JP2008032898A - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display Download PDF

Info

Publication number
JP2008032898A
JP2008032898A JP2006204623A JP2006204623A JP2008032898A JP 2008032898 A JP2008032898 A JP 2008032898A JP 2006204623 A JP2006204623 A JP 2006204623A JP 2006204623 A JP2006204623 A JP 2006204623A JP 2008032898 A JP2008032898 A JP 2008032898A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate line
liquid crystal
pixel
common electrode
crystal display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006204623A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuo Segawa
泰生 瀬川
Tomohide Onoki
智英 小野木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epson Imaging Devices Corp
Original Assignee
Epson Imaging Devices Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epson Imaging Devices Corp filed Critical Epson Imaging Devices Corp
Priority to JP2006204623A priority Critical patent/JP2008032898A/en
Publication of JP2008032898A publication Critical patent/JP2008032898A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance display quality without reducing an aperture ratio of each pixel in a liquid crystal display wherein the alignment direction of liquid crystal molecules is controlled by an electric field between electrodes on the same substrate. <P>SOLUTION: A thin film transistor TR which is connected to a gate line GL to be supplied with a pixel selection signal and is not shown in Fig. is disposed on a TFT substrate 10. The thin film transistor TR is covered by an interlayer insulating film 14, a passivation film 17 and a flattening film 18. Pixel electrode layers 19A and 19B of pixels 1A and 1B are extended to both ends or the vicinity of the both ends of the gate line GL on the flattening film 18. The pixel electrode layers 19A and 19B are covered by an insulating film 20. A common electrode part 21C covers regions partially superposed on the pixel electrode layers 19A and 19B, a region superposed on the gate line GL and regions which are not superposed on the gate line GL and extended to both sides of the gate line GL on the insulating film 20 in the vicinity of the gate line GL. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、同一基板上の電極間の電界によって液晶分子の配向方向が制御される液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device in which the alignment direction of liquid crystal molecules is controlled by an electric field between electrodes on the same substrate.

液晶表示装置の広視野角化を図る手段の一つとして、同一基板上の電極間に横方向の電界を発生させ、この電界により液晶分子を基板に平行な面内で回転させることで光スイッチング機能を持たせる方式が開発されている。この技術として、インプレイン・スイッチング(In-plane Switching,以降、「IPS」と略称する)方式や、IPS方式を改良したフリンジフィールド・スイッチング(Fringe-Field Switching,以降、「FFS」と略称する)方式が知られている。   As one of the means to increase the viewing angle of liquid crystal display devices, optical switching is performed by generating a horizontal electric field between electrodes on the same substrate and rotating the liquid crystal molecules in a plane parallel to the substrate by this electric field. A method for providing functions has been developed. As this technique, an in-plane switching (hereinafter abbreviated as “IPS”) method or a fringe field switching (hereinafter abbreviated as “FFS”) improved from the IPS method. The method is known.

従来例に係るFFS方式の液晶表示装置について図面を参照して説明する。図4は従来例に係るFFS方式の液晶表示装置を示す平面図である。この液晶表示装置には複数の画素が規則的に配置されているが、図4では、その中から後述するゲート線GLを跨いで隣接する6つの画素1C,1Dのみを示している。図5は、そのY−Y線に沿った断面図であり、画素1C,1Dの境界近傍を示している。   An FFS type liquid crystal display device according to a conventional example will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a plan view showing a conventional FFS mode liquid crystal display device. Although a plurality of pixels are regularly arranged in this liquid crystal display device, FIG. 4 shows only six pixels 1C and 1D adjacent to each other across a gate line GL described later. FIG. 5 is a cross-sectional view along the YY line, showing the vicinity of the boundary between the pixels 1C and 1D.

その概略構成を説明すると、図4に示すように、ガラス基板等の透明基板であるTFT基板10には、画素選択信号が供給されるゲート線GLと表示信号が供給される表示信号線DLが交差するように配置されている。   Referring to FIG. 4, the TFT substrate 10 which is a transparent substrate such as a glass substrate has a gate line GL to which a pixel selection signal is supplied and a display signal line DL to which a display signal is supplied. It is arranged to intersect.

TFT基板10に形成された画素1Cには、ゲート線GLに接続され、コンタクトホールCH1を通して表示信号線DLと接続された画素選択用の薄膜トランジスタTRが配置されている。   A pixel 1C formed on the TFT substrate 10 is provided with a pixel selection thin film transistor TR connected to the gate line GL and connected to the display signal line DL through the contact hole CH1.

