JP2008028223A - Optical semiconductor device, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an optical semiconductor device capable of preventing resin for protective films from leaking and reducing manufacturing time, and to provide an optical semiconductor device. <P>SOLUTION: The manufacturing method of an optical semiconductor device comprises: a substrate adhesion process for adhering a base substrate 2, and a frame substrate 3 where an opening 3a is formed by hot pressing using a heat-bonding sheet 4; an element installation process for installing a light-emitting diode 5 at a prescribed region on the base substrate 2 exposed from the opening 3a of the frame substrate 3; and a protective film formation process for filling resin to form a protective film 6 at the opening 3a of the frame substrate 3 and then forming the protective film 6 having a flat surface by hardening the resin at room temperature. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、一対の基板を備えた光半導体装置の製造方法及び光半導体装置に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an optical semiconductor device including a pair of substrates and an optical semiconductor device.

従来、基板と開口部が形成された枠や基板を接着し、その開口部に受光又は発光半導体素子を設けた光半導体装置及びその製造方法が知られている。   2. Description of the Related Art Conventionally, an optical semiconductor device in which a frame and a substrate on which a substrate and an opening are formed are bonded and a light receiving or light emitting semiconductor element is provided in the opening and a manufacturing method thereof are known.

例えば、特許文献１には、基板と、開口部が形成された枠と、半導体素子と、樹脂製の保護膜とを備えた光半導体装置が開示されている。この半導体装置では、基板と枠とが接着剤により接着されている。枠の開口部により露出された基板の面上には、半導体素子が設置されるとともに、半導体素子と基板上の配線とがワイヤボンディングされている。また、枠の開口部には、半導体素子及びワイヤを保護するための樹脂製の保護膜が充填されている。
実開昭５９−２６２５４号公報 For example, Patent Document 1 discloses an optical semiconductor device including a substrate, a frame in which an opening is formed, a semiconductor element, and a protective film made of resin. In this semiconductor device, the substrate and the frame are bonded with an adhesive. A semiconductor element is installed on the surface of the substrate exposed by the opening of the frame, and the semiconductor element and a wiring on the substrate are wire-bonded. The opening of the frame is filled with a protective film made of resin for protecting the semiconductor element and the wire.
Japanese Utility Model Publication No.59-26254

しかしながら、上述の特許文献１の光半導体装置では、枠と基板とを接着剤によって接着しているが、接着剤を枠と基板との間に均等に塗布することは困難である。このため、枠と基板との間には、隙間ができるために接着後に充填される保護膜用の樹脂の粘度が低いと、樹脂が基板と枠との間に形成された隙間を通って外部へ漏れるといった問題があった。また、樹脂の漏れを防ぐために粘度の高い樹脂を採用した場合、枠の開口部の全体に樹脂を行き渡らせ、樹脂の表面を平坦にすることが困難であり、また、できたとしても必要な時間が増大するために製造時間が長くなるといった問題があった。   However, in the above-described optical semiconductor device of Patent Document 1, the frame and the substrate are bonded with an adhesive, but it is difficult to apply the adhesive evenly between the frame and the substrate. For this reason, since a gap is formed between the frame and the substrate, when the viscosity of the resin for the protective film filled after bonding is low, the resin passes through the gap formed between the substrate and the frame and is externally passed. There was a problem of leaking. In addition, when a resin with high viscosity is used to prevent resin leakage, it is difficult to evenly spread the resin over the entire opening of the frame and flatten the surface of the resin. There is a problem that the manufacturing time becomes longer due to the increase in time.

本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、保護膜用の樹脂の漏れを防ぎ、製造時間を短縮することが可能な光半導体装置の製造方法及び光半導体装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides an optical semiconductor device manufacturing method and an optical semiconductor device capable of preventing leakage of a resin for a protective film and reducing manufacturing time. The purpose is to do.

上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、第１基板と開口部が形成された第２基板とを熱接着シートを用いた熱プレスによって接着する基板接着工程と、前記第２基板の開口部により露出される前記第１基板の領域に受光又は発光半導体素子を設置する素子設置工程と、前記第１基板に接着された前記第２基板の開口部に樹脂を充填した後、前記樹脂の表面が平坦になるように硬化させて保護膜を形成する保護膜形成工程とを供えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法である。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate bonding step in which the first substrate and the second substrate in which the opening is formed are bonded by hot pressing using a heat bonding sheet; An element installation step of installing a light-receiving or light-emitting semiconductor element in a region of the first substrate exposed by the opening of the substrate, and after filling the opening of the second substrate bonded to the first substrate with a resin, A method of manufacturing an optical semiconductor device, comprising: a protective film forming step of forming a protective film by curing the resin surface to be flat.

