述したように単色光源をカラーフィルタを用いて3色光源を作り出す場合の他、公知の3色塗り分け(三色とも別材料)を用いることもできる。 In addition, in order to realize color gradation with organic EL, in addition to the case where a single color light source is used to produce a three color light source using a color filter as described above, a known three color coating method (materials for all three colors) is used. You can also.
10 メイン制御回路、12 データドライバ制御回路、14 データドライバ、
16 ゲートドライバ制御回路、18 ゲートドライバ(走査線ドライバ)、
20 パネル、22 ゲート線(走査線)、24 データ信号線、26 画素、
30 バッファ回路、32,32−1,…32−(N−1) バッファ、
40 RGBストライプ型カラーフィルタ、50,52 画素行、
60−69 トランジスタ、70 画素行間領域、
70−1,70−3 奇数番目の画素行間領域、
70−2,70−4 偶数番目の画素行間領域、
26R,26G,26B,26W,80,100 サブ画素、90 行単位ブロック、
110 デルタ配列のカラーフィルタ、120 モザイク配列のカラーフィルタ、
C 保持容量、CMO1,2 CMOSインバータ、EL 有機EL素子、
T1 書き込みトランジスタ、T2 駆動トランジスタ、T3 補償トランジスタ、
T4 発光制御トランジスタ、
GWRT ゲート線(タイミング信号線、第1のタイミング信号線)、
GVTH しきい値補償制御信号線(第2のタイミング信号線)、
GEL 発光制御信号線(第Mのタイミング信号線)、
VDT データ信号線、VEL 電源線、VBF 電源供給線
10 main control circuit, 12 data driver control circuit, 14 data driver,
16 gate driver control circuit, 18 gate driver (scan line driver),
20 panels, 22 gate lines (scanning lines), 24 data signal lines, 26 pixels,
30 buffer circuit, 32, 32-1, ... 32- (N-1) buffer,
40 RGB stripe color filter, 50,52 pixel rows,
60-69 transistor, 70 pixel inter-line region,
70-1, 70-3 odd-numbered inter-pixel row regions,
70-2, 70-4 Even-numbered pixel row area,
26R, 26G, 26B, 26W, 80, 100 subpixels, 90 row unit block,
110 delta color filter, 120 mosaic color filter,
C holding capacitor, CMO1, 2 CMOS inverter, EL organic EL element,
T1 write transistor, T2 drive transistor, T3 compensation transistor,
T4 light emission control transistor,
GWRT gate line (timing signal line, first timing signal line),
GVTH threshold compensation control signal line (second timing signal line),
GEL light emission control signal line (Mth timing signal line),
VDT data signal line, VEL power supply line, VBF power supply line
Claims (17)
列方向に沿って延びる複数列のデータ信号線と、
各々が、少なくとも前記複数行のタイミング信号線の各1本と前記複数列のデータ信号線の各1本とに接続された複数の画素と、
前記複数行のタイミング信号線の一端よりタイミング信号を供給するタイミング信号線ドライバと、
各々が、前記複数行のタイミング信号線の各1本にそれぞれ挿入接続され、前記複数行のタイミング信号線に一つずつ設けられた複数のバッファ回路と、
を有し、
前記複数行のタイミング信号線の各々は、N(Nは3以上の整数)本の分割タイミング信号線に分断され、
前記複数のバッファ回路の各々は、前記N本の分割タイミング信号線のうち前記行方向で隣り合う各2本の間に一つずつ直列接続された計(N−1)個のバッファを有することを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 Multiple rows of timing signal lines extending along the row direction;
A plurality of columns of data signal lines extending along the column direction;
A plurality of pixels each connected to at least one of the plurality of rows of timing signal lines and each of the plurality of columns of data signal lines;
A timing signal line driver for supplying a timing signal from one end of the plurality of rows of timing signal lines;
A plurality of buffer circuits each inserted and connected to one of each of the plurality of rows of timing signal lines, and provided one by one to each of the plurality of rows of timing signal lines;
Have
Each of the plurality of rows of timing signal lines is divided into N (N is an integer of 3 or more) divided timing signal lines,
Each of the plurality of buffer circuits has a total of (N−1) buffers connected in series between two of the N divided timing signal lines adjacent to each other in the row direction. A matrix type electro-optical device.
