JP2008034069A - 磁気ディスク装置およびその制御方法 - Google Patents

磁気ディスク装置およびその制御方法 Download PDF

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Abstract

【課題】振動、落下のような衝撃に対する耐性を十分に向上することが可能な磁気ディスク装置を陣源する。
【解決手段】フラッシュメモリ15に書き込み済みのデータのサイズとホスト装置20からの書き込みデータのサイズとの和が閾値格納部34に設定されている閾値を超えた場合には、コントローラ16は、フラッシュメモリ15の空き容量を確保するために、フラッシュメモリ15に格納されているデータの少なくとも一部をハードディスク14に移動するフラッシュ動作を実行する。コントローラ16は、ショックセンサ31による衝撃検出結果に基づいて閾値の値を自動的に変更する。例えば、磁気ディスク装置11に衝撃が加わっている時間帯においては、通常の閾値よりも大きな閾値がコントローラ16によって閾値格納部34に設定される。この結果、フラッシュ動作の実行タイミングを遅らせることが可能となる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、ハードディスクドライブのような磁気ディスク装置およびその制御方法に関する。
周知のように、近年、ハードディスクは、大容量で信頼性の高い情報記録媒体であり、例えばコンピュータデータ、映像データ、音声データ等の記録用として多方面に普及している。また、ハードディスクは、その形状も携帯用電子機器に搭載されるほど小型化されてきている。
このため、現在、ハードディスクを用いた小型化志向の磁気ディスク装置においては、情報の高速書き込み及び高速読み出しが可能な不揮発性メモリを、ハードディスクに対するキャッシュメモリとして使用することにより、情報の書き込み及び読み出し速度を高めるとともに、ハードディスクの駆動回数、つまり、ハードディスクに対する情報の書き込み及び読み出し回数を削減して、電池電力の節約を図ることが考えられている。
すなわち、この種の磁気ディスク装置は、外部に対しての情報の書き込み及び読み出しを不揮発性メモリに対して行なわせ、ハードディスクに対しては不揮発性メモリとの間で情報転送を行なわせることにより、外部から見た情報の書き込み及び読み出し動作を高速化するとともに、ハードディスクの駆動回数を削減するようにしているもので、NV(non volatile)−cache対応HDD(hard disk drive)とも称されて、提案されている(非特許文献1)。
Non Volatile Cache Command Proposal for ATA8−ACS Revision5
上述したように、不揮発性メモリをキュッシュとして有するHDDにおいては、ハードディスクの駆動回数を削減することができるので、振動、落下のようなショックに対する耐性も高くなる。しかし、不揮発性メモリのメモリ使用率(量)がある閾値を超えた時には、不揮発性メモリに格納されているデータをフラッシュしてハードディスク(ディスクメディア)に書き込むために、ハードディスクを駆動することが必要となる。もしこの時にHDDにショックが加わると、ヘッドがディスクメディアに衝突するという事態が発生する可能性がある。
本発明の目的は、振動、落下のようなショックに対する耐性を十分に向上することが可能な磁気ディスク装置およびその制御方法を提供することにある。