また、請求項２記載の発明は、前記素子設置工程は、前記基板接着工程の後に行われることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置の製造方法である。   The invention according to claim 2 is the method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 1, wherein the element installation step is performed after the substrate bonding step.

また、請求項３記載の発明は、前記熱接着シートには、前記第２基板の開口部よりも小さい開口部が形成された状態で、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法である。   According to a third aspect of the present invention, the thermal adhesive sheet is disposed between the first substrate and the second substrate in a state where an opening smaller than the opening of the second substrate is formed. 3. The method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 1, wherein the optical semiconductor device is manufactured.

また、請求項４記載の発明は、前記保護膜形成工程は、室温で行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法である。尚、ここでいう「室温」とは、非加熱で約０℃〜約４０℃の温度のことである。   The invention according to claim 4 is the method for manufacturing an optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, wherein the protective film forming step is performed at room temperature. Here, “room temperature” means a temperature of about 0 ° C. to about 40 ° C. without heating.

また、請求項５記載の発明は、前記保護膜形成工程は、大気圧以下の雰囲気中で行われることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法である。   According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an optical semiconductor device according to any one of the first to fourth aspects, the protective film forming step is performed in an atmosphere at atmospheric pressure or lower. It is.

また、請求項６記載の発明は、前記第１基板及び第２基板は同じ材料からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法である。   The invention according to claim 6 is the method for manufacturing an optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 5, wherein the first substrate and the second substrate are made of the same material.

また、請求項７記載の発明は、前記第２基板の開口部の内壁部は黒色に塗布された後、第１基板に接着されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法である。   According to a seventh aspect of the present invention, the inner wall of the opening of the second substrate is applied in black and then adhered to the first substrate. The manufacturing method of the optical semiconductor device as described in 1 above.

また、請求項８記載の発明は、第１基板と、開口部が形成された第２基板と、前記第２基板の開口部により露出された前記第１基板の領域に設けられた受光又は発光半導体素子と、前記受光又は発光半導体素子を覆うように前記第２基板の開口部に表面が平坦になるように形成された保護膜とを備え、前記第１基板と前記第２基板は、熱接着シートを用いた熱プレスにより接着されていることを特徴とする光半導体装置である。   The invention according to claim 8 is the first substrate, the second substrate in which the opening is formed, and the light reception or light emission provided in the region of the first substrate exposed by the opening of the second substrate. A semiconductor element, and a protective film formed on the opening of the second substrate so as to cover the light-receiving or light-emitting semiconductor element so that the surface is flat. The first substrate and the second substrate The optical semiconductor device is bonded by hot pressing using an adhesive sheet.

本発明の光半導体装置の製造方法によれば、基板接着工程において熱接着シートを用いた熱プレスにより第１基板と第２基板とを接着しているので、第１基板と第２基板との間に隙間を形成することなく容易に両基板を接着することができる。これにより、保護膜形成工程において、第２基板の開口部に保護膜を構成する樹脂を充填する際に、両基板間からの樹脂漏れを防止することができる。   According to the method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention, the first substrate and the second substrate are bonded to each other by hot pressing using a heat bonding sheet in the substrate bonding step. Both substrates can be easily bonded without forming a gap therebetween. Accordingly, in the protective film forming step, when the resin constituting the protective film is filled in the opening of the second substrate, it is possible to prevent resin leakage from between the two substrates.

また、保護膜形成工程において樹脂漏れを防ぐことができるので、低粘度の樹脂を用いて保護膜を形成することができる。これにより、第２基板の開口部に樹脂を行き渡らせて保護膜の表面を平坦にするのに必要な時間を短縮することができる。   Moreover, since the resin leakage can be prevented in the protective film forming step, the protective film can be formed using a low-viscosity resin. As a result, the time required to flatten the surface of the protective film by spreading the resin over the opening of the second substrate can be shortened.