前記複数の画素は、前記複数行のタイミング信号線の各1本にそれぞれ共通接続される複数の画素行を含み、当該複数の画素行の各々はN個の行ブロックに分割され、
前記タイミング信号線ドライバ側から数えて前記行方向にK(Kは1≦K≦N−1を満たす整数)番目の行ブロックと前記列方向にて隣接する位置に、前記タイミング信号線ドライバ側から数えて前記行方向にK番目のバッファが配置され、前記タイミング信号線ドライバから数えて前記行方向にN番目の行ブロックと前記列方向にて隣接する位置には、前記バッファを配置しないことを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In claim 1,
The plurality of pixels include a plurality of pixel rows commonly connected to each one of the plurality of rows of timing signal lines, and each of the plurality of pixel rows is divided into N row blocks,
From the timing signal line driver side to a position adjacent to the K-th row block in the row direction counting from the timing signal line driver side (K is an integer satisfying 1 ≦ K ≦ N−1) in the column direction. The Kth buffer is arranged in the row direction, and the buffer is not arranged in a position adjacent to the Nth row block in the row direction in the column direction counted from the timing signal line driver. A matrix type electro-optical device.
前記複数行のタイミング信号線の総数は偶数であり、
前記列方向で隣接する各2つの画素行の間をそれぞれ画素行間領域としたとき、
前記複数のバッファ回路のうち、前記各2つの画素行に対応する各2つのバッファ回路は、奇数番目の画素行間領域に共通して配置されていることを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In claim 2,
The total number of the timing signal lines in the plurality of rows is an even number,
When a region between two pixel rows adjacent in the column direction is an inter-pixel row region,
Of the plurality of buffer circuits, each of the two buffer circuits corresponding to each of the two pixel rows is commonly disposed in an odd-numbered inter-pixel row region.
前記奇数番目の画素行間領域に配置される各2つのバッファ回路は、各(N−1)個のバッファが同一行に整列配置されることを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In claim 3,
Each of the two buffer circuits arranged in the odd-numbered inter-pixel row region has (N-1) buffers arranged in the same row.
前記各(N−1)個のバッファの各々が複数のトランジスタを含んで構成され、前記各(N−1)個のバッファを構成する全トランジスタが同一行に整列配置されていることを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In claim 4,
Each of the (N-1) buffers includes a plurality of transistors, and all the transistors constituting the (N-1) buffers are arranged in the same row. Matrix type electro-optical device.
前記各(N−1)個のバッファの各々が複数のトランジスタを含んで構成され、前記各(N−1)個のバッファを構成する前記複数のトランジスタが前記列方向で位置が異なる二行に亘って配置されていることを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In claim 4,
Each of the (N-1) buffers includes a plurality of transistors, and the plurality of transistors constituting the (N-1) buffers are arranged in two rows having different positions in the column direction. A matrix type electro-optical device characterized by being arranged over the entire surface.
前記複数の画素の各々は、前記複数列のデータ信号線の1本に接続され、前記複数行のタイミング信号線の1本によって選択される書き込みトランジスタを有することを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In any one of Claims 1 thru | or 6.
Each of the plurality of pixels includes a writing transistor connected to one of the plurality of columns of data signal lines and selected by one of the plurality of rows of timing signal lines. .
前記複数の画素の各々は、
発光素子と、
電源線に接続されて前記発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスタと、
前記書き込みトランジスタ及び前記駆動トランジスタに接続され、前記駆動トランジスタのゲート電圧を保持する保持容量と、
をさらに有することを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In claim 7,
Each of the plurality of pixels is
A light emitting element;
A driving transistor connected to a power supply line to control a current flowing through the light emitting element;
A storage capacitor connected to the write transistor and the drive transistor and holding a gate voltage of the drive transistor;
The matrix type electro-optical device further comprising:
前記(N−1)個のバッファを構成する前記複数のトランジスタ、前記書き込みトランジスタ及び前記駆動トランジスタは、共に同一導電型トランジスタにて形成されていることを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In claim 8,
The matrix type electro-optical device, wherein the plurality of transistors, the writing transistor, and the driving transistor constituting the (N-1) buffers are all formed of the same conductivity type transistor.
前記複数行のタイミング信号線の各々は、第1〜第M(Mは2以上の整数)のタイミング信号線を含み、
前記画素行に配置された各々の画素には、前記第1〜第Mのタイミング信号線が共通接続され、
前記第1〜第Mのタイミング信号線の各々は、前記行方向にて異なる位置にて分断された前記N本の分割タイミング線をそれぞれ有し、前記N本の分割タイミング信号線のうち前記行方向で隣り合う各2本の間に一つずつ直列接続された計(N−1)個の前記バッファを有することを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In any one of Claims 1 thru | or 6.
Each of the plurality of rows of timing signal lines includes first to Mth (M is an integer of 2 or more) timing signal lines,
The first to Mth timing signal lines are commonly connected to each pixel arranged in the pixel row,
Each of the first to M-th timing signal lines includes the N divided timing lines divided at different positions in the row direction, and the row of the N divided timing signal lines. A matrix type electro-optical device comprising a total of (N-1) buffers connected in series between each two adjacent in the direction.