本発明の一例に係わる磁気ディスク装置は、本体に加えられた衝撃を検出する検出器と、データを記録する磁気ディスクと、前記磁気ディスクにデータを記録する場合にキャッシュメモリとなる不揮発性メモリと、前記検出器が検出した衝撃の回数に基づいて前記不揮発性メモリに書き込み可能なデータのサイズの閾値を設定する閾値設定部と、前記不揮発性メモリへのデータの書き込みコマンドが入力されると、前記不揮発性メモリに書き込み済みのデータのサイズと前記書き込みコマンドによって書き込まれるデータのサイズとの和を算出する手段と、前記算出されたデータのサイズが前記閾値設定部によって設定されている閾値より大きいか否かを判別する手段と、前記算出されたデータのサイズが前記閾値より大きいと判別した場合に、前記不揮発性メモリに書き込まれているデータを前記磁気ディスクに移動させる手段と、前記移動手段がデータを移動させた後に、前記書き込みコマンドに基づくデータを前記不揮発性メモリに書き込む手段とを具備することを特徴とする。
本発明によれば、振動、落下のようなショックに対する耐性を十分に向上することが可能となる。
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、この実施の形態で説明する磁気ディスク装置11の概略を示している。ここで説明する磁気ディスク装置11としては、Non Volatile Cache Command Proposal for ATA8−ACS Revision5等で規格化されたNV−cache対応HDDを対象としている。
すなわち、この磁気ディスク装置11は不揮発性メモリをキャッシュとして有するHDD(ハイブリッドHDD)として実現されており、バッファとして機能するSDRAM12、各種の回路ブロックが内蔵された1チップのLSI13、大容量のディスク状記録媒体であるハードディスク(ディスクメディア)14、ハードディスク14に対するキャッシュとして機能する不揮発性メモリであるフラッシュメモリ15等を備えている。
このうち、上記LSI13には、磁気ディスク装置11が各種の処理動作を実行する場合に、その統括的な制御を行なうための制御部となるコントローラ16が内蔵されている。そして、このLSI13には、コントローラ16と上記SDRAM12とを情報転送可能に接続するSDRAM I/F(interface)17、コントローラ16と上記ハードディスク14とを情報転送可能に接続するディスクI/F18、コントローラ16と上記フラッシュメモリ15とを情報転送可能に接続するフラッシュメモリI/F19、コントローラ16と外部のホスト装置20とを情報転送可能に接続するホストI/F21等が内蔵されている。
ここで、上記ホスト装置20は、例えばPC(personal computer)等である。このホスト装置20は、例えば所定のアプリケーションソフトウエアを実行する際に、磁気ディスク装置11を利用して情報の書き込み及び読み出しを実行するとともに、最終的に得られた情報の保存先としても磁気ディスク装置11を利用することができる。
この場合、ホスト装置20は、磁気ディスク装置11に対して情報の書き込みを要求するコマンドや、情報の読み出しを要求するコマンドを発生している。これらのコマンドは、ホストI/F21を介してコントローラ16に供給され解析される。
これにより、コントローラ16は、SDRAM12、フラッシュメモリ15、ハードディスク14等に対して、ホスト装置20から供給された情報の書き込みや、ホスト装置20への情報の読み出し等を、選択的に実行するように制御する。なお、コントローラ16としては、SDRAM12、フラッシュメモリ15、ハードディスク14相互間における情報の転送も可能とする機能を有する。
基本的に、コントローラ16は、ホスト装置20からの情報の書き込み要求を受けた場合、書き込む情報をフラッシュメモリ15に蓄積させる。そして、コントローラ16は、例えばフラッシュメモリ15の記録領域がある程度以上使用された場合等、所定のタイミングで、フラッシュメモリ15に蓄積された情報をハードディスク14に転送し保存させる。
また、コントローラ16は、ホスト装置20からの情報の読み出し要求を受けた場合、要求された情報をハードディスク14から読み出してホスト装置20に出力させる。この場合、要求された情報がフラッシュメモリ15上に存在していれば、フラッシュメモリ15から情報を読み出してホスト装置20に出力させる。