また、第１基板及び第２基板を接着した後、保護膜形成工程を行うので、基板接着工程の熱プレスの加熱に起因する透明度等の保護膜の特性の劣化を防ぐことができる。   In addition, since the protective film forming step is performed after the first substrate and the second substrate are bonded, it is possible to prevent the deterioration of the protective film characteristics such as transparency due to the heating in the substrate bonding step.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。図１は、本発明による光半導体装置の断面図である。図２は、本発明による光半導体装置の平面図である。尚、図１は、図２におけるＡ−Ａ線に沿った断面図である。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of an optical semiconductor device according to the present invention. FIG. 2 is a plan view of an optical semiconductor device according to the present invention. 1 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.

図１及び図２に示すように、光半導体装置１は、ベース基板（請求項に記載の第１基板に相当）２と、枠基板（請求項に記載の第２基板に相当）３と、熱接着シート４と、複数の発光ダイオード（請求項に記載の発光半導体素子）５と、保護膜６とを備えている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the optical semiconductor device 1 includes a base substrate (corresponding to a first substrate described in claims) 2, a frame substrate (corresponding to a second substrate described in claims) 3, A thermal bonding sheet 4, a plurality of light emitting diodes (light emitting semiconductor elements described in claims) 5, and a protective film 6 are provided.

ベース基板２は、矩形状のガラスエポキシ基板からなる。ベース基板２には、発光ダイオード５の端子が金細線７を介してワイヤボンディングされる配線（図示略）がプリントされている。   The base substrate 2 is made of a rectangular glass epoxy substrate. The base substrate 2 is printed with wiring (not shown) in which the terminals of the light-emitting diodes 5 are wire-bonded via the fine gold wires 7.

枠基板３は、ベース基板２と外形が同じ矩形状のガラスエポキシ基板からなり、熱接着シート４を用いた熱プレスによりベース基板２の上面に接着されている。枠基板３の外形は、ベース基板２の外形と同じ矩形状に形成されている。枠基板３の中央部には、ベース基板２の一部を露出させるための矩形状の開口部３ａが形成されている。開口部３ａの内壁部は、光の反射を抑制するために黒色に塗布されている。尚、熱接着シート４には、熱可塑性樹脂からなるシート等を適用することができる。また、熱接着シート４には、枠基板３の開口部３ａよりも小さい開口部４ａが形成されている。   The frame substrate 3 is made of a rectangular glass epoxy substrate having the same outer shape as the base substrate 2, and is bonded to the upper surface of the base substrate 2 by hot pressing using a heat bonding sheet 4. The outer shape of the frame substrate 3 is formed in the same rectangular shape as the outer shape of the base substrate 2. A rectangular opening 3 a for exposing a part of the base substrate 2 is formed at the center of the frame substrate 3. The inner wall portion of the opening 3a is applied in black to suppress light reflection. In addition, the sheet | seat etc. which consist of a thermoplastic resin are applicable to the thermobonding sheet 4. FIG. In addition, an opening 4 a that is smaller than the opening 3 a of the frame substrate 3 is formed in the thermal bonding sheet 4.

発光ダイオード５は、シリコン等の半導体等からなり、枠基板３の開口部３ａにより露出されたベース基板２の所定の位置に配置され、金細線７によりベース基板２の配線にワイヤボンディングされている。   The light-emitting diode 5 is made of a semiconductor such as silicon, and is disposed at a predetermined position of the base substrate 2 exposed by the opening 3a of the frame substrate 3 and is wire-bonded to the wiring of the base substrate 2 by a gold wire 7. .

保護膜６は、発光ダイオード５や金細線７等を保護するためのものである。保護膜６は、発光ダイオード５や金細線７等を覆い、枠基板３の開口部３ａ内を埋めるように且つ表面が平坦になるように形成されている。保護膜６は、光を透過することができ、室温で硬化可能な樹脂（自然硬化性樹脂）からなる。更に、保護膜６を構成する樹脂として、容易に枠基板３の開口部３ａ内に充填でき、短時間で表面が平坦になるように、硬化前の室温での粘度が低い樹脂を採用している。このような樹脂としては、例えば、約２５℃での硬化前の粘度が２０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは２Ｐａ・ｓ以下のシリコーン樹脂等を適用できる。   The protective film 6 is for protecting the light emitting diode 5, the gold thin wire 7, and the like. The protective film 6 is formed so as to cover the light emitting diode 5, the gold thin wire 7, etc., fill the opening 3 a of the frame substrate 3, and have a flat surface. The protective film 6 is made of a resin that can transmit light and is curable at room temperature (naturally curable resin). Further, as the resin constituting the protective film 6, a resin having a low viscosity at room temperature before curing is adopted so that the opening 3a of the frame substrate 3 can be easily filled and the surface becomes flat in a short time. Yes. As such a resin, for example, a silicone resin having a viscosity before curing at about 25 ° C. of 20 Pa · s or less, more preferably 2 Pa · s or less can be applied.