薄膜トランジスタTRより上層には、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明金属からなり、コンタクトホールCH2,CH3を通して薄膜トランジスタTRと接続され、表示信号が供給される画素電極層19Aが配置されている。画素電極層19Aは、さらに絶縁膜を介して、共通電位が供給される不図示の共通電位線と接続された共通電極層51が配置されている。共通電極層51は、ITO等の透明金属からなる。共通電極層51には複数の共通電極部51A及びスリット部Sが配置されている。以上に示した画素1Cの構成は画素1Dについても同様であり、そこには複数の共通電極部51B及びスリット部Sが配置されている。また、ゲート線GL上では、ゲート線GLと重畳し、その幅よりも小さい幅の共通電極部51Cが配置されている。   Above the thin film transistor TR, a pixel electrode layer 19A made of a transparent metal such as ITO (Indium Tin Oxide) is connected to the thin film transistor TR through the contact holes CH2 and CH3 and supplied with a display signal. In the pixel electrode layer 19A, a common electrode layer 51 connected to a common potential line (not shown) to which a common potential is supplied is further disposed via an insulating film. The common electrode layer 51 is made of a transparent metal such as ITO. In the common electrode layer 51, a plurality of common electrode portions 51A and slit portions S are arranged. The configuration of the pixel 1C described above is the same for the pixel 1D, and a plurality of common electrode portions 51B and slit portions S are arranged there. In addition, on the gate line GL, a common electrode portion 51C that is overlapped with the gate line GL and has a width smaller than the width is arranged.

さらに、断面構成についても説明すると、図4及び図5に示すように、TFT基板10の光源BLと対向する側には、光源BLの光を直線偏光する第1の偏光板11が形成されている。TFT基板10の光源BLと対向しない側には、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなる不図示のバッファ膜を介して、不図示の薄膜トランジスタTRが配置されている。不図示の薄膜トランジスタTRは、ポリシリコン等からなる能動層PSと、能動層PSを覆うゲート絶縁膜13と、その上に配置されたゲート線GLからなる。薄膜トランジスタTRは、ゲート線GLに供給された画素選択信号に応じてスイッチングする。これらの層は層間絶縁膜14により覆われている。層間絶縁膜14上には、能動層PSのドレイン領域と接続された不図示の表示信号線DLが配置されている。その上には、さらにパッシベーション膜17及び平坦化膜18が配置されている。平坦化膜18上には、各画素1C,1Dの画素電極層19A,19B、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなり画素電極層19A,19Bを覆う絶縁膜20、共通電極部51A,51Bがこの順で積層されている。なお、画素電極層19A,19Bの端部は、ゲート線GLと重畳していないものとする。また、絶縁膜20上には、画素電極層19A,19Bを覆う不図示の配向膜が形成されている。   Further, the cross-sectional configuration will be described. As shown in FIGS. 4 and 5, a first polarizing plate 11 that linearly polarizes light from the light source BL is formed on the side of the TFT substrate 10 facing the light source BL. Yes. On the side of the TFT substrate 10 not facing the light source BL, a thin film transistor TR (not shown) is arranged via a buffer film (not shown) made of a silicon oxide film or a silicon nitride film. A thin film transistor TR (not shown) includes an active layer PS made of polysilicon or the like, a gate insulating film 13 covering the active layer PS, and a gate line GL disposed thereon. The thin film transistor TR switches according to the pixel selection signal supplied to the gate line GL. These layers are covered with an interlayer insulating film 14. A display signal line DL (not shown) connected to the drain region of the active layer PS is disposed on the interlayer insulating film 14. A passivation film 17 and a planarizing film 18 are further disposed thereon. On the planarizing film 18, pixel electrode layers 19A and 19B of the pixels 1C and 1D, an insulating film 20 made of a silicon oxide film or a silicon nitride film and covering the pixel electrode layers 19A and 19B, and common electrode portions 51A and 51B are provided. They are stacked in order. Note that the end portions of the pixel electrode layers 19A and 19B do not overlap with the gate line GL. An alignment film (not shown) that covers the pixel electrode layers 19A and 19B is formed on the insulating film 20.