ここにおいて、上記フラッシュメモリ15に書き込まれる情報(データ)には、エラー訂正コードが付加される。そして、フラッシュメモリ15から読み出されるデータには、そのエラー訂正コードに基づいたエラー訂正処理が施されることになる。
また、ハードディスク14に記録されるデータにも、エラー訂正コードが付加される。そして、ハードディスク14から読み出されるデータには、そのエラー訂正コードに基づいたエラー訂正処理が施されることになる。
この実施の形態では、ハードディスク14に記録されるデータに施されるエラー訂正処理の方が、フラッシュメモリ15に記録されるデータに施されるエラー訂正処理に比して、はるかにエラー訂正能力の高い方式が採用されている。すなわち、フラッシュメモリ15に記録されるデータよりも、ハードディスク14に記録されるデータの方が、格段に信頼性が高いものとなっている。
また、この実施の形態では、一例として、上記フラッシュメモリ15は、その情報の書き込み及び読み出しの単位が2Kバイトに規定されている。さらに、このフラッシュメモリ15は、その消去単位が128Kバイトに規定されている。また、このフラッシュメモリ15は、その書き込み及び読み出し回数が多くなると素子が劣化し、エラー発生率が高くなる。このため、素子の性能を保証する情報として、書き替え回数を10万回程度に規定している。
ここで、上記した規格により設定されている、磁気ディスク装置11の実行可能な各種のコマンドのうち、この実施の形態を説明する上で必要となるものについて説明する。まず、第1のコマンドは、論理ブロックアドレス(LBA)を指定して、情報をフラッシュメモリ15に書き込むことを要求するものである。
また、第2のコマンドは、フラッシュメモリ15内のLBAで指定される記録領域を情報書き込み領域として確保することを要求するものである。これら第1または第2のコマンドがホスト装置20から発生された場合、コントローラ16は、フラッシュメモリ15の指定されたLBAに情報を書き込むことが可能となる。
さらに、磁気ディスク装置11は、ショックセンサ31、タイマ回路32、カウンタ33、閾値格納部34を備えている。ショックセンサ31は、磁気ディスク装置(本体)11に加わる衝撃を検出する検出器であり、例えば、加速度を検出する加速度センサと、設定された加速度以上の加速度を加速度センサが検出すると衝撃を受けたものとして検出するショック検出部とから構成されている。タイマ回路32は、所定の時間間隔で割り込み信号(タイマ割り込み)を発生する。カウンタ33は、例えば、ショックセンサ31が検出した単位時間当たりに受けた衝撃の回数を算出する処理等を実行する。閾値格納部34は、キャッシュフラッシュの実行タイミングの制御に使用される閾値を格納する。この閾値は、フラッシュメモリ15に書き込み可能なデータサイズの上限を規定する値である。
フラッシュメモリ15に書き込み済みのデータのサイズとホスト装置20からの書き込みデータのサイズとの和が閾値格納部34に設定されている閾値を超えた場合には、コントローラ16は、フラッシュメモリ15の空き容量を確保するために、フラッシュメモリ15に格納されているデータの少なくとも一部をハードディスク14に移動するフラッシュ動作を実行する。本実施形態においては、磁気ディスク装置11に衝撃が加わっている時間帯においてはなるべくフラッシュ動作が実行されないようにするために、ショックセンサ31による衝撃検出結果に基づいて閾値の値が自動的に変更される。具体的には、コントローラ16は、ショックセンサ31の検出量に基づいて閾値格納部34に設定すべき閾値の値を決定し、その決定した閾値を閾値格納部34に設定する。例えば、磁気ディスク装置11に衝撃が加わっている時間帯においては、通常の閾値よりも大きな閾値がコントローラ16によって閾値格納部34に設定される。この結果、フラッシュ動作の実行タイミングを遅らせることが可能となる。
図2は、フラッシュ動作の手順を示すフローチャートである。
通常は、フラッシュメモリ15の総容量に対してある程度の余裕を持った位置に閾値(閾値VT1)が予め設定されている。この閾値VT1は、閾値格納部34に格納されている。
