JP2008027928A - Solid-state imaging apparatus, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Tetsumasa Maruo
哲正 丸尾
Tetsushi Nishio
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solid-state imaging apparatus capable of achieving further reduction of an entire apparatus in size and thickness while dealing with a solid-state imaging element having multiple pins, and improving tilting accuracy compared to a conventional apparatus, and a manufacturing method thereof. <P>SOLUTION: The solid-state imaging element 11 with a light-transmissive lid 15 is used, and the solid-state imaging element 11 is mounted on an organic insulating tape 24 having a device hole DH1. The rear surface of the solid-state imaging element 11 mounted on the organic insulating tape 24 is exposed, and the light-transmissive lid 15 is directly stuck on the solid-state imaging element 11. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば携帯電話やデジタルカメラなどにおけるイメージセンサとして用いられ、CCDセンサやCMOSセンサなどの固体撮像素子を搭載した固体撮像装置およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a solid-state imaging device used as an image sensor in, for example, a mobile phone or a digital camera, and mounted with a solid-state imaging device such as a CCD sensor or a CMOS sensor, and a manufacturing method thereof.

従来の固体撮像装置およびその製造方法(例えば、特許文献1を参照)について、図9(a)〜(d)の断面図を用いて以下に説明する。
図9は従来の固体撮像装置の製造方法を示す断面フロー図である。
A conventional solid-state imaging device and a manufacturing method thereof (see, for example, Patent Document 1) will be described below with reference to cross-sectional views of FIGS.
FIG. 9 is a cross-sectional flow diagram illustrating a conventional method for manufacturing a solid-state imaging device.

まず、図9(a)に示すように、リードフレーム32、および封止金型を用いた固体撮像装置の製造プロセスは、トランスファ成型装置に搭載したモールド上金型およびモールド下金型の上下封止金型に、リードフレーム32をセットし、上下の封止金型を型締めした後、プランジャーによって予めポット内にセットされたタブレット(封止樹脂17)が、高い圧力、高い温度をかけられることによりキャビティ部へ圧送され、イメージセンサ用固体撮像装置のプリモールド体が成型される。モールドによる成型のため、インナーリード部13からアウターリード部14への配線のピッチ、リードの幅などは制約を受ける。   First, as shown in FIG. 9A, the manufacturing process of the solid-state imaging device using the lead frame 32 and the sealing mold is performed by vertically sealing the upper mold and the lower mold mounted on the transfer molding apparatus. After the lead frame 32 is set in the die and the upper and lower sealing dies are clamped, the tablet (sealing resin 17) set in the pot in advance by the plunger applies high pressure and high temperature. As a result, the pre-mold body of the solid-state imaging device for the image sensor is molded. Due to the molding by the mold, the wiring pitch from the inner lead portion 13 to the outer lead portion 14 and the width of the lead are restricted.

図9(b)に示すように、従来、イメージセンサ等のパッケージは中空になっており、固体撮像素子11を搭載するプリモールド体を形成する封止工程が一番初めに行われる。その後、固体撮像素子11をダイボンド材料28によりダイアタッチ面にダイボンドする。   As shown in FIG. 9B, conventionally, a package such as an image sensor is hollow, and a sealing process for forming a pre-molded body on which the solid-state imaging device 11 is mounted is first performed. Thereafter, the solid-state imaging device 11 is die-bonded to the die attach surface with the die-bonding material 28.

なお、ダイボンド材料28にはAgペースト、LEテープなどが用いられる。ダイボンド材料28によるダイボンドの際、固体撮像素子11とプリモールド体あるいはリードフレーム32で位置合せが行われ、固体撮像素子11がダイアタッチ面に搭載される。位置合せは、プリモールド体の外形、インナーリード部13部への切り欠き、あるいはプリモールド体の中空部段差などが用いられている。   For the die bond material 28, Ag paste, LE tape or the like is used. At the time of die bonding with the die bonding material 28, alignment is performed by the solid-state imaging device 11 and the pre-molded body or the lead frame 32, and the solid-state imaging device 11 is mounted on the die attach surface. For the alignment, the outer shape of the pre-molded body, the notch in the inner lead portion 13 or the step of the hollow portion of the pre-molded body is used.

次に、図9(c)に示すように、インナーリード部13と固体撮像素子11上のアルミパッドを接続するために、Au線29をワイヤボンディングする。
そして、図9(d)に示すように、光透過性蓋板15を封着樹脂31により封着することで固体撮像装置が完成する。
Next, as shown in FIG. 9C, in order to connect the inner lead portion 13 and the aluminum pad on the solid-state imaging device 11, an Au wire 29 is wire-bonded.
Then, as shown in FIG. 9D, the light-transmitting cover plate 15 is sealed with a sealing resin 31 to complete the solid-state imaging device.

以上のように、従来の固体撮像装置は、中空構造をしており気密性が必要なため、光透過性蓋板15を搭載する封着面は高い平坦度が要求される。また、従来の固体撮像装置では、プリモールド体を使用しているため、固体撮像素子11よりも固体撮像装置の大きさは大きくなる。また、中空構造であることも固体撮像装置を大きくしている要因のひとつになっている。また、固体撮像装置をレンズモジュールとする場合、プリモールド体の裏面、固体撮像素子11搭載面は、アオリ発生の原因になるため高い精度の平坦度が要求される。
特開2002−198502号公報
As described above, since the conventional solid-state imaging device has a hollow structure and needs airtightness, the sealing surface on which the light-transmitting cover plate 15 is mounted is required to have high flatness. In addition, since the conventional solid-state imaging device uses a pre-mold body, the size of the solid-state imaging device is larger than that of the solid-state imaging device 11. Also, the hollow structure is one of the factors that increase the size of the solid-state imaging device. Further, when the solid-state imaging device is a lens module, the back surface of the pre-molded body and the surface on which the solid-state imaging device 11 is mounted are required to have a high degree of flatness because it causes a tilt.
JP 2002-198502 A

しかしながら上記のように、リードフレーム32を用いて製造するプリモールド体を使用するCCDなどの固体撮像素子11を搭載した固体撮像装置では、多ピン化した固体撮像素子11に対応しようとした場合、固体撮像素子11をプリモールド体に搭載するため、固体撮像装置の大きさは、固体撮像素子11の大きさに従って大きくする必要がある。   However, as described above, in a solid-state imaging device equipped with a solid-state imaging device 11 such as a CCD using a pre-molded body manufactured using the lead frame 32, when trying to cope with the multi-pin solid-state imaging device 11, In order to mount the solid-state imaging device 11 on the pre-molded body, the size of the solid-state imaging device needs to be increased according to the size of the solid-state imaging device 11.

さらに、入・出力ピン数に対するインナーリード部13側のボンディングパッドを確保しようとすると、固体撮像素子11のピンピッチとピン数を考慮し、それに対応したサイズのプリモールド体にすることが必要である。   Furthermore, if it is intended to secure a bonding pad on the inner lead portion 13 side with respect to the number of input / output pins, it is necessary to consider a pin pitch and the number of pins of the solid-state imaging device 11 and to make a pre-molded body of a size corresponding thereto. .