次に、図３〜図６を参照して、上述した光半導体装置の製造方法について説明する。図３〜図６は、光半導体装置の各製造工程における断面図である。尚、以下に説明する光半導体装置の製造方法は、複数の光半導体装置を同一ベース基板上に同時に製造し、最後に各光半導体装置に分割するものである。   Next, a method for manufacturing the above-described optical semiconductor device will be described with reference to FIGS. 3 to 6 are cross-sectional views in each manufacturing process of the optical semiconductor device. In the optical semiconductor device manufacturing method described below, a plurality of optical semiconductor devices are manufactured simultaneously on the same base substrate, and finally divided into optical semiconductor devices.

まず、図３に示すように、配線がプリントされたベース基板２の面上に、金型で開口部４ａが打ち抜かれた熱接着シート４を載置する。   First, as shown in FIG. 3, the thermal bonding sheet 4 in which the opening 4 a is punched with a mold is placed on the surface of the base substrate 2 on which the wiring is printed.

次に、熱接着シート４の開口部４ａよりも大きい開口部３ａが形成され、その開口部３ａの内壁部が黒色に塗布された枠基板３を準備する。そして、図４に示すように、枠基板３の開口部３ａの中心と熱接着シート４の開口部４ａの中心とが一致するように位置合わせした状態で、枠基板３を熱接着シート４上に設置する。この状態で、約１８０℃〜約２００℃の温度で熱プレスを行い、ベース基板２と枠基板３とを熱接着シート４を介して接着する（基板接着工程）。   Next, a frame substrate 3 is prepared in which an opening 3a larger than the opening 4a of the thermal bonding sheet 4 is formed and the inner wall of the opening 3a is applied in black. Then, as shown in FIG. 4, the frame substrate 3 is placed on the thermal adhesive sheet 4 in a state where the center of the opening 3 a of the frame substrate 3 is aligned with the center of the opening 4 a of the thermal adhesive sheet 4. Install in. In this state, heat pressing is performed at a temperature of about 180 ° C. to about 200 ° C., and the base substrate 2 and the frame substrate 3 are bonded via the thermal bonding sheet 4 (substrate bonding step).

次に、図５に示すように、発光ダイオード５を枠基板３の開口部３ａにより露出されたベース基板２の所定の領域に設置する。そして、ベース基板２上にプリントされた配線と金細線７によってワイヤボンディングする（素子設置工程）。   Next, as shown in FIG. 5, the light emitting diode 5 is placed in a predetermined region of the base substrate 2 exposed by the opening 3 a of the frame substrate 3. Then, wire bonding is performed by the wiring printed on the base substrate 2 and the gold thin wire 7 (element installation step).

次に、図６に示すように、ベース基板２に接着された枠基板３の開口部３ａの内部に、注出圧力等により樹脂量が調整された樹脂（自然硬化性樹脂）を充填する。ここで充填する樹脂としては、表面を平坦にしつつ開口部３ａの全体に短時間で行き渡らせるために、例えば、約２５℃における硬化前の粘度が約２０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは約２Ｐａ・ｓ以下のシリコーン樹脂などを適用できる。その後、大気圧雰囲気中又は減圧雰囲気中において加熱することなく室温（例えば、約０℃〜約４０℃）で放置して樹脂を硬化させて、保護膜６を形成する（保護膜形成工程）。   Next, as shown in FIG. 6, a resin (natural curable resin) whose resin amount is adjusted by a pouring pressure or the like is filled into the opening 3 a of the frame substrate 3 bonded to the base substrate 2. As the resin filled here, for example, the viscosity before curing at about 25 ° C. is about 20 Pa · s or less, more preferably about 2 Pa · s, in order to spread the entire surface of the opening 3a in a short time while flattening the surface. It is possible to apply a silicone resin of s or less. Thereafter, the resin is cured by leaving it at room temperature (for example, about 0 ° C. to about 40 ° C.) without heating in an atmospheric pressure atmosphere or a reduced pressure atmosphere to form the protective film 6 (protective film forming step).