フラッシュメモリ15へのデータの書き込みを指示する書き込みコマンドをホスト装置20から受信すると、コントローラ16は、以下の処理を実行する。
ホスト装置20からの書き込みデータは、まず、バッファとしてのSDRAM12に格納される。コントローラ16は、SDRAM12内の書き込みデータを選択し(ステップS11)、そしてこの書き込みデータのサイズとフラッシュメモリ15の現在の使用量(フラッシュメモリ15に書き込み済みのデータのサイズ)との和を算出する(ステップS12)。
そして、コントローラ16は、閾値格納部34に格納されている閾値を参照し(ステップS13)、算出されたサイズが閾値よりも大きいか否かを判別する(ステップS14)。
算出されたサイズが閾値よりも大きくないならば、コントローラ16は、選択した書き込みデータをフラッシュメモリ15に書き込む(ステップS15)。
一方、算出されたサイズが閾値よりも大きいならば、コントローラ16は、ハードディスク14を回転させるスピンアップ処理を開始し(ステップS16)、その後、フラッシュメモリ15からフラッシュすべきデータを選択して、その選択したデータをハードディスク14に書き込むフラッシュ動作を実行する(ステップS17)。この結果、フラッシュメモリ15に空き容量が確保される。ステップS17においては、フラッシュメモリ15内の少なくとも一部のデータがハードディスク14に書き込まれる。もちろん、フラッシュメモリ15内の全てのデータをハードディスク14に書き込んでも良い。フラッシュ動作の実行後、コントローラ16は、選択された書き込みデータをフラッシュメモリ15に書き込む(ステップS15)。
次に、図3のフローチャートを参照して閾値変更処理の第1の例を説明する。
ここでは、タイマ割り込みを基準として閾値を変更する処理について説明する。
上述したように、タイマ32は所定のタイマインターバル毎に割り込み信号を定期的に出力する。また、ショックセンサ31は衝撃を検出した時に割り込み信号を発生する。
カウンタ33は、ショックセンサ31からの割り込み信号を監視することにより、各タイマインターバル期間(単位時間)毎に衝撃検出回数をカウントし、その衝撃検出回数の値を衝撃検出回数データとしてコントローラ16に出力する(ステップS21)。
コントローラ16は、カウンタ33からのデータに基づいて、磁気ディスク装置11に衝撃が加わっているか否かを判別する(ステップS22)。例えば、タイマインターバル期間が5秒である場合には、単位時間(5秒)当たりの衝撃検出回数が1回以上であれば、コントローラ16は、衝撃が受けている時間帯と判断し(ステップS23のYES)、閾値VT1よりも大きい閾値VT2を選択して、閾値格納部34に閾値VT2を保存する(ステップS24)。一方、単位時間(5秒)当たりの衝撃検出回数が0回であれば、コントローラ16は、衝撃を受けている時間帯ではないと判断し(ステップS23のNO)、閾値VT1を選択して、閾値格納部34に閾値VT1を保存する(ステップS25)。
次に、図4のフローチャートを参照して閾値変更処理の第2の例を説明する。
ここでは、タイマーインターバル間隔でカウントされる衝撃検出回数の検出履歴を用いて、衝撃を受けている時間帯であるか否かの判別が行われる。
カウンタ33は、ショックセンサ31からの割り込み信号を監視することにより、各タイマインターバル期間(単位時間)毎に衝撃検出回数をカウントし、その衝撃検出回数の値をショック検出回数データとしてコントローラ16に出力する(ステップS31)。
コントローラ16は、衝撃検出回数の履歴を格納する履歴レジスタを備えている。この履歴レジスタには、カウンタ33から出力される、連続する複数のタイムインターバルそれぞれに対応する複数個の衝撃検出回数データが格納される。コントローラ16は、複数個の衝撃検出回数データを平均化するフィルタ処理を実行することにより、複数のタイムインターバル期間内における平均衝撃検出回数を算出する(ステップS32)。