また、プリモールド体の大型化は、固体撮像素子11としてCCDを用いた固体撮像装置に重要不可欠な、光透過性蓋板15搭載面、固体撮像素子11搭載面、および固体撮像素子11搭載面の裏面の平坦度を低下させることになるため、その結果アオリ精度を低下させることになる。   Further, the increase in size of the pre-mold body is indispensable for a solid-state imaging device using a CCD as the solid-state imaging device 11, the light-transmitting cover plate 15 mounting surface, the solid-state imaging device 11 mounting surface, and the solid-state imaging device 11 mounting surface. As a result, the tilt accuracy is lowered.

本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、装置全体のより小型化および薄型化を多ピン化した固体撮像素子にも対応しつつ実現することができ、かつ従来に比べてアオリ精度をより向上することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。   The present invention solves the above-described problems of the prior art, and can be realized while corresponding to a solid-state image pickup device having a multi-pin structure, which can further reduce the size and thickness of the entire apparatus, and can improve the accuracy of the apparatus. A solid-state imaging device and a method for manufacturing the same are provided.

上記の課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の固体撮像装置は、デバイスホールを有する有機絶縁テープを基材とし、前記有機絶縁テープに形成された配線回路から伸びるインナーリード部と、上面に光透過性蓋板を直接接着した固体撮像素子の電極パッドとが電気的に接続され、前記光透過性蓋板の上面が露出するように、前記光透過性蓋板の周囲が樹脂で封止された構造を有することを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, the solid-state imaging device according to claim 1 of the present invention is based on an organic insulating tape having a device hole, and an inner lead portion extending from a wiring circuit formed on the organic insulating tape. And the electrode pad of the solid-state imaging device having the light-transmitting cover plate directly bonded to the upper surface, and the periphery of the light-transmitting cover plate is exposed so that the upper surface of the light-transmitting cover plate is exposed. It has a structure sealed with resin.

また、本発明の請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法は、デバイスホールを有する有機絶縁テープを用意する工程と、前記有機絶縁テープに配線回路を形成する工程と、固体撮像素子の上面に光透過性蓋板を直接接着する工程と、前記固体撮像素子の電極パッドと前記配線回路から伸びるインナーリード部とを電気的に接続する工程と、前記光透過性蓋板の上面が露出するように、前記光透過性蓋板の周囲を樹脂で封止する工程とからなることを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a solid-state imaging device, the step of preparing an organic insulating tape having device holes, the step of forming a wiring circuit on the organic insulating tape, and the upper surface of the solid-state imaging device. A step of directly adhering a light-transmitting cover plate to the electrode, a step of electrically connecting an electrode pad of the solid-state imaging device and an inner lead extending from the wiring circuit, and an upper surface of the light-transmitting cover plate is exposed. Thus, the method comprises a step of sealing the periphery of the light-transmitting cover plate with a resin.

また、本発明の請求項6に記載の固体撮像装置は、請求項5に記載の固体撮像装置であって、前記配線回路は、前記有機絶縁テープの下面側に形成され、前記配線回路から伸びるインナーリード部が、前記固体撮像素子の前記電極パッドに対して、フェースダウン方向に接合されたことを特徴とする。   Moreover, the solid-state imaging device according to claim 6 of the present invention is the solid-state imaging device according to claim 5, wherein the wiring circuit is formed on a lower surface side of the organic insulating tape and extends from the wiring circuit. An inner lead portion is bonded in a face-down direction to the electrode pad of the solid-state imaging device.

また、本発明の請求項12に記載の固体撮像装置の製造方法は、請求項11に記載の固体撮像装置の製造方法であって、前記配線回路を前記有機絶縁テープの下面側に形成する工程と、前記配線回路から伸びる前記インナーリード部を、前記固体撮像素子の前記電極パッドに対して、フェースダウン方向に接合する工程を有することを特徴とする。   The solid-state imaging device manufacturing method according to claim 12 of the present invention is the solid-state imaging device manufacturing method according to claim 11, wherein the wiring circuit is formed on the lower surface side of the organic insulating tape. And a step of joining the inner lead portion extending from the wiring circuit to the electrode pad of the solid-state imaging device in a face-down direction.

以上により、従来の固体撮像装置と比較した場合、より小型化および薄型化を実現することができ、かつアオリ精度を向上させた固体撮像装置の実現が可能である。
また、本発明の請求項2に記載の固体撮像装置は、請求項1に記載の固体撮像装置であって、前記有機絶縁テープの上面側に、レンズモジュール取り付け用治具が取り付けられ、前記固体撮像素子の下面を覆うように、前記有機絶縁テープの下面側に金属板が取り付けられたことを特徴とする。
As described above, when compared with a conventional solid-state imaging device, it is possible to realize a solid-state imaging device that can be further reduced in size and thickness and that has improved tilt accuracy.
Moreover, the solid-state imaging device according to claim 2 of the present invention is the solid-state imaging device according to claim 1, wherein a lens module mounting jig is attached to the upper surface side of the organic insulating tape, A metal plate is attached to the lower surface side of the organic insulating tape so as to cover the lower surface of the image sensor.

また、本発明の請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法は、請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法であって、前記有機絶縁テープの上面側に、レンズモジュール取り付け用治具を取り付ける工程と、前記固体撮像素子の下面を覆うように、前記有機絶縁テープの下面側に金属板を取り付ける工程とからなることを特徴とする。   Further, the manufacturing method of the solid-state imaging device according to claim 8 of the present invention is the manufacturing method of the solid-state imaging device according to claim 7, wherein a jig for attaching the lens module is provided on the upper surface side of the organic insulating tape. And a step of attaching a metal plate to the lower surface side of the organic insulating tape so as to cover the lower surface of the solid-state imaging device.

以上により、従来に比べてより小型化および薄型化を実現するとともに、レンズモジュール化の容易な固体撮像装置を実現することができる。
また、本発明の請求項3に記載の固体撮像装置は、請求項1に記載の固体撮像装置であって、前記有機絶縁テープは、外部から前記光透過性蓋板の側面への入射光を遮光するように、折り曲げて取り付けられたことを特徴とする。
As described above, it is possible to realize a solid-state imaging device that can be made smaller and thinner than the conventional one, and that can be easily made into a lens module.
Moreover, the solid-state imaging device according to claim 3 of the present invention is the solid-state imaging device according to claim 1, wherein the organic insulating tape transmits incident light to the side surface of the light-transmitting cover plate from the outside. It is characterized by being bent and attached so as to be shielded from light.

また、本発明の請求項9に記載の固体撮像装置の製造方法は、請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法であって、前記光透過性蓋板の側面への入射光を遮光するように、前記有機絶縁テープを折り曲げる工程を有することを特徴とする。   According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a solid-state imaging device according to the seventh aspect, wherein light incident on a side surface of the light-transmitting cover plate is shielded. Thus, the method has a step of bending the organic insulating tape.