前記第1のタイミング信号線は走査信号線であり、前記第2のタイミング信号線はしきい値補償制御信号線であり、前記第Mのタイミング信号線は発光制御信号線であり、
前記複数の画素の各々は、
発光素子と、
前記複数列のデータ信号線の1本に接続され、前記複数行のタイミング信号線の1本により選択される書き込みトランジスタと、
電源線に接続されて前記発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスタと、
前記書き込みトランジスタ及び前記駆動トランジスタに接続され、前記駆動トランジスタのゲート電圧を保持する保持容量と、
前記しきい値補償制御信号線によりオン動作されて、前記駆動トランジスタをダイオード接続する補償トランジスタと、
前記発光素子と直列接続され、前記発光制御信号線によりオン動作される発光制御トランジスタと、
を含むことを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In claim 10,
The first timing signal line is a scanning signal line, the second timing signal line is a threshold compensation control signal line, the Mth timing signal line is a light emission control signal line,
Each of the plurality of pixels is
A light emitting element;
A write transistor connected to one of the plurality of columns of data signal lines and selected by one of the plurality of rows of timing signal lines;
A driving transistor connected to a power supply line to control a current flowing through the light emitting element;
A storage capacitor connected to the write transistor and the drive transistor and holding a gate voltage of the drive transistor;
A compensation transistor that is turned on by the threshold compensation control signal line to diode-connect the drive transistor;
A light emission control transistor connected in series with the light emitting element and turned on by the light emission control signal line;
A matrix type electro-optical device.
前記複数のバッファ回路に電源電圧を供給する電源供給線が設けられ、前記駆動トランジスタに接続される前記電源線を前記電源供給線として兼用することを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In claim 8, 9 or 11,
A matrix type electro-optical device, wherein a power supply line for supplying a power supply voltage to the plurality of buffer circuits is provided, and the power supply line connected to the driving transistor is also used as the power supply line.
前記複数の画素の各一画素はカラー階調を実現する少なくとも3つのサブ画素にて構成され、前記少なくとも3つのサブ画素の各々が前記複数行のタイミング信号線の1本と前記複数列のデータ信号線の1本とに接続され、
前記3つのサブ画素は、それぞれ異なる列にて前記列方向に沿って配列され、かつ、同一色が前記行方向にて間隔を置いて配列されたストライブ配列であることを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In any one of Claims 1 to 12,
Each pixel of the plurality of pixels includes at least three sub-pixels that realize color gradation, and each of the at least three sub-pixels includes one of the plurality of rows of timing signal lines and the plurality of columns of data. Connected to one of the signal lines,
The matrix type, wherein the three sub-pixels are arranged in different columns along the column direction and the same color is arranged in the row direction with an interval. Electro-optic device.
前記複数の画素の各一画素はカラー階調を実現する3つのサブ画素にて構成され、前記3つのサブ画素が前記複数行のタイミング信号線の1本と前記複数列のデータ信号線の1本とに接続され、
前記列方向で隣接する2つの画素行に配置された前記3つのサブ画素は、三角形の頂点に配置されたデルタ配列であることを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In any one of Claims 1 to 12,
Each pixel of the plurality of pixels includes three sub-pixels that realize color gradation, and the three sub-pixels are one of the plurality of rows of timing signal lines and one of the plurality of columns of data signal lines. Connected to the book,
The matrix type electro-optical device, wherein the three sub-pixels arranged in two pixel rows adjacent in the column direction have a delta arrangement arranged at a vertex of a triangle.
前記複数の画素の各一画素はカラー階調を実現する3つのサブ画素にて構成され、前記3つのサブ画素が前記複数行のタイミング信号線の1本と前記複数列のデータ信号線の1本とに接続され、
前記列方向で隣接する2つの画素行に配置された前記3つのサブ画素は、直角二辺上に配置されたモザイク配列であることを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In any one of Claims 1 to 12,
Each pixel of the plurality of pixels includes three sub-pixels that realize color gradation, and the three sub-pixels are one of the plurality of rows of timing signal lines and one of the plurality of columns of data signal lines. Connected to the book,
The matrix type electro-optical device, wherein the three sub-pixels arranged in two pixel rows adjacent in the column direction have a mosaic arrangement arranged on two right-angled sides.
前記各(N−1)個のバッファの各々に含まれる前記複数のトランジスタの各々は、前記列方向にて一つのサブ画素と対向する位置に配置されていることを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In any of claims 13 to 15,
Each of the plurality of transistors included in each of the (N-1) buffers is arranged at a position facing one sub-pixel in the column direction. apparatus.
前記一画素は4つのサブ画素にて構成され、
前記各(N−1)個のバッファの各々は4つのトランジスタを含み、
前記4つのトランジスタの各一つが、前記4つのサブ画素の各一つに対して前記列方向にて隣接する位置に配置されていることを特徴とするマトリクス型電気光学装置。 In claim 13,
The one pixel is composed of four sub-pixels,
Each of the (N-1) buffers includes four transistors;
Each of the four transistors is disposed at a position adjacent to each of the four sub-pixels in the column direction.
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