コントローラ16は、算出した平均衝撃検出回数に基づいて、磁気ディスク装置11に衝撃が加わっているか否かを判別する(ステップS33)。例えば、平均衝撃検出回数が所定の設定回数よりも多い場合には、コントローラ16は、衝撃を受けている時間帯であると判断し(ステップS34のYES)、閾値VT1よりも大きい閾値VT2を選択して、閾値格納部34に閾値VT2を保存する(ステップS35)。一方、平均衝撃検出回数が所定の設定回数よりも多くない場合には、コントローラ16は、衝撃を受けている時間帯ではないと判断し(ステップS34のNO)、閾値VT1を選択して、閾値格納部34に閾値VT1を保存する(ステップS36)。
なお、なお、複数のタイムインターバル期間内において検出された、衝撃の大きさ(加速度の大きさ)を示す複数のデータを履歴レジスタに蓄積し、それらデータを平均化した値を用いて、衝撃を受けている時間帯であるか否かを判別するようにしてもよい。
このように、FIR等のフィルタ処理によって求められた平均化された衝撃の回数または大きさを用いて閾値を選択することにより、一時的に衝撃を受けたがあった場合にその状況を平均化し判断できるようになり、突発的な1回のみの衝撃検出などの影響を軽減できる。
次に、図5のフローチャートを参照して閾値変更処理の第3の例を説明する。
ここでは、図6に示すように、衝撃の検出量に応じて3つの閾値が選択的に用いられる。通常は、閾値VT1が閾値格納部34に格納されているが、衝撃の検出量が所定値を超える場合には閾値VT1よりも大きい閾値VT2が閾値格納部34に格納され、衝撃が長時間検出されない場合には閾値VT1よりも小さい閾値VT3が閾値格納部34に格納される。
ここでは、タイマーインターバル間隔でカウントされる衝撃検出回数の検出履歴を用いて、衝撃を受けている時間帯であるか否かの判別が行われる。
カウンタ33は、ショックセンサ31からの割り込み信号を監視することにより、各タイマインターバル期間(単位時間)毎に衝撃検出回数をカウントし、その衝撃検出回数の値を衝撃検出回数データとしてコントローラ16に出力する(ステップS41)。
コントローラ16の履歴レジスタには、カウンタ33から出力される、連続する複数のタイムインターバルそれぞれに対応する複数個の衝撃検出回数データが格納される。
コントローラ16は、最新のタイマインターバルに対応する衝撃検出回数が所定回数(例えば1回)以上であるか否かを判別する(ステップS42)。最新のタイマインターバルに対応する衝撃検出回数が所定回数以上であるならば、コントローラ16は、閾値VT2を選択して、閾値格納部34に閾値VT2を保存する(ステップS43)。この後、コントローラ16は、フラッシュメモリ15に格納されているデータを整理して、フラッシュメモリ15の空き容量を増やす(ステップS44)。
通常、フラッシュメモリはデータの書き換えを繰り返しているうちに、いくつかのBlockには非常に小さなデータのみが残留して仕様効率が落ちている場合もある。フラッシュメモリの整理を行う事で実質の空き容量を大きくすることが可能となり、閾値を大きくすることとの相乗効果も期待できる。
最新のタイマインターバルに対応する衝撃検出回数が所定回数以上ではないならばコントローラ16は、履歴レジスタに保存されている、一つ前のタイムインターバルに対応する衝撃検出回数を取得し取得した衝撃検出回数、つまり一つ前のタイムインターバルに対応する衝撃検出回数が1以上であるか否かを判別する(ステップS45)。
1以上であれば、コントローラ16は閾値VT1を選択して、閾値VT1を閾値記憶部33に保存する(ステップS46)。一方、一つ前のタイムインターバルに対応する衝撃検出回数が1以上でなければ、つまり一つ前のタイムインターバルで衝撃が検出されていないならば、コントローラ16は、閾値VT3を選択して、その閾値VT3を閾値記憶部33に保存する(ステップS47)。
また、閾値を変更する処理に加え、衝撃が検出された場合には、1回のアクセスにおけるディスクへの書き込みデータ量を小さくする処理を実行しても良い。