以上により、側面から入射する光を遮蔽する構造で、かつ従来に比べてより小型化および薄型化を実現することができる。
また、本発明の請求項4に記載の固体撮像装置は、請求項1に記載の固体撮像装置であって、前記配線回路に接続されたアウターリード部が前記固体撮像素子の裏面側に引き出されるように、前記有機絶縁テープが、前記固体撮像素子の裏面に引き回されていることを特徴とする。
As described above, it is possible to realize a structure that shields light incident from the side surface and is smaller and thinner than conventional ones.
The solid-state imaging device according to claim 4 of the present invention is the solid-state imaging device according to claim 1, wherein the outer lead portion connected to the wiring circuit is drawn out to the back side of the solid-state imaging device. As described above, the organic insulating tape is drawn around the back surface of the solid-state imaging device.

また、本発明の請求項10に記載の固体撮像装置の製造方法は、請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法であって、前記有機絶縁テープは、前記配線回路に接続されたアウターリード部を前記固体撮像素子の裏面側に引き出すように、前記有機絶縁テープを前記固体撮像素子の下面に引き回す工程を有することを特徴とする。   The solid-state imaging device manufacturing method according to claim 10 of the present invention is the solid-state imaging device manufacturing method according to claim 7, wherein the organic insulating tape is an outer lead connected to the wiring circuit. And a step of drawing the organic insulating tape around the lower surface of the solid-state image sensor so that the portion is pulled out to the back surface side of the solid-state image sensor.

以上により、表面実装タイプで、かつ従来に比べてより小型化および薄型化を実現することができる。
また、本発明の請求項5に記載の固体撮像装置は、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の固体撮像装置であって、前記配線回路に接続された前記アウターリード部上に、外部接続用突起が形成されたことを特徴とする。
As described above, it is a surface mount type and can be made smaller and thinner than the conventional one.
Moreover, the solid-state imaging device according to claim 5 of the present invention is the solid-state imaging device according to any one of claims 1 to 4, wherein the outer lead portion connected to the wiring circuit is An external connection protrusion is formed.

また、本発明の請求項11に記載の固体撮像装置の製造方法は、請求項7〜請求項10のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法であって、前記配線回路に接続された前記アウターリード部上に、外部接続用突起を形成する工程を有することを特徴とする。   Moreover, the manufacturing method of the solid-state imaging device of Claim 11 of this invention is a manufacturing method of the solid-state imaging device in any one of Claims 7-10, Comprising: The said connected to the said wiring circuit It has the process of forming the protrusion for external connection on an outer lead part.

以上により、2次実装が容易な固体撮像装置を実現することができる。   As described above, a solid-state imaging device that can be easily mounted in a secondary manner can be realized.

以上のように本発明によれば、有機絶縁テープ上での配線が引き回し可能であり、また有機絶縁テープ自身を、光透過性蓋板を接着した固体撮像素子の裏面へ引き回すことが可能なため、撮像素子が多ピン化した場合でも、狭い領域内でアウターリード部への引き回しが可能になる。   As described above, according to the present invention, wiring on the organic insulating tape can be routed, and the organic insulating tape itself can be routed to the back surface of the solid-state imaging device to which the light-transmitting cover plate is bonded. Even when the imaging device has a large number of pins, the outer lead portion can be routed within a narrow region.

また、撮像素子からの引き出しが2方向であっても、外部接続端子であるアウターリード部への引き出しとして、4方向への引き出しが容易に可能である。
そのため、撮像素子が多ピン化になった場合でも、装置全体として、従来に比べより小型化を実現することができる。
Further, even when the image sensor is pulled out in two directions, it can be easily pulled out in four directions as the outer lead portion which is an external connection terminal.
Therefore, even when the number of pins of the image sensor is increased, the entire apparatus can be further downsized as compared with the conventional device.

また、装置全体が光透過性蓋板と撮像素子を含めた厚みであるため、従来に比べ十分な薄さを実現することができる。
さらに、撮像素子の裏面が露出しているため、レンズモジュール化が容易でかつアオリ精度を向上することができ、レンズモジュールとした場合においても、十分なアオリ精度を得ることができる。
In addition, since the entire apparatus has a thickness including the light-transmitting cover plate and the imaging element, it can be sufficiently thin as compared with the conventional apparatus.
Furthermore, since the back surface of the image sensor is exposed, it is easy to make a lens module and the tilt accuracy can be improved. Even when the lens module is used, sufficient tilt accuracy can be obtained.

以下、本発明の実施の形態を示す固体撮像装置およびその製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
図1は本発明の各実施の形態の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図1(a)は本実施の形態1の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図1(b)は本実施の形態2の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図1(c)は本実施の形態3の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図1(d)は本実施の形態4の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図1(e)は本実施の形態5の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図1(f)は本実施の形態6の固体撮像装置の構造を示す断面図である。
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1の固体撮像装置およびその製造方法を説明する。
Hereinafter, a solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a solid-state imaging device according to each embodiment of the present invention. FIG. 1A is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the first embodiment. FIG. 1B is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the second embodiment. FIG. 1C is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the third embodiment. FIG. 1D is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the fourth embodiment. FIG. 1E is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the fifth embodiment. FIG. 1F is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the sixth embodiment.
(Embodiment 1)
A solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to Embodiment 1 of the present invention will be described.

本実施の形態1の固体撮像装置は、図1(a)に示すように、デバイスホールDH1を有する有機絶縁テープ24を基材とし、有機絶縁テープ24に形成された配線回路から伸びるインナーリード部13と、光透過性蓋板15を接着剤により直接接着した固体撮像素子11上の電極パッド12とが電気的に接続され、光透過性蓋板15の上面が露出するように、初めは液状で時間の経過とともに固まって固体化する封止樹脂17で封止した固体撮像装置である。   As shown in FIG. 1A, the solid-state imaging device according to the first embodiment uses an organic insulating tape 24 having a device hole DH1 as a base material, and extends from a wiring circuit formed on the organic insulating tape 24. 13 and the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 in which the light-transmitting cover plate 15 is directly bonded with an adhesive are electrically connected, so that the upper surface of the light-transmitting cover plate 15 is exposed at first. The solid-state imaging device is sealed with a sealing resin 17 that is solidified and solidifies over time.

図2は本実施の形態1の固体撮像装置の製造方法を示す製造手順を(a)〜(e)に分図して説明するための断面図である。
図2(a)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と、有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、それらの接合が可能な位置に、位置合わせを行う。
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing procedure showing the manufacturing method of the solid-state imaging device of the first embodiment by dividing it into (a) to (e).
As shown in FIG. 2A, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are aligned at a position where they can be joined. .

図2(b)に示すように、位置合わせが行われた固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、それらの接合が可能なように移動し、ボンディングが可能な状態にセットする。   As shown in FIG. 2B, the electrode pads 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portions 13 formed on the organic insulating tape 24 are aligned so that they can be joined. Move and set to a state where bonding is possible.

図2(c)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、熱圧着あるいは超音波熱圧着により接合する。接合はボンディングツール25により一括で接合される。但し、シングルポイントにより接合される場合もある。   As shown in FIG. 2C, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are joined by thermocompression bonding or ultrasonic thermocompression bonding. Bonding is performed at once by the bonding tool 25. However, it may be joined by a single point.