また、TFT基板10と対向して、ガラス基板等の透明基板であるカラーフィルタ基板(以降、「CF基板」と略称する)30が配置されている。TFT基板10と対向する側のCF基板30には、表示信号線DLと対向するブラックマトリクスBM、及び不図示のカラーフィルタ及び配向膜が形成されている。また、TFT基板10と対向しない側のCF基板30には、第1の偏光板11とクロスニコル配置された第2の偏光板31が形成されている。また、TFT基板10とCF基板30との間には、液晶層LCが封止されている。液晶層LCの液晶分子は、例えば正の誘電率異方性を有したネマティック液晶である。この液晶分子の長軸の平均的な配向方向(以降、単に「配向方向」と略称する)は、配向膜のラビング方向によって第1の偏光板11の偏光軸と平行になっている。なお、ラビング方向は、スリット部Sの長手方向に対して3度〜20度程度傾けられている。また、観察側となるCF基板30の観察側表面に不図示のITO等の透明電極膜を形成し、液晶表示装置外部からの静電気等のダメージが液晶層LCに及ばないようにしている。または、同様の効果を得るために、観察側の第2の偏光板31に導電性を持たせている。   A color filter substrate (hereinafter abbreviated as “CF substrate”) 30, which is a transparent substrate such as a glass substrate, is disposed facing the TFT substrate 10. On the CF substrate 30 facing the TFT substrate 10, a black matrix BM facing the display signal lines DL, a color filter (not shown), and an alignment film are formed. In addition, a second polarizing plate 31 arranged in crossed Nicols with the first polarizing plate 11 is formed on the CF substrate 30 on the side not facing the TFT substrate 10. A liquid crystal layer LC is sealed between the TFT substrate 10 and the CF substrate 30. The liquid crystal molecules of the liquid crystal layer LC are, for example, nematic liquid crystals having positive dielectric anisotropy. The average alignment direction of the major axes of the liquid crystal molecules (hereinafter simply referred to as “alignment direction”) is parallel to the polarization axis of the first polarizing plate 11 depending on the rubbing direction of the alignment film. The rubbing direction is tilted by about 3 to 20 degrees with respect to the longitudinal direction of the slit portion S. Further, a transparent electrode film such as ITO (not shown) is formed on the observation side surface of the CF substrate 30 serving as the observation side so that damage such as static electricity from the outside of the liquid crystal display device does not reach the liquid crystal layer LC. Alternatively, in order to obtain the same effect, the second polarizing plate 31 on the observation side is made conductive.

上記液晶表示装置では、画素電極層19A,19Bに電圧が印加されない状態では、液晶層LCの液晶分子の配向方向が第1の偏光板11の偏光軸と平行な傾きとなる。このとき、液晶層LCを透過する直線偏光は、その偏光軸が第2の偏光板31の偏光軸と直交するため、第2の偏光板31から出射されない。即ち表示状態は黒表示となる。   In the liquid crystal display device, in the state where no voltage is applied to the pixel electrode layers 19 </ b> A and 19 </ b> B, the alignment direction of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer LC is inclined parallel to the polarization axis of the first polarizing plate 11. At this time, the linearly polarized light transmitted through the liquid crystal layer LC is not emitted from the second polarizing plate 31 because its polarization axis is orthogonal to the polarizing axis of the second polarizing plate 31. That is, the display state is black display.

一方、画素電極層19A,19Bに電圧が印加され、画素電極層19A,19Bと共通電極部51A,51Bとの間に電界が生じると、液晶分子の配向方向がその電界の電気力線に沿うようにして回転する。このとき、液晶層LCに入射した直線偏光は複屈折により楕円偏光となるが、第2の偏光板31を透過する直線偏光成分を有することになり、この場合の表示状態は白表示となる。   On the other hand, when a voltage is applied to the pixel electrode layers 19A and 19B and an electric field is generated between the pixel electrode layers 19A and 19B and the common electrode portions 51A and 51B, the alignment direction of the liquid crystal molecules follows the electric lines of force of the electric field. Rotate. At this time, the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer LC becomes elliptically polarized light due to birefringence, but has a linearly polarized light component transmitted through the second polarizing plate 31, and the display state in this case is white display.

なお、本願に関連する技術文献としては、以下の特許文献が挙げられる。
特開2003−57670号公報
In addition, the following patent documents are mentioned as technical documents relevant to the present application.
JP 2003-57670 A

上述した液晶表示装置では、図5に示すように、ゲート線GLを跨いで隣接する画素1C,1Dにおいて、ゲート線GLから漏れる電界によって、いわゆる焼き付き不良(以降、「焼き付き」と略称する)が生じるという問題があった。隣接する画素1C,1Dにおける焼き付きは、1表示フレーム期間内の大部分において、直流信号(DC電流)である画素選択信号が供給されるゲート線GLの電位が、画素電極層19A,19B又は共通電極層51の間の液晶層LCに影響することにより生じる。   In the above-described liquid crystal display device, as shown in FIG. 5, in the adjacent pixels 1 </ b> C and 1 </ b> D across the gate line GL, a so-called burn-in defect (hereinafter abbreviated as “burn-in”) occurs due to an electric field leaking from the gate line GL. There was a problem that occurred. The burn-in in the adjacent pixels 1C and 1D means that in most of one display frame period, the potential of the gate line GL to which a pixel selection signal which is a direct current signal (DC current) is supplied is common to the pixel electrode layers 19A and 19B. This is caused by affecting the liquid crystal layer LC between the electrode layers 51.