最後に、図６に示す点線Ｌに沿って各光半導体装置１を分割することにより、光半導体装置１が完成する。   Finally, the optical semiconductor device 1 is completed by dividing each optical semiconductor device 1 along the dotted line L shown in FIG.

上述したように、本発明による光半導体装置の製造方法によれば、熱接着シート４を用いた熱プレスによりベース基板２と枠基板３とを接着しているので、ベース基板２と枠基板３との間に隙間が形成されることなく容易に両基板２、３を接着することができる。これにより、枠基板３の開口部３ａに保護膜６を構成する樹脂を充填する際に、両基板２、３の間からの樹脂漏れを防止することができる。   As described above, according to the method for manufacturing an optical semiconductor device according to the present invention, the base substrate 2 and the frame substrate 3 are bonded together by hot pressing using the thermal bonding sheet 4. Both substrates 2 and 3 can be easily bonded without forming a gap between them. Thereby, when filling the resin which comprises the protective film 6 in the opening part 3a of the frame board | substrate 3, the resin leak from between both board | substrates 2 and 3 can be prevented.

また、両基板２、３間からの樹脂漏れを防止することにより、硬化前の粘度が低い樹脂により保護膜６を形成することができるので、枠基板３の開口部３ａに短時間で樹脂を行き渡らせることができると共に、保護膜６の表面を短時間で平坦にすることができる。これにより、光半導体装置１の製造時間を短縮することができる。   Moreover, since the protective film 6 can be formed with a resin having a low viscosity before curing by preventing resin leakage between the substrates 2 and 3, the resin can be applied to the opening 3a of the frame substrate 3 in a short time. The surface of the protective film 6 can be flattened in a short time. Thereby, the manufacturing time of the optical semiconductor device 1 can be shortened.

更に、保護膜６の表面を平坦にすることにより、発光ダイオード５からの光が保護膜６の表面で乱反射されることを抑制することができるので、発光ダイオード５からの光を広げることなく外部へ照射することができる。   Furthermore, since the surface of the protective film 6 is flattened, it is possible to prevent the light from the light emitting diode 5 from being irregularly reflected on the surface of the protective film 6. Can be irradiated.

また、ベース基板２及び枠基板３を接着した後、保護膜形成工程を行うので、基板接着工程の熱プレスの加熱に起因する透明度等の保護膜６の特性の劣化を防ぐことができる。   In addition, since the protective film forming step is performed after the base substrate 2 and the frame substrate 3 are bonded together, it is possible to prevent deterioration of the characteristics of the protective film 6 such as transparency due to heating by the hot press in the substrate bonding step.

また、基板接着工程を素子設置工程よりも前に行うことにより、熱プレスの際の加熱による発光ダイオード５の劣化を防ぐことができると共に、枠基板３を設置する際の発光ダイオード５及び金細線７の破損を防止できる。   Further, by performing the substrate bonding step before the element installation step, it is possible to prevent deterioration of the light-emitting diode 5 due to heating during hot pressing, and the light-emitting diode 5 and the gold wire when the frame substrate 3 is installed. 7 can be prevented from being damaged.

また、熱接着シートの開口部を枠基板の開口部よりも大きくした場合、熱接着シートの内周部の近傍において、枠基板とベース基板との間に隙間が形成されるので、保護膜を構成する樹脂が当該隙間に流れ込まず気泡が残るといった問題がある。しかし、本実施形態では、熱接着シート４の開口部４ａを枠基板３の開口部３ａよりも小さくなるように形成しているので、ベース基板２と枠基板３との間に隙間が形成されることがない。これにより、保護膜６を構成する樹脂が容易に開口部３ａに充填されるので、保護膜６の内部に気泡が残ることを抑制することができる。   In addition, when the opening of the thermal bonding sheet is made larger than the opening of the frame substrate, a gap is formed between the frame substrate and the base substrate in the vicinity of the inner peripheral portion of the thermal bonding sheet. There is a problem that the constituent resin does not flow into the gap and bubbles remain. However, in this embodiment, since the opening 4a of the thermal bonding sheet 4 is formed to be smaller than the opening 3a of the frame substrate 3, a gap is formed between the base substrate 2 and the frame substrate 3. There is nothing to do. Thereby, since the resin which comprises the protective film 6 is easily filled into the opening part 3a, it can suppress that a bubble remains in the inside of the protective film 6. FIG.