図2(d)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13との接合後、それらの接合部およびインナーリード部13の露出部に、塗布ノズル26から出した封止樹脂17を塗布して、それらを封止する。   As shown in FIG. 2 (d), after joining the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead part 13 formed on the organic insulating tape 24, the joined part and the exposed part of the inner lead part 13. Then, the sealing resin 17 discharged from the coating nozzle 26 is applied and sealed.

図2(e)に示すように、封止樹脂17による封止は、光透過性蓋板15の表面が露出するように、電極パッド12とインナーリード部13との接合部およびインナーリード部13の露出部を封止する。この封止により固体撮像装置として製造される。
(実施の形態2)
本発明の実施の形態2の固体撮像装置およびその製造方法を説明する。
As shown in FIG. 2E, the sealing with the sealing resin 17 is performed so that the surface of the light-transmitting cover plate 15 is exposed, the joint between the electrode pad 12 and the inner lead portion 13, and the inner lead portion 13. The exposed portion of is sealed. This sealing produces a solid-state imaging device.
(Embodiment 2)
A solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to Embodiment 2 of the present invention will be described.

本実施の形態2の固体撮像装置は、図1(b)に示すように、デバイスホールDH1を有した有機絶縁テープ24の上面側にレンズモジュール取り付け用治具18を備え、有機絶縁テープ24の下面側には、その下支えとして、固体撮像素子11の裏面に取り付けられた金属板19を備えた固体撮像装置である。   As shown in FIG. 1B, the solid-state imaging device of the second embodiment includes a lens module mounting jig 18 on the upper surface side of the organic insulating tape 24 having the device hole DH1, and the organic insulating tape 24 On the lower surface side is a solid-state imaging device provided with a metal plate 19 attached to the back surface of the solid-state imaging device 11 as a support.

ここで、レンズモジュール取り付け用治具18および金属板19は、有機絶縁テープ24の上面側および下面側に接着剤22で取り付けられている。ただし、レンズモジュール取り付け用治具18および金属板19を、互いに有機絶縁テープ24を貫通させてねじ止めする場合もある。   Here, the lens module attaching jig 18 and the metal plate 19 are attached to the upper surface side and the lower surface side of the organic insulating tape 24 with an adhesive 22. However, the lens module mounting jig 18 and the metal plate 19 may be screwed with the organic insulating tape 24 penetrating each other.

図3は本実施の形態2の固体撮像装置の製造方法を示す製造手順1を(a)〜(g)に分図して説明するための断面図である。
図3(a)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と、有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、それらの接合が可能な位置に、位置合わせを行う。
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing procedure 1 showing the manufacturing method of the solid-state imaging device of Embodiment 2 by dividing it into (a) to (g).
As shown in FIG. 3A, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are aligned at a position where they can be joined. .

図3(b)に示すように、位置合わせが行われた固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、それらの接合が可能なように移動し、ボンディングが可能な状態にセットする。   As shown in FIG. 3B, the electrode pads 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portions 13 formed on the organic insulating tape 24 are aligned so that they can be joined. Move and set to a state where bonding is possible.

図3(c)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、熱圧着あるいは超音波熱圧着により接合する。接合はボンディングツール25により一括で接合される。但し、シングルポイントにより接合される場合もある。   As shown in FIG. 3C, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are joined by thermocompression bonding or ultrasonic thermocompression bonding. Bonding is performed at once by the bonding tool 25. However, it may be joined by a single point.

図3(d)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13との接合後、それらの接合部およびインナーリード部13の露出部に、塗布ノズル26から出した封止樹脂17を塗布して、それらを封止する。   As shown in FIG. 3 (d), after joining the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead part 13 formed on the organic insulating tape 24, the joined part and the exposed part of the inner lead part 13. Then, the sealing resin 17 discharged from the coating nozzle 26 is applied and sealed.

図3(e)に示すように、封止樹脂17による封止は、光透過性蓋板15の表面が露出するように、電極パッド12とインナーリード部13との接合部およびインナーリード部13の露出部を封止する。   As shown in FIG. 3E, the sealing with the sealing resin 17 is performed so that the surface of the light-transmitting cover plate 15 is exposed, the joint between the electrode pad 12 and the inner lead portion 13, and the inner lead portion 13. The exposed portion of is sealed.

図3(f)に示すように、金属板19に対して、固体撮像素子11の裏面と接する部分に熱伝導接着材21を塗布するとともに、有機絶縁テープ24を下支えする部分に接着剤22を塗布し、この金属板19と、熱伝導接着材21により固体撮像素子11と、および接着剤22により有機絶縁テープ24とを、それぞれ貼り合わせる。   As shown in FIG. 3 (f), the heat conductive adhesive 21 is applied to the metal plate 19 on the portion that contacts the back surface of the solid-state imaging device 11, and the adhesive 22 is applied to the portion that supports the organic insulating tape 24. It is applied, and the metal plate 19, the solid-state imaging device 11 with the heat conductive adhesive 21, and the organic insulating tape 24 with the adhesive 22 are bonded together.

図3(g)に示すように、有機絶縁テープ24の上面側に対して、その金属板19により下支えされている部分に、レンズモジュール取り付け用治具18を、接着剤22を介して取り付ける。これにより固体撮像装置として製造される。ただし、レンズモジュール取り付け用治具18および金属板19を、互いに有機絶縁テープ24を貫通させてねじ止めする場合もある。   As shown in FIG. 3G, a lens module mounting jig 18 is attached to a portion supported by the metal plate 19 on the upper surface side of the organic insulating tape 24 via an adhesive 22. Thereby, it is manufactured as a solid-state imaging device. However, the lens module mounting jig 18 and the metal plate 19 may be screwed with the organic insulating tape 24 penetrating each other.

図4は本実施の形態2の固体撮像装置の製造方法を示す製造手順2を(a)〜(g)に分図して説明するための断面図である。
図4(a)に示すように、有機絶縁テープ24の上面側にレンズモジュール取り付け用治具18を位置合せする。
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing procedure 2 showing the manufacturing method of the solid-state imaging device of the second embodiment by dividing it into (a) to (g).
As shown in FIG. 4A, the lens module mounting jig 18 is aligned with the upper surface side of the organic insulating tape 24.

図4(b)に示すように、有機絶縁テープ24に対して、その上面側に位置合せしたレンズモジュール取り付け用治具18を接着剤22により取り付ける。
図4(c)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と、有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、それらの接合が可能な位置に、位置合わせを行い、位置合わせが行われた固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、それらの接合が可能なように移動し、ボンディングが可能な状態にセットする。
As shown in FIG. 4B, a lens module mounting jig 18 aligned with the upper surface side of the organic insulating tape 24 is attached with an adhesive 22.
As shown in FIG. 4C, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are aligned at a position where they can be joined. The aligned electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are moved so that they can be joined, so that bonding is possible. set.

図4(d)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、熱圧着あるいは超音波熱圧着により接合する。接合はボンディングツール25により一括で接合される。但し、シングルポイントにより接合される場合もある。   As shown in FIG. 4D, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are joined by thermocompression bonding or ultrasonic thermocompression bonding. Bonding is performed at once by the bonding tool 25. However, it may be joined by a single point.