以上のように、本実施形態によれば、閾値をショックセンサ31の検出状況に応じて可変とすることにより、衝撃を検出している場合には閾値を大きくして、Diskアクセスのタイミングを遅らせることができ、従ってヘッドがメディア上にある時間を短くする事ができる。これにより外部振動などによる物理的な破壊の可能性を軽減できる。
また衝撃検出時にはフラッシュメモリの整理を行って実質空き容量を大きくすること、および1回のDiskアクセスにおける書き込みサイズを小さくする事により効果をさらに大きく出来る。
逆に衝撃が検出されていない場合には、安定状態にあると判断できるため早めにデータを書き出し、以降に衝撃が入り始めた時には少ないデータがFlashに残っている状況にする事ができる。
なお、本発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図。 同実施形態の磁気ディスク装置によって実行される、フラッシュメモリに格納されているデータをディスクに書き込む処理の手順を説明するフローチャート。 同実施形態の磁気ディスク装置によって実行される閾値変更処理の手順の例を示すフローチャート。 同実施形態の磁気ディスク装置によって実行される閾値変更処理の手順の他の例を示すフローチャート。 同実施形態の磁気ディスク装置によって実行される閾値変更処理の手順のさらの他の例を示すフローチャート。 同実施形態の磁気ディスク装置によって用いられる3つの閾値の例を説明するための図。
符号の説明
11…磁気ディスク装置、14…ハードディスク(ディスクメディア)、15…フラッシュメモリ、16…コントローラ、31…ショックセンサ、32…タイマ回路、33…カウンタ、34…閾値格納部。

Claims (10)

  1. 本体に加えられた衝撃を検出する検出器と、
    データを記録する磁気ディスクと、
    前記磁気ディスクにデータを記録する場合にキャッシュメモリとなる不揮発性メモリと、
    前記検出器が検出した衝撃の回数に基づいて前記不揮発性メモリに書き込み可能なデータのサイズの閾値を設定する閾値設定部と、
    前記不揮発性メモリへのデータの書き込みコマンドが入力されると、前記不揮発性メモリに書き込み済みのデータのサイズと前記書き込みコマンドによって書き込まれるデータのサイズとの和を算出する手段と、
    前記算出されたデータのサイズが前記閾値設定部によって設定されている閾値より大きいか否かを判別する手段と、
    前記算出されたデータのサイズが前記閾値より大きいと判別した場合に、前記不揮発性メモリに書き込まれているデータを前記磁気ディスクに移動させる手段と、
    前記移動手段がデータを移動させた後に、前記書き込みコマンドに基づくデータを前記不揮発性メモリに書き込む手段と
    を具備することを特徴とする磁気ディスク装置。
  2. 前記閾値設定部は、前記検出器が単位時間当たりに検出した衝撃の回数が設定回数より多くない場合に前記閾値として第1の閾値を設定し、前記単位時間当たりに受けた衝撃の回数が設定回数より多い場合に前記閾値として前記第1の閾値より大きい第2の閾値を設定することを特徴とする請求項1記載の磁気ディスク装置。
  3. 前記検出器は、加速度を検出する加速度センサと、設定された加速度以上の加速度を前記加速度センサが検出した場合に衝撃を受けたものとして検出するショック検出部とを有し、
    前記磁気ディスク装置は、前記検出器が衝撃を検出したときの加速度の大きさの履歴を格納する履歴格納部と、前記履歴格納部に格納されている履歴に基づいて平均化した衝撃回数を求める手段を更に具備し、
    前記閾値設定部は、前記平均化された衝撃回数が設定回数より多くない場合に前記閾値として前記第1の閾値を設定し、前記平均化処理された衝撃回数が設定回数より多い場合に前記閾値として前記第1の閾値より大きい第2の閾値を設定することを特徴とする請求項1記載の磁気ディスク装置。