例として、ゲート線GLに供給される画素選択信号がローレベル(−5V)、共通電極層51の共通電位を接地電位(0V)、各画素1C,1Dの画素電極層19A,19Bに供給される表示信号を黒表示レベル(0V)とする場合を考える。   As an example, the pixel selection signal supplied to the gate line GL is low level (−5V), the common potential of the common electrode layer 51 is the ground potential (0V), and the pixel electrode layers 19A and 19B of the pixels 1C and 1D are supplied. Let us consider a case where the display signal is a black display level (0 V).

このとき、各画素1C,1D内では、黒表示レベルの各画素電極層19A,19Bと共通電極部51A,51B,51Cとの間には電界が生じない。しかし一方で、ゲート線GLと画素電極層19A,19Bとの間、又はゲート線GLと共通電極部51A,51B,51Cとの間には、画素電極層19A,19Bと共通電極部51Cとの間を通して漏れ電界が生じる。このゲート線GLの電位による漏れ電界が、ゲート線GL近傍における同一箇所の液晶分子に高頻度で加わることにより、液晶層LC中のイオン性不純物が移動するなどの原因で焼き付きが発生する。即ち、表示品位が低下していた。   At this time, no electric field is generated between the pixel electrode layers 19A and 19B at the black display level and the common electrode portions 51A, 51B, and 51C in the pixels 1C and 1D. However, between the gate line GL and the pixel electrode layers 19A and 19B, or between the gate line GL and the common electrode portions 51A, 51B, and 51C, the pixel electrode layers 19A and 19B and the common electrode portion 51C are connected. A leakage electric field is generated between them. The leakage electric field due to the potential of the gate line GL is frequently applied to the liquid crystal molecules at the same location in the vicinity of the gate line GL, thereby causing burn-in due to the movement of ionic impurities in the liquid crystal layer LC. That is, the display quality was lowered.

さらに、この問題に加えて、一方の画素1Cの画素電極層19Aが白表示レベル、他方の画素1Dの画素電極層19Bが黒表示レベルである場合、隣接する画素電極層19A,19B間にも不要な電界が生じていた。この不要な電界により、本来ならば黒表示となるはずの画素1Dの一部の液晶分子が回転し、それに伴って白表示となる部分、即ち光抜けする部分が存在することになる。隣接する画素1C,1Dが互いに異なる表示色に対応したカラーフィルタを有している場合には、混色による表示品位の低下が生じていた。   Further, in addition to this problem, when the pixel electrode layer 19A of one pixel 1C is at a white display level and the pixel electrode layer 19B of the other pixel 1D is at a black display level, the pixel electrode layer 19A between the adjacent pixel electrode layers 19A and 19B An unnecessary electric field was generated. Due to this unnecessary electric field, a part of the liquid crystal molecules of the pixel 1D that should normally display black is rotated, and accordingly, there is a portion where white display is performed, that is, a portion where light is lost. When adjacent pixels 1C and 1D have color filters corresponding to different display colors, display quality is deteriorated due to color mixture.

このような問題に対しては、焼き付き等が生じる領域をブラックマトリクスBMにより覆うという対策が考えられるが、この場合、ブラックマトリクスBMの形成領域が広がり、各画素1C,1Dの開口率が低下して輝度が低下するという問題が生じていた。   To deal with such a problem, it is conceivable to cover the area where image sticking or the like occurs with the black matrix BM. In this case, however, the area where the black matrix BM is formed widens, and the aperture ratio of each pixel 1C, 1D decreases. As a result, there has been a problem that the luminance is lowered.

そこで本発明は、同一基板上の電極間の電界によって液晶分子の配向方向が制御される液晶表示装置において、各画素の開口率を低下させずに表示品位の向上を図るものである。   Therefore, the present invention aims to improve display quality without reducing the aperture ratio of each pixel in a liquid crystal display device in which the orientation direction of liquid crystal molecules is controlled by an electric field between electrodes on the same substrate.