図4(e)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13との接合後、それらの接合部およびインナーリード部13の露出部に、塗布ノズル26から出した封止樹脂17を塗布して、それらを封止する。   As shown in FIG. 4 (e), after joining the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead part 13 formed on the organic insulating tape 24, the joined part and the exposed part of the inner lead part 13. Then, the sealing resin 17 discharged from the coating nozzle 26 is applied and sealed.

図4(f)に示すように、封止樹脂17による封止は、光透過性蓋板15の表面が露出するように、電極パッド12とインナーリード部13との接合部およびインナーリード部13の露出部を封止する。この場合、レンズモジュール取り付け用治具18は樹脂ダムとしても効果があるため、封止樹脂17の表面はフラットに成型される。   As shown in FIG. 4 (f), the sealing with the sealing resin 17 is performed so that the surface of the light-transmitting cover plate 15 is exposed, the joint between the electrode pad 12 and the inner lead portion 13, and the inner lead portion 13. The exposed portion of is sealed. In this case, since the lens module mounting jig 18 is also effective as a resin dam, the surface of the sealing resin 17 is molded flat.

図4(g)に示すように、金属板19に対して、固体撮像素子11の裏面と接する部分に熱伝導接着材21を塗布するとともに、有機絶縁テープ24を下支えする部分に接着剤22を塗布し、この金属板19と、熱伝導接着材21により固体撮像素子11と、および接着剤22により有機絶縁テープ24とを、それぞれ貼り合わせる。これにより固体撮像装置として製造される。ただし、レンズモジュール取り付け用治具18および金属板19を、互いに有機絶縁テープ24を貫通させてねじ止めする場合もある。
(実施の形態3)
本発明の実施の形態3の固体撮像装置およびその製造方法を説明する。
As shown in FIG. 4G, a heat conductive adhesive 21 is applied to the metal plate 19 at a portion in contact with the back surface of the solid-state imaging device 11, and an adhesive 22 is applied to a portion that supports the organic insulating tape 24. It is applied, and the metal plate 19, the solid-state imaging device 11 with the heat conductive adhesive 21, and the organic insulating tape 24 with the adhesive 22 are bonded together. Thereby, it is manufactured as a solid-state imaging device. However, the lens module mounting jig 18 and the metal plate 19 may be screwed with the organic insulating tape 24 penetrating each other.
(Embodiment 3)
A solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to Embodiment 3 of the present invention will be described.

本実施の形態3の固体撮像装置は、図1(c)に示すように、デバイスホールDH1を有した有機絶縁テープ24を光透過性蓋板15側に折り曲げ、その端面を、外部から光透過性蓋板15の側面に入る光を遮光するように、光透過性蓋板15の側面上端に取り付けた構成の固体撮像装置である。   In the solid-state imaging device according to the third embodiment, as shown in FIG. 1C, the organic insulating tape 24 having the device hole DH1 is bent toward the light-transmitting cover plate 15, and the end surface is light-transmitted from the outside. The solid-state imaging device is configured to be attached to the upper end of the side surface of the light-transmitting lid plate 15 so as to block light entering the side surface of the transparent lid plate 15.

図5は本実施の形態3の固体撮像装置の製造方法を示す製造手順を(a)〜(f)に分図して説明するための断面図である。
図5(a)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と、有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、それらの接合が可能な位置に、位置合わせを行う。ここで用いる有機絶縁テープ24は、外部接続用端子(アウターリード部)14が露出するようにホールH1が空けられている。また、光透過性蓋板15の側面を覆うための構成部分は、アウターリード部14がなく有機絶縁テープ24とソルダーレジスト16のみで構成されている。
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing procedure showing the manufacturing method of the solid-state imaging device of Embodiment 3 by dividing it into (a) to (f).
As shown in FIG. 5A, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are aligned at a position where they can be joined. . The organic insulating tape 24 used here has a hole H1 so that the external connection terminal (outer lead portion) 14 is exposed. Further, the constituent part for covering the side surface of the light-transmitting cover plate 15 is composed of only the organic insulating tape 24 and the solder resist 16 without the outer lead part 14.

図5(b)に示すように、位置合わせが行われた固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、それらの接合が可能なように移動し、ボンディングが可能な状態にセットする。   As shown in FIG. 5B, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are aligned so that they can be joined. Move and set to a state where bonding is possible.

図5(c)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、熱圧着あるいは超音波熱圧着により接合する。接合はボンディングツール25により一括で接合される。但し、シングルポイントにより接合される場合もある。   As shown in FIG. 5C, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are joined by thermocompression bonding or ultrasonic thermocompression bonding. Bonding is performed at once by the bonding tool 25. However, it may be joined by a single point.

図5(d)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13との接合後、それらの接合部およびインナーリード部13の露出部に、塗布ノズル26から出した封止樹脂17を塗布して、それらを封止する。   As shown in FIG. 5 (d), after joining the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead part 13 formed on the organic insulating tape 24, the joined part and the exposed part of the inner lead part 13. Then, the sealing resin 17 discharged from the coating nozzle 26 is applied and sealed.

図5(e)に示すように、封止樹脂17による封止は、光透過性蓋板15の表面が露出するように、電極パッド12とインナーリード部13との接合部およびインナーリード部13の露出部を封止する。なお、封止樹脂17は、その塗布後に硬化が行われる。   As shown in FIG. 5E, the sealing with the sealing resin 17 is performed so that the surface of the light-transmitting cover plate 15 is exposed, the joint between the electrode pad 12 and the inner lead portion 13, and the inner lead portion 13. The exposed portion of is sealed. The sealing resin 17 is cured after being applied.

図5(f)に示すように、アウターリード部14がなく有機絶縁テープ24とソルダーレジスト16のみで構成されている部分を、光透過性蓋板15側に折り曲げ、その端面を、外部から光透過性蓋板15の側面に入る光を遮光するように、光透過性蓋板15の側面上端に取り付ける。このようにして、外部から光透過性蓋板15の側面に入る光が遮光される固体撮像装置として製造される。
(実施の形態4)
本発明の実施の形態4の固体撮像装置およびその製造方法を説明する。
As shown in FIG. 5 (f), a portion that does not have the outer lead portion 14 and is constituted only by the organic insulating tape 24 and the solder resist 16 is bent toward the light-transmitting cover plate 15, and the end face is light-exposed from the outside. The light transmitting lid plate 15 is attached to the upper end of the side surface so as to block light entering the side surface of the transparent lid plate 15. In this way, it is manufactured as a solid-state imaging device in which light entering the side surface of the light-transmitting cover plate 15 from the outside is blocked.
(Embodiment 4)
A solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to Embodiment 4 of the present invention will be described.