  4. 前記磁気ディスク装置は、前記検出器が前記単位時間当たりに検出した衝撃回数の履歴を格納する履歴格納部を更に具備し、
    前記閾値設定部は、前記検出器が検出した衝撃の回数が設定回数より多くない場合に前記履歴格納部に衝撃を検出した場合があるか否かを判別し、前記履歴格納部に前記衝撃を検出した場合があると判別した場合に第1の閾値を設定し、前記検出器が検出した衝撃の回数が設定回数より多い場合に前記閾値として前記第1の閾値より大きい第2の閾値を設定し、前記履歴格納部に前記衝撃を検出した場合がないと判別した場合に前記閾値として前記第1の閾値より小さい第3の閾値を設定することを特徴とする請求項1記載の磁気ディスク装置。
  5. 前記閾値設定部が第1の閾値を設定した後に、前記不揮発性メモリに記憶されているデータを整理する手段を更に具備することを特徴とする請求項4記載の磁気ディスク装置。
  6. 本体に加えられた衝撃を検出する検出器と、データを記録する磁気ディスクと、前記磁気ディスクにデータを記録する場合にキャッシュメモリとなる不揮発性メモリとを具備する磁気ディスク装置の制御方法であって、
    前記検出器が検出した衝撃の回数に基づいて前記不揮発性メモリに書き込み可能なデータのサイズの閾値を設定し、
    前記不揮発性メモリへのデータの書き込みコマンドが入力されると、前記不揮発性メモリに書き込み済みのデータのサイズと前記書き込みコマンドによって書き込まれるデータのサイズとの和を算出し、
    前記算出されたデータのサイズが前記設定された閾値より大きいか否かを判別し、
    前記算出されたデータのサイズが前記閾値より大きいと判別した場合に、前記不揮発性メモリに書き込まれているデータを前記磁気ディスクに移動させ、
    前記磁気ディスクにデータを移動させた後に、前記書き込みコマンドに基づくデータを前記不揮発性メモリに書き込む
    ことを特徴とする磁気ディスク装置の制御方法。
  7. 前記検出器が単位時間当たりに検出した衝撃の回数が設定回数より多くない場合に前記閾値として第1の閾値を設定し、前記単位時間当たりに受けた衝撃の回数が設定回数より多い場合に前記閾値として前記第1の閾値より大きい第2の閾値を設定する
    ことを特徴とする請求項6記載の磁気ディスク装置の制御方法。
  8. 前記検出器は、加速度を検出する加速度センサと、設定された加速度以上の加速度を前記加速度センサが検出した場合に衝撃を受けたものとして検出するショック検出部とを有し、
    前記検出器が衝撃を検出したときの加速度の大きさの履歴を履歴格納部に格納し、
    前記履歴格納部に格納されている履歴に基づいて平均化した衝撃回数を求め、
    前記平均化された衝撃回数が設定回数より多くない場合に前記閾値として前記第1の閾値を設定し、前記平均化処理された衝撃回数が設定回数より多い場合に前記閾値として前記第1の閾値より大きい第2の閾値を設定すること
    ことを特徴とする請求項6記載の磁気ディスク装置の制御方法。
  9. 前記検出器が前記単位時間当たりに検出した衝撃回数の履歴を履歴格納部に格納し、
    前記検出器が検出した衝撃の回数が設定回数より多くない場合に前記履歴格納部に衝撃を検出した場合があるか否かを判別し、
    前記履歴格納部に前記衝撃を検出した場合があると判別した場合に第1の閾値を設定し、
    前記検出器が検出したショックの回数が設定回数より多い場合に前記閾値として前記第1の閾値より大きい第2の閾値を設定し、
    前記履歴格納部に前記衝撃を検出した場合がないと判別した場合に前記閾値として前記第1の閾値より小さい第3の閾値を設定する
    ことを特徴とする請求項6記載の磁気ディスク装置の制御方法。
  10. 前記第1の閾値を設定した後に、前記不揮発性メモリに記憶されているデータを整理する
    ことを特徴とする請求項7記載の磁気ディスク装置の制御方法。
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