即ち、本発明の液晶表示装置は、複数の画素を有し、各画素は、画素選択信号が供給されるゲート線に接続され画素選択信号に応じてスイッチングする薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電極層と、画素電極層を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に配置された共通電極層と、共通電極層上に配置された液晶層と、を備え、共通電極層は、複数の共通電極部とスリット部を有し、共通電極部は、ゲート線上からゲート線の両側に延びる領域を覆うことを特徴とする。また、本発明の液晶表示装置は、上記構成に加えて、共通電極部において、ゲート線の両側に延びる領域は、画素電極層の一部と重畳することを特徴とする。   That is, the liquid crystal display device of the present invention has a plurality of pixels, each pixel being connected to a gate line to which a pixel selection signal is supplied and switching in accordance with the pixel selection signal, and a pixel connected to the thin film transistor An electrode layer; an insulating film covering the pixel electrode layer; a common electrode layer disposed on the insulating film; and a liquid crystal layer disposed on the common electrode layer, wherein the common electrode layer includes a plurality of common electrode portions. The common electrode portion covers a region extending from the gate line to both sides of the gate line. In addition to the above structure, the liquid crystal display device of the present invention is characterized in that regions extending on both sides of the gate line overlap with part of the pixel electrode layer in the common electrode portion.

係る構成により、ゲート線に隣接する画素において、ゲート線から漏れる電界を起因とする画素の焼き付き等が抑止されるため、表示品位が向上する。また、焼き付き等が生じる領域を遮光する必要が無いため、ブラックマトリクスの領域が小さくなり、各画素の開口率を向上させることができる。   With such a configuration, in a pixel adjacent to the gate line, image sticking or the like due to an electric field leaking from the gate line is suppressed, and thus display quality is improved. In addition, since it is not necessary to shield a region where burn-in or the like occurs, the black matrix region is reduced, and the aperture ratio of each pixel can be improved.

本発明によれば、同一基板上の電極間の電界によって液晶分子の配向方向が制御される液晶表示装置において、各画素の開口率を低下させずに表示品位の向上を図ることができる。   According to the present invention, in a liquid crystal display device in which the alignment direction of liquid crystal molecules is controlled by an electric field between electrodes on the same substrate, display quality can be improved without reducing the aperture ratio of each pixel.

本発明の実施形態に係る表示装置の構成について図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置を示す平面図である。この液晶表示装置には複数の画素がマトリクス状に配置されているが、図1では、その中からゲート線GLを跨いで隣接する6つの画素1A,1Bのみを示している。図2は、そのX−X線に沿った断面図であり、画素1A,1Bの境界近傍を示している。なお、図1及び図2では、図4及び図5に示したものと同一の構成要素については同一の符号を付して参照している。   A configuration of a display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. In this liquid crystal display device, a plurality of pixels are arranged in a matrix. In FIG. 1, only six pixels 1A and 1B adjacent to each other across the gate line GL are shown. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line XX, and shows the vicinity of the boundary between the pixels 1A and 1B. In FIGS. 1 and 2, the same components as those shown in FIGS. 4 and 5 are referred to with the same reference numerals.

本実施形態の液晶表示装置は、後述する共通電極層21の構成に特徴を有するものである。その他の構成については図4及び図5に示した構成要素と同一であるため、その説明を省略する。   The liquid crystal display device of the present embodiment is characterized by the configuration of the common electrode layer 21 described later. Other configurations are the same as the components shown in FIGS. 4 and 5, and thus description thereof is omitted.

図1及び図2示すように、ゲート線GLを跨いで隣接する画素1A及び画素1Bが配置されている。これらの画素1A,1Bを覆う共通電極層21は、ITO等の透明金属からなり、複数の共通電極部21A,21B、21C及びスリット部Sを有している。一方の画素1Aには共通電極部21Aが配置され、他方の画素1Bには共通電極部21Bが配置されている。また、ゲート線GL上には、それを覆う共通電極部21Cが配置されている。スリット部Sの長手方向は、ゲート線GLに沿って延びている。スリット部Sの長手方向は、ゲート線GLに対して、例えば約3度〜30度程度の傾きを有していてもよい。   As shown in FIGS. 1 and 2, adjacent pixels 1 </ b> A and 1 </ b> B are arranged across the gate line GL. The common electrode layer 21 covering these pixels 1A, 1B is made of a transparent metal such as ITO, and has a plurality of common electrode portions 21A, 21B, 21C and a slit portion S. The common electrode portion 21A is disposed on one pixel 1A, and the common electrode portion 21B is disposed on the other pixel 1B. Further, a common electrode portion 21C is disposed on the gate line GL so as to cover it. The longitudinal direction of the slit portion S extends along the gate line GL. The longitudinal direction of the slit portion S may have an inclination of, for example, about 3 degrees to 30 degrees with respect to the gate line GL.