本実施の形態4の固体撮像装置は、図1(d)に示すように、デバイスホールDH1を有した有機絶縁テープ24を光透過性蓋板15を直接接着した固体撮像素子11の裏面側に引き回すことにより、アウターリード部14を固体撮像素子11の裏面に引き出した構成の固体撮像装置である。固体撮像素子11の裏面に引き出されたアウターリード部14の外部接続用パッドP1には、半田ボール27が形成されている。   As shown in FIG. 1D, the solid-state imaging device according to the fourth embodiment has an organic insulating tape 24 having a device hole DH1 on the back surface side of the solid-state imaging element 11 to which the light-transmitting cover plate 15 is directly bonded. The solid-state imaging device has a configuration in which the outer lead portion 14 is drawn out to the back surface of the solid-state imaging element 11 by being routed. A solder ball 27 is formed on the external connection pad P1 of the outer lead portion 14 drawn out on the back surface of the solid-state imaging device 11.

図6は本実施の形態4の固体撮像装置の製造方法を示す製造手順を(a)〜(g)に分図して説明するための断面図である。
図6(a)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と、有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、それらの接合が可能な位置に、位置合わせを行う。ここでは、有機絶縁テープ24上に形成されたアウターリード部14において、ソルダーレジスト16側に、半田ボール27搭載用のパッドP1が、露出するように形成されている。
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing procedure showing the manufacturing method of the solid-state imaging device according to Embodiment 4 by dividing it into (a) to (g).
As shown in FIG. 6A, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are aligned at a position where they can be joined. . Here, in the outer lead portion 14 formed on the organic insulating tape 24, the pads P1 for mounting the solder balls 27 are formed on the solder resist 16 side so as to be exposed.

図6(b)に示すように、位置合わせが行われた固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、それらの接合が可能なように移動し、ボンディングが可能な状態にセットする。   As shown in FIG. 6B, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 that has been aligned and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 can be joined together. Move and set to a state where bonding is possible.

図6(c)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、熱圧着あるいは超音波熱圧着により接合する。接合はボンディングツール25により一括で接合される。但し、シングルポイントにより接合される場合もある。   As shown in FIG. 6C, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are joined by thermocompression bonding or ultrasonic thermocompression bonding. Bonding is performed at once by the bonding tool 25. However, it may be joined by a single point.

図6(d)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13との接合後、それらの接合部およびインナーリード部13の露出部に、塗布ノズル26から出した封止樹脂17を塗布して、それらを封止する。   As shown in FIG. 6 (d), after joining the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead part 13 formed on the organic insulating tape 24, the joined part and the exposed part of the inner lead part 13. Then, the sealing resin 17 discharged from the coating nozzle 26 is applied and sealed.

図6(e)に示すように、封止樹脂17による封止は、光透過性蓋板15の表面が露出するように、電極パッド12とインナーリード部13との接合部およびインナーリード部13の露出部を封止する。なお、封止樹脂17は、その塗布後に硬化が行われる。   As shown in FIG. 6E, the sealing with the sealing resin 17 is performed so that the surface of the light-transmitting cover plate 15 is exposed, the joint between the electrode pad 12 and the inner lead portion 13, and the inner lead portion 13. The exposed portion of is sealed. The sealing resin 17 is cured after being applied.

図6(f)に示すように、有機絶縁テープ24上に形成されたアウターリード部14のソルダーレジスト16面側に形成されたパッドP1が、固体撮像素子11の裏面に配置できるように、有機絶縁テープ24を固体撮像素子11に沿って折り曲げる。折り曲げた有機絶縁テープ24を、接着剤22を介して固体撮像素子11の裏面に貼り合わせる。   As shown in FIG. 6 (f), the pad P 1 formed on the solder resist 16 surface side of the outer lead portion 14 formed on the organic insulating tape 24 is organic so that it can be disposed on the back surface of the solid-state imaging device 11. The insulating tape 24 is bent along the solid-state image sensor 11. The bent organic insulating tape 24 is bonded to the back surface of the solid-state imaging device 11 through the adhesive 22.

図6(g)に示すように、有機絶縁テープ24上に形成されたアウターリード部14のソルダーレジスト16面側に形成されたパッドP1に、半田ボール27を搭載し、固体撮像装置として製造する。
(実施の形態5)
本発明の実施の形態5の固体撮像装置およびその製造方法を説明する。
As shown in FIG. 6G, a solder ball 27 is mounted on a pad P1 formed on the surface of the solder resist 16 of the outer lead portion 14 formed on the organic insulating tape 24 to produce a solid-state imaging device. .
(Embodiment 5)
A solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to Embodiment 5 of the present invention will be described.

本実施の形態5の固体撮像装置は、図1(e)に示すように、デバイスホールDH1を有した有機絶縁テープ24の配線回路上において、アウターリード部14のソルダーレジスト16面側に形成されたパッドP2に、外部端子接続用突起23を形成した構成の固体撮像装置である。なお、外部端子接続用突起23は、例えばスタッドバンプやメッキなどで形成される。   The solid-state imaging device according to the fifth embodiment is formed on the solder resist 16 surface side of the outer lead portion 14 on the wiring circuit of the organic insulating tape 24 having the device hole DH1, as shown in FIG. The solid-state imaging device has a configuration in which the external terminal connection protrusion 23 is formed on the pad P2. The external terminal connection projection 23 is formed by, for example, a stud bump or plating.

図7は本実施の形態5の固体撮像装置の製造方法を示す製造手順を(a)〜(f)に分図して説明するための断面図である。
図7(a)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と、有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、それらの接合が可能な位置に、位置合わせを行う。ここでは、有機絶縁テープ24上に形成されたアウターリード部14において、ソルダーレジスト16側に、外部端子接続用突起23搭載用のパッドP2が、露出するように形成されている。
FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing procedure showing the manufacturing method of the solid-state imaging device of the fifth embodiment by dividing it into (a) to (f).
As shown in FIG. 7A, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are aligned at a position where they can be joined. . Here, in the outer lead portion 14 formed on the organic insulating tape 24, the pad P2 for mounting the external terminal connection projection 23 is formed on the solder resist 16 side so as to be exposed.

図7(b)に示すように、位置合わせが行われた固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、それらの接合が可能なように移動し、ボンディングが可能な状態にセットする。   As shown in FIG. 7B, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are aligned so that they can be joined. Move and set to a state where bonding is possible.

図7(c)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13とを、熱圧着あるいは超音波熱圧着により接合する。接合はボンディングツール25により一括で接合される。但し、シングルポイントにより接合される場合もある。   As shown in FIG. 7C, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 formed on the organic insulating tape 24 are joined by thermocompression bonding or ultrasonic thermocompression bonding. Bonding is performed at once by the bonding tool 25. However, it may be joined by a single point.

図7(d)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と有機絶縁テープ24上に形成されたインナーリード部13との接合後、それらの接合部およびインナーリード部13の露出部に、塗布ノズル26から出した封止樹脂17を塗布して、それらを封止する。   As shown in FIG. 7 (d), after joining the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead part 13 formed on the organic insulating tape 24, the joined part and the exposed part of the inner lead part 13. Then, the sealing resin 17 discharged from the coating nozzle 26 is applied and sealed.