また、樹脂を加熱せずに室温で硬化させて保護膜６を形成することにより、樹脂の底部に存在する気泡が表面に移動することを抑制することができる。これにより、気泡による発光ダイオード５の光の散乱を抑制することができる。更に、樹脂を大気圧以下の雰囲気中で硬化させて保護膜６を形成することにより、樹脂内の気泡を抜くことができるので、保護膜６内の気泡を減少させることができる。   Further, by forming the protective film 6 by curing the resin at room temperature without heating, it is possible to suppress the bubbles present at the bottom of the resin from moving to the surface. Thereby, scattering of the light of the light emitting diode 5 by a bubble can be suppressed. Further, by forming the protective film 6 by curing the resin in an atmosphere at atmospheric pressure or lower, the bubbles in the resin can be removed, so that the bubbles in the protective film 6 can be reduced.

また、ベース基板２と枠基板３を同じ材料からなるガラスエポキシ基板により構成することにより、熱プレス等によって加熱した場合においても熱膨張率の違いに起因する両基板２、３の分離を抑制することができる。   In addition, by configuring the base substrate 2 and the frame substrate 3 with glass epoxy substrates made of the same material, even when heated by hot press or the like, the separation of the two substrates 2 and 3 due to the difference in thermal expansion coefficient is suppressed. be able to.

また、枠基板３の開口部３ａの内壁部を黒色に塗布することにより、黒色の枠基板と比較して安価に発光ダイオード５により発光された光が開口部３ａの内壁部により反射されることを抑制することができる。この結果、製造コストを抑制しつつ、発光ダイオード５の光を広げることなく外部へと照射することができる光半導体装置１を実現できる。   Further, by coating the inner wall portion of the opening 3a of the frame substrate 3 in black, light emitted from the light emitting diode 5 is reflected by the inner wall portion of the opening 3a at a lower cost than the black frame substrate. Can be suppressed. As a result, it is possible to realize the optical semiconductor device 1 capable of irradiating the light from the light emitting diode 5 to the outside without suppressing the manufacturing cost.

以上、上記実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明が本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではないということは明らかである。本発明は、特許請求の範囲の記載により定まる本発明の趣旨及び範囲内で変更して実施することができる。即ち、本明細書の記載は、一例であり、本発明を何ら限定的な意味に解釈させるものではない。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。   As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail using the said embodiment, it is clear that this invention is not limited to embodiment described in this specification. The present invention can be implemented with modifications within the spirit and scope of the present invention defined by the description of the scope of claims. That is, the description of the present specification is an example, and the present invention is not construed as being limited in any way. Hereinafter, modified embodiments in which the above-described embodiment is partially modified will be described.

例えば、上述した実施形態では、素子設置工程を基板接着工程の後に行ったが、素子設置工程を基板接着工程の前に行ってよい。また、その他の工程の順序も適宜変更可能である。   For example, in the above-described embodiment, the element installation process is performed after the substrate bonding process, but the element installation process may be performed before the substrate bonding process. In addition, the order of other steps can be changed as appropriate.

また、上述の実施形態の保護膜形成工程では、樹脂を室温で硬化させたが、樹脂に加熱硬化性樹脂を採用し、枠基板の開口部に充填した樹脂を加熱して硬化させてもよい。   Moreover, in the protective film formation process of the above-mentioned embodiment, although resin was hardened at room temperature, the thermosetting resin is employ | adopted for resin and the resin with which the opening part of the frame board | substrate was heated may be hardened. .

また、上述の実施形態では、ベース基板２と枠基板３に同じガラスエポキシ基板を採用したが、異なる材料からなる基板を採用してもよい。但し、ベース基板及び枠基板に異なる材料からなる基板を採用する場合には、熱膨張率が近い材料からなる基板を採用することが好ましい。   Moreover, in the above-mentioned embodiment, although the same glass epoxy board | substrate was employ | adopted for the base substrate 2 and the frame board | substrate 3, you may employ | adopt the board | substrate which consists of a different material. However, when a substrate made of a different material is used for the base substrate and the frame substrate, it is preferable to use a substrate made of a material having a similar coefficient of thermal expansion.

また、上述の実施形態では、枠基板３の開口部３ａの内壁部を黒色に塗布したが、枠基板を黒い材料などにより構成し、枠基板の全体を黒色に構成してもよい。   Moreover, in the above-mentioned embodiment, although the inner wall part of the opening part 3a of the frame board | substrate 3 was apply | coated black, you may comprise a frame board | substrate with a black material etc., and may comprise the whole frame board | substrate black.