共通電極層21について、さらに詳しく説明すると、ゲート線GLを覆う共通電極部21Cは、ゲート線GLと重畳する領域、ゲート線GLと重畳せずにゲート線GLの両側に延びる領域を覆っている。また、共通電極部21Cにおいて、ゲート線GLの両側に延びる領域は、画素電極層19A,19Bの一部、即ちゲート線GLと対向する側の端部の領域と重畳している。   The common electrode layer 21 will be described in more detail. The common electrode portion 21C covering the gate line GL covers a region overlapping with the gate line GL and a region extending on both sides of the gate line GL without overlapping with the gate line GL. . Further, in the common electrode portion 21C, regions extending on both sides of the gate line GL overlap with part of the pixel electrode layers 19A and 19B, that is, the end region on the side facing the gate line GL.

ここで、共通電極部21Aにおいて、ゲート線GLと重畳する領域の幅をWgとし、ゲート線GLの両側に延びる各領域の幅をWsとする。ただし、幅Wsのうち、画素電極層19A,19Bの一部と重畳する領域の幅をL1とし、ゲート線GLの端と、それに対向する画素電極層19A,19Bの端との距離をL2とする。また、画素1A,1BのセルギャップをHとし、画素電極層19A,19Bと共通電極部21A,21B,21Cに挟まれた絶縁膜20の厚さをDとする。   Here, in the common electrode portion 21A, the width of the region overlapping with the gate line GL is Wg, and the width of each region extending on both sides of the gate line GL is Ws. However, of the width Ws, the width of the region overlapping with a part of the pixel electrode layers 19A and 19B is L1, and the distance between the end of the gate line GL and the end of the pixel electrode layers 19A and 19B facing the same is L2. To do. Further, the cell gap of the pixels 1A and 1B is H, and the thickness of the insulating film 20 sandwiched between the pixel electrode layers 19A and 19B and the common electrode portions 21A, 21B, and 21C is D.

このとき、(Wg+Ws)>Hを満たすことが好ましい。さらにいえば、(Wg+Ws)>約4.5μmとなることが好ましい。また、L1>Dとなることが好ましい。なお、ゲート線の幅は約2.0〜10μm、セルギャップHは約2.0〜5.0μm、絶縁膜20の厚さDは0.1〜1.0μmである。   At this time, it is preferable to satisfy (Wg + Ws)> H. Furthermore, it is preferable that (Wg + Ws)> about 4.5 μm. Moreover, it is preferable that L1> D. The width of the gate line is about 2.0 to 10 μm, the cell gap H is about 2.0 to 5.0 μm, and the thickness D of the insulating film 20 is 0.1 to 1.0 μm.

上記構成によれば、共通電極部21Cは、ゲート線GL上のみならず、ゲート線GLの両側に至る領域を覆うと共に、画素電極層19A,19Bの一部と重畳している。そのため、ゲート線GLと画素電極層19A,19Bとの間、又はゲート線GLと共通電極部51A,51B,51Cとの間に、画素電極層19A,19Bと共通電極部21Cとの間を通して、ゲート線GLの電位による漏れ電界が生じることが抑止される。即ち、ゲート線GL近傍における焼き付きが抑止され、それに伴う表示不良が抑止される。   According to the above configuration, the common electrode portion 21C covers not only the gate line GL but also a region reaching both sides of the gate line GL, and overlaps part of the pixel electrode layers 19A and 19B. Therefore, between the gate line GL and the pixel electrode layers 19A, 19B, or between the gate line GL and the common electrode portions 51A, 51B, 51C, between the pixel electrode layers 19A, 19B and the common electrode portion 21C, Generation of a leakage electric field due to the potential of the gate line GL is suppressed. That is, burn-in in the vicinity of the gate line GL is suppressed, and display defects associated therewith are suppressed.

また、ゲート線GLを跨いで隣接する各画素電極層19A,19Bに、表示レベルの異なる電圧(例えば白表示レベル4Vと黒表示レベル0V)がそれぞれ印加されたとしても、それらの画素電極層19Aと画素電極層19Bとの間では、互いを結ぶ電気力線が届かなくなる。従って、隣接する画素において、液晶分子を不要に回転させる電界、即ち、光り抜けの要因となるような電界は生じない。   Further, even when voltages having different display levels (for example, white display level 4V and black display level 0V) are applied to the adjacent pixel electrode layers 19A and 19B across the gate line GL, the pixel electrode layers 19A. And the pixel electrode layer 19B cannot reach the lines of electric force that connect each other. Therefore, in an adjacent pixel, an electric field that rotates liquid crystal molecules unnecessarily, that is, an electric field that causes light leakage does not occur.