図7(e)に示すように、封止樹脂17による封止は、光透過性蓋板15の表面が露出するように、電極パッド12とインナーリード部13との接合部およびインナーリード部13の露出部を封止する。なお、封止樹脂17は、その塗布後に硬化が行われる。   As shown in FIG. 7E, the sealing with the sealing resin 17 is performed so that the surface of the light-transmitting cover plate 15 is exposed, the joint between the electrode pad 12 and the inner lead portion 13, and the inner lead portion 13. The exposed portion of is sealed. The sealing resin 17 is cured after being applied.

図7(f)に示すように、有機絶縁テープ24上に形成されたアウターリード部14のソルダーレジスト16面側に形成されたパッドP2に、外部接続用突起23を形成し、固体撮像装置として製造する。
(実施の形態6)
本発明の実施の形態6の固体撮像装置およびその製造方法を説明する。
As shown in FIG. 7F, the external connection protrusion 23 is formed on the pad P2 formed on the surface of the solder resist 16 of the outer lead portion 14 formed on the organic insulating tape 24, so that a solid-state imaging device is obtained. To manufacture.
(Embodiment 6)
A solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to Embodiment 6 of the present invention will be described.

本実施の形態6の固体撮像装置は、図1(f)に示すように、デバイスホールDH1を有した有機絶縁テープ24を基材とし、有機絶縁テープ24に形成された配線回路から伸びるインナーリード部13と、光透過性蓋板15を直接接着した固体撮像素子11上の電極パッド12とが接続され、光透過性蓋板15の表面が露出するように、初めは液状で時間の経過とともに固まって固体化する封止樹脂17で封止した固体撮像装置である。なお、ここで用いる有機絶縁テープ24は、その配線回路が固体撮像素子11に向き合う側に形成され、有機絶縁テープ24上の配線回路から伸びるインナーリード部13が、固体撮像素子11上の電極パッド12に、フェースダウン方向に接合される。   As shown in FIG. 1F, the solid-state imaging device according to the sixth embodiment uses an organic insulating tape 24 having a device hole DH1 as a base material and an inner lead extending from a wiring circuit formed on the organic insulating tape 24. The portion 13 and the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 to which the light-transmitting cover plate 15 is directly bonded are connected, so that the surface of the light-transmitting cover plate 15 is exposed and is initially liquid and with time. The solid-state imaging device is sealed with a sealing resin 17 that is solidified and solidified. The organic insulating tape 24 used here is formed on the side where the wiring circuit faces the solid-state imaging device 11, and the inner lead portion 13 extending from the wiring circuit on the organic insulating tape 24 is an electrode pad on the solid-state imaging device 11. 12 is bonded in the face-down direction.

図8は本実施の形態6の固体撮像装置の製造方法を示す製造手順を(a)〜(e)に分図して説明するための断面図である。
図8(a)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12と、有機絶縁テープ24の配線回路から伸びるインナーリード部13とを、それらの接合が可能な位置に、位置合わせを行う。なお、ここで用いる有機絶縁テープ24は、その配線回路を固体撮像素子11に向き合う側に形成し、有機絶縁テープ24上の配線回路から伸びるインナーリード部13を、固体撮像素子11上の電極パッド12に、フェースダウン方向に接合する。
FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing procedure showing the manufacturing method of the solid-state imaging device of the sixth embodiment by dividing it into (a) to (e).
As shown in FIG. 8A, the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 extending from the wiring circuit of the organic insulating tape 24 are aligned at a position where they can be joined. . The organic insulating tape 24 used here has a wiring circuit formed on the side facing the solid-state imaging element 11, and the inner lead portion 13 extending from the wiring circuit on the organic insulating tape 24 is connected to the electrode pad on the solid-state imaging element 11. 12 is bonded in the face-down direction.

図8(b)に示すように、位置合わせが行われた固体撮像素子11上の電極パッド12とインナーリード部13とを、それらの接合が可能なように移動し、ボンディングが可能な状態にセットする。   As shown in FIG. 8B, the electrode pad 12 and the inner lead portion 13 on the solid-state imaging device 11 that have been aligned are moved so that they can be joined, and the bonding is possible. set.

図8(c)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12とインナーリード部13とを、熱圧着あるいは超音波熱圧着により接合する。接合はボンディングツール25により一括で接合される。但し、シングルポイントにより接合される場合もある。   As shown in FIG. 8C, the electrode pad 12 and the inner lead portion 13 on the solid-state imaging device 11 are joined by thermocompression bonding or ultrasonic thermocompression bonding. Bonding is performed at once by the bonding tool 25. However, it may be joined by a single point.

図8(d)に示すように、固体撮像素子11上の電極パッド12とインナーリード部13との接合後、それらの接合部およびインナーリード部13の露出部に、塗布ノズル26から出した封止樹脂17を塗布して、それらを封止する。   As shown in FIG. 8D, after the electrode pad 12 on the solid-state imaging device 11 and the inner lead portion 13 are joined, the sealing portion taken out from the coating nozzle 26 is exposed to the joint portion and the exposed portion of the inner lead portion 13. A stop resin 17 is applied and sealed.

図8(e)に示すように、封止樹脂17による封止は、光透過性蓋板15の表面が露出するように、電極パッド12とインナーリード部13との接合部およびインナーリード部13の露出部を封止する。この封止により固体撮像装置として製造される。   As shown in FIG. 8E, the sealing with the sealing resin 17 is performed so that the surface of the light-transmitting cover plate 15 is exposed, the junction between the electrode pad 12 and the inner lead portion 13, and the inner lead portion 13. The exposed portion of is sealed. This sealing produces a solid-state imaging device.

本発明の固体撮像装置およびその製造方法は、装置全体のより小型化および薄型化を多ピン化した固体撮像素子にも対応しつつ実現することができ、かつ従来に比べてアオリ精度をより向上することができるもので、携帯電話やデジタルカメラなどにおけるイメージセンサとして用いられ、固体撮像素子が多ピン構造で、装置全体として小型化かつ薄型化が要求される固体撮像装置等の製造技術に有用である。   The solid-state imaging device and the manufacturing method thereof according to the present invention can be realized while reducing the size and thickness of the entire device while supporting a solid-state imaging device with multiple pins, and further improving the tilt accuracy compared to the conventional device. It can be used as an image sensor in mobile phones, digital cameras, etc., and it is useful for manufacturing technology for solid-state imaging devices, etc., where the solid-state imaging device has a multi-pin structure and requires a reduction in overall size and thickness. It is.