また、上述の実施形態では、発光ダイオード５を用いたが、発光ダイオードの代わりに他の発光半導体素子や受光半導体素子を用いてもよい。   In the above embodiment, the light emitting diode 5 is used. However, other light emitting semiconductor elements or light receiving semiconductor elements may be used instead of the light emitting diodes.

本発明による光半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the optical semiconductor device by this invention. 本発明による光半導体装置の平面図である。It is a top view of the optical semiconductor device by this invention. 光半導体装置の各製造工程における断面図である。It is sectional drawing in each manufacturing process of an optical semiconductor device. 光半導体装置の各製造工程における断面図である。It is sectional drawing in each manufacturing process of an optical semiconductor device. 光半導体装置の各製造工程における断面図である。It is sectional drawing in each manufacturing process of an optical semiconductor device. 光半導体装置の各製造工程における断面図である。It is sectional drawing in each manufacturing process of an optical semiconductor device.

符号の説明Explanation of symbols

１ 光半導体装置
２ ベース基板
３ 枠基板
３ａ 開口部
４ 熱接着シート
４ａ 開口部
５ 発光ダイオード
６ 保護膜
７ 金細線


DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical semiconductor device 2 Base substrate 3 Frame substrate 3a Opening part 4 Thermal bonding sheet 4a Opening part 5 Light emitting diode 6 Protective film 7 Gold wire


Claims (8)

第１基板と開口部が形成された第２基板とを熱接着シートを用いた熱プレスによって接着する基板接着工程と、
前記第２基板の開口部により露出される前記第１基板の領域に受光又は発光半導体素子を設置する素子設置工程と、
前記第１基板に接着された前記第２基板の開口部に樹脂を充填した後、前記樹脂の表面が平坦になるように硬化させて保護膜を形成する保護膜形成工程とを供えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。 A substrate bonding step of bonding the first substrate and the second substrate in which the opening is formed by heat pressing using a heat bonding sheet;
An element installation step of installing a light receiving or light emitting semiconductor element in a region of the first substrate exposed by the opening of the second substrate;
And a protective film forming step of forming a protective film by filling the opening of the second substrate bonded to the first substrate with a resin and then curing the resin so that the surface of the resin becomes flat. A method for manufacturing an optical semiconductor device. 前記素子設置工程は、前記基板接着工程の後に行われることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置の製造方法。   The method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 1, wherein the element installation step is performed after the substrate bonding step. 前記熱接着シートには、前記第２基板の開口部よりも小さい開口部が形成された状態で、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。   2. The thermal bonding sheet is disposed between the first substrate and the second substrate in a state where an opening smaller than the opening of the second substrate is formed. 3. The method for manufacturing an optical semiconductor device according to claim 1. 前記保護膜形成工程は、室温で行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing an optical semiconductor device according to claim 1, wherein the protective film forming step is performed at room temperature. 前記保護膜形成工程は、大気圧以下の雰囲気中で行われることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。   5. The method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 1, wherein the protective film forming step is performed in an atmosphere at atmospheric pressure or lower. 前記第１基板及び第２基板は同じ材料からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing an optical semiconductor device according to claim 1, wherein the first substrate and the second substrate are made of the same material. 前記第２基板の開口部の内壁部は黒色に塗布された後、第１基板に接着されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing an optical semiconductor device according to claim 1, wherein the inner wall portion of the opening of the second substrate is applied in black and then adhered to the first substrate. 第１基板と、
開口部が形成された第２基板と、
前記第２基板の開口部により露出された前記第１基板の領域に設けられた受光又は発光半導体素子と、
前記受光又は発光半導体素子を覆うように前記第２基板の開口部に表面が平坦になるように形成された保護膜とを備え、
前記第１基板と前記第２基板は、熱接着シートを用いた熱プレスにより接着されていることを特徴とする光半導体装置。




A first substrate;
A second substrate having an opening formed thereon;
A light receiving or light emitting semiconductor element provided in the region of the first substrate exposed by the opening of the second substrate;
A protective film formed to have a flat surface at the opening of the second substrate so as to cover the light receiving or light emitting semiconductor element;
The optical semiconductor device, wherein the first substrate and the second substrate are bonded by hot pressing using a thermal bonding sheet.




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JP2018087927A (en) * 2016-11-29 2018-06-07 Ｉｔｓ合同会社 LED display device

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