この液晶表示装置の動作は、電界による液晶分子の制御については従来例に係るものと同様であるが、上述したようにゲート線GLを跨いで隣接する画素1A,1B間において、焼き付き及び光抜けが抑止されるため、従来例に比して表示品位が向上する。隣接する画素1A、1Bが互いに異なる表示色に対応したカラーフィルタを有している場合には、焼き付き及び光抜けを起因とする混色の発生を抑止することができる。   The operation of the liquid crystal display device is the same as that of the related art in controlling the liquid crystal molecules by the electric field. However, as described above, burn-in and light leakage occur between the adjacent pixels 1A and 1B across the gate line GL. Therefore, the display quality is improved as compared with the conventional example. When the adjacent pixels 1A and 1B have color filters corresponding to different display colors, it is possible to suppress the occurrence of color mixing caused by image sticking and light leakage.

また、焼き付き等が生じる領域を遮光する必要が無いため、ブラックマトリクスBMの領域が小さくなり、各画素1A,1Bの開口率を向上することができる。即ち、表示の際の輝度が低下しない。また、設計上の観点では、焼き付き等が生じる領域を遮光する必要が無いため、製造プロセス上の制限によるブラックマトリクスBMの形成位置のずれを厳格に考慮する必要がなくなる。   In addition, since it is not necessary to shield a region where burn-in or the like occurs, the region of the black matrix BM can be reduced, and the aperture ratio of each of the pixels 1A and 1B can be improved. That is, the luminance at the time of display does not decrease. Further, from the viewpoint of design, since it is not necessary to shield a region where burn-in or the like occurs, it is not necessary to strictly consider the deviation in the formation position of the black matrix BM due to a limitation in the manufacturing process.

なお、上記実施形態の一部を変更した他の実施形態として、図3に示すように、共通電極層21の替わりに、共通電極部41A,41B及びスリット部Sの長手方向がゲート線GLと直交する方向に沿って延びる共通電極層41が配置されてもよい。スリット部Sの長手方向は、ゲート線GLと直交する方向に対して、例えば約3度〜30度程度の傾きを有していてもよい。   As another embodiment in which a part of the above embodiment is changed, as shown in FIG. 3, the longitudinal direction of the common electrode portions 41A and 41B and the slit portion S is the gate line GL instead of the common electrode layer 21. A common electrode layer 41 extending along the orthogonal direction may be disposed. The longitudinal direction of the slit portion S may have an inclination of, for example, about 3 degrees to 30 degrees with respect to the direction orthogonal to the gate line GL.

また、図1では、画素1A,1Bの配置関係は、画素1Aと画素1Bがゲート線GLに沿って互いにずれて配置されたデルタ配列であるが、各画素1A,1Bが互いにずれることなくマトリクス状に配置されたストライプ配列でもよい。   In FIG. 1, the arrangement relationship between the pixels 1A and 1B is a delta arrangement in which the pixels 1A and 1B are arranged so as to be shifted from each other along the gate line GL, but the pixels 1A and 1B are not shifted from each other. Alternatively, a stripe arrangement may be used.

本発明の実施形態に係る液晶表示装置を示す平面図である。It is a top view which shows the liquid crystal display device which concerns on embodiment of this invention. 図1のX−X線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XX line of FIG. 本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置を示す平面図である。It is a top view which shows the liquid crystal display device which concerns on other embodiment of this invention. 従来例に係る液晶表示装置を示す平面図である。It is a top view which shows the liquid crystal display device which concerns on a prior art example. 図4のY−Y線に沿った断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line YY in FIG. 4.

符号の説明Explanation of symbols

1A,1B,1C,1D 画素
10 TFT基板 11 第1の偏光板
13 ゲート絶縁膜 14 層間絶縁膜
17 パッシベーション膜 18 平坦化膜
19A,19B 画素電極層 20 絶縁膜
21,41,51 共通電極層
21A,21B,41A,41B,51A,51B 共通電極部
30 CF基板 31 第2の偏光板
LC 液晶層 BL 光源
TR 薄膜トランジスタ PS 能動層
GL ゲート線 DL 表示信号線
S スリット BM ブラックマトリクス
CH1〜CH3 コンタクトホール
1A, 1B, 1C, 1D Pixel 10 TFT substrate 11 First polarizing plate
13 Gate insulation film 14 Interlayer insulation film
17 Passivation film 18 Planarization film 19A, 19B Pixel electrode layer 20 Insulating film 21, 41, 51 Common electrode layer 21A, 21B, 41A, 41B, 51A, 51B Common electrode portion 30 CF substrate 31 Second polarizing plate LC Liquid crystal layer BL light source TR thin film transistor PS active layer
GL gate line DL display signal line
S Slit BM Black matrix CH1 to CH3 Contact hole

Claims (6)