本発明の各実施の形態の固体撮像装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the solid-state imaging device of each embodiment of this invention 本発明の実施の形態1の固体撮像装置の製造方法を示す断面フロー図Sectional flow chart showing a method for manufacturing the solid-state imaging device according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施の形態2の固体撮像装置の製造方法1を示す断面フロー図Sectional flow chart showing manufacturing method 1 of the solid-state imaging device of Embodiment 2 of the present invention 同実施の形態2の固体撮像装置の製造方法2を示す断面フロー図Sectional flow chart showing manufacturing method 2 of the solid-state imaging device of the second embodiment 本発明の実施の形態3の固体撮像装置の製造方法を示す断面フロー図Sectional flow chart showing a method for manufacturing the solid-state imaging device according to Embodiment 3 of the present invention. 本発明の実施の形態4の固体撮像装置の製造方法を示す断面フロー図Sectional flow chart showing a method for manufacturing a solid-state imaging device according to Embodiment 4 of the present invention. 本発明の実施の形態5の固体撮像装置の製造方法を示す断面フロー図Sectional flow chart showing a method for manufacturing the solid-state imaging device according to Embodiment 5 of the present invention. 本発明の実施の形態6の固体撮像装置の製造方法を示す断面フロー図Sectional flow chart showing a method for manufacturing a solid-state imaging device according to Embodiment 6 of the present invention. 従来の固体撮像装置の製造方法を示す断面フロー図Cross-sectional flow diagram showing a conventional method for manufacturing a solid-state imaging device

符号の説明Explanation of symbols

11 固体撮像素子
12 電極パッド
13 インナーリード部
14 アウターリード部
15 光透過性蓋板
16 ソルダーレジスト
17 封止樹脂
18 レンズモジュール取り付け用治具
19 金属板
21 熱伝導接着材料
22 接着剤
23 外部接続用突起
24 有機絶縁テープ
25 ボンディングツール
26 塗布ノズル
27 半田ボール
28 ダイボンド材料
29 Auワイヤ
31 封着樹脂
32 リードフレーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Solid-state image sensor 12 Electrode pad 13 Inner lead part 14 Outer lead part 15 Light-transmitting cover board 16 Solder resist 17 Sealing resin 18 Lens module attachment jig 19 Metal plate 21 Thermal conductive adhesive material 22 Adhesive 23 For external connection Protrusions 24 Organic insulating tape 25 Bonding tool 26 Application nozzle 27 Solder ball 28 Die bond material 29 Au wire 31 Sealing resin 32 Lead frame

Claims (12)

デバイスホールを有する有機絶縁テープを基材とし、
前記有機絶縁テープに形成された配線回路から伸びるインナーリード部と、
上面に光透過性蓋板を直接接着した固体撮像素子の電極パッドとが電気的に接続され、
前記光透過性蓋板の上面が露出するように、前記光透過性蓋板の周囲が樹脂で封止された構造を有することを特徴とする固体撮像装置。
Based on organic insulating tape with device holes,
An inner lead portion extending from a wiring circuit formed on the organic insulating tape;
It is electrically connected to the electrode pad of the solid-state imaging device with the light-transmitting lid plate directly bonded to the upper surface,
A solid-state imaging device having a structure in which a periphery of the light-transmitting cover plate is sealed with a resin so that an upper surface of the light-transmitting cover plate is exposed.
前記有機絶縁テープの上面側に、レンズモジュール取り付け用治具が取り付けられ、
前記固体撮像素子の下面を覆うように、前記有機絶縁テープの下面側に金属板が取り付けられたことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
A lens module mounting jig is attached to the upper surface side of the organic insulating tape,
The solid-state imaging device according to claim 1, wherein a metal plate is attached to a lower surface side of the organic insulating tape so as to cover a lower surface of the solid-state imaging element.
前記有機絶縁テープは、外部から前記光透過性蓋板の側面への入射光を遮光するように、折り曲げて取り付けられたことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。   The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the organic insulating tape is attached by being bent so as to shield light incident on a side surface of the light-transmitting cover plate from the outside. 前記配線回路に接続されたアウターリード部が前記固体撮像素子の裏面側に引き出されるように、前記有機絶縁テープが、前記固体撮像素子の裏面に引き回されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。   2. The organic insulating tape is routed to the back surface of the solid-state image sensor so that an outer lead portion connected to the wiring circuit is pulled out to the back surface side of the solid-state image sensor. The solid-state imaging device described in 1. 前記配線回路に接続された前記アウターリード部上に、外部接続用突起が形成されたことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の固体撮像装置。   The solid-state imaging device according to claim 1, wherein an external connection protrusion is formed on the outer lead portion connected to the wiring circuit. 前記配線回路は、前記有機絶縁テープの下面側に形成され、前記配線回路から伸びるインナーリード部が、前記固体撮像素子の前記電極パッドに対して、フェースダウン方向に接合されたことを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。   The wiring circuit is formed on a lower surface side of the organic insulating tape, and an inner lead portion extending from the wiring circuit is bonded to the electrode pad of the solid-state imaging device in a face-down direction. The solid-state imaging device according to claim 5. デバイスホールを有する有機絶縁テープを用意する工程と、
前記有機絶縁テープに配線回路を形成する工程と、
固体撮像素子の上面に光透過性蓋板を直接接着する工程と、
前記固体撮像素子の電極パッドと前記配線回路から伸びるインナーリード部とを電気的に接続する工程と、
前記光透過性蓋板の上面が露出するように、前記光透過性蓋板の周囲を樹脂で封止する工程とからなることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Preparing an organic insulating tape having a device hole;
Forming a wiring circuit on the organic insulating tape;
Directly bonding a light-transmitting cover plate to the upper surface of the solid-state image sensor;
Electrically connecting an electrode pad of the solid-state image sensor and an inner lead extending from the wiring circuit;
And a step of sealing the periphery of the light transmissive cover plate with a resin so that the upper surface of the light transmissive cover plate is exposed.
前記有機絶縁テープの上面側に、レンズモジュール取り付け用治具を取り付ける工程と、
前記固体撮像素子の下面を覆うように、前記有機絶縁テープの下面側に金属板を取り付ける工程とからなることを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。
A step of attaching a jig for attaching a lens module to the upper surface side of the organic insulating tape;
The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 7, further comprising a step of attaching a metal plate to the lower surface side of the organic insulating tape so as to cover the lower surface of the solid-state imaging element.
前記光透過性蓋板の側面への入射光を遮光するように、前記有機絶縁テープを折り曲げる工程を有することを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。   The method of manufacturing a solid-state imaging device according to claim 7, further comprising a step of bending the organic insulating tape so as to block incident light on a side surface of the light-transmitting cover plate. 前記有機絶縁テープは、前記配線回路に接続されたアウターリード部を前記固体撮像素子の裏面側に引き出すように、前記有機絶縁テープを前記固体撮像素子の下面に引き回す工程を有することを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。   The organic insulating tape includes a step of drawing the organic insulating tape to a lower surface of the solid-state image sensor so that an outer lead portion connected to the wiring circuit is pulled out to a back surface side of the solid-state image sensor. A method for manufacturing the solid-state imaging device according to claim 7. 前記配線回路に接続された前記アウターリード部上に、外部接続用突起を形成する工程を有することを特徴とする請求項7〜請求項10のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。   The method of manufacturing a solid-state imaging device according to claim 7, further comprising a step of forming an external connection protrusion on the outer lead portion connected to the wiring circuit. 前記配線回路を前記有機絶縁テープの下面側に形成する工程と、
前記配線回路から伸びる前記インナーリード部を、前記固体撮像素子の前記電極パッドに対して、フェースダウン方向に接合する工程を有することを特徴とする請求項11に記載の固体撮像装置の製造方法。
Forming the wiring circuit on the lower surface side of the organic insulating tape;
The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 11, further comprising a step of joining the inner lead portion extending from the wiring circuit to the electrode pad of the solid-state imaging device in a face-down direction.
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