複数の画素を有し、
各画素は、画素選択信号が供給されるゲート線に接続され前記画素選択信号に応じてスイッチングする薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極層と、前記画素電極層を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置された共通電極層と、前記共通電極層上に配置された液晶層と、を備え、
前記共通電極層は、複数の共通電極部とスリット部を有し、前記共通電極部は、前記ゲート線上から前記ゲート線の両側に延びる領域を覆うことを特徴とする液晶表示装置。
Having a plurality of pixels,
Each pixel includes a thin film transistor that is connected to a gate line to which a pixel selection signal is supplied and switches according to the pixel selection signal, a pixel electrode layer connected to the thin film transistor, an insulating film that covers the pixel electrode layer, A common electrode layer disposed on the insulating film, and a liquid crystal layer disposed on the common electrode layer,
The liquid crystal display device, wherein the common electrode layer has a plurality of common electrode portions and slit portions, and the common electrode portion covers a region extending from the gate line to both sides of the gate line.
前記共通電極部において、前記ゲート線の両側に延びる領域は、前記画素電極層の一部と重畳することを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein in the common electrode portion, regions extending on both sides of the gate line overlap with a part of the pixel electrode layer. 前記共通電極部において、前記ゲート線と重畳する領域の幅をWgとし、前記ゲート線の両側に延びる各領域の幅をWsとし、前記画素のセルギャップをHとすると、(Wg+Ws)>Hを満たすことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶表示装置。 In the common electrode portion, assuming that the width of the region overlapping with the gate line is Wg, the width of each region extending on both sides of the gate line is Ws, and the cell gap of the pixel is H, (Wg + Ws)> H The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is satisfied. (Wg+Ws)>4.5μmを満たすことを特徴とする請求項3記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 3, wherein (Wg + Ws)> 4.5 μm is satisfied. 前記スリット部の長手方向が前記ゲート線に沿って延びることを特徴とする請求項1、2、3、4のいずれかに記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a longitudinal direction of the slit portion extends along the gate line. 前記スリット部の長手方向が前記ゲート線と直交する方向に沿って延びることを特徴とする請求項1、2、3、4のいずれかに記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a longitudinal direction of the slit portion extends along a direction orthogonal to the gate line.
JP2006204623A 2006-07-27 2006-07-27 Liquid crystal display Withdrawn JP2008032898A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006204623A JP2008032898A (en) 2006-07-27 2006-07-27 Liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006204623A JP2008032898A (en) 2006-07-27 2006-07-27 Liquid crystal display

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008032898A true JP2008032898A (en) 2008-02-14

Family

ID=39122410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006204623A Withdrawn JP2008032898A (en) 2006-07-27 2006-07-27 Liquid crystal display

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008032898A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102636921A (en) * 2011-12-01 2012-08-15 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, liquid crystal panel and display device
WO2014161258A1 (en) * 2013-04-01 2014-10-09 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, display apparatus, and manufacturing method for array substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102636921A (en) * 2011-12-01 2012-08-15 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, liquid crystal panel and display device
WO2013078903A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-06 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, liquid crystal panel and display device
US9195100B2 (en) 2011-12-01 2015-11-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, liquid crystal panel and display device with pixel electrode and common electrode whose projections are overlapped
WO2014161258A1 (en) * 2013-04-01 2014-10-09 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, display apparatus, and manufacturing method for array substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4061416B2 (en) Liquid crystal display
US7679707B2 (en) Liquid crystal display device comprising a first electrode in contact with a bottom surface and a second electrode in contact with a top surface of a single layer insulating film comprising concave and convex portions
US8687134B2 (en) Liquid crystal display device
TWI420209B (en) Liquid crystal display device
US20070200990A1 (en) Liquid crystal display device
JP5513859B2 (en) LCD panel
JP2010014847A (en) Liquid crystal display panel
JP2006031022A (en) Liquid crystal display unit
JP2007279634A (en) In-plane switching type liquid crystal display device
JP2010181571A (en) Liquid crystal display device
TWI518422B (en) Display panel
JP4449958B2 (en) FFS liquid crystal display panel
JP2009181091A (en) Liquid crystal display device
JP4609525B2 (en) Liquid crystal display device
JP2008032897A (en) Liquid crystal display
JP2011158690A (en) Liquid crystal display panel and electronic apparatus
JP2007206292A (en) Transflective liquid crystal display device
JP4407677B2 (en) Horizontal electric field LCD panel
JP2007293154A (en) Liquid crystal display device
JP2009288373A (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP2009069332A (en) Liquid crystal display panel
JP2009186870A (en) Liquid crystal display panel
JP5046229B2 (en) Liquid crystal display
EP3040769B1 (en) Liquid crystal display device
JP2007219370A (en) Liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080714

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080725

A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20091006